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JP6918461B2 - Vacuum drying system and vacuum drying method - Google Patents
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Description

本発明は、減圧乾燥システム、および減圧乾燥方法に関する。 The present invention relates to a vacuum drying system and a vacuum drying method.

従来、有機EL(Electroluminescence)の発光を利用した発光ダイオードである有機発光ダイオード(OLED:Organic Light Emitting Diode)が知られている。有機発光ダイオードを用いた有機ELディスプレイは、薄型軽量かつ低消費電力であるうえ、応答速度や視野角、コントラスト比の面で優れているといった利点を有している。このため、次世代のフラットパネルディスプレイ(FPD)として近年注目されている。 Conventionally, an organic light emitting diode (OLED), which is a light emitting diode utilizing light emission of organic EL (Electroluminescence), is known. An organic EL display using an organic light emitting diode has advantages such as thinness, light weight, low power consumption, and excellent response speed, viewing angle, and contrast ratio. For this reason, it has been attracting attention in recent years as a next-generation flat panel display (FPD).

有機発光ダイオードは、基板上に形成される陽極と、陽極を基準として基板とは反対側に設けられる陰極と、陽極と陰極の間に設けられる有機層とを有する。有機層は、例えば陽極側から陰極側に向けて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層をこの順で有する。 The organic light emitting diode has an anode formed on the substrate, a cathode provided on the side opposite to the substrate with reference to the anode, and an organic layer provided between the anode and the cathode. The organic layer has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the anode side to the cathode side.

正孔注入層や正孔輸送層、発光層などの形成には、インクジェット方式の塗布装置が用いられる。塗布装置は、有機材料および溶剤を含む塗布液を基板上に塗布することで、塗布層を形成する。その塗布層を減圧乾燥、焼成することで、正孔注入層などが形成される(例えば特許文献1参照)。 An inkjet coating device is used to form a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like. The coating apparatus forms a coating layer by coating a coating liquid containing an organic material and a solvent on the substrate. The coating layer is dried under reduced pressure and fired to form a hole injection layer or the like (see, for example, Patent Document 1).

特開2016−77966号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-779666

図1は、従来例による減圧乾燥装置の、処理容器の内部の気圧の時間変化を示す図である。時刻t0で減圧を開始すると、処理容器の内部の気圧は大気圧から急激に低下し、その後、時刻t1から時刻t2まで略一定になる。時刻t1から時刻t2までの間に、塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発する。その後、処理容器の内部の気圧が徐々に低下し、時刻t3から略一定になる。時刻t3までの間に、塗布層の輪郭がほぼ整えられる。続いて、長時間の間、処理容器の内部の気圧が低く維持され、塗布層に残留する溶剤が徐々に蒸発する。減圧開始からの経過時間が設定時間に達した時刻t4から、時刻t5にかけて、処理容器の内部の気圧が大気圧に戻される。 FIG. 1 is a diagram showing a time change of the atmospheric pressure inside the processing container of the vacuum drying device according to the conventional example. When the depressurization is started at time t0, the pressure inside the processing container drops sharply from the atmospheric pressure, and then becomes substantially constant from time t1 to time t2. Between time t1 and time t2, most of the solvent contained in the coating layer evaporates. After that, the air pressure inside the processing container gradually decreases and becomes substantially constant from time t3. By time t3, the contour of the coating layer is almost adjusted. Subsequently, the air pressure inside the processing container is kept low for a long time, and the solvent remaining in the coating layer gradually evaporates. From the time t4 when the elapsed time from the start of depressurization reaches the set time to the time t5, the pressure inside the processing container is returned to the atmospheric pressure.

従来、減圧乾燥の処理時間が長く、減圧乾燥が製造ラインのボトルネックになっていた。 Conventionally, the processing time for vacuum drying is long, and vacuum drying has been a bottleneck in the production line.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、スループットを向上できる、減圧乾燥システムの提供を主な目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to provide a vacuum drying system capable of improving throughput.

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、基板に形成された有機材料および溶剤を含む塗布層から前記溶剤を蒸発させる第1減圧乾燥装置と、
前記第1減圧乾燥装置とは別に設けられ、前記第1減圧乾燥装置による前記溶剤の蒸発後に前記塗布層に残留する前記溶剤を、気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、蒸発させる第2減圧乾燥装置と、
前記第1減圧乾燥装置から前記第2減圧乾燥装置に前記基板を搬送する搬送部と、
前記第1減圧乾燥装置と前記第2減圧乾燥装置と前記搬送部とを制御する制御装置と、を備え、
前記第1減圧乾燥装置は、前記塗布層が形成された前記基板を収容する第1処理容器と、前記第1処理容器の内部で前記基板を保持する第1基板保持部と、前記第1処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第1減圧機構とを有し、
前記第2減圧乾燥装置は、前記搬送部によって前記第1減圧乾燥装置から搬送される前記基板を収容する第2処理容器と、前記第2処理容器の内部で前記基板を保持する第2基板保持部と、前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第2減圧機構とを有し、
前記第2基板保持部は、前記基板が載置される基板載置部を鉛直方向に間隔をおいて複数有するカセットであり、
前記カセットは、前記第2処理容器の内部に配置され
前記制御装置は、前記第2減圧機構によって前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧した状態で、前記搬送部によって前記第2処理容器に対し前記基板を搬入出する、減圧乾燥システムが提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
A first vacuum drying device that evaporates the solvent from a coating layer containing an organic material and a solvent formed on a substrate in a reduced pressure atmosphere where the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure.
A second vacuum drying device, which is provided separately from the first vacuum drying device, evaporates the solvent remaining in the coating layer after the solvent is evaporated by the first vacuum drying device in a reduced pressure atmosphere in which the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure. Decompression drying device and
A transport unit that transports the substrate from the first decompression drying device to the second decompression drying device, and
A control device for controlling the first decompression drying device, the second decompression drying device, and the transport unit is provided.
The first decompression drying device includes a first processing container for accommodating the substrate on which the coating layer is formed, a first substrate holding portion for holding the substrate inside the first processing container, and the first treatment. It has a first decompression mechanism that decompresses the inside of the container to a pressure lower than atmospheric pressure.
The second decompression drying device holds a second processing container for accommodating the substrate conveyed from the first decompression drying device by the transport unit and a second substrate holding for holding the substrate inside the second processing container. It has a part and a second decompression mechanism that decompresses the inside of the second processing container to a pressure lower than the atmospheric pressure.
The second substrate holding portion is a cassette having a plurality of substrate mounting portions on which the substrate is mounted at intervals in the vertical direction.
The cassette is arranged inside the second processing container .
In the control device, the inside of the second processing container is decompressed to a pressure lower than the atmospheric pressure by the second decompression mechanism, and the substrate is carried in and out of the second processing container by the transport unit. A drying system is provided.

本発明の一態様によれば、スループットを向上できる、減圧乾燥システムが提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a vacuum drying system capable of improving throughput.

従来例による減圧乾燥装置の、処理容器の内部の気圧の時間変化を示す図である。It is a figure which shows the time change of the atmospheric pressure inside the processing container of the vacuum drying apparatus by a conventional example. 一実施形態による有機ELディスプレイを示す平面図である。It is a top view which shows the organic EL display by one Embodiment. 一実施形態による有機ELディスプレイの要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of the organic EL display by one Embodiment. 一実施形態による有機発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the organic light emitting diode by one Embodiment. 一実施形態による塗布層が形成された基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the substrate which formed the coating layer by one Embodiment. 図5の塗布層を減圧乾燥した基板を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a substrate in which the coating layer of FIG. 5 is dried under reduced pressure. 一実施形態による基板処理システムを示す平面図である。It is a top view which shows the substrate processing system by one Embodiment. 一実施形態による減圧乾燥システムを示す平面図である。It is a top view which shows the vacuum drying system by one Embodiment. 図8の第1減圧乾燥装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st decompression drying apparatus of FIG. 図8の第2減圧乾燥装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd decompression drying apparatus of FIG. 第1変形例による減圧乾燥システムを示す平面図である。It is a top view which shows the vacuum drying system by 1st modification. 第2変形例による減圧乾燥システムを示す平面図である。It is a top view which shows the vacuum drying system by 2nd modification. 図12の第2減圧乾燥装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd decompression drying apparatus of FIG.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding configurations are designated by the same or corresponding reference numerals and the description thereof will be omitted.

<有機ELディスプレイ>
図2は、一実施形態による有機ELディスプレイを示す平面図である。図2において、一の単位回路11の回路を拡大して示す。
<Organic EL display>
FIG. 2 is a plan view showing an organic EL display according to an embodiment. In FIG. 2, the circuit of one unit circuit 11 is enlarged and shown.

有機ELディスプレイは、基板10と、基板10上に配列される複数の単位回路11と、基板10上に設けられる走査線駆動回路14と、基板10上に設けられるデータ線駆動回路15とを有する。走査線駆動回路14に接続される複数の走査線16と、データ線駆動回路15に接続される複数のデータ線17とで囲まれる領域に、単位回路11が設けられる。単位回路11は、TFT層12と、有機発光ダイオード13とを含む。 The organic EL display includes a substrate 10, a plurality of unit circuits 11 arranged on the substrate 10, a scanning line drive circuit 14 provided on the substrate 10, and a data line drive circuit 15 provided on the substrate 10. .. The unit circuit 11 is provided in a region surrounded by the plurality of scanning lines 16 connected to the scanning line driving circuit 14 and the plurality of data lines 17 connected to the data line driving circuit 15. The unit circuit 11 includes a TFT layer 12 and an organic light emitting diode 13.

TFT層12は、複数のTFT(Thin Film Transistor)を有する。一のTFTはスイッチング素子としての機能を有し、他の一のTFTは有機発光ダイオード13に流す電流量を制御する電流制御用素子としての機能を有する。TFT層12は、走査線駆動回路14およびデータ線駆動回路15によって作動され、有機発光ダイオード13に電流を供給する。TFT層12は単位回路11毎に設けられており、複数の単位回路11は独立に制御される。尚、TFT層12は、一般的な構成であればよく、図2に示す構成には限定されない。 The TFT layer 12 has a plurality of TFTs (Thin Film Transistors). One TFT has a function as a switching element, and the other TFT has a function as a current control element for controlling the amount of current flowing through the organic light emitting diode 13. The TFT layer 12 is operated by the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 to supply a current to the organic light emitting diode 13. The TFT layer 12 is provided for each unit circuit 11, and the plurality of unit circuits 11 are independently controlled. The TFT layer 12 may have a general configuration and is not limited to the configuration shown in FIG.

尚、有機ELディスプレイの駆動方式は、本実施形態ではアクティブマトリックス方式であるが、パッシブマトリックス方式であってもよい。 The drive method of the organic EL display is an active matrix method in this embodiment, but may be a passive matrix method.

図3は、一実施形態による有機ELディスプレイの要部を示す断面図である。基板10としては、ガラス基板や樹脂基板などの透明基板が用いられる。基板10上には、TFT層12が形成されている。TFT層12上には、TFT層12によって形成される段差を平坦化する平坦化層18が形成されている。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing a main part of the organic EL display according to the embodiment. As the substrate 10, a transparent substrate such as a glass substrate or a resin substrate is used. A TFT layer 12 is formed on the substrate 10. A flattening layer 18 for flattening the step formed by the TFT layer 12 is formed on the TFT layer 12.

平坦化層18は、絶縁性を有している。平坦化層18を貫通するコンタクトホールには、コンタクトプラグ19が形成されている。コンタクトプラグ19は、平坦化層18の平坦面に形成される画素電極としての陽極21と、TFT層12とを電気的に接続する。コンタクトプラグ19は、陽極21と同じ材料で、同時に形成されてよい。 The flattening layer 18 has an insulating property. A contact plug 19 is formed in the contact hole penetrating the flattening layer 18. The contact plug 19 electrically connects the anode 21 as a pixel electrode formed on the flat surface of the flattening layer 18 and the TFT layer 12. The contact plug 19 may be made of the same material as the anode 21 and may be formed at the same time.

有機発光ダイオード13は、平坦化層18の平坦面上に形成される。有機発光ダイオード13は、画素電極としての陽極21と、画素電極を基準として基板10とは反対側に設けられる対向電極としての陰極22と、陽極21と陰極22との間に形成される有機層23とを有する。TFT層12を作動させることで、陽極21と陰極22との間に電圧が印加され、有機層23が発光する。 The organic light emitting diode 13 is formed on the flat surface of the flattening layer 18. The organic light emitting diode 13 has an anode 21 as a pixel electrode, a cathode 22 as a counter electrode provided on the opposite side of the substrate 10 with respect to the pixel electrode, and an organic layer formed between the anode 21 and the cathode 22. It has 23 and. By operating the TFT layer 12, a voltage is applied between the anode 21 and the cathode 22, and the organic layer 23 emits light.

陽極21は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などによって形成され、有機層23からの光を透過する。陽極21を透過した光は、基板10を透過し、外部に取り出される。陽極21は、単位回路11毎に設けられる。 The anode 21 is formed of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) and transmits light from the organic layer 23. The light transmitted through the anode 21 passes through the substrate 10 and is taken out to the outside. The anode 21 is provided for each unit circuit 11.

陰極22は、例えばアルミニウムなどによって形成され、有機層23からの光を有機層23に向けて反射する。陰極22で反射した光は、有機層23や陽極21、基板10を透過し、外部に取り出される。陰極22は、複数の単位回路11に共通のものである。 The cathode 22 is formed of, for example, aluminum or the like, and reflects light from the organic layer 23 toward the organic layer 23. The light reflected by the cathode 22 passes through the organic layer 23, the anode 21, and the substrate 10 and is taken out to the outside. The cathode 22 is common to the plurality of unit circuits 11.

有機層23は、例えば、陽極21側から陰極22側に向けて、正孔注入層24、正孔輸送層25、発光層26、電子輸送層27および電子注入層28をこの順で有する。陽極21と陰極22との間に電圧がかかると、陽極21から正孔注入層24に正孔が注入されると共に、陰極22から電子注入層28に電子が注入される。正孔注入層24に注入された正孔は、正孔輸送層25によって発光層26へ輸送される。また、電子注入層28に注入された電子は、電子輸送層27によって発光層26へ輸送される。そうして、発光層26内で正孔と電子が再結合して、発光層26の発光材料が励起され、発光層26が発光する。 The organic layer 23 has, for example, a hole injection layer 24, a hole transport layer 25, a light emitting layer 26, an electron transport layer 27, and an electron injection layer 28 in this order from the anode 21 side to the cathode 22 side. When a voltage is applied between the anode 21 and the cathode 22, holes are injected from the anode 21 into the hole injection layer 24, and electrons are injected from the cathode 22 into the electron injection layer 28. The holes injected into the hole injection layer 24 are transported to the light emitting layer 26 by the hole transport layer 25. Further, the electrons injected into the electron injection layer 28 are transported to the light emitting layer 26 by the electron transport layer 27. Then, holes and electrons are recombined in the light emitting layer 26, the light emitting material of the light emitting layer 26 is excited, and the light emitting layer 26 emits light.

