JP6914656B2 - 貫通電極付ガラス基板の製造方法、導電部付ガラス基板、及び貫通電極付ガラス基板 - Google Patents

Description

本発明は、貫通電極付ガラス基板の製造方法及び貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板に関する。

従来、例えば、ＬＳＩ（Large-Scale Integration）の実装技術として、シリコン貫通電極（ＴＳＶ：Through Silicon Via）を用いた実装技術が知られている。貫通電極を有するシリコン基板は、例えば、インターポーザとして広く用いられている。インターポーザは、配線のデザインルールがそれぞれ異なる、ＩＣ（Integrated Circuit）及びプリント基板のように、端子間距離が異なる基板同士を中継する基板である。

非特許文献１に記載されているように、シリコン基板にＴＳＶを形成するにあたり、トランジスタなどの素子や電極などの回路を形成させる工程の前後又はその工程の間に、ＴＳＶを形成させる方法が知られている。

ＴＳＶ技術は、シリコン基板が高価であることに加え、シリコンが半導体であることに起因してシリコン基板に貫通孔を形成する前後に絶縁処理を行う必要があるので、コストが高いという問題を有する。そこで、例えば、インターポーザのコストを低減するために、安価なガラス基板にガラス貫通電極（ＴＧＶ：Through Glass Via）を形成した貫通電極付ガラス基板が注目されている。

ＴＧＶ技術においては、ガラス基板に貫通孔を形成する必要がある。ガラス基板に貫通孔を形成する技術としては、例えば、特許文献１に記載されているように、パルス発振ＹＡＧレーザーの照射によって貫通穴を形成する技術が知られている。また、特許文献２には、感光性ガラス基板に微細な穴を形成する方法が記載されている。特許文献２に記載の方法では、感光性ガラス基板上の所定の位置にフォトマスクを配置し、紫外線を照射し、潜像が形成される。次に、感光性ガラス基板を加熱処理して潜像を結晶化させる。次に、潜像が形成された部分の中央に潜像より小さい加工先穴をレーザー光により形成する。次に、フッ酸によりエッチングする。これにより、結晶化された部分が選択的にエッチングされて穴が形成される。特許文献３には、板ガラスの両面から相対向した同一軸心上の上下一対のコアドリルにより板ガラスに穿孔する方法が記載されている。

特開２０００−０６１６６７号公報 特開２００１−１０５３９８号公報 特開昭５４−１２６２１５号公報

吉永孝司及び野村稔、「３次元ＬＳＩ実装のためのＴＳＶ技術の研究開発の動向」、科学技術動向、科学技術・学術政策研究所、２０１０年４月号、Ｎｏ．１０９、ｐ．２３−３４

ガラス基板に貫通孔を形成することによりガラス基板の機械的強度が低下する可能性がある。このため、貫通電極付ガラス基板の製造にあたって、貫通孔が形成されたガラス基板の一方の主面に回路などの導電部を形成する場合、ガラス基板に回路など導電部を形成するときにガラス基板の取扱いが難しい。一方、ガラス基板の一方の主面に回路などの導電部を形成した後にガラス基板に貫通孔を形成する場合、ガラス基板へのレーザーの照射によってガラス基板に貫通孔を形成することが難しい。なぜなら、レーザーの照射に伴う発熱によって、ガラス基板に形成された回路などの導電部に損傷が生じる可能性があるからである。ＴＳＶ技術においては、ドライエッチングを応用したＢｏｓｃｈプロセスなどの手法が、シリコン基板に貫通孔を形成する方法として確立されている。しかし、ドライエッチングによるガラス基板への貫通孔の形成は、長時間を要し、実用的であるとは言い難い。

本発明は、このような事情に鑑みて、貫通電極付ガラス基板の製造方法において、ガラス基板に回路など導電部を形成するときのガラス基板の取扱いのしやすさを確保し、かつ、ガラス基板に形成された回路などの導電部の損傷を抑制しつつ比較的短時間でガラス基板に貫通孔を形成することを目的とする。

本発明は、
ガラス基板にレーザーを照射することによって、前記ガラス基板のレーザーが照射された部分に変質部を形成する変質部形成工程と、
前記変質部が形成された前記ガラス基板の一方の主面に、前記変質部の位置に応じて第一導電部を形成する第一導電部形成工程と、
前記ガラス基板の前記変質部が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも前記変質部に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて少なくとも前記変質部をエッチングすることによって、前記第一導電部形成工程の後に、前記ガラス基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の内部に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を備えた、
貫通電極付ガラス基板の製造方法を提供する。

また、本発明は、
貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板であって、
レーザーが照射されることによって形成された変質部と、
前記ガラス基板の一方の主面に形成されるべき導電部と前記変質部との位置合わせのための位置合わせ部とを備えた、ガラス基板を提供する。

本発明によれば、第一導電部形成工程の後に、ガラス基板に貫通孔が形成されるので、第一導電部形成工程では、ガラス基板が高い機械的強度を有する。このため、ガラス基板に回路など導電部を形成するときにガラス基板を取扱いやすい。また、ガラス基板にレーザーを照射することによって変質部を形成し、上記のエッチングレートを有するエッチング液を用いて変質部をエッチングしてガラス基板に貫通孔を形成するので、ガラス基板に形成された回路などの導電部の損傷を抑制しつつ比較的短期間でガラス基板に貫通孔を形成できる。

第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板の平面図 貫通電極付ガラス基板がインターポーザとして用いられている一例を示す断面図 第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 第４実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図 第５実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法の工程を示す断面図

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明はこれらによって限定されるものではない。

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、変質部形成工程と、第一導電部形成工程と、貫通孔形成工程と、貫通電極形成工程とを備えている。図１の（ａ）に示すように、変質部形成工程は、ガラス基板１０にレーザーＬを照射することによって、ガラス基板１０のレーザーＬが照射された部分に変質部１２を形成する工程である。図１の（ｂ）に示すように、第一導電部形成工程は、変質部１２が形成されたガラス基板１０の一方の主面に、変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する工程である。図１の（ｄ）に示すように、貫通孔形成工程は、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて少なくとも変質部１２をエッチングすることによって、第一導電部形成工程の後に、ガラス基板１０に貫通孔１４を形成する工程である。貫通電極形成工程は、図１の（ｅ）に示すように、貫通孔１４の内部に貫通電極３０を形成する工程である。

まず、変質部形成工程について説明する。本工程及び後述する後工程であるエッチングによる貫通孔形成工程に関し、特開２００８−１５６２００号公報に記載の方法を適用することができる。変質部形成工程において、レーザーＬは、例えば、所定のパルス幅を有するパルスレーザーである。レーザーＬの照射は、例えば、波長λのパルスレーザーをレンズで集光してガラス基板１０に照射することによって行われる。この場合、レーザーＬのパルス幅は、特に制限されない。レーザー照射装置のコストを抑制しつつ、レーザーＬの尖頭値を所定値以上にする観点から、レーザーＬのパルス幅は、例えば、１ｎｓ（ナノ秒）〜２００ｎｓであり、好ましくは１ｎｓ〜１００ｎｓ、より好ましくは５ｎｓ〜５０ｎｓである。

レーザーＬは、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの高調波、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザーの高調波、又はＮｄ：ＹＬＦレーザーの高調波である。この場合、高調波は、例えば、第２高調波、第３高調波、又は第４高調波である。第２高調波の波長は、５３２ｎｍ〜５３５ｎｍ近傍であり、第３高調波の波長は、３５５ｎｍ〜３５７ｎｍ近傍であり、第４高調波の波長は、２６６ｎｍ〜２６８ｎｍの近傍である。このようなレーザーＬを用いることによって、ガラス基板１０に安価に変質部１２を形成できる。

ガラス基板１０に微小な貫通孔を形成できるように、レーザーＬの照射スポットを所定値以下にする観点から、レーザーＬの波長λは、例えば、５３５ｎｍ以下であり、好ましくは３６０ｎｍ以下であり、より好ましくは３５０ｎｍ〜３６０ｎｍである。

レーザーＬが有するエネルギーは、特に制限されないが、ガラス基板１０の材質又はガラス基板１０に形成すべき変質部１２の寸法などに応じたエネルギーであることが好ましい。レーザーＬが有するエネルギーは、例えば、５μＪ／パルス〜１００μＪ／パルスである。レーザーＬのエネルギーを増加させることによって、それに比例するように変質部１２の長さを長くすることができる。レーザーＬのビーム品質Ｍ²は、例えば、２以下である。この場合、ガラス基板１０に微小な貫通孔を形成しやすい。

波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数は、例えば、５０ｃｍ^-1以下である。この場合、レーザーＬのエネルギーがガラス基板１０の表面近傍で吸収されることを軽減して、ガラス基板１０の内部に変質部１２が形成されやすくなる。波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数は、好ましくは、０．１ｃｍ^-1〜２０ｃｍ^-1である。なお、波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数が０．１ｃｍ^-1未満であっても、ガラス基板１０の内部に変質部１２を形成することはできる。波長λにおける吸収係数が５０ｃｍ^-1以下であるガラスは、公知のガラスから選択することができる。

ガラス基板１０を構成するガラスとしては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、チタン含有シリケートガラス、又は無アルカリガラスを好ましく用いることができる。この場合、波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数は、少なくとも０．１ｃｍ^-1以上である。

波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数を高めるために、ガラス基板１０を構成するガラスは、Ｂｉ（ビスマス）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、及びＴｉ（チタン）からなる群から選ばれる金属の酸化物の少なくとも１種を着色成分として含んでいてもよく、さらに必要に応じて着色成分として機能する上記以外の金属の酸化物が含まれていてもよい。

ガラス基板１０を構成するガラスがホウケイ酸ガラスである場合、コーニング社の♯７０５９又はパイレックス（登録商標）を用いることができる。

ガラス基板１０を構成するガラスがアルミノシリケートガラスである場合、以下のような組成を有するガラス組成物を用いてもよい。
質量％で表して、
ＳｉＯ₂ ５８〜６６％、
Ａｌ₂Ｏ₃ １３〜１９％、
Ｌｉ₂Ｏ ３〜４．５％、
Ｎａ₂Ｏ ６〜１３％、
Ｋ₂Ｏ ０〜５％、
Ｒ₂Ｏ １０〜１８％（ただし、Ｒ₂Ｏ＝Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ）、
ＭｇＯ ０〜３．５％、
ＣａＯ １〜７％、
ＳｒＯ ０〜２％、
ＢａＯ ０〜２％、
ＲＯ ２〜１０％（ただし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）、
ＴｉＯ₂ ０〜２％、
ＣｅＯ₂ ０〜２％、
Ｆｅ₂Ｏ₃ ０〜２％、
ＭｎＯ ０〜１％（ただし、ＴｉＯ₂＋ＣｅＯ₂＋Ｆｅ₂Ｏ₃＋ＭｎＯ＝０．０１〜３％）、ＳＯ₃ ０．０５〜０．５％の組成を有するガラス組成物。

また、以下のような組成を有するガラス組成物を用いてもよい。
質量％で示して、
ＳｉＯ₂ ６０〜７０％、
Ａｌ₂Ｏ₃ ５〜２０％、
Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ ５〜２５％、
Ｌｉ₂Ｏ ０〜１％、
Ｎａ₂Ｏ ３〜１８％、
Ｋ₂Ｏ ０〜９％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜２０％、
ＭｇＯ ０〜１０％、
ＣａＯ １〜１５％、
ＳｒＯ ０〜４．５％、
ＢａＯ ０〜１％、
ＴｉＯ₂ ０〜１％、
ＺｒＯ₂ ０〜１％、
からなる組成を有するガラス組成物。

さらに、以下のような組成を有するガラス組成物を用いてもよい。
質量％で示して、
ＳｉＯ₂ ５９〜６８％、
Ａｌ₂Ｏ₃ ９．５〜１５％、
Ｌｉ₂Ｏ ０〜１％、
Ｎａ₂Ｏ ３〜１８％、
Ｋ₂Ｏ ０〜３．５％、
ＭｇＯ ０〜１５％、
ＣａＯ １〜１５％、
ＳｒＯ ０〜４．５％、
ＢａＯ ０〜１％、
ＴｉＯ₂ ０〜２％、
ＺｒＯ₂ １〜１０％、
を含むガラス組成物。

また以下のガラス組成物を用いることができる。
質量％で表して、
ＳｉＯ₂ ５０〜７０％、
Ａｌ₂Ｏ₃ １４〜２８％、
Ｎａ₂Ｏ １〜５％、
ＭｇＯ １〜１３％、及び
ＺｎＯ ０〜１４％、
を含むガラス組成物。

さらに、以下のガラス組成物を用いてもよい。
質量％で表して、
ＳｉＯ₂ ５６〜７０％、
Ａｌ₂Ｏ₃ ７〜１７％、
Ｌｉ₂Ｏ ４〜８％、
ＭｇＯ １〜１１％、
ＺｎＯ ４〜１２％、
Ｌｉ₂Ｏ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ １４〜２３％、
Ｂ₂Ｏ₃ ０〜９％、および
ＣａＯ＋ＢａＯ ０〜３％
ＴｉＯ₂ ０〜２％、
からなるガラス組成物。

ガラス基板１０を構成するガラスがソーダライムガラスである場合、例えば板ガラスに広く用いられるガラス組成物を用いることができる。

また、ガラス基板１０を構成するガラスがチタン含有シリケートガラスである場合、例えば、ＴｉＯ₂を５モル％以上含有することによって波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数を１以上にすることができ、ＴｉＯ₂を１０モル％以上含有することによって波長λにおけるガラス基板１０の吸収係数を４以上にすることができる。さらに、必要に応じて、上述した着色成分として機能する金属の酸化物が含まれていてもよい。

ガラス基板１０を構成するガラスがチタン含有シリケートガラスである場合、例えば、以下のガラス組成物を用いることができる。
モル％で表示して、
５０≦（ＳｉＯ₂＋Ｂ₂Ｏ₃）≦７９モル％、
５≦（Ａｌ₂Ｏ₃＋ＴｉＯ₂）≦２５モル％、
５≦（Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ＋Ｒｂ₂Ｏ＋Ｃｓ₂Ｏ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）≦２５モル％、
ただし、５≦ＴｉＯ₂≦２５モル％である、ガラス組成物。

また上記のチタン含有シリケートガラスにおいて、
（Ａｌ₂Ｏ₃＋ＴｉＯ₂）／（Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ＋Ｒｂ₂Ｏ＋Ｃｓ₂Ｏ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）≦０．９、
であることが好ましい。

さらに上記チタン含有シリケートガラスにおいて、
７０≦（ＳｉＯ₂＋Ｂ₂Ｏ₃）≦７９モル％、
１０≦ＴｉＯ₂≦１５モル％、
１０≦Ｎａ₂Ｏ≦１５モル％、
であることが好ましい。

加えて上記チタン含有シリケートガラスにおいて、前記ガラスの熱膨張係数が１００×１０^-7℃^-1以下であることが好ましい。

ガラス基板１０を構成するガラスが無アルカリガラスである場合、例えば以下のガラス組成物を用いることができる。
モル％で表示して、
４５≦（ＳｉＯ₂＋Ｂ₂Ｏ₃）≦８０モル％、
７≦Ａｌ₂Ｏ₃≦１５モル％、
０≦ＴｉＯ₂≦５モル％、
２≦（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）≦２０モル％
を含み、実質的にアルカリ金属酸化物を含まないガラス組成物。

ガラス基板１０をインターポーザとして用いる場合、信号の伝送特性を向上させるために、高周波帯域での誘電損失を低減させることが重要である。ガラス基板に高周波の電圧を印加した場合、電力損失は比誘電率εrと誘電正接tanδとの積に比例する。このため、周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εrが１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下であるガラスでガラス基板１０が構成されていることが好ましい。この場合、ガラス基板１０を構成するガラスの、１ＧＨｚにおける比誘電率εrは６以下であることがより好ましい。また、ガラス基板１０を構成するガラスの、１ＧＨｚにおける誘電正接tanδは、０．００８以下であることがより好ましい。

インターポーザとして用いられるガラス基板１０を構成するのに適したガラスは、周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εrが１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下である限り、特に制限されない。例えば、表１に記載のガラスをインターポーザとして用いられるガラス基板１０を構成するのに適したガラスとして挙げることができる。なお、周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率εr及び誘電正接tanδは、空洞共振器摂動法を用いて測定することができる。この方法は、共振器内に微小な誘電体又は磁性体を挿入した際に生じる共振周波数の変化を測定し、摂動法を用いて材料の複素誘電率や複素透磁率を算出する方法である。表１に記載のガラスの比誘電率εr及び誘電正接tanδの測定は、２５℃において、１ＧＨｚ用の空洞共振器とネットワークアナライザ（Agilent Technologies社製 E8361A）を使用して行った。

ガラス基板１０を構成するガラスが、高い剛性を有すると、レーザーＬを照射したときに、ガラス基板１０の上面及び下面において割れが発生しづらい。このため、例えば、ガラス基板１０を構成するガラスのヤング率が８０ＧＰａ以上であることが好ましい。

なお、吸収係数は、厚さｄ(たとえば約０．１ｃｍ)のガラスのサンプルの透過率および反射率を測定することによって算出できる。まず、厚さｄ(ｃｍ)のガラスのサンプルについて、透過率Ｔ(％)と、入射角１２°における反射率Ｒ(％)とを測定する。透過率Ｔ及び反射率Ｒは、島津製作所社製の分光光度計ＵＶ―３１００型を用いて測定できる。そして、測定値から以下の式を用いてガラスの吸収係数αを算出できる。
α＝ｌｎ（（１００−Ｒ）／Ｔ）／ｄ

レンズの焦点距離Ｆ（ｍｍ）は、例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍであり、好ましくは１００ｍｍ〜２００ｍｍである。

また、パルスレーザーのビーム径Ｄ（ｍｍ）は、例えば１ｍｍ〜４０ｍｍであり、好ましくは３ｍｍ〜２０ｍｍである。ここで、ビーム径Ｄは、レンズに入射する際のパルスレーザーのビーム径であり、ビームの中心の強度に対して強度が［１／ｅ²］倍となる範囲の直径を意味する。

焦点距離Ｆをビーム径Ｄで除した値、すなわち［Ｆ／Ｄ］の値は、７以上であり、好ましくは７以上４０以下であり、より好ましくは１０以上２０以下である。この値は、ガラスに照射されるレーザーの集光性に関係する値である。Ｆ／Ｄが７以上であると、ビームウェスト近傍でレーザーパワーが強くなりすぎることを防止でき、ガラス基板１０の内部にクラックが発生することを防止できる。

レーザーＬをガラス基板１０に照射する前にガラス基板１０に対して前処理を行うこと、例えば、レーザーＬの吸収を促進するような膜を形成することは不要である。ただし、場合によっては、そのような処理を行ってもよい。

図１の（ａ）に示すように、ガラス基板１０のレーザーＬが照射された部分に変質部１２が形成される。変質部１２は、通常、光学顕微鏡を用いた観察によって他の部分と見分けることができる。変質部１２は、レーザー照射によって光化学的な反応が起き、E'センターや非架橋酸素などの欠陥が生じた部位やレーザー照射の急熱・急冷によって発生した、高温度域における疎なガラス構造を保持した部位等である。変質部１２は、ガラス基板１０の通常部よりも所定のエッチング液に対して、エッチングされやすい。

変質部形成工程では、例えば、ガラス基板１０の内部にフォーカスされるようにレーザーＬをガラス基板１０に照射する。変質部１２は、貫通孔形成工程においてガラス基板１０に貫通孔を容易に形成できるように形成されている。このため、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向の中央付近にフォーカスされるようにレーザーＬがガラス基板１０に照射される。また、変質部１２をガラス基板１０に形成できる限り、ガラス基板１０の外部にフォーカスされるようにレーザーＬが照射されてもよい。例えば、ガラス基板１０のレーザーＬが入射する側の面から所定の距離(たとえば１．０ｍｍ)だけ離れた位置にフォーカスされるようにレーザーＬが照射されてもよく、ガラス基板１０のレーザーＬが入射する側の面と反対側の面から所定の距離(たとえば１．０ｍｍ)だけ離れた位置にフォーカスされるようにレーザーＬが照射されてもよい。換言すると、ガラス基板１０に変質部１２が形成できる限り、レーザーＬは、ガラス基板１０の、レーザーＬが入射する側の面からレーザーＬが進行する方向と逆の方向に１．０ｍｍ以内の範囲にある位置（ガラス基板１０の、レーザーＬが入射する側の面を含む）、レーザーＬが入射する側の面と反対側の面から、ガラス基板１０を透過したレーザーＬが進行する方向に１．０ｍｍ以内にある位置(ガラス基板１０の、レーザーＬが入射する側の面と反対側の面を含む)、又はガラス基板１０の内部にフォーカスされてもよい。

変質部１２の大きさは、レンズに入射する際のレーザーＬのビーム径Ｄ、レンズの焦点距離Ｆ、ガラス基板１０を構成するガラスの吸収係数、パルスレーザーのパワーなどによって変化する。これらのパラメータを調整することによって、例えば、直径が１０μｍ以下でガラス基板１０の厚み方向における長さが１００μｍ以上である円柱状の変質部１２を形成することができる。

変質部形成工程において選択される条件の一例を表２に示す。

変質部形成工程において、図１の（ａ）に示すように、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面からその一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように変質部１２を形成してもよい。換言すると、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面及びガラス基板１０の他方の主面で露出するように変質部１２が形成される。この場合、変質部１２を露出させるために、貫通孔形成工程に先立ってガラス基板１０の研磨を行う必要がない。また、貫通孔形成工程の当初から、所定のエッチング液が、ガラス基板１０の他方の主面側で変質部１２に接するので、比較的短時間でガラス基板１０に貫通孔１４を形成できる。

次に、第一導電部形成工程について説明する。図１の（ｂ）に示すように、第一導電部２０ａが、ガラス基板１０における変質部１２の位置に応じて、ガラス基板１０の一方の主面上に形成される。具体的に、第一導電部形成工程において、ガラス基板１０を平面視したときに、第一導電部２０ａの一部と変質部１２とが重なるように第一導電部２０ａが形成される。ガラス基板１０における変質部１２の位置には、図１の（ｅ）に示すように、貫通電極３０が最終的に形成される。このため、貫通電極３０と第一導電部２０ａとの電気的な接続を確保するために、ガラス基板１０の一方の主面において、変質部１２の真上に第一導電部２０ａの一部が形成されることが好ましい。

このように、第一導電部２０ａは、ガラス基板１０の一方の主面における第一導電部２０ａの配置が、ガラス基板１０における変質部１２の位置と所定の位置関係となるように形成される必要がある。このため、第一導電部形成工程において、ガラス基板１０における変質部１２の位置を正確に把握する必要がある。しかし、変質部１２をガラス基板１０の変質部１２以外の部分と見分けることが難しい可能性がある。そこで、例えば、図２に示すように、貫通電極付ガラス基板を製造するためのガラス基板１０は、変質部１２と、ガラス基板１０の一方の主面に形成されるべき導電部（第一導電部２０ａ）と変質部１２との位置合わせのための位置合わせ部１６とを備えているとよい。変質部１２は、上記の通り、ガラス基板１０にレーザーが照射されることによって形成されている。位置合わせ部１６は、例えば、図２に示すように、ガラス基板１０の一方の主面において変質部１２の真上に形成されたマークである。また、位置合わせ部１６は、ガラス基板１０の一方の主面における変質部１２の真上の地点から所定の距離だけ離れて形成されたマークであってもよい。位置合わせ部１６は、ガラス基板１０の一方の主面に形成されるべき導電部（第一導電部２０ａ）と変質部１２との位置合わせのために用いられるものである限り、特に限定されない。

この場合、第１実施形態の貫通電極付ガラス基板の製造方法は、変質部形成工程の後であって、かつ、第一導電部形成工程の前、又は、変質部形成工程の前に、変質部１２と、第一導電部形成工程において形成されるべき第一導電部２０ａとの位置合わせを行うための位置合わせ部１６を形成する位置合わせ部形成工程をさらに備える。

なお、変質部１２をガラス基板１０の変質部１２以外の部分と見分けることが容易である場合、位置合わせ部１６を省略してもよい。このとき、形成された変質部のいずれか、又は、貫通孔の形成が予定されていない変質部を、位置合わせ部１６として用い、変質部１２と第一導電部２０ａとの位置合わせに利用してもよい。

ガラス基板１０における変質部１２の位置を確認したうえで、第一導電部２０ａが形成される。第一導電部２０ａを形成する方法は特に制限されない。例えば、ガラス基板１０の一方の主面の第一導電部２０ａを形成すべき部分以外の部分をマスキングしつつ、Ｃｕ（銅）等の金属材料をガラス基板１０の一方の主面にスパッタリング又は蒸着させることによって、第一導電部２０ａを形成できる。また、ガラス基板１０の一方の主面の全体にめっきによって金属薄層を形成した後にフォトリソグラフィによって金属薄層の不要な部分を除去して、第一導電部２０ａを形成してもよい。また、導電性を有するインクをインクジェットによってガラス基板１０の一方の主面に付着させて第一導電部２０ａを形成してもよい。第一導電部２０ａは、貫通電極付ガラス基板において、例えば、回路パターン又は電極として機能する。このように、貫通孔１４が形成される前に第一導電部２０ａが形成されるので、第一導電部形成工程では、ガラス基板１０が高い機械的強度を有する。このため、ガラス基板１０に導電部を形成するときにガラス基板１０の取扱いが容易である。

第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、図１の（ｃ）のように、保護膜形成工程をさらに備えていてもよい。保護膜形成工程は、第一導電部２０ａを貫通孔形成工程で使用されるエッチング液から保護するための保護膜２２を貫通孔形成工程の前に第一導電部２０ａの表面に形成する工程である。保護膜２２は、貫通孔形成工程の後に除去できるように剥離可能な膜であることが好ましい。保護膜２２としては、例えば、耐エッチング性を有するシリコーン樹脂又は耐エッチング性を有するフィルムを用いることができる。場合によっては、保護膜形成工程は省略可能である。

次に、貫通孔形成工程について説明する。貫通孔形成工程は、第一導電部形成工程の後に行われる。貫通孔形成工程には、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて行われる。すなわち、貫通孔形成工程はウェットエッチングによって行われる。このようなエッチング液としては、たとえばフッ酸(フッ化水素(ＨＦ)の水溶液)を用いることができる。また、硫酸(Ｈ₂ＳＯ₄)やその水溶液、硝酸(ＨＮＯ₃)やその水溶液、または塩酸(塩化水素(ＨＣｌ)の水溶液)を用いてもよい。また、これらの酸の混合物を用いてもよい。エッチング液としてフッ酸を用いた場合、変質部１２のエッチングが進みやすく、短時間に貫通孔１４を形成できる。エッチング液として硫酸を用いた場合、変質部１２以外のガラスがエッチングされにくく、テーパー角度の小さいストレートな貫通孔１４を形成できる。

エッチング時間及びエッチング液の温度は、変質部１２の形状や寸法に応じて適宜選択される。なお、エッチング時のエッチング液の温度を高くすることによって、エッチング速度を高めることができる。また、エッチング条件によって、貫通孔１４の直径を制御することができる。

ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成された主面と反対側の主面からエッチングが行われる。変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。これにより、図１の（ｄ）に示すように、ガラス基板１０の変質部１２が存在していた位置に貫通孔１４が形成される。第一導電部２０ａは、エッチング液に侵されず、ガラス基板１０と第一導電部２０ａとの界面で、エッチングが停止する。これにより、ガラス基板１０に形成された第一導電部２０ａの損傷を抑制できる。

次に、貫通電極形成工程について説明する。貫通孔１４の内部に貫通電極３０を形成できる限り、貫通電極３０を形成する方法は特に制限されない。例えば、Ｃｕ（銅）などの金属を用いためっきによって、貫通孔１４の内部に貫通電極３０を形成できる。ガラス基板１０に直接めっきを施すことは難しい。このため、例えば、貫通電極３０をなす導電材料を付着させるためのシード層を少なくとも貫通孔１４の内周面に形成したうえで、めっきによって貫通電極３０を形成する。シード層は、貫通孔１４の内周面を含むガラス基板１０の表面を例えばＰｄ（パラジウム）を含む触媒と接触させることによって形成することができる。これにより、ガラス基板１０に無電解めっきを施すことができる。ガラス基板１０をめっきする金属は、特に制限されないが、導電性を高め、製造コストを低減する観点から、Ｃｕ（銅）であることが好ましい。ガラス基板１０の、第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面及び貫通孔１４の内周面にめっきを施す。無電解めっきによって、所定の厚みを有する金属層３２が、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面に形成されると、ガラス基板１０の第一導電部２０ａの反対側で導電性が確保される。この場合、電解めっきによってより効率的にめっきを行ってもよい。すなわち、無電解めっきと電解めっきとを組み合わせてガラス基板１０に対してめっきを施してもよい。

図１の（ｆ）に示すように、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面にめっきによって形成された金属層３２は、例えば、研磨によって除去されてもよい。そのうえで、例えば、図１の（ｇ）に示すように、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面に第二導電部２０ｂを形成する。このとき、保護膜２２を除去する。第二導電部２０ｂは、第一導電部２０ａを形成する方法として上述した方法と同様の方法で形成できる。なお、第一導電部２０ａを形成する方法と、第二導電部２０ｂを形成する方法とが異なっていてもよい。このように、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板１０の一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面に第二導電部２０ｂを形成する第二導電部形成工程をさらに備えていてもよい。このようにして、貫通電極付ガラス基板１ａを製造できる。

図１の（ｈ）に示すように、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面にめっきによって形成された金属層３２の一部を除去することによって、第二導電部２０ｂを形成してもよい。例えば、フォトリソグラフィによって、ガラス基板１０の第一導電部２０ａが形成されている主面と反対側の主面にめっきによって形成された金属層のうち、第二導電部２０ｂとして必要な部分のみを残し、かつ、不要な部分を除去する。この場合、レジストの除去とともに保護膜２２を除去することもできる。このようにして、貫通電極付ガラス基板１ｂを製造できる

このようにして、貫通電極付ガラス基板１ａ又は貫通電極付ガラス基板１ｂが得られる。貫通電極付ガラス基板１ａは、例えば、図３に示すように、インターポーザとして用いられる。例えば、第一導電部２０ａが、ＩＣ、受光素子、又は発光素子等の電子デバイス５０ａに電気的に接続され、第二導電部２０ｂが、半田ボール４０などを介して印刷回路基板（図示省略）に電気的に接続される。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。

図４の（ｉ）に示すように、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の内部からガラス基板１０の一方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように前記変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面に露出するように変質部１２を形成する。ここで、ガラス基板１０の一方の主面は、第一導電部２０ａが形成されるべき、ガラス基板１０の主面である。さらに、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の厚さ方向にガラス基板１０の一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面から離れているように変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の他方の主面で露出しないように変質部１２を形成する。

このように変質部１２が形成されたガラス基板１０を用いて、図４の（ｊ）に示すように、ガラス基板１０の一方の主面に変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する。また、必要に応じて、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。その後、図４の（ｋ）に示すように、貫通孔形成工程の前に、ガラス基板１０を他方の主面側から研磨して変質部１２を露出させる。すなわち、第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０を研磨して貫通孔形成工程の前に変質部を露出させる研磨工程をさらに備えている。

その後、ガラス基板１０を、図１の（ｄ）〜（ｈ）の工程に従って加工することによって、貫通電極付ガラス基板が製造される。ガラス基板１０の厚み又はガラス基板１０を構成するガラスの種類によっては、変質部１２の形成に長時間を要する可能性がある。本実施形態によれば、ガラス基板１０の厚み方向にガラス基板１２を貫くように変質部１２を形成しないので、変質部１２を比較的短時間で形成することができる。また、他方の主面が研磨される前のガラス基板１０を用いて第一導電部２０ａを形成できる。このため、第一導電部形成工程におけるガラス基板１０の厚みが比較的大きいので、第一導電部２０ａを形成するときにガラス基板１０の取扱いが容易である。また、最終的に製造される貫通電極付ガラス基板の厚みを小さくすることができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第２実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。

第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、研磨によってガラス基板１０の他方の主面に変質部１２を露出させる代わりに、ガラス基板１０の他方の主面をエッチングすることによってガラス基板１０の他方の主面に変質部１２を露出させる。

図５の（ｌ）に示すように、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の内部からガラス基板１０の一方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように前記変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面に露出するように変質部１２を形成する。ここで、ガラス基板１０の一方の主面は、第一導電部２０ａが形成されるべき、ガラス基板１０の主面である。さらに、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板の厚さ方向にガラス基板１０の一方の主面と反対側のガラス基板１０の他方の主面から離れているように変質部１２を形成する。

図５の（ｍ）に示すように、ガラス基板１０の一方の主面に変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する。また、必要に応じて、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。

その後、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０がウェットエッチングされるようにガラス基板１０をエッチング液に浸す。当初は、ガラス基板１０の他方の主面に変質部１２が露出していないので、ガラス基板１０の他方の主面の全体において均一なエッチングレートでガラス基板１０がエッチングされる。ガラス基板１０のエッチングが進むと、図５の（ｎ）に示すように、ガラス基板１０の他方の主面側に変質部１２が露出する。エッチング液としては、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液が用いられる。このため、変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。これにより、図５の（ｏ）に示すように、貫通孔１４が形成される。

その後、ガラス基板１０を、図１の（ｅ）〜（ｈ）の工程に従って加工することによって、貫通電極付ガラス基板が製造される。第３実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板１０の他方の主面に変質部１２を露出させるための研磨工程を省略することができるので、貫通電極付ガラス基板の製造コストを低減できる。また、貫通孔１４が形成されていない比較的厚みが大きいガラス基板１０を用いて第一導電部２０ａを形成できる。このため、第一導電部２０ａを形成するときにガラス基板１０の取扱いが容易である。また、最終的に製造される貫通電極付ガラス基板の厚みを小さくすることができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第４実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。

図６の（ｐ）に示すように、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の内部からガラス基板１０の他方の主面までガラス基板１０の厚さ方向に延びるように前記変質部１２を形成する。すなわち、変質部１２がガラス基板１０の他方の主面に露出するように変質部１２を形成する。ここで、ガラス基板１０の他方の主面は、第一導電部２０ａが形成されるべきガラス基板１０の主面と反対側のガラス基板１０の主面である。さらに、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板の厚さ方向にガラス基板１０の一方の主面から離れているように変質部１２を形成する。

図６の（ｑ）に示すように、ガラス基板１０の他方の主面に変質部１２の位置に応じて第一導電部２０ａを形成する。また、必要に応じて、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。

その後、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０がウェットエッチングされるようにガラス基板１０をエッチング液に浸す。エッチング液としては、ガラス基板１０の変質部１２が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも変質部１２に対するエッチングレートが大きいエッチング液が用いられる。このため、変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。このため、図６の（ｒ）に示すように、有底孔１８が形成される。その後、ガラス基板１０の厚み方向に均一なエッチングレートでガラス基板１０のエッチングが進み、図６の（ｓ）に示すように、貫通孔１４が形成される。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法について説明する。第５実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法は、特に説明する場合を除き、第１実施形態に係る貫通電極付ガラス基板の製造方法と同様に行われる。

図７の（ｔ）に示すように、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面及び他方の主面から離れているように変質部１２を形成したうえで、ガラス基板１０の一方の主面に第一導電部２０ａを形成する。すなわち、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面及び他方の主面から離れているように変質部１２を形成する。場合によっては、第一導電部２０ａの表面に保護膜２２を形成する。

その後、ガラス基板１０の他方の主面からガラス基板１０がウェットエッチングされるようにガラス基板１０をエッチング液に浸す。第３実施形態と同様に、当初は、ガラス基板１０の他方の主面の全体において均一なエッチングレートでガラス基板１０がエッチングされる。ガラス基板１０のエッチングが進み、ガラス基板１０の他方の主面側で変質部１２が露出すると、変質部１２におけるエッチングレートとガラス基板１０の変質部１２以外の部分におけるエッチングレートとの差によって、ガラス基板１０の厚みがエッチングにより減少する速度よりも速い速度でガラス基板１０の厚み方向に延びる変質部１２がエッチングされる。変質部１２のエッチングが終了すると、図７の（ｕ）に示すように、有底孔１８が形成される。エッチングがさらに進むと、図７の（ｖ）に示すように、貫通孔１４が形成される。

第５実施形態によれば、ガラス基板１０の厚み方向における変質部１２の長さを比較的短くできるので、変質部１２を比較的短時間で形成することができる。一方、ガラス基板１０の変質部１２以外の部分に対するエッチング液のエッチングレートは比較的小さいので、変質部１２がエッチングされた後から貫通孔１４を形成されるまでにかかる時間が比較的長い。このため、ガラス基板１０の厚み方向だけでなく、ガラス基板１０の面方向にもエッチングが進むので、図７の（ｖ）に示すように貫通孔１４の内周面が形成するテーパー面のテーパー角度が大きくなる。このため、形成可能な貫通孔１４の大きさが制約されてしまう可能性もある。従って、変質部形成工程において、変質部１２がガラス基板１０の一方の主面に露出するように、変質部１２が形成されていることが望ましい。

Claims (16)

1. ガラス基板にレーザーを照射することによって、前記ガラス基板のレーザーが照射された部分に変質部を形成する変質部形成工程と、
   前記変質部が形成された前記ガラス基板の一方の主面に、前記変質部の位置に応じて第一導電部を前記第一導電部の表面が露出するように形成する第一導電部形成工程と、
   前記ガラス基板の前記変質部が形成されていない部分に対するエッチングレートよりも前記変質部に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて少なくとも前記変質部をエッチングすることによって、前記第一導電部形成工程の後に、前記ガラス基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
   前記貫通孔の内部に前記第一導電部と電気的に接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を備え、
   前記ガラス基板の周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率ε _r が１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下である、
   貫通電極付ガラス基板の製造方法。
2. 前記変質部形成工程において、前記変質部が前記一方の主面から前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面まで前記ガラス基板の厚さ方向に延びるように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
3. 前記変質部形成工程において、前記変質部が、前記ガラス基板の内部から前記ガラス基板の前記一方の主面まで前記ガラス基板の厚さ方向に延びるとともに、前記ガラス基板の厚さ方向に前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面から離れているように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
4. 前記変質部形成工程において、前記変質部が、前記ガラス基板の内部から前記ガラス基板の前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面まで前記ガラス基板の厚さ方向に延びるとともに、前記ガラス基板の厚さ方向に前記一方の主面から離れているように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
5. 前記変質部形成工程において、前記変質部が前記ガラス基板の厚さ方向に前記一方の主面及び前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面から離れているように前記変質部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
6. 前記他方の主面から前記ガラス基板を研磨して前記貫通孔形成工程の前に前記変質部を露出させる研磨工程をさらに備えた、請求項３に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
7. 前記他方の主面から前記ガラス基板を研磨して前記貫通孔を形成する前に前記変質部を露出させる研磨工程をさらに備えた、請求項５に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
8. 前記第一導電部形成工程において、前記ガラス基板を平面視したときに、前記第一導電部の一部と前記変質部とが重なるように前記第一導電部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
9. 前記第一導電部を前記エッチング液から保護するための保護膜を前記貫通孔形成工程の前に前記第一導電部の表面に形成する保護膜形成工程をさらに備えた、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
10. 前記貫通電極形成工程において、前記貫通電極をなす導電材料を付着させるためのシード層を前記貫通孔の内周面に形成したうえで、めっきによって前記貫通電極を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
11. 前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面に第二導電部を形成する第二導電部形成工程をさらに備えた、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
12. 前記第一導電部形成工程において、スパッタリング、蒸着、及びメッキの少なくとも１つによって前記第一導電部を形成する、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
13. 前記一方の主面と反対側の前記ガラス基板の他方の主面に、前記貫通電極の位置に応じて第二導電部を形成する第二導電部形成工程をさらに備えた、請求項１に記載の貫通電極付ガラス基板の製造方法。
14. 貫通電極付ガラス基板を製造するための導電部付ガラス基板であって、
    レーザーが照射されることによって形成された変質部を有するガラス基板と、
    前記変質部と重なる一部を有する第一導電部とを備え、
    前記変質部は、前記ガラス基板の厚み方向に沿って延びており、かつ、所定のエッチング液に対して、前記ガラス基板の前記変質部が形成されていない部分よりエッチングされやすく、
    前記第一導電部は、前記第一導電部の表面が露出するように形成されており、
    前記ガラス基板の周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率ε _r が１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下である、
    導電部付ガラス基板。
15. 前記ガラス基板の周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率ε_rが６以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．００８以下である、請求項１４に記載の導電部付ガラス基板。
16. 貫通孔を有するガラス基板と、
    前記貫通孔と重なる一部を有する第一導電部と、
    前記貫通孔の内部に形成され、前記第一導電部に電気的に接続されている貫通電極と、を備え、
    前記第一導電部は、前記貫通電極の位置に応じて前記ガラス基板の一方の主面を部分的に覆い、かつ、前記第一導電部の表面が露出するように形成されており、
    前記ガラス基板の周波数１ＧＨｚにおける、比誘電率ε _r が１１以下であり、かつ、誘電正接tanδが０．０１２以下である、
    貫通電極付ガラス基板。

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