JP6930571B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置および電子機器に関する。

近年、発光素子として例えばＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を用いた表示装置が知られている。この種の表示装置では、小型化・高精細化の要求が強いので、半導体基板に、発光素子や、駆動回路が一体で形成される構成が採用される場合がある。ＯＬＥＤは、画素電極と共通電極とで発光機能層を挟持した構成であり、発光機能層で発せられた光が例えば共通電極を通過して出射する。共通電極は、複数のＯＬＥＤに共通であり、半導体基板の端子部と電気的に接続されて、所定の電圧が印加される。

この構成では、小型化が容易となるが、共通電極に流れる電流の局所的な集中により、表示ムラが生じやすい。そこで、共通電極の配線抵抗を低くするために、電流量が最も多い辺における配線の単位長さ当たりの抵抗値を、他の辺における配線の抵抗値よりも小さくする技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２００９−２７７９８５号公報

しかしながら、上記技術において、配線の単位長さ当たりの抵抗値を小さくするために、配線幅を広くすると、半導体基板の面積が消費されて小型化が阻害される場合がある。

本開示の一態様に係る表示装置は、走査線とデータ線との交差に設けられた画素回路を 走査線とデータ線との交差に設けられた画素回路を含む表示領域と、前記データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路と、導電層と共通電極との間に設けられ、絶縁性を有する開口定義層と、を含み、前記画素回路は、画素電極と前記共通電極との間に発光機能層が設けられた発光素子を含み、前記発光素子は、前記走査線が選択されたときの前記データ信号に基づいて発光し、前記開口定義層は、平面視でみて前記発光領域の外において、開口部を有し、かつ、前記開口部のうち、一の辺に沿った部分が平面視で前記データ線駆動回路と重なり、当該一の辺に沿った部分の幅は、他の辺に沿った部分の幅よりも広く、前記共通電極は、前記開口部で前記導電層と電気的に接続される。

第１実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 表示装置の構成を示すブロック図である。 表示装置におけるデータ線駆動回路のブロック図である。 表示装置における画素回路等の構成を示す図である。 表示装置の動作を示す図である。 表示装置における要素の配置を示す図である。 発光機能層、開口定義層の開口部および共通電極の配置を示す図である。 表示装置における要部の部分断面図である。 表示装置における要部の部分断面図である。 表示装置における要部の部分断面図である。 第２実施形態に係る表示装置における要素の配置を示す図である。 発光機能層、開口定義層の開口部および共通電極の配置を示す図である。 表示装置の構成を示すブロック図である。 表示装置の構成を示すブロック図である。 表示装置の構成を示すブロック図である。 第１変形例に係る表示装置における要部の部分断面図である。 第２変形例に係る表示装置の発光機能層、開口定義層の開口部および共通電極の配置を示す図である。 第３変形例に係る表示装置におけるデータ線駆動回路のブロック図である。 表示装置を用いたヘッドマウントディスプレイを示す斜視図である。 ヘッドマウントディスプレイの光学構成を示す図である。

以下、本発明の実施形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成を示す斜視図であり、図２は、表示装置１００の構成を示すブロック図である。
この表示装置１００は、例えばヘッドマウントディスプレイなどにおいてカラー画像を表示するマイクロ・ディスプレイ・パネルであり、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などが半導体基板に形成される。半導体基板としては、典型的にはシリコン基板であるが、他の半導体基板であってもよい。

表示装置１００は、表示領域で開口する枠状のケース６２に収納されるとともに、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板６４の一端が接続される。ＦＰＣ基板６４の他端には、複数の端子６６が設けられて、ホスト装置やタイミングコントローラーなどの上位装置に接続され、複数の端子６６を介して映像データや同期信号、制御信号等が供給される。

図２に示されるように、表示装置１００は、表示領域１０２、走査線駆動回路１４０Ｌ、１４０Ｒおよびデータ線駆動回路１５０を含む。
表示領域１０２では、ｍ行の走査線１１２が図において左右方向に沿って設けられ、ｎ列のデータ線１１４が、上下方向に沿って、かつ、各走査線１１２と互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。画素回路１１０は、表示領域１０２において、ｍ行の走査線１１２とｎ列のデータ線１１４との各交差に対応してｍ行ｎ列のマトリクス状に配列している。

ｍ、ｎは、２以上の整数である。走査線１１２の行、および、画素回路１１０のマトリクスの行を便宜的に区別するために、図２において上から順に１、２、３、…、ｍ行と呼ぶ場合がある。行を特定せずに一般的に説明する場合には、１≦ｉ≦ｍを満たすｉを用いてｉ行と呼ぶことにする。
同様にデータ線１１４の列、および、画素回路１１０のマトリクスの列を便宜的に区別するために、図２において左から順に１、２、３、…、ｎ列と呼ぶ場合がある。また、列を特定せずに一般的に説明する場合には、１≦ｊ≦ｎを満たすｎを用いてｊ列と呼ぶことにする。

