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JP6943835B2 - Rectifier and power supply - Google Patents
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Description

本発明は、交流を直流に変換する装置に関する。 The present invention relates to a device that converts alternating current into direct current.

交流の入力電圧を、二つのスイッチング素子をPWM制御する信号のデューティー比を制御し、さらに、平滑化コンデンサにより、直流電圧に変換する整流装置が知られている(特許文献1及び2参照)。ここで、PWMは、Pulse Width Modulationの略である。 A rectifier that controls the duty ratio of a signal that PWM-controls two switching elements of an AC input voltage and further converts it into a DC voltage by a smoothing capacitor is known (see Patent Documents 1 and 2). Here, PWM is an abbreviation for Pulse Width Modulation.

図1は、一般的な上記整流装置の例である整流装置101の構成を表す概念図である。 FIG. 1 is a conceptual diagram showing the configuration of a rectifier 101, which is an example of the general rectifier.

整流装置101は、電源801から、配線271及び272を介して入力された交流のVinを直流電圧に変換し、変換後の直流電圧を負荷901に出力する。 Rectifier 101, the power supply 801, the V in the AC input via the line 271 and 272 into a DC voltage and outputs the DC voltage after conversion to the load 901.

整流装置101は、回路部201と制御部301とを備える。 The rectifier 101 includes a circuit unit 201 and a control unit 301.

回路部201は、チョークコイル241乃至243と、FET211及び212と、ダイオード231、232、233及び234と、コンデンサ251と、電流検出部281とを備える。ここで、FETは、Field Effect Transistorの略である。 The circuit unit 201 includes choke coils 241 to 243, FETs 211 and 212, diodes 231 and 232, 233 and 234, a capacitor 251 and a current detection unit 281. Here, FET is an abbreviation for Field Effect Transistor.

制御部301は、PWMを行うための信号である信号SPWM1及びSPWM2を生成し、信号SPWM1をFET211のゲートに、信号SPWM2をFET212のゲートに、各々入力する。 The control unit 301 generates signals S PWM 1 and S PWM 2 for performing PWM, and inputs the signal S PWM 1 to the gate of FET 211 and the signal S PWM 2 to the gate of FET 212, respectively.

FET211及び212の各々は、ゲートに入力された信号SPWM1及びSPWM2の各々に従い、そのソース−ドレイン間を導通(オン)させ又は絶縁(オフ)させる。 Each of the FETs 211 and 212 is made conductive (on) or insulated (off) between the source and drain according to each of the signals S PWM 1 and S PWM 2 input to the gate.

また、電流検出部281は、配線272の電流値Iinを制御部301に送付する。 Further, the current detection unit 281 sends the current value I in of the wiring 272 to the control unit 301.

チョークコイル241乃至243、ダイオード231、232、233及び234及びコンデンサ251の各々は、入力された信号に対して受動的な動作を行う。 Each of the choke coils 241 to 243, the diodes 231, 232, 233 and 234 and the capacitor 251 passively operates with respect to the input signal.

コンデンサ251は、PWM後の交流入力信号に対し平滑化処理を行う。その結果、負荷901には直流電圧が供給される。 The capacitor 251 performs a smoothing process on the AC input signal after PWM. As a result, a DC voltage is supplied to the load 901.

なお、制御部301は、入力された電流値Iin及び電圧値VinL1、VinL2及びVoutにより、信号SPWM1及びSPWM2のパルス幅を調整する。当該調整については特許文献1に記載があり、ここではその説明は省略される。 The control unit 301 adjusts the pulse widths of the signals S PWM 1 and S PWM 2 according to the input current values I in and voltage values Vin L1 , Vin L2, and V out. The adjustment is described in Patent Document 1, and the description thereof is omitted here.

図2は、図1に表す制御部301が生成する信号SPWM1及びSPWM2を表すイメージ図である。図2には、電源801から供給される交流の電圧Vinを併せて表してある。信号SPWM2は信号SPWM1を反転させた信号である。図1に表す制御装置が信号SPWM1及びSPWM2を図2に表すように制御することは周知である。従い、ここでは、その詳細説明は省略される。 FIG. 2 is an image diagram showing signals S PWM 1 and S PWM 2 generated by the control unit 301 shown in FIG. FIG 2, is represented along a voltage V in the alternating current supplied from the power source 801. The signal S PWM 2 is a signal obtained by inverting the signal S PWM 1. It is well known that the control device shown in FIG. 1 controls the signals S PWM 1 and S PWM 2 as shown in FIG. Therefore, the detailed description thereof is omitted here.

特許第6340552号公報Japanese Patent No. 6340552 特開2002−359976号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-359966

図1に表すFET211及び212は、制御部301が行うPWM制御によりスイッチング動作を行う際に、周知のスイッチング損失を発生させる。その理由は、FET211及び212がスイッチング動作を行うタイミングにおいて、ソース−ドレイン間に、電流と電圧とが同時に印加され、電力が消費されるためである。 The FETs 211 and 212 shown in FIG. 1 generate a well-known switching loss when the switching operation is performed by the PWM control performed by the control unit 301. The reason is that the current and the voltage are simultaneously applied between the source and the drain at the timing when the FETs 211 and 212 perform the switching operation, and the electric power is consumed.

本発明は、スイッチング損失を低減し得る整流装置等の提供を目的とする。 An object of the present invention is to provide a rectifying device or the like capable of reducing switching loss.

本発明の整流装置は、第一乃至第三の端子相互の間に所定のインダクタンスが設定された三端子インダクタ回路と、前記第二の端子と第一及び第二の共通線各々の間に接続された第一及び第二のスイッチ回路と、前記第三の端子と第一及び第二の共通線各々の間に接続された第三及び第四のスイッチ回路と、前記第一及び第二の共通線の間に同じ向きに接続点を介して直列接続された第一及び第二の整流素子と、前記第一及び第二の共通線の間に接続された平滑回路とを備え、前記第一乃至第四のスイッチ回路は、各々入力信号に応じて開閉が制御される第一乃至第四のスイッチ素子と、該スイッチ素子の各々と並列に前記向きに接続される整流素子とを備え、前記第二及び第三のスイッチ回路は、さらに、前記スイッチ素子及び前記整流素子に直列に接続されるコンデンサを備え、前記接続点と前記第一の端子との間に交流電圧が印加される間、前記接続点の電位が前記第一の端子の電位より低い場合は、前記第四のスイッチ素子が前記第一及び第三のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第二のスイッチ素子が開成されるように、それ以外の場合は、前記第一のスイッチ素子が前記第一のスイッチ素子が前記第二及び第四のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第三のスイッチ素子が開成されるように前記入力信号が設定される。 The rectifier of the present invention is connected to a three-terminal inductor circuit in which a predetermined inductance is set between the first to third terminals and between the second terminal and each of the first and second common lines. The first and second switch circuits, the third and fourth switch circuits connected between the third terminal and the first and second common lines, respectively, and the first and second switches. The first and second rectifying elements connected in series between the common lines in the same direction via a connection point and a smoothing circuit connected between the first and second common lines are provided. The first to fourth switch circuits include first to fourth switch elements whose opening and closing are controlled according to input signals, and rectifying elements connected in parallel with each of the switch elements in the above-mentioned direction. The second and third switch circuits further include a capacitor connected in series with the switch element and the rectifying element, while an AC voltage is applied between the connection point and the first terminal. When the potential of the connection point is lower than the potential of the first terminal, the fourth switch element is opened and closed before and after the closing of the first and third switch elements, respectively. In other cases, the first switch element is the first switch element prior to the closure of the second and fourth switch elements so that the second switch element is opened. The input signal is set so that the third switch element is opened after opening and closing, respectively.

本発明の整流装置等は、スイッチング損失を低減し得る。 The rectifier and the like of the present invention can reduce switching loss.

一般的な整流装置の構成例を表す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structural example of a general rectifier. 一般的な制御部が生成する制御信号を表すイメージ図である。It is an image diagram which shows the control signal generated by a general control part. 第一実施形態の整流装置の構成例を表す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structural example of the rectifying apparatus of 1st Embodiment. 第一実施形態の制御部が生成する制御信号の例を表すイメージ図である。It is an image diagram which shows the example of the control signal generated by the control part of 1st Embodiment. 第一実施形態の制御部が生成する制御信号を、時間軸を拡大して表す図(その1)である。It is a figure (the 1) which shows the control signal generated by the control part of 1st Embodiment by enlarging the time axis. 第一実施形態の制御部が生成する制御信号を、時間軸を拡大して表す図(その2)である。It is a figure (the 2) which shows the control signal generated by the control part of 1st Embodiment by enlarging the time axis. 第二実施形態の整流装置の構成例を表す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structural example of the rectifier device of 2nd Embodiment. 第三実施形態の整流装置の構成例を表す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structural example of the rectifier device of 3rd Embodiment. 第三実施形態の制御部が生成する制御信号の例を表すイメージ図である。It is an image diagram which shows the example of the control signal generated by the control part of 3rd Embodiment. 実施形態の整流装置の最小限の構成を表すブロック図である。It is a block diagram which shows the minimum structure of the rectifier apparatus of embodiment.

<第一実施形態>
本実施形態の整流装置は、各FETをオフからオンにスイッチングする際に、そのFETに並列接続されたダイオードを、回路中に設けられたコイルの自己誘導及びコンデンサに蓄積された電荷を用いて通電させる。ここで、オンは、ソース−ドレイン間の導通を意味する。また、オフは、ソース−ドレイン間の絶縁を意味する。前記整流装置は、当該通電を、二つのFETをスイッチさせるタイミングを後述されるようにわずかにずらすことにより可能にする。前記整流装置は、それにより、各FETをオフからオンにスイッチングする際のFETのソース−ドレイン間電圧をゼロ近傍にする。そして、前記整流装置は、FETのソース−ドレイン間電圧がゼロ近傍の状態で、オフからオンへのスイッチングを行う。そのため、前記整流装置は、図1に表す一般的な整流装置と比較して、スイッチング損失を低減し得る。
[構成]
図3は、本実施形態の整流装置の例である整流装置100の構成を表す概念図である。
<First Embodiment>
In the rectifier of the present embodiment, when switching each FET from off to on, the diode connected in parallel to the FET is self-induced by a coil provided in the circuit and the electric charge accumulated in the capacitor is used. Energize. Here, on means conduction between source and drain. Off also means insulation between source and drain. The rectifier enables the energization by slightly shifting the timing of switching the two FETs, as described below. The rectifier thereby brings the source-drain voltage of the FETs near zero when switching each FET from off to on. Then, the rectifier switches from off to on while the source-drain voltage of the FET is near zero. Therefore, the rectifying device can reduce the switching loss as compared with the general rectifying device shown in FIG.
[composition]
FIG. 3 is a conceptual diagram showing the configuration of the rectifying device 100, which is an example of the rectifying device of the present embodiment.

整流装置100は、電源801から、配線271及び272を介して入力された交流電圧を直流電圧に変換し、変換後の直流電圧を負荷901に出力する。 The rectifier 100 converts the AC voltage input from the power supply 801 via the wirings 271 and 272 into a DC voltage, and outputs the converted DC voltage to the load 901.

整流装置100は、回路部200と制御部300とを備える。 The rectifier 100 includes a circuit unit 200 and a control unit 300.

回路部200は、チョークコイル241乃至243と、FET211、212、215及び216と、ダイオード231、232、235、236、233、234、235及び236と、コンデンサ251と、電流検出部281とを備える。 The circuit unit 200 includes choke coils 241 to 243, FETs 211, 212, 215 and 216, diodes 231 and 232, 235, 236, 233, 234, 235 and 236, a capacitor 251 and a current detection unit 281. ..

交流電圧である電圧Vinを整流装置100に供給する電源801の端子aに接続された配線271はチョークコイル241の端子aに接続される。チョークコイル241の端子bにはチョークコイル242の端子aが接続される。チョークコイル242の端子bにはFET211の端子sが接続される。また、チョークコイル241の端子bにはチョークコイル243の端子aが接続される。チョークコイル243の端子bにはFET212のd端子(ドレイン端子)が接続される。 Wiring 271 connected to the terminal a of the voltage V in the rectifier 100 to supply power 801 is an AC voltage is connected to the terminal a of the choke coil 241. The terminal a of the choke coil 242 is connected to the terminal b of the choke coil 241. The terminal s of the FET 211 is connected to the terminal b of the choke coil 242. Further, the terminal a of the choke coil 243 is connected to the terminal b of the choke coil 241. The d terminal (drain terminal) of the FET 212 is connected to the terminal b of the choke coil 243.

FET211のs端子(ソース端子)にはコンデンサ253のa端子が接続される。コンデンサ253のb端子にはFET216のd端子が接続される。 The a terminal of the capacitor 253 is connected to the s terminal (source terminal) of the FET 211. The d terminal of the FET 216 is connected to the b terminal of the capacitor 253.

FET212のd端子はコンデンサ252のa端子と接続される。コンデンサ252のb端子はFET215のs端子と接続される。 The d terminal of the FET 212 is connected to the a terminal of the capacitor 252. The b terminal of the capacitor 252 is connected to the s terminal of the FET 215.

電源801のb端子は、ダイオード233のan端子(アノード端子)及びダイオード234のc端子(カソード端子)が接続される。 The an terminal (anode terminal) of the diode 233 and the c terminal (cathode terminal) of the diode 234 are connected to the b terminal of the power supply 801.

FET211のd端子、FET215のd端子、ダイオード233のc端子とコンデンサ251のプラス端子が接続される。 The d terminal of the FET 211, the d terminal of the FET 215, the c terminal of the diode 233 and the positive terminal of the capacitor 251 are connected.

FET212のs端子、FET216のs端子、ダイオード234のan端子とコンデンサ251のマイナス端子が接続される。 The s terminal of the FET 212, the s terminal of the FET 216, the an terminal of the diode 234 and the negative terminal of the capacitor 251 are connected.

FET211と並列にダイオード231が、FET212と並列にダイオード232が、FET215と並列にダイオード235が、FET216と並列にダイオード236が、各々、接続されている。 A diode 231 is connected in parallel with the FET 211, a diode 232 is connected in parallel with the FET 212, a diode 235 is connected in parallel with the FET 215, and a diode 236 is connected in parallel with the FET 216.

なお、各FETと並列に接続されているダイオードは、そのFETの構成の一部でありダイオードとして機能し得るボディダイオードでも構わない。 The diode connected in parallel with each FET may be a body diode that is a part of the structure of the FET and can function as a diode.

電流検出部281は、配線272を流れる電流値Iinを制御部300に送付する。 The current detection unit 281 sends the current value I in flowing through the wiring 272 to the control unit 300.

FET211、212、215及び216の各々は、ゲートに入力された後述のPWM制御信号である信号SPWM1、SPWM2、SPWM5及びSPWM6の各々に従い、そのFETのソース−ドレイン間を導通(オン)させ又は絶縁(オフ)させる。なお、本実施形態においては、ソース−ドレイン間が導通(オン)した場合には、ソースからドレインへの電流経路及びドレインからソースへの電流経路がいずれも形成されるものとする。 Each of the FETs 211, 212, 215 and 216 follows each of the signals S PWM 1, S PWM 2, S PWM 5 and S PWM 6 which are PWM control signals described later input to the gate, and is between the source and drain of the FET. Conduct (on) or insulate (off). In the present embodiment, when the source-drain is conducted (on), a current path from the source to the drain and a current path from the drain to the source are both formed.

コンデンサ251は、PWM後の信号に対し平滑化処理を行う。 The capacitor 251 performs a smoothing process on the signal after PWM.

制御部300には、電流値Iin、電圧値VinL1、VinL2及びVoutが入力される。 The current value I in , the voltage values V in L1 , V in L2, and V out are input to the control unit 300.

ここで、電流値Iinは、配線272における電流値である。また、電圧値VinL1は配線271の電圧値である。また、電圧値VinL2は配線272の電圧値である。電圧値VinL1から電圧値VinL2を減じた値が、電源801による入力交流電圧である電圧Vinである。また、電圧値Voutは、コンデンサ251のプラス側の電圧値である。 Here, the current value I in is the current value in the wiring 272. Further, the voltage value VinL1 is the voltage value of the wiring 271. Further, the voltage value VinL2 is the voltage value of the wiring 272. The value obtained by subtracting the voltage value V INL2 from the voltage value V INL1, a voltage V in is the input AC voltage by the power source 801. The voltage value V out is a voltage value on the positive side of the capacitor 251.

制御部300は、電流値Iin及び電圧値VinL1、VinL2及びVoutにより、PWM制御信号である信号SPWM1、SPWM2、SPWM5及びSPWM6を生成する。制御部300は、当該調整を、入力電流波形が入力交流電圧波形と相似になり、かつ、コンデンサ251のプラス側の電圧が可能な限り一定に近づくように行う。なお、入力電流波形が入力交流電圧波形と相似になり、かつ、コンデンサ251のプラス側の電圧が一定になるようにPWM制御信号を調整する方法については特許文献1及び2に記載があり周知である。従い、ここではその説明は省略される。 The control unit 300 generates PWM control signals S PWM 1, S PWM 2, S PWM 5 and S PWM 6 based on the current values I in and the voltage values V in L1 , Vin L2 and V out. The control unit 300 performs the adjustment so that the input current waveform is similar to the input AC voltage waveform and the voltage on the positive side of the capacitor 251 is as close to constant as possible. Patent Documents 1 and 2 describe a method of adjusting the PWM control signal so that the input current waveform is similar to the input AC voltage waveform and the voltage on the positive side of the capacitor 251 is constant, which is well known. be. Therefore, the explanation is omitted here.

図4は、上記のように調整された制御部300が生成する制御信号の例を表すイメージ図である。図4には、図3に表す電源801がその端子a−b間に供給する交流入力電圧である電圧Vinも併記してある。 FIG. 4 is an image diagram showing an example of a control signal generated by the control unit 300 adjusted as described above. 4 shows a power supply 801 depicted in FIG. 3 are also shown the voltage V in is an AC input voltage supplied between the terminals a-b.

図3に表す制御部300は、電流値Iin及び電圧値VinL1、VinL2及びVoutにより、PWM制御信号のパルス幅を調整する。制御部300は、当該調整を、入力電流波形が入力交流電圧波形と相似になり、かつ、コンデンサ251のプラス側の電圧ができるだけ一定になるように行う。入力電流波形が入力交流電圧波形と相似になり、かつ、コンデンサ251のプラス側の電圧が一定に近づくようにPWM制御信号を調整する方法については特許文献1及び2に記載があり周知である。 The control unit 300 shown in FIG. 3 adjusts the pulse width of the PWM control signal according to the current value I in and the voltage values V in L1 , V in L2, and V out. The control unit 300 performs the adjustment so that the input current waveform is similar to the input AC voltage waveform and the voltage on the positive side of the capacitor 251 is as constant as possible. Patent Documents 1 and 2 describe and are well known a method of adjusting the PWM control signal so that the input current waveform becomes similar to the input AC voltage waveform and the voltage on the positive side of the capacitor 251 approaches a constant value.

なお、実施形態のPWM制御信号調整は、特許文献1及び2の方法を基に、図4を参照して後述するように、FET211に送られる信号SPWM1とFET212に送られる信号SPWM2とで、切り替わるタイミングとずらしたものである。そのような場合でも、コンデンサ251のプラス側の電圧の変動幅が、想定される範囲であるプラスマイナス15%以下にできることは測定により確認されている。 Incidentally, the PWM control signal adjustment embodiments, based on the method of Patent Document 1 and 2, as will be described later with reference to FIG. 4, in a signal S PWM2 sent to the signal S PWM1 sent to FET 211 FET 212 , The timing of switching is different. Even in such a case, it has been confirmed by measurement that the fluctuation range of the voltage on the positive side of the capacitor 251 can be within the expected range of plus or minus 15%.

整流装置100からの出力をさらに一定に近づけたい場合には、整流装置100の後段の負荷901内に、周知の電圧安定化回路を接続すれば良い。 If it is desired to make the output from the rectifier 100 even closer to a constant value, a well-known voltage stabilization circuit may be connected in the load 901 at the subsequent stage of the rectifier 100.

なお、制御部300は、電圧Vinの値が正の半周期においては、信号SPWM5を信号SPWM1と同じとし、電圧Vinの値が負の半周期においては、信号SPWM5をオフレベルとする。また、制御部300は、電圧Vinの値が正の半周期においては、信号SPWM6をオフレベルとし、電圧Vinの値が負の半周期においては、信号SPWM6を信号SPWM2と同じとする。 The control unit 300 sets the signal S PWM 5 to be the same as the signal S PWM 1 in the half cycle in which the voltage Vin value is positive, and turns off the signal S PWM 5 in the half cycle in which the voltage Vin value is negative. Set as a level. Further, the control unit 300 sets the signal S PWM 6 as an off level in the half cycle when the voltage Vin value is positive, and sets the signal S PWM 6 as the signal S PWM 2 in the negative half cycle when the voltage Vin value is negative. Same.

制御部300は、PWM制御信号を生成する際に、本実施形態における以下の調整を行う。 The control unit 300 makes the following adjustments in the present embodiment when generating the PWM control signal.

制御部300は、信号SPWM2を生成する際に、信号SPWM2を、信号SPWM1を反転させた信号そのものにするのではなく、以下に説明する、信号SPWM1を反転させた信号に近い信号にする。 Control unit 300, when generating the signal S PWM 2, the signal S PWM 2, rather than the signal itself obtained by inverting the signal S PWM 1, described below, by inverting the signal S PWM 1 Make the signal close to the signal.

制御部300は、さらに、電圧Vinの値が正である半周期(時刻a−c間)においては次のようにする。 The control unit 300 further performs the following in a half cycle (between time a and c) in which the value of the voltage Vin is positive.

すなわち、制御部300は、信号SPWM2の負方向のパルス(パルスP2a乃至P2d等)の各々の時間的中心を、信号SPWM1の正方向のパルス(パルスP1a乃至P1d等)の各々の時間的中心と一致させる。制御部300は、また、信号SPWM2の負方向のパルス(パルスP2a乃至P2d等)の各々の幅を、信号SPWM1の正方向のパルス(パルスP1a乃至P1d等)の各々の幅より少し大きくする。これらにより、信号SPWM1の正方向のパルスの各々の両側に、信号SPWM1も信号SPWM2もオンのレベルにならない期間が存在するようになる。 That is, the control unit 300 sets the time center of each of the negative-direction pulses (pulses P2a to P2d, etc.) of the signal S PWM 2 to each of the positive-direction pulses (pulses P1a to P1d, etc.) of the signal S PWM 1. Align with the time center. The control unit 300 also sets the width of each of the negative pulses (pulses P2a to P2d, etc.) of the signal S PWM 2 from the width of each of the positive pulses (pulses P1a to P1d, etc.) of the signal S PWM 1. Make it a little bigger. These result, on both sides of each of the positive going pulse of the signal S PWM 1, so that the period in which the signal S PWM 1 also signal S PWM 2 also not be level on existing.

信号SPWM1も信号SPWM2もオンのレベルにならない期間は、可能な限り短くする。その理由は、当該期間が長いと、コンデンサ251のプラス側の電圧の変動が大きくなるためである。 The period during which neither the signal S PWM 1 nor the signal S PWM 2 is turned on is shortened as much as possible. The reason is that if the period is long, the fluctuation of the voltage on the positive side of the capacitor 251 becomes large.

また、制御部300は、電圧Vinの値が負である半周期(時刻c−e間)においては次のようにする。 Further, the control unit 300 performs as follows in a half cycle (between time ce) in which the value of the voltage Vin is negative.

すなわち、制御部300は、信号SPWM2の正方向のパルス(パルスP2e乃至P2h等)の各々の時間的中心を、信号SPWM1の負方向のパルス(パルスP1e乃至P1h等)の各々の時間的中心と一致させる。制御部300は、また、信号SPWM1の負方向のパルス(パルスP1e乃至P1h等)の各々の幅は、信号SPWM2の正方向のパルス(パルスP2e乃至P2h等)の各々の幅より少し大きくする。これらにより、信号SPWM2の正方向のパルスの各々の両側に、信号SPWM1も信号SPWM2もオンのレベルにならない期間が存在するようになる。信号SPWM1も信号SPWM2もオンのレベルにならない期間は、可能な限り短くする。その理由は、当該期間が長いと、コンデンサ251のプラス側の電圧の変動が大きくなるためである。
[動作]
図3に表す整流装置100は、図1に表す整流装置101と比較して、FET211及び212の各々のスイッチング損失を小さくすることができる。以下、その根拠となる動作を説明する。
That is, the control unit 300 sets the time center of each of the positive pulses (pulses P2e to P2h, etc.) of the signal S PWM 2 as the time center of each of the negative pulses (pulses P1e to P1h, etc.) of the signal S PWM 1. Align with the time center. In the control unit 300, the width of each of the negative pulses (pulses P1e to P1h, etc.) of the signal S PWM 1 is larger than the width of each of the positive pulses (pulses P2e to P2h, etc.) of the signal S PWM 2. Make it a little bigger. These result, on both sides of each of the positive going pulse of the signal S PWM 2, so that the period in which the signal S PWM 1 also signal S PWM 2 also not be level on existing. The period during which neither the signal S PWM 1 nor the signal S PWM 2 is turned on is shortened as much as possible. The reason is that if the period is long, the fluctuation of the voltage on the positive side of the capacitor 251 becomes large.
[motion]
The rectifying device 100 shown in FIG. 3 can reduce the switching loss of each of the FETs 211 and 212 as compared with the rectifying device 101 shown in FIG. The operation that is the basis for this will be described below.

まず、電圧Vinが正になる半周期(図4の時刻a−c間)で行われる各FETのスイッチング動作においてスイッチング損失の低減が図られる理由を、図4に表す時刻b近傍の時刻における例において、説明する。 First, the reason why the voltage V in the reduction of switching losses is achieved in the switching operation of each FET to be performed by the positive going half cycle (between time a-c in FIG. 4), at the time of the time b near depicted in FIG. 4 In the example, it will be described.

図5は、図4に表す時刻b近傍の期間を拡大して、電圧Vin、信号SPWM1、SPWM2、SPWM5及びSPWM6を表した図である。 Figure 5 is an enlarged period from time b near depicted in FIG. 4 is a diagram showing voltage V in, the signal S PWM 1, S PWM 2, S PWM 5 and S PWM 6.

図5に表す時刻b1における信号SPWM2はオンレベルである。そのため、FET212はソース−ドレイン間を短絡している。これにより、チョークコイル241、チョークコイル243、FET212のソース−ドレイン間、ダイオード234の経路に電流が流れる。そして、チョークコイル241に、電流が流れることによるエネルギーが蓄積される。 The signal S PWM 2 at time b1 shown in FIG. 5 is on-level. Therefore, the FET 212 is short-circuited between the source and the drain. As a result, a current flows between the source and drain of the choke coil 241 and the choke coil 243 and the FET 212, and in the path of the diode 234. Then, energy is stored in the choke coil 241 due to the flow of an electric current.

次に、時刻b2において、信号SPWM2がオンレベルからオフレベルへ移行する。 Next, at time b2, the signal S PWM 2 shifts from the on level to the off level.

時刻b2−b3間は、図4を参照して説明した、信号SPWM1及びSPWM2がいずれもオフレベルの期間である。この期間においては、時刻b2以前においてチョークコイル241に蓄積されたエネルギーによる自己誘導により、チョークコイル242、FET211と並列に接続されたダイオード231、コンデンサ251、ダイオード234を含む経路に電流が流れる。またチョークコイル243に蓄積されたエネルギーによる自己誘導によりチョークコイル243、コンデンサ252、ダイオード235、コンデンサ251、ダイオード234を含む経路に電流が流れる。時刻b3においては、そのような電流が生じている。 The time b2-b3 is a period during which both the signals S PWM 1 and S PWM 2 described with reference to FIG. 4 are off-level. In this period, a current flows through the path including the choke coil 242, the diode 231 connected in parallel with the FET 211, the capacitor 251 and the diode 234 by self-induction by the energy stored in the choke coil 241 before the time b2. Further, a current flows through a path including the choke coil 243, the capacitor 252, the diode 235, the capacitor 251 and the diode 234 by self-induction by the energy stored in the choke coil 243. At time b3, such a current is generated.

この電流が流れている状態の時刻b3において、信号SPWM1及びSPWM5はオフレベルからオンレベルに移行する。これにより、FET211及び215は、オフからオンに移行する。 At time b3 in which this current is flowing, the signals S PWM 1 and S PWM 5 shift from the off level to the on level. As a result, the FETs 211 and 215 shift from off to on.

FET211と並列に接続されたダイオード231が上述のように通電しているということは、FET211のソース−ドレイン間の電圧がゼロに近いことを意味する。そのため、FET211のスイッチングは、各々のソース−ドレイン間の電圧がほぼゼロの状態で行われる。 The fact that the diode 231 connected in parallel with the FET 211 is energized as described above means that the voltage between the source and the drain of the FET 211 is close to zero. Therefore, the switching of the FET 211 is performed in a state where the voltage between each source and drain is almost zero.

また、FET215と並列に接続されたダイオード235が上述のように通電しているということは、FET215のソース−ドレイン間の電圧がゼロに近いことを意味する。そのため、FET215のスイッチングは、各々のソース−ドレイン間の電圧がほぼゼロの状態で行われる。 Further, the fact that the diode 235 connected in parallel with the FET 215 is energized as described above means that the voltage between the source and the drain of the FET 215 is close to zero. Therefore, the switching of the FET 215 is performed in a state where the voltage between each source and drain is almost zero.

従い、FET211及びFET215がオフからオンに移行する際のスイッチング損失は、図1に表すFET211がオフからオンに移行する際のスイッチング損失と比較して低減される。 Therefore, the switching loss when the FET 211 and the FET 215 shift from off to on is reduced as compared with the switching loss when the FET 211 shown in FIG. 1 shifts from off to on.

その後、時刻b3−b4間においては、信号SPWM1及びSPWM5はオンレベルでありSPWM2はオフレベルである。そのため、FET211及びFET215はオンでありFET212はオフである。そして、時刻b3以降においてチョークコイル243に蓄積されたエネルギーによる自己誘導により電流の放出が完了とする。すると、チョークコイル243からの放出電流により充電されたコンデンサ252により、コンデンサ252、チョークコイル243、チョークコイル242、FET211のソース−ドレイン間を含む経路を、この向きに、電流が流れる。 After that, during the time b3-b4, the signals S PWM 1 and S PWM 5 are on level and S PWM 2 is off level. Therefore, FET 211 and FET 215 are on and FET 212 is off. Then, after time b3, the discharge of the current is completed by self-induction by the energy stored in the choke coil 243. Then, the capacitor 252 charged by the discharge current from the choke coil 243 causes a current to flow in this direction along the path including the capacitor 252, the choke coil 243, the choke coil 242, and the source and drain of the FET 211.

その後、時刻b4において信号SPWM1及びSPWM5が、オンレベルからオフレベルに切り替わる。これにより、FET211及びFET215が、オンからオフへ移行する。 Then, at time b4, the signals S PWM 1 and S PWM 5 switch from the on level to the off level. As a result, the FET 211 and the FET 215 shift from on to off.

その後、時刻b4−b5間において、チョークコイル243に蓄えられたエネルギーによる自己誘導によりFET212のソース−ドレイン間に並列接続されるダイオード232に電流が流れる。 Then, between times b4-b5, a current flows through the diode 232 connected in parallel between the source and drain of the FET 212 by self-induction by the energy stored in the choke coil 243.

その後、時刻b5において、信号SPWM2は、オフレベルからオンレベルに切り替わる。これにより、FET212は、オフからオンへ移行する。その際に、FET212に並列に接続されるダイオード232には電流が流れており、FET212のソース/ドレイン間の電圧はほぼゼロである。そのため、FET212は、ソース/ドレイン間の電圧がほぼゼロの状態でスイッチングを行う。そのため、FET212のスイッチング損失は、図1に表す場合と比較して低減される。 Then, at time b5, the signal S PWM 2 switches from off-level to on-level. As a result, the FET 212 shifts from off to on. At that time, a current is flowing through the diode 232 connected in parallel with the FET 212, and the voltage between the source and the drain of the FET 212 is almost zero. Therefore, the FET 212 switches in a state where the voltage between the source and the drain is almost zero. Therefore, the switching loss of the FET 212 is reduced as compared with the case shown in FIG.

なお、電圧Vinが正になる半周期(図4の時刻a−c間)で信号SPWM5を常にオンレベルにはせず、信号SPWM1と等しくするのは、以下の理由による。 Incidentally, always not to the on-level signal S PWM 5 half cycle of the voltage V in is positive (between times a-c of FIG. 4), to equal the signal S PWM 1 for the following reason.

信号SPWM5を当該半周期の間オンレベルにすると、コンデンサ251には、電源801からの入力電圧のピーク電圧以上の電圧が印加される。その理由は、回路部200の回路が昇圧回路のため、出力電圧は入力電圧のピーク値より大きな値になるためである。そのため、FET215がオンの状態でFET212がオンになるとコンデンサ251、FET215のソース−ドレイン間、コンデンサ252、FET212のソースドレイン間、コンデンサ251を含む電流ループに、この向きに電流が流れる。当該電流ループ内で電流を制限するものはFET215及びFET212のソース−ドレイン間抵抗のみであり、この抵抗の抵抗値は一般的なFETでは0.1Ω程度と低いため、当該電流ループには突入電流が流れる。当該突入電流により、FET212及びFET215のソース−ドレイン間での損失が増大するのが、上記理由である。 When the signal S PWM 5 is turned on for the half cycle, a voltage equal to or higher than the peak voltage of the input voltage from the power supply 801 is applied to the capacitor 251. The reason is that the circuit of the circuit unit 200 is a booster circuit, so that the output voltage becomes a value larger than the peak value of the input voltage. Therefore, when the FET 212 is turned on while the FET 215 is on, a current flows in this direction in the current loop including the capacitor 251 and the source and drain of the FET 215, the capacitor 252 and the source and drain of the FET 212, and the capacitor 251. Only the source-drain resistance of FET 215 and FET 212 limits the current in the current loop, and since the resistance value of this resistance is as low as about 0.1Ω in a general FET, the inrush current enters the current loop. Flows. The reason is that the inrush current increases the loss between the source and drain of the FET 212 and the FET 215.

以上の説明は、配線271の電圧が配線272の電圧よりも高くなる半周期(図4の時刻a−c間)に行われる、FET211及び212の、他のスイッチング動作についても当てはまる。 The above description also applies to other switching operations of the FETs 211 and 212, which are performed in a half cycle (between times a and c in FIG. 4) when the voltage of the wiring 271 becomes higher than the voltage of the wiring 272.

次に、配線271の電圧が配線272の電圧よりも低くなる半周期(図4の時刻c−e間)で行われる各FETのスイッチング動作において、スイッチング損失が低減される理由を、図4に表す時刻d近傍の時刻における例により、説明する。 Next, FIG. 4 shows the reason why the switching loss is reduced in the switching operation of each FET performed in a half cycle (between time ce in FIG. 4) in which the voltage of the wiring 271 becomes lower than the voltage of the wiring 272. This will be described with reference to an example at a time near the time d represented.

図6は、図4に表す時刻d近傍の時間を拡大して電圧Vin及び信号SPWM1、SPWM2、SPWM5及びSPWM6を表した図である。 Figure 6 is a diagram showing a time voltage V in and signal S PWM 1 to expand the time of d vicinity, S PWM 2, S PWM 5 and S PWM 6 depicted in FIG.

図6に表す時刻d1における信号SPWM1はオンレベルである。そのため、FET211はソース−ドレイン間を短絡している。これにより、ダイオード233、FET211のソース−ドレイン間、チョークコイル242、チョークコイル241を含む経路に、この順に、電流が流れる。そして、チョークコイル241に、電流が流れることによるエネルギーが蓄積される。 The signal S PWM 1 at time d1 shown in FIG. 6 is on-level. Therefore, the FET 211 has a short circuit between the source and the drain. As a result, a current flows in this order in the path including the diode 233, the source and drain of the FET 211, the choke coil 242, and the choke coil 241. Then, energy is stored in the choke coil 241 due to the flow of an electric current.

次に、時刻d2において、FET211がオンからオフへ移行する。 Next, at time d2, the FET 211 shifts from on to off.

時刻d2−d3間は、図4を参照して説明した、信号SPWM1及びSPWM2が、いずれも、オフレベルの期間である。この期間においては、ダイオード233、コンデンサ251、FET212と並列に接続されたダイオード232、チョークコイル243を含む経路に、この順に、電流が流れる。当該電流は、時刻d2以前においてチョークコイル241に蓄積されたエネルギーによる自己誘導によるものである。 Between the times d2-d3, both the signals S PWM 1 and S PWM 2 described with reference to FIG. 4 are off-level periods. In this period, the current flows in this order through the path including the diode 233, the capacitor 251 and the diode 232 connected in parallel with the FET 212, and the choke coil 243. The current is due to self-induction by the energy stored in the choke coil 241 before time d2.

またダイオード233、コンデンサ251、FET216と並列に接続されたダイオード236、コンデンサ253、チョークコイル242及びチョークコイル241を含む経路に、この順に電流が流れる。当該電流は、チョークコイル242に蓄積されたエネルギーによる自己誘導によるものである。時刻d3においては、そのような電流が生じている。 Further, a current flows in this order through a path including the diode 233, the capacitor 251 and the diode 236 connected in parallel with the FET 216, the capacitor 253, the choke coil 242 and the choke coil 241. The current is due to self-induction by the energy stored in the choke coil 242. At time d3, such a current is generated.

この電流が流れている時刻d3において、信号SPWM2及びSPWM6がオフレベルからオンレベルに移行する。これにより、FET212及びFET216は、オフからオンへ移行する。 At the time d3 when this current is flowing, the signals S PWM 2 and S PWM 6 shift from the off level to the on level. As a result, the FET 212 and the FET 216 shift from off to on.

FET212と並列に接続されたダイオード232が上述のように通電しているということは、FET212のソース−ドレイン間の電圧がゼロに近いことを意味する。そのため、FET212のスイッチングは、各々のソース−ドレイン間の電圧がほぼゼロの状態で行われる。 The fact that the diode 232 connected in parallel with the FET 212 is energized as described above means that the voltage between the source and the drain of the FET 212 is close to zero. Therefore, the switching of the FET 212 is performed in a state where the voltage between each source and drain is almost zero.

また、FET216と並列に接続されたダイオード236が上述のように通電しているということは、FET216のソース−ドレイン間の電圧がゼロに近いことを意味する。そのため、FET216のスイッチングは、各々のソース−ドレイン間の電圧がほぼゼロの状態で行われる。 Further, the fact that the diode 236 connected in parallel with the FET 216 is energized as described above means that the voltage between the source and the drain of the FET 216 is close to zero. Therefore, the switching of the FET 216 is performed in a state where the voltage between each source and drain is almost zero.

従い、FET212及びFET216がオフからオンへ移行する際のスイッチング損失は、図1に表すFET212がオフからオンへ移行する際のスイッチング損失より低減される。 Therefore, the switching loss when the FET 212 and the FET 216 shift from off to on is smaller than the switching loss when the FET 212 shown in FIG. 1 shifts from off to on.

その後、時刻d3−d4間においては、信号SPWM2及びSPWM6はオンレベルでありSPWM1はオフレベルである。そして、FET212及びFET216がオンでありFET211はオフである。そして、時刻d3以降においてチョークコイル242に蓄積されたエネルギーによる自己誘導による電流の放出が完了する。すると、FET216のソース−ドレイン間、FET212のソース−ドレイン間、チョークコイル243、チョークコイル242及びコンデンサ253を含む経路を、この順に、電流が流れる。当該電流は、チョークコイル242からの電流により充電されたコンデンサ253からの放電により生じるものである。 After that, during the time d3-d4, the signals S PWM 2 and S PWM 6 are on level and S PWM 1 is off level. Then, FET 212 and FET 216 are on and FET 211 is off. Then, after time d3, the self-induction current emission by the energy stored in the choke coil 242 is completed. Then, the current flows in this order through the path including the source-drain of the FET 216, the source-drain of the FET 212, the choke coil 243, the choke coil 242, and the capacitor 253. The current is generated by discharging from the capacitor 253 charged by the current from the choke coil 242.

その後、時刻d4において信号SPWM2及び信号SPWM6が、オンレベルからオフレベルに切り替わる。これにより、FET212及びFET216が、オンからオフへ移行する。 After that, at time d4, the signal S PWM 2 and the signal S PWM 6 are switched from the on level to the off level. As a result, the FET 212 and the FET 216 shift from on to off.

その後、時刻d4−d5間において、チョークコイル242に蓄えられたエネルギーによる自己誘導によりコンデンサ253に充電されていた電荷は、FET211のソース−ドレイン間に並列接続されるダイオード231に電流が流れる。 After that, during the time d4-d5, the electric charge charged in the capacitor 253 by self-induction by the energy stored in the choke coil 242 flows through the diode 231 connected in parallel between the source and drain of the FET 211.

その後、時刻d5において、信号SPWM1は、オフレベルからオンレベルに切り替わる。これにより、FET211は、オフからオンへ移行する。 Then, at time d5, the signal S PWM 1 switches from off-level to on-level. As a result, the FET 211 shifts from off to on.

その際に、FET211に並列に接続されるダイオード231には電流が流れており、FET211のソース/ドレイン間の電圧はほぼゼロである。そのため、FET211は、ソース/ドレイン間の電圧がほぼゼロの状態でスイッチングを行う。 At that time, a current is flowing through the diode 231 connected in parallel with the FET 211, and the voltage between the source and the drain of the FET 211 is almost zero. Therefore, the FET 211 switches in a state where the voltage between the source and the drain is almost zero.

そのため、FET211のスイッチング損失は、図1に表すFET211のスイッチング電圧と比較して低減される。 Therefore, the switching loss of the FET 211 is reduced as compared with the switching voltage of the FET 211 shown in FIG.

なお、電圧Vinが負になる半周期(図4の時刻c−e間)で信号SPWM6を常にオンレベルにはせず、信号SPWM2と等しくするのは、以下の理由による。 Incidentally, always not to the on-level signal S PWM 6 half cycle of the voltage V in is negative (between time c-e of FIG. 4), to equal the signal S PWM 2 for the following reason.

信号SPWM6を当該半周期の間オンレベルにすると、コンデンサ251には、電源801からの入力電圧のピーク電圧以上の電圧が印加される。その理由は、回路部200の回路が昇圧回路のため、出力電圧は入力電圧のピーク値より大きな値になるためである。そのため、FET216がオンの状態でFET211がオンになるとコンデンサ251、FET211のドレイン−ソース間、コンデンサ253、FET216のドレイン−ソース間、コンデンサ251を含む電流ループに、この向きに電流が流れる。当該電流ループ内で電流を制限するものはFET211及びFET216のドレイン−ソース間抵抗のみであり、この抵抗の抵抗値は一般的なFETでは0.1Ω程度と低いため、当該電流ループには突入電流が流れる。当該突入電流により、FET211及びFET216のドレイン−ソース間での通電損失が増大するのが、上記理由である。 When the signal S PWM 6 is turned on for the half cycle, a voltage equal to or higher than the peak voltage of the input voltage from the power supply 801 is applied to the capacitor 251. The reason is that the circuit of the circuit unit 200 is a booster circuit, so that the output voltage becomes a value larger than the peak value of the input voltage. Therefore, when the FET 211 is turned on while the FET 216 is on, a current flows in this direction in the current loop including the capacitor 251 and the drain and the source of the FET 211, the capacitor 253 and the drain and the source of the FET 216, and the capacitor 251. Only the drain-source resistance of FET 211 and FET 216 limits the current in the current loop, and the resistance value of this resistance is as low as about 0.1Ω in a general FET, so that the inrush current enters the current loop. Flows. The reason is that the inrush current increases the energization loss between the drain and the source of the FET 211 and the FET 216.

以上の説明は、配線271の電圧が配線272の電圧よりも低くなる半周期(図4の時刻c−e間)に行われる、各FETの他のスイッチング動作についても当てはまる。 The above description also applies to other switching operations of each FET performed in a half cycle (between time ce in FIG. 4) when the voltage of the wiring 271 becomes lower than the voltage of the wiring 272.

以上により、図3に表す整流装置は、図1に表す整流装置101と比較して、FET211及びFET212のスイッチング損失を低減し得る。
[効果]
本実施形態の整流装置は、上述の動作により、一般的な整流装置と比較して、スイッチング損失を低減し得る。
<第二実施形態>
第二実施形態は、FETとダイオードとの並列接続の各々に対して、さらにコンデンサを並列接続する整流装置に関する実施形態である。
[構成]
図7は、第二実施形態の整流装置の例である整流装置100の構成を表す図である。
As described above, the rectifying device shown in FIG. 3 can reduce the switching loss of the FET 211 and the FET 212 as compared with the rectifying device 101 shown in FIG.
[effect]
The rectifying device of the present embodiment can reduce the switching loss as compared with the general rectifying device by the above-mentioned operation.
<Second embodiment>
The second embodiment relates to a rectifier in which a capacitor is further connected in parallel to each of the parallel connections of the FET and the diode.
[composition]
FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the rectifying device 100, which is an example of the rectifying device of the second embodiment.

図7に表す整流装置100は、以下の説明が、図3に表す第一実施形態の整流装置100の説明と異なる。以下、図7に表す第二実施形態の整流装置100の図3に表す第一実施形態の整流装置と異なる部分について説明する。第一実施形態の説明と以下の説明とが矛盾する場合は、以下の説明を優先する。 The following description of the rectifier 100 shown in FIG. 7 is different from that of the rectifier 100 of the first embodiment shown in FIG. Hereinafter, a portion of the rectifying device 100 of the second embodiment shown in FIG. 7 which is different from the rectifying device of the first embodiment shown in FIG. 3 will be described. If the description of the first embodiment and the following description are inconsistent, the following description takes precedence.

回路部200は、図3に表す第一実施形態の整流装置100が備える構成に加えてコンデンサ221、222、225及び226を備える。 The circuit unit 200 includes capacitors 221, 222, 225 and 226 in addition to the configuration provided in the rectifier 100 of the first embodiment shown in FIG.

コンデンサ221、222、225及び226の各々は、FET211、212、215及び216の各々のソース及びドレインに並列に接続される。
[動作]
以下、図7に表す整流装置100の動作のうち図3に表す整流装置100の動作と異なる部分について説明する。以下の説明と図3の説明とが矛盾するときは、以下の説明を優先する。
Each of the capacitors 221, 222, 225 and 226 is connected in parallel to the respective sources and drains of the FETs 211, 212, 215 and 216.
[motion]
Hereinafter, a portion of the operation of the rectifying device 100 shown in FIG. 7 that differs from the operation of the rectifying device 100 shown in FIG. 3 will be described. If the following description and the description in FIG. 3 are inconsistent, the following description takes precedence.

図5に表す時刻b2において、FET212がオンからオフへ移行する際に、FET212のソース−ドレイン間電圧は上昇する。しかしながら、当該上昇は、FET212と並列に接続されたコンデンサ222により遅れる。一方、FET212のソース−ドレイン間を流れる電流は急速にゼロに近づく。すなわち、ソース−ドレイン間の電圧上昇が遅れ、当該電圧がまだ小さいうちに、ソース−ドレイン間をオフにするスイッチング動作が行われる。そのため、FET212がオンからオフへ移行する際のスイッチング損失は、コンデンサ222が存在しない図3の整流装置100より低減される。 At time b2 shown in FIG. 5, when the FET 212 shifts from on to off, the source-drain voltage of the FET 212 rises. However, the rise is delayed by the capacitor 222 connected in parallel with the FET 212. On the other hand, the current flowing between the source and drain of the FET 212 rapidly approaches zero. That is, the voltage rise between the source and the drain is delayed, and while the voltage is still small, the switching operation for turning off the source and the drain is performed. Therefore, the switching loss when the FET 212 shifts from on to off is reduced as compared with the rectifier 100 of FIG. 3 in which the capacitor 222 does not exist.

また、図5に表す時刻b4においてFET211及び215がオンからオフへ移行する際に、FET211及び215の各々のソース−ドレイン間の電圧は上昇する。しかしながら、FET211及び215の各々のソース−ドレイン間の電圧上昇は、FET211に並列に接続されたコンデンサ221及びFET215に並列に接続されたコンデンサ225により遅れる。一方、FET211のソース−ドレイン間を流れる電流は急速にゼロに近づく。すなわち、ソース−ドレイン間の電圧上昇が遅れ、当該電圧がまだ小さいうちに、ソース−ドレイン間をオフにするスイッチング動作が行われる。そのため、FET211及び215におけるスイッチング損失は、コンデンサ221及び225が存在しない図3の整流装置100より低減される。 Further, when the FETs 211 and 215 shift from on to off at the time b4 shown in FIG. 5, the voltage between the source and the drain of each of the FETs 211 and 215 rises. However, the voltage rise between the source and drain of each of the FET 211 and 215 is delayed by the capacitor 221 connected in parallel with the FET 211 and the capacitor 225 connected in parallel with the FET 215. On the other hand, the current flowing between the source and drain of the FET 211 rapidly approaches zero. That is, the voltage rise between the source and the drain is delayed, and while the voltage is still small, the switching operation for turning off the source and the drain is performed. Therefore, the switching loss in the FETs 211 and 215 is reduced as compared with the rectifier 100 in FIG. 3 in which the capacitors 221 and 225 are not present.

また、図6に表す時刻d2において、FET211がオンからオフへ移行する際に、FET211のソース−ドレイン間の電圧は、当該移行により上昇する。しかしながら、当該上昇は、FET211と並列に接続されたコンデンサ221により遅れる。一方、FET211のソース−ドレイン間の電流は急速にゼロに近づく。すなわち、ソース−ドレイン間の電圧上昇が遅れ、当該電圧がまだ小さいうちに、ソース−ドレイン間をオフにするスイッチング動作が行われる。そのため、FET211がオンからオフへ移行する際のスイッチング損失は、コンデンサ221が存在しない図3の整流装置100と比較して低減される。 Further, at the time d2 shown in FIG. 6, when the FET 211 shifts from on to off, the voltage between the source and drain of the FET 211 rises due to the shift. However, the rise is delayed by the capacitor 221 connected in parallel with the FET 211. On the other hand, the source-drain current of FET 211 rapidly approaches zero. That is, the voltage rise between the source and the drain is delayed, and while the voltage is still small, the switching operation for turning off the source and the drain is performed. Therefore, the switching loss when the FET 211 shifts from on to off is reduced as compared with the rectifier 100 of FIG. 3 in which the capacitor 221 does not exist.

また、図6に表す時刻d4においてFET212及び216がオンからオフへ移行する際に、FET212及び216の各々のソース−ドレイン間の電圧は上昇する。しかしながら、FET212及び216の各々のソース−ドレイン間の電圧上昇は、FET212に並列に接続されたコンデンサ222、及び、FET216に並列に接続されたコンデンサ226、により遅れる。一方、FET212及び216のソース−ドレイン間を流れる電流は急速にゼロに近づく。すなわち、ソース−ドレイン間の電圧上昇が遅れ、当該電圧がまだ小さいうちに、ソース−ドレイン間をオフにするスイッチング動作が行われる。そのため、FET212及び216におけるスイッチング損失は、コンデンサ222及び226が存在しない図3の整流装置100より低減される。 Further, when the FETs 212 and 216 shift from on to off at the time d4 shown in FIG. 6, the voltage between the source and the drain of each of the FETs 212 and 216 rises. However, the voltage rise between the source and drain of each of the FET 212 and 216 is delayed by the capacitor 222 connected in parallel with the FET 212 and the capacitor 226 connected in parallel with the FET 216. On the other hand, the current flowing between the source and drain of the FETs 212 and 216 rapidly approaches zero. That is, the voltage rise between the source and the drain is delayed, and while the voltage is still small, the switching operation for turning off the source and the drain is performed. Therefore, the switching loss in the FETs 212 and 216 is reduced as compared with the rectifier 100 in FIG. 3 in which the capacitors 222 and 226 are not present.

以上により、図7に表す整流装置は、図3に表す整流装置100と比較して、FET211及びFET212のスイッチング損失を一層低減し得る。
[効果]
本実施形態の整流装置は、上述の動作により、第一実施形態の整流装置と比較して、さらに、スイッチング損失を低減し得る。
<第三実施形態>
第三実施形態は、整流回路中に設けられた他のダイオードが通電するタイミングで、そのダイオードに並列接続されたFETを通電させる整流装置に関する実施形態である。
[構成]
図8は、第三実施形態の整流装置の例である整流装置100の構成を表す概念図である。また、図9は図8に表す制御部が生成する各PWM制御信号を表すイメージ図である。
As described above, the rectifying device shown in FIG. 7 can further reduce the switching loss of the FET 211 and the FET 212 as compared with the rectifying device 100 shown in FIG.
[effect]
The rectifying device of the present embodiment can further reduce the switching loss as compared with the rectifying device of the first embodiment by the above-mentioned operation.
<Third Embodiment>
The third embodiment is an embodiment relating to a rectifier that energizes an FET connected in parallel to the diode at the timing when another diode provided in the rectifier circuit is energized.
[composition]
FIG. 8 is a conceptual diagram showing the configuration of the rectifying device 100, which is an example of the rectifying device of the third embodiment. Further, FIG. 9 is an image diagram showing each PWM control signal generated by the control unit shown in FIG.

図8に表す整流装置100においては、図3に表す整流装置100におけるダイオード233に並列にFET213とコンデンサ223とが接続されている。また、図8に表す整流装置100においては、図3に表す整流装置100におけるダイオード234に並列にFET214とコンデンサ224とが接続されている。 In the rectifier 100 shown in FIG. 8, the FET 213 and the capacitor 223 are connected in parallel with the diode 233 in the rectifier 100 shown in FIG. Further, in the rectifier 100 shown in FIG. 8, the FET 214 and the capacitor 224 are connected in parallel with the diode 234 in the rectifier 100 shown in FIG.

図8に表す制御部300は、FET213及び214の各々のゲートへ、PWM制御信号である信号S3及びS4を送付する。 The control unit 300 shown in FIG. 8 sends signals S3 and S4, which are PWM control signals, to the respective gates of the FETs 213 and 214.

信号S3は、図9に表す時刻a直前の信号SPWM2がオンレベルからオフレベルに切り替わるタイミングにおいて、オンレベルからオフレベルに切り替わるものである。信号S3は、また、時刻c直後の信号SPWM1がオフレベルからオンレベルに切り替わるタイミングにおいて、オフレベルからオンレベルに切り替わるものである。 The signal S3 switches from the on level to the off level at the timing when the signal S PWM 2 immediately before the time a shown in FIG. 9 switches from the on level to the off level. The signal S3 also switches from the off level to the on level at the timing when the signal S PWM 1 immediately after the time c switches from the off level to the on level.

信号S4は、図9に表す時刻a直後の信号SPWM1がオンレベルからオフレベルに切り替わるタイミングにおいて、オフレベルからオンレベルに切り替わるものである。信号S4は、また、時刻c直前の信号SPWM2がオンレベルからオフレベルに切り替わるタイミングにおいて、オンレベルからオフレベルに切り替わるものである。
[動作]
以下、図8に表す整流装置100の動作のうち図3に表す整流装置100の動作と異なる部分について説明する。以下の説明と図3の説明とが矛盾するときは、以下の説明を優先する。
The signal S4 switches from the off level to the on level at the timing when the signal S PWM 1 immediately after the time a shown in FIG. 9 switches from the on level to the off level. The signal S4 also switches from the on level to the off level at the timing when the signal S PWM 2 immediately before the time c switches from the on level to the off level.
[motion]
Hereinafter, a portion of the operation of the rectifying device 100 shown in FIG. 8 that differs from the operation of the rectifying device 100 shown in FIG. 3 will be described. If the following description and the description in FIG. 3 are inconsistent, the following description takes precedence.

図8に表す整流装置100においては、ダイオード233に電流が流れるタイミングにおいてFET213のソース−ドレイン間が短絡される。ダイオード233とFET213のソース及びドレインとを並列に接続した組合せの、ダイオード233に電流が流れる向きの合成抵抗は、ダイオード233のみの場合と比較して小さくなる。従い、図8に表すダイオード233とFET213のソース及びドレインとを並列に接続した組合せは、図3に表すFET213が存在しない場合と比較して、通電損失を低減し得る。 In the rectifier 100 shown in FIG. 8, the source and drain of the FET 213 are short-circuited at the timing when the current flows through the diode 233. The combined resistance of the combination of the diode 233 and the source and drain of the FET 213 connected in parallel in the direction in which the current flows through the diode 233 is smaller than that of the diode 233 alone. Therefore, the combination in which the diode 233 shown in FIG. 8 and the source and drain of the FET 213 are connected in parallel can reduce the energization loss as compared with the case where the FET 213 shown in FIG. 3 does not exist.

さらに、FET213のオフからオンへのスイッチングは、ダイオード233が通電している状態で行われる。そのため、当該スイッチングが、ソース−ドレイン間の電圧が非常に小さい状態でのものである。そのため、FET213のオフからオンへのスイッチングに係るスイッチング損失は非常に小さい。 Further, the switching from off to on of the FET 213 is performed in a state where the diode 233 is energized. Therefore, the switching is in a state where the voltage between the source and the drain is very small. Therefore, the switching loss related to the switching of the FET 213 from off to on is very small.

また、FET213のオンからオフへのスイッチングによるソース−ドレイン間電圧の上昇は、コンデンサ225により遅れる。その間、ソース−ドレイン間電流は急速にゼロに近づく。そのため、FET213のオンからオフへのスイッチングに係るスイッチング損失も非常に小さい。 Further, the increase in the source-drain voltage due to the switching of the FET 213 from on to off is delayed by the capacitor 225. Meanwhile, the source-drain current rapidly approaches zero. Therefore, the switching loss related to the switching of the FET 213 from on to off is also very small.

そのため、FET213、コンデンサ223及びダイオード233の組合せは、FET213及びコンデンサ223がない場合と比較して、通電損失とスイッチング損失との和を低減し得る。 Therefore, the combination of the FET 213, the capacitor 223, and the diode 233 can reduce the sum of the energization loss and the switching loss as compared with the case where the FET 213 and the capacitor 223 are not provided.

以上の説明は、FET214、コンデンサ224及びダイオード234の組合せについても当てはまる。 The above description also applies to the combination of FET 214, capacitor 224 and diode 234.

そのため、図8に表す整流装置100は、図7に表す整流装置100と比較して、通電損失とスイッチング損失との和を低減し得る。
[効果]
第三実施形態の整流装置は、第二実施形態の整流装置と比較して、通電損失とスイッチング損失との和をさらに低減し得る。
Therefore, the rectifying device 100 shown in FIG. 8 can reduce the sum of the energization loss and the switching loss as compared with the rectifying device 100 shown in FIG. 7.
[effect]
The rectifying device of the third embodiment can further reduce the sum of the energization loss and the switching loss as compared with the rectifying device of the second embodiment.

以上では、各スイッチング素子としてFETを用いる例を説明した。しかしながら、スイッチング素子は、制御部からの信号によりオン、オフが制御され得るものであればFET以外であっても構わない。 In the above, an example of using FET as each switching element has been described. However, the switching element may be other than the FET as long as the on / off can be controlled by the signal from the control unit.

図10は、実施形態の整流装置の最小限の構成を表す整流装置100xの構成を表すブロック図である。 FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the rectifying device 100x showing the minimum configuration of the rectifying device of the embodiment.

整流装置100xは、三端子インダクタ回路241xと、第一のスイッチ回路211xと、第二のスイッチ回路216xと、第三のスイッチ回路215xと第四のスイッチ回路212xとを備える。整流装置100xは、さらに、第一の整流素子233xと、第二の整流素子234xと、平滑回路251xとを備える。 The rectifier 100x includes a three-terminal inductor circuit 241x, a first switch circuit 211x, a second switch circuit 216x, a third switch circuit 215x, and a fourth switch circuit 212x. The rectifying device 100x further includes a first rectifying element 233x, a second rectifying element 234x, and a smoothing circuit 251x.

三端子インダクタ回路241xは、第一の端子TX1、第二の端子TX2及び第三の端子TX3の相互の間に所定のインダクタンスが設定されている。 In the three-terminal inductor circuit 241x, a predetermined inductance is set between the first terminal TX1, the second terminal TX2, and the third terminal TX3.

第一のスイッチ回路211x及び第二のスイッチ回路216xは、第二の端子TX2と第一の共通線KX1及び第二の共通線KX2の各々の間に接続されている。 The first switch circuit 211x and the second switch circuit 216x are connected between the second terminal TX2 and each of the first common line KX1 and the second common line KX2.

第三のスイッチ回路215xと第四のスイッチ回路212xとは、第三の端子TX3と第一の共通線KX1及び第二の共通線KX2の各々の間に接続されている。 The third switch circuit 215x and the fourth switch circuit 212x are connected between the third terminal TX3 and each of the first common line KX1 and the second common line KX2.

第一の整流素子233x及び第二の整流素子234xは、第一の共通線KX1及び第二の共通線KX2の間に同じ向きに接続点SX1を介して直列接続されている。 The first rectifying element 233x and the second rectifying element 234x are connected in series between the first common line KX1 and the second common line KX2 in the same direction via the connection point SX1.

平滑回路251xは、前記第一及び第二の共通線の間に接続されている。 The smoothing circuit 251x is connected between the first and second common lines.

第一のスイッチ回路211x、第二のスイッチ回路216x、第三のスイッチ回路215x及び第四のスイッチ回路212xは、各々入力信号に応じて開閉が制御される第一乃至第四のスイッチ素子を備える。第一のスイッチ回路211x、第二のスイッチ回路216x、第三のスイッチ回路215x及び第四のスイッチ回路212xは、さらに、該スイッチ素子の各々と並列に前記向きに接続される整流素子を備える。 The first switch circuit 211x, the second switch circuit 216x, the third switch circuit 215x, and the fourth switch circuit 212x each include first to fourth switch elements whose opening and closing are controlled according to an input signal. .. The first switch circuit 211x, the second switch circuit 216x, the third switch circuit 215x, and the fourth switch circuit 212x further include a rectifying element connected in parallel with each of the switch elements in the above direction.

第二のスイッチ回路216x及び第三のスイッチ回路215xは、さらに、前記スイッチ素子及び前記整流素子に直列に接続されるコンデンサを備える。 The second switch circuit 216x and the third switch circuit 215x further include a capacitor connected in series with the switch element and the rectifying element.

接続点SX1と第一の端子TX1との間に交流電圧が印加される間、接続点SX1の電位が第一の端子TX1の電位より低い場合は、前記入力信号は次のように設定される。すなわち、前記入力信号は、前記第四のスイッチ素子が前記第一及び第三のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第二のスイッチ素子が開成されるように、設定される。 If the potential of the connection point SX1 is lower than the potential of the first terminal TX1 while the AC voltage is applied between the connection point SX1 and the first terminal TX1, the input signal is set as follows. .. That is, the input signal is opened and closed by the fourth switch element prior to and after the closing of the first and third switch elements, respectively, and the second switch element is opened. Is set.

接続点SX1と第一の端子TX1との間に交流電圧が印加される間、上記以外の場合は、前記入力信号は次のように設定される。すなわち、前記入力信号は、前記第一のスイッチ素子が前記第一のスイッチ素子が前記第二及び第四のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第三のスイッチ素子が開成されるように設定される。 While the AC voltage is applied between the connection point SX1 and the first terminal TX1, the input signal is set as follows in cases other than the above. That is, the input signal is such that the first switch element is opened and closed before and after the first switch element is closed and the second and fourth switch elements are closed, respectively. The switch element of is set to be opened.

第一実施形態の図3前記の説明で述べたように、上記構成により、前記第一乃至第四スイッチ素子の各々が開成する際に、前記第一乃至第四スイッチ素子の各々に並列に接続された前記整流素子に電流が流れる。 FIG. 3 of the first embodiment As described in the above description, when each of the first to fourth switch elements is opened, they are connected in parallel to each of the first to fourth switch elements according to the above configuration. A current flows through the rectifying element.

前記第一乃至第四スイッチ素子の各々に並列接続された前記整流素子が通電するということは、前記第一乃至第四スイッチ素子の各々の端子間の電圧が非常に小さいレベルであることを意味する。従い、前記第一乃至第四スイッチ素子の各々の開成は、前記端子間の抵抗が非常に小さいレベルの状態で行われる。そのため、整流装置100xは、一般的な整流装置と比較して、スイッチング損失を低減し得る。 The fact that the rectifying element connected in parallel to each of the first to fourth switch elements is energized means that the voltage between the terminals of the first to fourth switch elements is at a very small level. do. Therefore, each of the first to fourth switch elements is opened in a state where the resistance between the terminals is at a very small level. Therefore, the rectifier 100x can reduce the switching loss as compared with a general rectifier.

そのため、整流装置100xは、前記構成により、[発明の効果]の項に記載した効果を奏する。 Therefore, the rectifier 100x exhibits the effects described in the section [Effects of the Invention] according to the above configuration.

なお、整流装置100xは、例えば、図3、図7及び図8に表す整流装置100である。 The rectifier 100x is, for example, the rectifier 100 shown in FIGS. 3, 7, and 8.

三端子インダクタ回路241xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、チョークコイル241乃至243の組合せである。 The three-terminal inductor circuit 241x is, for example, a combination of choke coils 241 to 243 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第一のスイッチ回路211xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、FET211とダイオード231との組合せである。 Further, the first switch circuit 211x is, for example, a combination of the FET 211 and the diode 231 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第二のスイッチ回路216xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、FET216とダイオード236との組合せである。 The second switch circuit 216x is, for example, a combination of the FET 216 and the diode 236 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第三のスイッチ回路215xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、FET215とダイオード235との組合せである。 Further, the third switch circuit 215x is, for example, a combination of the FET 215 and the diode 235 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第四のスイッチ回路212xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、FET212とダイオード232との組合せである。 Further, the fourth switch circuit 212x is, for example, a combination of the FET 212 and the diode 232 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第一の整流素子233xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、ダイオード233である。 The first rectifying element 233x is, for example, the diode 233 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第二の整流素子234xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、ダイオード234である。 The second rectifying element 234x is, for example, the diode 234 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、平滑回路251xは、例えば、図3、図6及び図8に表す、コンデンサ251である。 Further, the smoothing circuit 251x is, for example, the capacitor 251 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第一の端子TX1は、例えば、図3、図6及び図8に表す、チョークコイル241のa端子である。 Further, the first terminal TX1 is, for example, the a terminal of the choke coil 241 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第二の端子TX2は、例えば、図3、図6及び図8に表す、チョークコイル242のb端子である。 The second terminal TX2 is, for example, the b terminal of the choke coil 242 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第三の端子TX3は、例えば、図3、図6及び図8に表す、チョークコイル243のb端子である。 Further, the third terminal TX3 is, for example, the b terminal of the choke coil 243 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第一の共通線KX1は、例えば、図3、図6及び図8に表す、第一の共通線K1である。 Further, the first common line KX1 is, for example, the first common line K1 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、第二の共通線KX2は、例えば、図3、図6及び図8に表す、第二の共通線K2である。 The second common line KX2 is, for example, the second common line K2 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、接続点SX1は、例えば、図3、図6及び図8に表す、接続点S1である。 Further, the connection point SX1 is, for example, the connection point S1 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、前記第一乃至第四のスイッチ素子は、例えば、図3、図6及び図8に表す、FET211、216、215及び216である。 Further, the first to fourth switch elements are, for example, FETs 211, 216, 215 and 216 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、前記整流素子は、例えば、図3、図6及び図8に表す、ダイオード231、236、235及び236である。 Further, the rectifying element is, for example, diodes 231, 236, 235 and 236 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、前記コンデンサは、例えば、図3、図6及び図8に表す、コンデンサ252及び253である。 Further, the capacitors are, for example, capacitors 252 and 253 shown in FIGS. 3, 6 and 8.

また、前記入力信号は、例えば、図4、図5、図7及び図9に表す、信号SPWM1、SPWM6、SPWM5及びSPWM2である。 Further, the input signals are, for example, the signals S PWM1 , S PWM6 , S PWM5, and S PWM2 shown in FIGS. 4, 5, 7, and 9.

以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、前記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の基本的技術的思想を逸脱しない範囲で更なる変形、置換、調整を加えることができる。例えば、各図面に示した要素の構成は、本発明の理解を助けるための一例であり、これらの図面に示した構成に限定されるものではない。 Although each embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and further modifications, substitutions, and adjustments can be made without departing from the basic technical idea of the present invention. Can be added. For example, the composition of the elements shown in each drawing is an example for facilitating the understanding of the present invention, and is not limited to the composition shown in these drawings.

また、前記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記述され得るが、以下には限られない。
(付記1)
第一乃至第三の端子相互の間に所定のインダクタンスが設定された三端子インダクタ回路と、
前記第二の端子と第一及び第二の共通線各々の間に接続された第一及び第二のスイッチ回路と、
前記第三の端子と第一及び第二の共通線各々の間に接続された第三及び第四のスイッチ回路と、
前記第一及び第二の共通線の間に同じ向きに接続点を介して直列接続された第一及び第二の整流素子と、
前記第一及び第二の共通線の間に接続された平滑回路と
を備え、
前記第一乃至第四のスイッチ回路は、各々入力信号に応じて開閉が制御される第一乃至第四のスイッチ素子と、該スイッチ素子の各々と並列に前記向きに接続される整流素子とを備え、
前記第二及び第三のスイッチ回路は、さらに、前記スイッチ素子及び前記整流素子に直列に接続されるコンデンサを備え、
前記接続点と前記第一の端子との間に交流電圧が印加される間、前記接続点の電位が前記第一の端子の電位より低い場合は、前記第四のスイッチ素子が前記第一及び第三のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第二のスイッチ素子が開成されるように、それ以外の場合は、前記第一のスイッチ素子が前記第一のスイッチ素子が前記第二及び第四のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第三のスイッチ素子が開成されるように前記入力信号が設定される、整流装置。
(付記2)
前記入力信号はパルス変調されたものである、付記1に記載された整流装置。
(付記3)
前記第一乃至第四のスイッチ素子は内部における電流経路を切り替える、付記1又は付記2に記載された整流装置。
(付記4)
前記第一及び第三のスイッチ素子が開成する前に前記第二及び第四のスイッチ素子が閉成している期間が存在する、付記1乃至付記3のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記5)
前記第一乃至第四のスイッチ素子の各々が開成する際に、前記第一乃至第四のスイッチ素子の各々に並列に接続された前記整流素子が通電する、付記1乃至付記4のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記6)
前記通電が、前記三端子インダクタ回路の備えるインダクタの自己誘導により生じる場合がある、付記5に記載された整流装置。
(付記7)
前記通電が、前記コンデンサからの放電により生じる場合がある、付記5又は付記6に記載された整流装置。
(付記8)
前記第一乃至第四のスイッチ素子の少なくともいずれかの端子間に並列に端子間コンデンサが接続されている付記1乃至付記7のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記9)
前記第三のスイッチ素子は、前記交流電圧が正の間は、前記第一のスイッチ素子と同じタイミングで閉成及び開成し、前記交流電圧が負の間は、閉成し、
前記第二のスイッチ素子は、前記交流電圧が正の間は、閉成し、前記交流電圧が負の間は、前記第四のスイッチ素子と同じタイミングで閉成及び開成する、
付記1乃至付記8のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記10)
前記第一及び第二の整流素子の各々に並列に接続された接続スイッチ素子を備え、前記接続スイッチ素子には第二入力信号が入力される、付記1乃至付記9のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記11)
前記第二入力信号を供給する第二制御部をさらに備える、付記10に記載された整流装置。
(付記12)
前記第一及び第二の整流素子のうちの少なくともいずれかに並列に接続された第二端子間コンデンサを備える、付記10又は付記11に記載された整流装置。
(付記13)
前記第一の整流素子に並列に接続された前記接続スイッチ素子は、前記交流電圧が正の間は、閉成し、前記交流電圧が負の間は、前記交流電圧が0近傍の所定の時間帯を除いて、開成し、
前記第二の整流素子に並列に接続された前記接続スイッチ素子は、前記時間帯を除いて、開成し、前記交流電圧が負の間は、閉成する、
付記10乃至付記12のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記14)
前記第一の端子が、前記交流電圧の供給源の一方の端子に接続され、
前記第一のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のアノード端子は、前記第二の端子に接続され、
前記第一のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のカソード端子は、前記第三のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のカソード端子及び前記第一の整流素子のカソード端子に接続され、
前記第三のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のアノード端子は前記コンデンサを介して前記第四のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のカソード端子に接続され
前記第四のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のアノード端子は、前記第二のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のアノード端子及び前記第二の整流素子のアノード端子に接続され、
前記第二のスイッチ素子に並列に接続された前記整流素子のカソード端子は、前記コンデンサを介して、前記第二の端子に接続されている
付記1乃至付記13のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記15)
前記入力信号を供給する制御部をさらに備える、付記1乃至付記14のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記16)
前記第一乃至第四のスイッチ素子が電界効果トランジスタである、付記1乃至付記15のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記17)
前記整流素子並びに前記第一及び第二の整流素子がダイオードである、付記1乃至付記16のうちのいずれか一に記載された整流装置。
(付記18)
付記1乃至付記17のうちのいずれか一に記載された整流装置と前記交流電圧を発生する電源とを備える電源装置。
Further, a part or all of the above-described embodiment may be described as in the following appendix, but is not limited to the following.
(Appendix 1)
A three-terminal inductor circuit in which a predetermined inductance is set between the first to third terminals,
The first and second switch circuits connected between the second terminal and the first and second common lines, respectively.
The third and fourth switch circuits connected between the third terminal and the first and second common lines, respectively.
The first and second rectifying elements connected in series between the first and second common lines in the same direction via a connection point,
A smoothing circuit connected between the first and second common lines is provided.
The first to fourth switch circuits include first to fourth switch elements whose opening and closing are controlled according to input signals, and rectifying elements connected in parallel with each of the switch elements in the above direction. Prepare,
The second and third switch circuits further include a capacitor connected in series with the switch element and the rectifying element.
While an AC voltage is applied between the connection point and the first terminal, if the potential of the connection point is lower than the potential of the first terminal, the fourth switch element is the first and the first. In other cases, the first switch element is said to be the first, so that the third switch element is opened and closed before and after the closing of the third switch element, respectively, and the second switch element is opened. The input signal is set so that one switch element is opened and closed before and after the closing of the second and fourth switch elements, respectively, and the third switch element is opened. , Rectifier.
(Appendix 2)
The rectifier according to Appendix 1, wherein the input signal is pulse-modulated.
(Appendix 3)
The rectifier according to Appendix 1 or Appendix 2, wherein the first to fourth switch elements switch an internal current path.
(Appendix 4)
The rectification according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 3, wherein there is a period in which the second and fourth switch elements are closed before the first and third switch elements are opened. Device.
(Appendix 5)
Any of Appendix 1 to Appendix 4, wherein when each of the first to fourth switch elements is opened, the rectifying element connected in parallel to each of the first to fourth switch elements is energized. The rectifier described in Kaichi.
(Appendix 6)
The rectifier according to Appendix 5, wherein the energization may occur due to self-induction of the inductor included in the three-terminal inductor circuit.
(Appendix 7)
The rectifier according to Appendix 5 or Appendix 6, wherein the energization may occur due to discharge from the capacitor.
(Appendix 8)
The rectifier according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 7, wherein an inter-terminal capacitor is connected in parallel between at least one of the terminals of the first to fourth switch elements.
(Appendix 9)
The third switch element is closed and opened at the same timing as the first switch element while the AC voltage is positive, and closed while the AC voltage is negative.
The second switch element is closed while the AC voltage is positive, and is closed and opened at the same timing as the fourth switch element while the AC voltage is negative.
The rectifying device according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 8.
(Appendix 10)
A connection switch element connected in parallel to each of the first and second rectifying elements is provided, and a second input signal is input to the connection switch element. The described rectifier.
(Appendix 11)
The rectifier according to Appendix 10, further comprising a second control unit that supplies the second input signal.
(Appendix 12)
The rectifying device according to Appendix 10 or Appendix 11, further comprising a second terminal-to-terminal capacitor connected in parallel to at least one of the first and second rectifying elements.
(Appendix 13)
The connection switch element connected in parallel to the first rectifying element is closed while the AC voltage is positive, and when the AC voltage is negative, the AC voltage is in the vicinity of 0 for a predetermined time. Except for the band, it was opened and
The connection switch element connected in parallel to the second rectifying element is opened except for the time zone, and is closed while the AC voltage is negative.
The rectifying device according to any one of Supplementary note 10 to Supplementary note 12.
(Appendix 14)
The first terminal is connected to one terminal of the AC voltage supply source,
The anode terminal of the rectifying element connected in parallel to the first switch element is connected to the second terminal.
The cathode terminal of the rectifying element connected in parallel to the first switch element is connected to the cathode terminal of the rectifying element and the cathode terminal of the first rectifying element connected in parallel to the third switch element. Being done
The anode terminal of the rectifying element connected in parallel to the third switch element is connected to the cathode terminal of the rectifying element connected in parallel to the fourth switch element via the capacitor, and is connected to the cathode terminal of the rectifying element. The anode terminal of the rectifying element connected in parallel to the element is connected to the anode terminal of the rectifying element and the anode terminal of the second rectifying element connected in parallel to the second switch element.
The cathode terminal of the rectifying element connected in parallel to the second switch element is described in any one of Appendix 1 to Appendix 13 connected to the second terminal via the capacitor. Rectifier.
(Appendix 15)
The rectifying device according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 14, further comprising a control unit for supplying the input signal.
(Appendix 16)
The rectifier according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 15, wherein the first to fourth switch elements are field effect transistors.
(Appendix 17)
The rectifying device according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 16, wherein the rectifying element and the first and second rectifying elements are diodes.
(Appendix 18)
A power supply device including the rectifying device according to any one of Supplementary note 1 to Supplementary note 17 and a power source for generating the AC voltage.

100、100x、101 整流装置
200、201 回路部
211、212、213、214、215、216 FET
211x 第一のスイッチ回路
212x 第四のスイッチ回路
215x 第三のスイッチ回路
216x 第二のスイッチ回路
231、232、233、234、235、236 ダイオード
241、242、243 チョークコイル
241x 三端子インダクタ回路
221、222、223、224、225、226、251、252、253 コンデンサ
271、272 配線
281 電流検出部
300、301 制御部
801 電源
901 負荷
K1、KX1 第一の共通線
K2、KX2 第二の共通線
S1、SX1 接続点
TX1 第一の端子
TX2 第二の端子
TX3 第三の端子
100, 100x, 101 Rectifier 200, 201 Circuit part 211, 212, 213, 214, 215, 216 FET
211x 1st switch circuit 212x 4th switch circuit 215x 3rd switch circuit 216x 2nd switch circuit 231x 232, 233, 234, 235, 236 Diodes 241, 242, 243 Choke coil 241x Three-terminal inductor circuit 221 222,223,224,225,226,251,252,253 Capacitor 271,272 Wiring 281 Current detector 300, 301 Control unit 801 Power supply 901 Load K1, KX1 First common line K2, KX2 Second common line S1 , SX1 Connection point TX1 First terminal TX2 Second terminal TX3 Third terminal

Claims (10)

第一乃至第三の端子相互の間に所定のインダクタンスが設定された三端子インダクタ回路と、
前記第二の端子と第一及び第二の共通線各々の間に接続された第一及び第二のスイッチ回路と、
前記第三の端子と第一及び第二の共通線各々の間に接続された第三及び第四のスイッチ回路と、
前記第一及び第二の共通線の間に同じ向きに接続点を介して直列接続された第一及び第二の整流素子と、
前記第一及び第二の共通線の間に接続された平滑回路と
を備え、
前記第一乃至第四のスイッチ回路は、各々入力信号に応じて開閉が制御される第一乃至第四のスイッチ素子と、該スイッチ素子の各々と並列に前記向きに接続される整流素子とを備え、
前記第二及び第三のスイッチ回路は、さらに、前記スイッチ素子及び前記整流素子に直列に接続されるコンデンサを備え、
前記第二及び第三のスイッチ回路の各々において、前記コンデンサの一方の端子は前記スイッチ素子及び前記整流素子に接続され、前記コンデンサの他方の端子は前記第二の端子に接続され、
前記接続点と前記第一の端子との間に交流電圧が印加される間、前記接続点の電位が前記第一の端子の電位より低い場合は、前記第四のスイッチ素子が前記第一及び第三のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第二のスイッチ素子が開成されるように、それ以外の場合は、前記第一のスイッチ素子が前記第一のスイッチ素子が前記第二及び第四のスイッチ素子の閉成に先立ち及び開成以降に各々開成し及び閉成し、前記第三のスイッチ素子が開成されるように前記入力信号が設定される、
整流装置。
A three-terminal inductor circuit in which a predetermined inductance is set between the first to third terminals,
The first and second switch circuits connected between the second terminal and the first and second common lines, respectively.
The third and fourth switch circuits connected between the third terminal and the first and second common lines, respectively.
The first and second rectifying elements connected in series between the first and second common lines in the same direction via a connection point,
A smoothing circuit connected between the first and second common lines is provided.
The first to fourth switch circuits include first to fourth switch elements whose opening and closing are controlled according to input signals, and rectifying elements connected in parallel with each of the switch elements in the above direction. Prepare,
The second and third switch circuits further include a capacitor connected in series with the switch element and the rectifying element.
In each of the second and third switch circuits, one terminal of the capacitor is connected to the switch element and the rectifying element, and the other terminal of the capacitor is connected to the second terminal.
While an AC voltage is applied between the connection point and the first terminal, if the potential of the connection point is lower than the potential of the first terminal, the fourth switch element is the first and the first. The first switch element is otherwise opened and closed so that the second switch element is opened prior to and after the closing of the third switch element, respectively. The input signal is set so that one switch element is opened and closed before and after the closing of the second and fourth switch elements, respectively, and the third switch element is opened. ,
Rectifier.
前記入力信号はパルス変調されたものである、請求項1に記載された整流装置。 The rectifier according to claim 1, wherein the input signal is pulse-modulated. 前記第一乃至第四のスイッチ素子の各々が開成する際に、前記第一乃至第四のスイッチ素子の各々に並列に接続された前記整流素子が通電する、請求項1又は請求項2に記載された整流装置。 The first or second aspect, wherein when each of the first to fourth switch elements is opened, the rectifying element connected in parallel to each of the first to fourth switch elements is energized. Rectifier. 前記第一乃至第四のスイッチ素子の少なくともいずれかの端子間に並列に端子間コンデンサが接続されている請求項1乃至請求項3のうちのいずれか一に記載された整流装置。 The rectifier according to any one of claims 1 to 3, wherein an inter-terminal capacitor is connected in parallel between at least one of the terminals of the first to fourth switch elements. 前記第三のスイッチ素子は、前記交流電圧が正の間は、前記第一のスイッチ素子と同じタイミングで閉成及び開成し、前記交流電圧が負の間は、閉成し、
前記第二のスイッチ素子は、前記交流電圧が正の間は、閉成し、前記交流電圧が負の間は、前記第四のスイッチ素子と同じタイミングで閉成及び開成する、
請求項1乃至請求項4のうちのいずれか一に記載された整流装置。
The third switch element is closed and opened at the same timing as the first switch element while the AC voltage is positive, and closed while the AC voltage is negative.
The second switch element is closed while the AC voltage is positive, and is closed and opened at the same timing as the fourth switch element while the AC voltage is negative.
The rectifier according to any one of claims 1 to 4.
前記第一及び第二の整流素子の各々に並列に接続された接続スイッチ素子を備え、前記接続スイッチ素子には第二入力信号が入力される、請求項1乃至請求項5のうちのいずれか一に記載された整流装置。 One of claims 1 to 5, wherein each of the first and second rectifying elements is provided with a connection switch element connected in parallel, and a second input signal is input to the connection switch element. The rectifier described in 1. 前記第一及び第二の整流素子のうちの少なくともいずれかに並列に接続された第二端子間コンデンサを備える、請求項6に記載された整流装置。 The rectifying device according to claim 6, further comprising a second terminal-to-terminal capacitor connected in parallel to at least one of the first and second rectifying elements. 前記第一の整流素子に並列に接続された前記接続スイッチ素子は、前記交流電圧が正の間は、閉成し、前記交流電圧が負の間は、前記交流電圧が0近傍の所定の時間帯を除いて、開成し、
前記第二の整流素子に並列に接続された前記接続スイッチ素子は、前記時間帯を除いて、開成し、前記交流電圧が負の間は、閉成する、
請求項6又は請求項7に記載された整流装置。
The connection switch element connected in parallel to the first rectifying element is closed while the AC voltage is positive, and when the AC voltage is negative, the AC voltage is in the vicinity of 0 for a predetermined time. Except for the band, it was opened and
The connection switch element connected in parallel to the second rectifying element is opened except for the time zone, and is closed while the AC voltage is negative.
The rectifier according to claim 6 or 7.
前記入力信号を供給する制御部をさらに備える、請求項1乃至請求項8のうちのいずれか一に記載された整流装置。 The rectifying device according to any one of claims 1 to 8, further comprising a control unit for supplying the input signal. 請求項1乃至請求項9のうちのいずれか一に記載された整流装置と前記交流電圧を発生する電源とを備える電源装置。 A power supply device including the rectifying device according to any one of claims 1 to 9 and a power supply that generates the AC voltage.
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