JP6872244B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本技術は、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子等の発光素子を用いた表示装置に関する。

各画素に発光領域と非発光領域とを設けた表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。非発光領域は、発光領域に比べて可視光透過性が高くなっている。発光領域からは、発光素子で発生した光が取り出され、非発光領域からは、例えば、外光が取り出される。

このような表示装置に用いられる有機ＥＬ素子等の発光素子は、例えば、第１電極と第２電極との間に発光層を有している。

特開２０１５−７９７５８号公報

有機ＥＬ素子等の発光素子を用いる表示装置では、各画素の発光領域から十分な光を取り出すことが望まれている。

したがって、各画素の発光領域から十分な光を取り出すことが可能な表示装置を提供することが望ましい。

本技術の一実施の形態に係る表示装置は、各々が、第１方向に沿って発光領域および非発光領域を有し、第１方向および第１方向に交差する第２方向に並んで配置された複数の画素と、複数の画素各々の発光領域に設けられた第１電極と、第１方向に交差する第２方向に隣り合う画素の間に設けられた隔壁と、基板と、画素内および、隣り合う画素の間の少なくとも一方の、発光領域および非発光領域の境界近傍に配置された短絡抑制層とを備えている。各画素は、非発光領域を除く領域であって、かつ前記発光領域に設けられた第１電極と、第１電極を覆うとともに発光領域および非発光領域に連続して設けられた発光層と、発光層を間にして第１電極に対向する第２電極と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆うとともに、薄膜トランジスタと第１電極との接続孔を有する絶縁層とを有している。各画素において、非発光領域は当該非発光領域を透過した外光を取り出すことの可能な構成となっており、発光領域は発光層から発せられた光を取り出すことの可能な構成となっている。基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁層、第１電極、発光層および第２電極がこの順に設けられている。短絡抑制層は、第１電極の表面および端部を覆っており、さらに、発光領域および非発光領域の境界近傍から非発光領域に延在しており、非発光領域を覆っている。

本技術の一実施の形態に係る表示装置では、発光層が、発光領域および非発光領域に連続して設けられているので、各発光領域での発光層の厚みのばらつきが抑えられる。

本技術の一実施の形態に係る表示装置によれば、発光領域および非発光領域に連続して発光層を設けるようにしたので、発光層の厚みのばらつきに起因した有効発光領域の減少を抑えることができる。よって、各画素の発光領域から十分な光を取り出すことが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の一実施の形態に係る表示装置の全体構成を表すブロック図である。 図１に示した画素の配置を表す模式図である。 図２に示した画素のより具体的な構成を表す平面模式図である。 図３に示したＡ−Ａ’線に沿った断面構成を表す模式図である。 図３に示したＢ−Ｂ’線に沿った断面構成を表す模式図である。 図３に示した画素の構成の他の例（１）を表す平面模式図である。 図３に示した画素の構成の他の例（２）を表す平面模式図である。 図４Ａ，４Ｂに示した有機層の構成の一例を表す断面模式図である。 図１等に示した表示装置の製造方法の一例を工程順に表す流れ図である。 比較例に係る表示装置の構成を表す平面模式図である。 図９に示したＡ−Ａ’線に沿った断面構成を表す模式図である。 変形例に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。 図１１に示した短絡抑制層の構成の他の例を表す断面模式図である。 電子機器の構成を表すブロック図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（発光領域および非発光領域に連続して発光層が設けられた表示装置）
２．変形例（発光領域および非発光領域の境界近傍に短絡抑制層を有する例）
２．適用例（電子機器の例）

＜１．実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を模式的に表したものである。表示装置１は、例えば、有機電界発光素子（有機ＥＬ素子１０）を用いた有機ＥＬディスプレイ等であり、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型（トップエミッション型）の表示装置である。この表示装置１は、中央の表示領域１０Ａと、この表示領域１０Ａの外側の周辺領域１０Ｂとを有している。

表示領域１０Ａには、２次元配置された複数の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが設けられている。この表示領域１０Ａには、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像が表示される。周辺領域１０Ｂには、例えば、表示領域１０Ａを駆動するための回路部（走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５）が設けられている。表示領域１０Ａから周辺領域１０Ｂにわたって、例えば、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に沿って延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に沿って延在する複数の電源線ＤＳＬとが設けられている。各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、走査線ＷＳＬを介して走査線駆動部３に、信号線ＤＴＬを介して信号線駆動部４に、電源線ＤＳＬを介して電源線駆動部５に各々電気的に接続されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素Ｐｉｘ）を構成する。

図２は、図１に示した画素Ｐｉｘ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）の平面構成の一例を表したものである。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの各面形状は、例えば矩形状を有し、全体としてストライプ状を成して配置されている。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの矩形状の長辺に沿った方向（列方向，図２のＹ方向）では、同じ発光色の画素が並んで配置されている。画素ｐｒは、赤色（Ｒ）の表示を行うものであり、画素ｐｇは、例えば緑色（Ｇ）の表示を行うものであり、画素ｐｂは、例えば青色（Ｂ）の表示を行うものである。これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂはそれぞれ、有機ＥＬ素子１０を含む画素回路ＰＸＬＣを有している（図１）。

以下では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素Ｐ」と称して説明を行う。

画素回路ＰＸＬＣは、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂにおける発光および消光を制御するものであり、例えば有機ＥＬ素子１０と、保持容量Ｃｓと、書き込みトランジスタＷｓＴｒと、駆動トランジスタＤｓＴｒとを含んで構成されている。尚、ここでは、画素回路ＰＸＬＣとして、２Ｔｒ１Ｃの回路構成を例示するが、画素回路ＰＸＬＣの構成はこれに限定されるものではない。画素回路ＰＸＬＣは、この２Ｔｒ１Ｃの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい。

書き込みトランジスタＷｓＴｒは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に対する、映像信号（信号電圧）の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタＷｓＴｒは、走査線ＷＳＬへの印加電圧に応じて信号線ＤＴＬの電圧（信号電圧）をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタＤｓＴｒは、有機ＥＬ素子１０に直列に接続されており、書き込みトランジスタＷｓＴｒによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子１０に流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型またはｐチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により形成される。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。

書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極は、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線ＤＴＬに接続され、他方の電極が駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線ＤＳＬに接続され、他方の電極が有機ＥＬ素子１０のアノード（後述の第１電極１４）に接続されている。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極と有機ＥＬ素子１０側の電極との間に挿入されている。

走査線ＷＳＬは、表示領域１０Ａに配置された複数の画素Ｐを行毎に選択するための選択パルスを、各画素Ｐに供給するためのものである。この走査線ＷＳＬは、走査線駆動部３の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極とに接続されている。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号パルス（信号電位Ｖsigおよび基準電位Ｖofs）を、各画素Ｐへ供給するためのものである。この信号線ＤＴＬは、信号線駆動部４の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線ＤＳＬは、各画素Ｐに、電力として固定電位（Ｖcc）を供給するためのものである。この電源線ＤＳＬは、電源線駆動部５の出力端（図示せず）と、後述の駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機ＥＬ素子１０のカソード（後述の第２電極１７）は、共通電位線（カソード線）に接続されている。

走査線駆動部３は、各走査線ＷＳＬに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Ｖth補正、信号電位Ｖsigの書き込み、移動度補正および発光動作等の各動作を、各画素Ｐに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部４は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬに出力するものである。電源線駆動部５は、各電源線ＤＳＬに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部４に入力される。

以下に、表示装置１の具体的な構成を説明する。

図３は、図２に示した表示装置１の画素Ｐ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）の構成を、より具体的に表したものである。図４Ａは図３のＡ−Ａ’線、図４Ｂは図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面構成を各々表している。図４Ａ，図４Ｂには、画素ｐｒの断面構成を示すが、画素ｐｇ，ｐｂも、これと同様の断面構成を有している。

画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは各々、長辺方向（列方向，図３のＹ方向，第１方向）に沿って、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２を有している。換言すれば、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２により画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが構成されている。長辺方向に交差する短辺方向（行方向，図３のＸ方向，第２方向）に隣り合う画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの間（画素ｐｒと画素ｐｇとの間、画素ｐｇと画素ｐｂとの間、画素ｐｂと画素ｐｒとの間）には、隔壁１５が設けられている。発光領域Ｒ１には、有機ＥＬ素子１０が設けられており、有機ＥＬ素子１０で発生した光が発光領域Ｒ１から取り出されるようになっている。非発光領域Ｒ２は、発光領域Ｒ１の光透過率よりも高い光透過率を有する領域であり、例えば外光が非発光領域Ｒ２から取り出されるようになっている。この非発光領域Ｒ２は、外光等を取り出すために、意図的に設けられた領域であり、例えば、発光領域Ｒ１と略同じ大きさの面積を有している。非発光領域Ｒ２の面積は、発光領域Ｒ１の面積よりも小さくなっていてもよいが、この非発光領域Ｒ２は、意図せずに生じた非発光の領域を含むものではない。

表示装置１は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１に、対向する第１基板１１および第２基板２１の間に封止された有機ＥＬ素子１０を有している。表示装置１は、第１基板１１上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）１２と、このＴＦＴ１２を覆う絶縁層１３を有している。有機ＥＬ素子１０は、絶縁層１３上に設けられ、絶縁層１３に近い位置から、第１電極１４、有機発光材料（後述の発光層１６３）を含む有機層１６および第２電極１７を有している。隔壁１５は、第１電極１４と第２電極１７との間に設けられている（図４Ｂ）。有機ＥＬ素子１０上には、例えば、保護層１８が設けられ、この保護層１８上に封止層２３を介して第２基板２１が貼り合わされている。第２基板２１の、第１基板１１との対向面には、例えばカラーフィルタ層２２が設けられている。

各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの非発光領域Ｒ２には、第１基板１１、絶縁層１３、有機層１６、第２電極１７、保護層１８、封止層２３および第２基板２１がこの順に設けられている。

第１基板１１は、例えばガラス，石英，シリコン，樹脂材料または金属板等により構成されている。樹脂材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などが挙げられる。

ＴＦＴ１２は、例えば図１に示した駆動トランジスタＤｓＴｒに相当するものであり、例えば、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１に設けられている。このＴＦＴ１２は、例えば、第１基板１１上の選択的な領域に、半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に有している。半導体層には、例えば酸化物半導体材料を用いることができる。ゲート電極、ゲート絶縁膜およびゲート電極を覆う層間絶縁膜が設けられ、ＴＦＴ１２は、この層間絶縁膜上に一対のソース・ドレイン電極を有している。このソース・ドレイン電極は、層間絶縁膜に設けられた接続孔（図示せず）を通じて、半導体層に電気的に接続されている。一対のソース・ドレイン電極のうちの一方は、絶縁層１３に設けられた接続孔Ｈ１を通じて、第１電極１４に電気的に接続されている。ここでは、ＴＦＴ１２として、いわゆるトップゲート構造のものを説明したが、これに限定されるものではなく、ＴＦＴ１２はいわゆるボトムゲート構造であってもよい。また、半導体層を非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）および微結晶シリコン等のシリコン系半導体により構成するようにしてもよい。

第１基板１１とＴＦＴ１２（半導体層）との間に、ＵＣ（Under Coat）膜を設けるようにしてもよい。ＵＣ膜は、第１基板１１から、上層に例えばナトリウムイオン等の物質が移動するのを防ぐためのものであり、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜等の絶縁材料により構成されている。

絶縁層１３は、ＴＦＴ１２を覆うように、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に設けられている。絶縁層１３は、例えば、第１基板１１側から無機絶縁層と有機絶縁層とをこの順に積層して構成するようにしてもよい。無機絶縁層には、例えば、厚み２００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜を用いることができる。無機絶縁層には、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜等を用いるようにしてもよく、これらを積層して用いるようにしてもよい。有機絶縁層には、可視領域の波長の光に対して、高い光透過性を有する材料を用いることが好ましい。例えば、有機絶縁層には、可視光透過性を有するポリイミド樹脂（透明ポリイミド樹脂）膜を用いることができる。このポリイミド樹脂膜の厚みは、例えば３０００ｎｍである。有機絶縁層には、可視光透過性を有するエポキシ樹脂、可視光透過性を有するノボラック樹脂、または可視光透過性を有するアクリル樹脂等を用いるようにしてもよい。

有機ＥＬ素子１０は、絶縁層１３上に、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に配置されている。有機ＥＬ素子１０の第１電極１４は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に分離して設けられている。

第１電極１４は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２のうち、発光領域Ｒ１に選択的に設けられている。換言すれば、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのうち、第１電極１４が設けられた領域が、発光領域Ｒ１である。この第１電極１４は、例えばアノードとして機能する反射電極であり、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、矩形の平面形状を有する第１電極１４が配置されている。第１電極１４の長辺（図３，図４ＢのＹ方向に沿った辺）の両端部は、隔壁１５に覆われている。

図５および図６は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの平面形状の一例を表している。このように、色（赤色，緑色，青色）毎に、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの形状および大きさを異ならせるようにしてもよい。換言すれば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂに配置された第１電極１４の形状および大きさが異なっていてもよい。表示装置１は、短辺方向（行方向，図５のＸ方向）の大きさが異なる第１電極１４を有していてもよく、あるいは、長辺方向（列方向，図６のＹ方向）の大きさが異なる第１電極１４を有していてもよい。

第１電極１４の構成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），クロム，金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステンあるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極１４は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、可視光透過性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。

行方向（図３のＸ方向）に隣り合う第１電極１４の間に設けられた隔壁１５は、列方向（図３のＹ方向）に沿って、延在している。表示装置１では、行方向に隣り合う画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ（第１電極１４）の間に設けられた隔壁１５がストライプ状に配置されている。隔壁１５の平面形状は、直線状でなくてもよい。平面（ＸＹ平面）視で、隔壁１５の太さにばらつきがあってもよく、あるいは、曲部等があってもよい。この隔壁１５は、隣り合う画素Ｐの列（画素ｐｒの列、画素ｐｇの列または画素ｐｂの列）を分離するためのものである。隔壁１５の表面は撥液性を有しており、隔壁１５により区画された、画素ｐｒの列、画素ｐｇの列および画素ｐｂの列に、有機層１６が形成される。隔壁１５は、第１電極１４と第２電極１７との間の絶縁性を確保する役割も担っている。

隔壁１５は、可視領域の波長の光に対して高い光透過性を有する材料により構成することが好ましい。この隔壁１５の材料には、例えば、可視光透過性を有する樹脂材料を用いることができる。具体的には、隔壁１５に可視光透過性を有するアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂（透明ポリイミド）、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂またはノルボルネン系樹脂等の感光性樹脂を用いることができる。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。撥液性は、上記のような隔壁１５を構成する樹脂材料が有していてもよく、あるいは、フッ素プラズマ処理等の表面処理により、隔壁１５に撥液性を付与するようにしてもよい。隔壁１５の高さ（図４ＢのＺ方向の大きさ）は、例えば１．５μｍ〜２μｍである。

本実施の形態では、ストライプ状の隔壁１５により画素Ｐの列毎に仕切られた有機層１６が、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に連続して設けられている（図４Ａ）。換言すれば、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１と非発光領域Ｒ２との間には仕切り（例えば、隔壁）が存在しない。有機層１６は、列方向に隣り合う画素ｐｒの間、画素ｐｇの間および画素ｐｂの間にも、連続して設けられている。詳細は後述するが、これにより、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１での、有機層１６の厚みのばらつきが抑えられる。有機層１６のうち、少なくとも発光層（後述の発光層１６３）が、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に連続して設けられていればよい。有機層１６は、発光領域Ｒ１では第１電極１４と第２電極１７との間に、非発光領域Ｒ２では絶縁層１３と第２電極１７との間に各々、設けられている（図４Ａ）。

図７は、有機層１６の具体的な構成の一例を表している。第１電極１４を覆う有機層１６は、例えば第１電極１４に近い位置から、正孔注入層１６１、正孔輸送層１６２、発光層１６３、電子輸送層１６４および電子注入層１６５をこの順に有している。有機層１６は、後述するように、例えば塗布法を用いて形成され、画素ｐｒの列、画素ｐｇの列または画素ｐｂの列毎に、第１電極１４と第２電極１７との間に設けられている。この有機層１６の厚み（例えば、図４Ａ，図４ＢのＺ方向の大きさ）は、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。発光層１６３は、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、互いに異なる色の発光層１６３を有している。例えば、画素ｐｒの発光層１６３は赤色を、画素ｐｇの発光層１６３は緑色を、画素ｐｂの発光層１６３は青色を、それぞれ発生させる。

正孔注入層１６１は、リークを防止するための層であり、例えばヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）等により構成されている。正孔注入層１６１の厚みは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍである。正孔輸送層１６２は、例えばα−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕-4,4'-diamine 〕により構成されている。正孔輸送層１６２の厚みは、例えば１５ｎｍ〜１００ｎｍである。

発光層１６３は、正孔と電子との結合により、所定の色の光を発するように構成されており、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有している。赤色波長域の光を発する発光層１６３は、例えば、ピロメテンホウ素錯体がドーピングされたルブレンにより構成されている。このとき、ルブレンはホスト材料として用いられている。緑色波長域の光を発する発光層１６３は、例えばＡｌｑ3（トリスキノリノールアルミニウム錯体）により構成されている。青色波長域の光を発する発光層１６３は、例えば、ジアミノクリセン誘導体がドーピングされたＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）により構成されている。このとき、ＡＤＮは、ホスト材料として、正孔輸送層１６２上に例えば厚み２０ｎｍで蒸着され、ジアミノクリセン誘導体は、ドーパント材料として、相対膜厚比で５％ドーピングされる。

電子輸送層１６４は、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）により構成されている。電子輸送層１６４の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子注入層１６５は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）により構成されている。電子注入層１６５の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２７０ｎｍである。

有機層１６（発光層１６３）を間にして第１電極１４に対向する第２電極１７は、例えばカソードとして機能するものであり、表示領域１０Ａの全面にわたって（全画素Ｐに共通の電極として）形成されている。この第２電極１７は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に設けられている。第２電極１７は、例えば透明導電膜から構成されている。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。第２電極１７の厚みは、特に限定されないが、導電性と可視光透過性とを考慮して設定されるとよい。第２電極１７には、この他にも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が用いられてもよい。

保護層１８は、第２電極１７を覆うように設けられ、例えば、窒化シリコンなどにより構成されている。この保護層１８は、有機ＥＬ素子１０への水分の侵入を防ぎ、発光効率などの特性が変化するのを防止する保護膜としての機能を有している。

封止層２３は、保護層１８と第２基板２１とを貼り合わせると共に、有機ＥＬ素子１０を封止するものである。封止層２３の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂およびノルボルネン系樹脂等が挙げられる。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。

カラーフィルタ層２２は、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを含んでいる。このカラーフィルタ層２２は、例えば、第２基板２１の一面（例えば封止層２３側の面）に設けられている。画素ｐｒの有機ＥＬ素子１０に対向する領域に赤色フィルタが、画素ｐｇの有機ＥＬ素子１０に対向する領域に緑色フィルタが、画素ｐｂの有機ＥＬ素子１０に対向する領域に青色フィルタが、それぞれ設けられている。これらの赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されている。

上記の赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ間の領域（画素間の領域）にブラックマトリクス層を設けるようにしてもよい。このブラックマトリクス層は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（III）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものが挙げられる。

第２基板２１は、封止層２３と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。この第２基板２１は、例えば、有機ＥＬ素子１０で発生した光に対して透明なガラスまたはプラスチックなどの材料により構成されている。

[製造方法]
図８は、表示装置１の製造方法の一例を工程順に表したものである。表示装置１は、例えば、以下のようにして製造する。

まず、第１基板１１上にＴＦＴ１２を形成する（ステップＳ１０１）。次いで、このＴＦＴ１２を覆うように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて酸化シリコン膜を成膜した後、感光性を有する材料からなる有機絶縁層を、例えばスピンコート法やスリットコート法により成膜する。これにより、絶縁層１３が形成される（ステップＳ１０２）。この後、絶縁層１３に、ＴＦＴ１２のソース・ドレイン電極に達する接続孔Ｈ１を形成する（ステップＳ１０３）。

続いて、絶縁層１３上に、第１電極１４を形成する（ステップＳ１０４）。第１電極１４は、絶縁層１３に形成した接続孔Ｈ１を埋め込むように、導電材料を例えばスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングして形成する。

第１電極１４を形成した後、第１電極１４の長辺方向（列方向）に沿って、ストライプ状の隔壁１５を形成する（ステップＳ１０５）。続いて、この隔壁１５により区画された領域（画素ｐｒの列、画素ｐｇの列および画素ｐｂの列）に、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に連続して、有機層１６を形成する（ステップＳ１０６）。有機層１６は、例えば、有機層１６の構成材料を、インクジェット法などの塗布法を用いて形成する。有機層１６は、例えばディスペンサーを使用した塗布法を用いて形成するようにしてもよい。有機層１６のうち、少なくとも発光層１６３（図７）を、塗布法を用いて形成することが好ましい。即ち、発光層１６３は塗布層であることが好ましい。

有機層１６を形成した後、有機層１６上に、上述した材料よりなる第２電極１７を例えばスパッタリング法により形成する（ステップＳ１０７）。次いで、この第２電極１７上に保護層１８を例えばＣＶＤ法により成膜した後、この保護層１８上に、封止層２３を間にして第２基板２１を貼り合わせる。例えば、この第２基板２１にはカラーフィルタ層２２を予め形成しておく。このようにして、表示装置１を完成させる。

［作用、効果］
本実施の形態の表示装置１では、走査線駆動部３から各画素Ｐの書き込みトランジスタＷｓＴｒへ選択パルスが供給されることで、画素Ｐが選択される。この選択された画素Ｐに、信号線駆動部４から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Ｃｓに保持される。保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＤｓＴｒがオンオフ制御され、有機ＥＬ素子１０に駆動電流が注入される。これにより、有機ＥＬ素子１０（発光層１６３）では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１から、例えば第２電極１７、保護層１８、封止層２３、カラーフィルタ層２２および第２基板２１を透過して取り出される。これにより、各画素Ｐ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）から赤色光、緑色光および青色光が射出され、これらの色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの非発光領域Ｒ２からは、第１基板１１、絶縁層１３、有機層１６、第２電極１７、保護層１８、封止層２３および第２基板２１を透過した外光が取り出される。表示装置１は、いわゆる、シースルー型の表示装置である。

ここで、本実施の形態では、発光層１６３が、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に連続して設けられているので、各発光領域Ｒ１での発光層１６３の厚みのばらつきが抑えられる。以下、これについて説明する。

図９は、比較例に係る表示装置（表示装置１００）の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの模式的な平面構成を表している。図１０は、図９に示したＡ−Ａ’線に沿った断面構成を表している。この表示装置１００では、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１を囲むように隔壁（隔壁１１５）が設けられている。具体的には、隔壁１１５は、行方向に隣り合う画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの間に設けられるとともに、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１と非発光領域Ｒ２との間にも設けられている。有機層１６は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１のみに設けられ、非発光領域Ｒ２には有機層１６が設けられていない。即ち、列方向に隣り合う画素ｐｒの間、画素ｐｇの間および画素ｐｂの間で、非発光領域Ｒ２により有機層１６は分断されている。

このように、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１のみに配置された有機層１６（発光層）では、その厚みがばらつきやすい。この発光領域Ｒ１での発光層の厚みのばらつきにより、発光領域Ｒ１のうち発光層が機能する領域、即ち、有効発光領域が狭まる。

また、表示装置１００では、塗布法を用いて各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎にドット状の発光層を形成するので、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に発光層の厚みがばらつきやすい。

更に、表示装置１００が、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂに応じて、形状または大きさの異なる第１電極１４を有する場合（図５，図６参照）には、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、印刷条件の最適化が必要となる。このような、複雑な製造工程は実現困難である。

これに対し、本実施の形態では、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１と非発光領域Ｒ２との間に隔壁（隔壁１１５）が設けられていないので、発光層１６３は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に連続して設けられる。これにより、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１では、発光層１６３の厚みが安定し、発光層１６３の厚みのばらつきが抑えられる。

また、列方向に隣り合う画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの間にも、発光層１６３が連続して設けられているので、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの列毎にストライプ状の発光層１６３を形成することが可能となる。したがって、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎にドット状の発光層を設ける場合（図９および図１０の表示装置１００）に比べて、高い印刷精度を要せず、簡便に均一な厚みの発光層１６３を形成することができる。

更に、表示装置１が、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂに応じて形状および大きさの異なる第１電極１４を有するときも（図５，図６参照）、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの列毎にストライプ状の発光層１６３を形成することが可能である。したがって、表示装置１００に比べて、表示装置１では、印刷条件の最適化が容易であり、製造を実現しやすい。

以上のように、表示装置１では、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に連続して発光層１６３を設けるようにしたので、発光層１６３の厚みのばらつきに起因した有効発光領域の減少を抑えることができる。よって、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１から十分な光を取り出すことが可能となる。特に、表示装置１が高精細である場合には、本技術は好適に用いられる。配線等による遮光領域が大きくなるため、光取り出し効率の向上が重要となるためである。

以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。

＜２．変形例＞
図１１は、上記実施の形態の変形例に係る表示装置（表示装置１Ａ）の断面（ＹＺ断面）構成を模式的に表したものである。この表示装置１Ａは、第１電極１４の短辺の両端部を覆う短絡抑制層（短絡抑制層１９）を有している。この点を除き、表示装置１Ａは上記実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

短絡抑制層１９は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内の発光領域Ｒ１と非発光領域Ｒ２との境界近傍（図１１の紙面右側）と、列方向に隣り合う画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの発光領域Ｒ１と非発光領域Ｒ２との境界近傍（図１１の紙面左側）とに設けられている。短絡抑制層１９は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ内または列方向に隣り合う画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ間のどちらか一方のみに設けられていてもよい。この短絡抑制層１９は、第１電極１４と有機層１６（発光層１６３）との間に設けられ、第１電極１４の表面から、短辺の端部を覆うように絶縁層１３上に設けられている。短絡抑制層１９の少なくとも一部は、絶縁層１３に設けられた接続孔Ｈ１に対向する部分に設けられていることが好ましい。

短絡抑制層１９は、例えば可視光透過性を有するポリイミド系樹脂、可視光透過性を有するシリコン系樹脂、可視光透過性を有するシリコン系ポリマー、可視光透過性を有するノボラック系樹脂、可視光透過性を有するエポキシ系樹脂および、可視光透過性を有するノルボルネン系樹脂等の絶縁材料により構成されている。短絡抑制層１９の高さ（図１１のＺ方向の大きさ）は、例えば５００ｎｍ〜１μｍである。この短絡抑制層１９は、第１電極１４の端部近傍での、第１電極１４と第２電極１７との短絡の発生を抑えるためのものである。第１電極１４の端部および接続孔Ｈ１の直上付近では、段差により有機層１６の薄膜化または段切れが生じやすい。短絡抑制層１９を設けることにより、この有機層１６の薄膜化または段切れに起因した第１電極１４と第２電極１７との間の短絡の発生を抑えることができる。第１電極１４の長辺の両端部近傍では、隔壁１５により、第１電極１４と第２電極１７との間の短絡の発生が抑えられる。

図１２に示したように、短絡抑制層１９は、発光領域Ｒ１と非発光領域Ｒ２との境界近傍から非発光領域Ｒ２に延在して設けられていてもよい。

表示装置１Ａも、上記表示装置１と同様に、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２に連続して有機層１６（発光層１６３）が設けられているので、有機層１６の厚みのばらつきに起因した有効発光領域の減少を抑えることができる。また、短絡抑制層１９により、第１電極１４の短辺の両端部近傍での、短絡の発生を抑えることができる。

＜３．適用例（電子機器）＞
上記実施の形態等において説明した表示装置１，１Ａは、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図１３に、電子機器６の機能ブロック構成を示す。電子機器６としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。

電子機器６は、例えば上述の表示装置１，１Ａと、インターフェース部６０とを有している。インターフェース部６０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部６０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。

以上、実施の形態を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等に記載した各層の材料、厚み、または成膜方法および成膜条件等は列挙したものに限定されるものではなく、他の材料、厚みまたは成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、有機層１６は、少なくとも発光層１６３を含んでいればよく、例えば、有機層１６が発光層１６３のみにより構成されていてもよい。発光層１６３は、例えば白色の光を発生するものであってもよく、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが互いに同じ色の光を発生させる発光層１７３を有していてもよい。

また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。また、アクティブマトリクス駆動のための画素回路ＰＸＬＣの構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路ＰＸＬＣの変更に応じて、走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。

また、上記実施の形態等では、表示装置１，１Ａがカラーフィルタ層２２（図４Ａ等）を有する場合について説明したが、カラーフィルタ層２２を省略するようにしてもよい。

また、第１電極１４を可視光透過性の導電材料により構成し、第２電極１７を光反射性の導電材料により構成するようにしてもよい。このとき、発光層１６３で発生した光は、第１基板１１側から取り出される。

また、図３には、画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂ内の列方向にそって、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２を順に配置する例を示したが、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２は自由に配置することが可能である。例えば、画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂ内の列方向にそって、非発光領域Ｒ２、発光領域Ｒ１および非発光領域Ｒ２の順に配置するようにしてもよい。

上記実施の形態において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

尚、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
各々が、第１方向に沿って発光領域および非発光領域を有する、複数の画素と、
前記複数の画素各々の前記発光領域に設けられた第１電極と、
前記第１方向に交差する第２方向に隣り合う前記画素の間に設けられた隔壁と、
前記第１電極を覆うとともに、前記発光領域および前記非発光領域に連続して設けられた発光層と、
前記発光層を間にして前記第１電極に対向する第２電極と
を備えた表示装置。
（２）
更に、基板と、
前記基板上に設けられた、薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うとともに、前記薄膜トランジスタと前記第１電極との接続孔を有する絶縁層とを有し、
前記基板上に、前記薄膜トランジスタ、前記絶縁層、前記第１電極、前記発光層および前記第２電極がこの順に設けられた
前記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記隔壁は、前記第１方向に延在している
前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記隔壁は、ストライプ状に設けられている
前記（１）ないし（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記発光層は有機発光材料を含む
前記（１）ないし（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
前記発光層は塗布層である
前記（１）ないし（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記第１方向の大きさが異なる前記第１電極を含む
前記（１）ないし（６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
前記第２方向の大きさが異なる前記第１電極を含む
前記（１）ないし（７）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
更に、前記画素内および、隣り合う前記画素の間の少なくとも一方の、前記発光領域および前記非発光領域の境界近傍に配置され、前記第１電極の表面および端部を覆う短絡抑制層を有する
前記（２）に記載の表示装置。
（１０）
前記短絡抑制層の少なくとも一部は、前記絶縁層の前記接続孔に対向して設けられている
前記（９）に記載の表示装置。
（１１）
前記短絡抑制層は、前記第１電極と前記発光層との間に設けられている
前記（９）または（１０）に記載の表示装置。
（１２）
前記短絡抑制層は、可視光透過性の絶縁材料を含む
前記（９）ないし（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
前記短絡抑制層は、前記発光領域および前記非発光領域の境界近傍から前記非発光領域に延在している
前記（９）ないし（１２）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）
第１方向に沿って発光領域および非発光領域を有する画素各々の前記発光領域に、第１電極を形成し、
前記第１方向に交差する第２方向に隣り合う前記画素の間に隔壁を形成し、
前記第１電極を覆うように、前記発光領域および前記非発光領域に連続して発光層を形成し、
前記発光層を間にして、前記第１電極に対向する第２電極を形成する
表示装置の製造方法。
（１５）
前記発光層を、塗布法を用いて形成する
前記（１４）に記載の表示装置の製造方法。

１，１Ａ…表示装置、１０Ａ…表示領域、１０Ｂ…周辺領域、ＤｓＴｒ…駆動トランジスタ、ＷｓＴｒ…書き込みトランジスタ、Ｃｓ…保持容量、１０…有機ＥＬ素子、１１…第１基板、１２…ＴＦＴ、１３…絶縁層、１４…第１電極、１５…隔壁、１６…有機層、１７…第２電極、１８…保護層、１９…短絡抑制層、２１…第２基板、２２…カラーフィルタ層、２３…封止層、３…走査線駆動部、４…信号線駆動部、５…電源線駆動部、６…電子機器、６０…インターフェース部、Ｐ，ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ…画素、Ｒ１…発光領域、Ｒ２…非発光領域、Ｈ１…接続孔。

Claims (10)

1. 各々が、第１方向に沿って発光領域および非発光領域を有し、前記第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に並んで配置された複数の画素と、
   前記第２方向に隣り合う２つの前記画素の間に設けられた隔壁と、
   基板と、
   前記画素内および、隣り合う前記画素の間の少なくとも一方の、前記発光領域および前記非発光領域の境界近傍に配置された短絡抑制層と
   を備え、
   各前記画素は、
   前記非発光領域を除く領域であって、かつ前記発光領域に設けられた第１電極と、
   前記第１電極を覆うとともに、前記発光領域および前記非発光領域に連続して設けられた発光層と、
   前記発光層を間にして前記第１電極に対向する第２電極と、
   前記基板上に設けられた薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタを覆うとともに、前記薄膜トランジスタと前記第１電極との接続孔を有する絶縁層と
   を有し、
   各前記画素において、前記非発光領域は当該非発光領域を透過した外光を取り出すことの可能な構成となっており、前記発光領域は前記発光層から発せられた光を取り出すことの可能な構成となっており、
   前記基板上に、前記薄膜トランジスタ、前記絶縁層、前記第１電極、前記発光層および前記第２電極がこの順に設けられており、
   前記短絡抑制層は、前記第１電極の表面および端部を覆っており、さらに、前記発光領域および前記非発光領域の境界近傍から前記非発光領域に延在しており、前記非発光領域を覆っている
   表示装置。
2. 前記隔壁は、前記第１方向に延在している
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記隔壁は、前記第１方向に並んで配置された複数の前記画素を、前記第２方向において挟み込むようにストライプ状に設けられ、
   前記発光層は、前記第２方向において２つの前記隔壁に挟まれた領域内の各前記画素の前記発光領域および前記非発光領域に連続して設けられている
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記発光層は有機発光材料を含む
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の表示装置。
5. 前記発光層は塗布層である
   請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 前記第１電極の前記第１方向の大きさが、前記画素の発光色ごとに異なる
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
7. 前記第１電極の前記第２方向の大きさが、前記画素の発光色ごとに異なる
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 前記短絡抑制層の少なくとも一部は、前記絶縁層の前記接続孔に対向して設けられている
   請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の表示装置。
9. 前記短絡抑制層は、前記第１電極と前記発光層との間に設けられている
   請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の表示装置。
10. 前記短絡抑制層は、可視光透過性の絶縁材料を含む
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の表示装置。

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