JP6913679B2 - 感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜 - Google Patents
感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6913679B2 JP6913679B2 JP2018518606A JP2018518606A JP6913679B2 JP 6913679 B2 JP6913679 B2 JP 6913679B2 JP 2018518606 A JP2018518606 A JP 2018518606A JP 2018518606 A JP2018518606 A JP 2018518606A JP 6913679 B2 JP6913679 B2 JP 6913679B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- siloxane polymer
- photosensitive resin
- resin composition
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/451—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by the compositions or shapes of the interlayer dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
- H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step
- H10P95/064—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step the removal being chemical etching
- H10P95/066—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step the removal being chemical etching the removal being a selective chemical etching step, e.g. selective dry etching through a mask
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/24—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen halogen-containing groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
(A)フッ素原子を含むシロキサンポリマーと、
(B)1,2−キノンジアジド化合物と、
(C)エポキシ化合物と、を含む、感光性樹脂組成物が提供される。
このシロキサンポリマーは、フッ素原子を含むシラン化合物及び/またはその加水分解物の縮合物を含む。このシロキサンポリマーは、フッ素原子を含む限り特に限定されない。フッ素原子はシロキサンポリマーのケイ素原子と結合してもよく、またはケイ素原子と結合した有機基を構成する原子として含まれてもよい。この有機基は、例えば、置換された、または置換されていないフッ素化された炭化水素基を含むことができる。
R1は、フッ素原子またはフッ素原子を含む一価の炭化水素であり、R1が一価の炭化水素である場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、複数のR1が同じ分子内に存在する場合、各R1は互いに同一でも異なってもよく、
R2は、水素、1〜6個の炭素原子を有するアルキル、2〜6個の炭素原子を有するアシル、または6〜15個の炭素原子を有するアリールであり、複数のR2が同じ分子内に存在する場合、各R2は互いに同一でも異なってもよく、R2がアルキル、アシル、またはアリールである場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、
nは、1〜3の整数である。
R3は、1〜12個の炭素原子を有するアルキル、2〜10個の炭素原子を有するアルケニル、または6〜15個の炭素有するアリールであり、複数のR3が同じ分子内に存在する場合、各R3は、互いに同一でも異なってもよく、R3がアルキル、アルケニル、またはアリールである場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、R3はヘテロ原子を含む構造単位を含んでもよく、
R4は、水素、1〜6個の炭素原子を有するアルキル、2〜6個の炭素原子を有するアシル、または6〜15個の炭素原子を有するアリールであり、複数のR4が同じ分子内に存在する場合、各R4は互いに同一でも異なってもよく、R4がアルキル、アシル、またはアリールである場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、
nは、0〜3の整数である。
本発明の感光性樹脂組成物は、1,2−キノンジアジド化合物(B)を含む。
本発明の感光性樹脂組成物において、エポキシ化合物は、シロキサン結合剤の内部密度を大きくするためシロキサンポリマーと共に使用され、それにより組成物から調製される硬化膜の化学耐性を改善することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、上記成分を溶媒が混合される液体組成物として調製され得る。本溶剤は、例えば有機溶剤であってもよい。
本発明の感光性樹脂組成物は、その被覆性を高めるため界面活性剤をさらに含み得る。
以下、本発明を以下の実施例を参照してより詳細に記載する。しかしながら、これらの実施例は本発明を説明するために提供されるに過ぎず、本発明の範囲はこれらに限定されない。
還流冷却器を備えた反応器に40重量%のフェニルトリメトキシシラン、15重量%のメチルトリメトキシシラン、20重量%のテトラエトキシシラン、及び20重量%の純水を添加し、次いで5重量%の酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGMEA)が添加され、続いて、0.1重量%のシュウ酸触媒存在下で混合物を、7時間、還流と撹拌し、その後冷却した。その後、固体分が40重量%であるように、反応生成物がPGMEAで希釈された。約5,000〜10,000Daの重量平均分子量を有するシロキサンポリマーが合成された。
還流冷却器を備えた反応器へ20重量%のフェニルトリメトキシシラン、30重量%のメチルトリメトキシシラン、20重量%のテトラエトキシシラン及び15重量%の純水が添加され、次いで、15重量%のPGMEAが添加され、その後、混合物を0.1重量%のシュウ酸触媒存在下で、6時間還流、撹拌し、冷却した。その後、反応生成物は、固体分が30重量%であるようにPGMEAで希釈された。約8,000〜13,000Daの重量平均分子量を有するシロキサンポリマーが合成された。
還流冷却器を備えた反応器に20重量%のフェニルトリメトキシシラン、30重量%のメチルトリメトキシシラン、20重量%のテトラエトキシシラン及び15重量%の純水が添加され、次いで15重量%のPGMEAが添加され、続いて0.1重量%のシュウ酸触媒存在下、5時間、混合物を還流、撹拌し、冷却した。その後、固体分が30重量%となるように反応生成物はPGMEAで希釈された。約9,000〜15,000Daの重量平均分子量を有するシロキサンポリマーが合成された。
還流冷却器を備えた反応器に30重量%のフェニルトリメトキシシラン、15重量%のメチルトリメトキシシラン、20重量%のテトラエトキシシラン及び10重量%のトリフルオロプロピルトリメトキシシラン及び20重量%の純水が添加され、次いで5重量%のPGMEAが添加され、続いて0.1重量%のシュウ酸触媒存在下7時間、混合物を還流、撹拌し、冷却した。その後、固体分が40重量%となるように反応生成物はPGMEAで希釈された。約5,000〜10,000Daの重量平均分子量を有するフッ素含有シロキサンポリマーが合成された。
冷却器を備えた3頚フラスコを自動温度調節器のついた撹拌装置上に置いた。100重量部のメタクリル酸グリシジル(100モル%)からなるモノマー、10重量部の2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、及び100重量部のPGMEAがフラスコに添加され、フラスコは窒素で置換された。フラスコは、ゆっくりと混合物を撹拌しながら80℃まで加熱され、温度を5時間、維持し約6,000〜10,000Daの重量平均分子量を有するエポキシ化合物を得た。次いで、PGMEAが添加され、固体分を20重量%に調整した。
以下の例の感光性樹脂組成物と比較例が上記合成例で得られた化合物を使用して合成された。
−1,2−キノンジアジド化合物:MIPHOTO TPA−517、Miwon Commercial Co.,Ltd.
−溶媒:PGMEA、Chemtronics Co.,Ltd.
γ−ブチロラクトン(GBL)、BASF
−界面活性剤:シリコン界面活性剤、FZ−2122、Dow Corning Toray Co., Ltd.
−フッ素界面活性剤、TF−1831、DIC
−フッ素界面活性剤、RS−932、DIC
−フッ素界面活性剤、TF−1807、DIC
実施例及び比較例で得られた各組成物が、スピンコーティングにより窒化ケイ素基板上に被覆された。被覆された基板は、110℃に保たれたホットプレート上で90秒プレベークを受け、乾燥膜を形成した。乾燥膜は、2μmから25μmの範囲の大きさの四角い孔からなるパターンを有するマスクを通して露光された。露光はアライナ(機種名:MA6)を使い、一定時間365nmの波長に基づき0から200mJ/cm2の露光量で露光を行った。アライナは200nm〜450nmの波長を有する光を発光した。乾燥膜は、23℃で、2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウムの水性現像液を、ノズルを通して噴霧することにより現像された。露光された膜は、次に熱対流炉において230℃で30分間加熱され、厚さ3.0μmを有する硬化膜を得た。
実施例と比較例で得られた各組成物が、スピンコーティングにより窒化ケイ素基板上に被覆された。被覆された基板は110℃に保たれたホットプレート上で90秒間プレベークされ、2.1μmの厚さを有する乾燥膜を形成した。乾燥膜は、パターンを有するマスクを通し、アライナ(機種名MA6)を使用して、一定時間365nmの波長に基づき約100mJ/cm2の露光エネルギーで、露光された。アライナは200nm〜450nmの波長を有する光を発光した。乾燥膜は、23℃で、2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウムの水性現像液を、ノズルを通して噴霧することにより現像された。そのように露光された膜は、次に熱対流炉で、230℃で30分間加熱され、厚さ2μmを有する硬化膜を得た。
◎:矩形の形状が明確であり、底部の広がりは観察されなかった。
○:矩形の形状が明確であるが、表面はなめらかではない。
△:矩形の形状が明確であるが、表面はなめらかではない、あるいは斑点状の残存膜が残っている。
X:矩形の形状が明確ではない、または硬化膜が現像されなかった。
プレベーク、マスクを通した露光、現像及び熱的硬化等の実験例2と同じ手順が、実施例、比較例で得られた各組成物について繰り返され、硬化膜を調製した。膜保持率が非接触型厚さ測定装置(SNU Precision)を使用してプレベーク直後の硬化膜の厚さと比較した最終硬化膜の厚さのパーセントを計算することにより得られた。
実施例と比較例で得られた各組成物は、スピンコーティング法によりガラス基板上に被覆された。プレベーク、マスクを通した露光、現像及び熱的硬化等の実験例2で述べられたものと同じ手順が繰り返され、約2μmの厚さを有する硬化膜を調製した。400〜800nmの範囲の波長での硬化膜の光透過率が紫外/可視分光器を使用して測定された。
実験例2で述べられたのと同一の手順に従い実施例と比較例で得られた各組成物を使い、プレベーク、マスクを通した露光、現像及び熱的硬化を経て、硬化膜が得られた。硬化膜のフッ素イオン強度がSIMS分析により測定された。SIMS分析器(TOF SIMS5、ION TOF Co.,Ltd.製造)を使用して、硬化膜の表面から約3000Åの深さまでのフッ素含量が測定された。この場合、1000以上のフッ素イオン強度が撥水性を与えられる良好な程度であると評価され得る。
実験例2で述べられたものと同一の手順に従い実施例と比較例で得られた各組成物を使用してプレベーク、マスクを通した露光、現像及び熱的硬化を経て硬化膜が得られた。硬化膜の表面はO2/SF6ガス(分圧比2.7:1)を使い、100秒間、ICP(活性源)を使いドライエッチングにより約3000Åまでエッチングされた。ドライエッチング後の硬化膜の厚さ(T1)は非接触型厚さ測定装置(SNU Precision)を使い測定された。再処理化学物質(製品名:LT−360)が定温の浴に導入され、温度が50℃に維持された。硬化膜は5分間、浴に浸漬され、再処理化学物質が空気により除去された。次いで、硬化膜の厚さ(T2)が測定された。
実験例6に述べられたものと同一の手順により実施例と比較例で得られた各組成物を使用して硬化膜が得られ、ドライエッチングが行われた。ドライエッチング後に超純水に関して硬化膜の表面の接触角が、接触角測定装置を使用して測定された。一般に、硬化膜の表面は、ドライエッチングによりエッチングされる後に非均一となり得、接触角は、ドライエッチング前の表面と比べて小さくなる。ドライエッチング後に接触角が大きくなる場合、硬化膜にフッ素成分が均一に分散し、良好な撥水性が得られると考えられ得る。ドライエッチング後に接触角が80°以上である場合、表面の撥水性は良好であり、化学物質による膨潤の程度は最小になり、化学耐性は良好と評価され得る。
Claims (9)
- 感光性樹脂組成物であって、
(A)フッ素原子を含むシロキサンポリマーと、
(B)1,2−キノンジアジド化合物と、
(C)エポキシ化合物と、を含み、
前記フッ素原子を含むシロキサンポリマー(A)は、溶媒を除く前記組成物の固体分の全重量を基準として、50〜95重量%の量で含まれ、
前記エポキシ化合物(C)は、溶媒を除く固体分を基準として100重量部の前記シロキサンポリマー(A)に基づき5〜25重量部の量で感光性樹脂組成物に含まれる、感光性樹脂組成物。 - 前記エポキシ化合物(C)がカルボキシル基を含まない、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記フッ素原子を含むシロキサンポリマー(A)が、以下の式1で表されるシラン化合物に由来する少なくとも1つの構造単位を含み、
式1中、
R1は、フッ素原子またはフッ素原子を含む一価の炭化水素であり、R1が前記一価の炭化水素である場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、複数のR1が同じ分子内に存在する場合、各R1は互いに同一でも異なってもよく、
R2は、水素、1〜6個の炭素原子を有するアルキル、2〜6個の炭素原子を有するアシル、または6〜15個の炭素原子を有するアリールであり、複数のR2が同じ分子内に存在する場合、各R2は互いに同一でも異なってもよく、R2がアルキル、アシル、またはアリールである場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、
nは、1〜3の整数である、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 - 前記フッ素原子を含むシロキサンポリマー(A)が、以下の式2で表されるシラン化合物に由来する少なくとも1つの構造単位をさらに含み、
式2中、
R3は、1〜12個の炭素原子を有するアルキル、2〜10個の炭素原子を有するアルケニル、または6〜15個の炭素原子を有するアリールであり、複数のR3が同じ分子内に存在する場合、各R3は互いに同一でも異なってもよく、R3がアルキル、アルケニル、またはアリールである場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、R3はヘテロ原子を含む構造単位を含んでもよく、
R4は、水素、1〜6個の炭素原子を有するアルキル、2〜6個の炭素原子を有するアシル、または6〜15個の炭素原子を有するアリールであり、複数のR4が同じ分子内に存在する場合、各R4は互いに同一でも異なってもよく、R4がアルキル、アシル、またはアリールである場合、水素原子は部分的または全体的に置換されてもよく、
nは、0〜3の整数である、請求項3に記載の感光性樹脂組成物。 - 前記フッ素原子を含むシロキサンポリマー(A)が、nが0である式2のシラン化合物に由来する構造単位を含む、請求項4に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記フッ素原子を含むシロキサンポリマー(A)が、Si原子モル数を基準として前記シロキサンポリマー中に前記フッ素含有構造単位の1〜30%の含量(モル%)の前記フッ素原子を含む、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- パターンを形成する方法であって、
請求項1に記載の感光性樹脂組成物を使用して基板の表面にケイ素含有膜を形成することと、
光を使用して前記ケイ素含有膜をパターン形成することと、
前記パターン形成されたケイ素含有膜及び前記基板をドライエッチングして、前記基板にパターンを形成することと、を含む、方法。 - 請求項1に記載の感光性樹脂組成物を使用して基板の表面にケイ素含有膜を形成することと、
光を使用して前記ケイ素含有膜をパターン形成することと、
前記パターン形成されたケイ素含有膜及び前記基板をドライエッチングして、前記基板にパターンを形成することと、を含む、ケイ素含有硬化膜を形成する方法。 - 前記ケイ素含有硬化膜が、ドライエッチング後に80°以上の接触角を有する、請求項8に記載のケイ素含有硬化膜を形成する方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150155970A KR20170053442A (ko) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 |
| KR10-2015-0155970 | 2015-11-06 | ||
| PCT/KR2016/010551 WO2017078267A1 (en) | 2015-11-06 | 2016-09-22 | Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018533761A JP2018533761A (ja) | 2018-11-15 |
| JP6913679B2 true JP6913679B2 (ja) | 2021-08-04 |
Family
ID=58662119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018518606A Expired - Fee Related JP6913679B2 (ja) | 2015-11-06 | 2016-09-22 | 感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10890846B2 (ja) |
| JP (1) | JP6913679B2 (ja) |
| KR (1) | KR20170053442A (ja) |
| CN (1) | CN108139671B (ja) |
| TW (1) | TWI739767B (ja) |
| WO (1) | WO2017078267A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102834145B1 (ko) * | 2020-02-19 | 2025-07-16 | 제이에스알 가부시키가이샤 | 규소 함유 조성물 및 반도체 기판의 제조 방법 |
| CN113671795B (zh) * | 2021-07-15 | 2022-05-24 | 深圳迪道微电子科技有限公司 | 高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01142721A (ja) | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Fujitsu Ltd | ポジ型感光性パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| US5389497A (en) | 1992-06-03 | 1995-02-14 | Nippon Paint Co., Ltd. | Method for forming patterned solder mask |
| US7008671B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Recorded matter, method of producing recorded matter, method for improving image fastness, image fastness-improving agent, image fastness improving kit, dispenser, and applicator |
| US6984476B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Radiation-sensitive resin composition, forming process for forming patterned insulation film, active matrix board and flat-panel display device equipped with the same, and process for producing flat-panel display device |
| TWI249045B (en) * | 2002-12-02 | 2006-02-11 | Shipley Co Llc | Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom |
| EP1662322B1 (en) | 2004-11-26 | 2017-01-11 | Toray Industries, Inc. | Positive type photo-sensitive siloxane composition, curing film formed by the composition and device with the curing film |
| JP4687315B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2011-05-25 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
| CN101296999A (zh) | 2005-10-28 | 2008-10-29 | 东丽株式会社 | 硅氧烷树脂组合物及其制造方法 |
| JP5124806B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2013-01-23 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| US20120237873A1 (en) * | 2009-12-20 | 2012-09-20 | Toray Industries Inc. | Positive photosensitive resin composition, cured film formed from the same, and device having cured film |
| JP5817717B2 (ja) | 2010-04-28 | 2015-11-18 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 |
| JP5630374B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2014-11-26 | 信越化学工業株式会社 | マイクロ構造体の製造方法及び光パターン形成性犠牲膜形成用組成物 |
| US8883397B2 (en) * | 2010-08-24 | 2014-11-11 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive photosensitive siloxane composition |
| KR101902164B1 (ko) * | 2011-05-20 | 2018-10-01 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 포지티브형 감광성 실록산 조성물 |
| JP5853844B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2016-02-09 | 信越化学工業株式会社 | マイクロ構造体の製造方法及び光パターン形成性犠牲膜形成用組成物 |
| KR101998447B1 (ko) * | 2012-03-09 | 2019-07-09 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 격벽 및 광학 소자 |
| JP6224725B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置 |
| JP6269467B2 (ja) | 2013-12-27 | 2018-01-31 | 富士フイルム株式会社 | カラーフィルターの製造方法および固体撮像素子の製造方法 |
| CN108139672A (zh) * | 2015-11-06 | 2018-06-08 | 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 感光性树脂组合物及由其制备的固化膜 |
| WO2018022952A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Promerus, Llc | Nadic anhydride polymers and photosensitive compositions derived therefrom |
-
2015
- 2015-11-06 KR KR1020150155970A patent/KR20170053442A/ko not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-09-22 US US15/769,945 patent/US10890846B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-09-22 WO PCT/KR2016/010551 patent/WO2017078267A1/en not_active Ceased
- 2016-09-22 CN CN201680060875.8A patent/CN108139671B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2016-09-22 JP JP2018518606A patent/JP6913679B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-25 TW TW105134456A patent/TWI739767B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10890846B2 (en) | 2021-01-12 |
| TW201738656A (zh) | 2017-11-01 |
| TWI739767B (zh) | 2021-09-21 |
| KR20170053442A (ko) | 2017-05-16 |
| US20180314153A1 (en) | 2018-11-01 |
| CN108139671A (zh) | 2018-06-08 |
| CN108139671B (zh) | 2022-02-11 |
| JP2018533761A (ja) | 2018-11-15 |
| WO2017078267A1 (en) | 2017-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7058214B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれから調製される硬化膜 | |
| JP6941416B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜 | |
| JP7240847B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれから調製された硬化膜 | |
| JP2021009361A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれから調製される硬化膜 | |
| US11106133B2 (en) | Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom | |
| JP2021009359A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれから調製される硬化膜 | |
| TWI788299B (zh) | 感光性樹脂組合物及自其製備之固化膜 | |
| JP7416608B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれから調製される硬化膜 | |
| JP6913679B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれより調製される硬化膜 | |
| TWI773690B (zh) | 感光性樹脂組合物及由其製備之固化膜 | |
| US20230109843A1 (en) | Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom | |
| CN107918249A (zh) | 感光性树脂组合物和由其制备的固化膜 | |
| KR20230102745A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 | |
| KR20200083196A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180418 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180717 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190917 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201020 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210618 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210712 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6913679 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |