JP6918461B2 - Vacuum drying system and vacuum drying method - Google Patents
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Description
本発明は、減圧乾燥システム、および減圧乾燥方法に関する。 The present invention relates to a vacuum drying system and a vacuum drying method.
従来、有機EL(Electroluminescence)の発光を利用した発光ダイオードである有機発光ダイオード(OLED:Organic Light Emitting Diode)が知られている。有機発光ダイオードを用いた有機ELディスプレイは、薄型軽量かつ低消費電力であるうえ、応答速度や視野角、コントラスト比の面で優れているといった利点を有している。このため、次世代のフラットパネルディスプレイ(FPD)として近年注目されている。 Conventionally, an organic light emitting diode (OLED), which is a light emitting diode utilizing light emission of organic EL (Electroluminescence), is known. An organic EL display using an organic light emitting diode has advantages such as thinness, light weight, low power consumption, and excellent response speed, viewing angle, and contrast ratio. For this reason, it has been attracting attention in recent years as a next-generation flat panel display (FPD).
有機発光ダイオードは、基板上に形成される陽極と、陽極を基準として基板とは反対側に設けられる陰極と、陽極と陰極の間に設けられる有機層とを有する。有機層は、例えば陽極側から陰極側に向けて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層をこの順で有する。 The organic light emitting diode has an anode formed on the substrate, a cathode provided on the side opposite to the substrate with reference to the anode, and an organic layer provided between the anode and the cathode. The organic layer has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the anode side to the cathode side.
正孔注入層や正孔輸送層、発光層などの形成には、インクジェット方式の塗布装置が用いられる。塗布装置は、有機材料および溶剤を含む塗布液を基板上に塗布することで、塗布層を形成する。その塗布層を減圧乾燥、焼成することで、正孔注入層などが形成される(例えば特許文献1参照)。 An inkjet coating device is used to form a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like. The coating apparatus forms a coating layer by coating a coating liquid containing an organic material and a solvent on the substrate. The coating layer is dried under reduced pressure and fired to form a hole injection layer or the like (see, for example, Patent Document 1).
図1は、従来例による減圧乾燥装置の、処理容器の内部の気圧の時間変化を示す図である。時刻t0で減圧を開始すると、処理容器の内部の気圧は大気圧から急激に低下し、その後、時刻t1から時刻t2まで略一定になる。時刻t1から時刻t2までの間に、塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発する。その後、処理容器の内部の気圧が徐々に低下し、時刻t3から略一定になる。時刻t3までの間に、塗布層の輪郭がほぼ整えられる。続いて、長時間の間、処理容器の内部の気圧が低く維持され、塗布層に残留する溶剤が徐々に蒸発する。減圧開始からの経過時間が設定時間に達した時刻t4から、時刻t5にかけて、処理容器の内部の気圧が大気圧に戻される。 FIG. 1 is a diagram showing a time change of the atmospheric pressure inside the processing container of the vacuum drying device according to the conventional example. When the depressurization is started at time t0, the pressure inside the processing container drops sharply from the atmospheric pressure, and then becomes substantially constant from time t1 to time t2. Between time t1 and time t2, most of the solvent contained in the coating layer evaporates. After that, the air pressure inside the processing container gradually decreases and becomes substantially constant from time t3. By time t3, the contour of the coating layer is almost adjusted. Subsequently, the air pressure inside the processing container is kept low for a long time, and the solvent remaining in the coating layer gradually evaporates. From the time t4 when the elapsed time from the start of depressurization reaches the set time to the time t5, the pressure inside the processing container is returned to the atmospheric pressure.
従来、減圧乾燥の処理時間が長く、減圧乾燥が製造ラインのボトルネックになっていた。 Conventionally, the processing time for vacuum drying is long, and vacuum drying has been a bottleneck in the production line.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、スループットを向上できる、減圧乾燥システムの提供を主な目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to provide a vacuum drying system capable of improving throughput.
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、基板に形成された有機材料および溶剤を含む塗布層から前記溶剤を蒸発させる第1減圧乾燥装置と、
前記第1減圧乾燥装置とは別に設けられ、前記第1減圧乾燥装置による前記溶剤の蒸発後に前記塗布層に残留する前記溶剤を、気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、蒸発させる第2減圧乾燥装置と、
前記第1減圧乾燥装置から前記第2減圧乾燥装置に前記基板を搬送する搬送部と、
前記第1減圧乾燥装置と前記第2減圧乾燥装置と前記搬送部とを制御する制御装置と、を備え、
前記第1減圧乾燥装置は、前記塗布層が形成された前記基板を収容する第1処理容器と、前記第1処理容器の内部で前記基板を保持する第1基板保持部と、前記第1処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第1減圧機構とを有し、
前記第2減圧乾燥装置は、前記搬送部によって前記第1減圧乾燥装置から搬送される前記基板を収容する第2処理容器と、前記第2処理容器の内部で前記基板を保持する第2基板保持部と、前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第2減圧機構とを有し、
前記第2基板保持部は、前記基板が載置される基板載置部を鉛直方向に間隔をおいて複数有するカセットであり、
前記カセットは、前記第2処理容器の内部に配置され、
前記制御装置は、前記第2減圧機構によって前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧した状態で、前記搬送部によって前記第2処理容器に対し前記基板を搬入出する、減圧乾燥システムが提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
A first vacuum drying device that evaporates the solvent from a coating layer containing an organic material and a solvent formed on a substrate in a reduced pressure atmosphere where the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure.
A second vacuum drying device, which is provided separately from the first vacuum drying device, evaporates the solvent remaining in the coating layer after the solvent is evaporated by the first vacuum drying device in a reduced pressure atmosphere in which the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure. Decompression drying device and
A transport unit that transports the substrate from the first decompression drying device to the second decompression drying device, and
A control device for controlling the first decompression drying device, the second decompression drying device, and the transport unit is provided.
The first decompression drying device includes a first processing container for accommodating the substrate on which the coating layer is formed, a first substrate holding portion for holding the substrate inside the first processing container, and the first treatment. It has a first decompression mechanism that decompresses the inside of the container to a pressure lower than atmospheric pressure.
The second decompression drying device holds a second processing container for accommodating the substrate conveyed from the first decompression drying device by the transport unit and a second substrate holding for holding the substrate inside the second processing container. It has a part and a second decompression mechanism that decompresses the inside of the second processing container to a pressure lower than the atmospheric pressure.
The second substrate holding portion is a cassette having a plurality of substrate mounting portions on which the substrate is mounted at intervals in the vertical direction.
The cassette is arranged inside the second processing container .
In the control device, the inside of the second processing container is decompressed to a pressure lower than the atmospheric pressure by the second decompression mechanism, and the substrate is carried in and out of the second processing container by the transport unit. A drying system is provided.
本発明の一態様によれば、スループットを向上できる、減圧乾燥システムが提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a vacuum drying system capable of improving throughput.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding configurations are designated by the same or corresponding reference numerals and the description thereof will be omitted.
<有機ELディスプレイ>
図2は、一実施形態による有機ELディスプレイを示す平面図である。図2において、一の単位回路11の回路を拡大して示す。
<Organic EL display>
FIG. 2 is a plan view showing an organic EL display according to an embodiment. In FIG. 2, the circuit of one
有機ELディスプレイは、基板10と、基板10上に配列される複数の単位回路11と、基板10上に設けられる走査線駆動回路14と、基板10上に設けられるデータ線駆動回路15とを有する。走査線駆動回路14に接続される複数の走査線16と、データ線駆動回路15に接続される複数のデータ線17とで囲まれる領域に、単位回路11が設けられる。単位回路11は、TFT層12と、有機発光ダイオード13とを含む。
The organic EL display includes a
TFT層12は、複数のTFT(Thin Film Transistor)を有する。一のTFTはスイッチング素子としての機能を有し、他の一のTFTは有機発光ダイオード13に流す電流量を制御する電流制御用素子としての機能を有する。TFT層12は、走査線駆動回路14およびデータ線駆動回路15によって作動され、有機発光ダイオード13に電流を供給する。TFT層12は単位回路11毎に設けられており、複数の単位回路11は独立に制御される。尚、TFT層12は、一般的な構成であればよく、図2に示す構成には限定されない。
The
尚、有機ELディスプレイの駆動方式は、本実施形態ではアクティブマトリックス方式であるが、パッシブマトリックス方式であってもよい。 The drive method of the organic EL display is an active matrix method in this embodiment, but may be a passive matrix method.
