JP6907898B2 - 電子部品内蔵構造体 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品内蔵構造体に関する。

特許文献１には、積層構造を有し、電子部品を内蔵する電子部品内蔵構造体が開示されている。この電子部品内蔵構造体は、積層方向において対向する第１の主面及び第２の主面を構造体の両面にそれぞれ有し、第１の主面側に位置すると共に開口部（キャビティ部）が形成された第１の絶縁層と、キャビティ部内に配置された電子部品と、第２の主面側に位置すると共にキャビティ部及び電子部品を被覆する第２の絶縁層とを備えており、第２の絶縁層が、キャビティ部の内壁面（側壁面）と電子部品との間に入り込んでいる。

特開２０１６−２０７９５７号公報

特許文献１に記載の電子部品内蔵構造体では、キャビティ部の側壁面は電子部品内蔵構造体の積層方向に対して傾斜している。一方、キャビティ部内に配置された電子部品の側面は積層方向に対して傾斜しておらず、積層方向に延在している。このため、キャビティ部の側壁面と電子部品の側面との間に入り込んでいる第２の絶縁層の量が多く、電子部品内蔵構造体の第２の主面の平坦性低下を招いていた。

本発明は、主面の平坦性の向上を図ることが可能な電子部品内蔵構造体を提供することを目的とする。

本発明の一形態に係る電子部品内蔵構造体は、第１の主面と、第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する電子部品内蔵構造体であって、第１の主面を構成する第１絶縁層と、第１絶縁層の第２主面側に積層された接続部と、接続部に対して搭載された電子部品と、第１絶縁層を電子部品と一体的に覆う第２絶縁層と、を備え、第２絶縁層は、第１絶縁層の側から順に積層された第１層と第２層とを含み、第２絶縁層の第１層は、接続部が露出するように開口し、電子部品が配置されたキャビティ部を有し、キャビティ部は、法線方向が第２の主面側に傾斜する側壁面を有し、電子部品は、側壁面に対向し、且つ、法線方向が第１の主面側に傾斜する側面を有し、第２絶縁層の第２層は、キャビティ部の側壁面と電子部品の側面との間に入り込んでいる。

この電子部品内蔵構造体では、電子部品の側面は、電子部品内蔵構造体の積層方向に延在する状態からキャビティ部の側壁面に対して平行に近づく向きに傾斜している。これにより、電子部品の側面が積層方向に延在する状態に比べ、キャビティ部の側壁面と電子部品の側面との間に入り込む第２絶縁層の第２層の量が低減されている。したがって、電子部品内蔵構造体の第２の主面の平坦性の向上を図ることができる。

一形態において、電子部品内蔵構造体の積層方向に対する電子部品の側面の傾斜角は、積層方向に対する側壁面の傾斜角以下である。積層方向に対する電子部品の側面の傾斜角が、積層方向に対する側壁面の傾斜角よりも大きい場合、第２層側において側面と側壁面との間の距離が狭まるので、第２層を形成する際に、第２層を構成する材料が側面と側壁面との間に入り込みにくい。これに対し、積層方向に対する電子部品の側面の傾斜角を、積層方向に対する側壁面の傾斜角以下の角度とすることにより、第２絶縁層の第２層を構成する材料が電子部品の側面とキャビティ部の側壁面との間に充填されやすくなる。

一形態において、電子部品内蔵構造体は、電子部品とキャビティ部の側壁面との間に介在する絶縁体を更に備える。この場合、キャビティ部の側壁面と電子部品の側面との間に入り込んでいる第２絶縁層の第２層の量が更に低減されているので、更に第２の主面の平坦化が図られる。

一形態において、電子部品の側面及びキャビティ部の側壁面はいずれも電子部品内蔵構造体の積層方向における一端から他端まで一様に傾斜している。この構成によれば、側面又は側壁面が部分的に傾斜している場合に比べて平坦な第２の主面が得られる。

本発明によれば、主面の平坦性の向上を図ることが可能な電子部品内蔵構造体が提供される。

本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵構造体を概略的に示す断面図である。 図１に示した電子部品内蔵構造体の実装状態の一例を示した断面図である。 図１に示した電子部品内蔵構造体の電子部品及びキャビティ部の一部を拡大して示した断面図である。 図１に示した電子部品内蔵構造体の製造方法の各工程を示した図である。 図１に示した電子部品内臓構造体の製造方法の各工程を示した図である。 図１に示した電子部品内臓構造体の製造方法の各工程を示した図である。 図１に示した電子部品内蔵構造体の製造方法の各工程を示した図である。 図１に示した電子部品内蔵構造体の製造方法の変形例を示した図である。 図１に示した電子部品内蔵構造体の製造方法の変形例を示した図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の一実施形態にかかる電子部品内蔵構造体を概略的に示す断面図である。図１に示されるように、電子部品内蔵構造体１は、後述する電子部品１０を内蔵する構造体であり、例えば通信端末等に使用される。電子部品内蔵構造体１は、第１絶縁層２０上に第２絶縁層３０が積層された積層構造を有している。第１絶縁層２０及び第２絶縁層３０は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、又はフェノール樹脂等の絶縁性材料によって構成される。なお、第２絶縁層３０を構成する絶縁性材料は、例えば、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等といった、特定の処理によって硬度が変化する材料であってもよい。第１絶縁層２０の下面が、電子部品内蔵構造体１の一方の主面（第１の主面）１ａを構成し、第２絶縁層３０の上面が、第１の主面１ａとは反対側の主面（第２の主面）１ｂを構成している。

電子部品内蔵構造体１の第１の主面１ａには、複数の第１電極端子４２が設けられている。第１電極端子４２は、例えばＣｕ等の導電性材料によって構成される。本実施形態では、各第１電極端子４２は、主面１ａに重なるように設けられているが、第１絶縁層２０内に埋め込まれた状態で設けられていてもよい。各第１電極端子４２には、図２に示すように、例えば半田バンプ４３が設けられる。そして、各第１電極端子４２は、電子部品内蔵構造体１の第１の主面１ａと対面する外部の基板（図示せず）と、半田バンプ４３を介して接続される。

図１に戻って、電子部品内蔵構造体１の第２の主面１ｂにも、複数の第２電極端子４４が設けられている。第２電極端子４４は、第１電極端子４２同様、例えばＣｕ等の導電性材料によって構成される。本実施形態では、各第２電極端子４４は、主面１ｂに重なるように設けられているが、第２絶縁層３０内に埋め込まれた状態で設けられていてもよい。各第２電極端子４４には、図２に示すように、例えば半田バンプ４５が設けられる。そして、第２電極端子４４は、電子部品内蔵構造体１の第２の主面１ｂ上に搭載されるＩＣ等の外部電子部品５０と、半田バンプ４５を介して接続される。

図１に示すように、第１絶縁層２０上には、配線４６及び接続部４８が形成されている。配線４６及び接続部４８はいずれも、後述のとおり、導電層のパターニングにより形成されるため、配線４６及び接続部４８は同一層内に存在するとともに同一厚さを有する。配線４６及び接続部４８は、例えばＣｕなどの導電性材料により構成される。本実施形態では、電子部品内蔵構造体１は一対の接続部４８を有する。配線４６及び接続部４８のそれぞれは、第１絶縁層２０の厚さ方向（すなわち、電子部品内蔵構造体１の積層方向）に延びるように第１絶縁層２０に貫設された複数の第１ビア導体６２を介して、第１電極端子４２と電気的に接続されている。

電子部品１０は、一対の接続部４８上において一対の接続部４８に跨がるように設けられている。電子部品１０は、一対の接続部４８それぞれに対応するように下側に設けられた一対の第１電極層１１と、上側に設けられた一対の第２電極層１２とを有している。本実施形態では、電子部品１０は、一対の第１電極層１１と一対の第２電極層１２との間に配置された誘電体層１３を含む薄膜コンデンサであり、コンデンサ構造を２つ含んでいる。電子部品１０は、一例として、全体厚さが１０μｍ〜８０μｍ、第１電極層１１の厚さを０．１μｍ〜２０μｍ、第２電極層１２の厚さを０．１μｍ〜３０μｍ、誘電体層１３の厚さを０．０５μｍ〜０．４μｍとなるように設計され得る。電子部品１０は、半田層等の導電材料層１５を介して接続部４８と接続されている。第１電極層１１の材料には、一例としてＣｕ又はＣｕ合金が用いられる。第２電極層１２の材料には、一例としてＮｉ又はＮｉ合金が用いられる。誘電体層１３の材料には、一例として、ペロブスカイト系の誘電体材料が用いられる。ここで、電子部品１０は、複数の誘電体層１３及び複数の内部電極層が交互に積層された積層構造を有する、いわゆる多層薄膜コンデンサであってもよい。

第２絶縁層３０は、第１層３２と第２層３４とからなる２層構造を有する。すなわち、第２絶縁層３０は、第１絶縁層２０の側から順に積層された第１層３２と第２層３４とで構成されている。

第２絶縁層３０の第１層３２は、第１絶縁層２０上に形成された各配線４６を覆うとともに、第１絶縁層２０上に形成された接続部４８に対応する領域にキャビティ部３３を有する。キャビティ部３３は、積層方向において第１層３２を貫通しており、第１絶縁層２０上の接続部４８が露出するように開口している。キャビティ部３３の開口寸法は、電子部品１０の寸法よりも大きくなるように設計されており、電子部品１０はキャビティ部３３内に収容されるとともに、キャビティ部３３内において電子部品１０の第１電極層１１が接続部４８に接続される。

電子部品１０の下方には、キャビティ部３３内に収容された電子部品１０と第１絶縁層２０とで画成された空間Ｖが存在する。空間Ｖは、絶縁性樹脂（絶縁体）７０で充たされている。絶縁性樹脂７０は、例えば低誘電率材料（フィラーを含むエポキシ樹脂）やアンダーフィル材で構成される。電子部品１０の下方に位置する配線４６それぞれは絶縁性樹脂７０で覆われている。また、絶縁性樹脂７０は、キャビティ部３３内において電子部品１０と第１層３２との間にも設けられている。

第２絶縁層３０の第２層３４は、第１層３２、及び、キャビティ部３３内に収容された電子部品１０を一体的に覆っている。第２層３４には、その厚さ方向（すなわち、電子部品内蔵構造体１の積層方向）に延びるように複数の第２ビア導体６４が貫設されており、これらの第２ビア導体６４を介して、電子部品１０の第２電極層１２が第２電極端子４４と電気的に接続されている。なお、複数の第２ビア導体６４には、図１および図２に示した第２層３４のみを貫通する第２ビア導体６４以外に、図１及び図２では示されていないが第２絶縁層３０（第１層３２および第２層３４）を貫通して配線４６と第２電極端子４４とを接続する第２ビア導体６４も含み得る。

次に、図３を参照して、電子部品１０及びキャビティ部３３について詳細に説明する。図３に示されるように、キャビティ部３３は側壁面３３ａを有しており、電子部品１０は、キャビティ部３３の側壁面３３ａに対向する側面１０ａを有している。側壁面３３ａと側面１０ａとの間には、第２層３４が入り込んだ状態となっている。また、側壁面３３ａと側面１０ａとの間には、絶縁性樹脂７０が介在している。なお、絶縁性樹脂７０は、第２層３４よりも第１絶縁層２０側に設けられている。

キャビティ部３３の側壁面３３ａの法線方向（側壁面３３ａから離れる方向、すなわち側壁面３３ａの法線ベクトル）Ｎ２は、第２の主面１ｂ側に傾斜している。すなわち、側壁面３３ａは、第１の主面１ａ側から第２の主面１ｂ（図１参照）側に向かってキャビティ部３３の開口幅が漸次広がるように傾斜しており、積層方向（基準線Ａに平行な方向）に対して傾斜角θ２を成している。また、側壁面３３ａは平坦な面であり、積層方向における一端から他端まで一様に傾斜している。

側面１０ａは、電子部品１０の第１電極層１１、誘電体層１３、及び第２電極層１２の端部によって構成されている。側面１０ａの法線方向（側面１０ａから離れる方向、すなわち側面１０ａの法線ベクトル）Ｎ１は、第１絶縁層２０側（第１の主面１ａ側（図１参照））に傾斜している。すなわち、側面１０ａは、第１の主面１ａ側から第２の主面１ｂ（図１参照）側に向かうにつれて電子部品１０の幅が大きくなるように傾斜している。換言すると、積層方向に延在する状態（図３の二点鎖線参照）からキャビティ部３３の側壁面３３ａに対して同じ方向に近づく向きに傾斜している。側面１０ａは、積層方向（基準線Ａ）に対して傾斜角θ１を成している。また、側面１０ａは平坦な面であり、積層方向における一端から他端まで一様に傾斜している。

積層方向に対する電子部品１０の側面１０ａの傾斜角θ１は、積層方向に対する側壁面３３ａの傾斜角θ２以下の角度となるように設定されている。一例として、側面１０ａの傾斜角θ１は、０°＜θ１≦１５°の範囲内で定めることができ、側壁面３３ａの傾斜角θ２は、０°＜θ２≦３０°の範囲内で定めることができる。なお、側面１０ａの傾斜角θ１と側壁面３３ａの傾斜角θ２とが等しい、すなわち、側面１０ａと側壁面３３ａとが平行であることが好ましい。

次に、図４〜図７を参照して、電子部品内蔵構造体１の製造方法について説明する。

図４〜図７では、一つの電子部品内蔵構造体１を製造する製造方法を示しているが、実際には一枚のウェハ上において電子部品内蔵構造体１の構造を複数形成した後に個片化して一度に複数の電子部品内蔵構造体１が製造される。そのため、図４〜図７では、ウェハの一部（一つの電子部品内蔵構造体１に相当する部分）を拡大して示している。

電子部品内蔵構造体１を製造する際には、まず、図４（ａ）に示されるように、支持基板としての機能を有するウェハＷを準備し、ウェハＷ上に仮接着層Ｌを形成する。ウェハＷの材料は特に限定されず、例えばガラスウェハ等を用いることができる。仮接着層Ｌは、スピンコート等の公知の方法によって形成され得る。なお、仮接着層Ｌが予め形成されたウェハＷを準備してもよい。

次に、図４（ｂ）に示されるように、仮接着層Ｌ上にシード層Ｓを形成する。シード層Ｓは、例えばＣｕ等の導電性材料で構成される。さらに、図４（ｃ）に示されるように、シード層Ｓ上に第１絶縁層２０を積層するとともに第１絶縁層２０を公知のパターニング技術を用いてパターニングして、上述した各第１ビア導体６２を形成する位置の第１絶縁層２０に貫通孔２０ａを設ける。そして、パターニングされた第１絶縁層２０に、電解めっきによりめっき層を形成する。めっき層のうち、第１絶縁層２０の貫通孔２０ａ内に形成されためっき層が第１ビア導体６２を構成し、第１絶縁層２０上に形成されためっき層が配線４６及び接続部４８を構成する。

次に、図５（ａ）に示されるように、めっき層が形成された第１絶縁層２０を全体的に覆うように、第２絶縁層３０の第１層３２を形成する。第２絶縁層３０の第１層３２は、公知のパターニング技術を用いてパターニングされて、第１絶縁層２０上に形成された接続部４８に対応する領域にキャビティ部３３が設けられる。

次に、図５（ｂ）に示されるように、電子部品１０がキャビティ部３３内に設置され、キャビティ部３３内において電子部品１０となるべき部品１８が導電材料層１５を介して接続部４８に接続される。電子部品１０となるべき部品１８は、一対の第２電極層１２となるべき１つのＮｉ厚膜電極１２Ａを有する。電子部品１０となるべき部品１８が設置される前又は設置された後に、電子部品１０となるべき部品１８と第１絶縁層２０とで画成された空間Ｖを絶縁性樹脂７０で充たす。それにより、電子部品１０となるべき部品１８の下方に位置する配線４６それぞれが絶縁性樹脂７０で覆われる。また、キャビティ部３３内において、電子部品１０と第１層３２との間にも絶縁性樹脂７０が形成される。

そして、図５（ｃ）に示されるように、電子部品１０となるべき部品１８の周囲を囲むようにレジスト８２を設けてエッチング処理をおこない、Ｎｉ厚膜電極１２Ａの厚さを薄くする。そして、図６（ａ）に示されるように、レジスト８２及びＮｉ厚膜電極１２Ａのうちの第２電極層１２となるべき領域を覆うようにレジスト８４を設けてエッチング処理をおこなう。その結果、図６（ｂ）に示されるように、一対の第２電極層１２を有する電子部品１０が得られる。なお、上記エッチング処理の後、レジスト８２、８４は除去される。

次に、図７（ａ）に示されるように、第１層３２、及び、キャビティ部３３内に収容された電子部品１０を一体的に覆い、第２の主面１ｂを構成する第２絶縁層の第２層３４を形成する（第３工程）。そして、第２層３４を公知のパターニング技術を用いてパターニングして、上述した各第２ビア導体６４を形成する位置の第２層３４に貫通孔３４ａを設ける。これにより、第２絶縁層３０が形成された状態となる。

そして、第２絶縁層３０（第２層３４）を貫通し、第２電極端子４４に接続されるべき第２ビア導体６４を形成する。具体的には、図７（ｂ）に示されるように、パターニングされた第２絶縁層３０の第２層３４に、電解めっきによりめっき層を形成する。めっき層のうち、第２絶縁層３０の第２層３４の貫通孔３４ａ内に形成されためっき層が第２ビア導体６４を構成し、第２絶縁層３０の第２層３４上に形成されためっき層が第２電極端子４４を構成する。

最後に、仮接着層Ｌ及びウェハＷを除去し、除去により露出した第１の主面１ａ上に第１電極端子４２を設けることで、上述した電子部品内蔵構造体１が完成する。その後、電子部品内蔵構造体１に対して外部電子部品５０（図２参照）を搭載する。このとき、外部電子部品５０は、半田バンプ４５を介して第２電極端子４４に電気的に接続される。そして、樹脂などを用いて外部電子部品５０を封止する。

なお、上述した製法とは異なり、図７（ｂ）に示した第２電極端子４４の形成工程の後に、図８に示されるように、第２の主面１ｂ上に外部電子部品５０を搭載して樹脂封止を行った後に、仮接着層Ｌ及びウェハＷを除去してもよい。その後、除去により露出した第１の主面１ａ上に第１電極端子４２を設けることで、電子部品内蔵構造体１が完成する。

また、図９に示されるように、ウェハＷに替えて、外部電子部品５０を封入した部品封入ウェハを用いてもよい。この場合、外部電子部品５０の接続端子５１が上面に露出した部品封入ウェハ上に、上述の図４（ｃ）以後の工程を経て得られる電子部品内蔵構造体１を形成してもよい。

以上説明したように、電子部品内蔵構造体１では、キャビティ部３３は、法線方向Ｎ２が第２の主面１ｂ側に傾斜する側壁面３３ａを有している。また、電子部品１０は、側壁面３３ａに対向し、且つ、法線方向Ｎ１が第１の主面１ａ側に傾斜する側面１０ａを有している。すなわち、電子部品１０の側面１０ａは、図３に示されるように、積層方向に延在する状態からキャビティ部３３の側壁面３３ａに対して平行に近づく向きに傾斜している。これにより、電子部品１０の側面１０ａが積層方向に延在する状態（図３の二点鎖線参照）に比べ、図７（ａ）に示される第２層３４を形成する際に、キャビティ部３３の側壁面３３ａと電子部品１０の側面１０ａとの間に入り込む第２層３４の量が低減されている。一般的に、樹脂材料は硬化する際に収縮することが知られている。したがって、第２層３４を構成する材料の硬化収縮による影響が低減されるので、電子部品内蔵構造体１の第２の主面１ｂの平坦性の向上を図ることができる。例えば、第２層３４を構成する材料の硬化収縮により第２の主面１ｂに窪みが形成される場合には、側壁面３３ａと側面１０ａとの間に入り込む第２層３４の量が低減されることにより、形成される窪みを小さくすることができる。

また、一般的な電子部品内蔵構造体においては、電子部品をキャビティ部内に配置する際の搭載の容易性の観点から、キャビティ部の開口幅は大きいことが好ましい。しかしながら、キャビティ部の開口幅を大きくすると、電子部品とキャビティ部との間に隙間が大きくなるので、電子部品の搭載精度が低下し、電気的な接続の信頼性が低下する場合がある。これに対し、電子部品内蔵構造体１では、第１の主面１ａ側から第２の主面１ｂ側に向かってキャビティ部３３の開口幅が漸次広がるように側壁面３３ａが傾斜していることにより、電子部品１０をキャビティ部３３内に配置する際の搭載の容易性を確保しつつ、電子部品１０の搭載精度の低下を抑制することができる。加えて、電子部品１０の側面１０ａとキャビティ部３３の側壁面３３ａとが互いに同じ方向に傾斜していることにより、電子部品１０をキャビティ部３３内に配置した際（図５（ｂ）参照）に、側面１０ａ及び側壁面３３ａによって自動的に電子部品１０のアライメントがなされる。したがって、電子部品１０を配置する際のアライメントを容易にすることができる。

また、電子部品内蔵構造体１の積層方向に対する電子部品１０の側面１０ａの傾斜角θ１は、積層方向に対する側壁面３３ａの傾斜角θ２以下である。積層方向に対する電子部品１０の側面１０ａの傾斜角θ１が、積層方向に対する側壁面３３ａの傾斜角θ２よりも大きい場合、第２の主面１ｂ側において側面１０ａと側壁面３３ａとの間の距離が狭まるので、図７（ａ）に示される第２層３４を形成する際に、第２層３４を構成する材料が側面１０ａと側壁面３３ａとの間に入り込みにくい。これに対し、電子部品１０の側面１０ａの傾斜角θ１を、側壁面３３ａの傾斜角θ２以下の角度とすることにより、第２層３４を構成する材料が電子部品１０の側面１０ａとキャビティ部３３の側壁面３３ａとの間に充填されやすくなる。

また、電子部品内蔵構造体１は、電子部品１０とキャビティ部３３の側壁面３３ａとの間に介在する絶縁性樹脂７０を更に備える。絶縁性樹脂７０は電子部品１０とキャビティ部３３との間に画成される空間のうち第１の主面１ａ側に形成されている。このため、上記空間うち、第２絶縁層３０の第２層３４が入り込む第２の主面１ｂ側の空きスペースが小さくなっている。これにより、キャビティ部３３の側壁面３３ａと電子部品１０の側面１０ａとの間に入り込む第２層３４の量が更に低減されるので、第２層３４を構成する材料の硬化収縮による影響を更に低減できる。

また、電子部品１０の側面１０ａ及びキャビティ部３３の側壁面３３ａはいずれも電子部品内蔵構造体１の積層方向における一端から他端まで一様に傾斜している。これにより、側面１０ａ又は側壁面３３ａが部分的に傾斜している場合に比べ、第２層３４を形成する際に、第２層３４を構成する材料が側面１０ａと側壁面３３ａとの間に入り込みやすくなる。

１…電子部品内蔵構造体、１ａ…第１の主面、１ｂ…第２の主面、１０…電子部品、１０ａ…側面、２０…第１絶縁層、３０…第２絶縁層、３２…第１層、３３…キャビティ部、３３ａ…側壁面、３４…第２層、４８…接続部、６２…第１ビア導体、６４…第２ビア導体、７０…絶縁性樹脂（絶縁体）、Ｎ１，Ｎ２…法線方向、θ１，θ２…傾斜角。

Claims (4)

1. 第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する電子部品内蔵構造体であって、
   前記第１の主面を構成する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の前記第２の主面側に積層された接続部と、
   前記接続部に対して搭載された電子部品と、
   前記第１絶縁層を前記電子部品と一体的に覆う第２絶縁層と、を備え、
   前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層の側から順に積層された第１層と第２層とを含み、
   前記第２絶縁層の前記第１層は、前記接続部が露出するように開口し、前記電子部品が配置されたキャビティ部を有し、
   前記キャビティ部は、法線方向が前記第２の主面側に傾斜する側壁面を有し、
   前記電子部品は、前記側壁面に対向し、且つ、法線方向が前記第１の主面側に傾斜する側面を有し、
   前記第２絶縁層の前記第２層は、前記キャビティ部の前記側壁面と前記電子部品の前記側面との間に入り込んでいる、電子部品内蔵構造体。
2. 前記電子部品内蔵構造体の積層方向に対する前記電子部品の前記側面の傾斜角は、前記積層方向に対する前記側壁面の傾斜角以下である、請求項１に記載の電子部品内蔵構造体。
3. 前記電子部品と前記キャビティ部の前記側壁面との間に介在する絶縁体を更に備える、請求項１又は２に記載の電子部品内蔵構造体。
4. 前記電子部品の前記側面及び前記キャビティ部の前記側壁面はいずれも前記電子部品内蔵構造体の積層方向における一端から他端まで一様に傾斜している、請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品内蔵構造体。

Images