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JP6860040B2 - Controls, electronic devices and wireless power transfer systems - Google Patents
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JP6860040B2 - Controls, electronic devices and wireless power transfer systems - Google Patents

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Description

本発明は、制御装置、電子機器及び無接点電力伝送システム等に関する。 The present invention relates to control devices, electronic devices, non-contact power transmission systems, and the like.

近年、電磁誘導を利用し、金属部分の接点がなくても電力伝送を可能にする無接点電力伝送(非接触電力伝送)が脚光を浴びている、この無接点電力伝送の適用例として、家庭用機器や携帯端末などの電子機器の充電が提案されている。 In recent years, non-contact power transmission (non-contact power transmission) that uses electromagnetic induction to enable power transmission without contacts in metal parts has been in the limelight. As an application example of this non-contact power transmission, households Charging of electronic devices such as personal devices and mobile terminals has been proposed.

無接点電力伝送における種々の充電制御手法も開示されている。例えば、特許文献1には、満充電時にパワーセーブ送電を行うことで、受電装置側の充電制御部の動作状態を維持する手法が開示されている。特許文献1では、通常送電へのスムーズな復帰や、パワーセーブ送電中に受電装置が取り去られた場合の電力電送停止を容易に実現できるため、無駄な電力消費を抑止している。 Various charge control methods in contactless power transfer are also disclosed. For example, Patent Document 1 discloses a method of maintaining an operating state of a charge control unit on a power receiving device side by performing power save power transmission when fully charged. In Patent Document 1, wasteful power consumption is suppressed because it is possible to easily realize a smooth return to normal power transmission and stop power transmission when the power receiving device is removed during power save power transmission.

また、特許文献2には、送電装置側にスイッチを設け、当該スイッチの操作に基づいて認証用の仮送電を行う手法が開示されている。 Further, Patent Document 2 discloses a method in which a switch is provided on the power transmission device side and provisional power transmission for authentication is performed based on the operation of the switch.

また、特許文献3には、スマートチャージングと呼ばれる充電制御手法が開示されている。 Further, Patent Document 3 discloses a charge control method called smart charging.

特開2008−202632号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-202632 特開2009−11129号公報JP-A-2009-11129 米国特許出願公開第2014/0320089号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2014/0320089

受電装置がバッテリー(二次電池)を有する場合、当該バッテリーの状態情報を記憶し、当該状態情報に応じた制御を行うとよい。例えば、状態情報として何らかのエラー情報を記憶すれば、当該エラーに応じた制御を行うことで、機器の故障や破損等の深刻な問題の発生を抑止できる。或いはバッテリーの充電回数情報を記憶すれば、当該バッテリーの劣化度合いの評価が可能になる。或いは、過去の充電電圧を記憶しておけば、特許文献3に開示されているスマートチャージング等の充電制御も可能である。しかし、従来手法では無接点電力伝送システムの受電装置側に、状態情報を記憶するための不揮発性メモリーを含むものは開示されておらず、当該不揮発性メモリーに記憶された情報に基づく制御についての開示もない。 When the power receiving device has a battery (secondary battery), it is preferable to store the state information of the battery and perform control according to the state information. For example, if some error information is stored as state information, it is possible to suppress the occurrence of serious problems such as equipment failure or damage by performing control according to the error. Alternatively, if the information on the number of times the battery is charged is stored, it is possible to evaluate the degree of deterioration of the battery. Alternatively, if the past charging voltage is stored, charging control such as smart charging disclosed in Patent Document 3 is also possible. However, in the conventional method, the power receiving device side of the non-contact power transmission system does not disclose the one including the non-volatile memory for storing the state information, and the control based on the information stored in the non-volatile memory is not disclosed. There is no disclosure.

本発明の幾つかの態様によれば、不揮発性メモリーに記憶された状態情報に基づいて、適切な制御を行う制御装置、電子機器及び無接点電力伝送システム等を提供できる。 According to some aspects of the present invention, it is possible to provide a control device, an electronic device, a non-contact power transmission system, etc. that perform appropriate control based on the state information stored in the non-volatile memory.

本発明の一態様は、送電装置と受電装置とを有する無接点電力伝送システムにおける受電側の制御装置であって、前記送電装置からの電力を受電する受電部が受電した電力に基づいて、バッテリーを充電する充電部と、充電制御を行う制御部と、不揮発性メモリーと、を含み、前記不揮発性メモリーは、前記バッテリーの状態情報を記憶し、前記制御部は、前記不揮発性メモリーに記憶された前記状態情報に基づいて前記充電制御を行う制御装置に関係する。 One aspect of the present invention is a control device on the power receiving side in a non-contact power transmission system having a power transmitting device and a power receiving device, and a battery is based on the power received by the power receiving unit that receives power from the power transmitting device. The non-volatile memory includes a charging unit for charging, a control unit for performing charge control, and a non-volatile memory, the non-volatile memory stores the state information of the battery, and the control unit is stored in the non-volatile memory. It relates to a control device that performs the charge control based on the state information.

本発明の一態様では、無接点電力伝送システムの受電装置側に設けられる不揮発性メモリーは、バッテリーの状態情報を記憶し、受電側の制御装置の制御部は、不揮発性メモリーに記憶された状態情報に基づいて充電制御を行う。このようにすれば、バッテリーの状態情報を受電装置側で適切に記憶することが可能になるとともに、バッテリーの状態に応じた適切な充電制御を行うこと等が可能になる。 In one aspect of the present invention, the non-volatile memory provided on the power receiving device side of the non-contact power transmission system stores the state information of the battery, and the control unit of the control device on the power receiving side is stored in the non-volatile memory. Charge control is performed based on the information. In this way, the battery status information can be appropriately stored on the power receiving device side, and appropriate charging control can be performed according to the battery status.

また、本発明の一態様では、前記不揮発性メモリーは、温度異常検出情報を前記状態情報として記憶してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the non-volatile memory may store temperature abnormality detection information as the state information.

これにより、不揮発性メモリーに温度異常検出情報を記憶し、当該温度異常検出情報に基づいて充電制御を行うことが可能になる。 As a result, the temperature abnormality detection information can be stored in the non-volatile memory, and charging control can be performed based on the temperature abnormality detection information.

また、本発明の一態様では、負荷変調により、前記送電装置に対して通信データを送信する負荷変調部を含み、前記負荷変調部は、温度異常が検出された場合に、前記負荷変調により前記温度異常検出情報を前記送電装置に対して送信してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the load modulation unit includes a load modulation unit that transmits communication data to the power transmission device by load modulation, and the load modulation unit is described by the load modulation when a temperature abnormality is detected. The temperature abnormality detection information may be transmitted to the power transmission device.

これにより、負荷変調により温度異常検出情報を送電装置側に送信することが可能になる。 This makes it possible to transmit the temperature abnormality detection information to the power transmission device side by load modulation.

また、本発明の一態様では、前記不揮発性メモリーは、前記バッテリーの充電回数を表す充電回数情報を、前記状態情報として記憶してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the non-volatile memory may store charge count information indicating the charge count of the battery as the state information.

これにより、状態情報としてバッテリーの充電回数を記憶することが可能になる。 This makes it possible to store the number of times the battery has been charged as status information.

また、本発明の一態様では、前記制御部は、前記不揮発性メモリーに前記温度異常検出情報が記憶されている場合は、前記不揮発性メモリーの前記充電回数情報を非更新とし、前記不揮発性メモリーに前記温度異常検出情報が記憶されていない場合は、前記不揮発性メモリーの前記充電回数情報を更新してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, when the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory, the control unit does not update the charge count information of the non-volatile memory, and the non-volatile memory. If the temperature abnormality detection information is not stored in the non-volatile memory, the charging frequency information of the non-volatile memory may be updated.

これにより、温度異常検出情報に応じて、充電回数の更新、非更新を適切に決定すること等が可能になる。 This makes it possible to appropriately determine whether to update or not update the number of times of charging according to the temperature abnormality detection information.

また、本発明の一態様では、前記不揮発性メモリーは、温度異常が検出されたときのバッテリー電圧を、前記状態情報として記憶してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the non-volatile memory may store the battery voltage when a temperature abnormality is detected as the state information.

これにより、状態情報として、温度異常検出時のバッテリー電圧を記憶することが可能になる。 This makes it possible to store the battery voltage at the time of detecting an abnormal temperature as the state information.

また、本発明の一態様では、前記制御部は、前記不揮発性メモリーに前記温度異常検出情報が記憶されている場合であっても、前記バッテリー電圧が、前記不揮発性メモリーに記憶されている前記バッテリー電圧よりも所定電圧下がっている場合には、前記不揮発性メモリーの前記充電回数情報を更新してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the control unit stores the battery voltage in the non-volatile memory even when the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory. When the voltage is lower than the battery voltage, the charge number information of the non-volatile memory may be updated.

これにより、温度異常検出情報が記憶されている場合に、バッテリー電圧の変化を参照することで、充電回数の更新、非更新を適切に決定すること等が可能になる。 As a result, when the temperature abnormality detection information is stored, it is possible to appropriately determine whether to update or not update the number of times of charging by referring to the change in the battery voltage.

また、本発明の一態様では、前記制御部は、前記状態情報を前記不揮発性メモリーに記憶する際に、前記状態情報を第1アドレスに書き込んだ後、所与の時間経過後に、前記状態情報を前記第1アドレスとは異なる第2アドレスに書き込んでもよい。 Further, in one aspect of the present invention, when the control unit stores the state information in the non-volatile memory, the state information is written to the first address, and after a given time elapses, the state information is described. May be written to a second address different from the first address.

これにより、情報を適切に書き込む可能性を高めることが可能になる。 This makes it possible to increase the possibility of writing information appropriately.

また、本発明の一態様では、前記不揮発性メモリーは、前記受電部の出力電圧に基づく電源電圧で動作してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the non-volatile memory may operate at a power supply voltage based on the output voltage of the power receiving unit.

これにより、受電部の出力電圧に基づく電圧により、不揮発性メモリーを動作させることが可能になる。 This makes it possible to operate the non-volatile memory with a voltage based on the output voltage of the power receiving unit.

また、本発明の一態様では、前記不揮発性メモリーは、前記バッテリーの充電制御情報を記憶してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the non-volatile memory may store the charge control information of the battery.

これにより、不揮発性メモリーにより、状態情報だけでなく充電制御情報も記憶することが可能になる。 As a result, the non-volatile memory can store not only the state information but also the charge control information.

また、本発明の他の態様は、送電装置と受電装置とを有する無接点電力伝送システムにおける送電側の制御装置であって、前記受電装置に電力を送電する送電部の送電ドライバーを制御するドライバー制御回路と、前記ドライバー制御回路を制御する制御部と、負荷変調により通信データを送信する前記受電装置との間での通信処理を行う通信部と、を含み、前記制御部は、前記受電装置から温度異常検出情報を含む通信データを受信した場合に、前記送電部に間欠送電を行わせる制御装置に関係する。 Another aspect of the present invention is a control device on the power transmission side in a non-contact power transmission system having a power transmission device and a power reception device, and is a driver that controls a power transmission driver of a power transmission unit that transmits power to the power reception device. The control unit includes a control circuit, a control unit that controls the driver control circuit, and a communication unit that performs communication processing between the power receiving device that transmits communication data by load modulation, and the control unit includes the power receiving device. The present invention relates to a control device that causes the power transmission unit to perform intermittent power transmission when communication data including temperature abnormality detection information is received from the power transmission unit.

本発明の他の態様では、無接点電力伝送システムの送電側の制御装置において、負荷変調を行う受電装置から温度異常検出情報を含む通信データを受信した場合に、送電部に間欠送電を行わせる。このようにすれば、受電装置側で温度異常が発生した場合に、適切な送電制御を行うこと等が可能になる。 In another aspect of the present invention, when the control device on the power transmission side of the non-contact power transmission system receives communication data including temperature abnormality detection information from the power receiving device that performs load modulation, the power transmission unit is made to perform intermittent power transmission. .. In this way, when a temperature abnormality occurs on the power receiving device side, it is possible to perform appropriate power transmission control and the like.

また、本発明の他の態様は、上記の制御装置を含む電子機器に関係する。 Further, another aspect of the present invention relates to an electronic device including the above-mentioned control device.

また、本発明の他の態様は、送電装置と受電装置とを含む無接点電力伝送システムであって、前記送電装置は、前記受電装置に電力を送電すると共に、負荷変調により通信データを送信する前記受電装置との間での通信処理を行い、前記受電装置は、バッテリーの状態情報を記憶する不揮発性メモリーを有し、前記送電装置から受電した電力と、前記不揮発性メモリーに記憶された前記状態情報とに基づいて、前記バッテリーを充電するとともに、前記負荷変調により、前記送電装置に対して通信データを送信し、前記受電装置は、温度異常が検出された場合に、温度異常検出情報を前記状態情報として前記不揮発性メモリーに記憶するとともに、前記負荷変調により前記温度異常検出情報を前記送電装置に対して送信し、前記送電装置は、前記受電装置から前記温度異常検出情報を含む前記通信データを受信した場合に、間欠送電により前記受電装置に電力を送電する無接点電力伝送システムに関係する。 Another aspect of the present invention is a non-contact power transmission system including a power transmission device and a power reception device, wherein the power transmission device transmits power to the power reception device and also transmits communication data by load modulation. The power receiving device performs communication processing with the power receiving device, and the power receiving device has a non-volatile memory for storing battery status information, and the power received from the power transmission device and the power stored in the non-volatile memory. The battery is charged based on the state information, and communication data is transmitted to the power transmission device by the load modulation, and the power receiving device transmits the temperature abnormality detection information when a temperature abnormality is detected. The state information is stored in the non-volatile memory, and the temperature abnormality detection information is transmitted to the power transmission device by the load modulation, and the power transmission device transmits the communication including the temperature abnormality detection information from the power receiving device. It relates to a non-contact power transmission system that transmits power to the power receiving device by intermittent power transmission when data is received.

本発明の他の態様では、受電装置は温度異常が検出された場合に、温度異常検出情報を不揮発性メモリーに記憶するとともに送電装置に送信し、送電装置は温度異常検出情報を受信した場合に間欠送電を行う。このようにすれば、温度異常検出情報を用いることで、受電装置及び送電装置の両方において、温度異常に対する適切な制御を実行すること等が可能になる。 In another aspect of the present invention, when the power receiving device detects a temperature abnormality, the power receiving device stores the temperature abnormality detection information in the non-volatile memory and transmits the temperature abnormality detection information to the power transmission device, and when the power transmission device receives the temperature abnormality detection information. Perform intermittent power transmission. In this way, by using the temperature abnormality detection information, it becomes possible to execute appropriate control for the temperature abnormality in both the power receiving device and the power transmission device.

図1(A)、図1(B)は本実施形態の無接点電力伝送システムの説明図。1 (A) and 1 (B) are explanatory views of the non-contact power transmission system of the present embodiment. 本実施形態の送電装置、受電装置、送電側、受電側の制御装置の構成例。Configuration example of the power transmission device, the power reception device, the power transmission side, and the control device on the power reception side of the present embodiment. 本実施形態の無接点電力伝送システムの動作シーケンスの概要の説明図。Explanatory drawing of the outline of the operation sequence of the non-contact power transmission system of this embodiment. 本実施形態の動作シーケンスを説明する信号波形図。The signal waveform diagram explaining the operation sequence of this embodiment. 本実施形態の動作シーケンスを説明する信号波形図。The signal waveform diagram explaining the operation sequence of this embodiment. 本実施形態の動作シーケンスを説明する信号波形図。The signal waveform diagram explaining the operation sequence of this embodiment. 本実施形態の動作シーケンスを説明する信号波形図。The signal waveform diagram explaining the operation sequence of this embodiment. 不揮発性メモリーの構成例。Configuration example of non-volatile memory. 不揮発性メモリーに記憶される情報の例。An example of information stored in non-volatile memory. 本実施形態の動作シーケンスを説明する図。The figure explaining the operation sequence of this embodiment. 図11(A)、図11(B)は温度異常に関する制御の流れを説明するフローチャート。11 (A) and 11 (B) are flowcharts for explaining the flow of control regarding the temperature abnormality. スマートチャージングの流れを説明するフローチャート。A flowchart explaining the flow of smart charging. 負荷変調による通信手法の説明図。Explanatory drawing of communication method by load modulation. 通信部の構成例。Configuration example of the communication unit. 受電側の通信構成の説明図。Explanatory drawing of communication configuration of power receiving side. 通信時のノイズに起因する問題点の説明図。An explanatory diagram of problems caused by noise during communication. 本実施形態の通信手法の説明図。The explanatory view of the communication method of this embodiment. 本実施形態の通信手法の説明図。The explanatory view of the communication method of this embodiment. 図19(A)、図19(B)は通信データのフォーマットの例。19 (A) and 19 (B) are examples of communication data formats. 通信処理の詳細例を説明するフローチャート。A flowchart illustrating a detailed example of communication processing. 受電部、充電部の詳細な構成例。Detailed configuration example of the power receiving unit and charging unit.

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unreasonably limit the content of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as a means for solving the present invention. Not necessarily.

1.電子機器
図1(A)に本実施形態の無接点電力伝送システムの一例を示す。充電器500(電子機器の1つ)は送電装置10を有する。電子機器510は受電装置40を有する。また電子機器510は、操作用のスイッチ部514やバッテリー90を有する。なお図1(A)ではバッテリー90を模式的に示しているが、このバッテリー90は実際には電子機器510に内蔵されている。図1(A)の送電装置10と受電装置40により本実施形態の無接点電力伝送システムが構成される。
1. 1. Electronic Equipment Fig. 1 (A) shows an example of the non-contact power transmission system of this embodiment. The charger 500 (one of the electronic devices) has a power transmission device 10. The electronic device 510 has a power receiving device 40. Further, the electronic device 510 has a switch unit 514 for operation and a battery 90. Although the battery 90 is schematically shown in FIG. 1A, the battery 90 is actually built in the electronic device 510. The non-contact power transmission system of the present embodiment is configured by the power transmission device 10 and the power reception device 40 of FIG. 1A.

充電器500には、電源アダプター502を介して電力が供給され、この電力が、無接点電力伝送により送電装置10から受電装置40に送電される。これにより、電子機器510のバッテリー90を充電し、電子機器510内のデバイスを動作させることができる。 Electric power is supplied to the charger 500 via the power adapter 502, and this electric power is transmitted from the power transmitting device 10 to the power receiving device 40 by non-contact power transmission. As a result, the battery 90 of the electronic device 510 can be charged and the device in the electronic device 510 can be operated.

なお充電器500の電源は、USB(USBケーブル)による電源であってもよい。また、本実施形態が適用される電子機器510としては種々の機器を想定できる。例えば補聴器、腕時計、生体情報測定装置(ウェアラブル機器)、携帯情報端末(スマートフォン、携帯電話機等)、コードレス電話器、シェーバー、電動歯ブラシ、リストコンピューター、ハンディターミナル、電気自動車、或いは電動自転車などの種々の電子機器を想定できる。 The power supply of the charger 500 may be a power supply by USB (USB cable). Further, various devices can be assumed as the electronic device 510 to which this embodiment is applied. For example, various types of hearing aids, watches, biometric information measuring devices (wearable devices), personal digital assistants (smartphones, mobile phones, etc.), cordless telephones, shavers, electric toothbrushes, wrist computers, handy terminals, electric vehicles, or electric bicycles. You can imagine an electronic device.

図1(B)に模式的に示すように、送電装置10から受電装置40への電力伝送は、送電側に設けられた1次コイルL1(送電コイル)と、受電側に設けられた2次コイルL2(受電コイル)を電磁的に結合させて電力伝送トランスを形成することなどで実現される。これにより非接触での電力伝送が可能になる。 As schematically shown in FIG. 1 (B), power transmission from the power transmission device 10 to the power reception device 40 is performed by a primary coil L1 (power transmission coil) provided on the power transmission side and a secondary coil provided on the power reception side. This is achieved by electromagnetically coupling the coils L2 (power receiving coils) to form a power transmission transformer. This enables non-contact power transmission.

2.送電装置、受電装置、送電側、受電側の制御装置
図2に本実施形態の送電装置10、受電装置40、送電側の制御装置20、受電側の制御装置50の構成例を示す。図1(A)の充電器500などの送電側の電子機器は、少なくとも図2の送電装置10を含む。また受電側の電子機器510は、少なくとも受電装置40とバッテリー90と電力供給対象100を含むことができる。電力供給対象100は、例えば処理部(DSP等)などの各種のデバイスである。そして図2の構成により、1次コイルL1と2次コイルL2を電磁的に結合させて送電装置10から受電装置40に対して電力を伝送し、バッテリー90の充電等を行う無接点電力伝送(非接触電力伝送)システムが実現される。
2. Power transmission device, power receiving device, power transmitting side, power receiving side control device FIG. 2 shows a configuration example of the power transmission device 10, the power receiving device 40, the power transmitting side control device 20, and the power receiving side control device 50 of the present embodiment. The power transmission side electronic device such as the charger 500 of FIG. 1 (A) includes at least the power transmission device 10 of FIG. Further, the electronic device 510 on the power receiving side can include at least a power receiving device 40, a battery 90, and a power supply target 100. The power supply target 100 is various devices such as a processing unit (DSP or the like). Then, according to the configuration of FIG. 2, non-contact power transmission (contactless power transmission) in which the primary coil L1 and the secondary coil L2 are electromagnetically coupled to transmit power from the power transmission device 10 to the power receiving device 40 to charge the battery 90 or the like. A non-contact power transmission) system is realized.

送電装置10(送電モジュール、1次モジュール)は、1次コイルL1、送電部12、表示部16、制御装置20を含む。なお送電装置10は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば表示部等)を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。 The power transmission device 10 (power transmission module, primary module) includes a primary coil L1, a power transmission unit 12, a display unit 16, and a control device 20. The power transmission device 10 is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and various modifications such as omitting a part of its components (for example, a display unit), adding other components, and changing the connection relationship. It is possible to carry out.

送電部12は、電力伝送時において所定周波数の交流電圧を生成して、1次コイルL1に供給する。この送電部12は、1次コイルL1の一端を駆動する第1の送電ドライバーDR1や、1次コイルL1の他端を駆動する第2の送電ドライバーDR2や、電源電圧制御部14を含む。また送電部12は、1次コイルL1と共に共振回路を構成する少なくとも1つのキャパシター(コンデンサー)を含むことができる。 The power transmission unit 12 generates an AC voltage having a predetermined frequency during power transmission and supplies the AC voltage to the primary coil L1. The power transmission unit 12 includes a first power transmission driver DR1 that drives one end of the primary coil L1, a second power transmission driver DR2 that drives the other end of the primary coil L1, and a power supply voltage control unit 14. Further, the power transmission unit 12 can include at least one capacitor (capacitor) forming a resonance circuit together with the primary coil L1.

送電部12の送電ドライバーDR1、DR2の各々は、例えばパワーMOSトランジスターにより構成されるインバーター回路(バッファー回路)などにより実現される。これらの送電ドライバーDR1、DR2は、制御装置20のドライバー制御回路22により制御(駆動)される。 Each of the power transmission drivers DR1 and DR2 of the power transmission unit 12 is realized by, for example, an inverter circuit (buffer circuit) composed of power MOS transistors. These power transmission drivers DR1 and DR2 are controlled (driven) by the driver control circuit 22 of the control device 20.

送電部12の電源電圧制御部14は、送電ドライバーDR1、DR2の電源電圧VDRVを制御する。例えば制御部24は、受電側から受信した通信データに基づいて、電源電圧制御部14を制御する。これにより、送電ドライバーDR1、DR2に供給される電源電圧VDRVが制御されて、例えば送電電力の可変制御等が実現される。この電源電圧制御部14は、例えばDCDCコンバーターなどにより実現できる。例えば電源電圧制御部14は、電源からの電源電圧(例えば5V)の昇圧動作を行って、送電ドライバー用の電源電圧VDRV(例えば6V〜15V)を生成して、送電ドライバーDR1、DR2に供給する。具体的には、送電装置10から受電装置40への送電電力を高くする場合には、電源電圧制御部14は、送電ドライバーDR1、DR2に供給する電源電圧VDRVを高くし、送電電力を低くする場合には、電源電圧VDRVを低くする。 The power supply voltage control unit 14 of the power transmission unit 12 controls the power supply voltage VDCV of the power transmission drivers DR1 and DR2. For example, the control unit 24 controls the power supply voltage control unit 14 based on the communication data received from the power receiving side. As a result, the power supply voltage VDCV supplied to the power transmission drivers DR1 and DR2 is controlled, and for example, variable control of the power transmission power is realized. The power supply voltage control unit 14 can be realized by, for example, a DCDC converter or the like. For example, the power supply voltage control unit 14 boosts the power supply voltage (for example, 5V) from the power supply to generate a power supply voltage VDCV (for example, 6V to 15V) for the power transmission driver and supplies it to the power transmission drivers DR1 and DR2. .. Specifically, when the power transmitted from the power transmitting device 10 to the power receiving device 40 is increased, the power supply voltage control unit 14 increases the power supply voltage VDCV supplied to the transmission drivers DR1 and DR2 and lowers the transmitted power. In that case, the power supply voltage VDCV is lowered.

1次コイルL1(送電側コイル)は、2次コイルL2(受電側コイル)と電磁結合して電力伝送用トランスを形成する。例えば電力伝送が必要なときには、図1(A)、図1(B)に示すように、充電器500の上に電子機器510を置き、1次コイルL1の磁束が2次コイルL2を通るような状態にする。一方、電力伝送が不要なときには、充電器500と電子機器510を物理的に離して、1次コイルL1の磁束が2次コイルL2を通らないような状態にする。 The primary coil L1 (transmission side coil) is electromagnetically coupled with the secondary coil L2 (power receiving side coil) to form a power transmission transformer. For example, when power transmission is required, as shown in FIGS. 1A and 1B, an electronic device 510 is placed on the charger 500 so that the magnetic flux of the primary coil L1 passes through the secondary coil L2. Make it in a good state. On the other hand, when power transmission is not required, the charger 500 and the electronic device 510 are physically separated so that the magnetic flux of the primary coil L1 does not pass through the secondary coil L2.

表示部16は、無接点電力伝送システムの各種状態(電力伝送中、ID認証等)を、色や画像などを用いて表示するものであり、例えばLEDやLCDなどにより実現できる。 The display unit 16 displays various states of the non-contact power transmission system (during power transmission, ID authentication, etc.) using colors, images, and the like, and can be realized by, for example, an LED or an LCD.

制御装置20は、送電側の各種制御を行うものであり、集積回路装置(IC)などにより実現できる。この制御装置20は、ドライバー制御回路22、制御部24、通信部30を含む。また制御装置20は、クロック生成回路37、発振回路38を含むことができる。なお制御装置20は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えばクロック生成回路、発振回路等)を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。例えば送電部12等を制御装置20に内蔵させる変形実施も可能である。 The control device 20 performs various controls on the power transmission side, and can be realized by an integrated circuit device (IC) or the like. The control device 20 includes a driver control circuit 22, a control unit 24, and a communication unit 30. Further, the control device 20 can include a clock generation circuit 37 and an oscillation circuit 38. The control device 20 is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and some of its components (for example, clock generation circuit, oscillation circuit, etc.) may be omitted, other components may be added, or the connection relationship may be changed. It is possible to carry out various modifications of. For example, it is possible to carry out a modification in which the power transmission unit 12 or the like is built in the control device 20.

ドライバー制御回路22は、受電装置40に電力を送電する送電部12の送電ドライバーDR1、DR2を制御する。例えばドライバー制御回路22は、送電ドライバーDR1、DR2を構成するトランジスターのゲートに対して制御信号(駆動信号)を出力し、送電ドライバーDR1、DR2により1次コイルL1を駆動させる。 The driver control circuit 22 controls the power transmission drivers DR1 and DR2 of the power transmission unit 12 that transmits power to the power receiving device 40. For example, the driver control circuit 22 outputs a control signal (drive signal) to the gates of the transistors constituting the power transmission drivers DR1 and DR2, and drives the primary coil L1 by the power transmission drivers DR1 and DR2.

制御部24は、送電側の制御装置20の各種の制御処理を実行する。例えば制御部24は、ドライバー制御回路22の制御を行う。具体的には制御部24は、電力伝送、通信処理等に必要な各種のシーケンス制御や判定処理を行う。この制御部24は、例えばゲートアレイ等の自動配置配線手法で生成されたロジック回路や、或いはマイクロコンピューターなどの各種のプロセッサーにより実現できる。 The control unit 24 executes various control processes of the control device 20 on the power transmission side. For example, the control unit 24 controls the driver control circuit 22. Specifically, the control unit 24 performs various sequence control and determination processing necessary for power transmission, communication processing, and the like. This control unit 24 can be realized by, for example, a logic circuit generated by an automatic placement and routing method such as a gate array, or various processors such as a microcomputer.

通信部30は、受電装置40との間での通信データの通信処理を行う。例えば通信部30は、負荷変調により通信データを送信する受電装置40(制御装置50)との間での通信処理を行う。具体的には通信部30は、受電装置40からの通信データを検出して受信するための処理を行う。 The communication unit 30 performs communication processing of communication data with the power receiving device 40. For example, the communication unit 30 performs communication processing with the power receiving device 40 (control device 50) that transmits communication data by load modulation. Specifically, the communication unit 30 performs a process for detecting and receiving communication data from the power receiving device 40.

発振回路38は、例えば水晶発振回路などにより構成され、1次側のクロック信号を生成する。クロック生成回路37は、駆動周波数を規定する駆動クロック信号等を生成する。そして、ドライバー制御回路22は、この駆動クロック信号や制御部24からの制御信号などに基づいて、所与の周波数(駆動周波数)の制御信号を生成し、送電部12の送電ドライバーDR1、DR2に出力して、制御する。 The oscillation circuit 38 is composed of, for example, a crystal oscillation circuit or the like, and generates a clock signal on the primary side. The clock generation circuit 37 generates a drive clock signal or the like that defines a drive frequency. Then, the driver control circuit 22 generates a control signal of a given frequency (drive frequency) based on the drive clock signal, the control signal from the control unit 24, and the like, and causes the power transmission drivers DR1 and DR2 of the power transmission unit 12 to generate a control signal. Output and control.

受電装置40(受電モジュール、2次モジュール)は、2次コイルL2、制御装置50を含む。なお受電装置40は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。 The power receiving device 40 (power receiving module, secondary module) includes a secondary coil L2 and a control device 50. The power receiving device 40 is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and various modifications such as omitting a part of the components, adding other components, and changing the connection relationship can be performed.

制御装置50は、受電側の各種制御を行うものであり、集積回路装置(IC)などにより実現できる。この制御装置50は、受電部52、制御部54、負荷変調部56、充電部58、放電部60を含む。また不揮発性メモリー62、検出部64を含むことができる。なお制御装置50は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。例えば受電部52等を制御装置50の外部に設けるなどの変形実施が可能である。 The control device 50 performs various controls on the power receiving side, and can be realized by an integrated circuit device (IC) or the like. The control device 50 includes a power receiving unit 52, a control unit 54, a load modulation unit 56, a charging unit 58, and a discharging unit 60. Further, the non-volatile memory 62 and the detection unit 64 can be included. The control device 50 is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and various modifications such as omitting a part of the components, adding other components, and changing the connection relationship can be performed. For example, it is possible to carry out deformation such as providing a power receiving unit 52 or the like outside the control device 50.

受電部52は、送電装置10からの電力を受電する。具体的には受電部52は、2次コイルL2の交流の誘起電圧を直流の整流電圧VCCに変換して、出力する。この変換は受電部52が有する整流回路53により行われる。整流回路53は、例えば複数のトランジスターやダイオードなどにより実現できる。 The power receiving unit 52 receives the electric power from the power transmission device 10. Specifically, the power receiving unit 52 converts the AC induced voltage of the secondary coil L2 into a DC rectified voltage VCS and outputs it. This conversion is performed by the rectifier circuit 53 included in the power receiving unit 52. The rectifier circuit 53 can be realized by, for example, a plurality of transistors and diodes.

制御部54は、受電側の制御装置50の各種の制御処理を実行する。例えば制御部54は、負荷変調部56、充電部58、放電部60の制御を行う。また受電部52や不揮発性メモリー62や検出部64などの制御を行うこともできる。この制御部54は、例えばゲートアレイ等の自動配置配線手法で生成されたロジック回路や、或いはマイクロコンピューターなどの各種のプロセッサーにより実現できる。 The control unit 54 executes various control processes of the control device 50 on the power receiving side. For example, the control unit 54 controls the load modulation unit 56, the charging unit 58, and the discharging unit 60. It is also possible to control the power receiving unit 52, the non-volatile memory 62, the detection unit 64, and the like. This control unit 54 can be realized by, for example, a logic circuit generated by an automatic placement and routing method such as a gate array, or various processors such as a microcomputer.

負荷変調部56は負荷変調を行う。例えば負荷変調部56は電流源ISを有し、この電流源ISを用いて負荷変調を行う。具体的には、負荷変調部56は電流源IS(定電流源)とスイッチ素子SWを有する。電流源ISとスイッチ素子SWは、例えば整流電圧VCCのノードNVCとGND(広義には低電位側電源電圧)のノードとの間に直列に設けられる。そして、例えば制御部54からの制御信号に基づいてスイッチ素子SWがオン又はオフにされ、ノードNVCからGNDに流れる電流源ISの電流(定電流)をオン又はオフにすることで、負荷変調が実現される。 The load modulation unit 56 performs load modulation. For example, the load modulation unit 56 has a current source IS, and load modulation is performed using this current source IS. Specifically, the load modulation unit 56 has a current source IS (constant current source) and a switch element SW. The current source IS and the switch element SW are provided in series between, for example, the node NVC of the rectified voltage VCS and the node of GND (in a broad sense, the low potential side power supply voltage). Then, for example, the switch element SW is turned on or off based on the control signal from the control unit 54, and the current (constant current) of the current source IS flowing from the node NVC to the GND is turned on or off, so that the load modulation is performed. It will be realized.

なお、ノードNVCにはキャパシターCMの一端が接続される。このキャパシターCMは例えば制御装置50の外付け部品として設けられる。またスイッチ素子SWはMOSのトランジスターなどにより実現できる。このスイッチ素子SWは、電流源ISの回路を構成するトランジスターとして設けられるものであってもよい。また負荷変調部56は図2の構成に限定されず、例えば電流源ISの代わりとして抵抗を用いるなどの種々の変形実施が可能である。 One end of the capacitor CM is connected to the node NVC. This capacitor CM is provided, for example, as an external component of the control device 50. Further, the switch element SW can be realized by a MOS transistor or the like. The switch element SW may be provided as a transistor constituting the circuit of the current source IS. Further, the load modulation unit 56 is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and various modifications such as using a resistor instead of the current source IS can be performed.

充電部58はバッテリー90の充電(充電制御)を行う。例えば充電部58は、送電装置10からの電力を受電する受電部52が受電した電力に基づいて、バッテリー90を充電する。例えば充電部58は、受電部52からの整流電圧VCC(広義には直流電圧)に基づく電圧が供給されて、バッテリー90を充電する。この充電部58はCC充電回路59を含むことができる。CC充電回路59は、バッテリー90のCC(Constant-Current)充電を行う回路である。 The charging unit 58 charges the battery 90 (charge control). For example, the charging unit 58 charges the battery 90 based on the electric power received by the power receiving unit 52 that receives the electric power from the power transmitting device 10. For example, the charging unit 58 is supplied with a voltage based on the rectified voltage VCS (DC voltage in a broad sense) from the power receiving unit 52 to charge the battery 90. The charging unit 58 can include a CC charging circuit 59. The CC charging circuit 59 is a circuit for CC (Constant-Current) charging of the battery 90.

放電部60はバッテリー90の放電動作を行う。例えば放電部60(電力供給部)は、バッテリー90の放電動作を行って、バッテリー90からの電力を電力供給対象100に対して供給する。例えば放電部60は、バッテリー90のバッテリー電圧VBATが供給され、出力電圧VOUTを電力供給対象100に供給する。この放電部60はチャージポンプ回路61を含むことができる。チャージポンプ回路61は、バッテリー電圧VBATを降圧(例えば1/3降圧)して、出力電圧VOUT(VBAT/3)を電力供給対象100に対して供給する。この放電部60(チャージポンプ回路)は、例えばバッテリー電圧VBATを電源電圧として動作する。 The discharge unit 60 discharges the battery 90. For example, the discharge unit 60 (power supply unit) discharges the battery 90 and supplies the power from the battery 90 to the power supply target 100. For example, the discharge unit 60 is supplied with the battery voltage VBAT of the battery 90, and supplies the output voltage VOUT to the power supply target 100. The discharge unit 60 can include a charge pump circuit 61. The charge pump circuit 61 steps down the battery voltage VBAT (for example, 1/3 step down) and supplies the output voltage VOUT (VBAT / 3) to the power supply target 100. The discharge unit 60 (charge pump circuit) operates using, for example, the battery voltage VBAT as the power supply voltage.

バッテリー90は例えば充電可能な二次電池であり、例えばリチウム電池(リチウムイオン二次電池、リチウムイオンポリマー二次電池等)、ニッケル電池(ニッケル・水素蓄電池、ニッケル・カドミウム蓄電池等)などである。電力供給対象100は、例えば、処理部(DSP、マイコン)などのデバイス(集積回路装置)であり、受電装置40を内蔵する電子機器510(図1(A))に設けられ、バッテリー90の電力供給対象となるデバイスである。 The battery 90 is, for example, a rechargeable secondary battery, such as a lithium battery (lithium ion secondary battery, lithium ion polymer secondary battery, etc.), a nickel battery (nickel / hydrogen storage battery, nickel / cadmium storage battery, etc.) and the like. The power supply target 100 is, for example, a device (integrated circuit device) such as a processing unit (DSP, microcomputer), which is provided in an electronic device 510 (FIG. 1 (A)) having a power receiving device 40 built-in, and power of a battery 90. It is a device to be supplied.

不揮発性メモリー62は、各種の情報を記憶する不揮発性のメモリーデバイスである。この不揮発性メモリー62は、例えば後述するバッテリー90の状態情報や、受電装置40(制御装置50)のステータス情報等の各種の情報を記憶する。不揮発性メモリー62としては、例えばEEPROMなどを用いることができる。EEPROMとしては例えばMONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型のメモリーを用いることができる。例えばMONOS型のメモリーを用いたフラッシュメモリーを用いることができる。或いはEEPROMとして、フローティングゲート型などの他のタイプのメモリーを用いてもよい。 The non-volatile memory 62 is a non-volatile memory device that stores various types of information. The non-volatile memory 62 stores various information such as the state information of the battery 90, which will be described later, and the status information of the power receiving device 40 (control device 50). As the non-volatile memory 62, for example, EEPROM or the like can be used. As the EEPROM, for example, a MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type memory can be used. For example, a flash memory using a MONOS type memory can be used. Alternatively, another type of memory such as a floating gate type may be used as the EEPROM.

検出部64は各種の検出処理を行う。例えば検出部64は、整流電圧VCCやバッテリー電圧VBAT等を監視して、各種の検出処理を実行する。具体的には検出部64はA/D変換回路65を有し、整流電圧VCCやバッテリー電圧VBATに基づく電圧や、不図示の温度検出部からの温度検出電圧などを、A/D変換回路65によりA/D変換し、得られたデジタルのA/D変換値を用いて検出処理を実行する。検出部64が行う検出処理としては、過放電、過電圧、過電流、或いは温度異常(高温、低温)の検出処理を想定できる。例えば充電時に検出部64が過電圧、温度異常を検出することで、過電圧保護、高温保護、低温保護を実現できる。また放電時に検出部64が過放電、過電流を検出することで、過放電保護、過電流保護を実現できる。 The detection unit 64 performs various detection processes. For example, the detection unit 64 monitors the rectified voltage VCS, the battery voltage VBAT, and the like, and executes various detection processes. Specifically, the detection unit 64 has an A / D conversion circuit 65, and a voltage based on the rectified voltage VCS and the battery voltage VBAT, a temperature detection voltage from a temperature detection unit (not shown), and the like can be obtained from the A / D conversion circuit 65. A / D conversion is performed, and the detection process is executed using the obtained digital A / D conversion value. As the detection process performed by the detection unit 64, detection processing of over-discharge, over-voltage, over-current, or temperature abnormality (high temperature, low temperature) can be assumed. For example, overvoltage protection, high temperature protection, and low temperature protection can be realized by detecting overvoltage and temperature abnormality by the detection unit 64 during charging. Further, the detection unit 64 detects over-discharge and over-current at the time of discharge, so that over-discharge protection and over-current protection can be realized.

3.無接点電力伝送システムの動作シーケンス
次に本実施形態の無接点電力伝送システムの動作シーケンスの一例について説明する。図3は動作シーケンスの概要を説明する図である。
3. 3. Operation sequence of the non-contact power transmission system Next, an example of the operation sequence of the non-contact power transmission system of the present embodiment will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating an outline of an operation sequence.

図3のA1では、受電装置40を有する電子機器510が、送電装置10を有する充電器500に上に置かれておらず、取り去り状態になっている。この場合にはスタンバイステートとなる。このスタンバイステートでは、送電側はウェイティング状態となり、受電側は放電動作オンの状態となる。 In A1 of FIG. 3, the electronic device 510 having the power receiving device 40 is not placed on the charger 500 having the power transmitting device 10, and is in a removed state. In this case, it is in the standby state. In this standby state, the power transmission side is in the waiting state, and the power reception side is in the discharge operation on state.

具体的にはスタンバイステートでは、送電装置10の送電部12は、着地検出のための間欠送電を行う。即ち、送電部12は、通常送電のような連続送電は行わずに、所与の期間毎に間欠的に電力を送電する間欠送電を行って、電子機器510の着地を検出する状態になる。またスタンバイモードでは、受電装置40では、電力供給対象100への放電動作がオンになっており、電力供給対象100への電力供給がイネーブルになっている。即ち、受電装置40の放電部60は、バッテリー90からの電力を電力供給対象100に放電する動作を行う。これにより、処理部等の電力供給対象100は、バッテリー90からの電力が供給されて動作可能になる。 Specifically, in the standby state, the power transmission unit 12 of the power transmission device 10 performs intermittent power transmission for landing detection. That is, the power transmission unit 12 is in a state of detecting the landing of the electronic device 510 by performing intermittent power transmission that intermittently transmits power every given period without performing continuous power transmission as in normal power transmission. Further, in the standby mode, in the power receiving device 40, the discharge operation to the power supply target 100 is turned on, and the power supply to the power supply target 100 is enabled. That is, the discharge unit 60 of the power receiving device 40 performs an operation of discharging the power from the battery 90 to the power supply target 100. As a result, the power supply target 100 such as the processing unit can operate by being supplied with the power from the battery 90.

図3のA2に示すように、電子機器510が充電器500に上に置かれ、着地が検出されると、通信チェック&充電ステートになる。この通信チェック&充電ステートでは、送電側は通常送電を行い、受電側は、充電動作がオンになると共に、放電動作がオフになる。また受電側は、負荷変調による通信データの送信を行う。 As shown in A2 of FIG. 3, when the electronic device 510 is placed on the charger 500 and the landing is detected, the communication check & charging state is set. In this communication check & charge state, the power transmission side normally transmits power, and the power receiving side turns on the charging operation and turns off the discharging operation. In addition, the power receiving side transmits communication data by load modulation.

具体的には通信チェック&充電ステートでは、送電装置10の送電部12は、連続送電である通常送電を行う。この際に、電力伝送の状態などに応じて電力が可変に変化する電力制御を行いながら、通常送電を行う。またバッテリー90の充電状態に基づく制御も行われる。電力伝送の状態は、例えば1次コイルL1、2次コイルL2の位置関係(コイル間距離等)などにより決まる状態であり、例えば受電部52の出力電圧である整流電圧VCCなどの情報に基づいて判断できる。バッテリー90の充電状態は、例えばバッテリー電圧VBATなどの情報に基づいて判断できる。 Specifically, in the communication check & charging state, the power transmission unit 12 of the power transmission device 10 performs normal power transmission, which is continuous power transmission. At this time, normal power transmission is performed while performing power control in which the power changes variably according to the state of power transmission. In addition, control based on the state of charge of the battery 90 is also performed. The state of power transmission is, for example, a state determined by the positional relationship (distance between coils, etc.) of the primary coil L1 and the secondary coil L2, and is based on information such as the rectified voltage VCS which is the output voltage of the power receiving unit 52. I can judge. The state of charge of the battery 90 can be determined based on information such as the battery voltage VBAT.

また通信チェック&充電ステートでは、受電装置40の充電部58の充電動作がオンになり、受電部52が受電した電力に基づいてバッテリー90の充電が行われる。また放電部60の放電動作がオフになり、バッテリー90からの電力が、電力供給対象100に供給されなくなる。また通信チェック&充電ステートでは、負荷変調部56の負荷変調により、通信データが送電側に送信される。例えば電力伝送状態情報(VCC等)や、充電状態情報(VBATや各種のステータスフラグ等)や、温度などの情報を含む通信データが、通常送電期間中の常時の負荷変調により、受電側から送電側に送信される。例えば送電部12の電源電圧制御部14による電力制御は、通信データに含まれる電力伝送状態情報などに基づいて行われる。 Further, in the communication check & charging state, the charging operation of the charging unit 58 of the power receiving device 40 is turned on, and the battery 90 is charged based on the power received by the power receiving unit 52. Further, the discharge operation of the discharge unit 60 is turned off, and the power from the battery 90 is not supplied to the power supply target 100. Further, in the communication check & charge state, the communication data is transmitted to the power transmission side by the load modulation of the load modulation unit 56. For example, communication data including information such as power transmission status information (VCC, etc.), charge status information (VBAT, various status flags, etc.), and temperature is transmitted from the power receiving side by constant load modulation during the normal transmission period. Sent to the side. For example, the power control by the power supply voltage control unit 14 of the power transmission unit 12 is performed based on the power transmission state information included in the communication data.

図3のA3に示すように、バッテリー90の満充電が検出されると、満充電スタンバイステートになる。満充電スタンバイステートでは、送電側はウェイティング状態となり、受電側は、放電動作オフのままの状態となる。 As shown in A3 of FIG. 3, when the fully charged battery 90 is detected, the fully charged standby state is set. In the fully charged standby state, the power transmission side is in the waiting state, and the power receiving side is in the state in which the discharge operation remains off.

具体的には、送電部12は、例えば取り去り検出のための間欠送電を行う。即ち、送電部12は、通常送電のような連続送電は行わずに、所与の期間毎に間欠的に電力を送電する間欠送電を行って、電子機器510の取り去りを検出する状態になる。また放電部60の放電動作はオフのままとなり、電力供給対象100への電力供給もディスエーブルのままとなる。 Specifically, the power transmission unit 12 performs intermittent power transmission for, for example, removal detection. That is, the power transmission unit 12 is in a state of detecting the removal of the electronic device 510 by performing intermittent power transmission that intermittently transmits power every given period without performing continuous power transmission as in normal power transmission. Further, the discharge operation of the discharge unit 60 remains off, and the power supply to the power supply target 100 also remains disabled.

図3のA4に示すように電子機器510の取り去りが検出されると、A5に示すように電子機器510が使用状態になり、受電側の放電動作がオンになる。 When the removal of the electronic device 510 is detected as shown in A4 of FIG. 3, the electronic device 510 is put into use as shown in A5, and the discharge operation on the power receiving side is turned on.

具体的には、放電部60の放電動作がオフからオンに切り替わり、バッテリー90からの電力が放電部60を介して電力供給対象100に供給される。これにより、バッテリー90からの電力が供給されて、処理部等の電力供給対象100が動作し、ユーザーが電子機器510を通常に使用できる状態となる。 Specifically, the discharge operation of the discharge unit 60 is switched from off to on, and the electric power from the battery 90 is supplied to the power supply target 100 via the discharge unit 60. As a result, the electric power from the battery 90 is supplied, the electric power supply target 100 such as the processing unit operates, and the user can normally use the electronic device 510.

以上のように本実施形態では図3のA2に示すように、電子機器510の着地が検出されると、通常送電が行われ、この通常送電期間において常時の負荷変調が行われる。また着地が検出されると、放電部60の放電動作が停止する。そして、この常時の負荷変調では、送電側の電力制御のための情報や受電側のステータスを表す情報を含む通信データが、受電側から送電側に送信される。例えば電力制御のための情報(電力伝送状態情報)を通信することで、例えば1次コイルL1と2次コイルL2の位置関係等に応じた最適な電力制御を実現できる。また受電側のステータスを表す情報を通信することで、最適で安全な充電環境を実現できる。そして本実施形態では、負荷変調が継続している間は、通常送電も継続され、放電部60の放電動作もオフのままになる。 As described above, in the present embodiment, as shown in A2 of FIG. 3, when the landing of the electronic device 510 is detected, normal power transmission is performed, and constant load modulation is performed during this normal power transmission period. When the landing is detected, the discharge operation of the discharge unit 60 is stopped. Then, in this constant load modulation, communication data including information for power control on the power transmission side and information indicating the status of the power reception side is transmitted from the power reception side to the power transmission side. For example, by communicating information for power control (power transmission state information), it is possible to realize optimum power control according to, for example, the positional relationship between the primary coil L1 and the secondary coil L2. In addition, an optimal and safe charging environment can be realized by communicating information indicating the status of the power receiving side. Then, in the present embodiment, while the load modulation is continued, the normal power transmission is also continued, and the discharge operation of the discharge unit 60 remains off.

また本実施形態では図3のA3に示すように、バッテリー90の満充電が検出されると、通常送電が停止し、取り去り検出用の間欠送電が行われる。そしてA4、A5に示すように、取り去りが検出されて、取り去り期間になると、放電部60の放電動作が行われる。これによりバッテリー90からの電力が電力供給対象100に供給されて、電子機器510の通常動作が可能になる。なお、着地検出や取り去り検出は、受電部52の出力電圧(例えば整流電圧VCC)に基づいて行われる。 Further, in the present embodiment, as shown in A3 of FIG. 3, when the full charge of the battery 90 is detected, the normal power transmission is stopped, and the intermittent power transmission for the removal detection is performed. Then, as shown in A4 and A5, when the removal is detected and the removal period is reached, the discharge operation of the discharge unit 60 is performed. As a result, the electric power from the battery 90 is supplied to the electric power supply target 100, and the normal operation of the electronic device 510 becomes possible. The landing detection and the removal detection are performed based on the output voltage of the power receiving unit 52 (for example, the rectified voltage VCS).

このように本実施形態では、電子機器510のバッテリー90の充電期間(通常送電期間)においては、電力供給対象100への放電動作がオフになるため、充電期間において電力供給対象100により無駄に電力が消費されてしまう事態を抑制できる。 As described above, in the present embodiment, since the discharge operation to the power supply target 100 is turned off during the charging period (normal power transmission period) of the battery 90 of the electronic device 510, the power supply target 100 wastes power during the charging period. Can be suppressed from being consumed.

そして、電子機器510の取り去りが検出されると、通常送電から間欠送電に切り替わると共に、電力供給対象100への放電動作がオンになる。このように放電動作がオンになることで、バッテリー90からの電力が電力供給対象100に供給されるようになり、処理部(DSP)等の電力供給対象100の通常動作が可能になる。このようにすることで、例えば電子機器510が充電器500の上に置かれる充電期間においては動作しないようなタイプの電子機器510(例えば、補聴器等のユーザーが装着する電子機器)において、好適な無接点電力伝送の動作シーケンスを実現できる。即ち、このようなタイプの電子機器510では、充電期間(通常送電期間)において、バッテリー90からの電力の放電動作がオフになることで、省電力化を実現できる。そして、取り去りが検出されると、自動的に放電動作がオンになることで、電子機器510の電力供給対象100である各種のデバイスに対して、バッテリー90からの電力が供給され、当該デバイスが動作できるようになり、電子機器510の通常の動作モードに自動的に移行できるようになる。 Then, when the removal of the electronic device 510 is detected, the normal power transmission is switched to the intermittent power transmission, and the discharge operation to the power supply target 100 is turned on. By turning on the discharge operation in this way, the power from the battery 90 is supplied to the power supply target 100, and the normal operation of the power supply target 100 such as the processing unit (DSP) becomes possible. By doing so, for example, it is suitable for the type of electronic device 510 (for example, an electronic device worn by a user such as a hearing aid) in which the electronic device 510 does not operate during the charging period when the electronic device 510 is placed on the charger 500. An operation sequence of non-contact power transmission can be realized. That is, in such a type of electronic device 510, power saving can be realized by turning off the discharge operation of the power from the battery 90 during the charging period (normal power transmission period). Then, when the removal is detected, the discharge operation is automatically turned on, so that the power from the battery 90 is supplied to various devices that are the power supply target 100 of the electronic device 510, and the devices are supplied with power. It becomes possible to operate, and it becomes possible to automatically shift to the normal operation mode of the electronic device 510.

図4、図5、図6は本実施形態の無接点電力伝送システムの動作シーケンスを説明するための信号波形図である。 4, 5 and 6 are signal waveform diagrams for explaining the operation sequence of the non-contact power transmission system of the present embodiment.

図4のB1は、図3のA1のスタンバイステートであり、着地検出用の間欠送電が行われている。即ち、期間TL1の間隔毎に期間TL2の間隔の送電が行われる。TL1の間隔は例えば3秒であり、TL2の間隔は例えば50ミリ秒である。そして図4のB2、B3では、受電部52の出力電圧である整流電圧VCCは6.0V以下であるため、負荷変調による通信は行われない。 B1 in FIG. 4 is the standby state of A1 in FIG. 3, and intermittent power transmission for landing detection is performed. That is, power transmission is performed at intervals of period TL2 at intervals of period TL1. The interval of TL1 is, for example, 3 seconds, and the interval of TL2 is, for example, 50 milliseconds. In B2 and B3 of FIG. 4, since the rectified voltage VCS, which is the output voltage of the power receiving unit 52, is 6.0 V or less, communication by load modulation is not performed.

一方、B4では整流電圧VCCが着地検出の閾値電圧である6.0Vを超えたため、B5に示すように負荷変調部56が負荷変調を開始する。即ち、B2、B3ではL1、L2のコイルが十分には電磁的結合状態になっていないが、B4ではL1、L2のコイルが図1(B)に示すように適正な電磁的結合状態になっている。このため、整流電圧VCCが上昇して、6.0Vを超え、負荷変調が開始する。そして、この負荷変調(空の通信データ)が送電側により検出されると、B6に示すように送電部12による通常送電が開始する。B6の通常送電は、B1の間欠送電とは異なる連続送電であり、この通常送電による電力により、充電部58によるバッテリー90の充電が開始する。この時、放電部60の放電動作はオフになっている。また、B5に示す負荷変調により、整流電圧やバッテリー電圧やステータスフラグなどの各種の情報を含む通信データが、受電側から送電側に送信されて、送電制御が実行される。なお、B5の負荷変調は、B7に示す着地検出用の間欠送電により整流電圧VCCが上昇したことにより開始している。 On the other hand, in B4, since the rectified voltage VCS exceeds the threshold voltage of 6.0 V for landing detection, the load modulation unit 56 starts load modulation as shown in B5. That is, in B2 and B3, the coils of L1 and L2 are not sufficiently in the electromagnetically coupled state, but in B4, the coils of L1 and L2 are in the proper electromagnetically coupled state as shown in FIG. 1 (B). ing. Therefore, the rectified voltage VCS rises and exceeds 6.0 V, and load modulation starts. Then, when this load modulation (empty communication data) is detected by the power transmission side, normal power transmission by the power transmission unit 12 starts as shown in B6. The normal power transmission of B6 is a continuous power transmission different from the intermittent power transmission of B1, and the charging unit 58 starts charging the battery 90 by the power generated by this normal power transmission. At this time, the discharge operation of the discharge unit 60 is turned off. Further, by the load modulation shown in B5, communication data including various information such as a rectified voltage, a battery voltage, and a status flag is transmitted from the power receiving side to the power transmission side, and power transmission control is executed. The load modulation of B5 is started when the rectified voltage VCS rises due to the intermittent power transmission for landing detection shown in B7.

図5のC1では、バッテリー90の充電が行われる通常送電期間において、電子機器510が取り去られている。このC1の取り去りは、C2、C3に示すように、バッテリー90の満充電前の取り去りである。即ち、満充電フラグが非アクティブレベルであるLレベルになっている状態での取り去りである。 In C1 of FIG. 5, the electronic device 510 is removed during the normal power transmission period in which the battery 90 is charged. As shown in C2 and C3, the removal of C1 is the removal of the battery 90 before it is fully charged. That is, the removal is performed in a state where the full charge flag is at the L level, which is the inactive level.

このように電子機器510の取り去りが行われると、送電側の電力が受電側に伝達されなくなり、受電部52の出力電圧である整流電圧VCCが低下する。そしてC4に示すように例えばVCC<3.1Vになると、C5に示すように負荷変調部56による負荷変調が停止する。負荷変調が停止すると、C6に示すように送電部12による通常送電が停止する。 When the electronic device 510 is removed in this way, the power on the power transmitting side is not transmitted to the power receiving side, and the rectified voltage VCS, which is the output voltage of the power receiving unit 52, decreases. Then, as shown in C4, for example, when VCS <3.1V, the load modulation by the load modulation unit 56 is stopped as shown in C5. When the load modulation is stopped, the normal power transmission by the power transmission unit 12 is stopped as shown in C6.

また、整流電圧VCC(出力電圧)が低下し、例えば判定電圧である例えば3.1Vを下回ると、不図示の受電側のスタートキャパシターの放電が開始する。このスタートキャパシターは、受電側の放電動作の起動用(起動期間の計測用)のキャパシターであり、例えば受電側の制御装置50の外付け部品として設けられる。そして、整流電圧VCCが判定電圧(3.1V)を下回ってから、起動期間TSTが経過すると、C8に示すように放電部60の放電動作がオフからオンに切り替わり、バッテリー90からの電力が電力供給対象100に供給されるようになる。具体的には、スタートキャパシターの電圧(充電電圧)が放電動作オンのための閾値電圧を下回ると、起動期間TSTが経過したと判断され、放電部60の放電動作がオンになって、バッテリー90からの電力を電力供給対象100に対して放電される。これにより、図3のA5に示すように電子機器510が使用可能な状態になる。また送電部12は、通常送電を停止した後、C9に示すように、着地検出用の間欠送電を行うようになる。 Further, when the rectified voltage VCS (output voltage) decreases and falls below, for example, 3.1 V, which is a determination voltage, discharge of the start capacitor on the power receiving side (not shown) starts. This start capacitor is a capacitor for starting the discharge operation on the power receiving side (for measuring the starting period), and is provided as an external component of the control device 50 on the power receiving side, for example. Then, when the start-up period TST elapses after the rectified voltage VCS falls below the determination voltage (3.1 V), the discharge operation of the discharge unit 60 switches from off to on as shown in C8, and the power from the battery 90 becomes electric power. It will be supplied to the supply target 100. Specifically, when the voltage of the start capacitor (charging voltage) falls below the threshold voltage for turning on the discharge operation, it is determined that the start-up period TST has elapsed, the discharge operation of the discharge unit 60 is turned on, and the battery 90 Is discharged to the power supply target 100. As a result, as shown in A5 of FIG. 3, the electronic device 510 becomes usable. Further, after the normal power transmission is stopped, the power transmission unit 12 starts intermittent power transmission for landing detection as shown in C9.

図6のD1では、満充電フラグがアクティブレベルであるHレベルになっており、バッテリー90の満充電が検出されている。このように満充電が検出されると、図3のA3に示すように満充電スタンバイステートに移行し、D2に示すように満充電後の取り去り検出用の間欠送電が行われる。即ち、期間TR1の間隔毎に期間TR2の間隔の送電が行われる。TR1の間隔は例えば1.5秒であり、TR2の間隔は例えば50ミリ秒である。取り去り検出用の間欠送電の期間TR1の間隔は、着地検出用の間欠送電の期間TL1の間隔に比べて、短くなっている。 In D1 of FIG. 6, the full charge flag is set to the H level, which is the active level, and the full charge of the battery 90 is detected. When full charge is detected in this way, the state shifts to the full charge standby state as shown in A3 of FIG. 3, and intermittent power transmission for removal detection after full charge is performed as shown in D2. That is, power transmission is performed at intervals of period TR2 at intervals of period TR1. The interval of TR1 is, for example, 1.5 seconds, and the interval of TR2 is, for example, 50 milliseconds. The interval of the intermittent power transmission period TR1 for removal detection is shorter than the interval of the intermittent power transmission period TL1 for landing detection.

この取り去り検出用の間欠送電により、図6のD3、D4に示すように受電部52の整流電圧がVCC>6.0となり、D5、D6に示すように負荷変調が行われる。送電側は、この負荷変調(空の通信データ等)を検出することで、電子機器510が未だ取り去られていないことを検出できる。 Due to this intermittent power transmission for detection of removal, the rectified voltage of the power receiving unit 52 becomes VCS> 6.0 as shown in D3 and D4 of FIG. 6, and load modulation is performed as shown in D5 and D6. By detecting this load modulation (empty communication data, etc.), the power transmission side can detect that the electronic device 510 has not been removed yet.

そして、前述のスタートキャパシターにより設定されるD7に示す起動期間TSTの間隔(例えば3秒)に比べて、取り去り検出用の間欠送電の期間TR1の間隔(例えば1.5秒)は短い。従って、電子機器510が取り去られていない状態では、スタートキャパシターの電圧(充電電圧)は、放電動作オンのための閾値電圧VTを下回らず、D8に示すように放電動作のオフからオンへの切り替わりは行われない。 Then, the interval of the intermittent power transmission period TR1 for removal detection (for example, 1.5 seconds) is shorter than the interval of the start-up period TST shown in D7 (for example, 3 seconds) set by the start capacitor described above. Therefore, in the state where the electronic device 510 is not removed, the voltage (charging voltage) of the start capacitor does not fall below the threshold voltage VT for turning on the discharge operation, and as shown in D8, the discharge operation is changed from off to on. There is no switching.

一方、D9では、電子機器510が取り去られている。そして、D4に示す取り去り検出用の間欠送電の期間TR2の終了後に、D10に示すように、受電部52の整流電圧VCCは判定電圧である3.1Vを下回るため、D7に示す起動期間TSTの計測がスタートする。そしてD11では、スタートキャパシターの電圧が放電動作オンのための閾値電圧VTを下回っており、起動期間TSTの経過が検出されている。これにより、放電部60の放電動作がオフからオンに切り替わり、バッテリー90からの電力が電力供給対象100に供給されるようになる。またD12に示すように、電子機器510の着地検出用の間欠送電が行われるようになる。 On the other hand, in D9, the electronic device 510 has been removed. Then, after the end of the intermittent power transmission period TR2 for the removal detection shown in D4, as shown in D10, the rectified voltage VCS of the power receiving unit 52 is lower than the determination voltage of 3.1 V, so that the start-up period TST shown in D7 Measurement starts. Then, in D11, the voltage of the start capacitor is lower than the threshold voltage VT for turning on the discharge operation, and the passage of the start-up period TST is detected. As a result, the discharge operation of the discharge unit 60 is switched from off to on, and the power from the battery 90 is supplied to the power supply target 100. Further, as shown in D12, intermittent power transmission for landing detection of the electronic device 510 will be performed.

図7は、温度異常(温度エラー)によるオーバーオールのウェイトステートでの動作シーケンスを説明するための信号波形図である。 FIG. 7 is a signal waveform diagram for explaining an operation sequence in the overall wait state due to a temperature abnormality (temperature error).

図7のE1では、例えばバッテリー温度が50度に達する温度異常(高温異常)が検出されており、温度エラーフラグがアクティブレベルであるHレベルになっている。この場合に本実施形態では、E2に示すようにオーバーオールのウェイト期間TOWが設定される。このウェイト期間TOWでは、通常送電は停止し、例えば取り去り検出用の間欠送電が行われる。つまり、図6で説明した満充電スタンバイステートと同様の間欠送電が行われる。例えば温度エラーフラグを含む通信データが、負荷変調により受電側から送電側に送信され、これにより送電部12の通常送電が停止し、間欠送電が開始する。 In E1 of FIG. 7, for example, a temperature abnormality (high temperature abnormality) in which the battery temperature reaches 50 degrees is detected, and the temperature error flag is set to the H level, which is the active level. In this case, in the present embodiment, the overall wait period TOW is set as shown in E2. During this wait period TOW, normal power transmission is stopped, and for example, intermittent power transmission for removal detection is performed. That is, intermittent power transmission similar to the fully charged standby state described with reference to FIG. 6 is performed. For example, communication data including a temperature error flag is transmitted from the power receiving side to the power transmission side by load modulation, whereby the normal power transmission of the power transmission unit 12 is stopped and intermittent power transmission is started.

ウェイト期間TOWの間隔は例えば5分であり、ウェイト期間TOWでは、連続送電である通常送電は行われず、バッテリー90の充電が行われない。このためバッテリー90が放熱し、図7のE3に示すようにバッテリー温度が低下する。そしてウェイト期間TOWが経過すると、E4に示すように通常送電が再開し、バッテリー90の充電が再開する。この時、本実施形態では、E5に示すように充電回数を表すサイクル回数の更新処理は行われない。即ち、温度異常に起因するバッテリー充電の繰り返しは、充電回数に含めるべきではないため、サイクル回数(サイクルタイム)を+1する更新処理は行われない。 The interval of the wait period TOW is, for example, 5 minutes. In the wait period TOW, the normal power transmission, which is continuous power transmission, is not performed, and the battery 90 is not charged. Therefore, the battery 90 dissipates heat, and the battery temperature drops as shown in E3 of FIG. Then, when the wait period TOW elapses, normal power transmission resumes as shown in E4, and charging of the battery 90 resumes. At this time, in the present embodiment, as shown in E5, the update process of the number of cycles representing the number of charges is not performed. That is, since the repetition of battery charging due to the temperature abnormality should not be included in the number of charges, the update process for increasing the number of cycles (cycle time) by +1 is not performed.

図7のE6では、再びバッテリー温度が50度に達し、温度エラーフラグがHレベルになっている。これによりE7に示すウェイト期間TOWが設定され、通常送電が停止して、間欠送電が行われるようになる。 In E6 of FIG. 7, the battery temperature reaches 50 degrees again, and the temperature error flag is set to H level. As a result, the wait period TOW shown in E7 is set, normal power transmission is stopped, and intermittent power transmission is performed.

そして図7のE8では、電子機器510が取り去られており、図6で説明したスタートキャパシターの電圧が閾値電圧VTを下回ると、E9に示すように放電部60の放電動作がオフからオンに切り替わる。そしてE10に示すように送電部12による着地検出用の間欠送電が行われるようになる。 Then, in E8 of FIG. 7, when the electronic device 510 is removed and the voltage of the start capacitor described in FIG. 6 falls below the threshold voltage VT, the discharge operation of the discharge unit 60 changes from off to on as shown in E9. Switch. Then, as shown in E10, intermittent power transmission for landing detection is performed by the power transmission unit 12.

以上のように本実施形態では、図4のB5に示すように受電装置40が負荷変調を開始したことを条件に、B6に示すように送電部12による通常送電が開始する。そしてB5の負荷変調が継続されている間は、B6に示す通常送電は継続する。具体的には図5のC5に示すように負荷変調が非検出となった場合に、C6に示すように送電部12による通常送電が停止する。そしてC9に示すように送電部12による着地検出用の間欠送電が行われるようになる。 As described above, in the present embodiment, on the condition that the power receiving device 40 has started the load modulation as shown in B5 of FIG. 4, the normal power transmission by the power transmission unit 12 is started as shown in B6. Then, while the load modulation of B5 is continued, the normal power transmission shown in B6 is continued. Specifically, when the load modulation is not detected as shown in C5 of FIG. 5, the normal power transmission by the power transmission unit 12 is stopped as shown in C6. Then, as shown in C9, intermittent power transmission for landing detection is performed by the power transmission unit 12.

このように本実施形態では、負荷変調の開始を条件に通常送電を開始し、負荷変調が継続されている間は通常送電を継続し、負荷変調が非検出になると通常送電を停止するという動作シーケンスを採用している。このようにすれば、複雑な認証処理等を不要にでき、シンプルで簡素な動作シーケンスで、無接点電力伝送と、負荷変調による通信を実現できるようになる。また、通常送電期間中において、常時の負荷変調による通信を行うことで、電力伝送の状態等に応じた効率的な無接点電力伝送も実現できるようになる。 As described above, in the present embodiment, the normal power transmission is started on the condition that the load modulation is started, the normal power transmission is continued while the load modulation is continued, and the normal power transmission is stopped when the load modulation is not detected. The sequence is adopted. In this way, complicated authentication processing and the like can be eliminated, and wireless power transmission and communication by load modulation can be realized with a simple and simple operation sequence. In addition, efficient non-contact power transmission according to the state of power transmission can be realized by performing communication by constant load modulation during the normal power transmission period.

また本実施形態では、図6のD1に示すように、受電側からの通信データに基づいて受電装置40のバッテリー90の満充電が検出された場合には、D2に示すように、送電部12による通常送電が停止し、取り去り検出用の間欠送電が行われるようになる。そしてD9に示すように電子機器510が取り去られて、当該取り去りが検出されると、D12に示すように送電部12による着地検出用の間欠送電が行われるようになる。 Further, in the present embodiment, as shown in D1 of FIG. 6, when a fully charged battery 90 of the power receiving device 40 is detected based on the communication data from the power receiving side, as shown in D2, the power transmission unit 12 Normal power transmission will be stopped, and intermittent power transmission for removal detection will be performed. Then, as shown in D9, the electronic device 510 is removed, and when the removal is detected, intermittent power transmission for landing detection is performed by the power transmission unit 12 as shown in D12.

このようにすれば、満充電が検出されると、連続送電である通常送電が停止し、間欠的に電力を伝送する間欠送電に移行するようになる。これにより、取り去り期間等において、無駄に電力が消費されてしまうのを抑制でき、省電力化等を図れるようになる。 In this way, when a full charge is detected, the normal power transmission, which is continuous power transmission, is stopped, and the power transmission is intermittently shifted to intermittent power transmission. As a result, it is possible to suppress unnecessary power consumption during the removal period and the like, and it becomes possible to achieve power saving and the like.

また本実施形態では、通信データに基づいて受電側の異常が検出された場合にも、送電部12による通常送電が停止し、取り去り検出用の間欠送電が行われるようになる。この受電側の異常とは、例えばバッテリー90の電圧が1.0Vを下回るバッテリーフェールなどのバッテリー充電エラーや、充電時間が所定期間(例えば6〜8時間)を超えてしまうタイマーエンドのエラーなどである。このようにすれば、受電側の異常が検出された場合に、連続送電である通常送電が自動的に停止して、間欠送電に移行するようになるため、安全性や信頼性等を確保できる。 Further, in the present embodiment, even when an abnormality on the power receiving side is detected based on the communication data, the normal power transmission by the power transmission unit 12 is stopped, and the intermittent power transmission for removal detection is performed. The abnormality on the power receiving side is, for example, a battery charging error such as a battery failure in which the voltage of the battery 90 falls below 1.0V, or a timer end error in which the charging time exceeds a predetermined period (for example, 6 to 8 hours). is there. In this way, when an abnormality on the power receiving side is detected, normal power transmission, which is continuous power transmission, is automatically stopped and shifts to intermittent power transmission, so safety, reliability, etc. can be ensured. ..

また受電側の異常として、温度異常が生じた場合にも、送電部12による通常送電が停止し、取り去り検出用の間欠送電が行われる。但し、温度異常の場合には、図7に示すような特別な動作シーケンスが実行される。具体的には、図7のE1に示すように通信データ(温度エラーフラグ)に基づいて受電装置40のバッテリー90の温度異常(高温エラー)が検出された場合に、通常送電が停止し、E2に示すようにウェイト期間TOWの間、送電部12による間欠送電が行われる。そしてウェイト期間TOWの経過後に、E4に示すように送電部12による通常送電が再開する。 Further, even when a temperature abnormality occurs as an abnormality on the power receiving side, the normal power transmission by the power transmission unit 12 is stopped, and intermittent power transmission for removal detection is performed. However, in the case of a temperature abnormality, a special operation sequence as shown in FIG. 7 is executed. Specifically, as shown in E1 of FIG. 7, when a temperature abnormality (high temperature error) of the battery 90 of the power receiving device 40 is detected based on communication data (temperature error flag), normal power transmission is stopped and E2 As shown in the above, intermittent power transmission is performed by the power transmission unit 12 during the wait period TOW. Then, after the wait period TOW elapses, normal power transmission by the power transmission unit 12 is resumed as shown in E4.

このようにすれば、温度異常の場合には、ウェイト期間TOWが設定され、そのウェイト期間TOWの間は、連続送電である通常送電は行われず、バッテリー90の充電も行われないようになる。これにより、ウェイト期間TOWを利用して、バッテリー90の放熱等が可能になる。また、ウェイト期間TOWの経過後に、通常送電によるバッテリー90の充電を再開できる。従って、例えば高温の環境等での適切なバッテリー90の充電制御等を実現できるようになる。 In this way, in the case of a temperature abnormality, a wait period TOW is set, and during the wait period TOW, normal power transmission, which is continuous power transmission, is not performed, and the battery 90 is not charged. This makes it possible to dissipate heat from the battery 90 by using the wait period TOW. Further, after the wait period TOW has elapsed, charging of the battery 90 by normal power transmission can be resumed. Therefore, for example, it becomes possible to realize appropriate charge control of the battery 90 in a high temperature environment or the like.

また本実施形態では、図5、図6で説明したように、受電装置40は、受電部52の出力電圧である整流電圧VCCが低下し、放電動作の起動期間TSTが経過した後に、バッテリー90からの電力を電力供給対象100に対して放電する。具体的には整流電圧VCCが判定電圧(3.1V)を下回ってから、起動期間TSTが経過した後に、放電動作が開始する。即ち、図5のC8や図6のD11に示すように、放電部60の放電動作がオンになって、バッテリー90からの電力が電力供給対象100に供給されるようになる。そして本実施形態では、図6のD2とD7に示すように、起動期間TST(例えば3秒)よりも短い期間TR1(例えば1.5秒)の間隔で、取り去り検出用の間欠送電が行われる。 Further, in the present embodiment, as described with reference to FIGS. 5 and 6, the power receiving device 40 has the battery 90 after the rectifying voltage VCS, which is the output voltage of the power receiving unit 52, has decreased and the start-up period TST of the discharge operation has elapsed. Is discharged to the power supply target 100. Specifically, the discharge operation starts after the start-up period TST elapses after the rectified voltage VCS falls below the determination voltage (3.1 V). That is, as shown in C8 of FIG. 5 and D11 of FIG. 6, the discharge operation of the discharge unit 60 is turned on, and the power from the battery 90 is supplied to the power supply target 100. Then, in the present embodiment, as shown in D2 and D7 of FIG. 6, intermittent power transmission for removal detection is performed at intervals of TR1 (for example, 1.5 seconds) shorter than the activation period TST (for example, 3 seconds). ..

このようにすれば、取り去り検出用の期間TR1の長さでは、起動期間TSTは経過しないため、取り去り検出用の間欠送電の期間においては放電部60の放電動作はオンにならないようになる。そして図6のD9に示すように、電子機器510が取り去られると、取り去り検出用の間欠送電の期間のように整流電圧VCCが定期的に上昇することはなくなり、D7に示す起動期間TSTが経過することで、D11に示すように放電部60の放電動作がオンになる。従って、電子機器510の取り去りを検出して、自動的に、放電部60の放電動作をオンにして、バッテリー90からの電力を電力供給対象100に供給できるようになる。 In this way, since the start-up period TST does not elapse during the length of the removal detection period TR1, the discharge operation of the discharge unit 60 is not turned on during the period of intermittent power transmission for removal detection. Then, as shown in D9 of FIG. 6, when the electronic device 510 is removed, the rectified voltage VCS does not rise periodically as in the period of intermittent power transmission for detection of removal, and the start-up period TST shown in D7 elapses. By doing so, the discharge operation of the discharge unit 60 is turned on as shown in D11. Therefore, when the removal of the electronic device 510 is detected, the discharge operation of the discharge unit 60 is automatically turned on, and the electric power from the battery 90 can be supplied to the power supply target 100.

4.不揮発性メモリーに記憶される状態情報と、状態情報に基づく制御
次に、受電装置40の制御装置50に含まれる不揮発性メモリー62の詳細と、当該情報に基づいて行われる送電装置10、受電装置40の制御について説明する。
4. State information stored in the non-volatile memory and control based on the state information Next, the details of the non-volatile memory 62 included in the control device 50 of the power receiving device 40, and the power transmission device 10 and the power receiving device performed based on the information. The control of 40 will be described.

4.1 不揮発性メモリー
本実施形態における不揮発性メモリー62は、受電部52の出力電圧VCCに基づく電源電圧で動作する。具体的には、図21を用いて後述するレギュレーター57の出力電圧であるVD5に基づいて動作する。レギュレーター57は、受電部52の出力電圧VCCをレギュレートしてVD5を出力するレギュレーターである。さらに具体的には、不揮発性メモリー62はVD5を内部で昇圧し、昇圧後の電圧に基づいて動作する。
4.1 Non-volatile memory The non-volatile memory 62 in this embodiment operates at a power supply voltage based on the output voltage VCS of the power receiving unit 52. Specifically, it operates based on VD5, which is the output voltage of the regulator 57, which will be described later with reference to FIG. The regulator 57 is a regulator that regulates the output voltage VCS of the power receiving unit 52 and outputs VD5. More specifically, the non-volatile memory 62 internally boosts the VD5 and operates based on the voltage after the boost.

図8は不揮発性メモリー62の構成例である。図8に示したように、不揮発性メモリー62は、ベリファイシーケンサー65と、制御回路66と、メモリーセルアレイ67と、チャージポンプ回路(昇圧回路)68を含む。ただし、不揮発性メモリー62は図8の構成に限定されず、種々の変形実施が可能である。 FIG. 8 is a configuration example of the non-volatile memory 62. As shown in FIG. 8, the non-volatile memory 62 includes a verify sequencer 65, a control circuit 66, a memory cell array 67, and a charge pump circuit (boost circuit) 68. However, the non-volatile memory 62 is not limited to the configuration shown in FIG. 8, and various modifications can be performed.

ベリファイシーケンサー65は、書き込み、読み出し、データ確認(ベリファイ)を行う。以下、各動作での制御の一例を説明するが、具体的な手法は種々の変形実施が可能である。書き込み時には、ベリファイシーケンサー65は、制御部54から16ビットの書き込みデータを取得し、取得した書き込みデータに基づいて16ビットのECC(Error Correcting Code、誤り訂正符号)を生成し、書き込みデータとECCを合わせた32ビットのデータをメモリーセルアレイ67(狭義にはメモリーセルアレイ67に含まれる所与のメモリーセル)に書き込む。 The verify sequencer 65 performs writing, reading, and data confirmation (verification). Hereinafter, an example of control in each operation will be described, but various modifications can be implemented in the specific method. At the time of writing, the verify sequencer 65 acquires 16-bit write data from the control unit 54, generates 16-bit ECC (Error Correcting Code) based on the acquired write data, and outputs the write data and ECC. The combined 32-bit data is written to the memory cell array 67 (in a narrow sense, a given memory cell included in the memory cell array 67).

読み出し時には、メモリーセルアレイ67からECCを含む32ビットのデータを読み出し、ECCに基づいて、データが破損しているか否かの判定を行って、ECCを除いた16ビットのデータを制御部54に出力する。なお、データ破損時には、ECCに基づいて誤り訂正処理を行い、誤り訂正処理後の16ビットのデータを制御部54に出力すればよい。ただし、ここでの誤り訂正は、例えば1ビットの誤りに限定される。 At the time of reading, 32-bit data including ECC is read from the memory cell array 67, it is determined whether or not the data is damaged based on ECC, and 16-bit data excluding ECC is output to the control unit 54. To do. When data is corrupted, error correction processing may be performed based on ECC, and the 16-bit data after the error correction processing may be output to the control unit 54. However, the error correction here is limited to, for example, a 1-bit error.

また、ベリファイシーケンサー65では、データの書き込み後、メモリーセルアレイ67に含まれるメモリーセルの信号レベルが適正であるかを確認する。 Further, in the verify sequencer 65, after writing the data, it is confirmed whether the signal level of the memory cell included in the memory cell array 67 is appropriate.

具体的な書き込み、読み出し動作は、制御回路66、メモリーセルアレイ67、チャージポンプ回路68により行われる。チャージポンプ回路68には、受電部52の出力電圧VCCに基づく電圧(上述したように例えばVD5)が供給され、当該電圧を昇圧することで、消去、書き込み用の比較的高い電圧VPPを出力する。そして、制御回路66は、ベリファイシーケンサー65からの信号に基づいて、メモリーセルアレイ67に設けられるワード線、ソース線、ビット線に対して、VPP等の適切な電圧を供給することで、読み出し、書き込み、消去を行う。なお、不揮発性メモリー62は、上述したように例えばMONOS型等の構造を用いればよく、各メモリーセルの構造等は広く知られたものであるため、これ以上の詳細な説明は省略する。 Specific write and read operations are performed by the control circuit 66, the memory cell array 67, and the charge pump circuit 68. A voltage based on the output voltage VCS of the power receiving unit 52 (for example, VD5 as described above) is supplied to the charge pump circuit 68, and by boosting the voltage, a relatively high voltage VPP for erasing and writing is output. .. Then, the control circuit 66 reads and writes by supplying an appropriate voltage such as VPP to the word line, source line, and bit line provided in the memory cell array 67 based on the signal from the verify sequencer 65. , Erase. As described above, the non-volatile memory 62 may use, for example, a MONOS type structure, and the structure of each memory cell is widely known. Therefore, further detailed description thereof will be omitted.

本実施形態に係る制御部54は、充電系の制御部と、放電系の制御部とを含んでもよい。充電系の制御部は、受電部52の出力電圧VCCに基づく電圧で動作し、充電系の各部の制御を行う。具体的には、充電系の制御部は図19を用いて後述するVD5に基づいて動作し、負荷変調部56や充電部58、不揮発性メモリー62等の制御を行う。また、放電系の制御部は、バッテリー電圧VBATに基づく電圧で動作し、放電系の各部の制御を行う。具体的には、放電系の制御部はバッテリー電圧VBATに基づいて動作し、放電部60等の制御を行う。 The control unit 54 according to the present embodiment may include a charge system control unit and a discharge system control unit. The control unit of the charging system operates at a voltage based on the output voltage VCS of the power receiving unit 52, and controls each unit of the charging system. Specifically, the control unit of the charging system operates based on VD5 described later with reference to FIG. 19, and controls the load modulation unit 56, the charging unit 58, the non-volatile memory 62, and the like. Further, the discharge system control unit operates at a voltage based on the battery voltage VBAT, and controls each part of the discharge system. Specifically, the control unit of the discharge system operates based on the battery voltage VBAT, and controls the discharge unit 60 and the like.

取り去りをトリガーとして放電を開始する制御は、放電系の制御部により行われる。具体的には、制御装置50は、VCCが3.1V以上の場合にローレベルとなり、VCCが3.1Vを下回った場合に、ハイレベルとなる信号を出力する回路を含んでもよい。ローレベルの場合にリセットし、ハイレベルの場合にリセットを解除するものとすれば、当該信号は充電系の制御部のパワーオンリセット信号として利用することができ、上記回路はパワーオンリセット回路と考えることができる。また、当該信号を放電系の制御部にも出力し、放電系の制御部では当該信号に基づいてスタートキャパシターの充電及び放電の制御を行ってもよい。一例としては、放電系の制御部は、入力信号がハイレベルの場合に、スタートキャパシターにVBATに基づく電圧を供給して充電を行い、ローレベルの場合にスタートキャパシターを(例えば所与の抵抗を介して)グラウンドに接続して放電を行う回路を有してもよい。また、放電系の制御部は、放電部60(チャージポンプ回路61)のオンオフについても、上記信号により制御を行ってもよい。 The control unit of the discharge system controls to start the discharge with the removal as a trigger. Specifically, the control device 50 may include a circuit that outputs a signal that becomes a low level when the VCS is 3.1 V or more and becomes a high level when the VCS falls below 3.1 V. If the reset is performed at the low level and the reset is released at the high level, the signal can be used as a power-on reset signal of the control unit of the charging system, and the above circuit is a power-on reset circuit. I can think. Further, the signal may be output to the control unit of the discharge system, and the control unit of the discharge system may control charging and discharging of the start capacitor based on the signal. As an example, the control unit of the discharge system supplies a voltage based on VBAT to the start capacitor when the input signal is high level to charge the start capacitor, and charges the start capacitor when the input signal is low level (for example, a given resistance). It may have a circuit that connects to the ground (via) to discharge. Further, the control unit of the discharge system may also control the on / off of the discharge unit 60 (charge pump circuit 61) by the above signal.

図9に不揮発性メモリー62に記憶される情報の例を示す。図9に示したように、不揮発性メモリー62は、充電電流情報と、温度補正情報と、充電回数情報と、バッテリー電圧と、温度異常検出情報を記憶する。本実施形態におけるバッテリー90の状態情報とは、充電回数情報、バッテリー電圧、温度異常検出情報のうちの少なくとも1つを含む情報である。 FIG. 9 shows an example of information stored in the non-volatile memory 62. As shown in FIG. 9, the non-volatile memory 62 stores charging current information, temperature correction information, charging frequency information, battery voltage, and temperature abnormality detection information. The state information of the battery 90 in the present embodiment is information including at least one of the charging frequency information, the battery voltage, and the temperature abnormality detection information.

充電電流情報は、例えばCC充電に用いられる定電流の電流値である。さらに具体的には充電時のバッテリー電圧がある程度高い(例えば2.5V以上)の場合に行われる通常充電での電流値と、充電時のバッテリー電圧がある程度低い(例えば2.5V未満)の場合に行われる予備充電での電流値であってもよい。ここでの予備充電とは、過放電状態からの復帰時に行われる充電を表す。 The charging current information is, for example, a constant current value used for CC charging. More specifically, when the current value in normal charging performed when the battery voltage during charging is high to some extent (for example, 2.5V or more) and when the battery voltage during charging is low to some extent (for example, less than 2.5V). It may be the current value in the pre-charging performed in. The pre-charging here represents the charging performed at the time of returning from the over-discharged state.

また、温度補正情報は、温度検出部からの温度検出電圧等に基づいて、検出部64で検出される温度情報の補正に用いられる情報である。本実施形態における温度情報は、バッテリー制御に用いる情報であるため、バッテリー90自体の温度を表す情報とすることが望ましい。しかし、実際には温度検出部が設けられる位置とバッテリー位置とには多少のずれがあるため、温度検出部が検出するのは例えば温度検出部が設けられる基板の温度であり、バッテリー90の温度とは温度差が生じる。温度補正情報とは、例えばこの温度差を補正するための情報である。 Further, the temperature correction information is information used for correcting the temperature information detected by the detection unit 64 based on the temperature detection voltage or the like from the temperature detection unit. Since the temperature information in this embodiment is information used for battery control, it is desirable that the temperature information represents the temperature of the battery 90 itself. However, in reality, there is a slight difference between the position where the temperature detection unit is provided and the battery position. Therefore, the temperature detection unit detects, for example, the temperature of the substrate on which the temperature detection unit is provided, and the temperature of the battery 90. There is a temperature difference with. The temperature correction information is, for example, information for correcting this temperature difference.

なお、充電電流情報や温度補正情報は、受電装置40がどのように実装されるか、例えばバッテリー90としてどのような電池を用いるか、バッテリー90と温度検出部がどのように配置されるか等に応じて、適切な値が変化する。よってこれらの情報は、受電装置40を実装する際にプログラムされる(不揮発性メモリー62に書き込まれる)ことが想定される。なお、ここでの充電電流情報や、後述する充電電圧情報(CV)は、バッテリー90の充電制御に用いられる情報である。つまり、不揮発性メモリー62は、バッテリー90の充電制御情報を記憶してもよい。 The charging current information and temperature correction information include how the power receiving device 40 is mounted, for example, what kind of battery is used as the battery 90, how the battery 90 and the temperature detection unit are arranged, and the like. The appropriate value changes according to. Therefore, it is assumed that these pieces of information are programmed (written in the non-volatile memory 62) when the power receiving device 40 is mounted. The charging current information here and the charging voltage information (CV) described later are information used for charging control of the battery 90. That is, the non-volatile memory 62 may store the charge control information of the battery 90.

充電回数情報は、バッテリー90の充電が行われた回数を表す情報である。充電回数情報(以下、サイクル回数とも記載)は、図20のS3,S5を用いて後述するように、原則的には充電が開始されたタイミングでインクリメントされる。二次電池は充電を繰り返すことで性能が劣化(例えば満充電時のバッテリー容量が減少)していくことが知られており、充電回数情報を記憶することで、その劣化度合いのモニタリングが可能になる。 The charge count information is information indicating the number of times the battery 90 has been charged. The charging number information (hereinafter, also referred to as the cycle number) is incremented in principle at the timing when charging is started, as will be described later with reference to S3 and S5 of FIG. It is known that the performance of a secondary battery deteriorates as it is repeatedly charged (for example, the battery capacity when fully charged decreases), and by storing the charge count information, it is possible to monitor the degree of deterioration. Become.

バッテリー電圧は、所与のタイミングでのバッテリー電圧を表す情報である。例えば、検出部64により、バッテリーの温度異常(温度が正常範囲の上限よりも高い、或いは正常範囲の下限よりも低い)が検出されたときのバッテリー電圧を記憶する。なお、上述したように温度検出部が検出する温度は、バッテリー90の温度そのものではないが、補正処理を行うことでバッテリー90の温度に相当する温度を求めている。よって、本明細書では「バッテリー90の温度」或いは「バッテリー90の温度異常」といった語を用いることがあるが、これは、バッテリー90とは異なる位置に設けられた温度検出部の検出結果に基づく温度、或いは当該温度に基づく異常検出結果を表すものであってもよい。 The battery voltage is information representing the battery voltage at a given timing. For example, the detection unit 64 stores the battery voltage when a battery temperature abnormality (the temperature is higher than the upper limit of the normal range or lower than the lower limit of the normal range) is detected. As described above, the temperature detected by the temperature detection unit is not the temperature of the battery 90 itself, but the temperature corresponding to the temperature of the battery 90 is obtained by performing the correction process. Therefore, in this specification, terms such as "battery 90 temperature" or "battery 90 temperature abnormality" may be used, but this is based on the detection result of the temperature detection unit provided at a position different from that of the battery 90. It may represent a temperature or an abnormality detection result based on the temperature.

温度異常検出情報は、温度異常が検出されたか否かを表す情報である。温度異常検出情報は、例えば1ビットのフラグ情報であってもよく、図7における温度エラーフラグに対応する。このことからわかるように、図9の各情報はそれぞれが同じビット数である必要はない。例えば、充電電流情報として、8ビットの通常充電での定電流値と、8ビットの予備充電での定電流値を合わせた16ビットの情報を記憶してもよいし、当該16ビットの情報に対して、16ビットのECCを付加してもよい。また、充電回数情報やバッテリー電圧等を12ビットで表現し、当該12ビットのデータに4ビットのデータ(何らかのフラグ情報でもよいし0や1に固定したデータでもよい)を付加し、16ビットのデータとして取り扱ってもよい。 The temperature abnormality detection information is information indicating whether or not a temperature abnormality has been detected. The temperature abnormality detection information may be, for example, 1-bit flag information, and corresponds to the temperature error flag in FIG. 7. As can be seen from this, each piece of information in FIG. 9 does not have to have the same number of bits. For example, as the charging current information, 16-bit information including the constant current value in 8-bit normal charging and the constant current value in 8-bit pre-charging may be stored, or the 16-bit information may be stored. On the other hand, 16-bit ECC may be added. In addition, charge count information, battery voltage, etc. are expressed in 12 bits, and 4-bit data (some flag information or data fixed to 0 or 1) is added to the 12-bit data to obtain 16-bit data. It may be treated as data.

なお、上述したように不揮発性メモリー62は、受電部52の出力電圧VCCに基づく電源電圧で動作する。そのため、図3のA2のように、受電装置40を有する電子機器510が、送電装置10を有する充電器500に上に置かれた状態で動作し、A1やA5のように受電装置40が取り去られた状態では動作しない。本実施形態では無接点電力伝送システムを想定しているため、受電装置40の取り去りが行われやすい。例えば、クレードル等への装着の必要がないため、ユーザーが気軽に取り去りを行うこともあるし、送電装置10や受電装置40(或いはそれらを置いているテーブル等)と何らかの物体が衝突することで意図せず取り去りが行われることもある。 As described above, the non-volatile memory 62 operates at a power supply voltage based on the output voltage VCS of the power receiving unit 52. Therefore, as shown in A2 of FIG. 3, the electronic device 510 having the power receiving device 40 operates in a state of being placed on the charger 500 having the power transmitting device 10, and the power receiving device 40 takes it like A1 and A5. It does not work when left. Since the non-contact power transmission system is assumed in this embodiment, the power receiving device 40 can be easily removed. For example, since it is not necessary to attach it to a cradle or the like, the user may easily remove it, or when some object collides with the power transmission device 10 or the power receiving device 40 (or the table on which they are placed). It may be removed unintentionally.

そのため、本実施形態の不揮発性メモリー62では、他の一般的なシステムに比べて不揮発性メモリー62の書き込み中に、動作用の電源供給が停止してしまうというケースが生じやすくなる。その場合、書き込みエラーとなるため、書き込み途中であった情報は信頼できるものではなくなってしまう。 Therefore, in the non-volatile memory 62 of the present embodiment, there is a tendency that the power supply for operation is stopped during writing of the non-volatile memory 62 as compared with other general systems. In that case, a write error occurs, and the information being written becomes unreliable.

よって本実施形態では、不揮発性メモリー62への書き込みを行う際に、時間差を設けて異なるアドレスにデータを書き込んでもよい。具体的には、制御部54は、状態情報を不揮発性メモリー62に記憶する際に、状態情報を第1アドレスに書き込んだ後、所与の時間経過後に、状態情報を第1アドレスとは異なる第2アドレスに書き込む。 Therefore, in the present embodiment, when writing to the non-volatile memory 62, data may be written to different addresses with a time lag. Specifically, when storing the state information in the non-volatile memory 62, the control unit 54 writes the state information to the first address, and after a lapse of a given time, the state information is different from the first address. Write to the second address.

このようにすれば、所与の状態情報の書き込みを行う際に、書き込みのタイミングも書き込み先のアドレスも変更した上で多重化できるため、状態情報を不揮発性メモリー62に適切に書き込む可能性を高めることが可能になる。例えば、一方のアドレスへの書き込みを行っている際に受電装置40が取り去られ書き込みエラーとなったとしても、他方のアドレスへの書き込みは異なるタイミングで行われるため、正常に実行できる、といったケースが考えられる。もちろん、両方の書き込みがエラーとなる可能性は0ではないが、このような手法をとらない場合に比べて、正常に書き込める可能性は向上する。 In this way, when writing the given state information, the write timing and the write destination address can be changed and multiplexed, so that the state information can be appropriately written to the non-volatile memory 62. It becomes possible to increase. For example, even if the power receiving device 40 is removed while writing to one address and a write error occurs, the writing to the other address is performed at different timings, so that the operation can be performed normally. Can be considered. Of course, the possibility that both writes will result in an error is not 0, but the possibility of writing normally is improved as compared with the case where such a method is not adopted.

例えば、充電回数情報を含むデータとして、12ビットの充電回数情報と、4ビットの付加的な情報(例えばNULLデータや、上述した温度エラーフラグ等)と、16ビットのECCと、からなる32ビットのデータを書き込む場合、充電回数情報を含むデータの書き込み領域として64ビットを確保しておく。そして、当該64ビットのうちの32ビットを表すアドレス(例えば先頭アドレス)を上記第1アドレスとし、その次の32ビットを表すアドレスを上記第2アドレスとすればよい。 For example, as data including the charge count information, 32 bits including 12-bit charge count information, 4-bit additional information (for example, FULL data, the temperature error flag described above, etc.), and 16-bit ECC. When writing the data of, 64 bits are reserved as a data writing area including the charge count information. Then, the address representing 32 bits of the 64 bits (for example, the start address) may be the first address, and the address representing the next 32 bits may be the second address.

また、不揮発性メモリー62は上記以外の情報を記憶してもよく、不揮発性メモリー62に記憶される情報は種々の変形実施が可能である。また、時間差を設けて異なるアドレスにデータを書き込む処理は、状態情報の書き込み時に行われるものには限定されず、他の情報(充電制御情報等)を不揮発性メモリー62に書き込む際に行われてもよい。 Further, the non-volatile memory 62 may store information other than the above, and the information stored in the non-volatile memory 62 can be modified in various ways. Further, the process of writing data to different addresses with a time difference is not limited to that performed when writing the state information, but is performed when writing other information (charge control information, etc.) to the non-volatile memory 62. May be good.

4.2 温度異常時の制御
バッテリー90の温度が過剰に高い場合や過剰に低い場合、バッテリー90自体が破損したり、所望の出力が得られないことがある。そのため、温度異常が検出された場合には、温度が正常範囲に戻る(少なくとも異常状態を促進、継続しない)制御が必要となる。例えばバッテリー90が高温になった場合、従来手法では受電装置40は充電を停止し、送電装置10についても電力伝送を停止していた。充電を停止すれば、バッテリー90が高温になることが抑止され、時間経過により温度が正常範囲に戻ることが期待される。
4.2 Control at abnormal temperature If the temperature of the battery 90 is excessively high or too low, the battery 90 itself may be damaged or the desired output may not be obtained. Therefore, when a temperature abnormality is detected, it is necessary to control the temperature to return to the normal range (at least to promote or not continue the abnormal state). For example, when the battery 90 becomes hot, in the conventional method, the power receiving device 40 stops charging, and the power transmission device 10 also stops power transmission. When charging is stopped, it is expected that the battery 90 will not become hot and the temperature will return to the normal range over time.

しかし、従来手法では高温時に充電を停止してしまうため、充電不足となるおそれがある。よって本実施形態では、図7を用いて上述したように、温度異常が検出された場合(E1)には、所与のウェイト期間TOWだけ送電側を間欠動作させ(E2)、その後通常送電に戻ってバッテリー90の充電を行う(E4)。このようにすれば、温度異常の検出時にも充電を継続できるため、充電不足となることを抑止できる。 However, in the conventional method, charging is stopped at a high temperature, so that charging may be insufficient. Therefore, in the present embodiment, as described above with reference to FIG. 7, when a temperature abnormality is detected (E1), the power transmission side is intermittently operated for a given wait period TOW (E2), and then normal power transmission is performed. Return to charge the battery 90 (E4). In this way, charging can be continued even when a temperature abnormality is detected, so that it is possible to prevent insufficient charging.

しかし、このような制御を行った場合、図7のE5にも示したようにサイクル回数のカウントが問題となる。図7のウェイト期間TOWでは、適切な間隔TR1で送電装置10が間欠動作するため、スタートキャパシター電圧がVTを下回ることがなく、受電装置40の放電部60の動作が開始されない。つまり、温度異常が検出され、一時的にバッテリー90の充電が停止したとしても、その期間(ウェイト期間)は短い上に放電部60の放電も行われないのであるから、バッテリー90の性能劣化に対する影響は小さい。 However, when such control is performed, counting the number of cycles becomes a problem as shown in E5 of FIG. In the wait period TOW of FIG. 7, since the power transmission device 10 operates intermittently at an appropriate interval TR1, the start capacitor voltage does not fall below the VT, and the operation of the discharge unit 60 of the power receiving device 40 is not started. That is, even if a temperature abnormality is detected and the charging of the battery 90 is temporarily stopped, the period (wait period) is short and the discharge unit 60 is not discharged. Therefore, the performance of the battery 90 is deteriorated. The impact is small.

つまり、充電回数情報(サイクル回数)が、バッテリー90の状態情報である、狭義にはバッテリー90の劣化状態を表す情報であることに鑑みれば、ウェイト期間TOWを挟んだことでバッテリー90の充電が複数回に分割されたとしても、それらを別々の充電と捉えるのではなく、一連の(1回の)充電と捉えることが適切である。 That is, considering that the charge count information (cycle count) is the state information of the battery 90, that is, the information indicating the deteriorated state of the battery 90 in a narrow sense, the battery 90 can be charged by sandwiching the wait period TOW. Even if it is divided into multiple times, it is appropriate to treat them as a series of (single) charges rather than as separate charges.

しかし、図20を用いて後述するように、サイクル回数は充電開始時にインクリメントされることが原則である。この原則に従えば図7のE5に示したウェイト期間からの復帰タイミングでもサイクル回数はインクリメントされてしまう。よって本実施形態では、上述したように不揮発性メモリー62に温度異常検出情報を記憶する。この温度異常検出情報を用いることで、サイクル回数の適切なカウントが可能になる。 However, as will be described later with reference to FIG. 20, in principle, the number of cycles is incremented at the start of charging. According to this principle, the number of cycles is incremented even at the return timing from the wait period shown in E5 of FIG. Therefore, in the present embodiment, the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory 62 as described above. By using this temperature abnormality detection information, it is possible to appropriately count the number of cycles.

なお、温度異常が検出された場合に、負荷変調部56は、負荷変調により温度異常検出情報を送電装置10に対して送信する。これにより、受電側で温度異常が生じていることが送電側にも伝わるため、送電装置10は適切な送電制御(間欠動作)を行うことが可能になる。 When a temperature abnormality is detected, the load modulation unit 56 transmits the temperature abnormality detection information to the power transmission device 10 by load modulation. As a result, the fact that a temperature abnormality has occurred on the power receiving side is also transmitted to the power transmission side, so that the power transmission device 10 can perform appropriate power transmission control (intermittent operation).

制御部54では、不揮発性メモリー62に温度異常検出情報が記憶されている場合は、不揮発性メモリー62の充電回数情報を非更新とし、不揮発性メモリー62に温度異常検出情報が記憶されていない場合は、不揮発性メモリー62の充電回数情報を更新すればよい。このようにすれば、温度異常検出によるウェイト期間からの復帰、すなわち図7のE5に相当する充電開始と、それ以外の充電開始とを適切に識別できる。温度異常検出情報が記憶されている(温度エラーフラグ=H)の場合には、そのときの充電開始は温度異常からの復帰であり、サイクル回数のカウントには含めない。一方、温度異常検出情報が記憶されていない(温度エラーフラグ=L)の場合には、そのときの充電開始は通常の充電、例えば受電装置40がユーザーにより使用された後に送電装置10に置かれた状態であると判定できるため、原則通りサイクル回数をインクリメントすればよい。 In the control unit 54, when the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory 62, the charge count information of the non-volatile memory 62 is not updated, and the temperature abnormality detection information is not stored in the non-volatile memory 62. May update the charge count information of the non-volatile memory 62. In this way, it is possible to appropriately distinguish the return from the wait period due to the temperature abnormality detection, that is, the start of charging corresponding to E5 in FIG. 7 and the start of charging other than that. When the temperature abnormality detection information is stored (temperature error flag = H), the start of charging at that time is the recovery from the temperature abnormality and is not included in the count of the number of cycles. On the other hand, when the temperature abnormality detection information is not stored (temperature error flag = L), the charging start at that time is set in the power transmission device 10 after normal charging, for example, the power receiving device 40 is used by the user. Since it can be determined that the state has been reached, the number of cycles may be incremented as a general rule.

ただし、以上の制御でもサイクル回数の更新が適切に行えない可能性がある。具体的には、ウェイト期間内に、受電装置40が取り去られた場合である。具体例を図10に示す。 However, even with the above control, the number of cycles may not be updated properly. Specifically, it is a case where the power receiving device 40 is removed within the wait period. A specific example is shown in FIG.

図10の横軸方向は時間を表し、送電装置10と受電装置40の動作シーケンスの一例を表す図である。まず、温度異常の非検出時には、G1のように送電装置10は通常送電を行い、受電装置40ではバッテリー90の充電が行われる。それに対して、G2のように温度異常が検出された場合には、受電装置40では温度異常検出情報が不揮発性メモリー62に書き込まれ(温度エラーフラグ=H)、G3のように充電を停止してウェイト期間に入る。一方、温度異常検出情報は送電装置10にも送信され、送電装置10はG4のように温度異常用の間欠送電を開始する。温度異常用の間欠送電は、上述したように取り去り検出時の間欠送電と同様のものであってもよい。 The horizontal axis direction of FIG. 10 represents time, and is a diagram showing an example of an operation sequence of the power transmitting device 10 and the power receiving device 40. First, when the temperature abnormality is not detected, the power transmission device 10 normally transmits power as in G1, and the power receiving device 40 charges the battery 90. On the other hand, when a temperature abnormality is detected as in G2, the temperature abnormality detection information is written in the non-volatile memory 62 in the power receiving device 40 (temperature error flag = H), and charging is stopped as in G3. Enter the wait period. On the other hand, the temperature abnormality detection information is also transmitted to the power transmission device 10, and the power transmission device 10 starts intermittent power transmission for temperature abnormality like G4. The intermittent power transmission for temperature abnormality may be the same as the intermittent power transmission at the time of removal detection as described above.

ここで、ウェイト期間が完了する前に(例えば5分経過する前に)、G5のように受電装置40が取り去られたとする。この場合、受電装置40では、図5等と同様に、受電部52の出力電圧VCCが判定閾値(3.1V)を下回ってから、起動期間(TST)が経過した後に、放電部60の放電動作を開始する。また、G6のように送電装置10では、着地検出のための間欠送電を開始する。 Here, it is assumed that the power receiving device 40 is removed as in the G5 before the waiting period is completed (for example, before the elapse of 5 minutes). In this case, in the power receiving device 40, as in FIG. 5, the discharge unit 60 is discharged after the start-up period (TST) has elapsed after the output voltage VCS of the power receiving unit 52 falls below the determination threshold value (3.1 V). Start operation. Further, like the G6, the power transmission device 10 starts intermittent power transmission for landing detection.

サイクル回数の更新、非更新が問題となるのは、G5のようにウェイト期間の終了前に取り去りが行われ、その後、G7のように着地検出が行われた場合である。この場合、G8のように受電装置40の不揮発性メモリー62には、G2で書き込まれた温度異常検出情報が保持されている(温度エラーフラグ=Hの状態が維持されている)。よって、上記の通りの制御を行えば、G8の判定ではサイクル回数はインクリメントされない。 The problem of updating or not updating the number of cycles is when the removal is performed before the end of the wait period as in G5, and then the landing detection is performed as in G7. In this case, the non-volatile memory 62 of the power receiving device 40 like the G8 holds the temperature abnormality detection information written in the G2 (the state of the temperature error flag = H is maintained). Therefore, if the above control is performed, the number of cycles is not incremented in the determination of G8.

ウェイト期間内に取り去られた後、再度受電装置40を有する電子機器510が送電装置10を有する充電器500に上に置かれるまでの間(図10のG5とG8の間の期間)での、バッテリー90の消費が少なければ、当該期間でのバッテリー90の劣化はそれほど大きくない。つまり、上述のウェイト期間TOWの前後でのバッテリー充電を一連の充電と捉えたのと同様に、この場合の充電(G9での充電)も取り去り前の充電(G1での充電)と一連の充電と捉えることができる。よって、G8における判定でサイクル回数を非更新としても問題ない。 After being removed within the wait period, until the electronic device 510 having the power receiving device 40 is placed on the charger 500 having the power transmitting device 10 again (the period between G5 and G8 in FIG. 10). If the consumption of the battery 90 is small, the deterioration of the battery 90 during the period is not so large. That is, in the same way that the battery charging before and after the wait period TOW described above is regarded as a series of charging, the charging in this case (charging at G9) is also the charging before removal (charging at G1) and the series of charging. Can be understood as. Therefore, there is no problem even if the number of cycles is not updated in the determination in G8.

しかし、ウェイト期間内に取り去られた後、バッテリー90が十分使われた、すなわち通常の動作と同様に放電を行った場合には、当該放電によるバッテリー90の劣化を考慮すべきであり、それ以降に充電が開始されたのであれば、当該充電は取り去り前の充電とは分けて考える必要がある。つまり、G8での判定において、サイクル回数はインクリメントする必要があるため、不揮発性メモリー62に温度異常検出情報が書き込まれているからといってサイクル回数を非更新とすることは不適切である。 However, if the battery 90 is fully used after being removed within the wait period, that is, if it is discharged in the same manner as in normal operation, the deterioration of the battery 90 due to the discharge should be considered. If charging is started after that, it is necessary to consider the charging separately from the charging before removal. That is, in the determination in G8, since the number of cycles needs to be incremented, it is inappropriate to set the number of cycles to non-update even if the temperature abnormality detection information is written in the non-volatile memory 62.

よって本実施形態では、上述したように温度異常が検出されたときのバッテリー電圧を不揮発性メモリー62に記憶しておく。そして、充電開始時のバッテリー電圧VBATと、不揮発性メモリー62に記憶されているバッテリー電圧の比較処理を行って、取り去り後にどの程度バッテリー90を消費しているかを判定する。具体的には、制御部54は、不揮発性メモリー62に温度異常検出情報が記憶されている場合であっても、バッテリー電圧VBATが、不揮発性メモリー62に記憶されているバッテリー電圧よりも所定電圧下がっている場合には、不揮発性メモリー62の充電回数情報を更新する。ここでの所定電圧は種々の設定が可能であるが、例えば0.15Vといった値である。 Therefore, in the present embodiment, as described above, the battery voltage when the temperature abnormality is detected is stored in the non-volatile memory 62. Then, the battery voltage VBAT at the start of charging and the battery voltage stored in the non-volatile memory 62 are compared to determine how much the battery 90 is consumed after the removal. Specifically, the control unit 54 sets the battery voltage VBAT to a predetermined voltage higher than the battery voltage stored in the non-volatile memory 62 even when the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory 62. If it is lowered, the charge count information of the non-volatile memory 62 is updated. The predetermined voltage here can be set in various ways, and is, for example, a value of 0.15 V.

このようにすれば、ウェイト期間内に取り去りが行われた場合にも、サイクル回数を適切にカウントすることができる。不揮発性メモリー62に記憶されたバッテリー電圧は温度異常検出時のバッテリー電圧であり、取り去り時のバッテリー電圧と同等と考えてよい。すなわち充電開始時のバッテリー電圧VBATが、不揮発性メモリー62に記憶されていたバッテリー電圧よりも所定電圧下がっている場合とは、取り去り後にバッテリー90の放電がある程度行われていた場合に相当する。つまり上記制御を行うことで、取り去り後のバッテリー90の使用状況に応じた、サイクル回数のカウントが可能になる。 In this way, the number of cycles can be appropriately counted even when the removal is performed within the wait period. The battery voltage stored in the non-volatile memory 62 is the battery voltage at the time of detecting a temperature abnormality, and may be considered to be equivalent to the battery voltage at the time of removal. That is, the case where the battery voltage VBAT at the start of charging is lower than the battery voltage stored in the non-volatile memory 62 by a predetermined voltage corresponds to the case where the battery 90 is discharged to some extent after the removal. That is, by performing the above control, it is possible to count the number of cycles according to the usage status of the battery 90 after removal.

図11(A)、図11(B)は、以上の制御を説明するフローチャートである。図11(A)が、常時行われている温度異常の検出動作であり、制御部54では所与の間隔で温度異常か否か、図11(A)の例では50℃を超えているか否かを判定する(S11)。S11でNoである場合には、温度異常は非検出であるため、特に処理を行わずにS11に戻る。一方、S11でYesの場合には、温度異常が検出されたため、不揮発性メモリー62に温度異常検出情報を書き込む(温度エラーフラグ=Hとする)とともに、その際のバッテリー電圧を書き込む(S12)。 11 (A) and 11 (B) are flowcharts for explaining the above control. FIG. 11A shows a temperature abnormality detection operation that is constantly performed, and the control unit 54 determines whether or not the temperature abnormality occurs at a given interval, and in the example of FIG. 11A, whether or not the temperature exceeds 50 ° C. (S11). If No in S11, the temperature abnormality is not detected, so the process returns to S11 without any particular processing. On the other hand, in the case of Yes in S11, since the temperature abnormality was detected, the temperature abnormality detection information is written in the non-volatile memory 62 (temperature error flag = H), and the battery voltage at that time is written (S12).

また、図11(B)が充電開始時のサイクル回数のカウント制御を説明するフローチャートである。後述する図20では説明を簡略化するために、S5でサイクル回数を必ずインクリメントしているが、実際には図20のS5のステップを、図11(B)に置き換えればよい。 Further, FIG. 11B is a flowchart illustrating count control of the number of cycles at the start of charging. In FIG. 20, which will be described later, in order to simplify the explanation, the number of cycles is always incremented in S5, but in reality, the step in S5 in FIG. 20 may be replaced with FIG. 11 (B).

サイクル回数の制御では、まずサイクル回数のインクリメントが必要か否かを判定する。まず不揮発性メモリー62に温度異常検出情報が記憶されていない場合には、原則通り処理を行えばよいため、インクリメントが必要と判定できる。また、温度異常検出情報が記憶されていても、バッテリー電圧に低下が見られればインクリメントが必要である。つまり、上述した条件は、(温度異常検出情報が記憶されていない)OR(VBAT0<VBATT−0.15)、が満たされるか否かを判定すればよい(S21)。ここで、VBAT0は、充電開始時のバッテリー電圧であり、VBATTは図11(A)のS12で書き込まれた温度異常検出時のバッテリー電圧である。 In the control of the number of cycles, it is first determined whether or not the increment of the number of cycles is necessary. First, when the temperature abnormality detection information is not stored in the non-volatile memory 62, it can be determined that the increment is necessary because the processing may be performed according to the principle. Even if the temperature abnormality detection information is stored, if the battery voltage drops, it needs to be incremented. That is, it may be determined whether or not the above-mentioned condition satisfies OR (VBAT0 <VBATT-0.15) (where the temperature abnormality detection information is not stored) (S21). Here, VBAT0 is the battery voltage at the start of charging, and VBATT is the battery voltage at the time of temperature abnormality detection written in S12 of FIG. 11 (A).

S21でYesの場合には、サイクル回数をインクリメントする(S22)。一方、S21でNoの場合には、サイクル回数は非更新とする。また、いずれの場合においても、温度エラーフラグをリセットし、次回以降の処理に備える(S23)。 If Yes in S21, the number of cycles is incremented (S22). On the other hand, if No in S21, the number of cycles is not updated. Further, in any case, the temperature error flag is reset to prepare for the next and subsequent processing (S23).

なお、上述したように検出部64は、温度検出部からの信号に基づいて温度検出(温度異常検出)を行う。本実施形態の温度検出部は種々の形態により実現可能である。例えば、図21を用いて後述するように制御装置50の外部の温度検出部(サーミスターTH)を利用してもよい。具体的には、検出部64は、サーミスターTHに対して所与の定電流IREFを供給し、当該定電流IREFにより生じる電圧値をA/D変換回路65によりA/D変換することで温度検出を行ってもよい。なお、IREFの値は1つである必要はなく、例えば高温領域と低温領域とでIREFの値を異なるものにしてもよい。 As described above, the detection unit 64 performs temperature detection (temperature abnormality detection) based on the signal from the temperature detection unit. The temperature detection unit of the present embodiment can be realized by various forms. For example, an external temperature detection unit (thermistor TH) of the control device 50 may be used as described later with reference to FIG. Specifically, the detection unit 64 supplies a given constant current IREF to the thermistor TH, and A / D converts the voltage value generated by the constant current IREF by the A / D conversion circuit 65 to obtain the temperature. Detection may be performed. The value of IREF does not have to be one, and for example, the value of IREF may be different between the high temperature region and the low temperature region.

或いは、制御装置50がBGR回路(Band Gap Reference回路)を含み、当該BGR回路に基づいて温度検出を行ってもよい。なお、バンドギャップを利用した温度検出部については、広く知られた構成であるため詳細な説明は省略する。 Alternatively, the control device 50 may include a BGR circuit (Band Gap Reference circuit) and perform temperature detection based on the BGR circuit. Since the temperature detection unit using the band gap has a widely known configuration, detailed description thereof will be omitted.

また、図9には不図示であるが、本実施形態の不揮発性メモリー62には、温度検出部として外部のサーミスターTHを使用するか、BGR回路を使用するかを設定する設定情報を記憶してもよい。また、上記温度補正情報として、サーミスターTH用の補正情報と、BGR回路用の補正情報の両方を記憶してもよい。 Further, although not shown in FIG. 9, the non-volatile memory 62 of the present embodiment stores setting information for setting whether to use an external thermistor TH or a BGR circuit as a temperature detection unit. You may. Further, as the temperature correction information, both the correction information for the thermistor TH and the correction information for the BGR circuit may be stored.

4.3 スマートチャージング
また、不揮発性メモリー62に記憶された情報に基づく制御は、上述の温度異常の例に限定されない。例えば、特許文献3に開示されているスマートチャージングを行う際に、不揮発性メモリー62に記憶された情報を参照してもよい。
4.3 Smart charging Further, the control based on the information stored in the non-volatile memory 62 is not limited to the above-mentioned example of temperature abnormality. For example, when performing smart charging disclosed in Patent Document 3, the information stored in the non-volatile memory 62 may be referred to.

特許文献3のFIG1(Prior Art)のように、特許文献3以前から、充電電圧と、満充電時のバッテリー電圧(充電電力)と、サイクル回数との間の関係が知られていた。FIG1からわかるように、充電電圧を高くすれば、充電電力は大きくなり、バッテリー容量を効果的に活用することができるが、サイクル回数が減少する。なお、ここでのサイクル回数は、バッテリー本来の容量に対して、充電可能な容量が所定割合(例えば90%)まで減少する充電回数を表す情報である。 Like FIG1 (Prior Art) of Patent Document 3, the relationship between the charging voltage, the battery voltage at the time of full charge (charging power), and the number of cycles has been known from before Patent Document 3. As can be seen from FIG1, if the charging voltage is increased, the charging power is increased and the battery capacity can be effectively utilized, but the number of cycles is reduced. The number of cycles here is information indicating the number of times of charging in which the chargeable capacity is reduced to a predetermined ratio (for example, 90%) with respect to the original capacity of the battery.

特許文献3では、FIG1の関係を前提として、効率的にバッテリー(リチウムイオン電池)を使用するアルゴリズムを提案している。具体的な手法はFIG3に示されており、充電開始時のバッテリー電圧が3.22V〜3.5Vの場合には、前回の充電時の充電電圧をキープする。一方、3.5V以上の場合には、充電電圧を前回に比べて低くし、3.22V以下の場合には、充電電圧を前回に比べて高くする。 Patent Document 3 proposes an algorithm for efficiently using a battery (lithium ion battery) on the premise of the relationship of FIG1. The specific method is shown in FIG. When the battery voltage at the start of charging is 3.22V to 3.5V, the charging voltage at the time of the previous charging is kept. On the other hand, when it is 3.5V or more, the charging voltage is lowered as compared with the previous time, and when it is 3.22V or less, the charging voltage is raised as compared with the previous time.

充電時にバッテリー電圧が3.22V以下になっている場合、対象の機器はよく使われていることが想定される。つまり、バッテリー90の消費が激しいことが想定されるため、充電不足にならないように、充電電圧を高くし、バッテリー容量に対する充電電力を大きくする。 If the battery voltage is 3.22V or less during charging, it is assumed that the target device is often used. That is, since it is assumed that the battery 90 is consumed heavily, the charging voltage is increased and the charging power with respect to the battery capacity is increased so as not to be insufficiently charged.

一方、充電時にバッテリー電圧が3.5V以上になっている場合、対象の機器はあまり使われていないことが想定される。つまり、バッテリー90の消費が激しくないことが想定されるため、充電電圧を抑えることでバッテリーの劣化を抑止する。 On the other hand, if the battery voltage is 3.5V or higher during charging, it is assumed that the target device is not used much. That is, since it is assumed that the battery 90 is not consumed violently, the deterioration of the battery is suppressed by suppressing the charging voltage.

つまりFIG1に示されているように、バッテリー容量に対する充電電力と、バッテリーの劣化度合いとはトレードオフの関係にあるところ、特許文献3のスマートチャージングでは、実際のバッテリーの使用状況に応じて、適切な充電電圧の値を設定する手法と言える。 That is, as shown in FIG. 1, there is a trade-off relationship between the charging power with respect to the battery capacity and the degree of deterioration of the battery. It can be said that it is a method of setting an appropriate charging voltage value.

本実施形態の不揮発性メモリー62は、図9には不図示であるが充電制御における充電電圧を記憶し、制御部54は、記憶した充電電圧に基づいて充電制御を行ってもよい。 Although not shown in FIG. 9, the non-volatile memory 62 of the present embodiment stores the charging voltage in the charging control, and the control unit 54 may perform the charging control based on the stored charging voltage.

図12に具体的な処理の流れを説明するフローチャートを示す。この処理が開始されると、まず充電開始時のバッテリー電圧VBAT0を取得する(S31)。そして、VBAT0が3.22V以下かを判定する(S32)。S32でYesの場合には、対象のバッテリー90は多く使用されていると考えられるため、バッテリー容量を十分生かせるように(充電される電力が大きくなるように)充電電圧を高くする。具体的には、不揮発性メモリー62から前回の充電電圧CVを読み出し、所与の電圧(0.05V)だけ高くする更新処理を行う(S33)。そして、更新後の電圧値CVを、不揮発性メモリー62に記憶する。記憶された更新後のCVは、次回以降の充電開始時に利用されることになる。なお、S33の処理では、充電電圧が過剰に高くならないように、更新後の充電電圧に上限を設けるとよく、例えばCVの最大値を4.20Vに設定する。 FIG. 12 shows a flowchart for explaining a specific processing flow. When this process is started, first, the battery voltage VBAT0 at the start of charging is acquired (S31). Then, it is determined whether VBAT0 is 3.22V or less (S32). In the case of Yes in S32, it is considered that the target battery 90 is used a lot, so the charging voltage is increased so that the battery capacity can be fully utilized (so that the charged power becomes large). Specifically, the previous charging voltage CV is read from the non-volatile memory 62, and an update process is performed in which the voltage is increased by a given voltage (0.05V) (S33). Then, the updated voltage value CV is stored in the non-volatile memory 62. The stored updated CV will be used at the start of charging from the next time onward. In the process of S33, it is preferable to set an upper limit on the updated charging voltage so that the charging voltage does not become excessively high. For example, the maximum value of CV is set to 4.20V.

一方、S32でNoの場合には、VBAT0が3.5V以上かを判定する(S34)。S34でYesの場合には、対象のバッテリー90はあまり使用されていないと考えられるため、充電電圧を低くする。具体的には、不揮発性メモリー62から前回の充電電圧CVを読み出し、所与の電圧(0.05V)だけ低くする更新処理を行う(S35)。この場合も、更新後の電圧値CVを、不揮発性メモリー62に記憶する。なお、S35の処理では、充電電圧が過剰に低くならないように、更新後の充電電圧に下限を設けるとよく、例えばCVの最小値を4.00V(或いは4.05V)に設定する。 On the other hand, when No in S32, it is determined whether VBAT0 is 3.5 V or more (S34). In the case of Yes in S34, it is considered that the target battery 90 is not used much, so the charging voltage is lowered. Specifically, the previous charging voltage CV is read from the non-volatile memory 62, and an update process is performed to lower the charging voltage CV by a given voltage (0.05V) (S35). Also in this case, the updated voltage value CV is stored in the non-volatile memory 62. In the process of S35, it is preferable to set a lower limit for the updated charging voltage so that the charging voltage does not become excessively low. For example, the minimum value of CV is set to 4.00V (or 4.05V).

また、S34でもNoの場合には、バッテリー90の使用は中間的な状態であり、前回と同様の充電を行えば問題ないと判定される。よって、CVの更新処理は行わず処理を終了する。図12の処理後は、設定された充電電圧CVを用いて、バッテリー90の充電を行えばよい。なお、バッテリー90の使用状況を判定する閾値である3.22V、3.50Vや、CVの限界値である4.20V、4.00Vといった値はこれに限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。 Further, in the case of No in S34, the use of the battery 90 is in an intermediate state, and it is determined that there is no problem if the same charging as the previous time is performed. Therefore, the CV update process is not performed and the process is terminated. After the processing of FIG. 12, the battery 90 may be charged using the set charging voltage CV. The threshold values for determining the usage status of the battery 90, such as 3.22V and 3.50V, and the CV limit values of 4.20V and 4.00V are not limited to these, and various modifications are made. It is possible to carry out.

以上に示したように、本実施形態の手法は、送電装置10と受電装置40とを有する無接点電力伝送システムにおける受電側の制御装置50に適用でき、制御装置50は、送電装置10からの電力を受電する受電部52が受電した電力に基づいて、バッテリー90を充電する充電部58と、充電制御を行う制御部54と、不揮発性メモリー62を含む。そして、不揮発性メモリー62は、バッテリーの状態情報を記憶し、制御部54は、不揮発性メモリー62に記憶された状態情報に基づいて充電制御を行う。 As described above, the method of the present embodiment can be applied to the control device 50 on the power receiving side in the non-contact power transmission system having the power transmission device 10 and the power reception device 40, and the control device 50 is from the power transmission device 10. It includes a charging unit 58 that charges the battery 90 based on the electric power received by the power receiving unit 52 that receives electric power, a control unit 54 that controls charging, and a non-volatile memory 62. Then, the non-volatile memory 62 stores the state information of the battery, and the control unit 54 performs charging control based on the state information stored in the non-volatile memory 62.

このようにすれば、例えば上述した温度異常検出時の制御のように、バッテリー90の状態に応じた適切な充電制御を実現することが可能になる。 In this way, it is possible to realize appropriate charge control according to the state of the battery 90, for example, the control at the time of detecting an abnormal temperature described above.

また、本実施形態の手法は、送電装置10と受電装置40とを有する無接点電力伝送システムにおける送電側の制御装置20に適用でき、制御装置20は、受電装置40に電力を送電する送電部12の送電ドライバー(DR1,DR2)を制御するドライバー制御回路22と、ドライバー制御回路22を制御する制御部24と、負荷変調により通信データを送信する受電装置40との間での通信処理を行う通信部30を含む。そして、制御部24は、受電装置40から温度異常検出情報を含む通信データを受信した場合に、送電部12に間欠送電を行わせる。具体的には、制御部24は、間欠送電を行うための制御をドライバー制御回路22に実行させればよい。 Further, the method of the present embodiment can be applied to a control device 20 on the power transmission side in a non-contact power transmission system having a power transmission device 10 and a power reception device 40, and the control device 20 is a power transmission unit that transmits power to the power reception device 40. Communication processing is performed between the driver control circuit 22 that controls the power transmission drivers (DR1 and DR2) of 12, the control unit 24 that controls the driver control circuit 22, and the power receiving device 40 that transmits communication data by load modulation. The communication unit 30 is included. Then, when the control unit 24 receives the communication data including the temperature abnormality detection information from the power receiving device 40, the control unit 24 causes the power transmission unit 12 to perform intermittent power transmission. Specifically, the control unit 24 may cause the driver control circuit 22 to execute control for performing intermittent power transmission.

このようにすれば、受信側で温度異常が検出されたことが送信側に伝えられるため、温度異常検出時に必要な送電制御(間欠送電を行わせる制御)を適切に実行することが可能になる。 In this way, since the transmitting side is notified that the temperature abnormality has been detected on the receiving side, it is possible to appropriately execute the power transmission control (control for performing intermittent power transmission) necessary for detecting the temperature abnormality. ..

また、本実施形態の手法は制御装置50或いは制御装置20を含む電子機器に適用することができる。制御装置50を含む電子機器510は、上述したように補聴器等の種々の形態が考えられる。制御装置20を含む電子機器は、例えば上述した充電器500等である。 Further, the method of the present embodiment can be applied to a control device 50 or an electronic device including the control device 20. As described above, the electronic device 510 including the control device 50 may have various forms such as a hearing aid. The electronic device including the control device 20 is, for example, the charger 500 described above.

また、本実施形態の手法は上述した送電装置10と受電装置40とを含む無接点電力伝送システムに適用できる。送電装置10は、受電装置40に電力を送電すると共に、負荷変調により通信データを送信する受電装置40との間での通信処理を行い、受電装置40は、バッテリー90の状態情報を記憶する不揮発性メモリー62を有し、送電装置10から受電した電力と、不揮発性メモリー62に記憶された状態情報とに基づいて、バッテリー90を充電するとともに、負荷変調により、送電装置10に対して通信データを送信する。また、受電装置40は、温度異常が検出された場合に、温度異常検出情報を状態情報として不揮発性メモリー62に記憶するとともに、負荷変調により温度異常検出情報を送電装置10に対して送信し、送電装置10は、受電装置40から温度異常検出情報を含む通信データを受信した場合に、間欠送電により受電装置40に電力を送電する。 Further, the method of the present embodiment can be applied to a non-contact power transmission system including the above-mentioned power transmission device 10 and power receiving device 40. The power transmitting device 10 transmits power to the power receiving device 40 and performs communication processing with the power receiving device 40 that transmits communication data by load modulation, and the power receiving device 40 is a non-volatile device that stores the state information of the battery 90. The battery 90 is charged based on the electric power received from the power transmission device 10 and the state information stored in the non-volatile memory 62, and communication data is transmitted to the power transmission device 10 by load modulation. To send. Further, when a temperature abnormality is detected, the power receiving device 40 stores the temperature abnormality detection information as state information in the non-volatile memory 62, and transmits the temperature abnormality detection information to the power transmission device 10 by load modulation. When the power transmission device 10 receives communication data including temperature abnormality detection information from the power reception device 40, the power transmission device 10 transmits power to the power reception device 40 by intermittent power transmission.

5.通信手法
図13は、負荷変調による通信手法を説明する図である。図13に示すように、送電側(1次側)では、送電部12の送電ドライバーDR1、DR2が1次コイルL1を駆動する。具体的には送電ドライバーDR1、DR2は、電源電圧制御部14から供給された電源電圧VDRVに基づいて動作して、1次コイルL1を駆動する。
5. Communication Method FIG. 13 is a diagram illustrating a communication method by load modulation. As shown in FIG. 13, on the power transmission side (primary side), the power transmission drivers DR1 and DR2 of the power transmission unit 12 drive the primary coil L1. Specifically, the power transmission drivers DR1 and DR2 operate based on the power supply voltage VDCV supplied from the power supply voltage control unit 14 to drive the primary coil L1.

一方、受電側(2次側)では、2次コイルL2のコイル端電圧を受電部52の整流回路53が整流し、ノードNVCに整流電圧VCCが出力される。なお、1次コイルL1とキャパシターCA1により送電側の共振回路が構成され、2次コイルL2とキャパシターCA2により受電側の共振回路が構成されている。 On the other hand, on the power receiving side (secondary side), the rectifier circuit 53 of the power receiving unit 52 rectifies the coil end voltage of the secondary coil L2, and the rectified voltage VCS is output to the node NVC. The primary coil L1 and the capacitor CA1 form a resonance circuit on the power transmission side, and the secondary coil L2 and the capacitor CA2 form a resonance circuit on the power reception side.

受電側では、負荷変調部56のスイッチ素子SWをオン・オフさせることで、電流源ISの電流ID2をノードNVCからGND側に間欠的に流して、受電側の負荷状態(受電側の電位)を変動させる。 On the power receiving side, by turning on / off the switch element SW of the load modulation unit 56, the current ID 2 of the current source IS is intermittently flowed from the node NVC to the GND side, and the load state on the power receiving side (potential on the power receiving side). To fluctuate.

送電側では、負荷変調による受電側の負荷状態の変動により、電源ラインに設けられたセンス抵抗RCSに流れる電流ID1が変動する。例えば送電側の電源(例えば図1(A)の電源アダプター502等の電源装置)と電源電圧制御部14との間に、電源に流れる電流を検出するためのセンス抵抗RCSが設けられている。電源電圧制御部14は、このセンス抵抗RCSを介して電源から電源電圧が供給される。そして負荷変調による受電側の負荷状態の変動により、電源からセンス抵抗RCSに流れる電流ID1が変動し、通信部30が、この電流変動を検出する。そして通信部30は、検出結果に基づいて、負荷変調により送信される通信データの検出処理を行う。 On the power transmission side, the current ID1 flowing through the sense resistor RCS provided in the power supply line fluctuates due to the fluctuation of the load state on the power reception side due to the load modulation. For example, a sense resistor RCS for detecting the current flowing through the power source is provided between the power source on the power transmission side (for example, a power source device such as the power adapter 502 of FIG. 1A) and the power supply voltage control unit 14. The power supply voltage control unit 14 is supplied with a power supply voltage from the power supply via the sense resistor RCS. Then, the current ID1 flowing from the power supply to the sense resistor RCS fluctuates due to the fluctuation of the load state on the power receiving side due to the load modulation, and the communication unit 30 detects this current fluctuation. Then, the communication unit 30 performs detection processing of communication data transmitted by load modulation based on the detection result.

図14に通信部30の具体的な構成の一例を示す。図14に示すように通信部30は、電流検出回路32、比較回路34、復調部36を含む。また、信号増幅用のアンプAP、フィルター部35を含むことができる。なお通信部30は図14の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素(例えばバンドパスフィルター部)を追加したり、接続関係を変更するなどの種々の変形実施が可能である。 FIG. 14 shows an example of a specific configuration of the communication unit 30. As shown in FIG. 14, the communication unit 30 includes a current detection circuit 32, a comparison circuit 34, and a demodulation unit 36. Further, an amplifier AP for signal amplification and a filter unit 35 can be included. The communication unit 30 is not limited to the configuration shown in FIG. 14, and various components such as omitting some of the components, adding other components (for example, a bandpass filter unit), changing the connection relationship, and the like are used. Deformation can be carried out.

電流検出回路32は、電源(電源装置)から送電部12に流れる電流ID1を検出する。具体的には電源から電源電圧制御部14を介して送電部12に流れる電流ID1を検出する。この電流ID1は、例えばドライバー制御回路22等に流れる電流を含んでいてもよい。 The current detection circuit 32 detects the current ID 1 flowing from the power supply (power supply device) to the power transmission unit 12. Specifically, the current ID 1 flowing from the power source to the power transmission unit 12 via the power supply voltage control unit 14 is detected. The current ID 1 may include, for example, a current flowing through a driver control circuit 22 or the like.

図14では、電流検出回路32は、IV変換用アンプIVCにより構成される。IV変換用アンプIVCは、その非反転入力端子(+)がセンス抵抗RCSの一端に接続され、その反転入力端子(−)がセンス抵抗RCSの他端に接続される。そしてIV変換用アンプIVCは、センス抵抗RCSに微少の電流ID1が流れることで生成される微少の電圧VC1−VC2を増幅して、検出電圧VDTとして出力する。この検出電圧VDTは、アンプAPにより更に増幅されて、検出電圧VDTAとして比較回路34に出力される。具体的にはアンプAPは、その非反転入力端子に検出電圧VDTが入力され、その反転入力端子に基準電圧VRFが入力され、基準電圧VRFを基準として増幅された検出電圧VDTAの信号を出力する。 In FIG. 14, the current detection circuit 32 is configured by an IV conversion amplifier IVC. The non-inverting input terminal (+) of the IV conversion amplifier IVC is connected to one end of the sense resistor RCS, and the inverting input terminal (−) is connected to the other end of the sense resistor RCS. Then, the IV conversion amplifier IVC amplifies the minute voltage VC1-VC2 generated by the flow of the minute current ID1 through the sense resistor RCS, and outputs it as the detection voltage VDT. This detected voltage VDT is further amplified by the amplifier AP and output to the comparison circuit 34 as the detected voltage VDTA. Specifically, the amplifier AP inputs the detection voltage VDT to its non-inverting input terminal, inputs the reference voltage VRF to its inverting input terminal, and outputs a signal of the detection voltage VDTA amplified with reference to the reference voltage VRF. ..

比較回路34は、電流検出回路32による検出電圧VDTAと、判定用電圧VCP=VRF+VOFFとの比較判定を行う。そして比較判定結果CQを出力する。例えば検出電圧VDTAが判定用電圧VCPを上回っているか、或いは下回っているかの比較判定を行う。この比較回路34は、例えばコンパレーターCPにより構成できる。この場合に、例えば判定用電圧VCP=VRF+VOFFの電圧VOFFは、コンパレーターCPのオフセット電圧などにより実現してもよい。 The comparison circuit 34 performs a comparison determination between the detection voltage VDTA by the current detection circuit 32 and the determination voltage VCP = VRF + VOFF. Then, the comparison determination result CQ is output. For example, a comparative determination is made as to whether the detected voltage VDTA is above or below the determination voltage VCP. The comparison circuit 34 can be configured by, for example, a comparator CP. In this case, for example, the voltage VOFF of the determination voltage VCP = VRF + VOFF may be realized by the offset voltage of the comparator CP or the like.

復調部36は、比較回路34の比較判定結果CQ(フィルター処理後の比較判定結果FQ)に基づいて負荷変調パターンを判断する。即ち、負荷変調パターンの復調処理を行うことで、通信データを検出し、検出データDATとして出力する。送電側の制御部24は、この検出データDATに基づいて種々の処理を行う。 The demodulation unit 36 determines the load modulation pattern based on the comparison determination result CQ (comparison determination result FQ after filtering) of the comparison circuit 34. That is, by performing the demodulation processing of the load modulation pattern, the communication data is detected and output as the detection data DAT. The control unit 24 on the power transmission side performs various processes based on the detection data DAT.

なお図14では、比較回路34と復調部36との間にフィルター部35が設けられている。そして復調部36は、フィルター部35によるフィルター処理後の比較判定結果FQに基づいて、負荷変調パターンを判断する。このフィルター部35としては、例えばデジタルフィルターなどを用いることができるが、フィルター部35としてパッシブのフィルターを用いてもよい。フィルター部35を設けることで、例えば後述する図16のF1、F2でのノイズの悪影響等を低減できる。 In FIG. 14, a filter unit 35 is provided between the comparison circuit 34 and the demodulation unit 36. Then, the demodulation unit 36 determines the load modulation pattern based on the comparison determination result FQ after the filter processing by the filter unit 35. As the filter unit 35, for example, a digital filter or the like can be used, but a passive filter may be used as the filter unit 35. By providing the filter unit 35, for example, the adverse effect of noise at F1 and F2 in FIG. 16 described later can be reduced.

フィルター部35、復調部36は、例えば駆動クロック信号FCKが供給されて動作する。駆動クロック信号FCKは、送電周波数を規定する信号であり、ドライバー制御回路22は、この駆動クロック信号FCKが供給されて、送電部12の送電ドライバーDR1、DR2を駆動する。そして、1次コイルL1は、この駆動クロック信号FCKで規定される周波数(送電周波数)で駆動されることになる。 The filter unit 35 and the demodulation unit 36 operate by supplying, for example, a drive clock signal FCK. The drive clock signal FCK is a signal that defines the power transmission frequency, and the driver control circuit 22 is supplied with the drive clock signal FCK to drive the power transmission drivers DR1 and DR2 of the power transmission unit 12. Then, the primary coil L1 is driven at a frequency (transmission frequency) defined by this drive clock signal FCK.

なお、通信部30に、負荷変調の周波数帯域の信号を通過させ、負荷変調の周波数帯域以外の帯域の信号を減衰させるバンドパスフィルター処理を行うバンドパスフィルター部を設けてもよい。この場合には通信部30は、バンドパスフィルター部の出力に基づいて受電装置40からの通信データを検出する。具体的には、バンドパスフィルター部は、電流検出回路32による検出電圧VDTに対して、バンドパスフィルター処理を行う。そして比較回路34は、バンドパスフィルター部によるバンドパスフィルター処理後の検出電圧VDTAと判定用電圧VCPの比較判定を行う。このバンドパスフィルター部は、例えばIV変換用アンプIVCとアンプAPの間に設けることができる。 The communication unit 30 may be provided with a bandpass filter unit that passes signals in the load modulation frequency band and performs bandpass filter processing that attenuates signals in bands other than the load modulation frequency band. In this case, the communication unit 30 detects the communication data from the power receiving device 40 based on the output of the bandpass filter unit. Specifically, the bandpass filter unit performs bandpass filter processing on the detection voltage VDT by the current detection circuit 32. Then, the comparison circuit 34 performs a comparison determination between the detection voltage VDTA after the bandpass filter processing by the bandpass filter unit and the determination voltage VCP. This bandpass filter unit can be provided, for example, between the IV conversion amplifier IVC and the amplifier AP.

図15は、受電側の通信構成を説明する図である。受電部52は、駆動クロック信号FCKに対応する周波数のクロック信号を抽出して、通信データ生成部55に供給する。通信データ生成部55は、図2の制御部54に設けられており、供給されたクロック信号に基づいて通信データの生成処理を行う。そして通信データ生成部55は、生成された通信データを送信するための制御信号CSWを負荷変調部56に出力し、この制御信号CSWにより例えばスイッチ素子SWのオン・オフ制御を行って、通信データに対応する負荷変調を負荷変調部56に行わせる。 FIG. 15 is a diagram illustrating a communication configuration on the power receiving side. The power receiving unit 52 extracts a clock signal having a frequency corresponding to the drive clock signal FCK and supplies it to the communication data generation unit 55. The communication data generation unit 55 is provided in the control unit 54 of FIG. 2, and performs communication data generation processing based on the supplied clock signal. Then, the communication data generation unit 55 outputs a control signal CSW for transmitting the generated communication data to the load modulation unit 56, and the control signal CSW controls, for example, on / off of the switch element SW to perform communication data. The load modulation unit 56 is made to perform the load modulation corresponding to the above.

負荷変調部56は、例えば第1の負荷状態、第2の負荷状態というように、受電側の負荷状態(負荷変調による負荷)を変化させることで、負荷変調を行う。第1の負荷状態は、例えばスイッチ素子SWがオンになる状態であり、受電側の負荷状態(負荷変調の負荷)が高負荷(インピーダンス小)になる状態である。第2の負荷状態は、例えばスイッチ素子SWがオフになる状態であり、受電側の負荷状態(負荷変調の負荷)が低負荷(インピーダンス大)になる状態である。 The load modulation unit 56 performs load modulation by changing the load state (load due to load modulation) on the power receiving side, such as a first load state and a second load state. The first load state is, for example, a state in which the switch element SW is turned on, and a state in which the load state on the power receiving side (load of load modulation) becomes a high load (small impedance). The second load state is, for example, a state in which the switch element SW is turned off, and a state in which the load state on the power receiving side (load of load modulation) becomes a low load (large impedance).

そして、これまでの負荷変調手法では、例えば第1の負荷状態を、通信データの論理レベル「1」(第1の論理レベル)に対応させ、第2の負荷状態を、通信データの論理レベル「0」(第2の論理レベル)に対応させて、受電側から送電側への通信データの送信を行っていた。即ち、通信データのビットの論理レベルが「1」である場合には、スイッチ素子SWをオンにし、通信データのビットの論理レベルが「0」である場合には、スイッチ素子SWをオフにすることで、所定のビット数の通信データを送信していた。 Then, in the conventional load modulation method, for example, the first load state is made to correspond to the logical level "1" (first logical level) of the communication data, and the second load state is made to correspond to the logical level "1" of the communication data. Communication data was transmitted from the power receiving side to the power transmitting side in correspondence with "0" (second logical level). That is, when the logical level of the communication data bit is "1", the switch element SW is turned on, and when the logical level of the communication data bit is "0", the switch element SW is turned off. As a result, communication data of a predetermined number of bits was transmitted.

しかしながら、例えばコイル間の結合度が低かったり、コイルが小型であったり、送電電力も低パワーであるような用途では、このような従来の負荷変調手法では、適正な通信の実現が難しい。即ち、負荷変調により受電側の負荷状態を、第1の負荷状態、第2の負荷状態というように変化させても、ノイズ等が原因で、通信データの論理レベル「1」、「0」のデータ検出エラーが発生してしまう。即ち、受電側で負荷変調を行っても、この負荷変調により、送電側のセンス抵抗RCSに流れる電流ID1は、非常に微少な電流となる。このため、ノイズが重畳すると、データ検出エラーが発生し、ノイズ等を原因とする通信エラーが発生してしまう。 However, for example, in applications where the degree of coupling between the coils is low, the coils are small, and the transmitted power is also low, it is difficult to realize proper communication by such a conventional load modulation method. That is, even if the load state on the power receiving side is changed to the first load state and the second load state by load modulation, the logic levels of the communication data are "1" and "0" due to noise and the like. A data detection error occurs. That is, even if the load is modulated on the power receiving side, the current ID1 flowing through the sense resistor RCS on the power transmission side becomes a very small current due to this load modulation. Therefore, when noise is superimposed, a data detection error occurs, and a communication error caused by noise or the like occurs.

例えば図16は、検出電圧VDTA、比較回路34の判定用電圧VCP及び比較判定結果CQの信号波形を模式的に示した図である。図16に示すように、検出電圧VDTAは、基準電圧VRFを基準にして変化する電圧信号になっており、判定用電圧VCPは、この基準電圧VRFにコンパレーターCPのオフセット電圧VOFFを加算した電圧信号になっている。 For example, FIG. 16 is a diagram schematically showing the signal waveforms of the detection voltage VDTA, the determination voltage VCP of the comparison circuit 34, and the comparison determination result CQ. As shown in FIG. 16, the detection voltage VDTA is a voltage signal that changes with reference to the reference voltage VRF, and the determination voltage VCP is a voltage obtained by adding the offset voltage VOFF of the comparator CP to this reference voltage VRF. It is a signal.

そして図16に示すように、例えば検出電圧VDTAの信号にノイズが重畳すると、F1、F2に示すように比較判定結果CQの信号のエッジの位置が変化し、期間TM1の幅(間隔)が長くなったり、短くなるというように変動してしまう。例えば期間TM1が論理レベル「1」に対応する期間であるとすると、期間TM1の幅が変動すると、通信データのサンプリングエラーが発生してしまい、通信データの検出エラーが生じる。特に、通常送電期間において常時の負荷変調を行って通信を行う場合には、通信データに重畳されるノイズが多くなる可能性があり、通信データの検出エラーが発生する確率が高くなってしまう。 Then, as shown in FIG. 16, for example, when noise is superimposed on the signal of the detection voltage VDTA, the position of the edge of the signal of the comparison judgment result CQ changes as shown in F1 and F2, and the width (interval) of the period TM1 becomes long. It fluctuates, such as becoming shorter or shorter. For example, assuming that the period TM1 is a period corresponding to the logic level "1", if the width of the period TM1 fluctuates, a communication data sampling error occurs, and a communication data detection error occurs. In particular, when communication is performed by constantly performing load modulation during the normal power transmission period, noise superimposed on the communication data may increase, and the probability that a detection error of the communication data will occur increases.

そこで本実施形態では、通信データの各ビットの論理レベル「1」(データ1)、論理レベル「0」(データ0)を、負荷変調パターンを用いて、受電側から送信し、送電側において検出する手法を採用している。 Therefore, in the present embodiment, the logic level "1" (data 1) and the logic level "0" (data 0) of each bit of the communication data are transmitted from the power receiving side using the load modulation pattern and detected on the power transmission side. The method of doing is adopted.

具体的には図17に示すように、受電側の負荷変調部56は、送電装置10に送信する通信データの第1の論理レベル「1」については、負荷変調パターンが第1のパターンPT1となる負荷変調を行う。一方、通信データの第2の論理レベル「0」については、負荷変調パターンが第1のパターンPT1とは異なる第2のパターンPT2となる負荷変調を行う。 Specifically, as shown in FIG. 17, the load modulation unit 56 on the power receiving side has a load modulation pattern of the first pattern PT1 for the first logic level “1” of the communication data transmitted to the power transmission device 10. Load modulation is performed. On the other hand, for the second logic level "0" of the communication data, load modulation is performed so that the load modulation pattern is a second pattern PT2 different from the first pattern PT1.

そして送電側の通信部30(復調部)は、負荷変調パターンが第1のパターンPT1である場合には、第1の論理レベル「1」の通信データであると判断する。一方、負荷変調パターンが第1のパターンPT1とは異なる第2のパターンPT2である場合には、第2の論理レベル「0」の通信データであると判断する。 Then, the communication unit 30 (demodulation unit) on the power transmission side determines that the communication data has the first logic level "1" when the load modulation pattern is the first pattern PT1. On the other hand, when the load modulation pattern is the second pattern PT2 different from the first pattern PT1, it is determined that the communication data is the second logic level “0”.

ここで負荷変調パターンは、第1の負荷状態と第2の負荷状態で構成されるパターンである。第1の負荷状態は、負荷変調部56による受電側の負荷が、例えば高負荷になる状態である。具体的には、図17において、第1の負荷状態の期間TM1は、負荷変調部56のスイッチ素子SWがオンになって、電流源ISの電流がノードNVCからGND側に流れる期間であり、第1、第2のパターンPT1、PT2のHレベル(ビット=1)に対応する期間である。 Here, the load modulation pattern is a pattern composed of a first load state and a second load state. The first load state is a state in which the load on the power receiving side by the load modulation unit 56 becomes, for example, a high load. Specifically, in FIG. 17, the period TM1 of the first load state is a period in which the switch element SW of the load modulation unit 56 is turned on and the current of the current source IS flows from the node NVC to the GND side. This is the period corresponding to the H level (bit = 1) of the first and second patterns PT1 and PT2.

一方、第2の負荷状態は、負荷変調部56による受電側の負荷が、例えば低負荷になる状態である。具体的には、図17において第2の負荷状態の期間TM2は、負荷変調部56のスイッチ素子SWがオフになる期間であり、第1、第2のパターンPT1、PT2のLレベル(ビット=0)に対応する期間である。 On the other hand, the second load state is a state in which the load on the power receiving side by the load modulation unit 56 becomes, for example, a low load. Specifically, in FIG. 17, the second load state period TM2 is a period during which the switch element SW of the load modulation unit 56 is turned off, and the L level (bit =) of the first and second patterns PT1 and PT2. This is the period corresponding to 0).

そして図17において、第1のパターンPT1は、第1の負荷状態の期間TM1の幅が第2のパターンPT2に比べて長くなるパターンとなっている。このように第1の負荷状態の期間TM1の幅が、第2のパターンPT2に比べて長い第1のパターンPT1については、論理レベル「1」であると判断される。一方、第1の負荷状態の期間TM1の幅が、第1のパターンPT1に比べて短い第2のパターンPT2については、論理レベル「0」であると判断される。 Then, in FIG. 17, the first pattern PT1 is a pattern in which the width of the period TM1 in the first load state is longer than that of the second pattern PT2. As described above, the logic level "1" is determined for the first pattern PT1 in which the width of the period TM1 of the first load state is longer than that of the second pattern PT2. On the other hand, the logic level "0" is determined for the second pattern PT2 in which the width of the period TM1 in the first load state is shorter than that of the first pattern PT1.

図17に示すように、第1のパターンPT1は、例えば(1110)のビットパターンに対応するパターンである。第2のパターンPT2は、例えば(1010)のビットパターンに対応するパターンである。これらのビットパターンにおいて、ビット=1は、負荷変調部56のスイッチ素子SWがオンになる状態に対応し、ビット=0は、負荷変調部56のスイッチ素子SWがオフになる状態に対応する。 As shown in FIG. 17, the first pattern PT1 is a pattern corresponding to, for example, the bit pattern (1110). The second pattern PT2 is a pattern corresponding to, for example, the bit pattern (1010). In these bit patterns, bit = 1 corresponds to a state in which the switch element SW of the load modulation unit 56 is turned on, and bit = 0 corresponds to a state in which the switch element SW of the load modulation unit 56 is turned off.

例えば受電側は、送信する通信データのビットが論理レベル「1」である場合には、第1のパターンPT1に対応する(1110)のビットパターンで、負荷変調部56のスイッチ素子SWをオン又はオフにする。具体的には、スイッチ素子SWを、順に、オン、オン、オン、オフにするスイッチ制御を行う。そして送電側は、負荷変調パターンが、(1110)のビットパターンに対応する第1のパターンPT1であった場合には、通信データのビットの論理レベルは「1」であると判断する。 For example, when the bit of the communication data to be transmitted is the logic level "1", the power receiving side turns on the switch element SW of the load modulation unit 56 with the bit pattern (1110) corresponding to the first pattern PT1. Turn off. Specifically, switch control is performed to turn on, on, on, and off the switch element SW in order. Then, when the load modulation pattern is the first pattern PT1 corresponding to the bit pattern of (1110), the power transmission side determines that the logical level of the bit of the communication data is "1".

一方、受電側は、送信する通信データのビットが論理レベル「0」である場合には、第2のパターンPT2に対応する(1010)のビットパターンで、負荷変調部56のスイッチ素子SWをオン又はオフにする。具体的には、スイッチ素子SWを、順に、オン、オフ、オン、オフにするスイッチ制御を行う。そして送電側は、負荷変調パターンが、(1010)のビットパターンに対応する第2のパターンPT2であった場合には、通信データのビットの論理レベルは「0」であると判断する。 On the other hand, when the bit of the communication data to be transmitted is the logic level "0", the power receiving side turns on the switch element SW of the load modulation unit 56 with the bit pattern (1010) corresponding to the second pattern PT2. Or turn it off. Specifically, switch control is performed to turn on, off, on, and off the switch element SW in order. Then, when the load modulation pattern is the second pattern PT2 corresponding to the bit pattern of (1010), the power transmission side determines that the logic level of the bit of the communication data is “0”.

ここで、送電部12の駆動周波数をFCKとし、駆動周期をT=1/FCKとした場合には、第1、第2のパターンPT1、PT2の長さは、例えば512×Tと表すことができる。この場合に、1つのビット区間の長さは、(512×T)/4=128×Tと表される。従って、受電側は、通信データのビットが論理レベル「1」である場合には、例えば128×Tの間隔で、第1のパターンPT1に対応する(1110)のビットパターンで、負荷変調部56のスイッチ素子SWをオン又はオフにする。また受電側は、通信データのビットが論理レベル「0」である場合には、例えば128×Tの間隔で、第2のパターンPT2に対応する(1010)のビットパターンで、負荷変調部56のスイッチ素子SWをオン又はオフにする。 Here, when the drive frequency of the power transmission unit 12 is FCK and the drive cycle is T = 1 / FCK, the lengths of the first and second patterns PT1 and PT2 can be expressed as, for example, 512 × T. it can. In this case, the length of one bit interval is expressed as (512 × T) / 4 = 128 × T. Therefore, on the power receiving side, when the bit of the communication data is the logic level "1", the load modulation unit 56 has a bit pattern (1110) corresponding to the first pattern PT1 at intervals of, for example, 128 × T. Switch element SW is turned on or off. On the power receiving side, when the bit of the communication data is the logic level "0", the load modulation unit 56 has a bit pattern (1010) corresponding to the second pattern PT2 at intervals of, for example, 128 × T. Switch element SW is turned on or off.

一方、送電側は、例えば図18に示す手法で通信データの検出処理及び取り込み処理を行う。例えば通信部30(復調部)は、第1のパターンPT1における第1の負荷状態の期間TM1内に設定された第1のサンプリングポイントSP1から、所与のサンプリング間隔SIで負荷変調パターンのサンプリングを行って、所与のビット数の通信データを取り込む。 On the other hand, the power transmission side performs the communication data detection process and the capture process by, for example, the method shown in FIG. For example, the communication unit 30 (demodulation unit) samples the load modulation pattern at a given sampling interval SI from the first sampling point SP1 set in the period TM1 of the first load state in the first pattern PT1. And fetch communication data of a given number of bits.

例えば図18のサンプリングポイントSP1、SP2、SP3、SP4、SP5、SP6は、サンプリング間隔SI毎に設定されるサンプリングポイントである。このサンプリング間隔SIは、負荷変調パターンの長さに対応する間隔である。即ち、負荷変調パターンである第1、第2のパターンPT1、PT2の長さに対応する間隔である。例えば図17では、第1、第2のパターンPT1、PT2の長さは512×T(=512/FCK)となっているため、サンプリング間隔SIの長さも512×Tになる。 For example, the sampling points SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, and SP6 in FIG. 18 are sampling points set for each sampling interval SI. This sampling interval SI is an interval corresponding to the length of the load modulation pattern. That is, it is an interval corresponding to the lengths of the first and second patterns PT1 and PT2, which are load modulation patterns. For example, in FIG. 17, since the lengths of the first and second patterns PT1 and PT2 are 512 × T (= 512 / FCK), the length of the sampling interval SI is also 512 × T.

そして図18では、期間TS1、TS2、TS3、TS4、TS5、TS6での負荷変調パターンは、各々、PT1、PT2、PT1、PT2、PT2、PT2になっている。ここで期間TS1、TS2、TS3、TS4、TS5、TS6はサンプリングポイントSP1、SP2、SP3、SP4、SP5、SP6に対応する期間である。従って、図18の場合には、第1のサンプリングポイントSP1から、サンプリング間隔SIで負荷変調パターンのサンプリングを行うことで、例えばビット数=6である通信データ(101000)が取り込まれることになる。 And in FIG. 18, the load modulation patterns in the periods TS1, TS2, TS3, TS4, TS5, and TS6 are PT1, PT2, PT1, PT2, PT2, and PT2, respectively. Here, the periods TS1, TS2, TS3, TS4, TS5, and TS6 are periods corresponding to the sampling points SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, and SP6. Therefore, in the case of FIG. 18, by sampling the load modulation pattern at the sampling interval SI from the first sampling point SP1, for example, communication data (101000) having the number of bits = 6 is taken in.

具体的には通信部30は、信号レベルがHレベルとなるパルスを検出し、そのパルスの幅が第1の範囲幅内(例えば220×T〜511×T)である場合に、ビット同期を行う。そして、ビット同期した場合には、そのパルス幅の中心点に第1のサンプリングポイントSP1を設定し、第1のサンプリングポイントSP1からサンプリング間隔SI(例えば512×T)毎に信号を取り込む。そして取り込んだ信号のレベルが、Hレベルであれば、論理レベル「1」(第1のパターンPT1)であると判断し、Lレベルであれば、論理レベル「0」(第2のパターンPT2)であると判断する。このようにすることで、図18では、通信データ(101000)が取り込まれることになる。実際には、ビット同期後(SP1での1ビット分のデータを取り込んだ後)、15ビット分のデータを取り込むことで、全体として16ビット分の通信データが取り込まれる。この16ビットの通信データでは最初の1ビット(ビット同期したビット)は必ず「1」になる。 Specifically, the communication unit 30 detects a pulse whose signal level is H level, and performs bit synchronization when the pulse width is within the first range width (for example, 220 × T to 511 × T). Do. Then, in the case of bit synchronization, the first sampling point SP1 is set at the center point of the pulse width, and signals are taken from the first sampling point SP1 at each sampling interval SI (for example, 512 × T). If the level of the captured signal is H level, it is determined to be logic level "1" (first pattern PT1), and if it is L level, it is determined to be logic level "0" (second pattern PT2). Judge that. By doing so, the communication data (101000) is taken in in FIG. Actually, after bit synchronization (after fetching 1 bit of data in SP1), by fetching 15 bits of data, 16 bits of communication data are fetched as a whole. In this 16-bit communication data, the first 1 bit (bit synchronized bit) is always "1".

このように本実施形態では、第1の負荷状態の期間TM1の幅が、第1の範囲幅内(220×T〜511×T)である場合に、図18に示すように、第1の負荷状態の期間TM1内に、第1のサンプリングポイントSP1を設定する。即ち、信号レベルがHレベルとなる期間TM1の幅が、第1の範囲幅内である場合に、ビット同期を行い、その期間TM1内の例えば中心点に、第1のサンプリングポイントSP1を設定する。そして、設定された第1のサンプリングポイントSP1から、サンプリング間隔SI毎にサンプリングを行う。ここで第1の範囲幅(220×T〜511×T)は、第1のパターンPT1における第1の負荷状態の期間TM1(384×T)に対応して設定される範囲幅である。 As described above, in the present embodiment, when the width of the period TM1 in the first load state is within the first range width (220 × T to 511 × T), as shown in FIG. 18, the first The first sampling point SP1 is set in the load state period TM1. That is, when the width of the period TM1 at which the signal level becomes the H level is within the first range width, bit synchronization is performed, and the first sampling point SP1 is set at, for example, the center point in the period TM1. .. Then, sampling is performed at each sampling interval SI from the set first sampling point SP1. Here, the first range width (220 × T to 511 × T) is a range width set corresponding to the period TM1 (384 × T) of the first load state in the first pattern PT1.

即ち、図16で説明したように、ノイズ等が原因となって、期間TM1の幅は変動してしまう。そして第1のパターンPT1における期間TM1の幅のティピカル値は、3ビット分(111)に対応する幅である128×3×T=384×Tである。従って、この384×Tを含むような第1の範囲幅220×T〜511×Tを設定する。そして、第1の範囲幅220×T〜511×T内であるHレベルの期間については、第1のパターンPT1の期間TM1であると判断し、第1のサンプリングポイントSP1を設定するためのビット同期を行う。このようにすることで、図16に示すようにノイズが信号に重畳している場合にも、適正なビット同期を行って、適切な第1のサンプリングポイントSP1を設定できるようになる。 That is, as described with reference to FIG. 16, the width of the period TM1 fluctuates due to noise or the like. The typical value of the width of the period TM1 in the first pattern PT1 is 128 × 3 × T = 384 × T, which is the width corresponding to 3 bits (111). Therefore, the first range width 220 × T to 511 × T is set so as to include the 384 × T. Then, for the H level period within the first range width 220 × T to 511 × T, it is determined that the period TM1 of the first pattern PT1 is set, and a bit for setting the first sampling point SP1. Synchronize. By doing so, even when noise is superimposed on the signal as shown in FIG. 16, appropriate bit synchronization can be performed and an appropriate first sampling point SP1 can be set.

そして、このように第1のサンプリングポイントSP1を設定した後は、サンプリング間隔SI毎にサンプリングを行い、各サンプリングポイントでの信号レベルに基づいて、第1、第2のパターンPT1、PT2のいずれなのかを判断する。即ち、通信部30は、第1のサンプリングポイントSP1の次の第2のサンプリングポイントSP2において、負荷状態が第1の負荷状態である場合(信号レベルがHレベルである場合)には、第2のサンプリングポイントSP2での負荷変調パターンが第1のパターンPT1であると判断する。即ち、通信データのビットの論理レベルが「1」であると判断する。 Then, after setting the first sampling point SP1 in this way, sampling is performed at each sampling interval SI, and based on the signal level at each sampling point, either the first or second pattern PT1 or PT2. To judge. That is, when the load state is the first load state (when the signal level is the H level) at the second sampling point SP2 following the first sampling point SP1, the communication unit 30 is the second. It is determined that the load modulation pattern at the sampling point SP2 is the first pattern PT1. That is, it is determined that the logical level of the bit of the communication data is "1".

一方、第2のサンプリングポイントSP2において、負荷状態が第2の負荷状態である場合(信号レベルがLレベルである場合)には、第2のサンプリングポイントSP2での負荷変調パターンが第2のパターンPT2であると判断する。即ち、通信データのビットの論理レベルが「0」であると判断する。その後のサンプリングポイントにおいても同様である。 On the other hand, when the load state is the second load state (when the signal level is the L level) at the second sampling point SP2, the load modulation pattern at the second sampling point SP2 is the second pattern. It is judged to be PT2. That is, it is determined that the logical level of the bit of the communication data is "0". The same applies to the subsequent sampling points.

例えば図18では、サンプリングポイントSP2での負荷状態は第2の負荷状態(Lレベル)であるため、第2のパターンPT2であると判断され、論理レベルが「0」であると判断される。サンプリングポイントSP3での負荷状態は第1の負荷状態(Hレベル)であるため、第1のパターンPT1であると判断され、論理レベルが「1」であると判断される。サンプリングポイントSP4、SP5、SP6での負荷状態は第2の負荷状態(Lレベル)であるため、第2のパターンPT2であると判断され、論理レベルが「0」であると判断される。 For example, in FIG. 18, since the load state at the sampling point SP2 is the second load state (L level), it is determined to be the second pattern PT2, and the logic level is determined to be “0”. Since the load state at the sampling point SP3 is the first load state (H level), it is determined that it is the first pattern PT1 and the logic level is determined to be “1”. Since the load state at the sampling points SP4, SP5, and SP6 is the second load state (L level), it is determined to be the second pattern PT2, and the logic level is determined to be "0".

なお、図18の各サンプリングポイントSP2〜SP6において、そのサンプリングポイントを含む負荷状態の期間の幅が、所定の幅範囲内であるか否かを確認するようにしてもよい。 At each of the sampling points SP2 to SP6 in FIG. 18, it may be confirmed whether or not the width of the load state period including the sampling point is within a predetermined width range.

例えば第2のサンプリングポイントSP2において、負荷状態が第1の負荷状態(Hレベル)であり、且つ、第2のサンプリングポイントSP2を含む第1の負荷状態の期間TM1の幅が、第1の範囲幅内(220×T〜511×T)である場合には、第2のサンプリングポイントSP2での負荷変調パターンが第1のパターンPT1(論理レベル「1」)であると判断する。 For example, in the second sampling point SP2, the load state is the first load state (H level), and the width of the period TM1 of the first load state including the second sampling point SP2 is in the first range. When it is within the width (220 × T to 511 × T), it is determined that the load modulation pattern at the second sampling point SP2 is the first pattern PT1 (logical level “1”).

一方、第2のサンプリングポイントSP2において、負荷状態が第2の負荷状態(Lレベル)であり、且つ、第2のサンプリングポイントSP2を含む第2の負荷状態の期間TM2の幅が、第2の範囲幅内(例えば80×T〜150×T)である場合には、第2のサンプリングポイントSP2での負荷変調パターンが第2のパターンPT2(論理レベル「0」)であると判断する。 On the other hand, at the second sampling point SP2, the load state is the second load state (L level), and the width of the period TM2 of the second load state including the second sampling point SP2 is the second. When it is within the range width (for example, 80 × T to 150 × T), it is determined that the load modulation pattern at the second sampling point SP2 is the second pattern PT2 (logical level “0”).

ここで第2の範囲幅(80×T〜150×T)は、第2のパターンPT2における第2の負荷状態の期間TM2(128×T)に対応して設定される範囲幅である。期間TM2のティピカル値は、1ビットに対応する幅である128×Tとなるため、この128×Tを含むような第2の範囲幅80×T〜150×Tが設定される。 Here, the second range width (80 × T to 150 × T) is a range width set corresponding to the period TM2 (128 × T) of the second load state in the second pattern PT2. Since the typical value of the period TM2 is 128 × T, which is a width corresponding to one bit, a second range width of 80 × T to 150 × T including this 128 × T is set.

以上のように本実施形態では、負荷変調パターンを判別して通信データの論理レベルを判定している。例えば従来では、負荷変調部56のスイッチ素子SWがオンになる第1の負荷状態を論理レベル「1」と判断し、スイッチ素子SWがオフになる第2の負荷状態を論理レベル「0」と判断するような手法を採用している。しかしながら、この従来例の手法では、図16で説明したように、ノイズ等が原因で通信データの検出エラーが発生してしまうおそれがある。 As described above, in the present embodiment, the load modulation pattern is discriminated to determine the logical level of the communication data. For example, conventionally, the first load state in which the switch element SW of the load modulation unit 56 is turned on is determined to be the logic level "1", and the second load state in which the switch element SW is turned off is set to the logic level "0". We have adopted a method of judgment. However, in this conventional method, as described with reference to FIG. 16, there is a possibility that a communication data detection error may occur due to noise or the like.

これに対して本実施形態では、負荷変調パターンが、例えば図17に示すような第1、第2のパターンPT1、PT2のいずれであるかを判別することで、通信データの各ビットの論理レベルを検出している。従って、図16のようなノイズが多いような状況においても、通信データの適正な検出が可能になる。即ち、図17の第1、第2のパターンPT1、PT2では、例えば第1の負荷状態(Hレベル)の期間TM1の幅が大きく異なっており、本実施形態では、この期間TM1の幅の違いを判別することで、パターンを判別して、通信データの各ビットの論理レベルを検出している。例えば図18の最初のビット同期において、期間TM1の幅が第1の範囲幅内(220×T〜511×T)である場合に、その期間TM1の中心点にサンプリングポイントSP1を設定し、その後のサンプリングポイントSP2、SP3、SP4・・・での信号の取り込みを行っている。従って、例えばノイズが原因でサンプリングポイントSP1での期間TM1の幅等が変動した場合にも、通信データの適正な検出が可能になる。また、以降のサンプリングポイントSP2、SP3、SP4・・・は、サンプリング間隔SIに基づき簡素な処理で設定できるため、通信データの検出処理の処理負荷も軽減できるという利点がある。 On the other hand, in the present embodiment, the logic level of each bit of the communication data is determined by determining whether the load modulation pattern is, for example, the first or second pattern PT1 or PT2 as shown in FIG. Is being detected. Therefore, even in a situation where there is a lot of noise as shown in FIG. 16, it is possible to properly detect communication data. That is, in the first and second patterns PT1 and PT2 of FIG. 17, for example, the width of the period TM1 in the first load state (H level) is significantly different, and in the present embodiment, the width of the period TM1 is different. By discriminating, the pattern is discriminated and the logic level of each bit of the communication data is detected. For example, in the first bit synchronization of FIG. 18, when the width of the period TM1 is within the first range width (220 × T to 511 × T), the sampling point SP1 is set at the center point of the period TM1, and then the sampling point SP1 is set. The signals are captured at the sampling points SP2, SP3, SP4 ... Therefore, even when the width of the period TM1 at the sampling point SP1 fluctuates due to noise, for example, proper detection of communication data becomes possible. Further, since the subsequent sampling points SP2, SP3, SP4 ... Can be set by simple processing based on the sampling interval SI, there is an advantage that the processing load of the communication data detection processing can be reduced.

なお本実施形態の通信手法は、図17、図18等で説明した手法に限定されず、種々の変形実施が可能である。例えば図17では第1のパターンPT1に論理レベル「1」を対応づけ、第2のパターンPT2に論理レベル「0」を対応づけているが、この対応づけは逆であってもよい。また、図17の第1、第2のパターンPT1、PT2は負荷変調パターンの一例であり、本実施形態の負荷変調パターンはこれに限定されず、種々の変形実施が可能である。例えば図17では、第1、第2のパターンPT1、PT2は同じ長さに設定されているが、異なる長さに設定してもよい。また図17では、ビットパターン(1110)の第1のパターンPT1と、ビットパターン(1010)の第2のパターンPT2を用いているが、これらとは異なったビットパターンの第1、第2のパターンPT1、PT2を採用してもよい。例えば第1、第2のパターンPT1、PT2は、少なくとも第1の負荷状態の期間TM1(或いは第2の負荷状態の期間TM2)の長さが異なるパターンであればよく、図17とは異なる種々のパターンを採用できる。 The communication method of the present embodiment is not limited to the methods described with reference to FIGS. 17 and 18, and various modifications can be made. For example, in FIG. 17, the first pattern PT1 is associated with the logic level “1” and the second pattern PT2 is associated with the logic level “0”, but this association may be reversed. Further, the first and second patterns PT1 and PT2 in FIG. 17 are examples of load modulation patterns, and the load modulation pattern of the present embodiment is not limited to this, and various modifications can be performed. For example, in FIG. 17, the first and second patterns PT1 and PT2 are set to the same length, but may be set to different lengths. Further, in FIG. 17, the first pattern PT1 of the bit pattern (1110) and the second pattern PT2 of the bit pattern (1010) are used, but the first and second patterns of the bit patterns different from these are used. PT1 and PT2 may be adopted. For example, the first and second patterns PT1 and PT2 may be patterns having at least different lengths of the first load state period TM1 (or the second load state period TM2), and are different from those in FIG. Pattern can be adopted.

図19(A)、図19(B)に、本実施形態で用いられる通信データのフォーマットの例を示す。 19 (A) and 19 (B) show an example of the communication data format used in this embodiment.

