JP6881655B2 - デバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ロール・ツー・ロール方式によって電子デバイスを製造するデバイス製造方法に関する。

下記に示す特許文献１には、可撓性の長尺のシート基板上に電子デバイス（有機ＥＬや液晶による表示パネル）のパターンを形成するために、シート基板が巻かれた供給ロールから供給されたシート基板を長尺方向に沿って搬送するとともに、長尺方向に沿って並べられた複数の処理装置Ｕ１〜Ｕｎによってシート基板に所定の処理を施し後、回収ロールで巻き取るロール・ツー・ロール方式の製造システムが知られている。具体的には、処理装置Ｕ１は、供給ロールから引き出された可撓性のシート基板に対して、シート基板の表面に感光性機能層を形成し、処理装置Ｕ２は、シート基板を加熱して形成された感光性機能層を安定に定着させる。そして、処理装置Ｕ３（露光装置）は、紫外線のパターニング光を感光性機能層に照射し、処理装置Ｕ４は、現像を行い、処理装置Ｕ５は、シート基板を温めて乾燥させる。

しかしながら、特許文献１のようなロール・ツー・ロール方式の製造システムにおいて、いずれかの処理装置Ｕによってシート基板に実際に施された処理の状態が、目標の処理状態と異なっている場合、例えば、処理装置Ｕ３（露光装置）の露光用の照明光（レーザ光等）の強度が目標の強度となっていない場合等は、シート基板に形成されるパターンが所望のパターンとならない。このシート基板に形成されるパターンは、各処理装置Ｕ１〜Ｕｎの処理によって形成されるため、形成されたパターンを見るだけでは、その原因がどの処理装置にあるのかを特定することはできない。また、ロール・ツー・ロール方式の製造システムにおいては、帯状につながった長尺の１枚のシート基板を長尺方向に連続搬送しているため、処理誤差を発生している処理装置が特定され、その処理誤差を許容範囲内に抑えるための調整作業等の必要性から、特定された処理装置の処理動作を一時的にでも停止させることは、製造システム全体（一連の製造ライン）の停止を意味し、非効率である。

国際公開第２０１３／１３６８３４号

本発明の一態様は、長尺の基板を長尺方向に沿って搬送しながら、前記基板に電子デバイス用のパターンを形成するデバイス製造方法であって、前記基板に対して互いに異なる処理を施す第１処理装置、第２処理装置の順番で前記基板を長尺方向に送る搬送工程と、前記第１処理装置に設定される第１処理条件の下で、前記基板を前記長尺方向に搬送しつつ、前記基板に処理を施す第１処理工程と、前記第２処理装置に設定される第２処理条件の下で、前記第１処理工程を経た前記基板を前記長尺方向に搬送しつつ、前記基板に処理を施し、前記基板上に前記パターンを出現させる第２処理工程と、前記基板上に出現した前記パターンの品質が目標に対して変化しているか否かを検知する検知工程と、前記基板を前記第１処理装置又は前記第２処理装置によって実処理している状態で前記パターンの品質が低下する傾向を示した場合は、前記第１処理条件と前記第２処理条件の少なくとも一方の処理条件の変更可否を判定し、変更可能なときは前記少なくとも一方の処理条件を変更する変更工程と、を含む。

第１の実施の形態のデバイス製造システムの概略的な構成を示す概略構成図である。 図１のデバイス製造システムのうち、基板に感光性機能層を成膜する処理装置の構成を示す図である。 図１のデバイス製造システムのうち、基板の蓄積および露光を行うパターン形成装置の構成を示す図である。 図３の露光ヘッドによって基板上で走査されるスポット光の走査ラインおよび基板上に形成されたアライメントマークを検出するアライメント顕微鏡を示す図である。 図４の露光ヘッドを構成する描画ユニットの構成を示す図である。 図１のデバイス製造システムのうち、現像処理を行う処理装置の構成を示す図である。 許容範囲を超えて処理誤差が発生している処理装置を判定するためのデバイス製造システムの動作を示すフローチャートである。 露光装置である処理装置に処理誤差が発生している場合のデバイス製造システムの動作を示すフローチャートである。 露光装置である処理装置以外の処理装置に処理誤差が発生している場合のデバイス製造システムの動作を示すフローチャートである。 第２の実施の形態のデバイス製造システムの概略的な構成を示す概略構成図である。 図１０の情報形成装置によって基板に形成された情報の一例を示す図である。 変形例１の処理ユニットの構成の示す図である。 変形例２の処理ユニットの構成の示す図である。

本発明の態様に係るデバイス製造方法について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。なお、本発明の態様は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、多様な変更または改良を加えたものも含まれる。つまり、以下に記載した構成要素には、実質的に同一のもの、または、当業者が容易に想定できるものが含まれ、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態のデバイス製造システム（処理システム）１０の概略的な構成を示す概略構成図である。図１に示すデバイス製造システム１０は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイを製造するライン（フレキシブル・ディスプレイ製造ライン）である。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば、有機ＥＬディスプレイまたは液晶ディスプレイ等がある。このデバイス製造システム１０は、可撓性のシート基板（以下、基板）Ｐをロール状に巻回した供給用ロールＦＲ１から、該基板Ｐが送り出され、送り出された基板Ｐに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２で巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式となっている。この基板Ｐは、基板Ｐの移動方向（搬送方向）が長尺となり、幅方向が短尺となる帯状の形状を有する。第１の実施の形態のデバイス製造システム１０では、フィルム状のシートである基板Ｐが供給用ロールＦＲ１から送り出され、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、少なくとも処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４、ＰＲ５を経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示している。図１では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が直交する直交座標系となっている。Ｘ方向は、水平面内において、基板Ｐの搬送方向であり、供給用ロールＦＲ１および回収用ロールＦＲ２を結ぶ方向である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、基板Ｐの幅方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（鉛直方向）である。

この処理装置ＰＲ１は、供給用ロールＦＲ１から搬送されてきた基板Ｐを長尺方向に沿った搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、基板Ｐに対してプラズマ表面処理の処理工程を行う表面処理装置である。この処理装置ＰＲ１によって、基板Ｐの表面が改質され、感光性機能層の接着性が向上する。処理装置（第１の処理装置）ＰＲ２は、処理装置ＰＲ１から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、感光性機能層の成膜処理の処理工程（第１処理工程）を行う成膜装置である。処理装置ＰＲ２は、基板Ｐの表面に感光性機能液を選択的または一様にすることで、基板Ｐの表面に感光性機能層（感光性薄膜、被覆層、被膜層）を選択的または一様に形成する。また、処理装置（第２の処理装置）ＰＲ３は、処理装置ＰＲ２から送られてきた表面に感光性機能層が形成された基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、露光処理の処理工程（第２処理工程）を行う露光装置である。処理装置ＰＲ３は、基板Ｐの表面（感光面）にディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンに応じた光パターンを照射する。これにより、感光性機能層に前記パターンに対応した潜像（改質部）が形成される。処理装置（第３の処理装置）ＰＲ４は、処理装置ＰＲ３から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、湿式による現像処理の処理工程（第３処理工程）を行う現像装置である。これにより、感光性機能層に潜像に応じた前記パターンが形成される。処理装置ＰＲ５は、処理装置ＰＲ４から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、パターンが形成された感光性機能層をマスクとしてエッチング処理の処理工程を行うエッチング装置である。これにより、基板Ｐ上にパターンが出現する。

処理装置ＰＲ２と処理装置ＰＲ３との間には、基板Ｐを所定長に亘って蓄積可能な第１蓄積装置（第１蓄積部）ＢＦ１が設けられ、処理装置ＰＲ３と処理装置ＰＲ４との間には、基板Ｐを所定長に亘って蓄積可能な第２蓄積装置（第２蓄積部）ＢＦ２が設けられている。したがって、処理装置ＰＲ３には、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐが搬入し、処理装置ＰＲ３は、第２蓄積装置ＢＦ２を介して基板Ｐを処理装置ＰＲ４に搬出する。処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、製造工場の設置面に配置される。この設置面は、設置土台上の面であってもよく、床であってもよい。処理装置ＰＲ３、第１蓄積装置（蓄積装置）ＢＦ１、および、第２蓄積装置（蓄積装置）ＢＦ２は、パターン形成装置１２を構成する。

上位制御装置１４は、デバイス製造システム１０の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５、第１蓄積装置ＢＦ１、および、第２蓄積装置ＢＦ２を制御する。この上位制御装置１４は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の上位制御装置１４として機能する。なお、本第１の実施の形態のデバイス製造システム１０は、５つの処理装置ＰＲを備えるようにしたが、２以上の処理装置ＰＲを備えるものであればよい。例えば、本第１の実施の形態のデバイス製造システム１０は、処理装置ＰＲ２、ＰＲ３、または、処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の計２つ処理装置ＰＲを備えるものであってもよいし、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の計３つの処理装置ＰＲを備えるものであってもよい。

次に、デバイス製造システム１０の処理対象となる基板Ｐについて説明する。基板Ｐは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔（フォイル）等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち１または２以上を含んだものを用いてもよい。また、基板Ｐの厚みや剛性（ヤング率）は、搬送される際に、基板Ｐに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲であればよい。電子デバイスとして、フレキシブルなディスプレイパネル、タッチパネル、カラーフィルター、電磁波防止フィルタ等を作る場合、厚みが２５μｍ〜２００μｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の樹脂シートが使われる。

基板Ｐは、例えば、基板Ｐに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。また、ベースとなる樹脂フィルムに、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等の無機フィラーを混合すると、熱膨張係数を小さくすることもできる。また、基板Ｐは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、またはアルミや銅等の金属層（箔）等を貼り合わせた積層体であってもよい。

ところで、基板Ｐの可撓性とは、基板Ｐに自重程度の力を加えてもせん断したり破断したりすることはなく、その基板Ｐを撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、基板Ｐの材質、大きさ、厚さ、基板Ｐ上に成膜される層構造、温度、湿度等の環境等に応じて、可撓性の程度は変わる。いずれにしろ、本実施の形態によるデバイス製造システム１０内の搬送路に設けられる各種の搬送用ローラ、回転ドラム等の搬送方向転換用の部材に基板Ｐを正しく巻き付けた場合に、座屈して折り目がついたり、破損（破れや割れが発生）したりせずに、基板Ｐを滑らかに搬送できれば、可撓性の範囲と言える。

このように構成された基板Ｐは、ロール状に巻回されることで供給用ロールＦＲ１となり、この供給用ロールＦＲ１が、デバイス製造システム１０に装着される。供給用ロールＦＲ１が装着されたデバイス製造システム１０は、電子デバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐに対して繰り返し実行する。このため、処理後の基板Ｐは、複数の電子デバイスが連なった状態となる。つまり、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐは、多面取り用の基板となっている。

電子デバイスは、複数のパターン層（パターンが形成された層）が重ね合わされることで構成されており、デバイス製造システム１０の少なくとも各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５を経て、１つのパターン層が生成されるので、電子デバイスを生成するために、図１に示すようなデバイス製造システム１０の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の処理を少なくとも２回は経なければならない。

処理後の基板Ｐは、ロール状に巻回されることで回収用ロールＦＲ２として回収される。回収用ロールＦＲ２は、図示しないダイシング装置に装着されてもよい。回収用ロールＦＲ２が装着されたダイシング装置は、処理後の基板Ｐを、電子デバイスごとに分割（ダイシング）することで、複数個の電子デバイスにする。基板Ｐの寸法は、例えば、幅方向（短尺となる方向）の寸法が１０ｃｍ〜２ｍ程度であり、長さ方向（長尺となる方向）の寸法が１０ｍ以上である。なお、基板Ｐの寸法は、上記した寸法に限定されない。

図２は、処理装置ＰＲ２の構成を示す図である。処理装置ＰＲ２は、案内ローラＲ１、Ｒ２、エッジポジションコントローラＥＰＣ１、テンション調整ローラＲＴ１、ＲＴ２、回転ドラムＤＲ１、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、アライメント顕微鏡ＡＵ、ダイコータヘッドＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ、乾燥装置１６、および、下位制御装置１８を備える。回転ドラムＤＲ１、および、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２によって基板Ｐが搬送される。

案内ローラＲ１は、処理装置ＰＲ１から処理装置ＰＲ２に搬送された基板ＰをエッジポジションコントローラＥＰＣ１に案内する。エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、複数のローラを有し、所定のテンションが掛けられた状態で搬送されている基板Ｐの幅方向の両端部（エッジ）における位置が、基板Ｐの幅方向においてばらつかないように目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正しながら、基板Ｐを案内ローラＲ２に向かって搬送する。案内ローラＲ２は、搬送されてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ１に案内する。エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、回転ドラムＤＲ１に搬入する基板Ｐの長尺方向が、回転ドラムＤＲ１の中心軸ＡＸ１の軸方向と直交するように、基板Ｐの幅方向における位置を調整する。

回転ドラムＤＲ１は、Ｙ方向に延びる中心軸ＡＸ１と、中心軸ＡＸ１から一定半径の円筒状の外周面とを有し、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ１を中心に回転して基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送する。回転ドラムＤＲ１は、アライメント顕微鏡ＡＵによって撮像される基板Ｐ上の領域（部分）、および、ダイコータヘッドＤＣＨやインクジェットヘッドＩＪＨによって処理される基板Ｐ上の領域（部分）を円周面で支持する。

アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）は、図４に示す基板Ｐ上に形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出するためのものであり、Ｙ方向に沿って３つ設けられている。このアライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）の検出領域は、回転ドラムＤＲ１の円周面上にＹ方向に並ぶように一列で配置されている。アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、電子デバイスが形成される基板Ｐ上の露光領域となる電子デバイス領域（デバイス形成領域）Ｗと基板Ｐとを相対的に位置合わせする（アライメントする）ための基準マークである。アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐの幅方向の両端部に、基板Ｐの長尺方向に沿って一定間隔で形成されているとともに、基板Ｐの長尺方向に沿って並んだデバイスが形成される電子デバイス領域Ｗ間で、且つ、基板Ｐの幅方向中央に形成されている。

アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）は、アライメント用の照明光を基板Ｐに投影して、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子でその反射光を撮像することで、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。つまり、アライメント顕微鏡ＡＵ１は、アライメント顕微鏡ＡＵ１の検出領域（撮像領域）内に存在する基板Ｐの＋Ｙ方向側の端側に形成されたアライメントマークＫｓ１を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＵ２は、アライメント顕微鏡ＡＵ２の検出領域内に存在する基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＵ３は、アライメント顕微鏡ＡＵ３の検出領域内に存在する基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を撮像する。このアライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）が撮像した画像データは、下位制御装置１８に送られ、下位制御装置１８は、画像データに基づいてアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の基板Ｐ上の位置を算出（検出）することになる。このアライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）の検出領域の基板Ｐ上の大きさは、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の大きさやアライメント精度に応じて設定されるが、１００〜５００μｍ角程度の大きさである。

図４に示すように、基板Ｐの位置を精密に検出するためのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、一般的にはデバイス形成領域Ｗの外周部に設けられるが、必ずしも外周部である必要はなく、デバイス形成領域Ｗ内であってもデバイス用の回路パターンが存在しない空白部分に設けてもよい。さらに、デバイス形成領域Ｗ内に形成される回路パターンの一部のうち、特定の位置に形成されるパターン（画素領域、配線部、電極部、端子部、ビアホール部等の部分パターン）自体をアライメントマークとして画像認識して位置検出するようなアライメント系を用いてもよい。

ダイコータヘッドＤＣＨは、感光性機能液を基板Ｐに対して幅広く一様に塗布する。インクジェットヘッドＩＪＨは、感光性機能液を基板Ｐに対して選択的に塗布する。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨは、アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）を用いて検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の基板Ｐ上の位置に基づいて、感光性機能液を基板Ｐに塗布する。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨは、電子デバイス領域Ｗに感光性機能液を塗布する。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨは、アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）に対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられており、インクジェットヘッドＩＪＨは、ダイコータヘッドＤＣＨに対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられている。インクジェットヘッドＩＪＨは、基板Ｐの搬送方向（＋Ｘ方向）に沿って複数設けられている。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨによって感光性機能液が塗布される基板Ｐ上の領域は、回転ドラムＤＲ１の円周面で支持されている。

乾燥装置１６は、ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨに対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられており、ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨにより塗布された基板Ｐ上の感光性機能液を乾燥させることで、基板Ｐ上に感光性機能層を形成する。乾燥装置１６は、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付けることで、感光性機能液に含まれる溶質（溶剤または水）を除去して感光性機能液を乾燥させる。

感光性機能液の典型的なものはフォトレジストであるが、現像処理が不要な材料として、紫外線の照射を受けた部分の親撥液性が改質される感光性シランカップリング剤（ＳＡＭ）、或いは、紫外線の照射を受けた部分にメッキ還元基が露呈する感光性還元剤等がある。感光性機能液として感光性シランカップリング剤を用いる場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたパターン部分が撥液性から親液性に改質される。そのため、親液性となった部分の上に導電性インク（銀や銅等の導電性ナノ粒子を含有するインク）や半導体材料を含有した液体等を選択塗布することで、パターン層を形成することができる。感光性機能液として、感光性還元剤を用いる場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたパターン部分が改質されてメッキ還元基が露呈する。そのため、露光後、基板Ｐを直ちにパラジウムイオン等を含むメッキ液中に一定時間浸漬することで、パラジウムによるパターン層が形成（析出）される。このようなメッキ処理はアディティブ（additive）なプロセスであるが、その他、サブトラクティブ(subtractive)なプロセスとしてのエッチング処理を前提にする場合は、処理装置ＰＲ３に送られる基板Ｐは、母材をＰＥＴやＰＥＮとし、その表面にアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属製薄膜を全面または選択的に蒸着し、さらにその上にフォトレジスト層を積層したものであってもよい。本第１の実施の形態では、感光性機能層としてフォトレジストが用いられる。

乾燥装置１６には、基板Ｐ上に形成された感光性機能層の膜厚を計測する膜厚計測装置１６ａが設けられている。この膜厚計測装置１６ａは、電磁式、過電流式、過電流位相式、蛍光Ｘ線式、電気抵抗式、β線後方散乱式、磁気式、または、超音波式等によって接触または非接触に膜厚を計測する。乾燥装置１６によって、感光性機能層が形成された基板Ｐは、駆動ローラＮＲ１に導かれる。駆動ローラＮＲ１は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを駆動ローラＮＲ２に導く。駆動ローラＮＲ２は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、駆動ローラＮＲ１によって搬送された基板Ｐを第１蓄積装置ＢＦ１に供給する。テンション調整ローラＲＴ１は、−Ｚ方向に付勢されており、回転ドラムＤＲ１に搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与している。テンション調整ローラＲＴ２は、−Ｘ方向に付勢されており、駆動ローラＮＲ２に搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与している。基板Ｐを搬送する駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、および、回転ドラムＤＲ１は、下位制御装置１８によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、および、回転ドラムＤＲ１の回転速度によって、処理装置ＰＲ２内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、および、回転ドラムＤＲ１等に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度信号）は、下位制御装置１８に送られる。

下位制御装置１８は、上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ２の各部を制御する。例えば、下位制御装置１８は、処理装置ＰＲ２内で搬送される基板Ｐの搬送速度、エッジポジションコントローラＥＰＣ１、ダイコータヘッドＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ、および、乾燥装置１６を制御する。また、下位制御装置１８は、アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）によって検出された基板Ｐ上のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置情報、膜厚計測装置１６ａが検出した膜厚情報、回転速度情報（処理装置ＰＲ２内の基板Ｐの搬送速度情報）等を上位制御装置１４に出力する。下位制御装置１８は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の下位制御装置１８として機能する。この下位制御装置１８は、上位制御装置１４の一部であってもよく、上位制御装置１４とは別の制御装置であってもよい。

図３は、パターン形成装置１２の構成を示す図である。パターン形成装置１２の第１蓄積装置ＢＦ１は、駆動ローラＮＲ３、ＮＲ４と複数のダンサーローラ２０とを有している。駆動ローラＮＲ３は、処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第１蓄積装置ＢＦ１内に搬入する。駆動ローラＮＲ４は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、第１蓄積装置ＢＦ１内の基板Ｐを処理装置ＰＲ３に搬出する。複数のダンサーローラ２０は、駆動ローラＮＲ３と駆動ローラＮＲ４との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２０は、Ｚ方向に移動可能であり、上側（＋Ｚ方向側）のダンサーローラ２０（２０ａ）は、＋Ｚ方向側に付勢され、下側（−Ｚ方向側）のダンサーローラ２０（２０ｂ）は、−Ｚ方向側に付勢されている。このダンサーローラ２０ａとダンサーローラ２０ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。

第１蓄積装置ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が、第１蓄積装置ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度に対して相対的に速くなると、第１蓄積装置ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの長さ（蓄積長）は増加する。第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積長が長くなると、付勢力によってダンサーローラ２０ａが＋Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが−Ｚ方向に移動する。これにより、第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積量が増加した場合であっても、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを所定長に亘って蓄積することができる。逆に、第１蓄積装置ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が、第１蓄積装置ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度に対して相対的に遅くなると、第１蓄積装置ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの長さ（蓄積長）は減少する。第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積長が減少すると、付勢力に抗してダンサーローラ２０ａが−Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが＋Ｚ方向に移動する。いずれにせよ、第１蓄積装置ＢＦ１は、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で基板Ｐを蓄積することができる。駆動ローラＮＲ３、ＮＲ４は、下位制御装置２４によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ３の回転速度によって、第１蓄積装置ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が規定され、駆動ローラＮＲ４の回転速度によって、第１蓄積装置ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ３、ＮＲ４に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号は、パターン形成装置１２の下位制御装置２４に送られる。

パターン形成装置１２の第２蓄積装置ＢＦ２は、駆動ローラＮＲ５、ＮＲ６と複数のダンサーローラ２２とを有している。駆動ローラＮＲ５は、処理装置ＰＲ３から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第２蓄積装置ＢＦ２内に搬入する。駆動ローラＮＲ６は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら、第２蓄積装置ＢＦ２内の基板Ｐを処理装置ＰＲ４に搬出する。複数のダンサーローラ２２は、駆動ローラＮＲ５と駆動ローラＮＲ６との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２２は、Ｚ方向に移動可能であり、上側（＋Ｚ方向側）のダンサーローラ２２（２２ａ）は、＋Ｚ方向に付勢されており、下側（−Ｚ方向側）のダンサーローラ２２（２２ｂ）は、−Ｚ方向に付勢されている。このダンサーローラ２０ａとダンサーローラ２０ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。このような構成を有することにより、第２蓄積装置ＢＦ２は、第１蓄積装置ＢＦ１と同様に、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。なお、第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２の構成は同一とする。駆動ローラＮＲ５、ＮＲ６は、下位制御装置２４によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ５の回転速度によって、第２蓄積装置ＢＦ２に搬入する基板Ｐの搬送速度が規定され、駆動ローラＮＲ６の回転速度によって、第２蓄積装置ＢＦ２から搬出する基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ５、ＮＲ６に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号は、下位制御装置２４に送られる。

パターン形成装置１２の処理装置ＰＲ３は、マスクを用いない直描方式の露光装置ＥＸ、いわゆるラスタースキャン方式の露光装置ＥＸであり、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された基板Ｐに対して、ディスプレイ用の回路や配線等のパターンに応じた光パターンを照射する。ディスプレイ用の回路や配線のパターンとしては、ディスプレイを構成するＴＦＴのソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線等のパターン、または、ＴＦＴのゲート電極とそれに付随する配線等のパターン等が挙げられる。処理装置ＰＲ３は、基板ＰをＸ方向に搬送しながら、露光用のレーザ光ＬＢのスポット光を基板Ｐ上で所定の走査方向（Ｙ方向）に１次元走査しつつ、スポット光の強度をパターンデータ（描画データ）に応じて高速に変調（オン／オフ）することによって、基板Ｐの表面（感光面）に光パターンを描画露光する。つまり、基板Ｐの＋Ｘ方向への搬送（副走査）と、スポット光の走査方向（Ｙ方向）への走査（主走査）とで、スポット光が基板Ｐ上で２次元走査されて、基板Ｐにパターンに対応した光エネルギー（エネルギー線）が照射される。これにより、感光性機能層に所定のパターンに対応した潜像（改質部）が形成される。このパターンデータは、パターン形成装置１２の下位制御装置２４の記憶媒体に記憶されていてもよいし、上位制御装置１４の記憶媒体に記憶されていてもよい。

処理装置ＰＲ３は、搬送部３０、光源装置３２、光導入光学系３４、および、露光ヘッド３６を備えている。搬送部３０は、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送される基板Ｐを、処理装置ＰＲ４に向けて搬送する。搬送部３０は、基板Ｐの搬送方向に沿って上流側（−Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ２、案内ローラＲ３、テンション調整ローラＲＴ３、回転ドラムＤＲ２、テンション調整ローラＲＴ４、および、エッジポジションコントローラＥＰＣ３を有する。

エッジポジションコントローラＥＰＣ２は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、複数のローラを有し、基板Ｐの幅方向の両端部（エッジ）が、基板Ｐの幅方向においてばらつかないように目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正しながら、基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に向かって搬送する。エッジポジションコントローラＥＰＣ２は、回転ドラムＤＲ２に搬入する基板Ｐの長尺方向が、回転ドラムＤＲ２の中心軸ＡＸ２の軸方向と直交するように、基板Ｐの幅方向における位置を調整する。案内ローラＲ３は、エッジポジションコントローラＥＰＣ２から送られてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に案内する。

回転ドラムＤＲ２は、Ｙ方向に延びる中心軸ＡＸ２と、中心軸ＡＸ２から一定の半径の円筒状の外周面とを有し、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ２を中心に回転して基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送する。回転ドラムＤＲ２は、基板Ｐ上で光パターンが露光される部分をその円周面で支持する。

エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、複数のローラを有し、基板Ｐの幅方向の両端部（エッジ）が、基板Ｐの幅方向においてばらつかないように目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正しながら、基板Ｐを処理装置ＰＲ４に向かって搬送する。テンション調整ローラＲＴ３、ＲＴ４は、−Ｚ方向側に付勢されており、回転ドラムＤＲ２に巻き付けられて支持されている基板Ｐに所定のテンションを与えている。回転ドラムＤＲ２は、下位制御装置２４によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この回転ドラムＤＲ２の回転速度によって、処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、回転ドラムＤＲ２等に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度信号）は、下位制御装置２４に送られる。

光源装置３２は、レーザ光源を有し、露光に用いられる紫外線のレーザ光（照射光、露光ビーム）ＬＢを射出するものである。このレーザ光ＬＢは、３７０ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する紫外線光であってもよい。レーザ光ＬＢは、発光周波数Ｆｓで発光したパルス光であってもよい。光源装置３２が射出したレーザ光ＬＢは、光導入光学系３４に導かれて露光ヘッド３６に入射するとともに、強度センサ３７に入射する。この強度センサ３７は、レーザ光ＬＢの強度を検出するセンサである。

露光ヘッド３６は、光源装置３２からのレーザ光ＬＢがそれぞれ入射する複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を備えている。つまり、光源装置３２からのレーザ光ＬＢは、反射ミラーやビームスプリッタ等を有する光導入光学系３４に導かれて複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）に入射する。露光ヘッド３６は、回転ドラムＤＲ２の円周面で支持されている基板Ｐの一部分に、複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）によって、パターンを描画露光する。露光ヘッド３６は、構成が同一の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を複数有することで、いわゆるマルチビーム型の露光ヘッド３６となっている。描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５は、回転ドラムＤＲ２の中心軸ＡＸ２に対して基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に配置され、描画ユニットＵ２、Ｕ４は、回転ドラムＤＲ２の中心軸ＡＸ２に対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に配置されている。

各描画ユニットＵは、入射したレーザ光ＬＢを基板Ｐ上で収斂させてスポット光にし、且つ、そのスポット光を走査ラインに沿って走査させる。各描画ユニットＵの走査ラインＬは、図４に示すように、Ｙ方向（基板Ｐの幅方向）に関して互いに分離することなく、繋ぎ合わされるように設定されている。図４では、描画ユニットＵ１の走査ラインＬをＬ１、描画ユニットＵ２の走査ラインＬをＬ２で表している。同様に、描画ユニットＵ３、Ｕ４、Ｕ５の走査ラインＬをＬ３、Ｌ４、Ｌ５で表している。このように、描画ユニットＵ１〜Ｕ５全部で電子デバイス領域（露光領域）Ｗの幅方向の全てをカバーするように、各描画ユニットＵは走査領域を分担している。なお、例えば、１つの描画ユニットＵによるＹ方向の描画幅（走査ラインＬの長さ）を２０〜５０ｍｍ程度とすると、奇数番の描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５の３個と、偶数番の描画ユニットＵ２、Ｕ４の２個との計５個の描画ユニットＵをＹ方向に配置することによって、描画可能なＹ方向の幅を１００〜２５０ｍｍ程度に広げている。

この描画ユニットＵは、国際公開第２０１３／１４６１８４号（図３６参照）に開示されているように公知技術であるが、図５を用いて描画ユニットＵについて簡単に説明する。なお、各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）は、同一の構成を有することから、描画ユニットＵ２についてのみ説明し、他の描画ユニットＵについては説明を省略する。

図５に示すように、描画ユニットＵ２は、例えば、集光レンズ５０、描画用光学素子（光変調素子）５２、吸収体５４、コリメートレンズ５６、反射ミラー５８、シリンドリカルレンズ６０、反射ミラー６４、ポリゴンミラー（光走査部材）６６、反射ミラー６８、ｆ−θレンズ７０、および、シリンドリカルレンズ７２を有する。

描画ユニットＵ２に入射するレーザ光ＬＢは、鉛直方向の上方から下方（−Ｚ方向）に向けて進み、集光レンズ５０を介して描画用光学素子５２に入射する。集光レンズ５０は、描画用光学素子５２に入射するレーザ光ＬＢを描画用光学素子５２内でビームウエストとなるように集光（収斂）させる。描画用光学素子５２は、レーザ光ＬＢに対して透過性を有するものであり、例えば、音響光学変調素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）が用いられる。

描画用光学素子５２は、下位制御装置２４からの駆動信号（高周波信号）がオフの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを吸収体５４側に透過し、下位制御装置２４からの駆動信号（高周波信号）がオンの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを回折させて反射ミラー５８に向かわせる。吸収体５４は、レーザ光ＬＢの外部への漏れを抑制するためにレーザ光ＬＢを吸収する光トラップである。このように、描画用光学素子５２に印加すべき描画用の駆動信号（超音波の周波数）をパターンデータ（白黒）に応じて高速にオン／オフすることによって、レーザ光ＬＢが反射ミラー５８に向かうか、吸収体５４に向かうかがスイッチングされる。このことは、基板Ｐ上で見ると、感光面に達するレーザ光ＬＢ（スポット光ＳＰ）の強度が、パターンデータに応じて高レベルと低レベル（例えば、ゼロレベル）のいずれかに高速に変調されることを意味する。

コリメートレンズ５６は、描画用光学素子５２から反射ミラー５８に向かうレーザ光ＬＢを平行光にする。反射ミラー５８は、入射したレーザ光ＬＢを−Ｘ方向に反射させて、シリンドリカルレンズ６０を介して反射ミラー６４に照射する。反射ミラー６４は、入射したレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６に照射する。ポリゴンミラー（回転多面鏡）６６は、回転することでレーザ光ＬＢの反射角を連続的に変化させて、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの位置を走査方向（基板Ｐの幅方向）に走査する。ポリゴンミラー６６は、下位制御装置２４によって制御される図示しない回転駆動源（例えば、モータや減速機構等）によって一定の速度で回転する。また、ポリゴンミラー６６に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（スポット光ＳＰの走査速度信号）は、下位制御装置２４に送られる。

反射ミラー５８と反射ミラー６４との間に設けられたシリンドリカルレンズ６０は、前記走査方向と直交する非走査方向（Ｚ方向）に関してレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６の反射面上に集光（収斂）する。このシリンドリカルレンズ６０によって、前記反射面がＺ方向に対して傾いている場合（ＸＹ面の法線と前記反射面との平衡状態からの傾き）があっても、その影響を抑制することができ、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの照射位置がＸ方向にずれることを抑制する。

ポリゴンミラー６６で反射したレーザ光ＬＢは、反射ミラー６８によって−Ｚ方向に反射され、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸｕを有するｆ−θレンズ７０に入射する。このｆ−θレンズ７０は、基板Ｐに投射されるレーザ光ＬＢの主光線が走査中は常に基板Ｐの表面の法線となるようなテレセントリック系の光学系であり、それによって、レーザ光ＬＢをＹ方向に正確に等速度で走査することが可能になる。ｆ−θレンズ７０から照射されたレーザ光ＬＢは、母線がＹ方向と平行となっているシリンドリカルレンズ７２を介して、基板Ｐ上に直径数μｍ程度（例えば、３μｍ）の略円形の微小なスポット光ＳＰとなって照射される。スポット光（走査スポット光）ＳＰは、ポリゴンミラー６６によって、Ｙ方向に延びる走査ラインＬ２に沿って一方向に１次元走査される。

また、処理装置ＰＲ３は、図３および図４に示すように、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出するための３つのアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が設けられている。このアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の検出領域Ｖｗ（Ｖｗ１〜Ｖｗ３）は、回転ドラムＤＲ２の円周面上でＹ軸方向に一列に並ぶように配置されている。アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、アライメント用の照明光を基板Ｐに投影して、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子でその反射光を撮像することで、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。つまり、アライメント顕微鏡ＡＭ１は、検出領域（撮像領域）Ｖｗ１内に存在する基板Ｐの＋Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ１を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＭ２は、検出領域Ｖｗ２内に存在する基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＭ３は、検出領域Ｖｗ３内に存在する基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を撮像する。

このアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が撮像した画像データは、下位制御装置２４内に設けられる画像処理部に送られ、下位制御装置２４の画像処理部は、画像データに基づいてアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置を算出（検出）する。この検出領域Ｖｗ（Ｖｗ１〜Ｖｗ３）の基板Ｐ上の大きさは、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の大きさやアライメント精度に応じて設定されるが、１００〜５００μｍ角程度の大きさである。また、アライメント用の照明光は、基板Ｐ上の感光性機能層に対してほとんど感度を持たない波長域の光、例えば、波長幅５００〜８００ｎｍ程度のブロードバンド光、或いは紫外域の波長を含まない白色光等である。

下位制御装置２４は、上位制御装置１４の制御にしたがって、パターン形成装置１２を構成する第１蓄積装置ＢＦ１、第２蓄積装置ＢＦ２、および、処理装置ＰＲ３の各部を制御する。例えば、下位制御装置２４は、処理装置ＰＲ３内で搬送される基板Ｐの搬送速度、エッジポジションコントローラＥＰＣ２、ＥＰＣ３、光源装置３２、ポリゴンミラー６６の回転、および、描画用光学素子５２等を制御する。また、下位制御装置２４は、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）によって検出された基板Ｐ上のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置情報、回転速度情報（処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度情報、スポット光ＳＰの走査速度情報）、強度センサ３７が検出したレーザ光ＬＢの強度情報等を上位制御装置１４に出力する。下位制御装置２４は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の下位制御装置２４として機能する。この下位制御装置２４は、上位制御装置１４の一部であってもよく、上位制御装置１４とは別の制御装置であってもよい。

図６は、処理装置ＰＲ４の構成を示す図である。処理装置ＰＲ４は、現像液が貯留される処理槽ＢＴと、基板Ｐが処理槽ＢＴに貯留された現像液に浸されるように基板Ｐの搬送経路を形成する案内ローラＲ４〜Ｒ７と、駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８と、下位制御装置８０とを有する。処理槽ＢＴの底部には、現像液の温度を調整するためのヒータＨ１、Ｈ２が設けられており、ヒータＨ１、Ｈ２は、下位制御装置８０の制御の下、ヒータ駆動部８２によって駆動して発熱する。

駆動ローラＮＲ７は、第２蓄積装置ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ３から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して基板Ｐを案内ローラＲ４に導く。案内ローラＲ４は、＋Ｘ方向に搬送されてきた基板Ｐを−Ｚ方向側に折り曲げて案内ローラＲ５に導く。案内ローラＲ５は、−Ｚ方向に搬送されてきた基板Ｐを＋Ｘ方向側に折り曲げて案内ローラＲ６に導く。案内ローラＲ６は、＋Ｘ方向に搬送されてきた基板Ｐを＋Ｚ方向側に折り曲げて案内ローラＲ７に導く。案内ローラＲ７は、＋Ｚ方向に搬送されてきた基板Ｐを＋Ｘ方向側に折り曲げて駆動ローラＮＲ８に導く。駆動ローラＮＲ８は、送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら、基板Ｐを処理装置ＰＲ５に搬送する。この案内ローラＲ５、Ｒ６によって、基板Ｐが現像液に浸漬される。駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８は、下位制御装置８０によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８の回転速度によって、処理装置ＰＲ４内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度信号）は、下位制御装置８０に送られる。なお、処理装置ＰＲ４内には、現像された基板Ｐの表面を撮像する撮像装置８３が設けられている。この撮像装置８３は、駆動ローラＮＲ８に対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられている。撮像装置８３は、現像によって感光性機能層に形成されたパターンを撮像する。

案内ローラＲ４、Ｒ５は、可動部材８４に設けられており、可動部材８４は、リニアモータ等の駆動部を有し、ガイドレール８６に沿ってＸ方向に移動可能である。可動部材８４には、可動部材８４のＸ方向における位置を検出する位置センサ８７が設けられており、位置センサ８７が検出した可動部材８４の位置情報は、下位制御装置８０に送られる。この可動部材８４がガイドレール８６に沿って−Ｘ方向側に移動すると、案内ローラＲ５、Ｒ６間の距離は長くなるので、基板Ｐが現像液に浸漬する時間（浸液時間）は長くなる。また、可動部材８４が＋Ｘ方向側に移動すると、案内ローラＲ５、Ｒ６間の距離は短くなるので、基板Ｐが現像液に浸漬する時間（浸漬時間）は短くなる。このようにして、基板Ｐが現像液に浸漬する時間を調整することができる。また、処理装置ＰＲ４は、現像液の温度を検出する温度センサＴｓ、現像液の濃度を検出する濃度センサＣｓを有する。基板Ｐが現像液に浸漬されることで、感光性機能層に形成された潜像（改質部）に応じたパターンが感光性機能層に形成される。感光性機能層がポジ型のフォトレジストの場合は、紫外線が照射された部分が改質され、改質部が現像液によって溶解し除去される。また、感光性機能層がネガ型のフォトレジストの場合は、紫外線が照射された部分が改質され、紫外線が照射されていない非改質部が現像液によって溶解し除去される。本第１の実施の形態では、感光性機能層はポジ型として説明する。なお、図示しないが処理装置ＰＲ４は、処理装置ＰＲ５に搬送される基板Ｐに対して、基板Ｐに付着している現像液を除去する乾燥機構を有してもよい。

下位制御装置８０は、上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ４の各部を制御する。例えば、下位制御装置８０は、処理装置ＰＲ４内で搬送される基板Ｐの搬送速度、ヒータ駆動部８２、および、可動部材８４等を制御する。また、下位制御装置８０は、温度センサＴｓおよび濃度センサＣｓによって検出された現像液の温度情報、濃度情報、位置センサ８７が検出した可動部材８４の位置情報、撮像装置８３が検出した画像データ、および、回転速度情報（処理装置ＰＲ４内の基板Ｐの搬送速度情報）等を上位制御装置１４に出力する。下位制御装置８０は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の下位制御装置８０として機能する。この下位制御装置８０は、上位制御装置１４の一部であってもよく、上位制御装置１４とは別の装置であってもよい。

なお、感光性機能層が感光性シランカップリング剤や感光性還元剤の場合は、処理装置ＰＲ４の処理槽ＢＴには、現像液の代わりに、例えば、パラジウムイオン等の電子デバイス用の材料（金属）を含むメッキ液が貯留される。つまり、この場合は、処理装置ＰＲ４は、メッキ処理の処理工程（第３処理工程）を行うメッキ装置となる。基板Ｐをメッキ液に浸漬することで、感光性機能層に形成された潜像（改質部）に応じて電子デバイス用の材料が析出され、基板Ｐに金属層（導電性）のパターンが形成される。

エッチングを行う処理装置ＰＲ５は、基本的に、処理装置ＰＲ４と同一の構成を有しているので図示しないが、処理槽ＢＴには、現像液に代えてエッチング液（腐食液）を貯留している。したがって、処理装置ＰＲ５の可動部材８４が−Ｘ方向側に移動すると、基板Ｐがエッチング液に浸漬する時間（浸漬時間）は長くなり、可動部材８４が＋Ｘ方向側に移動すると、基板Ｐがエッチング液に浸漬する時間（浸漬時間）は短くなる。また、処理装置ＰＲ５の温度センサＴｓによってエッチング液の温度が検出され、濃度センサＣｓによってエッチング液の濃度が検出される。この処理装置ＰＲ５によって基板Ｐがエッチング液に浸漬することで、パターンが形成された感光性機能層をマスクとして、感光性機能層の下層に形成された金属性薄膜（ＡｌまたはＣｕ等）がエッチングされる。これにより、基板Ｐ上に金属層のパターンが出現する。処理装置ＰＲ５の撮像装置８３は、エッチングによって基板Ｐ上に形成された金属層のパターンを撮像する。処理装置ＰＲ５によって処理が行われた基板Ｐは、次の処理を行う処理装置ＰＲに送られる。処理装置ＰＲ４で、メッキ処理が行われた場合は、エッチング処理は不要となるので、処理装置ＰＲ５の代わりに別の処理装置ＰＲ、例えば、乾燥等を行う処理装置ＰＲが設けられる。

ここで、デバイス製造システム１０によって、基板Ｐに所望する金属層のパターンを出現させるために、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、設定条件にしたがって基板Ｐに対して各処理を行う。例えば、処理装置ＰＲ１の設定条件として、プラズマを射出するための電圧およびプラズマを照射する照射時間等を規定する処理条件と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ１は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ基板Ｐに対してプラズマ表面処理を行う。処理装置ＰＲ２の設定条件（第１の設定条件）として、感光性機能層を形成する領域を規定する領域条件および感光性機能層の膜厚を規定する膜厚条件等を含む処理条件（第１処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ２は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ感光性機能層の成膜処理を行う。

処理装置ＰＲ３の設定条件（第２の設定条件）として、レーザ光ＬＢの強度を規定する強度条件、スポット光ＳＰの走査速度（ポリゴンミラー６６の回転速度）を規定する走査速度条件、多重露光回数を規定する露光回数条件、および、描画するパターンを規定するパターン条件（パターンデータ）等を含む処理条件（第２処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ３は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ基板Ｐに対して露光処理を行う。処理装置ＰＲ４の設定条件（第３の設定条件）として、現像液の温度を規定する温度条件、現像液の濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件（第３処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ４は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ現像処理を行う。処理装置ＰＲ５の設定条件として、エッチング液の温度を規定する温度条件、濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されており、処理装置ＰＲ５は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつエッチング処理を行う。なお、処理装置ＰＲ４がメッキ処理を行う場合は、処理装置ＰＲ４の設定条件（第３の設定条件）として、メッキ液の温度を規定する温度条件、メッキ液の濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件（第３処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。したがって、処理装置ＰＲ４は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ、メッキ処理を行うことになる。

この各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５によって施される実処理（実際の処理）の状態が、目標の処理状態となるように予め設定されている。各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５に設けられた図示しない記憶媒体に記憶されていてもよく、上位制御装置１４の図示しない記憶媒体に記憶されていてもよい。また、デバイス製造システム１０内では、基板Ｐは一定の速度で搬送されるので、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５で設定されている設定条件の搬送速度条件は、基本的には同一の速度（例えば、５ｍｍ／秒〜５０ｍｍ／秒の範囲の一定速度）となっている。

各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、設定条件にしたがって基板Ｐに対して処理を行っているが、実処理（実際の処理）の状態が、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを生じる場合がある。例えば、経年劣化等によって光源装置３２のレーザ光源が発光するレーザ光ＬＢの強度が低下したり、現像液、エッチング液の温度・濃度が低下したりする場合があるため、実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを生じる場合がある。例えば、レーザ光ＬＢの強度が低下した場合は露光量が低下するので、フォトレジストの場合は、スポット光ＳＰを照射した領域の一部分、つまり、スポット光ＳＰを照射した領域の外周部分の感光性機能層（フォトレジスト層）が深部まで改質されない。そのため、現像処理によって感光性機能層に形成されるパターンの線幅が所望するパターンの線幅（目標線幅）に対して太くなってしまう。つまり、光が照射されて改質された部分が現像によって溶解し、残ったレジスト層の部分（非改質部）の領域がディスプレイパネル用の回路または配線等の金属層（導電性）のパターンとしてエッチング後に残留するので、露光量が低下するとパターンの線幅が太くなってしまう。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンが所望のパターンとは異なってしまう。

現像液の温度・濃度が低下した場合若しくは現像液の浸漬時間が短くなった場合は、現像液による感光性機能層の改質部の除去を十分に行うことができない。そのため、処理装置ＰＲ４が感光性機能層に形成された潜像に応じて、感光性機能層に形成するパターンの線幅が目標線幅からずれてくる。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンは所望のパターンとはならない。

エッチング液の温度・濃度が低下した場合若しくはエッチング液の浸漬時間が短くなった場合は、パターンが形成された感光性機能層をマスクとして感光性機能層の下層に形成された金属性薄膜（導電性の薄膜）のエッチングを十分に行うことができない。そのため、処理装置ＰＲ５がエッチングにより形成する金属層のパターンの線幅が目標線幅からずれてくる。つまり、エッチングにより金属性薄膜が除去されなかった部分がディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンとなるので、パターンが形成された感光性機能層をマスクとしてエッチングが十分に行われない場合は、パターンの線幅が太くなる。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンは所望のパターンとはならない。

また、感光性機能層（フォトレジスト）の膜厚が厚くなると、スポット光ＳＰが照射された領域の感光性機能層の深部が改質され難くなるので、現像液による改質部の除去により、感光性機能層に形成されるパターンの線幅が目標値からずれてくる。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンは所望のパターンとはならない。

このように、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有している場合には、基板Ｐに所望の金属層のパターンを出現させることはできず、パターンの形状または寸法が変動してしまう。そこで、本第１の実施の形態では、上位制御装置１４は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の各々において基板Ｐに施される実処理の状態の少なくとも１つが、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する場合は、処理誤差Ｅを発生する処理装置ＰＲ以外の他の処理装置ＰＲの設定条件を処理誤差Ｅに応じて変化させる。この処理誤差Ｅは、基板Ｐに形成されるパターンの形状または寸法が目標のパターンの形状または寸法に対してどの程度変化しているかを示すものである。

処理誤差Ｅを呈する設定条件が、処理装置ＰＲ３の設定条件の場合は、まず、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、処理装置ＰＲ３の設定条件を変更する。そして、処理装置ＰＲ３の設定条件を変更しただけでは対応することができない場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、他の処理装置ＰＲ（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５）の設定条件をさらに変更する。このとき、他の処理装置ＰＲの設定条件の変更完了後に、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻してもよい。また、処理誤差Ｅを呈する設定条件が処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲの場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、優先的に処理装置ＰＲ３の設定条件を変更させる。

図１に示した上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５毎に処理の目標値となるような設定条件（レシピ）を設定したり、それらの設定条件を修正したり、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の処理状況をモニターしたりするための操作装置を備えている。その操作装置は、データ、パラメータ、コマンド等を入力するキーボード、マウス、タッチパネル等の入力装置と、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５毎の設定条件、処理状態、処理誤差Ｅの発生状況、その処理誤差Ｅの補正のために設定条件の変更が可能な処理装置ＰＲの候補、その補正の規模（補正量、補正時間等）等を表す情報、および基板Ｐの搬送速度の調整に関する情報を表示するモニター装置（ディスプレイ）とで構成される。

以下、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有した場合のデバイス製造システム１０の動作について詳しく説明する。図７は、許容範囲を超えて処理誤差Ｅが発生している処理装置ＰＲを判定するためのデバイス製造システム１０の動作を示すフローチャートである。まず、上位制御装置１４は、感光性機能層の膜厚が許容範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ１）。つまり、実際に形成された感光性機能層の膜厚が、目標の処理状態となるように設定した膜厚条件（以下、目標の膜厚条件）に対して許容範囲内にあるか否かを判断する。この判断は、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚に基づいて行う。すなわち、ステップＳ１では、処理装置ＰＲ２の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ１で、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚が目標の膜厚に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ２に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ２）が発生していると判定する（ステップＳ２）。つまり、処理装置ＰＲ２が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ２を有していると判定する。

一方、ステップＳ１で、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚が許容範囲内にあると判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３によって基板Ｐ上に照射されたレーザ光ＬＢの露光量が目標の露光量に対して許容範囲内にあるか否かを判断する（ステップＳ３）。この判断は、強度センサ３７が検出したレーザ光ＬＢの強度が目標の処理状態となるように設定した強度条件（以下、目標の強度条件）に対して許容範囲内にあるか否かを判断することで行う。つまり、レーザ光ＬＢの強度に応じて感光性機能層に形成されるパターンの線幅も変わってくるので、露光量を示すレーザ光ＬＢの強度に基づいて、露光量が許容範囲内にあるか否かを判断する。なお、ステップＳ３では、露光量を示す他の情報、例えば、スポット光ＳＰの走査速度等が目標の処理状態となるように設定した走査速度条件（以下、目標の走査速度条件）に対して許容範囲内にあるか否かを判断してもよい。また、複数の情報（レーザ光ＬＢの強度およびスポット光ＳＰの走査速度等）に基づいて露光量が許容範囲内にあるか否かを判断してもよい。すなわち、ステップＳ３では、処理装置ＰＲ３の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ３で、露光量が目標の露光量（目標の処理状態となるように設定された処理条件）に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ３）が発生していると判定する（ステップＳ４）。つまり、処理装置ＰＲ３が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ３を有していると判定する。

一方、ステップＳ３で、露光量が許容範囲内にあると判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ４が現像処理を行うことによって感光性機能層に形成されたパターンの線幅が許容範囲内にあるか否かを判断する（ステップＳ５）。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ４内に設けられた撮像装置８３が撮像した画像データに基づいて感光性機能層に形成されたパターンの線幅を計測する。原則として感光性機能層に形成されるパターンの線幅が目標線幅となるように処理装置ＰＲ４の設定条件が定められているが、例えば、現像液の温度、濃度、または、浸漬時間が目標の処理状態となるように設定した温度条件（以下、目標の温度条件）、濃度条件（以下、目標の濃度条件）、または、浸漬時間条件（以下、目標の浸漬時間条件）より低く若しくは短くなった場合は、形成されるパターンの線幅が目標線幅よりずれてしまう。すなわち、ステップＳ５では、処理装置ＰＲ４の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ５で、感光性機能層に形成したパターンの線幅が目標線幅に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ４に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ４）が発生していると判定する（ステップＳ６）。つまり、処理装置ＰＲ４が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ４を有していると判定する。

一方、ステップＳ５で、感光性機能層に形成されたパターンの線幅が許容範囲内にあると判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ５がエッチングすることによって基板Ｐ上に出現した金属層のパターンの線幅が許容範囲内にあるか否かを判断する（ステップＳ７）。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ５内に設けられた撮像装置８３が撮像した画像データに基づいて金属層のパターンの線幅を計測する。原則として金属層のパターンの線幅が目標線幅となるように処理装置ＰＲ５の設定条件が定められているが、例えば、エッチング液の温度、濃度、または、浸漬時間が、目標の処理状態となるように設定した温度条件（以下、目標の温度条件）、濃度条件（以下、目標の濃度条件）、または、浸漬時間条件（以下、目標の浸漬時間条件）より低く若しくは短くなった場合は、形成される金属層のパターンの線幅は目標線幅よりずれてしまう。すなわち、ステップＳ７では、処理装置ＰＲ５の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ７で、金属層のパターンの線幅が目標線幅に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ５に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ５）が発生していると判定する（ステップＳ８）。つまり、処理装置ＰＲ５が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ５を有していると判定する。一方、ステップＳ７で、金属層のパターンの線幅が許容範囲内にあると判断すると、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ５に処理誤差Ｅが発生していないと判定する（ステップＳ９）。

図７のステップＳ４で、処理装置ＰＲ３に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ３が発生していると判定された場合のデバイス製造システム１０の動作を説明する。図８は、処理装置ＰＲ３に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ３が発生している場合のデバイス製造システム１０の動作を示すフローチャートである。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３に処理誤差Ｅ３が発生している場合は、処理装置ＰＲ３の設定条件のうち、処理条件を変更することで該処理誤差Ｅ３をカバーすることができるか否かを判断する（ステップＳ１１）。つまり、処理条件を変更することで処理誤差Ｅ３を無くすことができるか若しくは処理誤差Ｅ３を許容範囲に収めることができるか否かを判断する。例えば、露光量が目標の露光量に対して許容範囲を超えて少ない場合には、露光量を目標の露光量まで多くする必要があり、処理条件を変えることで目標の露光量にすることができるか否かを判断する。この露光量は、レーザ光ＬＢの強度およびスポット光ＳＰの走査速度等によって決まるので、ステップＳ１１では、強度条件および走査速度条件等を変更することで、実際の露光量を目標の露光量まで上げることができるか否かを判断する。

ステップＳ１１で、処理条件を変更することでカバーすることができると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ３に応じて処理装置ＰＲ３の設定条件の処理条件（強度条件や走査速度条件、パターン条件等）を変更する（ステップＳ１２）。一方、ステップＳ１１で、処理条件を変更するだけではカバーできないと判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ３に応じて処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを変更する（ステップＳ１３）。例えば、実際の露光量が目標の露光量に対して許容範囲を超えて少ない場合は、処理条件を変更するとともに、基板Ｐの搬送速度が遅くなるように搬送速度条件を変更する。搬送速度条件を遅くすることで、露光量を増やすことができる。なお、処理誤差Ｅ３のうち、処理条件を変えることによってカバーできる処理誤差をＥ３ａとし、搬送速度条件を変えることによってカバーできる処理誤差をＥ３ｂとする。したがって、Ｅ３＝Ｅ３ａ＋Ｅ３ｂ、となる。処理条件のみを変えることによって処理誤差Ｅ３をカバーできる場合は、Ｅ３ａ＝Ｅ３となり、Ｅ３ｂ＝０となる。また、処理条件を変更することができない場合、例えば、現在設定されている強度条件が最大の強度となっている場合等は、処理誤差Ｅ３に応じて搬送速度条件のみを変えて対応することになる。この場合は、Ｅ３ａ＝０となり、Ｅ３ｂ＝Ｅ３となる。

ここで、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、基板Ｐを一定の速度で搬送しているが、処理装置ＰＲ３は、第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２との間に設けられているので、処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度を独立して変更することができる。つまり、処理装置ＰＲ３の搬送速度と処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲとの搬送速度の差を、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２とで吸収することができる。処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度を一定の速度より遅く搬送させると、第１蓄積装置ＢＦ１の基板Ｐの蓄積量は徐々に増加し、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積量は徐々に低下する。逆に、処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度を一定の速度より速く搬送させると、第１蓄積装置ＢＦ１の基板Ｐの蓄積量は徐々に低下し、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積量は徐々に増加する。第１蓄積装置ＢＦ１または第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長が所定の蓄積長以下となると、第１蓄積装置ＢＦ１または第２蓄積装置ＢＦ２に基板Ｐが余分に蓄積されなくなるため、処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度を独立して変更することができなくなる。そのため、一時的に処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度を変えることはできても、一定の時間以上、基板Ｐの搬送速度を変えることはできない。

そのため、第１蓄積装置ＢＦ１および前記第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長を所定の範囲内に収めるために、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を元に戻す必要がある。そのため、ステップＳ１３で、処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを変更すると、上位制御装置１４は、いずれか１つの他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂをカバー（補間）することができる否かを判断する（ステップＳ１４）。つまり、処理装置ＰＲ３の搬送速度を元に戻すと、露光量が減るので、それによって生じる不具合いを他の処理装置ＰＲで補うことで、パターンの線幅を目標線幅にすることができるか否かを判断する。

ステップＳ１４で、いずれか１つの他の処理装置ＰＲの処理条件を処理誤差Ｅ３ｂに応じて変更することでカバーできると判断すると、カバーできると判断された当該他の処理装置ＰＲの処理条件を、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて変更して（ステップＳ１５）、ステップＳ１７に進む。例えば、処理条件を変更することでカバーできると判断された他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（例えば、露光量不足）に応じて処理装置ＰＲ２の処理条件（膜厚条件等）を変更する。処理誤差Ｅ３が露光量不足の場合には、膜厚が薄くなるほど露光量が少なくても感光性機能層の深部まで改質されるので、膜厚条件の厚さを薄くすることで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（露光量不足）をカバーすることができる。その結果、現像処理によって感光性機能層に形成されるパターンの線幅および出現する金属層のパターンの線幅を目標線幅にすることができる。

処理条件を変更することでカバーできると判断された他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４の場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて処理装置ＰＲ４の処理条件（温度条件、濃度条件、浸漬時間条件）を変更する。例えば、現像液の温度・濃度が高いほど、また、基板Ｐが現像液に浸漬する浸漬時間が長いほど、感光性機能層が溶解し除去される領域が広がるので、感光性機能層を深部まで除去することができる。したがって、処理誤差Ｅ３が露光量不足の場合には、温度条件、濃度条件、および、浸漬時間条件の少なくとも１つを高く若しくは長くすることで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（露光量不足）をカバーすることができ、パターンの線幅を目標線幅にすることができる。処理装置ＰＲ４の下位制御装置８０は、温度条件にしたがって、処理装置ＰＲ４のヒータＨ１、Ｈ２を制御し、浸漬時間条件にしたがって、処理装置ＰＲ４の可動部材８４を移動させる。また、処理装置ＰＲ４の処理槽ＢＴには、処理槽ＢＴにある現像液を回収するとともに、処理槽ＢＴに新たな現像液を供給する循環系が設けられ、処理装置ＰＲ４の下位制御装置８０は、該処理槽ＢＴに供給する現像液の濃度を濃度条件によって変更させる。

処理条件を変更することでカバーできると判断された他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ５の場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて処理装置ＰＲ５の処理条件（温度条件、濃度条件、浸漬時間条件）を変更する。例えば、パターンが形成された感光性機能層をマスクとして感光性機能層の下層に形成された金属性薄膜がエッチングされるが、エッチング液の温度・濃度が高いほど、また、基板Ｐがエッチング液に浸漬する浸漬時間が長いほど、エッチングされる部分が広がる。したがって、処理誤差Ｅ３が露光量不足の場合には、エッチング液の温度条件、濃度条件、および、浸漬時間条件の少なくとも１つを高く若しくは長くすることで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（露光量不足）をカバーすることができ、パターンの線幅を目標線幅にすることができる。処理装置ＰＲ５の下位制御装置８０は、温度条件にしたがって、処理装置ＰＲ５のヒータＨ１、Ｈ２を制御し、浸漬時間条件にしたがって、処理装置ＰＲ５の可動部材８４を移動させる。また、処理装置ＰＲ５の処理槽ＢＴには、処理槽ＢＴにあるエッチング液を回収するとともに、処理槽ＢＴに新たなエッチング液を供給する循環系が設けられ、処理装置ＰＲ５の下位制御装置８０は、該処理槽ＢＴに供給するエッチング液の濃度を濃度条件によって変更させる。

ここで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を変更せずに、初めから処理装置ＰＲ３以外の他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることも考えられる。しかしながら、処理装置ＰＲ３（露光装置ＥＸ等のパターニング装置）においては、処理条件が変わるとそれに応じて実処理の処理状態を瞬時に変えることが可能であるが、処理装置ＰＲ３の以外の他の処理装置ＰＲ（主に湿式処理装置）においては、処理条件を変更しても実際に実処理の状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態となるまでにはある程度の時間がかかり、処理装置ＰＲ３で発生した処理誤差Ｅ３ｂを迅速にカバーすることができない。例えば、処理装置ＰＲ２の処理条件（膜厚条件等）を変えても、基板Ｐに成膜される感光性機能層の膜厚は時間の経過とともに徐々に変わる。また、処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の処理条件（温度条件、濃度条件、浸漬時間条件）を変えても、現像液およびエッチング液の温度・濃度、浸漬時間が時間の経過とともに徐々に変わる。そのため、他の処理装置ＰＲの実処理の状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態となるまでは、処理装置ＰＲ３の基板Ｐの搬送速度を徐々に変えることで処理誤差Ｅ３ｂに対処している。他の処理装置ＰＲの処理条件の変更後は、当該他の処理装置ＰＲによる実処理の処理状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に徐々に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度条件を徐々に戻す。上位制御装置１４は、膜厚計測装置１６ａ、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、位置センサ８７等の検出結果に基づいて処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度条件を変更前の搬送速度条件に徐々に近づける。

なお、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることができる処理装置ＰＲが複数ある場合は、処理装置ＰＲ３に近い処理装置ＰＲの処理条件を変更させてもよい。例えば、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることができる処理装置ＰＲが、処理装置ＰＲ２と処理装置ＰＲ５の場合には、処理装置ＰＲ３に近い処理装置ＰＲ２の処理条件を変更してもよい。また、ステップＳ１４では、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂを、他の処理装置ＰＲでカバーできるか否かを判断したが、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３、つまり、処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３を、他の処理装置ＰＲでカバーできるか否かを判断してもよい。このときは、ステップＳ１５では、カバーできると判断された他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３をカバーする。この場合は、他の処理装置ＰＲの処理条件の変更後は、当該他の処理装置ＰＲによる実処理の処理状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に徐々に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の搬送速度条件に加えて処理条件も徐々に戻すことになる。

一方、ステップＳ１４で、いずれか１つの他の処理装置ＰＲの処理条件を変更するだけでは、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（例えば、露光量不足）をカバーすることができないと判断すると、上位制御装置１４は、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件を、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて変更して（ステップＳ１６）、ステップＳ１７に進む。この場合は、複数の他の処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度条件を徐々に元に戻す。

なお、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件を、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３に応じて変更してもよい。この場合は、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件の変更後は、実処理の処理状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に徐々に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の搬送速度条件に加えて処理条件も徐々に戻すことになる。

ステップＳ１７に進むと、上位制御装置１４は、処理条件の変更が完了したか否かを判断する。つまり、ステップＳ１５またはＳ１６で処理条件が変更された処理装置ＰＲによる実処理の状態が、変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態になったか否かを判断する。この判断は、膜厚計測装置１６ａ、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、位置センサ８７等の検出結果に基づいて行う。ステップＳ１７で、処理条件の変更が完了していないと判断すると、ステップＳ１７に留まり、処理条件の変更が完了したと判断すると、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻す（ステップＳ１８）。なお、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３を他の処理装置ＰＲでカバーした場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件に加えて処理条件も元に戻す。

なお、ステップＳ１６で、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件を変更しても、処理装置ＰＲ３の処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることができない場合は、複数の他の処理装置ＰＲの搬送速度条件を変更することができるか否かを判断し、変更できる場合は、全ての処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の搬送速度条件が同一となるように、変更してもよい。例えば、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５の搬送速度条件をステップＳ１３で変更した処理装置ＰＲ３の搬送速度条件と同一となるように変更してもよい。

次に、図７のステップＳ２、Ｓ６、または、Ｓ８で、処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ４、または、ＰＲ５）に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生していると判定された場合のデバイス製造システム１０の動作を説明する。図９は、処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲに許容範囲を超えて処理誤差Ｅが発生している場合のデバイス製造システム１０の動作を示すフローチャートである。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲに処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生している場合は、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することでこの処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）をカバーすることができるか否かを判断する（ステップＳ２１）。例えば、処理誤差Ｅが発生した他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件より厚い場合は、処理装置ＰＲ４で感光性機能層に形成されるパターンの線幅は太くなるので、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することで、露光量を増やして感光性機能層に形成されるパターンの線幅を目標線幅にできるか否かを判断する。また、処理誤差Ｅが発生した他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の場合であって、実際の現像液、エッチング液の温度、濃度、または、浸漬時間が、目標の温度条件、濃度条件、または、浸漬時間条件より低い若しくは短い場合は、感光性機能層に形成されるパターン、金属層のパターンの線幅は太くなるので、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することで、露光量を増やして感光性機能層に形成されるパターン、金属層のパターンの線幅を目標線幅にできるか否かを判断する。

ステップＳ２１で、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することで対応可能であると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）に応じて処理装置ＰＲ３の処理条件（強度条件や走査速度条件、パターン条件等）を変更する（ステップＳ２２）。一方、ステップＳ２１で、処理条件を変更することで対応できないと判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）に応じて処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを変更する（ステップＳ２３）。なお、処理条件を変更することができない場合、例えば、現在設定されている強度条件が最大の強度となっている場合等は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）に応じて搬送速度条件のみを変えて対応することになる。

次いで、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生している処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ４、または、ＰＲ５）の処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻した場合でも処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）をカバーすることができるか判断する（ステップＳ２４）。つまり、処理誤差Ｅが発生している処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻した場合でも発生した処理誤差Ｅを無くすことができるか否かを判断する。例えば、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して処理誤差Ｅ２を呈する場合は、処理誤差Ｅ２に応じて膜厚条件を変えることができるか否かを判断する。また、処理誤差Ｅを発生した他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の場合であって、実際の現像液、エッチング液の温度、濃度、または、浸漬時間が、目標の温度条件、濃度条件、または、浸漬時間条件に対して処理誤差Ｅ４、Ｅ５を呈する場合は、処理誤差Ｅ４、Ｅ５に応じて、温度条件、濃度条件、または、浸漬時間条件を変えることができるか否かを判断する。

ステップＳ２４で、処理誤差Ｅが発生している処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻した場合でもこの処理誤差Ｅをカバーできると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅを発生している処理装置ＰＲの処理条件を変更する（ステップＳ２５）。例えば、処理誤差Ｅが発生した他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して厚い場合は、処理誤差Ｅ２に応じて膜厚条件を薄くする。また、処理誤差Ｅが発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４またはＰＲ５の場合であって、実際の現像液、エッチング液の温度、濃度、および、浸漬時間の少なくとも１つの処理条件が、目標の温度条件、濃度条件、浸漬時間条件に対して低い若しくは短い場合は、処理誤差Ｅ４またはＥ５に応じて、温度条件、濃度条件、および、浸漬時間の少なくも１つの処理条件を高く若しくは長くする。この場合は、処理誤差Ｅを発生している処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変化していくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の設定条件を徐々に元に戻す。

一方、ステップＳ２４で、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生している処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ４、または、ＰＲ５）の処理条件を変更しても処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）を無くすことができないと判断すると、上位制御装置１４は、他の処理装置ＰＲ（処理装置ＰＲ３を除く）の処理条件を変更することでこの処理誤差Ｅをカバーすることができるかを判断する（ステップＳ２６）。例えば、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ２を呈する場合は、処理装置ＰＲ４またはＰＲ５の処理条件を変更することで処理誤差Ｅ２をカバーできるか否かを判断する。実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件より厚い場合は、パターンの線幅は太くなるので、現像液またはエッチング液の温度・濃度、浸漬時間を高く若しくは長くすることで、パターンの線幅を目標線幅にすることができるかどうかを判断する。

ステップＳ２６で、他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで対応可能であると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅに応じて当該他の処理装置ＰＲの処理条件を変更して（ステップＳ２７）、ステップＳ２９に進む。例えば、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して厚い場合は、処理誤差Ｅ２に応じて処理装置ＰＲ４またはＰＲ５の温度条件、濃度条件、および、浸漬時間の少なくとも１つの処理条件を高く若しくは長くする。この場合は、他の処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の設定条件を徐々に元に戻す。

一方、ステップＳ２６で、他の処理装置ＰＲの処理条件を変更しても対応することができないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３以外の複数の他の処理装置ＰＲの処理条件をこの処理誤差Ｅに応じて変更して（ステップＳ２８）、ステップＳ２９に進む。この場合は、複数の他の処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の設定条件を徐々に元に戻す。

ステップＳ２９に進むと、上位制御装置１４は、処理条件の変更が完了したか否かを判断する。つまり、ステップＳ２５、Ｓ２７、または、Ｓ２８で処理条件が変更された処理装置ＰＲによる実処理の状態が、変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態になったか否かを判断する。この判断は、膜厚計測装置１６ａ、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、位置センサ８７等の検出結果に基づいて行う。ステップＳ２９で、処理条件の変更が完了していないと判断すると、ステップＳ２９に留まり、処理条件の変更が完了したと判断すると、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻す（ステップＳ３０）。

なお、ステップＳ２２で、処理装置ＰＲ３の処理条件のみを変更した場合は、図８に示す動作と同様に、図９に示す動作を終了してもよい。つまり、この場合は、ステップＳ２４〜Ｓ３０の動作は不要となる。また、ステップＳ３０では、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻すようにしたが、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件のみを元に戻すようにしてもよい。この場合は、ステップＳ２５、Ｓ２７、または、Ｓ２８では、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件のみを元に戻した場合に発生する処理誤差に応じて処理条件が変更される。

このように、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ５のいずれかの処理装置ＰＲによる実処理の状態（実処理結果）が目標の処理状態（設計値）に対して処理誤差Ｅを有する場合は、処理誤差Ｅに応じた他の処理装置ＰＲの設定条件を動的に変更するので、製造ラインを止めることなく、継続して安定した品質の電子デバイスを製造することができる。また、処理装置ＰＲとして、露光装置（描画装置）ＥＸやインクジェット印刷機のようなパターニング装置では、基板Ｐ上に既に形成されている下地層のパターンに対して重ね合わせ露光や重ね合わせ印刷を行う。その重ね合わせの精度は、薄膜トランジスタの層構造（ゲート電極層、絶縁装置、半導体層、ソース／ドレイン電極層）等を作るときに特に重要である。例えば、薄膜トランジスタの層構造において、層間の相対的な重ね合わせ精度やパターン寸法の忠実度（線幅再現性）は、パターニング装置の性能（位置決め精度、露光量、インク吐出量等）に依存する。そのパターニング装置の性能は、何らかの重大なトラブルによって突然大きく劣化する場合を除き、一般的には徐々に劣化する。第１の実施の形態によれば、そのように徐々に性能劣化するパターニング装置の状態をモニターして、他の処理装置ＰＲの処理条件を調整したりするので、パターニング装置の性能が許容範囲内で変動する場合、または許容範囲外に至った場合であっても、最終的に基板Ｐ上に形成されるパターンの寸法（線幅）精度を目標とする範囲に収めることができる。

なお、本第１の実施の形態においては、処理装置ＰＲ３の前後に第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２とを配置することで、処理装置ＰＲ３の基板Ｐの搬送速度を自由に変更できるようにしたが、例えば、処理装置ＰＲ２または処理装置ＰＲ４の前後に第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２とを配置し、処理装置ＰＲ２または処理装置ＰＲ４の基板Ｐの搬送速度を自由に変更できるようにしてもよい。また、例えば、複数の処理装置ＰＲの前後に第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２とを配置することで、複数の処理装置ＰＲで基板Ｐの搬送速度を自由に変更できるようにしてもよい。このように、複数の処理装置ＰＲの各々での搬送速度条件を変えることは、各々の処理装置ＰＲの実処理の状態が変わることを意味する。例えば、処理装置ＰＲ２に関して、仮に膜厚条件を含む処理条件を変更しなくても、搬送速度条件を遅くすることで、形成される感光性機能層の膜厚を厚くすることができる。逆に、搬送速度条件を速くすることで、形成される感光性機能層の膜厚を薄くすることができる。また、処理装置ＰＲ４、ＰＲ５に関して、仮に、浸漬時間条件等の処理条件を変更しなくても、搬送速度条件を遅くすることで、結果的に、基板Ｐが現像液またはエッチング液に浸漬する時間が長くなる。逆に搬送速度条件を速くすることで、結果的に、基板Ｐが現像液またはエッチング液に浸漬する時間が短くなる。この場合も、各々の第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長が所定の範囲内に収まるように、各処理装置ＰＲの搬送速度条件の設定が変更される。

また、図７のステップＳ３では、露光量が許容範囲内にあるか否かを判断したが、感光性機能層に形成されたパターンの線幅が許容範囲内にあるか否かを判断してもよい。この場合は、パターンの線幅が許容範囲内にないと判断すると、ステップＳ４で処理装置ＰＲ３に処理誤差Ｅ３が発生していると判断し、パターンの線幅が許容範囲内にあると判断するとステップＳ５を飛ばしてステップＳ７に進むようにしてもよい。したがって、この場合は、ステップＳ５およびステップＳ６の動作は不要となる。現像処理の条件によってパターンの線幅も変わるが、パターンの線幅は、処理装置ＰＲ３の実処理の状態によって大きく変わると考えられるため、感光性機能層に形成されたパターンの線幅に基づいて、処理装置ＰＲ３に処理誤差Ｅ３が発生しているか否かを判断する。

また、現像後のフォトレジスト層に形成されるパターンの線幅変化は、露光量の変化やレジスト層の厚み変化に対して比較的に敏感で線形性を持つ。それに対して、感光性シランカップリング材等による感光性機能層は、その厚みとはほとんど無関係に、一定の露光量（照度）が与えられたか否かで、非改質状態から改質状態に切り替わる。そのため、感光性機能層の厚み調整や露光量の調整による線幅の補正は実質的には難しい。ただし、必要以上の露光量を与えた場合は、改質すべき部分の線幅が若干太くなる傾向はある。したがって、感光性シランカップリング材等の感光性機能層を用いた場合は、例えばメッキ処理後に析出した金属性のパターンの線幅測定値に基づいて、メッキ処理の条件を修正したり、感光性機能層を露光する際のパターンの線幅自体を設計値に対して修正（描画データを修正）したりすることが有効である。

以上、本発明の第１の実施態様によれば、複数の処理装置ＰＲのうち、実処理の状態が目標の処理状態に対して処理誤差Ｅを発生している処理装置ＰＲがある場合は、処理誤差Ｅに応じた他の処理装置ＰＲの設定条件を変更するので、製造ラインを止めることなく、継続して電子デバイスを製造することができる。すなわち、複数の処理装置ＰＲによってシート基板Ｐ上に電子デバイスの層構造やパターン形状を順次形成していく過程において、特定の処理装置ＰＲによる実処理結果が、予め設定される設定条件（設計値）に対して誤差を発生した場合でも、特定の処理装置ＰＲ自体がその誤差を抑えるように自己制御するだけでなく、特定の処理装置ＰＲに対して上流側または下流側に位置する他の処理装置ＰＲが、その誤差に起因する不具合を結果的に打ち消す、または抑制するように処理条件を動的に変更する。これによって、製造ライン中のどこかの工程で発生する誤差に起因した処理装置ＰＲの処理中断、および製造ライン全体の一時停止の確率を大幅に抑制することができる。

また、本発明の第１の実施態様は、必ずしも３つの異なる処理装置ＰＲ（処理部）が基板Ｐの搬送方向（長尺方向）に並ぶ製造ラインに限られず、基板Ｐを順次処理する少なくとも２つの処理装置ＰＲ（処理部）が並んでいれば、適用可能である。その場合、２つの処理装置ＰＲ間で、予め設定される設定条件に対して発生した誤差に起因する不具合（線幅変化等）を結果的に打ち消す、または抑制するように２つの処理装置ＰＲの各処理条件の動的な調整、或いは２つの処理装置ＰＲの各々での基板Ｐの搬送速度の一時的な変更を行えばよい。この場合、第１の実施態様が適用される２つの処理装置ＰＲ（処理部）は、必ずしも基板Ｐの搬送方向（長尺方向）に相前後して配置される必要はなく、第１の実施態様が適用される２つの処理装置ＰＲ（処理部）の間に少なくとも１つの別の処理装置ＰＲ（処理部）を配置した構成であってもよい。例えば、露光処理の後に現像処理を行う場合、第１の実施態様では基板Ｐを露光部を通して直ちに現像部に送るとしたが、露光後のフォトレジスト層を比較的に高い温度で加熱するポストベーク処理を施してから現像する場合、そのポストベーク処理用の加熱装置（加熱部）等が、その別の処理装置ＰＲに対応し得る。

なお、上記第１の実施の形態では、説明を簡単にするため、実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する処理装置ＰＲが１つの場合を例に挙げて説明したが、実処理の処理状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する処理装置ＰＲが２つ以上であってもよい。この場合も、上述したように、処理誤差Ｅが生じた処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ３を含まない場合は、優先的に処理装置ＰＲ３の設定条件を変える。また、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ３を含む場合は、まず、処理装置ＰＲ３の設定条件を変更する。

［第１の実施の形態の変形例］
上記第１の実施の形態は、以下のように変形してもよい。

（変形例１）以上の第１の実施の形態では、図１に示したデバイス製造システム（製造ライン）に設置される複数の処理装置ＰＲ（ＰＲ１〜ＰＲ５）の各々が、各処理装置ＰＲの処理条件や設定条件の調整に応じて、各処理装置を通るシート状の基板Ｐの搬送速度を処理動作中に調整可能とした。しかしながら、各処理装置ＰＲを通る基板Ｐの搬送速度は、その処理装置ＰＲ毎に一定とし、処理装置ＰＲ間での基板Ｐの搬送速度の差に起因する基板Ｐの搬送量（搬送長）の過不足は、処理装置ＰＲ間に設けた第１蓄積装置ＢＦ１、或いは第２蓄積装置ＢＦ２で吸収する構成としてもよい。このような構成の場合、処理装置ＰＲ間での基板Ｐの搬送速度の差の許容範囲は、概ね、連続処理すべき基板Ｐの全長Ｌｆと、第１蓄積装置ＢＦ１、または、第２蓄積装置ＢＦ２の最大の蓄積長とによって決まる。

例えば、第１蓄積装置ＢＦ１の上流側の処理装置ＰＲ２での基板Ｐの搬送速度をＶａ、第１蓄積装置ＢＦ１の下流側（すなわち、第２蓄積装置ＢＦ２の上流側）の処理装置ＰＲ３（露光装置ＥＸ等のパターニング装置）での基板Ｐの搬送速度をＶｂ、第２蓄積装置ＢＦ２の下流側の処理装置ＰＲ４（または処理装置ＰＲ５）での基板Ｐの搬送速度をＶｃとする。この場合、全長Ｌｆの基板Ｐの連続処理の間に必要な第１蓄積装置ＢＦ１の必要蓄積長Ｌａｃ１は、搬送速度Ｖａ、ＶｂがＶａ＞Ｖｂの関係の場合は、Ｌａｃ１＝Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖａ）となり、Ｖｂ＞Ｖａの場合は、Ｌａｃ１＝Ｌｆ（１−Ｖａ／Ｖｂ）となる。同様に、全長Ｌｆの基板Ｐの連続処理の間に必要な第２蓄積装置ＢＦ２の必要蓄積長Ｌａｃ２は、搬送速度Ｖｂ、ＶｃがＶｂ＞Ｖｃの関係の場合は、Ｌａｃ２＝Ｌｆ（１−Ｖｃ／Ｖｂ）となり、Ｖｃ＞Ｖｂの場合は、Ｌａｃ２＝Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖｃ）となる。

そこで、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々の処理条件の下で適切に設定される基板Ｐの目標となる搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが決められたら、上記の計算により、第１蓄積装置ＢＦ１の必要蓄積長Ｌａｃ１と第２蓄積装置ＢＦ２の必要蓄積長Ｌａｃ２を求め、その必要蓄積長Ｌａｃ１、Ｌａｃ２が確保できるように、第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２の各々の最大の蓄積長を調整する。最大の蓄積長の調整は、図３中の第１蓄積装置ＢＦ１内の複数のダンサーローラ２０、および、第２蓄積装置ＢＦ２内の複数のダンサーローラ２２で基板Ｐを折り返す回数（基板Ｐを支持するダンサーローラ２０、２２の本数）を異ならせることで可能である。ダンサーローラ２０、２２による基板Ｐの折り返し回数を少なくすることは、基板Ｐに形成される薄膜層や電子デバイス用のパターンにダメージを与える可能性、異物（塵埃）の付着可能性を低減させるので望ましい。また、個々のダンサーローラ２０、２２の位置を、最大の蓄積長に応じて変えることができるようにしておく。つまり、ダンサーローラ２０、２２の各々を個別にＺ方向に移動して、その位置を調整することができるアクチュエータを第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２内に設ける。このアクチュエータは、上位制御装置１４または下位制御装置２４によって制御される。

なお、図３に示した第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２も同様）は、それ自体が単体のユニットとして取り外し可能、または、タンデム（直列）に増設可能な構成にすることができる。したがって、上記の計算で得られた必要蓄積長Ｌａｃ１（Ｌａｃ２）が長くなる場合は、第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）の複数をタンデムに接続することで、基板Ｐの最大蓄積長を容易に増やせる。その後、供給用ロールＦＲ１から引き出された基板Ｐの先端を、順次、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５、および、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２に通して回収用ロールＦＲ２に巻き付け、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２での基板Ｐの蓄積長を初期状態に設定してから、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５による処理動作（搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃによる基板Ｐの搬送）が開始される。本変形例１の場合も、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々が設定された一定の搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃで基板Ｐを搬送し続ける間、基板Ｐに形成されるパターンの品質が、例えば、図６中の撮像装置８３によるパターンの画像データ解析結果に基づいて、変化している(低下している)と検知されたときは、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々の搬送速度以外の処理条件（設定条件）の変更可否の判定、処理条件を変更可能な処理装置ＰＲの特定、変更する条件の程度の演算等が、例えば、上位制御装置１４によって適宜行われる。上位制御装置１４は、特定された処理装置ＰＲに設定条件の変更内容、変更タイミング等を指令する。これによって、基板Ｐ上に形成される電子デバイス用のパターン等の品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）を、基板Ｐの全長Ｌｆに渡って所定の許容範囲内に収めることができる。

（変形例２）第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）を増設しない場合、１つの第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）の最大蓄積長は有限である為、連続処理する基板Ｐの全長Ｌｆが長かったり、搬送速度の比Ｖａ：Ｖｂ（Ｖｂ：Ｖｃ）が大きかったりすると、全長Ｌｆに渡る連続処理の途中で、第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）での基板Ｐの蓄積長が満杯になったり、蓄積長がゼロになったりする。そこで、本変形例２では、予め定められる第１蓄積装置ＢＦ１、第２蓄積装置ＢＦ２の最大蓄積長Ｌｍ１、Ｌｍ２に基づいて、全長Ｌｆに渡る基板Ｐの連続処理を滞る（一時停止する）こと無く実施するように、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々での基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを予め設定する。すなわち、第１蓄積装置ＢＦ１の最大蓄積長Ｌｍ１が、Ｌｍ１≧Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖａ）、または、Ｌｍ１≧Ｌｆ（１−Ｖａ／Ｖｂ）の条件を満たし、第２蓄積装置ＢＦ２の最大蓄積長Ｌｍ２が、Ｌｍ２≧Ｌｆ（１−Ｖｃ／Ｖｂ）、または、Ｌｍ２≧Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖｃ）の条件を満たすように、各搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを予め設定する。

そして、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々は、設定された基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃにおいて最適な処理を施すように、各部の設定条件を予め調整しておく。少なくとも全長Ｌｆの基板Ｐを連続処理する間、すなわち処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々が設定された搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃで基板Ｐを搬送し続ける間、基板Ｐに形成されるパターンの品質が低下する傾向にあることが検知された場合は、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々の搬送速度以外の処理条件（設定条件）の変更可否の判定、処理条件を変更可能な処理装置ＰＲの特定、変更する条件の程度の演算等を、例えば、上位制御装置１４によって適宜行いながら、基板Ｐを処理することができる。これによって、基板Ｐ上に形成される電子デバイス用のパターン等の品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）を、基板Ｐの全長Ｌｆに渡って所定の許容範囲内に収めることができる。

また、変形例１、変形例２のように、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々における基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを予め設定してから、基板Ｐの全長Ｌｆに渡る連続処理を開始した後に、例えば、処理装置ＰＲ２によって塗布されるレジスト層の厚み変動によって、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の後に出現するパターンの品質が目標値に対して変動してきた場合、処理装置ＰＲ３、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の各々における各種処理条件（設定条件）を調整する。その際、上述の第１の実施形態のように、処理装置ＰＲ３や処理装置ＰＲ４に予め設定された基板Ｐの搬送速度Ｖｂ、Ｖｃを微調整するモードを組み込んだ制御方法に移行することもできる。なお、変形例１や変形例２は、３つの処理装置ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４（ＰＲ５）と２つの蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２とを前提に説明したが、２つの処理装置ＰＲと、その間に設けられた１つの蓄積装置とで構成される製造システムの場合でも同様に適用可能である。また、変形例１、変形例２において、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々における基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃは、可能であれば、所定の誤差範囲内（例えば、±数％以内）で互いに等しく設定するのが望ましい。

以上の変形例１、変形例２においては、長尺の可撓性のシート状の基板Ｐを長尺方向に沿って搬送しながら、基板Ｐに電子デバイス用のパターンを形成する際に、基板Ｐに対して互いに異なる処理を施す第１処理工程（例えば、処理装置ＰＲ２による成膜工程）、第２処理工程（例えば、処理装置ＰＲ３による露光工程と処理装置ＰＲ４、ＰＲ５による現像工程、メッキ工程等）の順番で基板Ｐを搬送する搬送工程と、第１処理工程の処理装置ＰＲに設定される第１処理条件の下で、基板Ｐの表面に被膜層（感光性機能層）を選択的または一様に成膜することと、第２処理工程の処理装置ＰＲに設定される第２処理条件の下で、被膜層にパターンに対応した改質部を生成し、改質部と非改質部のいずれか一方を除去する処理、または改質部と非改質部のいずれか一方に電子デバイス用の材料を析出する処理を施して基板Ｐ上にパターンを出現させることと、第２処理工程において出現したパターンが、目標となる形状または寸法に対して変動する傾向（品質が低下する傾向）を示す場合は、その傾向に応じて、第１処理条件と第２処理条件の少なくとも一方の条件の変更可否を判定することと、を行うことで、製造ライン全体を止める可能性を低減させたデバイス製造方法が実施できる。すなわち、第１処理条件と第２処理条件の少なくとも一方の条件の変更が可能であると判定された場合は、基板Ｐ上に形成されるパターンの品質を維持した製造ラインの稼働が継続可能であることを事前に通報できることを意味する。その為、生産現場のオペレータが製造ラインを早計に止めることを回避できる。このことは、先の第１の実施形態でも同様である。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。上記第１の実施の形態と同一の構成については、同一の参照符号を付してその説明を省略する。図１０は、本第２の実施の形態のデバイス製造システム１０の概略的な構成を示す概略構成図である。なお、図１０においては、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２の図示を省略している。

デバイス製造システム１０は、基板Ｐに情報を形成（付与）する情報形成装置ＳＴ（ＳＴ１〜ＳＴ５）と、基板Ｐに形成（付与）されている情報を読み取って、情報を収集する情報収集装置９０とを有する。情報形成装置ＳＴ（ＳＴ１〜ＳＴ５）は、インクジェット方式によって基板Ｐに印刷することで情報を形成してもよいし、基板Ｐに刻印することで情報を形成してもよい。また、情報形成装置ＳＴ（ＳＴ１〜ＳＴ５）は、形成したい情報の内容をそのまま基板Ｐに形成してもよいし、形成した情報の内容を暗号化（例えば、バーコード化、ＱＲコード化）して基板Ｐに形成してもよい。

情報形成装置ＳＴ１は、処理装置ＰＲ１が基板Ｐに施した処理状態に関する情報を基板Ｐに形成する。処理装置ＰＲ１が基板Ｐに施した処理状態は、プラズマを射出するために印加した電圧およびプラズマを照射した照射時間等の実処理の状態である。情報形成装置ＳＴ１は、処理装置ＰＲ１の図示しない下位制御装置または上位制御装置１４の制御にしたがって、基板Ｐに処理装置ＰＲ１の処理状態に関する情報を基板Ｐに形成する。この情報形成装置ＳＴ１は、基板Ｐの搬送方向に沿って、処理装置ＰＲ１と処理装置ＰＲ２との間に設けられているが、処理装置ＰＲ１の内部に設けられていてもよい。情報形成装置ＳＴ１は、電子デバイス領域Ｗ毎に、処理装置ＰＲ１が電子デバイス領域Ｗに施した処理状態に関する情報を基板Ｐに形成してもよく、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態の傾向が一定の範囲を超えて変わった時点で、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態に関する情報を基板Ｐに形成してもよい。

情報形成装置ＳＴ２は、処理装置ＰＲ２が基板Ｐに施した処理状態または処理誤差Ｅ２に関する情報を基板Ｐに形成する。処理装置ＰＲ２が基板Ｐに施した処理状態は、実際に成膜した感光性機能層の膜厚等の実処理の状態である。処理誤差Ｅ２は、実際に成膜した感光性機能層の膜厚の目標の膜厚条件に対する処理誤差等である。情報形成装置ＳＴ２は、処理装置ＰＲ２の下位制御装置１８または上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ２の処理状態または処理誤差Ｅ２に関する情報を基板Ｐに形成する。この情報形成装置ＳＴ２は、基板Ｐの搬送方向に沿って、処理装置ＰＲ２と第１蓄積装置ＢＦ１または処理装置ＰＲ３との間に設けられているが、処理装置ＰＲ２の内部であって、乾燥装置１６の下流側に設けられていてもよい。情報形成装置ＳＴ２は、電子デバイス領域Ｗ毎に、処理装置ＰＲ２が電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ２に関する情報を基板Ｐに形成してもよく、また、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ２の傾向が一定の範囲を超えて変わった時点で、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ２に関する情報を基板Ｐに形成してもよい。

情報形成装置ＳＴ３は、処理装置ＰＲ３が基板Ｐに施した処理状態または処理誤差Ｅ３に関する情報を基板Ｐに形成する。処理装置ＰＲ３が基板Ｐに施した処理状態は、レーザ光ＬＢの強度およびスポット光ＳＰの走査速度等の実処理の状態である。処理誤差Ｅ３は、実際に照射したレーザ光ＬＢの強度の目標の強度条件に対する処理誤差やスポット光ＳＰの走査速度の目標の走査速度条件に対する処理誤差等である。情報形成装置ＳＴ３は、パターン形成装置１２の下位制御装置２４または上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ３の処理状態または処理誤差Ｅ３に関する情報を基板Ｐに形成する。この情報形成装置ＳＴ３は、基板Ｐの搬送方向に沿って、処理装置ＰＲ３と第２蓄積装置ＢＦ２または処理装置ＰＲ４との間に設けられているが、処理装置ＰＲ３の内部であって、回転ドラムＤＲ２の下流側に設けられていてもよい。情報形成装置ＳＴ３は、電子デバイス領域Ｗ毎に、処理装置ＰＲ３が電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ３に関する情報を基板Ｐに形成してもよく、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ３の傾向が一定の範囲を超えて変わった時点で、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ３に関する情報を基板Ｐに形成してもよい。

情報形成装置ＳＴ４は、処理装置ＰＲ４が基板Ｐに施した処理状態または処理誤差Ｅ４に関する情報を基板Ｐに形成する。処理装置ＰＲ４が基板Ｐに施した処理状態は、現像液の温度・濃度、浸漬時間等の実処理の状態である。処理誤差Ｅ４は、実際の現像液の温度の目標の温度条件に対する処理誤差、実際の現像液の濃度の目標の濃度条件に対する処理誤差、実際の浸漬時間の目標の浸漬時間条件に対する処理誤差等である。情報形成装置ＳＴ４は、処理装置ＰＲ４の下位制御装置８０または上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ４の処理状態または処理誤差Ｅ４に関する情報を基板Ｐに形成する。この情報形成装置ＳＴ４は、基板Ｐの搬送方向に沿って、処理装置ＰＲ４と処理装置ＰＲ５との間に設けられているが、処理装置ＰＲ４の内部であって、案内ローラＲ７の下流側に設けられていてもよい。情報形成装置ＳＴ４は、電子デバイス領域Ｗ毎に、処理装置ＰＲ４が電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ４に関する情報を基板Ｐに形成してもよく、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ４の傾向が一定の範囲を超えて変わった時点で、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ４に関する情報を基板Ｐに形成してもよい。

情報形成装置ＳＴ５は、処理装置ＰＲ５が基板Ｐに施した処理状態または処理誤差Ｅ５に関する情報を基板Ｐに形成する。処理装置ＰＲ５が基板Ｐに施した処理状態は、エッチング液の温度・濃度、浸漬時間等の実処理の状態である。処理誤差Ｅ５は、実際のエッチング液の温度の目標の温度条件に対する処理誤差、実際のエッチング液の濃度の目標の濃度条件に対する処理誤差、実際の浸漬時間の目標の浸漬時間条件に対する処理誤差等である。情報形成装置ＳＴ５は、処理装置ＰＲ５の下位制御装置８０または上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ５の処理状態または処理誤差Ｅ５に関する情報を基板Ｐに形成する。この情報形成装置ＳＴ５は、基板Ｐの搬送方向に沿って、処理装置ＰＲ５の下流側に設けられているが、処理装置ＰＲ５の内部であって、案内ローラＲ７の下流側に設けられていてもよい。情報形成装置ＳＴ５は、電子デバイス領域Ｗ毎に、処理装置ＰＲ５が電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ５に関する情報を基板Ｐに形成してもよく、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ５の傾向が一定の範囲を超えて変わった時点で、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅ５に関する情報を基板Ｐに形成してもよい。

この情報形成装置ＳＴ１〜ＳＴ５は、図１１に示すように、基板Ｐの電子デバイス領域Ｗ以外の領域に情報を形成する。図１１のＳｉ１は、情報形成装置ＳＴ１によって形成された情報を示し、Ｓｉ２は、情報形成装置ＳＴ２によって形成された情報を示す。同様に、Ｓｉ３、Ｓｉ４、Ｓｉ５は、情報形成装置ＳＴ３、ＳＴ４、ＳＴ５によって形成された情報を示す。情報形成装置ＳＴ１〜ＳＴ５は、互いに異なる基板Ｐ上の領域に情報Ｓｉ１〜Ｓｉ５を形成する。これにより、基板Ｐ上に情報Ｓｉが形成された領域に基づいて、その情報Ｓｉがどの情報形成装置ＳＴ１〜ＳＴ５によって形成されたのかを容易に認識することができる。

なお、基板Ｐ上に形成する情報Ｓｉ１〜Ｓｉ５は、電子デバイス領域Ｗの内部に形成してもよい。その場合は、電子デバイス領域Ｗ内でデバイス用の配線や半導体素子、或いは画素領域等に影響を与えないように、情報Ｓｉ１〜Ｓｉ５の形成面積を十分に小さくして電子デバイス領域Ｗ内の空白領域に配置するようにする。或いは、電子デバイス領域Ｗ内で、外部回路との接続のために比較的大きな電極パッドが形成される場合は、そのパッドの内部に情報Ｓｉ１〜Ｓｉ５を形成してもよい。

情報収集装置９０は、基板Ｐに形成（付与）された情報Ｓｉを読み取る情報読取部ＭＴ（ＭＴ１〜ＭＴ５）と、情報読取部ＭＴ（ＭＴ１〜ＭＴ５）が読み取った情報Ｓｉを収集する情報収集部９２とを備える。情報読取部ＭＴ（ＭＴ１〜ＭＴ５）は、基板Ｐを撮像することで基板Ｐに形成された情報Ｓｉを読み取る。情報読取部ＭＴ１は、処理装置ＰＲ１の図示しない下位制御装置または上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ１より前の工程で基板Ｐに施された処理状態または処理誤差に関する情報Ｓｉを読み取る。情報読取部ＭＴ１は、基板Ｐの搬送方向に沿って処理装置ＰＲ１よりも上流側に設けられているが、処理装置ＰＲ１の内部に設けられていてもよい。

情報読取部ＭＴ２は、処理装置ＰＲ２の下位制御装置１８または上位制御装置１４の制御にしたがって、情報形成装置ＳＴ１が基板Ｐに形成した処理状態に関する情報Ｓｉ１を読み取る。情報読取部ＭＴ２は、基板Ｐの搬送方向に沿って処理装置ＰＲ１と処理装置ＰＲ２との間であって、情報形成装置ＳＴ１より下流側に設けられている。なお、情報読取部ＭＴ２は、情報形成装置ＳＴ１より下流側に設けられていればよいので、例えば、処理装置ＰＲ２の内部に設けられていてもよい。情報読取部ＭＴ３は、パターン形成装置１２の下位制御装置２４または上位制御装置１４の制御にしたがって、情報形成装置ＳＴ２が基板Ｐに形成した処理状態または処理誤差Ｅ２に関する情報Ｓｉ２を読み取る。情報読取部ＭＴ３は、基板Ｐの搬送方向に沿って処理装置ＰＲ２または第１蓄積装置ＢＦ１と処理装置ＰＲ３との間であって、情報形成装置ＳＴ２より下流側に設けられている。なお、情報読取部ＭＴ３は、情報形成装置ＳＴ２より下流側に設けられていればよいので、例えば、処理装置ＰＲ３の内部に設けられていてもよい。

情報読取部ＭＴ４は、処理装置ＰＲ４の下位制御装置８０または上位制御装置１４の制御にしたがって、情報形成装置ＳＴ３が基板Ｐに形成した処理状態または処理誤差Ｅ３に関する情報Ｓｉ３を読み取る。情報読取部ＭＴ４は、基板Ｐの搬送方向に沿って処理装置ＰＲ３または第２蓄積装置ＢＦ２と処理装置ＰＲ４との間であって、情報形成装置ＳＴ３より下流側に設けられている。なお、情報読取部ＭＴ４は、情報形成装置ＳＴ３より下流側に設ければよいので、例えば、処理装置ＰＲ４の内部に設けられていてもよい。情報読取部ＭＴ５は、処理装置ＰＲ５の下位制御装置８０または上位制御装置１４の制御にしたがって、情報形成装置ＳＴ４が基板Ｐに形成した処理状態または処理誤差Ｅ４に関する情報Ｓｉ４を読み取る。情報読取部ＭＴ５は、基板Ｐの搬送方向に沿って処理装置ＰＲ４と処理装置ＰＲ５との間であって、情報形成装置ＳＴ４より下流側に設けられている。なお、情報読取部ＭＴ５は、情報形成装置ＳＴ４より下流側に設けられていればよいので、例えば、処理装置ＰＲ５の内部に設けられていてもよい。情報形成装置ＳＴ５が基板Ｐに形成した情報Ｓｉ５は、次の工程の処理を行う際に読み取られる。

情報収集部９２は、情報読取部ＭＴ１〜ＭＴ５が読み取った情報Ｓｉを収集し、上位制御装置１４に出力する。上位制御装置１４は、情報読取部ＭＴ１〜ＭＴ５が読み取った情報Ｓｉを元に、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅが発生しているか否かを判断し、許容範囲を超えて処理誤差Ｅが発生している場合は、上記第１の実施の形態で説明したように、処理装置ＰＲの設定条件を変更する。本第２の実施の形態では、電子デバイス領域Ｗ毎に各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５が電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅに関する情報Ｓｉ１〜Ｓｉ５が基板Ｐに形成され、または、電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅの傾向が一定の範囲を超えて変わった時点で、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５が電子デバイス領域Ｗに施した処理状態または処理誤差Ｅに関する情報Ｓｉ１〜Ｓｉ５が基板Ｐに形成される。したがって、上位制御装置１４は、電子デバイス領域Ｗ毎に、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５によって施された処理状態または処理誤差Ｅを簡単に管理することができる。したがって、電子デバイス領域Ｗ毎に形成されるパターンを所望のパターンにすることができる。

また、基板Ｐはシート状の基板のため、基板Ｐのデバイス形成領域Ｗに形成した電子デバイス用のパターンが不良品の場合は、基板Ｐを切断して基板Ｐの一部分（不良品の部分、例えば、不良品のデバイス形成領域Ｗの部分）を除去し、残った基板Ｐを接合して１枚の基板Ｐにする場合もある。また、切断して除去した部分に他の基板Ｐを繋いで基板Ｐを接合するという場合もある。このように、基板Ｐを切断、接合することで、電子デバイス領域Ｗの順番が大きく変わり、各電子デバイス領域Ｗに施された実処理の状態を把握することが困難となる。例えば、１、２、３、４、５、６、７、・・・・、という順番で電子デバイス領域Ｗが基板Ｐの長尺方向に沿って連なっている基板Ｐの４番目と５番目の電子デバイス領域Ｗを切断して除去し、その替わりに、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、という順番で電子デバイス領域Ｗが基板Ｐの長尺方向に沿って連なっている基板Ｐを繋ぐと、繋がれた後の基板Ｐは、１、２、３、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、６、７、・・・・、という順番で電子デバイス領域Ｗが連なった１枚の基板Ｐとなる。この場合は、この基板Ｐの各電子デバイス領域Ｗに施された実処理の状態を把握することが困難となるが、上記第２の実施の形態では、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の処理状態または処理誤差Ｅに関する状態を基板Ｐに形成するので、このような場合であっても各電子デバイス領域Ｗに施された実処理の状態を容易に把握することができる。

以上、本発明の第２の実施態様によれば、複数の処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５のうち、実処理の状態が目標の処理状態に対して処理誤差Ｅを発生している処理装置ＰＲが処理誤差Ｅに関する情報を基板Ｐ上の所定位置に形成していくので、特に後工程を実施する処理装置ＰＲは、基板Ｐ上の情報を読み取ることによって、前工程で発生していた処理誤差Ｅがリカバー可能か否かを判定したり、リカバー可能な場合はその処理条件を導出したりして、後工程を継続して実施することができる。そのため、製造ラインを止めることなく、継続して電子デバイスを製造することができる。

また、本発明の第２の実施態様は、必ずしも３つの異なる処理装置ＰＲ（処理部）が基板Ｐの搬送方向（長尺方向）に並ぶ製造ラインに限られず、基板Ｐを順次処理する少なくとも２つの処理装置ＰＲ（処理部）が並んでいれば、実施可能である。この場合、第２の実施態様が適用される２つの処理装置ＰＲ（処理部）は、必ずしも基板Ｐの搬送方向（長尺方向）に相前後して配置される必要はなく、適用される２つの処理装置ＰＲ（処理部）の間に少なくとも１つの別の処理装置ＰＲ（処理部）を配置した構成であってもよい。例えば、露光処理の後に現像処理を行う場合、露光部を通った基板Ｐを直ちに現像部に送るのではなく、露光後のフォトレジスト層を比較的に高い温度で加熱するポストベーク処理を施してから現像する場合、そのポストベーク処理用の加熱装置（加熱部）等が、その別の処理装置ＰＲに対応し得る。

［第１および第２の実施の形態の変形例］
上記第１および第２の実施の形態は、以下のように変形してもよい。

（変形例１）変形例１では、処理装置ＰＲ３および処理装置ＰＲ４を１つの処理ユニットＰＵ２として構成する。つまり、処理ユニットＰＵ２は、処理装置ＰＲ２から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、露光処理および現像処理の処理工程（第２処理工程）を行う装置である。この露光処理によって、感光性機能層にパターンに対応した潜像（改質部）が形成され、現像処理によって、改質部または非改質部のいずれか一方が溶解し除去されて、感光性機能層にパターンが出現する。なお、処理ユニットＰＵ２は、露光処理およびメッキ処理の処理工程を行う装置であってもよく、この場合は、メッキ処理によって、改質部または非改質部のいずれか一方にパラジウムイオン等の電子デバイス用の材料（金属）が析出される。

図１２は、処理ユニットＰＵ２の構成の示す図である。上記第１および第２の実施の形態と同一の構成については同様の符号を付して、その説明を省略するとともに、本変形例１を説明するのに特に必要のない構成についてはその図示を省略している。処理ユニットＰＵ２は、搬送部１００、露光ヘッド３６、処理槽ＢＴ、および、乾燥部１０２を備える。なお、図示しないが、処理ユニットＰＵ２は、光源装置３２、光導入光学系３４、強度センサ３７、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）、ヒータＨ１、Ｈ２、ヒータ駆動部８２、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、および、撮像装置８３等も有している。また、処理ユニットＰＵ２は、図示しない下位制御装置によって制御される。第１蓄積装置ＢＦ１は、処理装置ＰＲ２と処理ユニットＰＵ２との間に設けられ、第２蓄積装置ＢＦ２は、処理ユニットＰＵ２と処理装置ＰＲ５との間に設けられている。

搬送部１００は、基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）から順に、駆動ローラＮＲ１０、テンション調整ローラＲＴ１０、回転ドラムＤＲ２、案内ローラＲ１０、回転ドラムＤＲ３、案内ローラＲ１２、テンション調整ローラＲＴ１２、および、駆動ローラＮＲ１２を有する。駆動ローラＮＲ１０は、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に向かって搬送する。回転ドラムＤＲ２は、外周面に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ２を中心に回転して基板Ｐを案内ローラＲ１０に搬送する。案内ローラＲ１０は、回転ドラムＤＲ２から送られてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ３に導く。

回転ドラムＤＲ３は、Ｙ方向に延びる中心軸ＡＸ３と、中心軸ＡＸ３から一定半径の円筒状の円周面とを有し、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ３を中心に回転して基板Ｐを案内ローラＲ１２に導く。回転ドラムＤＲ３は、下側（−Ｚ方向側、つまり、重力が働く方向側）の外周面の約半周面で基板Ｐを支持する。案内ローラＲ１２は、送られてきた基板Ｐを駆動ローラＮＲ１２に向かって搬送する。駆動ローラＮＲ１２は、送られて基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ５側に搬送する。テンション調整ローラＲＴ１０、ＲＴ１２は、駆動ローラＮＲ１０と駆動ローラＮＲ１２との間で搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。テンション調整ローラＲＴ１０は、＋Ｚ方向に付勢されており、テンション調整ローラＲＴ１２は、−Ｚ方向に付勢されている。

駆動ローラＮＲ１０、ＮＲ１２、回転ドラムＤＲ２、ＤＲ３は、処理ユニットＰＵ２の前記下位制御装置によって制御される回転駆動源（モータや減速機等）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ１０、ＮＲ１２、回転ドラムＤＲ２、ＤＲ３の回転速度によって処理ユニットＰＵ２内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ１０、ＮＲ１２、回転ドラムＤＲ２、ＤＲ３に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度情報）は、処理ユニットＰＵ２の前記下位制御装置を介して上位制御装置１４に送られる。

回転ドラムＤＲ３は、その円周面の一部が処理槽ＢＴに貯留されている現像液に浸漬するように処理槽ＢＴの上方に設けられている。したがって、回転ドラムＤＲ３によって支持された基板Ｐを現像液に浸漬することができる。また、回転ドラムＤＲ３（または処理槽ＢＴ）は、Ｚ方向に移動可能となっており、回転ドラムＤＲ３が＋Ｚ方向に移動（または処理槽ＢＴが−Ｚ方向に移動）すると、回転ドラムＤＲ３の円周面が処理槽ＢＴに貯留されている現像液に浸漬する面積が減少し、回転ドラムＤＲ３が−Ｚ方向に移動（または処理槽ＢＴが＋Ｚ方向に移動）すると、回転ドラムＤＲ３の円周面が処理槽ＢＴに貯留されている現像液に浸漬する面積が増加する。これにより、回転ドラムＤＲ３（または処理槽ＢＴ）をＺ方向に移動することで、基板Ｐが現像液に浸漬する時間（浸漬時間）を変えることができる。この回転ドラムＤＲ３（または処理槽ＢＴ）には、図示しないが回転ドラムＤＲ３と処理槽ＢＴとのＺ方向の間隔（回転ドラムＤＲ３の中心軸ＡＸ３と処理槽ＢＴ内の現像液の表面との間隔）を調整する駆動機構が設けられ、該駆動機構は、処理ユニットＰＵ２の前記下位制御装置の制御によって駆動する。案内ローラＲ１２は、乾燥部１０２に設けられ、乾燥部１０２は、回転ドラムＤＲ３から案内ローラＲ１２を介してテンション調整ローラＲＴ１２に搬送される基板Ｐに付着している現像液を除去する。