図3は、一実施形態による有機ELディスプレイの要部を示す断面図である。基板10としては、ガラス基板や樹脂基板などの透明基板が用いられる。基板10上には、TFT層12が形成されている。TFT層12上には、TFT層12によって形成される段差を平坦化する平坦化層18が形成されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a main part of the organic EL display according to the embodiment. As the
平坦化層18は、絶縁性を有している。平坦化層18を貫通するコンタクトホールには、コンタクトプラグ19が形成されている。コンタクトプラグ19は、平坦化層18の平坦面に形成される画素電極としての陽極21と、TFT層12とを電気的に接続する。コンタクトプラグ19は、陽極21と同じ材料で、同時に形成されてよい。
The
有機発光ダイオード13は、平坦化層18の平坦面上に形成される。有機発光ダイオード13は、画素電極としての陽極21と、画素電極を基準として基板10とは反対側に設けられる対向電極としての陰極22と、陽極21と陰極22との間に形成される有機層23とを有する。TFT層12を作動させることで、陽極21と陰極22との間に電圧が印加され、有機層23が発光する。
The organic
陽極21は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などによって形成され、有機層23からの光を透過する。陽極21を透過した光は、基板10を透過し、外部に取り出される。陽極21は、単位回路11毎に設けられる。
The
陰極22は、例えばアルミニウムなどによって形成され、有機層23からの光を有機層23に向けて反射する。陰極22で反射した光は、有機層23や陽極21、基板10を透過し、外部に取り出される。陰極22は、複数の単位回路11に共通のものである。
The cathode 22 is formed of, for example, aluminum or the like, and reflects light from the
有機層23は、例えば、陽極21側から陰極22側に向けて、正孔注入層24、正孔輸送層25、発光層26、電子輸送層27および電子注入層28をこの順で有する。陽極21と陰極22との間に電圧がかかると、陽極21から正孔注入層24に正孔が注入されると共に、陰極22から電子注入層28に電子が注入される。正孔注入層24に注入された正孔は、正孔輸送層25によって発光層26へ輸送される。また、電子注入層28に注入された電子は、電子輸送層27によって発光層26へ輸送される。そうして、発光層26内で正孔と電子が再結合して、発光層26の発光材料が励起され、発光層26が発光する。
The
発光層26として、例えば、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が形成される。赤色発光層は赤色に発光する赤色発光材料で形成され、緑色発光層は緑色に発光する緑色発光材料で形成され、青色発光層は青色に発光する青色発光材料で形成される。赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層は、バンク30の開口部31に形成される。
As the
バンク30は、赤色発光層用の塗布液、緑色発光層用の塗布液、および青色発光層用の塗布液を隔てることで、これらの塗布液の混合を防止する。バンク30は、絶縁性を有しており、平坦化層18を貫通するコンタクトホールを埋める。
The
<有機発光ダイオードの製造方法>
図4は、一実施形態による有機発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。
<Manufacturing method of organic light emitting diode>
FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment.
先ず、ステップS101では、画素電極としての陽極21の形成を行う。陽極21の形成には、例えば蒸着法が用いられる。陽極21は、平坦化層18の平坦面に、単位回路11毎に形成される。陽極21と共に、コンタクトプラグ19が形成されてよい。
First, in step S101, the
続くステップS102では、バンク30の形成を行う。バンク30は、例えばフォトレジストを用いて形成され、フォトリソグラフィ処理によって所定のパターンにパターニングされる。バンク30の開口部31において、陽極21が露出する。
In the following step S102, the
続くステップS103では、正孔注入層24の形成を行う。正孔注入層24の形成には、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって正孔注入層24用の塗布液を陽極21上に塗布することで、図5に示すように塗布層Lが形成される。その塗布層Lを乾燥、焼成することで、図6に示すように正孔注入層24が形成される。
In the following step S103, the
続くステップS104では、正孔輸送層25の形成を行う。正孔輸送層25の形成には、正孔注入層24の形成と同様に、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって正孔輸送層25用の塗布液を正孔注入層24上に塗布することで、塗布層が形成される。その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層25が形成される。
In the following step S104, the
続くステップS105では、発光層26の形成を行う。発光層26の形成には、正孔注入層24や正孔輸送層25の形成と同様に、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって発光層26用の塗布液を正孔輸送層25上に塗布することで、塗布層が形成される。その塗布層を乾燥、焼成することで、発光層26が形成される。
In the following step S105, the
発光層26として、例えば赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が形成される。赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層は、バンク30の開口部31に形成される。バンク30は、赤色発光層用の塗布液、緑色発光層用の塗布液、および青色発光層用の塗布液を隔てることで、これらの塗布液の混合を防止する。
As the
続くステップS106では、電子輸送層27の形成を行う。電子輸送層27の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。電子輸送層27は、複数の単位回路11に共通のものでよいので、バンク30の開口部31内の発光層26上だけではなく、バンク30上にも形成されてよい。
In the following step S106, the
続くステップS107では、電子注入層28の形成を行う。電子注入層28の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。電子注入層28は、電子輸送層27上に形成される。電子注入層28は、複数の単位回路11に共通のものでよい。
In the following step S107, the
続くステップS108では、陰極22の形成を行う。陰極22の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。陰極22は、電子注入層28上に形成される。陰極22は、複数の単位回路11に共通のものでよい。
In the following step S108, the cathode 22 is formed. For the formation of the cathode 22, for example, a thin-film deposition method or the like is used. The cathode 22 is formed on the
尚、有機ELディスプレイの駆動方式が、アクティブマトリックス方式ではなく、パッシブマトリックス方式である場合、陰極22は、所定のパターンにパターニングされる。 When the driving method of the organic EL display is not the active matrix method but the passive matrix method, the cathode 22 is patterned in a predetermined pattern.
以上の工程により、有機発光ダイオード13が製造される。有機層23のうち、正孔注入層24、正孔輸送層25および発光層26の形成に、基板処理システム100が用いられる。
The organic
<基板処理システム>
図7は、一実施形態による基板処理システムを示す平面図である。以下の図面において、X方向およびY方向は互いに直交する水平方向であって、Z方向はX方向およびY方向に直交する鉛直方向である。
<Board processing system>
FIG. 7 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment. In the drawings below, the X and Y directions are horizontal directions that are orthogonal to each other, and the Z direction is a vertical direction that is orthogonal to the X and Y directions.