表示領域１０２の周辺には、画素回路１１０を駆動等するための周辺回路が設けられる。本実施形態において周辺回路としては、走査線駆動回路１４０Ｌ、１４０Ｒおよびデータ線駆動回路１５０が含まれる。

走査線駆動回路１４０Ｌは、図において表示領域１０２の左に設けられる。走査線駆動回路１４０Ｌは、上位装置から供給される制御信号Ｃtryにしたがって行毎に走査信号を生成して、１、２、３、…、ｍ行目の走査線１１２に、走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m)として供給する。走査線駆動回路１４０Ｒは、図において表示領域１０２の右に設けられる。走査線駆動回路１４０Ｒは、上記制御信号Ｃtryにしたがって走査信号を生成して、１、２、３、…、ｍ行目の走査線１１２に、走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m)として供給する。すなわち、走査線駆動回路１４０Ｌおよび１４０Ｒは、１、２、３、…、ｍ行目の走査線１１２に、同じ走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m)を供給する。
このように、走査線１１２に走査信号を、表示領域１０２の左右から供給する構成としているのは、表示領域１０２の左または右の一方から供給する構成と比較して、遅延による影響を小さくするためである。

データ線駆動回路１５０は、１列〜ｎ列のデータ線１１４に、階調レベルに応じた電圧のデータ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)を、上位装置から供給される制御信号にしたがって供給する。

説明の便宜上、データ線１１４を次のような系列に区分する。詳細には、１、４、７、…、（ｎ−２）列目のデータ線１１４を第１系列とし、２、５、８、…、（ｎ−１）列目のデータ線１１４を第２系列とし、３、６、９、…、ｎ列目のデータ線１１４を第３系列とする。
本実施形態においてデータ線駆動回路１５０は、一水平走査期間を３分割し、第１の期間において第１系列のデータ線１１４に、第２の期間において第２系列のデータ線１１４に、第３の期間において第３系列のデータ線１１４に、それぞれデータ信号を分配して供給する。
なお、図２では、画素回路１１０の駆動に直接は関係しないので省略されているが、周辺回路には、検査回路１６０が含まれる。

図３は、データ線駆動回路１５０の一例を示すブロック図である。
この図に示されるように、データ線駆動回路１５０は、シフトレジスター１５０２、データラッチ回路１５０４、ラインラッチ回路１５０６、ＤＡＣ群１５０８、デマルチプレクサ１５１０およびアンプ群１５１２を含む。

シフトレジスター１５０２は、制御信号Ｃtrxに基づく垂直走査および水平走査にしたがって上位装置から画素回路１１０毎に供給される映像データＶidを、順次転送して１行分ラッチする。
データラッチ回路１５０４は、シフトレジスター１５０２によってラッチされた１行分の映像データＶidを水平走査開始前に一斉にラッチする。
ラインラッチ回路１５０６は、データラッチ回路１５０４によってラッチされた映像データＶidのうち、デマルチプレクサ１５１０の選択に合わせてラッチする。
ＤＡＣ群１５０８は、ラインラッチ回路１５０６によりラッチされた映像データＶidをアナログの信号に変換するＤＡＣ（Digital to Analog Converter）の集合体である。

デマルチプレクサ１５１０は、ＤＡＣ群１５０８とアンプ群１５１２との間においてデータ線１１４に対応したスイッチを含み、各スイッチは、制御信号Ｓel1〜Ｓel3のいずれかにしたがってオンまたはオフに制御される。詳細には、デマルチプレクサ１５１０において、第１系列のデータ線１１４に対応するスイッチは、制御信号Ｓe11によってオンまたはオフに制御され、第２系列のデータ線１１４に対応するスイッチは、制御信号Ｓe12によってオンまたはオフに制御され、第３系列のデータ線１１４に対応するスイッチは、制御信号Ｓe13によってオンまたはオフに制御される。
アンプ群１５１２は、デマルチプレクサ１５１０を介して供給される信号の電圧を変換して、データ信号としてデータ線１１４に供給する。

図４は、画素回路１１０等の構成を示す図である。ｍ行ｎ列で配列する画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成である。このため、画素回路１１０についてはｉ行ｊ列で代表させて説明する。

