JP6880564B2 - Prepregs, resin substrates, metal-clad laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices - Google Patents
Prepregs, resin substrates, metal-clad laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices Download PDFInfo
- Publication number
- JP6880564B2 JP6880564B2 JP2016074609A JP2016074609A JP6880564B2 JP 6880564 B2 JP6880564 B2 JP 6880564B2 JP 2016074609 A JP2016074609 A JP 2016074609A JP 2016074609 A JP2016074609 A JP 2016074609A JP 6880564 B2 JP6880564 B2 JP 6880564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- prepreg
- cured product
- less
- printed wiring
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 92
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 92
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 66
- -1 maleimide compound Chemical class 0.000 claims description 97
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 85
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 58
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 44
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 37
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 36
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 31
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 28
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 18
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 9
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000454 talc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 80
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 80
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 18
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 14
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 14
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 13
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 12
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 8
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000459 Nitrile rubber Chemical class 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical group C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Chemical group 0.000 description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 4
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 4
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 4
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 3
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=CN=C(C)N1 LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- BGDOLELXXPTPFX-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2h-1,2-benzoxazine Chemical group C1=CC=C2ONCCC2=C1 BGDOLELXXPTPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 4-[7-hydroxy-2-[5-[5-[6-hydroxy-6-(hydroxymethyl)-3,5-dimethyloxan-2-yl]-3-methyloxolan-2-yl]-5-methyloxolan-2-yl]-2,8-dimethyl-1,10-dioxaspiro[4.5]decan-9-yl]-2-methyl-3-propanoyloxypentanoic acid Chemical compound C1C(O)C(C)C(C(C)C(OC(=O)CC)C(C)C(O)=O)OC11OC(C)(C2OC(C)(CC2)C2C(CC(O2)C2C(CC(C)C(O)(CO)O2)C)C)CC1 ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910000378 hydroxylammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- GLTDLAUASUFHNK-UHFFFAOYSA-N n-silylaniline Chemical compound [SiH3]NC1=CC=CC=C1 GLTDLAUASUFHNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- NQFOGDIWKQWFMN-UHFFFAOYSA-N phenalene Chemical compound C1=CC([CH]C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 NQFOGDIWKQWFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical class C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 2
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- UOFOQHJWFXUUML-UHFFFAOYSA-N (2,6-dimethoxyphenyl)phosphane Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1P UOFOQHJWFXUUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUTQTRJBSUBFPJ-UHFFFAOYSA-N 1-(oxiran-2-yl)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)C1CO1 OUTQTRJBSUBFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUKLCKVOVCZYKF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)ethyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1CCN1C(=O)C=CC1=O PUKLCKVOVCZYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPJGAEWUPXWFPL-UHFFFAOYSA-N 1-[3-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC(N2C(C=CC2=O)=O)=C1 IPJGAEWUPXWFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDHGFCVQWMDIQX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C=C BDHGFCVQWMDIQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWZKSTUZKJCCMK-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylimidazol-1-yl)acetonitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CC#N NWZKSTUZKJCCMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCYCUECVHJJFIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(benzotriazol-2-yl)-4-hydroxyphenyl]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 VCYCUECVHJJFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 2-[[5-(oxiran-2-ylmethoxy)naphthalen-2-yl]oxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C=C1C=CC=2)=CC=C1C=2OCC1CO1 MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQHUWSPRTMWLFA-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C1CCCCC1 FQHUWSPRTMWLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIQHSJOKAUDDLN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-propylimidazole Chemical compound CCCN1C=CN=C1C SIQHSJOKAUDDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yl-1h-imidazole Chemical compound CC(C)C1=NC=CN1 FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMDPTYFNMLYSLH-UHFFFAOYSA-N 3-silylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical group CC(=C)C(=O)OCCC[SiH3] IMDPTYFNMLYSLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKXAYLPDMSGWEV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCO YKXAYLPDMSGWEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCOC(=O)C=C NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYIUODUDSPAJQ-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C(COC(=O)C(=C)C)CCC2OC21 FYYIUODUDSPAJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol P Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRWLKECFWWDHJL-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC(N1)=O)=O.C1(C=CC(N1)=O)=O.NCCCCCCN Chemical compound C1(C=CC(N1)=O)=O.C1(C=CC(N1)=O)=O.NCCCCCCN DRWLKECFWWDHJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CCc(cccc1)c1OCNC1=CC(C)(C)C=C(*C(C=C2)=CC(C)(C)C=C2NCCc(cccc2)c2O*)C=C1 Chemical compound CCc(cccc1)c1OCNC1=CC(C)(C)C=C(*C(C=C2)=CC(C)(C)C=C2NCCc(cccc2)c2O*)C=C1 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIBNJYPPDPDEU-UHFFFAOYSA-N O=S(c(cc1C2)ccc1OCN2c1ccccc1)(c(cc1C2)ccc1OCN2c1ccccc1)=O Chemical compound O=S(c(cc1C2)ccc1OCN2c1ccccc1)(c(cc1C2)ccc1OCN2c1ccccc1)=O GQIBNJYPPDPDEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni] Chemical compound [Ti].[Ni] HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005192 alkyl ethylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- IRERQBUNZFJFGC-UHFFFAOYSA-L azure blue Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[S-]S[S-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] IRERQBUNZFJFGC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N barium borate Chemical compound [Ba+2].[O-]B=O.[O-]B=O QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010296 bead milling Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- MYONAGGJKCJOBT-UHFFFAOYSA-N benzimidazol-2-one Chemical compound C1=CC=CC2=NC(=O)N=C21 MYONAGGJKCJOBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N binaphthyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L calcium sulfite Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])=O GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000010261 calcium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VQWFNAGFNGABOH-UHFFFAOYSA-K chromium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Cr+3] VQWFNAGFNGABOH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- CRHLEZORXKQUEI-UHFFFAOYSA-N dialuminum;cobalt(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Co+2].[Co+2] CRHLEZORXKQUEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- VZZJVOCVAZHETD-UHFFFAOYSA-N diethylphosphane Chemical compound CCPCC VZZJVOCVAZHETD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N dimethylethyleneglycol Natural products CC(C)(O)CO BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOTZYFSGUCFUKA-UHFFFAOYSA-N dimethylphosphine Chemical compound CPC YOTZYFSGUCFUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- BLCTWBJQROOONQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl prop-2-enoate Chemical group C=COC(=O)C=C BLCTWBJQROOONQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOXPPRACNEBIA-UHFFFAOYSA-N ethyl(phenyl)phosphane Chemical compound CCPC1=CC=CC=C1 ZNOXPPRACNEBIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLHMVTORNNQCRM-UHFFFAOYSA-N ethylphosphine Chemical compound CCP JLHMVTORNNQCRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000009775 high-speed stirring Methods 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002467 indacenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N iron;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Fe].[Fe] YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N isoindolin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NCC2=C1 PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWVMLCQWXVFZCN-UHFFFAOYSA-N isoindoline Chemical compound C1=CC=C2CNCC2=C1 GWVMLCQWXVFZCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHERPFVRWOTBSF-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)phosphane Chemical compound CPC1=CC=CC=C1 MHERPFVRWOTBSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N n-(3-triethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC1=CC=CC=C1 LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRRZZMBHJXLZRS-UHFFFAOYSA-N n-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]cyclohexanamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNC1CCCCC1 DRRZZMBHJXLZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N octadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- NAKOELLGRBLZOF-UHFFFAOYSA-N phenoxybenzene;pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1.O=C1NC(=O)C=C1.C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 NAKOELLGRBLZOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical group 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC=C FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTECDUFMBMSHKR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl prop-2-enoate Chemical compound C=CCOC(=O)C=C QTECDUFMBMSHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NNOBHPBYUHDMQF-UHFFFAOYSA-N propylphosphine Chemical compound CCCP NNOBHPBYUHDMQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- NVKTUNLPFJHLCG-UHFFFAOYSA-N strontium chromate Chemical compound [Sr+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O NVKTUNLPFJHLCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical class [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 235000013759 synthetic iron oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N tetrahydropyridine hydrochloride Natural products C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHPYAGKTTCKKDF-UHFFFAOYSA-M tetraphenylphosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 GHPYAGKTTCKKDF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XDKMXYYPKSWJNR-UHFFFAOYSA-N thiocyanic acid;triphenylphosphane Chemical compound SC#N.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XDKMXYYPKSWJNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFXORIIYQORRMJ-UHFFFAOYSA-N tribenzylphosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CP(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 IFXORIIYQORRMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N tricalcium;diborate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 235000013799 ultramarine blue Nutrition 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKSGNOMLAIJTLT-UHFFFAOYSA-N violanthrone Chemical compound C12=C3C4=CC=C2C2=CC=CC=C2C(=O)C1=CC=C3C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C3=CC=C4C1=C32 YKSGNOMLAIJTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
- C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
- C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
- H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本発明は、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置に関する。 The present invention relates to prepregs, resin substrates, metal-clad laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices.
近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化および高密度実装化が進んでいる。また、電子部品の高密度集積化および高密度実装化のため、これらの電子機器に使用される半導体装置の小型化が急速に進行している。そして、半導体装置に使用されるプリント配線基板には、高密度で微細な回路が求められている。 In recent years, with the demand for higher functionality of electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Further, in order to integrate electronic components at high density and mount them at high density, the miniaturization of semiconductor devices used in these electronic devices is rapidly progressing. A high-density and fine circuit is required for a printed wiring board used in a semiconductor device.
微細な回路を形成する方法として、SAP(セミアディティブプロセス)法が提案されている。SAP法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。次に、めっきレジストを除去し、その後、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。SAP法によれば、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。 A SAP (semi-additive process) method has been proposed as a method for forming a fine circuit. In the SAP method, first, the surface of the insulating layer is roughened to form an electroless metal plating film as a base on the surface of the insulating layer. Next, the non-circuit-forming portion is protected by plating resist, and the circuit-forming portion is thickened by electrolytic plating. Next, the plating resist is removed, and then the electroless metal plating film other than the circuit forming portion is removed by flash etching to form a circuit on the insulating layer. According to the SAP method, the metal layer laminated on the insulating layer can be thinned, so that finer circuit wiring becomes possible.
半導体装置は、例えば、プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される。このようなプリント配線基板に関する技術としては、例えば、以下の特許文献1に記載の技術が挙げられる。特許文献1には、ジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂及びマレイミド環を有する熱硬化性樹脂を必須成分として含有する熱硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板が記載されている。かかる熱硬化性樹脂組成物は、マレイミド環を有する熱硬化性樹脂の含有割合が、ジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂及びマレイミド環を有する熱硬化性樹脂の合計量に対して3〜30重量%であることを特徴とする。 The semiconductor device is formed, for example, by mounting a semiconductor element on a printed wiring board. Examples of the technology related to such a printed wiring board include the technology described in Patent Document 1 below. Patent Document 1 describes a printed wiring substrate using a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin having a dihydrobenzoxazine ring and a thermosetting resin having a maleimide ring as essential components. In such a thermosetting resin composition, the content ratio of the thermosetting resin having a maleimide ring is 3 to 30 with respect to the total amount of the thermosetting resin having a dihydrobenzoxazine ring and the thermosetting resin having a maleimide ring. It is characterized by being% by weight.
プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される半導体装置については、配線間の絶縁信頼性に優れることが求められる。このような要求は、近年のプリント配線基板の配線の高密度化に伴って特に顕著となっている。しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献1に記載の技術では、高温高湿下でのプリント配線基板の絶縁信頼性を十分に得ることが困難であることが明らかになった。 A semiconductor device formed by mounting a semiconductor element on a printed wiring board is required to have excellent insulation reliability between wirings. Such a requirement has become particularly remarkable with the recent increase in the density of wiring on printed wiring boards. However, according to the studies by the present inventors, it has become clear that it is difficult to sufficiently obtain the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity by the technique described in Patent Document 1.
本発明によれば、
熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるプリプレグであって、
当該プリプレグを230℃、2時間加熱処理して得られる硬化物に対して、熱機械分析測定を行ったときに、硬化物の面内方向の50℃から150℃の範囲において算出した平均線膨張係数α1に対する150℃から250℃の範囲において算出した平均線膨張係数α2の比(α2/α1)が、0.7以上2.0以下であり、かつ、上記平均線膨張係数α2が、8.0ppm/℃以下であるプリプレグが提供される。
According to the present invention
A prepreg obtained by impregnating a fiber base material with a thermosetting resin composition.
When thermomechanical analysis measurement was performed on the cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours, the average linear expansion calculated in the range of 50 ° C. to 150 ° C. in the in-plane direction of the cured product. The ratio (α 2 / α 1 ) of the average coefficient of linear expansion α 2 calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. to the coefficient α 1 is 0.7 or more and 2.0 or less, and the above-mentioned average coefficient of linear expansion α A prepreg in which 2 is 8.0 ppm / ° C. or less is provided.
さらに、本発明によれば、上記プリプレグの硬化物を含む樹脂基板が提供される。
さらに、本発明によれば、上記プリプレグの硬化物の片面または両面に、または上記プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の硬化物の片面または両面に、金属箔が設けられている金属張積層板が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a resin substrate containing a cured product of the prepreg.
Further, according to the present invention, a metal-clad laminate in which a metal foil is provided on one or both sides of a cured product of the prepreg, or on one or both sides of a cured product of a laminate obtained by laminating two or more of the prepregs. A board is provided.
さらに、本発明によれば、上記樹脂基板または上記金属張積層板を回路加工して得られるプリント配線基板であり、1層又は2層以上の回路層が設けられているプリント配線基板が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a printed wiring board obtained by circuit-processing the resin substrate or the metal-clad laminate, which is provided with one layer or two or more circuit layers. To.
さらに、本発明によれば、プリント配線基板の上記回路層上に半導体素子を搭載した半導体装置が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the circuit layer of a printed wiring board.
本発明によれば、微細な回路寸法を有し、かつ、高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を実現できるプリプレグ、樹脂基板および金属張積層板を提供できる。また、高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板および半導体装置を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a prepreg, a resin substrate, and a metal-clad laminate that have fine circuit dimensions and can realize a printed wiring board having excellent insulation reliability under high temperature and high humidity. Further, it is possible to provide a printed wiring board and a semiconductor device having excellent insulation reliability under high temperature and high humidity.
以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。なお、文中の数字の間にある「〜」は特に断りがなければ、以上から以下を表す。
はじめに、本実施形態におけるプリプレグについて説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, similar components are designated by a common reference numeral, and the description thereof will be omitted as appropriate. Moreover, the figure is a schematic view and does not match the actual dimensional ratio. Unless otherwise specified, the "~" between the numbers in the sentence indicates the following from the above.
First, the prepreg in the present embodiment will be described.
プリプレグは、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられる。プリプレグは、例えば、本実施形態における熱硬化性樹脂組成物(P)(以下、樹脂組成物(P)とも呼ぶ。)を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。
また、樹脂基板は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられる。
The prepreg is used to form an insulating layer on a printed wiring board. The prepreg is, for example, in the form of a sheet obtained by impregnating a fiber base material with the thermosetting resin composition (P) (hereinafter, also referred to as resin composition (P)) in the present embodiment and then semi-curing it. It is a material.
Further, the resin substrate is used to form an insulating layer of the printed wiring board.
ここで、樹脂基板はプリプレグの硬化物を含んでいる。このような樹脂基板は、例えば、1枚のプリプレグを加熱硬化することによって得ることができる。また、樹脂基板は、2枚以上のプリプレグを積層した積層体を加熱硬化することによっても得ることができる。さらに、樹脂基板としては、プリプレグの片面または両面に、プリプレグを構成する繊維基材および樹脂組成物(P)以外の絶縁性材料で構成された層が設けられていてもよい。このような層としては、例えば、樹脂基板の耐擦傷性を向上させるためのハードコート層等が挙げられる。ハードコート層を有する樹脂基板は、例えば、上述したプリプレグの硬化物の片面または両面にプライマー層を介してハードコート層を密着させることにより得ることができる。または、硬化前のプリプレグの片面または両面にハードコート層を密着した状態で、加熱処理することにより、プリプレグを硬化させるとともに、プリプレグとハードコート層とを融着させて、樹脂基板を得ることもできる。 Here, the resin substrate contains a cured product of the prepreg. Such a resin substrate can be obtained, for example, by heating and curing one prepreg. The resin substrate can also be obtained by heat-curing a laminate in which two or more prepregs are laminated. Further, as the resin substrate, a layer made of a fiber base material constituting the prepreg and an insulating material other than the resin composition (P) may be provided on one side or both sides of the prepreg. Examples of such a layer include a hard coat layer for improving the scratch resistance of the resin substrate. The resin substrate having the hard coat layer can be obtained, for example, by adhering the hard coat layer on one side or both sides of the cured product of the above-mentioned prepreg via the primer layer. Alternatively, a resin substrate may be obtained by curing the prepreg and fusing the prepreg and the hard coat layer by heat treatment with the hard coat layer adhered to one side or both sides of the prepreg before curing. it can.
プリプレグは、例えば、プリント配線基板におけるビルドアップ層中の絶縁層やコア層中の絶縁層を形成するために用いることができる。 The prepreg can be used, for example, to form an insulating layer in a build-up layer or an insulating layer in a core layer of a printed wiring board.
プリプレグをプリント配線基板におけるコア層中の絶縁層を形成するために用いる場合は、例えば、2枚以上のプリプレグを重ね、得られた積層体を加熱硬化することによりコア層用の絶縁層とすることもできる。 When the prepreg is used to form an insulating layer in the core layer of a printed wiring board, for example, two or more prepregs are stacked and the obtained laminate is heat-cured to obtain an insulating layer for the core layer. You can also do it.
プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性を高める観点から、プリプレグは、以下の条件を満足する。すなわち、プリプレグを、230℃で2時間加熱して得られる硬化物(以下、単に「硬化物」ともいう)に対して、熱機械分析測定を行ったときに、硬化物の面内方向の50℃から150℃の範囲において算出した平均線膨張係数α1に対する150℃から250℃の範囲において算出した平均線膨張係数α2の比(α2/α1)が、0.7以上2.0以下である。また、α2/α1は、0.75以上1.5以下であることが好ましく、0.8以上1.2以下であることがより好ましい。 The prepreg satisfies the following conditions from the viewpoint of enhancing the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board. That is, when a thermomechanical analysis measurement was performed on a cured product obtained by heating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours (hereinafter, also simply referred to as “cured product”), the cured product was 50 in the in-plane direction. The ratio (α 2 / α 1 ) of the average coefficient of linear expansion α 2 calculated in the range of 150 ° C to 250 ° C to the average coefficient of linear expansion α 1 calculated in the range of ° C to 150 ° C is 0.7 or more and 2.0. It is as follows. Further, α 2 / α 1 is preferably 0.75 or more and 1.5 or less, and more preferably 0.8 or more and 1.2 or less.
なお、上述したプリプレグの硬化物は、単にプリプレグを所定温度(230℃)で加熱して得ることができるが、加圧条件下で加熱して得られた硬化物が好ましい。プリプレグを加熱加圧して形成された硬化物では、その物性がより安定して、正確な物性評価が可能となるためである。なお、プリプレグを加熱加圧して硬化物を形成する場合には、例えば、4MPa、230℃で2時間加熱加圧することにより、硬化物を得ることができる。 The cured product of the above-mentioned prepreg can be obtained by simply heating the prepreg at a predetermined temperature (230 ° C.), but the cured product obtained by heating under pressurized conditions is preferable. This is because the cured product formed by heating and pressurizing the prepreg has more stable physical properties and enables accurate evaluation of the physical properties. When the prepreg is heated and pressed to form a cured product, the cured product can be obtained by heating and pressurizing at 4 MPa and 230 ° C. for 2 hours, for example.
また、プリプレグの硬化物のみで構成された樹脂基板は、上述したプリプレグの硬化物と同じ条件を満足する。なお、樹脂基板が、プリプレグの硬化物以外の層を有する場合には、プリプレグの硬化物のみが、上記条件を満足すればよい。以下の説明において、プリプレグの硬化物の条件として挙げた事項は、樹脂基板が有するプリプレグの硬化物が満たすべき条件でもある。 Further, the resin substrate composed of only the cured product of the prepreg satisfies the same conditions as the cured product of the prepreg described above. When the resin substrate has a layer other than the cured product of the prepreg, only the cured product of the prepreg needs to satisfy the above conditions. In the following description, the matters mentioned as the conditions for the cured product of the prepreg are also the conditions to be satisfied by the cured product of the prepreg contained in the resin substrate.
本実施形態において、平均線膨張係数α1およびα2とは、TMA(熱機械分析)装置(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、対象物に対して、温度範囲30℃〜260℃、昇温速度10℃/min、荷重10g、圧縮モードの条件で測定される、平面方向(XY方向)の線膨張係数(CTE)の平均値である。 In the present embodiment, the average linear expansion coefficients α 1 and α 2 are in a temperature range of 30 ° C. to 260 ° C. with respect to the object using a TMA (thermomechanical analysis) device (manufactured by TA Instruments, Q400). It is an average value of the coefficient of linear expansion (CTE) in the plane direction (XY direction) measured under the conditions of ° C., a heating rate of 10 ° C./min, a load of 10 g, and a compression mode.
硬化物において、α2/α1が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の環境温度に大きな変化が生じても、回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力の変化を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置が、温度変化が激しい状況に長期間置かれた場合でも、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。以上から、かかるプリプレグを用いることにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を高めることができると考えられる。 When α 2 / α 1 satisfies the above range in the cured product, even if a large change occurs in the environmental temperature of the obtained printed wiring board, it occurs due to the difference in the coefficient of linear expansion between the circuit layer and the insulating layer. It is possible to reduce the change in stress. Therefore, even when the obtained printed wiring board or semiconductor device is left in a state where the temperature changes drastically for a long period of time, the adhesion between the circuit layer and the insulating layer can be maintained. From the above, it is considered that the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be improved by using such a prepreg.
さらに、硬化物において、α2/α1が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置の環境温度に大きな変化が生じても、プリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力の変化を低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。 Further, when α 2 / α 1 satisfies the above range in the cured product, even if a large change occurs in the environmental temperature of the obtained semiconductor device, it is caused by the difference in the coefficient of linear expansion between the printed wiring board and the semiconductor element. The change in stress generated can be reduced. As a result, the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board at high temperatures can be further improved.
また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグは、以下の条件をさらに満足する。すなわち、硬化物に対して、熱機械分析測定を行ったときに、硬化物の面内方向の150℃から250℃の範囲において算出した平均線膨張係数α2が、8.0ppm/℃以下である。また、平均線膨張係数α2は、7.5ppm/℃以下であることが好ましく、7.2ppm/℃以下であることが特に好ましい。下限値については、特に限定されないが、例えば、0.1ppm/℃以上とすることができる。 Further, the prepreg further satisfies the following conditions from the viewpoint of further enhancing the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board. That is, when thermomechanical analysis measurement was performed on the cured product, the average linear expansion coefficient α 2 calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. in the in-plane direction of the cured product was 8.0 ppm / ° C. or less. is there. The average coefficient of linear expansion α 2 is preferably 7.5 ppm / ° C. or lower, and particularly preferably 7.2 ppm / ° C. or lower. The lower limit is not particularly limited, but may be, for example, 0.1 ppm / ° C. or higher.
硬化物において、平均線膨張係数α2が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板が半田リフロー等の高い温度に曝された際に、回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置が、温度変化が激しい状況に長期間置かれた場合でも、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。これにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高めることができる。 When the average coefficient of linear expansion α 2 of the cured product satisfies the above range, the difference in the coefficient of linear expansion between the circuit layer and the insulating layer when the obtained printed wiring board is exposed to a high temperature such as solder reflow. The resulting stress can be reduced. Therefore, even when the obtained printed wiring board or semiconductor device is left in a state where the temperature changes drastically for a long period of time, the adhesion between the circuit layer and the insulating layer can be maintained. As a result, the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be further improved.
また、硬化物において、平均線膨張係数α2が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置が半田リフロー等の高い温度に曝された際に、プリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。 Further, when the average coefficient of linear expansion α 2 of the cured product satisfies the above range, the coefficient of linear expansion between the printed wiring board and the semiconductor element when the obtained semiconductor device is exposed to a high temperature such as solder reflow. The stress generated due to the difference can be reduced. As a result, the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board at high temperatures can be further improved.
また、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性や、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性を高める観点から、プリプレグは、以下の条件を満足することが好ましい。すなわち、硬化物に対して、熱機械分析測定を行ったときに、硬化物の面内方向の50℃から150℃の範囲において算出した平均線膨張係数α1が、7.5ppm/℃以下であることが好ましく、7.2ppm/℃以下であることがより好ましく、6.5ppm/℃以下であることが特に好ましい。下限値については、特に限定されないが、例えば、0.1ppm/℃以上とすることができる。 Further, from the viewpoint of enhancing the insulation reliability of the printed wiring board under high temperature and high humidity and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, when thermomechanical analysis measurement was performed on the cured product, the average linear expansion coefficient α 1 calculated in the in-plane direction of the cured product in the range of 50 ° C. to 150 ° C. was 7.5 ppm / ° C. or less. It is preferably 7.2 ppm / ° C. or lower, more preferably 6.5 ppm / ° C. or lower. The lower limit is not particularly limited, but may be, for example, 0.1 ppm / ° C. or higher.
硬化物において、平均線膨張係数α1が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の環境温度に大きな変化が生じても、回路層と絶縁層との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。そのため、得られるプリント配線基板や半導体装置が、温度変化が激しい状況に長期間置かれた場合でも、回路層と絶縁層との密着性を維持することができる。これにより、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高めることができる。 When the average coefficient of linear expansion α 1 satisfies the above range in the cured product, even if a large change occurs in the environmental temperature of the obtained printed wiring board, it is caused by the difference in the coefficient of linear expansion between the circuit layer and the insulating layer. The generated stress can be reduced. Therefore, even when the obtained printed wiring board or semiconductor device is left in a state where the temperature changes drastically for a long period of time, the adhesion between the circuit layer and the insulating layer can be maintained. As a result, the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be further improved.
また、硬化物において、平均線膨張係数α1が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置が、高い温度に曝された際に、プリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力をより低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。 Further, when the average coefficient of linear expansion α 1 satisfies the above range in the cured product, it is caused by the difference in the coefficient of linear expansion between the printed wiring substrate and the semiconductor element when the obtained semiconductor device is exposed to a high temperature. Therefore, the stress generated can be further reduced. As a result, the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board at high temperatures can be further improved.
このような平均線膨張係数α1やα2、α2/α1を達成するためには、プリプレグの樹脂組成物(P)の構成成分の種類や各成分の配合量、プリプレグの製造方法等を適切に設定することが重要である。なお、樹脂組成物(P)の構成成分は、具体的には、後述する、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等である。 In order to achieve such average linear expansion coefficients α 1 , α 2 , and α 2 / α 1 , the types of components of the resin composition (P) of the prepreg, the blending amount of each component, the method for producing the prepreg, etc. It is important to set properly. Specifically, the constituent components of the resin composition (P) are a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), an inorganic filler (C), an epoxy resin (D), and a low-stress material, which will be described later. (E), fiber base material, curing accelerator, etc.
また、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグは、以下の条件を満足することが好ましい。すなわち、硬化物に対して、熱機械分析装置を用いて、30℃から260℃まで10℃/minで昇温する過程と、260℃で1時間保持する過程とを有する熱機械分析測定を行ったとき、熱機械分析測定前の硬化物の縦方向の長さを基準長L0とし、硬化物の基準長L0からの最大の熱膨張量をL1とし、硬化物を260℃で1時間保持したときの基準長L0からの熱膨張量をL2とした場合、100×(L1−L2)/L0で示される寸法収縮率が、0.15%以下であることが好ましく、0.10%以下であることがより好ましい。下限値については、特に限定されないが、例えば、0.00%以上とすることができる。
なお、硬化物の縦方向はプリプレグの搬送方向(いわゆるMD)を指す。
Further, from the viewpoint of further enhancing the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, a thermomechanical analysis measurement is performed on the cured product using a thermomechanical analyzer, which includes a process of raising the temperature from 30 ° C. to 260 ° C. at 10 ° C./min and a process of holding the cured product at 260 ° C. for 1 hour. when in, the longitudinal length of the cured product before thermal mechanical analysis measurements as a reference length L 0, the maximum amount of thermal expansion from the reference length L 0 of the cured product as L 1, 1 a cured product at 260 ° C. When the amount of thermal expansion from the reference length L 0 when held for a long time is L 2 , the dimensional shrinkage indicated by 100 × (L 1 − L 2 ) / L 0 is 0.15% or less. It is preferably 0.10% or less, and more preferably 0.10% or less. The lower limit value is not particularly limited, but can be, for example, 0.00% or more.
The vertical direction of the cured product refers to the transport direction of the prepreg (so-called MD).
一般的に、半導体装置が高い温度に曝されると、プリント配線基板中の絶縁層に蓄積された応力(例えば、プリプレグを加熱硬化させる際に繊維基材に蓄積された応力)が解放され、絶縁層が収縮しようとする。また、高温から常温へと冷却される際に、絶縁層の樹脂成分が収縮しようとする。これに対して、硬化物において、寸法収縮率が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置が、高い温度に曝された際に、プリント配線基板中の絶縁層の収縮に起因して発生する応力を低減することができる。そのため、半導体装置が温度変化が激しい状況に長期間置かれた場合でも、絶縁層と回路層との密着性を維持することができる。その結果、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより高めることができる。また、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。 Generally, when a semiconductor device is exposed to a high temperature, the stress accumulated in the insulating layer in the printed wiring board (for example, the stress accumulated in the fiber substrate when the prepreg is heat-cured) is released. The insulating layer tries to shrink. Further, when the resin component of the insulating layer is cooled from a high temperature to a room temperature, the resin component of the insulating layer tends to shrink. On the other hand, when the dimensional shrinkage of the cured product satisfies the above range, the stress generated due to the shrinkage of the insulating layer in the printed wiring board when the obtained semiconductor device is exposed to a high temperature. Can be reduced. Therefore, even when the semiconductor device is left in a state where the temperature changes drastically for a long period of time, the adhesion between the insulating layer and the circuit layer can be maintained. As a result, the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be further improved. Further, the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board at a high temperature can be further improved.
このような寸法収縮率を達成するためには、樹脂組成物(P)の構成成分である、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。 In order to achieve such a dimensional shrinkage rate, the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), and the epoxy resin (D), which are constituents of the resin composition (P), are used. It is important to appropriately control the types and amounts of the low-stress material (E), the fiber base material, the curing accelerator, etc., and the method for producing the prepreg.
また、硬化物に対して、熱機械分析装置を用いて、30℃から300℃まで10℃/minで昇温する過程と、300℃から30℃まで10℃/minで降温する過程とを有する圧縮モードでの面方向の熱機械分析測定を行ったとき、熱機械分析測定前の硬化物の縦方向の長さを基準長L0とし、降温する過程における30℃での硬化物の縦方向の長さをL1とした場合、100×(L1−L0)/L0で示される寸法変化率が好ましくは−0.20%以上、より好ましくは−0.15%以上である。下限値については、特に限定されないが、例えば、0.00%以下とすることができる。
なお、硬化物の縦方向はプリプレグの搬送方向(いわゆるMD)を指す。
Further, the cured product has a process of raising the temperature of the cured product from 30 ° C. to 300 ° C. at 10 ° C./min and a process of lowering the temperature of the cured product from 300 ° C. to 30 ° C. at 10 ° C./min. when performing thermomechanical analysis measured in the plane direction in the compressed mode, a vertical direction of the cured product at 30 ° C. in the course of the longitudinal length of the cured product before thermal mechanical analysis measurements as a reference length L 0, the temperature is decreased When the length of is L 1 , the dimensional change rate represented by 100 × (L 1 − L 0 ) / L 0 is preferably −0.20% or more, more preferably −0.15% or more. The lower limit value is not particularly limited, but can be, for example, 0.00% or less.
The vertical direction of the cured product refers to the transport direction of the prepreg (so-called MD).
硬化物において、寸法変化率が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置が、激しい温度変化に曝された際に、プリント配線基板中の絶縁層の寸法変化に起因して発生する応力を低減することができる。そのため、半導体装置が温度変化が激しい状況に長期間置かれた場合でも、絶縁層と回路層との密着性を維持することができる。その結果、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより高めることができる。また、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。 When the dimensional change rate of the cured product satisfies the above range, the stress generated due to the dimensional change of the insulating layer in the printed wiring board when the obtained semiconductor device is exposed to a severe temperature change is reduced. be able to. Therefore, even when the semiconductor device is left in a state where the temperature changes drastically for a long period of time, the adhesion between the insulating layer and the circuit layer can be maintained. As a result, the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity can be further improved. Further, the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability and the temperature cycle reliability between the semiconductor element and the printed wiring board at a high temperature can be further improved.
このような寸法変化率を達成するためには、樹脂組成物(P)の構成成分である、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。 In order to achieve such a dimensional change rate, the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), and the epoxy resin (D), which are constituents of the resin composition (P), are used. It is important to appropriately control the types and amounts of the low-stress material (E), the fiber base material, the curing accelerator, etc., and the method for producing the prepreg.
また、得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性を向上させる観点から、プリプレグは、以下の条件を満足することが好ましい。すなわち、硬化物に対して、昇温速度5℃/min、周波数1Hzの条件で動的粘弾性測定を行ったときに、硬化物のガラス転移温度が、260℃以上であることが好ましく、270℃以上であることがより好ましく、280℃以上であることがさらに好ましい。上限については、例えば、400℃以下が好ましい。ガラス転移温度は、動的粘弾性分析装置(DMA)を用いて測定することができる。 Further, from the viewpoint of improving the rigidity and heat resistance of the obtained printed wiring board, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, when the dynamic viscoelasticity of the cured product is measured under the conditions of a temperature rising rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz, the glass transition temperature of the cured product is preferably 260 ° C. or higher, preferably 270 ° C. The temperature is more preferably 280 ° C. or higher, and even more preferably 280 ° C. or higher. The upper limit is preferably 400 ° C. or lower, for example. The glass transition temperature can be measured using a dynamic viscoelastic analyzer (DMA).
動的粘弾性測定による硬化物のガラス転移温度が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性が高まり、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。その結果、得られる半導体装置において、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。 When the glass transition temperature of the cured product by dynamic viscoelasticity measurement satisfies the above range, the rigidity of the obtained printed wiring board is increased, and the warp of the printed wiring board at the time of mounting can be further reduced. As a result, in the obtained semiconductor device, the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed, and the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.
このようなガラス転移温度を達成するためには、樹脂組成物(P)の構成成分である、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。 In order to achieve such a glass transition temperature, a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), an inorganic filler (C), and an epoxy resin (D), which are constituents of the resin composition (P), are used. It is important to appropriately control the types and amounts of the low-stress material (E), the fiber base material, the curing accelerator, etc., and the method for producing the prepreg.
また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能のバランスをより一層向上させる観点から、プリプレグは、以下の条件を満足することが好ましい。すなわち、硬化物に対して、動的粘弾性測定を行ったときに、硬化物の30℃での貯蔵弾性率E’30が、10GPa以上であることが好ましく、20GPa以上であることがさらに好ましい。上限値については、特に限定されないが、例えば、40GPa以下とすることができる。 Further, from the viewpoint of further improving the balance of rigidity, heat resistance, and stress relaxation ability of the printed wiring board obtained by using the prepreg, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, for the cured product, when subjected to dynamic viscoelasticity measurement, the storage modulus E '30 at 30 ° C. of the cured product is preferably at least 10 GPa, more preferably not less than 20GPa .. The upper limit value is not particularly limited, but may be, for example, 40 GPa or less.
30℃での硬化物の貯蔵弾性率E’30が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能の性能バランスが向上し、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。そのため、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制できる。その結果、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。 When the storage elastic modulus E '30 of the cured product at 30 ° C. satisfies the above range, rigidity and heat resistance of the printed wiring board obtained improves the performance balance of the stress relaxation ability, warping of the printed wiring board when mounting It can be further reduced. Therefore, in the obtained semiconductor device, the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be further suppressed. As a result, the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.
また、プリプレグを用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性、応力緩和能のバランスをより一層向上させる観点から、プリプレグは、以下の条件を満足することが好ましい。すなわち、硬化物に対して、動的粘弾性測定を行ったときに、硬化物の250℃での貯蔵弾性率E'250に対する30℃での貯蔵弾性率E’30の比(E’30/E’250)が、1.05以上1.75以下であることが好ましい。 Further, from the viewpoint of further improving the balance of rigidity, heat resistance, and stress relaxation ability of the printed wiring board obtained by using the prepreg, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, for the cured product, when subjected to dynamic viscoelasticity measurement, the ratio of 30 'the storage modulus E at 30 ° C. for 250' the storage modulus E at 250 ° C. of a cured product (E '30 / E '250) is preferably 1.05 or more 1.75 or less.
硬化物において、E’30/E’250が上記範囲を満たすと、温度変化に対するプリント配線基板の弾性率の変化をより一層抑制できる。これにより、大きな温度変化が生じても絶縁層の変形等が起きにくく、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれを抑制できる。その結果、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。 In the cured product, the E '30 / E' 250 satisfies the above range, can be further suppress a change in the elastic modulus of the printed wiring board to a temperature change. As a result, even if a large temperature change occurs, the insulating layer is less likely to be deformed, and the displacement of the semiconductor element with respect to the printed wiring board can be suppressed. As a result, the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board can be further improved.
