JP6904433B2 - Bandpass filter - Google Patents
Bandpass filter Download PDFInfo
- Publication number
- JP6904433B2 JP6904433B2 JP2019553694A JP2019553694A JP6904433B2 JP 6904433 B2 JP6904433 B2 JP 6904433B2 JP 2019553694 A JP2019553694 A JP 2019553694A JP 2019553694 A JP2019553694 A JP 2019553694A JP 6904433 B2 JP6904433 B2 JP 6904433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- conductor pattern
- parallel resonator
- parallel
- bandpass filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 155
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 102
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 12
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 12
- 101001010591 Homo sapiens Interleukin-20 Proteins 0.000 description 2
- 102100030692 Interleukin-20 Human genes 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/09—Filters comprising mutual inductance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
本発明は、バンドパスフィルタに関する。 The present invention relates to a bandpass filter.
従来、バンドパスフィルタが知られている。たとえば、国際公開第2007/119356号(特許文献1)には、複数の電極層のうちの所定の電極層に、入力電極と出力電極との間を容量で接続するための入出力間キャパシタ電極が設けられたバンドパスフィルタが開示されている。入出力間キャパシタ電極によって、通過帯域の高域側に減衰極が生じるとともに通過帯域の低域側に2つの減衰極が生じる。その結果、通過帯域から低域側への減衰特性および通過帯域から高域側への減衰特性をともに急峻にすることができる。 Conventionally, a bandpass filter is known. For example, according to International Publication No. 2007/11935 (Patent Document 1), an input / output capacitor electrode for connecting an input electrode and an output electrode to a predetermined electrode layer among a plurality of electrode layers by capacitance. A bandpass filter provided with is disclosed. The input / output capacitor electrode creates an attenuation pole on the high frequency side of the passband and two attenuation poles on the low frequency side of the passband. As a result, both the attenuation characteristic from the pass band to the low frequency side and the attenuation characteristic from the pass band to the high frequency side can be steep.
バンドパスフィルタの周波数特性を所望の周波数特性に近づけるために、通過帯域よりも低い周波数帯に生じる減衰極の周波数を変化させずに、通過帯域よりも高い周波数に生じる減衰極を変化させることが必要になり得る。しかし、特許文献1には、通過帯域よりも低い周波数帯に生じる減衰極の周波数を変化させずに、通過帯域よりも高い周波数において生じる減衰極の周波数を変化させることが可能な構成については具体的に開示されていない。
In order to bring the frequency characteristics of the bandpass filter closer to the desired frequency characteristics, it is possible to change the decay poles that occur at frequencies higher than the passband without changing the frequencies of the decay poles that occur in the frequency band lower than the passband. May be needed. However,
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的はバンドパスフィルタの周波数特性を所望の周波数特性に近づけることである。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to bring the frequency characteristics of a bandpass filter closer to a desired frequency characteristics.
本発明に係る積層帯域通過フィルタの一態様は、第1端子および第2端子と、第1LC並列共振器,第2LC並列共振器,第3LC並列共振器,第4LC並列共振器と、第1キャパシタ,第2キャパシタ,第3キャパシタとを備える。第1LC並列共振器は、第1端子に第1接続点において電気的に接続される。第1LC並列共振器は、第1インダクタおよび第4キャパシタを含む。第1インダクタおよび第4キャパシタは、第1接続点と接地点との間で並列に接続されている。第2LC並列共振器は、第2端子に第2接続点において電気的に接続される。第2LC並列共振器は、第2インダクタおよび第5キャパシタを含む。第2インダクタおよび第5キャパシタは、第2接続点と接地点との間で並列に接続されている。第3LC並列共振器は、第1LC並列共振器と磁気結合する。第4LC並列共振器は、第2LC並列共振器および第3LC並列共振器と磁気結合する。第1キャパシタおよび第2キャパシタは、第1接続点と第2接続点との間において直列に接続されている。第3キャパシタは、接地点と、第1キャパシタおよび第2キャパシタの第3接続点との間に接続されている。 One aspect of the stacked band passage filter according to the present invention is the first terminal and the second terminal, the first LC parallel resonator, the second LC parallel resonator, the third LC parallel resonator, the fourth LC parallel resonator, and the first capacitor. , A second capacitor, and a third capacitor. The first LC parallel resonator is electrically connected to the first terminal at the first connection point. The first LC parallel resonator includes a first inductor and a fourth capacitor. The first inductor and the fourth capacitor are connected in parallel between the first connection point and the grounding point. The second LC parallel resonator is electrically connected to the second terminal at the second connection point. The second LC parallel resonator includes a second inductor and a fifth capacitor. The second inductor and the fifth capacitor are connected in parallel between the second connection point and the grounding point. The third LC parallel resonator is magnetically coupled with the first LC parallel resonator. The fourth LC parallel resonator magnetically couples with the second LC parallel resonator and the third LC parallel resonator. The first capacitor and the second capacitor are connected in series between the first connection point and the second connection point. The third capacitor is connected between the grounding point and the third connection point of the first capacitor and the second capacitor.
本発明に係るバンドパスフィルタによれば、接地点と第1および第2キャパシタの第3接続点との間に接続されている第3キャパシタにより、通過帯域よりも低い周波数帯に生じる減衰極の周波数をほとんど変化させずに、通過帯域よりも高い周波数において生じる減衰極の周波数を変化させることができる。その結果、バンドパスフィルタの周波数特性を所望の周波数特性に近づけることができる。 According to the bandpass filter according to the present invention, the attenuation pole generated in the frequency band lower than the pass band by the third capacitor connected between the grounding point and the third connection point of the first and second capacitors. It is possible to change the frequency of the decaying poles that occur at frequencies higher than the passband with little change in frequency. As a result, the frequency characteristics of the bandpass filter can be brought close to the desired frequency characteristics.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は原則として繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In principle, the same or corresponding parts in the drawings are designated by the same reference numerals and the description is not repeated.
図1は、実施の形態に係るバンドパスフィルタ1の等価回路図である。図1に示されるように、バンドパスフィルタ1は、入出力端子P10,P100と、LC並列共振器11〜14と、キャパシタ103,108,111〜113とを備える。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the
LC並列共振器11は、入出力端子P10に接続点114において電気的に接続され、入出力端子P10との間で磁気結合を介さずに信号が伝達される。LC並列共振器11は、インダクタ101およびキャパシタ102を含む。インダクタ101およびキャパシタ102は、接続点114と接地点GNDとの間で並列に接続されている。
The LC
キャパシタ103は、LC並列共振器12と接続点114との間に接続されている。LC並列共振器12は、インダクタ104およびキャパシタ105を含む。インダクタ104およびキャパシタ105は、接地点GNDと、LC並列共振器12およびキャパシタ103の接続点115との間で並列に接続されている。
The
LC並列共振器14は、入出力端子P100に接続点117において電気的に接続され、入出力端子P100との間で磁気結合を介さずに信号が伝達される。LC並列共振器14は、インダクタ109およびキャパシタ110を含む。インダクタ109およびキャパシタ110は、接続点117と接地点GNDとの間で並列に接続されている。
The LC
キャパシタ108は、LC並列共振器13と接続点117との間に接続されている。LC並列共振器13は、インダクタ106およびキャパシタ107を含む。インダクタ106およびキャパシタ107は、接地点GNDと、LC並列共振器13およびキャパシタ108の接続点116との間で並列に接続されている。
The
キャパシタ111および112は、接続点114と117との間において直列に接続されている。キャパシタ113は、接地点GNDと、キャパシタ111および112の接続点118との間に接続されている。
インダクタ101と104との間には、磁気結合M15が生じる。インダクタ104と106との間には、磁気結合M16が生じる。インダクタ106と109との間には、磁気結合M17が生じる。
A magnetic coupling M15 is formed between the
入出力端子P10に信号が入力された場合、当該信号は磁気結合を介さずにLC並列共振器11に伝達される。LC並列共振器11に伝達された信号は、磁気結合M15を介してLC並列共振器12に伝達され、磁気結合M16を介してLC並列共振器13に伝達され、磁気結合M17を介してLC並列共振器14に伝達される。LC並列共振器14に伝達された信号は、磁気結合を介さずに入出力端子P100に伝達され、入出力端子P100から出力される。
When a signal is input to the input / output terminal P10, the signal is transmitted to the LC
入出力端子P100に信号が入力された場合、当該信号は磁気結合を介さずにLC並列共振器14に伝達される。LC並列共振器14に伝達された信号は、磁気結合M17を介してLC並列共振器13に伝達され、磁気結合M16を介してLC並列共振器12に伝達され、磁気結合M15を介してLC並列共振器11に伝達される。LC並列共振器11に伝達された信号は、磁気結合を介さずに入出力端子P10に伝達され、入出力端子P10から出力される。
When a signal is input to the input / output terminal P100, the signal is transmitted to the LC
以下では、LC並列共振器11,14のように、信号が入力される入力端子に電気的に接続されるとともに入力端子との間で磁気結合を介さずに信号が伝達されるLC並列共振器(入力側のLC並列共振器)、および、入力端子からの信号が出力される出力端子に電気的に接続されるとともに出力端子との間で磁気結合を介さずに信号が伝達されるLC並列共振器(出力側のLC並列共振器)を、両端のLC並列共振器と呼ぶ。また、LC並列共振器12,13のように、両端のLC並列共振器からの信号を、磁気結合を介して伝達するLC並列共振器を、両端のLC並列共振器の間に配置されているLC並列共振器と呼ぶ。
In the following, LC parallel resonators such as LC
入力端子から入力側のLC並列共振器に至る信号経路のインピーダンスは、入力端子から両端のLC並列共振器の間に配置されているLC並列共振器に至る各信号経路のインピーダンス、および入力端子から出力側のLC並列共振器に至る信号経路のインピーダンスのいずれよりも小さい。 The impedance of the signal path from the input terminal to the LC parallel resonator on the input side is the impedance of each signal path from the input terminal to the LC parallel resonator arranged between the LC parallel resonators at both ends, and from the input terminal. It is smaller than any of the impedances of the signal path leading to the LC parallel resonator on the output side.
バンドパスフィルタ1においては、入出力端子P10からLC並列共振器11に至る信号経路のインピーダンスは、入出力端子P10からLC並列共振器12〜14に至る各信号経路のインピーダンスよりも小さい。入出力端子P100からLC並列共振器14に至る信号経路のインピーダンスは、入出力端子P100からLC並列共振器13〜11に至る各信号経路のインピーダンスよりも小さい。
In the
なお、2つの回路要素が電気的に接続されている場合には、2つの回路要素が直接に接続されている場合、および他の回路要素(たとえばキャパシタ)を介して間接的に接続されている場合の双方が含まれる。 When the two circuit elements are electrically connected, the two circuit elements are directly connected, and the two circuit elements are indirectly connected via another circuit element (for example, a capacitor). Both cases are included.
図2は、図1のバンドパスフィルタ1の外観斜視図である。座標軸に関して、X軸およびY軸は直交し、Z軸(積層方向)はX軸およびY軸に直交している。図3に示される座標軸についても同様である。
FIG. 2 is an external perspective view of the
図2に示されるように、バンドパスフィルタ1は、たとえば直方体状である。積層方向に垂直なバンドパスフィルタ1の最外層の面を上面UFおよび底面BFとする。
As shown in FIG. 2, the
上面UFには、方向識別マークDMが形成されている。底面BFには、入出力端子P10,P100、および接地端子G120が形成されている。接地端子G120は、接地点GNDを形成している。入出力端子P10,P100、および接地端子G120は、たとえば底面BFに平面電極が規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。底面BFは、不図示の基板に接続される。 A direction identification mark DM is formed on the upper surface UF. Input / output terminals P10 and P100 and a ground terminal G120 are formed on the bottom surface BF. The ground terminal G120 forms a ground point GND. The input / output terminals P10 and P100 and the ground terminal G120 are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are regularly arranged on the bottom surface BF. The bottom surface BF is connected to a substrate (not shown).
図3は、図2のバンドパスフィルタ1の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図3に示されるように、バンドパスフィルタ1は、複数の誘電体層121〜132がZ軸方向に積層された積層体である。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing an example of the laminated structure of the
誘電体層121には、キャパシタ導体パターン141,143、および線路導体パターン142が形成されている。キャパシタ導体パターン141は、ビア導体パターン181によって入出力端子P10に接続されている。キャパシタ導体パターン141は、ビア導体パターン184に接続されている。線路導体パターン142は、ビア導体パターン182によって接地端子G120に接続されている。キャパシタ導体パターン143は、ビア導体パターン183によって入出力端子P100に接続されている。キャパシタ導体パターン143は、ビア導体パターン187に接続されている。
誘電体層122には、接地導体パターン144が形成されている。接地導体パターン144は、ビア導体パターン185,186によって線路導体パターン142に接続されている。キャパシタ導体パターン141および接地導体パターン144は、キャパシタ102を形成している。キャパシタ導体パターン143および接地導体パターン144は、キャパシタ110を形成している。
A
誘電体層123には、キャパシタ導体パターン145,146が形成されている。接地導体パターン144およびキャパシタ導体パターン145は、キャパシタ105を形成している。接地導体パターン144およびキャパシタ導体パターン146は、キャパシタ107を形成している。
誘電体層124には、キャパシタ導体パターン147〜149が形成されている。キャパシタ導体パターン147は、ビア導体パターン188によって、ビア導体パターン184に接続されている。キャパシタ導体パターン145,147は、キャパシタ103を形成している。接地導体パターン144およびキャパシタ導体パターン148は、キャパシタ113を形成している。キャパシタ導体パターン149は、ビア導体パターン190によってビア導体パターン187に接続されている。キャパシタ導体パターン146,149は、キャパシタ108を形成している。
誘電体層125には、キャパシタ導体パターン150が形成されている。キャパシタ導体パターン150は、ビア導体パターン196によってキャパシタ導体パターン148に接続されている。キャパシタ導体パターン147,150は、キャパシタ111を形成している。キャパシタ導体パターン149,150は、キャパシタ112を形成している。キャパシタ導体パターン150とビア導体パターン196との接続部分は、接続点118を含む。キャパシタ導体パターン148が形成された誘電体層124は、接地導体パターンが形成された誘電体層122と、キャパシタ導体パターン150が形成された誘電体層125との間に配置されている。
A
誘電体層126には、線路導体パターン151〜153が形成されている。線路導体パターン151は、ビア導体パターン188によってキャパシタ導体パターン147に接続されている。線路導体パターン152は、ビア導体パターン186によって接地導体パターン144に接続されている。線路導体パターン153は、ビア導体パターン190によってキャパシタ導体パターン149に接続されている。
誘電体層127には、線路導体パターン154〜156が形成されている。線路導体パターン154は、ビア導体パターン188,197によって線路導体パターン151に接続されている。線路導体パターン155は、ビア導体パターン186,194,195によって線路導体パターン152に接続されている。線路導体パターン156は、ビア導体パターン190,198によって線路導体パターン153に接続されている。
誘電体層128には、線路導体パターン157〜159が形成されている。線路導体パターン157は、ビア導体パターン188,197によって線路導体パターン154に接続されている。線路導体パターン158は、ビア導体パターン186,194,195によって線路導体パターン155に接続されている。線路導体パターン159は、ビア導体パターン190,198によって線路導体パターン156に接続されている。
誘電体層129には、線路導体パターン160〜163が形成されている。線路導体パターン160は、ビア導体パターン197によって線路導体パターン157に接続されている。線路導体パターン160は、ビア導体パターン189によって接地導体パターン144に接続されている。
線路導体パターン161は、ビア導体パターン192によってキャパシタ導体パターン145に接続されている。線路導体パターン161は、ビア導体パターン194によって線路導体パターン158に接続されている。
The
線路導体パターン162は、ビア導体パターン193によってキャパシタ導体パターン146に接続されている。線路導体パターン162は、ビア導体パターン195によって線路導体パターン158に接続されている。
The
線路導体パターン163は、ビア導体パターン198によって線路導体パターン159に接続されている。線路導体パターン163は、ビア導体パターン191によって接地導体パターン144に接続されている。
The
誘電体層130には、線路導体パターン164〜167が形成されている。線路導体パターン164は、ビア導体パターン189,197によって線路導体パターン160に接続されている。線路導体パターン165は、ビア導体パターン192,194によって線路導体パターン161に接続されている。線路導体パターン166は、ビア導体パターン193,195によって線路導体パターン162に接続されている。線路導体パターン167は、ビア導体パターン191,198によって線路導体パターン163に接続されている。
誘電体層131には、線路導体パターン168〜171が形成されている。線路導体パターン168は、ビア導体パターン189,197によって線路導体パターン164に接続されている。線路導体パターン169は、ビア導体パターン192,194によって線路導体パターン165に接続されている。線路導体パターン170は、ビア導体パターン193,195によって線路導体パターン166に接続されている。線路導体パターン171は、ビア導体パターン191,198によって線路導体パターン167に接続されている。
ビア導体パターン184,188、線路導体パターン151,154,157、ビア導体パターン197、線路導体パターン160,164,168、およびビア導体パターン189は、インダクタ101を形成している。
The via conductor pattern 184,188, the line conductor pattern 151,154,157, the via
ビア導体パターン192、線路導体パターン161,165,169、およびビア導体パターン194は、インダクタ104を形成している。
The via
ビア導体パターン193、線路導体パターン162,166,170、およびビア導体パターン195は、インダクタ106を形成している。
The via
ビア導体パターン187,190、線路導体パターン153,156,159、ビア導体パターン198、線路導体パターン163,167,171、およびビア導体パターン191は、インダクタ109を形成している。
The via
図4は、比較例に係るバンドパスフィルタ9の等価回路図である。バンドパスフィルタ9の等価回路図は、図1の等価回路図からキャパシタ113が除かれた等価回路図である。それ以外の構成は同様であるため、説明を繰り返さない。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the
図5は、図1のバンドパスフィルタ1の挿入損失IL20、および図4のバンドパスフィルタ9の挿入損失IL90を併せて示す図である。バンドパスフィルタ1よび9の通過帯域は、周波数帯f41〜f42(>f41)であるとする。減衰極が生じている周波数f51〜f55は、この順に高い。
FIG. 5 is a diagram showing the insertion loss IL20 of the
図5において縦軸の減衰量(dB)はマイナスの値である。減衰量の絶対値が大きいほど挿入損失は大きい。挿入損失とは、電子部品の或る端子に入力された信号のうち、電子部品の他の端子に伝達された信号の割合を示す指標である。挿入損失が大きい程、電子部品に入力された信号のうち当該電子部品の内部で失われた信号の割合が大きいことを意味する。 In FIG. 5, the attenuation amount (dB) on the vertical axis is a negative value. The larger the absolute value of the amount of attenuation, the larger the insertion loss. Insertion loss is an index showing the ratio of signals transmitted to other terminals of an electronic component among signals input to a certain terminal of an electronic component. The larger the insertion loss, the larger the proportion of the signal input to the electronic component that is lost inside the electronic component.
図5に示されるように、挿入損失IL90において、通過帯域より低い周波数帯では、周波数f51(<f41),f52(<f41)で減衰極が生じている。通過帯域より高い周波数帯では、周波数f53(>f42),f55で減衰極が生じている。図4のキャパシタ111,112の容量を変化させることにより、挿入損失IL90に生じている減衰極の周波数を変化させることができる。しかし、キャパシタ111,112の容量を変化させると、通過帯域より低い周波数帯で生じている減衰極の周波数および通過帯域より高い周波数帯で生じている減衰極の周波数が同程度変化する。バンドパスフィルタの周波数特性を所望の周波数特性に近づけるために、通過帯域よりも低い周波数帯に生じる減衰極の周波数を変化させずに、通過帯域よりも高い周波数に生じる減衰極を変化させることが必要になり得る。
As shown in FIG. 5, in the insertion loss IL90, in the frequency band lower than the pass band, attenuation poles are generated at frequencies f51 (<f41) and f52 (<f41). In the frequency band higher than the pass band, attenuation poles are generated at frequencies f53 (> f42) and f55. By changing the capacitances of the
そこで、実施の形態においては、両端のLC並列共振器の間に直列に接続された2つのキャパシタの接続点と接地点との間にキャパシタを接続する。当該キャパシタにより、通過帯域よりも低い周波数帯に生じる減衰極の周波数をほとんど変化させることなく、通過帯域よりも高い周波数帯に生じる減衰極の周波数を変化させることができる。 Therefore, in the embodiment, the capacitor is connected between the connection point and the ground point of the two capacitors connected in series between the LC parallel resonators at both ends. With this capacitor, the frequency of the decaying pole generated in the frequency band higher than the passband can be changed with almost no change in the frequency of the decaying pole generated in the frequency band lower than the passband.
再び図5を参照しながら、挿入損失IL20において、通過帯域より低い周波数帯では、挿入損失IL90と同様に、周波数f51,f52付近で減衰極が生じている。通過帯域より高い周波数帯では、挿入損失IL90と同様に周波数f53付近で減衰極が生じているとともに、周波数f54(>f42)で減衰極が生じている。図1のバンドパスフィルタ1によれば、キャパシタ113の容量を変化させることにより、通過帯域よりも低い周波数帯に生じる減衰極の周波数をほとんど変化させることなく、通過帯域よりも高い周波数帯に生じる減衰極の周波数を変化させることができる。
With reference to FIG. 5 again, in the insertion loss IL20, in the frequency band lower than the pass band, an attenuation pole is generated near the frequencies f51 and f52, similarly to the insertion loss IL90. In the frequency band higher than the pass band, an attenuation pole is generated near the frequency f53 as in the insertion loss IL90, and an attenuation pole is generated at the frequency f54 (> f42). According to the
図6は、実施の形態の変形例に係るバンドパスフィルタ1Aの等価回路図である。バンドパスフィルタ1Aの等価回路図は、図1の等価回路図からキャパシタ103,108が除かれた等価回路図である。それ以外の構成は同様であるため、説明を繰り返さない。
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the
以上、実施の形態および変形例に係るバンドパスフィルタによれば、周波数特性を所望の周波数特性に近づけることができる。 As described above, according to the bandpass filter according to the embodiment and the modified example, the frequency characteristic can be brought close to the desired frequency characteristic.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the claims rather than the above description, and it is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the claims.
1,1A,9 バンドパスフィルタ、11〜14 LC並列共振器、101,104,106,109 インダクタ、102,103,105,107,108,110,111〜113 キャパシタ、121〜132 誘電体層、141,143,145〜150 キャパシタ導体パターン、142,151〜171 線路導体パターン、144 接地導体パターン、181〜198 ビア導体パターン、DM 方向識別マーク、G120 接地端子、P10,P100 入出力端子。 1,1A, 9 bandpass filter, 11-14 LC parallel resonator, 101,104,106,109 inductor, 102,103,105,107,108,110,111-113 capacitor, 121-132 dielectric layer, 141,143,145-150 Capacitor conductor pattern, 142,151-171 Line conductor pattern, 144 Ground conductor pattern, 181-198 Via conductor pattern, DM direction identification mark, G120 ground terminal, P10, P100 input / output terminal.
Claims (2)
第1端子および第2端子と、
前記第1端子に第1接続点において電気的に接続される第1LC並列共振器と、
前記第2端子に第2接続点において電気的に接続される第2LC並列共振器と、
前記第1LC並列共振器と磁気結合する第3LC並列共振器と、
前記第2LC並列共振器および前記第3LC並列共振器と磁気結合する第4LC並列共振器と、
第1キャパシタ、第2キャパシタ、および第3キャパシタとを備え、
前記第1LC並列共振器は、前記第1接続点と接地点との間で並列に接続された第1インダクタおよび第4キャパシタを含み、
前記第2LC並列共振器は、前記第2接続点と前記接地点との間で並列に接続された第2インダクタおよび第5キャパシタを含み、
前記第1キャパシタおよび前記第2キャパシタは、前記第1接続点と前記第2接続点との間において直列に接続され、
前記第3キャパシタは、前記接地点と、前記第1キャパシタおよび前記第2キャパシタの第3接続点との間に接続され、
前記バンドパスフィルタは、複数の誘電体層の積層体として形成され、
前記複数の誘電体層は、
接地導体パターンが形成された第1誘電体層と、
第1キャパシタ導体パターンが形成された第2誘電体層と、
前記第1キャパシタ導体パターンに接続された第2キャパシタ導体パターンが形成された第3誘電体層とを含み、
前記第2誘電体層は、前記第1誘電体層と前記第3誘電体層との間に配置され、
前記第2キャパシタ導体パターンは、前記第3接続点を含み、
前記第3キャパシタは、前記第1キャパシタ導体パターンおよび前記接地導体パターンから形成されている、バンドパスフィルタ。 It ’s a bandpass filter,
1st terminal and 2nd terminal,
A first LC parallel resonator electrically connected to the first terminal at the first connection point,
A second LC parallel resonator electrically connected to the second terminal at the second connection point,
A third LC parallel resonator that magnetically couples with the first LC parallel resonator,
A second LC parallel resonator and a fourth LC parallel resonator magnetically coupled to the third LC parallel resonator,
It includes a first capacitor, a second capacitor, and a third capacitor.
The first LC parallel resonator includes a first inductor and a fourth capacitor connected in parallel between the first connection point and the ground point.
The second LC parallel resonator includes a second inductor and a fifth capacitor connected in parallel between the second connection point and the ground point.
The first capacitor and the second capacitor are connected in series between the first connection point and the second connection point.
The third capacitor is connected between the grounding point and the third connection point of the first capacitor and the second capacitor .
The bandpass filter is formed as a laminate of a plurality of dielectric layers, and is formed.
The plurality of dielectric layers are
The first dielectric layer on which the ground conductor pattern is formed,
The second dielectric layer on which the first capacitor conductor pattern is formed, and
It includes a third dielectric layer on which a second capacitor conductor pattern connected to the first capacitor conductor pattern is formed.
The second dielectric layer is arranged between the first dielectric layer and the third dielectric layer.
The second capacitor conductor pattern includes the third connection point.
The third capacitor is a bandpass filter formed from the first capacitor conductor pattern and the ground conductor pattern.
前記第4LC並列共振器と前記第2接続点との間に接続された第7キャパシタとをさらに備え、
前記第3LC並列共振器は、並列に接続された第3インダクタおよび第8キャパシタを含み、前記第6キャパシタと前記接地点との間に接続され、
前記第4LC並列共振器は、並列に接続された第4インダクタおよび第9キャパシタを含み、前記第7キャパシタと前記接地点との間に接続されている、請求項1に記載のバンドパスフィルタ。 A sixth capacitor connected between the third LC parallel resonator and the first connection point,
A seventh capacitor connected between the fourth LC parallel resonator and the second connection point is further provided.
The third LC parallel resonator includes a third inductor and an eighth capacitor connected in parallel, and is connected between the sixth capacitor and the grounding point.
The bandpass filter according to claim 1, wherein the fourth LC parallel resonator includes a fourth inductor and a ninth capacitor connected in parallel, and is connected between the seventh capacitor and the grounding point.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017222760 | 2017-11-20 | ||
| JP2017222760 | 2017-11-20 | ||
| PCT/JP2018/029329 WO2019097774A1 (en) | 2017-11-20 | 2018-08-06 | Bandpass filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019097774A1 JPWO2019097774A1 (en) | 2020-11-19 |
| JP6904433B2 true JP6904433B2 (en) | 2021-07-14 |
Family
ID=66539635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019553694A Active JP6904433B2 (en) | 2017-11-20 | 2018-08-06 | Bandpass filter |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6904433B2 (en) |
| CN (1) | CN111357198B (en) |
| WO (1) | WO2019097774A1 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113939999B (en) | 2019-07-09 | 2025-09-09 | 株式会社村田制作所 | LC filter |
| JP7424849B2 (en) | 2020-01-31 | 2024-01-30 | 太陽誘電株式会社 | Filters, multiplexers and communication modules |
| WO2022019112A1 (en) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 株式会社村田製作所 | Filter device and high-frequency front end circuit provided therewith |
| JP7578142B2 (en) * | 2020-10-02 | 2024-11-06 | 株式会社村田製作所 | FILTER DEVICE AND HIGH-FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT INCLUDING THE SAME |
| CN117795850A (en) | 2021-08-12 | 2024-03-29 | 株式会社村田制作所 | Filter device and high-frequency front-end circuit equipped with the filter device |
| JP7755498B2 (en) | 2022-01-17 | 2025-10-16 | Tdk株式会社 | Multilayer bandpass filter |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06151243A (en) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Tdk Corp | Laminated filter |
| JP2001352224A (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Toko Inc | Bandpass filter |
| CN101421918B (en) * | 2006-04-14 | 2013-02-27 | 株式会社村田制作所 | Layered band-pass filter |
| JP5621823B2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-11-12 | 株式会社村田製作所 | High frequency filter |
-
2018
- 2018-08-06 CN CN201880074588.1A patent/CN111357198B/en active Active
- 2018-08-06 JP JP2019553694A patent/JP6904433B2/en active Active
- 2018-08-06 WO PCT/JP2018/029329 patent/WO2019097774A1/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2019097774A1 (en) | 2020-11-19 |
| CN111357198A (en) | 2020-06-30 |
| CN111357198B (en) | 2023-05-16 |
| WO2019097774A1 (en) | 2019-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI729327B (en) | Multilayer band pass filter | |
| JP6904433B2 (en) | Bandpass filter | |
| CN110024283B (en) | LC resonator and LC filter | |
| US12034426B2 (en) | Multilayer filter | |
| CN109952705A (en) | LC filter | |
| CN107005213A (en) | Electronic unit | |
| JP2019050460A (en) | Laminate type electronic component | |
| CN111316565A (en) | Laminated band-pass filter | |
| JP2021175151A (en) | Bandpass filter | |
| JP2018074346A (en) | Balun | |
| JP2023121294A (en) | filter | |
| CN115298957A (en) | LC resonator and LC filter | |
| US12334894B2 (en) | Band-pass filter | |
| TW201807879A (en) | Laminated filter | |
| JP7663462B2 (en) | Multilayer Electronic Components | |
| TWI863173B (en) | Multilayered filter device | |
| CN116706475B (en) | Laminated filter device | |
| TWI818720B (en) | Multilayer electronic component | |
| TWI849500B (en) | Multilayer electronic component | |
| TWI849501B (en) | Multilayer electronic component | |
| JP2019075686A (en) | Layered filter | |
| JP2023147842A (en) | Laminated filter device | |
| JP2024130805A (en) | Multilayer Electronic Components | |
| CN119483533A (en) | Laminated electronic components | |
| JP2023113307A (en) | Filter circuit and stacked filter device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200421 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210525 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210607 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6904433 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |