JP6897640B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。

発光素子（ＬＥＤ素子）は、バックライト用光源や各種照明など様々な用途で広く利用されている。特許文献１には、凹部を有する発光素子収納用パッケージと、凹部に収容され搭載された発光素子と、を具備する小型の発光装置が開示されている。

特開２００４−２０７５４２号公報

発光装置を組み込んだ製品の小型化を図るために、発光装置は更なる薄型化の要求がある。そこで、本発明に係る実施形態は、薄型の発光装置の製造方法及び薄型の発光装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、上面と、前記上面の反対側に位置する第１下面と、を有する基材と、前記上面に配置される一対の第１配線と、前記一対の第１配線とそれぞれ電気的に接続され、前記上面と前記第１下面との間に位置する第２配線と、を備える前駆体基板と、前記第１配線上に載置される発光素子と、を備える中間体を準備する工程と、前記基材の第１下面側から前記基材の一部を除去し前記基材を薄くし基材の第２下面を形成する工程と、前記第２配線と電気的に接続される一対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程と、を含む。

本発明の一態様に係る発光装置は、上面と、前記上面の反対側に位置する第２下面と、を有する基材と、前記上面に配置される一対の第１配線と、前記第２下面に配置される一対の外部接続電極と、前記一対の第１配線と前記一対の外部接続電極とそれぞれ電気的に接続する第２配線と、を備える基板と、光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある素子側面と、前記電極形成面に一対の素子電極を備え、前記一対の素子電極と前記第１配線とが対向して、前記第１配線上に配置される発光素子と、を有し、前記基材の最大厚みが前記電極形成面から前記基材の上面までの最大距離の０．３倍以上４倍以下である。

本発明に係る実施形態の発光装置の製造方法、及び、発光装置によれば、薄型の発光装置を提供することができる。

図１は、実施形態１に係る中間体の上面図である。 図２は、図１のＩ−Ｉ断面における概略断面図である。 図３は、実施形態１に係る前駆体基板の上面図である。 図４は、図３のＩＩ−ＩＩ断面における概略断面図である。 図５は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 図６は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 図７は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 図８は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 図９は、実施形態１に係る発光装置の上面図である。 図１０は、図９のＩＩＩ−ＩＩＩ断面における概略断面図である。 図１１は、実施形態１に係る発光装置の下面図である。 図１２は、実施形態１に係る発光装置の変形例の下面図である。 図１３は、実施形態１に係る発光装置の変形例の下面図である。 図１４は、実施形態１に係る発光装置の側面図である。 図１５は、実施形態１に係る発光装置の側面図である。 図１６は、実施形態２に係る発光装置の上面図である。 図１７は、図１６のＩＶ−ＩＶ断面における概略断面図である。 図１８は、実施形態２に係る発光装置の下面図である。 図１９は、実施形態３に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 図２０は、実施形態３に係る発光装置の上面図である。 図２０は、図２０のＶ−Ｖ断面における概略断面図である。

以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。さらに、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１に係る発光装置の製造方法を図１から図８に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る中間体の上面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ断面における概略断面図である。図３は、実施形態１に係る前駆体基板の上面図である。図４は、図３のＩＩ−ＩＩ断面における概略断面図である。図５から図８は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。

実施形態１の発光装置の製造方法は、
（１）上面と、上面の反対側に位置する第１下面と、を有する基材と、上面に配置される一対の第１配線と、一対の第１配線とそれぞれ電気的に接続され、上面と第１下面との間に位置する第２配線と、を備える前駆体基板と、第１配線上に載置される発光素子と、を備える中間体を準備する工程と、
（２）基材の第１下面側から基材の一部を除去し基材を薄くし基材の第２下面を形成する工程と、
（３）第２配線と電気的に接続される一対の外部接続電極を第２下面に形成する工程と、を含む。

以上のように構成された実施の形態の発光装置の製造方法によれば、基材の一部を除去し基材を薄くしているので、薄型の発光装置を製造することができる。以下、各工程について詳説する。

（中間体を準備する工程）
図２に示すように、前駆体基板１０Ａと発光素子２０と、を備えた中間体１００を準備する。前駆体基板１０Ａは、基材１１と、一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂ、一対の第２配線１５１Ａ、１５１Ｂと、を備える。本明細書において、基材１１の一部を除去する前の基板を前駆体基板と呼び、基材１１の一部を除去した後で外部接続電極を形成する工程の前の基板を除去後基板と呼び、外部接続電極を形成した後で後述する個片化する工程の前の基板を外部接続電極付基板と呼び、後述する個片化する工程の後の基板を個片基板と呼ぶことがある。また、前駆体基板、除去後基板及び／又は個片基板を基板と呼ぶことがある。基材１１は、上面１１１と、上面の反対側に位置する第１下面１１２と、を有する。一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂは、基材１１の上面１１１に配置される。一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂとは、正負電極として機能する２つの電極のことである。このため、個片基板は、正負一対の電極となるよう互いに離間した一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂを備える。前駆体基板１０Ａにおいては、一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂが離間していてもよく、一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂが繋がっていてもよい。図３に示すように、個片基板になる予定の領域Ａにおいて、前駆体基板１０Ａが、正負一対の電極となるよう互いに離間した一対の第１配線となる部分を備えていればよい。尚、本明細書において、個片基板になる予定の領域Ａにおいて、前駆体基板１０Ａが互いに離間した一対の第１配線となる部分を備えていれば、前駆体基板１０Ａは一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂを備えているとする。

Ｚ方向における上面１１１から第１下面１１２までの最大厚みＴ１は、１００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。Ｚ方向における上面１１１から第１下面１１２までの最大厚みとは、前駆体基板１０Ａの基材１１の最大厚みのことである。基材の強度は、上面１１１から第１下面１１２までの厚みを１００μｍ以上にすることで向上する。後述する基材の一部を除去する際に基材を除去する体積は、Ｚ方向における上面１１１から第１下面１１２までの厚みを５００μｍ以下にすることで減少する。

第２配線１５１Ａ、１５１Ｂは、一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂとそれぞれ電気的に接続される。例えば、図２に示すように一対の第２配線の一方の第２配線１５１Ａと、一対の第１配線の一方の第１配線１２Ａと、が電気的に接続され、一対の第２配線の他方の第２配線１５１Ｂと、一対の第１配線の他方の第１配線１２Ｂと、が電気的に接続される。第２配線１５１Ａ、１５１Ｂは、基材の上面１１１と基材の第１下面１１２との間に位置する。尚、本明細書において、第２配線１５１Ａ、１５１Ｂとは、基材の上面１１１と基材の第１下面１１２との間に位置する配線の部分を指す。第２配線１５１Ａ、１５１Ｂは、基材１１の上面１１１から基材１１の第１下面１１２まで形成されていてもよく、基材１１の第１下面１１２から離間されていてもよい。

図４に示すように、第２配線１５１Ａ、１５１Ｂは、基材１１の上面及び第１下面に開口する貫通孔内に形成されていてもよい。例えば、図４に示すように基材１１の貫通孔の表面に第２配線１５１Ａ、１５１Ｂが形成され、第２配線に囲まれた領域に充填された充填部材１５２Ａ、１５２Ｂを備えていてもよい。充填部材は、導電性でもよく、絶縁性でもよい。充填部材には、樹脂材料を使用することが好ましい。一般的に硬化前の樹脂材料は、硬化前の金属材料よりも流動性が高いので第２配線内に充填しやすい。このため、充填部材に樹脂材料を使用することで前駆体基板の製造が容易になる。充填しやすい樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。充填部材として樹脂材料を用いる場合は、充填部材の線膨張係数を下げるために添加部材を含有することが好ましい。このようにすることで、第２配線との線膨張係数の差が小さくなるので、発光素子からの熱によって第２配線と充填部材との間に隙間ができることを抑制できる。添加部材としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、充填部材に熱伝導性が高いＡｇ、Ｃｕ等の金属材料を使用した場合には、発光装置の放熱性を向上させることができる。

また、個片基板になる予定の領域において、基材の外側面に第２配線が形成されていてもよい。個片基板になる予定の領域における基材の上面形状が長方形の場合には、第２配線は長側面及び／又は短側面に形成されていてもよい。基材が上面に凹部を備える場合には、基材の凹部内に第２配線が形成されていてもよい。尚、第２配線は、基材の貫通孔内、外側面及び／又は凹部に形成されていてもよい。

発光素子２０は、第１配線上に配置される。中間体１００は、少なくとも１つの発光素子を備えていればよい。図２に示すように中間体１００が複数の発光素子を備えていてもよい。図２に示すように、発光素子２０は、前駆体基板１０Ａと対向する載置面と、載置面の反対側に位置する光取り出し面２０１を備える。発光素子２０は少なくとも半導体積層体２３を含み、半導体積層体２３には素子電極２１、２２が設けられている。素子電極２１、２２は発光素子２０の同じ側の面に形成されており、発光素子２０が前駆体基板１０Ａにフリップチップ実装されている。これにより、発光素子の素子電極に電気を供給するワイヤが不要になるので発光装置を小型化することができる。発光素子がフリップチップ実装されている場合は、発光素子の素子電極が位置する面である電極形成面２０３と、反対側の面を光取り出し面２０１とする。なお、本実施形態では発光素子２０は素子基板２４を有するが、素子基板２４を備えていなくてもよい。発光素子２０が前駆体基板１０Ａにフリップチップ実装されている場合は、発光素子の素子電極２１、２２が導電性接着部材６０を介して第１配線と電気的に接続されている。

また、発光素子２０は、電極形成面と、反対側の面が前駆体基板に対向して第１配線上に配置されてもよい。このようにする場合は、電極形成面が光取り出し面となる。発光素子の素子電極に電気を供給するためにはワイヤ等を用いてもよい。

発光素子２０が前駆体基板１０Ａにフリップチップ実装されている場合は、上面視において発光素子２０の素子電極２１、２２と重なる位置に第１配線は凸部１２１を備えていることが好ましい。導電性接着部材６０として溶融性の接着剤を用いた場合に、第１配線の凸部１２１と発光素子の素子電極２１、２２を接続する時に、セルフアライメント効果により発光素子と前駆体基板との位置合わせを容易に行うことができる。

中間体１００は、発光素子２０の素子側面２０２及び基材の上面１１１を被覆する第１反射部材３０を備えていてもよい。発光素子２０の素子側面２０２が第１反射部材に被覆されることで発光領域と非発光領域とのコントラストが高くなり、「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。中間体１００が複数の発光素子を備える場合には、複数の発光素子をそれぞれ被覆する第１反射部材３０を形成してもよく、図１に示すように、複数の発光素子を一体的に被覆する第１反射部材３０を形成してもよい。複数の発光素子を一体的に被覆する第１反射部材３０は、複数の発光素子をそれぞれ被覆する第１反射部材３０を形成するよりも製造が容易になるため好ましい。

第１反射部材３０の材料としては、例えば、母材中に白色顔料を含有させた部材を用いることができる。第１反射部材３０の母材としては、樹脂を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂、などを用いることが好ましい。特に、第１反射部材３０の母材として、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置の硬度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので第１反射部材３０の母材として用いることが好ましい。

第１反射部材３０の白色顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、などのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点からは、球形状であることが好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下程度であることが好ましいが、光反射性や被覆性の効果を高めるためには、白色顔料の粒径は、小さい程好ましい。白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば１０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下が好ましく、２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下がより好ましく、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下が更に好ましい。なお、「ｗｔ％」とは、重量パーセントであり、第１反射部材３０の全重量に対する当該材料の重量の比率を表す。

中間体１００は、発光素子２０の光取り出し面２０１を被覆する透光性部材５０を備えていてもよい。発光素子が透光性部材に被覆されることで、発光素子２０を外部応力から保護することができる。実施形態１に係る発光装置では、透光性部材５０が発光装置の発光面である。透光性部材５０は、第１光取り出し面２０１に接して被覆していてもよく、図２に示すように、第１導光部材４０を介して第１光取り出し面を被覆していてもよい。第１導光部材４０は発光素子の光取り出し面２０１と、透光性部材５０の間のみに位置して発光素子２０と透光性部材５０を固定してもよいし、発光素子の光取り出し面２０１から発光素子の素子側面２０２まで被覆して発光素子２０と透光性部材５０を固定してもよい。第１導光部材４０は、第１反射部材３０よりも発光素子からの光の透過率が高い。このため、第１導光部材が発光素子の側面まで被覆することで、発光素子の素子側面から出射される光が第１導光部材を通して発光装置の外側に取り出しやすくなるので光取り出し効率を高めることができる。

中間体１００が透光性部材５０を備える場合には、透光性部材の側面は、第１反射部材３０に被覆されることが好ましい。このようにすることで、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。

透光性部材５０は波長変換粒子を含有させてもよい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。波長変換粒子は、発光素子２０が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。透光性部材５０に波長変換粒子を含有させることにより、発光素子が発する一次光と、波長変換粒子が発する二次光とが混色された混色光を出力することができる。例えば、発光素子２０に青色ＬＥＤを、波長変換粒子にＹＡＧ等の蛍光体を用いれば、青色ＬＥＤの青色光と、この青色光で励起されて蛍光体が発する黄色光とを混合させて得られる白色光を出力する発光装置を構成することができる。また、発光素子２０に青色ＬＥＤを、波長変換粒子に緑色蛍光体であるβサイアロン系蛍光体と、赤色蛍光体であるマンガン賦活フッ化物系蛍光体を用いて白色光を出力する発光装置を構成してもよい。

波長変換粒子は透光性部材中に均一に分散させてもよいし、透光性部材５０の上面よりも発光素子の近傍に波長変換粒子を偏在させてもよい。透光性部材５０の上面よりも発光素子の近傍に波長変換粒子を偏在させることで、水分に弱い波長変換粒子を使用しても透光性部材５０の母材が保護層の機能を果たすので波長変換粒子の劣化を抑制できる。また、図２に示すように、透光性部材５０が波長変換粒子を含有する層５１と、波長変換粒子を実質的に含有しない層５２と、を備えていてもよい。Ｚ方向において、波長変換粒子を実質的に含有しない層５２は、波長変換粒子を含有する層５１よりも上側に位置する。このようにすることで、波長変換粒子を実質的に含有しない層５２が保護層の機能を果たすので波長変換粒子の劣化を抑制できる。水分に弱い波長変換粒子としては、例えばマンガン賦活フッ化物蛍光体が挙げられる。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の観点において好ましい部材である。「波長変換粒子を実質的に含有しない」とは、不可避的に混入する波長変換粒子を排除しないことを意味し、波長変換粒子の含有率が０．０５重量％以下であることが好ましい。

透光性部材５０の波長変換粒子を含有する層５１は単層でもよく、複数の層でもよい。例えば、図２に示すように透光性部材５０が、第１波長変換層５１Ａと、第１波長変換層５１Ａを被覆する第２波長変換層５１Ｂと、を備えていてもよい。第２波長変換層５１Ｂは、第１波長変換層５１Ａを直接被覆してもよく、透光性の別の層を介して第１波長変換層５１Ａを被覆してもよい。尚、第１波長変換層５１Ａは、第２波長変換層５１Ｂよりも発光素子２０の光取り出し面２０１から近い位置に配置される。第１波長変換層５１Ａに含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換粒子の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、第１発光素子に励起された第１波長変換層５１Ａからの光によって、第２波長変換層５１Ｂの波長変換粒子を励起することができる。これにより、第２波長変換層５１Ｂの波長変換粒子からの光を増加させることができる。

第１波長変換層５１Ａに含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であり、第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすることで、色再現性の高い発光装置とすることができる。例えば、第１波長変換層５１Ａに含有される波長変換粒子としてβサイアロン系蛍光体が挙げられ、第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換粒子としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換粒子としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、特に、透光性部材５０が、第１波長変換層５１Ａと、第２波長変換層５１Ｂと、備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は輝度飽和を起こしやすいが、第２波長変換層５１Ｂと発光素子２０との間に第１波長変換層５１Ａが位置することで第１発光素子からの光が過度にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体に照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の劣化を抑制することができる。

透光性部材は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、禁制遷移により二次光を発する第１波長変換粒子と、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、許容遷移により二次光を発する第２波長変換粒子と、を備えていてもよい。一般的に、禁制遷移により二次光を発する第１波長変換粒子は、許容遷移により二次光を発する第２波長変換粒子より残光時間が長い。このため、透光性部材が第１波長変換粒子と、第２波長変換粒子と、を備えることで、透光性部材が第１波長変換粒子のみを備えている場合よりも残光時間を短くすることができる。例えば、第１波長変換粒子としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）が挙げられ、第２波長変換粒子としては、ＣＡＳＮ系蛍光体が挙げられる。透光性部材がＣＡＳＮ系蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、を含有することで、透光性部材がマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体のみを含有する場合よりも残光時間を短くすることができる。また、一般的にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムは、ＣＡＳＮ系蛍光体よりも半値幅が狭い発光ピークを有するので、色純度が高くなり色再現性が良好となる。このため、透光性部材がＣＡＳＮ系蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、を含有することで、透光性部材がＣＡＳＮ系蛍光体のみを含有する場合よりも色再現性が良好となる。

例えば、透光性部材に含まれるマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の重量は、ＣＡＳＮ系蛍光体の蛍光体の重量の０．５倍以上６倍以下が好ましく、１倍以上５倍以下がより好ましく、２倍以上４倍以下が更に好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の重量が増えることで発光装置の色再現性が良好となる。ＣＡＳＮ系蛍光体の蛍光体の重量が増えることで残光時間を短くすることができる。

マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の平均粒径は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。また、ＣＡＳＮ系蛍光体の平均粒径は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体及び／又はＣＡＳＮ系蛍光体の平均粒径が３０μｍ以下であることにより、発光素子からの光が波長変換粒子に拡散されやすくなるので、発光装置の配光色度ムラを抑制することができる。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体及び／又はＣＡＳＮ系蛍光体の平均粒径が５μｍ以上であることにより、発光素子からの光を取り出しやすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。

ＣＡＳＮ系蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体とは、透光性部材の同じ波長変換層に含有されていてもよく、透光性部材が複数の波長変換層を備える場合には、異なる波長変換層に含有されていてもよい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体とＣＡＳＮ系蛍光体とが異なる波長変換層に含有されている場合には、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、ＣＡＳＮ系蛍光体と、で光のピーク波長が短い波長変換粒子が発光素子に近くに位置することが好ましい。このようにすることで、光のピーク波長が短い波長変換粒子からの光によって、光のピーク波長が長い波長変換粒子を励起することができる。例えば、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の光のピーク波長が６３１ｎｍ付近でＣＡＳＮ系蛍光体の光のピーク波長が６５０ｎｍ付近である場合には、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が発光素子に近いことが好ましい。

第２波長変換粒子としては、他にもＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＬＡＮ蛍光体（ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）等が挙げられる。例えば、透光性部材は、ＳＬＡＮ蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、を含有していてもよい。また、透光性部材が赤色蛍光体である第１波長変換粒子及び第２波長変換粒子と、緑色蛍光体であるβサイアロン系蛍光体と、を含有していてもよい。このようにすることで、発光装置の色再現性が良好になる。

（第２下面を形成する工程）
図５に示すように、基材１１の第１下面側から基材１１の一部を除去する。換言すると、基材の上面１１１と反対側の面側から基材１１の一部を除去する。これにより、Ｚ方向の基材１１の厚みを薄くして、基材１１の第２下面１１３を形成する。前駆体基板、除去後基板及び／又は個片基板が備える基材及び第２配線は基材１１の一部を除去する前後を問わず、同じ名称を用いて説明する。基材の厚みを薄くすることで薄型の発光装置を製造することができる。基材の第２下面１１３を形成する際に第２配線の一部を除去してもよく、第２配線の一部を除去しなくてもよい。基材の第２下面１１３を形成する際に、第２配線の一部を除去することで基材の第２下面から第２配線を露出させやすくなる。例えば、第２配線が基材の上面から第２下面まで形成され、且つ、第２下面より下側には形成されていない場合には、第２配線の一部を除去せずに基材の第２下面から第２配線を露出させてもよい。前駆体基板時に基材の第１下面から第２配線が露出していない場合は、基材の第２下面１１３を形成することで、基材の第２下面から第２配線を露出するようにする。基材の一部を除去する方法としては、研削、エッチング、切削、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。基材の一部を除去する方法として研削を用いることが好ましい。このようにすることで、基材の第２下面１１３を平坦にしやすくなる。基材の第２下面１１３が平坦なことで複数の発光装置を製造する場合に、発光装置のバラつきを抑制することができる。

中間体が第２配線に囲まれた領域に充填された充填部材１５２Ａ、１５２Ｂを備えている場合には、基材の第２下面１１３を形成する際に充填部材１５２Ａ、１５２Ｂの一部を除去してもよい。充填部材として金属材料を用いた場合には、第２配線及び充填部材から発光素子に電気を供給することができる。

Ｚ方向における上面１１１から第２下面１１３までの最大厚みＴ２は、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。Ｚ方向における上面１１１から第２下面１１３までの最大厚みとは、除去後基板１０Ｂの基材１１の最大厚みのことである。Ｚ方向における上面１１１から第２下面１１３までの厚みが、２０μｍ以上あることで基材の強度が向上する。Ｚ方向における上面１１１から第２下面１１３までの厚みが、６０μｍ以下であることで発光装置を薄型化することができる。上面から第２下面までの厚みが、上面から第１下面までの厚みの０．０５倍以上０．６倍以下であることが好ましく、０．１倍以上０．５倍以下がより好ましく、０．２倍以上０．４倍以下が更に好ましい。

（一対の外部接続電極を第２下面に形成する工程）
図６に示すように、第２配線１５１Ａ、１５１Ｂと電気的に接続される一対の外部接続電極７１、７２を第２下面１１３に形成する。一対の外部接続電極とは、正負電極として機能する２つの電極のことである。このため、個片基板は、正負一対の電極となるよう互いに離間した一対の外部接続電極７１、７２を備える。個片化前の外部接続電極付基板１０Ｃに形成された一対の外部接続電極は、離間していてもよく、繋がっていてもよい。尚、本明細書において、個片基板になる予定の領域において、外部接続電極付基板１０Ｃが互いに離間した一対の第１配線となる部分を備えていれば、外部接続電極付基板１０Ｃは一対の外部接続電極７１、７２を備えているとする。

一対の外部接続電極を形成する方法としては、スパッタ、蒸着、原子層堆積（Atomic Layer Deposition；ＡＬＤ）法、めっき等の公知の方法を用いることができる。一対の外部接続電極を形成する方法としてスパッタを用いることが好ましい。このようにすることで、基材１１の第２下面１１３と外部接続電極７１、７２と接合強度が向上しやすくなる、これにより、基材の第２下面から外部接続電極が剥がれることを抑制できる。第２配線と電気的に接続される一対の外部接続電極が繋がって短絡しないためにマスク等を用いてもよい。

図７に示すように、一対の第２配線１５１Ａ、１５１Ｂと基材の第２下面１１３と、を連続して被覆する金属層７０を形成してから、図６に示す第２配線１５１Ａ、１５１Ｂと電気的に接続される一対の外部接続電極７１、７２を第２下面１１３に形成してもよい。一対の第２配線１５１Ａ、１５１Ｂ間に位置する金属層７０の少なくとも一部を除去することにより、第２配線１５１Ａ、１５１Ｂと電気的に接続される一対の外部接続電極７１、７２を形成してもよい。金属層７０の一部を除去する方法としては、レーザ光の照射、エッチング、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。金属層７０の一部を除去する方法としてレーザ光の照射を用いることが好ましい。レーザ光の照射することでマスクなどを用いることがなく、金属層のパターニングをすることができる。基材上の金属層にレーザ光を照射すると、レーザアブレーションを生じさせることができる。これにより、金属層７０の一部が除去される。レーザ光を照射することにより、金属層がパターニングされることになり、金属層を外部接続電極とすることができる。尚、レーザアブレーションとは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ（閾値）以上になると、固体の表面が除去される現象のことである。

金属層７０の一部を除去する方法としてレーザ光の照射を用いる場合には、レーザ光の波長は、金属層に対する反射率が低い波長、例えば反射率が９０％以下である波長を選択することが好ましい。例えば、金属層の最表面がＡｕである場合には、赤色領域（たとえば６４０ｎｍ）のレーザよりも、緑色領域（例えば５５０ｎｍ）より短い発光波長のレーザを用いることが好ましい。これにより、アブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。

（個片化する工程）
図８に示すように、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、隣接する発光素子間及び／又は発光素子と除去後基板の外側面との間の破線Ｓ１に沿って、第１反射部材３０及び除去後基板を切断することで発光装置毎に個片化してもよい。このようにすることで、複数の発光装置を製造することができる。個片化された除去後基板を個片基板１０Ｄと呼ぶことがある。

以上、説明したように上述の各工程を行うことにより、図９から図１６に示す発光装置１０００を製造することができる。

実施形態１に係る発光装置１０００は基板１０Ｄと、発光素子２０と、を備える。基板１０Ｄは、基材１１と、一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂと、一対の外部接続電極７１、７２と、一対の第２配線１５１Ａ、１５１Ｂと、を備える。基材１１は上面１１１と、上面の反対側に位置する第２下面１１３と、を有する。一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂは基材１１の上面１１１に配置される。一対の外部接続電極７１、７２は基材１１の第２下面１１３に配置される。発光素子２０は、光取り出し面２０１と、光取り出し面の反対側にある電極形成面２０３と、光取り出し面と電極形成面との間にある素子側面２０２と、電極形成面に一対の素子電極２１、２２を備える。一対の素子電極と第１配線とが対向して、発光素子は第１配線上に配置される。

基材１１の最大厚みＴ３は、電極形成面２０３から基材の上面１１１までの最大距離Ｔ４の０．３倍以上４倍以下であることが好ましい。また、基材の最大厚みＴ３は、電極形成面から基材の上面までの最大距離Ｔ４の０．４倍以上２倍以下であることがより好ましく、０．５倍以上１倍以下であることがより好ましい。このようにすることで、基材の最大厚みＴ３を薄くすることができるので発光装置を薄型化することができる。基材１１の最大厚みＴ３とは、Ｚ方向における基材の上面１１１から第２下面１１３までの最大厚みのことである。電極形成面２０３から基材の上面１１１までの最大距離Ｔ４とは、Ｚ方向における電極形成面２０３から基材の上面１１１まで距離のことである。換言すると、電極形成面から基材の上面までの最大距離Ｔ４とは、Ｚ方向における素子電極及び導電性接着部材の厚みを合計した最大厚みのことである。尚、電極形成面から基材の上面までの最大距離Ｔ４における基材の上面とは、上面視において素子電極と重なる基材の上面の部分を指す。例えば、基材が、上面視において発光素子から離間して形成された凹部を備えている場合において、電極形成面から基材の上面までの最大距離Ｔ４における基材の上面とは凹部内の上面を指さない。

上述のように発光装置１０００は第１反射部材３０及び／又は透光性部材５０を備えていてもよい。発光装置が第１反射部材３０を備えており、第１反射部材３０が発光素子の電極形成面２０３及び基材の上面１１１を被覆する場合には、発光素子からの光が透過しない程度に電極形成面２０３から基材の上面１１１までの最大距離が長いことが好ましい。電極形成面と基材の上面との間には第１反射部材３０が位置するので第１反射部材３０の厚みを厚くすることで発光素子の光が第１反射部材を透過することを抑制することができる。これにより、発光素子からの光が基材に吸収されることを抑制できるので発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。尚、発光素子からの光が透過しないとは、発光素子からの光の５０％以上が透過しないことが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがよりいっそう好ましい。

基材１１のビッカース硬さは、第１反射部材３０のビッカース硬さよりも高いことが好ましい。このようにすることで、基材が変形しにくくなるので基材の反りを抑制することができる。ビッカース硬さは硬さを表す尺度の一つである。ビッカース硬さの算出方法は、試験力を加えて圧子（ダイヤモンドでできた剛体）を被試験物に対して押込み、圧子と被試験物との接触面積を測定する。そして、圧子に加えた試験力を接触面積で割ることでビッカース硬さを算出することができる。

図１１に示すように、外部接続電極７１、７２は基材１１の側面まで形成されていてもよく、図１２に示すように、外部接続電極７１、７２は基材の側面から離間して形成されていてもよい。外部接続電極が基材の側面まで形成されている場合には、基材の側面と実装基板が対向して実装される側面発光型の発光装置でも外部接続電極７１、７２から電気を供給しやすくなる。外部接続電極７１、７２が基材の側面から離間して形成されている場合には、外部接続電極７１、７２にバリが発生することを抑制できる。また、図１３に示すように外部接続電極７１、７２が基材の１つの側面まで形成されて、基材の３つの側面から離間していてもよい。このようにすることで、外部接続電極が接する基材の側面と実装基板とを対向させて半田等の導電性接合部材を用いて実装される側面発光型の発光装置の場合に、外部接続電極が接していない基材の側面に導電性接合部材が形成されることを抑制することができる。

図１４、図１５に示すように、第１反射部材３０の側面と基材１１の側面が面一であることで好ましい。このようにすることで発光装置を小型化することができる。例えば、個片化時に第１反射部材３０及び基材を切断することで、第１反射部材の側面と、基材の側面と、を面一にすることができる。尚、本明細書において面一とは５μｍ程度の変動は許容されるものとする。

＜実施形態２＞
実施形態２に係る発光装置の製造方法について説明する。実施形態２の発光装置の製造方法は、実施形態１の発光装置の製造方法とは、中間体を準備する工程と、個片化する工程と、が異なる点以外は同様である。

＜実施形態２＞
（中間体を準備する工程）
実施形態１の発光装置の製造方法では、中間体は、少なくとも１つの発光素子を備えていればよいが、実施形態２の発光装置の製造方法では、複数の発光素子を備える中間体を準備する。

（個片化する工程）
ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、第１反射部材及び除去後基板を切断する際に１つの発光装置が複数の発光素子を備えるように個片化する。このようにすることで、実施形態２の発光装置２０００を製造することができる。

実施形態２に係る発光装置２０００は基板１０Ｄと、複数の発光素子と、を備える。図１７に示すように、発光装置２０００は、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、を備える。第１発光素子及び／又は第２発光素子を発光素子と呼ぶことがある。第１発光素子と、第２発光素子の発光ピーク波長は同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、第１発光素子と、第２発光素子の発光ピーク波長が同じ場合は、第１発光素子と第２発光素子の発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であってもよい。また、第１発光素子と、第２発光素子の発光ピーク波長が異なる場合は、発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にある第１発光素子と、発光のピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）にある第２発光素子と、であってもよい。このようにすることで発光装置の色再現性を向上させることができる。尚、発光ピーク波長が同じとは±１０ｎｍ程度の変動は許容されるものとする。

発光装置２０００は、複数の透光性部材を備えていてもよい。例えば、図１７に示すように第１発光素子２０Ａを被覆する第１透光性部材５０Ａと、第２発光素子２０Ｂを被覆する第２透光性部材５０Ｂとを、備えていてもよい。第１透光性部材と、第２透光性部材に含まれている波長変換粒子は同じでもよく異なっていてもよい。発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にある第１発光素子と、発光のピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）にある第２発光素子と、を備える場合には、第１透光性部材に赤色蛍光体を含有し、第２透光性部材には波長変換粒子を実質的に含有させなくてもよい。このようにすることで、発光装置の色再現性を向上させることができる。また、第２発光素子からの光は波長変換粒子に遮られないので発光装置の光取り出し効率が向上する。第１透光性部材に含有させる赤色蛍光体としてはマンガン賦活フッ化物系蛍光体等が挙げられる。

図１８に示すように、一対の外部接続電極７１、７２の間に金属材料からなる放熱部７３を設けてもよい。発光装置２０００が放熱部７３を備えることで発光素子からの熱を放熱部から逃がすことができるので発光装置の放熱性が向上する。また、放熱部を介して、第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂとを電気的に接続してもよい。

＜実施形態３＞
以下、実施形態３に係る発光装置の製造方法について説明する。
実施形態２の発光装置の製造方法は、実施形態１の発光装置の製造方法とは、中間体を準備する工程と、個片化する工程と、が異なる点以外は同様である。

（中間体を準備する工程）
図１９に示すように、前駆体基板１０Ｅと発光素子２０と、を備えた中間体１０１を準備する。発光素子２０は少なくとも１つあればよい。図１９に示すように中間体１０１は第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、を有していてもよい。中間体１０１は、更に、第１反射部材３０と、第２反射部材９０と、第１導光部材４０と、第２導光部材４１と、透光性部材５０と、を備えていてもよい。

図１９に示す第１反射部材３０は、発光素子２０から離間し、且つ、上面視において発光素子２０を囲んで形成される。基材の上面に凹部を備えるときには、第１反射部材３０は凹部内に形成されていてもよい。第２反射部材９０は、発光素子２０の電極形成面と基材の上面１１１との間に形成される。発光素子の電極形成面と基材の上面との間に第２反射部材が位置することにより、発光素子からの光が基材に吸収されることを抑制することができる。第２反射部材の材料としては第１反射部材の材料と同様の材料を使用することができる。第２反射部材が母材中に白色顔料を含む場合には、白色顔料が基材の上面側に偏在することが好ましい。このようにすることで発光素子の光が白色顔料によって遮られにくくなり発光装置の光取り出し効率が向上する。

第１導光部材４０は、発光素子２０の光取り出し面と透光性部材５０とを固定する部材である。第２導光部材４１は、発光素子の素子側面及び第１反射部材３０を直接被覆する。第２導光部材４１が発光素子の素子側面及び第１反射部材３０を直接被覆することにより、発光素子からの光がＸ方向及び/又はＹ方向に広がりやすくすることができる。中間体１０１が第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、を有する場合には、第２導光部材が第１発光素子の素子側面２０２Ａ及び第２発光素子の素子側面２０２Ｂを被覆することが好ましい。このようにすることで、第１発光素子２０Ａからの光と、第２発光素子２０Ｂからの光が第２導光部材４１に導光されやすくなる。例えば、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が同じ場合には、第１発光素子からの光と、第２発光素子からの光が第２導光部材に導光されることで、第１発光素子と第２発光素子の間の輝度ムラを抑制することができる。また、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が異なる場合には、第１発光素子からの光と、第２発光素子からの光が第２導光部材に導光されることで、発光装置の混色性を向上させることができる。

中間体１０１が第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、を有する場合には、透光性部材５０は第１発光素子２０Ａの光取り出し面２０１Ａと、第２発光素子２０Ｂの光取り出し面２０１Ｂと、を被覆することが好ましい。このようにすることで、第１発光素子２０Ａからの光と、第２発光素子２０Ｂからの光が透光性部材５０に導光されやすくなる。例えば、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が同じ場合には、第１発光素子からの光と、第２発光素子からの光が透光性部材に導光されることで、第１発光素子と第２発光素子の間の輝度ムラを抑制することができる。また、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が異なる場合には、第１発光素子からの光と、第２発光素子からの光が透光性部材に導光されることで、発光装置の混色性を向上させることができる。

（個片化する工程）
ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、第１反射部材３０及び除去後基板を切断して各発光装置を個片化する。第１反射部材３０及び除去後基板を切断する際に１つの発光装置が複数の発光素子を備えるように個片化してもよい。このようにすることで、図２０、図２１に示す実施形態３の発光装置３０００を製造することができる。

以下、本発明の一実施形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。

（基板（前駆体基板、除去後基板、個片基板））
基板は、発光素子を載置する部材である。基板は、基材１１と、一対の第１配線１２Ａ、１２Ｂ、一対の第２配線１５１Ａ、１５１Ｂと、を備える。

（基材１１）
基材１１は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。また、基材１１に酸化チタン等の白色顔料を含有させてもよい。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。これらの基材のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。

（第１配線１２Ａ、１２Ｂ）
第１配線は、基材の上面に配置され、発光素子と電気的に接続される。第１配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、第１配線の表層には、溶融性の導電性接着部材の濡れ性及び／若しくは光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。

（第２配線１５１Ａ、１５１Ｂ）
第２配線は、一対の第１配線とそれぞれ電気的に接続され、基材の上面と基材の第１下面との間に位置する。第２配線は、第１配線と同様の導電性部材を用いることができる。

（発光素子２０（第１発光素子、第２発光素子））
発光素子は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を適用できる。発光素子としては、例えばＬＥＤチップが挙げられる。発光素子は、少なくとも半導体層を備え、多くの場合に素子基板をさらに備える。発光素子は、素子電極を有する。素子電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。このほか、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。素子基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、素子基板の強度及び／若しくは発光装置の厚さの観点において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

（第１反射部材３０）
第１反射部材は、発光素子２０の素子側面２０２及び基材の上面１１１を被覆し、「見切り性」の良好な発光装置とする部材である。発光素子の発光ピーク波長における第１反射部材の光反射率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがよりいっそう好ましい。例えば、第１反射部材は、樹脂に白色顔料を含有させた部材を用いることができる。

（透光性部材５０）
透光性部材は発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子を保護する透光性の部材である。透光性部材の材料として、例えば、樹脂を用いることができる。透光性部材に用いることができる樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。透光性部材の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置の硬度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。透光性部材は、波長変換粒子及び／又は拡散粒子を含有していてもよい。

（波長変換粒子）
波長変換粒子は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。波長変換粒子は、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。透光性部材が複数の波長変換層を備える場合には、各波長変換層に含有される波長変換粒子は同じでもよく、異なっていてもよい。

緑色発光する波長変換粒子としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ_８Ｍｇ（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６−ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８−ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ）、アルカリ土類アルミネート系蛍光体（例えば（Ｂａ,Ｓｒ,Ｃａ）Ｍｇ_ｘＡｌ_１０Ｏ_１６＋ｘ:Ｅｕ,Ｍｎ（但し、０≦Ｘ≦１））などが挙げられる。黄色発光の波長変換粒子としては、αサイアロン系蛍光体（例えばＭ_ｚ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する波長変換粒子の中には黄色発光の波長変換粒子もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な波長変換粒子もある。赤色発光する波長変換粒子としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）、ＳＬＡＮ蛍光体（ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ_２［Ｍ_１−ａＭｎ_ａＦ_６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ_４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）がある。

（拡散粒子）
拡散粒子としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。拡散粒子は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。また、拡散粒子として、ナノ粒子を用いることで、発光素子が発する光の散乱を増大させ、波長変換粒子の使用量を低減することもできる。なお、ナノ粒子とは、粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒子とする。また、本明細書における「粒径」は、例えば、Ｄ_５０で定義される。

（第１導光部材４０）
第１導光部材は、発光素子と透光性部材を固定し、発光素子からの光を透光性部材に導光する部材である。第１導光部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。第１導光部材の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置の硬度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。第１導光部材は、上述の透光性部材と同様の波長変換粒子及び／又は拡散粒子を含有していてもよい。

（第２反射部材９０）
第２反射部材は、発光素子の電極形成面と基材の上面との間に形成され、発光素子からの光が基材に吸収されることを抑制する部材である。第２反射部材は、上述の第１反射部材と同様の材料を用いることができる。

（第２導光部材４１）
第２導光部材は、発光素子の素子側面及び第１反射部材３０を直接被覆しており、発光素子からの光がＸ方向及び/又はＹ方向に広がりやすくする部材である。第２導光部材は、上述の第１導光部材と同様の材料を用いることができる。尚、第２導光部材は、上述の透光性部材と同様の波長変換粒子及び／又は拡散粒子を含有していてもよい。

（導電性接着部材６０）
導電性接着部材とは、発光素子の素子電極と第１配線とを電気的に接続する部材である。導電性接着部材としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか１つを用いることができる。

本発明の一実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。

１０００、２０００、３０００ 発光装置
１００、１０１ 中間体
１０Ａ、１０Ｅ 前駆体基板
１０Ｂ 除去後基板
１０Ｃ 外部接続電極付基板
１０Ｄ 個片基板
１１ 基材
１２Ａ、１２Ｂ 第１配線
１５１Ａ、１５１Ｂ 第２配線
１５２Ａ、１５２Ｂ 充填部材
２０ 発光素子
３０ 第１反射部材
４０ 第１導光部材
４１ 第２導光部材
５０ 透光性部材
９０ 第２反射部材
７０ 金属層
７１、７２ 外部接続電極

Claims (8)

1. 基材、複数対の第１配線および複数対の第２配線を含む前駆体基板と、
   前記複数対の第１配線上にそれぞれ載置される複数の発光素子と、
   前記複数の発光素子の側面の少なくとも一部にそれぞれ接する複数の導光部材と、
   前記複数の発光素子の上方にそれぞれ位置する複数の透光性部材と、
   前記複数の導光部材を介して前記複数の発光素子を一体的に被覆する反射部材と
   を有する中間体を準備する工程であって、
   前記基材は、上面および前記上面の反対側に位置する第１下面を有し、
   前記複数対の第１配線は、前記基材の前記上面に配置されており、
   前記複数対の第２配線は、前記基材の前記上面と前記第１下面との間に位置し、かつ前記複数対の第１配線に電気的に接続されており、
   前記反射部材は、前記基材の前記上面と、前記複数の発光素子の下面と、前記複数の導光部材と、前記複数の透光性部材の側面と、に接している、中間体を準備する工程と、
   前記基材の第１下面側から前記基材の一部を研削により除去し前記基材を薄くし基材の第２下面を形成する工程と、
   前記複数対の第２配線と電気的に接続される複数対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程と、
   を含み、
   前記基材の上面から前記第２下面までの最大厚みが、２０μｍ以上６０μｍ以下であり、
   前記基材のビッカース硬さは、前記反射部材のビッカース硬さよりも高い、発光装置の製造方法。
2. 前記複数の透光性部材のそれぞれは、
   波長変換粒子を実質的に含有しない第１層と、
   前記第１層と前記複数の発光素子との間に位置し、波長変換粒子を含有する第２層と
   を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記複数対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程において、前記複数対の外部接続電極をスパッタにより形成する請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記複数対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程において、前記第２配線と前記基材とを連続して被覆する金属層を形成した後、前記金属層の一部を除去し前記外部接続電極を形成する請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記金属層の一部を除去する際に、レーザ光を照射して前記金属層の一部を除去する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記第２下面を形成する工程において、前記第２配線の一部を除去する請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記上面から前記第２下面までの厚さは、前記上面から前記第１下面までの厚さの０．０５倍以上０．６倍以下である請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記上面から前記第１下面までの最大厚みは、１００μｍ以上５００μｍ以下である請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。

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