このような貯蔵弾性率E’30やE’30/E’250を達成するためには、樹脂組成物(P)の構成成分である、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。 To achieve such a storage modulus E '30 and E' 30 / E '250 is a constituent of the resin composition (P), a maleimide compound (A), benzoxazine compound (B), inorganic It is important to appropriately control the types and amounts of the filler (C), epoxy resin (D), low-stress material (E), fiber base material, curing accelerator, etc., and the method for producing the prepreg.
また、プリプレグの硬化物または樹脂基板の微細配線加工性をより一層高める観点から、プリプレグは、以下の条件を満足することが好ましい。すなわち、硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第1の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後に、硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第2の質量としたとき、[{(第1の質量)−(第2の質量)}/(当該硬化物の表裏両面の面積の和)]×100で定義される減膜量が1.2g/m2以下であることが好ましい。
<条件>
硬化物を3g/L水酸化ナトリウム溶液(溶媒:ジエチレングリコールモノブチルエーテル11.1体積%、エチレングリコール3.6体積%、純水85.3体積%)に60℃、5分間浸漬することにより硬化物を膨潤させる。次いで、膨潤した硬化物を粗化処理水溶液(過マンガン酸ナトリウム60g/L、水酸化ナトリウム45g/L)に80℃、5分間浸漬することにより硬化物を粗化処理する。次いで、粗化処理した硬化物を中和液(98質量%硫酸5.0体積%、硫酸ヒドロキシルアミン0.8体積%、純水94.2体積%)に40℃、5分間浸漬することにより硬化物を中和する。
Further, from the viewpoint of further improving the fine wiring workability of the cured product of the prepreg or the resin substrate, the prepreg preferably satisfies the following conditions. That is, the mass of the cured product after drying at 120 ° C. for 1 hour is defined as the first mass, and the mass of the cured product after being treated under the following conditions and then dried at 120 ° C. for 1 hour is defined as the second mass. Then, the amount of film thinning defined by [{(first mass)-(second mass)} / (sum of the areas of both the front and back surfaces of the cured product)] × 100 is 1.2 g / m 2 or less. Is preferable.
<Conditions>
The cured product is immersed in a 3 g / L sodium hydroxide solution (solvent: diethylene glycol monobutyl ether 11.1% by volume, ethylene glycol 3.6% by volume, pure water 85.3% by volume) at 60 ° C. for 5 minutes. Inflate. Next, the swollen cured product is roughened by immersing it in a roughening aqueous solution (sodium permanganate 60 g / L, sodium hydroxide 45 g / L) at 80 ° C. for 5 minutes. Next, the roughened cured product was immersed in a neutralizing solution (98 mass% sulfuric acid 5.0% by volume, hydroxylamine sulfate 0.8% by volume, pure water 94.2% by volume) at 40 ° C. for 5 minutes. Neutralize the cured product.
上記硬化物の減膜量が上記範囲を満たすと、プリプレグの硬化物または樹脂基板の微細配線加工性を向上させることができる。これは、上記式で定義される減膜量が上記上限値以下であるプリプレグの硬化物または樹脂基板は、表面に粗化処理を施しても、金属層(回路層)に対する密着性を維持できるからであると考えられる。 When the amount of film reduction of the cured product satisfies the above range, the fine wiring workability of the cured product of the prepreg or the resin substrate can be improved. This is because the cured product or resin substrate of the prepreg whose film thinning amount defined by the above formula is not more than the above upper limit value can maintain the adhesion to the metal layer (circuit layer) even if the surface is roughened. It is thought that it is from.
このような減膜量を達成するためには、樹脂組成物(P)の構成成分である、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。 In order to achieve such a film-reducing amount, the maleimide compound (A), the benzoxazine compound (B), the inorganic filler (C), and the epoxy resin (D), which are constituents of the resin composition (P), are used. It is important to appropriately control the types and amounts of the low-stress material (E), the fiber base material, the curing accelerator, etc., and the method for producing the prepreg.
プリプレグの厚さは、例えば、20μm以上220μm以下である。プリプレグの厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型のプリント配線基板に適した樹脂基板を得ることができる。 The thickness of the prepreg is, for example, 20 μm or more and 220 μm or less. When the thickness of the prepreg is within the above range, the balance between mechanical strength and productivity is particularly excellent, and a resin substrate suitable for a thin printed wiring board can be obtained.
図1は、本実施形態における金属張積層板200の構成の一例を示す断面図である。図1に示すように、金属張積層板200は、プリプレグの硬化物で構成される絶縁層301の両面に金属箔105が設けられている。金属張積層板200は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いることができる。なお、図1では、絶縁層301の両面に金属箔105が設けられているが、本実施形態の金属張積層板200は、金属箔105が、絶縁層301の一方の片面に設けられた構成であってもよい。また、絶縁層301は、複数枚(2枚以上)のプリプレグを重ね合わせた積層体の硬化物で構成されていてもよい。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the metal-clad
また、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性をより一層高める観点から、金属張積層板200は、以下の条件を満足するのが好ましい。すなわち、金属張積層板200を135℃、湿度85%RHの環境下に100時間保管したときのピール強度変化率が、30%以下であることが好ましい。ここで、ピール強度変化率は100×(P1−P2)/P1で示される。P1は、JIS C−6481:1996に準拠して測定される、保管前のプリプレグの硬化物(絶縁層301)と金属箔105との間のピール強度であり、P2は、保管後のプリプレグの硬化物(絶縁層301)と金属箔105との間のピール強度である。
Further, from the viewpoint of further enhancing the insulation reliability of the obtained printed wiring board under high temperature and high humidity, the metal-clad
金属張積層板200において、ピール強度変化率が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を向上させることができる。これは、上記式で定義されるピール強度変化率が上記上限値以下である金属張積層板200は、高温高湿下に長期間曝されても、金属層(回路層)に対する密着性を維持できるからだと考えられる。
When the peel strength change rate of the metal-clad
このようなピール強度変化率を達成するためには、樹脂組成物(P)の構成成分である、マレイミド化合物(A)、ベンゾオキサジン化合物(B)、無機充填材(C)、エポキシ樹脂(D)、低応力材(E)、繊維基材、硬化促進剤等の種類や配合量、プリプレグの製造方法、金属張積層板200の製造方法等をそれぞれ適切に制御することが重要である。
In order to achieve such a peel strength change rate, a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), an inorganic filler (C), and an epoxy resin (D), which are constituents of the resin composition (P), are used. ), The type and compounding amount of the low-stress material (E), the fiber base material, the curing accelerator, etc., the method for producing the prepreg, the method for producing the metal-clad
つづいて、プリプレグの製造方法について説明する。
プリプレグは、例えば、本実施形態における樹脂組成物(P)を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。
Next, a method for manufacturing the prepreg will be described.
The prepreg is, for example, a sheet-like material obtained by impregnating a fiber base material with the resin composition (P) of the present embodiment and then semi-curing it. A sheet-like material having such a structure is excellent in various properties such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and humidity, and is suitable for manufacturing an insulating layer of a printed wiring board.
樹脂組成物(P)を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物(P)を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、繊維基材の両面から樹脂組成物(P)からなる樹脂層(P)で繊維基材をラミネートする方法等が挙げられる。 The method of impregnating the fiber base material with the resin composition (P) is not particularly limited, but for example, the resin composition (P) is dissolved in a solvent to prepare a resin varnish, and the fiber base material is immersed in the resin varnish. A method of applying the resin varnish to the fiber base material by various coaters, a method of spraying the resin varnish onto the fiber base material by spraying, and a resin layer (P) composed of the resin composition (P) from both sides of the fiber base material. Examples thereof include a method of laminating a fiber base material in.
つづいて、上記で得られたプリプレグを用いた金属張積層板200の製造方法について説明する。プリプレグを用いた金属張積層板200の製造方法は、例えば以下の通りである。
Next, a method for manufacturing the metal-clad
まず、プリプレグまたはプリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔105を重ねる。次に、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する。なお、ラミネーター装置やベクレル装置を用いることなく、プリプレグまたはプリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔105を、単に重ねた状態としてもよい。
First, the
次いで、プリプレグ(または2枚以上のプリプレグの積層体)と金属箔105とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板200を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。
Next, the metal-clad
上記の加熱加圧成形するときの加熱温度は、120℃以上250℃以下が好ましく、150℃以上240℃以下がより好ましい。 The heating temperature during the above heat and pressure molding is preferably 120 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, and more preferably 150 ° C. or higher and 240 ° C. or lower.
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、0.5MPa以上5MPa以下が好ましく、2.5MPa以上5MPa以下の高圧がより好ましい。 The pressure during the above heat and pressure molding is preferably 0.5 MPa or more and 5 MPa or less, and more preferably 2.5 MPa or more and 5 MPa or less.
また、加熱加圧成形後に、必要に応じて、恒温槽等で後硬化をおこなってもよい。後硬化の温度は、150℃以上300℃以下が好ましく、250℃以上300℃以下がより好ましい。 Further, after heat and pressure molding, post-curing may be performed in a constant temperature bath or the like, if necessary. The post-curing temperature is preferably 150 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, and more preferably 250 ° C. or higher and 300 ° C. or lower.
また、この金属張積層板200または樹脂基板をコア基板として用いてプリント配線基板を得ることができる。
Further, a printed wiring board can be obtained by using the metal-clad
以下、プリプレグ、金属張積層板200および樹脂基板を製造する際に使用する各材料について詳細に説明する。
Hereinafter, each material used in manufacturing the prepreg, the metal-clad
金属箔105を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール(商標名)、42アロイ、インバー、スーパーインバー等のFe−Ni系の合金、W、Mo等が挙げられる。これらの中でも、金属箔105を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔105としては、銅箔が好ましい。
Examples of the metals constituting the
また、金属箔105としては、キャリア付金属箔等も使用することができる。
金属箔105の厚さは、0.5μm以上20μm以下が好ましく、よ1.5μm以上18μm以下がより好ましい。
Further, as the
The thickness of the
次いで、本実施形態に用いられる繊維基材について説明する。
繊維基材としては、とくに限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材;ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維;ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維;ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維のいずれかを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材;クラフト紙、コットンリンター紙、あるいはリンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材;等が挙げられる。これらのうち、いずれかを使用することができる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性の樹脂基板を得ることができる。
Next, the fiber base material used in this embodiment will be described.
The fiber base material is not particularly limited, but is a glass fiber base material such as a glass woven cloth or a glass non-woven fabric; a polyamide resin fiber such as a polyamide resin fiber, an aromatic polyamide resin fiber, or a total aromatic polyamide resin fiber; a polyamide resin fiber; a polyester resin fiber. , Aromatic polyester resin fiber, polyester resin fiber such as total aromatic polyester resin fiber; synthetic fiber base material composed of woven fabric or non-woven fabric mainly composed of either polyimide resin fiber or fluororesin fiber; kraft paper , Cotton linter paper, or a paper base material containing a mixed paper of linter and kraft pulp as a main component; and the like. Any of these can be used. Among these, a glass fiber base material is preferable. As a result, a resin substrate having low water absorption, high strength, and low thermal expansion can be obtained.
繊維基材の厚さは、特に限定されないが、5μm以上150μm以下が好ましく、10μm以上100μm以下がより好ましく、12μm以上90μm以下がさらに好ましい。このような厚さを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上できる。 The thickness of the fiber base material is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 150 μm or less, more preferably 10 μm or more and 100 μm or less, and further preferably 12 μm or more and 90 μm or less. By using a fiber base material having such a thickness, the handleability at the time of producing a prepreg can be further improved.
繊維基材の厚さが上記上限値以下であると、繊維基材中の樹脂組成物(P)の含浸性が向上し、ストランドボイドの発生や絶縁信頼性の低下を抑制することができる。また炭酸ガス、UV、エキシマ等のレーザーによる樹脂基板や絶縁層301へのスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚さが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板の反りを抑制できたりする。
When the thickness of the fiber base material is not more than the above upper limit value, the impregnation property of the resin composition (P) in the fiber base material is improved, and the generation of strand voids and the decrease in insulation reliability can be suppressed. Further, it is possible to facilitate the formation of through holes in the resin substrate or the insulating
ガラス繊維基材として、例えば、Eガラス、Sガラス、Dガラス、Tガラス、NEガラス、UTガラス、Lガラス、HPガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材が好適に用いられる。 As the glass fiber base material, for example, glass fiber formed of one or more kinds of glass selected from E glass, S glass, D glass, T glass, NE glass, UT glass, L glass, HP glass and quartz glass. A base material is preferably used.
樹脂組成物(P)は、プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、マレイミド化合物(A)と、ベンゾオキサジン化合物(B)と、無機充填材(C)と、を含むことが好ましい。 The resin composition (P) is a thermosetting resin composition used for forming an insulating layer in a printed wiring substrate, and is a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), and an inorganic filler ( C) and is preferably included.
マレイミド化合物(A)としては、下記式(1)により示されるマレイミド化合物(A1)を含むことが好ましい。 The maleimide compound (A) preferably contains the maleimide compound (A1) represented by the following formula (1).
X1における1以上10以下のアルキレン基としては、特に限定されないが、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。 The alkylene group of 1 or more and 10 or less in X 1 is not particularly limited, but a linear or branched alkylene group is preferable.
この直鎖状のアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デカニレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。 Specific examples of the linear alkylene group include methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, decanylene group, trimethylene group and tetramethylene group. Examples include a group, a pentamethylene group, a hexamethylene group and the like.
また、分岐鎖状のアルキレン基としては、具体的には、−C(CH3)2−(イソプロピレン基)、−CH(CH3)−、−CH(CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH3)−、−C(CH2CH3)2−のようなアルキルメチレン基;−CH(CH3)CH2−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C(CH3)2CH2−、−CH(CH2CH3)CH2−、−C(CH2CH3)2−CH2−のようなアルキルエチレン基等が挙げられる。 Specific examples of the branched alkylene group include -C (CH 3 ) 2- (isopropylene group), -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, and -C. Alkylmethylene groups such as (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C (CH 2 CH 3 ) 2- ; -CH (CH 3) ) CH 2- , -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) CH 2- , -C (CH 2 CH 3 ) 2 -CH 2 - such as an alkyl ethylene group such as and the like.
なお、X1におけるアルキレン基の炭素数は、1以上10以下であればよいが、1以上7以下であることが好ましく、1以上3以下であることがより好ましい。具体的には、このような炭素数を有するアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基が挙げられる。 The carbon number of the alkylene group in X 1 may be 1 or more and 10 or less, but is preferably 1 or more and 7 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less. Specifically, examples of the alkylene group having such a carbon number include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and an isopropylene group.
また、R1は、それぞれ独立して、炭素数1以上6以下の炭化水素基であるが、炭素数1または2の炭化水素基、具体的には、例えば、メチル基またはエチル基であるのが好ましい。 Further, R 1 is independently a hydrocarbon group having 1 or more carbon atoms and 6 or less carbon atoms, but is a hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms, specifically, for example, a methyl group or an ethyl group. Is preferable.
さらに、aは0以上4以下の整数であり、0以上2以下の整数であることが好ましく、0であることがより好ましい。また、bは0以上3以下の整数であり、0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。 Further, a is an integer of 0 or more and 4 or less, preferably an integer of 0 or more and 2 or less, and more preferably 0. Further, b is an integer of 0 or more and 3 or less, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
また、n1は0以上10以下の整数であり、0以上6以下の整数であることが好ましく、0以上4以下の整数であるのがより好ましく、0以上3以下の整数であるのが特に好ましい。また、マレイミド化合物(A)は上記式(1)においてn1が1以上の化合物を少なくとも含むことがより好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層はより優れた耐熱性を発揮する。 Further, n 1 is an integer of 0 or more and 10 or less, preferably an integer of 0 or more and 6 or less, more preferably an integer of 0 or more and 4 or less, and particularly preferably an integer of 0 or more and 3 or less. preferable. Also, the maleimide compound (A) is more preferably n 1 in formula (1) contains at least one or more compounds. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent heat resistance.
さらに、上記式(1a)において、Yは芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基であり、n2は0以上の整数である。 Further, in the above formula (1a), Y is a hydrocarbon group having an aromatic ring and having 6 or more and 30 or less carbon atoms, and n 2 is an integer of 0 or more.
この芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基は、芳香族環のみからなる炭化水素基でもよいし、芳香族環以外の炭化水素基を有していてもよい。Yが有する芳香族環は、1つでもよいし、2つ以上でもよく、2つ以上の場合、これら芳香族環は、同一でも異なっていてもよい。また、上記芳香族環は、単環構造および多環構造のいずれでもよい。 The hydrocarbon group having 6 or more and 30 or less carbon atoms having an aromatic ring may be a hydrocarbon group consisting only of an aromatic ring, or may have a hydrocarbon group other than the aromatic ring. The aromatic rings of Y may be one, two or more, and when two or more, these aromatic rings may be the same or different. Further, the aromatic ring may have either a monocyclic structure or a polycyclic structure.
具体的には、芳香族環を有する炭素数6以上30以下の炭化水素基としては、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、フェナントレイン、インダセン、ターフェニル、アセナフチレン、フェナレン等の芳香族性を有する化合物の核から水素原子を2つ除いた2価の基が挙げられる。 Specifically, examples of the hydrocarbon group having an aromatic ring and having 6 to 30 carbon atoms include fragrances such as benzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, fluorene, phenalene train, indacene, terphenyl, acenaphthylene and phenalene. Examples thereof include a divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from the nucleus of a compound having a group property.
また、これら芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。ここで芳香族炭化水素基が置換基を有するとは、芳香族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部が置換基により置換されたことをいう。置換基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。 Moreover, these aromatic hydrocarbon groups may have a substituent. Here, the term that the aromatic hydrocarbon group has a substituent means that a part or all of the hydrogen atoms constituting the aromatic hydrocarbon group are substituted with the substituent. Examples of the substituent include an alkyl group.
この置換基としてのアルキル基としては、鎖状のアルキル基であることが好ましい。また、その炭素数は1以上10以下であることが好ましく、1以上6以下であることがより好ましく、1以上4以下であることが特に好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基等が挙げられる。 The alkyl group as the substituent is preferably a chain alkyl group. Further, the carbon number thereof is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 6 or less, and particularly preferably 1 or more and 4 or less. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a tert-butyl group, a sec-butyl group and the like.
このような基Yは、ベンゼンまたはナフタレンから水素原子を2つ除いた基を有することが好ましく、上記式(1a)で表される基としては、下記式(1a−1)、(1a−2)のいずれかで表される基であることが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層はより優れた耐熱性を発揮する。 Such a group Y preferably has a group obtained by removing two hydrogen atoms from benzene or naphthalene, and examples of the group represented by the above formula (1a) include the following formulas (1a-1) and (1a-2). ) Is preferable. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent heat resistance.
上記式(1a−1)、(1a−2)中、R4は、それぞれ独立に炭素数1以上6以下の炭化水素基である。eはそれぞれ独立に0以上4以下の整数、より好ましくは0である。 The formula (1a-1), in (1a-2), R 4 are each independently 1 or 6 carbon atoms or less hydrocarbon groups. e is an integer of 0 or more and 4 or less, more preferably 0, respectively.
さらに、上記式(1a)で表される基において、n2は、0以上の整数であればよいが、0以上5以下の整数であることが好ましく、1以上3以下の整数であることがより好ましく、1または2であることが特に好ましい。 Further, in the group represented by the above formula (1a), n 2 may be an integer of 0 or more, but is preferably an integer of 0 or more and 5 or less, and is preferably an integer of 1 or more and 3 or less. More preferably, it is particularly preferably 1 or 2.
以上のことから、上記式(1)により示されるマレイミド化合物(A1)は、X1が、炭素数1以上3以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R1が1または2の炭化水素基であり、aが0以上2以下の整数であり、bが0または1であり、n1が1以上4以下の整数であることが好ましい。または、X1は上記式(1a−1)、(1a−2)のいずれかで表される基であり、eが0であることが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮する。 From the above, in the maleimide compound (A1) represented by the above formula (1), X 1 is a linear or branched alkylene group having 1 or more and 3 or less carbon atoms, and R 1 is 1 or 2. It is preferable that a is an integer of 0 or more and 2 or less, b is 0 or 1, and n 1 is an integer of 1 or more and 4 or less. Alternatively, X 1 is a group represented by any of the above formulas (1a-1) and (1a-2), and e is preferably 0. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent low heat shrinkage and chemical resistance.
上記式(1)により示されるマレイミド化合物(A1)の好ましい具体例としては、例えば、下記式(1−1)により示されるマレイミド化合物が特に好ましく使用される。 As a preferable specific example of the maleimide compound (A1) represented by the above formula (1), for example, the maleimide compound represented by the following formula (1-1) is particularly preferably used.
また、マレイミド化合物(A)は、上記(1)式により示されるマレイミド化合物(A1)とは異なる種類のマレイミド化合物(A2)を含んでもよい。 Further, the maleimide compound (A) may contain a different type of maleimide compound (A2) from the maleimide compound (A1) represented by the above formula (1).
このようなマレイミド化合物(A2)としては、1,6’−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン、ヘキサメチレンジアミンビスマレイミド、N,N’−1,2−エチレンビスマレイミド、N,N’−1,3−プロピレンビスマレイミド、N,N’−1,4−テトラメチレンビスマレイミド等の脂肪族ビスマレイミド化合物;イミド拡張型ビスマレイミド等を挙げることができる。これらの中でも1,6’−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン、イミド拡張型ビスマレイミドが特に好ましい。マレイミド化合物(A2)は、単独で使用しても良く、二種類以上を併用してもよい。 Examples of such maleimide compound (A2) include 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane, hexamethylenediamine bismaleimide, N, N'-1,2-ethylene bismaleimide, and N. , N'-1,3-propylene bismaleimide, N, N'-1,4-tetramethylene bismaleimide and other aliphatic bismaleimide compounds; imide-extended bismaleimide and the like can be mentioned. Of these, 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane and imide-extended bismaleimide are particularly preferable. The maleimide compound (A2) may be used alone or in combination of two or more.
イミド拡張型ビスマレイミドとしては、例えば、以下の式(a1)により示されるビスマレイミド化合物、以下の式(a2)により示されるビスマレイミド化合物、以下の式(a3)により示されるビスマレイミド化合物等が挙げられる。式(a1)により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはBMI−1500(デジグナーモレキュールズ社製、分子量1500)等が挙げられる。式(a2)により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはBMI−1700(デジグナーモレキュールズ社製、分子量1700)、BMI−1400(デジグナーモレキュールズ社製、分子量1400)等が挙げられる。式(a3)により示されるビスマレイミド化合物の具体例のとしてはBMI−3000(デジグナーモレキュールズ社製、分子量3000)等が挙げられる。 Examples of the imide-extended bismaleimide include a bismaleimide compound represented by the following formula (a1), a bismaleimide compound represented by the following formula (a2), and a bismaleimide compound represented by the following formula (a3). Can be mentioned. Specific examples of the bismaleimide compound represented by the formula (a1) include BMI-1500 (manufactured by Digigner Moleculars, molecular weight 1500) and the like. Specific examples of the bismaleimide compound represented by the formula (a2) include BMI-1700 (manufactured by Digigner Moleculars, molecular weight 1700), BMI-1400 (manufactured by Digigner Moleculars, molecular weight 1400) and the like. Be done. Specific examples of the bismaleimide compound represented by the formula (a3) include BMI-3000 (manufactured by Digigner Moleculars, molecular weight 3000) and the like.
樹脂組成物(P)中に含まれるマレイミド化合物(A)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、1.0質量%以上25.0質量%以下が好ましく、2.0質量%以上22.0質量%以下がより好ましく、5.0質量%以上20.0質量%以下がより好ましい。マレイミド化合物(A)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性のバランスをより一層向上させることができる。 The content of the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but when the total solid content (that is, the component excluding the solvent) of the resin composition (P) is 100% by mass. , 1.0% by mass or more and 25.0% by mass or less, more preferably 2.0% by mass or more and 22.0% by mass or less, and more preferably 5.0% by mass or more and 20.0% by mass or less. When the content of the maleimide compound (A) is within the above range, the balance between the low heat shrinkage property and the chemical resistance of the obtained cured product of the prepreg and the resin substrate can be further improved.
マレイミド化合物(A)中に含まれるマレイミド化合物(A1)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)中に含まれるマレイミド化合物(A)を100質量%としたとき、30.0質量%以上100.0質量%以下が好ましく、50質量%以上100.0質量%以下がより好ましい。マレイミド化合物(A1)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性のバランスをより一層向上させることができる。 The content of the maleimide compound (A1) contained in the maleimide compound (A) is not particularly limited, but is 30.0 when the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is 100% by mass. It is preferably mass% or more and 100.0 mass% or less, and more preferably 50 mass% or more and 100.0 mass% or less. When the content of the maleimide compound (A1) is within the above range, the balance between the low heat shrinkage and the chemical resistance of the obtained cured product of the prepreg and the resin substrate can be further improved.
マレイミド化合物(A1)の重量平均分子量(Mw)の下限は、とくに限定されないが、400以上が好ましく、800以上が特に好ましい。Mwが上記下限値以上であると、プリプレグにタック性が生じるのを抑制することができる。また、Mwの上限は、とくに限定されないが、4000以下が好ましく、2500以下がより好ましい。Mwが上記上限値以下であると、樹脂基板作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な樹脂基板を得ることができる。マレイミド化合物(A1)のMwは、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。 The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the maleimide compound (A1) is not particularly limited, but is preferably 400 or more, and particularly preferably 800 or more. When Mw is at least the above lower limit value, it is possible to suppress the occurrence of tackiness in the prepreg. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably 4000 or less, and more preferably 2500 or less. When Mw is not more than the above upper limit value, the impregnation property into the fiber base material is improved at the time of producing the resin substrate, and a more uniform resin substrate can be obtained. The Mw of the maleimide compound (A1) can be measured by, for example, GPC (gel permeation chromatography, standard substance: polystyrene conversion).
ベンゾオキサジン化合物(B)はベンゾオキサジン環を有する化合物である。ベンゾオキサジン化合物(B)としては、例えば、下記式(2)により示される化合物、下記式(3)により示される化合物から選択される一種または二種以上が挙げられる。 The benzoxazine compound (B) is a compound having a benzoxazine ring. Examples of the benzoxazine compound (B) include one or more selected from the compounds represented by the following formula (2) and the compounds represented by the following formula (3).
上記式(2)および上記式(3)におけるX2およびX3としては、上記式(1)におけるX1で説明したのと同様の基が挙げられる。また、上記式(2)および上記式(3)におけるR2およびR3としては、上記式(1)におけるR1で説明したのと同様とすることができ、さらに、上記式(2)および上記式(3)におけるcおよびdとしては、上記式(1)におけるaで説明したのと同様とすることができる。 Examples of X 2 and X 3 in the above formula (2) and the above formula (3) include the same groups as described in X 1 in the above formula (1). Further, R 2 and R 3 in the above formula (2) and the above formula (3) can be the same as those described in R 1 in the above formula (1), and further, the above formula (2) and The c and d in the above formula (3) can be the same as those described in a in the above formula (1).
このようなベンゾオキサジン化合物(B)としては、上記式(2)で表される化合物および上記式(3)で表される化合物のうち、上記式(2)で表される化合物であるのが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮する。 As such a benzoxazine compound (B), among the compound represented by the above formula (2) and the compound represented by the above formula (3), the compound represented by the above formula (2) is preferable. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent low heat shrinkage and chemical resistance.
また、この上記式(2)で表される化合物は、上記X2が炭素数1以上3以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R2が1または2の炭化水素基であり、cが0以上2以下の整数であることが好ましい。または、上記X2は上記式(1a−1)、(1a−2)のいずれかで表される基であり、cが0であることが好ましい。これにより、樹脂組成物(P)から得られる絶縁層は、より優れた低熱収縮性および耐薬品性を発揮する。 Further, in the compound represented by the above formula (2), the above X 2 is a linear or branched alkylene group having 1 or more carbon atoms and 3 or less carbon atoms, and R 2 is a hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms. It is preferable that c is an integer of 0 or more and 2 or less. Alternatively, X 2 is a group represented by any of the formulas (1a-1) and (1a-2), and c is preferably 0. As a result, the insulating layer obtained from the resin composition (P) exhibits more excellent low heat shrinkage and chemical resistance.
ベンゾオキサジン化合物(B)の好ましい具体例としては、例えば、下記式(2−1)により示される化合物、下記式(2−2)により示される化合物、下記式(2−3)により示される化合物、下記式(3−1)により示される化合物、下記式(3−2)により示される化合物および下記式(3−3)により示される化合物から選択される一種または二種以上が挙げられる。 Preferred specific examples of the benzoxazine compound (B) include, for example, a compound represented by the following formula (2-1), a compound represented by the following formula (2-2), and a compound represented by the following formula (2-3). , One or more selected from the compound represented by the following formula (3-1), the compound represented by the following formula (3-2), and the compound represented by the following formula (3-3).
樹脂組成物(P)中に含まれるベンゾオキサジン化合物(B)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、1.0質量%以上25.0質量%以下が好ましく、2.0質量%以上15.0質量%以下がより好ましい。ベンゾオキサジン化合物(B)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の低熱収縮性および耐薬品性をより一層向上させることができる。 The content of the benzoxazine compound (B) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. When, 1.0% by mass or more and 25.0% by mass or less is preferable, and 2.0% by mass or more and 15.0% by mass or less is more preferable. When the content of the benzoxazine compound (B) is within the above range, the low heat shrinkage and chemical resistance of the obtained cured product of the prepreg and the resin substrate can be further improved.
樹脂組成物(P)中に含まれるマレイミド化合物(A)の含有量は、マレイミド化合物(A)およびベンゾオキサジン化合物(B)の合計100質量%に対して35質量%以上80質量%以下であることが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性、低熱収縮性および耐薬品性をより一層向上させることができる。 The content of the maleimide compound (A) contained in the resin composition (P) is 35% by mass or more and 80% by mass or less with respect to 100% by mass of the total of the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B). Is preferable. Thereby, the heat resistance, low heat shrinkage and chemical resistance of the obtained cured product of the prepreg and the resin substrate can be further improved.
本実施形態に係る樹脂組成物(P)はエポキシ樹脂(D)をさらに含むことができる。
エポキシ樹脂(D)としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4’−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4’−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4’−シクロヘキサジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)等のビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
The resin composition (P) according to the present embodiment can further contain an epoxy resin (D).
Examples of the epoxy resin (D) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and bisphenol M type epoxy resin (4,4'-(1,3-). Phenirangeisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4'-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin (4,4' − Cyclohexadiene bisphenol type epoxy resin) and other bisphenol type epoxy resins; phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, tetraphenol group ethane type novolac type epoxy resin, novolac type epoxy resin having a fused ring aromatic hydrocarbon structure Novolak type epoxy resin such as; biphenyl type epoxy resin; xylylene type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin and other aralkyl type epoxy resin; naphthylene ether type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalenediol type epoxy resin, bifunctional or Naphthalene type epoxy resin such as tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, binaphthyl type epoxy resin, naphthalene aralkyl type epoxy resin; anthracene type epoxy resin; phenoxy type epoxy resin; dicyclopentadiene type epoxy resin; norbornene type epoxy resin; adamantan type epoxy resin ; Fluorene type epoxy resin and the like can be mentioned.
エポキシ樹脂(D)として、これらの中の一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよく、一種類または二種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。 As the epoxy resin (D), one of these may be used alone, two or more of them may be used in combination, or one or two or more of them may be used in combination with their prepolymers. ..
エポキシ樹脂(D)の中でも、得られるプリント配線基板の耐熱性および絶縁信頼性をより一層向上できる観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上がより好ましい。 Among the epoxy resins (D), bisphenol type epoxy resin, novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, aralkyl type epoxy resin, naphthalene type from the viewpoint of further improving the heat resistance and insulation reliability of the obtained printed wiring board. One or more selected from the group consisting of epoxy resin, anthracene type epoxy resin, and dicyclopentadiene type epoxy resin is preferable, and aralkyl type epoxy resin, novolac type epoxy resin having a fused ring aromatic hydrocarbon structure, and naphthalene type One or more selected from the group consisting of epoxy resins is more preferable.
ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「エピコート828EL」および「YL980」等を用いることができる。ビスフェノールF型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「jER806H」および「YL983U」、DIC社製の「EPICLON 830S」等を用いることができる。2官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」および「HP4032SS」等を用いることができる。4官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、DIC社製の「HP4700」および「HP4710」等を用いることができる。ナフトール型エポキシ樹脂としては、新日鐵化学社製の「ESN−475V」、日本化薬社製の「NC7000L」等を用いることができる。アラルキル型エポキシ樹脂としては、日本化薬社製の「NC3000」、「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3000S」、「NC3000S−H」、「NC3100」、新日鐵化学社製の「ESN−170」、および「ESN−480」等を用いることができる。ビフェニル型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「YX4000」、「YX4000H」、「YX4000HK」および「YL6121」等を用いることができる。アントラセン型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「YX8800」等を用いることができる。ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、DIC社製の「HP6000」、「EXA−7310」、「EXA−7311」、「EXA−7311L」および「EXA7311−G3」等を用いることができる。 As the bisphenol A type epoxy resin, "Epicoat 828EL" and "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the bisphenol F type epoxy resin, "jER806H" and "YL983U" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "EPICLON 830S" manufactured by DIC Corporation, and the like can be used. As the bifunctional naphthalene type epoxy resin, "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" and the like manufactured by DIC Corporation can be used. As the tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, "HP4700" and "HP4710" manufactured by DIC Corporation can be used. As the naphthol type epoxy resin, "ESN-475V" manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., "NC7000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., or the like can be used. As the aralkyl type epoxy resin, "NC3000", "NC3000H", "NC3000L", "NC3000S", "NC3000SH", "NC3100" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and "ESN-170" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , And "ESN-480" and the like can be used. As the biphenyl type epoxy resin, "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK", "YL6121" and the like manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the anthracene type epoxy resin, "YX8800" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation or the like can be used. As the naphthylene ether type epoxy resin, "HP6000", "EXA-7310", "EXA-7311", "EXA-7311L", "EXA7311-G3" and the like manufactured by DIC Corporation can be used.
エポキシ樹脂(D)として、これらの中の一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよく、一種類または二種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。 As the epoxy resin (D), one of these may be used alone, two or more of them may be used in combination, or one or more of these may be used in combination with their prepolymers. Good.
これらエポキシ樹脂(D)の中でも特にアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、樹脂基板の吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。 Among these epoxy resins (D), an aralkyl type epoxy resin is particularly preferable. Thereby, the heat resistance and flame retardancy of the moisture-absorbing solder of the resin substrate can be further improved.
エポキシ樹脂(D)の重量平均分子量(Mw)の下限は、特に限定されないが、300以上が好ましく、800以上が特に好ましい。Mwが上記下限値以上であると、プリプレグにタック性が生じるのを抑制することができる。Mwの上限は、特に限定されないが、20,000以下が好ましく、15,000以下が特に好ましい。Mwが上記上限値以下であると、プリプレグの作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一なプリプレグを得ることができる。エポキシ樹脂のMwは、例えばGPCで測定することができる。 The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin (D) is not particularly limited, but is preferably 300 or more, and particularly preferably 800 or more. When Mw is at least the above lower limit value, it is possible to suppress the occurrence of tackiness in the prepreg. The upper limit of Mw is not particularly limited, but is preferably 20,000 or less, and particularly preferably 15,000 or less. When Mw is not more than the above upper limit value, the impregnation property into the fiber base material is improved at the time of producing the prepreg, and a more uniform prepreg can be obtained. The Mw of the epoxy resin can be measured by, for example, GPC.
樹脂組成物(P)中に含まれるエポキシ樹脂(D)の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良く、特に限定されない。ただし、樹脂組成物(P)中の無機充填材(C)を除く成分の全量を100質量%としたとき、1質量%以上50質量%以下であることが好ましい。エポキシ樹脂(D)の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、プリプレグを形成するのが容易となる。エポキシ樹脂(D)の含有量が上記上限値以下であると、得られるプリント配線基板の強度や難燃性が向上したり、プリント配線基板の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。 The content of the epoxy resin (D) contained in the resin composition (P) may be appropriately adjusted according to the purpose thereof, and is not particularly limited. However, when the total amount of the components excluding the inorganic filler (C) in the resin composition (P) is 100% by mass, it is preferably 1% by mass or more and 50% by mass or less. When the content of the epoxy resin (D) is at least the above lower limit value, the handleability is improved and it becomes easy to form a prepreg. When the content of the epoxy resin (D) is not more than the above upper limit value, the strength and flame retardancy of the obtained printed wiring board are improved, the coefficient of linear expansion of the printed wiring board is lowered, and the effect of reducing warpage is improved. May be done.
本実施形態に係る樹脂組成物(P)は、無機充填材(C)を含んでいることが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の貯蔵弾性率E’を向上させることができる。さらに、得られる絶縁層301の線膨張係数を小さくすることができる。
The resin composition (P) according to the present embodiment preferably contains an inorganic filler (C). As a result, the storage elastic modulus E'of the obtained cured product of the prepreg or the resin substrate can be improved. Further, the coefficient of linear expansion of the obtained insulating
無機充填材(C)としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。 Examples of the inorganic filler (C) include silicates such as talc, calcined clay, unfired clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and molten silica; calcium carbonate, magnesium carbonate, and the like. , Hydrotalcite and other carbonates; Hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide; Sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite; Zinc borate, barium metaborate, Borates such as aluminum borate, calcium borate, sodium borate; nitrides such as aluminum hydroxide, boron nitride, silicon nitride, carbon nitride; titanates such as strontium titanate and barium titanate can be mentioned. it can.
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材(C)としては、これらの中の一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を併用してもよい。 Among these, talc, alumina, glass, silica, mica, boehmite, aluminum hydroxide and magnesium hydroxide are preferable, and silica is particularly preferable. As the inorganic filler (C), one of these types may be used alone, or two or more types may be used in combination.
無機充填材(C)の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01μm以上が好ましく、0.05μm以上がより好ましい。無機充填材(C)の平均粒子径が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が過度に高くなるのを抑制でき、プリプレグの作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材(C)の平均粒子径は、特に限定されないが、5.0μm以下が好ましく、2.0μm以下がより好ましく、1.0μm以下がさらに好ましい。無機充填材(C)の平均粒子径が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材(C)の沈降等の現象を抑制でき、より均一な樹脂層を得ることができる。また、プリント配線基板の回路寸法L/S(ラインアンドスペース)が20/20μmを下回る際には、配線間の絶縁性に影響を与えるのを抑制することができる。 無機充填材(C)の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とすることができる。 The average particle size of the inorganic filler (C) is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more, and more preferably 0.05 μm or more. When the average particle size of the inorganic filler (C) is at least the above lower limit value, it is possible to suppress the viscosity of the varnish from becoming excessively high, and it is possible to improve the workability at the time of producing the prepreg. The average particle size of the inorganic filler (C) is not particularly limited, but is preferably 5.0 μm or less, more preferably 2.0 μm or less, and even more preferably 1.0 μm or less. When the average particle size of the inorganic filler (C) is not more than the above upper limit value, phenomena such as sedimentation of the inorganic filler (C) can be suppressed in the varnish, and a more uniform resin layer can be obtained. Further, when the circuit dimension L / S (line and space) of the printed wiring board is less than 20/20 μm, it is possible to suppress the influence on the insulation between the wirings. The average particle diameter of the inorganic filler (C) is, for example, a laser diffraction particle size distribution analyzer (HORIBA Ltd., LA-500) by, measuring the particle size distribution of the particles on a volume basis, the median diameter (D 50) Can be the average particle size.
また、無機充填材(C)は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および/または多分散の無機充填材を一種類または二種類以上で併用してもよい。 The inorganic filler (C) is not particularly limited, but an inorganic filler having a monodisperse average particle size may be used, or an inorganic filler having a polydisperse average particle size may be used. Further, one kind or two or more kinds of inorganic fillers having an average particle size of monodisperse and / or polydisperse may be used in combination.
無機充填材(C)はシリカ粒子が好ましく、平均粒子径5.0μm以下のシリカ粒子が好ましく、平均粒子径0.1μm以上4.0μm以下のシリカ粒子がより好ましく、0.2μm以上2.0μm以下のシリカ粒子が特に好ましい。これにより、繊維基材に対する無機充填材(C)の充填性をさらに向上させることができる。 The inorganic filler (C) is preferably silica particles, preferably silica particles having an average particle diameter of 5.0 μm or less, more preferably silica particles having an average particle diameter of 0.1 μm or more and 4.0 μm or less, and 0.2 μm or more and 2.0 μm. The following silica particles are particularly preferred. Thereby, the filling property of the inorganic filler (C) with respect to the fiber base material can be further improved.
樹脂組成物(P)中に含まれる無機充填材(C)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、50.0質量%以上85.0質量%以下が好ましく、60.0質量%以上80.0質量%以下がより好ましい。無機充填材(C)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板をより低熱膨張、低吸水とすることができる。 The content of the inorganic filler (C) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. When, 50.0% by mass or more and 85.0% by mass or less is preferable, and 60.0% by mass or more and 80.0% by mass or less is more preferable. When the content of the inorganic filler (C) is within the above range, the obtained cured product of prepreg and the resin substrate can be made to have lower thermal expansion and lower water absorption.
樹脂組成物(P)は、低応力材(E)をさらに含むことが好ましい。これにより、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の応力を緩和させたり、回路層等の他の部材との密着性をより向上させたりすることができる。 The resin composition (P) preferably further contains a low stress material (E). As a result, the stress of the obtained cured product of the prepreg and the resin substrate can be relaxed, and the adhesion to other members such as the circuit layer can be further improved.
低応力材(E)としては、例えば、(メタ)アクリル系ブロック共重合体;シリコーン化合物;カルボキシル基、アミノ基、ビニルアクリレート基またはエポキシ基により変性されたアクリロニトリル・ブタジエンゴム;脂肪族エポキシ樹脂;およびゴム粒子等から選択される一種または二種以上が挙げられる。 Examples of the low-stress material (E) include (meth) acrylic block copolymers; silicone compounds; acrylonitrile-butadiene rubber modified with carboxyl groups, amino groups, vinyl acrylate groups or epoxy groups; aliphatic epoxy resins; And one or more selected from rubber particles and the like.
(メタ)アクリル系ブロック共重合体は(メタ)アクリル系モノマーを必須のモノマー成分として含有するブロック共重合体である。上記アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸ステアリル等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル;アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル等の脂環構造を有する(メタ)アクリル酸エステル;メタクリル酸ベンジル等の芳香環を有する(メタ)アクリル酸エステル;メタクリル酸2−トリフルオロエチル等の(メタ)アクリル酸の(フルオロ)アルキルエステル;アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等の分子中にカルボキシル基を有するカルボキシル基含有アクリル単量体;アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸4−ヒドロキシブチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチル、グリセリンのモノ(メタ)アクリル酸エステル等の分子中に水酸基を有する水酸基含有アクリル単量体;メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸メチルグリシジル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等の分子中にエポキシ基を有するアクリル単量体;アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の分子中にアリル基を有するアリル基含有アクリル単量体;γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン等の分子中に加水分解性シリル基を有するシラン基含有アクリル単量体;2−(2’−ヒドロキシ−5’−メタクリロキシエチルフェニル)−2H−ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系紫外線吸収性基を有する紫外線吸収性アクリル単量体等が挙げられる。 The (meth) acrylic block copolymer is a block copolymer containing a (meth) acrylic monomer as an essential monomer component. Examples of the acrylic monomer include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate and methacrylic. (Meta) acrylic acid alkyl ester such as t-butyl acid, 2-ethylhexyl methacrylate, lauryl methacrylate, stearyl methacrylate; (meth) acrylic acid ester having an alicyclic structure such as cyclohexylacrylic acid, cyclohexyl methacrylate; methacrylic acid (Meta) acrylic acid ester having an aromatic ring such as benzyl acid; (fluoro) alkyl ester of (meth) acrylic acid such as 2-trifluoroethyl methacrylate; such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, etc. Carboxyl group-containing acrylic monomer having a carboxyl group in the molecule; 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 4-Hydroxybutyl methacrylate, mono (meth) acrylic acid ester of glycerin, etc. A hydroxyl group-containing acrylic monomer having a hydroxyl group in the molecule; glycidyl methacrylate, methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethylmethacrylate, etc. Acrylic monomer having an epoxy group in the molecule; Allyl group-containing acrylic monomer having an allyl group in the molecule such as allyl acrylate and allyl methacrylate; γ-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloyloxypropyl Silane group-containing acrylic monomer having a hydrolyzable silyl group in a molecule such as triethoxysilane; benzotriazole-based ultraviolet rays such as 2- (2'-hydroxy-5'-methacryloxyethylphenyl) -2H-benzotriazole. Examples thereof include an ultraviolet-absorbing acrylic monomer having an absorbent group.
なお、上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体には、上記アクリル系モノマー以外のモノマーがモノマー成分として用いられていてもよい。上記アクリル系モノマー以外のモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソプレン等の共役ジエン、エチレン、プロピレン、イソブテン等のオレフィン等が挙げられる。 In the (meth) acrylic block copolymer, a monomer other than the acrylic monomer may be used as a monomer component. Examples of the monomer other than the acrylic monomer include aromatic vinyl compounds such as styrene and α-methylstyrene, conjugated diene such as butadiene and isoprene, and olefins such as ethylene, propylene and isobutylene.
上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体としては、特に限定されないが、例えば、2つの重合体ブロックからなるジブロック共重合体や、3つの重合体ブロックからなるトリブロック共重合体、4つ以上の重合体ブロックより構成されるマルチブロック共重合体等が挙げられる。 The (meth) acrylic block copolymer is not particularly limited, but for example, a diblock copolymer composed of two polymer blocks, a triblock copolymer composed of three polymer blocks, or four or more. Examples thereof include a multi-block copolymer composed of the polymer blocks of.
中でも、上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体としては、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性向上の観点で、ガラス転移温度(Tg)が低い重合体ブロック(S)(ソフトブロック)と、重合体ブロック(S)よりも高いTgを有する重合体ブロック(H)(ハードブロック)が交互に並んだブロック共重合体が好ましく、より好ましくは重合体ブロック(S)を中間に有し、その両端に重合体ブロック(H)を有するH−S−H構造のトリブロック共重合体が好ましい。 Among them, the (meth) acrylic block copolymers include polymer blocks (S) (soft blocks) having a low glass transition temperature (Tg) from the viewpoint of improving heat resistance, light resistance, and crack resistance. A block copolymer in which polymer blocks (H) (hard blocks) having a higher Tg than the polymer block (S) are alternately arranged is preferable, and more preferably, a polymer block (S) is provided in the middle thereof. A triblock copolymer having an HSH structure having polymer blocks (H) at both ends is preferable.
樹脂組成物(P)における(メタ)アクリル系ブロック共重合体の好ましい具体例としては、例えば、上記重合体ブロック(S)がブチルアクリレート(BA)を主たるモノマーとして構成された重合体であり、上記重合体ブロック(H)がメチルメタクリレート(MMA)を主たるモノマーとして構成された重合体である、ポリメチルメタクリレート−block−ポリブチルアクリレート−block−ポリメチルメタクリレートターポリマー(PMMA−b−PBA−b−PMMA)等が挙げられる。 A preferable specific example of the (meth) acrylic block copolymer in the resin composition (P) is, for example, a polymer in which the polymer block (S) is composed of butyl acrylate (BA) as a main monomer. Polymethylmethacrylate-block-polybutylacrylate-block-polymethylmethacrylate terpolymer (PMMA-b-PBA-b), which is a polymer in which the polymer block (H) is composed of methyl methacrylate (MMA) as a main monomer. -PMMA) and the like.
また、上記(メタ)アクリル系ブロック共重合体としては、例えば、商品名「ナノストレングス M52N」、「ナノストレングス M22N」、「ナノストレングス M51」、「ナノストレングス M52」、「ナノストレングス M53」(アルケマ社製、PMMA−b−PBA−b−PMMA)、商品名「ナノストレングス E21」、「ナノストレングス E41」(アルケマ社製、PSt(ポリスチレン)−b−PBA−b−PMMA)等の市販品を使用することもできる。 Examples of the (meth) acrylic block copolymer include the trade names "Nanostrength M52N", "Nanostrength M22N", "Nanostrength M51", "Nanostrength M52", and "Nanostrength M53" (Arkema). PMMA-b-PBA-b-PMMA), trade names "Nanostrength E21", "Nanostrength E41" (Arkema, PSt (polystyrene) -b-PBA-b-PMMA) and other commercially available products. It can also be used.
シリコーン化合物としては、例えば、シリコーンゴム、シリコーンオイル、シリコーンパウダー、シリコーン樹脂、シリコーンエポキシ樹脂、アミン変性シリコーン樹脂、エポキシ基およびフェニル基含有3次元架橋型シリコーン樹脂等が挙げられる。 Examples of the silicone compound include silicone rubber, silicone oil, silicone powder, silicone resin, silicone epoxy resin, amine-modified silicone resin, epoxy group and phenyl group-containing three-dimensional crosslinked silicone resin.
上記脂肪族エポキシ樹脂としては、グリシジル基以外に環状構造を有しない脂肪族エポキシ樹脂であることが好ましく、グリシジル基を2以上有する2官能以上の脂肪族エポキシ樹脂がより好ましい。このような脂肪族エポキシ樹脂は、エポキシ基が酸化されにくいため、熱履歴による弾性率の上昇が起こりにくいため優れている。 The aliphatic epoxy resin is preferably an aliphatic epoxy resin having no cyclic structure other than the glycidyl group, and more preferably a bifunctional or higher aliphatic epoxy resin having two or more glycidyl groups. Such an aliphatic epoxy resin is excellent because the epoxy group is less likely to be oxidized and the elastic modulus is less likely to increase due to thermal history.
上記ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。 Examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrene butadiene rubber particles, acrylic rubber particles, silicone particles and the like.
コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される2層構造、または外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される3層構造の粒子等が挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物等で構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物(ブチルゴム)等で構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドAC3832、AC3816N(商品名、ガンツ化成社製)、メタブレンKW−4426(商品名、三菱レイヨン社製)が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)粒子の具体例としては、XER−91(平均粒子径0.5μm、JSR社製)等が挙げられる。 The core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, a two-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer and the inner core layer is made of a rubbery polymer, or Examples thereof include particles having a three-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer, the intermediate layer is made of a rubbery polymer, and the core layer is made of a glassy polymer. The glassy polymer layer is composed of, for example, a polymer of methyl methacrylate, and the rubbery polymer layer is composed of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber) or the like. Specific examples of the core-shell type rubber particles include Staphyroid AC3832, AC3816N (trade name, manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.), and Metabrene KW-4426 (trade name, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.). Specific examples of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle size 0.5 μm, manufactured by JSR Corporation) and the like.
架橋スチレンブタジエンゴム(SBR)粒子の具体例としては、XSK−500(平均粒子径0.5μm、JSR社製)等が挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンW300A(平均粒子径0.1μm)、W450A(平均粒子径0.2μm)(三菱レイヨン社製)等が挙げられる。 Specific examples of the crosslinked styrene-butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle size 0.5 μm, manufactured by JSR Corporation) and the like. Specific examples of the acrylic rubber particles include Metabrene W300A (average particle size 0.1 μm), W450A (average particle size 0.2 μm) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) and the like.
シリコーン粒子は、オルガノポリシロキサンで形成されたゴム弾性微粒子であればとくに限定されず、例えば、シリコーンゴム(オルガノポリシロキサン架橋エラストマー)からなる微粒子、および二次元架橋主体のシリコーンからなるコア部を三次元架橋型主体のシリコーンで被覆したコアシェル構造粒子等が挙げられる。シリコーンゴム微粒子としては、KMP−605、KMP−600、KMP−597、KMP−594(信越化学社製)、トレフィルE−500、トレフィルE−600(東レ・ダウコーニング社製)等の市販品を用いることができる。 The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of organopolysiloxane. For example, fine particles made of silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) and a core portion made of silicone mainly composed of two-dimensional crosslinks are tertiary. Examples thereof include core-shell structural particles coated with a former crosslinked silicone. As the silicone rubber fine particles, commercially available products such as KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Trefil E-500, and Trefil E-600 (manufactured by Toray Dow Corning) are available. Can be used.
樹脂組成物(P)中に含まれる低応力材(E)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、0.1質量%以上10.0質量%以下が好ましく、1.0質量%以上8.0質量%以下がより好ましい。低応力材(E)の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の応力をより一層緩和させたり、回路層等の他の部材との密着性をより一層向上させたりすることができる。 The content of the low stress material (E) contained in the resin composition (P) is not particularly limited, but the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. When, 0.1% by mass or more and 10.0% by mass or less is preferable, and 1.0% by mass or more and 8.0% by mass or less is more preferable. When the content of the low-stress material (E) is within the above range, the stress of the obtained cured product of the prepreg and the resin substrate can be further relaxed, and the adhesion to other members such as the circuit layer can be further improved. Can be made to.
このほか、必要に応じて、樹脂組成物(P)には硬化促進剤、カップリング剤を適宜配合することができる。 In addition, if necessary, a curing accelerator and a coupling agent can be appropriately added to the resin composition (P).
硬化促進剤としては、特に限定されず、例えば、ホスフィン化合物、ホスホニウム塩を有する化合物、イミダゾール系化合物等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらの中でもイミダゾール系化合物が好ましい。イミダゾール系化合物は、特に優れた触媒としての機能を有する化合物であることから、マレイミド化合物(A)と、ベンゾオキサジン化合物(B)との重合反応をより確実に促進させることができる。 The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include a phosphine compound, a compound having a phosphonium salt, an imidazole compound, and the like, and one or a combination of two or more of these can be used. Among these, imidazole compounds are preferable. Since the imidazole-based compound is a compound having a particularly excellent function as a catalyst, the polymerization reaction between the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B) can be more reliably promoted.
イミダゾール系化合物としては、特に限定されず、例えば、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、1−ビニル−2−メチルイミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾール、2−イソプロピルイミダゾール、1−シアノメチル−2−メチル−イミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらの中でも、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、および2−エチル−4−メチルイミダゾールであることが好ましい。これらの化合物を用いることにより、マレイミド化合物(A)と、ベンゾオキサジン化合物(B)の反応がより促進され、成形加工性が向上するとともに、得られる硬化物の耐熱性が向上するという利点が得られる。 The imidazole-based compound is not particularly limited, and is, for example, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole. , 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 1-Vinyl-2-methylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 2-isopropylimidazole, 1-cyanomethyl-2-methyl-imidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl- Examples thereof include 2-undecylimidazole and 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and one or a combination of two or more of these can be used. Among these, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole are preferable. By using these compounds, the reaction between the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B) is further promoted, the molding processability is improved, and the heat resistance of the obtained cured product is improved. Be done.
ホスフィン化合物としては、エチルホスフィン、プロピルホスフィンのようなアルキルホスフィン、フェニルホスフィン等の1級ホスフィン;ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィンのようなジアルキルホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン等の2級ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィンのようなトリアルキルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、アルキルジフェニルホスフィン、ジアルキルフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリ−p−スチリルホスフィン、トリス(2,6−ジメトキシフェニル)ホスフィン、トリ−4−メチルフェニルホスフィン、トリ−4−メトキシフェニルホスフィン、トリ−2−シアノエチルホスフィン等の3級ホスフィン等が挙げられる。これらの中でも、3級ホスフィンが好ましく使用される。 Examples of the phosphine compound include primary phosphine such as ethylphosphine and alkylphosphine such as propylphosphine and phenylphosphine; dialkylphosphine such as dimethylphosphine and diethylphosphine, and secondary phosphine such as diphenylphosphine, methylphenylphosphine and ethylphenylphosphine. Trialkylphosphine such as trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, trioctylphosphine, tricyclohexylphosphine, triphenylphosphine, alkyldiphenylphosphine, dialkylphenylphosphine, tribenzylphosphine, tritrylphosphine, tri-p-styrylphosphine , Tri-trisphine (2,6-dimethoxyphenyl) phosphine, tri-4-methylphenylphosphine, tri-4-methoxyphenylphosphine, tri-2-cyanoethylphosphine and other tertiary phosphines. Of these, tertiary phosphine is preferably used.
また、ホスホニウム塩を有する化合物としては、テトラフェニルホスホニウム塩、アルキルトリフェニルホスホニウム塩等を有する化合物が挙げられ、具体的には、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−メチルフェニルボレート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。 Examples of the compound having a phosphonium salt include a compound having a tetraphenylphosphonium salt, an alkyltriphenylphosphonium salt and the like, and specific examples thereof include tetraphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium tetra-p-methylphenylborate and butyl. Examples thereof include triphenylphosphonium thiocyanate.
硬化促進剤の含有量は、マレイミド化合物(A)と、ベンゾオキサジン化合物(B)との合計100質量部に対し、0.01〜5.0質量部であることが好ましく、0.05〜3.0質量部であることがより好ましく、0.1〜1.5質量部であることが特に好ましい。硬化促進剤の含有量をかかる範囲内に設定することにより、樹脂組成物(P)から得られる硬化物の耐熱性をより向上させることができる。 The content of the curing accelerator is preferably 0.01 to 5.0 parts by mass, preferably 0.05 to 3 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total of the maleimide compound (A) and the benzoxazine compound (B). It is more preferably 0.0 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 1.5 parts by mass. By setting the content of the curing accelerator within such a range, the heat resistance of the cured product obtained from the resin composition (P) can be further improved.
さらに、樹脂組成物(P)は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は樹脂組成物(P)の調製時に直接添加してもよいし、樹脂組成物(P)が無機充填材(C)を含む場合には、無機充填材(C)にあらかじめ添加しておいてもよい。カップリング剤の使用により、繊維基材または無機充填材(C)と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性を改良することができる。 Further, the resin composition (P) may contain a coupling agent. The coupling agent may be added directly at the time of preparation of the resin composition (P), or when the resin composition (P) contains the inorganic filler (C), it is added in advance to the inorganic filler (C). You may keep it. By using the coupling agent, the wettability of the interface between the fiber base material or the inorganic filler (C) and each resin can be improved. Therefore, it is preferable to use a coupling agent, and the heat resistance of the obtained cured product of the prepreg or the resin substrate can be improved.
カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよい。 Examples of the coupling agent include a silane coupling agent such as an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, and an aminosilane coupling agent, a titanate-based coupling agent, and a silicone oil type coupling agent. One type of coupling agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.
これにより、繊維基材または無機充填材(C)と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性をより向上させることができる。 As a result, the wettability of the interface between the fiber base material or the inorganic filler (C) and each resin can be increased, and the heat resistance of the obtained cured prepreg or resin substrate can be further improved.
シランカップリング剤としては、各種の化合物を用いることができるが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン等が挙げられる。 As the silane coupling agent, various compounds can be used, and examples thereof include epoxysilane, aminosilane, alkylsilane, ureidosilane, mercaptosilane, and vinylsilane.
具体的な化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−6−(アミノヘキシル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−(トリメトキシシリルプロピル)−1,3−ベンゼンジメタン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらのうちエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシランが好ましく、アミノシランとしては、1級アミノシラン又はアニリノシランがより好ましい。 Specific compounds include, for example, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-amino. Propylmethyldimethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, N-6- (aminohexyl) 3-Aminopropyltrimethoxysilane, N- (3- (trimethoxysilylpropyl) -1,3-benzenedimethane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ- Glycydoxypropylmethyldimethoxysilane, β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, etc. Of these, epoxy silane, mercapto silane, and amino silane are preferable, and primary amino silane or anilino silane is more preferable as the amino silane.
カップリング剤の添加量は、無機充填材(C)の比表面積に応じて適宜調整され、特に限定されないが、樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、0.01質量%以上1質量%以下が好ましく、0.05質量%以上0.5質量%以下がより好ましい。 The amount of the coupling agent added is appropriately adjusted according to the specific surface area of the inorganic filler (C), and is not particularly limited, but is 100% by mass of the total solid content (that is, the component excluding the solvent) of the resin composition (P). When it is%, it is preferably 0.01% by mass or more and 1% by mass or less, and more preferably 0.05% by mass or more and 0.5% by mass or less.
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材(C)を十分に被覆することができ、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、得られるプリプレグの硬化物や樹脂基板の曲げ強度等の低下を抑制することができる。 When the content of the coupling agent is at least the above lower limit value, the inorganic filler (C) can be sufficiently coated, and the heat resistance of the obtained cured prepreg or resin substrate can be improved. Further, when the content of the coupling agent is not more than the above upper limit value, it is possible to suppress the influence on the reaction, and it is possible to suppress the decrease in the obtained cured product of the prepreg, the bending strength of the resin substrate, and the like.
さらに、樹脂組成物(P)には、本発明の目的を損なわない範囲で、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加してもよい。 Further, the resin composition (P) contains pigments, dyes, defoamers, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, ion scavengers, etc., as long as the object of the present invention is not impaired. Additives other than the above-mentioned components may be added.
顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青等の無機顔料、フタロシアニン等の多環顔料、アゾ顔料等が挙げられる。 Pigments include kaolin, synthetic iron oxide red, cadmium yellow, nickel titanium yellow, strontium yellow, chromium hydroxide-containing, chromium oxide, cobalt aluminate, synthetic ultramarine blue and other inorganic pigments, phthalocyanine and other polycyclic pigments, and azo pigments. And so on.
染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、インジゴイド、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン、フタロシアニン、アゾメチン等が挙げられる。 Examples of the dye include isoindolinone, isoindoline, quinophthalone, xanthene, diketopyrrolopyrrole, perylene, perinone, anthraquinone, indigoid, oxazine, quinacridone, benzimidazolone, violanthrone, phthalocyanine, azomethine and the like.
樹脂組成物(P)は、各種有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、自転公転式分散方式等の各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニス(I)とすることができる。 The resin composition (P) uses various mixers such as an ultrasonic dispersion method, a high-pressure collision type dispersion method, a high-speed rotation dispersion method, a bead mill method, a high-speed shear dispersion method, and a rotation / revolution type dispersion method in various organic solvents. The resin varnish (I) can be obtained by dissolving, mixing and stirring.
樹脂ワニス(I)に用いる有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、N−メチルピロリドン等が挙げられる。 Examples of the organic solvent used for the resin varnish (I) include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, and cellsolve. Examples thereof include carbitol, anisole, and N-methylpyrrolidone.
樹脂ワニス(I)の固形分は、特に限定されないが、40質量%以上80質量%以下が好ましく、特に50質量%以上70質量%以下が好ましい。これにより、樹脂ワニス(I)の繊維基材への含浸性をさらに向上させることができる。
以上の樹脂組成物(P)において、各成分の割合は、例えば、以下のようである。
The solid content of the resin varnish (I) is not particularly limited, but is preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or more and 70% by mass or less. Thereby, the impregnation property of the resin varnish (I) into the fiber base material can be further improved.
In the above resin composition (P), the ratio of each component is, for example, as follows.
樹脂組成物(P)の全固形分(すなわち、溶媒を除く成分)を100質量%としたとき、マレイミド化合物(A)の割合が1.0質量%以上25.0質量%以下であり、ベンゾオキサジン化合物(B)の割合が1.0質量%以上25.0質量%以下であり、無機充填材(C)の割合が50.0質量%以上85.0質量%以下であることが好ましい。 When the total solid content of the resin composition (P) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass, the proportion of the maleimide compound (A) is 1.0% by mass or more and 25.0% by mass or less, and benzo. It is preferable that the ratio of the oxazine compound (B) is 1.0% by mass or more and 25.0% by mass or less, and the ratio of the inorganic filler (C) is 50.0% by mass or more and 85.0% by mass or less.
また、マレイミド化合物(A)の割合が5.0質量%以上20.0質量%以下であり、ベンゾオキサジン化合物(B)の割合が2.0質量%以上15.0質量%以下であり、無機充填材(C)の割合が60.0質量%以上80.0質量%以下であることがより好ましい。 Further, the proportion of the maleimide compound (A) is 5.0% by mass or more and 20.0% by mass or less, the proportion of the benzoxazine compound (B) is 2.0% by mass or more and 15.0% by mass or less, and it is inorganic. It is more preferable that the ratio of the filler (C) is 60.0% by mass or more and 80.0% by mass or less.
次に、本実施形態に係るプリント配線基板300について説明する。図2および図3は、本実施形態におけるプリント配線基板300の構成の一例を示す断面図である。
Next, the printed
プリント配線基板300は、ビアホール307が設けられた絶縁層301と、絶縁層301の少なくとも一方の面に設けられた金属層303とを少なくとも有する。なお、本実施形態において、ビアホール307とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。
The printed
本実施形態に係るプリント配線基板300は、図2に示すように、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層301の両面に金属層303を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法等により、絶縁層301上に、層間絶縁層(ビルドアップ層とも呼ぶ。)を介して金属層303を2層以上積層したプリント配線基板である。
As shown in FIG. 2, the printed
ここで、本実施形態に係るプリント配線基板300において、絶縁層301が本実施形態に係る樹脂基板または金属張積層板200の絶縁層301に相当する。
Here, in the printed
金属層303は、例えば、回路層であり、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308と、電解金属めっき層309とを有する。
The
プリント配線基板300が、図3に示すような多層プリント配線基板の場合は、金属層303は、コア層311またはビルドアップ層317中の回路層である。
When the printed
金属層303は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理された金属箔105または絶縁層301の面上に、SAP(セミアディティブプロセス)法により形成される。金属箔105または絶縁層301上に無電解金属めっき膜308を施した後、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層309付けを行う。その後、めっきレジストの除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜308の除去により、金属箔105または絶縁層301上に金属層303を形成する。
The
金属層303の回路寸法は、ラインアンドスペース(L/S)で表わすとき、25μm/25μm以下とすることができ、特に15μm/15μm以下とすることができる。一般的に、回路寸法を小さくし、微細配線にすると配線間の絶縁信頼性が低下する。しかし、本実施形態に係るプリント配線基板300は、ラインアンドスペース(L/S)15μm/15μm以下の微細配線が可能であり、ラインアンドスペース(L/S)10μm/10μm程度までの微細化を達成できる。
The circuit dimensions of the
金属層303の厚さは、特に限定されないが、通常は5μm以上25μm以下である。
The thickness of the
ビルドアップ層317中の絶縁層305は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、例えば、樹脂フィルム、プリプレグのいずれかにより構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板用のビルドアップ層317の製造に適しており好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグが特に好ましい。
The insulating
As the prepreg, the above-mentioned prepreg is particularly preferable.
コア層311中の絶縁層301(ビルドアップ層317を含まないプリント配線基板300中の絶縁層301も含む。)の厚さは、0.025mm以上0.3mm以下であることが好ましい。絶縁層301の厚さが上記範囲内であると、絶縁層301の機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層301を得ることができる。
The thickness of the insulating
ビルドアップ層317中の絶縁層305の厚さは、0.015mm以上0.05mm以下であることが好ましい。絶縁層305の厚さが上記範囲内であると、絶縁層305の機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層305を得ることができる。
The thickness of the insulating
つづいて、プリント配線基板300の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板300の製造方法は、以下の例に限定されない。
Next, an example of a method for manufacturing the printed
はじめに、金属張積層板200を準備する。
次いで、エッチング処理により、金属張積層板200の金属箔105の一部またはすべてを除去する。
First, the metal-clad
Next, a part or all of the
次いで、絶縁層301にビアホール307を形成する。ビアホール307は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、UVレーザー、炭酸ガスレーザー等が挙げられる。ビアホール307を形成後の樹脂残渣等は、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤等により除去してもよい。
Next, a via
なお、エッチング処理による金属箔105の除去前に、絶縁層301にビアホール307を形成してもよい。
The via
次いで、金属箔105または絶縁層301の表面に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う。
Next, the surface of the
薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液等を使用する方法等が挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物に直接酸化作用の強い活性種(プラズマ、ラジカル等)を照射して有機物残渣を除去する方法等が挙げられる。 The chemical treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method using an oxidizing agent solution or the like having an organic substance decomposing action. Further, as the plasma treatment, a method of directly irradiating an object with an active species having a strong oxidizing action (plasma, radicals, etc.) to remove organic residue can be mentioned.
次に、金属層303を形成する。金属層303は、例えば、セミアディティブプロセス(SAP)またはモディファイドセミアディティブプロセス(MSAP)により形成することができる。以下、具体的に説明する。
Next, the
はじめに、無電解めっき法を用いて、金属箔105または絶縁層301の表面やビアホール307内に無電解金属めっき膜308を形成し、プリント配線基板300の両面の導通を図る。また、ビアホール307は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず、金属箔105または絶縁層301の表面上やビアホール307内に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜308を形成する。無電解めっき処理には、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含む溶液を用いることができる。なお、無電解めっき後に、100〜250℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。120〜180℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜308の平均厚さは、例えば、0.1〜2μm程度である。
First, an electroless
次いで、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308上に所定の開口パターンを有するめっきレジストを形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジストとしては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジストとしては、感光性ドライフィルム等を用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜308上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジストを形成する。
Next, a plating resist having a predetermined opening pattern is formed on the
次いで、少なくともめっきレジストの開口パターン内部かつ金属箔105および/または無電解金属めっき膜308上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層309を形成する。電気めっき処理としては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に上記のように処理された金属張積層板200を浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層309は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層309の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか一種以上を用いることができる。
Next, the electrolytic
次いで、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いてめっきレジストを除去する。 Then, the plating resist is removed using an alkaline stripping solution, sulfuric acid, a commercially available resist stripping solution, or the like.
次いで、電解金属めっき層309が形成されている領域以外の金属箔105および/または無電解金属めっき膜308を除去する。例えば、ソフトエッチング(フラッシュエッチング)等を用いることにより、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、金属層303を形成することができる。金属層303は、金属箔105および/または無電解金属めっき膜308と、電解金属めっき層309と、により構成されることになる。
Next, the
さらに、プリント配線基板300上に、必要に応じてビルドアップ層317を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。
以上により、本実施形態のプリント配線基板300が得られる。
Further, the build-
From the above, the printed
つづいて、本実施形態に係る半導体装置400について説明する。図4および図5は、本実施形態における半導体装置400の構成の一例を示す断面図である。プリント配線基板300は、図4および図5に示すような半導体装置400に用いることができる。半導体装置400の製造方法としては、特に限定されないが、例えば以下のような方法がある。
Next, the
まず、上述した方法により得られたプリント配線基板300を準備する。次に、プリント配線基板300の金属層303(回路層)上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層401をプリント配線基板300の両面または片面に積層する。
First, the printed
ソルダーレジスト層401の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像することにより形成する方法、または、液状レジストによりパターン印刷した後、露光、および現像によりパターン形成する方法が挙げられる。
The method for forming the solder resist
つづいて、プリント配線基板300の回路層の一部である接続端子上に半田バンプ410を介して、半導体素子407を載置する。次に、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子407を半田バンプ410を介して接続端子上に固着させる。その後、半導体素子407、半田バンプ410等を封止材413で封止することによって、図4および図5に示す様な半導体装置400が得られる。
Subsequently, the
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本実施形態では、プリプレグが1層の場合を示したが、プリプレグを2層以上積層した絶縁層を作製してもよい。 Although the embodiments of the present invention have been described above, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted. For example, in the present embodiment, the case where the prepreg is one layer is shown, but an insulating layer in which two or more prepregs are laminated may be produced.
また、上記実施形態では、半導体素子407と、プリント配線基板300の回路層とを半田バンプ410で接続したが、これに限られない。例えば、半導体素子407とプリント配線基板300の回路層とをボンディングワイヤで接続してもよい。
Further, in the above embodiment, the
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実施例では、「部」は特に特定しない限り「質量部」を表す。また、それぞれの厚さは平均膜厚で表わされている。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto. In the examples, "parts" represents "parts by mass" unless otherwise specified. In addition, each thickness is represented by an average film thickness.
実施例および比較例では、以下の原料を用いた。
マレイミド化合物1:式(1)において、n1が0以上3以下、X1が「−CH2−」で表される基、aが0、bが0である化合物(BMI−2300、大和化成工業社製、Mw=750)
マレイミド化合物2:ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド(BMI−4000、大和化成工業社製)
マレイミド化合物3:4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド(式(1)において、n1は0、X1が「−CH2−」で表される基、aが0、bが0である化合物、BMI−1000、大和化成工業社製)
マレイミド化合物4:1,6’−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン(BMI−TMH、大和化成工業社製)
マレイミド化合物5:イミド拡張型ビスマレイミド(BMI−1500、式(a1)により示されるビスマレイミド化合物、デジグナーモレキュールズ社製、分子量1500)
In the examples and comparative examples, the following raw materials were used.
Maleimide compound 1: In formula (1), n 1 is 0 or more and 3 or less, X 1 is a group represented by "-CH 2- ", a is 0, and b is 0 (BMI-2300, Yamato Kasei). Made by Kogyo Co., Ltd., Mw = 750)
Maleimide Compound 2: Bisphenol A Diphenyl Ether Bismaleimide (BMI-4000, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Maleimide compound 3: 4,4'-diphenylmethanebismaleimide (in formula (1), n 1 is 0, X 1 is a group represented by "-CH 2- ", a is 0, b is 0, BMI-1000, manufactured by Yamato Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Maleimide Compound 4: 1,6'-Bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) Hexane (BMI-TMH, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Maleimide compound 5: Imide-extended bismaleimide (BMI-1500, bismaleimide compound represented by the formula (a1), manufactured by Digigner Moleculars, molecular weight 1500)
シアネートエステル樹脂:ビスフェノールAジシアネートのプレポリマー(固形分75質量%のMEK溶液、ロンザ社製、BA230S)
ベンゾオキサジン化合物1:式(2−1)により示されるベンゾオキサジン化合物(P−d型ベンゾオキサジン、四国化成工業社製)
ベンゾオキサジン化合物2:式(3−1)により示されるベンゾオキサジン化合物(F−a型ベンゾオキサジン四国化成工業社製)
Cyanate ester resin: Prepolymer of bisphenol A disicanate (MEK solution with a solid content of 75% by mass, manufactured by Ronza, BA230S)
Benzoxazine compound 1: A benzoxazine compound represented by the formula (2-1) (Pd-type benzoxazine, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Benzoxazine compound 2: A benzoxazine compound represented by the formula (3-1) (F-a type benzoxazine manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)
エポキシ樹脂1:アラルキル型エポキシ樹脂(NC3000L、日本化薬社製)
エポキシ樹脂2:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(EPICLON 830S、DIC社製)
エポキシ樹脂3:ナフタレンジオール型エポキシ樹脂(EPICLON HP−4032D、DIC社製)
エポキシ樹脂4:シルセスキオキサン型エポキシ樹脂(コンポセラン SQ502−8、荒川化学工業社製)
Epoxy resin 1: Aralkill type epoxy resin (NC3000L, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Epoxy resin 2: Bisphenol F type epoxy resin (EPICLON 830S, manufactured by DIC Corporation)
Epoxy resin 3: Naphthalene diol type epoxy resin (EPICLON HP-4032D, manufactured by DIC Corporation)
Epoxy resin 4: Silsesquioxane type epoxy resin (Compoceran SQ502-8, manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd.)
フェノール樹脂1:ノボラック型フェノール樹脂(PR−HF−3、住友ベークライト社製)
無機充填材1:シリカ(アドマテックス社製、SC4050、平均粒径1.1μm、フェニルアミノシラン処理のシリカスラリー)
Phenol resin 1: Novolac type phenol resin (PR-HF-3, manufactured by Sumitomo Bakelite)
Inorganic filler 1: Silica (manufactured by Admatex, SC4050, average particle size 1.1 μm, phenylaminosilane-treated silica slurry)
低応力材1:カルボン酸末端アクリロニトリル・ブタジエンゴム(PTIジャパン社製、CTBN1008SP)
低応力材2:アミノ基末端アクリロニトリル・ブタジンゴム(PTIジャパン社製、ATBN1300X16)
低応力材3:シリコーン化合物(エポキシ基およびフェニル基含有3次元架橋型シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製、AY42−119)
低応力材4:シリコーン化合物(シリコーンエポキシ樹脂、東レ・ダウコーニング社製、BY16−115)
低応力材5:シリコーン化合物(分子鎖両末端にアミノ基を有する変性シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製、BY16−853)
低応力材6:アクリル系ブロック共重合体(アクリルモノマーのブロック共重合体(PMMA−b−PBA−b−PMMA;b=ブロック)、数平均分子量:約10,000、アルケマ社製、ナノストレングスM51)
Low stress material 1: Carboxylic acid-terminated acrylonitrile-butadiene rubber (manufactured by PTI Japan, CTBN1008SP)
Low stress material 2: Amino group-terminated acrylonitrile-butazine rubber (manufactured by PTI Japan, ATBN1300X16)
Low stress material 3: Silicone compound (three-dimensional crosslinked silicone resin containing epoxy group and phenyl group, manufactured by Toray Dow Corning, AY42-119)
Low stress material 4: Silicone compound (silicone epoxy resin, manufactured by Toray Dow Corning, BY16-115)
Low stress material 5: Silicone compound (modified silicone resin having amino groups at both ends of the molecular chain, manufactured by Toray Dow Corning, BY16-853)
Low stress material 6: Acrylic block copolymer (block copolymer of acrylic monomer (PMMA-b-PBA-b-PMMA; b = block), number average molecular weight: about 10,000, manufactured by Alchema, nanostrength M51)
硬化促進剤1:2−フェニルイミダゾール(四国化成社製、2PZ−PW)
硬化促進剤2:テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート(北興化学工業社製、TPP−MK)
Curing Accelerator 1: 2-Phenylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2PZ-PW)
Curing accelerator 2: Tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate (manufactured by Hokuko Chemical Industry Co., Ltd., TPP-MK)
次に、プリプレグの製造について説明する。使用した樹脂ワニスの組成を表1(質量部)に示し、得られたプリプレグ1〜22の評価結果等を表2に示す。なお、表2に記載のP1〜P20とはプリプレグ1〜プリプレグ22を意味する。 Next, the production of the prepreg will be described. The composition of the resin varnish used is shown in Table 1 (parts by mass), and the evaluation results of the obtained prepregs 1 to 22 are shown in Table 2. In addition, P1 to P20 described in Table 2 mean prepreg 1 to prepreg 22.
[1]プリプレグ1
1.樹脂ワニス1の調製
表1に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分70質量%となるように調整した混合液を準備した。その後、この混合液を高速撹拌装置を用いて、撹拌して樹脂ワニス1を調製した。
[1] Prepreg 1
1. 1. Preparation of Resin Varnish 1 A mixed solution was prepared by dissolving or dispersing each component at the solid content ratio shown in Table 1 and adjusting the non-volatile content to 70% by mass with methyl ethyl ketone. Then, this mixed solution was stirred using a high-speed stirring device to prepare a resin varnish 1.
2.プリプレグの製造
(プリプレグ1)
ガラス織布(クロスタイプ♯2118、Tガラス、坪量114g/m2)に樹脂ワニス1を塗布装置で含浸させた。その後、140℃の熱風乾燥装置でガラス織布を10分間乾燥して、厚さ107μmのプリプレグ1(P1)を得た。
2. Manufacture of prepreg (prepreg 1)
A glass woven cloth (cross type # 2118, T glass, basis weight 114 g / m 2 ) was impregnated with the resin varnish 1 by a coating device. Then, the glass woven fabric was dried for 10 minutes with a hot air drying device at 140 ° C. to obtain prepreg 1 (P1) having a thickness of 107 μm.
(プリプレグ2〜22)
プリプレグ2〜22は、樹脂ワニスの種類を表1に示すように変えた以外は、プリプレグ1と同様にして製造した。ただし、ワニス19は溶解性の観点からジメチルホルムアミドで固形分濃度を調整した。
(Prepregs 2-22)
The prepregs 2 to 22 were manufactured in the same manner as the prepreg 1 except that the type of the resin varnish was changed as shown in Table 1. However, the solid content concentration of the varnish 19 was adjusted with dimethylformamide from the viewpoint of solubility.
(実施例1)
1.樹脂基板の製造
プリプレグ1の両面に極薄銅箔(三井金属鉱業社製、マイクロシンEx、2.0μm)を重ね合わせた。次に、4MPa、230℃で2時間加熱加圧成形することにより、樹脂基板を得た。得られた金属箔付き樹脂基板のコア層(樹脂基板からなる部分)の厚さは、0.107mmであった。
(Example 1)
1. 1. Manufacture of Resin Substrate Ultra-thin copper foil (manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., Microsin Ex, 2.0 μm) was laminated on both sides of the prepreg 1. Next, a resin substrate was obtained by heat and pressure molding at 4 MPa and 230 ° C. for 2 hours. The thickness of the core layer (the portion made of the resin substrate) of the obtained resin substrate with metal foil was 0.107 mm.
2.プリント配線基板の製造
まず、前項で得られた金属箔付き樹脂基板の表面の極薄銅箔層に約1μmの粗化処理を施した。その後、炭酸ガスレーザーで、層間接続用のΦ80μmのスルーホールを形成した。次いで、60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)が入れられた容器に金属箔付き樹脂基板を入れ、5分間浸漬した後、金属箔付き樹脂基板を容器から取り出した。その後、80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)が入れられた容器に金属箔付き樹脂基板を入れ、2分間浸漬後、中和してスルーホール内のデスミア処理を行った。次に、デスミア処理後の金属箔付き樹脂基板に対して、無電解銅メッキを厚さ0.5μmとなるように行った。次に、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ18μmとなるように形成し、パターン銅メッキした。その後、150℃で30分間加熱してポストキュアした。次いで、メッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、L/S=15/15μmのパターンを形成した。
2. Manufacture of Printed Wiring Board First, the ultrathin copper foil layer on the surface of the resin substrate with metal foil obtained in the previous section was roughened by about 1 μm. Then, a carbon dioxide laser was used to form a Φ80 μm through hole for interlayer connection. Next, a resin substrate with a metal foil was placed in a container containing a swelling solution at 60 ° C. (Swelling Dip Securigant P manufactured by Attec Japan Co., Ltd.), immersed for 5 minutes, and then the resin substrate with the metal foil was taken out from the container. .. After that, a resin substrate with a metal foil was placed in a container containing an 80 ° C potassium permanganate aqueous solution (Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP), immersed for 2 minutes, neutralized, and desmeared in the through hole. Was done. Next, electroless copper plating was performed on the resin substrate with metal foil after the desmear treatment so as to have a thickness of 0.5 μm. Next, a resist layer for electrolytic copper plating was formed so as to have a thickness of 18 μm, and pattern copper plating was performed. Then, it was post-cured by heating at 150 ° C. for 30 minutes. Next, the plating resist was peeled off and the entire surface was flash-etched to form a pattern of L / S = 15/15 μm.
(実施例2〜18および比較例1〜4)
表2に示すようにプリプレグの種類を代えた以外は、実施例1と同様に樹脂基板、プリント配線基板を作製した。
(Examples 2 to 18 and Comparative Examples 1 to 4)
A resin substrate and a printed wiring board were produced in the same manner as in Example 1 except that the types of prepregs were changed as shown in Table 2.
また、各実施例および比較例により得られた樹脂基板について、次の各評価を行った。評価結果を表2に示す。 In addition, the resin substrates obtained in each of the examples and comparative examples were evaluated as follows. The evaluation results are shown in Table 2.
(1)ガラス転移温度
ガラス転移温度の測定は、動的粘弾性分析装置(DMA装置、TAインスツルメント社製、Q800)を用いて行った。
(1) Glass transition temperature The glass transition temperature was measured using a dynamic viscoelastic analyzer (DMA device, manufactured by TA Instruments, Q800).
まず、得られた樹脂基板から8mm×40mmのテストピースを切り出した。次に、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)でテストピースの銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。次いで、得られたプリプレグの硬化物を用いて昇温速度5℃/min、周波数1Hzで動的粘弾性測定を行った。なお、ガラス転移温度は、周波数1Hzにおいてtanδが最大値を示す温度とした。 First, a test piece of 8 mm × 40 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of the prepreg. Then, using the obtained cured product of the prepreg, dynamic viscoelasticity measurement was performed at a heating rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz. The glass transition temperature was set to the temperature at which tan δ showed the maximum value at a frequency of 1 Hz.
(2)貯蔵弾性率E’
貯蔵弾性率E’の測定は、動的粘弾性分析装置(DMA装置、TAインスツルメント社製、Q800)を用いて行った。
(2) Storage elastic modulus E'
The storage elastic modulus E'was measured using a dynamic viscoelastic analyzer (DMA device, manufactured by TA Instruments, Q800).
まず、得られた樹脂基板から8mm×40mmのテストピースを切り出した。次に、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)でテストピースの銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。 First, a test piece of 8 mm × 40 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of the prepreg.
得られたプリプレグの硬化物に対して、昇温速度5℃/min、周波数1Hzで、30℃および250℃での貯蔵弾性率測定を行ない、30℃での貯蔵弾性率E’30、250℃での貯蔵弾性率E’250、およびE’30/E’250を算出した。 Based on the cured product of the resulting prepreg, heating rate 5 ° C. / min, with a frequency 1 Hz, performs storage modulus measured at 30 ° C. and 250 ° C., the storage modulus at 30 ℃ E '30, 250 ℃ It was calculated storage modulus E '250 and E,' 30 / E '250 at.
(3)寸法収縮率
まず、得られた樹脂基板から4mm×15mmのテストピースを切り出した。次に、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)でテストピースの銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。
(3) Dimensional shrinkage rate First, a 4 mm × 15 mm test piece was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of the prepreg.
次いで、得られたプリプレグの硬化物に対し、熱機械分析装置TMA(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、昇温速度10℃/min、荷重10g、圧縮モードの条件で、30℃から260℃まで昇温する過程と、260℃で1時間保持する過程とを有する熱機械分析測定を行った。そして、プリプレグの硬化物の基準長L0からの最大の熱膨張量L1およびプリプレグの硬化物を260℃で1時間保持したときの基準長L0からの熱膨張量L2を求めた。次いで、100×(L1−L2)/L0で示される寸法収縮率を算出した。 Next, the obtained cured product of the prepreg was subjected to a thermomechanical analyzer TMA (manufactured by TA Instruments, Q400) at a heating rate of 10 ° C./min, a load of 10 g, and a pressure of 30 ° C. under the conditions of a compression mode. A thermomechanical analysis measurement including a process of raising the temperature to 260 ° C. and a process of holding the temperature at 260 ° C. for 1 hour was performed. Then, to determine the thermal expansion amount L 2 from the reference length L 0 when the maximum expansion amount L 1 and cured product of the prepreg from the reference length L 0 of the cured product of the prepreg was held 1 hour at 260 ° C.. Next, the dimensional shrinkage rate represented by 100 × (L 1 − L 2 ) / L 0 was calculated.
(4)線膨張係数
まず、得られた樹脂基板から4mm×15mmのテストピースを切り出した。次に、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)でテストピースの銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。
(4) Coefficient of linear expansion First, a test piece having a size of 4 mm × 15 mm was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of the prepreg.
次いで、得られたプリプレグの硬化物に対し、熱機械分析装置TMA(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、温度範囲30〜260℃、昇温速度10℃/min、荷重10g、圧縮モードの条件で熱機械分析(TMA)測定を2サイクル行った。50℃から150℃の範囲における平面方向(XY方向)の線膨張係数の平均値α1および150℃から250℃の範囲における平面方向(XY方向)の線膨張係数の平均値α2を算出した。
なお、膨脹係数は、2サイクル目の値を採用した。
Next, the obtained cured product of the prepreg was compressed using a thermomechanical analyzer TMA (manufactured by TA Instruments, Q400) in a temperature range of 30 to 260 ° C., a heating rate of 10 ° C./min, a load of 10 g, and compression. Two cycles of thermomechanical analysis (TMA) measurements were performed under mode conditions. The average value α 1 of the coefficient of linear expansion in the plane direction (XY direction) in the range of 50 ° C. to 150 ° C. and the average value α 2 of the coefficient of linear expansion in the plane direction (XY direction) in the range of 150 ° C. to 250 ° C. were calculated. ..
The value of the second cycle was adopted as the expansion coefficient.
(5)減膜量
まず、得られた樹脂基板から4mm×15mmのテストピースを切り出した。次に、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)で銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。
(5) Amount of film reduction First, a 4 mm × 15 mm test piece was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of the prepreg.
次いで、得られたプリプレグの硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第1の質量とし、当該硬化物を下記条件で処理した後に、当該硬化物の120℃で1時間乾燥後の質量を第2の質量としたとき、[{(第1の質量)−(第2の質量)}/(当該硬化物の表裏両面の面積の和)]×100で定義される減膜量を算出した。 Next, the mass of the obtained cured product of the prepreg after drying at 120 ° C. for 1 hour was defined as the first mass, and after treating the cured product under the following conditions, the mass of the cured product after drying at 120 ° C. for 1 hour. Is the second mass, and the amount of film reduction defined by [{(first mass)-(second mass)} / (sum of the areas of both the front and back surfaces of the cured product)] × 100 is calculated. did.
<条件>
硬化物を3g/L水酸化ナトリウム溶液(溶媒:ジエチレングリコールモノブチルエーテル11.1体積%、エチレングリコール3.6体積%、純水85.3体積%)に60℃、5分間浸漬することにより硬化物を膨潤させる。次いで、膨潤した硬化物を粗化処理水溶液(過マンガン酸ナトリウム60g/L、水酸化ナトリウム45g/L)に80℃、5分間浸漬することにより硬化物を粗化処理する。次いで、粗化処理した硬化物を中和液(98質量%硫酸5.0体積%、硫酸ヒドロキシルアミン0.8体積%、純水94.2体積%)に40℃、5分間浸漬することにより硬化物を中和する
<Conditions>
The cured product is immersed in a 3 g / L sodium hydroxide solution (solvent: diethylene glycol monobutyl ether 11.1% by volume, ethylene glycol 3.6% by volume, pure water 85.3% by volume) at 60 ° C. for 5 minutes. Inflate. Next, the swollen cured product is roughened by immersing it in a roughening aqueous solution (sodium permanganate 60 g / L, sodium hydroxide 45 g / L) at 80 ° C. for 5 minutes. Next, the roughened cured product was immersed in a neutralizing solution (98 mass% sulfuric acid 5.0% by volume, hydroxylamine sulfate 0.8% by volume, pure water 94.2% by volume) at 40 ° C. for 5 minutes. Neutralize the cured product
(6)寸法変化率
まず、得られた樹脂基板から4mm×15mmのテストピースを切り出した。次に、エッチング液(第二塩化鉄溶液、35℃)でテストピースの銅箔を除去し、プリプレグの硬化物を得た。
(6) Dimensional change rate First, a 4 mm × 15 mm test piece was cut out from the obtained resin substrate. Next, the copper foil of the test piece was removed with an etching solution (ferric chloride solution, 35 ° C.) to obtain a cured product of the prepreg.
次いで、得られたプリプレグの硬化物に対し、熱機械分析装置TMA(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、昇温速度10℃/min、荷重10g、圧縮モードの条件で、30℃から300℃まで10℃/minで昇温する過程と、300℃から30℃まで10℃/minで降温する過程とを有する熱機械分析測定を行った。そして、熱機械分析測定前の硬化物の縦方向の長さを基準長L0および降温する過程における30℃での硬化物の縦方向の長さL1を測定した。次いで、得られたL0およびL1から100×(L1−L0)/L0で示される寸法変化率を算出した。 Next, the obtained cured product of the prepreg was subjected to a thermomechanical analyzer TMA (manufactured by TA Instruments, Q400) at a heating rate of 10 ° C./min, a load of 10 g, and a pressure of 30 ° C. under the conditions of a compression mode. Thermomechanical analysis measurement was carried out including a process of raising the temperature from 300 ° C. to 300 ° C. at 10 ° C./min and a process of lowering the temperature from 300 ° C. to 30 ° C. at 10 ° C./min. Then, the vertical length of the cured product before the thermomechanical analysis measurement was measured as the reference length L 0, and the vertical length L 1 of the cured product at 30 ° C. in the process of lowering the temperature was measured. Next, the dimensional change rate represented by 100 × (L 1 − L 0 ) / L 0 was calculated from the obtained L 0 and L 1.
(7)ピール強度変化率
得られた樹脂基板(金属張積層板)を135℃、湿度85%RHの環境下に100時間保管したときの、100×(P1−P2)/P1で示されるピール強度変化率を算出した。
(7) Peel strength change rate When the obtained resin substrate (metal-clad laminate) is stored in an environment of 135 ° C. and a humidity of 85% RH for 100 hours, it is 100 × (P 1 − P 2 ) / P 1 . The indicated peel strength change rate was calculated.
上記式において、P1とは、保管前のJIS C−6481:1996に準拠して測定される、プリプレグの硬化物と金属箔との間のピール強度である。また、P2とは、保管後のJIS C−6481:1996に準拠して測定される、プリプレグの硬化物と金属箔との間のピール強度である。 In the above formula, P 1 is the peel strength between the cured product of the prepreg and the metal leaf, which is measured according to JIS C-6481: 1996 before storage. Further, P 2 is the peel strength between the cured product of the prepreg and the metal foil, which is measured in accordance with JIS C-6481: 1996 after storage.
(8)細線間絶縁信頼性評価
プリント配線基板のL/S=15/15μmの微細回路パターン上に、ビルドアップ材(住友ベークライト社製、BLA−3700GS)を積層した後、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、130℃、湿度85%、印加電圧3.3Vの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値106Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
(8) Evaluation of Insulation Reliability between Fine Lines A build-up material (BLA-3700GS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on a fine circuit pattern of L / S = 15/15 μm on a printed wiring board, and then a cured test sample was used. Made. Using this test sample, continuous wet insulation resistance was evaluated under the conditions of 130 ° C., humidity of 85%, and applied voltage of 3.3 V. Incidentally, it was a failure less resistance 10 6 Omega. The evaluation criteria are as follows.
〇:500時間以上故障なし
△:200〜500時間未満で故障あり
×:200時間未満で故障あり
〇: No failure for 500 hours or more Δ: Failure in less than 200 to 500 hours ×: Failure in less than 200 hours
(9)細線加工性評価
L/S=15/15μmの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板の細線加工性を、レーザー顕微鏡で細線(回路)の外観検査および導通チェックにより評価した。評価基準は以下の通りである。
(9) Evaluation of fine wire workability The fine wire workability of the printed wiring board after forming the fine circuit pattern of L / S = 15/15 μm was evaluated by visual inspection and continuity check of the fine wire (circuit) with a laser microscope. The evaluation criteria are as follows.
◎:細線の形状、導通ともに問題なし
〇:細線の一部の形状に問題はあるが、ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×:ショート、配線切れあり
◎: There is no problem with the shape and continuity of the thin wire 〇: There is a problem with the shape of some of the thin wires, but there is no short circuit or broken wiring, and there is virtually no problem.
(10)スルーホール絶縁信頼性評価
上記したプリント配線基板の製造において、層間接続のΦ80μmのスルーホールを壁間80μmとなるように20対形成した。次に、回路パターン上に、ビルドアップ材(住友ベークライト社製、BLA−3700GS)を積層した後、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、130℃、湿度85%、印加電圧5.5Vの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値106Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
(10) Through-hole insulation reliability evaluation In the production of the printed wiring board described above, 20 pairs of interlayer-connected through-holes having a diameter of 80 μm were formed so that the distance between the walls was 80 μm. Next, a build-up material (BLA-3700GS manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on the circuit pattern, and then a cured test sample was prepared. Using this test sample, continuous wet insulation resistance was evaluated under the conditions of 130 ° C., humidity of 85%, and applied voltage of 5.5 V. Incidentally, it was a failure less resistance 10 6 Omega. The evaluation criteria are as follows.
◎:500時間以上故障なし(良好)
〇:200〜500時間未満で故障あり(実質上問題なし)
△:200時間未満で故障あり(実質上使用不可)
×:100時間未満で故障あり(使用不可)
⊚: No failure for 500 hours or more (good)
〇: There is a failure in less than 200 to 500 hours (substantially no problem)
Δ: There is a failure in less than 200 hours (substantially unusable)
×: There is a failure in less than 100 hours (cannot be used)
(11)半導体装置の反り評価
回路パターンを形成した後のプリント配線基板にビルドアップ材(住友ベークライト社製、BLA−3700GS)を積層した後、硬化した。次に、この硬化物に対して、セミアディティブ法で回路加工した。その上に、縦10mm×横10mm×厚さ100μmの半田バンプ付半導体素子を実装した。次に、半導体素子をアンダーフィル(住友ベークライト社製、CRP−4160G)で封止し、150℃で2時間硬化させた。最後に、15mm×15mmにダイシングし半導体装置を作製した。
(11) Warpage evaluation of semiconductor device A build-up material (BLA-3700GS manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on a printed wiring board after forming a circuit pattern, and then cured. Next, the cured product was circuit-processed by a semi-additive method. A semiconductor element with solder bumps having a length of 10 mm, a width of 10 mm, and a thickness of 100 μm was mounted on the semiconductor element. Next, the semiconductor element was sealed with underfill (CRP-4160G, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) and cured at 150 ° C. for 2 hours. Finally, a semiconductor device was manufactured by dicing to 15 mm × 15 mm.
得られた半導体装置の260℃での反りを、温度可変レーザー三次元測定機(日立テクノロジーアンドサービス社製、形式LS220−MT100MT50)を用いて評価した。評価は、上記測定機のサンプルチャンバーに半導体素子面を下にして半導体装置を設置して行い、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。評価基準は以下の通りである。 The warp of the obtained semiconductor device at 260 ° C. was evaluated using a temperature-variable laser coordinate measuring machine (manufactured by Hitachi Technology and Service Co., Ltd., model LS220-MT100MT50). The evaluation was performed by installing the semiconductor device with the semiconductor element surface facing down in the sample chamber of the measuring machine, measuring the displacement in the height direction, and setting the value having the largest displacement difference as the amount of warpage. The evaluation criteria are as follows.
◎:反り量が30μm未満
〇:反り量が30μm以上50μm未満
×:反り量が50μm以上
⊚: Warp amount is less than 30 μm 〇: Warp amount is 30 μm or more and less than 50 μm ×: Warp amount is 50 μm or more
(12)ヒートサイクル試験
まず、(11)で得られた半導体装置を4個準備した。これらの半導体装置を85℃、湿度85%RHの条件下で168時間処理後、IRリフロー炉(ピーク温度:260℃)で3回処理した。その後、大気中で、−55℃(15分)、125℃(15分)の条件を1サイクルとして、かかる条件を500サイクル行った。つぎに、超音波映像装置(日立建機ファインテック社製、FS300)を用いて、半導体素子、半田バンプに異常がないか観察した。
(12) Heat Cycle Test First, four semiconductor devices obtained in (11) were prepared. These semiconductor devices were treated under the conditions of 85 ° C. and 85% RH for 168 hours, and then treated three times in an IR reflow oven (peak temperature: 260 ° C.). Then, in the atmosphere, the conditions of −55 ° C. (15 minutes) and 125 ° C. (15 minutes) were set as one cycle, and such conditions were performed for 500 cycles. Next, using an ultrasonic imaging device (FS300 manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd.), it was observed whether or not there were any abnormalities in the semiconductor element and the solder bump.
◎:半導体素子、半田バンプともに異常なし
〇:半導体素子および/または半田バンプの一部にクラックが見られるが実用上問題なし
×:半導体素子および/または半田バンプの一部または全部にクラックが見られ、実用上問題あり
⊚: No abnormality in semiconductor element and solder bump 〇: Cracks are seen in part of semiconductor element and / or solder bump, but there is no problem in practical use ×: Crack is seen in part or all of semiconductor element and / or solder bump There is a problem in practical use
105 金属箔
200 金属張積層板
300 プリント配線基板
301 絶縁層
303 金属層
305 絶縁層
307 ビアホール
308 無電解金属めっき膜
309 電解金属めっき層
311 コア層
317 ビルドアップ層
400 半導体装置
401 ソルダーレジスト層
407 半導体素子
410 半田バンプ
413 封止材
105
Claims (13)
前記熱硬化性樹脂組成物が、マレイミド化合物(A)と、ベンゾオキサジン化合物(B)と、無機充填材(C)と、を含み、
前記マレイミド化合物(A)が、下記式(1)により示されるマレイミド化合物(A1)を含み、
前記熱硬化性樹脂組成物中に含まれる前記マレイミド化合物(A)の含有量は、前記熱硬化性樹脂組成物の全固形分を100質量%としたとき、1.0質量%以上25.0質量%以下であり、
前記熱硬化性樹脂組成物中に含まれる前記無機充填材(C)の含有量は、前記熱硬化性樹脂組成物の全固形分を100質量%としたとき、50.0質量%以上85.0質量%以下であり、
当該プリプレグを230℃、2時間加熱処理して得られる硬化物に対して、熱機械分析測定を行ったときに、硬化物の面内方向の50℃から150℃の範囲において算出した平均線膨張係数α1に対する150℃から250℃の範囲において算出した平均線膨張係数α2の比(α2/α1)が、0.7以上2.0以下であり、かつ、前記平均線膨張係数α2が、8.0ppm/℃以下であるプリプレグ。 A prepreg obtained by impregnating a fiber base material with a thermosetting resin composition.
The thermosetting resin composition contains a maleimide compound (A), a benzoxazine compound (B), and an inorganic filler (C).
The maleimide compound (A) contains a maleimide compound (A1) represented by the following formula (1).
The content of the maleimide compound (A) contained in the thermosetting resin composition is 1.0% by mass or more and 25.0 when the total solid content of the thermosetting resin composition is 100% by mass. It is less than% by mass and
The content of the inorganic filler (C) contained in the thermosetting resin composition is 50.0% by mass or more when the total solid content of the thermosetting resin composition is 100% by mass. It is 0% by mass or less,
When thermomechanical analysis measurement was performed on the cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours, the average linear expansion calculated in the range of 50 ° C. to 150 ° C. in the in-plane direction of the cured product. The ratio (α 2 / α 1 ) of the average coefficient of linear expansion α 2 calculated in the range of 150 ° C. to 250 ° C. to the coefficient α 1 is 0.7 or more and 2.0 or less, and the average coefficient of linear expansion α 2 is a prepreg having a temperature of 8.0 ppm / ° C or less.
前記熱機械分析測定前の前記硬化物の縦方向の長さを基準長L0とし、前記硬化物の前記基準長L0からの最大の熱膨張量をL1とし、前記硬化物を260℃で1時間保持したときの前記基準長L0からの熱膨張量をL2とした場合、
100×(L1−L2)/L0で示される寸法収縮率が、0.15%以下である請求項1に記載のプリプレグ。 A thermomechanical machine having a process of raising the temperature of the cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours at 10 ° C./min from 30 ° C. to 260 ° C. and a process of holding the prepreg at 260 ° C. for 1 hour. When performing analytical measurements
The longitudinal length of the cured product before the thermal mechanical analysis measurements as a reference length L 0, the maximum amount of thermal expansion from the reference length L 0 of the cured product as L 1, the cured product 260 ° C. When the amount of thermal expansion from the reference length L 0 when held for 1 hour is L 2 .
The prepreg according to claim 1, wherein the dimensional shrinkage rate represented by 100 × (L 1 − L 2 ) / L 0 is 0.15% or less.
前記熱機械分析測定前の前記硬化物の縦方向の長さを基準長L0とし、
前記降温する過程における30℃での前記硬化物の縦方向の長さをL1とした場合、
100×(L1−L0)/L0で示される寸法変化率が、−0.20%以上である請求項1に記載のプリプレグ。 The cured product obtained by heat-treating the prepreg at 230 ° C. for 2 hours is heated from 30 ° C. to 300 ° C. at 10 ° C./min and lowered from 300 ° C. to 30 ° C. at 10 ° C./min. When performing thermomechanical analysis measurements in the plane direction in compression mode with process
The longitudinal length of the cured product before the thermal mechanical analysis measurements as a reference length L 0,
When the vertical length of the cured product at 30 ° C. in the process of lowering the temperature is L 1 .
The prepreg according to claim 1, wherein the dimensional change rate represented by 100 × (L 1 − L 0 ) / L 0 is −0.20% or more.
前記保管前のJIS C−6481:1996に準拠して測定される、前記プリプレグの硬化物と前記金属箔との間のピール強度をP1とし、
前記保管後のJIS C−6481:1996に準拠して測定される、前記プリプレグの硬化物と前記金属箔との間のピール強度をP2としたとき、
100×(P1−P2)/P1で示されるピール強度変化率が、30%以下である請求項10に記載の金属張積層板。 When the metal-clad laminate is stored for 100 hours in an environment of 135 ° C. and 85% humidity RH,
Let P 1 be the peel strength between the cured product of the prepreg and the metal leaf, which is measured in accordance with JIS C-6481: 1996 before storage.
Said storage after JIS C-6481: 1996 are measured according to, when the peel strength between the cured product and the metal foil of the prepreg was P 2,
The metal-clad laminate according to claim 10 , wherein the peel strength change rate represented by 100 × (P 1 − P 2 ) / P 1 is 30% or less.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015076546 | 2015-04-03 | ||
| JP2015076546 | 2015-04-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016196635A JP2016196635A (en) | 2016-11-24 |
| JP6880564B2 true JP6880564B2 (en) | 2021-06-02 |
Family
ID=57173546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016074609A Active JP6880564B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-04-01 | Prepregs, resin substrates, metal-clad laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6880564B2 (en) |
| KR (1) | KR20160118962A (en) |
| TW (1) | TW201700565A (en) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6137229B2 (en) | 2015-04-02 | 2017-05-31 | トヨタ自動車株式会社 | Particulate filter abnormality diagnosis device |
| JP7442255B2 (en) * | 2016-12-06 | 2024-03-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Resin composition for electronic materials |
| JP6905682B2 (en) * | 2017-07-11 | 2021-07-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Resin composition, prepreg, metal foil-clad laminate, resin sheet and printed wiring board |
| JP6905683B2 (en) * | 2017-07-11 | 2021-07-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Resin composition, prepreg, metal foil-clad laminate, resin sheet and printed wiring board |
| KR102244904B1 (en) | 2017-07-13 | 2021-04-26 | 주식회사 엘지화학 | Anode comprising electrode protective layer and lithium secondary battery comprising the same |
| TWI775905B (en) * | 2017-07-25 | 2022-09-01 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | Manufacturing method of multi-layered printed wiring board |
| JP6870544B2 (en) * | 2017-09-04 | 2021-05-12 | 味の素株式会社 | Resin composition |
| WO2019045376A1 (en) | 2017-09-04 | 2019-03-07 | 주식회사 엘지화학 | Polyimide film for flexible display device substrate |
| JP7279319B2 (en) * | 2017-09-04 | 2023-05-23 | 味の素株式会社 | resin composition |
| JP6992333B2 (en) * | 2017-09-06 | 2022-01-13 | 味の素株式会社 | Resin composition |
| TWI765147B (en) | 2018-04-10 | 2022-05-21 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | Thermosetting resin composite for metal clad laminate and metal clad laminate using the same |
| TWI675747B (en) * | 2018-11-15 | 2019-11-01 | 國立虎尾科技大學 | Laminated structure of composite sheet and manufacturing method thereof |
| JP7363041B2 (en) * | 2019-02-08 | 2023-10-18 | 住友ベークライト株式会社 | Prepreg, printed wiring boards, and semiconductor devices |
| TWI715995B (en) * | 2019-06-10 | 2021-01-11 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | Fluoride substrate, copper clad laminate, and printed circuit board |
| JP6791428B2 (en) * | 2020-07-17 | 2020-11-25 | 味の素株式会社 | Resin composition |
| WO2023145473A1 (en) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Resin composition, prepreg, resin-equipped film, resin-equipped metal foil, metal-cladded laminated board, and printed wiring board |
| JP2023174097A (en) * | 2022-05-27 | 2023-12-07 | 住友ベークライト株式会社 | Resin composition for substrate materials and semiconductor devices |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10259248A (en) | 1997-01-20 | 1998-09-29 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermosetting composition and its hardened material |
| JP5864299B2 (en) * | 2012-02-24 | 2016-02-17 | 味の素株式会社 | Resin composition |
| JP5848638B2 (en) * | 2012-03-07 | 2016-01-27 | 株式会社日本触媒 | Curable resin composition, method for producing the same, and electronic packaging material |
| JP6217069B2 (en) * | 2012-10-26 | 2017-10-25 | 住友ベークライト株式会社 | Resin substrate, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device |
| JP2014240456A (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 住友ベークライト株式会社 | Prepreg with primer layer, metal-clad laminate, printed wiring board and semiconductor package |
-
2016
- 2016-03-31 KR KR1020160039343A patent/KR20160118962A/en not_active Ceased
- 2016-04-01 TW TW105110527A patent/TW201700565A/en unknown
- 2016-04-01 JP JP2016074609A patent/JP6880564B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160118962A (en) | 2016-10-12 |
| JP2016196635A (en) | 2016-11-24 |
| TW201700565A (en) | 2017-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6880564B2 (en) | Prepregs, resin substrates, metal-clad laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices | |
| JP6696113B2 (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, resin substrate, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device | |
| JP6550872B2 (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, resin substrate, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device | |
| JP7388482B2 (en) | Thermosetting resin compositions, resin films with carriers, prepregs, printed wiring boards, and semiconductor devices | |
| KR101763975B1 (en) | Epoxy resin composition for circuit boards, prepreg, laminate, resin sheet, laminate for printed wiring boards, printed wiring boards, and semiconductor devices | |
| TWI427132B (en) | Adhesive composition for electronic component and adhesive sheet for electronic component using the same | |
| JP2016196557A (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, resin substrate, metal clad laminated board, printed wiring board, and semiconductor device | |
| JP7258453B2 (en) | Thermosetting resin composition, resin film with carrier, prepreg, printed wiring board and semiconductor device | |
| JP2018107157A (en) | Resin composition for printed wiring board, prepreg, resin substrate, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device | |
| CN108690459A (en) | Resin combination | |
| TW201213112A (en) | Metal-clad-laminated board and method for producing the same | |
| KR20200012762A (en) | Resin composition | |
| TW201418357A (en) | Resin composition | |
| CN109423011A (en) | Resin combination | |
| JP6186977B2 (en) | Resin composition, resin sheet, prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor device | |
| JP2012153752A (en) | Resin composition, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board and semiconductor device | |
| JP6724296B2 (en) | Prepreg, resin substrate, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device | |
| TW202208475A (en) | resin composition | |
| JP6819067B2 (en) | Thermosetting resin composition, resin film with carrier, printed wiring board and semiconductor device | |
| JP2020132646A (en) | Resin composition, resin film with carrier using the same, prepreg, laminated plate, printed wiring board, and semiconductor device | |
| JP7342358B2 (en) | Resin compositions, resin films with carriers using the same, prepregs, laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices | |
| CN113442537A (en) | Resin sheet | |
| KR20200012773A (en) | Resin composition | |
| JP5471800B2 (en) | Laminated material for printed wiring board and use thereof | |
| JP2018029146A (en) | Thermosetting resin composition, resin film with carrier, printed wiring board, and semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200407 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200603 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210406 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210419 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6880564 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |