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JP6873283B2 - Optical parts and laser machining machine - Google Patents
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JP6873283B2 - Optical parts and laser machining machine - Google Patents

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Description

本発明は、高温環境下においても安定した光学性能を発揮することが可能な光学部品、および、該光学部品を搭載したレーザ加工機に関する。 The present invention relates to an optical component capable of exhibiting stable optical performance even in a high temperature environment, and a laser processing machine equipped with the optical component.

従来、例えば、スマートフォン、またはタブレットPCに代表される電子デバイスに内蔵されたプリント配線板への穴あけ加工には、レーザ加工機が用いられている。レーザ加工機に用いられるレーザは、主に、発振波長が9〜11μmである赤外光のCO2レーザである。CO2レーザは、高出力発振が可能で、樹脂への吸収率が高い。Conventionally, for example, a laser processing machine has been used for drilling a printed wiring board built in an electronic device such as a smartphone or a tablet PC. The laser used in the laser processing machine is mainly an infrared CO 2 laser having an oscillation wavelength of 9 to 11 μm. The CO 2 laser is capable of high-power oscillation and has a high absorption rate into resin.

穴あけ加工用のレーザ加工機は、集光レンズが加工エリアの上方に配置されている。このため、穴あけ加工時に発生する粉塵、スパッタリングにより、集光レンズが損傷、劣化することがある。そこで、被加工物と集光レンズとの間に、保護窓と呼ばれる光学部品を配置することで、集光レンズの損傷、劣化を防止している。 In the laser processing machine for drilling, a condenser lens is arranged above the processing area. Therefore, the condenser lens may be damaged or deteriorated due to dust and sputtering generated during drilling. Therefore, by arranging an optical component called a protective window between the workpiece and the condenser lens, damage and deterioration of the condenser lens are prevented.

保護窓には、穴あけ加工時に発生する粉塵及びスパッタリングが付着しやすい。また、CO2レーザの光路上に付着した粉塵及びスパッタリングは、CO2レーザを吸収して温度が上昇するため、保護窓は高温になる。そこで、保護窓には、赤外光であるCO2レーザに対する透過性と耐環境性が要求される。耐環境性とは、付着した樹脂スパッタ、又は銅スパッタの拭き取りによっても、表面に損傷が生じない耐摩耗性と、高温環境にさらされても、安定した光学性能を発揮する耐熱性のことを指す。Dust and sputtering generated during drilling are likely to adhere to the protective window. Further, dust and sputtering deposited on CO 2 laser on the optical path, since the temperature rises and absorbs the CO 2 laser, the protective window becomes hot. Therefore, the protective window is required to have transparency and environmental resistance to a CO 2 laser which is infrared light. Environmental resistance refers to wear resistance that does not damage the surface even when the adhered resin spatter or copper spatter is wiped off, and heat resistance that exhibits stable optical performance even when exposed to a high temperature environment. Point to.

例えば、赤外線センサーなどに用いられ、被覆の耐摩耗性と赤外線の透過率とに優れた光学部品として、ZnS(硫化亜鉛)製基板の表面側に、基板面から順に、第1のY23(酸化イットリウム)層、YF3(フッ化イットリウム)層、第2のY23(酸化イットリウム)層、Ge(ゲルマニウム)層、DLC(ダイヤモンド状炭素)層を積層した多層膜を形成するものが知られている。多層膜を形成するDLC層は、圧縮応力を有するため、多層膜全体に荷重がかかり、多層膜中の密着性の低い界面において、膜の剥離が生じる恐れがある。そこで、このような光学部品では、DLC層の密着層としてGe層を形成し、さらにYF3層の密着層として酸化物によるY23層を形成して、多層膜の密着性を確保している(例えば特許文献1参照)。For example, as an optical component used for an infrared sensor or the like and having excellent coating abrasion resistance and infrared transmittance, the first Y 2 O is placed on the surface side of a ZnS (zinc sulfide) substrate in order from the substrate surface. A multilayer film in which a 3 (yttrium oxide) layer, a YF 3 (yttrium fluoride) layer, a second Y 2 O 3 (yttrium oxide) layer, a Ge (germanium) layer, and a DLC (diamond-like carbon) layer are laminated is formed. Things are known. Since the DLC layer forming the multilayer film has compressive stress, a load is applied to the entire multilayer film, and the film may peel off at the interface having low adhesion in the multilayer film. Therefore, in such an optical component, a Ge layer is formed as an adhesion layer of the DLC layer, and a Y 2 O 3 layer made of an oxide is further formed as an adhesion layer of the YF 3 layer to ensure the adhesion of the multilayer film. (See, for example, Patent Document 1).

特開2008−268277号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-268277

しかしながら、特許文献1に記載された光学部品は、耐熱性が考慮されていない。このため、熱の影響で多層膜中のYF3層とY23層が界面において原子相互拡散を生じ、膜が変質する。このため、高温環境にさらされるレーザ加工機の保護窓として特許文献1に記載された光学部品を使用した場合には、安定した光学特性を得ることができないという課題があった。However, the optical components described in Patent Document 1 do not take heat resistance into consideration. Therefore, due to the influence of heat, the YF 3 layer and the Y 2 O 3 layer in the multilayer film cause atomic mutual diffusion at the interface, and the film is denatured. Therefore, when the optical component described in Patent Document 1 is used as a protective window of a laser processing machine exposed to a high temperature environment, there is a problem that stable optical characteristics cannot be obtained.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、高温環境下においても、安定して光学性能を発揮することのできる光学部品を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain an optical component capable of stably exhibiting optical performance even in a high temperature environment.

本発明に係る光学部品は、主面及び主面の背面側に形成された第二の面を備えた基板と、主面及び第二の面のうち少なくとも主面に形成された多層膜とを有し、基板は、Ge(ゲルマニウム)を含んで形成されており、多層膜は、基板に近い側から順に、酸化物膜、フッ化物アモルファス膜、Ge膜及びDLC膜が積層された膜を含む。 The optical component according to the present invention comprises a substrate having a main surface and a second surface formed on the back side of the main surface, and a multilayer film formed on at least the main surface of the main surface and the second surface. The substrate is formed to contain Ge (germanium), and the multilayer film includes a film in which an oxide film, a fluoride amorphous film, a Ge film and a DLC film are laminated in this order from the side closer to the substrate. ..

本発明は、Geを含む基板の表面に、基板に近い側から順に、酸化物膜、フッ化物アモルファス膜、Ge膜及びDLC膜が積層された層を有することにより、光学部品の耐熱性を向上させることができる。これにより、熱の影響で光学特性が悪化せず、安定した光学性能を発揮する光学部品を提供することができる。 The present invention improves the heat resistance of optical components by having a layer in which an oxide film, a fluoride amorphous film, a Ge film and a DLC film are laminated on the surface of a substrate containing Ge in this order from the side closer to the substrate. Can be made to. As a result, it is possible to provide an optical component that exhibits stable optical performance without deteriorating the optical characteristics due to the influence of heat.

本発明の実施の形態1による光学部品が搭載されたレーザ加工機の模式図である。It is a schematic diagram of the laser processing machine which mounted the optical component according to Embodiment 1 of this invention. 実施の形態1の光学部品の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section of the optical component of Embodiment 1. FIG. 実施の形態1による光学部品の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the optical component by Embodiment 1. FIG. 本発明の実施の形態2の光学部品の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section of the optical component of Embodiment 2 of this invention.

以下、本発明の光学部品の好適な実施の形態につき、図面を用いて説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the optical components of the present invention will be described with reference to the drawings.

実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1による光学部品としての保護窓15が搭載された、レーザ加工機1の模式図である。図2は、図1の保護窓15の断面を示す模式図である。
Embodiment 1.
FIG. 1 is a schematic view of a laser processing machine 1 equipped with a protective window 15 as an optical component according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the protective window 15 of FIG.

図1に示すように、レーザ加工機1は、レーザ発振器11と、集光レンズ13と、保護窓15とを有している。レーザ発振器11には、CO2レーザが用いられている。このCO2レーザの発振波長は9.3μmである。レーザ発振器11から照射されるレーザ光11Aは、集光レンズ13で集光され、保護窓15を透過して、プリント配線板等の被加工物100の表面で結像される。そして、レーザ光11Aによって、被加工物100には、穴あけ加工などが施される。As shown in FIG. 1, the laser processing machine 1 includes a laser oscillator 11, a condenser lens 13, and a protective window 15. A CO 2 laser is used in the laser oscillator 11. The oscillation wavelength of this CO 2 laser is 9.3 μm. The laser beam 11A emitted from the laser oscillator 11 is focused by the condenser lens 13, passes through the protective window 15, and is imaged on the surface of the workpiece 100 such as a printed wiring board. Then, the work piece 100 is drilled or the like by the laser beam 11A.

CO2レーザを用いたレーザ加工機の集光系の光学材料は、比較的高い屈折率を有するものが多い。従って、集光レンズ13は、被加工物100に近い位置に配置される。また、保護窓15は、穴あけ加工時に発生する粉塵及びスパッタから集光レンズ13を保護するため、集光レンズ13と被加工物100との間に配置される。このため、保護窓15は、被加工物100からの距離が約100mm程度の位置に配置される。よって、保護窓15は、レーザ加工時に大量の粉塵及びスパッタという過酷な環境にさらされる。保護窓15に付着した粉塵及びスパッタは、レーザ光11Aを吸収して発熱することから、保護窓15には、レーザ光11Aの透過性に加え、耐熱性が求められる。Many of the optical materials of the condensing system of a laser processing machine using a CO 2 laser have a relatively high refractive index. Therefore, the condenser lens 13 is arranged at a position close to the workpiece 100. Further, the protective window 15 is arranged between the condensing lens 13 and the workpiece 100 in order to protect the condensing lens 13 from dust and spatter generated during the drilling process. Therefore, the protective window 15 is arranged at a position where the distance from the workpiece 100 is about 100 mm. Therefore, the protective window 15 is exposed to a harsh environment of a large amount of dust and spatter during laser processing. Since the dust and spatter adhering to the protective window 15 absorb the laser beam 11A and generate heat, the protective window 15 is required to have heat resistance in addition to the transparency of the laser beam 11A.

図2に示すように、保護窓15は、一方の面に主面150Aが形成され、主面150Aの背面側に第二の面150Bが形成された基板150を有している。主面150Aは、被加工物100と対向する、加工空間側の面であり、第二の面150Bは、集光レンズ13と対向する面である。 As shown in FIG. 2, the protective window 15 has a substrate 150 having a main surface 150A formed on one surface and a second surface 150B formed on the back surface side of the main surface 150A. The main surface 150A is a surface on the processing space side facing the workpiece 100, and the second surface 150B is a surface facing the condenser lens 13.

従来、光学部品の基板としては、ZnS(硫化亜鉛)が主に用いられていたが、実施の形態1の保護窓15は、ZnSよりも高い赤外レーザ光透過率が得られるGe(ゲルマニウム)によって基板150が形成されている。また、ZnSは熱伝導率が低いため、レーザ加工を連続的に行う際に、基板に大きな温度勾配が生じる。この基板に生じる温度勾配によって、光学部品には屈折率の分布が生じる。すると、光学部品に熱レンズ効果と呼ばれる現象が生じ、レーザ加工の精度が低下する。従って、レーザ加工機1の保護窓15の基板150の材料として、ZnSは適当でない。基板150を形成するGeは、ZnSよりも熱伝導率が高い。なお、基板150の材料には、Geとともに、Ge以外の他元素が添加されていてもよい。 Conventionally, ZnS (zinc sulfide) has been mainly used as a substrate for optical components, but the protective window 15 of the first embodiment is Ge (germanium) which can obtain an infrared laser light transmittance higher than that of ZnS. The substrate 150 is formed by. Further, since ZnS has a low thermal conductivity, a large temperature gradient is generated on the substrate when the laser processing is continuously performed. The temperature gradient generated on this substrate causes the optical component to have a refractive index distribution. Then, a phenomenon called a thermal lens effect occurs in the optical component, and the accuracy of laser processing is lowered. Therefore, ZnS is not suitable as a material for the substrate 150 of the protective window 15 of the laser processing machine 1. Ge forming the substrate 150 has a higher thermal conductivity than ZnS. In addition to Ge, other elements other than Ge may be added to the material of the substrate 150.

基板150の主面150A及び第二の面150Bには、それぞれ多層膜2が形成されている。そして、保護窓15は、基板150の主面150Aを、被加工物100の側に向けて配置されている。 A multilayer film 2 is formed on each of the main surface 150A and the second surface 150B of the substrate 150. The protective window 15 is arranged with the main surface 150A of the substrate 150 facing the work piece 100 side.

多層膜2は、基板150に近い側から順に、酸化物膜21、フッ化物アモルファス膜22、Ge膜23及びDLC膜24の4層が積層された膜を含んでいる。これらの膜は主面150A及び第二の面150Bを基材150が露出しないように全面を覆って形成してもよく、また基材の一部が露出するように一部の面を覆って形成してもよい。 The multilayer film 2 includes a film in which four layers of an oxide film 21, a fluoride amorphous film 22, a Ge film 23, and a DLC film 24 are laminated in this order from the side closer to the substrate 150. These films may be formed by covering the main surface 150A and the second surface 150B over the entire surface so that the base material 150 is not exposed, or covering a part of the surface so that a part of the base material is exposed. It may be formed.

酸化物膜21を形成する材料としては、例えばY23(酸化イットリウム)、HfO2(酸化ハフニウム)、ZrO2(酸化ジルコニウム)、Ta23(酸化タンタル)、TiO2(酸化チタン)、SiO(酸化ケイ素)、Al23(酸化アルミニウム)などが挙げられる。赤外光のCO2レーザを使用する場合、赤外光の透過性に優れた、Y23、HfO2、ZrO2のうちのいずれかを用いることが好ましい。酸化物膜21の膜厚は、膜の密着性を確保するため、5nm以上が好ましい。また、酸化物膜21の膜厚は、赤外光の透過性を確保するため、150nm以下とすることが好ましい。Examples of the material for forming the oxide film 21 include Y 2 O 3 (yttrium oxide), HfO 2 (hafnium oxide), ZrO 2 (zinc oxide), Ta 2 O 3 (tantal oxide), and TIO 2 (titanium oxide). , SiO (silicon oxide), Al 2 O 3 (aluminum oxide) and the like. When an infrared CO 2 laser is used, it is preferable to use any one of Y 2 O 3 , HfO 2 , and ZrO 2 , which has excellent infrared light transmission. The film thickness of the oxide film 21 is preferably 5 nm or more in order to ensure the adhesion of the film. The film thickness of the oxide film 21 is preferably 150 nm or less in order to ensure the transparency of infrared light.

フッ化物アモルファス膜22を形成する材料としては、例えばYF3(フッ化イットリウム)、YbF3(フッ化イッテルビウム)、MgF2(フッ化マグネシウム)、BaF2(フッ化バリウム)、CaF2(フッ化カルシウム)などのフッ化物が挙げられる。赤外光のCO2レーザを使用する場合、赤外光の透過性に優れた、YF3、YbF3またはMgF2のうちいずれかを用いることが好ましい。フッ化物アモルファス膜22の膜厚は、赤外光の透過性を確保するため、500nm〜950nmとすることが好ましい。Examples of the material for forming the fluoride amorphous film 22 include YF 3 (yttrium fluoride), YbF 3 (ytterbium fluoride), MgF 2 (magnesium fluoride), BaF 2 (barium fluoride), and CaF 2 (fluoride fluoride). Fluoride such as calcium) can be mentioned. When using an infrared CO 2 laser, it is preferable to use any one of YF 3 , YbF 3 or MgF 2 , which has excellent infrared light transmission. The film thickness of the fluoride amorphous film 22 is preferably 500 nm to 950 nm in order to ensure the transparency of infrared light.

Ge膜23は、DLC膜24に対する付着性が良い。このため、Ge膜23を形成することによって、DLC膜24の基板150への密着性を確保することができる。Ge膜23の膜厚は、膜の密着性と赤外光の透過性との両者を満たすため、50nm〜150nmとすることが好ましい。 The Ge film 23 has good adhesion to the DLC film 24. Therefore, by forming the Ge film 23, the adhesion of the DLC film 24 to the substrate 150 can be ensured. The film thickness of the Ge film 23 is preferably 50 nm to 150 nm in order to satisfy both the adhesion of the film and the transmission of infrared light.

DLC膜24は硬度が高い。よって、膜に付着した汚れをふき取る際の耐摩耗性に優れている。また、DLC膜24は、物質としての安定性が高く、他材料と反応しにくい。よって、DLC膜24には、プリント基板等の穴あけ加工時に発生する粉塵及び金属スパッタ等が付着しにくい。このため、DLC膜24を形成することによって、保護窓15への汚れの固着を抑制することができる。また、DLC膜24を形成することによって、保護窓15に付着した汚れを、容易に除去することができる。DLC膜24の膜厚は、耐摩耗性を確保するため、50nm以上の膜厚が好ましい。また、DLC膜24の膜厚は、赤外光の透過性を確保するため、300nm以下とすることが好ましい。 The DLC film 24 has a high hardness. Therefore, it has excellent wear resistance when wiping off dirt adhering to the film. Further, the DLC film 24 has high stability as a substance and does not easily react with other materials. Therefore, dust, metal spatter, and the like generated during the drilling process of the printed circuit board and the like are less likely to adhere to the DLC film 24. Therefore, by forming the DLC film 24, it is possible to suppress the adhesion of dirt to the protective window 15. Further, by forming the DLC film 24, the dirt adhering to the protective window 15 can be easily removed. The film thickness of the DLC film 24 is preferably 50 nm or more in order to ensure wear resistance. The film thickness of the DLC film 24 is preferably 300 nm or less in order to ensure the transparency of infrared light.

また、酸化物膜21は、Ge製の基板150及びフッ化物アモルファス膜22との密着性に優れている。従って、酸化物膜21により、フッ化物アモルファス膜22と基板150との密着性を確保することができる。なお、多層膜2の透過性、耐熱性を低下させることがなければ、これらの4層に他の元素が添加されていても問題はない。さらに、多層膜2の透過性、耐熱性を低下させることがなければ、これらの4層に加えて他の薄膜が形成されていても問題はない。 Further, the oxide film 21 has excellent adhesion to the Ge-made substrate 150 and the fluoride amorphous film 22. Therefore, the oxide film 21 can ensure the adhesion between the fluoride amorphous film 22 and the substrate 150. As long as the permeability and heat resistance of the multilayer film 2 are not lowered, there is no problem even if other elements are added to these four layers. Further, as long as the permeability and heat resistance of the multilayer film 2 are not lowered, there is no problem even if another thin film is formed in addition to these four layers.

このように、実施の形態1の保護窓15は、その表面に、基板150に近い側から順に、酸化物膜21、フッ化物アモルファス膜22、Ge膜23及びDLC膜24の4層が積層された多層膜2を備えている。そして、酸化物膜21とGe膜23との間に、フッ化物の構造を制御してアモルファス(非晶質)とした、フッ化物アモルファス膜22を配置している。そして、フッ化物の結晶粒界などの高速拡散路をなくし、酸化物膜21とフッ化物アモルファス膜22間における原子相互拡散を抑制している。これにより、レーザ加工時に、保護窓15が高温になっても、多層膜2は原子拡散による膜質の変化が生じない。よって、保護窓15が、安定した光学性能を発揮することができる。 As described above, the protective window 15 of the first embodiment has four layers of an oxide film 21, a fluoride amorphous film 22, a Ge film 23, and a DLC film 24 laminated on the surface thereof in order from the side closer to the substrate 150. The multilayer film 2 is provided. Then, a fluoride amorphous film 22 which is made amorphous by controlling the structure of fluoride is arranged between the oxide film 21 and the Ge film 23. Then, the high-speed diffusion path such as the crystal grain boundary of fluoride is eliminated, and the mutual diffusion of atoms between the oxide film 21 and the fluoride amorphous film 22 is suppressed. As a result, even if the protective window 15 becomes hot during laser processing, the film quality of the multilayer film 2 does not change due to atomic diffusion. Therefore, the protective window 15 can exhibit stable optical performance.

なお、実施の形態1では、保護窓15の基板150の主面150Aと第二の面150Bの両面に多層膜2を形成したが、多層膜2は、基板150の第二の面150Bには形成しなくてもよい。例えば、図3に示す第1変形例の保護窓15Aのように、基板150の主面150Aに多層膜2を形成し、第二の面150Bには、多層膜2とは異なる反射防止膜30を形成してもよい。 In the first embodiment, the multilayer film 2 is formed on both the main surface 150A and the second surface 150B of the substrate 150 of the protective window 15, but the multilayer film 2 is formed on the second surface 150B of the substrate 150. It does not have to be formed. For example, as in the protective window 15A of the first modification shown in FIG. 3, the multilayer film 2 is formed on the main surface 150A of the substrate 150, and the antireflection film 30 different from the multilayer film 2 is formed on the second surface 150B. May be formed.

次に、実施の形態1の光学部品である保護窓15と、比較例1としての従来の光学部品とを作成し、それぞれの特性を比較した結果について説明する。 Next, a protective window 15 which is an optical component of the first embodiment and a conventional optical component as Comparative Example 1 are created, and the results of comparing their respective characteristics will be described.

光学部品の基板の表面に膜を形成する方法としては、真空蒸着法及びスパッタ法に代表されるPVD法(物理的気相成長法)、またはプラズマCVD法に代表されるCVD法(化学的気相成長法)といった、一般的に知られた成膜方法がある。しかしながら、基板に膜を形成できる方法であれば、どのような方法であってもよい。 As a method of forming a film on the surface of the substrate of an optical component, a PVD method (physical vapor deposition method) represented by a vacuum deposition method and a sputtering method, or a CVD method (chemical vapor deposition) represented by a plasma CVD method is used. There are generally known film forming methods such as phase growth method). However, any method may be used as long as it can form a film on the substrate.

まず、実施の形態1の保護窓15について説明する。保護窓15の基板150は、Geで形成した。基板150の形状は、直径120mm、厚み5mmの円板形状とした。そして、基板150の主面150Aには、多層膜2を形成した。多層膜2のうち、酸化物膜21にはY23を用いた。また、多層膜2のうち、フッ化物アモルファス膜22にはYF3を用いた。First, the protective window 15 of the first embodiment will be described. The substrate 150 of the protective window 15 was formed of Ge. The shape of the substrate 150 was a disk shape having a diameter of 120 mm and a thickness of 5 mm. Then, the multilayer film 2 was formed on the main surface 150A of the substrate 150. Of the multilayer film 2, Y 2 O 3 was used as the oxide film 21. Further, among the multilayer films 2, YF 3 was used for the fluoride amorphous film 22.

そして、基板150の主面150Aに、基板150の主面150Aに近い側から順に、酸化物膜21(Y23:膜厚50nm)、フッ化物アモルファス膜22(YF3:膜厚570nm)、Ge膜23(膜厚120nm)、DLC膜24(膜厚150nm)が積層された多層膜2を形成した。 Then, on the main surface 150A of the substrate 150, the oxide film 21 (Y 2 O 3 : film thickness 50 nm) and the fluoride amorphous film 22 (YF 3 : film thickness 570 nm) are arranged in this order from the side closer to the main surface 150A of the substrate 150. , Ge film 23 (thickness 120 nm) and DLC film 24 (thickness 150 nm) were laminated to form a multilayer film 2.

一方、基板150の第二の面150Bには、波長9.3μmにおける透過率が99%以上の反射防止膜30を形成した。反射防止膜30は、基板150の第二の面150Bに近い側から順に、YF3膜(膜厚670nm)、Ge膜(膜厚130nm)、MgF2膜(膜厚200nm)が積層された構成とした。なお、反射防止膜30の構成は、これに限定されるものではない。On the other hand, on the second surface 150B of the substrate 150, an antireflection film 30 having a transmittance of 99% or more at a wavelength of 9.3 μm was formed. The antireflection film 30 has a structure in which a YF 3 film (film thickness 670 nm), a Ge film (film thickness 130 nm), and an MgF 2 film (film thickness 200 nm) are laminated in this order from the side closer to the second surface 150B of the substrate 150. And said. The configuration of the antireflection film 30 is not limited to this.

フッ化物アモルファス膜22と、Ge膜23及び反射防止膜30は、真空蒸着法を用いて形成した。また、DLC膜24は、スパッタ法を用いて形成した。 The fluoride amorphous film 22, the Ge film 23, and the antireflection film 30 were formed by a vacuum vapor deposition method. Further, the DLC film 24 was formed by using a sputtering method.

一般に、成膜温度を高くして、膜材料を基板上で徐冷すると、その構造は結晶質になる。一方、成膜温度を低くして、膜材料を基板上で急冷すると、結晶構造を持たない非晶質のアモルファスになる。フッ化物アモルファス膜22の形成においては、YF3の構造をアモルファスにするため、真空蒸着法におけるYF3の成膜温度を150℃に設定した。Generally, when the film formation temperature is raised and the film material is slowly cooled on the substrate, the structure becomes crystalline. On the other hand, when the film formation temperature is lowered and the film material is rapidly cooled on the substrate, it becomes an amorphous amorphous substance having no crystal structure. In the formation of the fluoride amorphous film 22, the film formation temperature of YF 3 in the vacuum vapor deposition method was set to 150 ° C. in order to make the structure of YF 3 amorphous.

次に、比較例1の光学部品について説明する。比較例1の光学部品は、多層膜2を構成するフッ化物アモルファス膜22のYF3を、アモルファスではなく結晶質とした点が、実施の形態1の保護窓15とは異なる。他の構成は、実施の形態1の保護窓15と同様である。比較例1の光学部品では、YF3の構造を結晶質にするため、真空蒸着法におけるYF3の成膜温度を210℃に設定した。Next, the optical component of Comparative Example 1 will be described. The optical component of Comparative Example 1 is different from the protective window 15 of the first embodiment in that the YF 3 of the fluoride amorphous film 22 constituting the multilayer film 2 is made crystalline instead of amorphous. Other configurations are the same as those of the protective window 15 of the first embodiment. In the optical component of Comparative Example 1, to the crystalline structure of YF 3, it was set the deposition temperature of YF 3 in the vacuum evaporation method 210 ° C..

以上により、比較例1の光学部品の基板の主面に形成された多層膜は、基板の主面に近い側から順に、酸化物膜(Y23:膜厚50nm)、フッ化物結晶膜(YF3:膜厚570nm)、Ge膜(膜厚120nm)、DLC膜(膜厚150nm)が積層された構成となった。一方、比較例1の光学部品の基板の第二の面には、実施の形態1の保護窓15と同様の反射防止膜30を形成した。As described above, the multilayer film formed on the main surface of the substrate of the optical component of Comparative Example 1 is an oxide film (Y 2 O 3 : film thickness 50 nm) and a fluoride crystal film in order from the side closer to the main surface of the substrate. (YF 3 : film thickness 570 nm), Ge film (film thickness 120 nm), and DLC film (film thickness 150 nm) were laminated. On the other hand, an antireflection film 30 similar to the protective window 15 of the first embodiment was formed on the second surface of the substrate of the optical component of Comparative Example 1.

次に、実施の形態1の保護窓15と、比較例1の光学部品について、主面のYF3の構造の分析と、赤外線吸収率の算出を実施した。Next, for the protective window 15 of the first embodiment and the optical component of the comparative example 1, the structure of the YF 3 on the main surface was analyzed and the infrared absorption rate was calculated.

構造の分析にはXRD分析を用いた。そして、XRD分析の結果、YF3の結晶に起因する回折ピークが現れたものを結晶質とし、YF3の結晶に起因する回折ピークが現れないものを非晶質のアモルファスとした。XRD analysis was used for structural analysis. Then, as a result of the XRD analysis, the one in which the diffraction peak caused by the YF 3 crystal appeared was defined as crystalline, and the one in which the diffraction peak caused by the YF 3 crystal did not appear was designated as amorphous amorphous.

赤外線吸収率の算出には、波長λ=9.3μmのレーザ光の透過率及び反射率を用いた。また、レーザ光の透過率及び反射率の測定には、フーリエ変換型赤外分光光度計を用いた。 The transmittance and reflectance of the laser beam having a wavelength of λ = 9.3 μm were used to calculate the infrared absorptivity. A Fourier transform infrared spectrophotometer was used to measure the transmittance and reflectance of the laser light.

赤外線吸収率は、フーリエ変換型赤外分光光度計を用いて測定したレーザ光の透過率および反射率に基づいて、
(赤外線吸収率)=100%−(透過率)−(反射率)
の式により算出した。赤外線吸収率の算出は、実施の形態1の保護窓15と比較例1の光学部品について、熱処理を実施する前と後の2回行った。なお、熱処理の条件は、200℃の大気中に12時間とした。
Infrared absorptivity is based on the transmittance and reflectance of laser light measured using a Fourier transform infrared spectrophotometer.
(Infrared absorption rate) = 100%-(Transmittance)-(Reflectance)
It was calculated by the formula of. The infrared absorption rate was calculated twice, before and after the heat treatment was performed on the protective window 15 of the first embodiment and the optical component of the comparative example 1. The conditions for the heat treatment were 12 hours in the air at 200 ° C.

表1は、実施の形態1の保護窓15と、比較例1の光学部品における、主面のYF3の構造の分析結果と、赤外線吸収率の算出結果である。 Table 1 shows the analysis result of the structure of YF 3 on the main surface and the calculation result of the infrared absorption rate in the protective window 15 of the first embodiment and the optical component of the comparative example 1.

Figure 0006873283
Figure 0006873283

表1のXRD分析結果に示すように、実施の形態1の保護窓15は、YF3の構造がアモルファスとなっている。これに対し、比較例1の光学部品は、YF3の構造が結晶質である。As shown in the XRD analysis results of Table 1, the protective window 15 of the first embodiment has an amorphous structure of YF 3. On the other hand, in the optical component of Comparative Example 1, the structure of YF 3 is crystalline.

また、表1より、実施の形態1の保護窓15の赤外線吸収率の算出結果は、熱処理前が2.2%、熱処理後が2.1%であった。これに対し、比較例1の光学部品の赤外線吸収率の算出結果は、熱処理前が2.8%、熱処理後が4.1%であった。 Further, from Table 1, the calculation result of the infrared absorption rate of the protective window 15 of the first embodiment was 2.2% before the heat treatment and 2.1% after the heat treatment. On the other hand, the calculation result of the infrared absorption rate of the optical component of Comparative Example 1 was 2.8% before the heat treatment and 4.1% after the heat treatment.

レーザ加工機の保護窓としては、赤外線吸収率が3.0%以下であることが望ましく、低いほど好ましい。実施の形態1の保護窓15は、熱処理前後において赤外線吸収率が3.0%未満であることから、レーザ加工機1の保護窓15として十分な光学性能を有している。さらに、実施の形態1の保護窓15は、従来の光学部品である比較例1に対して、熱処理後の赤外線吸収率が約半分となっている。以上の結果より、実施の形態1の保護窓15は、従来の光学部品に対して、耐熱性が向上していることが確認された。 As the protective window of the laser processing machine, it is desirable that the infrared absorption rate is 3.0% or less, and the lower it is, the more preferable. Since the protective window 15 of the first embodiment has an infrared absorption rate of less than 3.0% before and after the heat treatment, it has sufficient optical performance as the protective window 15 of the laser processing machine 1. Further, the protective window 15 of the first embodiment has about half the infrared absorption rate after the heat treatment as compared with the comparative example 1 which is a conventional optical component. From the above results, it was confirmed that the protective window 15 of the first embodiment has improved heat resistance as compared with the conventional optical component.

このように、実施の形態1の保護窓15によれば、Geを基板150として、少なくとも基板150の主面150Aに近い側から順に、酸化物膜21、フッ化物アモルファス膜22、Ge膜23、及びDLC膜24を形成している。これにより、実施の形態1の保護窓15は、高い透過率と耐熱性、及び耐摩耗性を有する。よって、実施の形態1の保護窓15は、レーザ加工機のレーザ光の損失を少なくすることができる。また、実施の形態1の保護窓15は、レーザ加工中に高熱にさらされた場合であっても、安定した光学性能を発揮することができる。 As described above, according to the protective window 15 of the first embodiment, the oxide film 21, the fluoride amorphous film 22, and the Ge film 23 are arranged in this order from the side closer to the main surface 150A of the substrate 150, with Ge as the substrate 150. And the DLC film 24 is formed. As a result, the protective window 15 of the first embodiment has high transmittance, heat resistance, and abrasion resistance. Therefore, the protective window 15 of the first embodiment can reduce the loss of the laser beam of the laser processing machine. Further, the protective window 15 of the first embodiment can exhibit stable optical performance even when exposed to high heat during laser machining.

実施の形態2.
次に、実施の形態2の保護窓15Bについて、図4を用いて説明する。実施の形態2の保護窓15Bは、基板150の主面150Aに形成される多層膜2Bの構成が、実施の形態1の保護窓15とは異なる。他の構成は、実施の形態1と同様である。
Embodiment 2.
Next, the protective window 15B of the second embodiment will be described with reference to FIG. The protective window 15B of the second embodiment is different from the protective window 15 of the first embodiment in the configuration of the multilayer film 2B formed on the main surface 150A of the substrate 150. Other configurations are the same as those in the first embodiment.

実施の形態1の多層膜2は、基板150に近い側から順に、酸化物膜21、フッ化物アモルファス膜22、Ge膜23及びDLC膜24の4層が積層された膜を含んで形成されていた。これに対し、実施の形態2の多層膜2Bは、図4に示すように、基板150に近い側から順に、酸化物膜21、フッ化物アモルファス膜22、第二酸化物膜25、Ge膜23及びDLC膜24の5層を積層した膜を含んで形成されている。 The multilayer film 2 of the first embodiment is formed including a film in which four layers of an oxide film 21, a fluoride amorphous film 22, a Ge film 23, and a DLC film 24 are laminated in this order from the side closer to the substrate 150. It was. On the other hand, in the multilayer film 2B of the second embodiment, as shown in FIG. 4, the oxide film 21, the fluoride amorphous film 22, the second oxide film 25, the Ge film 23, and the like, are arranged in this order from the side closer to the substrate 150. It is formed to include a film in which five layers of the DLC film 24 are laminated.

第二酸化物膜25は、多層膜2Bにおいて、最も弱い界面であるフッ化物アモルファス膜22とGe膜23との間を密着させ、多層膜2Bの剥離を抑制する効果を有する。 The second oxide film 25 has an effect of suppressing peeling of the multilayer film 2B by bringing the fluoride amorphous film 22 and the Ge film 23, which are the weakest interfaces of the multilayer film 2B, into close contact with each other.

図4に示す保護窓15Bは、基板150の主面150Aに多層膜2Bが形成されており、第二の面150Bに多層膜2Bとは異なる反射防止膜30が形成されている。基板150の主面150Aに形成された多層膜2Bは、例えば、基板150の主面150Aに近い側から順に、酸化物膜21(Y23:膜厚25nm)、フッ化物アモルファス膜22(YF3:膜厚570nm)、第二酸化物膜25(Y23:膜厚25nm)、Ge膜23(膜厚120nm)、DLC膜24(膜厚150nm)を積層して形成されている。In the protective window 15B shown in FIG. 4, a multilayer film 2B is formed on the main surface 150A of the substrate 150, and an antireflection film 30 different from the multilayer film 2B is formed on the second surface 150B. The multilayer film 2B formed on the main surface 150A of the substrate 150 is, for example, an oxide film 21 (Y 2 O 3 : film thickness 25 nm) and a fluoride amorphous film 22 (in order from the side closer to the main surface 150A of the substrate 150). It is formed by laminating YF 3 : a second oxide film 25 (Y 2 O 3 : film thickness 25 nm), Ge film 23 (thickness 120 nm), and DLC film 24 (thickness 150 nm).

一方、基板150の第二の面150Bには、波長9.3μmにおける透過率が99%以上の反射防止膜30が形成されている。反射防止膜30は、基板150の第二の面150Bに近い側から順に、YF3膜(膜厚670nm)、Ge膜(膜厚130nm)、MgF2膜(膜厚200nm)、が積層された構成とした。なお、反射防止膜30の構成は、これに限定されるものではない。On the other hand, an antireflection film 30 having a transmittance of 99% or more at a wavelength of 9.3 μm is formed on the second surface 150B of the substrate 150. In the antireflection film 30, a YF 3 film (thickness 670 nm), a Ge film (thickness 130 nm), and an MgF 2 film (thickness 200 nm) are laminated in this order from the side closer to the second surface 150B of the substrate 150. It was configured. The configuration of the antireflection film 30 is not limited to this.

ここで、多層膜2Bの光学性能及び機械特性を低下させる影響がなければ、多層膜2Bを構成する層に他元素が添加されていてもよい。また、多層膜2Bの光学性能及び機械特性を低下させる影響がなければ、多層膜2Bを構成する層以外に、他の薄膜が形成されていてもよい。さらに、酸化物膜21と第二酸化物膜25とは、同一の酸化物を用いた膜であってもよいし、異なる種類の酸化物を用いた膜であってもよい。 Here, other elements may be added to the layers constituting the multilayer film 2B as long as there is no effect of deteriorating the optical performance and mechanical properties of the multilayer film 2B. Further, other thin films may be formed in addition to the layers constituting the multilayer film 2B as long as there is no effect of deteriorating the optical performance and mechanical properties of the multilayer film 2B. Further, the oxide film 21 and the second oxide film 25 may be a film using the same oxide or a film using different types of oxides.

このように、実施の形態2の多層膜2Bは、基板150に近い側から順に、酸化物膜21、フッ化物アモルファス膜22、第二酸化物膜25、Ge膜23及びDLC膜24の5層を積層した膜を含んで形成されている。これにより、実施の形態2の保護窓15Bは、優れた耐熱性を有し、高温環境下においても安定して光学性能を発揮することができる。 As described above, the multilayer film 2B of the second embodiment has five layers of an oxide film 21, a fluoride amorphous film 22, a second oxide film 25, a Ge film 23, and a DLC film 24 in this order from the side closer to the substrate 150. It is formed to include a laminated film. As a result, the protective window 15B of the second embodiment has excellent heat resistance and can stably exhibit optical performance even in a high temperature environment.

さらに、実施の形態2の保護窓15Bは、フッ化物アモルファス膜22とGe膜23との間に、第二酸化物膜25を有することにより、フッ化物アモルファス膜22とGe膜23との間を密着させて、多層膜2Bの剥離を抑制することができる。 Further, the protective window 15B of the second embodiment has a second oxide film 25 between the fluoride amorphous film 22 and the Ge film 23, so that the fluoride amorphous film 22 and the Ge film 23 are in close contact with each other. Therefore, the peeling of the multilayer film 2B can be suppressed.

1 レーザ加工機、11 レーザ発振器、11A レーザ光、13 集光レンズ、15,15A,15B 保護窓(光学部品)、2,2B 多層膜、21 酸化物膜、22 フッ化物アモルファス膜、23 Ge膜、24 DLC膜、25 第二酸化物膜、30 反射防止膜、100 被加工物、150 基板、150A 主面、150B 第二の面。 1 Laser processing machine, 11 Laser oscillator, 11A laser light, 13 Condensing lens, 15, 15A, 15B protective window (optical component), 2,2B multilayer film, 21 oxide film, 22 fluoride amorphous film, 23 Ge film , 24 DLC film, 25 second oxide film, 30 antireflection film, 100 workpiece, 150 substrate, 150A main surface, 150B second surface.

Claims (6)

主面及び前記主面の背面側に形成された第二の面を備えた基板と、
前記主面及び前記第二の面のうち、少なくとも主面に形成された多層膜と、を有する光学部品であって、
前記基板は、Geを含んで形成されており、
前記多層膜は、前記基板に近い側から順に、酸化物膜、フッ化物アモルファス膜、Ge膜及びDLC膜の少なくとも4層が積層された膜を含
前記酸化物膜と前記フッ化物アモルファス膜とが隣接している、光学部品。
A substrate having a main surface and a second surface formed on the back side of the main surface,
An optical component having a multilayer film formed on at least the main surface of the main surface and the second surface.
The substrate is formed including Ge, and is formed.
The multilayer film, in order from a side closer to the substrate, oxide film, seen including a film in which at least four layers are stacked fluoride amorphous film, Ge film and DLC film
An optical component in which the oxide film and the fluoride amorphous film are adjacent to each other.
前記酸化物膜は、Y、HfO及びZrOのうちのいずれか1つを含んで形成されており、
前記フッ化物アモルファス膜は、YF、YbF及びMgFのうちのいずれか1つを含んで形成されている、
請求項1に記載の光学部品。
The oxide film is formed by containing any one of Y 2 O 3 , HfO 2 and ZrO 2.
The fluoride amorphous film is formed containing any one of YF 3 , YbF 3 and MgF 2.
The optical component according to claim 1.
前記酸化物膜は、厚みが5〜150nmであり、
前記フッ化物アモルファス膜は、厚みが500〜950nmであり、
前記Ge膜は、厚みが50〜150nmであり、
前記DLC膜は、厚みが50〜300nmである、
請求項2に記載の光学部品。
The oxide film has a thickness of 5 to 150 nm and has a thickness of 5 to 150 nm.
The fluoride amorphous film has a thickness of 500 to 950 nm and has a thickness of 500 to 950 nm.
The Ge film has a thickness of 50 to 150 nm and has a thickness of 50 to 150 nm.
The DLC film has a thickness of 50 to 300 nm.
The optical component according to claim 2.
前記フッ化物アモルファス膜と前記Ge膜との間に、第2の酸化物膜を有し、
前記第2の酸化物膜は、Y、HfO及びZrOのうちのいずれか1つを含んで形成されている、
請求項3に記載の光学部品。
A second oxide film is provided between the fluoride amorphous film and the Ge film.
The second oxide film is formed containing any one of Y 2 O 3 , HfO 2 and ZrO 2.
The optical component according to claim 3.
前記第2の酸化物膜は、厚みが5〜150nmである、請求項4に記載の光学部品。 The optical component according to claim 4, wherein the second oxide film has a thickness of 5 to 150 nm. レーザ発振器と、前記レーザ発振器から照射されるレーザ光の光学系とを有するレーザ加工機であって、
前記光学系は、請求項3または請求項5に記載の光学部品を有し、
前記光学部品は、前記主面を加工空間側に向けて配置されている、レーザ加工機。
A laser processing machine having a laser oscillator and an optical system of laser light emitted from the laser oscillator.
The optical system includes the optical component according to claim 3 or 5.
The optical component is a laser processing machine in which the main surface is arranged so as to face the processing space side.
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