JP6870532B2 - Temperature measurement sensor film and its manufacturing method, and temperature measurement method for long substrates using the temperature measurement sensor film - Google Patents
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Description
本発明は、ロールツーロール方式で搬送される長尺基板に熱負荷のかかる処理を施す際の該長尺基板の温度を測定するセンサフィルム及びその製造方法、並びに該温度測定センサフィルムを用いた長尺基板の温度測定方法に関する。 The present invention uses a sensor film for measuring the temperature of a long substrate conveyed by a roll-to-roll method when a heat load is applied, a method for manufacturing the same, and the temperature measurement sensor film. The present invention relates to a method for measuring the temperature of a long substrate.
液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話等の電子機器には、耐熱性樹脂フィルム上に所定の回路パターンを有する配線回路が形成されたフレキシブル配線基板が用いられている。このフレキシブル配線基板は、樹脂フィルムの片面もしくは両面に金属膜を成膜した金属膜付樹脂フィルムに対してフォトリソグラフィーやエッチング等の薄膜技術で金属膜をパターニング加工することによって作製することができる。 Electronic devices such as liquid crystal panels, notebook computers, digital cameras, and mobile phones use flexible wiring substrates in which wiring circuits having a predetermined circuit pattern are formed on a heat-resistant resin film. This flexible wiring substrate can be produced by patterning a metal film on a resin film with a metal film having a metal film formed on one side or both sides of the resin film by a thin film technique such as photolithography or etching.
上記の金属膜付樹脂フィルムの製造方法としては、金属箔を接着剤により樹脂フィルムに貼り付けて製造する方法(3層基板の製造方法)、金属箔に樹脂溶液をコーティングした後、乾燥させて製造する方法(キャスティング法)、樹脂フィルムに真空成膜法単独で、又は真空成膜法と湿式めっき法との併用で金属膜を成膜して製造する方法(メタライジング法)等が知られている。 The above-mentioned method for producing a resin film with a metal film includes a method of attaching a metal foil to a resin film with an adhesive (a method of producing a three-layer substrate), a method of coating a metal foil with a resin solution, and then drying the film. Known methods include a manufacturing method (casting method), a method of forming a metal film on a resin film by the vacuum film forming method alone, or a combined use of the vacuum film forming method and a wet plating method (metalizing method). ing.
上記の製造方法のうち、メタライジング法における真空成膜法では、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタリング法等が用いられている。例えばスパッタリング法としては、特許文献1にポリイミド絶縁層の上にクロムをスパッタリングした後、銅をスパッタリングすることで導体層を形成する方法が開示されている。また、特許文献2には銅ニッケル合金をターゲットとするスパッタリングにより形成された第1の金属薄膜と、銅をターゲットとするスパッタリングにより形成された第2の金属薄膜とがこの順にポリイミドフィルム上に積層されたフレキシブル回路基板用材料が開示されている。 Among the above-mentioned manufacturing methods, in the vacuum film forming method in the metallizing method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam sputtering method and the like are used. For example, as a sputtering method, Patent Document 1 discloses a method of forming a conductor layer by sputtering chromium on a polyimide insulating layer and then sputtering copper. Further, in Patent Document 2, a first metal thin film formed by sputtering targeting a copper-nickel alloy and a second metal thin film formed by sputtering targeting copper are laminated on a polyimide film in this order. Materials for flexible circuit boards have been disclosed.
上記の真空成膜法でポリイミドフィルム等の樹脂フィルムに金属膜を成膜して金属膜付樹脂フィルムを作製する場合は、長尺樹脂フィルムをロールツーロール方式で連続的に搬送しながら効率よく真空成膜することが可能なスパッタリングウェブコータと称する真空成膜装置が一般的に用いられている。例えば特許文献3には、スパッタリングウェブコータの一例である巻出巻取式(ロールツーロール方式)の真空スパッタリング装置が開示されている。なお、ロールツーロール方式で金属膜付樹脂フィルムを作製する場合は、金属膜の密着力を向上させるため、長尺樹脂フィルムに対して成膜前にイオンビーム処理等により表面処理を施したり、ヒーターで加熱して乾燥したりすることが行われている。 When a metal film is formed on a resin film such as a polyimide film by the above vacuum film forming method to produce a resin film with a metal film, the long resin film is efficiently conveyed while being continuously conveyed by a roll-to-roll method. A vacuum film forming apparatus called a sputtering web coater capable of forming a vacuum film is generally used. For example, Patent Document 3 discloses a unwinding and winding type (roll-to-roll type) vacuum sputtering apparatus which is an example of a sputtering web coater. When producing a resin film with a metal film by the roll-to-roll method, in order to improve the adhesion of the metal film, the long resin film may be surface-treated by ion beam treatment or the like before film formation. It is heated by a heater and dried.
特許文献3に示すようなスパッタリングウェブコータによるスパッタリング成膜や密着力を向上させるための表面処理等のプロセスでは、樹脂フィルムに大きな熱負荷がかかることが知られており、その影響を調べるため、樹脂フィルムの温度を測定することが試みられてきた。樹脂フィルムの温度測定法には、例えば様々な温度に加熱された中で最大の温度に対応する色に変色するサーモラベル(登録商標)を使用した測定等を採用することがあった。このように、熱負荷のかかる処理が施される時の樹脂フィルムの温度変化を把握することは、樹脂フィルムの乾燥状態やシワの入り易さ、更には樹脂フィルムの温度による寸法変化を検討する上で重要な情報になる。 It is known that a large heat load is applied to the resin film in processes such as sputtering film formation by a sputtering web coater and surface treatment for improving adhesion as shown in Patent Document 3, and in order to investigate the influence thereof, Attempts have been made to measure the temperature of the resin film. As a method for measuring the temperature of a resin film, for example, measurement using a thermolabel (registered trademark) that changes color corresponding to the maximum temperature among those heated to various temperatures may be adopted. In this way, in order to grasp the temperature change of the resin film when the treatment under heat load is applied, the dry state of the resin film, the easiness of wrinkling, and the dimensional change due to the temperature of the resin film are examined. It will be important information above.
