JP6915954B2 - 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 - Google Patents
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Description
(A)一分子中、ケイ素原子結合のアルケニル基を少なくとも2個有し、ケイ素原子結合の全有機基の少なくとも5モル%がアリール基である直鎖状オルガノポリシロキサン 100重量部、
(B)式:R1 3SiO1/2(式中、R1は同じかまたは異なる一価炭化水素基である。)で示されるシロキサン単位および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなり、アルケニル基の含有量が少なくとも6重量%であるオルガノポリシロキサン 1〜100重量部、
(C)一分子中、ケイ素原子結合の水素原子を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン{(A)成分と(B)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合の水素原子が0.1〜10モルとなる量}、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進する量)
から少なくともなる。
(A)成分は、一分子中、ケイ素原子結合のアルケニル基を少なくとも2個有する直鎖状オルガノポリシロキサンである。(A)成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数2〜12のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。このアルケニル基の結合するケイ素原子は限定されず、分子鎖末端のケイ素原子および/または分子鎖末端以外のケイ素原子が挙げられる。また、(A)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子結合の有機基としては、脂肪族不飽和結合を有さない炭素数1〜12の一価炭化水素基が例示され、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1〜12のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜12のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン置換の炭素数1〜12のアルキル基が例示される。但し、(A)成分はケイ素原子結合の全有機基の少なくとも5モル%がアリール基であり、好ましくは、少なくとも10モル%、あるいは少なくとも15モル%がアリール基である。これは、このようなアリール基含有量の(A)成分と下記(B)成分とを併用することにより、得られる硬化物の高温、例えば、250℃でのクラック耐性が優れるからである。
R2 3SiO(R2 2SiO)nSiR2 3
で表すことができる。式中、R2は同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1〜12のアルキル基;ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数2〜12のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜12のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン置換の炭素数1〜12のアルキル基が例示される。但し、式中、R2の少なくとも2個は前記アルケニル基であり、全R2の少なくとも5モル%は前記アリール基である。また、式中、nは1以上の整数であり、好ましくは、(A)成分の25℃における粘度が100〜1,000,000mPa・sの範囲内、あるいは100〜100,000mPa・sの範囲内となるような整数である。
本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。硬化物の形状は特に限定されず、例えば、シート状、フィルム状が挙げられる。硬化物は、これを単体で取り扱うこともできるが、光半導体素子等を被覆もしくは封止した状態で取り扱うことも可能である。
本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。このような本発明の光半導体装置としては、発光ダイオード(LED)、フォトカプラー、CCDが例示される。また、光半導体素子としては、発光ダイオード(LED)チップ、固体撮像素子が例示される。
硬化性シリコーン組成物および各成分の25℃における粘度(mPa・s)を、JIS K7117−1に準拠した回転粘度計により測定した。
硬化前の硬化性シリコーン組成物の25℃における屈折率をアッベ式屈折率計により測定した。なお、測定には589nmの光源を用いた。
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物の硬さをJIS K 6253に規定のタイプAデュロメータにより測定した。
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより、厚さ2mmの硬化物を作製した。この硬化物を250℃の熱風循環式オーブン中で10時間エージングしたときのエージング前後における硬化物の重量の変化率を求め、以下のように評価した。
○:硬化物の重量の変化率が5%未満
×:硬化物の重量の変化率が5%以上
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物を250℃の熱風循環式オーブン中で250時間エージングしたときのエージング前後における硬度の変化率を求め、以下のように評価した。
○:硬度の変化率が150%以上
×:硬度の変化率が150%未満
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物を250℃の熱風循環式オーブン中でエージングしたときの外観を観察し、以下のように評価した。
○:2000時間以上クラックが生じない。
△:500時間以上2000時間未満でクラックが生じる。
×:500時間未満でクラックが生じる。
下記の成分を用いて、表1〜3に示した組成(重量部)で硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、表1〜3中、SiH/Viは、(A)成分中と(B)成分中のビニル基の合計1モルに対する、(C)成分中のケイ素原子結合水素原子のモル数を示す。また、表1〜3において、(D−1)成分の含有量は、硬化性シリコーン組成物に対して、重量単位における、白金金属の含有量(ppm)で示した。
(A−1)成分:粘度が13,000mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)200(Ph2SiO)50SiMe2Vi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=19.8モル%)
(A−2)成分:粘度が2,500mPa・sである、式:
ViMe2SiO(MePhSiO)20SiMe2Vi
で表されるメチルフェニルポリシロキサン(フェニル基の含有量=43.5モル%)
(A−3)成分:粘度が2,100mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)310SiMe2Vi
で表されるジメチルポリシロキサン
(A−4)成分:粘度が8,300mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)260(Ph2SiO)40SiMe2Vi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=13.2モル%)
(A−5)成分:粘度が6,200mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)210(Ph2SiO)40SiMe2Vi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=15.8モル%)
(A−6)成分:粘度が17,000mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)190(Ph2SiO)60SiMe2Vi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=23.7モル%)
(A−7)成分:粘度が900mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)140(Ph2SiO)10SiMe2Vi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=6.5モル%)
(A−8)成分:粘度が1,800mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)130(Ph2SiO)20SiMe2Vi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=13.1モル%)
(A−9)成分:粘度が14000mPa・sである、式:
ViMe2SiO(Me2SiO)60(Ph2SiO)30SiMe2Vi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=32.3モル%)
(B−1)成分:平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.55(Me3SiO1/2)0.05(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=18.7重量%)
(B−2)成分:平均単位式
(Me2ViSiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.40(SiO4/2)0.50
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有=3.8重量%)
(B−3)成分:平均単位式
(Me2ViSiO1/2)0.15(Me3SiO1/2)0.45(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサンレジン(ビニル基の含有=5.4重量%)
(B−4)成分:平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.60(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=20.3重量%)
(B−5)成分:平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.35(Me3SiO1/2)0.25(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=12.3重量%)
(C−1)成分:粘度が20mPa・sである、平均単位式:
(Me2HSiO1/2)0.60(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン
(C−2)成分:粘度が30mPa・sである、平均単位式:
(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン
(D−1)成分:白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液(白金金属を0.1重量%含有する溶液)
(E−1)成分:1−エチニルシクロヘキサン−1−オール
(F−1)成分:粘度が30mPa・sである分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの縮合反応物からなる接着付与剤
2 リードフレーム
3 リードフレーム
4 ボンディングワイヤ
5 枠材
6 硬化性シリコーン組成物の硬化物
Claims (5)
- (A)一分子中、ケイ素原子結合のアルケニル基を少なくとも2個有し、ケイ素原子結合の全有機基の少なくとも5モル%がアリール基である直鎖状オルガノポリシロキサン 100重量部、
(B)式:R1 3SiO1/2(式中、R1は同じかまたは異なる一価炭化水素基である。)で示されるシロキサン単位および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなり、アルケニル基の含有量が少なくとも6重量%であるオルガノポリシロキサン 1〜20重量部、
(C)一分子中、ケイ素原子結合の水素原子を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン{(A)成分と(B)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合の水素原子が0.1〜10モルとなる量}、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進する量)
から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。 - さらに、(E)ヒドロシリル化反応抑制剤{(A)成分〜(C)成分の合計100重量部に対して0.01〜3重量部}を含有する、請求項1に記載の硬化性シリコーン組成物。
- さらに、(F)接着促進剤{(A)成分〜(C)成分の合計100重量部に対して0.01〜10重量部}を含有する、請求項1または2に記載の硬化性シリコーン組成物。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の硬化性シリコーン組成物を硬化してなる硬化物。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子が封止されている光半導体装置。
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