図４において、ｉ行目の走査線１１２とｊ列目のデータ線１１４との交差に対応して設けられるｉ行ｊ列の画素回路１１０は、ＯＬＥＤ１２０と、Ｐチャネル型のトランジスター１２１、１２２と、容量素子Ｃpixを含む。
画素回路１１０において、ＯＬＥＤ１２０は、発光素子の一例であり、後述するように画素電極１３と、共通電極１８とで発光機能層１６を挟持した素子である。本実施形態では、画素電極１３はアノードとして機能し、共通電極１８はカソードとして機能する。また、共通電極１８は光透過性を有している。ＯＬＥＤ１２０において、アノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが発光機能層１６で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、図示省略された反射膜とハーフミラーとで構成された光共振器にて共振し、ＲＧＢのいずれかの色に対応して設定された共振波長で出射する。光共振器から光の出射側には当該色に対応したカラーフィルターが設けられる。したがって、ＯＬＥＤ１２０からの出射光は、光共振器およびカラーフィルターによる着色を経て、観察者に視認される。

画素回路１１０に設けられるＯＬＥＤ１２０は、表示画像の最小単位となる。１個の画素回路１１０は１個のＯＬＥＤ１２０を含む。ある画素回路１１０は他の画素回路１１０とは独立して制御され、ＯＬＥＤ１２０は画素回路１１０に対応する色で発光して、３原色の１つを表現する。
すなわち、１つの画素回路１１０は、表示すべき色のうち、三原色の１つを表現するので、厳密にいえば、サブ画素回路と呼ぶべきであるが、説明を簡略化するために画素回路と呼ぶことにする。なお、表示装置１００がカラー表示しない構成、すなわち、単に明暗のみの単色画像を表示する場合には、上記カラーフィルターが設けられない。

ｉ行ｊ列の画素回路１１０におけるトランジスター１２１にあっては、ゲートノードがトランジスター１２２のドレインノードと容量素子Ｃpixの一端に接続され、ソースノードが電圧Ｖelの給電線１１６に接続され、ドレインノードがＯＬＥＤ１２０のアノードとしての画素電極１３に接続される。

また、容量素子Ｃpixの他端は、給電線１１６に接続される。このため、容量素子Ｃpixは、トランジスター１２１におけるゲート電圧を保持する。
ｉ行ｊ列の画素回路１１０のトランジスター１２２にあっては、ゲートノードがｉ行目の走査線１１２に接続され、ソースノードがｊ列目のデータ線１１４に接続される。また、ＯＬＥＤ１２０のカソードとしての共通電極１８には、電圧Ｖctが印加される。

図５は、表示装置１００の動作を説明するための図である。この図に示されるように、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)は、一垂直走査期間（Ｆ）にわたって、一水平走査期間（Ｈ）毎に順次排他的にＬレベルとなる。ここでは、１行、２行、３行、…、ｍ行の順に走査され、この順に走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m)がＬレベルになり、走査線が選択される。
ここで例えばｉ行目の走査線１１２が選択される一水平走査期間（Ｈ）では、走査信号Ｇwr(i)がＬレベルになるので、ｉ行ｊ列の画素回路１１０でいえば、トランジスター１２２がオンする。このため、トランジスター１２１のゲートノードは、ｊ列目のデータ線１１４に接続された状態となる。

また、当該一水平走査期間（Ｈ）では、制御信号Ｓel1〜Ｓel3がこの順で排他的にＨレベルとなる。制御信号Ｓel1がＨレベルになると、データ線駆動回路１５０は、ｉ行目の走査線１１２と第１系列のデータ線１１４との交差に対応する画素のデータ信号を出力する。例えば、データ線駆動回路１５０は、第１系列のデータ線１１４のうち、任意の１本のデータ線１１４には、ｉ行目の走査線１１２と当該データ線１１４との交差に対応する画素のデータ信号を出力する。
当該データ信号は、上記交差に対応する画素回路１１０においてオンしたトランジスター１２２を介して、トランジスター１２１のゲートノードに印加されるので、当該データ信号の電圧が容量素子Ｃpixによって保持され、当該トランジスター１２１がゲート・ソース間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１２０に流す。このような動作は、ｉ行目の走査線１１２と第１系列のデータ線１１４との交差に対応するすべての画素回路１１０において実行される。

次に、制御信号Ｓel2がＨレベルになると、データ線駆動回路１５０は、ｉ行目の走査線１１２と第２系列のデータ線１１４との交差に対応する画素のデータ信号を出力する。これにより、データ信号の電圧が容量素子Ｃpixによって保持され、トランジスター１２１がゲート・ソース間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１２０に流す動作が、ｉ行目の走査線１１２と第２系列のデータ線１１４との交差に対応するすべての画素回路１１０において実行される。

続いて、制御信号Ｓel3がＨレベルになると、データ線駆動回路１５０は、ｉ行目の走査線１１２と第３系列のデータ線１１４との交差に対応する画素のデータ信号を出力する。これにより、データ信号の電圧が容量素子Ｃpixによって保持され、トランジスター１２１がゲート・ソース間の電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１２０に流す動作が、ｉ行目の走査線１１２と第３系列のデータ線１１４との交差に対応するすべての画素回路１１０において実行される。

このようにしてｉ行目が走査される一水平走査期間（Ｈ）では、ｉ行目の走査線１１２に対応するｎ個の画素回路１１０において、第１系列から第３系列まで順番に、データ信号の電圧の保持および当該保持した電圧に応じた電流をＯＬＥＤ１２０に流す動作が実行される。
なお、ｉ行目の走査線１１２の選択が終了して、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルとなり、トランジスター１２２がオフしても、データ信号の電圧は容量素子Ｃpixによって保持されるので、ＯＬＥＤ１２０には電流が流れ続ける。したがって、ｉ行ｊ列の画素回路１１０では、一垂直走査期間（Ｆ）経過してトランジスター１２２が再度オンしてデータ信号が印加されるまで、ＯＬＥＤ１２０は、容量素子Ｃpixによって保持された電圧、すなわち階調レベルに応じた明るさで発光し続ける。
また、ｉ行目以外の行についても、１行、２行、３行、…、ｍ行の順に走査されることによって、表示装置１００における画素回路１１０のすべてが、階調レベルで指定された明るさで発光する。これにより、映像データＶidに応じた画像が表示装置１００によって表示される。

図６は、表示装置１００における各要素の配置を示す図である。
なお、説明の便宜のために、矩形形状の表示装置１００のうち、図において上辺を符号Ｕとし、下辺を符号Ｄとし、左辺を符号Ｌとし、右辺を符号Ｒとしている。図において上辺Ｕと表示領域１０２との間には検査回路１６０が設けられる。検査回路１６０は、製造後に、走査線駆動回路１４０Ｌ、１４０Ｒおよびデータ線駆動回路１５０を検査するために設けられる。

左辺Ｌと表示領域１０２との間には走査線駆動回路１４０Ｌが設けられ、右辺Ｒと表示領域１０２との間には走査線駆動回路１４０Ｒが設けられる。
また、下辺Ｄには、図において横方向に沿って複数の端子１８０が設けられる。複数の端子１８０は、ＦＰＣ基板６４（図１参照）の一端が接続されて、走査線駆動回路１４０Ｌ、１４０Ｒおよびデータ線駆動回路１５０の制御信号や、映像データＶid、同期信号、各種電圧がＦＰＣ基板６４を介して、上位装置から供給される。
複数の端子１８０と表示領域１０２との間には、データ線駆動回路１５０が設けられる。

上述したように、ＯＬＥＤ１２０は、アノードの画素電極１３とカソードの共通電極１８とで発光機能層１６を挟持した素子である。画素電極１３、発光機能層１６および共通電極１８は、この順で形成される。
また、共通電極１８には、上述したように透明性であることが要求されるので、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、マグネシウムおよび銀の合金などが用いられる。共通電極１８には電圧Ｖctが印加され、かつ、共通電極１８はすべてのＯＬＥＤ１２０に対して共通である。
共通電極１８よりも前に形成される発光機能層１６は、電気的には半導体である。このため、共通電極１８は発光層を覆うように形成される。一方、複数の端子１８０は、抵抗率の低い導電層をパターニングして形成される。
したがって、複数の端子１８０のうち、特定の１または２以上の端子から、当該端子の形成層とは異なる層で形成される共通電極１８まで、いかに均一に配線抵抗を低くすることが重要となる。

発光機能層１６は、画素回路１１０毎に形成されるのではなく、すべての画素回路１２０にわたって連続して形成される。このため、平面視で画素電極１３と共通電極１８とが重なる領域、すなわち、画素電極１３から共通電極１８に向かって電流が流れる領域がＯＬＥＤ１２０として機能する。
発光機能層１６は、例えば、表示領域１０２を含み、当該表示領域よりも広い領域で開口するメタルマスクを介して成膜される。このため、発光機能層１６は、他の層と比較して成膜の位置精度が低いので、製造上の誤差が生じ得る。
上述したように、共通電極１８は、発光機能層１６を覆う必要があるが、この発光機能層１６を形成する際の位置精度が低いことに留意する必要がある。

図７は、発光機能層１６、開口定義層の開口部および共通電極１８の配置を示す平面図であり、図８は、図７におけるＡ−ａ線で破断した場合の部分断面図であり、図９は、図７におけるＢ−ｂ線で破断した場合の部分断面図であり、図１０は、表示装置におけるＯＬＥＤ１２０の要部断面図である。
なお、表示装置１００では、周辺回路等を構成するトランジスター等が形成されるが、図８乃至図１０では、陰極である画素電極１３よりも下層の配線層、絶縁層等についての図示が省略されている。

図７において、領域Ｅは、平面視で、発光機能層１６が設けられる領域であり、表示領域１０２を含み、かつ、表示領域１０２よりも広い。
領域Ｇは、平面視で、開口定義層１４の開口部のうち、表示領域１０２の外の開口部である。開口定義層１４は、導電層１２と発光機能層１６との間において、例えば窒化珪素や酸化珪素などの絶縁性の無機材料で成膜される。開口定義層１４のうち、表示領域１０２の外における開口部は、平面視したときに枠形状となっている。

したがって、導電層１２および開口定義層１４をこの順で形成した後に、共通電極１８を形成すると、表示領域１０２の外では、開口定義層１４の開口部である領域Ｇにおいて導電層１２と共通電極１８とが導通することになる。
導電層１２は、アルミニウムなどの金属層をパターニングしたものであり、複数の端子１８０のうち、特定の端子と同一層で形成され、または、異なる層で形成されて、特定の端子と電気的に接続される。このため、電圧Ｖctは、特定の端子、導電層１２、および、領域Ｇを介して共通電極１８に印加される。

枠形状の領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分の一部は、平面視でデータ線駆動回路１５０と重なる。また、表示領域１０２から、枠形状の領域Ｇのうち下辺Ｄに沿った部分までの距離は、表示領域１０２から、領域Ｇのうち上辺Ｕ、左辺Ｌまたは右辺Ｒに沿った部分までの距離よりも遠い。
さらに、領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分の幅ＷD（図７および図９参照）は、左辺Ｌに沿った部分の幅ＷL（図７および図８参照）よりも広い。なお、下辺Ｄに沿った部分の幅ＷDは、幅ＷLだけでなく、上辺Ｕに沿った部分の幅ＷUまたは右辺Ｒに沿った部分の幅ＷRよりも広い。
なお、本説明において、表示領域１０２から、領域Ｇのうち、一の辺に沿った部分までの距離とは、表示領域１０２における縁端の任意の１地点から、領域Ｇのうち、当該一の辺の内縁における任意の１地点までの長さのうち、最短の長さをいう。辺に沿った部分の幅とは、平面視で当該部分のうち、当該辺と直交する方向の長さをいう。
また、領域Ｈは、共通電極１８が形成された領域のうち、平面視で枠形状の領域Ｇよりも外領域をいう。領域Ｆは、平面視で、表示領域１０２の外であって、枠形状の領域Ｇよりも内となる領域である。

開口定義層１４は、表示領域１０２の内では、図１０に示されるように、画素電極１３と発光機能層１６との間において、画素電極１３の開口層、すなわち、平面視したときにＯＬＥＤ１２０の形状を規定する層として機能する。また、画素電極１３は、導電層１２と同一層のパターニングによって形成してもよいし、導電層１２と異なる層のパターニングによって形成してもよい。

上述したように、発光機能層１６における成膜の位置精度は低いので、開口定義層１４を基準としてみると、図８に示されるように、発光機能層１６が開口定義層１４の端部にかかってしまう場合もあれば、図９に示されるように、発光機能層１６が開口定義層１４の端部にかからない場合もある。
領域Ｇのうち、上辺Ｕ、左辺Ｌ、右辺Ｒに沿った部分は表示領域１０２に近いので、発光機能層１６が位置ズレすると、図８に示されるように、発光機能層１６が開口定義層１４の端部にかかり、開口定義層１４の開口部を侵食して、導電層１２と共通電極１８との導通距離が狭くなる可能性がある。
これに対して、領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分は表示領域１０２に遠いので、発光機能層１６が位置ズレしても、図９に示されるように、発光機能層１６が開口定義層１４の端部にかからないので、開口定義層１４の開口部を侵食することがない。

上述したようにデータ線駆動回路１５０は、シフトレジスター１５０２や、データラッチ回路１５０４、ラインラッチ回路１５０６、ＤＡＣ群１５０８などが形成されるので、走査線駆動回路１４０Ｌ、１４０Ｒと比較して広い面積が必要である。領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分は、データ線駆動回路１５０と平面視で重なる領域に設けられるので、下辺Ｄに沿った部分の幅を、上辺Ｕ、左辺Ｌ、右辺Ｒに沿った部分の幅よりも広くすることができる。このため、本実施形態では、発光機能層１６における成膜の位置精度が低くても、領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分において、導電層１２と共通電極１８とが導通する領域の面積を広く確保することができるので、接触抵抗を下げ、共通電極１８の低抵抗化を図ることができる。
また、本実施形態では、導通領域の面積を確保するために、基板面積を大きくする必要がないので、表示装置１００の小型化および狭額縁化が阻害されることを防止することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る表示装置１００について説明する。
第２実施形態は、第１実施形態とは電気的な構成は同一であるが、複数の端子１８０が設けられる場所が異なっている点において、第１実施形態と相違する。そこで、第２実施形態については、この相違点を中心に説明する。

図１１は、第２実施形態に係る表示装置１００における各要素の配置を示す図である。
この図に示されるように、複数の端子１８０が右辺Ｒにおいて図において縦方向に沿った設けられる。
図１２は、発光機能層、開口定義層の開口部および共通電極の配置を示す平面図であり、図１３は、図１２におけるＡ−ａ線で破断した場合の部分断面図であり、図１４は、図１２におけるＢ−ｂ線で破断した場合の部分断面図であり、図１５は、図１２におけるＣ−ｃ線で破断した場合の部分断面図である。

これらの図に示されるように、領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分の幅ＷD、右辺Ｒに沿った部分の幅ＷR、左辺Ｌに沿った部分の幅ＷLについては、この順で広くなっている。すなわち、
ＷD＞ＷR＞ＷL
となっている。
なお、図では省略されているが、領域Ｇのうち、上辺Ｕに沿った部分の幅は、左辺Ｌに沿った部分の幅ＷLとほぼ同等である。

第２実施形態では、発光機能層１６における成膜の位置精度が低くても、領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分にくわえて、右辺Ｒに沿った部分についても導通領域の面積を確保することができるので、導通領域での接触抵抗が下がる結果、共通電極１８の低抵抗化を図ることができる。

＜変形例、応用例等＞
前述した実施形態等では、次のような応用または変形が可能である。

＜第１変形例＞
表示装置１００において発光機能層１６を覆うように封止層７０を設ける場合に、封止層７０の構成層における縁端の位置を次に説明するように定めてよい。図１６は、第１変形例に係る表示装置１００を図７におけるＢ−ｂ線で破断した場合の部分断面図に相当する。この図に示されるように、封止層７０は、第１無機層７１、中間層７３、第２無機層７２は、この順の積層で構成される。
封止層７０の第１無機層７１は、共通電極１８の面上に形成されて、当該共通電極１８の表面に直接に接触する。第１無機層７１は、表示領域１０２を含む表示装置１００の全域にわたり形成される。第１無機層７１は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性かつ透明性を有する無機材料で例えば２００ｎｍから４００ｎｍ程度の膜厚に形成される。

中間層７３は、発光機能層１６を封止する要素であり、例えばエポキシ樹脂等の光透過性の有機材料で形成さえる。中間層７３の縁端Ｊは、平面視で発光機能層１６よりも外であって、領域Ｇよりも内に位置している。中間層７３は、表示領域１０２において共通電極１８や第１無機層７１の表面の段差を埋める平坦化膜としても機能する。このため、中間層７３は、第１無機層７１および第２無機層７２と比較して充分に厚い膜厚（例えば１μｍから５μｍ、特に好適には３μｍ）に形成される。なお、中間層７３の材料は有機材料に限定されない。

第２無機層７２は、中間層７３を封止する要素である。このため、第２無機層７２の縁端は、平面視で中間層７３よりも外であって、領域Ｇよりも内に位置している。第２無機層７２は、例えば耐水性や耐熱性に優れた無機材料であって、絶縁性かつ透明性を有する無機材料で、例えば３００ｎｍから７００ｎｍ程度（特に好適には４００ｎｍ程度）の膜厚に形成される。例えば窒素化合物（珪素窒化物、珪素酸化物、珪素酸窒化物）が第２無機層の材料として好適である。

中間層７３の膜厚は、第１無機層７１および第２無機層７２と比較して厚いので、中間層７３における成膜の位置精度が低い。ただし、第１変形例によれば、中間層７３の縁端Ｊが、平面視で発光機能層１６よりも外であれば、発光機能層１６を封止する機能を確保することができる。

＜第２変形例＞
図１７は、第２変形例に係る表示装置１００の発光機能層、開口定義層の開口部および共通電極の配置を示す平面図である。この図に示されるように、開口定義層１４における開口部（領域Ｇ）のうち、表示領域１０２から最も遠い位置の辺は、導電層１２と共通電極１８とが平面視で重なる領域の縁端まで拡大することが可能である。
なお、図１７において、枠形状の領域Ｇにおける上辺Ｕ、下辺Ｄ、左辺Ｌ、右辺Ｒに沿った各部分のうち、表示領域からもっとも遠い位置にあるのは、下辺Ｄに沿った部分である。したがって、開口定義層１４における開口部のうち、表示領域１０２から最も遠い位置の辺とは、領域Ｇの下辺Ｄに沿った部分のうち、図において下の辺Ｇ１である。

＜第３変形例＞
データ線駆動回路１５０は、デマルチプレクサ方式ではなく、図１８に示されるようなシリアル−パラレル変換方式としてもよい。
なお、図１８に示されるデータ線駆動回路１５０は、ラッチ回路１５２２、１５２４、ＤＡＣ群１５２６、選択回路１５２８およびスイッチ群１５３０を含む。

ラッチ回路１５２２は、上位装置から画素回路１１０毎に供給される映像データＶidを、順次転送して１行分ラッチする。
ラッチ回路１５２４は、ラッチ回路１５２２によってラッチされた１行分の映像データＶidを水平走査開始前に一斉にラッチして、ラッチした映像データＶidのうち、選択回路１５２８による選択に対応するデータを出力する。
ＤＡＣ群１５２６は、ラッチ回路１５２４から出力されたデータをアナログの信号に変換するＤＡＣの集合体である。

スイッチ群１５３０は、ＤＡＣ群１５２６とデータ線１１４との間に設けられたスイッチを含む。スイッチ群１５３０において、左から数えて１〜３列目のデータ線１１４に対応したスイッチは、制御信号Ｓ１によってオンまたはオフに制御され、４〜６列目のデータ線１１４に対応したスイッチは、制御信号Ｓ２によってオンまたはオフに制御される。そして、左から数えて（ｎ−２）〜ｎ列目のデータ線１１４に対応したスイッチは、制御信号Ｓ（ｎ／３）によってオンまたはオフに制御される。
選択回路１５２８は、一水平走査期間（Ｈ）に、１〜３列目のスイッチ、４〜６列目のスイッチ、…、（ｎ−２）〜ｎ列目のスイッチが順番に、かつ、排他的にオンするように制御信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ（ｎ／３）を出力する。
なお、データ線駆動回路１５０には、図３または図１８に示される要素に加えて、映像データの階調レベルを、表示装置１００に向けた出力レベルに変換するルックアップテーブルや、各種電圧を生成する電源回路などを含ませてもよい。

データ線駆動回路１５０が図１８に示される構成であれば、図３と同様に、走査線駆動回路１４０Ｌ、１４０Ｒと比較して多数の要素で構成されるので、データ線駆動回路１５０には広い面積が必要となる。ただし、開口定義層１４の開口部である領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分は、データ線駆動回路１５０と平面視で重なる領域に設けられるので、導電層１２と共通電極１８との導通領域の面積を広く確保することができる。

＜電子機器＞
次に、実施形態等に係る表示装置１００を適用した電子機器について説明する。表示装置１００は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウントディスプレイを例に挙げて説明する。

図１９は、ヘッドマウントディスプレイの外観を示す図であり、図２０は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図１９に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドマウントディスプレイ３００は、図２０に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の表示装置１００Ｌと右眼用の表示装置１００Ｒとが設けられる。
表示装置１００Ｌの画像表示面は、図２０において左となるように配置している。これによって表示装置１００Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、表示装置１００Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。表示装置１００Ｒの画像表示面は、表示装置１００Ｌとは反対の右となるように配置している。これによって表示装置１００Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、表示装置１００Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。

この構成において、ヘッドマウントディスプレイ３００の装着者は、表示装置１００Ｌ、１００Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウントディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を表示装置１００Ｌに表示させ、右眼用画像を表示装置１００Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる。

なお、表示装置１００を含む電子機器については、ヘッドマウントディスプレイ３００のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。

＜付記＞
ひとつの態様（態様１）に係る表示装置は、走査線とデータ線との交差に設けられた画素回路を含む表示領域と、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路と、導電層と共通電極との間に設けられ、絶縁性を有する開口定義層と、を含み、画素回路は、画素電極と共通電極との間に発光機能層が設けられた発光素子を含み、発光素子は、走査線が選択されたときのデータ信号に基づいて発光し、開口定義層は、平面視でみて表示領域の外において、開口部を有し、かつ、開口部のうち、一の辺に沿った部分が平面視でデータ線駆動回路と重なり、当該一の辺に沿った部分の幅は、他の辺に沿った部分の幅よりも広く、共通電極は、開口部で導電層と電気的に接続される。
この態様によれば、導電層と共通電極とが導通する領域の面積を広く確保することができるので、接触抵抗を下げ、共通電極の低抵抗化を図ることができる。また、導通領域の面積を広く確保するために、基板面積を大きくする必要がないので、表示装置の小型化および狭額縁化の阻害が防止される。
なお、枠形状の領域Ｇのうち、下辺Ｄに沿った部分が、一の辺に沿った部分の一例である。また、枠形状の領域Ｇのうち、左辺Ｌに沿った部分が、他の辺に沿った部分の一例である。

態様１の具体的な態様（態様２）に係る表示装置は、表示領域から一の辺に沿った部分までの距離は、表示領域から他の辺に沿った部分までの距離よりも遠い。
この態様によれば、発光機能層における成膜の位置精度が低くても、導電層と共通電極とが導通する領域の面積を広く確保することができる。

態様１または態様２の具体的な態様（態様３）に係る表示装置は、発光機能層は共通電極で覆われる。この態様によれば、発光機能層が共通電極で覆われるので、共通電極が一種の封止として機能する。

態様３の具体的な態様（態様４）に係る表示装置は、発光機能層および共通電極を覆う封止層が設けられ、封止層は、第１無機層、中間層および第２無機層を含む。この態様によれば、発光機能層が３つの層からなる封止層で覆われるので、発光機能層への外気や水分の侵入が防止される。

態様１乃至４の具体的な態様（態様５）に係る電子機器は、上記いずれか態様に係る表示装置を有する。この態様によれば、表示装置の小型化および狭額縁化が容易となるので、電子機器としてみても小型化が容易となる。

１００…表示装置、１０２…表示領域、１１０…画素回路、１１２…走査線、１１４…データ線、１２０…ＯＬＥＤ、１５０…データ線駆動回路、１２…導電層、１４…開口定義層、１６…発光機能層、１８…共通電極、７０…封止層、７１…第１無機層、７２…第２無機層、７３…中間層、３００…ヘッドマウントディスプレイ。

Claims (8)

1. 第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺と、を含む基板と、
   走査線とデータ線との交差に設けられた画素回路を含む表示領域と、
   前記データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路と、
   導電層と共通電極との間に設けられ、絶縁性を有する開口定義層と、
   を含み、
   前記画素回路は、
   画素電極と前記共通電極との間に発光機能層が設けられた発光素子を含み、
   前記発光素子は、前記走査線が選択されたときの前記データ信号に基づいて発光し、
   前記開口定義層は、平面視でみて前記表示領域の外において、開口部を有し、かつ、前
   記開口部のうち、前記第１辺に沿った部分が平面視で前記データ線駆動回路と重なり、前
   記第１辺に沿った部分の幅は、前記第２辺に沿った部分の幅よりも広く、
   前記共通電極は、前記開口部で前記導電層と電気的に接続され、
   平面視において、前記表示領域から前記開口部の前記第１辺に沿った部分の内縁までの
   距離は、前記表示領域から前記開口部の前記第２辺に沿った部分の内縁までの距離よりも
   遠い
   表示装置。
2. 前記発光機能層は前記共通電極で覆われる
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記発光機能層および前記共通電極を覆う封止層が設けられ、
   前記封止層は、第１無機層、中間層および第２無機層を含み、
   平面視において、前記中間層の端部は、前記開口部と前記発光機能層との間に位置する
   請求項２に記載の表示装置。
4. 第１方向に延在する第１辺と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２辺と、
   を含む基板と、
   共通電極と、前記基板の厚み方向において、前記基板と前記共通電極との間に設けられ
   る画素電極と、前記厚み方向において、前記画素電極と前記共通電極との間に設けられる
   発光機能層と、を含む発光素子と、
   平面視において、前記第１辺と前記発光素子が配置される表示領域との間に設けられる
   駆動回路と、
   前記共通電極と接し、平面視において、前記第１辺と前記表示領域との間で前記第１方
   向に延在する第１部分と、前記共通電極と接し、平面視において、前記第２辺と前記表示
   領域との間で前記第２方向に延在する第２部分と、を有する導電層と、
   を備え、
   前記第２方向における前記第１部分の幅は、前記第１方向における前記第２部分の幅よ
   りも広く、
   平面視において、前記表示領域と前記第１部分の内縁との間の距離は、前記表示領域と
   前記第２部分の内縁との間の距離よりも長い
   表示装置。
5. 前記厚み方向において、前記導電層と前記共通電極との間に設けられ、平面視において
   、前記第１部分と重なる第１開口部と、前記厚み方向において、前記導電層と前記共通電
   極との間に設けられ、平面視において、前記第２部分と重なる第２開口部と、を有する絶
   縁層を備え、
   前記第２方向における前記第１開口部の幅は、前記第１方向における前記第２開口部の
   幅よりも広い、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 平面視において、前記発光機能層は、前記共通電極によって覆われる、
   請求項４または５に記載の表示装置。
7. 平面視において、前記共通電極を覆う封止層を備え、
   前記封止層は、第１無機層、中間層および第２無機層を含み、
   平面視において、前記中間層の端部は、前記開口部と前記発光機能層との間に位置する
   請求項６に記載の表示装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置を有する電子機器。

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