しかしながら、上記のサーモラベル等による温度測定では、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルムの経時的な温度変化を測定することができなかった。そこでサーモラベルに代えて熱電対を用いて樹脂フィルムの温度を測定することが考えられるが、その取り付け方によっては長尺樹脂フィルムの搬送時の張力が不安定になったり、キャンロールの外周面への長尺樹脂フィルムの密着が阻害されたりするおそれがあった。本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、ロールツーロール方式で搬送されながら熱負荷のかかる処理が施される長尺状の樹脂フィルムの経時的な温度変化を測定することが可能な温度測定センサを提供することを目的にしている。 However, in the temperature measurement using the thermolabel or the like described above, it was not possible to measure the temperature change over time of the long resin film conveyed by the roll-to-roll method. Therefore, it is conceivable to measure the temperature of the resin film using a thermocouple instead of the thermolabel, but depending on how it is attached, the tension during transportation of the long resin film may become unstable, or the outer peripheral surface of the canroll may be measured. There was a risk that the adhesion of the long resin film to the film would be hindered. The present invention has been made in view of such conventional problems, and measures the temperature change over time of a long resin film that is subjected to a heat-loaded treatment while being conveyed by a roll-to-roll method. It is an object of the present invention to provide a temperature measurement sensor capable of performing.
上記目的を達成するため、本発明の長尺基板の温度測定センサフィルムは、巻出ロールから巻取ロールまでロールツーロール方式で搬送されながら熱負荷のかかる処理が施される長尺基板の長手方向の中間部分に介在する温度測定センサフィルムであって、前記巻出ロール又は前記巻取ロールから前記処理が施される部位までの搬送距離よりも長い長尺状のベースフィルムと、該ベースフィルムの長手方向に沿って端から端まで延在する少なくとも1対の薄膜状導電層からなる熱電対と、該少なくとも1対の熱電対を覆うカバーフィルムとから構成されることを特徴としている。 In order to achieve the above object, the temperature measurement sensor film of the long substrate of the present invention is the length of the long substrate to which a heat load is applied while being conveyed from the unwinding roll to the winding roll by a roll-to-roll method. A temperature measurement sensor film interposed in the middle portion of the direction, which is a long base film longer than the transport distance from the unwinding roll or the winding roll to the portion to be treated, and the base film. It is characterized in that it is composed of a thermocouple composed of at least one pair of thin-film conductive layers extending from one end to the other along the longitudinal direction of the above, and a cover film covering the at least one pair of thermocouples.
また、本発明の長尺基板の温度測定方法は、巻出ロールから巻取ロールまでロールツーロール方式で搬送されながら熱負荷のかかる処理が施される長尺基板の温度測定方法であって、前記巻出ロール又は前記巻取ロールから前記処理が施される部位までの搬送距離よりも長い少なくとも1対の薄膜状導電層からなる熱電対を前記長尺基板の長手方向に沿って絶縁状態が確保されるように延在させ、該少なくとも1対の熱電対の測温接点部とは反対側の端部に離脱可能に接続する延出部を介して前記巻出ロール又は前記巻取ロールに設けられている信号伝達手段に熱起電力を伝達しながら前記長尺基板を搬送することを特徴としている。 Further, the method for measuring the temperature of a long substrate of the present invention is a method for measuring the temperature of a long substrate in which a heat load is applied while being conveyed from a winding roll to a winding roll by a roll-to-roll method. A thermocouple composed of at least one pair of thin-film conductive layers longer than the transport distance from the unwinding roll or the winding roll to the portion to be treated is insulated along the longitudinal direction of the long substrate. To the unwinding roll or the winding roll via an extension that extends to ensure that it is detachably connected to the end opposite the temperature measuring contact of the at least one pair of thermocouples. It is characterized in that the long substrate is conveyed while transmitting a thermocouple to a signal transmitting means provided.
更に、本発明の長尺基板の温度測定センサフィルムの製造方法は、巻出ロールから巻取ロールまでロールツーロール方式で搬送されながら熱負荷のかかる処理が施される長尺基板と同じ幅を有する長尺状のベースフィルムを用意し、その長手方向の端から端に延在する少なくとも1対の熱電対用の薄膜状導電層を成膜し、該成膜後のベースフィルムのうち巻出ロール又は前記巻取ロールから前記処理が施される部位までの搬送距離よりも長い長尺部を残してその端部を切り取り、前記切り取った端部から前記少なくとも1対の薄膜状導電層の各対の一端部同士を接続させる測温接点部及び該一端部とは反対側の他端部に接続させる引出部をそれぞれ切り出し、これら測温接点部及び引出部を裏返して前記長尺部の薄膜状導電層の両端部にそれぞれ接続させた後、前記長尺部の薄膜状導電層をカバーフィルムで覆うことを特徴としている。 Further, the method for manufacturing the temperature measurement sensor film of the long substrate of the present invention has the same width as that of the long substrate which is subjected to a heat load process while being conveyed from the unwinding roll to the winding roll by a roll-to-roll method. A long base film to be held is prepared, at least one pair of thin conductive layers for thermocouples extending from one end to the other in the longitudinal direction are formed, and the base film after the formation is unwound. Cut off the end of the roll or the take-up roll, leaving a long portion longer than the transport distance to the portion to be treated, and each of the at least one pair of thin conductive layers from the cut end. A temperature measuring contact portion for connecting one end of a pair and a drawer for connecting to the other end opposite to the one end are cut out, and the temperature measuring contact and the drawer are turned over to form a thin film of the long portion. After connecting to both ends of the conductive layer, the long thin conductive layer is covered with a cover film.
本発明によれば、ロールツーロール方式で搬送される長尺基板に熱負荷のかかる処理を施す際の該長尺基板の経時的な温度変化を測定することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to measure a time-dependent temperature change of a long substrate conveyed by a roll-to-roll method when a heat-loaded process is applied to the long substrate.
