Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6915954B2 - 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6915954B2 - 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 - Google Patents

硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6915954B2
JP6915954B2 JP2018542501A JP2018542501A JP6915954B2 JP 6915954 B2 JP6915954 B2 JP 6915954B2 JP 2018542501 A JP2018542501 A JP 2018542501A JP 2018542501 A JP2018542501 A JP 2018542501A JP 6915954 B2 JP6915954 B2 JP 6915954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
sio
weight
component
curable silicone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018542501A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018062009A1 (ja
Inventor
昭人 林
昭人 林
智浩 飯村
智浩 飯村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Toray Co Ltd
Original Assignee
Dow Toray Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Toray Co Ltd filed Critical Dow Toray Co Ltd
Publication of JPWO2018062009A1 publication Critical patent/JPWO2018062009A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6915954B2 publication Critical patent/JP6915954B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/06Preparatory processes
    • C08G77/08Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8511Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および前記組成物を用いて作製した光半導体装置に関する。
ヒドロシリル化反応により硬化する硬化性シリコーン組成物は、硬化して、電気特性に優れる硬化物を形成することから、種々の用途に使用されている。この硬化性シリコーン組成物に、式:SiO4/2で示されるシロキサン単位を有するオルガノポリシロキサンを配合して、硬化物の硬さや強度をコントロールすることが知られている。
例えば、特許文献1には、式:RSiO1/2で示されるシロキサン単位および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなり、式中、Rは同じかまたは異なる一価炭化水素基、但し、一分子中の少なくとも1個のRはアルケニル基であり、式:SiO4/2で示されるシロキサン単位に対する式:RSiO1/2で示されるシロキサン単位の比が0.5〜1.5であり、アルケニル基の含有量が0.01〜22重量%であるオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合の水素原子を有するオルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなり、必要に応じて、一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンを有する硬化性シリコーン組成物は、急速に硬化して、高いグリーン強度を有する感圧接着剤になり、その後、ゆっくり硬化して高強度の永久接着剤になることが開示されている。
また、特許文献2には、一分子中に少なくとも2個のビニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサン、式:SiO4/2で示されるシロキサン単位、式:(CH=CH)R’SiO1/2で示されるシロキサン単位および式:R’SiO1/2で示されるシロキサン単位(式中、R’は脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基)からなるオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも1個のケイ素原子結合アルコキシ基および少なくとも2個のケイ素原子結合の水素原子を有するオルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物は、常温または低温硬化時には剥離性を有し、さらなる高温加熱により優れた接着性を発現する硬化物を形成することが開示されている。
また、特許文献3には、一分子中にアルケニル基を少なくとも2個有し、ジアリルシロキサン単位を含有する直鎖状オルガノポリシロキサン、式:R’SiO1/2(式中、R’は同じかまたは異なる脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基である。)で示されるシロキサン単位、式:R’R’’SiO1/2(式中、R’は前記と同じであり、R’’はアルケニル基である。)で示されるシロキサン単位、および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなり、重量平均分子量が異なる少なくとも2種のオルガノポリシロキサン、一分子中にケイ素原子結合水素原子を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物は、適度な硬さおよび強度を有する硬化物を形成することが開示されている。
しかし、特許文献1、2には、硬化性シリコーン組成物を硬化して得られる硬化物が熱エージングを受けた場合、重量減少による肉やせや、硬度変化、さらには、クラックが発生するという課題については無関心であり、硬化性シリコーン組成物を、発熱の大きい高輝度LEDの封止剤として用いると、LEDの信頼性が低下するという課題がある。また、特許文献3には、硬化性シリコーン組成物をLEDの封止剤として用いることが記載されているが、前記と同様、硬化物が熱エージングを受けた場合、重量減少による肉やせや、硬度変化、さらには、クラックが発生するという課題については無関心であり、このような硬化性シリコーン組成物を、発熱の大きい高輝度LEDの封止剤として用いると、LEDの信頼性が低下するという課題がある。
特開平10−121025号公報 特開平10−231428号公報 国際公開第2015/030262号パンフレット
本発明の目的は、熱エージング後の重量減少、硬度変化、およびクラックの発生が少ない硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、熱エージング後の重量減少、硬度変化、およびクラックの発生が少ない硬化物を提供することにあり、ひいては、信頼性の優れる光半導体装置を提供することにある。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、
(A)一分子中、ケイ素原子結合のアルケニル基を少なくとも2個有し、ケイ素原子結合の全有機基の少なくとも5モル%がアリール基である直鎖状オルガノポリシロキサン 100重量部、
(B)式:R SiO1/2(式中、Rは同じかまたは異なる一価炭化水素基である。)で示されるシロキサン単位および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなり、アルケニル基の含有量が少なくとも6重量%であるオルガノポリシロキサン 1〜100重量部、
(C)一分子中、ケイ素原子結合の水素原子を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン{(A)成分と(B)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合の水素原子が0.1〜10モルとなる量}、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進する量)
から少なくともなる。
本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。
さらに、本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子が封止されていることを特徴とする。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、熱エージング後の重量減少、硬度変化、およびクラックの発生が少ない硬化物を形成することを特徴とする。また、本発明の硬化物は、熱エージング後の重量減少、硬度変化、およびクラックの発生が少ないという特徴がある。さらに、本発明の光半導体装置は信頼性が優れるという特徴がある。
本発明の光半導体装置の一例であるLEDの断面図である。
はじめに、本発明の硬化性シリコーン組成物を詳細に説明する。
(A)成分は、一分子中、ケイ素原子結合のアルケニル基を少なくとも2個有する直鎖状オルガノポリシロキサンである。(A)成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数2〜12のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。このアルケニル基の結合するケイ素原子は限定されず、分子鎖末端のケイ素原子および/または分子鎖末端以外のケイ素原子が挙げられる。また、(A)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子結合の有機基としては、脂肪族不飽和結合を有さない炭素数1〜12の一価炭化水素基が例示され、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1〜12のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜12のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン置換の炭素数1〜12のアルキル基が例示される。但し、(A)成分はケイ素原子結合の全有機基の少なくとも5モル%がアリール基であり、好ましくは、少なくとも10モル%、あるいは少なくとも15モル%がアリール基である。これは、このようなアリール基含有量の(A)成分と下記(B)成分とを併用することにより、得られる硬化物の高温、例えば、250℃でのクラック耐性が優れるからである。
(A)成分の分子構造は実質的に直鎖状であるが、その分子鎖の一部が多少分岐していてもよい。このような(A)成分の25℃における粘度は限定されないが、好ましくは、100〜1,000,000mPa・sの範囲内、あるいは100〜100,000mPa・sの範囲内である。
このような(A)成分のオルガノポリシロキサンは、例えば、一般式:
SiO(R SiO)SiR
で表すことができる。式中、Rは同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1〜12のアルキル基;ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数2〜12のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜12のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン置換の炭素数1〜12のアルキル基が例示される。但し、式中、Rの少なくとも2個は前記アルケニル基であり、全Rの少なくとも5モル%は前記アリール基である。また、式中、nは1以上の整数であり、好ましくは、(A)成分の25℃における粘度が100〜1,000,000mPa・sの範囲内、あるいは100〜100,000mPa・sの範囲内となるような整数である。
このような(A)成分としては、例えば、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、およびこれらの2種以上の混合物が挙げられる。
(B)成分は、式:R SiO1/2で示されるシロキサン単位および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサンである。(B)成分中、式:SiO4/2で示されるシロキサン単位に対する式:R SiO1/2で示されるシロキサン単位の比は限定されないが、好ましくは、0.6〜1.8の範囲内、0.7〜1.7の範囲内、あるいは0.8〜1.6の範囲内である。式中、Rは同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、炭素数1〜12の一価炭化水素基が例示され、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基等の炭素数1〜12のアルキル基;ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数2〜12のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜12のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン置換の炭素数1〜12のアルキル基が例示され、好ましくは、メチル基、ビニル基、フェニル基である。但し、一分子中の少なくとも1個のRは前記アルケニル基である。また、(B)成分中のアルケニル基の含有量は少なくとも6重量%、好ましくは、少なくとも10重量%、少なくとも12重量%、少なくとも13重量%、少なくとも14重量%、あるいは少なくとも15重量%である。これは、このような高アルケニル基含有量の(B)成分と上記(A)成分とを併用することにより、得られる硬化物の高温、例えば、250℃での重量減少が改善されるからである。
このような(B)成分としては、式:(CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、式:(CH)(CH=CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン;式:(CH)(CH=CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン;式:(CH)(CH=CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン;式:(CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、式:(CH)(CH=CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン;式:(CH=CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン;式:(CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、式:(CH=CH)SiO1/2で示されるシロキサン単位、および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサンが例示され、このようなオルガノポリシロキサンを2種以上組み合わせてもよく、また、アルケニル基の含有量が小さいものとアルケニル基の含有量の大きいものとを2種以上組み合わせて、上記のアルケニル基の含有量となるオルガノポリシロキサンとしたものであってもよい。
(B)成分の含有量は、(A)成分100重量部に対して、1〜100重量部の範囲内となる量であり、好ましくは、1〜50重量部の範囲内、1〜20重量部の範囲内、あるいは1〜10重量部の範囲内となる量である。これは、(B)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物が適度な硬さを有し、表面タックが生じにくくなるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的特性が優れるからである。
(C)成分は、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合の水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。(C)成分中の水素原子の結合するケイ素原子は限定されず、例えば、分子鎖末端のケイ素原子および/またはそれ以外のケイ素原子が挙げられる。また、(C)成分中のケイ素原子結合の有機基としては、脂肪族不飽和結合を有さない炭素数1〜12の一価炭化水素基が例示され、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基等の炭素数1〜12のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜12のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン置換の炭素数1〜12のアルキル基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。
(C)成分の分子構造は特に限定されず、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、レジン状が挙げられ、好ましくは、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、レジン状である。また、(C)成分の25℃における粘度は限定されず、好ましくは、1〜10,000mPa・sの範囲内、あるいは1〜1,000mPa・sの範囲内である。
このような(C)成分としては、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)メチルシラン、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)フェニルシラン、1−グリシドキシプロピル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,5−ジグリシドキシプロピル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1−グリシドキシプロピル−5−トリメトキシシリルエチル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、トリメトキシシランの加水分解縮合物、(CH)HSiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる共重合体、(CH)HSiO1/2単位とSiO4/2単位と(C)SiO3/2単位とからなる共重合体、およびこられの2種以上の混合物が例示される。
(C)成分の含有量は、(A)成分中と(B)成分中のアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜10モルの範囲内となる量であり、好ましくは、0.5〜5モルの範囲内となる量である。これは、(C)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物が適度な硬さを有するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の硬化性が向上するからである。
(D)成分は本組成物の硬化を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、好ましくは、白金系触媒である。この白金系触媒としては、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体等の白金系化合物が例示される。
(D)成分の含有量は本組成物の硬化を促進する量であり、好ましくは、本組成物に対して、この触媒中の金属原子が重量単位で0.01〜1,000ppmの範囲内、0.01〜500ppmの範囲内、あるいは0.1〜100ppmの範囲内となる量である。これは、(D)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物が十分に硬化するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物の着色等の問題が生じにくくなるからである。
本組成物は、常温での可使時間を延長し、保存安定性を向上させるための任意の成分として、(E)ヒドロシリル化反応抑制剤を含んでもよい。このような(E)成分としては、1−エチニルシクロヘキサン−1−オール、2−メチル−3−ブチン−2−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール等のアルキンアルコール;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、および3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、および1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のメチルアルケニルシロキサンオリゴマー;ジメチルビス(3−メチル−1−ブチン−3−オキシ)シラン、およびメチルビニルビス(3−メチル−1−ブチン−3−オキシ)シラン等のアルキンオキシシラン、ならびにトリアリルイソシアヌレート系化合物が例示される。
(E)成分の含有量は限定されないが、好ましくは、上記(A)成分〜(C)成分の合計100重量部に対して0.01〜3重量部の範囲内、または、0.01〜1重量部の範囲内である。これは、(E)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、本組成物の適度な可使時間を有し、一方、上記範囲の上限以下であると、適度な作業性を有するからである。
また、本組成物は、硬化中に接触している基材への接着性を更に向上させるために、(F)接着促進剤を含んでもよい。このような(F)成分としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に1個または2個以上有する有機ケイ素化合物が好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、およびメトキシエトキシ基等が例示され、特に、メトキシ基またはエトキシ基が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、およびハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基;3−グリシドキシプロピル基、および4−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、および3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基;4−エポキシブチル基、および8−エポキシオクチル基等のエポキシアルキル基;3−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基;イソシアネート基;イソシアヌレート基;ならびに水素原子が例示される。
この有機ケイ素化合物は、本組成物中の脂肪族不飽和炭化水素基またはケイ素原子結合水素原子と反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケイ素原子結合脂肪族不飽和炭化水素基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。このケイ素化合物の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物;一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン化合物、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも1個有するシラン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン化合物との混合物が例示される。
(F)成分の含有量は限定されないが、好ましくは、上記(A)成分〜(C)成分の合計100重量部に対して0.01〜10重量部の範囲内、または、0.1〜3重量部の範囲内である。これは、(F)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、接着性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、保存安定性が良好であるからである。
また、本組成物には、得られる硬化物の熱エージングによるクラックをさらに抑制するため、セリウム含有オルガノポリシロキサンを含んでもよい。このセリウム含有オルガノポリシロキサンは、例えば、塩化セリウム、または2−エチルヘキサン酸セリウム、ナフテン酸セリウム、オレイン酸セリウム、ラウリン酸セリウム、ステアリン酸セリウム等のカルボン酸のセリウム塩と、分子鎖両末端がシラノール基で封鎖されたジオルガノポリシロキサンのカリウム塩、分子鎖両末端がシラノール基で封鎖されたジオルガノポリシロキサンのナトリウム塩、分子鎖片末端がシラノール基で封鎖され、一方の分子鎖片末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖されたジオルガノポリシロキサンのカリウム塩、および分子鎖片末端がシラノール基で封鎖され、一方の分子鎖片末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖されたジオルガノポリシロキサンのナトリウム塩等のシラノール基含有オルガノポリシロキサンのアルカリ金属塩との反応により調製することができる。
セリウム含有オルガノポリシロキサンの含有量は限定されないが、好ましくは、本組成物に対するセリウム原子が重量単位で10〜2,000ppmの範囲内となる量、20〜2,000ppmの範囲内となる量、20〜1,000ppmの範囲内となる量、あるいは、20〜500ppmの範囲内となる量である。これは、セリウム含有オルガノポリシロキサンの含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の耐熱性を向上することができ、一方、上記範囲の上限以下であると、光半導体デバイスに用いた場合の発光色度変化を少なくすることができるからである。
また、本組成物は、その他任意の成分として、蛍光体を含んでもよい。このような蛍光体としては、例えば、発光ダイオード(LED)に広く利用されている、酸化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、酸硫化物系蛍光体等からなる黄色、赤色、緑色、および青色発光蛍光体が挙げられる。酸化物系蛍光体としては、セリウムイオンを包含するイットリウム、アルミニウム、ガーネット系のYAG系緑色〜黄色発光蛍光体、セリウムイオンを包含するテルビウム、アルミニウム、ガーネット系のTAG系黄色発光蛍光体、および、セリウムやユーロピウムイオンを包含するシリケート系緑色〜黄色発光蛍光体が例示される。酸窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するケイ素、アルミニウム、酸素、窒素系のサイアロン系赤色〜緑色発光蛍光体が例示される。窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するカルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、ケイ素、窒素系のカズン系赤色発光蛍光体が例示される。硫化物系蛍光体としては、銅イオンやアルミニウムイオンを包含するZnS系緑色発色蛍光体が例示される。酸硫化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するYS系赤色発光蛍光体が例示される。これらの蛍光体を2種以上混合して用いてもよい。
蛍光体の平均粒子径は限定されないが、好ましくは、1〜50μmの範囲内、または、5〜20μmの範囲内である。これは、蛍光体の平均粒子径が上記範囲の下限以上であると、混合時の粘度上昇が抑えられ、一方、上記範囲の上限以下であると、光透過性が良好となるからである。
蛍光体の含有量は限定されないが、本組成物の0.1〜70重量%の範囲内であることが好ましく、取り扱い作業性を考慮すると70重量%以下であることが好ましく、白色への光変換性を考慮すると5重量%以上であることが好ましい。
このような本組成物は、流動性、充填性が優れ、その用途により、その粘度は限定されないが、一般的には、25℃において100〜500,000mPa・sの範囲内であることが好ましく、特に、100〜100,000mPa・sの範囲内であることが好ましい。
次に、本発明の硬化物について詳細に説明する。
本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。硬化物の形状は特に限定されず、例えば、シート状、フィルム状が挙げられる。硬化物は、これを単体で取り扱うこともできるが、光半導体素子等を被覆もしくは封止した状態で取り扱うことも可能である。
次に、本発明の光半導体装置について詳細に説明する。
本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。このような本発明の光半導体装置としては、発光ダイオード(LED)、フォトカプラー、CCDが例示される。また、光半導体素子としては、発光ダイオード(LED)チップ、固体撮像素子が例示される。
本発明の光半導体装置の一例であるLEDの断面図を図1に示した。図1で示されるLEDは、光半導体素子1がリードフレーム2上にダイボンドされ、この光半導体素子1とリードフレーム3とがボンディングワイヤ4によりワイヤボンディングされている。また、この光半導体素子1の周囲には枠材5が設けられており、この枠材5の内側の光半導体素子1が、本発明の硬化性シリコーン組成物の硬化物6により封止されている。
図1で示されるLEDを製造する方法としては、光半導体素子1をリードフレーム2にダイボンドし、この光半導体素子1とリードフレーム3とを金製のボンディングワイヤ4によりワイヤボンドし、次いで、光半導体素子1の周囲に設けられた枠材5の内側に本発明の硬化性シリコーン組成物を充填した後、50〜200℃で加熱することにより硬化させる方法が例示される。
本発明の硬化性シリコーン組成物、硬化物、および光半導体装置を実施例・比較例により詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は25℃における値であり、式中、Me、Vi、およびPhは、それぞれメチル基、ビニル基、およびフェニル基を示す。また、硬化性シリコーン組成物の硬化物の特性を次のようにして測定した。
[硬化性シリコーン組成物および各成分の粘度]
硬化性シリコーン組成物および各成分の25℃における粘度(mPa・s)を、JIS K7117−1に準拠した回転粘度計により測定した。
[硬化性シリコーン組成物の屈折率]
硬化前の硬化性シリコーン組成物の25℃における屈折率をアッベ式屈折率計により測定した。なお、測定には589nmの光源を用いた。
[硬化物の硬さ]
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物の硬さをJIS K 6253に規定のタイプAデュロメータにより測定した。
[硬化物の重量減少]
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより、厚さ2mmの硬化物を作製した。この硬化物を250℃の熱風循環式オーブン中で10時間エージングしたときのエージング前後における硬化物の重量の変化率を求め、以下のように評価した。
○:硬化物の重量の変化率が5%未満
×:硬化物の重量の変化率が5%以上
[硬化物の硬度変化]
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物を250℃の熱風循環式オーブン中で250時間エージングしたときのエージング前後における硬度の変化率を求め、以下のように評価した。
○:硬度の変化率が150%以上
×:硬度の変化率が150%未満
[クラック耐性]
硬化性シリコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で1時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物を250℃の熱風循環式オーブン中でエージングしたときの外観を観察し、以下のように評価した。
○:2000時間以上クラックが生じない。
△:500時間以上2000時間未満でクラックが生じる。
×:500時間未満でクラックが生じる。
[実施例1〜13、比較例1〜5]
下記の成分を用いて、表1〜3に示した組成(重量部)で硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、表1〜3中、SiH/Viは、(A)成分中と(B)成分中のビニル基の合計1モルに対する、(C)成分中のケイ素原子結合水素原子のモル数を示す。また、表1〜3において、(D−1)成分の含有量は、硬化性シリコーン組成物に対して、重量単位における、白金金属の含有量(ppm)で示した。
(A)成分として、次の成分を用いた。
(A−1)成分:粘度が13,000mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)200(PhSiO)50SiMeVi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=19.8モル%)
(A−2)成分:粘度が2,500mPa・sである、式:
ViMeSiO(MePhSiO)20SiMeVi
で表されるメチルフェニルポリシロキサン(フェニル基の含有量=43.5モル%)
(A−3)成分:粘度が2,100mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)310SiMeVi
で表されるジメチルポリシロキサン
(A−4)成分:粘度が8,300mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)260(PhSiO)40SiMeVi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=13.2モル%)
(A−5)成分:粘度が6,200mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)210(PhSiO)40SiMeVi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=15.8モル%)
(A−6)成分:粘度が17,000mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)190(PhSiO)60SiMeVi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=23.7モル%)
(A−7)成分:粘度が900mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)140(PhSiO)10SiMeVi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=6.5モル%)
(A−8)成分:粘度が1,800mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)130(PhSiO)20SiMeVi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=13.1モル%)
(A−9)成分:粘度が14000mPa・sである、式:
ViMeSiO(MeSiO)60(PhSiO)30SiMeVi
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体(フェニル基の含有量=32.3モル%)
(B)成分として、次の成分を単独もしくは混合して用いた。
(B−1)成分:平均単位式:
(MeViSiO1/2)0.55(MeSiO1/2)0.05(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=18.7重量%)
(B−2)成分:平均単位式
(MeViSiO1/2)0.10(MeSiO1/2)0.40(SiO4/2)0.50
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有=3.8重量%)
(B−3)成分:平均単位式
(MeViSiO1/2)0.15(MeSiO1/2)0.45(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサンレジン(ビニル基の含有=5.4重量%)
(B−4)成分:平均単位式:
(MeViSiO1/2)0.60(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=20.3重量%)
(B−5)成分:平均単位式:
(MeViSiO1/2)0.35(MeSiO1/2)0.25(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=12.3重量%)
(C)成分として、次の成分を用いた。
(C−1)成分:粘度が20mPa・sである、平均単位式:
(MeHSiO1/2)0.60(SiO4/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン
(C−2)成分:粘度が30mPa・sである、平均単位式:
(MeHSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン
(D)成分として、次の成分を用いた。
(D−1)成分:白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液(白金金属を0.1重量%含有する溶液)
(E)成分として、次の成分を用いた。
(E−1)成分:1−エチニルシクロヘキサン−1−オール
(F)成分として、次の成分を用いた。
(F−1)成分:粘度が30mPa・sである分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの縮合反応物からなる接着付与剤
Figure 0006915954
Figure 0006915954
Figure 0006915954
本発明の硬化性シリコーン組成物は、熱エージング後の重量減少、硬度変化、およびクラックの発生が少ない硬化物を形成するので、各種電気・電子部品の封止剤、被覆剤、または接着剤として有用であり、特に、光半導体装置における光半導体素子の封止剤、被覆剤、または接着剤として有用である。
1 光半導体素子
2 リードフレーム
3 リードフレーム
4 ボンディングワイヤ
5 枠材
6 硬化性シリコーン組成物の硬化物

Claims (5)

  1. (A)一分子中、ケイ素原子結合のアルケニル基を少なくとも2個有し、ケイ素原子結合の全有機基の少なくとも5モル%がアリール基である直鎖状オルガノポリシロキサン 100重量部、
    (B)式:R SiO1/2(式中、Rは同じかまたは異なる一価炭化水素基である。)で示されるシロキサン単位および式:SiO4/2で示されるシロキサン単位からなり、アルケニル基の含有量が少なくとも6重量%であるオルガノポリシロキサン 1〜20重量部、
    (C)一分子中、ケイ素原子結合の水素原子を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン{(A)成分と(B)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合の水素原子が0.1〜10モルとなる量}、および
    (D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進する量)
    から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。
  2. さらに、(E)ヒドロシリル化反応抑制剤{(A)成分〜(C)成分の合計100重量部に対して0.01〜3重量部}を含有する、請求項1に記載の硬化性シリコーン組成物。
  3. さらに、(F)接着促進剤{(A)成分〜(C)成分の合計100重量部に対して0.01〜10重量部}を含有する、請求項1または2に記載の硬化性シリコーン組成物。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の硬化性シリコーン組成物を硬化してなる硬化物。
  5. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子が封止されている光半導体装置。
JP2018542501A 2016-09-29 2017-09-22 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 Active JP6915954B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016192323 2016-09-29
JP2016192323 2016-09-29
PCT/JP2017/034199 WO2018062009A1 (ja) 2016-09-29 2017-09-22 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018062009A1 JPWO2018062009A1 (ja) 2019-07-11
JP6915954B2 true JP6915954B2 (ja) 2021-08-11

Family

ID=61762696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018542501A Active JP6915954B2 (ja) 2016-09-29 2017-09-22 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11248091B2 (ja)
EP (1) EP3521373B1 (ja)
JP (1) JP6915954B2 (ja)
KR (1) KR102455665B1 (ja)
CN (1) CN109890899B (ja)
TW (1) TWI762515B (ja)
WO (1) WO2018062009A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7256700B2 (ja) * 2019-06-18 2023-04-12 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーンコーティング組成物、シリコーン硬化物及び光半導体装置
JP7401247B2 (ja) * 2019-10-08 2023-12-19 信越化学工業株式会社 硬化性組成物、その硬化物、及び半導体装置
JP7475135B2 (ja) * 2019-12-25 2024-04-26 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性白色シリコーン組成物、光半導体装置用反射材、および光半導体装置
CN115052742A (zh) * 2019-12-27 2022-09-13 陶氏东丽株式会社 层叠体以及由该层叠体构成的电子零件
JP7282712B2 (ja) * 2020-04-08 2023-05-29 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び光半導体装置
JP7673941B2 (ja) * 2020-07-20 2025-05-09 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
JP7556522B2 (ja) * 2020-08-14 2024-09-26 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、および光半導体装置
JP2022042170A (ja) * 2020-09-02 2022-03-14 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 熱硬化性シリコーン組成物
TW202229460A (zh) * 2020-10-29 2022-08-01 日商陶氏東麗股份有限公司 固化性氟矽氧組成物
US20240150526A1 (en) * 2021-03-05 2024-05-09 Dow Toray Co., Ltd. Co-modified organopolysiloxane and curable organopolysiloxane composition including same
WO2022202499A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 ダウ・東レ株式会社 紫外線硬化性組成物およびその用途
JP7548861B2 (ja) * 2021-04-05 2024-09-10 信越化学工業株式会社 高耐湿性シリコーン樹脂接着剤組成物
JP2023132309A (ja) 2022-03-10 2023-09-22 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物
JP2023132308A (ja) 2022-03-10 2023-09-22 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61197448A (ja) * 1985-02-22 1986-09-01 Toray Silicone Co Ltd 光通信ガラスフアイバ用被覆剤
TW334469B (en) * 1995-08-04 1998-06-21 Doconitele Silicon Kk Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices
US5696210A (en) 1996-10-09 1997-12-09 Dow Corning Corporation Flowable adhesive
JP3983333B2 (ja) 1997-02-20 2007-09-26 信越化学工業株式会社 付加反応硬化型オルガノポリシロキサン組成物
CN101432331A (zh) * 2006-04-26 2009-05-13 积水化学工业株式会社 光半导体用热固化性组合物、光半导体元件用固晶材料、光半导体元件用底填材料、光半导体元件用密封剂及光半导体元件
JP4933179B2 (ja) * 2006-07-14 2012-05-16 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物
JP5148088B2 (ja) * 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5667740B2 (ja) * 2008-06-18 2015-02-12 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP2010109034A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物及び発光ダイオード素子
WO2011083879A1 (en) 2010-01-07 2011-07-14 Dow Corning Toray Co., Ltd. Cured organopolysiloxane resin film having gas barrier properties and method of producing the same
JP5893874B2 (ja) * 2011-09-02 2016-03-23 信越化学工業株式会社 光半導体装置
TWI551653B (zh) 2011-11-25 2016-10-01 Lg化學股份有限公司 可固化之組成物
US9902811B2 (en) 2013-02-22 2018-02-27 Dow Corning Toray Co. Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
JP2014189789A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用硬化性組成物及びそれを用いた光半導体装置
WO2015030262A1 (en) * 2013-08-28 2015-03-05 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
KR101701142B1 (ko) * 2013-09-03 2017-02-01 다우 코닝 코포레이션 실리콘 봉지재용 첨가제
WO2015053412A1 (ja) * 2013-10-11 2015-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
CN105940040B (zh) 2014-01-28 2019-04-02 株式会社Lg化学 固化产物
JP6258048B2 (ja) 2014-01-28 2018-01-10 信越化学工業株式会社 有機変性シリコーン樹脂組成物
CN105482429B (zh) * 2014-10-01 2019-04-30 信越化学工业株式会社 光半导体密封用固化性组合物及使用此组合物的光半导体装置
JP6586555B2 (ja) * 2014-12-26 2019-10-09 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、それからなる半導体用封止剤および半導体装置
WO2017030126A1 (ja) * 2015-08-17 2017-02-23 積水化学工業株式会社 半導体装置及び半導体素子保護用材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP3521373B1 (en) 2024-01-31
EP3521373A1 (en) 2019-08-07
KR20190075058A (ko) 2019-06-28
JPWO2018062009A1 (ja) 2019-07-11
EP3521373A4 (en) 2020-06-03
US20190315926A1 (en) 2019-10-17
US11248091B2 (en) 2022-02-15
CN109890899B (zh) 2021-10-26
WO2018062009A1 (ja) 2018-04-05
TW201817821A (zh) 2018-05-16
KR102455665B1 (ko) 2022-10-19
TWI762515B (zh) 2022-05-01
CN109890899A (zh) 2019-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6915954B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6785553B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6473440B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
KR102419245B1 (ko) 경화성 실리콘 조성물, 경화성 핫 멜트 실리콘, 및 광 디바이스
JP6084808B2 (ja) オルガノポリシロキサン、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2016534162A (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2022104216A (ja) 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
KR102688265B1 (ko) 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 장치
US20200385579A1 (en) Curable silicone composition and optical semiconductor device
TW201829629A (zh) 硬化性聚矽氧組成物及使用其之光半導體裝置
US20200385580A1 (en) Curable silicone composition and optical semiconductor device
TWI829640B (zh) 可固化聚矽氧組合物及光學半導體裝置
JP2023132309A (ja) 硬化性シリコーン組成物
WO2019078046A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置
JP2015209491A (ja) 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200908

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210616

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210624

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210714

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6915954

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250