JP6947751B2 - スペクトル解析の試料採取アレイ装置及びシステム - Google Patents

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関連出願の相互参照
本出願は、２０１６年４月２２日出願の米国特許仮出願第６２／３２６，６０４号、標題「ＳＡＭＰＬＩＮＧ ＡＲＲＡＹ ＤＥＶＩＣＥＳ ＡＮＤ ＳＹＳＴＥＭ ＦＯＲ ＳＰＥＣＴＲＡＬ ＡＮＡＬＹＳＩＳ」の利益を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

タンパク質凝集現象は工業的バイオプロセスを通じて一般的である。その複雑な物理的化学的特性が原因で、タンパク質は発現、分離及び精製するのに費用がかかる。凝集はタンパク質分解の主要モードと考えられており、多くの場合、患者の免疫原性、抗薬物抗体（ＡＤＡ）反応及び有効性の喪失をもたらす。タンパク質凝集物の検出及び測定は、バイオ医薬品産業及び科学研究の他の分野の主要な目的である。タンパク質凝集物の形成は工業用途で重要であり、それらが治療用タンパク質（すなわち、生物製剤または後発生物製剤）の製造に著しく影響を及ぼすことができるので、効果的に生産収率を低下させて、使用中止の危険性を高める。これは、治療用タンパク質の特性決定、同等性／類似性、放出及び安定性試験を理解するための解析技術の中核をなす。提示した技術は、ハイスループット多変量解析にも役立つ。

例えば、便宜上、番号付けした条項（１、２、３など）として後述される種々の態様に従って、本技術は示される。本技術の態様の種々の例を以下に説明する。これらは例として提供されており、本技術を限定するものではない。従属の条項のいずれかが任意の組み合わせに組み合わされ得て、それぞれ独立の条項内に置かれ得ることに注意する。他の条項は同様の方法で提示されることができる。
条項１．基板であって前記基板の表面に対してくぼんでいる複数のウェルを形成する前記基板を含み、前記ウェルのそれぞれが、前記表面から試料深さだけくぼんでいる試料領域と、前記表面からトラフ深さだけくぼんでいるトラフ領域と、を形成し、前記トラフ深さが前記試料深さより大きい、前記スライド。
条項２．前記基板が電磁放射線を通過させる、条項１に記載のスライド。
条項３．前記基板が塩である、条項１に記載のスライド。
条項４．前記基板が、ＡｇＢｒ、ＡｇＣｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＡＭＴＩＲ、ＢａＦ２、ＣａＦ２、ＣｄＴｅ、ＣｓＩ、ダイヤモンド、Ｇｅ、ＫＢｒ、ＫＣｌ、ＫＲＳ−５、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＮａＣｌ、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ及び／またはＺｒＯ２を含む、条項１に記載のスライド。
条項５．前記スライドの周囲が両側で非対称形を形成する、条項１に記載のスライド。
条項６．前記トラフ領域が前記試料領域の周囲に完全に延在する、条項１に記載のスライド。
条項７．前記試料領域が前記トラフ領域内で同軸である、条項１に記載のスライド。
条項８．前記複数のウェルが複数の列をなして設けられ、各列が前記複数のウェルのうちの少なくとも２つを含む、条項１に記載のスライド。
条項９．基板であって前記基板の表面に対してくぼんでいる複数のウェルを形成する前記基板を含むスライドと、
本体の第１の面と第２の面の間に空洞を画定する前記本体、
前記空洞内に前記スライドを受容するためのポート、
前記第１の面上の１つ以上の第１の開窓、及び
前記第２の面上の１つ以上の第２の開窓、
を含むホルダーと、を含むシステム。
条項１０．ブロックであって、前記ブロックが前記ポートの中に配置されると前記空洞内に前記スライドを固定するように構成された前記ブロックを更に含む、条項９に記載のシステム。
条項１１．前記スライドの前記表面上に置かれたときに前記ウェルのそれぞれを囲むように構成されたカバーを更に含む、条項９に記載のシステム。
条項１２．前記カバーが電磁放射線を透過させるように構成されている、条項１１に記載のシステム。
条項１３．前記カバー及び前記スライドが、前記カバーが前記スライドの前記表面上に置かれたときに前記スライドの前記表面と直交する方向に実質的に等しい厚みを有する、条項１１に記載のシステム。
条項１４．前記ホルダーの前記本体が、前記ホルダーへ入射するすべての電磁放射線を実質的に吸収する、条項９に記載のシステム。
条項１５．前記複数のウェルが複数の列をなして設けられ、各列が前記複数のウェルのうちの少なくとも２つを含む、条項９に記載のシステム。
条項１６．前記１つ以上の第１の開窓が前記複数の列の数に等しい数の第１の窓の数を含み、前記１つ以上の第２の開窓が前記複数の列の数に等しい数の第２の窓の数を含む、条項１５に記載のシステム。
条項１７．前記第１の窓の１つ及び前記第２の窓の１つが、前記スライドが前記ホルダー内にあるときに前記複数の列の１つの反対側にある、条項１６に記載のシステム。
条項１８．前記ポートが前記ホルダーの第３の面に配置されている、条項９に記載のシステム。
条項１９．前記第１の面が前記第２の面の反対側にある、条項９に記載のシステム。
条項２０．前記複数のウェルのうちの少なくとも１つ、前記１つ以上の第１の開窓及び前記１つ以上の第２の開窓が、前記スライドが前記空洞内にあるときに軸に沿って一直線に配置される、条項９に記載のシステム。
条項２１．前記スライド、前記１つ以上の第１の開窓及び前記１つ以上の第２の開窓が、電磁放射線を透過させるように構成されている、条項９に記載のシステム。
条項２２．前記本体の内側表面のコーティングを更に含む、条項９に記載のシステム。
条項２３．前記コーティングがシリコーンを含む、条項２２に記載のシステム。
条項２４．前記ホルダーの外側表面と熱接触するキャップを更に含み、前記キャップが１つ以上の第３の開窓を含む、条項９に記載のシステム。
条項２５．撮像装置に取り付けられたプレートを更に含む、条項９に記載のシステム。
条項２６．方法であって、
スライドに形成された複数のウェルのそれぞれに試料を提供することであって、前記ウェルのそれぞれが前記スライドの表面に対してくぼんでいる、前記試料を提供することと、
前記スライドの前記表面にカバーを装着することによって前記ウェルを取り囲むことと、
前記スライド及び前記カバーをホルダーの空洞内に挿入することと、
前記ホルダーの１つ以上の第１の開窓、前記ホルダーの１つ以上の第２の開窓及び前記試料を通して電磁放射線を放射することと、を含む、前記方法。
条項２７．撮像装置に取り付けられたプレートの収容部内に前記ホルダーを挿入することを更に含む、条項２６に記載の方法。
条項２８．前記ホルダーを挿入することが、前記撮像装置の焦点距離に前記試料を置くことを含む、条項２７に記載の方法。
条項２９．前記ホルダーを通して熱を伝導させることによって、前記試料を目標温度まで加熱することを更に含む、条項２６に記載の方法。
条項３０．前記ホルダーの外側表面と熱接触させてキャップを配置することを更に含む、条項２６に記載の方法。
条項３１．前記電磁放射線を前記放射することが、前記キャップの１つ以上の第３の開窓を通して前記電磁放射線を放射することを含む、条項３０に記載の方法。
条項３２．前記スライド及び前記カバーを前記挿入することが、前記ホルダーのポートを通して前記スライド及び前記カバーを挿入することを含む、条項２６に記載の方法。
条項３３．前記スライドを前記カバーに挿入した後にブロックで前記ポートを遮ることを更に含む、条項３２に記載の方法。
条項３４．前記電磁放射線が赤外光である、条項２６に記載の方法。
条項３５．前記電磁放射線を前記放射することの後に、前記試料によって吸収されない前記電磁放射線の特徴を検出することを更に含む、条項２６に記載の方法。
条項３６．前記電磁放射線を前記放射することの後に、前記試料の温度を変えることと、
前記ホルダーの前記１つ以上の第１の開窓及び前記１つ以上の第２の開窓を通して、及び前記試料を通して追加の電磁放射線を放射することと、を更に含む、条項２６に記載の方法。

本技術の更なる特徴及び利点は以下の説明に記載されており、部分的に前記説明から明らかになる、または本技術を実施することによって理解し得る。本技術の利点は、本明細書及び添付の特許請求の範囲ならびに添付図面によって具体的に記載された構造によって理解かつ達成されるであろう。

上述の一般的な説明及び以下の詳細な説明の両方は例示かつ説明であり、特許請求される本技術の更なる説明を提供することを意図すると理解すべきである。

添付図面は本技術の更なる理解を提供するために含まれ、本説明の一部に組み入れられかつそれを構成し、本技術の態様を図示し、本明細書とともに本技術の原理を説明するのに役立つ。

Ａは、本技術のいくつかの実施形態によるスライドの斜視図を示す。Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による図１のＡのスライドの平面図を示す。Ｃは、本技術のいくつかの実施形態による図１のＡのスライドの側面図を示す。Ｄは、本技術のいくつかの実施形態による図１のＡのスライドの底面図を示す。Ｅは、本技術のいくつかの実施形態による、ウェルを含む図１のＡのスライドの一部の断面図を示す。 図２Ａは、本技術のいくつかの実施形態によるカバー及び図１のＡのスライドの斜視図を示す。図２Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による図２Ａのカバー及び図１のＡのスライドの斜視図を示す。 図３Ａは、本技術のいくつかの実施形態によるキャップの斜視図を示す。図３Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による図３Ａのキャップの平面図を示す。図３Ｃは、本技術のいくつかの実施形態による図３Ａのキャップの側面図を示す。図３Ｄは、本技術のいくつかの実施形態による図３Ａのキャップの前面図を示す。 Ａは、本技術のいくつかの実施形態によるホルダーの斜視図を示す。Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による図４のＡのホルダーの他の斜視図を示す。Ｃは、本技術のいくつかの実施形態による図４のＡのホルダーの平面図を示す。Ｄは、本技術のいくつかの実施形態による図４のＡのホルダーの正面図を示す。Ｅは、本技術のいくつかの実施形態による図４のＡのホルダーの側面図を示す。 図５Ａは、本技術のいくつかの実施形態によるブロックの斜視図を示す。図５Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による図５Ａのブロックの側面図を示す。図５Ｃは、本技術のいくつかの実施形態による図５Ａのブロックの正面図を示す。図５Ｄは、本技術のいくつかの実施形態による図５Ａのブロックの平面図を示す。 Ａは、本技術のいくつかの実施形態による図１のＡのスライド、図２Ａのカバー、図３Ａのキャップ及び図４のＡのホルダーの斜視図を示す。Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による図４のＡのホルダー及び図５のＡのブロックの斜視図を示す。Ｃは、本技術のいくつかの実施形態による図１のＡのスライド、図２Ａのカバー、図３Ａのキャップ及び図４のＡのホルダーの一部の断面図を示す。 本技術のいくつかの実施形態によるスライドの斜視図を示す。 本技術のいくつかの実施形態によるキャップの斜視図を示す。 本技術のいくつかの実施形態によるホルダーの斜視図を示す。 図１０Ａは、本技術のいくつかの実施形態によるプレートの平面図を示す。図１０Ｂは、本技術のいくつかの実施形態による図４のＡのホルダー及び図７Ａのプレートの平面図を示す。 本技術のいくつかの実施形態による図４のＡのホルダー及び図７Ａのプレートの概略図を示す。

詳細な説明
以下の詳細な説明にて、具体的な詳細は本技術の理解を提供するために記載する。しかし、これらの具体的な詳細のうちのいくつかがなくても本技術を実施し得ることは当業者には明らかである。他の場合で、周知の構造及び技術は、本技術をあいまいにしないように、詳細には示されていない。

生物製剤及び後発生物製剤の産業は、治療用タンパク質として周知の複合剤の研究、開発及び製造に関与している。研究開発効率は残念ながら低くなる可能性があり、それは治療用タンパク質の高い減少率が原因で、薬剤開発のコストを増大させる。治療用タンパク質の開発コストは、初期及び後期の不全によって著しく影響を受ける。研究開発費を下げるための１つの方法は、研究開発段階の初期に治療用タンパク質の候補の一連の評価を実施することである。研究開発段階の初期に様々な配合条件及びストレス要因の下で治療用タンパク質の特性決定を実施することによって、薬剤候補の予測的特性を生成してタンパク質凝集の危険性を評価する。この方法は発展性評価として定義されてきた。この評価は、意思決定（例えば更なる開発のための治療用タンパク質候補の選択）に重要な情報を提供できる。タンパク質凝集が生じるとき、治療用タンパク質は一般的に有効性を減少させて、免疫反応を誘発できる。重症例で、このような免疫反応は死に至る可能性がある。

タンパク質凝集の問題は複雑であり、しばしばいくつかの異なる化学的工程を伴い、それは識別するのが困難である。凝集は誘発される応力であり得て、物理変化または化学変化（例えば振動または撹拌、酸化、脱アミノ化及び温度変化）を伴う。ｐＨ、塩環境、タンパク質濃度または配合条件のわずかな変化でも、タンパク質凝集を誘発することができる。また凝集は、製造の低収率、治療用タンパク質の有効性の喪失及び免疫原性の危険度に対する安全性上の懸念につながる。凝集を評価するために現在利用可能な技術は、工程に伴う要因（例えば、溶液中の治療用タンパク質の凝集物のサイズ、同一性、機序及び範囲、ならびに安定性）全部に対処するというわけではない。いくつかの技術は、凝集物または微粒子のサイズを扱うために開発されてきたが、それらは同一性を判定しない。他の技術は凝集物のサイズ及び同一性を判定できるが、凝集の範囲を測定することができない、または凝集を起こしやすい領域を識別することができない。タンパク質中に存在するアミノ酸側鎖は、タンパク質の安定性の重要な要因である。しかし現在まで、利用可能な通常のハイスループットベンチ測定器で、側鎖を含有する弱い化学的相互作用とタンパク質候補の二次構造の安定性との関係は確認されていない。

治療用タンパク質の安定性は薬剤開発に極めて重要であり、タンパク質の熱転移温度を単に確認するだけでは完全には同定できない。より高度な理解が、治療用タンパク質の安定性に十分に対処するために必要である。例えば、１）目的のタンパク質内のドメインの相対的な安定性、２）アミノ酸側鎖がドメインの安定性に寄与する方法、３）アミノ酸側鎖が凝集メカニズムに関与しているかどうか、及び４）治療用タンパク質の特定のドメインの棄却域内の弱い相互作用（例えばアミノ酸側鎖の）を、賦形剤が安定させることができる場合を理解することは有益である。タンパク質凝集物の機序を決定するために重要である要因を理解することについて隔たりがある。

現在まで市販の技術を直交して使用するとき、利用可能な技術の感受性の違いは懸念材料である。原則としてこのような技術は治療用タンパク質のサイズ、純度及び安定性を測定することに焦点を当て、ロット間整合性を得るために製剤中のタンパク質凝集物または微粒子の有無を評価する。

治療用タンパク質の発現性をより良く評価するために使用できる技術の必要性、及び製品の完全性、有効性及び安全性を維持してかつそれを確実にするために必要な比較評価の必要性がある。製品の完全性、有効性及び安全性を確実にするのに十分なように、米国食品医薬品局（ＦＤＡ）医薬品評価・研究センター（ＣＤＥＲ）部門及び他の関連する取締機関センターによって、このような方法が認識されることを必要とする。

単一の実験で治療用タンパク質または他の化学物質の凝集物のサイズ、同一性、機序及び範囲ならびに安定性を測定するために、本技術の態様は、速く正確な及び再現可能な技術を提供する。本技術の態様は、異なる治療用タンパク質候補の同等性評価及び治療用タンパク質候補の発現性評価を扱う。

再利用可能な要素を含み、小さな試料サイズを必要とし、試料の蒸発を低減または排除し、観察されるフリンジのない優れた信号／ノイズ比と、定量分析を可能にする撮像装置に対する固定した経路長と、優れた比較評価アッセイと、実験計画（ＤＯＥ）法を使用した発現性評価と、温度依存性実験中の可逆的凝集の評価とを提供するシステムを、本技術の態様は提供する。

本技術の態様は、改良した熱伝導率、荷重負荷と除荷との容易さ、強化された試料確保、均一の温度分布、撮像装置を用いる最適焦点調節、及びハイスループットデータ収集を備える試料搬送装置を提供する。

いくつかの実施形態によれば、例えば図１のＡ〜図１のＥに示すように、スライド１００は複数のウェル１５０を形成する基板１１０を含むことができる。ウェル１５０のそれぞれは、基板１１０の表面１３０に対してくぼんでいることができる。ウェル１５０が存在する箇所を除いて、表面１３０は実質的に平らまたは平坦であることができる。本明細書で使用する場合、実質的に平らまたは平坦な表面は、適用される製造工程で一般的である許容度内で正確に平らまたは平坦であることから変化するものである。ウェル１５０のそれぞれは、解析する試料を収容するための試料領域１６０及び試料の過剰な部分を収容するためのトラフ領域１７０を形成できる。

ウェル１５０は別個の列１４０で提供されることができる。例えば、第１の列１４０はウェル１５０の第１の数を含むことができ、第２の列１４０はウェル１５０の第２の数を含むことができる。列１４０は、同数のウェル１５０、または異なる数のウェル１５０を含むことができる。スライド１００は、各列１４０内の任意の数の列１４０、及び任意の数のウェル１５０を含むことができる。例えばスライド１００は、１、２、３、４、５、６、７、８、９または９より多い列１４０を含むことができる。各列１４０は、１、２、３、４、５、６、７、８、９または９より多いウェル１５０を含むことができる。列１４０及びウェル１５０の数は、単一のスライド１００上で同時に分析する別個の試料の所望数に基づいて選択できる。

いくつかの実施形態によれば、スライド１００は、同じスライド１００内の基準と共に多数の試料を解析するために使用できる。ウェル１５０のうちの１つには、スライド１００上の試料と同じ条件（例えば温度、湿度など）下での解析の基準を設けることができる。いくつかの実施形態によれば、スライド１００の特徴は特定のウェル１５０の同一性に関する指標を提供できる。例えば図１のＡ〜図１のＤに示すように、スライド１００の形状は複数の角を含むことができる。角のいくつかは、一般的な特徴（例えば、交差する表面で直角）を有する規則的な角１２０であることができる。角のうちの１つ以上は、規則的な角１２０の一般的な特徴と異なる少なくとも１つの特徴を有する不規則な角１２２であることができる。スライド１００の得られた形状（例えば、周囲）は、非対称であることができる。例えばスライド１００の形状は、１つ以上の軸にわたって両側で非対称であることができる。図１のＤに示すように、不規則な角１２２の少なくとも一部は、規則的な角１２０で形成される角度とは異なる（例えば、４５度）角度１２４を形成できる。不規則な角１２２の位置が、別個のウェル１５０を確認して、識別するために使用できる。例えば基準は、不規則な角１２２に最も近いウェル１５０内に設けることができる。更なる例で、試料は、不規則な角１２２に最も近いウェル１５０以外のウェル１５０に設けることができる。解析前、解析中及び解析後の種々の段階で、基準を含有するウェル１５０は、不規則な角１２２の位置に基づいて確認されることができる。

いくつかの実施形態によれば、スライド１００は基板１１０を含むことができる。好ましくは、基板は、電磁放射線（例えば可視光及び／または赤外光）を透過させることができ、スペクトル解析の使用に適している。基板１１０は、完全に単一の基板材料からなる、または複数の材料の複合体からなることができる。基板１１０の材料は、スライド１００のウェル１５０内に収容される基準または試料のスペクトル解析を促進するために選択できる。例えば基板１１０の材料は、可視光及び／または赤外光を透過させることができて、基準及び／または試料に対して実質的に非反応性であることができる。基板１１０は塩を含むことができる。基板１１０は、ＡｇＢｒ、ＡｇＣｌ、Ａｌ２Ｏ３、赤外線を透過させる非晶質材料（「ＡＭＴＩＲ」）、ＢａＦ２、ＣａＦ２、ＣｄＴｅ、無色透明な硫化亜鉛（例えば、Ｃｌｅａｒｔｒａｎ（商標））、ＣｓＩ、ダイヤモンド、Ｇｅ、ＫＢｒ、ＫＣｌ、赤色の臭化ヨウ化タリウム（「ＫＲＳ−５」）、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＮａＣｌ、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｒＯ２及び／またはこれらの組み合わせを含むことができる。基板１１０はコーティングされている、またコーティングされていないことができる。本明細書に記載の種類のスライド１００は、異なる基準及び試料を使用する別個の手順で複数回再利用できる。

いくつかの実施形態によれば、例えば図１のＢ及び図１のＥに示すように、ウェル１５０のそれぞれは、表面１３０から試料深さ１６２でくぼんでいる試料領域１６０を形成できる。ウェル１５０のそれぞれは、表面１３０からトラフ深さ１７２でくぼんでいるトラフ領域１７０も形成できる。トラフ領域１７０は、試料領域１６０の周囲に完全に延在できる。例えば試料領域１６０は、表面１３０に直交して延在する軸に対して、トラフ領域１７０内で同軸であることができる。試料領域１６０及びトラフ領域１７０は、基板１１０の表面１３０上の部分を除去することによって形成できる。例えばミリング処理または材料を除去するための他の方法を表面１３０に適用して、試料領域１６０及びトラフ領域１７０を形成できる。トラフ領域１７０の試料領域１６０は、同じまたは別個の方法で形成できる。

試料領域１６０は、少なくとも１つの方向に試料の外側断面寸法１６４にわたることができる。試料領域１６０内に収容できる基準または試料の量は、少なくともある程度は、試料深さ１６２及び試料の外側断面寸法１６４によって画定できる。試料領域１６０の少なくとも一部は、撮像装置８００または他の機器の視野内に配置されることができる。

トラフ領域１７０は、少なくとも１つの方向にトラフ断面寸法１７４にわたることができる。トラフ断面寸法１７４は、トラフの外側断面寸法１５４と試料の外側断面寸法１６４との差によって画定されることができる。トラフ領域１７０内に収容できる基準または試料の量は、少なくともある程度は、トラフ深さ１７２及びトラフ断面寸法１７４によって画定できる。トラフ深さ１７２は、試料深さ１６２より大きくなることができる。例えばトラフ深さ１７２は、試料深さ１６２の２倍超、５倍超または１０倍超であることができる。

試料の外側断面寸法１６４は約２．０ｍｍであることができる。試料深さ１６２は、試料を含有するＤ₂Ｏには約０．０４〜０．０８ｍｍ±０．０１ｍｍが理想的であり、または試料を含有するＨ₂Ｏには０．００４〜０．０１２ｍｍ±０．００２ｍｍが理想的である。例えば試料深さ１６２は、約０．０４ｍｍまたは約０．０７ｍｍであることができる。より大きな試料深さ１６２は、解析用タンパク質のより大きな濃度範囲を促進できる。トラフの断面寸法１７４は約１．０ｍｍであることができる。トラフの外側断面寸法１５４は約６．０ｍｍであることができる。トラフ深さ１７２は約０．６０ｍｍであることができる。隣接するウェル１５０の中心間の間隔は、トラフの外側断面寸法１５４より大きくなることができる。これらの代表的な寸法は、必要に応じて所与の目的に合うために変更されることができる。