(1)長尺樹脂フィルムの処理装置
先ず、本発明の長尺基板の温度測定センサフィルム及びこれを用いた長尺基板の温度測定方法を好適に適用可能なロールツーロール方式(巻出巻取式)の真空成膜装置について説明する。この真空成膜装置は、真空チャンバー内において巻出ロールからキャンロールを経て巻取ロールに至る搬送経路に沿って耐熱性の樹脂フィルムなどの長尺基板を搬送する各種ロール群からなる搬送手段と、該巻出ロールから巻出された長尺基板を乾燥処理する乾燥手段と、該乾燥処理された長尺基板にイオンビーム等で表面処理を施す表面処理手段と、該表面処理された長尺基板をキャンロールに巻き付けて裏側から冷却しながら表側にスパッタリング成膜を行う成膜手段とで主に構成されている。かかる構成により、巻出ロールから巻取ロールまでロールツーロール方式で搬送される長尺基板に対して、乾燥工程、表面処理工程、及び成膜工程からなる一連の熱負荷のかかる処理を施すことができる。
(1) Processing device for long resin film First, a roll-to-roll method (roll-to-roll winding) to which the temperature measurement sensor film of the long substrate of the present invention and the temperature measurement method of the long substrate using the sensor film can be suitably applied. The vacuum film forming apparatus of the formula) will be described. This vacuum film forming apparatus is a transport means composed of various roll groups for transporting a long substrate such as a heat-resistant resin film along a transport path from a unwind roll to a take-up roll in a vacuum chamber. , A drying means for drying the long substrate unwound from the unwinding roll, a surface treatment means for subjecting the dried long substrate with an ion beam or the like, and the surface-treated long substrate. It is mainly composed of a film forming means for winding a substrate around a can roll and performing a sputtering film formation on the front side while cooling from the back side. With this configuration, a long substrate transported from the unwinding roll to the winding roll by a roll-to-roll method is subjected to a series of heat-loaded treatments including a drying step, a surface treatment step, and a film forming step. Can be done.
図1を参照しながら具体的に説明すると、真空成膜装置を構成する上記の各種手段が納められている真空チャンバーは、巻出室110a、イオンビーム室110b、成膜室110c、及び巻取室110dの4つに仕切られている。長尺基板Fは、先ず巻出室110a内の巻出ロール111から巻き出され、張力センサロール112を経由してヒーターボックス113内に導かれる。ヒーターボックス113内には長尺基板Fを挟んで対向する1対のヒーター114a、114bが納められており、これにより長尺基板Fの加熱乾燥が行われる。この加熱乾燥は長尺基板Fに熱負荷がかかる処理であるので、この熱負荷に起因する問題が生じないようにするため、加熱乾燥時に長尺基板Fがどの程度まで昇温するのか把握するのが好ましい。
More specifically with reference to FIG. 1, the vacuum chamber in which the above-mentioned various means constituting the vacuum film forming apparatus is housed includes an
ヒーター114a、114bで加熱乾燥された長尺基板Fは、フリーロール115を経由して巻出室110aを出る。長尺基板Fは次にイオンビーム室110bに入り、ここでフリーロール116を経由して冷却ロール117の外周面に巻き付けられる。この冷却ロール117の外周面に対向するように、イオンビーム源を備えたイオンビーム発生装置118が設けられている。これにより、長尺基板Fは裏側から冷却されながら表側の成膜面にイオンビーム処理が施される。なお、このイオンビーム処理に代えて酸素プラズマや窒素プラズマで長尺基板の処理を行うプラズマ処理により表面処理を行ってもよい。
The long substrate F heat-dried by the
なお、上記のイオンビーム処理は、強い磁場を印加した磁場ギャップでプラズマ放電を発生させて、プラズマ中の陽イオンを陽極による電解でイオンビームとして長尺基板に照射して表面処理するものである。一方、プラズマ処理は、例えばアルゴンと酸素の混合ガス又はアルゴンと窒素の混合ガスによる減圧雰囲気下において放電を行うことにより、酸素プラズマ又は窒素プラズマを発生させて長尺基板を表面処理するものである。長尺基板が樹脂フィルムの場合は、これらイオンビーム処理やプラズマ処理等で表面処理を行うことによりフィルム表面が改質されるので、後工程の成膜工程において皮膜の密着性を高めることができる。しかし、これらイオンビーム処理やプラズマ処理は、いずれも長尺基板Fに熱負荷がかかる処理であるので、この熱負荷に起因する問題が生じないようにするため、長尺基板Fがどの程度まで昇温するのか把握するのが好ましい。 In the above ion beam treatment, a plasma discharge is generated in a magnetic field gap to which a strong magnetic field is applied, and cations in the plasma are irradiated to a long substrate as an ion beam by electrolysis with an anode to perform surface treatment. .. On the other hand, in the plasma treatment, for example, oxygen plasma or nitrogen plasma is generated by performing discharge in a reduced pressure atmosphere with a mixed gas of argon and oxygen or a mixed gas of argon and nitrogen to surface-treat a long substrate. .. When the long substrate is a resin film, the surface of the film is modified by surface treatment such as ion beam treatment or plasma treatment, so that the adhesion of the film can be improved in the film forming process of the subsequent step. .. However, since these ion beam treatments and plasma treatments are both processes in which a heat load is applied to the long substrate F, to what extent the long substrate F is used in order to prevent problems caused by this heat load. It is preferable to know whether the temperature rises.
