JP6910698B2 - インク組成物および有機発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

本明細書は、インク組成物および有機発光素子の製造方法に関する。
本出願は、２０１８年３月１６日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１８−００３０９８５号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。

従来の蒸着工程は、大面積になるとマスク垂れ現象が発生するので、ＲＧＢ（ｒｅｄ−ｇｒｅｅｎ−ｂｌｕｅ）方式のＯＬＥＤディスプレイを製造しにくいという欠点がある。しかし、インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）のような溶液工程は、大面積にもＲＧＢ方式でパターンを形成できるだけでなく、１回の工程だけでＲＧＢをすべて形成できるという利点がある。

また、最近、材料の消耗量を最小化し、機器が小型化されたり、ディスプレイの解像度が高くなるにつれ、精密パターンの形成が求められていて、経済的かつ安定的なインクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程で有機発光素子を製造する方法が注目されている。

インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程に使用されるインク組成物は、安定的な吐出が可能であり、電荷輸送性材料または発光材料などの機能層材料と溶媒が相分離が起こらず、膜形成時に均一な膜を形成できなければならない。

従来は、前記インク組成物に極性が比較的低いエーテル（ｅｔｈｅｒ）類溶媒やハイドロカーボン（ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ）類溶媒を多く使用したが、例えば、フェノキシトルエン（ｐｈｅｎｏｘｙｔｏｌｕｅｎｅ）、シクロヘキシルベンゼン（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）などの溶媒を使用した。しかし、前記溶媒を主溶媒として用いる場合、機能層材料に対する溶解度が低くてインクの固形分を高めるのに限界があり、これによって、工程時間が長くなり、乾燥時に相分離が起こるなど安定的な膜を形成できないという問題点があった。

また、機能層材料に対する溶媒の溶解度が低い場合、インクに溶かすことが可能な機能層材料の量が制限されることから、所望の厚さを得るために、ピクセルに滴下させるべき滴（ｄｒｏｐ）数が多くなるので、平坦なプロファイルを得にくくなることはもちろん、所望の厚さを得ることも困難である。

さらに、インク組成物に使用される溶媒の場合、機能層材料に対する溶解度が高いこと以外にも、ノズル部が乾燥する問題を防止するために高い沸点を有しなければならない。例えば、従来のシクロヘキサノン（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）の場合、溶解度が良い溶媒に相当するが、沸点が低くて、インク組成物に使用される場合、ノズル部が乾燥するので、インクジェット工程に適切でない。

したがって、当技術分野では、機能材料に対する溶解度に優れ、沸点が高い溶媒を含むインク組成物の開発が求められている。

本明細書は、有機発光素子で使用可能なインク組成物およびこれを用いた有機発光素子の製造方法を提供しようとする。

本明細書は、下記化学式１で表される化合物；および下記化学式２で表される溶媒を含むインク組成物を提供する。

前記化学式１および２において、
Ｌ１、Ｌ２およびＬ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換のアルキレン基；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ｌ３は、置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ｘ１およびＸ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、光硬化性基または熱硬化性基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒ１〜Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒ１１は、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基であり、
Ｒ１２は、置換もしくは非置換の炭素数２以上のアルキル基であり、
ｍ１〜ｍ４は、１〜６の整数であり、
前記ｍ１〜ｍ４がそれぞれ２以上の時、２以上のＬ１〜Ｌ４は、それぞれ互いに同一または異なり、
ｒ１、ｒ４およびｒ１１は、１〜５の整数であり、
ｒ２およびｒ５は、１〜４の整数であり、
ｒ３およびｒ６は、１〜３の整数であり、
前記ｒ１〜ｒ６およびｒ１１がそれぞれ２以上の時、２以上のＲ１〜Ｒ６およびＲ１１は、それぞれ互いに同一または異なる。

本明細書は、基板を用意するステップと、前記基板上に第１電極または第２電極を形成するステップと、前記第１電極または第２電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第２電極または第１電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記インク組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法を提供する。

本発明の一実施態様に係るインク組成物は、機能層材料に対する溶媒の溶解度が高くて、インク組成物内に機能層材料に対する含有量を高めることができ、これによってインク組成物の安定性を高めることができる。すなわち、機能層材料の析出や相分離が発生しないので、平坦な膜を形成することができる。
また、低い蒸気圧特性によってインク組成物の乾燥過程で蒸発速度を制御することにより、均一な膜を形成することができる。

本発明の一実施態様に係る有機発光素子の例を示すものである。 図２は、膜の平坦度評価についての図である。

インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程に使用されるインク組成物は、安定的な吐出が可能であり、電荷輸送性材料または発光材料などの機能層材料と溶媒が相分離が起こらず、膜形成時に均一な膜を形成できなければならない。

従来は、前記インク組成物に極性が比較的低いエーテル（ｅｔｈｅｒ）類溶媒やハイドロカーボン（ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ）類溶媒を多く使用したが、例えば、フェノキシトルエン（ｐｈｅｎｏｘｙｔｏｌｕｅｎｅ）、シクロヘキシルベンゼン（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）などの溶媒を使用した。しかし、前記溶媒を主溶媒として用いる場合、機能層材料に対する溶解度が低くてインクの固形分を高めるのに限界があり、これによって、工程時間が長くなり、乾燥時に相分離が起こるなど安定的な膜を形成できないという問題点があった。

また、機能層材料に対する溶媒の溶解度が低い場合、インクに溶かすことが可能な機能層材料の量が制限されることから、所望の厚さを得るために、ピクセルに滴下させるべき滴（ｄｒｏｐ）数が多くなるので、平坦なプロファイルを得にくくなることはもちろん、所望の厚さを得ることも困難である。

さらに、インク組成物に使用される溶媒の場合、機能層材料に対する溶解度が高いこと以外にも、ノズル部が乾燥する問題を防止するために高い沸点を有しなければならない。例えば、従来のシクロヘキサノン（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）の場合、溶解度が良い溶媒に相当するが、沸点が低くて、インク組成物に使用される場合、ノズル部が乾燥するので、インクジェット工程に適切でない。

本明細書の一実施態様に係るインク組成物は、機能層材料に対する溶媒の溶解度が高くて、インク組成物内に機能層材料に対する含有量を高めることができ、これによってインク組成物の安定性を高めることができる。すなわち、機能層材料の析出や相分離が発生しないので、平坦な膜を形成することができる。

また、低い蒸気圧特性によってインク組成物の乾燥過程で蒸発速度を制御することにより、均一な膜を形成することができる。

本明細書は、前記化学式１で表される化合物を提供する。

一般的に、溶液工程用有機発光素子で使用されるアリールアミン系単分子の場合、自ら次の工程の溶媒に耐性を有する場合がないので、溶液工程用ＯＬＥＤ素子に使用可能なアリールアミン系単分子化合物は硬化基が導入されなければならない。本明細書の化学式１で表されるアミン基が結合したフルオレン系化合物は、硬化基とフルオレンとの間にリンカー（ｌｉｎｋｅｒ）による適切な距離が維持されることにより、硬化基周辺の立体障害を減少させることができる。したがって、硬化基自体の運動性を増加させて、薄膜上で光および熱処理時の硬化反応を効率的に進行させることができ、優れた溶媒耐性を有する薄膜を形成させることができる。

また、本明細書の一例によるフルオレン系化合物は、硬化基としてスチレン基またはエテニル基が結合する場合、フルオレンのコア構造とコンジュゲーションの切れたフルオレンの９位の炭素に硬化基を導入することにより、硬化体が結合したフルオレンとアリールアミン系単分子の核心骨格につながる部分の薄膜上の相互作用に対する干渉を低減することができる。さらに、このような核心骨格の分子軌道関数に望ましくない影響を最小化させることはもちろん、より長寿命の有機発光素子を製造することができる。

また、本明細書は、前記化学式２で表される溶媒を提供する。

前記化学式２で表される溶媒は、従来に比べて、溶解度が高くかつ沸点が高くて、インク組成物内に機能層材料である前記化学式１で表される化合物の含有量を高めることができる。したがって、インク組成物の安定性を高めることができるため、機能層材料の析出や相分離が起こらないので、平坦な膜を効果的に形成することができる。

以下、本明細書についてより詳細に説明する。

本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合のみならず、２つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。

本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

本明細書において、置換基の例示は以下に説明するが、これに限定されるものではない。

本明細書において、

は、連結される部位を意味する。

前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合した水素原子が他の置換基に変わることを意味し、置換される位置は、水素原子の置換される位置すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定せず、２以上置換される場合、２以上の置換基は、互いに同一または異なっていてもよい。

本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素；ハロゲン基；ニトリル基；ニトロ基；ヒドロキシ基；アルコキシ基；シリル基；アルキル基；シクロアルキル基；アミン基；アリール基；およびＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、およびＳｉ原子のうちの１個以上を含むヘテロ環基からなる群より選択された１または２以上の置換基で置換されているか、前記例示された置換基のうちの２以上の置換基が連結された置換基で置換されるか、もしくはいずれの置換基も有しないことを意味する。

本明細書において、ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素がある。

本明細書において、アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１〜５０のものが好ましく、１〜３０がさらに好ましい。具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、１−メチル−ブチル、１−エチル−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ヘキシル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ヘプチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、オクチル、ｎ−オクチル、ｔｅｒｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、１−エチル−プロピル、１，１−ジメチル−プロピル、イソヘキシル、４−メチルヘキシル、５−メチルヘキシルなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数３〜６０のものが好ましく、３〜３０がさらに好ましい。具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、３−メチルシクロペンチル、２，３−ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、３−メチルシクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、２，３−ジメチルシクロヘキシル、３，４，５−トリメチルシクロヘキシル、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、アルコキシ基は、直鎖、分枝鎖もしくは環鎖であってもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜２０のものが好ましく、１〜１０のものがさらに好ましい。具体的には、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｉ−プロピルオキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、３，３−ジメチルブチルオキシ、２−エチルブチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ、ベンジルオキシ、ｐ−メチルベンジルオキシなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、シリル基は、Ｓｉを含み、前記Ｓｉ原子がラジカルとして直接連結される置換基であり、−ＳｉＲ_２０１Ｒ_２０２Ｒ_２０３で表され、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；アルキル基；アルケニル基；アルコキシ基；シクロアルキル基；アリール基；およびヘテロ環基のうちの少なくとも１つからなる置換基であってもよい。シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、アリール基が単環式アリール基の場合、炭素数は特に限定されないが、炭素数６〜５０のものが好ましく、６〜３０がさらに好ましい。具体的には、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

前記アリール基が多環式アリール基の場合、炭素数は特に限定されないが、炭素数１０〜５０のものが好ましく、１０〜３０がさらに好ましい。具体的には、多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニレン基、クリセニル基、フルオレニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記フルオレニル基は置換されていてもよいし、隣接した置換基が互いに結合して環を形成してもよい。

前記フルオレニル基が置換される場合、

などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、ヘテロ環基は、異種原子としてＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、およびＳｅのうちの１個以上を含むものであって、炭素数は特に限定されないが、炭素数２〜６０のものが好ましく、２〜３０のものがさらに好ましい。ヘテロ環基の例としては、チオフェン基、フラン基、ピロール基、イミダゾール基、チアゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ビピリジン基、ピリミジン基、トリアジン基、アクリジン基、ピリダジン基、ピラジン基、キノリン基、キナゾリン基、キノキサリン基、フタラジン基（ｐｈｔｈａｌａｚｉｎｅ）、プテリジン基（ｐｔｅｒｉｄｉｎｅ）、ピリドピリミジン基（ｐｙｒｉｄｏ ｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅ）、ピリドピラジン基（ｐｙｒｉｄｏ ｐｙｒａｚｉｎｅ）、ピラジノピラジン基（ｐｙｒａｚｉｎｏ ｐｙｒａｚｉｎｅ）、イソキノリン基、インドール基、ピリドインドール基（ｐｙｒｉｄｏ ｉｎｄｏｌｅ）、インデノピリミジン（５Ｈ−ｉｎｄｅｎｏ ｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅ）、カルバゾール基、ベンズオキサゾール基、ベンズイミダゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾカルバゾール基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、ジベンゾフラン基、フェナントロリン基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、およびチアジアゾリル基などがあるが、これらのみに限定されるものではない。

本明細書において、ヘテロアリール基は、芳香族であることを除けば、前記ヘテロ環基の例示の中から選択されてもよいが、これらのみに限定されるものではない。

本明細書において、アミン基は、−ＮＲ_２０６Ｒ_２０７で表され、Ｒ_２０６およびＲ_２０７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素、重水素、ハロゲン基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、およびヘテロ環基のうちの少なくとも１つからなる置換基であってもよい。例えば、−ＮＨ_２、モノアルキルアミン基、ジアルキルアミン基、Ｎ−アルキルアリールアミン基、モノアリールアミン基、ジアリールアミン基、Ｎ−アリールヘテロアリールアミン基、Ｎ−アルキルヘテロアリールアミン基、モノヘテロアリールアミン基、およびジヘテロアリールアミン基からなる群より選択されてもよいし、炭素数は特に限定されないが、１〜３０が好ましく、１〜２０がさらに好ましい。アミン基の具体例としては、メチルアミン基、ジメチルアミン基、エチルアミン基、ジエチルアミン基、フェニルアミン基、ナフチルアミン基、ビフェニルアミン基、アントラセニルアミン基、９−メチル−アントラセニルアミン基、ジフェニルアミン基、ジトリルアミン基、Ｎ−フェニルトリルアミン基、トリフェニルアミン基、Ｎ−フェニルビフェニルアミン基、Ｎ−フェニルナフチルアミン基、Ｎ−ビフェニルナフチルアミン基、Ｎ−ナフチルフルオレニルアミン基、Ｎ−フェニルフェナントレニルアミン基、Ｎ−ビフェニルフェナントレニルアミン基、Ｎ−フェニルフルオレニルアミン基、Ｎ−フェニルターフェニルアミン基、Ｎ−フェナントレニルフルオレニルアミン基、Ｎ−ビフェニルフルオレニルアミン基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、アリールアミン基の例としては、置換もしくは非置換のモノアリールアミン基、置換もしくは非置換のジアリールアミン基、または置換もしくは非置換のトリアリールアミン基がある。前記アリールアミン基中のアリール基は、単環式アリール基であってもよく、多環式アリール基であってもよい。前記アリール基が２以上を含むアリールアミン基は、単環式アリール基、多環式アリール基、または単環式アリール基と多環式アリール基を同時に含んでもよい。例えば、前記アリールアミン基中のアリール基は、前述したアリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、アルキレン基は、アルキル基に結合位置が２つあるもの、すなわち２価の基を意味する。これらは、それぞれ２価の基であることを除けば、前述したアルキル基の説明が適用可能である。

本明細書において、アリーレン基は、アリール基に結合位置が２つあるもの、すなわち２価の基を意味する。これらは、それぞれ２価の基であることを除けば、前述したアリール基の説明が適用可能である。

本明細書において、ヘテロアリーレン基は、ヘテロアリール基に結合位置が２つあるもの、すなわち２価の基を意味する。これらは、それぞれ２価の基であることを除けば、前述したヘテロアリール基の説明が適用可能である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１、Ｌ２およびＬ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換のアルキレン基；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、直接結合である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ２は、直接結合である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、置換もしくは非置換のヘキシレン基、置換もしくは非置換のヘプチレン基、または置換もしくは非置換のオクチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、ヘキシレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、ヘプチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、オクチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ２は、置換もしくは非置換のヘキシレン基、置換もしくは非置換のヘプチレン基、または置換もしくは非置換のオクチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ２は、ヘキシレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ２は、ヘプチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ２は、オクチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ４は、直接結合である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ４は、置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ４は、置換もしくは非置換のメチレン基、置換もしくは非置換のエチレン基、置換もしくは非置換のプロピレン基、置換もしくは非置換のブチレン基、置換もしくは非置換のペンチレン基、または置換もしくは非置換のヘキシレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ４は、メチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ４は、エチレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ３は、置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ３は、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ３は、置換もしくは非置換のフェニレン基；置換もしくは非置換のビフェニレン基、置換もしくは非置換のターフェニレン基、置換もしくは非置換のナフチレン基、置換もしくは非置換のフェナントリレン基、置換もしくは非置換のトリフェニレン基、置換もしくは非置換のフルオレニレン基である。
本明細書の一実施態様において、Ｌ３は、ビフェニレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ３は、置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｘ１およびＸ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、光硬化性基または熱硬化性基である。

本明細書の一実施態様において、前記Ｘ１およびＸ２は、下記の構造の中から選択されるいずれか１つである。

前記構造において、
Ａ_１〜Ａ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のフェナントリル基、置換もしくは非置換のトリフェニレン基、または置換もしくは非置換のフルオレニル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ１は、フェニル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ１は、ビフェニル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ１は、ナフチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ２は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のフェナントリル基、置換もしくは非置換のトリフェニル基、または置換もしくは非置換のフルオレニル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ２は、フェニル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ２は、ビフェニル基である。

本明細書の一実施態様において、Ａｒ２は、ナフチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１〜Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１〜Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１〜Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のエチル基、置換もしくは非置換のプロピル基、置換もしくは非置換のイソプロピル基、または置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１は、メチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ４は、メチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ水素である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１１は、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１１は、水素である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１１は、置換もしくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１１は、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のエチル基、または置換もしくは非置換のプロピル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１１は、メチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、置換もしくは非置換の炭素数２以上のアルキル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、置換もしくは非置換の炭素数２〜２０のアルキル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、置換もしくは非置換の炭素数２〜１０のアルキル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、置換もしくは非置換のエチル基、置換もしくは非置換のプロピル基、置換もしくは非置換のブチル基、置換もしくは非置換のペンチル基、置換もしくは非置換のヘキシル基、置換もしくは非置換のヘプチル基、置換もしくは非置換のオクチル基、または置換もしくは非置換のノニル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、エチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、プロピル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、ブチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、ペンチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、ヘキシル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、ヘプチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、オクチル基である。

本明細書の一実施態様において、Ｒ１２は、ノニル基である。

本明細書の一実施態様において、ｍ１〜ｍ４は、１〜６の整数であり、前記ｍ１〜ｍ４がそれぞれ２以上の時、２以上のＬ１〜Ｌ４は、それぞれ互いに同一または異なる。

本明細書の一実施態様において、ｍ１は、１である。

本明細書の一実施態様において、ｍ２は、１である。

本明細書の一実施態様において、ｍ３は、１である。

本明細書の一実施態様において、ｍ４は、１である。

本明細書の一実施態様において、ｒ１、ｒ４およびｒ１１は、１〜５の整数であり、ｒ２およびｒ５は、１〜４の整数であり、ｒ３およびｒ６は、１〜３の整数であり、前記ｒ１〜ｒ６およびｒ１１がそれぞれ２以上の時、２以上のＲ１〜Ｒ６およびＲ１１は、それぞれ互いに同一または異なる。

本明細書の一実施態様において、ｒ１は、２または５である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１で表される化合物は、下記の化合物１−１〜１−６の中から選択されるいずれか１つである。

本明細書の一実施態様において、前記化学式２で表される溶媒は、下記の化合物２−１〜２−７の中から選択されるいずれか１つである。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１で表される化合物は、全体溶媒１００重量部に対して、０．１重量部〜１０重量部が好ましく、０．５〜５重量部がさらに好ましい。前記含有量範囲で含まれる場合、滴（ｄｒｏｐ）数を調節して所望の厚さの膜を得ることが容易である。特に、高い厚さの膜が得られ、乾燥後に平坦な膜を形成できるという利点がある。

本明細書の一実施態様において、全体溶媒の全体重量に対する前記化学式１で表される化合物の溶解度は、２５℃、１ａｔｍで２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物の粘度は、２ｃＰ以上２０ｃＰ以下が好ましく、３ｃＰ以上１５ｃＰ以下がさらに好ましい。前記範囲の粘度を有する場合、吐出安定性を有することができて、素子の製造に容易である。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物は、高分子化合物をさらに含んでもよい。前記インク組成物が高分子化合物をさらに含む場合には、インク組成物のインク特性を高めることができる。すなわち、前記高分子化合物をさらに含むインク組成物は、コーティングまたはインクジェットするのに適当な粘度を提供することができ、平坦な膜を形成することができる。

本明細書の一実施態様において、前記高分子化合物の分子量は、１０，０００ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌである。

本明細書の一実施態様において、前記高分子化合物は、光硬化基または熱硬化基をさらに含んでもよい。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物は、液状であってもよい。前記「液状」は、常温および常圧で液体状態であることを意味する。

本明細書の一実施態様によれば、前記インク組成物の製造時、前記化学式２で表される溶媒のほか、他の溶媒を副溶媒としてさらに含んでもよい。副溶媒は、主溶媒インクの粘度を調節し、インクの乾燥速度を調節する機能をする。例えば、フェノキシトルエン、３，４−ジメチルアニソールなどのエーテル系溶媒；メチルベンゾエート、ジメチルフタレートなどのエステル系溶媒；シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン、エチルナフタレン、トリメチルベンゼン、イソプロピルナフタレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテルなどのグリコールエーテル類溶媒；フッ素系溶媒；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、フェノール、フェニルエチルアルコールなどのアルコール系溶媒などの溶媒があるが、これに限定されるものではない。

前記副溶媒は、全体溶媒に対して、０．１ｗｔ％〜７０ｗｔ％または０．１ｗｔ％〜５０ｗｔ％含まれていてもよいし、好ましくは１ｗｔ％〜３０ｗｔ％であってもよい。

本明細書の一実施態様において、前記副溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒；またはアルコール系溶媒である。

本明細書の一実施態様において、前記副溶媒は、３−エチルビフェニル、２−イソプロピルナフタレン、または２−フェニルエチルアルコールである。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物は、熱重合開始剤および光重合開始剤からなる群より選択される１種または２種以上の添加剤をさらに含んでもよい。

前記熱重合開始剤としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ビス−３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロルベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−（ｔ−ブチルオキシ）−ヘキサン、１，３−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−イソプロピル）ベンゼン、ｔ−ブチルクミル（ｃｕｍｙｌ）パーオキサイド、ジ−ｔブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−（ジｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン−３、トリス−（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン、１，１−ジｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、２，２−ビス（４，４−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペートなどの過酸化物；またはアゾビスイソブチルニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、アゾビスシクロヘキシルニトリルなどのアゾ系があるが、これに限定されるものではない。

前記光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）ブタノン−１，２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−２−モルホリノ（４−メチルチオフェニル）プロパン−１−オン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどのアセトフェノン系またはケタール系光重合開始剤；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのベンゾインエーテル系光重合開始剤；ベンゾフェノン、４−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ベンゾイルナフタレン、４−ベンゾイルビフェニル、４−ベンゾイルフェニルエーテル、アクリル化ベンゾフェノン、１，４−ベンゾイルベンゼンなどのベンゾフェノン系光重合開始剤；または２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントンなどのチオキサントン系光重合開始剤などがあるが、これらに限定されるものではない。また、その他の光重合開始剤としては、エチルアントラキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，４−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、メチルフェニルグリオキシエステル、９，１０−フェナントレン、アクリジン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合物などがあるが、これらに限定されるものではない。さらに、光重合促進効果を有するものを単独で用いるか、前記光重合開始剤と併用して用いてもよい。光重合促進効果を有するものは、例えば、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸（２−ジメチルアミノ）エチル、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノンなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物は、界面活性剤などの他の添加剤をさらに含んでもよい。前記界面活性剤は、非イオン性界面活性剤が好ましく、シリコーン系またはフッ素系界面活性剤などであってもよいが、これらに限定されるものではない。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１で表される化合物は、示差走査熱量分析器（ＤＳＣ、Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ）で測定した結果、発熱ピーク（ｐｅａｋ）と発熱ピーク（ｐｅａｋ）前吸熱ピーク（ｐｅａｋ）との間の温度差が２０℃以上である。

前記発熱ピークと発熱ピーク前吸熱ピークとの間の温度差が２０℃〜２００℃であってもよい。

前記示差走査熱量分析器（ＤＳＣ、Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ）は、試料と基準物質の温度をプログラムによって一定の速度で変化させながら２つの間の温度差をゼロ（ｚｅｒｏ）に維持するために必要なエネルギー（ｅｎｔｈａｌｐｙ）の量を測定して熱の流れを温度の関数で表して得られたピークの位置、形状および数から試料の定性的な分析と、試料変性時のピークの広さ変化から試料の熱に対するエンタルピー変化などに対する変数を定量的に測定できる装置を意味する。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物は、ｐドーピング物質をさらに含んでもよい。

本明細書の一実施態様において、前記ｐドーピング物質は、Ｆ_４ＴＣＮＱ；またはホウ素陰イオンを含む。

本明細書の一実施態様において、前記ｐドーピング物質は、Ｆ_４ＴＣＮＱ；またはホウ素陰イオンを含み、前記ホウ素陰イオンは、ハロゲン基を含む。

本明細書の一実施態様において、前記ｐドーピング物質は、Ｆ_４ＴＣＮＱ；またはホウ素陰イオンを含み、前記ホウ素陰イオンは、Ｆを含む。

本明細書の一実施態様において、前記ｐドーピング物質は、下記の構造の中から選択されてもよい。

本明細書において、前記ｐドーピング物質は、ｐ半導体特性を持たせる物質であれば十分であり、１種または２種以上を使用することができ、その種類を限定しない。

本明細書の一実施態様において、前記ｐドーピング物質の含有量は、前記化学式１で表される化合物を基準として、０重量％〜５０重量％が好ましく、０重量％〜３０重量％がさらに好ましい。

本明細書はさらに、前記インク組成物を用いて形成された有機発光素子を提供する。

本明細書の一実施態様において、第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの１層以上は、前記インク組成物を用いて形成される。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、正孔輸送層、正孔注入層、または正孔輸送および正孔注入を同時に行う層である。

他の実施態様において、前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、発光層である。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、電子輸送層または電子注入層である。

本明細書の一実施態様において、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、および正孔阻止層からなる群より選択される１層または２層以上をさらに含む。

もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、第２電極、１層以上の有機物層、および第１電極が順次に積層された構造（ｎｏｒｍａｌ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、第１電極、１層以上の有機物層、および第２電極が順次に積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

本明細書の一実施態様において、前記第１電極は、カソードであり、前記第２電極は、アノードである。

本明細書の一実施態様において、前記第１電極は、アノードであり、前記第２電極は、カソードである。

本明細書の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本明細書の有機発光素子は、有機物層として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機発光素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機層を含んでもよい。

例えば、本明細書の一実施態様に係る有機発光素子の構造が図１に例示されている。

図１には、基板１０１上に、アノード２０１、正孔注入層３０１、正孔輸送層４０１、発光層５０１、電子輸送層６０１、およびカソード７０１が順次に積層された有機発光素子の構造が例示されている。

本明細書の一実施態様において、前記図１における正孔注入層３０１または正孔輸送層４０１は、前記インク組成物を用いて形成される。

本明細書の一実施態様において、前記図１における発光層５０１は、前記インク組成物を用いて形成される。

本明細書の一実施態様において、前記図１における電子輸送層６０１は、前記インク組成物を用いて形成される。

前記図１は、有機発光素子を例示したものであり、これに限定されない。

前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同一の物質または異なる物質で形成される。

本明細書の有機発光素子は、有機物層のうちの１層以上が前記インク組成物を用いて形成されることを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造できる。

例えば、本明細書の有機発光素子は、基板上にアノード、有機物層、およびカソードを順次に積層させることにより製造することができる。この時、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発法（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させてアノードを形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層を形成した後、その上にカソードとして使用可能な物質を蒸着させることにより製造できる。

本明細書の一実施態様に係る有機発光素子の製造方法は、Ｂａｎｋが形成された基板に、Ｒ、Ｇ、Ｂインクをそれぞれのヘッド（ｈｅａｄ）を介して順次にｊｅｔｔｉｎｇしてインクを満たし、同時に乾燥を進行させて、Ｒ、Ｇ、Ｂピクセル（ｐｉｘｅｌ）を一度に形成できるので、数回の蒸着工程に比べて製造工程が簡便であるという利点がある。

本明細書はさらに、前記インク組成物を用いて形成された有機発光素子の製造方法を提供する。

具体的には、本明細書の一実施態様において、基板を用意するステップと、前記基板上に第１電極または第２電極を形成するステップと、前記第１電極または第２電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第２電極または第１電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記インク組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法を提供する。

本明細書の一実施態様によれば、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層は、溶液工程により形成される。

本明細書の一実施態様に係るコーティング組成物は、構造的な特性から溶液工程が好適で印刷法によって形成できるので、素子の製造時に時間および費用的に経済的な効果がある。

本明細書の態様において、前記印刷法は、例えば、インクジェットプリンティング、ノズルプリンティング、オフセットプリンティング、転写プリンティング、またはスクリーンプリンティングなどがあるが、これらを限定しない。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式を利用して形成される。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物を形成するステップは、熱処理ステップまたは光処理ステップを含むことができる。

前記インク組成物を用いて形成された有機物層を形成するステップにおいて前記熱処理ステップまたは光処理ステップを含む場合には、インク組成物に含まれた複数の光硬化性基または熱硬化性基が架橋を形成して薄膜化された構造が含まれた有機物層を提供することができる。この場合、前記インク組成物を用いて形成された有機物層の表面上に蒸着された溶媒によって溶解するか、形態学的に影響を受けたり分解されるのを防止することができる。

したがって、前記インク組成物を用いて形成された有機物層が熱処理または光処理ステップを含んで形成された場合には、溶媒に対する抵抗性が増加して溶液蒸着および架橋方法を繰り返し行って多層を形成することができ、安定性が増加して素子の寿命特性を増加させることができる。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物を用いて形成された有機物層を熱処理する時間は、１時間以内が好ましく、３０分以内がさらに好ましい。

本明細書の一実施態様において、前記コーティング組成物が添加剤を含まない場合、１００℃〜２５０℃の温度で熱処理して、架橋が進行することが好ましく、１２０℃〜２００℃の温度で架橋が進行することがさらに好ましい。また、本明細書のコーティング組成物は、開始剤をさらに含んでもよいが、使用しない方がさらに好ましい。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物を用いて形成された有機物層を熱処理する雰囲気は、アルゴン、窒素などの不活性気体である。

さらに他の本明細書の一実施態様において、前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、大気（ａｉｒ）雰囲気で熱処理することもできる。

本明細書の一実施態様において、前記インク組成物は、高分子結合剤に混合して分散させることができる。

本明細書の一実施態様において、高分子結合剤としては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好ましく用いられる。高分子結合剤としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）およびその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）およびその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどがあるが、これらに限定されるものではない。

前記第１電極物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。例えば、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属、またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ_２：Ｓｂのような金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらに限定されるものではない。

前記第２電極物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。例えば、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属、またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ_２／Ａｌのような多層構造の物質などがあるが、これらに限定されるものではない。

前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含むことができる。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的には、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されるものではない。

前記ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的には、芳香族アミン誘導体としては、置換もしくは非置換のアリールアミン基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミン基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがある。また、スチリルアミン化合物は、置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物で、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、およびアリールアミン基からなる群より１または２以上選択される置換基が置換もしくは非置換である。具体的には、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これらに限定されない。さらに、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記インク組成物で形成される有機物層が、発光層でないか、追加の発光層が備えられる場合、前記発光層の発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子がそれぞれ輸送されて結合させることにより可視光線領域の光を発し得る物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。例えば、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾキサゾール、ベンズチアゾール、およびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン；およびルブレンなどがあるが、これらに限定されるものではない。

前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層である。正孔注入物質は、正孔を輸送する能力を有し、第１電極からの正孔注入効果および発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有するものが好ましい。また、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止できる能力の優れた物質が好ましい。さらに、薄膜形成能力の優れた物質が好ましい。また、正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）が第２電極物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物；ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物；キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物；ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物；アントラキノン、ポリアニリンのようなポリチオフェン系の導電性高分子などがあるが、これらに限定されるものではない。

前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層である。正孔輸送物質としては、第１電極や正孔注入層から正孔輸送を受けて発光層に移し得る物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好ましい。具体例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらに限定されるものではない。

前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取って発光層まで電子を輸送する層である。電子輸送物質としては、第２電極から電子がよく注入されて発光層に移し得る物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好ましい。具体例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらに限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により使用されているように、任意の所望の第１電極物質とともに使用可能である。特に、適切な第１電極物質は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムなどがあり、各場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。

前記電子注入層は、電極から電子を注入する層である。電子注入物質としては、電子を輸送する能力に優れ、第２電極からの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有するものが好ましい。また、発光層で生成された励起子が正孔注入層に移動するのを防止し、薄膜形成能力の優れた物質が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物、および含窒素５員環誘導体などがあるが、これらに限定されるものではない。

前記金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（２−ナフトラート）ガリウムなどがあるが、これらに限定されるものではない。

前記電子阻止層は、正孔注入層から注入された正孔が発光層を経て電子注入層に進むのを防止して素子の寿命と効率を向上させる層である。公知の材料は制限なく使用可能であり、発光層と正孔注入層との間に、または発光層と正孔注入および正孔輸送を同時に行う層との間に形成される。

前記正孔阻止層は、正孔の第２電極への到達を阻止する層で、一般的に、正孔注入層と同一の条件で形成される。具体的には、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｃｏｍｐｌｅｘ）などがあるが、これらに限定されるものではない。

本発明に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。

以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本発明の範囲が以下に述べる実施例に限定されると解釈されない。本発明の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

＜製造例＞
＜製造例１＞−化合物１−１の製造
（１）中間体３の合成

２−ブロモ−９Ｈ−フルオレン−９−オン［２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｏｎｅ］（５ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン［ＴＨＦ］に溶解させた後、前記溶液の入ったフラスコを氷浴（ｂａｔｈ）に入れた。フェニルマグネシウムブロミド（Ｐｈｅｎｙｌｍａｇｎｅｓｉｕｍｂｒｏｍｉｄｅ）（３Ｍ ｉｎテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］、９．６５ｍｌ、２９．０ｍｍｏｌ）を入れて、０℃で２０分間撹拌した。ＮＨ_４Ｃｌ（ａｑ）で反応を中止させ、ジエチルエーテル［ｄｉｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ（Ｅｔ_２Ｏ）］で抽出した。ＭｇＳＯ_４を用いて有機層を乾燥させ、真空回転濃縮機を用いて有機溶媒を除去した。残留物をカラム精製して、中間体２を６．５ｇ（ｑｕａｎｔｉｔｉｖｅ ｙｉｅｌｄ）得た。

前記中間体２（３．６ｇ、１０．６ｍｍｏｌ）をジクロロメタン［ＤＣＭ］に溶かした後、トリエチルシラン［ｔｒｉｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ］（２．６ｍｌ、１６．１ｍｍｏｌ）およびトリフルオロ酢酸［ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ］１．３ｍｌを入れて、常温で一晩（ｏｖｅｒｎｉｇｈｔ）撹拌した。ＴＬＣ（ｔｈｉｎ ｌａｙｅｒ ｃｈｏｒｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）で前記中間体２が残っていないことを確認した後、シリカゲル［ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ］を入れて真空回転濃縮機で有機溶媒を除去した。生成物が吸着されたシリカゲル［ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ］をカラム精製して、中間体３を３．２６ｇ（収率９５％）得た。

（２）中間体５の合成

４−ヒドロキシベンズアルデヒド［４−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（６．１ｇ、５０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム［ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｃａｒｂｏｎａｔｅ］（１０ｇ、７５ｍｍｏｌ）、そして１，６−ジブロモヘキサン［１，６−ｄｉｂｒｏｍｏｈｅｘａｎｅ］（１５ｍｌ、１００ｍｍｏｌ）をアセトン［ａｃｅｔｏｎｅ］に溶かした後、３時間還流（ｒｅｆｌｕｘ）した。反応物を濾過（ｆｉｌｔｅｒ）した後、真空回転濃縮機で有機溶媒を除去した。カラム精製で中間体５を９．９ｇ（収率６９％）得た。

（３）中間体７の合成

前記中間体３（３．７ｇ、１１．５ｍｍｏｌ）および中間体５（３ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド［ＤＭＳＯ］２０ｍｌに５０℃のオイルバス（ｏｉｌ ｂａｔｈ）で溶かした。５０ｗｔ％ＮａＯＨ（ａｑ）０．５ｍｌを入れて一晩（ｏｖｅｒｎｉｇｈｔ）撹拌した後、再度５０ｗｔ％ＮａＯＨ（ａｑ）０．５ｍｌを入れて２時間さらに撹拌した。水４００ｍｌに反応物を入れて沈殿させた後、濾過（ｆｉｌｔｅｒ）した。濾過（Ｆｉｌｔｅｒ）で得られた固体を再度エタノール１００ｍｌに入れて１０分間撹拌した後、再度濾過（ｆｉｌｔｅｒ）した。フィルタケーキ（Ｆｉｌｔｅｒ ｃａｋｅ）を真空オーブンにて乾燥させて、中間体６を４．４８ｇ（収率８１％）得た。

メチルホスホニウムブロミド［Ｍｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍｂｒｏｍｉｄｅ］（５．１ｇ、１４．３ｍｍｏｌ）の入ったフラスコを氷水に入れた後、無水テトラヒドロフラン［ＴＨＦ］１００ｍｌを入れた。ＫＯｔＢｕ（１．６ｇ、１４．３ｍｍｏｌ）を入れて３０分間撹拌した。４−（（６−（２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ヘキシル）オキシ）ベンズアルデヒド［４−（（６−（２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｙｌ）ｈｅｘｙｌ）ｏｘｙ）ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］（３ｇ、５．７ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン［ＴＨＦ］に溶かして、反応フラスコに入れて再度１時間撹拌した。水を入れて反応を止めた後、ジクロロメタン［ＤＣＭ］で抽出した。ＭｇＳＯ_４で有機溶媒を乾燥させて濾過した後、真空回転濃縮機で有機溶媒を除去した。残留物をカラム精製して、中間体７を２．６３ｇ（収率８８％）得た。

（４）化合物１−１の合成

前記中間体７（７００ｍｇ、１．３４ｍｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉ（［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ）−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］（３２７ｍｇ、０．６７ｍｍｏｌ）、およびＮａＯｔＢｕ（３８４ｍｇ、４ｍｍｏｌ）を５０ｍｌの丸いフラスコに入れて、無水トルエン［ｔｏｌｕｅｎｅ］７ｍｌを入れた。反応物の入った丸いフラスコを９０℃のオイルバス［ｏｉｌ ｂａｔｈ］に入れて４時間撹拌した後、オイルバス（ｏｉｌ ｂａｔｈ）を取り除いてジクロロメタン［ＤＣＭ］で希釈した。シリカゲル［Ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ］とセライト［ｃｅｌｉｔｅ］を入れて５分間撹拌した後、濾過した。濾過液［Ｆｉｌｔｒａｔｅ］で真空回転濃縮機により有機溶媒を除去した後、カラム精製して、化合物１−１を５６０ｍｇ（収率６１％、ＨＰＬＣ純度９９．４％）得た。

化合物１−１のＮＭＲ測定値：^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ７．７０（ｄ，２Ｈ），７．６８（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｄ，４Ｈ），７．４８（ｔ，８Ｈ），７．４１（ｔ，４Ｈ），７．３４−７．２６（ｍ，８Ｈ），７．２３−７．１０（ｍ，２６Ｈ），６．７６（ｄ，４Ｈ），６．６４−６．５８（ｄｄ，２Ｈ），５．５６（ｄ，２Ｈ），５．０７（ｄ，２Ｈ），３．８５（ｔ，４Ｈ），２．４６−２．３６（ｍ，４Ｈ），１．６７−１．６１（ｍ，４Ｈ）１．３５−１．２３（ｍ，８Ｈ），０．９２−０．７３（ｍ ４Ｈ）

＜製造例２＞−化合物１−２の製造
（１）中間体１０の合成

１，４−ジブロモベンゼン［１，４−ｄｉｂｒｏｍｏｂｅｎｚｅｎｅ］（８．０ｇ、３３．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］に溶かした後、ドライアイス／アセトンバス［ｉｃｅ／ａｃｅｔｏｎｅ ｂａｔｈ］で温度を下げた。ｎＢｕＬｉ（１３．６ｍｌ、３３．９ｍｍｏｌ、ヘキサン中２．５Ｍ）をゆっくり入れた後、１時間撹拌した。この後、１，６−ジブロモヘキサン［１，６−ｄｉｂｒｏｍｏｈｅｘａｎｅ］（１１ｍｌ、７２ｍｍｏｌ）を入れた後、一晩（ｏｖｅｒｎｉｇｈｔ）撹拌した。水で反応を停止させた後、ジクロロメタン［ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ］で抽出した。蒸留精製で中間体９を５．７ｇ（収率５３％）得た。

前記中間体９（３．０ｇ、９．４ｍｍｏｌ）およびビニルトリフルオロボランカリウム塩［ｖｉｎｙｌ ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｎｅ ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｓａｌｔ］（１．９ｇ、１４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］に溶かした後、２Ｎ Ｃｓ_２ＣＯ_３水溶液およびＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（１．１ｍｇ、０．９４ｍｍｏｌ）を入れて、還流（ｒｅｆｌｕｘ）条件で６時間撹拌した。この後、水を入れて、エチルアセテート［Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ］で抽出した。ＭｇＳＯ_４で有機層を乾燥させ、真空回転濃縮機で濃縮させた後、カラム精製して、中間体１０を２．０６ｇ（収率８２％）得た。

（２）中間体１１の合成

前記中間体１０（５３２ｍｇ、２．０ｍｍｏｌ）および中間体３（６４２ｍｇ、２．０ｍｍｏｌ）をトルエン［ｔｏｌｕｅｎｅ］２０ｍｌに溶かして５０ｗｔ％ＮａＯＨ４．５ｍｌを入れた後、還流（ｒｅｆｌｕｘ）状態で１２時間撹拌した。ジクロロメタン［Ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔａｎｅ］で抽出し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させた。真空回転濃縮機で濃縮させた後、カラム精製して、中間体１１を７８８ｍｇ（収率７８％）得た。

（３）化合物１−２の合成

前記中間体１１（７８８ｍｇ、１．５６ｍｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉ（［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ）−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］（３６２ｍｇ、０．７４ｍｍｏｌ）、およびＮａＯｔＢｕ（４２７ｍｇ、４．４ｍｍｏｌ）を５０ｍｌの丸いフラスコに入れた後、無水トルエン［ａｎｈｙｄｒｏｕｓ ｔｏｌｕｅｎｅ］１３ｍｌを入れた。反応物の入った丸いフラスコを８０℃のオイルバス（ｏｉｌ ｂａｔｈ）に入れて４時間撹拌した後、オイルバス（ｏｉｌ ｂａｔｈ）を取り除いてジクロロメタン［ＤＣＭ］で希釈した。シリカゲル［Ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ］とセライト［ｃｅｌｉｔｅ］を入れて５分間撹拌した後、濾過［ｆｉｌｔｅｒ］した。濾過液［Ｆｉｌｔｒａｔｅ］で真空回転濃縮機により有機溶媒を除去した後、残留物をカラム精製して、化合物１−２ ６３４ｍｇ（収率６４％、ＨＰＬＣ純度９９．２％）を得た。

化合物１−２のＮＭＲ測定値：^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ７．７０−７．６８（ｍ，４Ｈ），７．５７（ｄ，４Ｈ），７．４７（ｔ，８Ｈ），７．４２（ｔ，４Ｈ），７．３４−７．２９（ｍ，４Ｈ），７．２６（ｄ，４Ｈ），７．２２−７．１２（ｍ，２６Ｈ），７．０５（ｄ，４Ｈ），６．６７−６．６１（ｄｄ，２Ｈ），５．６４（ｄ，２Ｈ），５．１３（ｄ，２Ｈ），２．４９（ｔ，４Ｈ），２．４２−２．３４（ｍ，４Ｈ），１．５０−１．４４（ｍ，４Ｈ），１．２６−１．１０（ｍ，８Ｈ），０．９０−０．８１（ｍ ４Ｈ）

＜製造例３＞−化合物１−３の製造
（１）中間体２２の合成

１−ブロモ−４−（ジエトキシメチル）ベンゼン［１−ｂｒｏｍｏ−４−（ｄｉｅｔｈｙｏｘｙｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ］（１３．２ｍｌ、６４．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］に溶かした後、−７８℃に下げた。ｎＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５Ｍ、２４ｍｌ、６０ｍｍｏｌ）を入れて、３０分間−７８℃で撹拌した。２−ブロモ−９Ｈ−フルオレン−９−オン［２−Ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｏｎｅ］（１０ｇ、３８．６ｍｍｏｌ）を一度に入れて一晩（ｏｖｅｒｎｉｇｈｔ）撹拌した。１Ｎ ＨＣｌ（ａｑ）で反応を終結させた後、エチルアセテート［ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ］で抽出した。ＭｇＳＯ_４（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）を用いて乾燥させて濾過した後、有機溶媒を真空回転濃縮機で除去した。残留物をカラム精製した後、再結晶（トルエン／ヘキサン［ｔｏｌｕｅｎｅ／ｈｅｘａｎｅ］）して、中間体２０を１３ｇ（収率５５％）得た。

前記中間体２０（４．５ｇ、１２．３ｍｍｏｌ）に１４０ｍｌのベンゼン［ｂｅｎｚｅｎｅ］を入れてメタンスルホン酸［ｍｅｔｈａｎ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（４００μｌ、６．１６ｍｍｏｌ）を入れた後、ディーン・スターク［ｄｅａｎ−ｓｔａｒｋ］装置を用いて還流［ｒｅｆｌｕｘ］した。飽和ＮａＨＣＯ_３（ａｑ）で酸を中和した後、カラム精製して、中間体２１を２．７３ｇ（収率５２％）得た。

前記中間体２１（２．９ｇ、６．８２ｍｍｏｌ）およびＣＨ_３ＢｒＰＰｈ_３（４．８９ｇ、１３．７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］に入れて、カリウムｔ−ブトキシド［ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］（１．５５３ｇ、１３．７ｍｍｏｌ）を０℃で入れて、１時間撹拌した。水で反応を停止させ、エチルアセテートで抽出した。ＭｇＳＯ_４（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）を入れて乾燥させて濾過した後、有機溶媒を真空回転濃縮機で除去した。残留物をカラム精製して、中間体２２を２．８ｇ（収率９７％）得た。

（２）化合物１−３の合成

前記中間体２２（１．５８ｇ、３．７４ｍｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］（５７２ｍｇ、１．７ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔ−ブトキシド［ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］（９８０ｍｇ、１０．２ｍｍｏｌ）を入れたフラスコにトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］を入れて、窒素でバブリング［ｂｕｂｂｌｉｎｇ］した。前記フラスコを９０℃のオイルバス（ｏｉｌ ｂａｔｈ）に入れた後、Ｐｄ（ＰｔＢｕ_３）_２（４３ｍｇ、０．０８５ｍｍｏｌ）を入れて２４時間撹拌した。水を入れて反応を停止させ、ジクロロメタン［ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ（ＤＣＭ）］で抽出した後、ＭｇＳＯ_４で有機層を乾燥させた。有機溶媒を真空回転濃縮機を用いて除去した後、残留物をカラム精製して、化合物１−３を９５０ｍｇ（収率５５％）得た。

化合物１−３のＮＭＲ測定値：^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ７．７１（ｄ，２Ｈ），７．６５（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｄ，４Ｈ），７．３５（ｄ，４Ｈ），７．２７−７．２０（ｍ，１８Ｈ），７．１７−７．１３（ｍ，４Ｈ），７．１１−７．０６（ｍ，１４Ｈ），７．０３（ｔ，２Ｈ），６．７０−６．６４（ｄｄ，２Ｈ），５．６９（ｄ，２Ｈ），５．１９（ｄ，２Ｈ）

＜製造例４＞−化合物１−４の製造
（１）中間体２４の合成

中間体２０（５．１１ｇ、１４ｍｍｏｌ）に１４０ｍｌのｐ−キシレン［ｐ−ｘｙｌｅｎｅ］を入れて、メタンスルホン酸［ｍｅｔｈａｎ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ］（１．８ｍｌ、２８ｍｍｏｌ）を入れた後、７０℃で２４時間撹拌した。飽和ＮａＨＣＯ_３（ａｑ）で酸を中和した後、エチルアセテート［ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ］で抽出した。ＭｇＳＯ_４（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）を乾燥させて濾過した後、有機溶媒を真空回転濃縮機で除去した。残留物をカラム精製して、中間体２３を４．３ｇ（収率６８％）得た。

ＣＨ_３ＢｒＰＰｈ_３（１１．８ｇ、３３．１９ｍｍｏｌ）に無水テトラヒドロフラン［ＴＨＦ／ａｎｈｙｄｒｏｕｓ ＴＨＦ］１００ｍｌを入れてカリウムｔ−ブトキシド［ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］（３．２ｇ、２８．４４ｍｍｏｌ）を０℃で入れて１０分間撹拌させた。中間体２３（４．３ｇ、９．４８ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン［ＴＨＦ／ａｎｈｙｄｒｏｕｓ ＴＨＦ］（２０ｍｌ、１０ｍｌ、１０ｍｌ）に溶かして添加し、１０分後に水で反応を中断させ、エチルアセテート［Ｅｔｈｙｌ Ａｃｅｔａｔｅ］で抽出した。ＮａＳＯ_４で乾燥させて濾過した後、有機溶媒を真空回転濃縮機で除去した。残留物をカラム精製して、中間体２４を３．８８ｇ（収率９１％）得た。

（２）化合物１−４の合成

前記中間体２４（１．３７ｇ、３．０３ｍｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］（４６４ｍｇ、１．３８ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔ−ブトキシド［ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］（７６９ｍｇ、８．３ｍｍｏｌ）を入れたフラスコにトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］を入れて、窒素でバブリング［ｂｕｂｂｌｉｎｇ］した。前記フラスコを９０℃のオイルバス（ｏｉｌ ｂａｔｈ）に入れた後、Ｐｄ（ＰｔＢｕ_３）_２（３６ｍｇ、０．０８５ｍｍｏｌ）を入れて２４時間撹拌した。水を入れて反応を停止させ、ジクロロメタン［ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ（ＤＣＭ）］で抽出した後、ＭｇＳＯ_４で有機層を建造した。有機溶媒を真空回転濃縮機を用いて除去した後、残留物をカラム精製して、化合物１−４を５００ｍｇ（収率３４％）得た。

化合物１−４のＮＭＲ測定値：^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ７．７０（ｄ，２Ｈ），７．６３（ｄ，２Ｈ），７．４３（ｄ，４Ｈ），７．３７（ｔ，２Ｈ），７．３０−７．２０（ｍ，１４Ｈ），７．１５−７．０５（ｍ，１４Ｈ），７．０２（ｔ，２Ｈ），６．９３（ｓ，４Ｈ），６．８６（ｓ，２Ｈ），６．７１−６．６５（ｄｄ，２Ｈ），５．７０（ｄ，２Ｈ），５．２０（ｄ，２Ｈ），２．１５（ｓ，６Ｈ），１．５７（ｓ，６Ｈ）

＜製造例５＞−化合物１−５の製造

中間体２２（１．５３ｇ、３．６１ｍｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジ（ビフェニル−４−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉ（ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］（８０１ｍｇ、１．６４ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔ−ブトキシド［ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］（９４６ｍｇ、９．８４ｍｍｏｌ）を入れたフラスコにトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］を入れて、窒素でバブリング［ｂｕｂｂｌｉｎｇ］した。前記フラスコを９０℃のオイルバス（ｏｉｌ ｂａｔｈ）に入れた後、Ｐｄ（ＰｔＢｕ_３）_２（４２ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）を入れて２４時間撹拌した。水を入れて反応を停止させ、ジクロロメタン［ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ（ＤＣＭ）］で抽出した後、ＭｇＳＯ_４で有機層を乾燥させた。有機溶媒を真空回転濃縮機を用いて除去した後、残留物をカラム精製して、化合物１−５を１．０６ｍｇ（収率５５％、ＨＰＬＣ純度９９．４％）得た。

化合物１−５のＮＭＲ測定値：^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ７．７３（ｄ，２Ｈ），７．６９（ｄ，２Ｈ），７．５９（ｄ，４Ｈ），７．４８（ｔ，８Ｈ），７．４３（ｔ，４Ｈ），７．３８−７．３０（ｍ，８Ｈ），７．２８−７．１１（ｍ，３０Ｈ），６．７１−６．６５（ｄｄ，２Ｈ），５．６９（ｄ，２Ｈ），５．２０（ｄ，２Ｈ）

＜製造例６＞−化合物１−６の製造

前記製造例２において、１，６−ジブロモヘキサン［１，６−ｄｉｂｒｏｍｏｈｅｘａｎｅ］およびＮ４，Ｎ４’−ジ（ビフェニル−４−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉ（ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］の代わりに、１，７−ジブロモヘプタン［１，７−ｄｉｂｒｏｍｏｈｅｐｔａｎｅ］］およびＮ４，Ｎ４’−ジ（ナフタレン−１−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］を用いたことを除き、前記製造例２と同様の方法で実験して、化合物１−６を５７９ｍｇ（収率６０％）得た。

＜実施例１＞
溶媒（化合物２−１［ｎ−オクタン酸ｐ−トリル］［ｐ−Ｔｏｌｙｌ ｎ−ｏｃｔａｎｏａｔｅ］）１．９６ｇに前記製造した化合物１−１ ４０ｍｇを２ｗｔ％で溶解させて、インク組成物を製造した。

＜実施例２〜２２および比較例１〜１８＞
下記表１〜６のように機能層材料および溶媒を用いたことを除き、前記実施例１と同様に、実施例２〜２２および比較例１〜１８のインク組成物を製造した。下記表１〜６で使用した溶媒はＴＣＩおよびＡｌｄｒｉｃｈ社製品を使用した。実施例２、３、７、１０、１１、１４、１７、１８、２０および２１は、溶媒として前記化学式２で表される溶媒および副溶媒を含み、括弧内の数値は、化学式２の溶媒および副溶媒の間の重量比を意味する。

＜評価例＞
＜評価例１＞−溶解度評価
前記実施例１〜２２および比較例１〜１８で製造されたインク組成物の２５℃、１ａｔｍでの溶解度を測定して、下記の基準で評価してその結果を下記表１〜６に記載した。
＊２．０ｗｔ％以上：良い
＊０．５以上２．０ｗｔ％未満：良好
＊０．５ｗｔ％未満：悪い

＜評価例２＞−吐出安定性評価
Ｆｕｊｉｆｉｌｍ、Ｄｉｍａｔｉｘ ＤＭＰ−２８００装置、１０ｐｌ ｃａｒｔｒｉｄｇｅ（ＤＭＣ−１１６１０）を用いて測定し、下記の基準で評価してその結果を下記表１〜６に記載した。溶解度が良くなくて評価ができない場合には「−」と表示した。
＊全ノズルが５分以上詰まることなく安定的に直進性あるように吐出：Ｏ．Ｋ
＊未吐出または吐出時にインク滴が曲がっている場合：Ｎ．Ｇ

＜評価例３＞−膜のイメージ評価
Ｂａｎｋが形成されたＩＴＯ基板に前記実施例１〜２２および比較例１〜１８で製造されたインク組成物をジェッティング（ｊｅｔｔｉｎｇ）した後、１５分間真空乾燥（１０^−６ｔｏｒｒ）をした。２２０℃のｈｏｔ ｐｌａｔｅで熱処理を３０分間進行させた後、膜がよく形成されているかを光学顕微鏡を通して観察した。下記の基準で評価してその結果を下記表１〜６に記載した。溶解度が良くなくて評価ができない場合には「−」と表示した。
＊ピクセル内に粒のような異物、輝点、白点などが観察されず：Ｏ．Ｋ
＊ピクセル内に粒のような異物、輝点、白点などが観察：Ｎ．Ｇ

＜評価例４＞−膜の平坦度評価
Ｂａｎｋが形成されたＩＴＯ基板に前記実施例１〜２２および比較例１〜１８で製造されたインク組成物をジェッティング（ｊｅｔｔｉｎｇ）した後、１５分間真空乾燥（１０^−６ｔｏｒｒ）をした。２２０℃のｈｏｔ ｐｌａｔｅで熱処理を３０分間進行させた後、膜がよく形成されているかを光学顕微鏡を通して観察した。ＯＰ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）を用いて膜厚を測定し、下記の基準で評価してその結果を下記表１〜６に記載した。溶解度が良くなくて評価ができない場合には「−」と表示した。
＊Ｆｌａｔｎｅｓｓ０．２５未満：Ｏ．Ｋ
＊Ｆｌａｔｎｅｓｓ０．２５以上：Ｎ．Ｇ
前記Ｆｌａｔｎｅｓｓは、下記の計算式を用いて計算した。

前記Ｈｃは、 図２のようなインク層の中央（ｃｅｎｔｅｒ）の高さを意味し、前記Ｈ_９０は、 図２のようなインク層の９０％位置における高さを意味する。すなわち、ピクセルのｘ軸の長さが計１００であれば、Ｈｃは、５０の位置における高さを意味し、Ｈ_９０は、５または９５の位置における高さを意味する。

前記表１〜６から明らかなように、本発明の化学式１で表される化合物および化学式２で表される溶媒を用いた実施例１〜２２は、化学式２で表される溶媒を用いなかった比較例１〜１８に比べて、吐出安定性および膜平坦度に優れていることを確認することができる。特に、比較例３、７および９は、インク塊が発生して平坦度を測定することができなかった。

以上、本明細書の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも発明の範疇に属する。

１０１：基板
２０１：アノード
３０１：正孔注入層
４０１：正孔輸送層
５０１：発光層
６０１：電子輸送層
７０１：カソード

Claims (14)

1. 下記化学式１で表される化合物；および下記化学式２で表される溶媒を含むインク組成物：
   

   

   

   前記化学式１および２において、
   Ｌ１、Ｌ２およびＬ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、直接結合；置換もしくは非置換のアルキレン基；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
   Ｌ３は、置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
   Ｘ１およびＸ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、光硬化性基または熱硬化性基であり、
   Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
   Ｒ１〜Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
   Ｒ１１は、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基であり、
   Ｒ１２は、置換もしくは非置換の炭素数２以上のアルキル基であり、
   ｍ１〜ｍ４は、１〜６の整数であり、
   前記ｍ１〜ｍ４がそれぞれ２以上の時、２以上のＬ１〜Ｌ４は、それぞれ互いに同一または異なり、
   ｒ１、ｒ４およびｒ１１は、１〜５の整数であり、
   ｒ２およびｒ５は、１〜４の整数であり、
   ｒ３およびｒ６は、１〜３の整数であり、
   前記ｒ１〜ｒ６およびｒ１１がそれぞれ２以上の時、２以上のＲ１〜Ｒ６およびＲ１１は、それぞれ互いに同一または異なり；
   前記Ｘ１およびＸ２は、下記の構造の中から選択されるいずれか１つである：
   

   

   前記構造において、
   Ａ _１ 〜Ａ _３ は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基である。
2. 前記Ｌ３は、置換もしくは非置換のフェニレン基、置換もしくは非置換のビフェニレン基、置換もしくは非置換のターフェニレン基、置換もしくは非置換のナフチレン基、置換もしくは非置換のフェナントリレン基、または置換もしくは非置換のフルオレニレン基である、請求項１に記載のインク組成物。
3. 前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のフェナントリル基、置換もしくは非置換のトリフェニル基、または置換もしくは非置換のフルオレニル基である、請求項１又は２に記載のインク組成物。
4. 前記化学式１で表される化合物は、下記の化合物１−１〜１−６の中から選択されるいずれか１つである、請求項１に記載のインク組成物：
   

   
5. 前記化学式２で表される溶媒は、下記の化合物２−１〜２−７の中から選択されるいずれか１つである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のインク組成物：
   

   
6. 前記インク組成物は、副溶媒をさらに含むものである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインク組成物。
7. 前記副溶媒は、３−エチルビフェニル、２−イソプロピルナフタレン、または２−フェニルエチルアルコールである、請求項６に記載のインク組成物。
8. 前記化学式１で表される化合物は、全体溶媒１００重量部に対して、０．１重量部〜１０重量部含まれるものである、請求項１〜７のいずれか一項に記載のインク組成物。
9. 前記インク組成物の粘度は、２ｃＰ以上２０ｃＰ以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のインク組成物。
10. 基板を用意するステップと、
    前記基板上に第１電極または第２電極を形成するステップと、
    前記第１電極または第２電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、
    前記有機物層上に第２電極または第１電極を形成するステップとを含み、
    前記有機物層を形成するステップは、請求項１〜９のいずれか１項に記載のインク組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法。
11. 前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、インクジェットプリンティング（Ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式によって形成されるものである、請求項１０に記載の有機発光素子の製造方法。
12. 前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、発光層である、請求項１０又は１１に記載の有機発光素子の製造方法。
13. 前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、電子注入層または電子輸送層である、請求項１０又は１１に記載の有機発光素子の製造方法。
14. 前記インク組成物を用いて形成された有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入および正孔輸送を同時に行う層である、請求項１０又は１１に記載の有機発光素子の製造方法。

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