いくつかの実施形態によれば、トラフ領域１７０は、試料領域１６０の容積を超える量の基準または試料を収容することができる。例えば、試料領域１６０に適用される試料、または基準及び試料深さ１６２内に適合しないその量の場合、試料の外側断面寸法１６４はトラフ領域１７０へ移動できる。このような動きは、基準または試料の適用中、またはスライド１００へのカバー２００の適用中に生じてよい。トラフ領域１７０は、すべての過剰な量の基準または試料に適応するのに、十分な量であることができる。トラフ領域１７０は、基準または試料の一部が試料領域１６０及びトラフ領域１７０の両方からあふれる（すなわち表面１３０上へ）のを防ぐために、十分に広くかつ深くなることができる。したがって、基準または試料の全体量は、ウェル１５０内に完全に含有されることができ、他の任意のウェル１５０の内容物による相互汚染も防ぐことができる。

いくつかの実施形態によれば、例えば図２Ａ〜図２Ｂに示すように、カバー２００をスライド１００に適用できる。カバー２００の反対側の表面２３０は、実質的に平らまたは平坦であることができる。カバー２００のいくつかの特徴は、スライド１００の特徴に相補的または同一であることができる。例えばカバー２００の形状は複数の角を含むことができる。カバー２００の角のいくつかは、スライド１００の規則的な角１２０と同一または類似する規則的な角２２０であることができる。カバー２００の角のうちの１つ以上は、スライド１００の不規則な角１２２と同一または類似する不規則な角２２２であることができる。カバー２００の得られた形状（例えば、周囲）は、スライド１００の形状（例えば、周囲）と同一または類似であることができる。

いくつかの実施形態によれば、カバー２００は基板２１０を含むことができる。好ましくは、基板は、電磁放射線（例えば可視光または赤外光）を透過させることができ、スペクトル解析の使用に適している。基板２１０は、スライド１００の基板１１０と同じ材料またはそれとは異なる材料であることができる。基板２１０の材料は、スライド１００のウェル１５０内に収容される基準または試料のスペクトル解析を促進するために選択できる。例えば基板２１０の材料は、可視光及び／または赤外光を透過させることができて、基準及び／または試料に対して実質的に非反応性であることができる。本明細書に記載の種類のカバー２００は、異なる基準及び試料を使用する別個の手順で複数回再利用できる。

カバー２００の反対側の表面２３０は、スライド１００の表面１３０と接触させることができる。このような構成において、反対側の表面２３０は表面１３０に平行またはそれと同一平面上にあることができる。カバー２００をスライド１００と接触させるとき、反対側の表面２３０はスライド１００のウェル１５０のうちの１つ以上にわたって延在できる。反対側の表面２３０はウェル１５０のそれぞれを囲むことができ、その結果、各ウェル１５０は外部環境及び他のウェル１５０から分離される。カバー２００は、ウェル１５０からの基準または試料の蒸発を防ぐことができる。試料領域１６０及びトラフ領域１７０のそれぞれの境界は、部分的に反対側の表面２３０によって画定されることができる。スライド１００へのカバー２００の使用によって、試料領域１６０内の基準または試料の少なくとも一部をトラフ領域１７０内へ移動させることができる。

カバー２００は、反対側の表面２３０と直交する寸法のカバー厚２１２を画定できる。そのうえスライド１００は、表面１３０と直交するスライド厚１１２及び寸法を画定できる。カバー厚２１２は、スライド厚１１２に等しくなる、または実質的に等しくなることができる。本明細書で使用する場合、実質的に等しい厚みは、適用する製造工程で典型的である許容度内にまったく同一からの変化するものである。

いくつかの実施形態によれば、例えば図３Ａ〜図３Ｄに示すように、スライド１００及び／またはカバー２００の一部にわたる熱の伝導のために、キャップ３００を設けることができる。キャップ３００は、実質的に平らまたは平坦なキャップ面３３０を含むことができる。１つ以上の支持レール３６０が、キャップ面３３０から突出できる。１つ以上のキャップ開窓３５０は、キャップ面３３０を含むキャップ３００の一部を通って延在できる。１つ以上のキャップ開窓３５０は、スライド１００の列１４０のうちの対応する１つと合わせられるように各々構成される窓を形成できる。キャップ開窓３５０の数は、スライド１００の列１４０の数に等しくなることができる。キャップ開窓３５０のそれぞれは、対応する列１４０のウェル１５０のすべてを包含する長さにわたることができる。１つ以上のキャップ開窓３５０は、スライド１００のウェル１５０に及び／またはそれからの電磁放射線の伝送を提供する。熱は、キャップ３００と隣接する要素との間に伝導されることができる。キャップ３００の少なくとも一部は、高熱伝導性を有する材料であることができる。本体４１０のための代表的な材料は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（「ＰＴＦＥ」）、黄銅、青銅、銅、銀、金及び他の金属合金またはセラミックを含む。

いくつかの実施形態によれば、例えば図４のＡ〜図４のＥに示すように、ホルダー４００は、スライド１００及び／またはカバー２００を含み、かつ支持できる。ホルダー４００の本体４１０は、本体４１０の第１の面４１２と第２の面４１４との間の空洞４２０を画定できる。ポート４７０は、空洞４２０内にスライド１００及び／またはカバー２００を収容するために空洞４２０へのアクセスを提供する。

いくつかの実施形態によれば、１つ以上の第１の開窓４５０は、本体４１０の第１の面４１２の一部を通って延在できる。１つ以上の第２の開窓４６０は、本体４１０の第２の面４１４の一部を通って延在できる。スライド１００がホルダー４００に置かれるとき、第１の開窓４５０及び／または第２の開窓４６０は、スライド１００の列１４０のうちの対応する１つと合わせられるように各々構成される窓を形成できる。第１の開窓４５０の数、及び／または第２の開窓４６０の数は、スライド１００の列１４０の数に等しくなることができる。第１の開窓４５０及び／または第２の開窓４６０のそれぞれは、対応する列１４０のウェル１５０のすべてを包含する長さにわたることができる。第１の開窓４５０及び／または第２の開窓４６０は、スライド１００のウェル１５０に、及び／またはそれからの電磁放射線の伝送を提供する。

いくつかの実施形態によれば、スライド１００及び／またはカバー２００の、少なくとも一部に、ホルダーの内側表面４２２が接触するように、ホルダー４００の空洞４２０の大きさを設定する。内側表面４２２は、スライド１００及び／またはカバー２００のうちの少なくとも１つとの熱接触を生じる。例えば第１の面４１２上の内側表面４２２はカバー２００に接触でき、第２の面４１４上の内側表面４２２はスライド１００に接触できる。熱は、ホルダー４００とその内容物との間に伝導されることができる。ホルダー４００の本体４１０の少なくとも一部は、高熱伝導率、頑丈な構造及び低電磁放射線（例えば可視光、赤外光、量子カスケードレーザー）反射を備える材料であることができる。本体４１０の代表的な材料は、陽極酸化アルミニウム、ＰＴＦＥ、青銅及び銅を含む。ホルダー４００は、ホルダー４００の上に入射する相当量の電磁放射線を吸収できる。例えばホルダー４００は、ホルダー４００の上に入射する電磁放射線の少なくとも９０％、少なくとも９５％または少なくとも９９％を吸収できる。ホルダー４００はホルダー４００が反射するものより多くの電磁放射線を吸収するので、ホルダー４００はスペクトル解析の間、正確な表示に対する干渉を低減する。内側表面４２２の少なくとも一部は、移動するまたはその内部に存在するときに、ホルダー４００の内容物への破損を低減するまたは除去するためにコーティングを備えることができる。代表的なコーティングの材料にはシリコーンが含まれる。

いくつかの実施形態によれば、１つ以上の拡張部４３０を、ホルダー４００の外側周辺に設けることができる。拡張部４３０は、撮像装置８００の視界内に基準及び試料を整列配置するための、案内と、他の機器の一部との摺動可能な係合と、を生じることができる。

いくつかの実施形態によれば、ポート４７０をホルダー４００の任意の面上に設けることができる。例えばポート４７０を、ホルダー４００の少なくとも１つの他の側より短い長さを有するホルダー４００の面上に設けることができる。これに代えて、または組み合わせて、ポート４７０を、ホルダー４００の少なくとも１つの他の側より長い長さを有するホルダー４００の面上に設けることができる。ポート４７０は、ブロック５００を収容するための収容部４８０に隣接させることができる。収容部４８０は、部分的にまたは完全にポート４７０を遮るための溝、凹部、チャネル、レールまたは他のガイドを含むことができる。

いくつかの実施形態によれば、例えば図５Ａ〜図５Ｄに示すように、ブロック５００は、ホルダー４００の空洞４２０内に物品を固定するために使用できる。ブロック５００は、ホルダー４００の収容部４８０内に適合するように構成される障壁５２０を含んでもよい。障壁５２０は、部分的にまたは完全にポート４７０を遮るように更に構成されることができ、その結果、ブロック５００が除去されるまで、ホルダー４００の空洞４２０内の内容物が空洞４２０内に残存する。例えば、ブロック５００が収容部４８０内にある間に、スライド１００及び／またはカバー２００は空洞４２０内に固定されることができる。ブロック５００は、ユーザーによる操作中、使用のためのハンドル５３０も含むことができる。

いくつかの実施形態によれば、例えば図６のＡ〜図６のＢに示すように、アセンブリは本明細書に記載の構成要素で作製することができる。１つ以上の基準及び試料は、スライド１００に形成される複数のウェル１５０のそれぞれに設けられる。ウェル１５０は、スライド１００にカバー２００を装着ることによって囲い込まれる。例えばカバー２００の反対側の表面２３０は、スライド１００の表面１３０に装着することができる。スライド１００及び／またはカバー２００は、ポート４７０を通して、ホルダー４００の空洞４２０内に挿入できる。いくつかの実施形態によれば、キャップ３００はホルダー４００に装着できる。例えば表面３００は、ホルダー４００の面（例えば第１の面４１２）へ当接させることができる。このような構成で、キャップの開窓３５０は、第１の開窓４５０と位置合わせできる。キャップ３００の支持レール３６０のうちの少なくとも１つは、ホルダー４００の拡張部４３０のうちの１つ以上に接触及び／または載置できる。キャップ３００は、ホルダー４００にわたる熱分布を促進するために、ホルダー４００の１つ以上の面と熱接触させることができる。キャップ３００は、抵抗温度検知器、熱電対及び／または他のセンサーを備えたエッチング箔との密着を通した熱制御をもたらすことができる。キャップ３００の特徴（例えば、熱電対及び／またはセンサー）は、１つ以上の制御構成要素（例えばＰＬＣコントローラ）に接続していることができる。一様な加熱によって、キャップ３００は、ホルダー４００との接触領域に沿って、連続でかつ勾配のない熱伝達を可能にする。キャップ３００は、顕微鏡パージの冷気流からホルダー４００を保護できる。本明細書に記載されるように、キャップ３００の特徴のうちの１つ以上を、ホルダー４００上ではなく、キャップ３００上にだけ設けることができ、その結果、ホルダー４００がキャップ３００なしで使用されるとき、１つ以上の特徴を省略できる。そのうえ、システムの他の要素（例えば、ＰＬＣコントローラなど）に接続するキャップ３００の機構は、種々のホルダー４００はそれぞれ当該機構との接続及び切断を必要とせずにキャップ３００と共に使用されることができる一方で、キャップ３００に接続したままであることができる。いくつかの実施形態によれば、ホルダー４００の空洞４２０内の内容物（図６のＢに示さず）については、ブロック５００は、空洞４２０内に内容物を固定するために、ホルダー４００の収容器４８０内に挿入されることができる。

キャップ３００は、スライド内の試料の温度を制御するエッチング箔ヒーターを含むことができる。エッチング箔ヒーターは、キャップ３００の表面にわたる。ヒーターの箔層は、底部積層膜と保護積層膜との一方または両方の間にあることができる。積層膜は、キャップ３００及び／または他の構造からエッチング箔を電気的に分離するための誘電体材料（例えば、ポリイミド）を含むことができる。エッチング箔は、ユーザーが電源（例えば、直流電源）をエッチング箔ヒーターに接続するのを可能にするキャップ３００の面上の導線を備えた一対の端子を有することができる。端子間に、エッチング箔ヒーターは、キャップ３００を横断する経路を画定することができる。例えば経路は、キャップ開窓３５０のそれぞれ及びすべてのものの周囲とそれらの間とに延在できる。エッチング箔ヒーターはキャップ３００全体に均等に熱を分配して、それによって熱を均等にスライドへ移すことができ、その結果、キャップ３００及びスライド全体の温度勾配は低減または除去される。エッチング箔ヒーターは温度閾値を有することができ、それを超えると、ヒーターの活動は自動的に終わる。いくつかの実施形態によれば、キャップ３００と同形の底部（図示せず）を、カバー２００への当接のために設けることができる。底部を、キャップ３００と反対側のカバーの面上に設けることができる。底部はキャップ３００の鏡像であることができ、キャップ３００と同一の機構を有することができる。例えば底部は、第２の開窓４６０と整列する開窓を含むことができる。更なる例によって、底部はエッチング箔ヒーターを含むことができる。

いくつかの実施形態によれば、例えば図６のＣに示すように、本明細書に記載の構成要素を、基準または試料を撮像軸１０００に合わせるように積み重ねることができる。撮像軸１０００に沿って、キャップ開窓３５０、第１の開窓４５０、カバー２００、スライド１００（試料領域１６０を含む）及び／または第２の開窓４６０を、整列配置することができる。電磁放射線は、撮像軸１０００に沿って一方または両方の方向に上記構成要素のそれぞれを通って伝達されることができる。

いくつかの実施形態によれば、例えば図７〜図９に示すように、任意の数の試料を、適切な数のスライドのウェル及びウェルに適合するための対応する構造を設けることにより、評価することができる。例えば図７に示すように、スライド１００は、別個の列１４０に設けられる複数のウェル１５０を形成する基板を含むことができる。図７に示すように、３つの列１４０を提供することができる。例えば、第１の列１４０は第１の数のウェル１５０を含むことができ、第２の列１４０は第２の数のウェル１５０を含むことができ、第３の列１４０は第３の数のウェル１５０を含むことができる。列１４０は、同数のウェル１５０または異なる数のウェル１５０を含むことができる。いくつかの実施形態によれば、キャップ３００は、スライド１００の列１４０の数に対応する数のキャップ開窓３５０を含むことができる。例えば、３つのキャップ開窓３５０は、スライド１００の３つの列１４０と合わせられるように構成される窓を形成できる。いくつかの実施形態によれば、ホルダー４００は、スライド１００の列１４０の数に対応する数の第１の開窓４５０及び第２の開窓４６０を含むことができる。例えば、３つの第１の開窓４５０及び３つの第２の開窓４６０は、スライド１００の３つの列１４０と合わせられるように構成される窓を形成できる。

いくつかの実施形態によれば、例えば図１０Ａ〜図１１に示すように、プレート７００は、ホルダー４００、ホルダー４００の内容物及び／またはキャップ３００を収容できる。プレート７００は撮像装置８００の構成要素であることができる、またはその動作中、撮像装置８００に装着するように構成されることができる。撮像装置８００は、顕微鏡、カメラ、鏡、レンズ、量子カスケードレーザーもしくはビームスプリッタを備える赤外線源、検知器、センサーまたはこれらの組み合わせを含むことができる。撮像装置８００は、試料領域１６０内の基準または試料に入射する電磁放射線に関して情報を捕捉するように構成されることができる。プレート７００は、電磁放射線をスライド１００へ、またはそれから透過させる、本体７１０及び窓７５０を含むことができる。窓７５０の位置で、プレート７００はホルダー４００を受容するための凹領域を提供できる。

いくつかの実施形態によれば、プレート７００は、撮像装置８００の視野及び焦点距離及び／または焦点面内に試料領域１６０を配置するための整列を容易にすることができる。例えばプレート７００は、ホルダー４００を受容するための１つ以上のガイド７４０を含むことができる。ホルダー４００の少なくとも一部（例えば拡張部４３０）は、ガイド７４０内に受容されることができる。ホルダー４００は、位置決め軸７９０に沿って移動できる。位置決め軸７９０は、スライド１００の列１４０のうちの１つ以上と平行であることができる。ホルダー４００が位置決め軸７９０に沿って移動する際、試料領域１６０のうちの選択した１つ以上は、撮像装置８００の視野内にあるように整列配置されることができる。ホルダー４００は、手動によって、または自動化またはプログラムされた機構８１０（例えばサーボモーター及び／またはステッピングモーター）によって、位置決め軸７９０に沿って移動できる。機構８１０は、コントローラ（例えばキャップ３００に接続されたコントローラ）によって制御できる。プレート７００内のホルダー４００の様々な位置について、撮像装置８００の視野内にある試料領域１６０は、基準点（例えば、電磁放射線源）から一定で一貫した距離（例えば、焦点距離）にある。したがって電磁放射ビームの一定の経路長は、複数の基準及び／または試料が解析される手順の全体にわたって、特定かつ維持されることができる。

いくつかの実施形態によれば、電磁放射ビームの経路長は、スライドの複数のウェル内の複数の試料に対して変化できる。試料濃度が異なる試料で同じとなる、または類似するのを確実にするために、経路長が変化できる。経路長は、ランベルト・ベールの法則（またはベールの法則）に基づいて決定されることができ、それは吸収種の吸収度と濃度の間に直線関係があることを示す。一般的なランベルト・ベールの法則は以下のように記され、
Ａ＝ε（λ）＊ｂ＊ｃ，
Ａは測定した吸光度であり、ε（λ）は波長依存の吸光係数であり、ｂは経路長であり、ｃは分析物濃度である。モル濃度の濃度単位で機能するとき、ランベルト・ベールの法則は以下のように記され、
Ａ＝ε＊ｂ＊ｃ，
εは、Ｍ^-1ｃｍ^-1単位による波長依存のモル吸光係数である。実験的測定値は、
Ｔ＝Ｉ／Ｉ₀
として定義される、透過率（Ｔ）に関して実施されることができ、Ｉは試料を通過した後の光の強度であり、Ｉ₀は初期の光強度である。ＡとＴの間の関係は以下のとおりである。
Ａ＝−ｌｏｇＴ＝−ｌｏｇ（Ｉ／Ｉ₀）．

現在の吸光計器は、通常、透過率、透過％または吸光度としてデータを示すこともできる。分析物の未知の濃度は、試料が吸収する光の量を測定することと、ベールの法則を適用することと、によって決定することができる。吸光係数が未知の場合、標準に由来する濃度に対する吸光度の検量線を使用して、未知の濃度を決定できる。

スライドのウェルの経路長（すなわち、ウェル深さ）の較正は、例えば吸光度結果を解析することによって実施できる。吸光度の測定値が周知の経路長と直線的に相関できる箇所及びこの相関からの偏差が観察される箇所で、経路長に対する補正は直線性の欠如を説明するために実施できる。次に様々な経路長は直線的な相関関係からの偏差を補うことができ、その結果、較正段階の間の更なる試験は、直線的な相関関係と整合する結果を生じる。

例えば図１０Ｂに示すように、プレート７００は、試料採取システム１の他の構成要素（例えば図１１に示すような、プレート７００を均一に加熱しかつその温度条件を監視するための加熱素子８３０、冷却素子８４０（例えば、ペルチェ、埋め込み型マイクロ流体／ＴＥＧシステム）または温度センサー８５０（例えば、熱電対））を収容するための機構（例えば凹部７６０）を含むことができる。プレート７００は、撮像装置８００の試料採取区画の湿度レベルを決定するための湿度センサー８６０を備えることもできる。これに代えて、または組み合わせて、キャップ３００及び／またはホルダー４００は機構（例えば、凹部３９０）を含んで、ホルダー４００及び／またはその内容物を均一に加熱しかつその温度条件を監視するための加熱素子、冷却素子（例えば、ペルチェ）、温度センサー（例えば、熱電対）及び／または前述のうちの１つ以上に接続する接続ポートを含むことができる。システムの１つ以上のセンサーの出力は、データをコントローラ８２０（例えば周辺インターフェイスコントローラ（「ＰＩＣ」）マイクロコントローラ）に供給できる。温度条件は、センサーからのデータに基づいてコントローラ８２０により制御できる。コントローラ８２０は、スライド１００全体に均一な温度条件を提供するために、任意の加熱素子及び冷却素子の操作も更に制御できる。熱は、プレート７００、ホルダー４００及び／またはその内容物全体に伝導されることができる。プレート７００の本体７１０の少なくとも一部は、高熱伝導率、頑丈な構造及び低電磁放射線反射を備える材料からなることができる。本体７１０の代表的な材料は、陽極酸化アルミニウム、ＰＴＦＥ、青銅及び銅を含む。

コントローラ８２０は、ユーザー定義命令及び／または入力に従って複数の（例えば、３つ以上）位置の温度を上げたり下げたりできる。目標温度に達すると、アセンブリ（例えば、ホルダー４００）は最初の測定位置へ移動できる。位置を複数回（例えば、３回以上）測定することは、アセンブリのすべてのウェルに関する情報を捕捉するために達成することができる。所与の目標温度で、測定サイクルは以下の工程（１）すべてのヒーターで正しい温度に達する、（２）顕微鏡に「測定できる」信号を送る、（３）顕微鏡が「測定の終了」信号を反射するまで、待つ、（４）アセンブリを次の位置へ移動させる、を含むことができる。各ウェルの相対湿度及び温度は、測定され、記録されることができる。システムは、適切なウェル整列によってアセンブリを移動させるために、サーボモーターまたはステッピングモーターを制御できる。各位置は、実験パラメータの一部として特定された時間だけ維持されることができる。アセンブリの移動の範囲は、終端リミットスイッチによって示されることができる。コントローラ８２０は、標的ウェルが測定に適切な位置にあるとき、指示を検知し、指示を備えることができる。１つ以上の目標温度及び／または実験の他のパラメータを入力して、それを修正するために、コントローラ８２０はユーザーインターフェイスをユーザーに提供できる。サイクル全体は、温度を上げること及び／または温度を下げることを含むことができる。コントローラ８２０は、特定の条件（例えば測定中、温度を維持することができない、及び／または範囲内に相対湿度を維持することができない）の出現に基づいて、指示（例えば、警報）をユーザーに提供する特徴を含むことができる。

いくつかの実施形態によれば、複数（例えば４つ）の異なるゾーンが、サーボモーターによって完全に自動化される試料採取システム１の試料採取配列を画定して、撮像装置８００の視野を通したホルダー４００の前進を可能にする。所定の位置及びその循環に対するサーボモーターの制御は、コントローラ８２０によって容易にできる。したがって、データ収集は、ホルダー４００及びその内容物の温度制御と共に完全に自動化されることができる。

いくつかの実施形態によれば、複数のデータ収集段階を実施でき、そこで複数の基準及び／または試料は第１のセットの条件（例えば、温度、湿度など）下で評価され、続いて新しい条件下で同じ基準及び／または試料の少なくともいくつかが更に評価される。

いくつかの実施形態によれば、追加のデータ収集段階を実施でき、そこで複数の基準または試料は第１のセットの条件（例えば、温度、湿度など）に戻されて、更なる評価が続いて、１つ以上の状態依存（例えば、熱依存）下で可逆性を評価する。

いくつかの実施形態によれば、本明細書に記載の試料採取システム１は、溶液中のまたは凍結乾燥状態のタンパク質、ペプチドまたはペプトイド配合物の凝集の機序及び凝集物の量を決定するために、プローブまたは添加剤を使用することなく、例えば米国特許第８，２６８，６２８号に記載のように（参照により本明細書に組み込まれる）フーリエ変換赤外（「ＦＴ−ＩＲ」）分析及び二次元相関分析（「２ＤＣＯＳ」）を実施することによって、使用できる。このような解析は、コンピュータシステム８９０によって実施できる。ＦＴ−ＩＲ分光分析は、限定的な操作によって、及び外因性プローブを使用することなく、タンパク質凝集物の測定の高度な適応性及び速度を可能にする。試料採取システム１の試料または基準は、加熱され、評価のために放置されて、その後所望の温度でスペクトル取得が続き、タンパク質、ペプチド及びペプトイド、安定性、凝集及び生存度の決定を実施できる。前記方法は、単一の成分としての脂質、膜タンパク質、親水性タンパク質、ペプチド及びペプトイドの実験、または他のペプチドもしくは脂質混合物との２成分もしくは３成分の混合物の実験にも適用できる。

混合物または複合体の２つのタンパク質成分を実験するとき、各成分の同時検出を可能にするために、構成成分の１つは同位体で標識されることができる。ＦＴ−ＩＲ分光分析は、凝集物の存在の測定及び凝集の機序の測定を可能にする２ＤＣＯＳと組み合わせることができる。そうしてこの情報を、タンパク質製造工程を変更して、発現のためにより生存可能なタンパク質を生成するために使用できる。更にタンパク質の熱転移も測定でき、所望のタンパク質生成物の品質管理、安定性及び生存度を可能にする、確立した生存可能なタンパク質と比較するための２ＤＣＯＳプロットを作製できる。

いくつかの実施形態によれば、試料採取システム１は、タンパク質、ペプチドまたはペプトイドの解析に限定されず、任意の所望の成分（例えば熱的摂動もしくは他の摂動の間の液体試料、脂質またはポリマー）を解析するためにも使用できる。本技術の一態様により、二重セルホルダーは、物質（有機または無機）、材料または試薬及び液体の実験に広く適用することができる。いくつかの実施形態によれば、二重セルホルダーは、試料採取の連続往復式のまたは自動化した方法を使用する分光光度計で使用できる。いくつかの実施形態によれば、試料採取システム１の使用は赤外領域に限定されず、例えば望ましい材料及び物質の解析のための円二色性（ＣＤ）、振動円二色性ならびにラマン分光法と同様に、ＵＶ及び可視範囲でも使用できる。

いくつかの実施形態によれば、試料採取システム１は、タンパク質間相互作用（「ＰＰＩ」）またはタンパク質−巨大分子（タンパク質−脂質相互作用、タンパク質ＤＮＡもしくはタンパク質−ＲＮＡ相互作用またはタンパク質薬物相互作用）を決定するために使用できる。更に試料採取システム１は、有機溶液、ポリマー、ゲル、ナノ構造または小さな液晶などの解析のために使用できる。

「態様」という語句は、このような態様が本技術にとって重要である、またはこのような態様が本技術のすべての構成にあてはまることを意味しない。態様に関する開示は、すべての構成または１つ以上の構成にあてはまり得る。態様は本開示の１つ以上の例を提供し得る。「態様」という語句は１つ以上の態様を意味し得て、逆もまた同様である。「実施形態」という語句は、このような実施形態が本技術にとって重要である、またはこのような実施形態が本技術のすべての構成にあてはまることを意味しない。実施形態に関する開示は、すべての実施形態または１つ以上の実施形態にあてはまり得る。実施形態は本開示の１つ以上の例を提供し得る。「実施形態」という語句は１つ以上の実施形態を意味し得て、逆もまた同様である。「構成」という語句は、このような構成が本技術にとって重要である、またはこのような構成が本技術のすべての構成にあてはまることを意味しない。構成に関する開示は、すべての構成または１つ以上の構成に適用し得る。構成は本開示の１つ以上の例を提供し得る。「構成」という語句は１つ以上の構成を意味し得て、逆もまた同様である。

上述の説明は、当業者が本明細書に記載の種々の構成を実施するのを可能にするために提供される。本技術が特に種々の図及び構成に関して記載されている一方で、これらが例示目的のためだけであり、本技術の範囲を制限するとして取られるべきではないことを理解すべきである。

本技術を実施する多くの他の方法があり得る。本明細書に記載の種々の機能及び要素は、本技術の範囲を逸脱することなく示されるものとは異なって区分し得る。これらの構成に対する様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義される一般原則は他の構成に適用してよい。したがって、多くの変更及び修正は、本技術の範囲から逸脱することなく、当業者によって本技術に行われ得る。

開示した方法の工程の特定の順序または階層は、代表的な方法の実例であると理解される。設計の好みに基づいて、前記方法の工程の特定の順序または階層が再編成され得ると理解される。いくつかの工程は同時に実施してよい。添付の方法クレームはサンプル順序の種々の工程の要素を提示するものであり、提示した特定の順序または階層を制限することを意図したものではない。

本明細書で使用する場合、品目のいずれかを分離するための「及び」または「または」という用語と共に、一連の品目の前の「のうちの少なくとも１つ」という語句は、リストの各要素（すなわち、各品目）の代わりに全体としてリストを変更する。むしろ前記語句は、品目のいずれか１つのうちの少なくとも１つ、及び／または品目の任意の組み合わせのうちの少なくとも１つ、及び／または品目のそれぞれのうちの少なくとも１つを含む意味を可能にする。例として、「Ａ、Ｂ及びＣのうちの少なくとも１つ」または「Ａ、ＢまたはＣのうちの少なくとも１つ」はそれぞれ、Ａだけ、ＢだけまたはＣだけ、Ａ、Ｂ及びＣの任意の組み合わせ、及び／またはＡ、Ｂ及びＣのそれぞれのうちの少なくとも１つを意味する。

本開示で使用する場合の「上部」「底部」「前方」「後方」などの用語は、通常の重力座標系の代わりに、任意の座標系を意味するものとして理解されるべきである。したがって、上面、底面、前面及び後面は、重力座標系の上方、下方、対角線方向または水平方向に延在してよい。

更に本明細書または本特許請求の範囲で「包含する」「有する」などの用語を使用する限りにおいて、特許請求の範囲で移行語として「含む」を用いる場合に解釈されるのと同様の方法で、このような用語は包括的であることを意図している。

「代表的」という語は、本明細書で使用する場合「例、実例または例示としての機能すること」を意味する。本明細書で「代表的」として記載される任意の実施形態は、他の実施形態より必ずしも好ましいまたは有利なものとして解釈されない。

特に記載がない限り、単数の要素への言及は「１つかつ唯一」を意味することを目的とせず、むしろ「１つ以上」を意味する。男性（例えば彼の）の代名詞は女性及び中性（例えば彼女の及びその）を含み、逆もまた同様である。「いくつか」という用語は、１つ以上を意味する。下線を引いた及び／またはイタリック体にされた見出し及び小見出しは、便宜上のみで使用されており、本技術を制限せず、本技術の説明の解釈に関連して参照されない。当業者に周知の、または後に当業者に周知になる本開示を通して記載される種々の構成の要素に対するすべての構造的及び機能的等価物は、参照により本明細書に明示的に組み込まれ、本技術によって包含されることを意図する。更に、このような開示が上述の説明で明確に説明されるかにかかわらず、本明細書で開示されるものは公衆に提供されることを目的としない。

本技術の特定の態様及び実施形態が記載される一方で、これらはあくまで一例として示されており、本技術の範囲を制限することを意図していない。実際、本明細書に記載される新規な方法及び装置は、その趣旨を逸脱することなく、様々な他の形態で例示され得る。添付の特許請求の範囲及びその均等物は、本技術の範囲及び趣旨内に入るような形状または修正を対象とすることを意図とする。
本発明の態様として以下のものが挙げられる。
［１］基板であって前記基板の表面に対してくぼんでいる複数のウェルを形成する前記基板を含み、前記ウェルのそれぞれが、前記表面から試料深さだけくぼんでいる試料領域と、前記表面からトラフ深さだけくぼんでいるトラフ領域と、を形成し、前記トラフ深さが前記試料深さより大きい、スライド。
［２］前記基板が電磁放射線を通過させる、［１］に記載のスライド。
［３］前記基板が塩である、［１］に記載のスライド。
［４］前記基板が、ＡｇＢｒ、ＡｇＣｌ、Ａｌ _２ Ｏ _３ 、ＡＭＴＩＲ、ＢａＦ _２ 、ＣａＦ _２ 、ＣｄＴｅ、ＣｓＩ、ダイヤモンド、Ｇｅ、ＫＢｒ、ＫＣｌ、ＫＲＳ−５、ＬｉＦ、ＭｇＦ _２ 、ＮａＣｌ、Ｓｉ、ＳｉＯ _２ 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ及び／またはＺｒＯ _２ を含む、［１］に記載のスライド。
［５］前記スライドの周囲が両側で非対称形を形成する、［１］に記載のスライド。
［６］前記トラフ領域が前記試料領域の周囲に完全に延在する、［１］に記載のスライド。
［７］前記試料領域が前記トラフ領域内で同軸である、［１］に記載のスライド。
［８］前記複数のウェルが複数の列をなして設けられ、各列が前記複数のウェルのうちの少なくとも２つを含む、［１］に記載のスライド。
［９］前記スライドが再利用可能である、［１］に記載のスライド。
［１０］基板であって前記基板の表面に対してくぼんでいる複数のウェルを形成する前記基板を含むスライドと、
本体の第１の面と第２の面との間に空洞を画定する前記本体、
前記空洞内に前記スライドを受容するためのポート、
前記第１の面上の１つ以上の第１の開窓、及び
前記第２の面上の１つ以上の第２の開窓、
を含むホルダーと、を含むシステム。
［１１］ブロックであって、前記ブロックが前記ポートの中に配置されるとき、前記空洞内に前記スライドを固定するように構成された前記ブロックを更に含む、［１０］に記載のシステム。
［１２］前記スライドの前記表面上に置かれたときに前記ウェルのそれぞれを囲むように構成されたカバーを更に含む、［１０］に記載のシステム。
［１３］前記カバーが電磁放射線を透過させるように構成されている、［１２］に記載のシステム。
［１４］前記カバー及び前記スライドが、前記カバーが前記スライドの前記表面上に置かれたときに前記スライドの前記表面と直交する方向に実質的に等しい厚みを有する、［１２］に記載のシステム。
［１５］前記ホルダーの前記本体が、前記ホルダーへ入射するすべての電磁放射線を実質的に吸収する、［１０］に記載のシステム。
［１６］前記複数のウェルが複数の列をなして設けられ、各列が前記複数のウェルのうちの少なくとも２つを含む、［１０］に記載のシステム。
［１７］前記１つ以上の第１の開窓が前記複数の列の数に等しい数の第１の窓を含み、前記１つ以上の第２の開窓が前記複数の列の数に等しい数の第２の窓を含む、［１６］に記載のシステム。
［１８］前記第１の窓の１つ及び前記第２の窓の１つが、前記スライドが前記ホルダー内にあるときに前記複数の列の１つの反対側にある、［１７］に記載のシステム。
［１９］前記ポートが前記ホルダーの第３の面上に配置されている、［１０］に記載のシステム。
［２０］前記第１の面が前記第２の面の反対側にある、［１０］に記載のシステム。
［２１］前記複数のウェルのうちの少なくとも１つ、前記１つ以上の第１の開窓及び前記１つ以上の第２の開窓が、前記スライドが前記空洞内にあるときに軸に沿って一直線に配置される、［１０］に記載のシステム。
［２２］前記スライド、前記１つ以上の第１の開窓及び前記１つ以上の第２の開窓が、電磁放射線を透過させるように構成されている、［１０］に記載のシステム。
［２３］前記本体の内側表面のコーティングを更に含む、［１０］に記載のシステム。
［２４］前記コーティングがシリコーンを含む、［２３］に記載のシステム。
［２５］前記ホルダーの外側表面と熱接触するキャップを更に含み、前記キャップが１つ以上の第３の開窓を含む、［１０］に記載のシステム。
［２６］撮像装置に取り付けられたプレートを更に含む、［１０］に記載のシステム。
［２７］方法であって、
スライドに形成された複数のウェルのそれぞれに試料を提供することであって、前記ウェルのそれぞれが前記スライドの表面に対してくぼんでいる、前記試料を提供することと、
前記スライドの前記表面にカバーを装着することによって前記ウェルを取り囲むことと、
前記スライド及び前記カバーをホルダーの空洞に挿入することと、
前記ホルダーの１つ以上の第１の開窓、前記ホルダーの１つ以上の第２の開窓及び前記試料を通して電磁放射線を放射することと、を含む、前記方法。
［２８］撮像装置に取り付けられたプレートの収容部内に前記ホルダーを挿入することを更に含む、［２７］に記載の方法。
［２９］前記ホルダーを挿入することが、前記撮像装置の焦点距離に前記試料を置くことを含む、［２８］に記載の方法。
［３０］前記ホルダーを通して熱を伝導させることによって、前記試料を目標温度まで加熱することを更に含む、［２７］に記載の方法。
［３１］前記ホルダーの外側表面と熱接触させてキャップを配置することを更に含む、［２７］に記載の方法。
［３２］前記電磁放射線を前記放射することが、前記キャップの１つ以上の第３の開窓を通して前記電磁放射線を放射することを含む、［３１］に記載の方法。
［３３］前記スライド及び前記カバーを前記挿入することが、前記ホルダーのポートを通して前記スライド及び前記カバーを挿入することを含む、［２７］に記載の方法。
［３４］前記スライドを前記カバーに挿入した後にブロックで前記ポートを遮ることを更に含む、［３３］に記載の方法。
［３５］前記電磁放射線が赤外光である、［２７］に記載の方法。
［３６］前記電磁放射線を前記放射することの後に、前記試料によって吸収されない前記電磁放射線の特徴を検出することを更に含む、［２７］に記載の方法。
［３７］前記電磁放射線を前記放射することの後に、前記試料の温度を変えることと、
前記ホルダーの前記１つ以上の第１の開窓及び前記１つ以上の第２の開窓を通して、及び前記試料を通して、追加の電磁放射線を放射することと、を更に含む、［２７］に記載の方法。

Claims (8)

1. 赤外スペクトル解析のために試料を含むためのスライドであって、
   基板の表面に対してくぼんでいる複数のウェルを形成する基板
   を含み、前記ウェルのそれぞれが、前記表面から試料深さだけくぼんでいる試料領域と、前記表面からトラフ深さだけくぼんでいるトラフ領域とを形成し、前記トラフ深さが前記試料深さより大きく、前記試料深さは、０．００４〜０．０１２ｍｍ±０．００２ｍｍであり、前記基板は、前記ウェル内に収容される基準および／または試料に対して実質的に非反応性である材料で構成され、前記基板は、電磁放射線を透過するように配置される、スライド。
2. 前記基板が塩である、請求項１に記載のスライド。
3. 前記基板が、ＡｇＢｒ、ＡｇＣｌ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡＭＴＩＲ、ＢａＦ_２、ＣａＦ_２、ＣｄＴｅ、ＣｓＩ、ダイヤモンド、Ｇｅ、ＫＢｒ、ＫＣｌ、ＫＲＳ−５、ＬｉＦ、ＭｇＦ_２、ＮａＣｌ、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、ＺｎＳｅおよび／またはＺｒＯ_２を含む、請求項１に記載のスライド。
4. 前記スライドの周囲が両側で非対称形を形成する、請求項１に記載のスライド。
5. 前記トラフ領域が前記試料領域の周囲に完全に延在する、請求項１に記載のスライド。
6. 前記試料領域が、前記表面に直交して延在する軸に対して前記トラフ領域内で同軸である、請求項１に記載のスライド。
7. 前記複数のウェルが複数の列をなして設けられ、各列が前記複数のウェルのうちの少なくとも２つを含む、請求項１に記載のスライド。
8. 前記スライドが再利用可能である、請求項１に記載のスライド。

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