JP6916769B2 - Oled用途向けの白金(ii)エミッター - Google Patents
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Description
II)エミッターから作製されたOLEDは、それに関連して効率が低かった。過去十年間に、発光量子変換効率が改善されたため、白金(II)エミッターによって51.8cd/Aという最大デバイス効率が実現された[非特許文献1(Appl.Phys.Lett.91,063508(2007))]。しかし、こうしたデバイスの効率は、明度が満足できる作業明度(およそ1,000cdm−2)まで増大した場合、最大値の50%未満まで低下してしまう。こうしたことは、OLED用途にとってよいことではない
造した[非特許文献4(Chem.Commun.2012,48,3854−3856)]。しかし、このエミッターから作製されたデバイスは、50%を超える深刻な効率ロールオフを示す。このことは、非平面の基(一つまたは複数)を付加すると、ロールオフを減少させうる場合があることを示す。
本発明において、我々は、発光量子変換効率が高く、自己消光定数の小さい、新しい配位子核を有する白金(II)エミッターを設計している。それらは、工業において使用する準備ができている。
またB、および、
本明細書に開示されている内容を理解しやすくするため、本明細書で使用される幾つも
の用語、略号または他の省略表現を以下に定義しておく。定義されていない用語、略号または省略表現はいずれも、本出願の提出の際に当業者が使用している通常の意味を持つと理解される。
素原子がなければならない。二つの異なる自己消光低減基は、特定の位置で特定の方法で結合している。
一つの実施形態では、白金(II)エミッターは、以下の構造Iの化学構造を有する。
さらにB、および、
一つの実施形態では、構造Iの化学構造を有する白金(II)エミッターは、以下の構造IIの化学構造を有する四座配位子から製造できる。
またB、および
、中間体3300が、反応4300によって中間体3200から生じる。反応4400によって、中間体3300は中間体3400に変換される。
エミッターを工業において使用するためには、満たすべき多くの基準があり、本発明のエミッターが満たしている基準を以下に示す。
このことは、B基、と、
デバイスは、最大効率が20%より大きい(外部量子収率)。
マグネシウム(3.3g、137mmol、1.2当量)と40mLの無水ジエチルエーテルとの溶液に、窒素雰囲気下において、滴下漏斗で原料511(41.5mL、137mmol、1.2当量)をゆっくり加えた。環流させながら3時間撹拌した後、中間体3101が形成され、それを更なる精製を行わずに使用した。
(q, J = 8.8 Hz, J = 7.9 Hz, 2H), 8.22 (t, J = 1.8 Hz, 1H), 8.72 (d, J = 5.1 Hz,
1H).
7.00 (d, J = 7.9Hz, 1H), 7.13 (t, J = 5
.2, 1H), 7.48 - 7.21 (m, 8H), 7.56 (d, J
= 7.6 Hz, 2H), 7.70 (s, 1H), 7.78 (t, J
= 7.4 Hz, 3H), 8.59 (d, J = 4.1 Hz, 1H).
(m, 3H), 7.47 - 7.42 (m, 3H), 7.56 (t, J
= 7.8 Hz, 4H), 7.68 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 7.99 - 7.93 (m, 3H), 8.21 (t, J = 6.7
Hz, 2H), 8.60 (d, J = 4.6 Hz, 1H), 8.68 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 8.87 (d, J = 5.8 Hz, 2H).
0 (m, 4H), 7.63 (d, J = 15.5 Hz, 1H), 7.99 - 7.94 (m, 2H), 12.87 (s, 1H).
1H, H21), 7.17 (d, J = 8.0 Hz, 1H, H20), 7.32 (t, J = 7.0 Hz, 3H, H4, H27), 7.39 (q, J = 11.3 Hz, J = 7.9 Hz, 3H, H16, H23, H25), 7.44 (s, 2H, H31), 7.48, (t, J = 7.8 Hz, 1H, H22), 7.56 (s, 2H, H10, H33), 7.73 (d, J = 7.6 Hz, 3H, H26, H13), 7.80 (d, J = 7.6 Hz, 2H, H25), 7.88 (q, J = 8.1 Hz, J = 7.1 Hz, 2H, H6, H17), 7.96 (s, 1H, H8), 8.70 (s, 1H, H23), 14.63 (s, 1H, −OH).
−CH3), 6.36 (d, J = 7.9 Hz, 1H, H15), 6.78 (t, J = 6.9 Hz, 1H, H5), 6.85 (t, J = 7.7 Hz, 1H, H16), 6.92 (d, J = 8.3 Hz,
1H, H20), 7.28 - 7.30 (m, 3H, H3, H26),
7.38 - 7.45 (m, 4H, H4, H22, H27), 7.60
- 7.64 (m, 3H, H17, H21, H33), 7.65 (s,
2H, H31), 7.84 (d, J = 7.6 Hz, 2H, H28), 7.89 (s, 1H, H10), 8.02 (d, J = 7.5 Hz, 1H, H6), 8.09 (d, J = 7.7 Hz, 2H, H25), 8.21 (s, 1H, H8), 10.40 (s, 1H, H23). 13C NMR (150 MHz, CDCl3) 165.13, 164.54, 160.97, 153.30, 152.00, 151.79, 150.74, 150.44, 145.50, 140.64, 139.96, 139.01, 137.97, 137.88, 131.42, 130.38, 128.50, 128.20, 126.62, 126.27, 125.05, 123.84, 123.80, 123.48, 122.95, 122.80, 122.69, 121.45, 120.47, 118.80, 114.84, 113.52. MS (FAB): 867.29[M+]. C49H42N2OPtの計算値:
C 67.65, H 4.87, N 3.22. 実測値: C 67.07, H 4.99, N 3.06.
t, J = 7.9 Hz, 1H), 7.13 (d, J = 8.1 Hz,
2H) 7.18 - 7.22 (m, 3H), 7.31 (d, J = 7
.2 Hz, 1H), 7.42 (t, J = 5.86 Hz, 1H), 8.56 (d, J = 4.7 Hz, 1H).
6.83 (d, J = 7.6Hz, 1H), 6.97 - 7.01(m,
4H), 7.12 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 7.15 (d,
J = 8.0Hz, 2H), 7.23 - 7.28 (m, 3H), 7.
34 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 7.67 (s, 1H), 7.8 (d, J = 4.8 Hz, 1H) 8.6 (d, J = 4.1 Hz, 1H).
−CH3), 6.85 - 7.01 (m, 7H), 7.03 - 7.09 (m, 4H), 7.17 - 7.23 (m, 4H), 7.35 − 7.4
0 (m, 3H), 7.48 - 7.54 (m, 3H), 7.60 (s,
1H), 7.83 (q, J = 6.8 Hz, J = 8.0 Hz, 2H), 7.94 (s, 1H), 8.53 (d, J = 3.9 Hz, 1H) 14.21 (s, 1H, −OH).
(m, 10H), 1.08 - 1.17 (m, 4H), 2.02 - 2.10 (m, 4H), 6.70 - 6.73 (m, 2H), 6.81 - 6.85 (m, 2H), 6.96 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 7.16 - 7.32 (m, 8H), 7.51 (t, J = 7.5 Hz,
2H), 7.56 (d, J = 7.7 Hz, 1H), 7.67 (t, J = 6.7 Hz, 1H), 7.83 (d, J = 7.7 Hz, 1h), 10.73 (s, 1H).
構造を図2に示すが、それは、エミッターが平面構造ではないことを示している。単結晶のX線回折データを、300mmのイメージングプレート検出器(image plate detector)を有するMAR PSD回折計またはBruker X8 Proteum回折計で集めた。回折像を作成し、回折強度はDENZOプログラムを用いて積分し、結晶構造はSHELXS−97プログラムを用いた直接法で解明した。
エミッター1002の紫外可視吸収・発光スペクトルを図3に示す。
OLEDはすべて、ITO/MoO3(5nm)/HTL(50nm)/TCTA:エミッター1002(10nm)/ETL(50nm)/LiF(1.2nm)/Al(150nm)という簡単な構造のものを製造した。TAPC(ジ−[4−(N,N−ジトリル−アミノ)−フェニル]シクロヘキサン)を正孔輸送層(HTL)として使用し、TmPyPB(1,3,5−tri(m−ピリド−3−イル−フェニル))またはTm3PyBPZ(2,4,6−トリス(3−(3−(ピリジン−3−イル)フェニル)フェニル)−1,3,5−トリアジン)を電子伝達層(ETL)として使用した。
エミッター1002のOLEDの効率が高く、効率ロールオフが低いことを説明するた
め、理論計算およびフェトム秒時間分解蛍光測定を実施した。エミッター1002の三重項励起状態の形状に基づいたM062X/6−311G*(lanl2dz)レベルでのTDDFT計算では、発光波長が512nmである。これは、実験データ(517nm)と一致する。予想されるように、エミッター1002の場合、T1状態とS0状態との間の形状の相違は非常に小さい。これは、T1からS0への非放射減衰率定数(knr)が非常にゆっくりであることを意味する。エミッター1002の調光器の最適化形状を図9に示す。計算した形状パラメータは、X線結晶構造解析データとよく一致している。Pt−Pt間の距離は4.616Åであり、Pt−Pt間の相互作用は生じていない。
HOMOおよびLUMOは主にO^N^C^N配位子に局在化している(図10を参照)。発光は主にHOMO−1→LUMO+1からのものであり(81.4%)、これは主として配位子の置換基のπ−π*遷移に起因する。
Claims (8)
- 構造I:
[式中、R1〜R13は独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、非置換アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、非置換アリール、置換アリール、アシル、アルコキシ、アシルオキシ、アミノ、ニトロ、アシルアミノ、アラルキル、シアノ、カルボキシル、チオ、スチリル、アミノカルボニル、カルバモイル、アリールオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、またはアルコキシカルボニル基であり、R1〜R13のうちの隣接したR基の各ペアは独立して、構造Iに示されたフェニル環(一つまたは複数)中の二個または四個の炭素原子と一緒になって五〜八員環(一つまたは複数)を形成することができ、
ここで、Bが、1〜24個の炭素原子を含む炭化水素基、または、置換アリール基であり、
が、
である、
〔式中、R14〜R21は独立的に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、非置換アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、非置換アリール、置換アリール、アシル、アルコキシ、アシルオキシ、アミノ、ニトロ、アシルアミノ、アラルキル、シアノ、カルボキシル、チオ、スチリル、アミノカルボニル、カルバモイル、アリールオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、または、アルコキシカルボニル基であって、R14〜R21のうちの隣接したR基の各ペアは独立して、フェニル環(一つまたは複数)中の二個または四個の炭素原子と一緒になって五〜八員環(一つまたは複数)を形成することができる〕、若しくは、
が、
である、
〔式中、Xは、炭素、窒素、酸素、硫黄、リン、またはケイ素であり、R14〜R21は独立的に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、非置換アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、非置換アリール、置換アリール、アシル、アルコキシ、アシルオキシ、アミノ、ニトロ、アシルアミノ、アラルキル、シアノ、カルボキシル、チオ、スチリル、アミノカルボニル、カルバモイル、アリールオキシカルボニル、フェノキシカルボニル、または、アルコキシカルボニル基であって、R14〜R21のうちの隣接したR基の各ペアは独立して、フェニル環(一つまたは複数)中の二個または四個の炭素原子と一緒になって五〜八員環(一つまたは複数)を形成することができる〕]
の化学構造を有し、
以下のエミッター101〜エミッター128:
を除く、有機発光ダイオード(OLED)エミッター。 - 前記R1〜R13が独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、1〜10個の炭素原子を含む非置換アルキル、1〜20個の炭素原子を含む置換アルキル、4〜20個の炭素原子を含むシクロアルキル、6〜20個の炭素原子を含む非置換アリール、6〜20個の炭素原子を含む置換アリール、1〜20個の炭素原子を含むアシル、1〜20個の炭素原子を含むアルコキシ、1〜20個の炭素原子を含むアシルオキシ、アミノ、ニトロ、1〜20個の炭素原子を含むアシルアミノ、1〜20個の炭素原子を含むアラルキル、シアノ、1〜20個の炭素原子を含むカルボキシル、チオール、スチリル、1〜20個の炭素原子を含むアミノカルボニル、1〜20個の炭素原子を含むカルバモイル、1〜20個の炭素原子を含むアリールオキシカルボニル、1〜20個の炭素原子を含むフェノキシカルボニル、または1〜20個の炭素原子を含むアルコキシカルボニル基である、請求項1に記載のOLEDエミッター。
- R14〜R21が独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、1〜10個の炭素原子を含む非置換アルキル、1〜20個の炭素原子を含む置換アルキル、4〜20個の炭素原子を含むシクロアルキル、6〜20個の炭素原子を含む非置換アリール、6〜20個の炭素原子を含む置換アリール、1〜20個の炭素原子を含むアシル、1〜20個の炭素原子を含むアルコキシ、1〜20個の炭素原子を含むアシルオキシ、アミノ、ニトロ、1〜20個の炭素原子を含むアシルアミノ、1〜20個の炭素原子を含むアラルキル、シアノ、1〜20個の炭素原子を含むカルボキシル、チオール、スチリル、1〜20個の炭素原子を含むアミノカルボニル、1〜20個の炭素原子を含むカルバモイル、1〜20個の炭素原子を含むアリールオキシカルボニル、1〜20個の炭素原子を含むフェノキシカルボニル、または1〜20個の炭素原子を含むアルコキシカルボニル基である、請求項1に記載のOLEDエミッター。
- 発光材料として請求項1に記載の少なくとも一種のOLEDエミッターを含む、発光デバイス。
- 前記デバイスが有機発光ダイオード(OLED)である、請求項5に記載の発光デバイス。
- 前記デバイスが一つの放射層を含む、請求項5に記載の発光デバイス。
- ジ−[4−(N,N−ジトリル−アミノ)−フェニル]シクロヘキサンを正孔輸送層とし、1,3,5−トリ(m−ピリド−3−イル−フェニル)または2,4,6−トリス(3−(3−(ピリジン−3−イル)フェニル)フェニル)−1,3,5−トリアジンを電子伝達層として含み、1000cd/m−2での効率ロールオフが10%未満である、請求項5に記載の発光デバイス。
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