JP6907884B2 - 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器に関する。

従来、一対のミラーを対向配置し、入射光をミラー間で多重干渉させて目的波長の光を出射させる干渉フィルターが知られている。このような干渉フィルターでは、高い分解能で目的波長の光を出力させるためには、ターゲットとする波長域に対して高い反射特性を有するミラーを用いることが好ましい。このようなミラーとして、高屈折層と低屈折層とを交互に積層した誘電体多層膜を用いた干渉フィルターが従来知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載の干渉フィルターは、対向配置された固定基板及び可動基板を有し、固定基板の可動基板に対向する面の全面に誘電体多層膜により構成された固定反射膜（ミラー）が形成され、及び可動基板の固定基板に対向する面の全面に誘電体多層膜により構成された可動反射膜（ミラー）が形成されている。このような干渉フィルターでは、固定基板の可動基板に対向する面の一部や、可動基板の固定基板に対向する面の一部に誘電体多層膜を形成する場合に比べて、誘電体多層膜をパターニングする工程（例えば、リフトオフ工程等）が不要となり、製造効率性が向上する。
また、リフトオフ工程等によって基板の一部の領域に誘電体多層膜を形成した後、誘電体多層膜上から基板に亘って電極を形成する場合では、誘電体多層膜の端面（側面）に電極が配置される。このような場合では、誘電体多層膜の端面への電極の形成が困難であり、電極の一部に断線が生じるおそれがある。これに対して、特許文献１のような干渉フィルターでは、誘電体多層膜の表面上に電極を形成すればよいので、電極の断線等の不都合が抑制される。

特開２０１５−６８８８６０号公報

ところで、特許文献１に記載の干渉フィルターでは、固定基板と可動基板とのそれぞれに駆動電極を配置して静電アクチュエーターとして機能させる。ここで、誘電体多層膜として、一部に導電性を有する膜層が有る場合、当該導電性を有する膜層においても帯電が生じるとの課題があった。
例えば、導電性を有する膜層に帯電が発生すると、静電アクチュエーターとして機能させたい駆動電極以外の部分にも帯電が生じるので、見かけ上、静電アクチュエーターの面積が拡大したような作用が生じ、ミラー間のギャップ寸法が徐々に狭くなる。この場合、ミラー間のギャップ寸法を所定寸法に精度よく設定するための電圧制御が複雑となる。

本発明は、誘電体多層膜の帯電による影響を低減可能な干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係る一適用例の干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板の一面に亘って設けられた第一反射膜と、前記第一基板を厚み方向から見た平面視において、少なくとも所定のミラー領域において前記第一反射膜と重なり、前記第一反射膜に対してギャップを介して配置される第二反射膜と、前記第一反射膜上に設けられた第一配線電極と、を備え、前記第一反射膜は、絶縁層及び導電層が交互に積層された積層体であり、当該第一反射膜の一部には、前記絶縁層及び前記導電層の積層方向に設けられ、かつ少なくとも１層の前記導電層が露出する第一スルーホールが設けられ、前記第一配線電極は、前記第一スルーホールに接続され、前記第一スルーホールから露出する前記導電層に導通することを特徴とする。

本適用例では、第一基板の一面に亘って、すなわち、第一基板の一面の略全面に、導電層及び絶縁層が交互に積層された積層体（誘電体多層膜）である第一反射膜が設けられている。このような構成では、リフトオフ工程等が不要であり、干渉フィルターの製造効率性が向上する。
一方、このような第一反射膜を第一基板の一面の略全面に設ける構成では、例えば駆動電極等を設けて電圧を印加すると、導電層に帯電が生じる。これに対して、本適用例では、第一反射膜に、導電層が露出する第一スルーホールが設けられており、当該第一スルーホールから露出する導電層が第一配線電極に接続されている。このため、導電層が帯電した場合でも、第一配線電極から電荷を逃がすことができ、帯電の影響を抑制することができる。

本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第一スルーホールは、前記絶縁層に設けられた第一貫通孔と、前記絶縁層の前記第一基板側に接する前記導電層に設けられて前記第一貫通孔に連通する第二貫通孔とを含み、前記平面視において、前記第一貫通孔の内側に前記第二貫通孔が位置することが好ましい。

本適用例では、第一反射膜を構成する複数の絶縁層のうちの１つの絶縁層に第一スルーホールを構成する第一貫通孔が設けられる。また、その絶縁層の第一基板側に隣接する導電層に、第一スルーホールを構成する第二貫通孔が設けられる。そして、平面視において、第二貫通孔は、第一貫通孔の内側に配置されている。
つまり、第一スルーホールは、第一貫通孔が設けられた絶縁層と第二貫通孔が設けられた導電層との間で階段状となり、導電層の上面の一部が第一スルーホール内に露出する。このような構成では、例えば第一導電層の側面のみが第一スルーホール内に露出する構成に比べて、第一導電層に対して第一配線電極を接続しやすく、第一導電層の電荷を適切に逃がすことができる。

本適用例の干渉フィルターにおいて、前記第一基板に対向する第二基板を備え、前記第二反射膜は、前記第二基板の前記第一基板に対向する面に亘って設けられ、かつ絶縁層及び導電層が積層された積層体であり、当該第二反射膜の一部には、前記絶縁層及び前記導電層の積層方向に沿って設けられ、少なくとも１層の前記導電層が露出する第二スルーホールが設けられ、前記第二反射膜上には、前記第二スルーホールに接続されて前記第二スルーホールから露出する前記導電層に導通する第二配線電極が設けられていることが好ましい。

本適用例では、第一基板に対向する第二基板において、第一反射膜と同様に絶縁層と導電層との積層体である第二反射膜が設けられ、この第二反射膜は、導電層の一部が露出する第二スルーホールを備える。そして、第二反射膜上には、第二スルーホールと接続されて第二反射膜の導電層の一部に導通する第二配線電極が設けられている。
よって、上記適用例と同様に、第二反射膜の導電層が帯電した場合でも、第二配線電極から電荷を逃がすことができ、帯電の影響を抑制することができる。

本適用例の干渉フィルターにおいて、前記平面視において、前記第二スルーホールと重なる位置で、前記第一基板から前記第二基板に向かって突出し、前記第二スルーホールに挿入される突出部を備え、前記第一配線電極は、前記第一反射膜上から前記突出部の突出先端面に亘って設けられ、前記第二配線電極の一部は、前記第二スルーホールの前記第一基板に対向する第二底面に延設され、前記突出先端面に設けられた前記第一配線電極に接することが好ましい。

ところで、所定の距離をあけて対向配置される第一基板と第二基板とにおいて、第一配線電極と第二配線電極とを接続する場合、第一基板及び第二基板の少なくとも一方に他方に向かう突出部を設け、当該突出部上に電極を形成して他方の電極に接続することがある（所謂、バンプ接続）。しかしながら、突出部の先端に設けられた第一配線電極の一部を、第二反射膜上に設けられた第二配線電極に接続する場合、少なくとも積層体である第二反射膜の厚み寸法と突出部の突出寸法との合計だけ、第一基板と第二基板とが離れることになり、その分、干渉フィルターのサイズが大きくなる。
これに対して、本適用例では、第一基板から突出する突出部が第二スルーホール内に挿入されて、第二スルーホールの底面で第二配線電極と第一配線電極とが接触する。このため、第一基板と第二基板とを近接させることができ、干渉フィルターのサイズを小さくできる。特に、第二反射膜を貫通する第二スルーホールを設ける構成とすれば、第二スルーホールの底面が第二基板の基板表面と同一面となり、更なる干渉フィルターの小型化を図ることができる。

本適用例の干渉フィルターにおいて、前記突出部は、前記第一スルーホールの前記第二基板に対向する第一底面から前記第二基板に向かって突出することが好ましい。

本適用例では、上述した突出部が、第一スルーホールの底面から第二基板に向かって突出する。積層体である第一反射膜上から第二基板に向かって突出する突出部を形成する場合、第一反射膜の厚み寸法分だけ第一基板と第二基板との距離が長くなる。これに対して、第一スルーホールの底面から突出部を突出させる構成とすることで、第一基板と第二基板との距離を短くできる。特に、第一反射膜を貫通する第一スルーホールを設ける構成とすれば、第一スルーホールの底面が第一基板の基板表面と同一面となり、更なる干渉フィルターの小型化を図ることができる。

本適用例の干渉フィルターにおいて、前記導電層の前記ミラー領域以外の領域には、前記導電層の電気抵抗値よりも小さい電気抵抗値を有する粒子がドープされていることが好ましい。

本適用例では、ミラー領域以外の領域に、電気抵抗が小さい粒子（以降、低抵抗粒子と称する）がドープされている。例えば、導電層としてＳｉ層を用いる場合、Ｐ粒子や、Ｂ粒子をドープする。このように、ミラー領域以外に低抵抗粒子がドープされていることで、導電層における帯電を抑制することができ、帯電による影響を低減することができる。また、ミラー領域には低抵抗粒子がドープされないので、第一反射膜における反射特性が低抵抗粒子により変動することがなく、干渉フィルターの性能低下も抑制できる。

本発明に係る一適用例に係る光学フィルターデイバスは、上述したような干渉フィルターと、前記干渉フィルターを収納する筐体と、を備えることを特徴とする。
本適用例では、上述した適用例と同様、干渉フィルターにおける誘電体多層膜の帯電の影響を抑制できる。また、干渉フィルターが筐体内に収納されているため、例えば反射膜への異物の付着等を抑制でき、衝撃等から干渉フィルターを保護することもできる。

本発明に係る一適用例の光学モジュールは、上述したような干渉フィルターと、前記干渉フィルターを駆動させる回路部と、を備えることを特徴とする。
本適用例では、上述した適用例と同様、干渉フィルターにおける誘電体多層膜の帯電の影響を抑制できる。したがって、回路部として、誘電体多層膜の帯電を考慮した複雑な制御を行う回路を組み込む必要がなく、回路部の構成を簡略化することができ、光学モジュールのコストダウンを図れる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記回路部は、前記第一配線電極を所定の基準電位とするグラウンド回路を有することが好ましい。
本適用例では、回路部にグラウンド回路が含まれているので、導電層が帯電した場合では、第一配線電極からグラウンド回路に導電層の電荷を逃がすことができる。

本発明の一適用例に係る電子機器は、上述したような干渉フィルターと、前記干渉フィルターを制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
本適用例では、上述した適用例と同様、干渉フィルターにおいて誘電体多層膜での帯電の影響を除外でき、複雑な制御を実施せずとも、干渉フィルターから安定して所望波長の光を出力させることができる。したがって、電子機器における、当該干渉フィルターの制御も容易にできる。

第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 図１のＡ−Ａ線を切断した際の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 第一実施形態における第一反射膜の概略構成、及び第一スルーホールの概略構成を示す図。 図１のＢ−Ｂ線を切断した際の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 第一実施形態における第二反射膜の概略構成、及び第二スルーホールの概略構成を示す図。 第一反射膜に第一スルーホールが形成されていない従来の誘電体多層膜を有する干渉フィルターにおける第一反射膜の帯電状態を説明するための図。 第一実施形態における第一反射膜の帯電状態を説明するための図。 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における第一基板形成工程の第一ガラス基板を示す図。 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における第二基板形成工程の第二ガラス基板を示す図。 第二実施形態における波長可変干渉フィルターの平面図。 図１０のＣ−Ｃ線で切断した波長可変干渉フィルターの一部の断面図。 第三実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 第四実施形態に係る光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。 第五実施形態におけるプリンターの外観の構成例を示す図。 第五実施形態のプリンターの概略構成を示すブロック図。 第五実施形態の分光器の概略構成を示す図。 変形例１に係る第一スルーホールの形状例を示す図。 変形例１に係る第一スルーホールの他の形状例を示す図。 変形例１に係る第一スルーホールの他の形状例を示す図。 変形例１に係る第一スルーホールの他の形状例を示す図。 変形例５に係る第一引出電極及び第一接続電極の接続構成の例を示す断面図。 変形例５に係る第一引出電極及び第一接続電極の接続構成の他の例を示す断面図。

［第一実施形態］
以下、第一実施形態に係る光学モジュールについて説明する。
図１は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。図２は、図１をＡ−Ａ線で切断にした波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図１及び図２に示すように、第一基板５１および第二基板５２を備えている。これらの第一基板５１及び第二基板５２は、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等の接合膜５３により接合されて、一体的に構成されている。
第一基板５１には、第一反射膜５４が設けられ、第二基板５２には、第二反射膜５５が設けられ、これらの第一反射膜５４および第二反射膜５５は、ミラーギャップＧを介して対向配置されている。また、波長可変干渉フィルター５には、ミラーギャップＧの寸法を変更する静電アクチュエーター５６を備えている。
以下、各部の構成を詳細に説明する。

（第一基板５１の構成）
第一基板５１は、図２に示すように、第二基板５２に対向する面に、例えばエッチングにより形成された電極配置溝５１１及びギャップ形成部５１２を備える。この第一基板５１は、例えば第二基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、静電アクチュエーター５６により静電引力を作用させた際の第一基板５１が抑制されている。
また、第一基板５１の一端側（例えば、図１における辺Ｃ５−Ｃ６）は、第二基板５２の一端側（辺Ｃ１−Ｃ２）よりも突出し、波長可変干渉フィルター５を例えばパッケージ筐体や基台等に固定する際の固定部として用いることができる。

電極配置溝５１１は、第一基板５１を基板厚み方向から見た平面視（以降、単に平面視と称する）において、所定のフィルター中心軸Ｏを中心とした略環状に形成されている。また、第一基板５１には、電極配置溝５１１から辺Ｃ３−Ｃ４に向かって、電極配置溝５１１と同一深さ寸法の引出溝５１１Ａが延設されている。

ギャップ形成部５１２は、平面視において、電極配置溝５１１の内側（フィルター中心軸Ｏ側）に設けられ、図２に示すように、第二基板５２側に突出して形成されている。このギャップ形成部５１２の突出先端面は平面であり、第二基板５２の可動部５２１の可動面５２１Ａに対して平行又は略平行に維持されている。

図３は、第一反射膜５４及び第一スルーホール５４３の概略構成を示す図である。図４は、図１のＢ−Ｂ線を切断した際の概略断面図である。
第一反射膜５４は、第一基板５１の第二基板５２に対向する面に亘って設けられている。すなわち、第一反射膜５４は、第一基板５１の第二基板５２に対向する一面側の略全面（後述する第一スルーホール５４３が設けられる部分以外）を覆って形成されている。
この第一反射膜５４は、所定波長域の光に対して反射特性及び透過特性を有する複数の膜材により構成されており、当該膜材は、前記光に対して互いに異なる屈折特性を有する誘電体多層膜である。具体的には、図３に示すように、第一反射膜５４は、絶縁層である金属酸化膜（以降、酸化膜５４１と略す）と、導電層である金属膜５４２とが交互に積層されることで構成された積層体である。例えば、本実施形態では、高屈折層の酸化膜５４１としてＳｉＯ_２、低屈折層の金属膜５４２として半金属であるＳｉが用いられる。このような誘電体多層膜の第一反射膜５４では、近赤外から赤外域に対して高い反射特性を有する。
なお、第一反射膜５４の第二基板５２に対向する最表面を構成する層は、金属酸化膜５４１である。

また、第一反射膜５４には、少なくとも一部に第一スルーホール５４３が、設けられている。第一スルーホール５４３は、第一反射膜５４の最表面から第一基板５１に向かう方向（第一反射膜５４の厚み方向であり、金属酸化膜５４１及び金属膜５４２の積層方向）に沿って形成された孔である。本実施形態では、第一スルーホール５４３は、第一反射膜５４を貫通して形成されており、第一基板５１の基板面（第二基板５２に対向する面）が第一スルーホール５４３から露出する。つまり、第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂは、第一基板５１である。

また、本実施形態では、第一スルーホール５４３は、各酸化膜５４１及び各金属膜５４２のそれぞれに形成される貫通孔が連通されることで構成される。ここで、第一反射膜５４の最表面（第一基板５１から最も遠い位置の酸化膜５４１）の貫通孔の孔径が最も大きく、直下の層に向かうに従って、貫通孔の孔径が順次小さくなる（階段状となる）。そして、厚み寸法から見た平面視において、各貫通孔が直上の層の貫通孔の内側に配置される。
例えば、最表面の酸化膜５４１に設けられる貫通孔（第一貫通孔５４１Ａ）は、当該最表面の酸化膜５４１の直下（第一基板５１側）に隣接して形成される金属膜５４２の貫通孔（第二貫通孔５４２Ａ）に連通し、第一スルーホール５４３の一部を構成する。そして、第一貫通孔５４１Ａの孔径Ｌ１は、第二貫通孔５４２Ａの孔径Ｌ２よりも大きく、平面視で第一貫通孔５４１Ａの内側に第二貫通孔５４２Ａが配置されている。このため、最表面の酸化膜５４１の直下の金属膜５４２の上面（第二基板５２側の面）の一部と、当該金属膜５４２の側面とが第一スルーホール５４３の内側に露出することになる。
他の金属膜５４２も同様であり、直上に配置された酸化膜５４１の第一貫通孔５４１Ａの孔径よりも小さい孔径の第二貫通孔５４２Ａが設けられることで、各金属膜５４２の上面の一部と側面とが第一スルーホール５４３に露出する。
また、第一スルーホール５４３が設けられる位置としては、ギャップ形成部５１２以外の領域であれば、何処に設けられていてもよく、本実施形態では、引出溝５１１Ａ内に第一スルーホール５４３が設けられている。

そして、第一基板５１の第二基板５２に対向する面の略全面に亘って形成された第一反射膜５４上に、静電アクチュエーター５６を構成する第一電極５６１が配置されている。
具体的には、第一電極５６１は、第一基板５１の電極配置溝５１１の溝底面に形成された第一反射膜５４上に配置されている。この第一電極５６１は、例えば電極配置溝５１１に沿った略環状に形成される。
なお、本実施形態では、１つの第一電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心軸Ｏを中心とした同心円となる２つ以上の電極が設けられる構成などとしてもよい。また、第一電極５６１の形状としては、例えば、一部に環内外を連通する切欠部が設けられる構成としてもよい。この場合、当該切欠部を通って、第一電極５６１から独立した他の電極（例えばギャップ形成部５１２上に配置された容量検出用電極等）を設けることもできる。

この第一電極５６１には、引出溝５１１Ａに沿って辺Ｃ３−Ｃ４側に延設される第一引出電極５６３（図１参照）が接続されている。なお、本実施形態では、第一電極５６１は、グラウンド回路等に接続されて基準電位（例えば０Ｖ）に維持される電極であり、第一引出電極５６３は、本発明の第一配線電極に相当する。
この第一引出電極５６３は、引出溝５１１Ａにおいて、第二基板５２側に設けられた第一接続電極５６５に接続される。

ここで、図３に示すように、第一引出電極５６３は、引出溝５１１Ａにおいて、第一スルーホール５４３に接続される。具体的には、第一引出電極５６３は、第一反射膜５４の最表面を構成する酸化膜５４１上から、第一スルーホール５４３の孔内周面５４３Ａ、第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂに亘って形成され、第一スルーホール５４３の表面を覆う。なお、ここでは、第一スルーホール５４３の孔内周面５４３Ａ、及び第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂを覆う構成を例示するが、少なくとも第一スルーホール５４３の孔内周面５４３Ａを覆っていればよい。また、第一引出電極５６３により第一スルーホール５４３の孔内部が埋められている（充填されている）構成としてもよく、第一基板５１側の一部のみが第一引出電極５６３の電極材料により埋められている構成としてもよい。
これにより、第一スルーホール５４３から露出する金属膜５４２の上面の一部及び側面が第一引出電極５６３に被覆されて導通する。

図１及び図２に戻り、第一基板５１の第二基板５２に対向する面のうち、電極配置溝５１１、ギャップ形成部５１２及び引出溝５１１Ａが形成されない面には第一接合部５１３が設けられる。第一接合部５１３は、接合膜５３を介して第二基板５２に接合される。
また、図１及び図４に示すように、第一引出電極５６３の一部（電極接続部５６３Ａ）は、第一接合部５１３まで延設されており、第一接合部５１３において、第二基板５２に設けられた第一接続電極５６５に接続される。

なお、本実施形態では、電極配置溝５１１よりもギャップ形成部５１２が第二基板５２側に位置する例を示すが、例えば、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長域によっては、電極配置溝５１１がギャップ形成部５１２より第二基板５２側に位置する構成としてもよい。つまり、平面視における電極配置溝５１１の内側（フィルター中心軸Ｏ側）に凹部を形成し、当該凹部の底面に第一反射膜５４を設けてもよい。

（第二基板５２の構成）
第二基板５２は、本発明の基板に相当する。第二基板５２は、第二基板５２の一端側（辺Ｃ３−Ｃ４側）は、第一基板５１の辺Ｃ７−Ｃ８よりも外側に突出し、電装部５６０を構成する。また、第二基板５２の第一基板５１に対向する面には、第二反射膜５５及び第二電極５６２が設けられている。
そして、第二基板５２の第一基板５１とは反対側の面には、第一基板５１側に凹状となる例えば円環状の溝が形成されることで、可動部５２１と、可動部５２１の外周を囲う保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられる基板外周部５２３とが形成されている。

可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、基板外周部５２３の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、平面視において、ギャップ形成部５１２に対向し、第一電極５６１の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。

保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイアフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を第一基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、可動部５２１が静電引力により第一基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化をある程度抑制できる。
なお、本実施形態では、ダイアフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、可動部５２１のフィルター中心軸Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。

基板外周部５２３は、保持部５２２の外周側を保持する部分である。基板外周部５２３のうち、第一基板５１の第一接合部５１３に対向する部分には、接合膜５３が接合され、当該接合膜５３を介して第一基板５１に接合される。

そして、第二基板５２の第一基板５１に対向する面に亘って第二反射膜５５が設けられる。つまり、第二反射膜５５は、第二基板５２の第一基板５１に対向する面の略全面（後述する第二スルーホール５５３以外の部分）を覆って設けられている。
図５は、第二反射膜５５及び第二スルーホール５５３の概略構成を示す図である。
この第二反射膜５５は、第一反射膜５４と同様に、所定波長の光に対する屈折率が高い高屈折層と、屈折率が低い低屈折層とが交互に積層された積層体（誘電体多層膜）であり、絶縁層である金属酸化膜（酸化膜５５１と称す）と、導電層である金属膜５５２とにより構成されている。本実施形態では、第一反射膜５４と同様に、高屈折層として、酸化膜５５１（例えばＳｉＯ_２）、低屈折層として金属膜５５２（例えばＳｉ）が用いられている。
なお、第一反射膜５４及び第二反射膜５５のうち、ギャップ形成部５１２の先端面に対向する領域Ｍは、ミラー領域Ｍとなる。ミラー領域Ｍは、入射光が第一反射膜５４及び第二反射膜５５間で多重反射される領域であり、ミラーギャップＧに応じた波長の光が干渉により強め合い、ミラー領域Ｍから出射される。

また、第一反射膜５４と同様にして、第二反射膜５５には、少なくとも一部に第二スルーホール５５３が設けられている。第二スルーホール５５３は、第二反射膜５５の最表面から第二基板５２に向かう方向（第二反射膜５５の厚み方向であり、酸化膜５５１及び金属膜５５２の積層方向）に沿って形成された孔である。また、第二スルーホール５５３は、第一スルーホール５４３と同様に、各層の貫通孔の孔径が第二基板５２に向かうに従って小さくなる階段状に形成される。
したがって、各金属膜５５２の上面（第一基板５１側の面）の一部と側面とが第二スルーホール５５３内に露出する。
また、第一スルーホール５４３と同様に、第二スルーホール５５３は、ギャップ形成部５１２以外の領域であれば、何処に設けられていてもよい。本実施形態では、引出溝５１１Ａに対向する位置に第二スルーホール５５３が設けられている。

そして、第二基板５２の第二反射膜５５上には、第二電極５６２が配置される。第二電極５６２は、例えば第一電極５６１と同一形状に形成され、第一電極５６１に対向する位置に設けられる。
また、第二電極５６２の外周縁からは、引出溝５１１Ａに対向する領域を通り、電装部５６０まで延設される第二引出電極５６４（図１参照）が設けられている。

さらに、第二基板５２の第一基板５１に対向する面には、引出溝５１１Ａに対向する領域から電装部５６０に亘って設けられる第一接続電極５６５が設けられている。この第一接続電極５６５は、本発明の第二配線電極に相当し、第二スルーホール５５３にも接続されている。具体的には、第一スルーホール５４３に接続される第一引出電極５６３と同様に、第一接続電極５６５は、第二スルーホール５５３の孔内周面５５３Ａから底面５５３Ｂに亘って形成されており、第二スルーホール５５３から露出する各金属膜５５２に導通する。
また、図１及び図４に示すように、この第一接続電極５６５の一部（電極接続部５６５Ａ）は、第一接合部５１３の一部（第一引出電極５６３の電極接続部５６３Ａに対向する位置）まで延設されており、第一基板５１及び第二基板５２を接合膜５３により接合した際に、第一引出電極５６３に接触することで導通される。これにより、第一電極５６１、第一引出電極５６３、第一接続電極５６５、第一反射膜５４の各金属膜５４２、及び第二反射膜５５の各金属膜５５２が導通して同電位となる。

［波長可変干渉フィルター５の駆動時における各反射膜の帯電］
次に、以上のような波長可変干渉フィルター５を駆動した際の誘電体多層膜（第一反射膜５４及び第二反射膜５５）の帯電について説明する。
ここでは、静電アクチュエーター５６に電圧を印加した際の第一反射膜５４の帯電について説明し、第二反射膜５５の帯電に関しては第一反射膜５４と同様であるため、説明を省略する。

上述したような波長可変干渉フィルター５では、第二引出電極５６４と第一接続電極５６５とを、波長可変干渉フィルター５を駆動させる駆動回路（ドライバー回路）に接続し、当該駆動回路により、静電アクチュエーター５６を構成する第一電極５６１及び第二電極５６２の間に印加する電圧を制御する。これにより、第一電極５６１及び第二電極５６２の間で静電引力が作用し、保持部５２２が変形して可動部５２１が第一基板５１側に変位し、ミラーギャップＧの寸法を変更することが可能となる。

図６は、第一反射膜５４に第一スルーホール５４３が形成されていない場合（従来の干渉フィルター）の第一反射膜５４の帯電状態を説明するための図である。なお、図６は、説明の簡略化のため、酸化膜５４１及び金属膜５４２をそれぞれ層のみ表示している。
上述のように、静電アクチュエーター５６を印加すると、第一電極５６１に、印加電圧に応じた電荷が蓄積（帯電）される。これによって、図６に示すように、第一電極５６１の直下に配置された第一反射膜５４にも局所的な分極が発生する。図６に示す例では、電圧の印加によって、第一電極５６１が＋に帯電され、これにより、直下の第一反射膜５４の最表面に配置された酸化膜５４１には局所的な分極が発生し、酸化膜５４１のうち第一電極５６１の直下が−に帯電される。この場合、この酸化膜５４１の直下に配置された金属膜５４２には、＋の電荷が蓄積されて帯電されることになる。
このような分極は、金属膜５４２を介して徐々に緩和されていくものの、帯電された金属膜５４２（特に第一反射膜５４の最表面の近傍に配置される金属膜５４２）に蓄積された電荷による影響によって、ミラーギャップＧが徐々に狭まる現象が生じる。すなわち、静電アクチュエーター５６として機能する面積が見かけ上拡大する。

図７は、本実施形態における第一反射膜５４の帯電状態を説明するための図である。なお、図７は、説明の簡略化のため、酸化膜５４１及び金属膜５４２をそれぞれ１層のみ表示している。
本実施形態では、駆動回路として、第一接続電極５６５を基準電位に設定する回路（例えば、第一接続電極５６５に０Ｖを印加するグラウンド回路）を用いることで、図７に示すように、金属膜５４２に蓄積された電荷を、第一スルーホール５４３及び第一接続電極５６５を介して、グラウンド回路に接続された第一接続電極５６５に逃がすことができる。これにより、各金属膜５４２における帯電が抑制されることになり、上記のような帯電による影響も抑制される。

なお、図６及び図７では、第一反射膜５４の帯電について説明したが第二反射膜５５も同様である。すなわち、第二反射膜５５の各金属膜５５２に電荷が蓄積された場合でも、当該電荷を第二スルーホール５５３から第一接続電極５６５に逃がすことができる。

［波長可変干渉フィルター５の製造方法］
次に、上記のような波長可変干渉フィルター５の製造方法について説明する。
波長可変干渉フィルター５の製造では、第一基板５１を形成するための第一ガラス基板Ｍ１（図８参照）、及び第二基板５２を形成するための第二ガラス基板Ｍ２（図９参照）を用意し、第一基板形成工程、及び第二基板形成工程を実施する。この後、基板接合工程を実施し、第一基板形成工程により加工された第一ガラス基板Ｍ１と、第二基板形成工程により加工された第二ガラス基板Ｍ２とを接合する。更に、切断工程を実施し、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を個片化して波長可変干渉フィルター５を形成する。
以下、各工程について、図面に基づいて説明する。

（第一基板形成工程）
図８は、第一基板形成工程の第一ガラス基板を示す図である。
基板形成工程では、まず、第一基板５１の製造素材である第一ガラス基板Ｍ１の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。

次に、図８の１番目に示すように、第一ガラス基板Ｍ１の基板表面をエッチングにより加工する。
具体的には、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターンをマスクに用いて、第一ガラス基板Ｍ１に対して、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いたウェットエッチングを繰り返し施す。まず、電極配置溝５１１、ギャップ形成部５１２、引出溝５１１Ａ（図８では省略する）の形成位置を、ギャップ形成部５１２の突出先端の位置までエッチングする。この後、電極配置溝５１１及び引出溝５１１Ａを、所望の深さ位置までエッチングする。

次に、図８の２番目に示すように、第一ガラス基板Ｍ１のうち、電極配置溝５１１、ギャップ形成部５１２、及び引出溝５１１Ａを形成した一面側の全面に、第一反射膜５４を形成する。
第一反射膜５４の形成では、第一反射膜５４を構成する酸化膜５４１及び金属膜５４２を、例えばスパッタリング法や蒸着法等により交互に積層形成する。
この際、第一ガラス基板Ｍ１に、ウェットエッチング等による急斜面やエッジを有する段差が存在する場合でも、誘電体多層膜の形成時に各誘電体層が積層されることで、段差部の傾斜が緩やかになる。したがって、第一反射膜５４上に、各電極５６１，５６３を形成する際の破断が抑制される。

次に、図８の３番目に示すように、所定位置（本実施形態では、引出溝５１１Ａ）の第一反射膜５４に第一スルーホール５４３を形成する。
第一スルーホール５４３の形成では、先ず、第一反射膜５４上にレジストを形成し、最表面に位置する酸化膜５４１に孔径Ｌ１の第一貫通孔５４１Ａを形成するためのパターンを形成する。そして、直下の金属膜５４２をエッチングストッパーとして、最表面の酸化膜５４１をウェットエッチングする。
この後、レジストを除去し、再び第一反射膜５４を覆うレジストを形成する。そして、先にエッチングにより形成された酸化膜５４１の第一貫通孔５４１Ａ内に、孔径Ｌ２（Ｌ２＜Ｌ１）の第二貫通孔５４２Ａを形成するためのパターンを形成する。この後、最表面の酸化膜５４１の直下の金属膜５４２を、当該金属膜５４２の直下の酸化膜５４１をエッチングストッパーとしてエッチングする。
以降、同様に処理を繰り返し、各層の貫通孔の孔径を徐々に小さくしていくことで、各層の位置で階段状となる第一スルーホール５４３が形成される。
なお、ここでは、説明の簡略化のため、各酸化膜５４１や各金属膜５４２の側面が、厚み方向（酸化膜５４１及び金属膜５４２の積層方向）に対して略平行となる、即ち第一基板５１の基板面に対して略垂直となる図を示している。しかしながら、実際には、ウェットエッチングによる貫通孔５４１Ａ，５４２Ａの形成では、サイドエッチングが発生するので、各酸化膜５４１や各金属膜５４２の側面は、積層方向に対して傾斜する。

この後、第一ガラス基板Ｍ１に第一電極５６１、第一引出電極５６３の電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。そして、形成した電極材料をパターニングする。この際、第一スルーホール５４３内にも電極材料が成膜されることで、第一電極５６１、第一引出電極５６３、及び各金属膜５４２が電気的に導通される。
以上により、図８の４番目に示すように、第一反射膜５４、第一電極５６１、及び第一引出電極５６３が設けられた第一基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板Ｍ１が形成される。

（第二基板形成工程）
図９は、第二基板形成工程における第二ガラス基板Ｍ２の状態を示す図である。
第二基板形成工程では、まず、第二基板５２の製造素材である第二ガラス基板Ｍ２の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。

そして、第二ガラス基板Ｍ２の表面にＣｒ／Ａｕ層を形成し、このＣｒ／Ａｕ層をエッチングマスクとし、例えばフッ酸系（ＢＨＦ等）を用いて、保持部５２２に相当する領域をエッチングする。この後、エッチングマスクとして使用したＣｒ／Ａｕ層を除去することで図９の１番目に示すように、第二基板５２の基板形状が形成される。

次に、図９の２番目に示すように、第二反射膜５５を形成する。この第二反射膜５５の形成も、第一反射膜５４と同様の方法により形成することができ、第二反射膜５５を形成する酸化膜５５１及び金属膜５５２を交互にスパッタリング法又は蒸着法等により成膜して積層形成する。

次に、図９の３番目に示すように、所定位置（本実施形態では、引出溝５１１Ａに対向する位置）の第二反射膜５５に第二スルーホール５５３を形成する。
第二スルーホール５５３の形成では、第一スルーホール５４３と同様であり、ここでの説明は省略する。

この後、第二ガラス基板Ｍ２に第二電極５６２、第二引出電極５６４、及び第一接続電極５６５を形成する。第二電極５６２、第二引出電極５６４、及び第一接続電極５６５の形成は、第一電極５６１の形成と同様の工程で行い、蒸着法やスパッタリング法等を用いて電極材料を成膜した後に、成膜された電極材料をパターニングする。この際、第二スルーホール５５３内にも電極材料が成膜されることで、第一接続電極５６５及び各金属膜５５２が電気的に導通される。
以上により、図９の４番目に示すように、第二反射膜５５、第二電極５６２、第二引出電極５６４、及び第一接続電極５６５が設けられた第二基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板Ｍ２が形成される。

（基板接合工程）
次に、基板接合工程及び切断工程について説明する。
基板接合工程では、まず、第一ガラス基板Ｍ１の第一接合部５１３と、第二ガラス基板Ｍ２の基板外周部５２３のうち、第一接合部５１３と接合する部分とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜を、プラズマＣＶＤ法等により成膜する。
そして、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の各プラズマ重合膜に対して活性化エネルギーを付与するために、Ｏ_２プラズマ処理又はＵＶ処理を行う。Ｏ_２プラズマ処理の場合は、Ｏ_２流量１．８×１０^−３（ｍ^３／ｈ）、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理の場合は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理する。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を重ね合わせ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２同士が接合される。
この際、第一接合部５１３に配置されている、第一引出電極５６３の一部と、第一接続電極５６５の一部とが接触し、互いに近接する方向に押圧されることで、第一引出電極５６３と第一接続電極５６５とが接続される。

（切断工程）
次に、切断工程について説明する。
切断工程では、第一基板５１及び第二基板５２をチップ単位で切り出し、図１及び図２に示すような波長可変干渉フィルター５を形成する。第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の切断には、例えばスクライブブレイクやレーザー切断等を利用することができる。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、第一基板５１の第二基板５２に対向する面の略全面に亘って、酸化膜５４１及び金属膜５４２を積層した積層体により構成された第一反射膜５４が形成されている。このような第一反射膜５４は、リフトオフ等によるパターニング工程が不要となり、製造効率性が高くなる。
そして、第一反射膜５４には、金属膜５４２が露出する第一スルーホール５４３が設けられ、第一反射膜５４の表面に設けられた第一引出電極５６３が、第一スルーホール５４３に接続されて、第一スルーホール５４３から露出する金属膜５４２に導通する。このため、静電アクチュエーター５６に電圧を印加した際に、第一反射膜５４の各金属膜５４２が帯電した場合でも、金属膜５４２の電荷を第一引出電極５６３に逃がすことができる。
これにより、例えば、ミラーギャップＧが徐々に小さくなる等の、第一反射膜５４の帯電による影響を抑制することができる。

第二基板５２においても同様であり、第二基板５２の第一基板５１に対向する面の略全面に亘って、酸化膜５５１及び金属膜５５２を積層した積層体により構成された第二反射膜５５が形成されている。したがって、リフトオフ等によるパターニング工程が不要となり、第二基板５２の製造効率性を向上できる。
そして、第二反射膜５５には、金属膜５５２が露出する第二スルーホール５５３が設けられ、第二反射膜５５の表面に設けられた第一接続電極５６５が、第二スルーホール５５３に接続されて、第二スルーホール５５３から露出する金属膜５５２に導通する。このため、静電アクチュエーター５６に電圧を印加した際に、第二反射膜５５の各金属膜５５２が帯電した場合でも、金属膜５５２の電荷を第一接続電極５６５に逃がすことができる。
これにより、例えば、ミラーギャップＧが徐々に小さくなる等の、第二反射膜５５の帯電による影響を抑制することができる。

本実施形態では、第一スルーホール５４３は、第一反射膜５４を形成する酸化膜５４１に形成される第一貫通孔５４１Ａと、当該酸化膜５４１の直下に形成される金属膜５４２の第二貫通孔５４２Ａとを含み、平面視において、第二貫通孔５４２Ａが第一貫通孔５４１Ａの内側に位置する。したがって、金属膜５４２の上面の一部と、側面とが、第一スルーホール５４３に露出することになる。この場合、スパッタリング等の手法によって第一反射膜５４から第一スルーホール５４３の孔内に亘る第一引出電極５６３を形成した際に、第一引出電極５６３が金属膜５４２の側面だけでなく、上面の一部にも接触することになる。よって、第一引出電極５６３と各金属膜５４２とが断線される不都合を抑制でき、金属膜５４２に蓄積された電荷を第一引出電極５６３に逃がすことができる。
第二スルーホール５５３においても同様であり、酸化膜５５１及び金属膜５５２の各層に貫通孔が設けられ、各層の貫通孔の孔径が第二基板５２に向かうに従って小さくなる階段状に形成される。これにより、第一接続電極５６５と各金属膜５５２とが断線される不都合を抑制でき、金属膜５５２に蓄積された電荷を第一接続電極５６５に逃がすことができる。

本実施形態では、第一スルーホール５４３に接続される第一引出電極５６３と、第二スルーホール５５３に接続される第一接続電極５６５とが接続される。
これにより、電装部５６０まで延設された第一接続電極５６５を、例えばグラウンド回路等に接続することで、第一反射膜５４及び第二反射膜５５の双方に蓄積された電荷を逃がすことができる。すなわち、第一反射膜５４の電荷を逃がすための電極端子と、第二反射膜５５に蓄積された電荷を逃がすための電極端子とをそれぞれ個別に設ける場合に比べて、波長可変干渉フィルター５の構成の簡略化を図ることができる。

［第二実施形態］
次に、第二実施形態について説明する。
上記第一実施形態では、第一接合部５１３の一部において、第一引出電極５６３の一部と、第一接続電極５６５の一部とを接触させる構成とした。
これに対して、第二実施形態では、引出溝５１１Ａと第二基板５２との間で、第一引出電極５６３と第一接続電極５６５とを接続する点で、上記第一実施形態と相違する。
なお、以降の説明にあたり、既に説明した構成については、同符号を付し、その説明を省略、又は簡略化する。

図１０は、第二実施形態における波長可変干渉フィルター５Ａの平面図であり、図１１は、図１０のＣ−Ｃ線で切断した波長可変干渉フィルター５Ａの一部の断面図である。
本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ａでは、第一実施形態と同様、第一基板５１の第二基板５２に対向する面の略全面に亘って、誘電体多層膜により構成された第一反射膜５４が形成されている。
そして、第一実施形態と同様、引出溝５１１Ａの一部において、第一反射膜５４を貫通する第一スルーホール５４３が形成されている。
なお、図１１では、第一スルーホール５４３の孔内周面５４３Ａが、酸化膜５４１及び金属膜５４２の積層方向に平行となる例を示すが、第一実施形態と同様、各層で階段状となり、第一基板５１に近づくに従って孔径が小さくなる第一スルーホール５４３であってもよい。

本実施形態では、第一基板５１は、第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂである引出溝５１１Ａの第二基板５２に対向する面から、第二基板５２に向かって突出する突出部５１４を備えている。突出部５１４の突出先端面５１４Ａは、第二基板５２の第一基板５１に対向する面と平行又は略平行となる。
そして、第一引出電極５６３は、第一実施形態と同様に、第一スルーホール５４３に接続されており、さらに、第一スルーホール５４３の孔内周面５４３Ａから突出部５１４の突出先端面５１４Ａを覆う。

一方、第二基板５２は、第一実施形態と同様、第一基板５１に対向する面の略全面に亘って第二反射膜５５が形成されている。
そして、本実施形態では、第二スルーホール５５３は、平面視において、第一スルーホール５４３と重なる位置に設けられる。また、平面視において、第二スルーホール５５３の底面５５３Ｂの外周縁は、突出部５１４の突出先端面５１４Ａの外側に位置し、第二スルーホール５５３内に突出部５１４が挿入される。
また、第一接続電極５６５は、第一実施形態と同様に、第二スルーホール５５３に接続されており、第二スルーホール５５３の孔内周面５５３Ａから底面５５３Ｂを覆う。

ここで、本実施形態では、接合膜５３により第一基板５１及び第二基板５２を接合した際に、突出部５１４の突出寸法、第一引出電極５６３の厚み寸法、及び第一接続電極５６５の厚み寸法の合計寸法が、引出溝５１１Ａの第二基板５２に対向する面から、第二基板５２の引出溝５１１Ａに対向する面までの寸法と等しくなるように形成される。
このため、接合膜５３により第一基板５１及び第二基板５２を接合すると、第二スルーホール５５３の底面５５３Ｂに設けられた第一接続電極５６５と、突出部５１４の突出先端面５１４Ａに設けられた第一引出電極５６３とが接する。これにより、第一反射膜５４の各金属膜５４２、第二反射膜５５の各金属膜５５２、第一引出電極５６３、及び第一接続電極５６５が導通される。

［第二実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ａでは、第一基板５１の第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂ（本発明における第一底面に相当）から、第二基板５２に向かって突出し、突出先端面５１４Ａに第一引出電極５６３の一部が延設される突出部５１４が設けられている。また、第二スルーホール５５３は、平面視において突出部５１４と重なる位置に設けられ、第二スルーホールの底面５５３Ｂ（本発明における第二底面に相当）には、第一接続電極５６５の一部が延設される。そして、接合膜５３により第一基板５１及び第二基板５２を接合した際に、突出部５１４が第二スルーホール５５３内に挿入されて、突出先端面５１４Ａに設けられた第一引出電極５６３は、第二スルーホール５５３の底面５５３Ｂに設けられた第一接続電極５６５に接続される。

このような構成では、第一基板５１と第二基板５２とを近接させることができ、波長可変干渉フィルター５Ａのサイズを小さくできる。
すなわち、突出部５１４の突出先端面５１４Ａに設けられた第一引出電極５６３を、第二基板５２の第一接続電極５６５に接続する構成において、誘電体多層膜である第二反射膜５５上の第一接続電極５６５に突出部５１４の第一引出電極５６３を接続する構成にすることが考えられる。しかしながら、誘電体多層膜により構成される第一反射膜５４や第二反射膜５５は、１μｍを超える厚み寸法となる。したがって、この場合、第一基板５１と第二基板５２との距離が、突出部５１４の突出寸法、第二反射膜５５の厚み寸法、第一引出電極５６３の厚み寸法、第一接続電極５６５の厚み寸法の合計寸法だけ開くことになる。
これに対して、第二スルーホール５５３に突出部５１４を挿入して、第一引出電極５６３及び第一接続電極５６５を接続する構成では、上記構成に比べて、第二反射膜５５の厚み寸法分、第一基板５１と第二基板５２との距離を小さくできる。

また、本実施形態では、突出部５１４は、第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂから第二基板５２側に突出する。
したがって、突出部５１４を誘電体多層膜である第一反射膜５４上に形成する場合に比べて、第一反射膜５４の厚み寸法分、第一基板５１と第二基板５２との距離を小さくできる。

［第三実施形態］
次に、第三実施形態について説明する。
上述した第一実施形態及び第二実施形態では、第一反射膜５４の金属膜５４２及び第二反射膜５５の金属膜５５２が、一様な電気抵抗を有する膜層である例を示した。これに対して、第三実施形態では、金属膜５４２，５５２の電気抵抗が一部において異なる点で、上記実施形態と相違する。

図１２は、第三実施形態における波長可変干渉フィルター５Ｂの概略構成を示す断面図である。
本実施形態では、第一反射膜５４及び第二反射膜５５は、ミラー領域Ｍ内と、ミラー領域Ｍ以外の領域（外側領域Ｎ）とで、金属膜５４２，５５２における電気抵抗が異なっている。
具体的には、金属膜５４２，５５２のうち、外側領域Ｎには、電気抵抗が当該金属膜５４２，５５２を構成する金属又は半金属よりも高い電気抵抗値を有する粒子（低抵抗粒子）がドープされている。例えば、本実施形態では、金属膜５４２，５５２としてＳｉを用いる。この場合、外側領域Ｎにおいて、ＰやＢ等のＳｉよりも電気抵抗値が高い低抵抗粒子がドープされる。これらの低抵抗粒子のドープ方法としては、如何なる方法であってもよく、例えば、イオン打込みや、熱拡散等が挙げられる。
なお、ミラー領域Ｍの金属膜５４２，５５２には、上記のような低抵抗粒子はドープされない。したがって、第一反射膜５４や第二反射膜５５のミラー領域Ｍにおける反射特性は一様に維持され、ドープ粒子による特性低下は抑制される。

［第三実施形態の作用効果］
本実施形態では、導電層である第一反射膜５４の金属膜５４２及び第二反射膜５５の金属膜５５２は、外側領域Ｎにおいて、Ｓｉよりも電気抵抗値が高いＰやＢ等の低抵抗粒子がドープされている。このように、外側領域Ｎに低抵抗粒子がドープされていることで、金属膜５４２，５５２において電荷が移動しにくくなり、帯電が生じにくくなる。このため、第一反射膜５４や第二反射膜５５の帯電による影響を抑制することができる。
一方、ミラー領域Ｍにおいては、低抵抗粒子がドープされないので、第一反射膜５４や第二反射膜５５の反射特性が低抵抗粒子により変動することがない。したがって、波長可変干渉フィルター５Ｂの性能低下も抑制できる。

［第四実施形態］
次に、第四実施形態として、上記第一実施形態から第三実施形態において示したような波長可変干渉フィルター５，５Ａ，５Ｂを備えた光学フィルターデバイスについて説明する。
図１３は、第四実施形態に係る光学フィルターデバイス６００の概略構成を示す断面図である。
図１３に示すように、光学フィルターデバイス６００は、筐体６１０と、筐体６１０の内部に収納される波長可変干渉フィルター５を備えている。なお、ここでは、第一実施形態に示す波長可変干渉フィルター５を筐体６１０内に収納する例を示すが、第二実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂが収納されてもよい。

筐体６１０は、図１３に示すように、ベース６２０と、リッド６３０と、を備えている。これらのベース６２０及びリッド６３０が接合されることで、内部に収容空間が形成され、この収容空間内に波長可変干渉フィルター５が収納される。なお、本実施形態では、第一実施形態にて示す波長可変干渉フィルター５が収納される光学フィルターデバイス６００を例示するが、第二実施形態の波長可変干渉フィルター５Ａや、第三実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂが収納されていてもよい。

（ベースの構成）
ベース６２０は、例えばセラミック等により構成されている。このベース６２０は、台座部６２１と、側壁部６２２と、を備える。
台座部６２１は、フィルター平面視において例えば矩形状の外形を有する平板状に構成されており、この台座部６２１の外周部から筒状の側壁部６２２がリッド６３０に向かって立ち上がる。

台座部６２１は、厚み方向に貫通する開口部６２３を備えている。この開口部６２３は、台座部６２１に波長可変干渉フィルター５を収容した状態で、台座部６２１を厚み方向から見た平面視において、第一反射膜５４及び第二反射膜５５と重なる領域を含むように設けられている。
また、台座部６２１のリッド６３０とは反対側の面（ベース外側面６２１Ｂ）には、開口部６２３を覆うガラス部材６２７が接合されている。台座部６２１とガラス部材６２７との接合は、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリット（低融点ガラス）を用いた低融点ガラス接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。本実施形態では、収容空間内が減圧下に維持された状態で気密に維持する。したがって、台座部６２１及びガラス部材６２７は、低融点ガラス接合を用いて接合されることが好ましい。

また、台座部６２１のリッド６３０に対向する内面（ベース内側面６２１Ａ）には、波長可変干渉フィルター５の第一接続電極５６５や第二引出電極５６４に接続される内側端子部６２４が設けられている。内側端子部６２４と、第一接続電極５６５及び第二引出電極５６４とは、例えばＡｕ等のワイヤーを用いたワイヤーボンディングにより接続される。なお、本実施形態では、ワイヤーボンディングを例示するが、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等を用いてもよい。
また、台座部６２１は、内側端子部６２４が設けられる位置に、貫通孔６２５が形成されている。内側端子部６２４は、貫通孔６２５を介して、台座部６２１のベース外側面６２１Ｂに設けられた外側端子部６２６に接続されている。

側壁部６２２は、台座部６２１の縁部から立ち上がり、ベース内側面６２１Ａの周囲を囲って設けられる側壁部６２２のリッド６３０に対向する面（端面６２２Ａ）は、例えばベース内側面６２１Ａに平行又は略平行な平坦面となる。

そして、ベース６２０には、例えば接着剤等の固定材６４を用いて、波長可変干渉フィルター５が固定される。この際、波長可変干渉フィルター５は、台座部６２１に対して固定されていてもよく、側壁部６２２に対して固定されていてもよい。固定材６４を設ける位置としては、複数個所であってもよいが、固定材６４の応力が波長可変干渉フィルター５に伝達するのを抑制するべく、１か所で波長可変干渉フィルター５を固定することが好ましい。

（リッドの構成）
リッド６３０は、平面視において矩形状の外形を有する透明部材であり、例えばガラス等により構成される。
リッド６３０は、図１３に示すように、ベース６２０の側壁部６２２に接合されている。この接合方法としては、例えば、低融点ガラスを用いた接合等が例示できる。

［第四実施形態の作用効果］
上述したような本実施形態の光学フィルターデバイス６００では、筐体６１０により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。
また、上述したように、波長可変干渉フィルター５は、第一反射膜５４や第二反射膜５５が帯電した場合であっても、導電層である各金属膜５４２，５５２の電荷を第一接続電極５６５から逃がすことができる。すなわち、光学フィルターデバイス６００において、第一接続電極５６５に導通される外側端子部６２６を、例えばグラウンド回路等の基準電位を印加する回路に接続したり、電子機器における金属ケース等に接続したりすることで、波長可変干渉フィルター５の第一反射膜５４や第二反射膜５５の帯電を容易に抑制することができる。

［第五実施形態］
次に、第五実施形態として、上記第一実施形態から第三実施形態の波長可変干渉フィルター５，５Ａ，５Ｂ又は第四実施形態の光学フィルターデバイス６００を備えた電子機器の一例として、印刷装置（プリンター）について説明する。

［プリンターの概略構成］
図１４は、第四実施形態のプリンター１０の外観の構成例を示す図である。図１５は、本実施形態のプリンター１０の概略構成を示すブロック図である。
図１４に示すように、プリンター１０は、供給ユニット１１、搬送ユニット１２と、キャリッジ１３と、キャリッジ移動ユニット１４と、制御ユニット１５（図１５参照）と、を備えている。このプリンター１０は、例えばパーソナルコンピューター等の外部機器２０から入力された印刷データに基づいて、各ユニット１１，１２，１４及びキャリッジ１３を制御し、媒体Ａ上に画像を印刷する。また、本実施形態のプリンター１０は、予め設定された較正用印刷データに基づいて媒体Ａ上の所定位置に測色用のカラーパッチを形成し、かつ当該カラーパッチに対する分光測定を行う。これにより、プリンター１０は、カラーパッチに対する実測値と、較正用印刷データとを比較して、印刷されたカラーに色ずれがあるか否か判定し、色ずれがある場合は、実測値に基づいて色補正を行う。
以下、プリンター１０の各構成について具体的に説明する。

供給ユニット１１は、画像形成対象となる媒体Ａを、画像形成位置に供給するユニットである。この供給ユニット１１は、例えば媒体Ａが巻装されたロール体１１１（図１４参照）、ロール駆動モーター（図示略）、及びロール駆動輪列（図示略）等を備える。そして、制御ユニット１５からの指令に基づいて、ロール駆動モーターが回転駆動され、ロール駆動モーターの回転力がロール駆動輪列を介してロール体１１１に伝達される。これにより、ロール体１１１が回転し、ロール体１１１に巻装された紙面がＹ方向（副走査方向）における下流側（＋Ｙ方向）に供給される。
なお、本実施形態では、ロール体１１１に巻装された紙面を供給する例を示すがこれに限定されない。例えば、トレイ等に積載された紙面等の媒体Ａをローラー等によって例えば１枚ずつ供給する等、如何なる供給方法によって媒体Ａが供給されてもよい。

搬送ユニット１２は、供給ユニット１１から供給された媒体Ａを、Ｙ方向に沿って搬送する。この搬送ユニット１２は、搬送ローラー１２１と、搬送ローラー１２１と媒体Ａを挟んで配置され、搬送ローラー１２１に従動する従動ローラー（図示略）と、プラテン１２２と、を含んで構成されている。
搬送ローラー１２１は、図示略の搬送モーターからの駆動力が伝達され、制御ユニット１５の制御により搬送モーターが駆動されると、その回転力により回転駆動されて、従動ローラーとの間に媒体Ａを挟み込んだ状態でＹ方向に沿って搬送する。また、搬送ローラー１２１のＹ方向の下流側（＋Ｙ側）には、キャリッジ１３に対向するプラテン１２２が設けられている。

キャリッジ１３は、媒体Ａに対して画像を印刷する印刷部１６と、媒体Ａ上の所定の測定位置Ｔ（図１３参照）の分光測定を行う分光器１７と、を備えている。
このキャリッジ１３は、キャリッジ移動ユニット１４によって、Ｙ方向と交差する主走査方向に沿って移動可能に設けられている。
また、キャリッジ１３は、フレキシブル回路１３１により制御ユニット１５に接続され、制御ユニット１５からの指令に基づいて、印刷部１６による印刷処理及び、分光器１７による分光測定処理を実施する。
なお、キャリッジ１３の詳細な構成については後述する。

キャリッジ移動ユニット１４は、本発明における移動機構を構成し、制御ユニット１５からの指令に基づいて、キャリッジ１３をＸ方向に沿って往復移動させる。
このキャリッジ移動ユニット１４は、例えば、キャリッジガイド軸１４１と、キャリッジモーター１４２と、タイミングベルト１４３と、を含んで構成されている。
キャリッジガイド軸１４１は、Ｘ方向に沿って配置され、両端部がプリンター１０の例えば筐体に固定されている。キャリッジモーター１４２は、タイミングベルト１４３を駆動させる。タイミングベルト１４３は、キャリッジガイド軸１４１と略平行に支持され、キャリッジ１３の一部が固定されている。そして、制御ユニット１５の指令に基づいてキャリッジモーター１４２が駆動されると、タイミングベルト１４３が正逆走行され、タイミングベルト１４３に固定されたキャリッジ１３がキャリッジガイド軸１４１にガイドされて往復移動する。

次に、キャリッジ１３に設けられる印刷部１６及び分光器１７の構成について、図面に基づいて説明する。
［印刷部１６の構成］
印刷部１６は、媒体Ａと対向する部分に、インクを個別に媒体Ａ上に吐出して、媒体Ａ上に画像を形成する。
この印刷部１６は、複数色のインクに対応したインクカートリッジ１６１が着脱自在に装着されており、各インクカートリッジ１６１からインクタンク（図示略）にチューブ（図示略）を介してインクが供給される。また、印刷部１６の下面（媒体Ａに対向する位置）には、インク滴を吐出するノズル（図示略）が、各色に対応して設けられている。これらのノズルには、例えばピエゾ素子が配置されており、ピエゾ素子を駆動させることで、インクタンクから供給されたインク滴が吐出されて媒体Ａに着弾し、ドットが形成される。

［分光器の構成］
図１６は、分光器１７の概略構成を示す図である。
分光器１７は、本発明における光学モジュールであり、図１６に示すように、光源部１７１と、光学フィルターデバイス６００、受光部１７３と、導光部１７４と、回路部１７５と、を備えている。
この分光器１７は、光源部１７１から媒体Ａ上の測定位置Ｔに照明光を照射し、測定位置Ｔで反射された光成分を、導光部１７４により光学フィルターデバイス６００に入射させる。そして、光学フィルターデバイス６００は、第三実施形態の構成を有し、反射光から所定波長の光を出射（透過）させて、受光部１７３により受光させる。また、光学フィルターデバイス６００は、制御ユニット１５の制御に基づいて、透過波長を選択可能であり、可視光における各波長の光の光量を測定することで、媒体Ａ上の測定位置Ｔの分光測定が可能となる。

［光源部の構成］
光源部１７１は、光源１７１Ａと、集光部１７１Ｂとを備える。この光源部１７１は、光源１７１Ａから出射された光を媒体Ａの測定位置Ｔ内に、媒体Ａの表面に対する法線方向から照射する。
光源１７１Ａとしては、可視光域における各波長の光を出射可能な光源が好ましい。このような光源１７１Ａとして、例えばハロゲンランプやキセノンランプ、白色ＬＥＤ等を例示でき、特に、キャリッジ１３内の限られたスペース内で容易に設置可能な白色ＬＥＤが好ましい。集光部１７１Ｂは、例えば集光レンズ等により構成され、光源１７１Ａからの光を測定位置Ｔに集光させる。なお、図１６においては、集光部１７１Ｂでは、１つのレンズ（集光レンズ）のみを表示するが、複数のレンズを組み合わせて構成されていてもよい。

［受光部及び導光光学系の構成］
受光部１７３は、波長可変干渉フィルター５の光軸上に配置され、当該波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する。そして、受光部１７３は、制御ユニット１５の制御に基づいて、受光量に応じた検出信号（電流値）を出力する。なお、受光部１７３により出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器（図示略）、増幅器（図示略）、及びＡＤ変換器（図示略）を介して制御ユニット１５に入力される。
導光部１７４は、反射鏡１７４Ａと、バンドパスフィルター１７４Ｂとを備えている。
この導光部１７４は、測定位置Ｔで、媒体Ａの表面に対して４５°で反射された光を反射鏡１７４Ａにより、波長可変干渉フィルター５の光軸上に反射させる。バンドパスフィルター１７４Ｂは、可視光域（例えば３８０ｎｍ〜７２０ｎｍ）の光を透過させ、紫外光及び赤外光の光をカットする。これにより、波長可変干渉フィルター５には、可視光域の光が入射されることになり、受光部１７３において、可視光域における波長可変干渉フィルター５により選択された波長の光が受光される。

回路部１７５は、制御ユニット１５に電気的に接続されており、制御ユニット１５からの指令に基づいて波長可変干渉フィルター５を駆動させる回路である。
具体的には、回路部１７５は、第一接続電極５６５に接続された第一電極５６１と、第二引出電極５６４に接続された第二電極５６２との間に、ミラーギャップＧを目標波長に応じたギャップ寸法に変更させる駆動電圧を印加する駆動回路１７５Ａを備える。ここで、本実施形態では、この駆動回路１７５Ａは、グラウンド回路１７５Ｂを有し、第一接続電極５６５が当該グラウンド回路１７５Ｂに電気的に接続されている。これにより、第一接続電極５６５に基準電位が印加されることになり、第一反射膜５４や第二反射膜５５の金属膜５４２，５５２の電荷を逃がすことが可能となる。
なお、回路部１７５としては、駆動回路１７５Ａ以外の他の回路が設けられていてもよい。例えば、ミラー領域ＭにミラーギャップＧの容量を検出する容量検出用電極が設けられている場合では、容量検出用電極間の静電容量を検出する容量検出回路が設けられていてもよい。また、容量検出回路により検出された容量に基づいて、駆動回路１７５Ａから印加される駆動電圧をフィードバック制御するフィードバック回路等が設けられていてよい。

［制御ユニットの構成］
制御ユニット１５は、本発明の制御部であり、図１５に示すように、Ｉ／Ｆ１５１と、ユニット制御回路１５２と、メモリー１５３と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１５４と、を含んで構成されている。
Ｉ／Ｆ１５１は、外部機器２０から入力される印刷データをＣＰＵ１５４に入力する。
ユニット制御回路１５２は、供給ユニット１１、搬送ユニット１２、印刷部１６、光源１７１Ａ、波長可変干渉フィルター５、受光部１７３、及びキャリッジ移動ユニット１４をそれぞれ制御する制御回路を備えており、ＣＰＵ１５４からの指令信号に基づいて、各ユニットの動作を制御する。なお、各ユニットの制御回路が、制御ユニット１５とは別体に設けられ、制御ユニット１５に接続されていてもよい。

メモリー１５３は、プリンター１０の動作を制御する各種プログラムや各種データが記憶されている。
各種データとしては、例えば、波長可変干渉フィルター５を制御する際の、静電アクチュエーター５６への印加電圧に対する、波長可変干渉フィルター５を透過する光の波長を示したＶ−λデータ、印刷データとして含まれる色データに対する各インクの吐出量を記憶した印刷プロファイルデータ等が挙げられる。また、光源１７１Ａの各波長に対する発光特性（発光スペクトル）や、受光部１７３の各波長に対する受光特性（受光感度特性）等が記憶されていてもよい。

ＣＰＵ１５４は、メモリー１５３に記憶された各種プログラムを読み出し実行することで、各ユニット１１，１２，１４の駆動制御、印刷部１６の印刷制御、分光器１７による測定制御（波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６の駆動制御等）、分光器１７の分光測定結果に基づく測色処理や、印刷プロファイルデータの補正（更新）処理等を実施する。

［第五実施形態の作用効果］
本実施形態のプリンター１０は、光学モジュールである分光器１７を備え、この分光器１７は、光学フィルターデバイス６００（波長可変干渉フィルター５）と、波長可変干渉フィルター５を駆動させる回路部１７５とを備えている。また、回路部１７５には、第一接続電極５６５に基準電位を印加するグラウンド回路１７５Ｂが設けられている。
このため、波長可変干渉フィルター５の第一反射膜５４や第二反射膜５５に蓄積された電荷を第一接続電極５６５からグラウンド回路１７５Ｂに逃がすことができ、波長可変干渉フィルター５における帯電の影響を抑制することができる。よって、波長可変干渉フィルター５を駆動させる回路部１７５として、第一反射膜５４や第二反射膜５５の帯電を考慮した複雑な駆動制御を行う回路を組み込む必要がなく、構成の簡素化を図ることができ、分光器１７のコストダウンを図れ、それゆえ、電子機器におけるコストダウンをも図れる。

［変形例］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

［変形例１］
上述した第一実施形態において、第一スルーホール５４３や第二スルーホール５５３の形状として、各層において階段状となる構成を例示したが、これに限定されない。
図１７から図２０は、第一スルーホールの他の例を示す図である。なお、図１７から図２０において、第一反射膜５４に設けられる第一スルーホールの例を示すが、第二反射膜５５に形成される第二スルーホールにおいても同様であり、ここでの図示及び説明は省略する。

例えば、図１７に示すように、第一スルーホール５４４Ａは、第一反射膜５４を構成する酸化膜５４１及び金属膜５４２の積層方向に対して、略平行となる孔内周面を有する孔部であってもよい。このような第一スルーホール５４４Ａは、例えばイオンミリング等によるドライエッチングにより形成することができる。また、このようなドライエッチングでは、第一反射膜５４を構成する各層に対してそれぞれ個別にウェットエッチングを行う必要がないので、製造効率性をより向上させることができる。

また、図１８に示す例では、第一スルーホール５４４Ｂは、第一基板５１から離れるに従って拡開する傾斜面を有する（内周円錐状の）形状に形成されている。図１７に示す例では、第一スルーホール５４４Ａに露出する各酸化膜５４１及び各金属膜５４２の側面が積層方向と略平行となる。この場合、第一引出電極５６３を各酸化膜５４１及び各金属膜５４２の側面に形成しにくく、断線するおそれがある。これに対して、図１８に示す第一スルーホール５４４Ｂでは、各酸化膜５４１及び各金属膜５４２の当該第一スルーホール５４４Ｂに露出する面が傾斜面となるので、第一引出電極５６３を形成しやすく、断線も発生しにくい。
なお、図１７に示す第一スルーホール５４４Ａであっても、孔内部を第一引出電極５６３の電極材料で埋める（充填する）ことで断線を抑制できる。

さらに、図１９に示す第一スルーホール５４４Ｃは、第一実施形態と略同様に、金属膜５４２に形成される第二貫通孔５４２Ａの孔径Ｌ２が、当該金属膜５４２の直上（第一基板５１から離れる側）に隣接する酸化膜５４１に形成される第一貫通孔５４１Ａの孔径Ｌ１よりも小さく形成される。一方、金属膜５４２の直下（第一基板５１に近接する側）に隣接する酸化膜５４１の第一貫通孔５４１Ａは、直上に隣接する金属膜５４２の第二貫通孔５４２Ａと同じ孔径Ｌ１となる。
このような構成では、上記第一実施形態と同様に、各金属膜５４２の上面（第二基板５２に対向する面）の一部が第一スルーホール５４４Ｃ内に露出するので、好適に第一引出電極５６３と金属膜５４２とを接続できる。

また、第一スルーホール５４３の形成において、複数回のレジストパターンの形成とウェットエッチングとを繰り返し実施する例を示したが、これに限定されない。
例えば、最表面に位置する酸化膜５４１に、第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂに対応した孔径の開口を有するレジストを形成する。この後、直下の金属膜５４２をエッチングストッパーとして、最表面の酸化膜５４１をウェットエッチングする。この後、最表面の酸化膜５４１の直下の金属膜５４２を、当該金属膜５４２の直下の酸化膜５４１をエッチングストッパーとしてウェットエッチングする。この後、再び、最表面から２番目の酸化膜５４１をウェットエッチングする。この際、最表面の酸化膜５４１がサイドエッチングされることで、最表面の直下に位置する金属膜５４２の上面の一部が第一スルーホール５４３内に露出されることになる。上記処理を繰り返すことで、各層の位置で階段状となる第一スルーホール５４３を形成してもよい。

また、上記各実施形態や、図１７から図１９に示す例は、第一スルーホール５４３として、第一反射膜５４を貫通し、第一基板５１を第一スルーホール５４３の底面５４３Ｂとしたが、これに限定されない。例えば、図２０に示すように、第一反射膜５４のうちの少なくとも１層の導電層である金属膜５４２が露出する第一スルーホール５４４Ｄが形成されていればよい。すなわち、各金属膜５４２のうち、最も第一基板５１から離れた位置にある金属膜５４２の帯電が除去されると、当該金属膜５４２より第一基板５１側に配置される各層での分極や帯電を効果的に抑制することができる。
また、図２０に示すように、表面に配置される酸化膜５４１のみに第一貫通孔５４１Ａを設ける構成では、第一スルーホール５４４Ｄの形成時にウェットエッチングを１回のみ行えばよく、製造効率性が向上する。さらに、最表面の酸化膜５４１の直下の金属膜５４２上面が第一スルーホール５４４Ｄ上に露出されることで、第一引出電極５６３と金属膜５４２との断線も抑制され、金属膜５４２の電荷をより適切に逃がすことができる。

［変形例２］
上記各実施形態において、第一スルーホール５４３や第二スルーホール５５３の位置として、平面視において、引出溝５１１Ａと重なる位置を例示したがこれに限定されない。
例えば、第一スルーホール５４３の形成位置として、電極配置溝５１１であってもよい。また、本発明の第一配線電極として第一引出電極５６３を例示したが、上記のように電極配置溝５１１に第一スルーホール５４３を設ける場合、第一電極５６１を第一スルーホール５４３に接続する第一配線電極としてもよい。第二スルーホール５５３としては、例えば、電装部５６０等に設けられていてもよい。
また、第一実施形態のように、第一接合部５１３の一部において、第一引出電極５６３と第一接続電極５６５とを接続する場合では、その接続位置に第一スルーホール５４３や第二スルーホール５５３を設けてもよい。
すなわち、第一スルーホール５４３や第二スルーホール５５３としては、ミラー領域Ｍ以外の領域であれば、如何なる位置に形成されていてもよい。

また、上記各実施形態では、第一スルーホール５４３や第二スルーホール５５３がそれぞれ１つ設けられる構成としたが、これに限定されない。例えば、複数の第一スルーホール５４３、複数の第二スルーホール５５３が設けられる構成としてもよい。この場合、複数の第一スルーホール５４３のうちの少なくとも１つ以上が第一引出電極５６３又は第一電極５６１に接続されていればよい。また、複数の第二スルーホール５５３のうちの少なくとも１つ以上が第一接続電極５６５に接続されていればよい。

［変形例３］
上記各実施形態において、波長可変干渉フィルター５に静電アクチュエーター５６を構成する第一電極５６１及び第二電極５６２が設けられる例を示したが、更に他の電極が設けられていてもよい。
例えば、第一反射膜５４及び第二反射膜５５のミラー領域Ｍ上に静電容量の検出用の電極（ミラー電極）を形成してもよい。この場合、当該ミラー電極への信号の入出力のための引出電極を形成する必要がある。ここで、リフトオフ等を用いてミラー領域Ｍのみに反射膜を設ける場合では、反射膜の側面と第一基板５１（又は第二基板５２）との間に段差が生じて引出電極が断線するおそれがある。これに対して、本実施形態のように、誘電体多層膜により構成された反射膜が基板（第一基板５１や第二基板５２）の一面側の略全面に設けられる構成では、反射膜の側面に電極を形成する必要がなく、電極の断線を抑制できる。

また、上記のように、第一基板５１及び第二基板５２のミラー領域Ｍの双方に静電容量検出用のミラー電極を設ける構成では、これらのミラー電極のいずれか一方の電位を基準電位（例えば０Ｖ）とする場合がある。このような場合では、当該基準電位に設定するミラー電極に接続されたミラー引出電極を、スルーホールに接続する第一配線電極（又は第二配線電極）とすればよい。
例えば、第一基板５１のミラー領域Ｍに第一ミラー電極を配置し、第二基板５２のミラー領域Ｍに第二ミラー電極を配置する場合、第一ミラー電極に接続された第一引出電極の一部を第一スルーホール５４３に接続する。また、第二基板５２では、第二スルーホール５５３に接続され、第二ミラー電極や第二電極５６２や第二引出電極５６４に接続されない（独立した）第二配線電極を配置し、当該第二配線電極を電装部まで延設させる。そして、第一ミラー引出電極と第二配線電極とを、例えば第一実施形態のように接触させたり、第二実施形態のようにバンプ接続させたりすることで導通させる。

また、ミラー電極を、静電容量を検出するための電極ではなく、静電除去用の電極として機能させてもよい。この場合、例えば、第一ミラー電極に接続される第一ミラー引出電極を第一スルーホール５４３に接続する。また、第二ミラー電極に接続される第二ミラー引出電極を第二スルーホール５５３に接続する。そして、これらの第一ミラー引出電極と第二ミラー引出電極とを接続し、第二ミラー引出電極を電装部５６０まで延設させる。
このような構成とすることで、第一反射膜５４及び第二反射膜５５の金属膜５４２，５５２と、各ミラー電極とに蓄積された電荷を逃がすことができ、第一反射膜５４や第二反射膜５５の静電を好適に除去できる。

［変形例４］
上記第二実施形態において、突出部５１４の突出先端面５１４Ａの第一引出電極５６３を、第二スルーホール５５３の底面５５３Ｂに配置された第一接続電極５６５に接続する構成を例示した。これに対して、例えば、突出部５１４の突出先端面５１４Ａに連続する側面に形成された第一引出電極５６３を、第二スルーホール５５３の孔内周面５５３Ａに形成された第一接続電極５６５に接触させることで導通させてもよい。

［変形例５］
上記第二実施形態において、第一基板５１と一体構成された突出部５１４を例示した。このような突出部５１４は、第一基板５１の形状をエッチングにより形成する際に同時に形成することができる。これに対して、第一基板５１と突出部５１４とが別体である構成としてもよい。
図２１に示す例は、第二実施形態における第一引出電極及び第一接続電極の接続構成の他の例を示す断面図である。
図２１に示す例では、第一基板５１上に、例えば樹脂等の弾性部材により構成された突出部５１５を設け、当該突出部５１５を覆うように第一引出電極５６３を形成する。
この場合、第一基板５１と第二基板５２とを接合した際に、突出部５１５が弾性変形することで、第一引出電極５６３を第一接続電極５６５側に押圧させることができる。したがって、第一引出電極５６３と、第一接続電極５６５とを確実に導通させることができ、配線信頼性が高くなる。
また、第二実施形態では、第二基板５２が突出部５１５により第一基板５１から離れる方向に押されることで、第二基板５２が傾斜するおそれがある。このため、突出部５１４の突出寸法と、第一引出電極５６３の厚み寸法と、第一接続電極５６５の厚み寸法との合計寸法が、引出溝５１１Ａの深さ寸法と接合膜５３の厚さ寸法との合計となるように、精度良く波長可変干渉フィルター５Ａの各部の厚み寸法を制御する必要がある。これに対して、図２１の例では、弾性部材である突出部５１５が弾性変形することで、突出部５１５による第二基板５２の傾斜を抑制できる。

なお、配線信頼性を高める構成としては、図２１の例に限定されない。図２２は、第二実施形態における第一引出電極及び第一接続電極の接続構成のさらに他の例を示す断面図である。
図２２に示す例では、第二実施形態と同様、第一基板５１に突出部５１４が一体的に設けられている。そして、第二基板５２の第一基板５１とは反対側の面において、突出部５１４が形成される位置に凹部（ダイアフラム部５２４）が形成されている。このような構成では、突出部５１４により第一引出電極５６３が第一接続電極５６５に押圧された際に、ダイアフラム部５２４が変位することで、第一引出電極５６３と、第一接続電極５６５とを確実に導通させることができ、かつ、突出部５１４による第二基板５２の傾斜をも抑制できる。なお、図２２では、第二基板５２にダイアフラム部５２４を設ける例であるが、第一基板５１にダイアフラム部を設ける構成などとしてもよい。

また、第二実施形態では、第一基板５１に突出部５１４を設ける構成を例示したが、第二基板５２に突出部を設け、第一スルーホール５４３に挿入する構成としてもよい。本発明の突出部としては、第二基板５２と一体構成であってもよい。この場合、突出部として、図２１のように、弾性部材により構成されたものを用いてもよい。また、図２２のようにダイアフラム部を設ける構成としてもよい。
さらには、第一基板５１及び第二基板５２の双方に突出部を設け、突出部同士を接触させることで、接触位置に設けられた電極同士を接続する構成などとしてもよい。

［変形例６］
上記実施形態において、第一反射膜５４に第一スルーホール５４３を設け、第二反射膜５５に第二スルーホール５５３を設ける構成としたが、いずれか一方のみであってもよい。この場合でも、双方にスルーホールが設けられず、帯電が抑制されない構成に比べて、帯電による影響を小さくできる。

［変形例７］
上記実施形態において、第一電極５６１を基準電位とし、第二電極５６２に駆動電位を印加する構成としたが、第二電極５６２を基準電位とし、第一電極５６１に駆動電位を印加する構成としてもよい。この場合、第一反射膜５４上に、第一引出電極５６３から独立した（接続されていない）第一配線電極を別途形成し、第一スルーホール５４３の各金属膜５４２に接続させる。また、第二基板５２においては、第二引出電極５６４又は第二電極５６２を第二スルーホール５５３に接続して、第一スルーホール５４３の各金属膜５５２に接続させる。そして、例えば第一実施形態のような電極同士の接触や、第二実施形態のようなバンプ接続を用いて、第一配線電極と第二引出電極５６４とを接続する。

［変形例８］
上記実施形態では、第一基板５１の第一引出電極５６３を第二基板５２の電装部５６０まで導通させるために、第二基板５２に第一接続電極５６５を設けたが、第一基板５１及び第二基板５２のそれぞれに外部との接続を行うための電装部を設けてもよい。この場合、第一スルーホール５４３に接続された第一引出電極５６３を第一基板５１の電装部まで延設させ、第二スルーホール５５３に接続された電極（第二配線電極）を第二基板５２の電装部まで延設させればよい。

［変形例９］
第四実施形態において、光学フィルターデバイス６００の構成を例示したが、光学フィルターデバイス６００としては、第四実施形態の形状に限られない。例えば、筒状の筐体の筒内部に波長可変干渉フィルター５が保持される構成としてもよい。
また、第五実施形態において、電子機器の一例としてプリンター１０を例示したが、これに限られない。波長可変干渉フィルター５を備えた電子機器としては、例えば、所望の波長の光を出力する光源装置（例えばレーザー光源装置）や、被測定物の含有成分を分析する分光分析装置等であってもよく、ウェアラブル装置等にこれらの光源装置や分析装置を搭載させてもよい。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。

５，５Ａ，５Ｂ…波長可変干渉フィルター、１０…プリンター（電子機器）、１５…制御ユニット（制御部）、１７…分光器（光学モジュール）、５１…第一基板、５２…第二基板、５３…接合膜、５４…第一反射膜、５５…第二反射膜、５６…静電アクチュエーター、５１４，５１５…突出部、５１４Ａ…突出先端面、５２１…可動部、５２２…保持部、５２３…基板外周部、５２４…ダイアフラム部、５４１…酸化膜（金属酸化膜；絶縁層）、５４１Ａ…第一貫通孔、５４２…金属膜（導電層）、５４２Ａ…第二貫通孔、５４３，５４４Ａ，５４４Ｂ，５４４Ｃ，５４４Ｄ…第一スルーホール、５４３Ａ…孔内周面、５４３Ｂ…底面、５５１…酸化膜（金属酸化膜；絶縁層）、５５２…金属膜（導電層）、５５３…第二スルーホール、５５３Ａ…孔内周面、５５３Ｂ…底面、５６１…第一電極、５６２…第二電極、５６３…第一引出電極（第一配線電極）、５６３Ａ…電極接続部、５６４…第二引出電極、５６５…第一接続電極（第二配線電極）、５６５Ａ…電極接続部、６００…光学フィルターデバイス、６１０…筐体、Ｇ…ミラーギャップ、Ｌ１…第一貫通孔の孔径、Ｌ２…第二貫通孔の孔径、Ｍ…ミラー領域、Ｎ…外側領域。

Claims (10)

1. 第一基板と、
   前記第一基板の一面に亘って設けられた第一反射膜と、
   前記第一基板を厚み方向から見た平面視において、少なくとも所定のミラー領域において前記第一反射膜と重なり、前記第一反射膜に対してギャップを介して配置される第二反射膜と、
   前記第一反射膜上に設けられた第一配線電極と、を備え、
   前記第一反射膜は、絶縁層及び導電層が交互に積層された積層体であり、当該第一反射膜の一部には、前記絶縁層及び前記導電層の積層方向に設けられ、かつ少なくとも１層の前記導電層が露出する第一スルーホールが設けられ、
   前記第一配線電極は、前記第一スルーホールに接続され、前記第一スルーホールから露出する前記導電層に導通する
   ことを特徴とする干渉フィルター。
2. 請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記第一スルーホールは、前記絶縁層に設けられた第一貫通孔と、前記絶縁層の前記第一基板側に接する前記導電層に設けられて前記第一貫通孔に連通する第二貫通孔とを含み、
   前記平面視において、前記第一貫通孔の内側に前記第二貫通孔が位置する
   ことを特徴とする干渉フィルター。
3. 請求項１又は請求項２に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記第一基板に対向する第二基板を備え、
   前記第二反射膜は、前記第二基板の前記第一基板に対向する面に亘って設けられ、かつ絶縁層及び導電層が積層された積層体であり、当該第二反射膜の一部には、前記絶縁層及び前記導電層の積層方向に沿って設けられ、少なくとも１層の前記導電層が露出する第二スルーホールが設けられ、
   前記第二反射膜上には、前記第二スルーホールに接続されて前記第二スルーホールから露出する前記導電層に導通する第二配線電極が設けられている
   ことを特徴とする干渉フィルター。
4. 請求項３に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記平面視において、前記第二スルーホールと重なる位置で、前記第一基板から前記第二基板に向かって突出し、前記第二スルーホールに挿入される突出部を備え、
   前記第一配線電極は、前記第一反射膜上から前記突出部の突出先端面に亘って設けられ、
   前記第二配線電極の一部は、前記第二スルーホールの前記第一基板に対向する第二底面に延設され、前記突出先端面に設けられた前記第一配線電極に接する
   ことを特徴とする干渉フィルター。
5. 請求項４に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記突出部は、前記第一スルーホールの前記第二基板に対向する第一底面から前記第二基板に向かって突出する
   ことを特徴とする干渉フィルター。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の干渉フィルターにおいて、
   前記導電層の前記ミラー領域以外の領域には、前記導電層の電気抵抗値よりも小さい電気抵抗値を有する粒子がドープされている
   ことを特徴とする干渉フィルター。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の干渉フィルターと、
   前記干渉フィルターを収納する筐体と、
   を備えることを特徴とする光学フィルターデバイス。
8. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の干渉フィルターと、
   前記干渉フィルターを駆動させる回路部と、
   を備えることを特徴とする光学モジュール。
9. 請求項８に記載の光学モジュールにおいて、
   前記回路部は、前記第一配線電極を所定の基準電位とするグラウンド回路を有する
   ことを特徴とする光学モジュール。
10. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の干渉フィルターと、
    前記干渉フィルターを制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする電子機器。

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