発光層26として、例えば、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が形成される。赤色発光層は赤色に発光する赤色発光材料で形成され、緑色発光層は緑色に発光する緑色発光材料で形成され、青色発光層は青色に発光する青色発光材料で形成される。赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層は、バンク30の開口部31に形成される。 As the light emitting layer 26, for example, a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are formed. The red light emitting layer is formed of a red light emitting material that emits red light, the green light emitting layer is formed of a green light emitting material that emits green light, and the blue light emitting layer is formed of a blue light emitting material that emits blue light. The red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer are formed in the opening 31 of the bank 30.

バンク30は、赤色発光層用の塗布液、緑色発光層用の塗布液、および青色発光層用の塗布液を隔てることで、これらの塗布液の混合を防止する。バンク30は、絶縁性を有しており、平坦化層18を貫通するコンタクトホールを埋める。 The bank 30 separates the coating liquid for the red light emitting layer, the coating liquid for the green light emitting layer, and the coating liquid for the blue light emitting layer to prevent mixing of these coating liquids. The bank 30 has an insulating property and fills a contact hole penetrating the flattening layer 18.

<有機発光ダイオードの製造方法>
図4は、一実施形態による有機発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。
<Manufacturing method of organic light emitting diode>
FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment.

先ず、ステップS101では、画素電極としての陽極21の形成を行う。陽極21の形成には、例えば蒸着法が用いられる。陽極21は、平坦化層18の平坦面に、単位回路11毎に形成される。陽極21と共に、コンタクトプラグ19が形成されてよい。 First, in step S101, the anode 21 as a pixel electrode is formed. For the formation of the anode 21, for example, a vapor deposition method is used. The anode 21 is formed on the flat surface of the flattening layer 18 for each unit circuit 11. A contact plug 19 may be formed together with the anode 21.

続くステップS102では、バンク30の形成を行う。バンク30は、例えばフォトレジストを用いて形成され、フォトリソグラフィ処理によって所定のパターンにパターニングされる。バンク30の開口部31において、陽極21が露出する。 In the following step S102, the bank 30 is formed. The bank 30 is formed using, for example, a photoresist, and is patterned into a predetermined pattern by a photolithography process. The anode 21 is exposed at the opening 31 of the bank 30.

続くステップS103では、正孔注入層24の形成を行う。正孔注入層24の形成には、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって正孔注入層24用の塗布液を陽極21上に塗布することで、図5に示すように塗布層Lが形成される。その塗布層Lを乾燥、焼成することで、図6に示すように正孔注入層24が形成される。 In the following step S103, the hole injection layer 24 is formed. An inkjet method or the like is used to form the hole injection layer 24. By applying the coating liquid for the hole injection layer 24 on the anode 21 by the inkjet method, the coating layer L is formed as shown in FIG. By drying and firing the coating layer L, the hole injection layer 24 is formed as shown in FIG.

続くステップS104では、正孔輸送層25の形成を行う。正孔輸送層25の形成には、正孔注入層24の形成と同様に、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって正孔輸送層25用の塗布液を正孔注入層24上に塗布することで、塗布層が形成される。その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層25が形成される。 In the following step S104, the hole transport layer 25 is formed. Similar to the formation of the hole injection layer 24, an inkjet method or the like is used to form the hole transport layer 25. A coating layer is formed by applying the coating liquid for the hole transport layer 25 onto the hole injection layer 24 by an inkjet method. The hole transport layer 25 is formed by drying and firing the coating layer.

続くステップS105では、発光層26の形成を行う。発光層26の形成には、正孔注入層24や正孔輸送層25の形成と同様に、インクジェット法などが用いられる。インクジェット法によって発光層26用の塗布液を正孔輸送層25上に塗布することで、塗布層が形成される。その塗布層を乾燥、焼成することで、発光層26が形成される。 In the following step S105, the light emitting layer 26 is formed. Similar to the formation of the hole injection layer 24 and the hole transport layer 25, an inkjet method or the like is used to form the light emitting layer 26. A coating layer is formed by applying the coating liquid for the light emitting layer 26 on the hole transport layer 25 by an inkjet method. The light emitting layer 26 is formed by drying and firing the coating layer.

発光層26として、例えば赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が形成される。赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層は、バンク30の開口部31に形成される。バンク30は、赤色発光層用の塗布液、緑色発光層用の塗布液、および青色発光層用の塗布液を隔てることで、これらの塗布液の混合を防止する。 As the light emitting layer 26, for example, a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are formed. The red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer are formed in the opening 31 of the bank 30. The bank 30 separates the coating liquid for the red light emitting layer, the coating liquid for the green light emitting layer, and the coating liquid for the blue light emitting layer to prevent mixing of these coating liquids.

続くステップS106では、電子輸送層27の形成を行う。電子輸送層27の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。電子輸送層27は、複数の単位回路11に共通のものでよいので、バンク30の開口部31内の発光層26上だけではなく、バンク30上にも形成されてよい。 In the following step S106, the electron transport layer 27 is formed. For the formation of the electron transport layer 27, for example, a thin film deposition method or the like is used. Since the electron transport layer 27 may be common to the plurality of unit circuits 11, it may be formed not only on the light emitting layer 26 in the opening 31 of the bank 30 but also on the bank 30.

続くステップS107では、電子注入層28の形成を行う。電子注入層28の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。電子注入層28は、電子輸送層27上に形成される。電子注入層28は、複数の単位回路11に共通のものでよい。 In the following step S107, the electron injection layer 28 is formed. For the formation of the electron injection layer 28, for example, a thin-film deposition method or the like is used. The electron injection layer 28 is formed on the electron transport layer 27. The electron injection layer 28 may be common to the plurality of unit circuits 11.

続くステップS108では、陰極22の形成を行う。陰極22の形成には、例えば蒸着法などが用いられる。陰極22は、電子注入層28上に形成される。陰極22は、複数の単位回路11に共通のものでよい。 In the following step S108, the cathode 22 is formed. For the formation of the cathode 22, for example, a thin-film deposition method or the like is used. The cathode 22 is formed on the electron injection layer 28. The cathode 22 may be common to a plurality of unit circuits 11.

尚、有機ELディスプレイの駆動方式が、アクティブマトリックス方式ではなく、パッシブマトリックス方式である場合、陰極22は、所定のパターンにパターニングされる。 When the driving method of the organic EL display is not the active matrix method but the passive matrix method, the cathode 22 is patterned in a predetermined pattern.

以上の工程により、有機発光ダイオード13が製造される。有機層23のうち、正孔注入層24、正孔輸送層25および発光層26の形成に、基板処理システム100が用いられる。 The organic light emitting diode 13 is manufactured by the above steps. Among the organic layers 23, the substrate processing system 100 is used for forming the hole injection layer 24, the hole transport layer 25, and the light emitting layer 26.

<基板処理システム>
図7は、一実施形態による基板処理システムを示す平面図である。以下の図面において、X方向およびY方向は互いに直交する水平方向であって、Z方向はX方向およびY方向に直交する鉛直方向である。
<Board processing system>
FIG. 7 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment. In the drawings below, the X and Y directions are horizontal directions that are orthogonal to each other, and the Z direction is a vertical direction that is orthogonal to the X and Y directions.

基板処理システム100は、図4のステップS103〜S105に相当する各処理を行い、陽極21上に正孔注入層24、正孔輸送層25および発光層26を形成する。基板処理システム100は、搬入ステーション110と、処理ステーション120と、搬出ステーション130と、制御装置140とを有する。 The substrate processing system 100 performs each process corresponding to steps S103 to S105 in FIG. 4 to form a hole injection layer 24, a hole transport layer 25, and a light emitting layer 26 on the anode 21. The substrate processing system 100 includes a carry-in station 110, a processing station 120, a carry-out station 130, and a control device 140.

搬入ステーション110は、複数の基板10を収容するカセットCを外部から搬入させ、カセットCから複数の基板10を順次取り出す。各基板10には、予めTFT層12や平坦化層18、陽極21、バンク30などが形成されている。 The carry-in station 110 carries in a cassette C accommodating a plurality of boards 10 from the outside, and sequentially takes out the plurality of boards 10 from the cassette C. A TFT layer 12, a flattening layer 18, an anode 21, a bank 30, and the like are formed in advance on each substrate 10.

搬入ステーション110は、カセットCを載置するカセット載置台111と、カセット載置台111と処理ステーション120との間に設けられる搬送路112と、搬送路112に設けられる基板搬送体113とを備える。基板搬送体113は、カセット載置台111に載置されたカセットCと処理ステーション120との間で基板10を搬送する。 The carry-in station 110 includes a cassette mounting table 111 on which the cassette C is mounted, a transport path 112 provided between the cassette mounting table 111 and the processing station 120, and a substrate carrier 113 provided in the transport path 112. The substrate carrier 113 transports the substrate 10 between the cassette C mounted on the cassette mounting table 111 and the processing station 120.

処理ステーション120は、陽極21上に、正孔注入層24、正孔輸送層25および発光層26を形成する。処理ステーション120は、正孔注入層24を形成する正孔注入層形成ブロック121と、正孔輸送層25を形成する正孔輸送層形成ブロック122と、発光層26を形成する発光層形成ブロック123を備える。 The processing station 120 forms a hole injection layer 24, a hole transport layer 25, and a light emitting layer 26 on the anode 21. The processing station 120 includes a hole injection layer forming block 121 forming the hole injection layer 24, a hole transport layer forming block 122 forming the hole transport layer 25, and a light emitting layer forming block 123 forming the light emitting layer 26. To be equipped.

正孔注入層形成ブロック121は、正孔注入層24用の塗布液を陽極21上に塗布して塗布層を形成し、その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔注入層24を形成する。正孔注入層24用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。 The hole injection layer forming block 121 forms a hole injection layer 24 by applying a coating liquid for the hole injection layer 24 on the anode 21 to form a coating layer, and drying and firing the coating layer. do. The coating liquid for the hole injection layer 24 contains an organic material and a solvent. The organic material may be either a polymer or a monomer. In the case of a monomer, it may be polymerized by firing to form a polymer.

正孔注入層形成ブロック121は、塗布装置121aと、バッファ装置121bと、減圧乾燥システム121cと、熱処理装置121dと、温度調節装置121eとを備える。塗布装置121aは、正孔注入層24用の塗布液の液滴を、バンク30の開口部31に向けて吐出する。バッファ装置121bは、処理待ちの基板10を一時的に収容する。減圧乾燥システム121cは、塗布装置121aで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置121dは、減圧乾燥システム121cで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置121eは、熱処理装置121dで加熱処理された基板10の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。 The hole injection layer forming block 121 includes a coating device 121a, a buffer device 121b, a vacuum drying system 121c, a heat treatment device 121d, and a temperature control device 121e. The coating device 121a discharges the droplets of the coating liquid for the hole injection layer 24 toward the opening 31 of the bank 30. The buffer device 121b temporarily accommodates the substrate 10 waiting to be processed. The vacuum drying system 121c dries the coating layer coated by the coating device 121a under reduced pressure to remove the solvent contained in the coating layer. The heat treatment apparatus 121d heat-treats the coating layer dried by the vacuum drying system 121c. The temperature control device 121e adjusts the temperature of the substrate 10 heat-treated by the heat treatment device 121d to a predetermined temperature, for example, room temperature.

塗布装置121a、バッファ装置121b、熱処理装置121d、および温度調節装置121eは、内部が大気雰囲気に維持される。減圧乾燥システム121cは、内部の雰囲気を、大気雰囲気と減圧雰囲気とに切り替える。 The inside of the coating device 121a, the buffer device 121b, the heat treatment device 121d, and the temperature control device 121e is maintained in an atmospheric atmosphere. The vacuum drying system 121c switches the internal atmosphere between an atmospheric atmosphere and a reduced pressure atmosphere.

尚、正孔注入層形成ブロック121において、塗布装置121a、バッファ装置121b、減圧乾燥システム121c、熱処理装置121dおよび温度調節装置121eの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。 In the hole injection layer forming block 121, the arrangement, number, and internal atmosphere of the coating device 121a, the buffer device 121b, the vacuum drying system 121c, the heat treatment device 121d, and the temperature control device 121e can be arbitrarily selected.

また、正孔注入層形成ブロック121は、基板搬送装置CR1〜CR2と、受渡装置TR1〜TR3とを備える。基板搬送装置CR1〜CR2は、それぞれ隣接する各装置へ基板10を搬送する。例えば、基板搬送装置CR1は、隣接する塗布装置121aおよびバッファ装置121bへ基板10を搬送する。基板搬送装置CR2は、隣接する熱処理装置121dおよび温度調節装置121eへ基板10を搬送する。受渡装置TR1〜TR3は、それぞれ順に、搬入ステーション110と基板搬送装置CR1の間、基板搬送装置CR1と減圧乾燥システム121cの間、減圧乾燥システム121cと基板搬送装置CR2の間に設けられ、これらの間で基板10を中継する。基板搬送装置CR1〜CR2や受渡装置TR1〜TR3は、内部が大気雰囲気に維持される。 Further, the hole injection layer forming block 121 includes substrate transport devices CR1 to CR2 and delivery devices TR1 to TR3. The substrate transport devices CR1 and CR2 transport the substrate 10 to each adjacent device. For example, the substrate transfer device CR1 transfers the substrate 10 to the adjacent coating device 121a and buffer device 121b. The substrate transfer device CR2 transfers the substrate 10 to the adjacent heat treatment device 121d and temperature control device 121e. The delivery devices TR1 to TR3 are provided in order between the carry-in station 110 and the substrate transfer device CR1, between the substrate transfer device CR1 and the vacuum drying system 121c, and between the vacuum drying system 121c and the substrate transfer device CR2. The substrate 10 is relayed between them. The inside of the substrate transport devices CR1 to CR2 and the delivery devices TR1 to TR3 is maintained in an atmospheric atmosphere.

正孔注入層形成ブロック121の基板搬送装置CR2と、正孔輸送層形成ブロック122の基板搬送装置CR3との間には、これらの間で基板10を中継する受渡装置TR4が設けられる。受渡装置TR4は、内部が大気雰囲気に維持される。 Between the substrate transfer device CR2 of the hole injection layer forming block 121 and the substrate transfer device CR3 of the hole transport layer forming block 122, a delivery device TR4 that relays the substrate 10 between them is provided. The inside of the delivery device TR4 is maintained in an atmospheric atmosphere.

正孔輸送層形成ブロック122は、正孔輸送層25用の塗布液を正孔注入層24上に塗布して塗布層を形成し、その塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層25を形成する。正孔輸送層25用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。 The hole transport layer forming block 122 is formed by applying a coating liquid for the hole transport layer 25 on the hole injection layer 24 to form a coating layer, and drying and firing the coating layer to form a hole transport layer. 25 is formed. The coating liquid for the hole transport layer 25 contains an organic material and a solvent. The organic material may be either a polymer or a monomer. In the case of a monomer, it may be polymerized by firing to form a polymer.

正孔輸送層形成ブロック122は、塗布装置122aと、バッファ装置122bと、減圧乾燥システム122cと、熱処理装置122dと、温度調節装置122eとを備える。塗布装置122aは、正孔輸送層25用の塗布液の液滴を、バンク30の開口部31に向けて吐出する。バッファ装置122bは、処理待ちの基板10を一時的に収容する。減圧乾燥システム122cは、塗布装置122aで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置122dは、減圧乾燥システム122cで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置122eは、熱処理装置122dで加熱処理された基板10の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。 The hole transport layer forming block 122 includes a coating device 122a, a buffer device 122b, a vacuum drying system 122c, a heat treatment device 122d, and a temperature control device 122e. The coating device 122a discharges droplets of the coating liquid for the hole transport layer 25 toward the opening 31 of the bank 30. The buffer device 122b temporarily accommodates the substrate 10 waiting to be processed. The vacuum drying system 122c dries the coating layer coated by the coating device 122a under reduced pressure to remove the solvent contained in the coating layer. The heat treatment apparatus 122d heat-treats the coating layer dried by the vacuum drying system 122c. The temperature control device 122e adjusts the temperature of the substrate 10 heat-treated by the heat treatment device 122d to a predetermined temperature, for example, room temperature.

塗布装置122aおよびバッファ装置122bは、内部が大気雰囲気に維持される。一方、熱処理装置122dおよび温度調節装置122eは、正孔輸送層25の有機材料の劣化を抑制するため、内部が低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。減圧乾燥システム122cは、内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替える。 The inside of the coating device 122a and the buffer device 122b is maintained in an atmospheric atmosphere. On the other hand, the heat treatment device 122d and the temperature control device 122e suppress the deterioration of the organic material of the hole transport layer 25, so that the inside is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point. The vacuum drying system 122c switches the internal atmosphere between a low oxygen and low dew point atmosphere and a reduced pressure atmosphere.

ここで、低酸素の雰囲気とは、大気よりも酸素濃度が低い雰囲気、例えば酸素濃度が10ppm以下の雰囲気をいう。また、低露点の雰囲気とは、大気よりも露点温度が低い雰囲気、例えば露点温度が−10℃以下の雰囲気をいう。低酸素かつ低露点の雰囲気は、例えば窒素ガス等の不活性ガスで形成される。 Here, the atmosphere of low oxygen means an atmosphere having an oxygen concentration lower than that of the atmosphere, for example, an atmosphere having an oxygen concentration of 10 ppm or less. The low dew point atmosphere means an atmosphere in which the dew point temperature is lower than the atmosphere, for example, an atmosphere in which the dew point temperature is −10 ° C. or lower. The atmosphere of low oxygen and low dew point is formed by an inert gas such as nitrogen gas.

尚、正孔輸送層形成ブロック122において、塗布装置122a、バッファ装置122b、減圧乾燥システム122c、熱処理装置122dおよび温度調節装置122eの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。 In the hole transport layer forming block 122, the arrangement, number, and internal atmosphere of the coating device 122a, the buffer device 122b, the vacuum drying system 122c, the heat treatment device 122d, and the temperature control device 122e can be arbitrarily selected.

また、正孔輸送層形成ブロック122は、基板搬送装置CR3〜CR4と、受渡装置TR5〜TR6とを備える。基板搬送装置CR3〜CR4は、それぞれ隣接する各装置へ基板10を搬送する。受渡装置TR5〜TR6は、それぞれ順に、基板搬送装置CR3と減圧乾燥システム122cの間、減圧乾燥システム122cと基板搬送装置CR4の間に設けられ、これらの間で基板10を中継する。 Further, the hole transport layer forming block 122 includes substrate transport devices CR3 to CR4 and delivery devices TR5 to TR6. The substrate transport devices CR3 to CR4 transport the substrate 10 to each adjacent device. The delivery devices TR5 to TR6 are provided in order between the substrate transfer device CR3 and the vacuum drying system 122c, and between the vacuum drying system 122c and the substrate transfer device CR4, and relay the substrate 10 between them.

基板搬送装置CR3の内部は、大気雰囲気に維持される。一方、基板搬送装置CR4の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。基板搬送装置CR4に隣設される熱処理装置122dや温度調節装置122eの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されるためである。 The inside of the substrate transfer device CR3 is maintained in an atmospheric atmosphere. On the other hand, the inside of the substrate transfer device CR4 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point. This is because the inside of the heat treatment device 122d and the temperature control device 122e provided adjacent to the substrate transfer device CR4 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point.

受渡装置TR5は、その内部の雰囲気を、大気雰囲気と、低酸素かつ低露点の雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。受渡装置TR5の下流側に減圧乾燥システム122cが隣設されるためである。一方、受渡装置TR6の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。 The delivery device TR5 is configured as a load lock device that switches the atmosphere inside the delivery device between an atmosphere atmosphere and an atmosphere having low oxygen and low dew point. This is because the vacuum drying system 122c is installed next to the delivery device TR5 on the downstream side. On the other hand, the inside of the delivery device TR6 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point.

正孔輸送層形成ブロック122の基板搬送装置CR4と、発光層形成ブロック123の基板搬送装置CR5との間には、これらの間で基板10を中継する受渡装置TR7が設けられる。基板搬送装置CR4の内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持され、基板搬送装置CR5の内部は大気雰囲気に維持される。そのため、受渡装置TR7は、その内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。 Between the substrate transfer device CR4 of the hole transport layer forming block 122 and the substrate transfer device CR5 of the light emitting layer forming block 123, a transfer device TR7 that relays the substrate 10 between them is provided. The inside of the substrate transfer device CR4 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point, and the inside of the substrate transfer device CR5 is maintained in an atmosphere of air. Therefore, the delivery device TR7 is configured as a load lock device that switches the atmosphere inside the delivery device TR7 between a low oxygen and low dew point atmosphere and an atmospheric atmosphere.

発光層形成ブロック123は、発光層26用の塗布液を正孔輸送層25上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、発光層26を形成する。発光層26用の塗布液は、有機材料および溶剤を含む。その有機材料は、ポリマー、モノマーのいずれでもよい。モノマーの場合、焼成によって重合され、ポリマーとされてもよい。 The light emitting layer forming block 123 forms the light emitting layer 26 by applying the coating liquid for the light emitting layer 26 on the hole transport layer 25 to form the coating layer, and drying and firing the formed coating layer. The coating liquid for the light emitting layer 26 contains an organic material and a solvent. The organic material may be either a polymer or a monomer. In the case of a monomer, it may be polymerized by firing to form a polymer.

発光層形成ブロック123は、塗布装置123aと、バッファ装置123bと、減圧乾燥システム123cと、熱処理装置123dと、温度調節装置123eとを備える。塗布装置123aは、発光層26用の塗布液の液滴を、バンク30の開口部31に向けて吐出する。バッファ装置123bは、処理待ちの基板10を一時的に収容する。減圧乾燥システム123cは、塗布装置123aで塗布された塗布層を減圧乾燥し、塗布層に含まれる溶剤を除去する。熱処理装置123dは、減圧乾燥システム123cで乾燥された塗布層を加熱処理する。温度調節装置123eは、熱処理装置123dで加熱処理された基板10の温度を、所定の温度、例えば常温に調節する。 The light emitting layer forming block 123 includes a coating device 123a, a buffer device 123b, a vacuum drying system 123c, a heat treatment device 123d, and a temperature control device 123e. The coating device 123a discharges the droplets of the coating liquid for the light emitting layer 26 toward the opening 31 of the bank 30. The buffer device 123b temporarily accommodates the substrate 10 waiting to be processed. The vacuum drying system 123c dries the coating layer coated by the coating device 123a under reduced pressure to remove the solvent contained in the coating layer. The heat treatment apparatus 123d heat-treats the coating layer dried by the vacuum drying system 123c. The temperature control device 123e adjusts the temperature of the substrate 10 heat-treated by the heat treatment device 123d to a predetermined temperature, for example, room temperature.

塗布装置123aおよびバッファ装置123bは、内部が大気雰囲気に維持される。一方、熱処理装置123dおよび温度調節装置123eは、発光層26の有機材料の劣化を抑制するため、内部が低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。減圧乾燥システム123cは、内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、減圧雰囲気とに切り替える。 The inside of the coating device 123a and the buffer device 123b is maintained in an atmospheric atmosphere. On the other hand, the heat treatment device 123d and the temperature control device 123e suppress the deterioration of the organic material of the light emitting layer 26, so that the inside is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point. The vacuum drying system 123c switches the internal atmosphere between a low oxygen and low dew point atmosphere and a reduced pressure atmosphere.

尚、発光層形成ブロック123において、塗布装置123a、バッファ装置123b、減圧乾燥システム123c、熱処理装置123dおよび温度調節装置123eの、配置や個数、内部の雰囲気は、任意に選択可能である。 In the light emitting layer forming block 123, the arrangement, number, and internal atmosphere of the coating device 123a, the buffer device 123b, the vacuum drying system 123c, the heat treatment device 123d, and the temperature control device 123e can be arbitrarily selected.

また、発光層形成ブロック123は、基板搬送装置CR5〜CR6と、受渡装置TR8〜TR9とを備える。基板搬送装置CR5〜CR6は、それぞれ隣接する各装置へ基板10を搬送する。受渡装置TR8〜TR9は、それぞれ順に、基板搬送装置CR5と減圧乾燥システム123cの間、減圧乾燥システム123cと基板搬送装置CR6の間に設けられ、これらの間で基板10を中継する。 Further, the light emitting layer forming block 123 includes substrate transport devices CR5 to CR6 and delivery devices TR8 to TR9. The substrate transport devices CR5 to CR6 transport the substrate 10 to each adjacent device. The delivery devices TR8 to TR9 are provided in order between the substrate transfer device CR5 and the vacuum drying system 123c, and between the vacuum drying system 123c and the substrate transfer device CR6, and relay the substrate 10 between them.

基板搬送装置CR5の内部は、大気雰囲気に維持される。一方、基板搬送装置CR6の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。基板搬送装置CR6に隣設される熱処理装置123dや温度調節装置123eの内部が、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されるためである。 The inside of the substrate transfer device CR5 is maintained in an atmospheric atmosphere. On the other hand, the inside of the substrate transfer device CR6 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point. This is because the inside of the heat treatment device 123d and the temperature control device 123e provided adjacent to the substrate transfer device CR6 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point.

受渡装置TR8は、その内部の雰囲気を、大気雰囲気と、低酸素かつ低露点の雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。受渡装置TR8の下流側に減圧乾燥システム123cが隣設されるためである。受渡装置TR9の内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。 The delivery device TR8 is configured as a load lock device that switches the atmosphere inside the delivery device between an atmosphere atmosphere and an atmosphere having low oxygen and low dew point. This is because the vacuum drying system 123c is installed next to the delivery device TR8 on the downstream side. The inside of the delivery device TR9 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point.

発光層形成ブロック123の基板搬送装置CR6と、搬出ステーション130との間には、これらの間で基板10を中継する受渡装置TR10が設けられる。基板搬送装置CR6の内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持され、搬出ステーション130の内部は大気雰囲気に維持される。そのため、受渡装置TR7は、その内部の雰囲気を、低酸素かつ低露点の雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えるロードロック装置として構成される。 Between the substrate transfer device CR6 of the light emitting layer forming block 123 and the carry-out station 130, a delivery device TR10 that relays the substrate 10 between them is provided. The inside of the substrate transfer device CR6 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point, and the inside of the unloading station 130 is maintained in an atmosphere of air. Therefore, the delivery device TR7 is configured as a load lock device that switches the atmosphere inside the delivery device TR7 between a low oxygen and low dew point atmosphere and an atmospheric atmosphere.

搬出ステーション130は、複数の基板10を順次カセットCに収納し、カセットCを外部に搬出させる。搬出ステーション130は、カセットCを載置するカセット載置台131と、カセット載置台131と処理ステーション120との間に設けられる搬送路132と、搬送路132に設けられる基板搬送体133とを備える。基板搬送体133は、処理ステーション120と、カセット載置台131に載置されたカセットCとの間で基板10を搬送する。 The carry-out station 130 sequentially stores a plurality of boards 10 in the cassette C, and carries out the cassette C to the outside. The unloading station 130 includes a cassette mounting table 131 on which the cassette C is mounted, a transport path 132 provided between the cassette mounting table 131 and the processing station 120, and a substrate carrier 133 provided in the transport path 132. The substrate carrier 133 transports the substrate 10 between the processing station 120 and the cassette C mounted on the cassette mounting table 131.

制御装置140は、CPU(Central Processing Unit)141と、メモリなどの記憶媒体142とを含むコンピュータで構成され、記憶媒体142に記憶されたプログラム(レシピとも呼ばれる)をCPU141に実行させることにより各種処理を実現させる。 The control device 140 is composed of a computer including a CPU (Central Processing Unit) 141 and a storage medium 142 such as a memory, and various processes are performed by causing the CPU 141 to execute a program (also called a recipe) stored in the storage medium 142. To realize.

制御装置140のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。 The program of the control device 140 is stored in the information storage medium and installed from the information storage medium. Examples of the information storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical desk (MO), a memory card, and the like. The program may be downloaded and installed from the server via the Internet.

次に、上記構成の基板処理システム100を用いた基板処理方法について説明する。複数の基板10を収容したカセットCがカセット載置台111上に載置されると、基板搬送体113が、カセット載置台111上のカセットCから基板10を順次取り出し、正孔注入層形成ブロック121に搬送する。 Next, a substrate processing method using the substrate processing system 100 having the above configuration will be described. When the cassette C accommodating the plurality of substrates 10 is mounted on the cassette mounting table 111, the substrate carrier 113 sequentially takes out the substrate 10 from the cassette C on the cassette mounting table 111, and the hole injection layer forming block 121. Transport to.

正孔注入層形成ブロック121は、正孔注入層24用の塗布液を陽極21上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、正孔注入層24を形成する。正孔注入層24が形成された基板10は、受渡装置TR4によって、正孔注入層形成ブロック121から正孔輸送層形成ブロック122に受け渡される。 The hole injection layer forming block 121 forms a coating layer by applying a coating liquid for the hole injection layer 24 on the anode 21, and the formed coating layer is dried and fired to form the hole injection layer 24. Form. The substrate 10 on which the hole injection layer 24 is formed is delivered from the hole injection layer forming block 121 to the hole transport layer forming block 122 by the delivery device TR4.

正孔輸送層形成ブロック122は、正孔輸送層25用の塗布液を正孔注入層24上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、正孔輸送層25を形成する。正孔輸送層25が形成された基板10は、受渡装置TR7によって、正孔輸送層形成ブロック122から発光層形成ブロック123に受け渡される。 The hole transport layer forming block 122 forms a coating layer by applying a coating liquid for the hole transport layer 25 on the hole injection layer 24, and the formed coating layer is dried and fired to transport holes. The layer 25 is formed. The substrate 10 on which the hole transport layer 25 is formed is delivered from the hole transport layer forming block 122 to the light emitting layer forming block 123 by the delivery device TR7.

発光層形成ブロック123は、発光層26用の塗布液を正孔輸送層25上に塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層を乾燥、焼成することで、発光層26を形成する。発光層26が形成された基板10は、受渡装置TR10によって、発光層形成ブロック123から搬出ステーション130に受け渡される。 The light emitting layer forming block 123 forms the light emitting layer 26 by applying the coating liquid for the light emitting layer 26 on the hole transport layer 25 to form the coating layer, and drying and firing the formed coating layer. The substrate 10 on which the light emitting layer 26 is formed is delivered from the light emitting layer forming block 123 to the carry-out station 130 by the delivery device TR10.

搬出ステーション130の基板搬送体133は、受渡装置TR10から受取った基板10を、カセット載置台131上の所定のカセットCに収める。これにより、基板処理システム100における一連の基板10の処理が終了する。 The board carrier 133 of the unloading station 130 stores the board 10 received from the delivery device TR10 in a predetermined cassette C on the cassette mounting table 131. As a result, a series of processing of the substrate 10 in the substrate processing system 100 is completed.

基板10は、カセットCに収められた状態で、搬出ステーション130から外部に搬出される。外部に搬出された基板10には、電子輸送層27や電子注入層28、陰極22などが形成される。 The substrate 10 is carried out from the carry-out station 130 in a state of being housed in the cassette C. An electron transport layer 27, an electron injection layer 28, a cathode 22, and the like are formed on the substrate 10 carried out to the outside.

<減圧乾燥システムおよび減圧乾燥方法>
次に、発光層形成ブロック123の減圧乾燥システム123cについて、図8〜図10を参照して説明する。尚、正孔注入層形成ブロック121の減圧乾燥システム121c、および正孔輸送層形成ブロック122の減圧乾燥システム122cは、発光層形成ブロック123の減圧乾燥システム123cと同様に構成されるので、説明を省略する。
<Decompression drying system and decompression drying method>
Next, the vacuum drying system 123c of the light emitting layer forming block 123 will be described with reference to FIGS. 8 to 10. The vacuum drying system 121c of the hole injection layer forming block 121 and the vacuum drying system 122c of the hole transport layer forming block 122 are configured in the same manner as the vacuum drying system 123c of the light emitting layer forming block 123. Omit.

図8は、一実施形態による減圧乾燥システムを示す平面図である。図9は、図8の第1減圧乾燥装置を示す断面図である。図10は、図8の第2減圧乾燥装置を示す断面図である。図8〜図10に示すように、減圧乾燥システム123cは、第1減圧乾燥装置150と、第2減圧乾燥装置160と、基板搬送装置170とを有する。 FIG. 8 is a plan view showing a vacuum drying system according to an embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the first vacuum drying apparatus of FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the second vacuum drying apparatus of FIG. As shown in FIGS. 8 to 10, the vacuum drying system 123c includes a first vacuum drying device 150, a second vacuum drying device 160, and a substrate transfer device 170.

第1減圧乾燥装置150は、有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板10を第1処理容器151の内部に収容し、気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、塗布層から溶剤を蒸発させる。塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発し、塗布層の輪郭がほぼ整えられる。第1減圧乾燥装置150は、例えば、第1処理容器151と、第1ステージ152と、第1減圧機構155と、第1ガス供給機構156とを有する。 The first decompression drying device 150 accommodates the substrate 10 on which the coating layer containing the organic material and the solvent is formed inside the first processing container 151, and the solvent is applied from the coating layer in a reduced pressure atmosphere where the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure. To evaporate. Most of the solvent contained in the coating layer evaporates, and the contour of the coating layer is almost adjusted. The first decompression drying device 150 includes, for example, a first processing container 151, a first stage 152, a first decompression mechanism 155, and a first gas supply mechanism 156.

第1処理容器151は、有機材料および溶剤を含む塗布層が形成された基板10を収容する。第1処理容器151の側壁部には基板10の搬入出口が形成され、この搬入出口には開閉シャッタが設けられる。開閉シャッタが搬入出口を開放することで基板10の搬入出が可能となり、開閉シャッタが搬入出口を閉塞することで第1処理容器151の内部の減圧が可能となる。第1処理容器151の内部は、減圧開始前に、低酸素かつ低露点の雰囲気、例えば窒素雰囲気とされている。 The first processing container 151 accommodates the substrate 10 on which the coating layer containing the organic material and the solvent is formed. A carry-in outlet for the substrate 10 is formed on the side wall portion of the first processing container 151, and an open / close shutter is provided at the carry-in outlet. The opening / closing shutter opens the loading / unloading port to enable loading / unloading of the substrate 10, and the opening / closing shutter closes the loading / unloading port to reduce the pressure inside the first processing container 151. Before the start of depressurization, the inside of the first treatment container 151 is made to have a low oxygen and low dew point atmosphere, for example, a nitrogen atmosphere.

第1ステージ152は、第1処理容器151の内部で基板10を保持する。第1ステージ152が特許請求の範囲に記載の第1基板保持部に対応する。第1ステージ152は第1処理容器151の内部で固定されており、第1ステージ152の上面から出没するリフトピンが複数設けられる。複数のリフトピンは、基板搬送装置170の基板搬送体172との間で基板10を受け渡す位置と、第1ステージ152との間で基板10を受け渡す位置との間で、基板10を昇降させる。 The first stage 152 holds the substrate 10 inside the first processing container 151. The first stage 152 corresponds to the first substrate holding portion described in the claims. The first stage 152 is fixed inside the first processing container 151, and a plurality of lift pins that appear and disappear from the upper surface of the first stage 152 are provided. The plurality of lift pins raise and lower the substrate 10 between the position where the substrate 10 is delivered to and from the substrate transport body 172 of the substrate transport device 170 and the position where the substrate 10 is delivered to and from the first stage 152. ..

尚、第1ステージ152の上面には、複数のプロキシミティピンが設けられていてよい。複数のプロキシミティピンは、第1ステージ152と基板10との間に僅かな隙間を形成するように、基板10を支持する。 A plurality of proximity pins may be provided on the upper surface of the first stage 152. The plurality of proximity pins support the substrate 10 so as to form a slight gap between the first stage 152 and the substrate 10.

第1減圧機構155は、第1処理容器151の内部を、大気圧よりも低い気圧に減圧する。第1減圧機構155は、例えば、減圧発生源155aと、APC(Adaptive Pressure Control)バルブ155bとを有する。減圧発生源155aとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどが用いられる。減圧発生源155aは、APCバルブ155bが途中に設けられる配管を介して第1処理容器151と接続され、第1処理容器151の内部を減圧する。第1処理容器151の内部の気圧は、APCバルブ155bによって調節しながら、例えば1Pa以下まで減圧される。第1処理容器151の排気口151aは、図9に示すように第1処理容器151の下壁部に形成されているが、上壁部または側壁部に形成されていてもよい。 The first decompression mechanism 155 decompresses the inside of the first processing container 151 to a pressure lower than the atmospheric pressure. The first decompression mechanism 155 includes, for example, a decompression source 155a and an APC (Adaptive Pressure Control) valve 155b. As the decompression source 155a, for example, a dry pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump, or the like is used. The decompression source 155a is connected to the first processing container 151 via a pipe provided in the middle of the APC valve 155b, and the inside of the first processing container 151 is depressurized. The air pressure inside the first processing container 151 is reduced to, for example, 1 Pa or less while being adjusted by the APC valve 155b. The exhaust port 151a of the first processing container 151 is formed on the lower wall portion of the first processing container 151 as shown in FIG. 9, but may be formed on the upper wall portion or the side wall portion.

第1ガス供給機構156は、第1減圧機構155によって減圧された第1処理容器151の内部を元の雰囲気に戻すため、第1処理容器151の内部に窒素ガスなどのガスを供給する。第1ガス供給機構156は、例えば、ガス供給源156aと、マスフローコントローラ156bと、開閉バルブ156cとを有する。ガス供給源156aは、マスフローコントローラ156bや開閉バルブ156cが途中に設けられる配管を介して第1処理容器151と接続され、第1処理容器151の内部にガスを供給する。その供給量はマスフローコントローラ156bによって調節可能である。 The first gas supply mechanism 156 supplies a gas such as nitrogen gas to the inside of the first processing container 151 in order to return the inside of the first processing container 151 decompressed by the first decompression mechanism 155 to the original atmosphere. The first gas supply mechanism 156 includes, for example, a gas supply source 156a, a mass flow controller 156b, and an on-off valve 156c. The gas supply source 156a is connected to the first processing container 151 via a pipe provided with a mass flow controller 156b and an on-off valve 156c in the middle, and supplies gas to the inside of the first processing container 151. The supply amount can be adjusted by the mass flow controller 156b.

第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を第2処理容器161の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。この間、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、全体としてのスループットを向上できる。第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150と同様に、例えば、第2処理容器161と、第2ステージ162と、第2減圧機構165と、第2ガス供給機構166とを有する。 The second vacuum drying device 160 accommodates the substrate 10 conveyed from the first vacuum drying device 150 inside the second processing container 161 and evaporates the solvent remaining in the coating layer in a reduced pressure atmosphere. During this time, the first vacuum drying device 150 can process another substrate 10, so that the overall throughput can be improved. The second decompression drying device 160 has, for example, a second processing container 161, a second stage 162, a second decompression mechanism 165, and a second gas supply mechanism 166, similarly to the first decompression drying device 150.

第2処理容器161は、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を収容する。第2処理容器161の側壁部には基板10の搬入出口が形成され、この搬入出口には開閉シャッタが設けられる。開閉シャッタが搬入出口を開放することで基板10の搬入出が可能となり、開閉シャッタが搬入出口を閉塞することで第2処理容器161の内部の減圧が可能となる。第2処理容器161の内部は、減圧開始前に、低酸素かつ低露点の雰囲気、例えば窒素雰囲気とされている。 The second processing container 161 houses the substrate 10 conveyed from the first vacuum drying device 150. A carry-in outlet for the substrate 10 is formed on the side wall portion of the second processing container 161, and an open / close shutter is provided at the carry-in outlet. The opening / closing shutter opens the loading / unloading port to enable loading / unloading of the substrate 10, and the opening / closing shutter closes the loading / unloading port to reduce the pressure inside the second processing container 161. Before the start of depressurization, the inside of the second treatment container 161 is made to have a low oxygen and low dew point atmosphere, for example, a nitrogen atmosphere.

第2ステージ162は、第2処理容器161の内部で基板10を保持する。第2ステージ162が特許請求の範囲に記載の第2基板保持部に対応する。第2ステージ162は第2処理容器161の内部で固定されており、第2ステージ162の上面から出没するリフトピンが複数設けられる。複数のリフトピンは、基板搬送装置170の基板搬送体172との間で基板10を受け渡す位置と、第2ステージ162との間で基板10を受け渡す位置との間で、基板10を昇降させる。 The second stage 162 holds the substrate 10 inside the second processing container 161. The second stage 162 corresponds to the second substrate holding portion described in the claims. The second stage 162 is fixed inside the second processing container 161 and is provided with a plurality of lift pins that appear and disappear from the upper surface of the second stage 162. The plurality of lift pins raise and lower the substrate 10 between the position where the substrate 10 is delivered to and from the substrate transport body 172 of the substrate transport device 170 and the position where the substrate 10 is delivered to and from the second stage 162. ..

尚、第2ステージ162の上面には、複数のプロキシミティピンが設けられていてよい。複数のプロキシミティピンは、第2ステージ162と基板10との間に僅かな隙間を形成するように、基板10を支持する。 A plurality of proximity pins may be provided on the upper surface of the second stage 162. The plurality of proximity pins support the substrate 10 so as to form a slight gap between the second stage 162 and the substrate 10.

第2減圧機構165は、第2処理容器161の内部を、大気圧よりも低い気圧に減圧する。第2減圧機構165は、例えば、減圧発生源165aと、APCバルブ165bとを有する。減圧発生源165aとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどが用いられる。減圧発生源165aは、APCバルブ165bが途中に設けられる配管を介して第2処理容器161と接続され、第2処理容器161の内部を減圧する。第2処理容器161の内部の気圧は、APCバルブ165bによって調節しながら、例えば1Pa以下まで減圧される。第2処理容器161の排気口161aは、図10に示すように第2処理容器161の下壁部に形成されているが、上壁部または側壁部に形成されていてもよい。 The second decompression mechanism 165 decompresses the inside of the second processing container 161 to a pressure lower than the atmospheric pressure. The second decompression mechanism 165 has, for example, a decompression source 165a and an APC valve 165b. As the decompression source 165a, for example, a dry pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump, or the like is used. The decompression source 165a is connected to the second processing container 161 via a pipe provided in the middle of the APC valve 165b to reduce the pressure inside the second processing container 161. The air pressure inside the second processing container 161 is reduced to, for example, 1 Pa or less while being adjusted by the APC valve 165b. The exhaust port 161a of the second processing container 161 is formed on the lower wall portion of the second processing container 161 as shown in FIG. 10, but may be formed on the upper wall portion or the side wall portion.

第2ガス供給機構166は、第2減圧機構165によって減圧された第2処理容器161の内部を元の雰囲気に戻すため、第2処理容器161の内部に窒素ガスなどのガスを供給する。第2ガス供給機構166は、例えば、ガス供給源166aと、マスフローコントローラ166bと、開閉バルブ166cとを有する。ガス供給源166aは、マスフローコントローラ166bや開閉バルブ166cが途中に設けられる配管を介して第2処理容器161と接続され、第2処理容器161の内部にガスを供給する。その供給量はマスフローコントローラ166bによって調節可能である。 The second gas supply mechanism 166 supplies a gas such as nitrogen gas to the inside of the second processing container 161 in order to return the inside of the second processing container 161 decompressed by the second decompression mechanism 165 to the original atmosphere. The second gas supply mechanism 166 includes, for example, a gas supply source 166a, a mass flow controller 166b, and an on-off valve 166c. The gas supply source 166a is connected to the second processing container 161 via a pipe provided with a mass flow controller 166b and an on-off valve 166c in the middle, and supplies gas to the inside of the second processing container 161. The supply amount can be adjusted by the mass flow controller 166b.

第2減圧乾燥装置160は、上述の如く、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を第2処理容器161の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。予め第1減圧乾燥装置150によって塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されており、第2減圧乾燥装置160によって塗布層から蒸発する溶剤は少量である。そのため、第2処理容器161は、第1処理容器151よりも、溶剤の蒸気が通る通路が狭くてもよく、設置面積や高さが縮小できる。高さが縮小できることで、第2減圧乾燥装置160の多段積みが容易である。 As described above, the second vacuum drying device 160 accommodates the substrate 10 conveyed from the first vacuum drying device 150 inside the second processing container 161 and evaporates the solvent remaining in the coating layer in a reduced pressure atmosphere. Most of the solvent contained in the coating layer has been evaporated in advance by the first vacuum drying device 150, and a small amount of solvent evaporates from the coating layer by the second vacuum drying device 160. Therefore, the second processing container 161 may have a narrower passage through which the solvent vapor passes than the first processing container 151, and the installation area and height can be reduced. Since the height can be reduced, the second vacuum drying device 160 can be easily stacked in multiple stages.

また、第2減圧乾燥装置160は、第2ステージ162に保持された基板10を加熱する加熱源167をさらに有し、第1減圧乾燥装置150よりも高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。蒸発を促進でき、処理時間を短縮できる。予め第1減圧乾燥装置150によって塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されており、塗布層の輪郭がほぼ整えられているため、第2減圧乾燥装置160が第1減圧乾燥装置150よりも高温で乾燥を行っても、塗布層の輪郭が崩れることはない。 Further, the second vacuum drying device 160 further has a heating source 167 for heating the substrate 10 held in the second stage 162, and evaporates the solvent remaining in the coating layer at a higher temperature than the first vacuum drying device 150. Let me. Evaporation can be promoted and the processing time can be shortened. Since most of the solvent contained in the coating layer has been evaporated in advance by the first vacuum drying device 150 and the contour of the coating layer is almost adjusted, the second vacuum drying device 160 is larger than the first vacuum drying device 150. Even if it is dried at a high temperature, the contour of the coating layer does not collapse.

加熱源167としては、例えばヒータが用いられる。加熱源167は、図10では第2ステージ162の内部に埋設されているが、第2ステージ162の外部に設けられていてもよい。 As the heating source 167, for example, a heater is used. Although the heating source 167 is embedded inside the second stage 162 in FIG. 10, it may be provided outside the second stage 162.

尚、本実施形態の第1減圧乾燥装置150は、第1ステージ152に保持された基板10を加熱する加熱源を有しないが、有してもよい。この場合、加熱源は、第1ステージ152の面内の温度ムラを低減するために用いられる。 The first decompression drying device 150 of the present embodiment does not have a heating source for heating the substrate 10 held in the first stage 152, but may have one. In this case, the heating source is used to reduce the in-plane temperature unevenness of the first stage 152.

第1ステージ152の温度は、基板10の温度との温度差をなくすため、室温付近に維持されてよい。第1ステージ152と基板10の間の熱の移動を抑制でき、第1ステージ152の面内の温度ムラを低減できる。よって、塗布層の輪郭を整える過程で、第1ステージ152のリフトピンやプロキシミティピンなどの跡がつくことを防止できる。 The temperature of the first stage 152 may be maintained near room temperature in order to eliminate the temperature difference from the temperature of the substrate 10. The heat transfer between the first stage 152 and the substrate 10 can be suppressed, and the in-plane temperature unevenness of the first stage 152 can be reduced. Therefore, it is possible to prevent marks such as lift pins and proximity pins of the first stage 152 from being formed in the process of adjusting the contour of the coating layer.

第2減圧乾燥装置160は、複数の基板10を順次乾燥する間、第2ステージ162の温度を第1ステージ152の温度よりも高温に保ってよい。ここで、第2ステージ162の温度は、第1ステージ152の温度よりも高温に保たれればよく、一定でもよいし、変動してもよい。 The second vacuum drying apparatus 160 may keep the temperature of the second stage 162 higher than the temperature of the first stage 152 while the plurality of substrates 10 are sequentially dried. Here, the temperature of the second stage 162 may be kept higher than the temperature of the first stage 152, and may be constant or fluctuate.

基板10の入れ替えの間も、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温に保たれており、基板10が第2ステージ162に載せられる前に、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温になっている。そのため、昇温のための待ち時間を省略または短縮でき、スループットをより向上できる。 During the replacement of the substrate 10, the second stage 162 is kept at a higher temperature than the first stage 152, and the second stage 162 is higher than the first stage 152 before the substrate 10 is mounted on the second stage 162. It's hot. Therefore, the waiting time for raising the temperature can be omitted or shortened, and the throughput can be further improved.

この効果は、第1減圧乾燥装置150と第2減圧乾燥装置160の両方を用いることにより得られる。一の減圧乾燥装置のみを用いる場合、減圧開始からしばらくの間、基板の温度を室温付近で維持し、途中から基板の温度を上げることになるので、昇温のための待ち時間を省略または短縮できない。 This effect is obtained by using both the first vacuum drying device 150 and the second vacuum drying device 160. When only one vacuum drying device is used, the temperature of the substrate is maintained near room temperature for a while from the start of decompression, and the temperature of the substrate is raised in the middle, so that the waiting time for raising the temperature is omitted or shortened. Can not.

基板搬送装置170は、隣接する各装置の間で基板10を搬送する。例えば、基板搬送装置170は、基板10を、先ず受渡装置TR8から第1減圧乾燥装置150まで搬送し、次いで第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで搬送し、最後に第2減圧乾燥装置160から受渡装置TR9まで搬送する。 The substrate transfer device 170 transfers the substrate 10 between the adjacent devices. For example, the substrate transfer device 170 first conveys the substrate 10 from the delivery device TR8 to the first decompression drying device 150, then from the first decompression drying device 150 to the second decompression drying device 160, and finally to the second decompression drying device 160. It is conveyed from the drying device 160 to the delivery device TR9.

基板搬送装置170は、例えば、搬送路171と、搬送路171に接続される各装置の間で基板10を搬送する基板搬送体172とを有する。搬送路171は、受渡装置TR8から受渡装置TR9までX方向に延びている。そのY方向両側に、第1減圧乾燥装置150および第2減圧乾燥装置160が接続されている。基板搬送体172は、X方向、Y方向に移動自在とされ、且つZ軸の周りに回転自在とされる。基板搬送体172は、Z方向にも移動自在とされてもよい。 The substrate transfer device 170 includes, for example, a transfer path 171 and a substrate transfer body 172 that transfers the substrate 10 between each device connected to the transfer path 171. The transport path 171 extends in the X direction from the delivery device TR8 to the delivery device TR9. A first vacuum drying device 150 and a second vacuum drying device 160 are connected to both sides in the Y direction. The substrate carrier 172 is movable in the X and Y directions, and is rotatable around the Z axis. The substrate carrier 172 may also be movable in the Z direction.

搬送路171の内部は、塗布層に含まれる有機材料の劣化を抑制するため、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。尚、塗布層に含まれる有機材料が酸素や水分によって劣化しない場合、搬送路171の内部は大気雰囲気に維持されてもよい。搬送路171の内部が大気雰囲気に維持される場合、受渡装置TR8の内部も大気雰囲気に維持される。 The inside of the transport path 171 is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point in order to suppress deterioration of the organic material contained in the coating layer. If the organic material contained in the coating layer is not deteriorated by oxygen or moisture, the inside of the transport path 171 may be maintained in an atmospheric atmosphere. When the inside of the transport path 171 is maintained in the atmospheric atmosphere, the inside of the delivery device TR8 is also maintained in the atmospheric atmosphere.

基板搬送装置170には、複数の第1減圧乾燥装置150が接続されている。よって、一の第1減圧乾燥装置150で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第1減圧乾燥装置150では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第1減圧乾燥装置150が、Z方向に多段積みされてもよい。 A plurality of first decompression drying devices 150 are connected to the substrate transfer device 170. Therefore, while the first vacuum drying device 150 performs vacuum drying of the substrate 10, another first vacuum drying device 150 can perform vacuum drying and loading / unloading of another substrate 10. A plurality of first vacuum drying devices 150 may be stacked in multiple stages in the Z direction.

また、基板搬送装置170には、複数の第2減圧乾燥装置160が接続されている。よって、一の第2減圧乾燥装置160で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第2減圧乾燥装置160では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第2減圧乾燥装置160が、Z方向に多段積みされてもよい。 Further, a plurality of second decompression drying devices 160 are connected to the substrate transfer device 170. Therefore, while the first second vacuum drying device 160 performs vacuum drying of the substrate 10, another second vacuum drying device 160 can perform vacuum drying and loading / unloading of another substrate 10. A plurality of second vacuum drying devices 160 may be stacked in multiple stages in the Z direction.

次に、上記構成の減圧乾燥システム123cを用いた減圧乾燥方法について説明する。減圧乾燥システム123cの下記の動作は、制御装置140によって制御される。制御装置140は、図7では減圧乾燥システム123cとは別に設けられるが、減圧乾燥システム123cの一部として設けられてもよい。 Next, a vacuum drying method using the vacuum drying system 123c having the above configuration will be described. The following operations of the vacuum drying system 123c are controlled by the control device 140. Although the control device 140 is provided separately from the vacuum drying system 123c in FIG. 7, it may be provided as a part of the vacuum drying system 123c.

先ず、受渡装置TR8が基板搬送装置CR5から基板10を受け取り、受渡装置TR8の内部の雰囲気が大気雰囲気から低酸素かつ低露点の雰囲気に切り替えられると、基板搬送体172が受渡装置TR8の内部から第1処理容器151の内部まで基板10を搬送する。基板10が第1ステージ152に載置されると、基板搬送体172が第1処理容器151の内部から退出する。 First, when the delivery device TR8 receives the substrate 10 from the substrate transfer device CR5 and the atmosphere inside the delivery device TR8 is switched from the atmospheric atmosphere to the atmosphere of low oxygen and low dew point, the substrate transfer body 172 is transferred from the inside of the transfer device TR8. The substrate 10 is conveyed to the inside of the first processing container 151. When the substrate 10 is placed on the first stage 152, the substrate carrier 172 exits from the inside of the first processing container 151.

次いで、第1減圧機構155が第1処理容器151の内部を減圧する。減圧雰囲気中で塗布層から溶剤が蒸発する。減圧開始からの経過時間が所定時間に達し、塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発し、塗布層の輪郭がほぼ整えられると、第1減圧機構155が停止される。 Next, the first depressurizing mechanism 155 depressurizes the inside of the first processing container 151. The solvent evaporates from the coating layer in a reduced pressure atmosphere. When the elapsed time from the start of depressurization reaches a predetermined time, most of the solvent contained in the coating layer evaporates, and the contour of the coating layer is substantially adjusted, the first decompression mechanism 155 is stopped.

続いて、第1ガス供給機構156が第1処理容器151の内部にガスを供給し、第1処理容器151の内部を低酸素かつ低露点の雰囲気に戻す。この雰囲気は常圧雰囲気である。その後、基板搬送体172が第1処理容器151の内部から第2処理容器161の内部まで基板10を搬送する。基板10が第2ステージ162に載置されると、基板搬送体172が第2処理容器161の内部から退出する。 Subsequently, the first gas supply mechanism 156 supplies gas to the inside of the first treatment container 151, and returns the inside of the first treatment container 151 to an atmosphere of low oxygen and low dew point. This atmosphere is a normal pressure atmosphere. After that, the substrate carrier 172 transports the substrate 10 from the inside of the first processing container 151 to the inside of the second processing container 161. When the substrate 10 is placed on the second stage 162, the substrate carrier 172 exits from the inside of the second processing container 161.

次いで、第2減圧機構165が第2処理容器161の内部を減圧する。減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤が蒸発する。減圧開始からの経過時間が所定時間に達し、塗布層に残留する溶剤が除去されると、第2減圧機構165が停止される。 Next, the second depressurizing mechanism 165 depressurizes the inside of the second processing container 161. The solvent remaining in the coating layer evaporates in a reduced pressure atmosphere. When the elapsed time from the start of depressurization reaches a predetermined time and the solvent remaining in the coating layer is removed, the second decompression mechanism 165 is stopped.

続いて、第2ガス供給機構166が第2処理容器161の内部にガスを供給し、第2処理容器161の内部を低酸素かつ低露点の雰囲気に戻す。この雰囲気は常圧雰囲気である。その後、基板搬送体172が第2処理容器161の内部から受渡装置TR9の内部まで基板10を搬送する。 Subsequently, the second gas supply mechanism 166 supplies gas to the inside of the second treatment container 161 to return the inside of the second treatment container 161 to an atmosphere of low oxygen and low dew point. This atmosphere is a normal pressure atmosphere. After that, the substrate carrier 172 transports the substrate 10 from the inside of the second processing container 161 to the inside of the delivery device TR9.

以上説明したように、本実施形態によれば、減圧乾燥システム123cは、第1減圧乾燥装置150と第2減圧乾燥装置160とを有する。第1減圧乾燥装置150は、有機材料と溶剤を含む塗布層が形成された基板10を第1処理容器151の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層から溶剤を蒸発させる。第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150から搬送される基板10を第2処理容器161の内部に収容し、減圧雰囲気中で塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。第1減圧乾燥装置150が塗布層に含まれる溶剤の大部分を蒸発させて塗布層の輪郭を整え、その後、第2減圧乾燥装置160が塗布層に残留する溶剤を除去する。第2減圧乾燥装置160が基板10を処理する間に、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、製造ラインのスループットを向上できる。 As described above, according to the present embodiment, the vacuum drying system 123c includes a first vacuum drying device 150 and a second vacuum drying device 160. The first vacuum drying apparatus 150 accommodates the substrate 10 on which the coating layer containing the organic material and the solvent is formed inside the first processing container 151, and evaporates the solvent from the coating layer in a reduced pressure atmosphere. The second vacuum drying device 160 accommodates the substrate 10 conveyed from the first vacuum drying device 150 inside the second processing container 161 and evaporates the solvent remaining in the coating layer in a reduced pressure atmosphere. The first vacuum drying device 150 evaporates most of the solvent contained in the coating layer to prepare the contour of the coating layer, and then the second vacuum drying device 160 removes the solvent remaining in the coating layer. Since the first vacuum drying device 150 can process another substrate 10 while the second vacuum drying device 160 processes the substrate 10, the throughput of the production line can be improved.

本実施形態によれば、第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150よりも高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。蒸発を促進でき、処理時間を短縮できる。予め第1減圧乾燥装置150によって塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されており、塗布層の輪郭がほぼ整えられているため、第2減圧乾燥装置160が第1減圧乾燥装置150よりも高温で乾燥を行っても、塗布層の輪郭が崩れることはない。第2減圧乾燥装置160によって塗布層から蒸発する溶剤は少量である。 According to the present embodiment, the second vacuum drying device 160 evaporates the solvent remaining in the coating layer at a higher temperature than the first vacuum drying device 150. Evaporation can be promoted and the processing time can be shortened. Since most of the solvent contained in the coating layer has been evaporated in advance by the first vacuum drying device 150 and the contour of the coating layer is almost adjusted, the second vacuum drying device 160 is larger than the first vacuum drying device 150. Even if it is dried at a high temperature, the contour of the coating layer does not collapse. The amount of solvent evaporated from the coating layer by the second vacuum drying device 160 is small.

本実施形態によれば、第2減圧乾燥装置160は、複数の基板10を順次乾燥する間、第2ステージ162の温度を第1ステージ152の温度よりも高温に保つ。基板10の入れ替えの間も、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温に保たれており、基板10が第2ステージ162に載せられる前に、第2ステージ162が第1ステージ152よりも高温になっている。そのため、昇温のための待ち時間を省略または短縮でき、スループットをより向上できる。 According to the present embodiment, the second vacuum drying apparatus 160 keeps the temperature of the second stage 162 higher than the temperature of the first stage 152 while the plurality of substrates 10 are sequentially dried. During the replacement of the substrate 10, the second stage 162 is kept at a higher temperature than the first stage 152, and the second stage 162 is higher than the first stage 152 before the substrate 10 is mounted on the second stage 162. It's hot. Therefore, the waiting time for raising the temperature can be omitted or shortened, and the throughput can be further improved.

本実施形態によれば、減圧乾燥システム123cは、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する基板搬送装置170を有する。従って、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を自動で搬送できる。 According to the present embodiment, the vacuum drying system 123c has a substrate transport device 170 that transports the substrate 10 from the first vacuum drying device 150 to the second vacuum drying device 160. Therefore, the substrate 10 can be automatically transported from the first vacuum drying device 150 to the second vacuum drying device 160.

本実施形態によれば、複数の第1減圧乾燥装置150が基板搬送装置170に接続されている。よって、一の第1減圧乾燥装置150で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第1減圧乾燥装置150では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。 According to this embodiment, a plurality of first decompression drying devices 150 are connected to the substrate transfer device 170. Therefore, while the first vacuum drying device 150 performs vacuum drying of the substrate 10, another first vacuum drying device 150 can perform vacuum drying and loading / unloading of another substrate 10.

本実施形態によれば、複数の第2減圧乾燥装置160が基板搬送装置170に接続されている。よって、一の第2減圧乾燥装置160で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第2減圧乾燥装置160では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。 According to this embodiment, a plurality of second decompression drying devices 160 are connected to the substrate transfer device 170. Therefore, while the first second vacuum drying device 160 performs vacuum drying of the substrate 10, another second vacuum drying device 160 can perform vacuum drying and loading / unloading of another substrate 10.

<第1変形例による減圧乾燥システム>
本変形例の減圧乾燥システムは、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替えるロードロック装置180を有する点で、上記実施形態の減圧乾燥システムと相違する。以下、相違点について主に説明する。
<Decompression drying system according to the first modification>
The vacuum drying system of this modification includes a load lock device 180 that accommodates the substrate 10 and switches the internal air pressure in the middle of the transport path for transporting the substrate from the first vacuum drying device 150 to the second vacuum drying device 160. It differs from the vacuum drying system of the above embodiment in that it has. The differences will be mainly described below.

図11は、第1変形例による減圧乾燥システムを示す平面図である。この減圧乾燥システムは、発光層形成ブロック123に備えられるが、正孔注入層形成ブロック121や正孔輸送層形成ブロック122に備えられてもよい。 FIG. 11 is a plan view showing a vacuum drying system according to the first modification. This vacuum drying system is provided in the light emitting layer forming block 123, but may be provided in the hole injection layer forming block 121 or the hole transport layer forming block 122.

本変形例の減圧乾燥システムは、上記実施形態の減圧乾燥システム123cと同様に、第1減圧乾燥装置150と、第2減圧乾燥装置160とを有する。第1減圧乾燥装置150が塗布層に含まれる溶剤の大部分を蒸発させて塗布層の輪郭を整え、その後、第2減圧乾燥装置160が塗布層に残留する溶剤を除去する。第2減圧乾燥装置160が基板10を処理する間に、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、製造ラインのスループットを向上できる。 The vacuum drying system of this modification has a first vacuum drying device 150 and a second vacuum drying device 160, similarly to the vacuum drying system 123c of the above embodiment. The first vacuum drying device 150 evaporates most of the solvent contained in the coating layer to prepare the contour of the coating layer, and then the second vacuum drying device 160 removes the solvent remaining in the coating layer. Since the first vacuum drying device 150 can process another substrate 10 while the second vacuum drying device 160 processes the substrate 10, the throughput of the production line can be improved.

また、第2減圧乾燥装置160は、第1減圧乾燥装置150よりも高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させることで、蒸発を促進でき、処理時間を短縮できる。 Further, the second vacuum drying device 160 can accelerate the evaporation and shorten the processing time by evaporating the solvent remaining in the coating layer at a higher temperature than the first vacuum drying device 150.

さらに、第2減圧乾燥装置160は、複数の基板10を順次乾燥する間、第2ステージ162の温度を第1ステージ152の温度よりも高温に保つことで、昇温のための待ち時間を省略または短縮でき、スループットをより向上できる。 Further, the second vacuum drying apparatus 160 keeps the temperature of the second stage 162 higher than the temperature of the first stage 152 while the plurality of substrates 10 are sequentially dried, thereby omitting the waiting time for raising the temperature. Or it can be shortened and the throughput can be further improved.

ところで、本変形例の減圧乾燥システムは、上記実施形態の減圧乾燥システム123cとは異なり、ロードロック装置180と、第1基板搬送装置181と、第2基板搬送装置182とを有する。 By the way, unlike the vacuum drying system 123c of the above embodiment, the vacuum drying system of this modification has a load lock device 180, a first substrate transfer device 181 and a second substrate transfer device 182.

ロードロック装置180は、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替える。ロードロック装置180には、減圧発生源と、ガス供給源とが接続されている。減圧発生源は、ロードロック装置180の内部を減圧する。ガス供給源は、ロードロック装置180の内部にガスを供給する。ロードロック装置180の内部は、例えば、常圧雰囲気と、減圧雰囲気との間で切り替えられる。 The load lock device 180 accommodates the substrate 10 and switches the internal air pressure in the middle of the transport path for transporting the substrate 10 from the first decompression drying device 150 to the second decompression drying device 160. A decompression source and a gas supply source are connected to the load lock device 180. The decompression source decompresses the inside of the load lock device 180. The gas supply source supplies gas to the inside of the load lock device 180. The inside of the load lock device 180 is switched between, for example, a normal pressure atmosphere and a reduced pressure atmosphere.

第2減圧乾燥装置160の手前のロードロック装置180で、基板10の周辺雰囲気を減圧雰囲気とすることができ、第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持できる。よって、基板10の搬入時に、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧を下げるための待ち時間を省略または短縮できる。また、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧の変動を抑制できるので、第2減圧乾燥装置160の構造を簡素化できる。 The load lock device 180 in front of the second decompression drying device 160 can make the atmosphere around the substrate 10 a decompression atmosphere, and the inside of the second decompression drying device 160 can be maintained in a decompression atmosphere. Therefore, when the substrate 10 is carried in, the waiting time for lowering the air pressure inside the second decompression drying device 160 can be omitted or shortened. Further, since the fluctuation of the atmospheric pressure inside the second decompression drying device 160 can be suppressed, the structure of the second decompression drying device 160 can be simplified.

第1基板搬送装置181は、隣接する各装置の間で基板10を搬送する。例えば、第1基板搬送装置181は、基板10を、先ず受渡装置TR8から第1減圧乾燥装置150まで搬送し、次いで第1減圧乾燥装置150からロードロック装置180まで搬送する。 The first substrate transfer device 181 transfers the substrate 10 between the adjacent devices. For example, the first substrate transfer device 181 first conveys the substrate 10 from the delivery device TR8 to the first decompression drying device 150, and then conveys the substrate 10 from the first decompression drying device 150 to the load lock device 180.

第1基板搬送装置181は、例えば、第1搬送路181aと、第1搬送路181aに接続される各装置の間で基板10を搬送する第1基板搬送体181bとを有する。第1搬送路181aは、受渡装置TR8からロードロック装置180までX方向に延びている。そのY方向両側に、第1減圧乾燥装置150が接続されている。第1基板搬送体181bは、X方向、Y方向に移動自在とされ、且つZ軸の周りに回転自在とされる。第1基板搬送体181bは、Z方向にも移動自在とされてもよい。 The first substrate transport device 181 includes, for example, a first transport path 181a and a first substrate transport body 181b that transports the substrate 10 between each device connected to the first transport path 181a. The first transport path 181a extends in the X direction from the delivery device TR8 to the load lock device 180. The first decompression drying device 150 is connected to both sides in the Y direction. The first substrate carrier 181b is movable in the X and Y directions, and is rotatable around the Z axis. The first substrate carrier 181b may be movable in the Z direction as well.

第1搬送路181aは、第1減圧乾燥装置150による処理後に、基板10が通る路である。第1減圧乾燥装置150で塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発されるので、塗布層に含まれる有機材料が劣化しないように、第1搬送路181aの内部は低酸素かつ低露点の雰囲気に維持される。第1搬送路181aは、第1減圧乾燥装置150による処理前に、基板10が通る路でもある。そのため、第1搬送路181aの内部は常圧雰囲気に維持される。尚、塗布層に含まれる有機材料が酸素や水分によって劣化しない場合、第1搬送路181aの内部は大気雰囲気に維持されてもよい。 The first transport path 181a is a path through which the substrate 10 passes after the treatment by the first decompression drying device 150. Since most of the solvent contained in the coating layer is evaporated by the first vacuum drying apparatus 150, the inside of the first transport path 181a has a low oxygen and low dew point atmosphere so that the organic material contained in the coating layer does not deteriorate. Is maintained at. The first transport path 181a is also a path through which the substrate 10 passes before the processing by the first decompression drying device 150. Therefore, the inside of the first transport path 181a is maintained in a normal pressure atmosphere. If the organic material contained in the coating layer is not deteriorated by oxygen or moisture, the inside of the first transport path 181a may be maintained in an atmospheric atmosphere.

第1基板搬送装置181には、複数の第1減圧乾燥装置150が接続されている。よって、一の第1減圧乾燥装置150で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第1減圧乾燥装置150では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第1減圧乾燥装置150がZ方向に多段積みされてもよい。また、第1減圧乾燥装置150とロードロック装置180とがZ方向に多段積みされてもよい。 A plurality of first decompression drying devices 150 are connected to the first substrate transfer device 181. Therefore, while the first vacuum drying device 150 performs vacuum drying of the substrate 10, another first vacuum drying device 150 can perform vacuum drying and loading / unloading of another substrate 10. A plurality of first vacuum drying devices 150 may be stacked in multiple stages in the Z direction. Further, the first decompression drying device 150 and the load lock device 180 may be stacked in multiple stages in the Z direction.

第2基板搬送装置182は、隣接する各装置の間で基板10を搬送する。例えば、第2基板搬送装置182は、基板10を、先ずロードロック装置180から第2減圧乾燥装置160まで搬送し、次いで第2減圧乾燥装置160から受渡装置TR9まで搬送する。 The second substrate transfer device 182 transfers the substrate 10 between the adjacent devices. For example, the second substrate transfer device 182 first conveys the substrate 10 from the load lock device 180 to the second decompression drying device 160, and then conveys the substrate 10 from the second decompression drying device 160 to the delivery device TR9.

第2基板搬送装置182は、例えば、第2搬送路182aと、第2搬送路182aに接続される各装置の間で基板10を搬送する第2基板搬送体182bとを有する。第2搬送路182aは、ロードロック装置180と受渡装置TR8とを接続する。その途中に、第2減圧乾燥装置160が接続されている。第2基板搬送体182bは、X方向、Y方向に移動自在とされ、且つZ軸の周りに回転自在とされる。第2基板搬送体182bは、Z方向にも移動自在とされてもよい。 The second substrate transfer device 182 has, for example, a second transfer path 182a and a second substrate transfer body 182b that transfers the substrate 10 between each device connected to the second transfer path 182a. The second transport path 182a connects the load lock device 180 and the delivery device TR8. A second vacuum drying device 160 is connected in the middle of the process. The second substrate carrier 182b is movable in the X and Y directions, and is rotatable around the Z axis. The second substrate carrier 182b may be movable in the Z direction as well.

第2基板搬送装置182は、内部の気圧を大気圧よりも低い気圧に減圧する減圧発生源182cを含む。減圧発生源182cとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプが用いられる。減圧発生源182cは、APCバルブなどが途中に設けられる配管を介して第2搬送路182aと接続され、第2搬送路182aの内部を減圧雰囲気に維持する。第2搬送路182aの内部と接続される第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持するためである。 The second substrate transfer device 182 includes a decompression source 182c that reduces the internal pressure to a pressure lower than the atmospheric pressure. As the decompression source 182c, for example, a dry pump, a mechanical booster pump, and a turbo molecular pump are used. The decompression generation source 182c is connected to the second transport path 182a via a pipe provided with an APC valve or the like in the middle, and maintains the inside of the second transport path 182a in a decompression atmosphere. This is to maintain the inside of the second decompression drying device 160 connected to the inside of the second transport path 182a in a decompression atmosphere.

第2基板搬送装置182には、複数の第2減圧乾燥装置160が接続されている。よって、一の第2減圧乾燥装置160で基板10の減圧乾燥を行う間に、別の第2減圧乾燥装置160では別の基板10の減圧乾燥や搬入出などを行うことができる。尚、複数の第2減圧乾燥装置160がZ方向に多段積みされてもよい。また、第2減圧乾燥装置160とロードロック装置180とがZ方向に多段積みされてもよい。 A plurality of second decompression drying devices 160 are connected to the second substrate transfer device 182. Therefore, while the first second vacuum drying device 160 performs vacuum drying of the substrate 10, another second vacuum drying device 160 can perform vacuum drying and loading / unloading of another substrate 10. A plurality of second vacuum drying devices 160 may be stacked in multiple stages in the Z direction. Further, the second decompression drying device 160 and the load lock device 180 may be stacked in multiple stages in the Z direction.

次に、本変形例の減圧乾燥システムを用いた減圧乾燥方法について説明する。減圧乾燥システムの下記の動作は、制御装置140によって制御される。制御装置140は、減圧乾燥システムとは別に設けられてもよいし、減圧乾燥システムの一部として設けられてもよい。 Next, a vacuum drying method using the vacuum drying system of this modified example will be described. The following operations of the vacuum drying system are controlled by the control device 140. The control device 140 may be provided separately from the vacuum drying system, or may be provided as a part of the vacuum drying system.

先ず、受渡装置TR8が基板搬送装置CR5から基板10を受け取り、受渡装置TR8の内部の雰囲気が大気雰囲気から低酸素かつ低露点の雰囲気に切り替えられると、第1基板搬送体181bが受渡装置TR8の内部から第1処理容器151の内部まで基板10を搬送する。基板10が第1ステージ152に載置されると、第1基板搬送体181bが第1処理容器151の内部から退出する。 First, when the delivery device TR8 receives the substrate 10 from the substrate transfer device CR5 and the atmosphere inside the delivery device TR8 is switched from the atmospheric atmosphere to the atmosphere of low oxygen and low dew point, the first substrate transfer body 181b of the delivery device TR8 The substrate 10 is conveyed from the inside to the inside of the first processing container 151. When the substrate 10 is placed on the first stage 152, the first substrate carrier 181b exits from the inside of the first processing container 151.

次いで、第1減圧機構155が第1処理容器151の内部を減圧する。減圧雰囲気中で塗布層から溶剤が蒸発する。減圧開始からの経過時間が所定時間に達し、塗布層に含まれる溶剤の大部分が蒸発し、塗布層の輪郭がほぼ整えられると、第1減圧機構155が停止される。 Next, the first depressurizing mechanism 155 depressurizes the inside of the first processing container 151. The solvent evaporates from the coating layer in a reduced pressure atmosphere. When the elapsed time from the start of depressurization reaches a predetermined time, most of the solvent contained in the coating layer evaporates, and the contour of the coating layer is substantially adjusted, the first decompression mechanism 155 is stopped.

続いて、第1ガス供給機構156が第1処理容器151の内部にガスを供給し、第1処理容器151の内部を低酸素かつ低露点の雰囲気に戻す。この雰囲気は常圧雰囲気である。その後、第1基板搬送体181bが第1処理容器151の内部からロードロック装置180の内部まで基板10を搬送する。 Subsequently, the first gas supply mechanism 156 supplies gas to the inside of the first treatment container 151, and returns the inside of the first treatment container 151 to an atmosphere of low oxygen and low dew point. This atmosphere is a normal pressure atmosphere. After that, the first substrate carrier 181b conveys the substrate 10 from the inside of the first processing container 151 to the inside of the load lock device 180.

続いて、第1基板搬送体181bがロードロック装置180の内部から退出すると、ロードロック装置180の内部が低酸素かつ低露点の雰囲気から減圧雰囲気に切り替えられる。その後、第2基板搬送体182bが、ロードロック装置180の内部から第2処理容器161の内部まで基板10を搬送する。基板10が第2ステージ162に載置されると、第2基板搬送体182bが第2処理容器161の内部から退出する。 Subsequently, when the first substrate carrier 181b exits from the inside of the load lock device 180, the inside of the load lock device 180 is switched from an atmosphere of low oxygen and low dew point to a decompression atmosphere. After that, the second substrate carrier 182b conveys the substrate 10 from the inside of the load lock device 180 to the inside of the second processing container 161. When the substrate 10 is placed on the second stage 162, the second substrate carrier 182b exits from the inside of the second processing container 161.

次いで、第2処理容器161の内部の減圧雰囲気中で、塗布層に残留する溶剤が蒸発する。経過時間が所定時間に達し、塗布層に残留する溶剤が除去されると、第2基板搬送体182bが第2処理容器161の内部から受渡装置TR9の内部まで基板10を搬送する。 Next, the solvent remaining in the coating layer evaporates in the reduced pressure atmosphere inside the second treatment container 161. When the elapsed time reaches a predetermined time and the solvent remaining in the coating layer is removed, the second substrate carrier 182b conveys the substrate 10 from the inside of the second processing container 161 to the inside of the delivery device TR9.

尚、第2基板搬送体182bが受渡装置TR9の内部から退出すると、受渡装置TR9の内部が減圧雰囲気から低酸素かつ低露点の雰囲気に切り替えられる。その後、基板10は、熱処理装置123dで加熱処理される。熱処理装置123dの内部は、低酸素かつ低露点の雰囲気に維持されている。 When the second substrate carrier 182b exits from the inside of the delivery device TR9, the inside of the delivery device TR9 is switched from a reduced pressure atmosphere to a low oxygen and low dew point atmosphere. After that, the substrate 10 is heat-treated by the heat treatment apparatus 123d. The inside of the heat treatment apparatus 123d is maintained in an atmosphere of low oxygen and low dew point.

以上説明したように、本変形例によれば、減圧乾燥システムは、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替えるロードロック装置180を有する。第2減圧乾燥装置160の手前のロードロック装置180で、基板10の周辺雰囲気を減圧雰囲気とすることができ、第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持できる。よって、基板10の搬入時に、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧を下げるための待ち時間を省略または短縮できる。また、第2減圧乾燥装置160の内部の気圧の変動を抑制できるので、第2減圧乾燥装置160の構造を簡素化できる。 As described above, according to the present modification, the vacuum drying system accommodates the substrate 10 in the middle of the transport path for transporting the substrate 10 from the first vacuum drying device 150 to the second vacuum drying device 160. It has a load lock device 180 for switching the internal air pressure. The load lock device 180 in front of the second decompression drying device 160 can make the atmosphere around the substrate 10 a decompression atmosphere, and the inside of the second decompression drying device 160 can be maintained in a decompression atmosphere. Therefore, when the substrate 10 is carried in, the waiting time for lowering the air pressure inside the second decompression drying device 160 can be omitted or shortened. Further, since the fluctuation of the atmospheric pressure inside the second decompression drying device 160 can be suppressed, the structure of the second decompression drying device 160 can be simplified.

本変形例によれば、減圧乾燥システムは、第1減圧乾燥装置150からロードロック装置180まで基板10を搬送する第1基板搬送装置181と、ロードロック装置180から第2減圧乾燥装置160まで基板10を搬送する第2基板搬送装置182とをさらに有する。よって、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160まで基板10を自動で搬送できる。 According to this modification, the vacuum drying system includes a first substrate transfer device 181 that conveys the substrate 10 from the first vacuum drying device 150 to the load lock device 180, and a substrate from the load lock device 180 to the second vacuum drying device 160. It further has a second substrate transfer device 182 that conveys 10. Therefore, the substrate 10 can be automatically transported from the first vacuum drying device 150 to the second vacuum drying device 160.

本変形例によれば、第2基板搬送装置182は、内部の気圧を大気圧よりも低い気圧に減圧する減圧発生源182cを含む。減圧発生源182cは、第2搬送路182aの内部を減圧雰囲気に維持する。第2搬送路182aの内部と接続される第2減圧乾燥装置160の内部を減圧雰囲気に維持するためである。 According to this modification, the second substrate transfer device 182 includes a decompression generation source 182c that reduces the internal pressure to a pressure lower than the atmospheric pressure. The decompression source 182c maintains the inside of the second transport path 182a in a decompression atmosphere. This is to maintain the inside of the second decompression drying device 160 connected to the inside of the second transport path 182a in a decompression atmosphere.

<第2変形例による減圧乾燥システム>
本変形例の減圧乾燥システムは、第2減圧乾燥装置160Aが複数の基板を同時に保持するカセットを有する点で、上記第1変形例の減圧乾燥システムと相違する。以下、相違点について主に説明する。
<Decompression drying system according to the second modification>
The vacuum drying system of the first modification is different from the vacuum drying system of the first modification in that the second vacuum drying device 160A has a cassette that holds a plurality of substrates at the same time. The differences will be mainly described below.

図12は、第2変形例による減圧乾燥システムを示す平面図である。この減圧乾燥システムは、発光層形成ブロック123に備えられるが、正孔注入層形成ブロック121や正孔輸送層形成ブロック122に備えられてもよい。 FIG. 12 is a plan view showing a vacuum drying system according to the second modification. This vacuum drying system is provided in the light emitting layer forming block 123, but may be provided in the hole injection layer forming block 121 or the hole transport layer forming block 122.

本変形例の減圧乾燥システムは、上記第1変形例の減圧乾燥システムと同様に、第1減圧乾燥装置150と、第2減圧乾燥装置160Aとを有する。第1減圧乾燥装置150が塗布層に含まれる溶剤の大部分を蒸発させて塗布層の輪郭を整え、その後、第2減圧乾燥装置160Aが塗布層に残留する溶剤を除去する。第2減圧乾燥装置160Aが基板10を処理する間に、第1減圧乾燥装置150が別の基板10を処理できるため、製造ラインのスループットを向上できる。 The vacuum drying system of this modification has a first vacuum drying device 150 and a second vacuum drying device 160A, similarly to the vacuum drying system of the first modification. The first vacuum drying device 150 evaporates most of the solvent contained in the coating layer to prepare the contour of the coating layer, and then the second vacuum drying device 160A removes the solvent remaining in the coating layer. Since the first vacuum drying device 150 can process another substrate 10 while the second vacuum drying device 160A processes the substrate 10, the throughput of the production line can be improved.

また、本変形例の減圧乾燥システムは、上記第1変形例の減圧乾燥システムと同様に、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160Aまで基板10を搬送する搬送経路の途中で、基板10を収容すると共に、内部の気圧を切り替えるロードロック装置180を有する。第2減圧乾燥装置160Aの手前のロードロック装置180で、基板10の周辺雰囲気を減圧雰囲気とすることができ、第2減圧乾燥装置160Aの内部を減圧雰囲気に維持できる。よって、基板10の搬入時に、第2減圧乾燥装置160Aの内部の気圧を下げるための待ち時間を省略または短縮できる。また、第2減圧乾燥装置160Aの内部の気圧の変動を抑制できるので、第2減圧乾燥装置160Aの構造を簡素化できる。 Further, the vacuum drying system of the present modification is the same as the vacuum drying system of the first modification, in the middle of the transport path for transporting the substrate 10 from the first vacuum drying device 150 to the second vacuum drying device 160A. It has a load lock device 180 that accommodates 10 and switches the internal air pressure. The load lock device 180 in front of the second decompression drying device 160A can make the surrounding atmosphere of the substrate 10 a decompression atmosphere, and the inside of the second decompression drying device 160A can be maintained in a decompression atmosphere. Therefore, when the substrate 10 is carried in, the waiting time for lowering the air pressure inside the second decompression drying device 160A can be omitted or shortened. Further, since the fluctuation of the atmospheric pressure inside the second decompression drying device 160A can be suppressed, the structure of the second decompression drying device 160A can be simplified.

さらに、本変形例の減圧乾燥システムは、上記第1変形例の減圧乾燥システムと同様に、第1減圧乾燥装置150からロードロック装置180まで基板10を搬送する第1基板搬送装置181と、ロードロック装置180から第2減圧乾燥装置160Aまで基板10を搬送する第2基板搬送装置182Aとをさらに有する。よって、第1減圧乾燥装置150から第2減圧乾燥装置160Aまで基板10を自動で搬送できる。 Further, the vacuum drying system of the present modification is the same as the vacuum drying system of the first modification, the first substrate transfer device 181 for transporting the substrate 10 from the first vacuum drying device 150 to the load lock device 180, and the load. It further includes a second substrate transfer device 182A for transporting the substrate 10 from the lock device 180 to the second vacuum drying device 160A. Therefore, the substrate 10 can be automatically transported from the first vacuum drying device 150 to the second vacuum drying device 160A.

本変形例によれば、第2基板搬送装置182Aは、第2搬送路182Aaと、第2基板搬送体182Abと、減圧発生源182Acとを有する。減圧発生源182Acは、APCバルブなどが途中に設けられる配管を介して第2搬送路182Aaと接続され、第2搬送路182Aaの内部を減圧雰囲気に維持する。第2搬送路182Aaの内部と接続される第2減圧乾燥装置160Aの内部を減圧雰囲気に維持するためである。 According to this modification, the second substrate transfer device 182A has a second transfer path 182Aa, a second substrate transfer body 182Ab, and a decompression generation source 182Ac. The decompression generation source 182Ac is connected to the second transport path 182Aa via a pipe provided with an APC valve or the like in the middle, and maintains the inside of the second transport path 182Aa in a decompression atmosphere. This is to maintain the inside of the second decompression drying device 160A connected to the inside of the second transport path 182Aa in a decompression atmosphere.

図13は、図12の第2減圧乾燥装置を示す断面図である。この第2減圧乾燥装置160Aは、本変形例の減圧乾燥システムに備えられるが、上記実施形態の減圧乾燥システム123cや上記第1変形例の減圧乾燥システムに備えられてもよい。 FIG. 13 is a cross-sectional view showing the second vacuum drying apparatus of FIG. The second vacuum drying device 160A is provided in the vacuum drying system of the present modification, but may be provided in the vacuum drying system 123c of the above embodiment or the vacuum drying system of the first modification.

本変形例の第2減圧乾燥装置160Aは、例えば、第2処理容器161Aと、カセット162Aと、Z方向駆動部163Aと、第2減圧機構165Aとを有する。 The second decompression drying device 160A of this modification includes, for example, a second processing container 161A, a cassette 162A, a Z-direction drive unit 163A, and a second decompression mechanism 165A.

第2処理容器161Aは、第1減圧乾燥装置150から順次搬送される複数の基板10を同時に収容する。第2処理容器161Aの側壁部には、基板10の搬入出口161Aaが形成されている。第2処理容器161Aの内部は、減圧雰囲気に維持される。 The second processing container 161A simultaneously accommodates a plurality of substrates 10 that are sequentially conveyed from the first vacuum drying device 150. A carry-in outlet 161Aa for the substrate 10 is formed on the side wall portion of the second processing container 161A. The inside of the second processing container 161A is maintained in a reduced pressure atmosphere.

カセット162Aは、第1減圧乾燥装置150から順次搬送される複数の基板10を、第2処理容器161Aの内部で同時に保持する。各基板10は、第2処理容器161Aの内部で、設定時間の間、保持された後、外部に搬出される。枚葉式の場合よりも、単位時間当たりの処理枚数を増加できる。カセット162Aが特許請求の範囲に記載の第2基板保持部に対応する。 The cassette 162A simultaneously holds a plurality of substrates 10 sequentially conveyed from the first vacuum drying apparatus 150 inside the second processing container 161A. Each substrate 10 is held inside the second processing container 161A for a set time, and then carried out. The number of processed sheets per unit time can be increased as compared with the case of the single-wafer type. The cassette 162A corresponds to the second substrate holding portion described in the claims.

