JP6890766B2 - 検出装置 - Google Patents
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Description
図1は実施の形態による撮像装置であるデジタルカメラ100の構成を説明する横断面図である。なお、説明の都合上、x軸、y軸、z軸からなる座標系を図示の通りに設定する。
図3(a)は撮像素子8の中心部を含む一部の領域を模式的に示す平面図であり、図3(b)は撮像素子8の中心付近に設けられた1つの撮像画素80の断面を模式的に示す図であり、図3(c)は撮像素子8の周辺部に設けられた1つの撮像画素80の断面を模式的に示す図である。なお、図3においても、x軸、y軸、z軸からなる座標系を、図1に示す例と同様にして設定する。撮像素子8は、複数の撮像画素80が行方向(x方向)と列方向(y方向)とに二次元配列される。撮像画素80の各画素位置には、たとえばベイヤー配列の規則に従って上述したカラーフィルタ(R:赤色フィルタ、G:緑色フィルタ、B:青色フィルタ)が配置される。図3(a)においては、撮像画素80に配置されたカラーフィルタの色を、「R」、「G」または「B」と表記して模式的に表す。
なお、境界部84とマイクロレンズ81の中心との関係および第1光電変換部82の面積と第2光電変換部83の面積との関係については、詳細を後述する。
図4は撮像画素80の第1光電変換部82および第2光電変換部83の面積と、撮影レンズ系1の射出瞳領域との投影関係を模式的に示す。図4(a)は撮影レンズ系1の射出瞳距離PO1と撮像画素80の射出瞳距離PO2とが実質的に等しい場合、すなわち撮影レンズ系1がミラーレスカメラであるデジタルカメラ100に適合するように設計された専用の交換レンズ等の場合を示す。図4(b)は撮影レンズ系1の射出瞳距離PO1が撮像画素80の射出瞳距離PO2と比べて長い場合、すなわち撮影レンズ系1が、たとえば一眼レフカメラ用に設計された交換レンズや、ミラーレスカメラであるデジタルカメラ100に適合するように設計された専用の交換レンズであるが長い射出瞳距離PO1が設定されている場合を示す。なお、図4(b)においては、理解を容易にすることを目的として、射出瞳距離PO1とPO2が等しい場合の撮影レンズ系1を破線により示す。また、本実施の形態においては、撮像画素80の射出瞳距離PO2は、種々の専用の交換レンズごとに異なる射出瞳距離PO1のうちの中心値と比べて短くなるように設定されている。以下の説明では、図3においてx方向+側の周辺領域に配列された撮像画素80cを例に挙げて説明を挙げる。
全ての複数の撮像画素80では、一対の第1光電変換部82と第2光電変換部83との面積の合計が実質的に等しく、複数の撮像画素80の配列位置、すなわち撮像素子8の中心付近からの距離に応じて、一対の第1光電変換部82および第2光電変換部83の面積が異なる。すなわち、撮像素子8の中央付近からの距離が増加するほど、一対の第1光電変換部82と第2光電変換部83との面積差が増加する。したがって、射出瞳距離PO1が撮像素子8の射出瞳距離PO2よりも長い撮影レンズ系1が装着された場合のように、撮像素子8の周辺部にて入射光束がケラレの影響を受けるような場合であっても、第1光電変換部82または第2光電変換部83への入射光量を確保することができる。このため、ケラレの影響を受けた光束851を第1光電変換部82が演算可能となる光量を受光するまでに、第2光電変換部83がケラレの影響を受けていない光束852を受光した第2光電変換部83の出力が飽和することを防ぎ、焦点検出精度の低下を抑制できる。
(1)実施の形態においては、図4に示すように撮像画素80の射出瞳距離PO2よりも撮影レンズ系1の射出瞳距離PO1が長い場合について説明したが、射出瞳距離PO1が短い撮影レンズ系1が装着された場合について説明する。この場合、光束851にはケラレは生じないが光束852にはケラレが生じる。このため、被写体からの光束851は、撮影レンズ系1の射出瞳領域841を通過し、撮像画素80cのマイクロレンズ81cを介して第1光電変換部82cに入射する。また、光束852がケラレることにより、光束852の一部が撮影レンズ系1の射出瞳領域842を通過し、マイクロレンズ81cを介して第2光電変換部83cに入射する。この場合に撮像素子8の周辺領域におけるケラレの影響を低減するためには、撮像素子80cの第1光電変換部82cの面積を第2光電変換部83cの面積と比べて大きくなるように構成すればよい。すなわち、図3(a)に示す撮像画素80cに代えて撮像画素80eを配列すればよい。
80…撮像画素、81…マイクロレンズ、82…第1光電変換部、
83…第2光電変換部、100…デジタルカメラ
Claims (11)
- 光学系と第1マイクロレンズとを透過した光を光電変換する第1光電変換部と第2光電変換部とをそれぞれ有する複数の第1画素と、前記光学系と第2マイクロレンズとを透過した光を光電変換し、前記第1光電変換部と前記第2光電変換部とは異なる受光面積を有する第3光電変換部と第4光電変換部とをそれぞれ有し、前記第3光電変換部および前記第4光電変換部の受光面積が第1の方向の位置によって変化するように配置された複数の第2画素とを有する撮像素子と、
前記第3光電変換部と前記第4光電変換部との受光面積の差が、前記第1の方向の位置によって第1の関係で変化する複数の前記第3光電変換部および前記第4光電変換部からの信号と、前記第3光電変換部と前記第4光電変換部のとの受光面積の差が、前記第1の方向の位置によって第2の関係で変化する複数の前記第3光電変換部および前記第4光電変換部からの信号と、の何れかを前記光学系の情報によって用いて、前記光学系の焦点検出を行う検出部と、
を有する検出装置。 - 請求項1に記載の検出装置において、
前記第1の関係において、前記第3光電変換部の受光面積は、前記第4光電変換部の受光面積よりも大きく、
前記第2の関係において、前記第3光電変換部の受光面積は、前記第4光電変換部の受光面積よりも小さい検出装置。 - 請求項1または2に記載の検出装置において、
前記第1の関係において、前記第3光電変換部の受光面積は、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のそれぞれの受光面積よりも大きく、前記第4光電変換部の受光面積は、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のそれぞれの受光面積よりも小さく、
前記第2の関係において、前記第3光電変換部の受光面積は、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のぞれぞれの受光面積よりも小さく、前記第4光電変換部の受光面積は、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のぞれぞれの受光面積よりも大きい検出装置。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第1の関係において、前記第3光電変換部の受光面積は、前記光学系の光軸から離れるほど、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のそれぞれの受光面積よりも大きくなり、前記第4光電変換部の受光面積は、前記光学系の光軸から離れるほど、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のそれぞれの受光面積よりも小さくなり、
前記第2の関係において、前記第3光電変換部の受光面積は、前記光学系の光軸から離れるほど、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のそれぞれの受光面積よりも小さくなり、前記第4光電変換部の受光面積は、前記光学系の光軸から離れるほど、前記第1光電変換部および前記第2光電変換部のそれぞれの受光面積よりも大きくなる検出装置。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第3光電変換部と前記第4光電変換部との受光面積は、前記光学系の光軸からの距離に対して線形的に変化する検出装置。 - 請求項1から5までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第3光電変換部と前記第4光電変換部との受光面積は、前記光学系の光軸から複数の前記第2画素毎に変化する検出装置。 - 請求項1から6までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第3光電変換部と前記第4光電変換部との受光面積の差は、前記光学系の光軸から離れるほど大きくなる検出装置。 - 請求項1から7までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第3光電変換部と前記第4光電変換部との受光面積の差は、前記光学系の光軸からの距離に対して線形的に変化する検出装置。 - 請求項1から8までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第3光電変換部と前記第4光電変換部との受光面積の差は、前記光学系の光軸から複数の前記第2画素毎に変化する検出装置。 - 請求項1から9までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第1画素は、前記光学系の光軸付近に設けられ、
前記第2画素は、前記光学系の光軸から前記第1画素よりも離れて設けられる検出装置。 - 請求項1から10までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記光学系の情報は、前記光学系の射出瞳距離の情報である検出装置。
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