JP6924510B2 - 磁気温熱療法の効力改善および／または毒性低減のためのいくつかの周波数での磁場振動 - Google Patents

Description

本発明は、磁気温熱療法による治療の効力を改善し毒性を減少させるための、いくつかの周波数で振動する磁場の使用に関する。

磁気温熱療法は、振動磁場の印加下でナノ粒子を加熱する方法である。このような方法は、例えば、磁性ナノ粒子が腫瘍内に導入されるかまたは腫瘍に送られ、振動磁場の印加下で加熱され、抗腫瘍効果をもたらす場合の治療法として使用することができる。このような治療の高い効力を達成するための１つの方法は、高い加熱パワーまたは大きい比吸収率（ＳＡＲ）を有するナノ粒子を使用することであり、ＳＡＲは通常、ナノ粒子のワット／グラムで測定される。様々な研究において、高いＳＡＲを有するナノ材料が紹介されている。しかしながら、達成可能な最大ＳＡＲには限界があるようだ。磁気温熱療法のために最も一般的に使用されるナノ粒子、すなわち酸化鉄ナノ粒子に関しては、サイズを増大させてＳＡＲを増大させることが示唆されている。これは、走磁性細菌によって生物学的に合成された酸化鉄ナノ粒子であるマグネトソームを使用することによって特に可能となる（Ａｌｐｈａｎｄｅｒｙ ｅｔ ａｌ．（２０１１）ＡＣＳ Ｎａｎｏ、Ｖｏｌ．５、Ｐ．６２７９）。しかしながら、１００ｎｍよりも大きいナノ粒子は通常マルチドメインになり、したがってその磁気特性を失うため、ナノ粒子サイズを増大させることによるナノ粒子加熱特性の改善は制限される。ナノ粒子の磁気異方性を増大させることによってナノ粒子のＳＡＲを増大させることも提案されているが、これは通常、医療用途には避けなければならないコバルトなどの毒性遷移金属をドープしたナノ粒子を使用することによって達成されている。

Ａｌｐｈａｎｄｅｒｙ ｅｔ ａｌ．（２０１１）ＡＣＳ Ｎａｎｏ、Ｖｏｌ．５、Ｐ．６２７９

本発明では、磁気温熱療法治療の効力を改善し、その毒性を低減するための新しい方法を紹介する。

この方法は、腫瘍などの治療するべき組織または器官に含まれる磁性ナノ粒子を、２つ以上の異なる周波数で振動する振動磁場に曝すことを含む。１つの周波数は好ましくは高振動周波数と呼ばれる。これは好ましくは１０^−３ｋＨｚ〜１０^６ｋＨｚ、または１０^−２ｋＨｚ〜１０^５ｋＨｚ、または１０^−１ｋＨｚ〜１０^４ｋＨｚ、または１ｋＨｚ〜１０^３ｋＨｚ、または５０ｋＨｚ〜２００ｋＨｚであり、磁性ナノ粒子を加熱するために好ましくは使用される。いくつかの場合において、高周波は、１０^９、１０^８、１０^６、１０^５、１０^４、１０^３、１０^２、１０、または１ｋＨｚよりも低い。いくつかの場合において、高周波は、１０^−９、１０^−７、１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、５０、１００、または１０００ｋＨｚよりも大きい。別の周波数は好ましくは中周波と呼ばれる。これは好ましくは０．５Ｈｚ〜２５００００ｋＨｚ、または５Ｈｚ〜２５０００ｋＨｚ、または５０Ｈｚ〜２５０ｋＨｚ、または５００Ｈｚ〜２５ｋＨｚであり、好ましくは高周波を変調し、および／または、より高いかまたはより大きい最大磁場、またはより高いかまたはより大きい高周波の振動に達することを好ましくは可能にする。いくつかの場合において、中周波は１０^９、１０^７、１０^５、１０^３、または１０ｋＨｚよりも低い。いくつかの他の場合において、中周波は１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１００、５００、１０^３、または１０^４Ｈｚよりも大きい。さらに別の周波数は好ましくは低周波と呼ばれる。これは好ましくは１０^−９Ｈｚ〜１０^３Ｈｚ、または１０^−８Ｈｚ〜１０^２Ｈｚ、または１０^−７Ｈｚ〜１０Ｈｚ、または１０^−６Ｈｚ〜１Ｈｚ、または１０^−５Ｈｚ〜１Ｈｚ、または１０^−４Ｈｚ〜１Ｈｚ、または１０^−３Ｈｚ〜１Ｈｚ、または１０^−２Ｈｚ〜１Ｈｚ、または１０^−１Ｈｚ〜１Ｈｚである。これは好ましくは１０^３、１０^２、１０、１、または１０−^１Ｈｚよりも低く、好ましくは、加熱工程および冷却工程を誘発することを可能にする。これは好ましくは１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、または１Ｈｚよりも大きい。

この方法は、以下の理由で有利であり得る。第１に、この方法は治療の安全性を高め得る。一方、この方法は渦電流またはフーコー電流を制限し、したがって生物全体を加熱する可能性を制限することができる。一方、この方法では、治療中に達する温度で抗腫瘍効果を得ることが可能であり得、この温度は、１つの周波数のみで振動する磁場の印加で達する温度よりも全体的に低くなり得る。第２に、この方法は一連の温度勾配、または加熱工程および冷却工程の適用を可能にすることによって治療の効力を増加させることができ、これは、通常、より一定の温度を生じる連続磁場の印加に比べて、腫瘍の破壊においてより効率的であり得る。第３に、この方法では、印加する磁場の強度または振幅、加熱工程および冷却工程の数、加熱時間および冷却時間を達成したい温度に応じて固定する治療を考慮することが可能であり得る。したがって、一方では、磁気温熱療法治療の場合に通常そうであるように、所与の温度に達するために治療中に印加する磁場の強度または振幅を変える必要がない可能性がある。一方、磁場の強度または振幅、ならびに加熱工程および冷却工程を作り出すために使用する必要がある加熱時間および冷却時間を決定する事前検量線を使用することによって、治療中の温度プローブの使用を止めることが可能であり得る。第４に、１つの周波数のみで振動する磁場に比べて、１つ以上の周波数で振動する磁場では過熱に達する可能性がより稀であるため、治療の安全性も強化され得る。

本発明は、磁気温熱療法治療、予防的治療または診断方法に使用するための磁性ナノ粒子に関し、ここで、磁性ナノ粒子は個体の身体部分に投与され、身体部分は高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場に曝される。

本発明はまた、磁気温熱療法治療、予防的治療または診断方法に使用するための磁性ナノ粒子に関し、ここで、磁性ナノ粒子は個体の身体部分に投与され、身体部分は高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場に曝され、ここで、高周波は最大で１ＭＨｚであり、中周波は高周波よりも低く、低周波は高周波よりも低く、かつ中周波が存在する場合には中周波よりも低い。

本発明の一実施形態では、個体はヒトまたは動物である。

本発明の一実施形態では、高周波は、１０^６、１０^３、１０、１、１０^−１、１０^−３、１０^−６、１０^−９、１０^−１２、または１０^−１５ＭＨｚよりも低い。

本発明の一実施形態では、高周波は、１０^６、１０^５、１０^４、１０^３、５００、１００、５０、２０、１０、５、または１ｋＨｚよりも低い。

本発明のさらに別の実施形態では、高周波は１〜１０^９ｋＨｚ、または１〜１０^６ｋＨｚ、または１〜１０^３ｋＨｚである。

本発明の別の実施形態では、中周波は、高周波よりも少なくとも１．０１、１．１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５、または１０^１０倍低い。ｆ_ｈとｆ_ｍとの比ｆ_ｈ／ｆ_ｍは、１．０１、１．１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５または１０^１０よりも大きくてもよい。

本発明のさらに別の実施形態では、低周波は、高周波、および中周波が存在する場合には中周波よりも少なくとも１．０１、１．１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５または１０^１０倍低い。ｆ_ｈとｆ_ｌとの比ｆ_ｈ／ｆ_ｌ、またはｆ_ｍとｆ_ｌとの比ｆ_ｍ／ｆ_ｌは、１．０１、１．１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５または１０^１０よりも大きくてもよい。

本発明はまた、個体の磁気温熱療法による予防的、治療的処置または診断方法に関し、個体の身体部分に有効量の磁性ナノ粒子を投与すること、ならびに高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場に身体部分を曝すことを含む。

本発明の一実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場は、高周波、および中周波および／または低周波で振動する磁場と同じである。これは高周波および中周波で振動する磁場、または高周波および低周波で振動する磁場、または高周波、中周波および低周波で振動する磁場を指す。

本発明の一実施形態では、磁場は交番磁場とも呼ばれる振動磁場を指すことができ、ここで、振動磁場は、好ましくは低周波ｆ_ｌ、および／または中周波数ｆ_ｍ、および／または高周波数ｆ_ｈ、および／またはいくつかの周波数、および／または１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、５０または１００を超える周波数で経時的に振動する磁場を指すことができる。磁場の振幅の経時的な変動は、ｆ_ｈでの振動については図１（ａ）に、ｆ_ｍおよびｆ_ｈでの振動については図１（ｂ）に、ｆ_ｍ、ｆ_ｌおよびｆ_ｈでの振動については図２（ｂ）に、ｆ_ｈおよびｆ_ｌでの振動については図２（ｃ）に示す。

本発明の一実施形態では、磁場は、ｆ_ｈの振動で持続時間ｔ_１、ｔ_２またはｔ_３の高周波シーケンス（図１（ａ））、ｆ_ｈおよびｆ_ｍの振動で持続時間ｔ_４、ｔ_５またはｔ_６の中周波シーケンス（図１（ｂ））、ｆ_ｈ、ｆ_ｍおよびｆ_ｌの振動で持続時間ｔ_７またはｔ_８の低周波シーケンス（図２（ｂ））、ｆ_ｈおよびｆ_ｌの振動で持続時間ｔ_９またはｔ_１０の低周波シーケンス（図２（ｃ））の間印加される。

本発明によれば、周波数は、シーケンスが少なくとも２、３、５、１０、５０、１００、１０^３、１０^５または１０^１０回繰り返される場合、好ましくは所与の周波数に関連付けられる異なるシーケンスの持続期間が、これらの異なるシーケンス間で１．１、１．５、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５または１０^１０倍未満で変動するか、または好ましくは所与の周波数に関連付けられる異なるシーケンスの持続時間が、１．０１〜１０^１０、または１．１〜１０^７、または１．１〜１０^５、または１．１〜１０^３、または１．１〜１００、または１．１〜１０で構成される係数で変動する場合、または好ましくは所与の周波数に関連付けられる異なるシーケンスの持続時間が、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０^３、１０^５または１０^７倍を超えて変動する場合に定義することができる。

本発明によれば、周波数は、ｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４、ｔ_５、ｔ_６、ｔ_７、ｔ_８、ｔ_９、ｔ_１０、ｔ_１１またはｔ_１２、これらはｔ_ｉ（１＜ｉ＜１２）とも称されるが、これらの平均値を用いて測定することができる。ｔ_ｉは、関係式

を用いて表すことができ、ここでｊは任意のシーケンスを表し、ｍはシーケンスの総数である。好ましくは、ｍは２、５、１０、１０^３または１０^６よりも大きい。いくつかの場合において、ｍは１０^６、１０^５、１０^４、１０^３、１０^２、１０、９、８、７、６、５、４、３または２未満であり得る。いくつかの場合において、ｍは２〜１０^６、または２〜１０^５、または２〜１０^３、または２〜１０、または２〜５、または２〜４、または２〜３、または３〜４、または３〜５、または３〜１０、または３〜１０^２、または３〜１０^５、または３〜１０^７であり得る。

本発明によれば、持続時間ｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４、ｔ_５またはｔ_６のシーケンスが短すぎて、温度変動、加熱工程もしくは冷却工程、または加熱セッションもしくは冷却セッションを誘発できない可能性がある。

本発明によれば、中周波が高周波を変調することを可能にするために、ｔ_１、ｔ_２またはｔ_３は、ｔ_４、ｔ_５またはｔ_６よりも短くてもよい。

本発明によれば、持続時間ｔ_７、ｔ_８、ｔ_９、ｔ_１０、ｔ_１１またはｔ_１２のシーケンスは、温度変動、加熱工程もしくは冷却工程、または加熱セッションもしくは冷却セッションを誘発するのに十分な長さであり得る。

本発明によれば、持続時間ｔ_７、ｔ_８、ｔ_９またはｔ_１０のシーケンスは、ｔ_１１またはｔ_１２よりも短く、振動の低周波が超長波よりも多くの温度勾配を生じることを可能にしてもよく、ここで超長波は、好ましくはセッションの繰り返しの周波数に対応する。

本発明の一実施形態では、磁気温熱療法は、好ましくは治療または診断の方法、技術またはプロセスを指し、ここで、磁性ナノ粒子は、振動に曝され、温度上昇を誘発する（またはしない）か、または磁性ナノ粒子から化合物の放出を生成する（またはしない）。

本発明の一実施形態では、温度上昇は１０^５、１０^３、１５０、１００、７５、５０、２５、２０、１５、５、２、１、０．１、１０^−２、１０^−３または１０^−５℃よりも小さく、好ましくは振動磁場を印加する前または印加せずに測定して、好ましくは生理学的温度または身体部分、個体もしくは生物の体温よりも高い。

本発明のさらに別の実施形態では、温度上昇は１０^５、１０^３、１５０、１００、７５、５０、２５、２０、１５、５、２、１、０．１、１０^−２、１０^−３または１０^−５℃よりも大きく、好ましくは振動磁場を印加する前または印加せずに測定して、好ましくは生理学的温度、または身体部分、個体もしくは生物の温度よりも高い。

本発明の一実施形態では、放出化合物のパーセンテージは、１０^−１５、１０^−８、１０^−４、１０^−２、１、５、１０、２５、５０、７５、１０^２、１０^４、１０^８または１０^１５％未満であり、このパーセンテージは、振動磁場の印加後または印加中に放出された化合物の量を、振動磁場の印加前または印加なしで磁性ナノ粒子に結びつくかまたは結合した化合物の量で割ったものに対応し得る。

本発明のなお別の実施形態では、放出化合物のパーセンテージは、１０^−１５、１０^−８、１０^−４、１０^−２、１、５、１０、２５、５０、７５、１０^２、１０^４、１０^８または１０^１５％よりも大きい。放出化合物のパーセンテージが１００％を超える状況は起こりそうもないが、例えば放出化合物がそれ自身をいくつかの化合物に変換し、それ故に放出化合物の数が増加する場合に起こり得る。

本発明の一実施形態では、磁場の振動は、磁束密度、エネルギーまたはパワーの経時的な振動または変動を指し、好ましくは軸方向および半径方向など、１つまたはいくつかの方向で磁界プローブを用いて、最も好ましくは円筒形磁界プローブの軸方向および半径方向で測定される。いくつかの場合において、磁束密度は、例えばプローブによって測定した電圧、好ましくは半径方向Ｕ_ｒおよび軸方向Ｕ_ａの電圧の量、プローブに関連付けられる係数、例えばプローブの半径方向係数α_ｒおよび軸方向係数α_ａ、ならびに１つまたは複数の振動周波数、好ましくは振動の高周波ｆ_ｈから、最も好ましくは式Ｈ_ｒ＝Ｕ_ｒ／α_ｒｆ_ｈおよび／またはＨ_ａ＝Ｕ_ａ／α_ａｆ_ｈを使用して推論することができ、式中、Ｈ_ｒおよびＨ_ａは半径方向および軸方向の磁束密度をそれぞれ指す。

本発明の別の実施形態では、磁束密度は磁場の強度、または磁場のエネルギーもしくはパワーなどの他のパラメータを指す。

本発明の別の実施形態では、振動の周波数は、最大磁束密度の２つの連続する値に対応する、２回の値ｔ_ｍａｘ１およびｔ_ｍａｘ２から、ｆ＝［１／（ｔ_ｍａｘ２−ｔ_ｍａｘ１）］またはｆ＝［２π／（ｔ_ｍａｘ２−ｔ_ｍａｘ１）］として推定することができる。他のいくつかの場合では、振動の周波数は、最小磁束密度の２つの連続する値に対応する、２回の値ｔ_ｍｉｎ１およびｔ_ｍｉｎ２から、ｆ＝［１／（ｔ_ｍｉｎ２−ｔ_ｍｉｎ１）］またはｆ＝［２π／（ｔ_ｍｉｎ２−ｔ_ｍｉｎ１）］として推定することができる。これらの式は、好ましくは、振動の高周波ｆ_ｈおよび／または中周波ｆ_ｍを測定するために使用することができる。

本発明の別の実施形態では、磁場の振動は、経時的な磁束密度の大きさの変動または振動Ｈを指し、ここでＨは、好ましくは軸方向または半径方向で測定された磁束密度から、最も好ましくは関係式Ｈ＝［Ｈ_ｒ ^２＋Ｈ_ａ ^２］^１／２を用いて推論することができる。磁束密度の大きさは、磁場の振幅を指してもよい。

本発明のさらに別の実施形態では、最大磁場Ｈ_ｍａｘは、経時的に振動する磁束密度の大きさの最大値として定義される。これは好ましくは、各高周波振動の極大磁場振幅の異なる値間で推定される最大磁場振幅に対応し、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}を指す。

本発明の別の実施形態では、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}は各高周波振動について推定される磁場振幅の極大値である。

本発明のさらに別の実施形態では、平均磁場Ｈ_ａｖは、各高周波振動について推定されたＨ_{ｍａｘ、ｉ}の異なる値の平均値として定義される。

さらに別の実施形態では、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}、平均磁場または最大磁場、磁場の強度または振幅、高、低または中振動周波数は、振動磁場を生成する装置のパラメータ、例えば、強さ、パワー、交流電流の周波数に依存する可能性があり、そのようなパラメータの様々な値について推定することができる。また、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}、平均磁場または最大磁場、磁場の強度または振幅、高、低または中振動周波数は、好ましくは磁性ナノ粒子を加熱するために、装置と磁性ナノ粒子との間の距離、または装置と個体の身体部分との間の距離、または装置と振動磁場を印加したい領域との間の距離に依存し得る。Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}、平均磁場または最大磁場、磁場の強度または振幅、高、低または中振動周波数は、そのような距離の関数として推定され得る。

振動磁場を発生させる装置の説明は、本発明の説明の中で後に提供される。

本発明の一実施形態では、振動磁場は、診断に使用される医療装置、ＭＲＩ、スキャナ、いくつかの異なる周波数で振動する磁場を発生しない機器、または永久磁石によっては発生しない。

本発明の別の実施形態では、振動磁場は空間的に変動しないか、または１０^９、１０^７、１０^５、１０^３、１０、１、１０^−３、１０^−５、１０^−７または１０^−９ｍＴ／ｍまたは１０^−９ｍＴ／ｃｍまたは１０^−９ｍＴ／ｎｍ未満で変動する。

本発明の一実施形態では、高周波でのみ振動する磁場について、平均磁場と最大磁場との間の関係は、Ｈ_ａｖ＝Ｈ_ｍａｘであり得るか、または平均磁場は、最大磁場に近く、好ましくはわずかに低い可能性がある。平均磁場は、好ましくは、関係式

から推論することができ、ここでＨ_{ｍａｘ、ｉ}は各高周波振動について推定された磁束密度の最大の大きさであり、ｎは高周波振動の総数である。

本発明の一実施形態では、各高周波振動について推定された最大磁場振幅が変動、増加および／または減少しないか、あるいは好ましくは８０、６０、５０、４０、２０、１０、５、２または１％未満で変動、増加および／または減少する場合に、磁場は高周波でのみ振動すると考える。この変動のパーセンテージは、振動の低周波に関連付けられる加熱時間および冷却時間よりも好ましくは短い期間、最も好ましくは１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５、１０^−６、１０^−７、１０^−８、１０^−９、１０^−１０、１０^−１１または１０^−１２秒よりも短い期間にわたって測定される。

本発明の別の実施形態では、各高周波振動について推定される最大磁場振幅Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}が、好ましくは８０、６０、５０、４０、２０、１０、５、２または１％を超えて変動、増加および／または減少する場合、磁場は高周波および中周波で振動すると考える。この変動のパーセンテージは、振動の低周波に関連付けられる加熱時間および冷却時間よりも好ましくは短い期間、最も好ましくは１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５、１０^−６、１０^−７、１０^−８、１０^−９、１０^−１０、１０^−１１または１０^−１２秒よりも短い期間にわたって測定される。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波で振動する磁場について、最大磁場Ｈ_ｍａｘは、ｎ個の高振動周波数の間で推定される、および／またはｎ個のＨ_{ｍａｘ、ｉ}値の間で推定される、磁場の最大振幅である。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波で振動する磁場について、平均磁場Ｈ_ａｖは、関係式

から推論することができ、ここでＨ_{ｍａｘ、ｉ}は各高周波振動について推定された磁場の最大振幅であり、ｎは測定された高周波振動の総数である。

本発明の一実施形態では、高周波および中周波で振動する磁場について、最大磁場と平均磁場との間に関係があり、したがって平均磁場は最大磁場から推論することができる。

本発明の一実施形態では、高周波、中周波および低周波で振動する磁場について、２つの時間シーケンスｔ_７およびｔ_８（図２（ｂ））の間に推定される平均磁場は、Ａ_７の低周波シーケンスの間に推定される平均磁場Ｈ_Ａ７と、Ａ_８の低周波シーケンスの間に推定される平均磁場Ｈ_Ａ８との間の平均値として、Ｈ_ａｖ＝［（ｔ_７．Ｈ_Ａ７＋ｔ_８．Ｈ_Ａ８）／（ｔ_７＋ｔ_８）］のように定義される。

いくつかの場合において、１つのシーケンスは１つまたは複数のセッションに対応することができ、または１つのセッションは１つまたは複数のシーケンスに対応することができる。

本発明の一実施形態では、高周波および低周波で振動する磁場について、時間ｔ_９およびｔ_１０（図２（ｃ））の間に推定される平均磁場は、Ａ_９の低周波シーケンスの間に推定される平均磁場Ｈ_Ａ９と、Ａ_１０の低周波シーケンスの間に推定される平均磁場Ｈ_Ａ１０との間の平均値として、Ｈ_ａｖ＝［（ｔ_９．Ｈ_Ａ９＋ｔ_１０．Ｈ_Ａ１０）／（ｔ_９＋ｔ_１０）］のように定義される。

本発明の一実施形態では、ｔ_７、ＨＡ_７、ｔ_８、Ｈ_Ａ８、ｔ_９、Ｈ_Ａ９、ｔ_１０またはＨ_Ａ１０は、いくつかのＡ_７、Ａ_８、Ａ_９またはＡ_１０低周波シーケンスから推定される平均値である。

本発明の別の実施形態では、Ａ_７、Ａ_８、Ａ_９またはＡ_１０は、Ａ_７、Ａ_８、Ａ_９またはＡ_１０低周波シーケンス中に推定される磁場振幅に対応する。

本発明の一実施形態では、高周波、中周波および低周波で振動する磁場について、最大磁場は、Ａ_７低周波シーケンス中に推定される最大磁場として定義される。

本発明の一実施形態では、高周波および低周波で振動する磁場について、最大磁場は、Ａ_９低周波シーケンス中に推定される最大磁場として定義される。

それらに関連付けられるシーケンスおよび時間の定義は、本明細書において後に提供される。

本発明の一実施形態では、振動磁場を発生させる装置の電源投入後、磁場強度または振幅が好ましくは増大して磁場安定化に対応するプラトーに達するまでの安定化時間がある。いくつかの場合において、この安定化時間は１、１０、５０、１００、２００、５００または１０００秒よりも長い。いくつかの場合において、この安定化時間は１、１０、５０、１００、２００、５００または１０００秒よりも短い。

本発明の別の実施形態では、安定化時間の前に安定した磁場に達していない場合、その磁場は不安定な磁場と呼ばれる。そのような不安定な磁場は、８０、５０、２０、１０、５、２または１％を超えて経時変動する最大磁場または平均磁場によって特徴付けることができ、このパーセンテージは、６０、３０、１５、５、１または０．１分よりも短い期間中に好ましくは測定される。

本発明の別の実施形態では、不安定な磁場の平均磁場および最大磁場、または磁場強度または振幅は、安定化後に推定される同じ磁場について得られた平均磁場または最大磁場の値、または磁場強度または振幅の値を、好ましくは０と１の間に含まれる係数で乗算することによって推定することができる。安定磁場と不安定磁場との間の関係は、時間の関数として、好ましくは安定化時間内で、磁場の振幅もしくは強度、または最大磁場もしくは平均磁場の変動を推定する事前検量線を使用して好ましくは推定することができ、好ましくは磁界プローブを用いて推定され、最も好ましくは振動磁場を発生させる装置に対して推定される。この関係は、交番磁場の強さ、パワー、周波数など、振動磁場を発生させる装置のパラメータに依存する可能性があり、したがって、そのようなパラメータの様々な値について推定することができる。この関係はまた、好ましくは磁性ナノ粒子を加熱するために、装置と磁性ナノ粒子との間の距離、または装置と個体の身体部分との間の距離、または装置と振動磁場を印加したい領域との間の距離に依存し得る。したがって、この関係はそのような距離の関数として推定することができる。

本発明の一実施形態では、振動磁場は、その強度が正の値と負の値との間で時間の関数として変動する磁場を指す。磁場強度の絶対値は振動磁場の振幅に対応する。反対の符号の最大強度と最小強度は通常等しい振幅であるが、最大強度と最小強度が１、５、１０、５０、７５または８０％を超えて異なることがある。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の振動の周波数ｆ、および関連周期Ｔ（ここで、Ｔおよびｆは好ましくは、式Ｔ＝１／ｆによって互いに関連付けられる）は、振動磁場の印加時間、電流の強さ、磁場を発生させる装置と磁性ナノ粒子との間の距離、磁場を発生させる装置と個体の身体部分との間の距離などのパラメータ、または装置のパラメータによって変動する。その場合、好ましくは、そのようなパラメータの各値ｉに対して、振動の周波数または関連周期をｆ_ｉとして定義することが可能であり、Ｔ_ｉ＝１／ｆ_ｉである。この場合、そのようなパラメータのｎ個の異なる値にわたる振動の平均周波数と関連周期は、

および

のように定義することも可能であり得る。振動の最大周波数ｆ_ｍａｘおよび関連周期Ｔ_ｍａｘを、そのようなパラメータのｎ個の異なる値にわたるｆ_ｉおよびＴ_ｉの最大値として定義することも可能であり得る。振動の平均周波数と関連周期は、

のように定義することも可能であり得る。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の周波数ｆ、および関連周期Ｔ（ここでＴ＝１／ｆ）は、時間、電流強度、磁場を発生させる装置と磁性ナノ粒子との間の距離、振動磁場を発生させる装置と個体の身体部分との間の距離などのパラメータ、または装置のパラメータによって変動し、振動周波数の変動Δｆ、または関連周期の変動ΔＴと、パラメータの変動（振動磁場の印加時間、電流の強さ、磁場を発生させる装置と磁性ナノ粒子との間の距離、振動磁場を発生させる装置と個体の身体部分との間の距離、または装置のパラメータの変動など）との間の関係を決定することが可能である。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の周波数ｆ_ｉ、または関連周期Ｔ_ｉは、［（ｆ_ｉ−ｆ_ｊ）／ｆ_ｉ］または［（Ｔ_ｉ−Ｔ_ｊ）／Ｔ_ｉ］が１、５、１０、２５、５０、７０、８０または９０％よりも大きい場合、別の振動の周波数ｆ_ｊ、または別の関連周期Ｔ_ｊとは異なる。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の周波数ｆ_ｉ、または関連周期Ｔ_ｉは、［（ｆ_ｉ−ｆ_ｊ）／ｆ_ｉ］または［（Ｔ_ｉ−Ｔ_ｊ）／Ｔ_ｉ］が１、５、１０、２５、５０、７０、８０または９０％よりも小さい場合、振動の周波数ｆ_ｊ、または関連周期Ｔ_ｊと同じである。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の振動の高周波、中周波および／または低周波は、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、２０、５０または１００超または未満の異なる振動の周波数を含む。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の強度または振幅、平均磁場または最大磁場は、振動磁場を発生させる交流電流の強さを、好ましくは１０^−２０〜１０^２０Ａ、１０^−１５〜１０^１５Ａ、１０^−１０〜１０^１０Ａ、１０^−５〜１０^５Ａ、１０^−４〜１０^４Ａ、１０^−３〜１０^３Ａ、または０〜５００Ａ（アンペア）に変動させることによって、変動または調整することができる。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の強度または振幅、平均磁場または最大磁場は、振動磁場を発生させる交流電流の強さを、１０^−２０、１０^−１０、１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^２ _、５００、１０^３または１０^５Ａを超えて増加させることによって、変動または調整することができる。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の強度または振幅、平均磁場または最大磁場は、交流電流を発生させる装置の電力を、好ましくは、１０^−２０〜１０^２０Ｗ、１０^−１５〜１０^１５Ｗ、１０^−１０〜１０^１０Ｗ、１０^−５〜１０^５Ｗ、１０^−４〜１０^４Ｗ、１０^−３〜１０^３Ｗ、または０〜５００Ｗ（ワット）に変動させることによって、変動または調整することができる。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の強度または振幅、平均磁場または最大磁場は、交流電流を発生させる機器の電力を、１０^−２０、１０^−１０、１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３または１０^５Ｗ、または露出した身体部分１ｃｍ^３当たりのＷよりも大きい値に設定することによって、変動または調整することができる。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の強度または振幅、平均磁場または最大磁場は、磁性ナノ粒子からまたは個体の身体部分から交流電流を発生させる装置を隔てる距離を、好ましくは、１０^−２０〜１０^２０ｃｍ、１０^−１５〜１０^１５ｃｍ、１０^−１０〜１０^１０ｃｍ、１０^−５〜１０^５ｃｍ、１０^−４〜１０^４ｃｍ、１０^−３〜１０^３ｃｍ、または０〜５００ｃｍを含む距離だけまたは距離まで変動させることによって、変動または調整することができる。いくつかの場合において、磁性ナノ粒子からまたは個体の身体部分から交流電流を発生させる装置を隔てる距離は、１０^−２０、１０^−１５、１０^−１０、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−１、１、５、１０または２０ｃｍよりも大きい。

本発明の一実施形態では、振動磁場の振幅は、１０^−９、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１、１０、１０^３、１０^４または１０^６ｍＴ／μｍ、または／ｃｍ、または／ｍを超えて変動する。この場合、振動磁場は、１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^５、１０^８または１０^１１μｍを超えて磁性ナノ粒子の運動を誘発することが可能であり得る。

本発明の別の実施形態では、振動磁場の振幅は、１０^−９、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１、１０、１０^３、１０^４または１０^６ｍＴ／μｍ、または／ｃｍ、または／ｍ未満で変動する。この場合、振動磁場は磁性ナノ粒子のあらゆる運動、または１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^５、１０^８または１０^１１μｍ未満の運動を誘発しないことが可能であり得る。

本発明の一実施形態では、ナノ粒子（複数可）または磁性ナノ粒子（複数可）とも称されるナノ粒子は、１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５、１０^７、１０^１０、１０^２０または１０^５０を超える磁性ナノ粒子の集合体を指す。

本発明の一実施形態では、好ましくは高周波で、または高周波および中周波で振動する振動磁場は、その強度または振幅が経時的に振動する磁場であり、ここで１回の振動は、同じシーケンスの２回以上の繰り返し、または２つまたは３つの異なるシーケンスに対応し、ここでシーケンスは、ｉ）磁場振幅または強度のシーケンスは、高周波に関連付けられる時間ｔ_１の間に増加するか、または磁場振幅もしくは強度のシーケンスは、中周波に関連付けられる時間ｔ_４の間に増加する、ｉｉ）磁場振幅または強度のシーケンスは、高周波に関連付けられる時間ｔ_２の間に減少するか、または磁場振幅もしくは強度のシーケンスは、中周波に関連付けられる時間ｔ_５の間に減少する、ｉｉｉ）高周波に関連付けられる時間ｔ_３の間一定である磁場振幅または強度のシーケンス、または中周波に関連付けられる時間ｔ_６の間一定である磁場振幅もしくは強度のシーケンスとして定義される。ｔ_３またはｔ_６の間、磁場は好ましくは強度または振幅がゼロである。図１（ａ）および図１（ｂ）は、磁場振幅の経時変化の概略図を表し、高周波でのみ（図１（ａ））または高周波および中周波で（図１（ｂ））振動する磁場の異なるシーケンスを示す。好ましくは、図１（ａ）のシーケンスは高周波シーケンスを指し、図１（ｂ）のシーケンスは中周波シーケンスに対応する。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、増加する磁場のシーケンスは、期間ｔ_１またはｔ_４に対応し、その間に磁場の振幅は、０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０もしくは２０ｍＴを超えて、または、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、５００もしくは１０００ｍＴ未満から、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、５００もしくは１０００ｍＴまで、または０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０、５０、７５、９０、９０もしくは１００％を超えて、好ましくは連続的に増加する。このパーセンテージは、［２（Ａ_ｍａｘ−Ａ_ｍｉｎ）／（Ａ_ｍａｘ＋Ａ_ｍｉｎ）］に対応することができ、式中、Ａ_ｍａｘおよびＡ_ｍｉｎは、それぞれ時間ｔ_１またはｔ_４中の振動磁場の最大振幅および最小振幅である。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、増加する磁場のシーケンスは、期間ｔ_１またはｔ_４に対応し、その間、磁場の強度は好ましくは連続的に、０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０もしくは２０ｍＴを超えて、または、−１０００、−５００、−１００、−９５、−８５、−８０、−７５、−７０、−６５、−６０、−５５、−５０、−４５、−４０、−３５、−３０、−２５、−２０、−１５、−１４、−１３、−１２、−１１、−１０、−９、−８、−７、−６、−５、−４、−３、−２もしくは−１ｍＴ未満から、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、５００もしくは１０００ｍＴを超えて増加するか、または０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０、５０、７５、９０、９０または１００％を超えて増加する。このパーセンテージは、［２（Ｓ_ｍａｘ−Ｓ_ｍｉｎ）／（Ｓ_ｍａｘ＋Ｓ_ｍｉｎ）］に対応することができ、式中、Ｓ_ｍａｘおよびＳ_ｍｉｎは、それぞれ時間ｔ_１またはｔ_４中の振動磁場の最大強度および最小強度である。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、減少する磁場のシーケンスは、期間ｔ_２またはｔ_５に対応し、その間、磁場の振幅は、０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０もしくは２０ｍＴを超えて、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、５００もしくは１０００ｍＴを超えて、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、５００もしくは１０００ｍＴ未満まで、または０．１、１、２、５、１０、５０、７５、９０、９０もしくは１００％を超えて、好ましくは連続的に減少する。このパーセンテージは、［２（Ａ_ｍａｘ−Ａ_ｍｉｎ）／（Ａ_ｍａｘ＋Ａ_ｍｉｎ）］に対応することができ、式中、Ａ_ｍａｘおよびＡ_ｍｉｎは、それぞれ時間ｔ_２またはｔ_５中の振動磁場の最大振幅および最小振幅である。

本発明の一実施形態では、高周波または中周波および高周波で好ましくは振動する磁場について、減少する磁場のシーケンスは、期間ｔ_２またはｔ_５に対応し、その間、磁場の強度は好ましくは連続的に減少し、０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０もしくは２０ｍＴを超えて減少するか、または、１０００、５００、１００、９５、８５、８０、７５、７０、６５、６０、５５、５０、４５、４０、３５、３０、２５、２０、１５、１４、１３、１２、１１、１０、９、８、７、６、５、４、３、２もしくは１ｍＴ未満から、−１、−２、−３、−４、−５、−６、−７、−８、−９、−１０、−１１、−１２、−１３、−１４、−１５、−２０、−２５、−３０、−３５、−４０、−４５、−５０、−５５、−６０、−６５、−７０、−７５、−８０、−８５、−９０、−９５、−１００、−５００もしくは−１０００ｍＴを超えて増加するか、または０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０、５０、７５、８０、９０もしくは１００％を超えて減少する。このパーセンテージは、［２（Ｓ_ｍａｘ−Ｓ_ｍｉｎ）／（Ｓ_ｍａｘ＋Ｓ_ｍｉｎ）］に対応することができ、式中、Ｓ_ｍａｘおよびＳ_ｍｉｎは、それぞれ時間ｔ_２またはｔ_５中の振動磁場の最大強度および最小強度である。

本発明の一実施形態では、高周波または中周波で好ましくは振動する磁場について、一定である磁場のシーケンスは、期間ｔ_３またはｔ_６に対応し、その間に印加される磁場の振幅は一定であり、すなわち、０．０１、０．１、１、２、５、１０もしくは２０ｍＴを超えて変動しないか、または１、５、１０、２５もしくは５０％を超えて変動しない。このパーセンテージは、［２（Ａ_ｍａｘ−Ａ_ｍｉｎ）／（Ａ_ｍａｘ＋Ａ_ｍｉｎ）］に対応することができ、式中、Ａ_ｍａｘおよびＡ_ｍｉｎは、それぞれ時間ｔ_３またはｔ_６中の振動磁場の最大振幅および最小振幅である。

本発明の別の実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、一定である磁場のシーケンスは、期間ｔ_３またはｔ_６に対応し、その間に印加される磁場の強度は一定であり、すなわち、０．０１、０．１、１、２、５、１０もしくは２０ｍＴを超えて変動しないか、または１、５、１０、２５もしくは５０％を超えて変動しない。このパーセンテージは、［２（Ｓ_ｍａｘ−Ｓ_ｍｉｎ）／（Ｓ_ｍａｘ＋Ｓ_ｍｉｎ）］に対応することができ、式中、Ｓ_ｍａｘおよびＳ_ｍｉｎは、それぞれ時間ｔ_３またはｔ_６中の振動磁場の最大振幅および最小振幅である。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、一定である磁場のシーケンスは、ゼロ磁場のシーケンスであり得、期間ｔ_３またはｔ_６に対応し、その間に磁場は印加されないか、または印加されるが０に近い強度または振幅であり、好ましくは１００、５０、２５、１０、５、２、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−６、１０^−９ｍＴまたは０ｍＴ以下の振幅で印加される。

本発明の一実施形態では、増加、減少または一定の磁場のシーケンスは、任意の順序で互いに続く。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場のサイクルは、少なくとも２つのシーケンスの組み合わせに対応する。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、シーケンスまたはサイクルは、２、３、４、５、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^１０、１０^２５、１０^５０または１０^１００回を超えて繰り返される。

本発明の別の実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、時間ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３の間に発生する増加、減少および一定の磁場の高周波シーケンスは、好ましくは周波が磁場強度の経時変動から推定される場合には、［２π／（ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３）］もしくは［１／（ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３）］に等しいか比例する高周波ｆ_ｈの高周波サイクルに関連付けられ、または、好ましくは周波が磁場振幅の経時変動から推定される場合には、［π／（ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３）］もしくは［１／２．（ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３）］に等しいか比例する高周波ｆ_ｈの高周波サイクルに関連付けられる。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波で好ましくは振動する磁場について、時間ｔ_４＋ｔ_５＋ｔ_６の間に発生する増加、減少および一定の磁場のシーケンスは、好ましくは周波数が磁場強度の経時変動から推定される場合には、［２π／（ｔ_４＋ｔ_５＋ｔ_６）］もしくは［１／（ｔ_４＋ｔ_５＋ｔ_６）］に等しいか比例する中周波ｆ_ｍの中周波サイクルに関連付けられ、または、好ましくは周波数が磁場振幅の経時変動から推定される場合には、［π／（ｔ_４＋ｔ_５＋ｔ_６）］もしくは［１／２．（ｔ_４＋ｔ_５＋ｔ_６）］に等しいか比例する中周波ｆ_ｍの中周波サイクルに関連付けられる。

本発明の一実施形態では、時間ｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４、ｔ_５またはｔ_６は、１０、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５、１０^−６、１０^−７、１０^−８、１０^−９、１０^−１０、１０^−１１、１０^−１１、１０^−１２、１０^−１２、１０^−１３、１０^−１４または１０^−１５秒よりも短い。

本発明の別の実施形態では、時間ｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４、ｔ_５またはｔ_６は、１０、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５、１０^−６、１０^−７、１０^−８、１０^−９、１０^−１０、１０^−１１、１０^−１１、１０^−１２、１０^−１２、１０^−１３、１０^−１４または１０^−１５秒よりも長い。

本発明の別の実施形態では、時間ｔ_４、ｔ_５またはｔ_６は、ｔ_１、ｔ_２またはｔ_３よりも、１、００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０、１０^３または１０^６長い。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する振動磁場について、磁場の２つのシーケンス間で測定される時間ｔ_１およびｔ_１’またはｔ_４およびｔ_４’は増加し、磁場の２つのシーケンス間で測定される時間ｔ_２およびｔ_２’またはｔ_５およびｔ_５’は減少し、一定である磁場の２つのシーケンス間で測定される時間ｔ_３およびｔ_３’またはｔ_６およびｔ_６’は、１００、７５、５０、２５、１０、５、２、１ １０^−１、１０^−２、１０^−３もしくは１０^−４％を超えて変動するか（ここで、このパーセンテージは［（ｔ_１−ｔ_１’）／ｔ_１］、［（ｔ_２−ｔ_２’）／ｔ_２］、［（ｔ_３−ｔ_３’）／ｔ_３］、［（ｔ_４−ｔ_４’）／ｔ_４］、［（ｔ_５−ｔ_５’）／ｔ_５］または［（ｔ_６−ｔ_６’）／ｔ_６］に対応し得る）、または１．５、２、５、１０、１０^２もしくは１０^５倍を超えて変動する。この場合、高周波または中周波は好ましくは不安定である。

本発明の一実施形態では、高周波または高周波および中周波で好ましくは振動する振動磁場について、磁場の２つのシーケンス間で測定される時間ｔ_１およびｔ_１’またはｔ_４およびｔ_４’は増加し、磁場の２つのシーケンス間で測定される時間ｔ_２およびｔ_２’またはｔ_５およびｔ_５’は減少し、一定である磁場の２つのシーケンス間で測定される時間ｔ_３およびｔ_３’またはｔ_６およびｔ_６’は、１００、７５、５０、２５、１０、５、２、１ １０^−１、１０^−２、１０^−３もしくは１０^−４％未満で変動するか（ここで、このパーセンテージは［（ｔ_１−ｔ_１’）／ｔ_１］、［（ｔ_２−ｔ_２’）／ｔ_２］、［（ｔ_３−ｔ_３’）／ｔ_３］、［（ｔ_４−ｔ_４’）／ｔ_４］、［（ｔ_５−ｔ_５’）／ｔ_５］または［（ｔ_６−ｔ_６’）／ｔ_６］に対応し得る）、または１．５、２、５、１０、１０^２もしくは１０^５倍未満で変動する。この場合、高周波または中周波は好ましくは安定している。

本発明の一実施形態では、好ましくは高周波で振動する振動磁場は、周波数ｆ_ｈで振動する磁場に対応し、周波数ｆ_ｈは、１０^−１０、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^７または１０^８ｋＨｚよりも好ましくは大きい。

本発明の別の実施形態では、振動の高周波は、磁性ナノ粒子を加熱するために好ましくは使用され、すなわち、好ましくはナノ粒子を加熱するために十分に高い。いくつかの場合において、振動の高周波は、磁性ナノ粒子の急速な運動および／または磁性ナノ粒子の磁気モーメントの反転を誘発するのに十分に高く、すなわち、運動および／または磁気モーメントの反転は、好ましくは、１０、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５、１０^−６、１０^−７、１０^−８または１０^−９秒未満で起こる。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の高周波は、磁場の振幅もしくは強度、または最大磁場もしくは平均磁場が、ナノ粒子を加熱するのに十分に高い場合、すなわち好ましくは１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^４または１０^５Ｔよりも大きい場合、磁性ナノ粒子を加熱するために使用される。場合によっては、磁場の振幅もしくは強度、または最大磁場もしくは平均磁場は、磁性ナノ粒子の運動および／またはナノ粒子の磁気モーメントの反転を誘発するのに十分に高い、場合によっては、磁場の振幅もしくは強度、または最大磁場もしくは平均磁場は、磁性ナノ粒子の保磁力よりも大きく、
好ましくは、ナノ粒子の磁気モーメントまたは磁性ナノ粒子の運動の反転を可能にする。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の高周波が高すぎる、および／または時間ｔ_２が短すぎて、好ましくは０．１、１または１０ｍｇ／ｍＬを超える濃度の磁性ナノ粒子の懸濁液がこの磁場に曝される場合に、好ましくは温度が少なくとも１、１０、１００または１０００の高周波振動または高周波シーケンスの間に測定される場合に、好ましくは１、５、１０、５０または１００℃を超える温度低下を得るために、磁性ナノ粒子またはその周囲の温度を下げることができない。振動の高周波が温度低下をもたらさないという事実は、渦電流もしくはフーコー電流、または連続加熱に起因する他の副作用につながる可能性があり、過熱につながる可能性があるため、磁気温熱療法において問題になる可能性がある。これが、冷却工程を生み出す低周波の振動を加えることが必要と思われる理由である。

本発明の一実施形態では、冷却工程および加熱工程は冷却段階および加熱段階を指す。これらは、冷却および加熱低周波シーケンスに対応し得る。

本発明の別の実施形態では、中周波で好ましくは振動する振動磁場は、中周波ｆ_ｍで振動する磁場に対応し、中周波ｆ_ｍは好ましくは、高周波ｆ_ｈに比べて１．１、１．５、２、５、１０、２０、３０、５０、１０^２、１０^３、１０^６または１０^９倍低い。この中周波ｆ_ｍは、ｆ_ｈで振動する磁場の包絡関数であり得、したがって、磁場の強度または振幅、最大磁場または平均磁場を得るために使用することができ、これはこの中周波なしで達成されるものよりも大きい。

本発明の一実施形態では、低、中および高周波で好ましくは振動する振動磁場は、好ましくは低周波シーケンスを指し、好ましくは磁場が安定であるかまたは時間ｔ_７中に値Ａ_７まで増加する場合、好ましくは磁場が不安定である場合、高周波のみでまたは高周波および中周波で振動する磁場について推定されるその間の磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場が最初に時間ｔ_７中に値Ａ_７で一定である少なくとも１つのシーケンスと、好ましくは別の低周波シーケンスを指し、好ましくは磁場が安定であるかまたは時間ｔ_８中に値Ａ_８まで低下する場合、好ましくは磁場が不安定でありＡ_８がＡ_７よりも低い場合、高周波のみでまたは高周波および中周波で振動する磁場について推定されるその間の磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場が時間ｔ_８中に値Ａ_８で一定である少なくとももう１つのシーケンスとを含む磁場に対応する。図２（ｂ）は、Ａ_７およびＡ_８低周波シーケンスの概略図を示す。これら２つのシーケンスは、好ましくは１、２、３、４、５、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^１０、１０^２５、１０^５０または１０^１００回を超えて繰り返すことができる。

本発明の一実施形態では、低および高周波で好ましくは振動する振動磁場は、好ましくは低周波シーケンスを指し、好ましくは磁場が安定であるかまたは時間ｔ_９中に値Ａ_９まで増加する場合、好ましくは磁場が不安定である場合、高周波のみでまたは高周波および中周波で振動する磁場について推定されるその間の磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場が最初に時間ｔ_９中に値Ａ_９で一定である少なくとも１つのシーケンスと、好ましくは別の低周波シーケンスを指し、好ましくは磁場が安定であるかまたはｔ_１０中に値Ａ_１０まで低下する場合、好ましくは磁場が不安定でありＡ_１０がＡ_９よりも低い場合、高周波のみでまたは高周波および中周波で振動する磁場について推定されるその間の磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場が時間ｔ_１０中に別の値Ａ_１０で一定である少なくとももう１つのシーケンスとを含む磁場に対応する。図２（ｃ）は、Ａ_９およびＡ_１０低周波シーケンスの概略図を示す。これら２つのシーケンスは、好ましくは１、２、３、４、５、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^１０、１０^２５、１０^５０または１０^１００回を超えて繰り返すことができる。

本発明の一実施形態では、高周波のみでまたは高周波および中周波で振動する磁場について推定される、その間の磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場が、時間ｔ_７またはｔ_９の間に値Ａ_７またはＡ_９で一定であるか、またはｔ_７もしくはｔ_９の間にＡ_７もしくはＡ_９に増加するシーケンスを、Ａ_７またはＡ_９低周波シーケンスと呼ぶ。これは加熱工程に対応し得る。

本発明の一実施形態では、時間ｔ_７またはｔ_９は十分に長く、好ましくは１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３秒よりも長く、交番磁場の印加下で磁性ナノ粒子による、および好ましくはその周囲からの熱の生成および／または散逸を可能にし、加熱工程につながる。

本発明の別の実施形態では、磁性ナノ粒子の周囲は、それらを取り囲むかまたは含む領域、すなわち好ましくは１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^１０もしくは１０^２０を超えるナノ粒子を含む領域、またはそれらを含む領域の体積として定義され、ここで、この体積は１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^１０または１０^２０個のナノ粒子の中心から好ましくは推定され、１ｍ^３、１ｃｍ^３、１ｍｍ^３または１μｍ^３よりも小さいことが好ましい。

本発明のさらに別の実施形態では、時間ｔ_７またはｔ_９は十分に短く、好ましくは１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３秒よりも短く、好ましくは過熱の状況を防ぐ。

本発明の別の実施形態では、高周波でのみまたは高周波および中周波で振動する磁場について推定されるその間の磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場が、時間ｔ_８またはｔ_１０の間に値Ａ_８またはＡ_１０で一定であるか、あるいはｔ_８またはｔ_１０の間にＡ_８またはＡ_１０に増加するシーケンスを、Ａ_８またはＡ_１０低周波シーケンスと呼ぶ。これは冷却工程に対応し得る。

本発明の一実施形態では、時間ｔ_８またはｔ_１０は十分に長く、好ましくは１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３秒よりも長く、磁性ナノ粒子を冷却し、好ましくはその周囲も冷却する。

本発明のさらに別の実施形態では、時間ｔ_８またはｔ_１０は十分に短く、好ましくは１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３秒よりも短い。

本発明の一実施形態では、磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場は、それらが１、２、５、１０、１５、２５、５０、７５、８０または１００％を超えて変動しない場合、ｔ_７、ｔ_８、ｔ_９および／またはｔ_１０の間一定であると見なすことができ、ここで、この変動率は［（ε_ｍａｘ−ε_ｍｉｎ）／ε_ｍａｘ］に対応することができ、式中、ε_ｍａｘおよびε_ｍｉｎは、高周波のみでまたは高周波および中周波で振動する磁場について推定される、磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場のｔ_７、ｔ_８、ｔ_９、および／またはｔ_１０の間に測定された最大値および最小値であり得る。

本発明の一実施形態では、Ａ_８またはＡ_１０低周波シーケンスがＡ_７またはＡ_９低周波シーケンスに好ましくは従うか、またはＡ_７またはＡ_９低周波シーケンスがＡ_８またはＡ_１０低周波シーケンスに続くが、いくつかのＡ_８またはＡ_１０低周波シーケンスが相互に続く、またはいくつかのＡ_７またはＡ_９低周波シーケンスが相互に続くことが起こり得る。

本発明のさらに別の実施形態では、Ａ_７またはＡ_９はゼロではないか、または地球の磁場の振幅よりもはるかに大きい。Ａ_７またはＡ_９は、好ましくは磁場振幅よりも低く、渦電流またはフーコー電流を発生させることを可能にする。Ａ_７またはＡ_９はまた、好ましくは磁気温熱療法によって磁気ナノ粒子を加熱するのに必要な磁場の振幅よりも好ましくは大きいか、または、０．０１ｍＴ、または０．１ｍＴ、または１ｍＴ、または２ｍＴ、または３ｍＴ、または５ｍＴ、または７ｍＴ、または１０ｍＴ、または１５ｍＴ、または２０ｍＴ、または２５ｍＴ、または５０ｍＴ、または１００ｍＴ、または５００ｍＴ、または１Ｔ、または１０Ｔ、または１００Ｔまたは１０^３Ｔよりも大きい。

本発明の一実施形態では、Ａ_７またはＡ_９は、身体部分１ｃｍ^３当たり１０^−６、１０^−４、１０^−２、１、１０、１０^２または１０^３ワットよりも大きい。

本発明の一実施形態では、Ａ_７またはＡ_９は、Ａ_８またはＡ_１０よりも少なくとも１．１、１．５、２．５、１０、２５、５０、１００、２５０、５００、１０^３、１０^５、１０^１０または１０^５０倍大きい。

本発明の別の実施形態では、Ａ_８またはＡ_１０は、高周波または高周波および中周波で好ましくは推定される磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場が、地球の磁場の振幅に近いか、または渦電流またはフーコー電流を発生させる磁場の振幅よりも低いか、または好ましくは磁気温熱療法によって磁気ナノ粒子を加熱することを可能にする磁場振幅の値よりも低いか、または、１０^３Ｔ、または１００Ｔ、または１０Ｔ、または１Ｔ、または５００ｍＴ、または１００ｍＴ、または５０ｍＴ、または２５ｍＴ、または１０ｍＴ、または５ｍＴまたは１、１０^−１、１０^−３または１０^−６ｍＴよりも低い場合に、ゼロ磁場に対応するゼロである。

本発明の別の実施形態では、Ａ_８またはＡ_１０は、身体部分１ｃｍ^３当たり１０^−６、１０^−４、１０^−２、１、１０、１０^２または１０^３ワットよりも低い。

本発明の一実施形態では、２つのＡ_７、Ａ_８、Ａ_９またはＡ_１０低周波シーケンスの間でそれぞれ測定される時間ｔ_７およびｔ_７’、ｔ_８およびｔ_８’、ｔ_９およびｔ_９’、ｔ_１０およびｔ_１０’は、１００、７５、５０、２５、１０、５、２、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、または１０^−４％超または未満で変動し、ここで、このパーセンテージは［（ｔ_７−ｔ_７’）／ｔ_７］、［（ｔ_８−ｔ_８’）／ｔ_８］、［（ｔ_９−ｔ_９’）／ｔ_９］または［（ｔ_１０−ｔ_１０’）／ｔ_１０］に対応し得るか、または１．１、２、５、１０、１０^２、１０^３または１０^５倍超または未満で変動する。

本発明の一実施形態では、Ａ_７低周波シーケンスとＡ_８低周波シーケンスとの組み合わせ、またはＡ_９低周波シーケンスとＡ_１０低周波シーケンスとの組み合わせは、低周波サイクルに対応する。

本発明の別の実施形態では、時間ｔ_７＋ｔ_８またはｔ_９＋ｔ_１０の間に発生する低周波サイクルは、［２π／（ｔ_７＋ｔ_８）］、［１／（ｔ_７＋ｔ_８）］、［２π／（ｔ_９＋ｔ_１０）］または［１／（ｔ_９＋ｔ_１０）］に等しいかまたは比例する低周波数ｆ_ｌの低周波サイクルに関連付けられる。

本発明の一実施形態では、低周波シーケンスまたは低周波サイクルは２、３、４、５、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^１０、１０^２５、１０^５０または１０^１００回を超えて繰り返される。

本発明の別の実施形態では、低周波で振動する磁場は、周波数ｆ_ｌで振動する磁場に対応し、周波数ｆ_ｌは、好ましくは１０^−６Ｈｚ〜１０^６Ｈｚである。この低振動周波数は、複数の連続した加熱工程および冷却工程を生み出す可能性がある。この低周波は、特に磁気温熱療法治療中に、最大の治療効力および最小の治療毒性を生じるように選択することができる。

本発明のなお別の実施形態において、ｆ_ｌは１０^６、１０^５、１０^４、１０^３、１０^２、１０、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５または１０^−６Ｈｚよりも小さい。いくつかの場合において、ｆ_ｌはまた、０．２×１０^−２Ｈｚ〜０．３×１０^−１Ｈｚ、または０．０２×１０^−２Ｈｚ〜３×１０^−１Ｈｚ、または０．００２×１０^−２Ｈｚ〜３０×１０^−１Ｈｚであり得る。いくつかの場合において、ｆ_ｌは、ｆ_ｍまたはｆ_ｈよりも１．０１倍、１．１倍、１．５倍、２倍、５倍、１０倍、１０^２倍、１０^３倍、１０^５倍、１０^８倍、１０^１１倍または１０^２０倍を超えて低くてもよい。いくつかの他の場合において、ｆ_ｌは、ｆ_ｍまたはｆ_ｈよりも１．０１倍、１．１倍、１．５倍、２倍、５倍、１０倍、１０^２倍、１０^３倍、１０^５倍、１０^８倍、１０^１１倍または１０^２０倍未満で低くてもよい。

本発明のなお別の実施形態において、ｆ_ｌは１０^６、１０^５、１０^４、１０^３、１０^２、１０、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５または１０^−６Ｈｚよりも大きい。

本発明の一実施形態では、冷却工程と組み合わせた加熱工程は、低周波サイクルに対応する。

本発明の別の実施形態では、最高温度Ｔ_ｍａｘは、加熱工程または低周波シーケンスＡ_７またはＡ_９の間に達した最高温度として定義され、最低温度Ｔ_ｍｉｎは、冷却工程または低周波シーケンスＡ_８またはＡ_１０の間に達した最低温度として定義される。

本発明の別の実施形態では、Ｔ_ｍａｘおよび／またはＴ_ｍｉｎは、２つの低周波サイクルの間で１、５、１０、１５、２０、５０、７５、８０、または９０％超または未満で変動し、このパーセンテージは、［２（Ｔ_ｍａｘ−Ｔ_ｍｉｎ）／（Ｔ_ｍａｘ＋Ｔ_ｍｉｎ）］に対応し得る。

本発明の別の実施形態では、振動磁場はセッション中に、好ましくは加熱セッション中に印加される。加熱セッションの持続時間はｔ_１１で示され、一方２つの異なる加熱セッションを分離する時間はｔ_１２で示されている。

本発明によれば、セッションは、好ましくは非常に低い周波数ｆ_ｖｌで、２、５または１０回を超えて繰り返すことができ、ｆ_ｖｌは、式：ｆ_ｖｌ＝１／［２π（ｔ_１１＋ｔ_１２）］、またはｆ_ｖｌ＝１／（ｔ_１１＋ｔ_１２）を用いて測定できる。ｆ_ｖｌは好ましくは、ｆ_ｌ、ｆ_ｍまたはｆ_ｈよりも１、１０^−３、１０^−６または１０^−９Ｈｚ低いか、または２、５、１０、１０^３、１０^９または１０^２０倍低い。

本発明の別の実施形態では、セッションは、交番磁場が印加されている間の時間、最も好ましくは典型的な磁気温熱療法治療が行われている間の時間、すなわち典型的には１０^−９、１０^−６、１０^−３、１、１０^３、１０^６または１０^９分超または未満の時間に関連付けられる。

一実施形態では、加熱工程または加熱セッションは、その間に温度上昇が発生する時間の経過に対応する。

本発明によれば、温度上昇は、いくつかの場合においては、好ましくは標準的な温度測定方法を用いて、測定可能であるか、または他の場合においては、好ましくは標準的な温度測定方法を用いて、測定できないことがある。これは温熱療法または磁気温熱療法と同じ意味を有し得る。

本発明による標準的な温度測定方法は、細胞規模またはナノメートル規模よりも大きい規模で温度測定を可能にする方法であり得る。これは、例えば組織、臓器または腫瘍内で巨視的に温度を測定することができるが、ナノ粒子の周囲、または細胞の内部またはすぐ周囲の温度を好ましくは測定しないことがある。

本発明の一実施形態では、治療中に達する温度は、温度勾配、達成したい温度、所与の温度、温度プローブ、一定温度、温度低下、温度上昇、温度変動、磁性ナノ粒子の温度、最高または最大温度、最低または最小温度、巨視的な温度の尺度、またはナノ粒子の周囲の温度を含み得る。これらの温度は、治療中に達した物理化学的擾乱、物理化学的擾乱勾配、達成したい物理化学的擾乱、所与の物理化学的擾乱、物理化学的擾乱プローブ、一定の物理化学的擾乱、物理化学的擾乱の減少、物理化学的擾乱の増加、物理化学的擾乱の変動、磁性ナノ粒子の物理化学的擾乱、最高または最大の物理化学的擾乱、最低または最小の物理化学的擾乱、巨視的な物理化学的擾乱の尺度、またはナノ粒子周辺の物理化学的擾乱をそれぞれ示すことができる。

本発明の別の実施形態では、加熱、連続加熱、過熱、加熱工程、加熱段階、加熱低周波シーケンス、加熱セッション、ナノ粒子の加熱、加熱時間または加熱勾配は、物理化学的擾乱の増加、物理化学的擾乱の連続的増加、過大な物理化学的擾乱の増加、物理化学的擾乱増加の工程、物理化学的擾乱増加の段階、物理化学的擾乱増加の低周波シーケンス、物理化学的擾乱増加のセッション、ナノ粒子への物理化学的擾乱増加の印加、物理化学的擾乱増加の時間、または物理化学的擾乱増加の勾配をそれぞれ示すことができる。

本発明の別の実施形態では、冷却、連続冷却、冷却工程、冷却段階、冷却低周波シーケンス、冷却セッション、ナノ粒子の冷却、冷却時間または冷却勾配は、物理化学的擾乱の減少、物理化学的擾乱の連続的減少、過大な物理化学的擾乱の減少、物理化学的擾乱減少の工程、物理化学的擾乱減少の段階、物理化学的擾乱減少の低周波シーケンス、物理化学的擾乱減少のセッション、ナノ粒子への物理化学的擾乱減少の印加、物理化学的擾乱減少の時間、または物理化学的擾乱減少の勾配をそれぞれ示すことができる。

本発明の別の実施形態では、物理化学的擾乱は、（ｉ）高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加、（ｉｉ）１ｎｍ、１０ｎｍ、１００ｎｍ、１μｍ、１０μｍ、１００μｍ、１ｍｍ、１０ｍｍ、１ｃｍ、１０ｃｍまたは１ｍ超または未満のナノ粒子の運動、（ｉｉｉ）ナノ粒子からの物質または化合物の放出または解離、（ｉｖ）ナノ粒子の組成の変化、（ｖ）ｐＨ１４、１３、１２、１１、１０、９、８、７、６、５、４、３、２または１超または未満でのナノ粒子のｐＨの変動、（ｖｉ）１Ｖ、１００、１０、１または０．１ｍＶ超または未満でのナノ粒子の酸化還元電位の変動、または（ｖｉｉ）ｐＨ、温度、酸化還元電位またはナノ粒子の周囲の化学組成の変動など、ナノ粒子の周囲の変動の物理化学的擾乱パラメータのうちの２つ以上に関連付けることができる。

本発明の別の実施形態では、物理化学的擾乱の増加は、物理化学的擾乱パラメータの１、５、１０、２５、５０、７５または９０％を超える増加、または１．２、２、５、１０または１０^２倍を超える増加に関連付けられる。

本発明の別の実施形態では、物理化学的擾乱の減少は、物理化学的擾乱パラメータの１、５、１０、２５、５０、７５または９０％を超える減少、または１．２、２、５、１０または１０^２倍を超える減少に関連付けられる。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、振動の低周波は、増加する物理化学的擾乱を伴う工程と、および減少する物理化学的擾乱を伴う工程とを含む、少なくとも１つのサイクルを含む。

本発明のさらに別の実施形態では、ｔ_１１は１０^−９、１０^−６、１０^−３、１、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^９または１０^２０秒よりも大きい。これは１〜３０分、１〜１２時間、または１〜１５日で構成され得る。ｔ_１１の値は、好ましくはいかなる副作用もなく、個体を治療することができる時間に対応することができる。これは好ましくは個体の麻酔時間よりも短い。これは好ましくは、個体の治療を担当する医療チームが利用可能である時間、または交番磁場もしくは放射線を印加することができる時間に対応する。

本発明のさらに別の実施形態では、ｔ_１１は１０^−９、１０^−６、１０^−３、１、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^９または１０^２０秒よりも小さい。

本発明のさらに別の実施形態では、ｔ_１１は、ｔ_７、ｔ_８、ｔ_９、ｔ_１０、ｔ_７＋ｔ_８またはｔ_９＋ｔ_１０よりも１、１．０００１、１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０^２、１０^３または１０^５大きい。

本発明のさらに別の実施形態では、２つのセッションを隔てる時間は、個体または患者または医療チームが２つの治療の間に休むのに必要な時間、または磁場を発生させる装置の電源を切るのに必要な時間に対応する。

本発明のさらに別の実施形態では、ｔ_１２は１０^−９、１０^−６、１０^−３、１、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^９または１０^２０秒よりも大きい。

本発明のさらに別の実施形態では、ｔ_１２は１０^−９、１０^−６、１０^−３、１、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^９または１０^２０秒よりも小さい。

本発明のさらに別の実施形態では、ｔ_１２は、ｔ_７、ｔ_８、ｔ_９、ｔ_１０、ｔ_７＋ｔ_８、ｔ_９＋ｔ_１０またはｔ_１１よりも１、１．０００１、１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０^２、１０^３または１０^５大きい。

本発明の別の実施形態では、好ましくは高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、エネルギー源、最も好ましくは個体によって作り出されるか制御されるエネルギー源によって印加される磁場の生成に対応する。これは磁性ナノ粒子を加熱することができる磁場の印加に対応することができ、ここで、熱は、例えば赤外線カメラまたは熱電対を使用して、温度測定方法、好ましくは標準的な温度測定方法によって、好ましくは測定できる。

本発明の別の実施形態では、高周波、中周波および／または低周波で好ましくは振動する磁場の非印加は、ゼロ磁場とも呼ばれ、地球磁場または電流もしくは磁石で動作する機器によって生成された磁場の印加など、強度または振幅が非常に弱い磁場の印加に対応し、その目的は、ナノ粒子を加熱することではなく、無視できない磁場を作り出すことである。いくつかの場合において、振動磁場の非印加は、振幅が磁性ナノ粒子を加熱するのに必要な振幅よりも小さい可能性がある磁場の印加の間にも起こり得る。いくつかの場合において、振動磁性の非印加は、磁性ナノ粒子が位置する領域の外側、または個体の身体部分の外側への磁場の印加に対応し得る。

本発明の別の実施形態では、高周波、中周波および／または低周波で好ましくは振動する磁場が、磁性ナノ粒子を含む領域に印加される。この領域は、好ましくは、１、１０、１０^２、１０^３、１０^６、１０^１２、１０^２０、１０^５０もしくは１０^１００を超える磁性ナノ粒子、または１、５、１０、２５、５０、７５、９０もしくは９５％を超える磁性ナノ粒子を含み得、ここで、このパーセンテージは、磁性ナノ粒子が投与される領域内のナノ粒子の数を、投与されるナノ粒子の総数で割ったものに対応し得る。この領域は、好ましくは振動磁場に曝されるナノ粒子を１、５、１０、２５、５０、７５、９０または９５％を超えて含むこともでき、ここで、このパーセンテージは、振動磁場に曝されるナノ粒子の数を、好ましくは個体の身体部分に含まれるナノ粒子の総数で割ったものに対応し得る。

本発明の別の実施形態では、好ましくは高周波、および中周波および／または低周波での磁場の振動は、磁場強度もしくは振幅または最大磁場もしくは平均磁場の経時的な変動、減少もしくは増加を含むか、または経時的な一定の磁場強度もしくは振幅、最大磁場もしくは平均磁場を含むか、または経時的に変動する、減少する、増加する、もしくは一定の磁場の組み合わせを含む。

本発明のさらに別の実施形態では、磁場の振動は、振動磁場のエネルギーもしくはパワーの経時的な変動、減少もしくは増加を含むか、または経時的な振動磁場の一定のエネルギーもしくはパワーを含むか、または経時的に変動する、減少する、増加する、もしくは一定の振動磁場のエネルギーまたはパワーの組み合わせを含む。

本発明の別の実施形態では、経時的な磁場の振動は、関数、例えば数値関数、ゼロ、恒等式、二乗、立方、逆、定数、線形、二次、力、ホログラフィック、ローレンシアン、立方根、アフィン、多項式、有理数、絶対値、ヘヴィサイド符号、素数の数、整数部、小数部、正弦、余弦、接線、余接、逆正弦、逆余弦、接線アーク、ディリクレ、指数、対数、双曲線、シグモイド、ブリュアン、ランジュバン、ガンマ、ベータ、積分、対数、積分、ベッセル、調和および関連または算術関数、または導関数、またはこれらの関数の１つまたは複数の組み合わせによって表されるか、またはモデル化される。

本発明の別の実施形態では、このような関数は、最初にプローブを使用することによって磁場の振動を経時的に測定し、次にこの測定値をこの関数で調整することによって、好ましくは「ｏｒｉｇｉｎ」などの適切なコンピュータソフトウェアを使用して決定される。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の周波数ｆ、および関連周期Ｔ（ここでＴ＝１／ｆ）は、時間、電流の強さ、磁場を発生させる装置と磁性ナノ粒子との間の距離、磁場を発生させる装置と個体の身体部分との間の距離などのパラメータ、または装置のパラメータによって変動し、振動周波数の変動Δｆ間、またはその関連周期の変動ΔＴ間、およびパラメータの変動（振動磁場の印加時間、電流の強さ、パワー、磁場を発生させる装置と磁性ナノ粒子との間の距離、または装置のパラメータの変動など）の間の関係を決定することが可能である。いくつかの場合において、そのような関係は、これらの関数の１つまたはいくつかによって表現またはモデル化することができる。

本発明の別の実施形態では、経時的な磁場の振動は磁場の対称的な振動を生じさせ、すなわち、そのような振動を表す関数は対称関数であり、対称性は変動の少なくとも１つの時点から好ましくは観察することができる。

本発明の別の実施形態では、好ましくは比［ｔ_ｉ／ｔ_ｊ］が１０^−６、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^３または１０^６よりも小さい場合、経時的な磁場の振動は対称的であり、ここで、ｔｉ≠ｔｊであり、ｉおよびｊは好ましくは１〜１０の数であり、ｔ_１〜ｔ_１０は以前に定義されている。

本発明の別の実施形態では、経時的な磁場の振動は非対称であり、すなわち、そのような振動を表す関数は非対称関数であり、非対称性は振動の少なくとも１つの時点から観察することができる。

本発明の別の実施形態では、比［ｔ_ｉ／ｔ_ｊ］が１０^−６、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^３または１０^６よりも大きい場合、または［ｔ_ｉ／ｔ_ｊ］が１０^−６、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^３または１０^６よりも小さい場合、経時的な磁場の振動は非対称的であり、ここで、ｔｉ≠ｔｊであり、ｉおよびｊは好ましくは１〜１０の数である。

本発明の一実施形態では、磁気温熱療法は、好ましくは個体の身体部分、または原核細胞もしくは真核細胞などの病理学的細胞、最も好ましくは腫瘍を治療するために使用される方法または治療方法である。この方法では、磁性ナノ粒子などの磁性材料が、好ましくは個体の身体部分に導入されるかまたは個体の身体部分に送られ、振動磁場に曝され、好ましくはナノ粒子の温度上昇を生じ、好ましくはナノ粒子の周囲の温度上昇も生じる。治療は、個体の細胞、実体または身体部分と接触、混合または組み立てられた磁性ナノ粒子に振動磁場を印加することから生じる任意のパラメータの変化から生じ得る。

本発明の一実施形態では、磁気温熱療法は、診断方法であり、個体の病気などの特定の状態、または原核細胞もしくは真核細胞などの特定の細胞、腫瘍細胞などの病理学的細胞、またはそのような細胞もしくは個体に由来する実体もしくは材料を検出するために好ましくは使用される。この方法では、磁性ナノ粒子などの磁性材料が個体の細胞、実体、身体部分と接触、混合または組み立てられ、振動磁場に曝され、好ましくはナノ粒子の温度上昇を生じ、好ましくはナノ粒子の周囲の温度上昇も生じる。診断は、個体の細胞、実体または身体部分と接触、混合または組み立てられた磁性ナノ粒子に振動磁場を印加することから生じる温度の検出または任意のパラメータの変化に基づくことができる。

本発明の一実施形態では、個体の身体部分は、生きているか死んでいる個体または生物の任意の部分を指し、そのような個体または生物は、好ましくは２つ以上の原核細胞または真核細胞を含む。そのような個体または生物は、単細胞または多細胞生物、植物、ヒト、動物、細菌、古細菌、または真菌であり得る。これは組織、臓器、血液、皮膚、動脈、骨、ＤＮＡ、ＲＮＡ、タンパク質、脂質、酵素、アミノ酸もしくは核酸の１つもしくは集合体、または生物学的物質であり得る。これは個体もしくは生物の１つもしくはいくつかの部分、または個体もしくは生物全体を表すことができる。個体の身体部分は好ましくは治療される部分を表す。これはまた、個体全体または任意の生物学的物質を指すこともでき、好ましくは生きている生物または個体に由来するか、またはそれらから抽出される。

本発明の一実施形態では、個体の身体部分は、呼吸器系、消化器系、呼吸器系、神経系、筋肉系または骨格系に属する。それらはまた、おそらく細菌またはウイルスを含む腫瘍、感染した組織または感染した細胞の集合体に属し得、それはこれらの系のうちの少なくとも１つに属し得る。

一実施形態では、個体の身体部分は１、１０、１０^３、１０^６、１０^９または１０^１３を超える磁性ナノ粒子を含む。いくつかの場合において、例えばナノ粒子がオプソニン化されている場合、個体の身体部分は磁性ナノ粒子に関連付けることができる。

本発明の別の実施形態では、磁気温熱療法の治療方法は、磁性ナノ粒子が、好ましくは高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場に曝される方法である。この方法では、磁性ナノ粒子を振動磁場に曝すと、温度上昇および／またはナノ粒子の運動を好ましくは誘発し、それが好ましくは個体の身体部分の特異的な相互作用および／または変態をもたらす。このような特異的な相互作用および／または変態は、細胞内／細胞からのナノ粒子の内在化または外在化、好ましくはアポトーシスまたは壊死による細胞の死滅であり得、これらの細胞は好ましくは個体の身体部分に属する。

本発明は、磁気温熱療法診断方法に使用するための磁性ナノ粒子に関し、ここで、磁性ナノ粒子は、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場に曝される。

本発明の別の実施形態では、磁気温熱療法診断方法は、最も好ましくは個体の身体部分に含まれ得る対象物質を検出することによって、病気または状態を検出するために好ましくは使用される診断方法である。これは、ｉ）対象物質を最初に磁性ナノ粒子に結合させ、次いで振動磁場の印加下で磁性ナノ粒子から分離するか、またはｉｉ）対象物質を最初にナノ粒子から分離させ、次いで振動磁場の印加下でナノ粒子に結合させるか、またはｉｉｉ）対象物質と磁性ナノ粒子との間の相互作用の種類が振動磁場の印加下で変化する検出方法であり得る。そのような変化を次に対象物質の検出に使用することができる。

本発明は、磁気温熱療法美容方法に使用するための磁性ナノ粒子に関し、ここで、磁性ナノ粒子は、高周波、中周波および／または低周波で振動する磁場に曝される。

本発明の別の実施形態では、磁気温熱療法美容方法は、美容方法、好ましくは、皮膚、毛または顔など個体の身体部分をより魅力的でより美しくし、個体の身体部分の欠陥または不完全性をカバーするか隠し、個体の身体部分の欠陥または不規則性の外観を改善するために使用される方法である。これは、振動磁場に曝された磁性ナノ粒子が、個体の身体部分の色、外観、細胞分布、張力を変える美容方法であり得る。

本発明は、磁気温熱療法ワクチン接種または予防方法に使用するための磁性ナノ粒子に関し、ここで、磁性ナノ粒子は、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場に曝される。

本発明のさらに別の実施形態では、磁気温熱療法予防またはワクチン接種方法は、免疫系を刺激して腫瘍などの病気と戦う方法であり、ここで、免疫系の刺激は、振動磁場を複数回印加することによって、最も好ましくは個体の身体部分に磁性ナノ粒子の存在下でこの磁場を印加することによって、好ましくは繰り返すことができる。ワクチン接種または予防方法は、疾病が発生する前後に実施することができ、繰り返すことができ、好ましくは個体の身体部分に、磁性ナノ粒子を投与することによって開始され、振動磁場の印加によって活性化され、好ましくは振動磁場を再度印加することによって、最も好ましくはナノ粒子を再投与することなく、再度活性化させることができる。いくつかの場合において、このワクチン接種または予防方法は、振動磁場を印加することによって免疫系の活性を高めることを可能にし、好ましくは、免疫系の活性に対する制御をほとんど達成することができない標準的なワクチン接種または予防方法に比べて、効率的であるべきである。

本発明の一実施形態では、ナノ粒子は、例えば腫瘍内注射によって、個体の身体部分に直接投与される。

本発明の別の実施形態では、ナノ粒子は、例えば静脈内注射によって、個体の身体部分に間接的に投与されるか、または個体の身体部分から１ｃｍ、１０ｃｍ、１００ｃｍ、１ｍまたは２ｍよりも大きい距離で投与される。

本発明の一実施形態では、磁性ナノ粒子の濃度は、個体の身体部分において温度上昇を可能にするのに十分であり、すなわちこの濃度は、個体の身体部分１ｍｍ^３当たり１ｎｇ、１０ｎｇ、１００ｎｇ、１μｇ、１０μｇ、１００μｇ、１ｍｇ、１０ｍｇ、１００ｍｇ、１ｇ、１０ｇ、１００ｇまたは１ｋｇよりも大きい。

本発明の一実施形態では、磁性ナノ粒子は、そのような部分で温度上昇を誘発するのに十分に高い個体の身体部分におけるパーセンテージを占め、すなわち、このパーセンテージはそのような部分において１０^−１０、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１５、２５、５０または７５％よりも高いかまたは大きく、ここで、このパーセンテージは、そのような部分においてナノ粒子が占める体積を、そのような部分の総体積で割ったものを表す。

本発明はまた、磁性ナノ粒子に関し、ここで、磁性ナノ粒子は、１Ｗ／ｇ_Ｆｅよりも高いか大きいＳＡＲ、またはナノ粒子１ｇ当たり０．００１、０．１、１、１０、５０、１００、５００、７５０、１０００、２０００または５０００ワット（Ｗ／ｇ）よりも高いか大きいＳＡＲを有し、ナノ粒子中に含まれる鉄１グラム当たりのワット（Ｗ／ｇ_Ｆｅ）が好ましい。

本発明の別の実施形態では、磁性ナノ粒子は、温度上昇を誘発するのに十分なＳＡＲ、すなわち、ナノ粒子１グラム当たり０．００１、０．１、１、１０、５０、１００、５００、７５０、１０００、２０００または５０００ワット（Ｗ／ｇ）よりも大きいＳＡＲを有し、ナノ粒子中に含まれる鉄１グラム当たりのワット（Ｗ／ｇ_Ｆｅ）が好ましい。

本発明のさらに別の実施形態では、振動磁場は温度上昇を誘発するのに十分強力であり、すなわち、露出した身体部分１ｃｍ^３当たり１０^−１０、１０^−５、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３ワットを超えるパワーを有する。

本発明のなお別の実施形態において、ＳＡＲは、（ｉ）ナノ粒子濃度が十分に高いためＳＡＲがナノ粒子濃度の関数として変化しない、または濃度が０．０１、０．１、１、２、５、１０、２０、３０、４０または５０ｍｇ／ｍｌを超える、（ｉｉ）水などの液体媒体中、または固体媒体中、またはゲルなどの半固体中、（ｉｉｉ）５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、７５または１００ｍＴを超える振幅または最大磁場または平均磁場を有する振動磁場を印加することによる、（ｉｖ）１、２、５、１０、２５、５０、１００、２００、５００または１０００ｋＨｚよりも高いか大きい周波数または高周波を有する振動磁場を印加することによる、（ｖ）容量が１０００、５００、２５０、１００、５０、２０、１０、５、２または１μｌよりも小さい、（ｖｉ）容量が１０００、５００、２５０、１００、５０、２０、１０、５、２または１μｌよりも大きい、（ｖｉｉ）断熱条件、好ましくは、ナノ粒子を含み、かつＳＡＲ測定に使用される容器または試験管内で熱損失が１０、５、２、１、０、１、または０．０１℃未満である条件のうちの少なくとも１つにおいて測定される。

本発明の一実施形態では、磁性ナノ粒子は、以下の特性、ｉ）少なくとも１つの遷移金属、好ましくは遷移金属の酸化物、最も好ましくは酸化鉄、最も好ましくはマグヘマイトもしくはマグネタイト、またはマグヘマイトとマグネタイトとの中間組成物を含む組成物であり、ここで、この組成物は好ましくは磁性ナノ粒子の磁気コアのものである、ｉｉ）ナノ粒子の磁気コアを取り囲み、ナノ粒子の凝集を防止するコーティングが存在し、好ましくは生物におけるナノ粒子の投与を可能にするか、またはナノ粒子マグネタイトコアの安定化を可能にし、コーティング厚は好ましくは０．１ｎｍ〜１０μｍ、０．１ｎｍ〜１μｍ、０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ、または１ｎｍ〜５ｎｍであり得る、ｉｉｉ）反磁性、常磁性、超常磁性、強磁性、またはフェリ磁性の挙動を有し、この挙動は１Ｋ、１０Ｋ、２０Ｋ、５０Ｋ、１００Ｋ、２００Ｋ、３００Ｋまたは３５０Ｋよりも高い温度で好ましくは測定されるか観察される、ｉｖ）保磁力が０．０１、０．１、１、１０または１００Ｏｅよりも大きい、残留磁化と飽和磁化との比が０．０１、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５または０．７５よりも大きい、または飽和磁化が０．１、１、５、１０または５０ｅｍｕ／ｇよりも大きく、これらの特性は、好ましくは１Ｋ、１０Ｋ、２０Ｋ、５０Ｋ、１００Ｋ、２００Ｋ、３００Ｋまたは３５０Ｋを超える温度で測定されるか観察される、ｖ）結晶化度、すなわちナノ粒子が少なくとも２、５、１０または１００個の結晶面を有し、好ましくは電子顕微鏡によって観察可能である、ｖｉ）単一ドメインの存在、ｖｉｉ）サイズが０．１、０．５、１．５、１０、１５、２０、２５、３０、５０、６０、７０、８０、１００、１２０、１５０または２００ｎｍよりも大きい、ｖｉｉｉ）サイズが０．１、０．５、１．５、１０、１５、２０、２５、３０、５０、６０、７０、８０、１００、１２０、１５０または２００ｎｍよりも小さい、ｉｘ）サイズが０．１ｎｍ〜１０μｍ、０．１ｎｍ〜１μｍ、０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、１ｎｍ〜１００ｎｍ、または５ｎｍ〜８０ｎｍである、ｘ）非発熱性、すなわちナノ粒子がナノ粒子１ｍｇ当たり、またはナノ粒子に含まれる鉄１ｍｇ当たり１００００、１０００、１００、５０、１０、５、２または１ＥＵ（エンドトキシン単位）未満のエンドトキシン濃度を有する、ｘｉ）合成方法が化学的である、すなわち生きている合成生物の関与がない、ｘｉｉ）合成生生物による合成であり、好ましくは走磁性細菌により、マグネトソームの生成をもたらし、好ましくは走磁性細菌から抽出され、好ましくはマグネトソームの無機性磁気コアのみを含むか主に含む、ｘｉｉｉ）合成生生物に由来する有機または炭素材料の存在が５０、２５、１５、１０、５、２または１％未満である、ｘｉｖ）合成生生物に由来する無機磁性材料の存在が９９、９５、８０、７０、６０、５０または２５％を超える、のうちの少なくとも１つによって特徴付けられる。

本発明の一実施形態では、上記特性のうちの１つを有する磁性ナノ粒子のＳＡＲは、この特性を含まない磁性ナノ粒子のＳＡＲよりも１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１５、２０、５０または１００大きいか、または１０、２０、５０、１００、１０００Ｗ／ｇ_Ｆｅよりも大きく、ここで、ＳＡＲは、高いナノ粒子濃度で、または１、１０もしくは１００ｍｇ／ｍＬよりも高い濃度で好ましくは測定される。

本発明の一実施形態では、上記の特性のうちの１つを有する磁性ナノ粒子は、好ましくは１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１００または１０００倍増加するＳＡＲを有し、最大磁場と平均磁場との比が好ましくは１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１００または１０００倍増加する。いくつかの場合において、上記の特性のうちの１つを有する磁性ナノ粒子のＳＡＲは、そのような特性を有さない磁性ナノ粒子よりも増加する。

本発明の別の実施形態では、好ましくは１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、４、５、１０、２５、５０、１００または１０００よりも大きい最大磁場と平均磁場との高い比は、短期間の間、好ましくは１日、１時間、３０、１５、５、２または１分、５０、３０、２０、１０、５、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５、１０^−６、１０^−７、１０^−８、１０^−９、１０^−１０、１０^−１１、１０^−１２、１０^−１３、１０^−１４または１０^−１５秒未満の時間の間に印加される、好ましくは０．１、１、２、５、１０、１５、２５、５０、１００、２５０または５００ｍＴを超える高い振幅を有する振動磁場の印加に対応する。

本発明のさらに別の実施形態では、高い比は、磁性ナノ粒子の磁気モーメントと振動磁場との間の結合を強化し、この強化は、そのような特性を有さないナノ粒子に比べて、そのような特性を有するナノ粒子において好ましくは顕著である。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、高周波は１〜１００００ｋＨｚである。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、高周波は１〜１０００ｋＨｚである。

本発明の一実施形態では、高周波ｆ_ｈは、１０^−１０、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^７もしくは１０^８ｋＨｚよりも大きいか、または１０^−１０〜１０^８ｋＨｚであるか、または１０^−５〜１０^５ｋＨｚであるか、または１０^−３〜１０^３ｋＨｚであり、ここで、この周波数は［２π／ｔ_１］、［１／ｔ_１］、［／２π／ｔ_２］、［１／ｔ_２］、［２π／ｔ_３］、［１／ｔ_３］、［２π／（ｔ_１＋ｔ_２）］、［１／（ｔ_１＋ｔ_２）］、［２π／（ｔ_１＋ｔ_３）］、［１／（ｔ_１＋ｔ_３）］、［２π／（ｔ_２＋ｔ_３）］、［１／（ｔ_２＋ｔ_３）］、［２π／（ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３）］または［１／（ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３）］に等しいかまたは比例し得る。

本発明の他の実施形態では、［ｔ_１／ｔ_２］、［ｔ_１／ｔ_３］または［ｔ_２／ｔ_３］は、１０^−１０、１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^５または１０^１０以下である。

本発明の一実施形態では、１つまたはいくつかの高周波振動を測定するために使用される測定時間は、磁場の振幅または強度の変動が測定される時間である。この時間は好ましくは、１、２、５、１０、１００または１０００を超える振動を観察することができるのに十分に長いが、長過ぎることはない。

本発明の別の実施形態では、高周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−６〜１０^−４秒、１０^−７〜１０^−３秒、１０^−８〜１０^−１秒、１０^−９〜１秒である。

本発明のさらに別の実施形態では、高周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１または１秒よりも長い。

本発明のさらに別の実施形態では、高周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１または１秒よりも短い。

本発明の別の実施形態では、高周波ｆ_ｈで振動する磁場の印加時間が十分に長く、および／または振動の高周波に関連付けられる期間Ｔ_ｈ＝１／ｆ_ｈが十分に短いため、好ましくは濃度が０．１、１または１０ｍｇ／ｍＬを超える磁性ナノ粒子の懸濁液がこの磁場に曝されるとき、振動の高周波は温度低下をもたらさないか、または１０、５、１℃未満の温度低下をもたらす。高周波の単一の印加は、好ましくは、冷却工程を誘発するのに十分ではない。これが、冷却工程を生み出すために低周波の振動を加えることが必要であり得る理由である。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、高周波は磁性ナノ粒子を加熱する。

本発明の一実施形態では、振動の高周波は、好ましくは個体の身体部分において、ナノ粒子の運動、好ましくは回転、並進または振動を誘発する。この運動は、ナノ粒子を加熱する原因となり得る。

本発明の別の実施形態では、振動の高周波は、磁性ナノ粒子の磁気モーメントの回転を誘発する。この回転は、ナノ粒子を加熱する原因となり得る。磁気モーメントの回転は、単独で、またはナノ粒子の運動と同時に起こり得る。

本発明の別の実施形態では、振動の高周波、中周波、および／または低周波は、好ましくは個体の身体部分において、ナノ粒子のいかなる運動、回転、並進または振動も誘発しない。

本発明の別の実施形態では、例えば、渦電流またはフーコー電流などの望ましくない効果、またはこの周波数で発生し得る他の潜在的な毒性効果を制限するために、振動の高周波は十分に低く保たれ、すなわち、好ましくは１０００、５００、２５０、１５０、１００、５０、２０、１０、５または１ｋＨｚよりも低い。

本発明の別の実施形態では、振動の高周波は、渦電流またはフーコー電流の生成を伴わずに磁性ナノ粒子を加熱することを可能にする。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の高周波は、渦電流またはフーコー電流の生成に伴って磁性ナノ粒子を加熱することを可能にし、ここで、このような電流の生成は好ましくは十分に低く維持されて、０．０００１、０．００１、０．０１、０．１、１、２、５、１０、２０、５０または１００℃を超える振動磁場に曝された個体の身体部分の温度上昇を回避する。

本発明の別の実施形態では、渦電流またはフーコー電流は、振動磁場の印加下で磁性ナノ粒子とは異なる材料、物質、化合物、組織、細胞、または個体の身体部分の一部によって生じる熱として定義される。渦電流またはフーコー電流は、好ましくは磁性ナノ粒子のない領域、または、好ましくは物質、化合物、組織、細胞または個体の身体部分１ｍｍ^３当たりのナノ粒子が１０^９、１０^６、１０^３、１０、１、１０^−１、１０^−３、１０^−６または１０^−９ｍｇ未満である、低濃度の磁性ナノ粒子を含む領域で発生する。

本発明の別の実施形態では、渦電流またはフーコー電流は、振動磁場の印加下での好ましくは０．０１、０．１、１、５、１０または２０℃を超える温度上昇として定義され、これは磁性ナノ粒子による熱の生成に好ましくは起因しない。

本発明の別の実施形態では、最大磁場または平均磁場が高い場合、好ましくは０．１、０．５、１、５、１０、２０、５０、１００または２００ｍＴよりも高いかまたは大きい場合に、渦電流またはフーコー電流が発生する。いくつかの場合において、好ましくは０．１、０．５、１、５、１０、２０、５０、１００または２００ｍＴよりも低い最大磁場または平均磁場を有する振動磁場を使用することは、渦電流またはフーコー電流の低減を可能にする。

本発明の別の実施形態では、高振動周波数が高い場合、好ましくは０．１、１、１０、１００または１０００ｋＨｚよりも高いかまたは大きい場合に、渦電流またはフーコー電流が発生する。

本発明のさらに別の実施形態では、振動磁場に曝される体積が１、１０、１０^２、１０^３、１０^６、１０^９または１０^１５ｍｍ^３よりも大きい場合に、渦電流またはフーコー電流が発生する。いくつかの場合において、振動磁性に曝される小さい体積、好ましくは１、１０、１０^２、１０^３、１０^６、１０^９または１０^１５ｍｍ^３よりも小さい体積を使用することは、渦電流またはフーコー電流の低減を可能にする。

本発明の別の実施形態では、例えば、ナノ粒子を加熱することができるか、または望ましくない細胞刺激もしくは筋肉刺激など、低すぎる高周波で発生し得る望ましくない影響を回避することができるように、振動の高周波は十分に高く保たれ、すなわち、好ましくは１、５、２０、１００、１５０、２５０、５００または１０００ｋＨｚよりも大きい。

本発明の一実施形態では、振動の高周波を好ましくは１０^６、１０^３または１０ｋＨｚ未満に低減するために、ナノ粒子濃度を増加させ、すなわち、ナノ粒子濃度は、１ｍｍ^３当たり、または個体の身体部分１ｍｍ^３当たりのナノ粒子が０．０１、０．１、１、１０、２０、５０、１０^２、１０^３、１０^６または１０^９μｇよりも多い。

本発明の一実施形態では、振動の高周波を好ましくは１０^６、１０^３または１０ｋＨｚ未満に低減するために、ナノ粒子の分布の均一性が高められ、すなわち、ナノ粒子が個体の身体部分の５、１０、２５、５０、７５、８０、８５、９０、９５、９８、１００、１５０、２００、５００、１０^３、または１０^５％を超えて占め、ここで、このパーセンテージは、ナノ粒子が占める体積を、個体の身体部分の体積で割ったものを表し得る。いくつかの場合において、ナノ粒子の分布の均一性は、鎖状に組織化されたナノ粒子またはマグネトソームなど、より均一な分布を有するナノ粒子を使用することによって、または、注入１分当たりの身体部分に投与されるナノ粒子が１０^９、１０^５、１０^３、１０^２、１０、１ｍｇ未満である流速または速度で行われる投与など、均一な分布を高めることを可能にする投与技術を使用することによって、高めることができる。

本発明の別の実施形態では、振動の高周波を好ましくは１０^６、１０^３または１０ｋＨｚ未満に低減するために、高いＳＡＲを有するナノ粒子、すなわち好ましくは１、５、１０、２０、５０、１００、２００、５００または１０００Ｗ／ｇよりも大きいＳＡＲを有するナノ粒子が使用される。そのようなナノ粒子は、大きいサイズ、すなわち１、５、１０、２０、５０、７５、９０もしくは１００ｎｍよりも大きいサイズのナノ粒子、またはモノドメインナノ粒子、または強磁性もしくは強磁性ナノ粒子であり得る。そのようなナノ粒子はまた、組織内に均一に分布して、温度の均一な分布を可能にすることができる。それらは、走磁性細菌によって産生されるマグネトソームのように鎖状に配列されてもよく、それらはこれらの細菌から好ましくは抽出され、エンドトキシンなどの毒性細菌残基を除去するために精製される。連鎖配置は、均一な加熱と、好ましくは１００、２５０、５００または１０００Ｗ／ｇよりも高いかまたは大きい高いＳＡＲとをもたらすことができる。

本発明の別の実施形態では、振動の高周波を好ましくは１０^６、１０^３または１０ｋＨｚ未満に低減するために、最大磁場または平均磁場を１、２、５、１０、１５、２０、２５、３０、４０、５０、７５、１００、２５０、５００または１０００ｍＴを超えて増加させることができる。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、中周波は１０^−５〜１０^６Ｈｚである。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、中周波は高周波よりも低く、１０^−５〜５．１０^５Ｈｚである。

本発明の一実施形態では、中振動周波数は、１０^−１０、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^７または１０^８Ｈｚよりも大きい。

本発明の一実施形態では、中振動周波数は、１０^−１０、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^７または１０^８Ｈｚよりも小さい。

本発明の別の実施形態では、中振動周波数は、１０^−２０〜１０^２０Ｈｚ、１０^−１０〜１０^１０Ｈｚ、１０^−８〜１０^８Ｈｚ、１０^−６〜１０^６Ｈｚ、１０^−５〜１０^５Ｈｚ、１０^−４〜１０^４Ｈｚ、または１０^−３〜１０^３Ｈｚである。

本発明の一実施形態では、振動の中周波は、高周波振動の１．００１、１．０１、１．１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５または１０^１０倍低い。

本発明の一実施形態では、振動の中周波は少なくとも１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５、１０^１０、１０^２０または１０^５０サイクルで起こる。

本発明の一実施形態では、振動の中周波を測定するために使用される測定時間は、磁場の振幅または強度の変動が測定される時間である。この時間は好ましくは、１、２、５、１０、１００または１０００を超える中周波振動を観察することができるのに十分に長いが、長過ぎることはない。

本発明の別の実施形態では、中周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−６〜１０^−４秒、１０^−７〜１０^−３秒、１０^−８〜１０^−１秒、１０^−９〜１秒である。

本発明のさらに別の実施形態では、中周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３秒よりも長い。

本発明のさらに別の実施形態では、中周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３秒よりも短い。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の中周波を測定するために使用される測定時間は、振動の高周波を測定するために使用される測定時間よりも１．００１、１．０１、１．１、１．５、２、５、１０、１００、１０００または１００００長い。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の中周波が高すぎる、および／または時間ｔ_５が短すぎて、好ましくは０．１、１または１０ｍｇ／ｍＬを超える濃度の磁性ナノ粒子の懸濁液がこの磁場に曝される場合に、温度が少なくとも１、１０、１００または１０００の高周波振動の間に測定される場合に、好ましくは１、５、１０、５０または１００℃を超える温度低下を得るために、磁性ナノ粒子またはその周囲の温度を下げることができない。振動の中周波が温度低下をもたらさないという事実は、渦電流もしくはフーコー電流、または連続加熱に起因する他の副作用につながる可能性があり、過熱につながる可能性があるため、磁気温熱療法において問題になる可能性がある。これが、冷却工程を可能にする低周波の振動を加えることが必要と思われる理由である。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、中周波は高周波を変調する。

本発明の一実施形態では、振動の中周波による振動の高周波の変調は、中周波で振動する包絡関数内で高周波で振動する磁場に対応する。

本発明の一実施形態では、包絡関数の目的は、包絡関数なしで達する磁場よりも高いかより大きい最大磁場または平均磁場、好ましくは１、５、１０、５０、１００、５００または１０００ｍＴよりも大きい最大磁場または平均磁場に、好ましくは短時間で、最も好ましくは１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５または１０^−６秒未満の間で、または最も好ましくは１つの中周波サイクルの持続時間の８０、７０、５０、２０、１０、５または１％未満の間に達することであり得る。

本発明の一実施形態では、包絡関数の目的は、１、１０、１００、５００または１０００ｍＴよりも大きい最大磁場もしくは平均磁場を有する、またはより高いか大きい最大磁場または平均磁場を有する、好ましくは、包絡関数なしの高周波で振動する磁場によって達する磁場よりも１．０１、１．１、１．２、２、５、１０、２０、３０、５０または１００倍高いか大きい磁場に達することでもあり得る。

本発明の一実施形態では、変調によって生成された高い最大磁場または平均磁場は、好ましくは中周波に関連付けられたサイクルの一部内、好ましくはこのサイクルの９０、８０、７５、５０、２５、１５、１０、５、２または１％未満の範囲内で発生する。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、中周波は磁性ナノ粒子の加熱特性の増大をもたらす。

本発明はまた、本発明に従って使用するための磁性ナノ粒子に関し、ここで、低周波は、高周波および存在する場合には中周波よりも低く、１０^−９〜５．１０^５Ｈｚである。

本発明の一実施形態では、低周波は１０^−１５〜１０^１５Ｈｚ、１０^−１２〜１０^１２Ｈｚ、１０^−９〜１０^９Ｈｚ、１０^−９〜１０^５Ｈｚ、１０^−６〜１０^５Ｈｚ、１０^−３〜１０^３Ｈｚである。いくつかの場合において、低周波は、１０^−１５、１０^−１２、１０^−９、１０^−７、１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^３、１０^５、１０^７、１０^９、１０^１２または１０^１５Ｈｚよりも低くてもよい。いくつかの場合において、低周波は、１０^−１５、１０^−１２、１０^−９、１０^−７、１０^−５、１０^−３、１０^−１、１、１０、１０^３、１０^５、１０^７、１０^９、１０^１２または１０^１５Ｈｚよりも大きくてもよい。

本発明の一実施形態では、中周波は、ナノ粒子の加熱パワーを増大させ、すなわち、ナノ粒子のＳＡＲを、中周波なしで振動する磁場で測定した同じナノ粒子のＳＡＲの１．００００１、１．０００１、１．００１、１．０１、１、１、１、２、１、５、２、５、１０、１０^２または１０^３倍を超えて増加させる。

本発明のさらに別の実施形態では、振動の中周波は高いナノ粒子加熱パワーをもたらし、すなわち、１、１０、１００、２５０、５００または１０００Ｗ／ｇ_Ｆｅを超えるＳＡＲ値に達することを可能にする。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、低周波は、加熱工程と冷却工程とを含む少なくとも１つのサイクルを誘発する。

本発明の一実施形態では、加熱工程は、好ましくは加熱を誘発するのに十分に高濃度の磁性ナノ粒子を含有する領域に、振動磁場を印加することによって引き起こされる。

本発明の一実施形態では、加熱工程は少なくとも１μｓ、１０μｓ、１００μｓ、１ｍｓ、１０ｍｓ、１００ｍｓ、１ｓ、１０ｓまたは１００ｓ（秒）続く。この場合、それは振動の低周波が１０^６、１０^５、１０^４、１０^３、１０^２、１０、１、１０^−１または１０^−２Ｈｚよりも低く、好ましくは振動の高周波が０．１、１、１０、１００、２００、５００、１０^３、１０^４または１０^５ｋＨｚよりも大きいときに起こり得る。加熱工程は、ナノ粒子が個体の身体部分にあまり集中していない場合、または
個体の身体部分の外側に拡散した場合、より長く続くことができ、そのような拡散は、ナノ粒子投与後１、２、６または１２時間、１、２または７日、１、２または４週間、１、２または６ヶ月、１、２または１０年起こり得る。

本発明の別の実施形態では、加熱工程は、１μｓ、１０μｓ、１００μｓ、１ｍｓ、１０ｍｓ、１００ｍｓ、１ｓ、１０ｓまたは１００秒、５、１０、２０または３０分続く。この場合、それは低振動周波数が１０^６、１０^５、１０^４、１０^３、１０^２、１０、１、１０^−１または１０^−２Ｈｚよりも低く、高振動周波数が好ましくは０．１、１、１０、１００、２００、５００、１０^３、１０^４または１０^５ｋＨｚよりも大きいときに起こり得る。加熱工程は、磁性ナノ粒子が個体の身体部分の外側に拡散していない場合、より短い時間、好ましくは、ナノ粒子投与経路に応じて、１、２、６または１２時間、１、２または７日、１、２または４週間、１、２または６ヶ月、１、２または１０年よりも短い時間であってもよい。

本発明の一実施形態では、加熱工程の持続時間は可能な限り短く、渦電流またはフーコー電流、または振動磁場の印加に関連付けられる長期間にわたる望ましくないもしくは毒性の影響を制限する。

本発明の一実施形態では、加熱工程は、温熱療法のセッションまたは治療の間に得られる温度、または熱切除のセッションまたは治療の間に得られる温度、または３７、４８、４９、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、１０^３、１０^５もしくは１０^１０℃を超える温度、または３７〜１０００℃、３７〜１００℃、３７〜７０℃、３７〜５５℃、３７〜５０℃もしくは３７〜４５℃の温度に達するのに必要な時間の間行われる。

本発明の別の実施形態では、加熱時間ｔ_７またはｔ_９は温度上昇を誘発するのに十分な長さである。

本発明によれば、温度上昇は１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、８０、８５、９０、１００、２５０、５００または１０^３℃、または毎秒℃、または毎時℃よりも大きく、ここで、この温度上昇は好ましくは生理学的温度を超える温度上昇を表す。

本発明によれば、温度上昇は１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、８０、８５、９０、１００、２５０、５００または１０^３℃、または毎秒℃、または毎時℃よりも小さく、ここで、この温度上昇は好ましくは生理学的温度を超える温度上昇を表す。

本発明の別の実施形態では、加熱時間ｔ_７またはｔ_９は、温度プラトーに達するのに十分に長いか、または低周波が十分に小さい。このようなプラトーは、温度上昇が１日当たり１℃未満、毎分１℃未満、毎秒１℃未満、または１マイクロ秒当たり１℃未満であるとき、あるいは温度上昇が加熱工程の開始時、好ましくは磁場または磁場を発生させる装置の電源投入後の１００、１０、１、０．１または０．０１秒の間に測定される初期の温度上昇よりも１０^４、１０^３、１０^２、１０、５または２倍低い場合に得ることができる。

本発明の一実施形態では、加熱時間ｔ_７またはｔ_９は、最大磁場もしくは平均磁場、および／または高周波を増加させることによって短縮することができる。したがって、０．０１、０．１、１、５、１０、２０、４０ｍＴよりも大きい最大磁場もしくは平均磁場、および／または０．１、１００、２００、５００、１０^３、１０^４または１０^５ｋＨｚよりも大きい高振動周波数を有する振動磁場を印加して、１μｓ、１０μｓ、１００μｓ、１ｍｓ、１０ｍｓ、１００ｍｓ、１ｓ、１０ｓまたは１００秒よりも短い加熱時間ｔ_７またはｔ_９を得ることが好ましい。

本発明の一実施形態では、ナノ粒子の加熱時間ｔ_７またはｔ_９を短縮するために、ナノ粒子のＳＡＲを好ましくは１、１０、２５、５０、１００、２５０、５００もしくは１０００Ｗ／ｇを超えて増加させるか、または振動磁場のパワーを身体部分１ｃｍ^３当たり１０^−４、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２または１０^３ワットを超えて増加させるか、および／または個体の身体部分におけるナノ粒子の分布の均一性を増加させる。

本発明の一実施形態では、最大磁場もしくは平均磁場および／または高振動周波数が減少すると、加熱時間ｔ_７またはｔ_９が増加する。したがって、０．０１、０．１、１、５、１０、２０または４０ｍＴよりも小さい最大磁場もしくは平均磁場、および／または０．１、１、１０、１００、２００、５００、１０^３、１０^４または１０^５ｋＨｚよりも小さい高振動周波数を有する振動磁場を印加して、１μｓ、１０μｓ、１００μｓ、１ｍｓ、１０ｍｓ、１００ｍｓ、１ｓ、１０ｓまたは１００ｓ（秒）よりも長く続く加熱工程を達成することが好ましい。

本発明の一実施形態では、冷却時間ｔ_８またはｔ_１０は、１日、１２、４、２または１時間、６０、３０、２０、２または１分、４０、３０または２０秒よりも短い。

本発明の別の実施形態では、冷却時間ｔ_８またはｔ_１０はナノ粒子濃度とは無関係である。

本発明のさらに別の実施形態では、低周波サイクルは、１日、１２、４、２または１時間、６０、３０、２０、２または１分、４０、３０または２０秒よりも短い冷却時間ｔ_８またはｔ_９に関連付けられ、および／または１日、１２、４、２または１時間、６０、３０、２０、２または１分、４０、３０または２０よりも短い加熱時間ｔ_７またはｔ_１０に関連付けられる。

いくつかの場合において、好ましくは大きい数の温度勾配を誘発することが望まれる場合には、短い加熱工程および／または冷却工程を採用することが好ましい可能性がある。これは、免疫機構、好ましくは病理学的または腫瘍細胞破壊に関与する機構など、特定の機構をトリガしたい場合に当てはまる可能性がある。

他の場合では、好ましくは長期間にわたって温度を一定に保つことが望まれる場合には、長い加熱工程および／または冷却工程を採用することが好ましい可能性がある。これは、長期間一定の温度を使用して細胞を破壊したい場合に当てはまる可能性がある。

本発明の一実施形態では、１つまたはいくつかの振動周波数を測定するために使用される測定時間は、磁場の振幅または強度の変動が測定される時間、または振動磁場のパワーの変動が測定される時間である。この時間は好ましくは、１、２、５、１０、１００または１０００を超える低周波の振動を観察することができるのに十分に長いが、長過ぎることはない。

本発明の別の実施形態では、低周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−６〜１０^４秒、１０^−３〜１０^３秒、１０^−１〜１０^３秒、１〜１００秒である。

本発明のさらに別の実施形態では、低周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３または１０^４秒よりも長い。

本発明のさらに別の実施形態では、低周波振動を測定するために使用される測定時間は、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３または１０^４秒よりも短い。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、加熱工程は、身体部分の１℃を超える温度上昇を生成する。

本発明の一実施形態では、加熱工程は、好ましくは身体部分の、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、８０、８５、９０、１００、２５０、５００または１０^３℃、または毎秒℃、または毎時℃を超える温度上昇をもたらす。この温度上昇は、磁場印加の開始から磁場印加が停止されるまでの間に測定することができる。この温度上昇は、生理学的温度を超える温度上昇に対応し得る。

一実施形態では、生理学的温度は個体の身体部分の温度であり得、好ましくは、この個体がその正常状態にあるときに測定される。本発明によれば、生理学的温度は３７℃、または３６．１〜３７．８℃であり得る。

本発明の別の実施形態では、温度上昇は、個体の身体部分の温度上昇であり、
好ましくは、個体の身体部分１ｍｍ^３当たり、または１ｍｍ^３当たり、１ｎｇ、または１０ｎｇ、または１００ｎｇ、または１μｇ、または１０μｇ、または１００μｇ、または１ｍｇ、または１０ｍｇ、または１００ｍｇを超える磁性ナノ粒子の濃度を含む。

本発明の別の実施形態では、温度上昇は、１つまたは複数の高振動周波数、好ましくは１０、５０、１００、２５０、５００または１０００ｋＨｚよりも大きい周波数で振動磁場を印加することによって生じる。

本発明のさらに別の実施形態では、温度上昇は、身体部分ｃｍ^３当たり１０^−１５、１０^−９、１０^−５、１０^−２、１、１０、１０^２、１０^３または１０^５Ｗよりも大きい振動磁場のパワーを印加することによって生じる。

本発明の一実施形態では、温度上昇は、個体の身体部分で選択的に発生する。これは、ナノ粒子が個体の身体部分において十分な濃度、すなわちｍｍ^３当たり、または身体部分ｍｍ^３当たり１ｎｇ、または１００ｎｇ、または１００μｇ、または１μｇ、または１０μｇ、または１００μｇ、または１ｍｇ、または１０ｍｇ、または１００ｍｇを超える濃度である場合、および好ましくは個体の身体部分に選択的に磁場が印加され、好ましくは磁場が１０、５０、１００、２５０、５００または１０００ｋＨｚを超える高周波で印加される場合に可能であり得る。

一実施形態では、加熱工程は、能動的な温度上昇、すなわち、温度上昇が、磁性ナノ粒子が振動磁場に曝されていることに好ましくは起因する温度上昇に関連付けられる。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、冷却工程は、身体部分の１℃を超える温度低下を誘発する。

本発明の一実施形態では、冷却工程は、好ましくは身体部分の１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、８０、８５、９０、１００、２５０、５００または１０^３℃、または毎秒℃、または毎時℃を超える温度低下を生成する。この低下は、Ａ_７またはＡ_９低周波シーケンスの終わり、好ましくは磁場の印加が停止されたとき、および生理学的温度に達したとき、または生理学的温度を０．１、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、８０、８５、９０、１００、２５０、５００または１０^３℃超過する温度に達したときに、測定することができる。

本発明の一実施形態では、冷却工程は、個体の身体部分または磁性ナノ粒子を冷却する装置、冷媒、角氷、化学薬品または物質を使用することによって加速させることができる。

本発明の別の実施形態では、冷却工程の温度低下の振幅は、加熱工程の温度上昇の振幅から１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０^２または１０^３倍を超えて異なることはない。これは、治療効果に対して加熱工程と冷却工程の両方を利用したい場合に好ましくは使用され得る。

本発明のさらに別の実施形態では、冷却工程の温度低下の振幅は、加熱工程の温度上昇の振幅から１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０^２または１０^３倍を超えて異なる。これは、治療効果に対して加熱工程または冷却工程のいずれかを利用したい場合に好ましくは使用され得る。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、振動の低周波は望ましくない影響を制限することを可能にする。

本発明の一実施形態では、加熱工程と冷却工程とを有するサイクルの生成は、毒性を制限することを可能にする。第１に、これらの工程を使用して達する平均温度は、これらの工程を使用せずに達する平均温度よりも、好ましくは１、２、３、４、５、７、１０、２０、５０、１００、５００または１０００℃を超えて低い。好ましくは渦電流またはフーコー電流に起因する第２の過熱は、個体の身体部分を冷却することができるか、または冷却工程の間にいかなる温度上昇も伴わないままであることができるため、回避することができる。

本発明によれば、低周波は、多数の加熱および／または冷却工程、または多数の加熱および／または冷却勾配をもたらすことができ、これは低周波なしの工程または勾配の数よりも２、３、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５、１０^１０または１０^２０大きい。

一実施形態では、冷却工程は、受動的な温度低下、すなわち、血液循環に起因する可能性がある、磁場の印加なしの個体の身体部分の温度低下に好ましくは起因する温度低下に関連付けられる。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、振動の低周波は、治療または診断の効力を改善することを可能にするか、または低周波なしの場合に比べてより効率的な治療または診断に達することを可能にする。

本発明の一実施形態では、振動の低周波は、加熱工程および冷却工程の数、好ましくは加熱および冷却の各工程に関連付けられる温度勾配の数を増加させることによって、好ましくは１０^９、１０^７、１０^５、１０^３、１０または１を超える温度勾配を生成することによって、治療または診断の効力を改善する。そのような勾配は、例えば、免疫系をより効率的に活性化することによって、またはストレス、好ましくは細胞ストレスを、より少ない数の温度勾配、好ましくは１０^９、１０^７、１０^５、１０^３、１０または１よりも少ない温度勾配に関連付けられる連続加熱に比べてより効率的に誘発することによって、病的細胞をより効率的に破壊することができる。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、振動の中周波および／または低周波は、最大磁場と平均磁場との比を増加させることを可能にする。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、１００、５０、２０、１０、９、８、７、６、５、４、３、２、１または０．１ｍＴよりも低い平均磁場に達することを可能にするか、あるいは中周波および／または低周波なしで達する平均磁場よりも１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、２０、３０、５０、または１００倍低い平均磁場に達することを可能にする。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、１００、５０、２０、１０、９、８、７、６、５、４、３、２、１または０．１ｍＴよりも大きい最大磁場に達することを可能にするか、あるいは中周波および／または低周波なしで達する最大磁場よりも１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、２０、３０、５０、または１００倍大きい最大磁場に達することを可能にする。

本発明のさらに別の実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、短期間、好ましくは１時間、３０、１５、５、２または１分、３０、１５、１０、５、２、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−４、１０^−５、１０^−６、１０^−７、１０^−８、１０^−９、１０^−１０、１０^−１１、１０^−１２、１０^−１３、１０^−１４または１０^−１５秒未満で最大磁場に達することを可能にする。

本発明のさらに別の実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、中周波および／または低周波なしで振動する磁場と比較してより短い時間、好ましくは１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、２０、３０、５０または１００倍短い時間で最大磁場に達することを可能にする。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、最大磁場と平均磁場との比を、中周波および／または低周波なしで測定される同じ比と比較して１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、２０、３０、５０または１００倍増加させることを可能にする。

本発明のさらに別の実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、１．００００１、１．０００１、１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、５０、１００、２５０、５００、１０^３、１０^４または１０^６よりも大きい最大磁場と平均磁場との比を達成することを可能にする。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、振動の中周波および／または低周波は、身体部分の外側への磁性ナノ粒子の拡散を減少させる。

本発明の一実施形態では、振動の中周波および／または低周波は、振動の中周波および／または低周波がない場合よりも２、５、１０または１００倍長い時間中に、身体部分または磁性ナノ粒子を加熱することを可能にする。

本発明の別の実施形態では、振動の中周波および／または低周波は、ナノ粒子投与後１分、１時間、１日、１週間、１ヶ月、または１年を超えて身体部分または磁性ナノ粒子を加熱することを可能にする。

本発明はまた、磁性ナノ粒子に関し、ここで、振動の中周波および／または低周波は、磁性ナノ粒子からの化合物の放出を増加させる。

本発明の一実施形態では、化合物は、蛍光物質、物質、医学的、治療的、診断的化合物、生物学的、化学的または物理的研究対象の化合物、汚染除去、温度などの物理化学的障害の検出または放射線の検出に使用される化合物である。

本発明の別の実施形態では、化合物の放出は、ナノ粒子からのある距離、好ましくはナノ粒子から１０^−１５、１０^−６、１０^−３、１、１０^３、１０^６または１０^９メートルを超える距離で化合物の拡散に対応する。

本発明の別の実施形態では、化合物の放出は、放出化合物の量が、低周波および／または中周波が欠落している状況と比較して、低周波および／または中周波の存在下で、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０^３、１０^５、１０^７または１０^１０の係数で乗算される場合に増加する。

本発明の別の実施形態では、化合物の放出は、ナノ粒子からのある距離、好ましくはナノ粒子から１０^−１５、１０^−６、１０^−３、１、１０^３、１０^６または１０^９メートルよりも短い距離で化合物の拡散に対応する。

本発明の別の実施形態では、化合物の放出は、放出化合物の量が、低周波および／または中周波が欠落している状況と比較して、低周波および／または中周波の存在下で、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、５、１０、１０^３、１０^５、１０^７または１０^１０の係数で乗算される場合に増加する。

本発明のさらに別の実施形態では、化合物の放出は、好ましくは振動磁場の活性化後または電源投入後１００、１０、１、１０^−１、１０^−３または１０^−６分を超えて測定される放出化合物の量が１．１、１．５、２、５、１０、１００、１０^３、１０^５または１０^９を超える係数で乗算される場合に増加する。

本発明のさらに別の実施形態では、化合物の放出は、好ましくは振動磁場の活性化後または電源投入後１００、１０、１、１０^−１、１０^−３または１０^−６分を超えて測定される放出化合物の量が１．１、１．５、２、５、１０、１００、１０^３、１０^５または１０^９未満の係数で乗算される場合に増加する。

本発明のさらに別の実施形態では、化合物の放出は、振動磁場の活性化後または電源投入後１００、１０、１、１０^−１、１０^−３または１０^−６分未満に測定される最初の放出化合物の量が１．１、１．５、２、５、１０、１００、１０^３、１０^５または１０^９を超える係数で乗算される場合に増加する。

本発明のさらに別の実施形態では、化合物の放出は、振動磁場の活性化後または電源投入後１００、１０、１、１０^−１、１０^−３または１０^−６分未満に測定される最初の放出化合物の量が１．１、１．５、２、５、１０、１００、１０^３、１０^５または１０^９未満の係数で乗算される場合に増加する。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、振動の低周波は、癌または腫瘍などの感染症に対する治療の効力を改善することを可能にする。

本発明の一実施形態では、加熱工程と冷却工程とを有するサイクルの生成は、０．０１、０．１、１、２、５、１０、１５、３０、５０、１００、５００または１０００℃、または毎秒１０００℃、または毎分１０００℃、または毎時１０００℃を超える少なくとも１、２、５、１０、１０^２、１０^３または１０^５の温度勾配を作り出すことを可能にする。これらの温度勾配は、好ましくは磁気励起の開始時、好ましくは振動磁場の印加後１０^１５、１０^１２、１０^９、１０^５、１０^３、１０^２、１０、１または１０^−１秒未満で発生する温度勾配である。これらの温度勾配は、一定温度に比べて、感染性疾患の治療において、好ましくは腫瘍の破壊において、より効率的であり得るか、または少なくとも１０、１０^２、１０^３、１０^６または１０^９倍多くの細胞、好ましくは腫瘍細胞を破壊することを可能にし得る。異なるサイクル間では、温度勾配は、好ましくは、１０^９、１０^７、１０^５、１０^３、１００、１０、１、１０^−３、１０^−５、１０^−７または１０^−９％を超えて変動することはない。

本発明はまた、加熱工程と冷却工程とを有するサイクルを含む、本発明による使用のための振動磁場に曝される磁性ナノ粒子に関し、ここで、ｉ）加熱工程および冷却工程の間にそれぞれ達するべき最高温度および最低温度が決定され、ｉｉ）加熱工程中に最高温度に達するために、温度を変調する磁場の少なくとも１つのパラメータが第１の値に設定され、次に、冷却工程中に最低温度に達するために、少なくとも１つのパラメータが第２の値に設定され、場合により、ｉｉｉ）これら２つの温度に達するのに必要な加熱時間および冷却時間が測定され、場合により、ｉｖ）少なくとも測定された加熱時間および冷却時間の間、加熱工程および冷却工程が繰り返される。

本発明はまた、本発明による使用のための磁性ナノ粒子に関し、磁場は加熱工程と冷却工程とを有するサイクルを含むかまたはトリガし、ここで、ｉ）加熱工程および冷却工程の間にそれぞれ達するべき最高温度および最低温度が決定され、ｉｉ）加熱工程中に最高温度に達するために、温度を変調する磁場の少なくとも１つのパラメータが第１の値に設定され、次に、冷却工程中に最低温度に達するために、少なくとも１つのパラメータが第２の値に設定され、場合により、ｉｉｉ）これら２つの温度に達するのに必要な加熱時間および冷却時間が測定され、場合により、ｉｖ）少なくとも測定された加熱時間および冷却時間の間、加熱工程および冷却工程が繰り返される。

本発明はまた、磁性ナノ粒子に関し、ここで、少なくとも１つのパラメータが、平均または最大磁場振幅、磁場強度、振幅、周波数、磁力線の空間的または時間的分布で構成される群から選択される。

本発明の一実施形態では、少なくとも１つのパラメータは交番磁場を発生させる装置のパラメータである。これは交番磁場を発生させる交流電流の強度、振幅、周波数、パワー、または印加持続時間であり得る。

本発明の一実施形態では、事前検量線を描いて加熱時間および冷却時間を決定し、これは好ましくは低周波サイクル中に達する最高温度および最低温度にそれぞれ達するのに必要である。このような事前検量線は、好ましくは細胞を含むかまたは組織を含む懸濁液中に混合された磁性ナノ粒子を使用し、好ましくは治療の条件にできるだけ近い条件を使用して、すなわち、例えば治療のものに類似のナノ粒子濃度および／またはナノ粒子環境を使用して得ることができる。いくつかの場合において、事前検量線は、例えば個体の身体部分の温度を測定することが可能である場合、例えばそのような部分に温度プローブを導入することによって、個体において直接得ることができる。事前検量線は、いくつかの場合において、例えば磁気温熱療法治療の最初のセッション中に個体において得られてもよい。事前検量線作成のために、磁性ナノ粒子または個体の身体部分は、好ましくは高周波および低周波、または高、中および低周波で振動する磁場に曝される。交流電流などの装置のパラメータは、好ましくは、加熱工程の間に最大温度、好ましくは４０〜６０℃をもたらす平均磁場または最大磁場に達するように第１の値に設定され、次に交流電流などの装置のパラメータは、好ましくは、冷却工程の間に最低温度、好ましくは３０〜４０℃、最も好ましくは生理学的温度をもたらす別の平均磁場または最大磁場に達するように第２の値に設定される。次に、これら２つの温度に達するのに必要とされる加熱時間および冷却時間を測定し、加熱工程および冷却工程を、好ましくは１、２、５、１０または１００回を超えて繰り返すことができる。交流電流の第１および第２の値は、好ましくは治療を単純化するために一定であり得る。確かに、磁気温熱療法治療の加熱工程および／または冷却工程の間にそのような値を変動させるには、おそらく追加のソフトウェアを使用する必要があり、これは不必要であるように思われる。最後に、加熱時間および冷却時間の値はそのまま治療に使用することができるか、またはナノ粒子分布の差など、事前検量線および治療に使用する異なる条件を考慮するように修正することができるか、または平均化することができ、その後、平均加熱時間および平均冷却時間を治療に使用することができる。

本発明の一実施形態では、好ましくは低周波サイクル中に達する最高温度Ｔ_ｍａｘおよび最低温度Ｔ_ｍｉｎは、最適な治療活性をもたらすものである。そのような最適な治療活性は、１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５、１０^１０または１０^２０を超える細胞、好ましくは、ウイルス、細菌の腫瘍細胞、好ましくは病原性細菌、器官、組織、血管、個体の身体部分の破壊に対応し得る。そのような破壊は、いくつかの場合において熱によって直接生じる可能性があり、他の場合においては免疫系などの間接的な機構に関与する。

本発明の別の実施形態では、低周波サイクル中に好ましくは達するＴ_ｍａｘおよびＴ_ｍｉｎは、治療から生じる望ましくない効果を最も少なくもたらす。これは、健康な細胞１、２、５、１０、１０^２、１０^３、１０^５、１０^１０または１０^２０個未満の破壊、または健康な細胞に対する損傷がないことに対応し得る。

本発明の別の実施形態では、低周波サイクル中に好ましくは達するＴ_ｍａｘおよびＴ_ｍｉｎは、最も低い治療毒性で最も高い抗腫瘍効果をもたらす。

本発明の一実施形態では、低周波サイクル中に好ましくは達するＴ_ｍａｘは、生理学的温度よりも０．１、０．５、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、５０、７５、１００、５００、１０^３、１０^４または１０^５℃高い。Ｔ_ｍａｘは、０〜１００℃、２０〜７５℃、３０〜６０℃、３７〜５０℃、３７〜４５℃、または３７〜４１℃であり得る。

本発明の一実施形態では、低周波サイクル中に好ましくは達するＴ_ｍｉｎは、生理学的温度よりも０．１、０．５、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、５０、７５、１００、５００または１０^３℃高いかまたは低い。Ｔ_ｍｉｎは、０〜１００℃、２０〜７５℃、３０〜６０℃、３７〜５０℃、３７〜４５℃、または３７〜４１℃であり得る。

本発明の一実施形態では、低周波サイクル中に好ましくは達する最高温度、および／または最低温度と最高温度との差は、免疫機構など、感染症、好ましくは腫瘍の間接的な破壊機構に有利に働く。これは最高温度が中程度、好ましくは１００、８０、６０、５５、５０、４５または４３℃よりも低い場合に発生し得る。これは最低温度と最高温度との差が中程度、好ましくは１００、７５、５０、２５、１０、９、８、７、６、５、４、３、２または１℃未満の場合にも発生し得る。

本発明の別の実施形態では、低周波サイクル中に好ましくは達する最高温度、または最高温度と最低温度との差は、感染症、好ましくは腫瘍の直接的な熱的破壊機構に有利に働く。これは最高温度が高く、好ましくは１００、８０、６０、５０、４５または４３℃よりも高い場合に発生し得る。これは最低温度と最高温度との差が１００、７５、５０、２５、１０、９、８、７、６、５、４、３、２または１℃を超える場合にも発生し得る。

本発明の一実施形態では、最高温度および最低温度は、個体の身体部分、そのサイズ、形状、組成、性質、および所望の治療効果に応じて、治療の開始前に固定される。

本発明はまた、癌、腫瘍および感染症から選択される疾患の予防または治療に使用するための磁性ナノ粒子に関する。

本発明の一実施形態では、疾患は、世界保健機関によって維持されている、国際統計的疾患分類および関連健康問題（ＩＣＤ）の第１０改訂版に記載されている疾患のうちの１つから選択される。

本発明の一実施形態では、疾患は、細菌、好ましくは病原性、ウイルス、または細胞、好ましくは腫瘍の増殖に起因する疾患などの感染症である。

本発明の一実施態様において、疾患は、脳腫瘍、子宮頸癌、結腸直腸癌、皮膚腫瘍、子宮体癌、胃癌、肝臓癌、消化管間質腫瘍、悪性血液疾患、白血病、多発性骨髄腫、リンパ腫、ホジキン病、非−ホジキンリンパ腫、肝細胞癌、癌腫、カポジ肉腫、喉頭癌、中皮腫、食道癌、骨肉腫、卵巣癌、膵臓癌、皮膚癌、口腔癌、肺癌、小細胞肺癌、前立腺癌、横紋筋肉腫、腎臓癌、乳癌、精巣癌、甲状腺癌、軟部肉腫、膀胱癌、骨髄腫（骨癌）、形質細胞腫、骨髄腫、胚細胞癌、神経芽細胞腫、骨肉腫、網膜芽細胞腫、中枢神経系の癌、ウィルムス腫瘍または腎芽細胞腫である。

本発明の一実施形態では、疾患は、正常状態とは異なる個体の状態または個体の身体部分の状態に関連付けられる。疾患は局所的にも、生物全体または個体全体にも発生し得る。

本発明はまた、高周波、および中周波および／または低周波で振動する磁場の発生器と、少なくとも１つの磁性ナノ粒子とを含む装置に関する。

本発明の一実施形態では、磁場発生器は、高周波、および中周波および／または低周波で振動する磁場を発生させる。

本発明のさらに別の実施形態では、装置は医療装置またはいくつかの医療装置の組み合わせ、あるいは薬物、またはいくつかの薬物の組み合わせ、あるいは少なくとも１つの医療装置と少なくとも１つの薬物、または少なくとも治療物質との組み合わせである。

本発明はまた、使用のための磁性ナノ粒子に関し、ここで、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の印加は、振動磁場を発生させる装置と身体部分との間の５０ｃｍを超える距離に達することを可能にする。

本発明の一実施形態では、振動磁場を生成する装置と身体部分との間の距離は、１、１０、２０、５０、７５、１００または１０００ｃｍよりも大きい。

本発明はまた、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場の発生器を含む、磁気温熱療法に適した装置に関する。

本発明の一実施形態では、装置は、コイルを含む振動磁場を生成する装置の部品、部品または交番磁場電流を発生もしくは生成する発生器、交番磁場の生成を担う部品、冷却システムまたは電源の、任意の部品、または組み合わせを表すことができる。

本発明の別の実施形態では、磁性ナノ粒子は、個体の身体部分に投与されるかまたは含まれる全ナノ粒子の集合体、または９０、７０、５０、２５、１０もしくは１％未満の磁性ナノ粒子の集合体を表す。

本発明の一実施形態では、装置と磁性ナノ粒子との間の距離は、１、１０もしくは１００ｎｍ、または１、１０もしくは１００μｍ、または１、１０もしくは１００ｍｍ、または１、１０もしくは１００ｃｍ、または１、１０もしくは１００ｍよりも大きい。

本発明の別の実施形態では、装置と磁性ナノ粒子との間の距離は、１、１０もしくは１００ｎｍ、または１、１０もしくは１００μｍ、または１、１０もしくは１００ｍｍ、または１、１０もしくは１００ｃｍ、または１、１０もしくは１００ｍよりも小さい。

一実施形態では、磁場の発生器は交流電流の発生器であり、好ましくは、交流電流が振動磁場の発生の原因となる。

本発明によれば、装置は、身体部分１ｃｍ^３当たり１０^−６、１０^−４、１０^−２、１、１０または１０^３ワットよりも大きい電力を有する。

本発明の一実施形態では、装置によって生成される電流、好ましくは交流電流は、１、１０、５０、１００、５００または１０００Ａよりも大きい。

本発明の一実施形態では、装置によって生成される電流、好ましくは交流電流は、１、１０、５０、１００、５００または１０００Ａよりも小さい。

本発明の別の実施形態では、電力、好ましくは装置または装置の電源の電力は、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^４または１０^６ＫＷよりも大きい。

本発明の別の実施形態では、電力、好ましくは装置または装置の電源の電力は、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^４または１０^６ＫＷよりも小さい。

本発明のさらに別の実施形態では、装置によって発生する磁場の強度または振幅、最大磁場または平均磁場は、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^４または１０^６Ｔよりも低い。

本発明のさらに別の実施形態では、装置によって発生する磁場の強度または振幅、最大磁場または平均磁場は、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^４または１０^６Ｔよりも高い。

本発明のさらに別の実施形態では、装置によって発生する磁場の強度または振幅、最大磁場または平均磁場は、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^４または１０^６Ｔよりも小さい。

本発明のさらに別の実施形態では、装置によって発生する磁場の強度または振幅、最大磁場または平均磁場は、１０^−６、１０^−４、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^４または１０^６Ｔよりも大きい。

本発明によれば、磁場は、装置から１、１０もしくは１００ｎｍ、または１、１０もしくは１００μｍ、または１、１０もしくは１００ｍｍ、または１、１０もしくは１００ｃｍ、または１、１０もしくは１００ｍよりも大きいかまたは小さい距離で好ましくは発生させることができ、ここで、磁場は、１０^９、１０^７、１０^５、１０^３、１０^２、１０、１、１０^−１、１０^−２、１０^−３、１０^−５、１０^−７または１０^−９秒よりも長いかまたは短い時間内で好ましくは発生させることができる。

本発明のさらに別の実施形態では、装置によって発生する振動の高周波、中周波および／または低周波は、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^７、１０^８または１０^９Ｈｚよりも小さい。

本発明のさらに別の実施形態では、装置によって発生する振動の高周波、中周波および／または低周波は、１０^−９、１０^−８、１０^−７、１０^−６、１０^−５、１０^−４、１０^−３、１０^−２、１０^−１、１、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^６、１０^７、１０^８または１０^９Ｈｚよりも大きい。

本発明の一実施形態では、高周波、中周波、および／または低周波で振動する磁場を発生させる装置は、高周波でのみ振動する磁気を発生させるシステムと比較して、装置と磁性ナノ粒子との間の距離を１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍増加させることを可能にする。

本発明の一実施形態では、高周波および中周波で振動する磁場を発生させる装置は、高周波でのみ振動する磁気を発生させるシステムと比較して、装置と磁性ナノ粒子との間の距離を１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍増加させることを可能にする。

本発明の一実施形態では、高周波および低周波で振動する磁場を発生させる装置は、高周波でのみ振動する磁場を発生させるシステムと比較して、装置と磁性ナノ粒子との間の距離を１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍増加させることを可能にする。

本発明の一実施形態では、装置と磁性ナノ粒子との間の距離が１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍増加すると、好ましくは振動磁場に曝される個体の身体部分のナノ粒子のパーセンテージは、１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍減少する。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場は、高周波でのみ振動する磁場と比較して、より高いまたはより大きい最大磁場に達することを可能にし、および／または個体の身体部分の外側の磁性ナノ粒子の拡散を低減することを可能にする。そのため、好ましくは振動磁場に曝された個体の身体部分における磁性ナノ粒子の７０、５０、３０、２０、１０、５、２、１または０．１％未満で、または、振動磁場に曝された、好ましくは磁性ナノ粒子を含む個体の身体部分の７０、５０、３０、２０、１０、５、２、１または０．１％未満で治療および／または加熱効果を好ましくはもたらすこともできる。

本発明はまた、高振動周波数が中振動周波数によって変調される装置に関し、ここで変調は、変調なしで達する最大磁場よりも大きい最大磁場に達することを可能にする。

本発明の別の実施形態では、中振動周波数で変調された高振動周波数を生成する装置は、変調なしで達する最大磁場に比べて１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、２．５、３、５、７、１０、１５、２０、２５、３０または５０倍大きいか、または１、２、５、１０、２０、３０または５０ｍＴ高いかまたは大きい最大磁場に達することを可能にする。

本発明の他の実施形態では、中振動周波数で変調された高振動周波数を生成する装置は、変調なしで達する平均磁場と１、２、２、５、１０、２５、５０、７５、８５、９５％未満で異なる平均磁場に達することを可能にし、このパーセンテージは［（Ｈ_{ａｖｗｏｍｏｄ}−Ｈ_{ａｖｗｍｏｄ}）／Ｈ_{ａｖｗｏｍｏｄ}］に対応し、ここで、Ｈ_{ａｖｗｏｍｏｄ}とＨ_{ａｖｗｍｏｄ}はそれぞれ変調なしと変調ありの平均磁場に対応する。

本発明の別の実施形態では、中振動周波数の使用は、磁性ナノ粒子を加熱することができる振動磁場を生成するのに必要な発生器の電力を係数１、２、５、１０、１００または１０００で割ることを可能にする。

本発明の別の実施形態では、少なくとも１つの高振動周波数、および中および／または低振動周波数の使用は、ナノ粒子を加熱するために２００、１００、５０、２０、１０、５、２または１ｋＷよりも低い電力を有する交流電流を発生させる発生器の使用を可能にする。

本発明はまた、振動磁場を発生させる装置の一部と磁気温熱療法によって治療されるべき身体部分との間の距離が５０ｃｍを超えるような装置に関する。

一実施形態では、振動磁場を発生させる装置の一部は、交流電流が循環している装置の一部である。

本発明の一実施形態では、距離の増加は、個体または個体の身体部分と装置との間の距離の増加を好ましくはもたらし、装置と個体または個体の身体部分との直接接触のリスクを最小限に抑えるので、治療の安全性を改善することを可能にする。

本発明の一実施形態では、高周波および中周波で振動する磁場を発生させる装置は、高周波でのみ振動する磁場を発生させるシステムで測定される磁性ナノ粒子のＳＡＲと比較して、磁性ナノ粒子のＳＡＲを１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍増加させることを可能にするか、またはこのＳＡＲを０．１、１、５、１０、５０、１００、５００または１０００Ｗ／ｇ_Ｆｅを超えて増加させることを可能にする。

本発明の一実施形態では、高周波および低周波で振動する磁場を発生させる装置は、高周波でのみ振動する磁場を発生させるシステムで測定される磁性ナノ粒子のＳＡＲと比較して、磁性ナノ粒子のＳＡＲを１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍増加させることを可能にするか、またはこのＳＡＲを０．１、１、５、１０、５０、１００、５００または１０００Ｗ／ｇ_Ｆｅを超えて増加させることを可能にする。

本発明の一実施形態では、高周波、中周波および低周波で振動する磁場を発生させる装置は、高周波でのみ振動するか、高周波および中周波で振動するか、または高周波および低周波で振動する磁場を発生させるシステムで測定される磁性ナノ粒子のＳＡＲと比較して、磁性ナノ粒子のＳＡＲを１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２または１０^３倍増加させることを可能にするか、またはこのＳＡＲを０．１、１、５、１０、５０、１００、５００または１０００Ｗ／ｇ_Ｆｅを超えて増加させることを可能にする。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波で振動する磁場を発生させる装置は、治療効果を高めることを可能にし、すなわち、高周波のみで振動する磁場によって破壊される病理学的細胞の数または個体の身体部分のパーセンテージと比較して、振動磁場によって破壊される病理学的細胞の数を、好ましくは１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２もしくは１０^３倍を超えて増加させるか、または破壊される病理学的細胞の数を、好ましくは細胞１、１０、１０^２、１０^３、１０^６、１０^９、１０^１２もしくは１０^１５個を超えて増加させるか、または破壊される個体の身体部分のパーセンテージを、好ましくは１、２、５、１０、２５、５０、７５、８０または９０％を超えて増加させることを可能にする。

本発明の一実施形態では、破壊される個体の身体部分のパーセンテージは、好ましくは振動磁場の印加後に測定される、破壊される個体の身体部分の体積と、好ましくは振動磁場の印加後に測定される個体の身体部分の総体積との比を表す。

本発明の別の実施形態では、破壊された病理学的細胞の数または破壊される個体の身体部分のパーセンテージにおける増加は、好ましくは個体の身体部分に含まれる、アポトーシス細胞または壊死細胞の数の１、１０、１０^３、１０^６または１０^９を超える増加に対応する。

本発明の別の実施形態では、高周波および低周波で振動する磁場を発生させる装置は、治療効果を高めることを可能にし、すなわち、高周波のみで振動する磁場によって破壊される病理学的細胞の数または個体の身体部分のパーセンテージと比較して、振動磁場によって破壊される病理学的細胞の数を、１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２もしくは１０^３倍を超えて増加させるか、または破壊される病理学的細胞の数を、細胞１、１０、１０^２、１０^３、１０^６、１０^９、１０^１２もしくは１０^１５個を超えて増加させるか、または破壊される個体の身体部分のパーセンテージを、１、２、５、１０、２５、５０、７５、８０または９０％を超えて増加させることを可能にする。

本発明の別の実施形態では、高周波および中周波で振動する磁場を発生させる装置は、治療効果を高めることを可能にし、すなわち、高周波のみで振動する磁場によって破壊される病理学的細胞の数または個体の身体部分のパーセンテージと比較して、振動磁場によって破壊される病理学的細胞の数を、１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２もしくは１０^３倍を超えて増加させるか、または破壊される病理学的細胞の数を、細胞１、１０、１０^２、１０^３、１０^６、１０^９、１０^１２もしくは１０^１５個を超えて増加させるか、または破壊される個体の身体部分のパーセンテージを、１、２、５、１０、２５、５０、７５、８０、９０％を超えて増加させることを可能にする。

本発明の別の実施形態では、高周波、中周波および低周波で振動する磁場を発生させる装置は、治療効果を高めることを可能にし、すなわち、高周波のみで振動するか、または高周波および中周波で振動するか、または高周波および低周波で振動する磁場によって破壊される病理学的細胞の数または個体の身体部分のパーセンテージと比較して、振動磁場によって破壊される病理学的細胞の数を、１．００１、１．０１、１．１、１．２、１．５、２、３、５、１０、１０^２もしくは１０^３倍を超えて増加させるか、または破壊される病理学的細胞の数を、細胞１、１０、１０^２、１０^３、１０^６、１０^９、１０^１２もしくは１０^１５個を超えて増加させるか、または破壊される個体の身体部分のパーセンテージを、１、２、５、１０、２５、５０、７５、８０または９０％を超えて増加させることを可能にする。

本発明はまた、治療的または予防的治療または診断の温熱療法方法において使用するための磁性ナノ粒子に関し、ここで、磁性ナノ粒子は個体の身体部分に投与され、身体部分は低周波および超長波で振動する磁場に曝される。

本発明の別の実施形態では、治療的または予防的治療または診断の温熱療法方法は、磁性ナノ粒子を低周波で振動する放射線に曝す方法である。この方法では、磁性ナノ粒子を磁場に曝すと、温度上昇および／またはナノ粒子の運動を好ましくは誘発し、それが好ましくは個体の身体部分の特異的な相互作用および／または変態をもたらす。このような特異的な相互作用および／または変態は、細胞内／細胞からのナノ粒子の内在化または外在化、好ましくはアポトーシスまたは壊死による細胞の死滅であり得、これらの細胞は好ましくは個体の身体部分に属する。
表の説明

表１は、コイル１〜５について高周波（ｆ_ｈ）および中周波（ｆ_ｍ）で振動する、磁場を発生させるために使用する異なるコイルの特性を示す。これらの特性は、磁場が安定したときに磁場を印加してから５分後に各コイルの中心で測定する。異なるコイルの長さおよび直径をｃｍで示し、各コイル内の交流電流の強度をアンペア（Ａ）で示し、各コイルの中心で測定した平均磁場（Ｈ_ａｖ）および最大磁場（Ｈ_ｍａｘ）をｍＴで示し、比Ｈ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖならびに各コイルの巻き数を示す。

表２は、表１で示したｆ_ｈ、ｆ_ｍ、Ｈ_ｍａｘおよびＨ_ａｖ値で振動する磁場（コイル１〜５の中心）に６５０秒間曝したＭ−ＰＬＬまたはＢＦスターチの懸濁液について、Ｍ−ＰＬＬまたはＢＮＦスターチに含まれる鉄１グラム当たりのワットで測定した比吸収率（ＳＡＲ）を示す。ＳＡＲは、ＳＡＲ＝（Ｃ_ｅａｕ／Ｘ_Ｆｅ）ΔＴ／δｔの関係式を使用して推定され、ここで、Ｃ_ｅａｕ＝４．２Ｊｇ^−１．Ｋ^−１は水の熱容量であり、Ｘ_Ｆｅ＝０．０１ｇ／ｍＬはＭ−ＰＬＬまたはＢＮＦスターチ懸濁液の鉄濃度であり、ΔＴ／δｔは、Ｍ−ＰＬＬまたはＢＮＦスターチ懸濁液の経時的な温度変動の初期勾配であり、℃／秒で測定される。ΔＴは、表１（コイル１〜５）に示したＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖ値を用いて、ｆ_ｈおよびｆ_ｍ値で振動する磁場を印加してから６５０秒後の温度の上昇である。

表３は、コイル２の端部からの距離の関数としての、コイル２による振動磁場の印加条件を示す。図４（ａ）の概略図は、コイル２の端部から５ｃｍ（−５）および８ｃｍ（−８）に位置する２つの位置を示す。コイル２の端部から５ｃｍの距離では、ｆ_ｈ＝１９２ｋＨｚ、Ｈ_ｍａｘ＝１３ｍＴ、Ｈ_ａｖ＝１２ｍＴおよびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖ＝１．１と測定された。コイル２の端部から８ｃｍの距離では、ｆ_ｈ＝１８９ｋＨｚ、Ｈ_ｍａｘ＝５ｍＴ、Ｈ_ａｖ＝５ｍＴおよびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖ＝１．１と測定された。磁場の特性は磁場安定化後に測定する。

表４は、表３で示したＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖ値を有するｆ_ｈ、ｆ_ｍで振動する磁場（コイル２）に６５０秒間曝した化学ナノ粒子の懸濁液（ＳＩＧＭＡ、参照：５４４８８４）について、化学ナノ粒子に含まれる鉄１グラム当たりのワットで測定した比吸収率（ＳＡＲ）を示す。ＳＡＲは、ＳＡＲ＝（Ｃ_ｅａｕ／Ｘ_Ｆｅ）ΔＴ／δｔの関係式を使用して推定され、ここで、Ｃ_ｅａｕ＝４．２Ｊｇ^−１．Ｋ^−１は水の熱容量であり、Ｘ_Ｆｅは化学ナノ粒子懸濁液の鉄濃度（ｇ／ｍＬ）であり、ΔＴ／δｔは、化学ナノ粒子懸濁液の経時的な温度変動の初期勾配であり、℃／秒で測定される。ΔＴは、表３（コイル２）に示したｆ_ｈ、ｆ_ｍ、Ｈ_ｍａｘおよびＨ_ａｖ値で振動する磁場を印加してから６５０秒後の温度の上昇である。ＳＡＲおよびΔＴは、ナノ粒子の鉄中、５７、８７、１９４および４２２ｍｇ／ｍＬのナノ粒子濃度を有する、コイル２の端部から５ｃｍおよび８ｃｍに位置する化学ナノ粒子を含有する試験管について測定する。

表５では、ＧＬ−２６１細胞を２ｍＬ中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、これをＨ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴでｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場に曝し、加熱工程の間に４５℃に達するように加熱時間ｔ_７の間印加し、次に冷却工程の間に３７℃に達するように冷却時間ｔ_８の間磁場に曝さない（実施例３の条件４）。加熱工程と冷却工程を１０回繰り返す。低周波シーケンスから推論されるｔ_７およびｔ_８、ならびにＨ_ａｖ、Ｈ_ｍａｘおよび低周波数ｆ_ｌの値を、１０サイクルについて推定する。

表６では、ＧＬ−２６１細胞を２ｍＬ中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、これをＨ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴでｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場に曝し、加熱工程の間に５０℃に達するように加熱時間ｔ_７の間印加し、次に冷却工程の間に３７℃に達するように冷却時間ｔ_８の間磁場に曝さない（実施例３の条件７）。加熱工程と冷却工程を６回繰り返す。低周波シーケンスから推論されるｔ_７およびｔ_８、ならびにＨ_ａｖ、Ｈ_ｍａｘおよび低周波数ｆ_ｌの値を、６サイクルについて推定する。

表７では、ＧＬ−２６１細胞をＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、これをＨ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴでｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場に曝し、加熱工程の間に５５℃に達するように加熱時間ｔ_７の間印加し、次に冷却工程の間に３７℃に達するように冷却時間ｔ_８の間磁場に曝さない（実施例３の条件１０）。加熱工程と冷却工程を４回繰り返す。低周波シーケンスから推論されるｔ_７およびｔ_８、ならびにＨ_ａｖ、Ｈ_ｍａｘおよび低周波数ｆ_ｌの値を、４サイクルについて推定する。

表８では、腫瘍１ｍｍ^３当たり鉄中２５μｇのＢＮＦスターチを含有する懸濁液を皮下膠芽腫ＧＬ−２６１腫瘍６０〜９０ｍｍ^３に投与し、２１回の温熱療法セッションに曝し、その間、Ｈ_ａｖ＝２７ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を、加熱工程中に温度３９〜４７℃に達するように最初に加熱時間ｔ_７の間印加し、次に、冷却時間中に温度３４−３７°Ｃに達するように冷却時間ｔ_８の間印加しない。温熱療法セッション２１回の各々の間に、４〜８６の低周波サイクルがある。低周波シーケンスから推論されるｔ_７およびｔ_８、ならびにＨ_ａｖ、Ｈ_ｍａｘおよび低周波数ｆ_ｌの値を、異なるサイクルについて推定する。

表９では、腫瘍１ｍｍ^３当たり鉄中２５μｇのＢＮＦスターチを含有する懸濁液を皮下膠芽腫ＧＬ−２６１腫瘍６０〜９０ｍｍ^３に投与し、１５回の温熱療法セッションに曝し、その間、Ｈ_ａｖ＝２４〜３１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５４〜６７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を、各温熱療法セッションの間に３７〜４７℃の温度に達するように継続的に印加する。

（図１（ａ））高周波ｆ_ｈでのみ振動する磁場について、経時的な磁束密度の大きさの変動を示す図であり、磁場振幅が増加する時間ｔ_１、磁場振幅が減少する時間ｔ_２、磁場振幅が一定である時間ｔ_３の表示を含み、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}の異なる値の中で最大の磁場振幅に対応するＨ_ｍａｘの表示を含み、ここで、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}は各高周波振動における磁場振幅の極大値に対応する。ｆ_ｈは、１／［２（ｔ_１＋ｔ_２＋ｔ_３）］に等しいかまたは比例し得る。
（図１（ｂ））１／［（ｔ_４＋ｔ_５＋ｔ_６）］に等しいかまたは比例し得る高周波数ｆ_ｈおよび中周波数ｆ_ｍで振動する磁場について、磁束密度の大きさの経時変動を示す図であり、磁場振幅が増加する時間ｔ_４、磁場振幅が減少する時間ｔ_５、磁場が一定である時間ｔ_６の表示を含み、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}の異なる値の中で最大の磁場振幅に対応するＨ_ｍａｘの表示を含み、ここで、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}は各高周波振動における磁場振幅の極大値に対応し、Ｈ_ａｖは、

に等しいかまたは比例し、ここでｎは高周波振動の数である。
（図２（ａ））１９５Ａの交流電流Ｉで作動するコイル２の電源投入後の時間の関数としてのＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖのパーセンテージを示す図である。同様の曲線が、コイル１については５０、１００、１５０、２００、２５０、３００、３５０、４００Ａに等しいＩにおいて、コイル２については５０、１００、１５０、２００、２５０、３００、３５０、４００または４５０Ａに等しいＩにおいて、コイル３については２５、５０、１００、１５０または２００Ａに等しいＩにおいて、およびコイル４については２５、５０、１００、１５０、２００または２５０Ａに等しいＩにおいて得られた。
（図２（ｂ））高周波、中周波および低周波で振動する磁場について、時間の関数としての磁場振幅の変動を示す図であり、ｔ_７の間に行われ加熱工程に対応する低周波シーケンスＡ_７と、続いてｔ_８の間に行われ冷却工程に対応する低周波シーケンスＡ_８とを示している。ｆ_ｌは、１／（ｔ_７＋ｔ_８）に等しいかまたは比例し得る。
（図２（ｃ））高周波および低周波で振動する磁場について、時間の関数としての磁場振幅の変動を示す図であり、ｔ_９の間に行われ加熱工程に対応する低周波シーケンスＡ_９と、続いてｔ_１０の間に行われ冷却工程に対応する周波シーケンスＡ_１０とを示している。ｆ_ｌは、１／（ｔ_９＋ｔ_１０）に等しいかまたは比例し得る。
（図３（ａ））時間の関数としての軸方向の磁束密度の変動を示す図であり、高振動周波数ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚと中振動周波数ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚの両方を示している。
（図３（ｂ））時間の関数としての半径方向の最大磁束密度の変動を示す図であり、高振動周波数ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚと中振動周波数ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚの両方を示している。
（図３（ｃ））時間の関数としての磁束密度の大きさを示す図であり、２倍の高振動周波数２．ｆ_ｈ＝３９０ｋＨｚと、中振動周波数ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚの両方を示している。Ｈ_ｍａｘは、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}の異なる値のうちの磁束密度の大きさの最大値に対応し、ここで、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}は各高周波振動について推定される磁束密度の最大値である。Ｈ_ａｖは、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}の全ての値のうちの平均値に対応する。磁場の強度とも呼ばれる磁束密度は、円筒形プローブの半径方向および軸方向に測定され、プローブは、その軸方向がコイル２によって発生する主磁場と平行になるように配置される。これが、軸方向の磁場の強度が半径方向の磁場の強さよりもはるかに高いかまたは大きい理由である。磁束密度の大きさは、磁場の振幅とも呼ばれる。
（図４（ａ））ｃｍで測定されるコイル２の端部（０）からの距離の関数として、コイル２の磁場の強度または振幅を測定するために使用されるプローブの位置決めを示す図である。
（図４（ｂ））５００Ａの交流電流を用いてコイル２の中心から測定した距離の関数としてのＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖの測定値を示す図であり、ここで１．５ｃｍはコイルの中心に相当し、０は図４（ａ）に示すようにコイルの端部に相当する。
（図５（ａ））表１に記載されている条件（Ｈ_ａｖ、Ｈ_ｍａｘ、ｆ_ｍ、ｆ_ｈ）に応じて、コイル２およびコイル４によって発生させた振動磁場に曝した濃度１０ｍｇ／ｍＬのＭ−ＰＬＬの懸濁液１００μｌにおける、時間の関数としての温度変動を示す図である。
（図５（ｂ））表１に記載されている条件（Ｈ_ａｖ、Ｈ_ｍａｘ、ｆ_ｍ、ｆ_ｈ）に応じて、コイル２およびコイル４によって発生させた振動磁場に曝した濃度１０ｍｇ／ｍＬのＢＮＦ−Ｓｔａｒｃｈの懸濁液１００μｌにおける、時間の関数としての温度変動を示す図である。
（図６（ａ））コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、２ｍＬ中２ｍｇのＢＮＦスターチと接触させ、固定されたＨ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴ（−・−）、４５℃に達するためのＨ_ａｖ＝４９〜６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝６８〜８５ｍＴ（−■−）、５０℃に達するためのＨ_ａｖ＝５３〜６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝７５〜８５ｍＴ（−◆−）、５５℃に達するためのＨ_ａｖ＝５５〜６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝７７〜８５ｍＴ（−▼−）のｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場に３０分間曝した時間の関数としての温度変動を示す図である。対照においては、コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、ｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびＨ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴで振動する磁場に曝した。
（図６（ｂ））上の曲線は、ＧＬ−２６１細胞を２ｍＬ中２ｍｇのＢＮＦスターチと接触させ、加熱工程に対応するｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、Ｈ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴで振動する磁場の印加のシーケンスに曝し、その後、冷却工程に対応する磁場の非印加シーケンスが続く、時間の関数としての温度変動を示す。加熱時間ｔ_７は４５℃に達するのに必要な時間に対応し、冷却時間ｔ_８は温度が４５℃から３５℃に低下するのに必要な時間に対応する。この場合、振動磁場は１．６〜２．５×１０^−３Ｈｚの低周波で振動する。下の曲線は、ＢＮＦスターチを含まないＧＬ−２６１細胞を、上の曲線と同じ磁場の印加および非印加のシーケンスに曝した時間の関数としての温度変動を示す。
（図６（ｃ））上の曲線は、ＧＬ−２６１細胞を２ｍＬ中２ｍｇのＢＮＦスターチと接触させ、加熱工程に対応するｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、Ｈ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴで振動する磁場の印加のシーケンスに曝し、その後、冷却工程に対応する磁場の非印加シーケンスが続く、時間の関数としての温度変動を示す。加熱時間ｔ_７は５０℃に達するのに必要な時間に対応し、冷却時間ｔ_８は温度が５０℃から３７℃に低下するのに必要な時間に対応する。この場合、磁場は１．２〜１．７×１０^−３Ｈｚの低周波で振動する。下の曲線は、ＢＮＦスターチを含まないＧＬ−２６１細胞を、上の曲線と同じ磁場の印加および非印加のシーケンスに曝した時間の関数としての温度変動を示す。
（図６（ｄ））上の曲線は、ＧＬ−２６１細胞を２ｍＬ中２ｍｇのＢＮＦスターチと接触させ、加熱工程に対応するｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、Ｈ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴで振動する磁場の印加のシーケンスに曝し、その後、冷却工程に対応する磁場の非印加シーケンスが続く、時間の関数としての温度変動を示す。加熱時間ｔ_７は５５℃に達するのに必要な時間に対応し、冷却時間ｔ_８は温度が５５℃から３７℃に低下するのに必要な時間に対応する。この場合、磁場は０．９〜１．１×１０^−３Ｈｚの低周波で振動する。下の曲線は、ＢＮＦスターチを含まないＧＬ−２６１細胞を、上の曲線と同じ磁場の印加および非印加のシーケンスに曝した時間の関数としての温度変動を示す。
（図７（ａ））最初の温熱療法セッションにおいて、ＧＬ−２６１腫瘍に、腫瘍１ｍｍ^３当たり鉄中２５μｇのＢＮＦスターチを導入し、Ｈ_ａｖ＝２７ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場に３０分間連続的に曝した時間の関数としての温度変動を示す。最初の温熱療法セッションに続いて、１４回の追加の温熱療法セッションを行い、その間、磁場は、Ｈ_ａｖ＝２４〜３１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５４〜６７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する。
（図７（ｂ））最初の温熱療法セッションにおいて、ＧＬ−２６１腫瘍に、腫瘍１ｍｍ^３当たり鉄中２５μｇのＢＮＦスターチを導入し、ｔ_７の間印加されるＨ_ａｖ＝１１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場に２０分間曝し、その後、ｔ_８の間磁場の非印加が続く、時間の関数としての温度変動を示す。最初の温熱療法セッションの後、各々２０分間の２０回の温熱療法セッションが続き、その間、ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚおよびｆ_ｌ＝１９×１０^−３Ｈｚで振動する磁場を印加した。異なるサイクルの加熱工程および冷却工程に関連付けられる時間ｔ_７およびｔ_８を表８に示す。
（図７（ｃ））温熱療法セッションの関数としての加熱時間ｔ_７を示す図である。
（図７（ｄ））温熱療法セッションの関数としての冷却時間ｔ_８を示す図である。
（図７（ｅ））温熱療法セッションの関数としての振動の低周波、ｆ_ｌ＝［１／（ｔ_７＋ｔ_８）］を示す図である。
（図８（ａ））ＢＮＦスターチ投与日である０日目に続く時間（日）の関数としての腫瘍体積の変動を示す図であり、ここで、ＢＮＦスターチは磁場を印加せずに投与するか（・）、ＢＮＦスターチを投与した後、１５回（週３回）の温熱療法セッションが続き、その間、Ｈ_ａｖ＝２４〜３１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５４〜６７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を３０分間印加するか（▲）、ＢＮＦスターチを投与した後、２１回（週３回）の温熱療法セッションが続き、その間、Ｈ_ａｖ＝７〜２３ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、ｆ_ｌ＝４−２５ｍＨｚで振動する磁場を２０分間印加する（▼）。
（図８（ｂ））ＢＮＦスターチ投与日である０日目に続く時間（日）の関数としてのマウス生存率を示す図であり、ここで、ＢＮＦスターチは磁場を印加せずに投与するか（・）、ＢＮＦスターチを投与した後、１５回（週３回）の温熱療法セッションが続き、その間、Ｈ_ａｖ＝２４〜３１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５４〜６７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を３０分間印加するか（▲）、ＢＮＦスターチを投与した後、２１回（週３回）の温熱療法セッションが続き、その間、Ｈ_ａｖ＝７〜２３ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５７ｍＴでｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、ｆ_ｌ＝４−２５ｍＨｚで振動する磁場を２０分間印加する（▼）。

（実施例１）
例１：ナノ粒子を加熱するための高周波ｆ_ｈおよび中周波ｆ_ｍで振動する磁場の印加
ポリ−Ｌ−リジンでコーティングされた非発熱性マグネトソーム（ポリ−Ｌ−リジンでコーティングされたマグネトソームの中心部とも呼ばれる）、またはポリ−Ｌ−リジンでコーティングされたマグネトソーム鉱物（Ｍ‐ＰＬＬ）、または鉄中１０ｍｇ／ｍＬの濃度のＢＮＦスターチ（Ｍｉｃｒｏｍｏｄ、参照：１０−００−８０１）のいずれかを含有する懸濁液１００μＬの量を、２５０μＬの試験管に導入した。Ｍ−ＰＬＬの調製、特徴付けおよび特性は、特許ＰＣＴ／ＦＲ２０１６／００００９５号明細書に記載されており、参照により本明細書に組み込まれる。試験管を５つの誘導コイルの各々の中心に置き、その特性を表１にまとめた。各コイルを、７３〜６８２Ａの間で変動する強さの交流電流を発生させる電源（Ｅａｓｙ Ｈｅａｔ １０ｋＷ、Ａｍｂｒｅｌｌ）に接続し、同じＨ_ａｖを得、ここで交流電流は７００秒間振動磁場を生成した。交番磁場を印加した後の試験管内の温度変動は、熱電対（ＩＴ−１８、Ｐｈｙｓｉｔｅｍｐ）を使用して測定した。交番磁場の測定は、各誘導コイルの中心に置いた磁気プローブ（磁界プローブ、ＡＭＦライフシステム）とオシロスコープを用いて行った。プローブで軸方向電圧Ｕ_ａと半径方向電圧Ｕ_ｒの経時変動を測定した。Ｕ_ａとＵ_ｒから、磁束密度の経時変動を半径方向Ｈ_ｒ＝Ｕ_ｒ／［０．７ｆ_ｈ］、および軸方向Ｈ_ａ＝Ｕ_ａ／［０．６ｆ_ｈ］において推論し、ここで、ｆ_ｈは振動の高周波である。また、関係式Ｈ＝［（Ｈ_ａ）^２＋（Ｈ_ｒ）^２］^１／２を用いて、磁束密度の大きさの経時変動を推論した。

このプローブを用いて、６５０×１０^−６秒の間に軸方向および半径方向の磁束密度の変動と磁束密度の大きさとを測定し、磁場の測定は０．１６×１０^−６秒ごとに行った。６５０×１０^−６秒の測定時間中、各高周波振動の磁場の振幅の最大値Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}を考慮して、平均磁場Ｈ_ａｖおよび最大磁場Ｈ_ｍａｘを推定した。

高周波でのみ振動する磁場について、磁場振幅の経時変動を図１（ａ）に示し、高周波および中周波で振動する磁場について、磁場振幅の経時変動を図１（ｂ）に示す。コイル１〜４の場合、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚの中周波は周期Ｔ_ｍ＝１／ｆ_ｍ＝６７×１０^−６秒に対応し、これは測定時間よりもはるかに短いため、コイル１〜４についてｆ_ｍを測定することができる。コイル５の場合、中周波数ｆ_ｍ＝２ｋＨｚは周期Ｔ_ｍ＝１／ｆ_ｍ＝５００×１０^−６秒に対応し、これも測定時間よりも短いため、コイル５についてｆ_ｍを測定することができる。

コイル２について、図２（ａ）は、振動磁場を生成する装置の電源投入後の時間の関数として到達したＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖのパーセンテージを示す。安定した磁場に対応する１００％のＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖには、振動磁場を生成する装置の電源投入後３０秒で達するとみられる。他のコイル（１、３、４）についても、３０秒後に安定磁場に達し、安定化時間は常に３０秒未満であることが観察された。

図２（ｂ）は、高周波、中周波、および低周波で振動する磁場についての時間の関数としての磁場振幅の変動を示し、低周波シーケンスＡ_７およびＡ_８について示している。図２（ｃ）は、高周波および低周波で振動する磁場についての時間の関数としての磁場振幅の変動を示し、低周波シーケンスＡ_９およびＡ_１０について示している。

図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）は、コイル２について測定した軸方向の磁束密度の経時変動（図３（ａ））、半径方向の磁束密度の経時変動（図３（ｂ））、磁束密度の大きさの経時変動（図３（ｄ））を示す。

コイル１〜５について、磁場は、ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚ（コイル１）、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ（コイル２）、ｆ_ｈ＝２３１ｋＨｚ（コイル３）、ｆ_ｈ＝３２９ｋＨｚ（コイル４）、ｆ_ｈ＝９１ｋＨｚ（コイル５）、およびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ（コイル１〜４）またはｆ_ｍ＝２ｋＨｚ（コイル５）で振動し、これらの周波数は図１（ａ）および図１（ｂ）に記載したように測定される。

最大磁場Ｈ_ｍａｘは、異なるＨ_{ｍａｘ、ｉ}間の磁場振幅の最大値に対応し

、ここで、Ｈ_{ｍａｘ、ｉ}は各高周波振動の最大磁場振幅であり、ｎは測定で考慮される振動の数である。Ｈ_ｍａｘは、１９０Ａ（コイル１）の強さＩの交流電流についてはＨ_ｍａｘ＝５８ｍＴに等しく、Ｉ＝１９５Ａ（コイル２）についてはＨ_ｍａｘ＝３４ｍＴ、Ｉ＝７３Ａ（コイル３）についてはＨ_ｍａｘ＝５３ｍＴ、Ｉ＝１４９Ａ（コイル４）についてはＨ_ｍａｘ＝５６ｍＴ、Ｉ＝６８２Ａ（コイル５）についてはＨ_ｍａｘ＝３３ｍＴに等しい（表１）。

式

を使用して推定される平均磁場Ｈ_ａｖは、Ｉ＝１９０Ａ（コイル１）についてはＨ_ａｖ＝２６ｍＴ、Ｉ＝１９５Ａ（コイル２）についてはＨ_ａｖ＝２５ｍＴ、Ｉ＝７３Ａ（コイル３）についてはＨ_ａｖ＝２６ｍＴ、Ｉ＝１４９Ａ（コイル４）についてはＨ_ａｖ＝２４ｍＴ、Ｉ＝６８２ＡについてはＨ_ａｖ＝２６ｍＴである（表１）。

この実験では、同じような平均磁場を生じる交流電流の値を各コイルに使用した。

コイル２およびコイル５は、比Ｈ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖ＝１．３〜１．４を生成し、これは１に近い（表１）。

コイル１、コイル３およびコイル４は、２〜２．３の高いかまたは大きい比Ｈ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖを生成する（表１）。

単一コイル１の直径よりも約２倍小さい直径を有する二重コイル（コイル３）を使用することによって、同様の最大磁場および平均磁場で比較的類似の高周波数ｆ_ｈ（コイル１に対するｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚと比較して、コイル３ではｆ_ｈ＝２３１ｋＨｚ）に達するのに必要な電流は、２．６倍低い（表１）。

コイル４の場合、直径および長さはコイル１の場合よりも小さく、高振動周波数をもたらし、これはより高いかまたは大きい（コイル１の２０２ｋＨｚと比較して、コイル４では３２９ｋＨｚ）。最大磁場および平均磁場は、コイル１およびコイル４について５６〜５８ｍＴおよび２４〜２６ｍＴで同様である（表１）。

コイル５の場合、直径と長さはそれぞれ２８ｃｍと１５ｃｍで他のコイルよりもかなり大きく、中振動周波数と高振動周波数はｆ_ｍ＝２ｋＨｚとｆ_ｈ＝９１ｋＨｚで小さい（表１）。

また、Ｍ−ＰＬＬについてはコイル１〜５、ＢＮＦスターチについてはコイル２およびコイル４によって発生する振動磁場に曝されたＭ−ＰＬＬ懸濁液およびＢＮＦスターチの加熱特性が研究されてきた。１０ｍｇ／ｍＬのＭ−ＰＬＬまたはＢＮＦスターチ懸濁液１００μＬについて、これら２つの懸濁液をコイル２（Ｉ＝１９５Ａ、Ｈ_ｍａｘ＝３４ｍＴ、Ｈ_ａｖ＝２５ｍＴ）およびコイル４（Ｉ＝１４９Ａ、Ｈ_ｍａｘ＝５６ｍＴ、Ｈ_ａｖ＝２４ｍＴ）によって発生させた交番磁場に曝したときの経時的な温度変動を図５（ａ）および図５（ｂ）に示す。Ｍ−ＰＬＬおよびＢＮＦスターチ懸濁液の比吸収率ＳＡＲは、ＳＡＲ＝（Ｃ_ｅａｕ／Ｘ_Ｆｅ）（ΔＴ／δｔ）の関係式を用いて測定し、ここで、ＳＡＲは鉄１グラム当たりのワットで測定し、Ｃ_ｅａｕ＝４．２Ｊｇ^−１．Ｋ^−１は水の熱容量であり、Ｘ_Ｆｅ＝０．０１ｇ／ｍＬはＭ−ＰＬＬまたはＢＮＦスターチ懸濁液の鉄濃度であり、ΔＴ／δｔは℃／秒で測定した経時的な温度変動の初期勾配である。ΔＴで示される温度変動は、１）振動磁場の印加から６５０秒後にＭ−ＰＬＬまたはＢＮＦスターチ懸濁液が達する温度から、２）振動磁場の印加前に測定された温度を減算することによって計算される。

Ｍ−ＰＬＬに関して、表２の結果は、最も高いＳＡＲである１９２〜２４４Ｗ／ｇ_Ｆｅ、およびΔＴ６８〜７５℃を生成する誘導コイルがコイル１、コイル３およびコイル４であり、これらは、最大磁場の最大値５３〜５８ｍＴおよびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖの最大値２〜２．３を有する振動磁場を発生させることを示す。対照的に、最も低いＳＡＲである６〜８４Ｗ／ｇ_Ｆｅ、およびΔＴ５〜５７℃を生成する誘導コイルは、コイル２およびコイル５であり、これらは、最大磁場の最低値３３〜３４ｍＴ、およびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖ１．３〜１．４を生成する。
さらに、コイル５は、コイル２の最大磁場３４ｍＴおよび平均磁場３５ｍＴと同様に、それぞれ最大磁場３３ｍＴおよび平均磁場２６ｍＴを生成するが、より低いｆ_ｈ値およびｆ_ｍ値を有し（コイル２のｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚと比較して、コイル５ではｆ_ｈ＝９１ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝２ｋＨｚ）、コイル５ではコイル２よりも１０〜１４倍低いＳＡＲおよびΔＴが得られる（表２）。

ＢＮＦスターチに関して、表２の結果は、最も高いＳＡＲである１３Ｗ／ｇ_Ｆｅ、およびΔＴ１２℃を生成する誘導コイルがコイル４であり、これは、最大磁場の最大値５６ｍＴおよびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖの最大値２．３を有する振動磁場を発生させることを示す。対照的に、最も低いＳＡＲである８Ｗ／ｇ_Ｆｅ、およびΔＴ７℃を生成する誘導コイルは、コイル２であり、これは、最大磁場の最低値３４ｍＴ、およびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖ１．４を生成する。さらに、ＢＮＦスターチは、コイル２およびコイル４の両方に関して、Ｍ−ＰＬＬよりもはるかに低いＳＡＲおよびΔＴを生成し、これは、より低い保磁力（ＢＮＦスターチに対するＨ_ｃは１０ｍＴ、Ｍ−ＰＬＬに対するＨ_ｃは６ｍＴ）、ならびに残留磁化と飽和磁化とのより低い比（Ｍ−ＰＬＬではＭ_ｒ／Ｍ_ｓ＝０．１９、ＢＮＦスターチではＭ_ｒ／Ｍ_ｓ＝０．１５）によって説明することができる。
この例から次のように結論づけることができる。

ｉ）最良の加熱特性、すなわちＳＡＲおよびΔＴの最高値は、コイル１、３および４について、最高最大磁場５５±３ｍＴおよび最高比Ｈ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖ２〜２．３で得られ、振動磁場の印加下で最良のナノ粒子加熱特性に達するためには、最大磁場および／またはＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖを最大にするべきであることを示唆している。

ｉｉ）Ｈ_ｍａｘ＝５５±３ｍＴおよび最高比Ｈ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖ２〜２．３（コイル１、３および４）の同様の値で、同様の加熱特性、すなわち同様のＳＡＲおよびΔＴの値を得ることが可能であり、これは、所望の加熱特性をもたらすためにＨ_ｍａｘ＝５５±３ｍＴおよびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖを修正または調整できることを示唆している。

ｉｉｉ）異なる直径、コイル数およびコイル長のコイル（コイル１、３、４）で、同様の加熱特性、すなわち同様のＳＡＲおよびΔＴの値を得ることが可能であり、これは、コイル直径、コイル数およびコイルの長さは、必ずしも加熱特性を改変することなく修正または調整できることを示唆している。

ｉｖ）Ｈ_ｍａｘおよびＨ_ｍａｘ／Ｈ_ａｖの同様の値を発生するコイル（コイル２およびコイル５）の場合、より良好な加熱特性、すなわちより高いかまたはより大きいＳＡＲおよびΔＴの値は、最も高いｆ_ｍ値およびｆ_ｈ値を有するコイル（コイル２）で得られ、これは、振動磁場の印加下で最良のナノ粒子加熱特性に達するためには、ｆ_ｍおよび／またはｆ_ｈを最大にするべきであることを示唆している。

ｖ）Ｍ−ＰＬＬは、コイル２およびコイル４の両方に関してＢＮＦスターチよりも良好な加熱特性をもたらし、高周波および中周波で振動する磁場の印加下で最良のナノ粒子加熱特性に達するためには、Ｈ_ｃおよびＭ_ｒ／Ｍ_ｓなどのナノ粒子磁気特性を最大にするべきであることを示唆している。

ｖｉ）Ｍ−ＰＬＬまたはＢＮＦスターチを加熱するために印加される最大磁場および／または平均磁場は、ナノ粒子の保磁力よりも大きく（室温でＢＮＦスターチについてはＨ_ｃ＝１０ｍＴ、Ｍ−ＰＬＬについてはＨ_ｃ＝６ｍＴ）、これは、交番磁場の印加によってナノ粒子の磁気モーメントの回転を可能にするはずである。

（実施例２）
コイルの外側のナノ粒子懸濁液を加熱するための振動磁場の印加
異なる濃度（鉄中４２２、１９４、８７および５７ｍｇ／ｍＬ）の未被覆酸化鉄ナノ粒子（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ、参照番号５４４８８４）を含有する１００μＬの懸濁液を、２５０μＬの試験管に導入した。次いで試験管をコイル２の端部から５ｃｍおよび８ｃｍに配置した。試験管の位置を概略図（図４（ａ））の−５および−８に示す。試験管を、５００Ａの交流電流を１５００秒間発生させるＡｍｂｒｅｌｌ Ｅａｓｙ Ｈｅａｔ ＬＩ １０ ＫＷを用いて磁場に曝した。ナノ粒子を含む試験管の温度の変動は、熱電対（ＩＴ−１８、Ｐｈｙｓｉｔｅｍｐ）を用いて測定し、一方、磁場の特性は、磁気プローブ（ＡＭＦライフシステム）およびオシロスコープを用いて測定した。

図４（ａ）に０として示されるコイル２の端部からの距離の関数として、平均Ｈ_ａｖおよび最大Ｈ_ｍａｘの磁場の変動を測定した。図４（ｂ）は、コイルの中心１．５ｃｍからの距離の関数としてのＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖの同様の変動を示す。図４（ｂ）からわかるように、平均磁場および最大磁場はコイル２の外側で指数関数的に減少するが、コイルの外側６ｃｍまでは無視できないため、ナノ粒子を加熱するために潜在的に使用することができる。コイル２の中心の外側では、磁場は「エバネッセント」であるように見えるか、または振動の大きさまたは周波数によって特徴付けられ、好ましくはコイルの中心または内側で測定されるものよりも低い（表３）。

表３は、磁場がコイル２の端部から５ｃｍのところではｆ_ｈ＝１９２ｋＨｚで振動し、コイル２の端部から８ｃｍのところではｆ_ｈ＝１８９ｋＨｚで振動することを示している。中周波は、６５０×１０^−６秒の測定時間の間には検出できなかった。さらに、平均磁場および最大磁場は、コイルの端部から５ｃｍのところ（Ｈ_ａｖ＝Ｈ_ｍａｘ＝１２〜１３ｍＴ）よりもコイルの端部から８ｃｍのところ（Ｈ_ａｖ＝Ｈ_ｍａｘ＝５ｍＴ）で約２倍低い（表３）。

化学ナノ粒子のＳＡＲとΔＴ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ、参照番号５４４８８４）を、コイル２の端部から８ｃｍおよび５ｃｍに位置し、表３に示すＨ_ｍａｘおよびＨ_ａｖでｆ_ｈ＝１８９〜１９２ｋＨｚで振動するこれらのナノ粒子１００μＬを含む試験管について推定した。ナノ粒子懸濁液を含む試験管がコイル２の端部から８ｃｍのところに配置されたとき、表４はＳＡＲおよびΔＴの値がそれぞれ０．４〜０．６Ｗ／ｇ_Ｆｅおよび１〜８℃で低いことを示し、これは、平均磁場と最大磁場が５ｍＴと小さいことにより説明することができる（表３）。ナノ粒子懸濁液を含む試験管がコイル２の端部から５ｃｍのところに配置されたとき、ＳＡＲおよびΔＴの値はそれぞれ２〜３Ｗ／ｇ_Ｆｅおよび１３〜４５℃でより高いかまたは大きく、平均磁場と最大磁場が１２〜１３ｍＴとより大きいことにより説明される（表３）。

したがって、１０ｍＴよりも大きい最大磁場を有する振動磁場を印加することによって、コイル２の端部から５ｃｍのところで、このコイルの外側にナノ粒子の懸濁液を含む試験管を配置することによって、ナノ粒子の懸濁液を加熱することが可能である。

（実施例３）
インビトロで腫瘍細胞を破壊するための、低周波数ｆ_ｌ、中周波数ｆ_ｍおよび高周波ｆ_ｈで振動する磁場の印加
様々な処理の説明：５００、０００個のＧＬ−２６１細胞を、１．６ｍｌのＲＰＭＩおよび０．４ｍｌのウシ血清で構成される培養培地を含むペトリ皿に播種した。５％ＣＯ_２の存在下、３７℃で１２時間インキュベートした後、細胞はペトリ皿の表面に接着し、コンフルエントにした。振動磁場の印加にはコイル２を用いた。
以下の１１の処理条件を試験した。

条件１：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を培養培地と接触させ、３７℃で１２時間インキュベートした。

条件２：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を培養培地と接触させ、磁場に曝し、Ｈ_ａｖ＝６１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝８５ｍＴで、３０分間連続して印加した高周波数ｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよび中周波数ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動させた。

条件３：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を培養培地および鉄中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、次いで、ｆ_ｈ＝１９６ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場に曝し、平均磁場を４９〜６１ｍＴで変動させ、最大磁場を６８〜８５ｍＴで変動させ、３０分間連続して４５℃の平均温度に達した。

条件４：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、培養培地および鉄中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、次いで１０サイクルに供した。各サイクルの間に、平均磁場６１ｍＴおよび最大磁場８５ｍＴで高周波１９６ｋＨｚ、中周波１５ｋＨｚで振動する磁場を印加し、４５°までの加熱工程をもたらし、その後、交番磁場の非印加が続き、温度が４５℃から３４〜３５℃に低下する冷却工程をもたらす。加熱工程および冷却工程の時間ｔ_７およびｔ_８、ならびにｔ_７およびｔ_８から推論される低振動周波数、平均磁場および最大磁場を表５に示す。これらの低周波サイクル中の温度の経時変動を図６（ｂ）の上の曲線に示す。

条件５：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、ＢＮＦスターチを含まない培養培地と接触させ、次いで、同じ磁場、ｔ_７値およびｔ_８値を用いて条件４と同じ１０サイクルに曝した。低周波サイクル中の温度の経時変動を図６（ｂ）の下の曲線に示す。

条件６：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を培養培地および鉄中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、次いで、高周波１９６ｋＨｚおよび中周波１５ｋＨｚで振動する磁場に曝し、平均磁場を５３〜６１ｍＴで変動させ、最大磁場を６８〜８５ｍＴで変動させ、３０分間連続して５０℃の平均温度に達した。

条件７：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を培養培地および鉄中２ｍｇのＢＮＦスターチと接触させ、次いで６サイクルに曝した。各サイクルの間に、平均磁場６１ｍＴおよび最大磁場８５ｍＴで高周波１９６ｋＨｚ、中周波１５ｋＨｚで振動する磁場を印加し、５０°までの加熱工程をもたらし、その後、冷却工程中に温度を５０℃から３７℃に低下させるために交番磁場を印加しない。加熱工程および冷却工程の時間ｔ_７およびｔ_８、ならびにｔ_７およびｔ_８から推論される低振動周波数、平均磁場および最大磁場を表６に示す。これらの低周波サイクル中の温度の経時変動を図６（ｃ）の上の曲線に示す。

条件８：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、ＢＮＦスターチを含まない培養培地と接触させ、次いで、条件７と同じ磁場、同じ時間ｔ_７およびｔ_８を用いて、条件７と同じ６サイクルに曝した。これらの低周波サイクル中の温度の経時変動を図６（ｃ）の下の曲線に示す。

条件９：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を培養培地および鉄中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、次いで、高周波１９６ｋＨｚおよび中周波１５ｋＨｚで振動する磁場に曝し、平均磁場を５５〜６１ｍＴで変動させ、最大磁場を７７〜８５ｍＴで変動させ、３０分間連続して５５℃の平均温度に達した。

条件１０：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、培養培地および鉄中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、次いで４サイクルに曝した。各サイクルの間に、平均磁場６１ｍＴおよび最大磁場８５ｍＴで高周波１９６ｋＨｚおよび中周波１５ｋＨｚで振動する磁場を印加し、５５°の加熱工程をもたらし、その後、冷却工程中に温度を５５℃から３７℃に低下させるために交番磁場を印加しない。加熱工程および冷却工程の時間ｔ_７およびｔ_８、ならびにｔ_７およびｔ_８から推論される低振動周波数、平均磁場および最大磁場を表７に示す。これらの低周波サイクル中の温度の経時変動を図６（ｄ）の上の曲線に示す。

条件１１：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、ＢＮＦスターチを含まずに接触させ、次いで、条件１０と同じ磁場、同じ時間ｔ_７およびｔ_８を用いて、条件１０と同じ４サイクルに曝した。これらの低周波サイクル中の温度の経時変動を図６（ｄ）の下の曲線に示す。

条件１２：コンフルエントなＧＬ−２６１細胞を、培養培地および鉄中のＢＮＦスターチ２ｍｇと接触させ、３７℃で３０分間インキュベートした。

処理後、培養培地を除去し、細胞をＰＢＳですすぎ、ＰＢＳを培養培地に交換し、次いで細胞を５％ＣＯ_２の存在下、３７℃で１２時間インキュベートした。処理１〜１２の各条件について、死細胞、生細胞のパーセンテージ、ならびに壊死細胞およびアポトーシス細胞のパーセンテージを測定した。そのために、ペトリ皿をＰＢＳですすぎ、細胞を分離するためにトリプシンを添加し、１ミリリットルの培地を細胞に添加し、混合物を１０００ｒｐｍで１０分間遠心分離した。上清を除去し、次いで１ｍｌ当たり約２．１０^６個の細胞を得るために２００μｌのＰＢＳと交換した。アネキシンＶ Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ５μｌおよびヨウ化プロピジウム１μｌを１ｍｌ当たり１ｍｇで細胞に添加した。１５分後、８００μｌのアネキシン１Ｘ結合緩衝液を細胞に添加し、混合物の蛍光をフローサイトメーターを使用して測定し、これにより、生細胞、壊死細胞およびアポトーシス細胞のパーセンテージを推論することが可能になる。

条件２では、振動磁場を３０分間連続して印加している間に温度が１１℃上昇した（図６（ａ））。この条件では、生細胞のパーセンテージは９２％であり、未処理細胞で得られた９７％（条件１）と同様であり、１１℃の連続的な温度上昇をもたらす連続的磁場印加が有意な細胞死を誘発しないことを示す。

条件５、８、および１１では、磁場印加のシーケンス中、渦電流またはフーコー電流に起因して、２５℃〜３０℃で平均５℃（条件５、図６（ｂ）、下の曲線）、２７°Ｃ〜３１°Ｃで平均４℃（条件８、図６（ｃ）、下の曲線）、または２７°Ｃ〜３４°Ｃで平均７°Ｃ（条件１１、図６（ｄ）、下の曲線）温度が上昇し、磁場の非印加シーケンス中は温度は比較的類似した量で低下した。これらの条件では、生細胞のパーセンテージは９４％であり、未処理細胞で得られた９７％（条件１）と同様であり、これは渦電流またはフーコー電流が有意な細胞死を誘発しなかったことを示している。

条件３および４の場合、温度は３０分間連続して１８℃上昇するか（条件３、図６（ａ））、または最初のサイクルで２０℃上昇して１０℃低下し、残りの９サイクルの間に１０℃上昇して１０℃低下した（条件４、図６（ｂ）、上の曲線）。生細胞のパーセンテージは、連続加熱後（条件３）には９５％であり、逐次加熱後（条件４）には５６％であり、この加熱温度４５℃では、高周波、中周波、低周波で振動する磁場の印加（条件４）は、高周波および中周波で振動する磁場（条件３）と比較して、癌細胞に対する増強された毒性をもたらすことを示す。

条件６および７の場合、温度は３０分間連続して２３℃上昇するか（条件６、図６（ａ））、または最初のサイクルで２４℃上昇して９℃低下し、残りの５サイクルの間に１５℃上昇して１５℃低下した（条件７、図６（ｃ）、上の曲線）。生細胞のパーセンテージは、連続加熱後（条件６）には９１％であり、逐次条件（条件７）後は０．４％であり、この加熱温度５０℃では、高周波、中周波、低周波で振動する磁場の印加（条件７）は、高周波および中周波で振動する磁場（条件６）と比較して、癌細胞に対する増強された毒性をもたらすことを示す。

条件９および１０の場合、温度は３０分間連続して２８℃上昇するか（条件９、図６（ａ））、または最初のサイクルで２９℃上昇して１８℃低下し、残りの３サイクルの間に１８℃上昇して１８℃低下した（条件１０、図６（ｄ）、上の曲線）。生細胞のパーセンテージは、連続加熱後（条件９）には２％であり、逐次条件（条件１０）下で１．６％であり、この最も高い加熱温度５５℃では、高周波、中周波および低周波、あるいは高周波および中周波で振動する磁場の印加は、どちらもほとんどの癌細胞の破壊につながることを示す。

条件１２では、温度は上昇しなかった。生細胞のパーセンテージは９９％であり、ナノ粒子が振動磁場に曝されたときに観察される細胞毒性効果はナノ粒子の毒性に起因するものではなく磁場の印加に起因するものであることを示している。
この例から次のように結論づけることができる。

高周波、中周波および低周波で振動する磁場の印加は、治療の安全性を強化すること（ｉ〜ｖ）、治療の効力を強化すること（ｖｉ）、および加熱工程中に所望の温度に達するために磁場または周波数を変動させる必要のない方法を使用することを可能にする。

ｉ）ナノ粒子が存在しない場合、渦電流またはフーコー電流によって発生する熱の存在下で、交番磁場によって誘発される細胞毒性は観察されない。

ｉｉ）ナノ粒子が存在しない場合、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝０．９〜２．５ｍＨｚで振動する磁場の印加は、逐次的に加熱することを可能にし、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場の印加と比較して、温度の上昇を制限する。渦電流またはフーコー電流に起因する温度上昇は、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、ｆ_ｌ＝０．９〜２．５ｍＨｚで振動する磁場の印加下では６−８℃であることと比較して、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場の印加下では１１℃である。

ｉｉｉ）ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚおよびｆ_ｌ＝０．９〜２．５ｍＨｚで振動する磁場の場合、平均磁場は、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場の６１ｍＴと比較して、３１〜４４ｍＴである。したがって、低周波を加えることによって平均磁場を約１．４〜２倍減少させることが可能であり、したがって、高すぎる平均磁場の印加に関連付けられる潜在的な毒性を減少させることが可能である。

ｉｖ）ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝１．６〜２．５ｍＨｚで振動する磁場を使用して、３３秒間４４〜４５°Ｃの温度に達するのに対し（図６（ｂ））、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を使用すると、２４分間４４〜４５°Ｃの温度に達する（図６（ａ））。ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝１．２〜１．７ｍＨｚで振動する磁場を使用して、４７秒間４９〜５０°Ｃの温度に達するのに対し（図６（ｃ））、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を使用すると、２３分間４９〜５０°Ｃの温度に達する（図６（ａ））。ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝０．９〜１．１ｍＨｚで振動する磁場を使用して、５５秒間５２．５〜５３．５°Ｃの温度に達するのに対し（図６（ｄ））、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を使用すると、１６分間５２．５〜５３．５°Ｃの温度に達する（図６（ａ））。低振動周波数を使用することは、低周波なしで振動磁場を印加することと比較して、最高温度が達成される時間を１７〜４４倍短縮することを可能にする。これは治療の安全性を高めるはずであり、磁場による細胞破壊の効力を低下させることはない。

ｖ）高周波、中周波および低周波で振動する磁場の印加は、一連の温度勾配の増加（＋ΔＴ）とそれに続く温度勾配の減少（−ΔＴ）を得ることを可能にする。ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝１．６〜２．５ｍＨｚで振動する磁場を印加することによって、ΔＴ８〜２０℃に続く−ΔＴ８〜１０℃の後４４〜４５℃の温度に１０回達したのに対して（図６（ｂ））、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚで振動する磁場を印加することによって、ΔＴ１７〜２０℃の後一度だけ４４〜４５℃の温度に達した。ｆ_ｈ、ｆ_ｍ、およびｆ_ｌで振動する磁場を用いて観察された増強された効力は、ｆ_ｈおよびｆ_ｍでのみ振動する磁場と比較してより多数の（＋ΔＴ）および（−ΔＴ）によって説明することができる。

ｖｉ）癌細胞をナノ粒子と接触させて５５℃未満の温度に加熱すると、高周波、中周波、および低周波で振動する磁場の印加は、高周波および中周波で振動する磁場の印加と比較して、増強された細胞毒性をもたらす。

ｖｉｉ）磁場の印加は治療を可能にし、ここで、磁場印加のシーケンスの数、磁場を印加しないシーケンスの数、平均磁場および最大磁場、印加した磁場の周波数、磁場の印加時間および非印加時間は、到達したい温度に応じて治療の開始時に固定される。この方法では、一連の磁場印加中に所望の温度に達するために磁場強度または振幅を変える必要はない。さらに、関連する加熱時間および冷却時間を伴うサイクルを一旦推定すると、治療中に温度を測定する必要はない。規定の加熱時間および冷却時間を有するサイクルを治療に使用することができる。

（実施例４）
腫瘍の効率的なインビボ破壊のための、高周波１９６ｋＨｚ、中周波１５Ｈｚおよび低周波４〜２５ｍＨｚで振動する磁場の印加
１ｍＬ ２５ｇのシリンジを使用して、１０^７個のＧＬ−２６１マウス膠芽腫細胞を含む１００μｌの量を、黒色マウス６Ｃ５７ＢＬ／６Ｊの雌マウスの足と背中の間の左側横腹に皮下投与した。腫瘍が６０〜９０ｍｍ^３のサイズに達するまで１０〜１５日間腫瘍を増殖させた。腫瘍がこの大きさに達したら、マウスをイソフルランガスで麻酔し、加熱プレートを用いて３７℃に維持した。同じシリンジを使用して、鉄濃度５０ｍｇ／ｍＬのＢＮＦスターチナノ粒子の懸濁液５０μｌを、腫瘍の中心に投与した。ＢＮＦスターチの懸濁液を、ナノ粒子中に含まれる鉄のμｇで測定した２５．ｔの量で投与し、ここで、ｔは治療した腫瘍のサイズ（ｍｍ^３）である。異なる３群のマウスを以下のように処置した。

４匹のマウスを含む第１の群は、週３回のセッションで７週間続く２１回の温熱療法セッションに曝した。温熱療法の各セッションは、４〜８６サイクルで構成した（表８）。各サイクルの開始時に、加熱工程を開始するために、ｆ_ｈ＝１９５ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、Ｈ_ａｖ＝２７ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５７ｍＴを有する高周波および中周波で振動する磁場を、時間ｔ_７の間電源投入した。腫瘍内温度が３９．３〜４７．４℃に達するとすぐに振動磁場を止め、冷却工程を開始して、腫瘍内温度を３５〜３７．９℃に低下させた。各温熱療法セッションについて約２０分の総曝露時間が得られるまで、サイクルを繰り返した。各温熱療法セッションの異なるサイクルの間に測定された加熱時間ｔ_７および冷却時間ｔ_８、ならびにｔ_７およびｔ_８の値から推論されたＨ_ａｖ、Ｈ_ｍａｘ、およびｆ_ｌを表８に示し、これらはマウス４匹の平均値である。

１０匹のマウスを含む第２の群は、週３回のセッションで５週間続く１５回の温熱療法セッションに曝した。温熱療法の各セッションは、ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、Ｈ_ａｖ＝２４〜３１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝５４〜６７ｍＴで振動する磁場の３０分間の印加であり、腫瘍内温度３７〜４８℃を目標とした。最初の温熱療法セッションでは、目標の腫瘍内温度に常に達したが、その後の温熱療法セッションでは、目標の腫瘍内温度に達することが常に可能とは限らず、その後平均磁場および最大磁場をｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚでＨ_ａｖ＝３１ｍＴおよびＨ_ｍａｘ＝６７ｍＴに設定した。腫瘍体積が初期腫瘍サイズの１５０％を超え、目標温度４３〜４６℃に達しなかったマウスについては、腫瘍１ｍｍ^３当たり鉄のナノ粒子中のＢＮＦスターチ２５μｇで２回目の腫瘍内ナノ粒子投与をマウスに行った。

１０匹のマウスを含む第３の群は、ＢＮＦスターチ投与の後さらなる治療を行わなかった。

群１および群２では、腫瘍の中心に配置した光ファイバー（Ｌｕｘｔｒｏｎ、ＬｕｍａＳｅｎｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）を使用して腫瘍内温度を測定した。これらの群において、マウスの体重が２０％を超えて減少したとき／場合、マウスを安楽死させた。

群１について、加熱時間ｔ_７および冷却時間ｔ_８は、図７（ｃ）および図７（ｄ）では温熱療法セッションの数の関数として示されている。加熱時間は、最初の１３回の温熱療法セッションの間、２０秒で比較的低く一定であることが観察され、その後１３回目〜２２回目の温熱療法セッションでは２０秒〜３２０秒に強く増加し、これは、１３回目の温熱療法セッションの後、ＢＮＦスターチが累進的に腫瘍を離れたことおよび／または分解されたことに起因し得る。腫瘍中のより少量のナノ粒子は、実際、類似の温度に達するためにより長い加熱時間を必要とするであろう。対照的に、冷却時間は、様々な温熱療法セッションの間、４０秒で比較的一定のままであり、冷却時間がナノ粒子の分布および／または分解に依存しないことを示唆している。代わりに、冷却時間は確かに、腫瘍の組織の種類、臓器または血液灌流などのナノ粒子の環境に依存し得る。振動の低周波は温熱療法セッションの数の関数として図７（ｄ）にプロットされている。低周波振動は、最初の１０回の温熱療法セッションの間は１６ １０^−３Ｈｚと比較的一定で高く、１０回目〜２２回目の温熱療法セッションの間に４ １０^−３Ｈｚまで低下する。これは、抗腫瘍活性を達成するために必要であり得る十分に高い低周波の振動を達成するために、ナノ粒子濃度は十分に高くなければならず、および／またはナノ粒子は分解されるべきではないことを示すとみられる。

腫瘍の長さＬおよび幅ｌは、異なるマウスにおいてキャリパーを使用して２日ごとに測定し、腫瘍体積は式Ｖ_{ｔｕｍｏｒａｌ}＝０．５（Ｌ．ｌ^２）を使用して推定した。３群のマウスの平均腫瘍体積を、０日目（ＢＮＦスターチ投与日）に続く時間の関数として図８（ａ）にプロットする。群３では平均腫瘍体積が大幅に増加し、１６日目にマウスを安楽死させ、これは群３に抗腫瘍活性がないことを示唆している（図８（ａ）および図８（ｂ））。平均腫瘍体積は、群３に比べて群２では大幅に増加せず（図８（ａ））、群２ではＢＮＦスターチ投与後２４５日目にマウスの２０％がなお生存しており（図８（ｂ））、これは群２における部分的な抗腫瘍活性を示唆している。平均腫瘍体積は、群１では４４日目にゼロまで減少し、群１のマウスの１００％がＢＮＦスターチ投与の２４５日後もなお生存しており（図８（ｂ））、これは群１についての強い抗腫瘍活性を示している。
この例から次のように結論づけることができる。

ｉ）腫瘍に含まれる磁性ナノ粒子を、３つの周波数（ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝４〜２５ｍＨｚ）で振動する磁場を使用して加熱することによって、２つの周波数（ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ）で振動する磁場を使用する場合よりも強い抗腫瘍効果を達成することができた。

ｉｉ）３つの周波数（ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝４−２５ｍＨｚ）で振動する磁場を使用した場合、ナノ粒子を再投与しなくても強い抗腫瘍効果を達成することができたのに対して、２つの周波数（ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ）で振動する磁場を使用した場合、ナノ粒子を再投与すると部分的な抗腫瘍活性のみ達成することができた。これは、３つの周波数（ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚ、ｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ、およびｆ_ｌ＝４−２５ｍＨｚ）で振動する磁場の印加によって、２つの周波数（ｆ_ｈ＝２０２ｋＨｚおよびｆ_ｍ＝１５ｋＨｚ）で振動する磁場の印加と比べて、分解がより少ない、および／またはよりゆっくりと腫瘍から離れるナノ粒子をもたらすことを示唆する。

ｉｉｉ）加熱時間は温熱療法セッションの数と共に増加し、したがってナノ粒子濃度に依存するように思われるが、冷却時間は様々な温熱療法セッションの間比較的一定のままであり、したがってナノ粒子濃度とは無関係であるように思われる。

ｉｖ）振動の低周波は、１６ １０^−３Ｈｚでの１回目〜１１回目の温熱療法セッションの間、１６回目〜２２回目の温熱療法セッションの間に比べて高いかより大きく、ここで、ｆ_ｌは４×１０^−３Ｈｚである。これは、ナノ粒子が累進的に腫瘍を離れる、および／または分解されるにつれて、ｆ_ｌが減少することを示唆する。

Claims (16)

1. 磁気温熱療法治療に使用するための磁性ナノ粒子であって、前記磁性ナノ粒子は個体の身体部分に投与され、前記身体部分は高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場に曝され、前記高周波は最大で１ＭＨｚであり、前記中周波は前記高周波よりも低く、前記低周波は前記高周波よりも低く、かつ前記中周波が存在する場合には前記中周波よりも低く、
   前記高周波および中周波および／または低周波で振動する磁場は、
   −前記磁場の強さもしくは振幅、または最大もしくは平均磁場が、第１の時間ｔ_７の間に第１の値Ａ_７で一定であるか、または時間ｔ_７の間に値Ａ_７に増加する少なくとも１つのシーケンス、
   および
   −前記磁場の強さもしくは振幅、または最大もしくは平均磁場が、別の時間ｔ_８の間にＡ_７よりも低い別の値Ａ_８で一定であるか、または時間ｔ_８の間に値Ａ_８に減少する少なくとも別のシーケンスを含み、
   これらの少なくとも２つの異なるシーケンスが２回以上繰り返される、使用するための磁性ナノ粒子。
2. −前記高周波ｆ_ｈと前記低周波ｆ_ｌとの比ｆ_ｈ／ｆ_ｌが１．０１よりも大きい、または
   −前記中周波ｆ_ｍと前記低周波ｆ_ｌとの比ｆ_ｍ／ｆ_ｌが１．０１よりも大きい、
   請求項１に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
3. 最大磁場Ｈ_ｍａｘと平均磁場Ｈ_ａｖとの比が１．００００１よりも大きく、
   −Ｈ_ｍａｘは、Ｈ_{ｍａｘ，ｉ}と表される、各高周波振動の極大磁場振幅のさまざまな値の間で推定される最大磁場振幅であり、
   −Ｈ_ａｖは、Ｈ_{ｍａｘ，ｉ}のさまざまな値の平均値として定義される、
   請求項１または２に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
4. 前記高周波および低周波で振動する前記磁場が、
   −前記磁場強度または振幅、あるいは前記最大または平均磁場が、時間ｔ_９の間に値Ａ_９で最初に一定であるか、時間ｔ_９の間に値Ａ_９に増加する、少なくとも１つのシーケンス、
   および、
   −前記磁場強度または振幅、あるいは前記最大または平均磁場が、時間ｔ_１０の間に別の値Ａ_１０で一定であるか、時間ｔ_１０の間にＡ_１０まで減少し、Ａ_１０はＡ_９よりも低い、少なくとも別のシーケンス、を含み、
   これらの少なくとも２つの異なるシーケンスが２回以上繰り返される、請求項１から３のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
5. Ａ_７またはＡ_９が、
   −０．０１ｍＴ、または１ｍＴ、または１０ｍＴ、または１００ｍＴ、または１Ｔよりも大きい、あるいは
   −Ａ_８の少なくとも１．１、２．５、１０、１００、１０^３、または１０^５０倍大きい、請求項１から４のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
6. Ａ_８またはＡ_１０が、１０^３Ｔ、または１Ｔ、または１００ｍＴ、または１０ｍＴよりも低い、請求項１から４のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
7. 前記時間ｔ_７、ｔ_８、ｔ_９および／またはｔ_１０が、１０^−９、１０^−６、１０^−３、１、１０または１０^３秒よりも長い、請求項１から６のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
8. 前記磁場のサイクルが少なくとも２つのシーケンスの組み合わせに対応し、前記サイクルが、２、３、４、５、１０、１０^２、１０^３、１０^４、１０^５、１０^１０、１０^２５、１０^５０、または１０^１００回を超えて繰り返される、請求項１から７のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
9. 前記磁性ナノ粒子が１Ｗ／ｇよりも高いＳＡＲを有する、請求項１から８のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
10. 前記高周波が１から１０００ｋＨｚの間である、請求項１から９のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
11. 前記高周波が前記磁性ナノ粒子を加熱する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
12. 前記中周波が前記高周波よりも低く、１０^−５から５．１０^５Ｈｚの間にある、請求項１から１１のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
13. 前記中周波が前記高周波を変調する、請求項１から１２のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
14. 前記低周波が、それが存在する場合、前記高周波および前記中周波よりも低く、１０^−９から５．１０^５Ｈｚの間にある、請求項１から１３のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
15. 前記低周波が、加熱ステップおよび冷却ステップを備える少なくとも１つのサイクルを含む、請求項１４に記載の使用するための磁性ナノ粒子。
16. 前記治療が、疾患の治療であり、前記疾患が、細菌、優先的に病原性の、ウイルスの、または細胞、優先的に腫瘍の増殖による疾患などの感染症である、請求項１から１５のいずれか一項に記載の使用するための磁性ナノ粒子。

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