カセット162Aは、基板10が載置される基板載置部162AaをZ方向に間隔をおいて複数有し、第2処理容器161Aの内部でZ方向に移動自在とされる。 The cassette 162A has a plurality of substrate mounting portions 162Aa on which the substrate 10 is mounted at intervals in the Z direction, and is movable in the Z direction inside the second processing container 161A.

Z方向駆動部163Aは、第2処理容器161Aの内部でカセット162AをZ方向に移動させる。カセット162Aの基板載置部162Aaは、第2基板搬送体182Abとの干渉を避けるように形成されており、例えば櫛歯状に形成されている。カセット162Aの内部に第2基板搬送体182Abが侵入した状態で、カセット162AがZ方向に移動することで、基板10の受渡が行われる。 The Z-direction drive unit 163A moves the cassette 162A in the Z direction inside the second processing container 161A. The substrate mounting portion 162Aa of the cassette 162A is formed so as to avoid interference with the second substrate carrier 182Ab, and is formed in a comb-teeth shape, for example. The substrate 10 is delivered by moving the cassette 162A in the Z direction in a state where the second substrate carrier 182Ab has penetrated into the cassette 162A.

第2減圧機構165Aは、第2処理容器161Aの内部を、大気圧よりも低い気圧に減圧する。第2減圧機構165Aは、例えば、減圧発生源165Aaと、APCバルブ165Abとを有する。減圧発生源165Aaとしては、例えばドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプなどが用いられる。減圧発生源165Aaは、APCバルブ165Abが途中に設けられる配管を介して第2処理容器161Aと接続され、第2処理容器161Aの内部を減圧する。第2処理容器161Aの内部の気圧は、例えば1Pa以下まで減圧される。 The second decompression mechanism 165A decompresses the inside of the second processing container 161A to a pressure lower than the atmospheric pressure. The second decompression mechanism 165A has, for example, a decompression source 165Aa and an APC valve 165Ab. As the decompression source 165Aa, for example, a dry pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump, or the like is used. The decompression source 165Aa is connected to the second processing container 161A via a pipe provided in the middle of the APC valve 165Ab to reduce the pressure inside the second processing container 161A. The air pressure inside the second processing container 161A is reduced to, for example, 1 Pa or less.

第2減圧乾燥装置160Aは、室温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる場合に比べ、第2減圧乾燥装置160Aの構造を簡素化できる。 The second vacuum drying device 160A evaporates the solvent remaining in the coating layer at room temperature. The structure of the second vacuum drying apparatus 160A can be simplified as compared with the case where the solvent remaining in the coating layer is evaporated at a high temperature.

本変形例の減圧乾燥システムを用いた減圧乾燥方法は、上記第1変形例の減圧乾燥システムを用いた減圧乾燥方法と同様であるので、説明を省略する。 The vacuum drying method using the vacuum drying system of the present modification is the same as the vacuum drying method using the vacuum drying system of the first modification, and thus the description thereof will be omitted.

以上説明したように、本変形例のカセット162Aは、第1減圧乾燥装置150から順次搬送される複数の基板10を、第2処理容器161Aの内部で同時に保持する。各基板10は、第2処理容器161Aの内部で、設定時間の間、保持された後、外部に搬出される。枚葉式の場合よりも、単位時間当たりの処理枚数を増加できる。 As described above, the cassette 162A of the present modification simultaneously holds a plurality of substrates 10 sequentially conveyed from the first vacuum drying apparatus 150 inside the second processing container 161A. Each substrate 10 is held inside the second processing container 161A for a set time, and then carried out. The number of processed sheets per unit time can be increased as compared with the case of the single-wafer type.

この効果は、第2減圧乾燥装置160Aでの乾燥に必要な時間が長く、上記設定時間が長い場合に、特に顕著である。そのような場合としては、例えば第2減圧乾燥装置160Aが室温で乾燥を行う場合が挙げられる。 This effect is particularly remarkable when the time required for drying in the second vacuum drying device 160A is long and the set time is long. As such a case, for example, a case where the second vacuum drying device 160A performs drying at room temperature can be mentioned.

また、本変形例によれば、第2減圧乾燥装置160Aは、室温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる。高温で、塗布層に残留する溶剤を蒸発させる場合に比べ、第2減圧乾燥装置160Aの構造を簡素化できる。 Further, according to this modification, the second vacuum drying apparatus 160A evaporates the solvent remaining in the coating layer at room temperature. The structure of the second vacuum drying apparatus 160A can be simplified as compared with the case where the solvent remaining in the coating layer is evaporated at a high temperature.

以上、減圧乾燥システムなどの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 Although embodiments such as a vacuum drying system have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and improvements can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Is.

例えば、有機ELディスプレイは、上記実施形態では発光層26からの光を基板10側から取り出すボトムエミッション方式であるが、発光層26からの光を基板10とは反対側から取り出すトップエミッション方式でもよい。 For example, the organic EL display is a bottom emission method in which the light from the light emitting layer 26 is taken out from the substrate 10 side in the above embodiment, but a top emission method in which the light from the light emitting layer 26 is taken out from the side opposite to the substrate 10 may be used. ..

トップエミッション方式の場合、基板10は、透明基板ではなくてもよく、不透明基板であってもよい。発光層26からの光は、基板10とは反対側から取り出されるためである。 In the case of the top emission method, the substrate 10 does not have to be a transparent substrate and may be an opaque substrate. This is because the light from the light emitting layer 26 is taken out from the side opposite to the substrate 10.

トップエミッション方式の場合、透明電極である陽極21が対向電極として用いられ、陰極22が単位回路11毎に設けられる画素電極として用いられる。この場合、陽極21と陰極22の配置が逆になるので、陰極22上に、電子注入層28、電子輸送層27、発光層26、正孔輸送層25および正孔注入層24が、この順で形成される。 In the case of the top emission method, the anode 21 which is a transparent electrode is used as a counter electrode, and the cathode 22 is used as a pixel electrode provided for each unit circuit 11. In this case, since the arrangement of the anode 21 and the cathode 22 is reversed, the electron injection layer 28, the electron transport layer 27, the light emitting layer 26, the hole transport layer 25, and the hole injection layer 24 are placed in this order on the cathode 22. Is formed by.

有機層23は、上記実施形態では、陽極21側から陰極22側に向けて、正孔注入層24、正孔輸送層25、発光層26、電子輸送層27、電子注入層28をこの順で有するが、少なくとも発光層26を有していればよい。有機層23は、図3に示す構成には限定されない。 In the above embodiment, the organic layer 23 includes the hole injection layer 24, the hole transport layer 25, the light emitting layer 26, the electron transport layer 27, and the electron injection layer 28 in this order from the anode 21 side to the cathode 22 side. It has, but it is sufficient if it has at least a light emitting layer 26. The organic layer 23 is not limited to the configuration shown in FIG.

減圧乾燥システムは、有機ELディスプレイの製造に用いられるが、例えば液晶ディスプレイの製造に用いられてもよい。 The vacuum drying system is used in the manufacture of organic EL displays, but may be used, for example, in the manufacture of liquid crystal displays.

10 基板
13 有機発光ダイオード
21 陽極
22 陰極
23 有機層
100 基板処理システム
123c 減圧乾燥システム
150 第1減圧乾燥装置
151 第1処理容器
152 第1ステージ
155 第1減圧機構
160 第2減圧乾燥装置
161 第2処理容器
162 第2ステージ
165 第2減圧機構
167 加熱源
170 基板搬送装置
180 ロードロック装置
181 第1基板搬送装置
182 第2基板搬送装置
10 Substrate 13 Organic light emitting diode 21 Anode 22 Cathode 23 Organic layer 100 Substrate processing system 123c Decompression drying system 150 First decompression drying device 151 First processing container 152 First stage 155 First decompression mechanism 160 Second decompression drying device 161 Second Processing container 162 2nd stage 165 2nd decompression mechanism 167 Heat source 170 Board transfer device 180 Load lock device 181 1st board transfer device 182 2nd board transfer device

Claims (12)

気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、基板に形成された有機材料および溶剤を含む塗布層から前記溶剤を蒸発させる第1減圧乾燥装置と、
前記第1減圧乾燥装置とは別に設けられ、前記第1減圧乾燥装置による前記溶剤の蒸発後に前記塗布層に残留する前記溶剤を、気圧が大気圧よりも低い減圧雰囲気中で、蒸発させる第2減圧乾燥装置と、
前記第1減圧乾燥装置から前記第2減圧乾燥装置に前記基板を搬送する搬送部と、
前記第1減圧乾燥装置と前記第2減圧乾燥装置と前記搬送部とを制御する制御装置と、を備え、
前記第1減圧乾燥装置は、前記塗布層が形成された前記基板を収容する第1処理容器と、前記第1処理容器の内部で前記基板を保持する第1基板保持部と、前記第1処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第1減圧機構とを有し、
前記第2減圧乾燥装置は、前記搬送部によって前記第1減圧乾燥装置から搬送される前記基板を収容する第2処理容器と、前記第2処理容器の内部で前記基板を保持する第2基板保持部と、前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧する第2減圧機構とを有し、
前記第2基板保持部は、前記基板が載置される基板載置部を鉛直方向に間隔をおいて複数有するカセットであり、
前記カセットは、前記第2処理容器の内部に配置され
前記制御装置は、前記第2減圧機構によって前記第2処理容器の内部を大気圧よりも低い気圧に減圧した状態で、前記搬送部によって前記第2処理容器に対し前記基板を搬入出する、減圧乾燥システム。
A first vacuum drying device that evaporates the solvent from a coating layer containing an organic material and a solvent formed on a substrate in a reduced pressure atmosphere where the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure.
A second vacuum drying device, which is provided separately from the first vacuum drying device, evaporates the solvent remaining in the coating layer after the solvent is evaporated by the first vacuum drying device in a reduced pressure atmosphere in which the atmospheric pressure is lower than the atmospheric pressure. Decompression drying device and
A transport unit that transports the substrate from the first decompression drying device to the second decompression drying device, and
A control device for controlling the first decompression drying device, the second decompression drying device, and the transport unit is provided.
The first decompression drying device includes a first processing container for accommodating the substrate on which the coating layer is formed, a first substrate holding portion for holding the substrate inside the first processing container, and the first treatment. It has a first decompression mechanism that decompresses the inside of the container to a pressure lower than atmospheric pressure.
The second decompression drying device holds a second processing container for accommodating the substrate conveyed from the first decompression drying device by the transport unit and a second substrate holding for holding the substrate inside the second processing container. It has a part and a second decompression mechanism that decompresses the inside of the second processing container to a pressure lower than the atmospheric pressure.
The second substrate holding portion is a cassette having a plurality of substrate mounting portions on which the substrate is mounted at intervals in the vertical direction.
The cassette is arranged inside the second processing container .
In the control device, the inside of the second processing container is decompressed to a pressure lower than the atmospheric pressure by the second decompression mechanism, and the substrate is carried in and out of the second processing container by the transport unit. Drying system.
前記第2減圧乾燥装置は、前記第2処理容器の内部で、前記カセットを鉛直方向に移動させる駆動部を有する、請求項1に記載の減圧乾燥システム。 The vacuum drying system according to claim 1, wherein the second vacuum drying device has a drive unit for moving the cassette in the vertical direction inside the second processing container. 前記第2減圧乾燥装置は、室温で、前記塗布層に残留する前記溶剤を蒸発させる、請求項1又は2に記載の減圧乾燥システム。 The vacuum drying system according to claim 1 or 2, wherein the second vacuum drying apparatus evaporates the solvent remaining in the coating layer at room temperature. 前記第2減圧乾燥装置は、前記第2基板保持部に保持された前記基板を加熱する加熱源をさらに有し、前記第1減圧乾燥装置よりも高温で、前記塗布層に残留する前記溶剤を蒸発させる、請求項1又は2に記載の減圧乾燥システム。 The second vacuum drying apparatus further has a heating source for heating the substrate held in the second substrate holding portion, and the solvent remaining in the coating layer at a higher temperature than the first vacuum drying apparatus. The vacuum drying system according to claim 1 or 2, which evaporates. 前記第2減圧乾燥装置は、複数の前記基板を順次乾燥する間、前記第2基板保持部の温度を前記第1基板保持部の温度よりも高温に保つ、請求項4に記載の減圧乾燥システム。 The vacuum drying system according to claim 4, wherein the second vacuum drying apparatus keeps the temperature of the second substrate holding portion higher than the temperature of the first substrate holding portion while sequentially drying a plurality of the substrates. .. 前記搬送部は、前記第1減圧乾燥装置から前記第2減圧乾燥装置まで前記基板を搬送する搬送経路の途中で、前記基板を収容すると共に、内部の気圧を切り替えるロードロック装置を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の減圧乾燥システム。 The transport unit has a load lock device for accommodating the substrate and switching the internal air pressure in the middle of a transport path for transporting the substrate from the first decompression drying device to the second decompression drying device. The vacuum drying system according to any one of 1 to 5. 前記搬送部は、前記第1減圧乾燥装置から前記ロードロック装置まで前記基板を搬送する第1基板搬送装置と、前記ロードロック装置から前記第2減圧乾燥装置まで前記基板を搬送する第2基板搬送装置とをさらに有する、請求項6に記載の減圧乾燥システム。 The transport unit includes a first substrate transport device that transports the substrate from the first decompression drying device to the load lock device, and a second substrate transport device that transports the substrate from the load lock device to the second decompression drying device. The vacuum drying system according to claim 6, further comprising an apparatus. 前記第2基板搬送装置は、内部の気圧を大気圧よりも低い気圧に減圧する減圧発生源を含む、請求項7に記載の減圧乾燥システム。 The decompression drying system according to claim 7, wherein the second substrate transport device includes a decompression source that reduces the internal pressure to a pressure lower than the atmospheric pressure. 前記第1減圧乾燥装置を複数有し、複数の前記第1減圧乾燥装置が前記第1基板搬送装置に接続される、請求項7または8に記載の減圧乾燥システム。 The vacuum drying system according to claim 7 or 8, which has a plurality of the first vacuum drying devices, and the plurality of the first vacuum drying devices are connected to the first substrate transport device. 前記第2減圧乾燥装置を複数有し、複数の前記第2減圧乾燥装置が前記第2基板搬送装置に接続される、請求項7〜9のいずれか1項に記載の減圧乾燥システム。 The vacuum drying system according to any one of claims 7 to 9, further comprising a plurality of the second vacuum drying devices, and the plurality of the second vacuum drying devices are connected to the second substrate transport device. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の減圧乾燥システムを用いて、前記塗布層を乾燥させる、減圧乾燥方法。 A vacuum drying method for drying the coating layer using the vacuum drying system according to any one of claims 1 to 10. 前記塗布層は、有機EL発光ダイオードの製造に用いられるものである、請求項11に記載の減圧乾燥方法。 The vacuum drying method according to claim 11, wherein the coating layer is used for manufacturing an organic EL light emitting diode.
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