上記のイオンビーム処理で表面処理された長尺基板Fは、フリーロール119を経由してイオンビーム室110bを出た後、成膜室110cに入る。ここで長尺基板Fはフリーロール120、張力センサロール121、及び前フィードロール122を経て回転駆動式のキャンロール123に導かれる。キャンロール123を構成する円筒部材は、その内側に冷却水などの冷媒が循環する流路が設けられており、キャンロール123の外周面上の搬送経路に巻き付いた長尺基板Fを裏面側から冷却できるようになっている。
The long substrate F surface-treated by the above ion beam treatment exits the
このキャンロール123の外周面に対向するように、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード130、131、132、133がこの順に搬送経路に沿って設けられている。これにより、長尺基板Fは裏面から冷却されながら表面に連続的にスパッタリング成膜が施される。このスパッタリング成膜も長尺基板Fに熱負荷がかかる処理であるので、この熱負荷に起因する問題が生じないようにするため、該スパッタリング成膜時に長尺基板Fがどの程度まで昇温するのか把握するのが好ましい。
キャンロール123の外周面上でのスパッタリング成膜を終えた長尺基板Fは、後フィードロール124、張力センサロール125、及びフリーロール126を経由して成膜室110cを出る。成膜室110cを出た長尺基板Fは最後に巻取室110dに入り、ここでフリーロール127及び張力センサロール128を経由して巻取ロール129で巻き取られる。
The long substrate F that has completed the sputtering film formation on the outer peripheral surface of the can roll 123 leaves the
上記したような真空成膜装置でスパッタリング成膜を行う場合は、先ず真空チャンバー内を到達圧力10−4Pa程度まで減圧した後、スパッタリングガスを導入して0.1〜10Pa程度に圧力調整することが行われる。この場合のスパッタリングガスにはアルゴンなど公知のガスが使用され、目的に応じて更に酸素などのガスが添加される。なお、成膜室110cにおいてスパッタリング処理に代えてCVD(化学蒸着)や蒸着処理による真空成膜を行ってもよく、この場合は板状ターゲットを備えた上記のマグネトロンスパッタリングカソード130〜133の代わりに他の成膜手段が設けられる。
When performing sputtering film formation with the vacuum film forming apparatus as described above, first, the pressure inside the vacuum chamber is reduced to about 10 -4 Pa, and then a sputtering gas is introduced to adjust the pressure to about 0.1 to 10 Pa. Is done. A known gas such as argon is used as the sputtering gas in this case, and a gas such as oxygen is further added depending on the purpose. In the
上記した各張力センサロールで測定した長尺基板Fの張力に基づいて巻出ロール111、前フィードロール122、後フィードロール124、及びキャンロール123の回転数を制御することによって所定の張力で長尺基板Fを搬送しながら各種の処理を行うことができる。なお、図1に示す真空成膜装置は巻出室110aにおいて乾燥手段としてヒーター114a、114bを用いて加熱乾燥を行っているが、これに限定するものではなく、減圧下で使用可能な種々の公知の乾燥手段を用いて乾燥してもよい。また、図1の真空成膜装置には長尺基板Fの搬送方向を変えるために必要に応じて設けられるフリーロールや真空排気設備は図示していない。
By controlling the rotation speeds of the unwinding
上記した真空成膜装置においてロールツーロール方式で長尺基板Fとして樹脂フィルムを搬送しながらスパッタリング成膜を施すことで金属膜付樹脂フィルムを作製することができる。かかる金属膜付樹脂フィルムとしては、例えば樹脂フィルムの表面にNi系合金等からなるシード層とも称する薄膜導電層と、Cu等からなる厚膜導電層とが積層された積層構造体を挙げることができる。このような積層構造の金属膜付樹脂フィルムに対して、例えばサブトラクティブ法によるパターニング加工を施すことによりフレキシブル配線基板が得られる。なお、サブトラクティブ法とは、レジストで覆われていない金属膜をエッチングにより除去してフレキシブル配線基板を製造する方法である。 A resin film with a metal film can be produced by performing sputtering film formation while transporting a resin film as a long substrate F in the above-mentioned vacuum film forming apparatus by a roll-to-roll method. Examples of such a resin film with a metal film include a laminated structure in which a thin film conductive layer also called a seed layer made of a Ni-based alloy or the like and a thick film conductive layer made of Cu or the like are laminated on the surface of the resin film. it can. A flexible wiring board can be obtained by subjecting such a resin film with a metal film having a laminated structure to a patterning process by, for example, a subtractive method. The subtractive method is a method for manufacturing a flexible wiring board by removing a metal film not covered with a resist by etching.
上記のシード層の組成は、金属膜付樹脂フィルムの電気絶縁性や耐マイグレーション性等の所望の特性により適宜定められるが、一般的にはNi−Cr合金、インコネル、コンスタンタン、モネル等の公知の合金が使用される。このシード層の上に成膜したCu等からなる厚膜導電層は、一般的な湿式めっき法を用いることで更に厚くすることができる。湿式めっき法には電気めっき処理のみで金属膜を形成する場合と、無電解めっき処理からなる一次めっき及び電解めっき処理等からなる二次めっきを組み合わせて行う場合とがある。なお、上記した真空成膜装置では金属膜の成膜のほか、酸化物膜、窒化物膜、炭化物膜等を成膜することができ、この場合も後述する温度測定センサフィルム及びこれを用いた温度測定方法を適用することができる。 The composition of the seed layer is appropriately determined depending on desired properties such as electrical insulation and migration resistance of the resin film with a metal film, but is generally known such as Ni—Cr alloy, Inconel, Constantan, and Monel. Alloys are used. The thick film conductive layer made of Cu or the like formed on the seed layer can be further thickened by using a general wet plating method. The wet plating method may be performed by forming a metal film only by electroplating or by combining primary plating consisting of electroless plating and secondary plating consisting of electrolytic plating. In addition to forming a metal film, the above-mentioned vacuum film forming apparatus can form an oxide film, a nitride film, a carbide film, etc. In this case as well, a temperature measurement sensor film described later and the same are used. A temperature measuring method can be applied.
上記の金属膜付樹脂フィルムに用いられる樹脂フィルムには、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用いることができるが、ポリイミドフィルムのような耐熱性樹脂フィルムを用いるのがより好ましい。耐熱性樹脂フィルムには、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムなどがあり、具体的な材質は、金属膜付フレキシブル基板としての柔軟性、実用上必要な強度、配線材料として好適な電気絶縁性等の観点から適宜選択される。なお、後述する本発明の一具体例の温度測定センサフィルム及びこれを用いた温度測定を好適に適用可能な長尺基板は上記の樹脂フィルムに限定されるものではなく、金属箔や金属ストリップであってもよい。 A polyethylene terephthalate (PET) film can be used as the resin film used for the resin film with a metal film, but it is more preferable to use a heat-resistant resin film such as a polyimide film. The heat-resistant resin film includes a polyimide film, a polyamide film, a polyester film, a polytetrafluoroethylene film, a polyphenylene sulfide film, a polyethylene naphthalate film, a liquid crystal polymer film, and the like. , It is appropriately selected from the viewpoints of flexibility as a flexible substrate with a metal film, strength required for practical use, electrical insulation suitable as a wiring material, and the like. The temperature measurement sensor film of a specific example of the present invention described later and the long substrate to which the temperature measurement using the same can be suitably applied are not limited to the above resin film, but may be a metal foil or a metal strip. There may be.
(2)温度測定センサフィルム
次に、上記したような真空成膜装置においてロールツーロール方式で長尺基板Fを搬送しながら該長尺基板Fに熱負荷のかかる様々な処理を施す際に、該長尺基板Fの温度変化を測定することが可能な本発明の一具体例の温度測定センサフィルム及びこれを用いた温度測定方法について説明する。図2に示すように、この本発明の一具体例の温度測定センサフィルム10は、前述したスパッタリングウェブコータのような真空成膜装置においてロールツーロール方式で搬送される長尺基板Fの長手方向の中間部分に介在することで温度測定を行うものである。
(2) Temperature measurement sensor film Next, in the vacuum film forming apparatus as described above, when the long substrate F is conveyed by the roll-to-roll method and various treatments that apply a heat load are applied to the long substrate F. A temperature measurement sensor film of a specific example of the present invention capable of measuring the temperature change of the long substrate F and a temperature measurement method using the same will be described. As shown in FIG. 2, the temperature
具体的に説明すると、本発明の一具体例の温度測定センサフィルム10は、前述した真空成膜装置においてロールツーロール方式で搬送されながら熱負荷のかかる処理が施される長尺基板Fと同じ幅を有し、且つ該真空成膜装置の巻出ロール111から熱負荷のかかる処理が行われる部位までの搬送距離よりも長い例えば樹脂フィルムからなる長尺状のベースフィルム11と、このベースフィルム11の長手方向(MD方向)に沿ってほぼ端から端まで延在する3対の薄膜状の熱電対20、30、40と、これら熱電対20〜40を覆う好適にはラミネートフィルムからなるカバーフィルム50とから構成されている。これらベースフィルム11及びカバーフィルム50は、上記長尺基板Fとほぼ同等又はそれ以下の単位面積当たりの熱容量を有することが好ましく、よって、それらの合計厚みは該長尺基板Fと同じかそれ以下であることが望ましい。また、ベースフィルム11の材質は長尺基板Fと同じであるのが好ましい。
More specifically, the temperature
なお、熱電対の数は3対に限定されるものではなく、1又は2対でもよいし、4対以上でもよいが、熱電対の数が多ければ長尺基板Fの幅方向の温度分布をより細かく把握することができる。また、この本発明の一具体例の温度測定センサフィルム10における上記のベースフィルム11の長さは、後述する信号伝達手段を巻出ロール111に設ける場合を想定したものであり、当該信号伝達手段を巻取ロール129に設ける場合は、長尺状のベースフィルム11の長さを熱負荷のかかる処理が行われる部位から巻取ロール129までの搬送距離よりも長くする必要がある。
The number of thermocouples is not limited to three, but may be one or two, or four or more, but if the number of thermocouples is large, the temperature distribution in the width direction of the long substrate F may be increased. It can be grasped in more detail. Further, the length of the
上記の熱電対20〜40の材質は特に限定はないが、以降の説明では+極用及び−極用の材料に一般的なクロメル及びアルメルをそれぞれ採用する場合について説明する。これら3対の熱電対20〜40は、それぞれベースフィルム11の長手方向(MD方向)のほぼ端から端まで延在するアルメル延在部21、31、41及びクロメル延在部22、32、42と、搬送方向の上流側端部において各対の隣接するアルメル延在部及びクロメル延在部に接続するアルメルの測温接点部23、33、43と、搬送方向の下流側端部において該アルメル延在部21、31、41及びクロメル延在部22、32、42にそれぞれ接続するアルメル引出部24、34、44及びクロメル引出部25、35、45とからなる。
The materials of the
なお、これらアルメル引出部24、34、44及びクロメル引出部25、35、45は、ベースフィルム11の幅方向に延在しており、上記のアルメル延在部21、31、41及びクロメル延在部22、32、42と接続する一端部とは反対側の他端部は、ベースフィルム11の幅方向の一方の縁部に並んでいる。また、これらアルメル引出部24、34、44及びクロメル引出部25、35、45が互いに物理的に干渉しないように、上記のアルメル延在部21、31、41及びクロメル延在部22、32、42は、上記のベースフィルム11の幅方向の一方の縁部側に配置されるに従って、それらの端部とベースフィルム11の長手方向の端部との離間距離が徐々に大きくなっている。
The
このように、上記のベースフィルム11の長手方向の端部との離間部分を除いてベースフィルム11の長手方向にほぼ端から端まで延在する熱電対20〜40は、前述したように、その測温接点部とは反対側の末端部がベースフィルム11の幅方向の縁部に位置しており、ここに後述する補償導線等の延出部が離脱可能に接続する。そのため、これら熱電対20〜40の末端部はカバーフィルム50から露出している。なお、カバーフィルムの形状は図2に限定されるものではなく、長尺基板Fに対して熱負荷のかかる処理を施す装置の構成によっては異なる形状を有してもよい。すなわち、熱電対20〜40の短絡の問題を防ぐためには、ロールツーロールの搬送経路のうち熱処理が施される部位と金属製ロールとの間の搬送距離よりもカバーフィルムの長手方向の長さが長ければ絶縁状態が確保されるため、この条件を満たす場合は、図3に示すカバーフィルム150のように、熱電対20〜40の搬送方向の下流側端部を覆っていなくてもよい。
As described above, the
(3)温度測定センサフィルムの製造方法
次に、図4(a)〜(c)を参照しながら、上記した本発明の一具体例の温度センサフィルム10の製造方法について、熱電対20〜40の材質がクロメル(+極)及びアルメル(−極)の場合を例に挙げて説明する。先ず、ロールツーロールで搬送しながら熱負荷のかかる処理が施される温度測定対象としての長尺基板と同じ幅を有し、且つ巻出ロールから熱負荷がかけられる部位までの搬送距離に、後述する測温接点部及び引出部用の切り取り部を足した長さを有する例えば樹脂フィルムからなるベースフィルム1を用意する。
(3) Method for manufacturing temperature sensor film Next, with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (c), regarding the method for manufacturing the
なお、より正確な温度測定のためには単位面積当たりの熱容量が小さい方が好ましいので、このベースフィルム1と、その表面に形成した熱電対を覆うように貼り付けられる後述するカバーフィルム5との合計厚みは、上記した熱負荷のかかる処理が施される長尺基板の厚みと同じかそれ以下であることが望ましい。また、この本発明の一具体例の温度測定センサフィルム10における上記のベースフィルム1の長さは、後述する信号伝達手段を巻出ロール111に設ける場合を想定したものであり、当該信号伝達手段を巻取ロール129に設ける場合は、長尺状のベースフィルム1の長さを熱負荷のかかる処理が行われる部位から巻取ロール129までの搬送距離に後述する測温接点部及び引出部用の切り取り部を足した長さよりも長くする必要がある。
Since it is preferable that the heat capacity per unit area is small for more accurate temperature measurement, the base film 1 and the cover film 5 to be attached so as to cover the thermocouple formed on the surface thereof are used. It is desirable that the total thickness is equal to or less than the thickness of the long substrate to which the above-mentioned heat-loaded treatment is applied. Further, the length of the base film 1 in the temperature
このベースフィルム1の一方の面に、乾式めっき単独で、又は乾式めっきと湿式めっきの併用で図4(a)に示すようなベースフィルム1の長手方向の端から端まで延在する薄膜状の3対の熱電対用のアルメル導電層2A、3A、4A及びクロメル導電層2B、3B、4Bを形成する。具体的には、先ずベースフィルム1の片面にその長手方向に延在する3本のアルメル導電層2A、3A、4A用の直線状パターンを有するマスキング層を形成し、スパッタリングや物理蒸着などの乾式めっき法又は該乾式めっき法と湿式めっき法の併用により3本の直線状のアルメル導電層2A、3A、4Aを成膜する。次に、上記と同様にしてクロメル導電層2B、3B、4B用の直線状パターンを有するマスキング層を形成し、乾式めっき単独又は乾式めっき法と湿式めっき法の併用により3本の直線状のクロメル導電層2B、3B、4Bを成膜する。なお、上記のアルメル導電層2A、3A、4Aとクロメル導電層2B、3B、4Bの成膜の順序は逆でも良い。
A thin film extending from one end of the base film 1 in the longitudinal direction as shown in FIG. 4A on one surface of the base film 1 by dry plating alone or by using dry plating and wet plating in combination. It forms three pairs of alumel
上記マスキング層の形成は、レジストの塗布及びリソグラフィからなる一般的な方法でもよいし、粘着シートをベースフィルム1の全面に貼り付けてからアルメル導電層2A、3A、4A又はクロメル導電層2B、3B、4Bの成膜部分のみをカッター等でいわゆるハーフカットで除去してもよい。また、単純な直線状パターンから構成されるので、帯状の粘着テープをアルメル導電層2A、3A、4A又はクロメル導電層2B、3B、4Bの成膜部分を除いて貼り付けることでマスキング層を形成することもできる。
The masking layer may be formed by a general method consisting of resist coating and lithography, or after the pressure-sensitive adhesive sheet is attached to the entire surface of the base film 1, the alumel
あるいは、ロールツーロール方式のスパッタリングウェブコータを用いてアルメル導電層2A、3A、4A及びクロメル導電層2B、3B、4Bを成膜することもできる。この場合は、ベースフィルム1が成膜時に巻き付けられるキャンロールの外周面とターゲットとの間に、アルメル導電層2A、3A、4A又はクロメル導電層2B、3B、4Bの成膜用スパッタ粒子が通過する開口部を有する例えば金属板からなるマスク部材を配置することで、マスキング層を設けることなくアルメル導電層2A、3A、4A及びクロメル導電層2B、3B、4Bを形成することができる。
Alternatively, a roll-to-roll sputtering web coater can be used to form the alumel
次に、図4(b)に示すように、上記にて形成したアルメル導電層2A、3A、4A及びクロメル導電層2B、3B、4Bを有するベースフィルム1を点線の位置でカットする。このようにカットすることで、図2に示すアルメル延在部21、31、41及びクロメル延在部22、32、42を有し、一端部に斜部を有する長尺部Aと、該長尺部Aの上記一端部とは反対側の他端部において各対の隣接するクロメル延在部とアルメル延在部とを接続する測温接点部23、33、43をそれぞれ有する3つのアルメル片Bと、アルメル引出部24、34、44及びクロメル引出部25、35、45を有し、上記長尺部Aの斜部と同じ傾斜角の斜部を有する三角形部Cとを切り出す。
Next, as shown in FIG. 4B, the base film 1 having the alumel
次に、図4(c)に示すように、上記の3つのアルメル片Bを裏返してそれらの3対の両端部をそれぞれ長尺部A上の3対の熱電対用の隣接するアルメル導電層及びクロメル導電層の端部に接続する。その際、ポリイミド耐熱テープ等の接着テープや接着剤で長尺部Aにアルメル片Bを貼り付けるのが好ましい。更に、三角形部Cを裏返して、その斜部のアルメル導電層及びクロメル導電層の端部が、それぞれ長尺部Aの斜部のアルメル導電層及びクロメル導電層の端部に交差するように位置合わせしながらそれら斜部同士を重ね合わせる。その際、上記と同様に長尺部Aと三角形部Cとを接着テープや接着剤で貼り合わせるのが好ましい。なお、アルメル片Bや三角形部Cを接着剤で張り付ける場合は、導電部の通電が阻害されないようにするため、導電部が成膜されていない部分にのみ接着剤を塗布する。 Next, as shown in FIG. 4 (c), the above three alumel pieces B are turned inside out, and both ends of the three pairs of the alumel pieces B are placed on the long portion A, respectively, and the adjacent alumel conductive layers for three pairs of thermocouples. And connect to the end of the chromel conductive layer. At that time, it is preferable to attach the alumel piece B to the long portion A with an adhesive tape such as a polyimide heat-resistant tape or an adhesive. Further, the triangular portion C is turned upside down, and the ends of the alumel conductive layer and the chromel conductive layer at the inclined portion are positioned so as to intersect the ends of the alumel conductive layer and the chromel conductive layer at the inclined portion of the elongated portion A, respectively. Overlay those diagonals while aligning. At that time, it is preferable to attach the long portion A and the triangular portion C with an adhesive tape or an adhesive in the same manner as described above. When the alumel piece B or the triangular portion C is attached with an adhesive, the adhesive is applied only to the portion where the conductive portion is not formed so as not to obstruct the energization of the conductive portion.
これにより、ベースフィルム11の片面に薄膜状の熱電対20〜40を形成することができる。ところで、巻出ロールから温度測定が行われる部位までの搬送経路に上記熱電対20〜40が設けられている側の面に接する金属製ロールが設けられていると、熱電対20〜40に短絡が生じて正確な温度測定ができなくなる。また、熱電対20〜40の上から金属膜がスパッタリング成膜されると同様に短絡が生ずることになる。これを防ぐため、ベースフィルム11のうち、熱電対20〜40が設けられている面に、好ましくはベースフィルム11と同じ材質からなる例えばラミネートフィルムからなるカバーフィルム50を貼り付ける。なお、後述するようにアルメル引出部24、34、44及びクロメル引出部25、35、45の端部には補償導線等の延出部が接するので、これら端部はカバーフィルム50から露出させる。これにより、図2に示すような温度測定センサフィルム10を作製することができる。
As a result, thin-
(4)温度測定センサフィルムを用いた温度測定方法
次に、上記した温度測定センサフィルム10の使用方法について説明する。先ず図5に示すように、上記にて作製した温度測定センサフィルム10において熱電対20〜40の測温接点部23、33、43が設けられている側の一端部に上流側長尺基板F1を接続し、この一端部とは反対側の他端部に下流側長尺基板F2を接続する。これら温度測定センサフィルム10と上流側及び下流側長尺基板F1、F2との接続は、前述したポリイミド耐熱テープなどの接着テープや接着剤を用いて貼り合わせることができる。なお、上記のように別途作製した温度測定センサフィルム10に上流側及び下流側長尺基板F1、F2を貼り合わせることに代えて、長尺基板の長さ方向(MD方向)の中間部分に直接上記した薄膜状の熱電対20〜40を成膜し、これら熱電対20〜40を覆うようにカバーフィルム50を貼り付けてもよい。
(4) Temperature Measurement Method Using Temperature Measurement Sensor Film Next, the method of using the temperature
次に図6に示すように、この下流側長尺基板F2の温度測定センサ10が接続している側とは反対側の端部を巻出ロールの巻出コア61に取り付けて、温度測定センサフィルムと共に上流側及び下流側長尺基板F1、F2を巻出コア61に巻き取る。この巻き取りの途中で、カバーフィルム50から露出する前述したアルメル引出部24、34、44及びクロメル引出部25、35、45の端部にそれぞれ接する6本の補償導線等の延出部62を挟み込む。これにより、巻出ロールから温度測定センサフィルムがすべて巻き出された時に、温度測定センサフィルム10から延出部62は外れるので長尺基板の搬送が阻害されることはない。なお、延出部62を接着テープ等で上記のアルメル引出部24、34、44及びクロメル引出部25、35、45の露出部分に簡単に貼り付けておいてもよい。
Next, as shown in FIG. 6, the end portion of the downstream long substrate F2 opposite to the side to which the
図7に示すように、延出部62の上記の巻出ロールに巻き込まれる側とは反対側の端部は、例えば長尺基板の巻き出し時に回転する接触式スリップリングを内蔵した信号伝達手段63に接続することで図示しない計測機に熱電対20〜40の熱起電力の信号を送ることができる。また、接触式に代えて図8に示すような非接触式データ伝送装置内蔵の信号伝達手段64及び受信機65を介して計測機に熱起電力の信号を送ってもよい。
As shown in FIG. 7, the end portion of the
なお、上記の説明では、長尺基板の搬送方向の中間部分に介在している温度測定センサフィルム10を巻出ロールから巻出しながら温度を測定するものであり、図2に示す熱電対20〜40におけるアルメル延在部21、31、41及びクロメル延在部22、32、42の長さは、巻出ロールの巻出部から熱負荷のかかる処理が施される部位までの搬送距離、すなわち、図1の真空成膜装置の場合は巻出ロール111からマグネトロンスパッタリングカソード133までの搬送距離よりも長くする必要があるが、これに限定されるものではなく、温度測定センサフィルム10を巻取ロールに巻き取りながら温度を測定してもよい。この場合は、図2に示す熱電対20〜40におけるアルメル延在部21、31、41及びクロメル延在部22、32、42の長さは、熱負荷のかかる処理が施される部位から巻取ロールまでの搬送距離よりも長くする必要があり、例えば図1の真空成膜装置の場合は、ヒーター114a、114bに対向する位置から巻取ロール129までの搬送距離よりも長くする必要がある。
In the above description, the temperature is measured while unwinding the temperature
この温度測定方法により、スパッタリングウェブコータ等のように樹脂フィルム等の長尺基板をロールツーロールで搬送しながら乾燥処理のためのヒーター、成膜される金属膜の密着強度を向上させるイオンビーム処理、及びスパッタリング成膜処理等の熱負荷のかかる処理を次々施す場合であっても、これら熱負荷のかかる処理による長尺基板の温度上昇を正しく測定することが可能になる。よって、ロールツーロール方式で搬送される際の長尺基板の乾燥状態やシワが生じやすい状況であるか等の情報を正確に把握できるので、より好適な条件下で成膜等の熱負荷のかかる処理を行うことができるので高品質の金属膜付樹脂フィルムを高い歩留まりで作製することができる。 By this temperature measurement method, a heater for drying treatment and an ion beam treatment for improving the adhesion strength of a metal film to be formed while transporting a long substrate such as a resin film in a roll-to-roll manner like a sputtering web coater or the like. , And even when heat-bearing treatments such as sputtering film-forming treatments are performed one after another, it is possible to accurately measure the temperature rise of the long substrate due to these heat-loading treatments. Therefore, it is possible to accurately grasp information such as whether the long substrate is in a dry state or in a state where wrinkles are likely to occur when it is conveyed by the roll-to-roll method. Since such a treatment can be performed, a high-quality resin film with a metal film can be produced with a high yield.
図2に示すような温度計測フィルムセンサ10を長尺基板としての長尺状の樹脂フィルムの長手方向の中間部分に介在させ、該樹脂フィルムを図1に示すようなスパッタリングウェブコータを用いてロールツーロール方式で搬送しながらその温度を測定した。図1の装置では、長尺基板Fの搬送経路のうち、巻出ロール111からイオンビーム照射装置118によるイオンビーム処理が施される部位までの搬送距離は約3m、当該イオンビーム処理が施される部位からキャンロール123の外周面の最上部までの搬送距離は約3m、キャンロール123は直径0.8mなので外周面の円周は約2.4m、キャンロール123の上記外周面の最上部から巻取ロール129までの搬送距離は約4mである。従って巻出ロール111から巻取ロール129までの長尺基板Fのロールツーロールの搬送経路の全長は約12.4mである。なお、本実施例ではヒーターボックス113内のヒーター114a、114bは起動させなかった。よって、長尺基板Fは上記の搬送経路を搬送される間にイオンビーム照射装置118によるイオンビーム処理、及びマグネトロンスパッタリングカソード130〜133によるスパッタ処理によって熱負荷がかかる処理が施される。すなわち、長尺基板Fの温度が上昇するのはこれらイオンビーム処理とスパッタ成膜の時である。
A temperature
温度計測フィルムセンサ10のベースフィルム11には長さ約10m、幅500mm、厚さ12.5μmのポリイミドフィルムを用い、カバーフィルム50としてのラミネートフィルムには、長さ約10m、幅495mm、厚さ12.5μmのポリイミドフィルムを用いた。この幅方向の中央部に1対のクロメル−アルメルからなる熱電対を形成した。すなわち、図2に示す熱電対30のみを形成し、その両側の熱電対20、40は形成しなかった。この熱電対30の起電力の伝達には図7に示すような接触式スリップリング64を採用した。温度計測フィルムセンサ10の上流側と下流側に各々長さ約20m、フィルム幅500mm、厚さ25μmのポリイミドフィルムをリードフィルムとしてポリイミド耐熱テープで接続して、これを巻出ロール111のコアに巻きつけた。
A polyimide film having a length of about 10 m, a width of 500 mm, and a thickness of 12.5 μm is used for the
この熱電対30のアルメル引出部34及びクロメル引出部35の末端部は、カバーフィルム50から露出させ、これら露出部に補償導線を挟み込んだ。そして、これら補償導線において露出部に挟み込む側とは反対側の他端部を、接触式スリップリング64のコアシャフトに接続した。そして、この接触式スリップリング64の非回転側から延出する配線64aをフィードスルー端子により真空チャンバーの外部へ出し、温度変換器(熱電対電圧アンプ)を経由してAD変換機器に接続し、データをパソコンに取り込めるようにした。
The end portions of the
次に巻出室110a、表面処理室110b、成膜室110c、及び巻取室110dの各室内を1×10−3Paになるまで排気し、樹脂フィルムFを搬送速度1m/minで搬送させながら、導入ガスがアルゴンからなるイオンビーム照射装置118と4個のマグネトロンスパッタリングカソード130〜133に電力を印加した。なお、これら4個のマグネトロンスパッタリングカソード130〜133のターゲットには、Ni−Crターゲット1本とCuターゲット3本をそれぞれ取り付けておいた。また、イオンビーム照射装置118に対向する冷却ロール117とマグネトロンスパッタリングカソード130〜133に対向するキャンロール123には内部に10℃の冷却水を循環させた。
Next, the unwinding
このようにしてロールツーロールで搬送しながら温度測定を行った。その結果を図9に示す。図に示す温度測定時間180秒の最初のピークはイオンビームに起因する樹脂フィルムの昇温であり、その後の温度測定時間360〜500秒のほぼ同じ昇温レベルの4つのピークはスパッタ成膜に起因する樹脂フィルムの昇温度である。また、最後に温度測定時間590秒で温度が低下しているのは、温度測定センサフィルムから補償導線が外れたためである。このように温度測定センサフィルムを用いることで、ロールツーロールで搬送される長尺基板に対して施される熱負荷のかかる処理による昇温を正確に測定できることが分かる。 In this way, the temperature was measured while transporting by roll-to-roll. The result is shown in FIG. The first peak of the temperature measurement time of 180 seconds shown in the figure is the temperature rise of the resin film due to the ion beam, and the four peaks of the temperature measurement time of 360 to 500 seconds after that are almost the same temperature rise level for spatter film formation. It is the temperature rise of the resin film caused by this. Finally, the temperature drops at the temperature measurement time of 590 seconds because the compensating lead wire has come off from the temperature measurement sensor film. By using the temperature measurement sensor film in this way, it can be seen that the temperature rise due to the heat-loaded process applied to the long substrate conveyed by roll-to-roll can be accurately measured.
1 ベースフィルム
5 ラミネートフィルム(カバーフィルム)
2A、3A、4A アルメル導電層
2B、3B、4B クロメル導電層
10 温度測定センサフィルム
11 ベースフィルム
20、30、40 熱電対
21、31、41 アルメル延在部
22、32、42 クロメル延在部
23、33、43 測温接点部
24、34、44 アルメル引出部
25、35、45 クロメル引出部
50 ラミネートフィルム(カバーフィルム)
A 長尺部
B アルメル片
C 三角形部
F 長尺基板(樹脂フィルム)
F1 上流側長尺基板
F2 下流側長尺基板
61 巻出コア
62 延出部
63 信号伝達手段(接触式スリップリング内蔵コアシャフト)
64 信号伝達手段(非接触式データ伝送機器内蔵コアシャフト)
65 伝送機器受信機
110a 巻出室
110b 表面処理室
110c 成膜室
110d 巻取室
111 巻出ロール
112、121、125、128 張力センサロール
113 ヒーターボックス
114a、114b ヒーター
115、116、119、120、126、127 フリーロール
117 冷却ロール
118 イオンビーム照射装置
122 前フィードロール
123 キャンロール
124 後フィードロール
129 巻取ロール
130、131、132、133 マグネトロンスパッタリングカソード
1 Base film 5 Laminated film (cover film)
2A, 3A, 4A Alumel
A long part B alumel piece C triangular part F long substrate (resin film)
F1 upstream long board F2 downstream
64 Signal transmission means (core shaft with built-in non-contact data transmission equipment)
65
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017160135A JP6870532B2 (en) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | Temperature measurement sensor film and its manufacturing method, and temperature measurement method for long substrates using the temperature measurement sensor film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017160135A JP6870532B2 (en) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | Temperature measurement sensor film and its manufacturing method, and temperature measurement method for long substrates using the temperature measurement sensor film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019039707A JP2019039707A (en) | 2019-03-14 |
| JP6870532B2 true JP6870532B2 (en) | 2021-05-12 |
Family
ID=65725675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017160135A Expired - Fee Related JP6870532B2 (en) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | Temperature measurement sensor film and its manufacturing method, and temperature measurement method for long substrates using the temperature measurement sensor film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6870532B2 (en) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5354690U (en) * | 1976-10-13 | 1978-05-10 | ||
| JPS59104707U (en) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | 松本 昭二 | Laminator with heating roller temperature detection device |
| JPH0198950U (en) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | ||
| JPH0387621A (en) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Nippon Steel Corp | Temperature detector for strip |
| JP2005321260A (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Casio Comput Co Ltd | Temperature distribution measuring sheet and temperature distribution measuring method using the same |
| US20050257822A1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Bed-Check Corporation | Silk-screen thermocouple |
| JP2007085880A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Thin thermocouple and manufacturing method thereof |
| JP2012185094A (en) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Temperature sensor |
| JP5777500B2 (en) * | 2011-12-12 | 2015-09-09 | 新日鐵住金株式会社 | Data measuring apparatus and data measuring method for pallet of sintering machine |
-
2017
- 2017-08-23 JP JP2017160135A patent/JP6870532B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019039707A (en) | 2019-03-14 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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