なお、感光性機能層が感光性シランカップリング剤や感光性還元剤の場合は、処理ユニットＰＵ２の処理槽ＢＴには、現像液の代わりに、例えば、パラジウムイオン等の電子デバイス用の材料（金属）を含むメッキ液が貯留される。つまり、この場合は、処理ユニットＰＵ２は、露光処理とメッキ処理を行う装置となる。基板Ｐをメッキ液に浸漬することで、感光性機能層に形成された潜像（改質部）に応じて電子デバイス用の材料が析出され、基板Ｐにパターンが形成される。ポジ型の場合は、紫外線が照射された部分が改質され、紫外線が照射されていない非改質部に電子デバイス用の材料が析出される。ネガ型の場合は、紫外線が照射された部分が改質され、改質部に電子デバイス用の材料が析出される。これにより、基板Ｐに金属層（導電性）のパターンが出現する。ここでも、回転ドラムＤＲ３と処理槽ＢＴのＺ方向の間隔を調整したり、処理槽ＢＴ内のメッキ液の量（液面高さ）を調整したりすることによって、基板Ｐのメッキ液への浸漬時間が調整でき、基板Ｐの表面に析出するパラジウムの金属核の濃度が調整できる。

処理ユニットＰＵ２は、設定条件（第２の設定条件）にしたがって露光処理と現像処理（またはメッキ処理）を行う。処理ユニットＰＵ２の設定条件として、レーザ光ＬＢの強度を規定する強度条件、スポット光ＳＰの走査速度（ポリゴンミラー６６の回転速度）を規定する走査速度条件、多重露光回数を規定する露光回数条件、描画するパターンを規定するパターン条件（パターンデータ）、現像液（またはメッキ液）の温度を規定する温度条件、現像液（またはメッキ液）の濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件（第２処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。露光処理は、強度条件、走査速度条件、露光回数条件、および、パターン条件等にしたがって行われる。現像処理（またはメッキ処理）は、温度条件、濃度条件、浸漬時間条件等にしたがって行われる。この設定条件は、処理ユニットＰＵ２によって施される実処理の状態が、目標の処理状態となるように予め設定される。

設定条件の変更については、上記第１の実施の形態で説明したので詳しくは説明しないが、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ２の各々において基板Ｐに施される実処理の状態の少なくとも１つが、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する場合は、処理誤差Ｅを発生する処理装置ＰＲまたは処理ユニットＰＵ２以外の他の装置の設定条件を処理誤差Ｅに応じて変化させる。その理由は、言うまでもないが、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ２が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有している場合には、基板Ｐに所望の金属層のパターンを出現させることはできないからである。

処理誤差Ｅを呈する設定条件が、処理ユニットＰＵ２の設定条件の場合は、まず、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、処理ユニットＰＵ２の設定条件を変更する。そして、処理ユニットＰＵ２の設定条件を変更しただけでは対応することができない場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、他の処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ５）の設定条件をさらに変更する。このとき、他の処理装置ＰＲの設定条件の変更完了後に、少なくとも処理ユニットＰＵ２の搬送速度条件を元に戻す。また、処理誤差Ｅを呈する設定条件が処理ユニットＰＵ２以外の処理装置ＰＲの場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、優先的に処理ユニットＰＵ２の設定条件を変更させる。処理ユニットＰＵ２によって基板Ｐに施された実処理の状態または処理誤差Ｅに関する情報は、図示しない情報形成装置ＳＴによって基板Ｐに形成される。また、この情報は、情報読取部ＭＴ５によって読み取られる。なお、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を、処理ユニットＰＵ２の前後に設けるようにしたが、他の処理装置ＰＲの前後に設けるようにしてもよい。

なお、図１２のように、露光処理部（回転ドラムＤＲ２、露光ヘッド３６等）と湿式処理部（回転ドラムＤＲ３、処理槽ＢＴ等）とを一体的に設けた処理ユニットＰＵ２とした場合、処理ユニットＰＵ２内でのシート基板Ｐの搬送速度は一定であり、露光処理部と湿式処理部とでシート基板Ｐの搬送速度を一時的に異ならせることができない。そのため、シート基板Ｐの搬送速度を一時的に異ならせたい場合は、案内ローラＲ１０の位置に、図３で示したような蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２を設けることになる。つまり、処理ユニットＰＵ２の前後に第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を設けるとともに、回転ドラムＤＲ２と回転ドラムＤＲ３との間に、第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）と同様の構成を有する蓄積装置を１つ設ける。また、第１蓄積装置ＢＦ１を処理装置ＰＲ２と回転ドラムＤＲ２との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ２と回転ドラムＤＲ３との間に設けてもよい。また、第１蓄積装置ＢＦ１を回転ドラムＤＲ２と回転ドラムＤＲ３との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ３と処理装置ＰＲ５との間に設けてもよい。

（変形例２）変形例２では、処理装置ＰＲ２および処理装置ＰＲ３を１つの処理ユニットＰＵ１として構成する。つまり、処理ユニットＰＵ１は、処理装置ＰＲ１から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、成膜処理および露光処理の処理工程（第１処理工程）を行う装置である。この成膜処理によって、基板Ｐの表面に感光性機能液を選択的または一様に塗布することで、基板Ｐの表面に感光性機能層が選択的または一様に形成され、露光処理によって、感光性機能層にパターンに対応した潜像（改質部）が形成される。

図１３は、処理ユニットＰＵ１の構成を示す図である。上記第１および第２の実施の形態と同一の構成については同様の符号を付して、その説明を省略するとともに、本変形例２を説明するのに特に必要のない構成ついてはその図示を省略している。処理ユニットＰＵ１は、搬送部１１０、ダイコータヘッドＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ、乾燥装置１１２、および、露光ヘッド３６を備える。なお、図示しないが、処理ユニットＰＵ１は、光源装置３２、光導入光学系３４、強度センサ３７、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）、膜厚計測装置１６ａ等も有している。また、処理ユニットＰＵ１は、図示しない下位制御装置によって制御される。第１蓄積装置ＢＦ１は、処理装置ＰＲ１と処理ユニットＰＵ１との間に設けられ、第２蓄積装置ＢＦ２は、処理ユニットＰＵ１と処理装置ＰＲ４との間に設けられている。

搬送部１１０は、基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）から順に、駆動ローラＮＲ１４、テンション調整ローラＲＴ１４、回転ドラムＤＲ１、案内ローラＲ１４、Ｒ１６、テンション調整ローラＲＴ１６、回転ドラムＤＲ２、案内ローラＲ１８、および、駆動ローラＮＲ１６を有する。駆動ローラＮＲ１４は、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ１から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを回転ドラムＤＲ１に向かって搬送する。回転ドラムＤＲ１は、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ１を中心に回転して基板Ｐを＋Ｘ方向側に搬送する。案内ローラＲ１４、Ｒ１６は、回転ドラムＤＲ１から送られてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に搬送する。

回転ドラムＤＲ２は、外周面に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ２を中心に回転して基板Ｐを案内ローラＲ１８に搬送する。案内ローラＲ１８は、回転ドラムＤＲ２から送られてきた基板Ｐを駆動ローラＮＲ１６に搬送する。駆動ローラＮＲ１６は、送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ４側に搬送する。テンション調整ローラＲＴ１４、ＲＴ１６は、駆動ローラＮＲ１４と駆動ローラＮＲ１６との間で搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。テンション調整ローラＲＴ１４、ＲＴ１６は、−Ｚ方向に付勢されている。

駆動ローラＮＲ１４、ＮＲ１６、回転ドラムＤＲ１、ＤＲ２は、処理ユニットＰＵ１の前記下位制御装置によって制御される回転駆動源（モータや減速機等）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ１４、ＮＲ１６、回転ドラムＤＲ１、ＤＲ２の回転速度によって処理ユニットＰＵ１内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ１４、ＮＲ１６、回転ドラムＤＲ１、ＤＲ２に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度情報）は、処理ユニットＰＵ１の前記下位制御装置を介して上位制御装置１４に送られる。

案内ローラＲ１４は、乾燥装置１１２に設けられ、乾燥装置１１２は、回転ドラムＤＲ１から案内ローラＲ１４を介して案内ローラＲ１６に搬送される基板Ｐに対して、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付けることで、感光性機能液に含まれる溶質（溶剤または水）を除去して感光性機能液を乾燥させる。これにより、感光性機能層が形成される。

処理ユニットＰＵ１は、設定条件（第１の設定条件）にしたがって成膜処理と露光処理を行う。処理ユニットＰＵ１の設定条件として、感光性機能層を形成する領域を規定する領域条件、感光性機能層の膜厚を規定する膜厚条件、レーザ光ＬＢの強度を規定する強度条件、スポット光ＳＰの走査速度（ポリゴンミラー６６の回転速度）を規定する走査速度条件、多重露光回数を規定する露光回数条件、および、描画するパターンを規定するパターン条件（パターンデータ）等を含む処理条件（第１処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。成膜処理は、領域条件および膜厚条件等にしたがって行われる。露光処理は、強度条件、走査速度条件、露光回数条件、および、パターン条件等にしたがって行われる。この設定条件は、処理ユニットＰＵ１によって施される実処理の状態が、目標とする状態となるように予め設定される。

設定条件の変更については、上記第１の実施の形態で説明したので詳しくは説明しないが、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ１、ＰＲ４、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ１の各々において基板Ｐに施される実処理の状態の少なくとも１つが、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する場合は、処理誤差Ｅを発生する処理装置ＰＲまたは処理ユニットＰＵ１以外の他の装置の設定条件を処理誤差Ｅに応じて変化させる。その理由は、言うまでもないが、処理装置ＰＲ１、ＰＲ４、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ１が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有している場合には、基板Ｐに所望の金属層のパターンを出現させることはできないからである。

処理誤差Ｅを呈する設定条件が、処理ユニットＰＵ１の設定条件の場合は、まず、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、処理ユニットＰＵ１の設定条件を変更する。そして、処理ユニットＰＵ１の設定条件を変更しただけでは対応することができない場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、他の処理装置ＰＲ（ＰＲ４、ＰＲ５）の設定条件をさらに変更する。このとき、他の処理装置ＰＲの設定条件の変更完了後に、少なくとも処理ユニットＰＵ１の搬送速度条件を元に戻す。また、処理誤差Ｅを呈する設定条件が処理ユニットＰＵ１以外の処理装置ＰＲの場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、優先的に処理ユニットＰＵ１の設定条件を変更させる。処理ユニットＰＵ１によって基板Ｐに施された実処理の状態または処理誤差Ｅに関する情報は、図示しない情報形成装置ＳＴによって基板Ｐに形成される。また、この情報は、情報読取部ＭＴ４によって読み取られる。なお、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を、処理ユニットＰＵ１の前後に設けるようにしたが、他の処理装置ＰＲの前後に設けるようにしてもよい。

以上の変形例２では、図１３のように、塗布処理部（回転ドラムＤＲ１、ダイコータヘッドＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ等）、乾燥処理部（乾燥装置１１２等）、露光処理部（回転ドラムＤＲ２、露光ヘッド３６等）を一体的に設けた処理ユニットＰＵ１としたので、処理ユニットＰＵ１内での基板Ｐの搬送速度はどこでも同じである。しかしながら、塗布処理部、乾燥処理部、露光処理部の各々で、基板Ｐの搬送速度を一時的に異ならせる場合は、例えば乾燥処理部（乾燥装置１１２等）の位置に、図３で示したような蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２を設けることになる。つまり、処理ユニットＰＵ１の前後に第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を設けるとともに、回転ドラムＤＲ１と回転ドラムＤＲ２との間に第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）と同様の構成を有する蓄積装置を１つ設ける。また、第１蓄積装置ＢＦ１を回転ドラムＤＲ１と回転ドラムＤＲ２との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ２と処理装置ＰＲ４との間に設けてもよい。また、第１蓄積装置ＢＦ１を処理装置ＰＲ１と回転ドラムＤＲ１との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ１と回転ドラムＤＲ２との間に設けてもよい。

１０…デバイス製造システム １４…上位制御装置
１６…乾燥装置 １６ａ…膜厚計測装置
３６…露光ヘッド ８３…撮像装置
ＡＵ１〜ＡＵ３…アライメント顕微鏡 ＢＦ１…第１蓄積装置
ＢＦ２…第２蓄積装置 ＤＣＨ…ダイコータヘッド
ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３…回転ドラム ＩＪＨ…インクジェットヘッド
Ｐ…シート基板 ＰＲ１〜ＰＲ５…処理装置

Claims (6)

1. 長尺の基板を長尺方向に沿って搬送しながら、前記基板に電子デバイス用のパターンを形成するデバイス製造方法であって、
   前記基板に対して互いに異なる処理を施す第１処理装置、第２処理装置の順番で前記基板を長尺方向に送る搬送工程と、
   前記第１処理装置に設定される第１処理条件の下で、前記基板を前記長尺方向に搬送しつつ、前記基板に処理を施す第１処理工程と、
   前記第２処理装置に設定される第２処理条件の下で、前記第１処理工程を経た前記基板を前記長尺方向に搬送しつつ、前記基板に処理を施し、前記基板上に前記パターンを出現させる第２処理工程と、
   前記基板上に出現した前記パターンの品質が目標に対して変化しているか否かを検知する検知工程と、
   前記基板を前記第１処理装置又は前記第２処理装置によって実処理している状態で前記パターンの品質が低下する傾向を示した場合は、前記第１処理条件と前記第２処理条件の少なくとも一方の処理条件の変更可否を判定し、変更可能なときは前記少なくとも一方の処理条件を変更する変更工程と、
   を含む、デバイス製造方法。
2. 請求項１に記載のデバイス製造方法であって、
   前記搬送工程では、前記第１処理装置と前記第２処理装置の各々を通る前記基板の搬送速度の差と、前記第１処理装置と前記第２処理装置によって連続処理される前記基板の全長とに基づいて決定される前記基板の蓄積長を、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間に設けられる蓄積装置によって蓄積可能とする、デバイス製造方法。
3. 請求項２に記載のデバイス製造方法であって、
   前記搬送工程では、連続処理される前記基板の全長に渡って、前記第１処理装置と前記第２処理装置の各々を通る前記基板の搬送速度を一定に保つ、デバイス製造方法。
4. 請求項２に記載のデバイス製造方法であって、
   前記第１処理工程は、前記基板の表面に被膜層を選択的または全体的に形成する成膜処理を含み、
   前記第２処理工程は、前記被膜層に前記パターンに対応した改質部を生成し、前記改質部と非改質部のいずれか一方を除去する除去処理と、前記改質部と前記非改質部のいずれか一方に前記パターンの材料を析出する析出処理とのいずれか一方の処理を含む、デバイス製造方法。
5. 請求項２に記載のデバイス製造方法であって、
   前記第１処理工程は、前記基板の表面に選択的または全体的に形成された被膜層に、前記パターンに対応したエネルギー線を照射して、前記被膜層に前記パターンに対応した改質部を生成する改質処理を含み、
   前記第２処理工程は、前記被膜層に形成された前記改質部と非改質部のいずれか一方を除去する除去処理と、前記改質部と前記非改質部のいずれか一方に前記パターンの材料を析出する析出処理とのいずれか一方の処理を含む、デバイス製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のデバイス製造方法であって、
   前記検知工程は、前記基板に出現した前記パターンを計測して、その形状または寸法が目標に対してどの程度変化しているかを検知する、デバイス製造方法。

Images