JP6870285B2 - 充電装置 - Google Patents
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Description
Current Constant Voltage: 定電流定電圧)充電方式が知られている。CCCV充電方式では、電池電圧が所定の電圧(以下、標準充電電圧と称する)に到達するまでは定電流で充電し、所定電圧に達した後は定電圧で充電する。そして、充電電流がほぼ0に収束した時点で充電が完了する。
定電流充電から定電圧充電へ切り替わる際の判定を行う切替判定回路と、
定電流充電回路及び二次電池の間に挿入された第1のスイッチング回路と、
定電圧充電回路及び二次電池の間に挿入された第2のスイッチング回路とを備え、
切替判定回路は、オペアンプ若しくはコンパレータからなり、ヒステリシス上限電圧と充電電圧がほぼ等しくされたヒステリシス回路であり、
第1及び第2のスイッチング回路のそれぞれは、互いのゲート及びドレインが互いに接続された2つのNチャンネルMOSFETによって構成され、
電池電圧より充電基準電圧が高く、充電基準電圧とNチャンネルMOSFETのゲート閾値電圧の和以上の電圧を印加した場合は第1のスイッチング回路が導通すると共に、第2のスイッチング回路が非導通し、
充電基準電圧より電池電圧が高く、電池電圧とNチャンネルMOSFETのゲート閾値電圧の和以上の電圧を印加した場合は第2のスイッチング回路が導通すると共に、第1のスイッチング回路が非導通するようになされた充電装置である。
切替判定回路は、電池電圧端子と入力端子B間の抵抗R1、入力端子Aとオペアンプ若しくはコンパレータの出力端子間の抵抗R2で電池電圧を分圧した電圧を、入力端子Bに印加し、
充電基準電圧端子と入力端子B間の抵抗R3、入力端子Bとグラウンド端子間の抵抗R4で充電基準電圧を分圧した電圧を、入力端子Aに印加するように構成された充電装置である。
なお、本技術の説明は、下記の順序にしたがってなされる。
<<1.一実施の形態>
<<2.応用例>
<<3.変形例>
「全固体電池」
本技術に使用できる全固体電池について説明する。例えばスマートフォンのようなモバイル機器の電池としてモバイルバッテリが知られている。モバイルバッテリの場合、大容量になるにつれて、大型化したり、重量が重くなるという問題がある。全固体電池、特に薄膜型全固体電池は、薄型化が可能であるので、薄く、軽量のモバイルバッテリを実現することができる。なお、以下の説明では、全固体電池を例に本技術を説明するが、本技術は、全固体電池でないリチウムイオン電池、鉛電池、ニッケル水素電池等の二次電池に対しても適用することができる。
図1は、いわゆるバルク型全固体電池の構成であり、固体電解質層1111と、固体電解質層1111の一方の主面に設けられた正極層1112と、固体電解質層1111の他方の主面に設けられた負極層1113とを備える。この電池は、電極反応物質であるLiの授受により電池容量が繰り返して得られる二次電池であり、リチウムイオンの吸蔵放出により負極の容量が得られるリチウムイオン二次電池であってもよいし、リチウム金属の析出溶解により負極の容量が得られるリチウム金属二次電池であってもよい。
固体電解質層1111は、1種または2種以上の固体電解質を含んでいる。固体電解質は、リチウムイオン伝導体である酸化物ガラスおよび酸化物ガラスセラミックスのうちの少なくとも1種であり、リチウムイオン伝導度の向上の観点からすると、酸化物ガラスセラミックスであることが好ましい。酸化物ガラスおよび酸化物ガラスセラミックスは、大気(水分)に対して高い安定性を有するため、アルミラミネートフィルムなどの外装材を省略できる。外装材を省略した場合には、電池のエネルギー密度を更に向上することができる。固体電解質層1111は、例えば、固体電解質層前駆体としてのグリーンシートの焼成体である。
と、Oとを含む酸化物ガラスおよび酸化物ガラスセラミックスは、300℃以上550℃以下の焼結温度を有し、高い熱収縮率を有し、当該温度範囲において流動性にも富んでいるため、界面抵抗の低減や電池のエネルギー密度の向上などの観点から、有利である。
(亜鉛)、Ga(ガリウム)、Se(セレン)、Rb(ルビジウム)、S(硫黄)、Y
(イットリウム)、Zr(ジルコニウム)、Nb(ニオブ)、Mo(モリブデン)、Ag(銀)、In(インジウム)、Sn(スズ)、Sb(アンチモン)、Cs(セシウム)、Ba(バナジウム)、Hf(ハフニウム)、Ta(タンタル)、W(タングステン)、Pb(鉛)、Bi(ビスマス)、Au(金)、La(ランタン)、Nd(ネオジム)およびEu(ユーロピウム)からなる群より選ばれる少なくとも1種が挙げられる。固体電解質が、これらの添加元素からなる群より選ばれる少なくとも1種を酸化物として含んでいてもよい。
正極層1112は、1種または2類以上の正極活物質と、1種または2類以上の固体電解質とを含んでいる正極活物質層である。固体電解質が、結着剤としての機能を有していてもよい。正極層1112は、必要に応じて導電剤を更に含んでいてもよい。正極層1112は、例えば、正極層前駆体としてのグリーンシートの焼成体である。
、リチウ ム遷移金属リン酸化合物は、例えば、LizM3 PO4 などで表されるものである。より具体的には例えば、リチウム遷移金属リン酸化合物は、LiFePO4 またはLiCoPO4 などである。但し、M1〜M3は1種または2類以上の遷移金属元素であり、x〜zの値は任意である。
ラックとしては、例えば、アセチレンブラック、ケッチェンブラックなどを用いることができる。カーボンナノチューブとしては、例えば、シングルウォールカーボンナノチューブ(SWCNT)、ダブルウォールカーボンナノチューブ(DWCNT)などのマルチウォールカーボンナノチューブ(MWCNT)などを用いることができる。金属としては、例えば、Ni粉末などを用いることができる。金属酸化物としては、例えば、SnO2 などを用いることができる。導電性高分子としては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる1種または2種からなる(共)重合体などを用いることができる。なお、導電剤は、導電性を有する材料であればよく、上述の例に限定されるものではない。
負極層1113は、1種または2類以上の負極活物質と、1種または2類以上の固体電解質とを含んでいる負極活物質層である。固体電解質が、結着剤としての機能を有していてもよい。負極層1113は、必要に応じて導電剤を更に含んでいてもよい。負極層1113は、例えば、負極層前駆体としてのグリーンシートの焼成体である。
(ホウ素)、Ga(ガリウム)、Ge(ゲルマニウム)、Pb(鉛)、Bi(ビスマス)、Cd(カドミウム)、Ag(銀)、Zn(亜鉛)、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Y(イットリウム)、Pd(パラジウム)またはPt(白金)などの単体、合金または化合物のいずれか1種または2類以上である。但し、単体は、純度100%に限らず、微量の不純物を含んでいてもよい。合金または化合物としては、例えば、SiB4 、TiSi2 、SiC、Si3 N4 、SiOv (0<<v≦2)、LiSiO、SnOw(0<<w≦2)、SnSiO3 、LiSnO、Mg2 Snなどが挙げられる。
この電池では、例えば、充電時において、正極層1112から放出されたリチウムイオンが固体電解質層1111を介して負極層1113に取り込まれると共に、放電時において、負極層1113から放出されたリチウムイオンが固体電解質層1111を介して正極層1112に取り込まれる。
図2に示すように、電池が、正極層1112の一主面に設けられた正極集電層1114と、負極層1113の一主面に設けられた負極集電層1115とを更に備えていてもよい。この場合、正極層1112の他主面と負極層1113の他主面との間に固体電解質層1111が設けられる。なお、図示を省略するが、電池が、正極集電層1114および負極集電層1115のうちの一方の層のみを備えるようにしてもよい。
上述した全固体電池は、図3に示すように、プリント回路基板1202上に充電回路等と共に実装することができる。例えばプリント回路基板1202上に全固体電池1203及び充電回路等の電子回路をリフロー工程でもって実装することができる。したがって、モジュールのコンパクト化や省スペース化、製品自体の使用温度の向上が期待できる。プリント回路基板1202上に全固体電池1203及び充電回路等の電子回路が実装されたものを電池モジュール1201と称する。電池モジュール1201は、必要に応じてカード型の構成とされ、携帯可能なカード型モバイルバッテリとして構成することができる。
1.ウェアラブル機器(スポーツウオッチ、時計、補聴器等)
2.IoT(Internet of Things)端末(センサネットワーク端末等)
3.アミューズメント機器(ポータブルゲーム端末、ゲームコントローラ)
4.IC基板埋め込み電池(リアルタイムクロックIC)
5.環境発電機器(太陽光発電、熱電発電、振動発電等の発電素子用の蓄電素子)
プリント回路基板1202上に実装される充放電装置の一例を図4を参照して説明する。二次電池例えばリチウムイオン二次電池の充電方式として定電流充電(以下、CC充電と称する)と定電圧充電(以下、CV充電と称する)を組み合わせたCCCV(Constant
Current Constant Voltage: 定電流定電圧)充電方式が知られている。CCCV充電方式では、電池電圧が所定の電圧(以下、充電基準電圧と称する)に到達するまでは定電流で充電し、充電基準電圧に達した後は定電圧で充電する。そして、充電電流がほぼ0に収束した時点で充電が完了する。
上述した充電装置の各部のより詳細な説明を以下に行う。図5は、切替判定回路1223の一例を示す。図5に示す構成は、オペアンプ(演算増幅器の略で図面ではOP−Ampと表記する。)の反転入力端子に充電基準電圧Vchを供給し、非反転入力端子に電池電圧Vbat を供給し、オペアンプの出力に切り替え制御信号Vswを取り出すようにした構成である。(Vbat >Vch)の関係にある場合は、出力がハイレベル(V+)となり、(Vbat <Vch)の関係にある場合は、出力がローレベル(V−)となる。切り替え制御信号Vswがローレベル(V−)の場合に定電流充電がなされ、切り替え制御信号Vswがハイレベル(V+)の場合に定電圧充電がなされる。
かかる問題に対処するために、図7に示すように、オペアンプによってヒステリシスレベルコンパレータ(以下、単にヒステリシス回路と称する。)を構成する。オペアンプの反転入力端子に対して充電基準電圧Vchが供給され、電池電圧Vbat が抵抗R1を介してオペアンプの非反転入力端子に供給され、オペアンプの出力端子と非反転入力端子の間に抵抗R2が挿入される。かかる構成において、ヒステリシス上限電圧VTU、ヒステリシス下限電圧VTL及びヒステリシス電圧幅VTHは、それぞれ次式で表される。*は乗算を意味する(以下同様)。
VTU=(R1+R2)/R2*Vref −R1/R2*VL (ヒステリシス上限電圧)
VTL=(R1+R2)/R2*Vref −R1/R2*VH (ヒステリシス下限電圧)
Vref (参照電圧)=Vch*R2/(R1+R2)
VL は、コンパレータ若しくはオペアンプの負電源電圧である。
VH は、コンパレータ若しくはオペアンプの正電源電圧である。
上述した問題点を考慮して本技術では、図9に一例を示すように、切替判定回路を構成する。電池電圧Vbat の入力端子とオペアンプの非反転入力端子間の抵抗R1と、オペアンプの非反転入力端子と出力端子間の抵抗R2で分圧された電池電圧がオペアンプの非反転入力端子に対して印加される。
本技術の一実施の形態(図4参照)では、定電圧タイマー回路1234によって、全固体電池1203に対して定電圧充電が継続することによって全固体電池1203の劣化が生じることを防止するようにされている。図11は、電池電圧Vbat の時間変化と、切り替え制御信号Vswの変化を示している。ここで、本技術に係る充電装置は、定電圧充電に入ってから任意の時間をタイマーにて計測する回路を有しており、その時間が経過後、定電圧充電と定電流充電が共に実施されない状態の回路を有し、電池と充電回路が遮断された状態の回路となる。
図12に示すように、本技術の一実施の形態では、充電基準電圧がバッファ回路1222を介して切替判定回路1223に供給される。また、切替判定回路1223に全固体電池1203の電圧がスイッチング回路SW4(図12では省略されている)及びバッファ回路1224を介して供給される。これらのバッファ回路1222及び1224として、オペアンプを用いたボルテージホロア回路が使用される。かかるバッファ回路1222及び1224は、入力インピーダンスが1MΩ以上で高く、出力インピーダンスが10Ωより低いものである。
図13において破線で囲んで示すように、本技術の一実施の形態では、全固体電池1203と並列に抵抗Rc及びコンテンツCcを直列接続した時定数回路が接続されている。若し、時定数回路を設けないと、充放電回路全体の電源投入時に、突入で充電電圧が全固体電池1203に対して印加され、全固体電池1203の電池電圧Vbat が充電基準電圧まで上昇する。その結果、いきなり定電圧充電状態に遷移することが起こりうる。時定数回路を設けることによって突入電流をバイパスできるので、このような問題を回避することができる。一例として、Rc=1kΩ、Cc=10μFとされ、時定数回路の時定数が0.01秒に設定される。さらに、定電流定電圧切り替え時の電圧降下を時定数回路によって緩やかにすることができ、定電流充電から定電圧充電へ確実に切り替わる回路構成となる。
スイッチング回路SW1,SW2,SW3の部分を具体的に図14に破線部分として示す。スイッチング回路SW1としてNチャンネルMOSFET−Q1a(以下単にQ1aと省略する。他のFETについても同様に省略する。)及びQ1bが使用される。Q1a及びQ1bのゲート及びドレインのそれぞれが共通接続され、Q1aのソースが定電流充電回路1232の出力端子と接続され、Q1bのソースがスイッチング回路SW4と接続される。
スイッチング回路SW4の部分を具体的に図15に破線部分として示す。スイッチング回路SW4としてQ4a及びQ4bが使用される。Q4a及びQ4bのゲート及びドレインのそれぞれが共通接続され、Q4aのソースがバッファ回路1224の出力端子とスイッチングSW1及びSW3の出力端子と接続される。さらに、Q4bのソースが全固体電池1203と接続される。共通ゲート端子に対して昇圧回路1231の出力電圧が印加される。
図16において破線で囲んで示すように、スイッチング回路SW5が過充電保護回路1235によって制御され、スイッチング回路SW6が過放電保護回路1236によって制御される。過放電保護回路1236及びスイッチング回路SW6によって、全固体電池1203が過放電電圧以下の場合、その間の放電経路が遮断される。過放電電圧は充電電圧より低い値である。また、電源回路と定電流充電回路、定電圧回路の間の充電経路には過充電保護回路1235を有し、全固体電池が過充電電圧以上の場合、その間の充電経路をスイッチング回路SW5によって遮断する。過充電電圧は充電電圧より高い値である。
「応用例としてのユニバーサルクレジットカード」
以下、本技術をユニバーサルクレジットカードに対して適用した応用例について説明する。現在、複数枚のクレジットカードを持ち歩いている人が多い。しかしながら、クレジットカードの枚数が多くなるほど、紛失、盗難等の危険性が増す問題がある。そこで、複数枚のクレジットカードやポイントカードなどの機能を、1枚のカードに集約した、ユニバーサルクレジットカードと呼ばれるカードが実用化されている。このカードの中には、例えば、様々なクレジットカードやポイントカードの番号や有効期限等の情報を取り込むことができるので、そのカード1枚を財布等の中の入れておけば、好きな時に好きなカードを選択して利用することができる。
以下、本技術をセンサネットワーク端末に対して適用した応用例について説明する。
無線センサネットワークにおける無線端末は、センサノードと呼ばれ、1個以上の無線チップ、マイクロプロセッサ、電源(電池)などにより構成される。センサネットワークの具体例としては、省エネルギー管理、健康管理、工業計測、交通状況、農作業などをモニタするのに使用される。センサの種類としては、電圧、温度、ガス、照度などが使用される。
以下、本技術をリストバンド型電子機器に対して適用した応用例について説明する。
ウェアラブル端末の一例として、リストバンド型電子機器がある。その中でも、リストバンド型活動量計は、スマートバンドとも呼ばれ、腕に巻き付けておくのみで、歩数、移動距離、消費カロリー、睡眠量、心拍数などの人の活動に関するデータを取得することができるものである。さらに、取得されたデータをスマートフォンで管理することもできる。さらに、メールの送受信機能を備えることもでき、例えばメールの着信をLED(Light Emitting Diode)ランプ及び/又はバイブレーションでユーザに知らせる通知機能を有するものが使用されている。
以下、本技術をスマートウオッチに対して適用した応用例について説明する。
スマートウオッチは、既存の腕時計のデザインと同様ないし類似の外観を有し、腕時計と同様にユーザの腕に装着して使用するものであり、ディスプレイに表示される情報で、電話や電子メールの着信などの各種メッセージをユーザに通知する機能を有する。さらに、電子マネー機能、活動量計等の機能を有するスマートウオッチも提案されている。スマートウオッチは、電子機器の本体部分の表面にディスプレイが組み込まれ、ディスプレイに様々な情報が表示される。また、スマートウオッチは、例えば、通信端末(スマートフォン等)とBluetooth(登録商標)などの近距離無線通信を行うことによって、通信端末
等の機能やコンテンツ等と連携することも可能である。
a.FPCの配線及び防水の問題
b.金属筐体によるアンテナの問題
c.バックルの機構と電気接点の問題
以下、この3点の問題を解決する構成の概要を説明する。
電子機器の部品を各セグメントに配置するにあたって、セグメントの間は、FPCで接続される必要がある。しかし、金属製のバンドをユーザの腕に取り付けるように曲げると、FPCの外側に応力がかかるため、FPCが切れることがある。そこで、蛇行形状を設けることにより、FPCが切れることを防止する。また、本応用例の電子機器は、腕時計に取り付けることを前提にしたスマートウオッチであるので、防水性を確保しながら蛇行形状を設ける必要がある。そこで本応用例では、各セグメントの間に、時計のバンドならでは部品である「つがい部品」という小さなセグメントが用意される。
金属製のバンドは、内部にアンテナを入れると、アンテナからの電波が外に出ないという問題がある。本発明では、金属製のバンドの1つの筐体(部品)に、Bluetooth(登録商標)用のアンテナと、NFC(Near Field Communication)用のアンテナを配置する。アンテナを入れた部品は、他の部品からアンテナ特性に影響を与えないように、隣接する他の部品との間に絶縁体を挟むようにする。
金属製のバンドによるスマートウオッチでは、バックルと重なる位置に配置される一番大型の部品に基板が配置されるため、バックルが、通常の腕時計用のバックルよりも厚くなってしまう。また、バックル内は、FPCを通すことが困難である。したがって、バックルで接続された一方のセグメントと他方のセグメントとの間は、電気的な接続ができないという問題がある。
図23にスマートウオッチの全体構成を示す。
バンド型電子機器2000は、時計本体3000に取り付けられる金属製のバンドであり、ユーザの腕に装着される。時計本体3000は、時刻を表示する文字盤3100を備える。時計本体3000は、文字盤3100の代わりに、液晶ディスプレイなどで電子的に時刻を表示してもよい。
図25は、バンド型電子機器2000の内部構成の一部を示す。例えば3個のセグメント2170,2180,2190、2200、2210の内部を示す。バンド型電子機器2000では、連続した5個のセグメント2170〜2210の内部にフレキシブル回路基板2400が配置される。セグメント2170内には、種々の電子部品が配置され、セグメント2190,2210にはバッテリ2411,2421が配置され、これらの部品がフレキシブル回路基板2400で電気的に接続される。セグメント2170とセグメント2190との間のセグメント2180は、比較的小さなサイズであり、蛇行状態のフレキシブル回路基板2400が配置される。セグメント2180の内部では、防水部材に挟まれた状態でフレキシブル回路基板2400が配置される。なお、セグメント2170〜2210の内部は、防水構造としてある。セグメント2170〜2210の防水構造については後述する。
図26は、バンド型電子機器2000の回路構成を示すブロック図である。バンド型電子機器2000の内部の回路は、時計本体3000とは独立した構成である。時計本体3000は、文字盤3100に配置された針を回転させるムーブメント部3200を備える。ムーブメント部3200には、バッテリ3300が接続されている。これらのムーブメント部3200やバッテリ3300は、時計本体3000の筐体内に内蔵されている。
通信を行う。NFC通信部4104は、NFC規格で、近接したリーダー/ライタと無線通信を行う。GPS部4106は、GPS(Global Positioning System)と称されるシ
ステムの衛星からの電波を受信して、現在位置の測位を行う測位部である。これらの無線通信部4102,NFC通信部4104,GPS部4106で得たデータは、データ処理部4101に供給される。
図25は、電子部品などが配置されるセグメント2170〜2210と、セグメント2170と連結されたバックル部2300の構成を示す。セグメント2170〜2210は、蓋部材(図示しない)を開けた状態で示す。それぞれのセグメント2170〜2210を構成する筐体は、ステンレスなどの金属で形成される。
図27は、フレキシブル回路基板2400が、セグメント2170〜2190の内部に配置される状態を断面で示す。フレキシブル回路基板2400は、各セグメント2170〜2190の内部に連続して配置される。図27に示すように、フレキシブル回路基板2400は、セグメント2170の連結部2171と、セグメント2180の連結部2183との内部を通過する。この場合、連結部2171の内部には、フレキシブル回路基板2400が通過する箇所に防水部材2174が配置され、セグメント2170の内部への水の浸入が阻止される。また、セグメント2170の内部筐体2500にも、防水部材2175が配置される。
図28は、セグメント2190内に、バッテリ2411が配置される状態を示す。セグメント2210内に、バッテリ2421が配置される構成も、同じである。セグメント2190の内部のバッテリ配置箇所2191に、バッテリ2411が配置される。このとき、バッテリ配置箇所2191とバッテリ2411との間に、接着シート2703が配置される。
以下、本技術を頭部装着型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ(HMD)に代表されるメガネ型端末に適用した応用例について説明する。
以下に説明するメガネ型端末は、目の前の風景にテキスト、シンボル、画像等の情報を重畳して表示することができるものである。すなわち、透過式メガネ型端末専用の軽量且つ薄型の画像表示装置ディスプレイモジュールを搭載している。
を反射して液晶表示装置5151へと導き、且つ、液晶表示装置5151によって反射された光の一部を通過させてコリメート光学系5112へと導く偏光ビームスプリッター5152から構成されている。なお、LCDは、LCOSタイプに限定されない。
Θ=90°−(φ+ψ) (B)
本開示を車両用の蓄電システムに適用した例について、図34を参照して説明する。図34に、本開示が適用されるシリーズハイブリッドシステムを採用するハイブリッド車両の構成の一例を概略的に示す。シリーズハイブリッドシステムはエンジンで動かす発電機で発電された電力、あるいはそれをバッテリに一旦貯めておいた電力を用いて、電力駆動力変換装置で走行する車である。
本開示を住宅用の蓄電システムに適用した例について、図35を参照して説明する。例えば住宅9001用の蓄電システム9100においては、火力発電9002a、原子力発電9002b、水力発電9002c等の集中型電力系統9002から電力網9009、情報網9012、スマートメータ9007、パワーハブ9008等を介し、電力が蓄電装置9003に供給される。
これと共に、家庭内発電装置9004等の独立電源から電力が蓄電装置9003に供給される。蓄電装置9003に供給された電力が蓄電される。蓄電装置9003を使用して、住宅9001で使用する電力が給電される。住宅9001に限らずビルに関しても同様の蓄電システムを使用できる。
格の名称である。
以上、本技術の一実施の形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の一実施の形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料及び数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料及び数値などを用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。
1209・・・負荷、1223・・・定電流充電/定電圧充電切替判定回路、
1232・・・定電流充電回路、1233・・・定電圧充電回路、
1234・・・定電圧タイマー回路、1235・・・過充電保護回路、
1236・・・過放電保護回路、SW1〜SW6・・・スイッチング回路
Claims (13)
- 二次電池に対して定電流充電を行い、且つ、前記二次電池の電池電圧が充電基準電圧に達すると定電圧充電に切り替えることが可能な充電装置であって、
定電流充電から定電圧充電へ切り替わる際の判定を行う切替判定回路と、
定電流充電回路及び前記二次電池の間に挿入された第1のスイッチング回路と、
定電圧充電回路及び前記二次電池の間に挿入された第2のスイッチング回路とを備え、
前記切替判定回路は、オペアンプ若しくはコンパレータからなり、ヒステリシス上限電圧と充電電圧がほぼ等しくされたヒステリシス回路であり、
前記第1及び第2のスイッチング回路のそれぞれは、互いのゲート及びドレインが互いに接続された2つのNチャンネルMOSFETによって構成され、
前記電池電圧より前記充電基準電圧が高く、前記充電基準電圧と前記NチャンネルMOSFETのゲート閾値電圧の和以上の電圧を印加した場合は前記第1のスイッチング回路が導通すると共に、前記第2のスイッチング回路が非導通し、
前記充電基準電圧より前記電池電圧が高く、前記電池電圧と前記NチャンネルMOSFETのゲート閾値電圧の和以上の電圧を印加した場合は前記第2のスイッチング回路が導通すると共に、前記第1のスイッチング回路が非導通するようになされた充電装置。 - オペアンプ若しくはコンパレータの反転入力端子を入力端子Aとし、非反転入力端子を入力端子Bとし、
前記切替判定回路は、電池電圧端子と入力端子B間の抵抗R1、入力端子Aとオペアンプ若しくはコンパレータの出力端子間の抵抗R2で電池電圧を分圧した電圧を、入力端子Bに印加し、
充電基準電圧端子と入力端子B間の抵抗R3、入力端子Bとグラウンド端子間の抵抗R4で充電基準電圧を分圧した電圧を、入力端子Aに印加するように構成された請求項1に記載の充電装置。 - 前記ヒステリシス上限電圧と前記充電基準電圧を一致させるための分圧抵抗値の値は、(R1:R2=R3:R4)を満たし、且つ、その両者の抵抗比の差の許容値は(+/−)1%以内である請求項2に記載の充電装置。
- 前記ヒステリシス回路のヒステリシス上限電圧とヒステリシス下限電圧の差は、前記二次電池の内部抵抗と定電流充電電流値を掛け合わせた電圧ΔV1以上である請求項1に記載の充電装置。
- 充電状態が定電圧充電に移行してから任意の時間が経過した後、前記二次電池と充電回路が遮断された状態となる請求項1に記載の充電装置。
- 前記任意の時間が経過した後、前記二次電池の電圧が自然放電、若しくは、負荷への接続により低下し、ヒステリシス下限電圧以下になった時点で再度、定電流充電に切り替わるように構成された請求項5に記載の充電装置。
- 前記電池電圧と前記充電基準電圧は、オペアンプを用いたボルテージフォロア回路の構成とされたバッファ回路を介して、前記オペアンプ若しくはコンパレータの各入力端子に供給されるようにした請求項1に記載の充電装置。
- 前記二次電池に並列に時定数回路が接続された請求項1に記載の充電装置。
- 前記第1及び第2のスイッチング回路と前記二次電池の間に挿入され、未充電時において、前記二次電池を定電流充電回路と定電圧充電回路から確実に切り離すためのスイッチング回路として、互いのゲート及びドレインが互いに接続された2つのNチャンネルMOSFETの組を有し、
共通ゲート端子に対して、電源電圧が供給され、前記電源電圧が前記電池電圧若しくは前記充電基準電圧の高い方の電圧と、NチャンネルMOSFETのゲート閾値電圧の和以上の電圧の場合に導通し、前記電源電圧がそれ以下の電圧に低下した場合は非導通とされる請求項1に記載の充電装置。 - 前記二次電池と負荷の間の放電経路に過放電保護回路を有し、前記二次電池が充電基準電圧より低い過放電電圧以下の場合、放電経路を遮断するようにした請求項1に記載の充電装置。
- 電源回路と定電流充電回路の間、および、電源回路と定電圧充電回路の間の少なくとも一つの経路に過充電保護回路を有し、前記二次電池が充電基準電圧より高い過充電基準電圧以上の場合、充電経路を遮断するようにした請求項1に記載の充電装置。
- 二次電池は、−100℃〜200℃の範囲で電池構成材料が流動性を有しない固体状態の充電可能な全固体二次電池である請求項1に記載の充電装置。
- 前記全固体二次電池に使用する固体電解質は、酸化物、硫化物又は錯体水素化物から構成される請求項12に記載の充電装置。
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