図19(A)では、通信データは64ビットで構成され、この64ビットで1つのパケットが構成される。一番目の16ビットは00hとなっている。例えば受電側の負荷変調を検出して送電側が通常送電(或いは間欠送電)を開始する場合に、通信部30の電流検出回路32等が動作して、通信データを適正に検出できるようになるまでに、ある程度の時間が必要になる。このため、一番目の16ビットには、ダミー(空)のデータである00hを設定する。送電側は、この1番目の16ビットの00hの通信期間において、例えばビット同期のために必要な種々の処理を行うことになる。 In FIG. 19A, the communication data is composed of 64 bits, and one packet is composed of the 64 bits. The first 16 bits are 00h. For example, when the load modulation on the power receiving side is detected and the power transmission side starts normal power transmission (or intermittent power transmission), until the current detection circuit 32 of the communication unit 30 operates and communication data can be properly detected. In addition, some time is required. Therefore, 00h, which is dummy (empty) data, is set in the first 16 bits. In the first 16-bit 00h communication period, the power transmission side performs various processes necessary for, for example, bit synchronization.

次の2番目の16ビットには、データコードと、整流電圧(VCC)の情報が設定される。データコードは、図19(B)に示すように、次の3番目の16ビットで通信されるデータを特定するためのコードである。整流電圧(VCC)は、送電装置10の送電電力設定情報として用いられる。具体的には、電源電圧制御部14は、この整流電圧(VCC)の情報等に基づいて、送電ドライバーDR1、DR2に供給する電源電圧VDRVを可変に制御し、これにより送電部12の送電電力を可変に制御する。 The data code and rectified voltage (VCC) information are set in the next second 16 bits. As shown in FIG. 19B, the data code is a code for specifying the data to be communicated by the next third 16 bits. The rectified voltage (VCC) is used as transmission power setting information of the transmission device 10. Specifically, the power supply voltage control unit 14 variably controls the power supply voltage VDCV supplied to the power transmission drivers DR1 and DR2 based on the information of the rectified voltage (VCC), thereby transmitting power of the power transmission unit 12. Is variably controlled.

3番目の16ビットには、データコードでの設定に従って、温度、バッテリー電圧、充電電流、ステータスフラグ、サイクル回数、或いはIC番号などの情報が設定される。温度は例えばバッテリー温度などである。バッテリー電圧、充電電流は、バッテリー90の電圧(VBAT等)、充電電流であり、充電状態を表す情報である。ステータスフラグは、例えば温度エラー(高温異常、低温異常)、バッテリーエラー(1.0V以下のバッテリー電圧)、過電圧エラー、タイマーエラー、満充電(ノーマルエンド)などの受電側のステータスを表す情報である。サイクル回数(サイクルタイム)は充電回数を表す情報である。IC番号は、制御装置のICを特定するための番号である。4番目の16ビットにはCRCの情報が設定される。CRCは、CRCのエラーチェックのための情報である。 Information such as temperature, battery voltage, charging current, status flag, number of cycles, or IC number is set in the third 16 bits according to the setting in the data code. The temperature is, for example, the battery temperature. The battery voltage and charging current are the voltage of the battery 90 (VBAT or the like) and the charging current, and are information indicating the charging state. The status flag is information indicating the status of the power receiving side such as temperature error (high temperature abnormality, low temperature abnormality), battery error (battery voltage of 1.0 V or less), overvoltage error, timer error, full charge (normal end), and the like. .. The number of cycles (cycle time) is information indicating the number of times of charging. The IC number is a number for identifying the IC of the control device. CRC information is set in the fourth 16 bits. The CRC is information for checking the error of the CRC.

なお、図4において電子機器510の着地が検出されて、VCC>6.0Vになった場合に、B5の負荷変調では、まず初めに例えば1パケット(64ビット)の空データ(ダミーデータ)の通信データが送信される。そして送電側は、この空データの通信データを検出して、通常送電を開始することになる。 When the landing of the electronic device 510 is detected in FIG. 4 and the VCS> 6.0V, in the load modulation of B5, for example, one packet (64 bits) of empty data (dummy data) is first used. Communication data is transmitted. Then, the power transmission side detects the communication data of this empty data and starts normal power transmission.

図20は、本実施形態の通信処理の詳細例を説明するフローチャートである。まず、受電側(制御部54)は、整流電圧がVCC>6.0Vであるか否かを判断する(ステップS1)。例えば送電側が電力を送電すると、受電側が受電した電力により整流電圧VCCが上昇して、VCC>6.0Vになる。例えば受電側の制御装置50は、送電側の送電電力による電源で動作する。このため、送電側から電力が送電されていない期間では、制御装置50(放電系の回路を除く)は電源が供給されず、例えばリセット状態となっている。 FIG. 20 is a flowchart illustrating a detailed example of the communication process of the present embodiment. First, the power receiving side (control unit 54) determines whether or not the rectified voltage is VCS> 6.0V (step S1). For example, when the power transmitting side transmits power, the rectified voltage VCS rises due to the power received by the power receiving side, and the rectified voltage VCS becomes VCS> 6.0V. For example, the control device 50 on the power receiving side operates with a power source generated by the transmitted power on the power transmitting side. Therefore, during the period when power is not transmitted from the power transmission side, the control device 50 (excluding the discharge system circuit) is not supplied with power and is in a reset state, for example.

整流電圧がVCC>6.0になると、受電側は、まず初めに、負荷変量によりIC番号を送電側に送信する(ステップS2)。例えば図19(A)、図19(B)において、データコードによりIC番号の通信を指定して、IC番号の情報を含む通信データを送信する。 When the rectified voltage becomes VCS> 6.0, the power receiving side first transmits the IC number to the power transmitting side by the load variable (step S2). For example, in FIGS. 19A and 19B, communication of an IC number is specified by a data code, and communication data including the information of the IC number is transmitted.

そして、例えばバッテリー電圧がVBAT<2.5Vのときの予備充電(過放電バッテリーに対する充電)の場合や、VBAT<1.0Vのときのバッテリーエラーの場合など、通常充電を開始できなかった場合(ステップS3:NO)には、受電側は、整流電圧、充電電圧、充電電流、温度、ステータスフラグ等の情報を含む通信データを負荷変調により送信する(ステップS4)。 Then, for example, in the case of pre-charging (charging the over-discharged battery) when the battery voltage is VBAT <2.5V, or in the case of a battery error when VBAT <1.0V, normal charging cannot be started ( In step S3: NO), the power receiving side transmits communication data including information such as rectified voltage, charging voltage, charging current, temperature, and status flag by load modulation (step S4).

一方、通常充電を開始できた場合(ステップS3:YES)には、充電のサイクル回数を1だけインクリメントし(ステップS5)、インクリメント後のサイクル回数を負荷変調により送信する(ステップS6)。そして通常充電の期間では、整流電圧、充電電圧、充電電流、温度、ステータスフラグ等の情報を含む通信データの送信が繰り返される(ステップS7)。送電側は、これらの情報に基づいて受電側の充電状態等を判断できる。 On the other hand, when normal charging can be started (step S3: YES), the number of charging cycles is incremented by 1 (step S5), and the number of cycles after the increment is transmitted by load modulation (step S6). Then, during the normal charging period, the transmission of communication data including information such as the rectified voltage, the charging voltage, the charging current, the temperature, and the status flag is repeated (step S7). The power transmitting side can determine the charging state of the power receiving side based on this information.

なお、以上では本実施形態の通信手法の一例を示したが、本実施形態の通信手法はこれに限定されず種々の変形実施が可能である。例えば本実施形態の通信手法は、図17、図18のように負荷変調パターンを論理レベルに対応づける手法には限定されず、例えば第1の負荷状態を論理レベル「1」に対応づけ、第2の負荷状態を論理レベル「0」に対応づける手法などを採用してもよい。また、通信データのフォーマットや通信処理も図18、図19に示す手法に限定されず、種々の変形実施が可能である。 Although an example of the communication method of the present embodiment has been shown above, the communication method of the present embodiment is not limited to this, and various modifications can be made. For example, the communication method of the present embodiment is not limited to the method of associating the load modulation pattern with the logic level as shown in FIGS. 17 and 18, for example, the first load state is associated with the logic level "1", and the first A method of associating the load state of 2 with the logic level "0" may be adopted. Further, the format of the communication data and the communication process are not limited to the methods shown in FIGS. 18 and 19, and various modifications can be performed.

6.受電部、充電部
図21に、受電部52、充電部58等の詳細な構成例を示す。図21に示すように、受電部52の整流回路53は、整流用のトランジスターTA1、TA2、TA3、TA4と、これらのトランジスターTA1〜TA4を制御する整流制御部51を有する。
6. Power receiving unit and charging unit FIG. 21 shows a detailed configuration example of the power receiving unit 52, the charging unit 58, and the like. As shown in FIG. 21, the rectifier circuit 53 of the power receiving unit 52 includes transistors TA1, TA2, TA3, and TA4 for rectification, and a rectifier control unit 51 that controls these transistors TA1 to TA4.

トランジスターTA1は、2次コイルL2の一端のノードNB1と、GND(低電位側電源電圧)のノードとの間に設けられる。トランジスターTA2は、ノードNB1と整流電圧VCCのノードNVCとの間に設けられる。トランジスターTA3は、2次コイルL2の他端のノードNB2と、GNDのノードとの間に設けられる。トランジスターTA4は、ノードNB2とノードNVCとの間に設けられる。これらのトランジスターTA1〜TA4の各々のドレイン・ソース間にはボディーダイオードが設けられている。整流制御部51は、トランジスターTA1〜TA4のゲートに対して制御信号を出力して、整流電圧VCCを生成するための整流制御を行う。 The transistor TA1 is provided between the node NB1 at one end of the secondary coil L2 and the node of the GND (low potential side power supply voltage). The transistor TA2 is provided between the node NB1 and the node NVC having a rectified voltage VCS. The transistor TA3 is provided between the node NB2 at the other end of the secondary coil L2 and the node of the GND. The transistor TA4 is provided between the node NB2 and the node NVC. A body diode is provided between the drain and source of each of these transistors TA1 to TA4. The rectification control unit 51 outputs a control signal to the gates of the transistors TA1 to TA4 and performs rectification control for generating the rectified voltage VCS.

整流電圧VCCのノードNVCとGNDのノードとの間には抵抗RB1、RB2が直列に設けられている。整流電圧VCCを、抵抗RB1、RB2で電圧分割した電圧ACH1が、例えば図2のA/D変換回路65に入力される。これにより整流電圧VCCの監視が可能になり、整流電圧VCCの情報に基づく電力制御等を実現できる。 Resistors RB1 and RB2 are provided in series between the node NVC of the rectified voltage VCS and the node of the GND. The voltage ACH1 obtained by dividing the rectified voltage VCS by the resistors RB1 and RB2 is input to, for example, the A / D conversion circuit 65 of FIG. This makes it possible to monitor the rectified voltage VCS and realize power control based on the information of the rectified voltage VCS.

レギュレーター57は、整流電圧VCCの電圧調整(レギュレート)を行って、電圧VD5を出力する。この電圧VD5は、トランジスターTC1を介して、充電部58のCC充電回路59に供給される。トランジスターTC1は、例えばバッテリー電圧VBATが所与の電圧(例えば4.25V)を超える過電圧の検出時において、制御信号GC1に基づいてオフになる。なお制御装置50の各回路(放電部60等の放電系の回路を除く回路)は、この電圧VD5に基づく電圧(VD5をレギュレートした電圧等)を電源電圧として動作する。 The regulator 57 adjusts (regulates) the rectified voltage VCS and outputs the voltage VD5. This voltage VD5 is supplied to the CC charging circuit 59 of the charging unit 58 via the transistor TC1. The transistor TC1 is turned off based on the control signal GC1, for example, when the battery voltage VBAT detects an overvoltage exceeding a given voltage (for example, 4.25V). Each circuit of the control device 50 (circuit excluding the discharge system circuit such as the discharge unit 60) operates using a voltage based on this voltage VD5 (such as a voltage regulated by VD5) as a power supply voltage.

CC充電回路59は、トランジスターTC2と、演算増幅器OPCと、抵抗RC1と、電流源ISCを有する。トランジスターTC2は、演算増幅器OPCの出力信号に基づき制御される。演算増幅器OPCの非反転入力端子は、抵抗RC1の一端に接続される。抵抗RC1の他端は、制御装置50の外付け部品として設けられるセンス抵抗RSの一端に接続される。センス抵抗RSの他端は、演算増幅器OPCの反転入力端子に接続される。電流源ISCは、演算増幅器OPCの非反転入力端子とGNDのノードとの間に設けられる。電流源ISCに流れる電流は、信号ICDAに基づいて制御される。 The CC charging circuit 59 includes a transistor TC2, an operational amplifier OPC, a resistor RC1, and a current source ISC. The transistor TC2 is controlled based on the output signal of the operational amplifier OPC. The non-inverting input terminal of the operational amplifier OPC is connected to one end of the resistor RC1. The other end of the resistor RC1 is connected to one end of the sense resistor RS provided as an external component of the control device 50. The other end of the sense resistor RS is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier OPC. The current source ISC is provided between the non-inverting input terminal of the operational amplifier OPC and the node of the GND. The current flowing through the current source ISC is controlled based on the signal ICDA.

演算増幅器OPCの仮想接地により、抵抗RC1の一端の電圧(非反転入力端子の電圧)と、センス抵抗RSの他端の電圧VCS2(反転入力端子の電圧)が等しくなるように、トランジスターTC2が制御される。信号ICDAの制御により電流源ISCに流れる電流をIDAとし、抵抗RSに流れる電流をIRSとする。すると、IRS×RS=IDA×RC1となるように、制御される。即ち、このCC充電回路59では、センス抵抗RSに流れる電流IRS(充電電流)が、信号ICDAにより設定される一定の電流値になるように制御される。これにより、CC(Constant-Current)充電が可能になる。 Transistor TC2 controls the voltage at one end of the resistor RC1 (voltage at the non-inverting input terminal) and the voltage at the other end of the sense resistor RS VCS2 (voltage at the inverting input terminal) by virtual grounding of the operational amplifier OPC. Will be done. The current flowing through the current source ISC under the control of the signal ICDA is defined as IDA, and the current flowing through the resistor RS is defined as IRS. Then, it is controlled so that IRS × RS = IDA × RC1. That is, in this CC charging circuit 59, the current IRS (charging current) flowing through the sense resistor RS is controlled to be a constant current value set by the signal ICDA. This enables CC (Constant-Current) charging.

充電時には、信号CHONがアクティブになる。これにより、トランジスターTC3、TC4がオン状態になり、バッテリー90への充電が行われるようになる。またトランジスターTC3のゲートとバッテリー電圧VBATのノードNBATとの間に設けられる抵抗RC2等により、バッテリー90からの逆流も防止される。またノードNBATとGNDのノードとの間には抵抗RC3、RC4が直列に設けられており、バッテリー電圧VBATを、抵抗RC3、RC4で電圧分割した電圧ACH2が、A/D変換回路65に入力される。これによりバッテリー電圧VBATの監視が可能になり、バッテリー90の充電状態に応じた各種の制御を実現できる。 At the time of charging, the signal CHON becomes active. As a result, the transistors TC3 and TC4 are turned on, and the battery 90 is charged. Further, backflow from the battery 90 is also prevented by the resistor RC2 or the like provided between the gate of the transistor TC3 and the node NBAT of the battery voltage VBAT. Further, resistors RC3 and RC4 are provided in series between the node NBAT and the node of GND, and the voltage ACH2 obtained by dividing the battery voltage VBAT by the resistors RC3 and RC4 is input to the A / D conversion circuit 65. To. This makes it possible to monitor the battery voltage VBAT and realize various controls according to the state of charge of the battery 90.

またバッテリー90の近くには、サーミスターTH(広義には温度検出部)が設けられている。このサーミスターTHの一端の電圧RCTが制御装置50に入力され、これによりバッテリー温度の測定が可能になる。 A thermistor TH (in a broad sense, a temperature detection unit) is provided near the battery 90. The voltage RCT at one end of the thermistor TH is input to the control device 50, which enables the measurement of the battery temperature.

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また送電側、受電側の制御装置、送電装置、受電装置の構成・動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。 Although the present embodiment has been described in detail as described above, those skilled in the art will easily understand that many modifications that do not substantially deviate from the novel matters and effects of the present invention are possible. Therefore, all such modifications are included in the scope of the present invention. For example, a term described at least once in a specification or drawing with a different term in a broader or synonymous manner may be replaced by the different term anywhere in the specification or drawing. All combinations of the present embodiment and modifications are also included in the scope of the present invention. Further, the configuration / operation of the power transmission side, the control device on the power reception side, the power transmission device, the power receiving device, and the like are not limited to those described in the present embodiment, and various modifications can be made.

L1 1次コイル、L2 2次コイル、DR1、DR2 送電ドライバー、IS、ISC 電流源、SW スイッチ素子、CM キャパシター、IVC IV変換用アンプ、AP アンプ、CP コンパレーター、TA1〜TA4、TC1〜TC4 トランジスター、RCS、RS センス抵抗、RB1、RB2、RC1〜RC3 抵抗、OPC 演算増幅器、TH サーミスター(温度検出部)、10 送電装置、12 送電部、14 電源電圧制御部、16 表示部、20 制御装置、22 ドライバー制御回路、24 制御部、30 通信部、32 電流検出回路、34 比較回路、35 フィルター部、36 復調部、37 クロック生成回路、38 発振回路、40 受電装置、50 制御装置、51 整流制御部、52 受電部、53 整流回路、54 制御部、55 通信データ生成部、56 負荷変調部、57 レギュレーター、58 充電部、59 CC充電回路、60 放電部、61 チャージポンプ回路、62 不揮発性メモリー、64 検出部、65 ベリファイシーケンサー、66 制御回路、67 メモリーセルアレイ、68 チャージポンプ回路、90 バッテリー、100 電力供給対象、500 充電器、502 電源アダプター、510 電子機器、514 スイッチ部 L1 primary coil, L2 secondary coil, DR1, DR2 power transmission driver, IS, ISC current source, SW switch element, CM capacitor, IVC IV conversion amplifier, AP amplifier, CP comparator, TA1-TA4, TC1-TC4 transistor , RCS, RS sense resistance, RB1, RB2, RC1-RC3 resistance, OPC operational amplifier, TH thermister (temperature detector), 10 power transmission device, 12 power transmission unit, 14 power supply voltage control unit, 16 display unit, 20 control unit , 22 Driver control circuit, 24 Control unit, 30 Communication unit, 32 Current detection circuit, 34 Comparison circuit, 35 Filter unit, 36 Demodition unit, 37 Clock generation circuit, 38 Oscillation circuit, 40 Power receiving device, 50 Control device, 51 Rectifier Control unit, 52 Power receiving unit, 53 Rectifier circuit, 54 Control unit, 55 Communication data generation unit, 56 Load modulation unit, 57 Regulator, 58 Charging unit, 59 CC charging circuit, 60 Discharging unit, 61 Charge pump circuit, 62 Non-volatile Memory, 64 detector, 65 verify sequencer, 66 control circuit, 67 memory cell array, 68 charge pump circuit, 90 battery, 100 power supply target, 500 charger, 502 power adapter, 510 electronic device, 514 switch section

Claims (7)

送電装置と受電装置とを有する無接点電力伝送システムにおける受電側の制御装置であって、
前記送電装置からの電力を受電する受電部が受電した電力に基づいて、バッテリーを充電する充電部と、
充電制御を行う制御部と、
不揮発性メモリーと、
を含み、
前記不揮発性メモリーは、
前記バッテリーの状態情報として、温度異常検出情報と、前記バッテリーの充電回数を表す充電回数情報と、温度異常が検出されたときのバッテリー電圧と、を記憶し、
前記制御部は、前記不揮発性メモリーに前記温度異常検出情報が記憶されていても、前記バッテリー電圧が前記不揮発性メモリーに記憶されているバッテリー電圧よりも所定電圧下がっている場合には、前記不揮発性メモリーに記憶された前記バッテリーの充電回数情報を更新することを特徴とする制御装置。
A control device on the power receiving side in a non-contact power transmission system having a power transmitting device and a power receiving device.
A charging unit that charges the battery based on the power received by the power receiving unit that receives power from the power transmission device, and a charging unit that charges the battery.
A control unit that controls charging and
With non-volatile memory
Including
The non-volatile memory is
As the state information of the battery, the temperature abnormality detection information, the charge number information indicating the charge number of the battery, and the battery voltage when the temperature abnormality is detected are stored.
The control unit is said to be non-volatile when the battery voltage is lower than the battery voltage stored in the non-volatile memory even if the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory. A control device characterized by updating the charge count information of the battery stored in the volatile memory.
請求項において、
負荷変調により、前記送電装置に対して通信データを送信する負荷変調部を含み、
前記負荷変調部は、
温度異常が検出された場合に、前記負荷変調により前記温度異常検出情報を前記送電装置に対して送信することを特徴とする制御装置。
In claim 1 ,
A load modulation unit that transmits communication data to the power transmission device by load modulation is included.
The load modulator
A control device characterized in that when a temperature abnormality is detected, the temperature abnormality detection information is transmitted to the power transmission device by the load modulation.
請求項1又は2において、
前記制御部は、
前記状態情報を前記不揮発性メモリーに記憶する際に、前記状態情報を第1アドレスに書き込んだ後、所与の時間経過後に、前記状態情報を前記第1アドレスとは異なる第2アドレスに書き込むことを特徴とする制御装置。
In claim 1 or 2 ,
The control unit
When storing the state information in the non-volatile memory, the state information is written to the first address, and after a given time elapses, the state information is written to a second address different from the first address. A control device characterized by.
請求項1乃至のいずれかにおいて、
前記不揮発性メモリーは、
前記受電部の出力電圧に基づく電源電圧で動作することを特徴とする制御装置。
In any of claims 1 to 3 ,
The non-volatile memory is
A control device characterized in that it operates at a power supply voltage based on the output voltage of the power receiving unit.
請求項1乃至のいずれかにおいて、
前記不揮発性メモリーは、
前記バッテリーの充電制御情報を記憶することを特徴とする制御装置。
In any of claims 1 to 4 ,
The non-volatile memory is
A control device characterized by storing charge control information of the battery.
請求項1乃至のいずれかに記載の制御装置を含むことを特徴とする電子機器。 An electronic device comprising the control device according to any one of claims 1 to 5. 送電装置と受電装置とを含む無接点電力伝送システムであって、
前記送電装置は、
前記受電装置に電力を送電すると共に、負荷変調により通信データを送信する前記受電装置との間での通信処理を行い、
前記受電装置は、
バッテリーの状態情報を記憶する不揮発性メモリーを有し、前記送電装置から受電した電力と、前記不揮発性メモリーに記憶された前記状態情報とに基づいて、前記バッテリーを充電するとともに、前記負荷変調により、前記送電装置に対して通信データを送信し、
前記受電装置は、
温度異常が検出された場合に、温度異常検出情報を前記状態情報として前記不揮発性メモリーに記憶するとともに、前記負荷変調により前記温度異常検出情報を前記送電装置に対して送信し、
前記送電装置は、
前記受電装置から前記温度異常検出情報を含む前記通信データを受信した場合に、間欠送電により前記受電装置に電力を送電し、
前記受電装置の不揮発性メモリーは、
前記バッテリーの状態情報として、温度異常検出情報と、前記バッテリーの充電回数を表す充電回数情報と、温度異常が検出されたときのバッテリー電圧と、を記憶し、
前記受電装置は、
前記不揮発性メモリーに前記温度異常検出情報が記憶されている場合であっても、前記バッテリー電圧が、前記不揮発性メモリーに記憶されているバッテリー電圧よりも所定電圧下がっている場合には、前記不揮発性メモリーに記憶された前記バッテリーの充電回数情報を更新する充電制御を行なうことを特徴とする無接点電力伝送システム。
A non-contact power transmission system that includes a power transmission device and a power reception device.
The power transmission device
While transmitting power to the power receiving device, communication processing is performed with the power receiving device that transmits communication data by load modulation.
The power receiving device is
It has a non-volatile memory that stores the state information of the battery, charges the battery based on the power received from the power transmission device and the state information stored in the non-volatile memory, and by the load modulation. , Send communication data to the power transmission device,
The power receiving device is
When a temperature abnormality is detected, the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory as the state information, and the temperature abnormality detection information is transmitted to the power transmission device by the load modulation.
The power transmission device
When the communication data including the temperature abnormality detection information is received from the power receiving device, power is transmitted to the power receiving device by intermittent power transmission.
The non-volatile memory of the power receiving device is
As the state information of the battery, the temperature abnormality detection information, the charge number information indicating the charge number of the battery, and the battery voltage when the temperature abnormality is detected are stored.
The power receiving device is
Even when the temperature abnormality detection information is stored in the non-volatile memory, if the battery voltage is lower than the battery voltage stored in the non-volatile memory, the non-volatile memory is used. A non-contact power transmission system characterized by performing charge control for updating the charge count information of the battery stored in the sex memory.
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