基板処理システム100は、図4のステップS103〜S105に相当する各処理を行い、陽極21上に正孔注入層24、正孔輸送層25および発光層26を形成する。基板処理システム100は、搬入ステーション110と、処理ステーション120と、搬出ステーション130と、制御装置140とを有する。
The
搬入ステーション110は、複数の基板10を収容するカセットCを外部から搬入させ、カセットCから複数の基板10を順次取り出す。各基板10には、予めTFT層12や平坦化層18、陽極21、バンク30などが形成されている。
The carry-in
搬入ステーション110は、カセットCを載置するカセット載置台111と、カセット載置台111と処理ステーション120との間に設けられる搬送路112と、搬送路112に設けられる基板搬送体113とを備える。基板搬送体113は、カセット載置台111に載置されたカセットCと処理ステーション120との間で基板10を搬送する。
The carry-in
処理ステーション120は、陽極21上に、正孔注入層24、正孔輸送層25および発光層26を形成する。処理ステーション120は、正孔注入層24を形成する正孔注入層形成ブロック121と、正孔輸送層25を形成する正孔輸送層形成ブロック122と、発光層26を形成する発光層形成ブロック123を備える。
The
正孔注入層形成ブロック121は、正孔注入層24用の塗布液を陽極21上に塗布して塗布層を形成し、その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔注入層24を形成する。正孔注入層24用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。
The hole injection
正孔注入層形成ブロック121は、塗布装置121aと、バッファ装置121bと、減圧乾燥システム121cと、熱処理装置121dと、温度調節装置121eとを備える。塗布装置121aは、正孔注入層24用の塗布液の液滴を、バンク30の開口部31に向けて吐出する。バッファ装置121bは、処理待ちの基板10を一時的に収容する。減圧乾燥システム121cは、塗布装置121aで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置121dは、減圧乾燥システム121cで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置121eは、熱処理装置121dで加熱処理された基板10の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。
The hole injection
塗布装置121a、バッファ装置121b、熱処理装置121d、および温度調節装置121eは、内部が大気雰囲気に維持される。減圧乾燥システム121cは、内部の雰囲気を、大気雰囲気と減圧雰囲気とに切り替える。
The inside of the
尚、正孔注入層形成ブロック121において、塗布装置121a、バッファ装置121b、減圧乾燥システム121c、熱処理装置121dおよび温度調節装置121eの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。
In the hole injection
また、正孔注入層形成ブロック121は、基板搬送装置CR1〜CR2と、受渡装置TR1〜TR3とを備える。基板搬送装置CR1〜CR2は、それぞれ隣接する各装置へ基板10を搬送する。例えば、基板搬送装置CR1は、隣接する塗布装置121aおよびバッファ装置121bへ基板10を搬送する。基板搬送装置CR2は、隣接する熱処理装置121dおよび温度調節装置121eへ基板10を搬送する。受渡装置TR1〜TR3は、それぞれ順に、搬入ステーション110と基板搬送装置CR1の間、基板搬送装置CR1と減圧乾燥システム121cの間、減圧乾燥システム121cと基板搬送装置CR2の間に設けられ、これらの間で基板10を中継する。基板搬送装置CR1〜CR2や受渡装置TR1〜TR3は、内部が大気雰囲気に維持される。
Further, the hole injection
正孔注入層形成ブロック121の基板搬送装置CR2と、正孔輸送層形成ブロック122の基板搬送装置CR3との間には、これらの間で基板10を中継する受渡装置TR4が設けられる。受渡装置TR4は、内部が大気雰囲気に維持される。
Between the substrate transfer device CR2 of the hole injection
正孔輸送層形成ブロック122は、正孔輸送層25用の塗布液を正孔注入層24上に塗布して塗布層を形成し、その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層25を形成する。正孔輸送層25用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。
The hole transport
正孔輸送層形成ブロック122は、塗布装置122aと、バッファ装置122bと、減圧乾燥システム122cと、熱処理装置122dと、温度調節装置122eとを備える。塗布装置122aは、正孔輸送層25用の塗布液の液滴を、バンク30の開口部31に向けて吐出する。バッファ装置122bは、処理待ちの基板10を一時的に収容する。減圧乾燥システム122cは、塗布装置122aで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置122dは、減圧乾燥システム122cで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置122eは、熱処理装置122dで加熱処理された基板10の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。
The hole transport
塗布装置122aおよびバッファ装置122bは、内部が大気雰囲気に維持される。一方、熱処理装置122dおよび温度調節装置122eは、正孔輸送層25の有機材料の劣化を抑制するため、内部が低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。減圧乾燥システム122cは、内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替える。
The inside of the
ここで、低酸素の雰囲気とは、大気よりも酸素濃度が低い雰囲気、例えば酸素濃度が10ppm以下の雰囲気をいう。また、低露点の雰囲気とは、大気よりも露点温度が低い雰囲気、例えば露点温度が−10℃以下の雰囲気をいう。低酸素かつ低露点の雰囲気は、例えば窒素ガス等の不活性ガスで形成される。 Here, the atmosphere of low oxygen means an atmosphere having an oxygen concentration lower than that of the atmosphere, for example, an atmosphere having an oxygen concentration of 10 ppm or less. The low dew point atmosphere means an atmosphere in which the dew point temperature is lower than the atmosphere, for example, an atmosphere in which the dew point temperature is −10 ° C. or lower. The atmosphere of low oxygen and low dew point is formed by an inert gas such as nitrogen gas.
尚、正孔輸送層形成ブロック122において、塗布装置122a、バッファ装置122b、減圧乾燥システム122c、熱処理装置122dおよび温度調節装置122eの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。
In the hole transport
また、正孔輸送層形成ブロック122は、基板搬送装置CR3〜CR4と、受渡装置TR5〜TR6とを備える。基板搬送装置CR3〜CR4は、それぞれ隣接する各装置へ基板10を搬送する。受渡装置TR5〜TR6は、それぞれ順に、基板搬送装置CR3と減圧乾燥システム122cの間、減圧乾燥システム122cと基板搬送装置CR4の間に設けられ、これらの間で基板10を中継する。
Further, the hole transport
基板搬送装置CR3の内部は、大気雰囲気に維持される。一方、基板搬送装置CR4の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。基板搬送装置CR4に隣設される熱処理装置122dや温度調節装置122eの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されるためである。
The inside of the substrate transfer device CR3 is maintained in an atmospheric atmosphere. On the other hand, the inside of the substrate transfer device CR4 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point. This is because the inside of the
受渡装置TR5は、その内部の雰囲気を、大気雰囲気と、低酸素かつ低露点の雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。受渡装置TR5の下流側に減圧乾燥システム122cが隣設されるためである。一方、受渡装置TR6の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。
The delivery device TR5 is configured as a load lock device that switches the atmosphere inside the delivery device between an atmosphere atmosphere and an atmosphere having low oxygen and low dew point. This is because the
正孔輸送層形成ブロック122の基板搬送装置CR4と、発光層形成ブロック123の基板搬送装置CR5との間には、これらの間で基板10を中継する受渡装置TR7が設けられる。基板搬送装置CR4の内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持され、基板搬送装置CR5の内部は大気雰囲気に維持される。そのため、受渡装置TR7は、その内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。
Between the substrate transfer device CR4 of the hole transport
発光層形成ブロック123は、発光層26用の塗布液を正孔輸送層25上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、発光層26を形成する。発光層26用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。
The light emitting
発光層形成ブロック123は、塗布装置123aと、バッファ装置123bと、減圧乾燥システム123cと、熱処理装置123dと、温度調節装置123eとを備える。塗布装置123aは、発光層26用の塗布液の液滴を、バンク30の開口部31に向けて吐出する。バッファ装置123bは、処理待ちの基板10を一時的に収容する。減圧乾燥システム123cは、塗布装置123aで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置123dは、減圧乾燥システム123cで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置123eは、熱処理装置123dで加熱処理された基板10の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。
The light emitting
塗布装置123aおよびバッファ装置123bは、内部が大気雰囲気に維持される。一方、熱処理装置123dおよび温度調節装置123eは、発光層26の有機材料の劣化を抑制するため、内部が低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。減圧乾燥システム123cは、内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替える。
The inside of the
尚、発光層形成ブロック123において、塗布装置123a、バッファ装置123b、減圧乾燥システム123c、熱処理装置123dおよび温度調節装置123eの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。
In the light emitting
また、発光層形成ブロック123は、基板搬送装置CR5〜CR6と、受渡装置TR8〜TR9とを備える。基板搬送装置CR5〜CR6は、それぞれ隣接する各装置へ基板10を搬送する。受渡装置TR8〜TR9は、それぞれ順に、基板搬送装置CR5と減圧乾燥システム123cの間、減圧乾燥システム123cと基板搬送装置CR6の間に設けられ、これらの間で基板10を中継する。
Further, the light emitting
基板搬送装置CR5の内部は、大気雰囲気に維持される。一方、基板搬送装置CR6の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。基板搬送装置CR6に隣設される熱処理装置123dや温度調節装置123eの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されるためである。
The inside of the substrate transfer device CR5 is maintained in an atmospheric atmosphere. On the other hand, the inside of the substrate transfer device CR6 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point. This is because the inside of the
受渡装置TR8は、その内部の雰囲気を、大気雰囲気と、低酸素かつ低露点の雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。受渡装置TR8の下流側に減圧乾燥システム123cが隣設されるためである。受渡装置TR9の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。
The delivery device TR8 is configured as a load lock device that switches the atmosphere inside the delivery device between an atmosphere atmosphere and an atmosphere having low oxygen and low dew point. This is because the
発光層形成ブロック123の基板搬送装置CR6と、搬出ステーション130との間には、これらの間で基板10を中継する受渡装置TR10が設けられる。基板搬送装置CR6の内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持され、搬出ステーション130の内部は大気雰囲気に維持される。そのため、受渡装置TR7は、その内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。
Between the substrate transfer device CR6 of the light emitting
搬出ステーション130は、複数の基板10を順次カセットCに収納し、カセットCを外部に搬出させる。搬出ステーション130は、カセットCを載置するカセット載置台131と、カセット載置台131と処理ステーション120との間に設けられる搬送路132と、搬送路132に設けられる基板搬送体133とを備える。基板搬送体133は、処理ステーション120と、カセット載置台131に載置されたカセットCとの間で基板10を搬送する。
The carry-out
制御装置140は、CPU(Central Processing Unit)141と、メモリなどの記憶媒体142とを含むコンピュータで構成され、記憶媒体142に記憶されたプログラム(レシピとも呼ばれる)をCPU141に実行させることにより各種処理を実現させる。
The
制御装置140のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
The program of the
次に、上記構成の基板処理システム100を用いた基板処理方法について説明する。複数の基板10を収容したカセットCがカセット載置台111上に載置されると、基板搬送体113が、カセット載置台111上のカセットCから基板10を順次取り出し、正孔注入層形成ブロック121に搬送する。
Next, a substrate processing method using the
正孔注入層形成ブロック121は、正孔注入層24用の塗布液を陽極21上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、正孔注入層24を形成する。正孔注入層24が形成された基板10は、受渡装置TR4によって、正孔注入層形成ブロック121から正孔輸送層形成ブロック122に受け渡される。
The hole injection
正孔輸送層形成ブロック122は、正孔輸送層25用の塗布液を正孔注入層24上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層25を形成する。正孔輸送層25が形成された基板10は、受渡装置TR7によって、正孔輸送層形成ブロック122から発光層形成ブロック123に受け渡される。
The hole transport
発光層形成ブロック123は、発光層26用の塗布液を正孔輸送層25上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、発光層26を形成する。発光層26が形成された基板10は、受渡装置TR10によって、発光層形成ブロック123から搬出ステーション130に受け渡される。
The light emitting
搬出ステーション130の基板搬送体133は、受渡装置TR10から受取った基板10を、カセット載置台131上の所定のカセットCに収める。これにより、基板処理システム100における一連の基板10の処理が終了する。
The
基板10は、カセットCに収められた状態で、搬出ステーション130から外部に搬出される。外部に搬出された基板10には、電子輸送層27や電子注入層28、陰極22などが形成される。
The
<減圧乾燥システムおよび減圧乾燥方法>
次に、発光層形成ブロック123の減圧乾燥システム123cについて、図8〜図10を参照して説明する。尚、正孔注入層形成ブロック121の減圧乾燥システム121c、および正孔輸送層形成ブロック122の減圧乾燥システム122cは、発光層形成ブロック123の減圧乾燥システム123cと同様に構成されるので、説明を省略する。
<Decompression drying system and decompression drying method>
Next, the
図8は、一実施形態による減圧乾燥システムを示す平面図である。図9は、図8の第1減圧乾燥装置を示す断面図である。図10は、図8の第2減圧乾燥装置を示す断面図である。図8〜図10に示すように、減圧乾燥システム123cは、第1減圧乾燥装置150と、第2減圧乾燥装置160と、基板搬送装置170とを有する。
FIG. 8 is a plan view showing a vacuum drying system according to an embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the first vacuum drying apparatus of FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the second vacuum drying apparatus of FIG. As shown in FIGS. 8 to 10, the
第1減圧乾燥装置150は、有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板10を第1処理容器151の内部に収容し、気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、塗布層から溶剤を蒸発させる。塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発し、塗布層の輪郭がほぼ整えられる。第1減圧乾燥装置150は、例えば、第1処理容器151と、第1ステージ152と、第1減圧機構155と、第1ガス供給機構156とを有する。
The first
第1処理容器151は、有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板10を収容する。第1処理容器151の側壁部には基板10の搬入出口が形成され、この搬入出口には開閉シャッタが設けられる。開閉シャッタが搬入出口を開放することで基板10の搬入出が可能となり、開閉シャッタが搬入出口を閉塞することで第1処理容器151の内部の減圧が可能となる。第1処理容器151の内部は、減圧開始前に、低酸素かつ低露点の雰囲気、例えば窒素雰囲気とされている。
The
第1ステージ152は、第1処理容器151の内部で基板10を保持する。第1ステージ152が特許請求の範囲に記載の第1基板保持部に対応する。第1ステージ152は第1処理容器151の内部で固定されており、第1ステージ152の上面から出没するリフトピンが複数設けられる。複数のリフトピンは、基板搬送装置170の基板搬送体172との間で基板10を受け渡す位置と、第1ステージ152との間で基板10を受け渡す位置との間で、基板10を昇降させる。
The
尚、第1ステージ152の上面には、複数のプロキシミティピンが設けられていてよい。複数のプロキシミティピンは、第1ステージ152と基板10との間に僅かな隙間を形成するように、基板10を支持する。
A plurality of proximity pins may be provided on the upper surface of the
第1減圧機構155は、第1処理容器151の内部を、大気圧よりも低い気圧に減圧する。第1減圧機構155は、例えば、減圧発生源155aと、APC(Adaptive Pressure Control)バルブ155bとを有する。減圧発生源155aとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどが用いられる。減圧発生源155aは、APCバルブ155bが途中に設けられる配管を介して第1処理容器151と接続され、第1処理容器151の内部を減圧する。第1処理容器151の内部の気圧は、APCバルブ155bによって調節しながら、例えば1Pa以下まで減圧される。第1処理容器151の排気口151aは、図9に示すように第1処理容器151の下壁部に形成されているが、上壁部または側壁部に形成されていてもよい。
The
第1ガス供給機構156は、第1減圧機構155によって減圧された第1処理容器151の内部を元の雰囲気に戻すため、第1処理容器151の内部に窒素ガスなどのガスを供給する。第1ガス供給機構156は、例えば、ガス供給源156aと、マスフローコントローラ156bと、開閉バルブ156cとを有する。ガス供給源156aは、マスフローコントローラ156bや開閉バルブ156cが途中に設けられる配管を介して第1処理容器151と接続され、第1処理容器151の内部にガスを供給する。その供給量はマスフローコントローラ156bによって調節可能である。
The first
第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を第2処理容器161の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。この間、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、全体としてのスループットを向上できる。第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150と同様に、例えば、第2処理容器161と、第2ステージ162と、第2減圧機構165と、第2ガス供給機構166とを有する。
The second
第2処理容器161は、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を収容する。第2処理容器161の側壁部には基板10の搬入出口が形成され、この搬入出口には開閉シャッタが設けられる。開閉シャッタが搬入出口を開放することで基板10の搬入出が可能となり、開閉シャッタが搬入出口を閉塞することで第2処理容器161の内部の減圧が可能となる。第2処理容器161の内部は、減圧開始前に、低酸素かつ低露点の雰囲気、例えば窒素雰囲気とされている。
The
第2ステージ162は、第2処理容器161の内部で基板10を保持する。第2ステージ162が特許請求の範囲に記載の第2基板保持部に対応する。第2ステージ162は第2処理容器161の内部で固定されており、第2ステージ162の上面から出没するリフトピンが複数設けられる。複数のリフトピンは、基板搬送装置170の基板搬送体172との間で基板10を受け渡す位置と、第2ステージ162との間で基板10を受け渡す位置との間で、基板10を昇降させる。
The second stage 162 holds the
尚、第2ステージ162の上面には、複数のプロキシミティピンが設けられていてよい。複数のプロキシミティピンは、第2ステージ162と基板10との間に僅かな隙間を形成するように、基板10を支持する。
A plurality of proximity pins may be provided on the upper surface of the second stage 162. The plurality of proximity pins support the
第2減圧機構165は、第2処理容器161の内部を、大気圧よりも低い気圧に減圧する。第2減圧機構165は、例えば、減圧発生源165aと、APCバルブ165bとを有する。減圧発生源165aとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどが用いられる。減圧発生源165aは、APCバルブ165bが途中に設けられる配管を介して第2処理容器161と接続され、第2処理容器161の内部を減圧する。第2処理容器161の内部の気圧は、APCバルブ165bによって調節しながら、例えば1Pa以下まで減圧される。第2処理容器161の排気口161aは、図10に示すように第2処理容器161の下壁部に形成されているが、上壁部または側壁部に形成されていてもよい。
The
第2ガス供給機構166は、第2減圧機構165によって減圧された第2処理容器161の内部を元の雰囲気に戻すため、第2処理容器161の内部に窒素ガスなどのガスを供給する。第2ガス供給機構166は、例えば、ガス供給源166aと、マスフローコントローラ166bと、開閉バルブ166cとを有する。ガス供給源166aは、マスフローコントローラ166bや開閉バルブ166cが途中に設けられる配管を介して第2処理容器161と接続され、第2処理容器161の内部にガスを供給する。その供給量はマスフローコントローラ166bによって調節可能である。
The second
第2減圧乾燥装置160は、上述の如く、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を第2処理容器161の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。予め第1減圧乾燥装置150によって塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されており、第2減圧乾燥装置160によって塗布層から蒸発する溶剤は少量である。そのため、第2処理容器161は、第1処理容器151よりも、溶剤の蒸気が通る通路が狭くてもよく、設置面積や高さが縮小できる。高さが縮小できることで、第2減圧乾燥装置160の多段積みが容易である。
As described above, the second
また、第2減圧乾燥装置160は、第2ステージ162に保持された基板10を加熱する加熱源167をさらに有し、第1減圧乾燥装置150よりも高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。蒸発を促進でき、処理時間を短縮できる。予め第1減圧乾燥装置150によって塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されており、塗布層の輪郭がほぼ整えられているため、第2減圧乾燥装置160が第1減圧乾燥装置150よりも高温で乾燥を行っても、塗布層の輪郭が崩れることはない。
Further, the second
加熱源167としては、例えばヒータが用いられる。加熱源167は、図10では第2ステージ162の内部に埋設されているが、第2ステージ162の外部に設けられていてもよい。
As the
尚、本実施形態の第1減圧乾燥装置150は、第1ステージ152に保持された基板10を加熱する加熱源を有しないが、有してもよい。この場合、加熱源は、第1ステージ152の面内の温度ムラを低減するために用いられる。
The first
第1ステージ152の温度は、基板10の温度との温度差をなくすため、室温付近に維持されてよい。第1ステージ152と基板10の間の熱の移動を抑制でき、第1ステージ152の面内の温度ムラを低減できる。よって、塗布層の輪郭を整える過程で、第1ステージ152のリフトピンやプロキシミティピンなどの跡がつくことを防止できる。
The temperature of the
第2減圧乾燥装置160は、複数の基板10を順次乾燥する間、第2ステージ162の温度を第1ステージ152の温度よりも高温に保ってよい。ここで、第2ステージ162の温度は、第1ステージ152の温度よりも高温に保たれればよく、一定でもよいし、変動してもよい。
The second
基板10の入れ替えの間も、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温に保たれており、基板10が第2ステージ162に載せられる前に、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温になっている。そのため、昇温のための待ち時間を省略または短縮でき、スループットをより向上できる。
During the replacement of the
この効果は、第1減圧乾燥装置150と第2減圧乾燥装置160の両方を用いることにより得られる。一の減圧乾燥装置のみを用いる場合、減圧開始からしばらくの間、基板の温度を室温付近で維持し、途中から基板の温度を上げることになるので、昇温のための待ち時間を省略または短縮できない。
This effect is obtained by using both the first
基板搬送装置170は、隣接する各装置の間で基板10を搬送する。例えば、基板搬送装置170は、基板10を、先ず受渡装置TR8から第1減圧乾燥装置150まで搬送し、次いで第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで搬送し、最後に第2減圧乾燥装置160から受渡装置TR9まで搬送する。
The
基板搬送装置170は、例えば、搬送路171と、搬送路171に接続される各装置の間で基板10を搬送する基板搬送体172とを有する。搬送路171は、受渡装置TR8から受渡装置TR9までX方向に延びている。そのY方向両側に、第1減圧乾燥装置150および第2減圧乾燥装置160が接続されている。基板搬送体172は、X方向、Y方向に移動自在とされ、且つZ軸の周りに回転自在とされる。基板搬送体172は、Z方向にも移動自在とされてもよい。
The
搬送路171の内部は、塗布層に含まれる有機材料の劣化を抑制するため、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。尚、塗布層に含まれる有機材料が酸素や水分によって劣化しない場合、搬送路171の内部は大気雰囲気に維持されてもよい。搬送路171の内部が大気雰囲気に維持される場合、受渡装置TR8の内部も大気雰囲気に維持される。 The inside of the transport path 171 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point in order to suppress deterioration of the organic material contained in the coating layer. If the organic material contained in the coating layer is not deteriorated by oxygen or moisture, the inside of the transport path 171 may be maintained in an atmospheric atmosphere. When the inside of the transport path 171 is maintained in the atmospheric atmosphere, the inside of the delivery device TR8 is also maintained in the atmospheric atmosphere.
基板搬送装置170には、複数の第1減圧乾燥装置150が接続されている。よって、一の第1減圧乾燥装置150で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第1減圧乾燥装置150では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第1減圧乾燥装置150が、Z方向に多段積みされてもよい。
A plurality of first
また、基板搬送装置170には、複数の第2減圧乾燥装置160が接続されている。よって、一の第2減圧乾燥装置160で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第2減圧乾燥装置160では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第2減圧乾燥装置160が、Z方向に多段積みされてもよい。
Further, a plurality of second
次に、上記構成の減圧乾燥システム123cを用いた減圧乾燥方法について説明する。減圧乾燥システム123cの下記の動作は、制御装置140によって制御される。制御装置140は、図7では減圧乾燥システム123cとは別に設けられるが、減圧乾燥システム123cの一部として設けられてもよい。
Next, a vacuum drying method using the
先ず、受渡装置TR8が基板搬送装置CR5から基板10を受け取り、受渡装置TR8の内部の雰囲気が大気雰囲気から低酸素かつ低露点の雰囲気に切り替えられると、基板搬送体172が受渡装置TR8の内部から第1処理容器151の内部まで基板10を搬送する。基板10が第1ステージ152に載置されると、基板搬送体172が第1処理容器151の内部から退出する。
First, when the delivery device TR8 receives the
次いで、第1減圧機構155が第1処理容器151の内部を減圧する。減圧雰囲気中で塗布層から溶剤が蒸発する。減圧開始からの経過時間が所定時間に達し、塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発し、塗布層の輪郭がほぼ整えられると、第1減圧機構155が停止される。
Next, the
続いて、第1ガス供給機構156が第1処理容器151の内部にガスを供給し、第1処理容器151の内部を低酸素かつ低露点の雰囲気に戻す。この雰囲気は常圧雰囲気である。その後、基板搬送体172が第1処理容器151の内部から第2処理容器161の内部まで基板10を搬送する。基板10が第2ステージ162に載置されると、基板搬送体172が第2処理容器161の内部から退出する。
Subsequently, the first
次いで、第2減圧機構165が第2処理容器161の内部を減圧する。減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤が蒸発する。減圧開始からの経過時間が所定時間に達し、塗布層に残留する溶剤が除去されると、第2減圧機構165が停止される。
Next, the
続いて、第2ガス供給機構166が第2処理容器161の内部にガスを供給し、第2処理容器161の内部を低酸素かつ低露点の雰囲気に戻す。この雰囲気は常圧雰囲気である。その後、基板搬送体172が第2処理容器161の内部から受渡装置TR9の内部まで基板10を搬送する。
Subsequently, the second
以上説明したように、本実施形態によれば、減圧乾燥システム123cは、第1減圧乾燥装置150と第2減圧乾燥装置160とを有する。第1減圧乾燥装置150は、有機材料と溶剤を含む塗布層が形成された基板10を第1処理容器151の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層から溶剤を蒸発させる。第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を第2処理容器161の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。第1減圧乾燥装置150が塗布層に含まれる溶剤の大部分を蒸発させて塗布層の輪郭を整え、その後、第2減圧乾燥装置160が塗布層に残留する溶剤を除去する。第2減圧乾燥装置160が基板10を処理する間に、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、製造ラインのスループットを向上できる。
As described above, according to the present embodiment, the
本実施形態によれば、第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150よりも高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。蒸発を促進でき、処理時間を短縮できる。予め第1減圧乾燥装置150によって塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されており、塗布層の輪郭がほぼ整えられているため、第2減圧乾燥装置160が第1減圧乾燥装置150よりも高温で乾燥を行っても、塗布層の輪郭が崩れることはない。第2減圧乾燥装置160によって塗布層から蒸発する溶剤は少量である。
According to the present embodiment, the second
本実施形態によれば、第2減圧乾燥装置160は、複数の基板10を順次乾燥する間、第2ステージ162の温度を第1ステージ152の温度よりも高温に保つ。基板10の入れ替えの間も、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温に保たれており、基板10が第2ステージ162に載せられる前に、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温になっている。そのため、昇温のための待ち時間を省略または短縮でき、スループットをより向上できる。
According to the present embodiment, the second
本実施形態によれば、減圧乾燥システム123cは、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する基板搬送装置170を有する。従って、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を自動で搬送できる。
According to the present embodiment, the
本実施形態によれば、複数の第1減圧乾燥装置150が基板搬送装置170に接続されている。よって、一の第1減圧乾燥装置150で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第1減圧乾燥装置150では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。
According to this embodiment, a plurality of first
本実施形態によれば、複数の第2減圧乾燥装置160が基板搬送装置170に接続されている。よって、一の第2減圧乾燥装置160で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第2減圧乾燥装置160では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。
According to this embodiment, a plurality of second
<第1変形例による減圧乾燥システム>
本変形例の減圧乾燥システムは、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替えるロードロック装置180を有する点で、上記実施形態の減圧乾燥システムと相違する。以下、相違点について主に説明する。
<Decompression drying system according to the first modification>
The vacuum drying system of this modification includes a
図11は、第1変形例による減圧乾燥システムを示す平面図である。この減圧乾燥システムは、発光層形成ブロック123に備えられるが、正孔注入層形成ブロック121や正孔輸送層形成ブロック122に備えられてもよい。
FIG. 11 is a plan view showing a vacuum drying system according to the first modification. This vacuum drying system is provided in the light emitting
本変形例の減圧乾燥システムは、上記実施形態の減圧乾燥システム123cと同様に、第1減圧乾燥装置150と、第2減圧乾燥装置160とを有する。第1減圧乾燥装置150が塗布層に含まれる溶剤の大部分を蒸発させて塗布層の輪郭を整え、その後、第2減圧乾燥装置160が塗布層に残留する溶剤を除去する。第2減圧乾燥装置160が基板10を処理する間に、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、製造ラインのスループットを向上できる。
The vacuum drying system of this modification has a first
また、第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150よりも高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させることで、蒸発を促進でき、処理時間を短縮できる。
Further, the second
さらに、第2減圧乾燥装置160は、複数の基板10を順次乾燥する間、第2ステージ162の温度を第1ステージ152の温度よりも高温に保つことで、昇温のための待ち時間を省略または短縮でき、スループットをより向上できる。
Further, the second
ところで、本変形例の減圧乾燥システムは、上記実施形態の減圧乾燥システム123cとは異なり、ロードロック装置180と、第1基板搬送装置181と、第2基板搬送装置182とを有する。
By the way, unlike the
ロードロック装置180は、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替える。ロードロック装置180には、減圧発生源と、ガス供給源とが接続されている。減圧発生源は、ロードロック装置180の内部を減圧する。ガス供給源は、ロードロック装置180の内部にガスを供給する。ロードロック装置180の内部は、例えば、常圧雰囲気と、減圧雰囲気との間で切り替えられる。
The
第2減圧乾燥装置160の手前のロードロック装置180で、基板10の周辺雰囲気を減圧雰囲気とすることができ、第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持できる。よって、基板10の搬入時に、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧を下げるための待ち時間を省略または短縮できる。また、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧の変動を抑制できるので、第2減圧乾燥装置160の構造を簡素化できる。
The
第1基板搬送装置181は、隣接する各装置の間で基板10を搬送する。例えば、第1基板搬送装置181は、基板10を、先ず受渡装置TR8から第1減圧乾燥装置150まで搬送し、次いで第1減圧乾燥装置150からロードロック装置180まで搬送する。
The first
第1基板搬送装置181は、例えば、第1搬送路181aと、第1搬送路181aに接続される各装置の間で基板10を搬送する第1基板搬送体181bとを有する。第1搬送路181aは、受渡装置TR8からロードロック装置180までX方向に延びている。そのY方向両側に、第1減圧乾燥装置150が接続されている。第1基板搬送体181bは、X方向、Y方向に移動自在とされ、且つZ軸の周りに回転自在とされる。第1基板搬送体181bは、Z方向にも移動自在とされてもよい。
The first
第1搬送路181aは、第1減圧乾燥装置150による処理後に、基板10が通る路である。第1減圧乾燥装置150で塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されるので、塗布層に含まれる有機材料が劣化しないように、第1搬送路181aの内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。第1搬送路181aは、第1減圧乾燥装置150による処理前に、基板10が通る路でもある。そのため、第1搬送路181aの内部は常圧雰囲気に維持される。尚、塗布層に含まれる有機材料が酸素や水分によって劣化しない場合、第1搬送路181aの内部は大気雰囲気に維持されてもよい。
The
第1基板搬送装置181には、複数の第1減圧乾燥装置150が接続されている。よって、一の第1減圧乾燥装置150で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第1減圧乾燥装置150では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第1減圧乾燥装置150がZ方向に多段積みされてもよい。また、第1減圧乾燥装置150とロードロック装置180とがZ方向に多段積みされてもよい。
A plurality of first
第2基板搬送装置182は、隣接する各装置の間で基板10を搬送する。例えば、第2基板搬送装置182は、基板10を、先ずロードロック装置180から第2減圧乾燥装置160まで搬送し、次いで第2減圧乾燥装置160から受渡装置TR9まで搬送する。
The second
第2基板搬送装置182は、例えば、第2搬送路182aと、第2搬送路182aに接続される各装置の間で基板10を搬送する第2基板搬送体182bとを有する。第2搬送路182aは、ロードロック装置180と受渡装置TR8とを接続する。その途中に、第2減圧乾燥装置160が接続されている。第2基板搬送体182bは、X方向、Y方向に移動自在とされ、且つZ軸の周りに回転自在とされる。第2基板搬送体182bは、Z方向にも移動自在とされてもよい。
The second
第2基板搬送装置182は、内部の気圧を大気圧よりも低い気圧に減圧する減圧発生源182cを含む。減圧発生源182cとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプが用いられる。減圧発生源182cは、APCバルブなどが途中に設けられる配管を介して第2搬送路182aと接続され、第2搬送路182aの内部を減圧雰囲気に維持する。第2搬送路182aの内部と接続される第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持するためである。
The second
第2基板搬送装置182には、複数の第2減圧乾燥装置160が接続されている。よって、一の第2減圧乾燥装置160で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第2減圧乾燥装置160では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第2減圧乾燥装置160がZ方向に多段積みされてもよい。また、第2減圧乾燥装置160とロードロック装置180とがZ方向に多段積みされてもよい。
A plurality of second
次に、本変形例の減圧乾燥システムを用いた減圧乾燥方法について説明する。減圧乾燥システムの下記の動作は、制御装置140によって制御される。制御装置140は、減圧乾燥システムとは別に設けられてもよいし、減圧乾燥システムの一部として設けられてもよい。
Next, a vacuum drying method using the vacuum drying system of this modified example will be described. The following operations of the vacuum drying system are controlled by the
先ず、受渡装置TR8が基板搬送装置CR5から基板10を受け取り、受渡装置TR8の内部の雰囲気が大気雰囲気から低酸素かつ低露点の雰囲気に切り替えられると、第1基板搬送体181bが受渡装置TR8の内部から第1処理容器151の内部まで基板10を搬送する。基板10が第1ステージ152に載置されると、第1基板搬送体181bが第1処理容器151の内部から退出する。
First, when the delivery device TR8 receives the
次いで、第1減圧機構155が第1処理容器151の内部を減圧する。減圧雰囲気中で塗布層から溶剤が蒸発する。減圧開始からの経過時間が所定時間に達し、塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発し、塗布層の輪郭がほぼ整えられると、第1減圧機構155が停止される。
Next, the
続いて、第1ガス供給機構156が第1処理容器151の内部にガスを供給し、第1処理容器151の内部を低酸素かつ低露点の雰囲気に戻す。この雰囲気は常圧雰囲気である。その後、第1基板搬送体181bが第1処理容器151の内部からロードロック装置180の内部まで基板10を搬送する。
Subsequently, the first
続いて、第1基板搬送体181bがロードロック装置180の内部から退出すると、ロードロック装置180の内部が低酸素かつ低露点の雰囲気から減圧雰囲気に切り替えられる。その後、第2基板搬送体182bが、ロードロック装置180の内部から第2処理容器161の内部まで基板10を搬送する。基板10が第2ステージ162に載置されると、第2基板搬送体182bが第2処理容器161の内部から退出する。
Subsequently, when the
次いで、第2処理容器161の内部の減圧雰囲気中で、塗布層に残留する溶剤が蒸発する。経過時間が所定時間に達し、塗布層に残留する溶剤が除去されると、第2基板搬送体182bが第2処理容器161の内部から受渡装置TR9の内部まで基板10を搬送する。
Next, the solvent remaining in the coating layer evaporates in the reduced pressure atmosphere inside the
尚、第2基板搬送体182bが受渡装置TR9の内部から退出すると、受渡装置TR9の内部が減圧雰囲気から低酸素かつ低露点の雰囲気に切り替えられる。その後、基板10は、熱処理装置123dで加熱処理される。熱処理装置123dの内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されている。
When the
以上説明したように、本変形例によれば、減圧乾燥システムは、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替えるロードロック装置180を有する。第2減圧乾燥装置160の手前のロードロック装置180で、基板10の周辺雰囲気を減圧雰囲気とすることができ、第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持できる。よって、基板10の搬入時に、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧を下げるための待ち時間を省略または短縮できる。また、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧の変動を抑制できるので、第2減圧乾燥装置160の構造を簡素化できる。
As described above, according to the present modification, the vacuum drying system accommodates the
本変形例によれば、減圧乾燥システムは、第1減圧乾燥装置150からロードロック装置180まで基板10を搬送する第1基板搬送装置181と、ロードロック装置180から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する第2基板搬送装置182とをさらに有する。よって、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を自動で搬送できる。
According to this modification, the vacuum drying system includes a first
本変形例によれば、第2基板搬送装置182は、内部の気圧を大気圧よりも低い気圧に減圧する減圧発生源182cを含む。減圧発生源182cは、第2搬送路182aの内部を減圧雰囲気に維持する。第2搬送路182aの内部と接続される第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持するためである。
According to this modification, the second
<第2変形例による減圧乾燥システム>
本変形例の減圧乾燥システムは、第2減圧乾燥装置160Aが複数の基板を同時に保持するカセットを有する点で、上記第1変形例の減圧乾燥システムと相違する。以下、相違点について主に説明する。
<Decompression drying system according to the second modification>
The vacuum drying system of the first modification is different from the vacuum drying system of the first modification in that the second
図12は、第2変形例による減圧乾燥システムを示す平面図である。この減圧乾燥システムは、発光層形成ブロック123に備えられるが、正孔注入層形成ブロック121や正孔輸送層形成ブロック122に備えられてもよい。
FIG. 12 is a plan view showing a vacuum drying system according to the second modification. This vacuum drying system is provided in the light emitting
本変形例の減圧乾燥システムは、上記第1変形例の減圧乾燥システムと同様に、第1減圧乾燥装置150と、第2減圧乾燥装置160Aとを有する。第1減圧乾燥装置150が塗布層に含まれる溶剤の大部分を蒸発させて塗布層の輪郭を整え、その後、第2減圧乾燥装置160Aが塗布層に残留する溶剤を除去する。第2減圧乾燥装置160Aが基板10を処理する間に、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、製造ラインのスループットを向上できる。
The vacuum drying system of this modification has a first
また、本変形例の減圧乾燥システムは、上記第1変形例の減圧乾燥システムと同様に、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160Aまで基板10を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替えるロードロック装置180を有する。第2減圧乾燥装置160Aの手前のロードロック装置180で、基板10の周辺雰囲気を減圧雰囲気とすることができ、第2減圧乾燥装置160Aの内部を減圧雰囲気に維持できる。よって、基板10の搬入時に、第2減圧乾燥装置160Aの内部の気圧を下げるための待ち時間を省略または短縮できる。また、第2減圧乾燥装置160Aの内部の気圧の変動を抑制できるので、第2減圧乾燥装置160Aの構造を簡素化できる。
Further, the vacuum drying system of the present modification is the same as the vacuum drying system of the first modification, in the middle of the transport path for transporting the
さらに、本変形例の減圧乾燥システムは、上記第1変形例の減圧乾燥システムと同様に、第1減圧乾燥装置150からロードロック装置180まで基板10を搬送する第1基板搬送装置181と、ロードロック装置180から第2減圧乾燥装置160Aまで基板10を搬送する第2基板搬送装置182Aとをさらに有する。よって、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160Aまで基板10を自動で搬送できる。
Further, the vacuum drying system of the present modification is the same as the vacuum drying system of the first modification, the first
本変形例によれば、第2基板搬送装置182Aは、第2搬送路182Aaと、第2基板搬送体182Abと、減圧発生源182Acとを有する。減圧発生源182Acは、APCバルブなどが途中に設けられる配管を介して第2搬送路182Aaと接続され、第2搬送路182Aaの内部を減圧雰囲気に維持する。第2搬送路182Aaの内部と接続される第2減圧乾燥装置160Aの内部を減圧雰囲気に維持するためである。
According to this modification, the second
図13は、図12の第2減圧乾燥装置を示す断面図である。この第2減圧乾燥装置160Aは、本変形例の減圧乾燥システムに備えられるが、上記実施形態の減圧乾燥システム123cや上記第1変形例の減圧乾燥システムに備えられてもよい。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing the second vacuum drying apparatus of FIG. The second
本変形例の第2減圧乾燥装置160Aは、例えば、第2処理容器161Aと、カセット162Aと、Z方向駆動部163Aと、第2減圧機構165Aとを有する。
The second
第2処理容器161Aは、第1減圧乾燥装置150から順次搬送される複数の基板10を同時に収容する。第2処理容器161Aの側壁部には、基板10の搬入出口161Aaが形成されている。第2処理容器161Aの内部は、減圧雰囲気に維持される。
The
カセット162Aは、第1減圧乾燥装置150から順次搬送される複数の基板10を、第2処理容器161Aの内部で同時に保持する。各基板10は、第2処理容器161Aの内部で、設定時間の間、保持された後、外部に搬出される。枚葉式の場合よりも、単位時間当たりの処理枚数を増加できる。カセット162Aが特許請求の範囲に記載の第2基板保持部に対応する。
The
カセット162Aは、基板10が載置される基板載置部162AaをZ方向に間隔をおいて複数有し、第2処理容器161Aの内部でZ方向に移動自在とされる。
The
Z方向駆動部163Aは、第2処理容器161Aの内部でカセット162AをZ方向に移動させる。カセット162Aの基板載置部162Aaは、第2基板搬送体182Abとの干渉を避けるように形成されており、例えば櫛歯状に形成されている。カセット162Aの内部に第2基板搬送体182Abが侵入した状態で、カセット162AがZ方向に移動することで、基板10の受渡が行われる。
The Z-direction drive unit 163A moves the
第2減圧機構165Aは、第2処理容器161Aの内部を、大気圧よりも低い気圧に減圧する。第2減圧機構165Aは、例えば、減圧発生源165Aaと、APCバルブ165Abとを有する。減圧発生源165Aaとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどが用いられる。減圧発生源165Aaは、APCバルブ165Abが途中に設けられる配管を介して第2処理容器161Aと接続され、第2処理容器161Aの内部を減圧する。第2処理容器161Aの内部の気圧は、例えば1Pa以下まで減圧される。
The
第2減圧乾燥装置160Aは、室温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる場合に比べ、第2減圧乾燥装置160Aの構造を簡素化できる。
The second
本変形例の減圧乾燥システムを用いた減圧乾燥方法は、上記第1変形例の減圧乾燥システムを用いた減圧乾燥方法と同様であるので、説明を省略する。 The vacuum drying method using the vacuum drying system of the present modification is the same as the vacuum drying method using the vacuum drying system of the first modification, and thus the description thereof will be omitted.
以上説明したように、本変形例のカセット162Aは、第1減圧乾燥装置150から順次搬送される複数の基板10を、第2処理容器161Aの内部で同時に保持する。各基板10は、第2処理容器161Aの内部で、設定時間の間、保持された後、外部に搬出される。枚葉式の場合よりも、単位時間当たりの処理枚数を増加できる。
As described above, the
この効果は、第2減圧乾燥装置160Aでの乾燥に必要な時間が長く、上記設定時間が長い場合に、特に顕著である。そのような場合としては、例えば第2減圧乾燥装置160Aが室温で乾燥を行う場合が挙げられる。
This effect is particularly remarkable when the time required for drying in the second
また、本変形例によれば、第2減圧乾燥装置160Aは、室温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる場合に比べ、第2減圧乾燥装置160Aの構造を簡素化できる。
Further, according to this modification, the second
以上、減圧乾燥システムなどの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 Although embodiments such as a vacuum drying system have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and improvements can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Is.
例えば、有機ELディスプレイは、上記実施形態では発光層26からの光を基板10側から取り出すボトムエミッション方式であるが、発光層26からの光を基板10とは反対側から取り出すトップエミッション方式でもよい。
For example, the organic EL display is a bottom emission method in which the light from the
トップエミッション方式の場合、基板10は、透明基板ではなくてもよく、不透明基板であってもよい。発光層26からの光は、基板10とは反対側から取り出されるためである。
In the case of the top emission method, the
トップエミッション方式の場合、透明電極である陽極21が対向電極として用いられ、陰極22が単位回路11毎に設けられる画素電極として用いられる。この場合、陽極21と陰極22の配置が逆になるので、陰極22上に、電子注入層28、電子輸送層27、発光層26、正孔輸送層25および正孔注入層24が、この順で形成される。
In the case of the top emission method, the
有機層23は、上記実施形態では、陽極21側から陰極22側に向けて、正孔注入層24、正孔輸送層25、発光層26、電子輸送層27、電子注入層28をこの順で有するが、少なくとも発光層26を有していればよい。有機層23は、図3に示す構成には限定されない。
In the above embodiment, the
減圧乾燥システムは、有機ELディスプレイの製造に用いられるが、例えば液晶ディスプレイの製造に用いられてもよい。 The vacuum drying system is used in the manufacture of organic EL displays, but may be used, for example, in the manufacture of liquid crystal displays.
10 基板
13 有機発光ダイオード
21 陽極
22 陰極
23 有機層
100 基板処理システム
123c 減圧乾燥システム
150 第1減圧乾燥装置
151 第1処理容器
152 第1ステージ
155 第1減圧機構
160 第2減圧乾燥装置
161 第2処理容器
162 第2ステージ
165 第2減圧機構
167 加熱源
170 基板搬送装置
180 ロードロック装置
181 第1基板搬送装置
182 第2基板搬送装置
10
Claims (12)
前記第1減圧乾燥装置とは別に設けられ、前記第1減圧乾燥装置による前記溶剤の蒸発後に前記塗布層に残留する前記溶剤を、気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、蒸発させる第2減圧乾燥装置と、
前記第1減圧乾燥装置から前記第2減圧乾燥装置に前記基板を搬送する搬送部と、
前記第1減圧乾燥装置と前記第2減圧乾燥装置と前記搬送部とを制御する制御装置と、を備え、
前記第1減圧乾燥装置は、前記塗布層が形成された前記基板を収容する第1処理容器と、前記第1処理容器の内部で前記基板を保持する第1基板保持部と、前記第1処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第1減圧機構とを有し、
前記第2減圧乾燥装置は、前記搬送部によって前記第1減圧乾燥装置から搬送される前記基板を収容する第2処理容器と、前記第2処理容器の内部で前記基板を保持する第2基板保持部と、前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第2減圧機構とを有し、
前記第2基板保持部は、前記基板が載置される基板載置部を鉛直方向に間隔をおいて複数有するカセットであり、
前記カセットは、前記第2処理容器の内部に配置され、
前記制御装置は、前記第2減圧機構によって前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧した状態で、前記搬送部によって前記第2処理容器に対し前記基板を搬入出する、減圧乾燥システム。 A first vacuum drying device that evaporates the solvent from a coating layer containing an organic material and a solvent formed on a substrate in a reduced pressure atmosphere where the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure.
A second vacuum drying device, which is provided separately from the first vacuum drying device, evaporates the solvent remaining in the coating layer after the solvent is evaporated by the first vacuum drying device in a reduced pressure atmosphere in which the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure. Decompression drying device and
A transport unit that transports the substrate from the first decompression drying device to the second decompression drying device, and
A control device for controlling the first decompression drying device, the second decompression drying device, and the transport unit is provided.
The first decompression drying device includes a first processing container for accommodating the substrate on which the coating layer is formed, a first substrate holding portion for holding the substrate inside the first processing container, and the first treatment. It has a first decompression mechanism that decompresses the inside of the container to a pressure lower than atmospheric pressure.
The second decompression drying device holds a second processing container for accommodating the substrate conveyed from the first decompression drying device by the transport unit and a second substrate holding for holding the substrate inside the second processing container. It has a part and a second decompression mechanism that decompresses the inside of the second processing container to a pressure lower than the atmospheric pressure.
The second substrate holding portion is a cassette having a plurality of substrate mounting portions on which the substrate is mounted at intervals in the vertical direction.
The cassette is arranged inside the second processing container .
In the control device, the inside of the second processing container is decompressed to a pressure lower than the atmospheric pressure by the second decompression mechanism, and the substrate is carried in and out of the second processing container by the transport unit. Drying system.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016186194A JP6918461B2 (en) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | Vacuum drying system and vacuum drying method |
| KR1020170120498A KR102382927B1 (en) | 2016-09-23 | 2017-09-19 | Decompression drying system and decompression drying method |
| CN201710863784.4A CN107872914B (en) | 2016-09-23 | 2017-09-22 | Reduced-pressure drying system and reduced-pressure drying method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016186194A JP6918461B2 (en) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | Vacuum drying system and vacuum drying method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018048792A JP2018048792A (en) | 2018-03-29 |
| JP6918461B2 true JP6918461B2 (en) | 2021-08-11 |
Family
ID=61762257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016186194A Expired - Fee Related JP6918461B2 (en) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | Vacuum drying system and vacuum drying method |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6918461B2 (en) |
| KR (1) | KR102382927B1 (en) |
| CN (1) | CN107872914B (en) |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101085191B1 (en) * | 2009-11-16 | 2011-11-18 | 세메스 주식회사 | Substrate Processing Apparatus and Method |
| JP6181358B2 (en) * | 2012-07-25 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Baking process system and method for producing laminate of organic functional film of organic EL element |
| JP5731034B1 (en) * | 2014-02-27 | 2015-06-10 | 株式会社石井表記 | Coating film forming drying method and coating film forming drying apparatus |
| JP6338507B2 (en) * | 2014-10-16 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Droplet ejection apparatus, droplet ejection method, program, and computer storage medium |
-
2016
- 2016-09-23 JP JP2016186194A patent/JP6918461B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-09-19 KR KR1020170120498A patent/KR102382927B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-09-22 CN CN201710863784.4A patent/CN107872914B/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180033080A (en) | 2018-04-02 |
| CN107872914A (en) | 2018-04-03 |
| JP2018048792A (en) | 2018-03-29 |
| KR102382927B1 (en) | 2022-04-04 |
| CN107872914B (en) | 2022-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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