JP6852332B2 - 接着フィルム - Google Patents

Description

本発明は、接着フィルムに関する。さらには、接着フィルムを使用した配線板の製造方法、配線板及び半導体装置に関する。

配線板（プリント配線板）の製造方法としては、回路形成された導体層と絶縁層を交互に積み上げていくビルドアップ方式が広く用いられており、絶縁層は樹脂組成物を硬化して形成されることが知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１５−８２５３５号公報

近年、電子機器の軽薄短小化が進められている。それに伴い、折り曲げて電子機器に収納可能であるフレキシブル配線板が求められている。また、配線板の更なる薄型化を可能とするために、埋め込み型の配線層を備える配線板が求められている。

埋め込み型の配線層を備える配線板に使用する絶縁層としては、配線層や部品との間の平均線熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＣＴＥ、熱膨張率ともいう）の不整合を低減するために、無機充填材を高充填させた硬い材料が使用されてきた。しかし、埋め込み型の配線層を備える配線板を製造する際に反りが発生してしまうという問題があった。

また、埋め込み型の配線層を備える配線板に使用する絶縁層としては、平均線熱膨張係数を低くするために、柔軟な樹脂に無機充填材を高充填させた材料の使用も検討されてきたが、埋め込み型の配線層を備える配線板を製造する際にクラックが発生してしまうという問題があった。

本発明の課題は、上記問題を解決するためになされたものであり、埋め込み型の配線層を備える配線板を製造する際に反り、クラック等が発生しない絶縁層を形成可能とする接着フィルム、それを用いた配線板の製造方法、配線板、及び半導体装置を提供することにある。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）熱硬化性樹脂組成物層を含む接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程、及び
（４）基材を除去する工程、
を含む、配線板の製造方法に使用される接着フィルムであって、
接着フィルムは、支持体及び熱硬化性樹脂組成物層を含み、
熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数が、１６ｐｐｍ／℃以下であり、
熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の２５℃における弾性率が１２ＧＰａ以下であり、
熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の２５℃における破断強度が４５ＭＰａ以上である、接着フィルム。
［２］ 工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程である、［１］に記載の接着フィルム。
［３］ 絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた埋め込み型配線層と、を備える配線板の製造に使用される接着フィルムであって、
接着フィルムは、支持体及び熱硬化性樹脂組成物層を含み、
絶縁層は、熱硬化性樹脂組成物層の硬化物であり、
熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数が、１６ｐｐｍ／℃以下であり、
熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の２５℃における弾性率が１２ＧＰａ以下であり、
熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の２５℃における破断強度が４５ＭＰａ以上である、接着フィルム。
［４］ 熱硬化性樹脂組成物層は熱硬化性樹脂組成物からなり、熱硬化性樹脂組成物は、（ａ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、（ｂ）ガラス転移温度が２５℃以下または２５℃で液状である高分子樹脂、（ｃ）硬化剤、及び（ｄ）無機充填材を含む、［１］〜［３］のいずれかに記載の接着フィルム。
［５］ （ｂ）成分が、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、及びポリシロキサン構造からなる群から選択される１以上の構造を有する、［４］に記載の接着フィルム。
［６］ （ｂ）成分の含有量が、熱硬化性樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、２質量％〜１３質量％である、［４］又は［５］に記載の接着フィルム。
［７］ （ｄ）成分が、シリカ又はアルミナから選ばれる、［４］〜［６］のいずれかに記載の接着フィルム。
［８］ （ｄ）成分の含有量が、熱硬化性樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、７３質量％以上である、［４］〜［７］のいずれかに記載の接着フィルム。
［９］ （ｄ）成分と（ｂ）成分との混合比率（質量比）が（（ｄ）成分／（ｂ）成分）、５〜４５である、［４］〜［８］のいずれかに記載の接着フィルム。
［１０］ （１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）［１］〜［９］のいずれかに記載の接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程、及び、
（４）基材を除去する工程、
を含む、配線板の製造方法。
［１１］ 工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程である、［１０］に記載の方法。
［１２］ 工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程であり、レーザー照射によって行われる、［１０］又は［１１］に記載の方法。
［１３］ 導体層を形成する前に、粗化処理を行う工程を含む、［１２］に記載の方法。
［１４］ 配線板がフレキシブル配線板である、［１０］〜［１３］のいずれかに記載の方法。
［１５］ 配線パターンの最小ピッチが４０μｍ以下である、［１０］〜［１４］のいずれかに記載の方法。
［１６］ ［１］〜［９］のいずれかに記載の接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層の硬化物である絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた埋め込み型配線層と、を備える配線板。
［１７］ フレキシブル配線板である、［１６］に記載の配線板。
［１８］ 絶縁層の厚みが、２μｍ以上である、［１６］又は［１７］に記載の配線板。
［１９］ ［１６］〜［１８］のいずれかに記載の配線板を備える、半導体装置。

本発明によれば、埋め込み型の配線層を備える配線板を製造する際に反り、クラック等が発生しない絶縁層を形成可能とする接着フィルム、それを用いた配線板の製造方法、配線板、及び半導体装置を提供することができる。

図１は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図２は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図４は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図５は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図６は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図７は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図８は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図９は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１０は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１１は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１２は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１４は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１５は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１６は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１７は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１８は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図１９は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図２０は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図２１は、配線板の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図２２は、配線板を説明するための模式的な断面図である。 図２３は、配線板を説明するための模式的な断面図である。 図２４は、比較例２の熱硬化させた熱硬化性樹脂組成物層の断面写真である。

以下、本発明の接着フィルム、配線板の製造方法、配線板、及び半導体装置について詳細に説明する。

［接着フィルム］
本発明の接着フィルムは、（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、（２）熱硬化性樹脂組成物層を含む接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、（３）配線層を層間接続する工程、及び、（４）基材を除去する工程、を含む、配線板の製造方法に使用される接着フィルムであって、接着フィルムは、支持体及び熱硬化性樹脂組成物層を含み、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数が、１６ｐｐｍ／℃以下であり、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の２５℃における弾性率が１２ＧＰａ以下であり、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の２５℃における破断強度（「破壊強度」ともいう）が４５ＭＰａ以上であることを特徴とする。

また、本発明の接着フィルムは、絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた埋め込み型配線層と、を備える配線板の製造に使用される接着フィルムであって、接着フィルムは、支持体及び熱硬化性樹脂組成物層を含み、絶縁層は、熱硬化性樹脂組成物層の硬化物からなり、熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数が、１６ｐｐｍ／℃以下であり、熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の２５℃における弾性率が１２ＧＰａ以下であり、熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の２５℃における破断強度が４５ＭＰａ以上であることを特徴とする。

本発明の接着フィルムは、支持体及び熱硬化性樹脂組成物層を含み、一実施形態において、接着フィルムは、支持体と、該支持体と接合している熱硬化性樹脂組成物層とを含んでなり、熱硬化性樹脂組成物層は熱硬化性樹脂組成物から構成される。以下、接着フィルムを構成する各層について詳細に説明する。

＜支持体＞
本発明の接着フィルムは支持体を含む。支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。また、金属箔は複数の金属箔が積層したものを用いてもよい。

支持体は、熱硬化性樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

また、支持体としては、熱硬化性樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」等が挙げられる。

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

＜熱硬化性樹脂組成物層＞
本発明の接着フィルムは、熱硬化性樹脂組成物層を含み、熱硬化性樹脂組成物層は熱硬化性樹脂組成物から構成される。詳細は後述するが、配線板を製造するに際して、配線層は熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれ、これによって埋め込み型の配線層が形成される。熱硬化性樹脂組成物層を構成する熱硬化性樹脂組成物（以下「樹脂組成物」ともいう）は特に限定されず、その硬化物が十分な絶縁性を有するものであればよい。斯かる熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、熱硬化性樹脂とその硬化剤を含む組成物が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、配線板の絶縁層を形成する際に使用される従来公知の熱硬化性樹脂を用いることができ、中でも芳香族構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の弾性率及び平均線熱膨張係数を低くする観点、並びに本発明の接着フィルムを用いて製造され得る配線板の反りの発生を抑制するために、熱硬化性樹脂組成物はガラス転移温度が２５℃以下または２５℃で液状である高分子樹脂、並びに無機充填材を含む。したがって一実施形態において、熱硬化性樹脂組成物は（ａ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、（ｂ）ガラス転移温度が２５℃以下または２５℃で液状である高分子樹脂、（ｃ）硬化剤、及び（ｄ）無機充填材を含む。熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（ｅ）硬化促進剤、（ｆ）熱可塑性樹脂（ただし（ｂ）成分に該当するものを除く）、（ｇ）難燃剤等の添加剤を含んでいてもよい。

−（ａ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂−
芳香族構造を有するエポキシ樹脂（以下、単に「エポキシ樹脂」ともいう）は、芳香族構造を有していれば特に限定されない。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビシキレノール型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有する線状脂肪族エポキシ樹脂、芳香族構造を有するブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、芳香族構造を有する脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、芳香族構造を有するスピロ環含有エポキシ樹脂、芳香族構造を有するシクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するトリメチロール型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するテトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（ａ）成分は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルエステル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するエステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、芳香族構造を有するシクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂及び芳香族構造を有するブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がさらに好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス（株）製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、（株）ダイセル製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル（株）製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）等が挙げられる。

液状エポキシ樹脂としては１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状の芳香族系エポキシ樹脂が好ましく、固体状エポキシ樹脂としては１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状の芳香族系エポキシ樹脂が好ましい。なお、本発明でいう芳香族系エポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環構造を有するエポキシ樹脂を意味する。

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：２０の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１０の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：９の範囲がさらに好ましい。

熱硬化性樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、好ましくは４質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは６質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下である。

なお、本発明において、熱硬化性樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、熱硬化性樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

−（ｂ）ガラス転移温度が２５℃以下または２５℃で液状である高分子樹脂−
熱硬化性樹脂組成物は（ｂ）成分を含む。（ｂ）成分としては、ガラス転移温度が２５℃以下の高分子樹脂だけを用いてもよく、２５℃で液状である高分子樹脂だけを用いてもよく、ガラス転移温度が２５℃以下の高分子樹脂と、２５℃で液状である高分子樹脂とを組み合わせて用いてもよい。（ｂ）成分のような柔軟な高分子樹脂を含むことで、熱硬化性樹脂組成物層の硬化物の弾性率及び熱膨張率を低下させ、且つ本発明の接着フィルムを用いて製造され得る配線板の反りの発生を抑制することができる。

（ｂ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下である高分子樹脂のガラス転移温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１５℃以下である。（ｂ）成分のガラス転移温度の下限は特に限定されないが、通常−１５℃以上とし得る。

（ｂ）成分は、（ａ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。すなわち、（ｂ）成分は、ガラス転移温度が２５℃以下である、官能基を有する樹脂が好ましく、２５℃で液状である、官能基を有する樹脂から選択される１種以上の樹脂が好ましい。好適な一実施形態において、（ｂ）成分が有する官能基は、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシル基、酸無水物基、エポキシ基、フェノール性水酸基が好ましく、ヒドロキシル基、酸無水物基、エポキシ基がより好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、（ｂ）成分は芳香族構造を有さないことが好ましい。

（ｂ）成分は、弾性率が低い熱硬化性樹脂組成物層を得る観点から、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、及びポリシロキサン構造からなる群から選択される１以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造からなる群から選択される１以上の構造を有することがより好ましい。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。

ポリアルキレン構造は、好ましくは炭素原子数２〜１５のポリアルキレン構造、より好ましくは炭素原子数３〜１０のポリアルキレン構造、より好ましくは炭素原子数５〜６のポリアルキレン構造である。

ポリアルキレンオキシ構造は、好ましくは炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造、より好ましくは炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造、より好ましくは炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造である。

（ｂ）成分の好適な一実施形態は、ブタジエン樹脂である。ブタジエン樹脂としては２５℃で液状またはガラス転移温度が２５℃以下のブタジエン樹脂が好ましく、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂（例えば水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂）、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂（ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂）、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂及びウレタン基含有ブタジエン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましく、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂がさらに好ましい。ここで、「ブタジエン樹脂」とは、ポリブタジエン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ポリブタジエン構造は一部または全てが水素添加されていてもよい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。

ブタジエン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１００，０００、より好ましくは５,０００〜５０，０００、より好ましくは７,５００〜３０，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１５，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

ブタジエン樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１００〜１００００、より好ましくは２００〜５０００である。なお、官能基当量とは、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。水酸基当量はＪＩＳ Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。

ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「Ｒ−４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、等が挙げられる。

また（ｂ）成分の他の好適な一実施形態として、イミド構造を有する樹脂を使用することもできる。このような（ｂ）成分として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

（ｂ）成分のより好適な一実施形態は、分子内にポリブタジエン構造、ウレタン構造、及びイミド構造を有するポリイミド樹脂であり、該ポリイミド樹脂は分子末端にフェノール構造を有することが好ましい。

該ポリイミド樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０００〜１０００００、より好ましくは１００００〜１５０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

該ポリイミド樹脂の酸価は、好ましくは１ＫＯＨ／ｇ〜３０ＫＯＨ／ｇ、より好ましくは１０ＫＯＨ／ｇ〜２０ＫＯＨ／ｇである。

該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。

（ｂ）成分の他の好適な一実施形態は、アクリル樹脂である。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下のアクリル樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂、フェノール性水酸基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂及びウレタン基含有アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ここで、「アクリル樹脂」とは、（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂において（メタ）アクリレート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。

アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、より好ましくは３０，０００〜９００，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

アクリル樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００、より好ましくは２５００〜３００００である。

アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ−７０Ｌ」、「ＳＧ−７０８−６」、「ＷＳ−０２３」、「ＳＧ−７００ＡＳ」、「ＳＧ−２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５〜３４ｍｇＫＯＨ/ｇ、重量平均分子量４０万〜９０万、Ｔｇ−３０〜５℃）、「ＳＧ−８０Ｈ」、「ＳＧ−８０Ｈ−３」、「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１〜１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万〜８５万、Ｔｇ１１〜１２℃）、「ＳＧ−６００ＴＥＡ」、「ＳＧ−７９０」」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万〜１２０万、Ｔｇ−３７〜−３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ−１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。

また、（ｂ）成分の好適な一実施形態は、カーボネート樹脂である。カーボネート樹脂としてはガラス転移温度が２５℃以下のカーボネート樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂及びウレタン基含有カーボネート樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂が好ましい。ここで、「カーボネート樹脂」とは、カーボネート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてカーボネート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。

カーボネート樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、及び官能基当量はブタジエン樹脂と同様であり、好ましい範囲も同様である。

カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。

またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３６０９）を使用することもできる。該ポリイミド樹脂のカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３６０９の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

また、さらなる（ｂ）成分の好適な一実施形態は、ポリシロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソプレン樹脂、イソブチレン樹脂である。

ポリシロキサン樹脂の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。
アルキレン樹脂の具体例としては旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」、三菱化学社製の「ＹＸ−７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）等が挙げられる。
アルキレンオキシ樹脂の具体例としてはＤＩＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製「ＥＸＡ−４８５０−１５０」「ＥＸＡ−４８１６」「ＥＸＡ−４８２２」ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−４０００」、「ＥＰ−４００３」、「ＥＰ−４０１０」、及び「ＥＰ−４０１１」、新日本理化社製「ＢＥＯ−６０Ｅ」「ＢＰＯ−２０Ｅ」ならびに三菱化学社製「ＹＬ７１７５」、及び「ＹＬ７４１０」等が挙げられる。
イソプレン樹脂の具体例としてはクラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。
イソブチレン樹脂の具体例としてはカネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。

またさらなる（ｂ）成分の好適な実施形態として、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられ、具体的には、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム社製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、ガンツ化成社製）、パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業社製）等が挙げられる。ポリアミド微粒子の具体例としては、ナイロンのような脂肪族ポリアミド、さらには、ポリアミドイミド等柔軟な骨格であればどのようなものでも良く、具体的には、ＶＥＳＴＯＳＩＮＴ ２０７０（ダイセルヒュルス社製）や、ＳＰ５００（東レ社製）等が挙げられる。

破断強度を向上させる観点から、（ｂ）成分は、（ｂ）成分以外の成分との相溶性が高いことが好ましい。すなわち、熱硬化性樹脂組成物層中に（ｂ）成分が分散していることが好ましい。また、（ｂ）成分は熱硬化性樹脂組成物層中でドメインを形成して分散していてもよい。ドメインの平均最大径は１５μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下、又は分散していない（ドメインの平均最大径が０μｍ）ことがさらに好ましい。

ドメインの平均最大径は、以下のようにして測定することができる。１００℃で３０分間、次いで１７０℃で３０分間の条件で熱硬化させた接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層に対して、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、断面観察を行った。詳細には、接着フィルムの表面に垂直な方向における断面をＦＩＢ（集束イオンビーム）により削り出し、断面ＳＥＭ画像（観察幅６０μｍ、観察倍率２，０００倍）を取得した。無作為に選んだ５箇所の断面ＳＥＭ画像を観察し、任意に２０点（４点／各切断面）選んだドメインの最大径をそれぞれ測定し、その平均値を平均最大径とした。最大径とはドメインの径のうち最大となる径のことをいう。

熱硬化性樹脂組成物中の（ｂ）成分の含有量は特に限定されないが、好ましくは１３質量％以下、より好ましくは１２質量％以下、さらに好ましくは１１質量％以下である。また、下限は、好ましくは２質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは４質量％以上である。

−（ｃ）硬化剤−
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（ｃ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、配線層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び配線層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金（株）製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」等が挙げられる。

配線層との密着性に優れる絶縁層を得る観点から、活性エステル系硬化剤も好ましい。活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ（株）製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学（株）製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学（株）製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学（株）製）等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル（株）製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１〜１：２の範囲が好ましく、１：０．０１５〜１：１．５がより好ましく、１：０．０２〜１：１がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。

一実施形態において、熱硬化性樹脂組成物は、先述の（ａ）エポキシ樹脂及び（ｃ）硬化剤を含む。熱硬化性樹脂組成物は、（ａ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は好ましくは１：０．１〜１：２０、より好ましくは１：０．３〜１：１０、さらに好ましくは１：０．６〜１：９）を、（ｃ）硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上を、それぞれ含むことが好ましい。

熱硬化性樹脂組成物中の硬化剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。また、下限は特に制限はないが２質量％以上が好ましい。

−（ｄ）無機充填材−
無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカ又はアルミナが好適であり、シリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

無機充填材の平均粒径は、良好な埋め込み性の観点から、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、（株）アドマテックス製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、電気化学工業（株）製「ＵＦＰ−３０」、（株）トクヤマ製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ４」、「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ１」、日本軽金属（株）製「ＡＨＰ３００」、昭和電工（株）製「アルナビーズ（登録商標）ＣＢ」（例えば、「ＣＢ−Ｐ０５」、「ＣＢ−Ａ３０Ｓ」）デンカ社製「ＤＡＷ−０３」「ＤＡＷ−４５」、「ＤＡＷ−０５」、「ＡＳＦＰ−２０」等が挙げられる。

無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。

熱硬化性樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、熱膨張率の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは７３質量％以上である。熱硬化性樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、絶縁層の機械強度、特に伸びの観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下である。

（ｄ）成分と（ｂ）成分との混合比率（質量比）としては（（ｄ）成分／（ｂ）成分）、線熱膨張係数及び弾性率を低くする観点から、好ましくは５〜４５、より好ましくは６〜３５、さらに好ましくは７〜２５である。

−（ｅ）硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学（株）製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

熱硬化性樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分合計量を１００質量％としたとき、０．０１質量％〜３質量％が好ましい。

−（ｆ）熱可塑性樹脂（ただし（ｂ）成分に該当するものを除く）−
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂好ましく、フェノキシ樹脂がより好ましい。熱可塑性樹脂は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業（株）製の「電化ブチラール４０００−２」、「電化ブチラール５０００−Ａ」、「電化ブチラール６０００−Ｃ」、「電化ブチラール６０００−ＥＰ」、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ−５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ−１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学（株）製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「ＯＰＥ−２Ｓｔ １２００」等が挙げられる。

中でも、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。したがって好適な一実施形態において、熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される１種以上を含む。

熱硬化性樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有する場合、熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは０．５質量％〜６０質量％、より好ましくは３質量％〜５０質量％、さらに好ましくは５質量％〜４０質量％である。

−（ｇ）難燃剤−
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光（株）製の「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業（株）製の「ＰＸ−２００」等が挙げられる。

熱硬化性樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されないが、好ましくは０．５質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜１０質量％がさらに好ましい。

−その他の成分−
熱硬化性樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

熱硬化性樹脂組成物層の厚みは、配線板の薄型化の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下又は２０μｍ以下である。熱硬化性樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。

接着フィルムは、支持体及び熱硬化性樹脂組成物層に加えて、他の層を含んでもよい。例えば、接着フィルムは、後述する保護フィルム層を最表面に有していてもよい。

＜接着フィルムの製造方法＞
接着フィルムの製造方法は、支持体と、該支持体と接合している熱硬化性樹脂組成物層とを含んでいる限りにおいて特に限定されない。接着フィルムは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１５分間乾燥させることにより、熱硬化性樹脂組成物層を形成することができる。

接着フィルムにおいて、熱硬化性樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、熱硬化性樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。接着フィルムは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。接着フィルムが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

保護フィルムとしては、プラスチック材料からなるフィルムが好ましい。

プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレンが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

また、保護フィルムとしては、熱硬化性樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」等が挙げられる。

保護フィルムの厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

本発明における熱硬化性樹脂組成物層は、良好な埋め込み性を示す。配線層付き基材上に積層する際、ボイドがない状態で配線層に熱硬化性樹脂組成物層を積層することができる。

本発明の接着フィルムにおいて、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物（例えば１９０℃で９０分間硬化させて得られる硬化物（熱硬化後の熱硬化性樹脂組成物層））は、３０〜１５０℃において良好な平均線熱膨張係数を示す。即ち良好な平均線熱膨張係数を示す絶縁層をもたらす。熱硬化性樹脂組成物層を硬化させて得られる硬化物の３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数は、１６ｐｐｍ／℃以下であり、好ましくは１５ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは１４ｐｐｍ／℃以下、１３ｐｐｍ／℃以下である。下限については特に限定されないが、０．１ｐｐｍ／℃以上である。平均線熱膨張係数の測定方法は、後述する＜平均線熱膨張係数（熱膨張率）の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の接着フィルムにおいて、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物（例えば１９０℃で９０分間硬化させて得られる硬化物（熱硬化後の熱硬化性樹脂組成物層））は、良好な弾性率（２５℃）を示す。即ち良好な弾性率を示す絶縁層をもたらす。硬化後の熱硬化性樹脂組成物層の２５℃における弾性率は、１２ＧＰａ以下であり、好ましくは１１ＧＰａ以下であり、より好ましくは１０ＧＰａ以下である。下限については特に限定されないが、０．１ＧＰａ以上である。弾性率の測定方法は、後述する＜弾性率、及び破断強度の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の接着フィルムにおいて、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物（例えば１９０℃で９０分間硬化させて得られる硬化物（熱硬化後の熱硬化性樹脂組成物層））は、良好な破断強度（２５℃）を示す。即ち良好な破断強度を示す絶縁層をもたらす。硬化後の熱硬化性樹脂組成物層の２５℃における破断強度は、４５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以上であり、より好ましくは６０ＭＰａ以上である。上限については特に限定されないが、５００ＭＰａ以下である。破断強度の測定方法は、後述する＜弾性率、及び破断強度の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の接着フィルムは、３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数、２５℃における弾性率、及び２５℃における破断強度が良好な結果を示す硬化物を付与する熱硬化性樹脂組成物層を含むので、本発明の接着フィルムを使用して製造された配線板においては反り及びクラックの発生が抑制される。したがって、本発明の接着フィルムは、埋め込み型の配線層を備えるプリント配線板の絶縁層を形成するために好適に使用することができ、プリント配線板の層間絶縁層を形成するためにより好適に使用することができる。

［配線板の製造方法］
本発明の配線板の製造方法は、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程、及び
（４）基材を除去する工程、を含むことを特徴とする。

工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。

以下、工程（３）が絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程である場合を第１実施形態、工程（３）が絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程である場合を第２実施形態として説明する。

１．第１実施形態
＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。図１に一例を示すように、配線層付き基材１０は、基材１１の両面に基材１１の一部である第１金属層１２、第２金属層１３をそれぞれ有し、一方の第２金属層１３の基材１１側の面とは反対側の面に配線層１４を有する。

工程（１）の詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電界めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。

第１及び第２金属層に使用する材料は特に限定されない。好適な実施形態では、第１及び第２金属層は、コスト、エッチング、剥離の容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅が好ましく、銅がより好ましい。

基材としては、工程（１）〜（４）を実施し得る限り特に限定されない。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。

ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよく、例えば、ＰＥＴフィルム付きドライフィルムであるニッコー・マテリアルズ（株）製「ＡＬＰＨＯ ２０Ａ２６３」を用いることができる。ドライフィルムは、基材の一方の面に積層させてもよく、後述する第２実施形態のように基材の両面に積層させてもよい。

基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の接着フィルムを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。

ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。

配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１８／１８μｍ以下（ピッチ３６μｍ以下）、さらに好ましくは１５／１５μｍ以下（ピッチ３０μｍ以下）である。配線層のライン／スペース比の下限は特に制限されないが、好ましくは０．５／０．５μｍ以上、より好ましくは１／１μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。

配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。

ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。

配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。

配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、又は１５μｍである。

配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。

＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。本発明における熱硬化性樹脂組成物層は良好な埋め込み性を示すので、配線層付き基材上に積層する際、ボイドがない状態で積層することができる。図２に一例を示すように、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層１４が、接着フィルム２０の熱硬化性樹脂組成物層２１に埋め込まれるように積層させ、接着フィルム２０の熱硬化性樹脂組成物層２１を熱硬化させる。接着フィルム２０は、熱硬化性樹脂組成物層２１と、支持体２２との順で積層されてなる。

まず、図２に一例を示すように、接着フィルム２０の熱硬化性樹脂組成物層２１を、配線層１４が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層させる。

配線層と接着フィルムの積層は、接着フィルムの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から接着フィルムを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。接着フィルムを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を接着フィルムに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に接着フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

配線層と接着フィルムの積層は、接着フィルムの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニッコー・マテリアルズ（株）製の真空加圧式ラミネーター、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ（株）製のバキュームアップリケーター等が挙げられる。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された接着フィルムの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

熱硬化性樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化条件は特に限定されず、配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。

例えば、熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化条件は、熱硬化性樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜２００℃の範囲）、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲（好ましくは１０分間〜１００分間、より好ましくは１５分間〜９０分間）とすることができる。

熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させる前に、熱硬化性樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、熱硬化性樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。

接着フィルムの支持体は、配線層付き基材上に接着フィルムを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、配線層付き基材上に接着フィルムを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。

絶縁層の厚みは、熱硬化性樹脂組成物層の厚みと同様であり、好ましい範囲も同様である。

＜工程（３）＞
第１実施形態における工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程である。以下、絶縁層にビアホールを形成する段階（以下、「工程（３−１）」ともいう）、及び導体層を形成する段階（以下、「工程（３−２）」ともいう）に分けて説明する。

−工程（３−１）−
ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。詳細は、図３に一例を示すように、工程（３）は、支持体２２を剥離した後で、接着フィルム２０の面側からレーザー照射を行って、支持体２２、絶縁層２１’を貫通して配線層１４を露出させるビアホール３１を形成する。

このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。用いられ得るレーザー加工機としては、例えば、ビアメカニクス（株）製ＣＯ_２レーザー加工機「ＬＣ−２ｋ２１２／２Ｃ」、三菱電機（株）製の６０５ＧＴＷＩＩＩ（−Ｐ）、松下溶接システム（株）製のレーザー加工機が挙げられる。

レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。

ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。以下、ビアホールの「径」という場合には、延在方向でみたときの開口の輪郭の径（直径）をいう。本明細書において、トップ径ｒ１とはビアホールの絶縁層２１’側の輪郭の径をいい、底部径ｒ２とはビアホールの配線層１４側の輪郭の径をいう(図３、図４を参照)。

ビアホールのトップ径ｒ１が１２０μｍ以下、好ましくは９０μｍ以下となるようにビアホールを形成することが好ましい。

図３に一例を示すように、ｒ１がｒ２よりも大きくなるようにビアホール３１を形成してもよく、図４に一例を示すように、ビアホールのトップ径ｒ１がビアホール３１の底部径ｒ２と同一となるようにビアホール３１を形成してもよい。

このようにすれば、ビアホールの埋め込み性が良好となりボイドの発生を抑制することができ、結果として後述するフィルドビアによる電気的な接続の信頼性を向上させることができる。

ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する工程（３−２）がめっき工程により行われる場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、工程（３−２）がスパッタ工程により行われる場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。

工程（３−２）の前に、粗化処理を行う工程を含んでもよい。粗化処理は、ビアホール、絶縁層に対して行い、粗化処理の手順、条件は特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

湿式の粗化処理では、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して絶縁層２１’を粗化処理することができる。膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ等が挙げられる。

膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に絶縁層２１’を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層２１’の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に絶縁層２１’を５秒間〜１５分間浸漬させることが好ましい。酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層２１’を１０分間〜３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のコンセントレート・コンパクトＰ、ドージングソリューション・セキュリガンスＰ等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のリダクションソリューション・セキュリガンスＰが挙げられる。

中和液による処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた対象物を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。

−工程（３−２）−
導体層を構成する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線パターンに使用する導体材料と同じ材料により形成することができ、銅を材料とすることが好ましい。

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。

導体層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。

導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。また、接着フィルムにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。

詳細は、絶縁層２１’の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電界めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。

図５に一例を示すように、露出した絶縁層２１’の表面に接合するめっきシード層４１を形成する。まず、絶縁層２１’の表面の洗浄と電荷調整のためのアルカリクリーニングを行う。次にビアホール３１内の洗浄のためにソフトエッチング工程を行う。具体的には、硫酸酸性ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液などのエッチャントを用いて、任意好適な条件で処理すればよい。次いでＰｄ（パラジウム）を絶縁層２１’の表面に付与するための、絶縁層２１’の表面の電荷を調整するプレディップ工程を行う。次に該表面にアクティヴェーターであるＰｄを付与し、絶縁層２１’に付与されたＰｄを還元する。次に、銅（Ｃｕ）を絶縁層２１’の表面に析出させてめっきシード層４１を形成する。このとき、めっきシード層４１は、ビアホール３１内、すなわち側壁及びビアホール３１から露出した配線層１４を覆うように形成される。

図６に一例を示すように、めっきシード層４１を形成後、めっきシード層４１の一部を露出させるマスクパターン５０を形成する。マスクパターン５０の形成は、例えば、ドライフィルムをめっきシード層４１に接合させて所定の条件で露光、現像及び洗浄を行うことにより形成することができる。

工程（３−２）で使用し得るドライフィルムとしては、上記ドライフィルムと同様であり、好ましい範囲も同様である。

図７に一例を示すように、露出しためっきシード層４１上に、ビアホール３１が充填される条件で電解めっき処理により電界めっき層４２を形成し、併せてビアホールを電界めっき処理により埋め込んでフィルドビア６１を形成する。

図８に一例を示すように、次いで、マスクパターンを剥離して除去し、露出しためっきシード層４１のみを除去する任意好適な条件でのフラッシュエッチングを行ってパターン導体層４０を形成する。

導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。

また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電界めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。

＜工程（４）＞
工程（４）は、図９に一例を示すように基材を除去し、本発明の配線板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で配線板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。

必要に応じて、導体層４０を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。該保護フィルムとしては、接着フィルムで用いる保護フィルムと同様であり、好ましい範囲も同様である。

このような本発明の製造方法により、配線層１４が絶縁層２１’に埋め込まれた態様の配線板を製造することができる。また、絶縁層２１’を少なくとも１層含むことにより、フレキシブルな配線板とすることができる。また、必要に応じて、工程（２）〜（３）の絶縁層及び導体層の形成を繰り返して実施し、多層配線板を形成してもよい。多層配線板を製造する際、本発明の接着フィルムは少なくとも１つ使用すればよい。また、工程（３）を複数行う場合、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程以外に、絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程を行ってもよい。フレキシブルとは、クラックや抵抗値変化を生じることなく配線板を少なくとも１回折り曲げることができることをいう。

２．第２実施形態
第１実施形態は、工程（３）が絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程である場合であるが、第２実施形態は、工程（３）が絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程である以外は第１実施形態と同様である。以下の説明に用いる各図において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明を省略する場合がある。

工程（１）は、基材と、該基材の両面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。配線層１４の形成方法は第１実施形態と同様である。第２実施形態における工程（１）は、図１０に一例を示したように、第２実施形態における各配線層１４の厚みは異なっていることが好ましい。

各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下又は２０μｍ以下である。下限は、特に限定されないが、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。最も厚みがある配線層以外の配線層の厚みは第１実施形態における配線層の厚みと同様であり、好ましい範囲も同様である。

工程（２）は、図１１に一例を示したように、本発明の接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程であり、第１実施形態と同様であり、好ましい範囲も同様である。

工程（３）は、絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程である。第１実施形態における工程（３）とは異なり、ビアホールを形成しないので、ビアホールを形成するコストを大幅に削減できる。

上述したように、第２実施形態における配線層としては、図１に一例を示したように、各配線層が均一の厚みである場合でもよく、図１０に一例を示したように、各配線層１４が異なる厚みであってもよい。工程（３）では、全ての配線層を露出させる必要はなく、例えば、図１２に一例を示すように、配線層１４の一部を露出させてもよい。

絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。

工程（３）の後、必要に応じて、第１実施形態と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよい。また、必要に応じて、上述した工程（３−２）のように、導体層を形成してもよい。

工程（４）は、図１３に一例を示すように基材を除去し、本発明の配線板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で配線板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。

３．第３実施形態
第１実施形態は、一方の面に配線層を有する配線層付き基材から配線板を製造したが、第３実施形態は、基材の両面に配線層を有する配線層付き基材から配線板を製造する以外は第１実施形態と同様である。以下の説明に用いる各図において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明を省略する場合がある。

工程（１）は、図１４に一例を示すように、基材と、該基材の両面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。配線層１４の形成方法は第１実施形態と同様であり、基材の両面に設けられた配線層は同時に形成し配線層付き基材を準備してもよく、一方の配線層を形成後に他方の配線層を形成し配線層付き基材を準備してもよい。また、各配線層は同一のパターンであってもよく、異なるパターンであってもよい。また、各配線層の厚みは図１０のように異なっていてもよい。

工程（２）は、図１５に一例を示すように、配線層付き基材の両面に対して、接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上にそれぞれ積層し、熱硬化させる工程である。使用する２つの接着フィルムは同一の接着フィルムであってもよく、異なる接着フィルムであってもよい。

工程（３）は、図１６に一例を示すように、配線層付き基材の両面に対して、熱硬化させた接着フィルム側からレーザー照射を行い、熱硬化させた接着フィルムにビアホールを形成することが好ましい。ビアホールの形成は、同時に形成してもよく、一方のビアホールを形成後に他方のビアホールを形成してもよい。

導体層を形成する前に、配線層付き基材の両面に対して、粗化処理を行う工程を含んでもよく、２つの絶縁層２１’の表面を粗化処理する。粗化処理は同時に行ってもよく、一方の粗化処理後に他方の粗化処理を行ってもよい。

ビアホール形成後、配線層付き基材の両面に対して、導体層を形成する。図１７に一例を示すように、粗化処理後の絶縁層２１’上にめっきシード層４１を形成する。めっきシード層４１を形成後、図１８に一例を示すように、めっきシード層４１の一部を露出させるマスクパターン５０を形成し、図１９に一例を示すように、露出しためっきシード層４１上に、電界めっき層４２を形成し、併せてビアホールを電界めっき処理により埋め込んでフィルドビア６１を形成する。図２０に一例を示すように、マスクパターンを除去し、導体層４０を形成する。導体層４０の形成の詳細は、第１実施形態と同様に行うことができる。また、基材の両面に設けられた２つの導体層は同時に形成してもよく、一方の導体層を形成後に他方の導体層を形成してもよい。

第３実施形態における工程（３）が、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程である場合について説明したが、代わりに絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程を行ってもよい。また、配線層付き基材の一方の面に対して、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程を行い、他方の面に対して、絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程を行ってもよい。

工程（４）は、図２１に一例を示すように、基材を除去し、本発明の配線板を形成する工程である。第３実施形態では同時に２種類の配線板を製造することが可能となる。

［配線板］
本発明の配線板は、本発明の接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層の硬化物である絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた埋め込み型配線層と、を備えることを特徴とする。なお、上述した内容と重複する説明は省略する場合がある。

本発明の配線板は、例えば、上記（１）〜（４）の工程を含む、本発明の配線板の製造方法により製造することができる。本発明の配線板１は、図９に一例を示すように、埋め込み型配線層１４、及び絶縁層２１’の順で積層している。絶縁層２１’の埋め込み型配線層１４と接合していない面上（即ち埋め込み型配線層１４とは反対側の面上）に、導体層４０を備える。埋め込み型配線層１４は、フィルドビア６１を介して導体層４０と接合している。

埋め込み型配線層とは、半導体チップ等の部品との導体接続が可能である限りにおいて絶縁層２１’に埋め込まれている配線層（配線層１４）をいう。埋め込み型配線層は、通常、接着フィルムが積層された側と反対側の面において、その突出高さが実質的に０（ゼロ）、通常、−１μｍ〜＋１μｍとなるように、絶縁層に埋め込まれている。

本発明の配線板は、図２２及び図２３に一例を示すような多層配線板であってもよい。図２２、及び図２３に一例を示した配線板における絶縁層を形成する熱硬化性樹脂組成物層を構成する熱硬化性樹脂組成物は、同一の組成であってもよく異なる組成であってもよい。また、図２２に一例を示すように、フィルドビア６１のトップ径と底部径とが略同一であってもよく、図２３に一例を示すように、フィルドビア６１のトップ径が底部径よりも大きくてもよい。

本発明の接着フィルムを用いて製造された配線板は、反りの発生が抑制されるという特性を示す。反りの大きさは、好ましくは１ｃｍ以下である。下限については特に限定されないが、０．０１ｍｍ以上である。反りの測定は、後述する＜反りの評価＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の接着フィルムを用いて製造された配線板は、クラックの発生が抑制されるという特性を示す。クラックの長さは、好ましくは１ｍｍ未満である。下限については特に限定されないが、０．０１ｍｍ以上である。クラックの測定は、後述する＜クラックの評価＞に記載の方法に従って測定することができる。

［半導体装置］
本発明の半導体装置は、本発明の配線板を含むことを特徴とする。本発明の半導体装置は、本発明の配線板を用いて製造することができる。

半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

本発明の半導体装置は、プリント配線板の導通箇所に、部品（半導体チップ）を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）による実装方法、非導電性フィルム（ＮＣＦ）による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

＜評価基板の調製＞
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程
（１−１）基材（コア基板）へのドライフィルムの積層
コア基板として、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（層構成：三井金属鉱業（株）製マイクロシンＭＴ−Ｅｘ銅箔（厚さ３μｍの銅箔／厚さ１８μｍのキャリア箔）／パナソニック（株）製「Ｒ１５１５Ａ」基板（厚さ０．２ｍｍ）／三井金属鉱業（株）製マイクロシンＭＴ−Ｅｘ銅箔（厚さ１８μｍのキャリア箔／厚さ３μｍの銅箔））１７０×１１０ｍｍ角を準備した。該積層板の３μｍ銅箔のマット面側両面に、ＰＥＴフィルム付きドライフィルム（ニッコー・マテリアルズ（株）製「ＡＬＰＨＯ ２０Ａ２６３」、ドライフィルムの厚さ２０μｍ）を、ドライフィルムが銅箔と接合するように、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ（株）製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて積層した。ドライフィルムの積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、温度７０℃、圧力０．１ＭＰａにて２０秒間圧着することにより行った。

（１−２）パターンの形成
以下に示した配線パターンを形成したガラスマスク（フォトマスク）を、ドライフィルムの保護層であるＰＥＴフィルム上に配置し、ＵＶランプにより照射強度１５０ｍＪ／ｃｍ２にてＵＶ照射した。ＵＶ照射後、ドライフィルムのＰＥＴフィルムを剥離し、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を噴射圧０．１５ＭＰａにて３０秒間スプレー処理した。その後、水洗して、ドライフィルムの現像（パターン形成）を行った。

ガラスマスクの配線パターン：
Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ、すなわち配線ピッチ３０μｍの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）を１０ｍｍ間隔で形成。

（１−３）配線層の形成
ドライフィルムの現像後、電解銅めっきを１５μｍの厚さで行い、配線層を形成した。次いで、５０℃の３％水酸化ナトリウム溶液を噴射圧０．２ＭＰａにてスプレー処理し、ドライフィルムを剥離した後、水洗を行い１５０℃で３０分間乾燥した。

（２）配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、接着フィルムを配線層付き基材上に積層し、熱硬化させ絶縁層を形成する工程
（２−１）接着フィルムの積層
実施例及び比較例で作製した接着フィルムの保護フィルム（１６７ｍｍ×１０７ｍｍ）の保護フィルムを剥離し、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ（株）製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、熱硬化性樹脂組成物層が配線層と接合するように、配線層両面に埋め込み積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１１０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、積層された接着フィルムを、大気圧下、１１０℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスして平滑化した。

（２−２）熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化
接着フィルムの積層後、支持体（ＰＥＴフィルム）を剥離し、１００℃で３０分間、次いで１７０℃で３０分間の条件で熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて、配線層の両面に絶縁層を形成した。

（３）絶縁層にビアホールを形成する工程
絶縁層の上方から、三菱電機（株）製ＣＯ_２レーザー加工機「６０５ＧＴＷＩＩＩ（−Ｐ）」を使用して、絶縁層の上方からレーザーを照射して、櫛歯配線パターンのランドとなる１５０μｍ角正方形の配線層直上の絶縁層にトップ径（７５μｍ）のビアホールを形成した。レーザーの照射条件は、マスク径が２．５ｍｍであり、パルス幅が１６μｓであり、エネルギーが０．３６ｍＪ／ショットであり、ショット数が３であり、バーストモード（１０ｋＨｚ）で行った。

（３−１）粗化処理を行う工程
ビアホールが設けられた構造体に対してデスミア処理を行った。なお、デスミア処理としては、下記の湿式デスミア処理を実施した。

湿式デスミア処理：
ビアホールが設けられた回路基板を、膨潤液（アトテックジャパン（株）製「スウェリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液）に６０℃で５分間、次いで酸化剤溶液（アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６％、水酸化ナトリウム濃度約４％の水溶液）に８０℃で１０分間、最後に中和液（アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸水溶液）に４０℃で５分間、浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥した。

（３−２）導体層を形成する工程
（３−２−１）無電解めっき工程
評価基板の表面に導体層を形成するため、下記１〜６の工程を含むめっき工程（アトテックジャパン（株）製の薬液を使用した銅めっき工程）を行って導体層を形成した。

１．アルカリクリーニング（ビアホールが設けられた絶縁層の表面の洗浄と電荷調整）
商品名：Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｃｌｅａｎｅｒ Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ ９０２（商品名）を用いて６０℃で５分間洗浄した。
２．ソフトエッチング（ビアホール内の洗浄）
硫酸酸性ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液を用いて、３０℃で１分間処理した。
３．プレディップ（Ｐｄ付与のための絶縁層の表面の電荷の調整）
Ｐｒｅ． Ｄｉｐ Ｎｅｏｇａｎｔｈ Ｂ（商品名）を用い、室温で１分間処理した。
４．アクティヴェーター付与（絶縁層の表面へのＰｄの付与）
Ａｃｔｉｖａｔｏｒ Ｎｅｏｇａｎｔｈ ８３４（商品名）を用い、３５℃で５分間処理した。
５．還元（絶縁層に付与されたＰｄを還元）
Ｒｅｄｕｃｅｒ Ｎｅｏｇａｎｔｈ ＷＡ（商品名）とＲｅｄｕｃｅｒ Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ ８１０ ｍｏｄ．（商品名）との混合液を用い、３０℃で５分間処理した。
６．無電解銅めっき工程（Ｃｕを絶縁層の表面（Ｐｄ表面）に析出）
Ｂａｓｉｃ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）と、Ｃｏｐｐｅｒ ｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ ＭＳＫ（商品名）と、Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）と、Ｒｅｄｕｃｅｒ Ｃｕ（商品名）との混合液を用いて、３５℃で２０分間処理した。形成された無電解銅めっき層の厚さは０．８μｍであった。

（３−２−２）電解めっき工程
次いで、アトテックジャパン（株）製の薬液を使用して、ビアホール内に銅が充填される条件で電解銅めっき工程を行った。その後に、エッチングによるパターニングのためのレジストパターンとして、ビアホールに対応する直径１５０μｍのランドパターンを形成し（ビア接続の無い部分も６００μｍピッチで全面に形成）、このランドパターンを用いて絶縁層の表面に１５μｍの厚さで導体パターンを有する導体層を形成した。次に、アニール処理を１９０℃にて９０分間行った。

（４）基材を除去する工程
導体層が形成された配線層付き基材の全面に粘着剤付ＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ）を貼り合わせた後、コア基板のマイクロシンＭＴ−Ｅｘ銅箔の厚さ３μｍの銅箔と厚さ１８μｍキャリア箔の界面にカッターの刃を差し込み、コア基板を剥離、分離した。次いで、導体層が形成された面は粘着剤付ＰＥＴフィルムで保護した状態で、３μｍ銅箔を塩化銅水溶液でエッチング除去し、水洗した後、１１０℃で３０分間乾燥した。その後、粘着剤付ＰＥＴフィルムを剥離し、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍ櫛歯パターンが片面に埋め込まれた配線板を作製した。得られた配線板を「評価基板Ａ」と称する。

＜反りの評価＞
評価基板Ａの四辺のうち、幅１０７ｍｍの接着テープ（製品名カプトン粘着テープ、（株）寺岡製作所製）でＳＵＳ板に固定し、ＳＵＳ板から最も高い点の高さを求めることにより反りの値を求めた。この操作を４回繰り返し平均値が反りの大きさが１ｃｍ未満の場合を「〇」、１ｃｍ以上の場合を「×」とした。

＜クラックの評価＞
評価基板Ａの四辺について、樹脂クラック発生の有無を光学顕微鏡で目視観察した。樹脂クラック（長さ１ｍｍ以上）の無いものを「○」、あるものを「×」とした（ｎ＝４）。

＜平均線熱膨張係数（熱膨張率）の測定＞
離型ＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「５０１０１０」、厚さ３８μｍ、２４０ｍｍ角）の未処理面がガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（松下電工（株）製「Ｒ５７１５ＥＳ」、厚さ０．７ｍｍ、２５５ｍｍ角）に接するように、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板上に設置し、該離型フィルムの四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定した。

実施例及び比較例で作製した各接着フィルム（１６７×１０７ｍｍ角）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ（株）製 ２ステージビルドアップラミネーター ＣＶＰ７００）を用いて、熱硬化性樹脂組成物層が離型ＰＥＴフィルムの離型面と接するように、中央にラミネート処理した。ラミネート処理は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。

次いで、支持体を剥離し、１９０℃で９０分間の硬化条件で熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させた。

熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、熱硬化性樹脂組成物層をガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板から取り外した。更に熱硬化性樹脂組成物層から離型ＰＥＴフィルムを剥離して、シート状の硬化物を得た。シート状の硬化物を評価用硬化物と称する。得られた硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片に切断し、熱機械分析装置（（株）リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０」）を用いて、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。そして２回目の測定において、３０℃から１５０℃までの範囲における平面方向の平均線熱膨張係数（α１；ｐｐｍ／℃）を算出した。この操作を３回行いその平均値を表に示した。

＜弾性率、及び破断強度の測定＞
評価用硬化物をダンベル状１号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ−１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２５℃における弾性率と破断強度を求めた。測定は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して実施した。この操作を３回行いその平均値を表に示した。

＜ドメインの平均最大径の測定＞
１００℃で３０分間、次いで１７０℃で３０分間の条件で熱硬化させた接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層に対して、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）におけるＦＩＢ（集束イオンビーム）により熱硬化した接着フィルムの表面に垂直な方向における断面を削り出し、断面ＳＥＭ画像（観察幅６０μｍ、観察倍率２，０００倍）を取得した。無作為に選んだ５箇所の断面ＳＥＭ画像を観察し、任意に２０点（４点／各切断面）選んだドメインの最大径をそれぞれ測定し、その平均値を平均最大径とした。平均最大径が１５μｍ以下のものを「○」とし、平均最大径が１５μｍを超えるものを「×」とした。

＜実施例１＞
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）１０部、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７１０」、エポキシ当量１６３）１５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、エポキシ当量２１３）１５部、ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂（（株）ダイセル製「ＰＢ３６００」、数平均分子量Ｍｎ：５９００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ当量１９０）２０部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）１５部、シクロヘキサノン１５部に撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量１２５、窒素含有量約１２重量％、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）１０部、ナフトール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−９５００」、水酸基当量１５３、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）２５部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製、「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分３質量％のＭＥＫ溶液）１部、及び、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）２６０部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス１を作製した。

次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製ルミラー「Ｔ６ＡＭ」厚さ３８μｍ）上に、乾燥後の熱硬化性樹脂組成物層の厚みが８０μｍとなるように樹脂ワニス１を均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥させた後、保護フィルム（ポリプロピレンフィルム、王子エフテックス（株）製「アルファンＭＡ−４３０」、厚さ２０μｍ）の粗面を熱硬化性樹脂組成物層と接合するように貼り合わせ、接着フィルム１を作製した。

１００℃で３０分間、次いで１７０℃で３０分間の条件で熱硬化させた接着フィルム１の熱硬化性樹脂組成物層に対して、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、断面観察を行ったところ、（ｂ）成分はドメイン状での明らかな分散は見られず、（ｂ）成分以外の成分と相溶又はそれに近い状態であることがわかった。

＜実施例２＞
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）１０部、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７１０」、エポキシ当量１６３）１５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、エポキシ当量１８７）１５部、エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）製「ＳＧ−８０Ｈ」数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、固形分１８質量％のＭＥＫ溶液）１１０部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）１０部、シクロヘキサノン１０部に撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、水酸基当量約１５１、固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液）２０部、ナフトール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−９５００」、水酸基当量１５３、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）２５部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製、「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分３質量％のＭＥＫ溶液）１部、及び、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径１μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ４」）３６０部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ１００」）で濾過して、樹脂ワニス２を作製し、実施例１と同様にして接着フィルム２を作製した。

１００℃で３０分間、次いで１７０℃で３０分間の条件で熱硬化させた接着フィルム２の熱硬化性樹脂組成物層に対して、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、断面観察を行ったところ、（ｂ）成分はドメイン状での明らかな分散は見られず、（ｂ）成分以外の成分と相溶又はそれに近い状態であることがわかった。

＜実施例３＞
下記のように製造した高分子樹脂Ａを８０部、ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９）３部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−７２００」、エポキシ当量２６０）１８部、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７１０」、エポキシ当量１６３）３部、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）１０部、シクロヘキサノン１０部に撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、ナフトール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−９５００」、水酸基当量１５３、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）５部、活性エステル化合物（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、重量平均分子量が約２７００、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）２部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製、「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分３質量％のＭＥＫ溶液）２部、及びフェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径１μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ４」）３００部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ１００」）で濾過して、樹脂ワニス３を作製し、実施例１と同様にして接着フィルム３を作製した。

１００℃で３０分間、次いで１７０℃で３０分間の条件で熱硬化させた接着フィルム３の熱硬化性樹脂組成物層に対して、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー（株）製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、断面観察を行ったところ、（ｂ）成分はドメイン状での明らかな分散は見られず、（ｂ）成分以外の成分と相溶又はそれに近い状態であることがわかった。

〔高分子樹脂Ａの製造〕
反応容器にＧ−３０００（２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、数平均分子量＝５０４７（ＧＰＣ法）、ヒドロキシル基当量＝１７９８ｇ／ｅｑ．、固形分１００質量％：日本曹達（株）製）５０ｇと、イプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学（株）製）２３．５ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、トルエン−２，４−ジイソシアネート（イソシアネート基当量＝８７．０８ｇ／ｅｑ．）４．８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（酸無水物当量＝１６１．１ｇ／ｅｑ．）８．９６ｇと、トリエチレンジアミン０．０７ｇと、エチルジグリコールアセテート（（株）ダイセル製）４０．４ｇを添加し、攪拌しながら１３０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ^−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、イミド構造、ウレタン構造、及びポリブタジエン構造を有する高分子樹脂Ａを得た。
粘度 ：７．５Ｐａ・ｓ（２５℃、Ｅ型粘度計）
酸価 ：１６．９ｍｇＫＯＨ／ｇ
固形分 ：５０質量％
数平均分子量 ：１３７２３
ガラス転移温度 ：−１０℃
ポリブタジエン構造部分の含有率：５０／（５０＋４．８＋８．９６）×１００＝７８．４質量％

＜比較例１＞
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）１０部、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７１０」、エポキシ当量１６３）１５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、エポキシ当量１８７）１５部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）１０部、シクロヘキサノン１０部に撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、トリアジン含有フェノールノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量１２５、窒素含有量約１２重量％、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）１０部、ナフトール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−９５００」、水酸基当量１５３、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）２５部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製、「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分３質量％のＭＥＫ溶液）１部、及び、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）２００部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス４を作製し、実施例１と同様にして接着フィルム４を作製した。

＜比較例２＞
高分子樹脂Ａを８０部、ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）１０部、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）６部、シクロヘキサノン６部に撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、活性エステル化合物（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、重量平均分子量が約２７００、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）２部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製、「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分３質量％のＭＥＫ溶液）２部、及び、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径１μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ４」）２５０部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ１００」）で濾過して、樹脂ワニス５を作製し、実施例１と同様にして接着フィルム５を作製した。

接着フィルム３と同様に、熱硬化させた接着フィルム５の熱硬化性樹脂組成物層の断面を観察したところ、図２４に示すように、平均最大径が１５μｍを超えていた。

＜比較例３＞
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９）７部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９）１０部、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７１０」、エポキシ当量１６３）１５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、エポキシ当量２１３）１５部、ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂（（株）ダイセル製「ＰＢ３６００」、数平均分子量Ｍｎ：５９００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ当量１９０）５部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）１０部、シクロヘキサノン１０部に撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、水酸基当量約１５１、固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液）２０部、ナフトール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−９５００」、水酸基当量１５３、固形分６０重量％のＭＥＫ溶液）２５部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製、「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分３質量％のＭＥＫ溶液）２部、及び、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」）２００部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス６を作製し、実施例１と同様にして接着フィルム６を作製した。

＜実施例４〜６＞
実施例１〜３において、（ｄ）成分をそれぞれフェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理されたアルミナ（平均粒径３μｍ、デンカ(株)製「ＤＡＷ−０３」）に置き換えた。以上の事項以外は実施例１〜３と同様にして樹脂組成物、接着フィルムを作製した。これら接着フィルムは埋め込み型の配線層を備える配線板を製造する際に反りが十分に小さく、クラック等が発生しない絶縁層を形成可能であった。また、実施例４〜６は、平均線熱膨張係数、弾性率、破断強度、及びドメインの平均最大径も、実施例１〜３と同様に良好な結果であった。

１ 配線板
１０ 配線層付き基材
１１ 基材（コア基板）
１２ 第１金属層
１３ 第２金属層
１４ 配線層（埋め込み型配線層）
２０ 接着フィルム
２１ 熱硬化性樹脂組成物層
２１’ 絶縁層
２２ 支持体
２３ 保護フィルム
３１ ビアホール
４０ 導体層
４１ めっきシード層
４２ 電界めっき層
５０ マスクパターン
６１ フィルドビア

Claims (20)

1. （１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
   （２）熱硬化性樹脂組成物層を含む接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
   （３）配線層を層間接続する工程、及び
   （４）基材を除去する工程、
   を含む、配線板の製造方法に使用される接着フィルムであって、
   接着フィルムは、支持体及び熱硬化性樹脂組成物層を含み、
   熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数が、１６ｐｐｍ／℃以下であり、
   熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の２５℃における弾性率が１２ＧＰａ以下であり、
   熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の２５℃における破断強度が４５ＭＰａ以上である、接着フィルム。
2. 工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程である、請求項１に記載の接着フィルム。
3. 熱硬化性樹脂組成物層は熱硬化性樹脂組成物からなり、熱硬化性樹脂組成物は、（ａ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、（ｂ）ガラス転移温度が２５℃以下または２５℃で液状である高分子樹脂、（ｃ）硬化剤、及び（ｄ）無機充填材を含む、請求項１又は２に記載の接着フィルム。
4. （ｂ）成分が、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、及びポリシロキサン構造からなる群から選択される１以上の構造を有する、請求項３に記載の接着フィルム。
5. （ｂ）成分が、イミド構造を有する樹脂、アクリル樹脂、数平均分子量（Ｍｎ）が７５００以上のブタジエン樹脂、カーボネート樹脂、ポリシロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソプレン樹脂、イソブチレン樹脂、アクリルゴム粒子、ポリアミド粒子、及びシリコーン粒子からなる群から選択される１種以上である、請求項３又は４に記載の接着フィルム。
6. （ｂ）成分が、官能基（但しエポキシ基を除く）を有する樹脂、又は、エポキシ基を含み且つ芳香族構造を有さない樹脂である、請求項３〜５の何れか１項に記載の接着フィルム。
7. （ｂ）成分の含有量が、熱硬化性樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、２質量％〜１３質量％である、請求項３〜６のいずれか１項に記載の接着フィルム。
8. （ｄ）成分が、シリカ又はアルミナから選ばれる、請求項３〜７のいずれか１項に記載の接着フィルム。
9. （ｄ）成分の含有量が、熱硬化性樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、７３質量％以上である、請求項３〜８のいずれか１項に記載の接着フィルム。
10. （ｄ）成分と（ｂ）成分との混合比率（質量比）が（（ｄ）成分／（ｂ）成分）、５〜４５である、請求項３〜９のいずれか１項に記載の接着フィルム。
11. （１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
    （２）請求項１〜１０のいずれか１項に記載の接着フィルムを、配線層が熱硬化性樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
    （３）配線層を層間接続する工程、及び、
    （４）基材を除去する工程、
    を含む、配線板の製造方法。
12. 工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程である、請求項１１に記載の方法。
13. 工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程であり、レーザー照射によって行われる、請求項１１又は１２に記載の方法。
14. 導体層を形成する前に、粗化処理を行う工程を含む、請求項１３に記載の方法。
15. 配線板がフレキシブル配線板である、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
16. 配線パターンの最小ピッチが４０μｍ以下である、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
17. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層の硬化物である絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた埋め込み型配線層と、を備える配線板。
18. フレキシブル配線板である、請求項１７に記載の配線板。
19. 絶縁層の厚みが、２μｍ以上である、請求項１７又は１８に記載の配線板。
20. 請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の配線板を備える、半導体装置。

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