JP6948574B2

JP6948574B2 - Flat panel display board position adjustment device and flat panel display board position adjustment method

Info

Publication number: JP6948574B2
Application number: JP2018104303A
Authority: JP
Inventors: 幸也臼井
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2018-05-31
Filing date: 2018-05-31
Publication date: 2021-10-13
Anticipated expiration: 2038-05-31
Also published as: JP2019211214A

Description

本開示は、フラットパネルディスプレイ基板位置調整装置およびフラットパネルディスプレイ基板位置調整方法に関する。特に、本開示は、プロセス処理装置内における大型のフラットパネルディスプレイ基板用の基板位置調整装置および基板位置調整方法に関する。
The present disclosure relates to a flat panel display board position adjusting device and a flat panel display board position adjusting method. In particular, the present disclosure relates to a substrate positioning apparatus and a substrate positioning method for a large flat panel display substrate in a process processing apparatus.

フラットパネルディスプレイ（以下、「ＦＰＤ」という。）の技術分野では、最終製品の価格の下落および高画質化が進んでいる。価格の下落に対しては、生産性の向上を狙った基板の大判化や、製造装置の大型化等が進められている。また、高画質化については、大判化した基板に対して、これまで以上にプロセス処理の高精度化が求められている。 In the technical field of flat panel displays (hereinafter referred to as "FPDs"), the prices of final products are falling and the image quality is being improved. In response to the decline in prices, larger sizes of substrates and larger manufacturing equipment are being promoted with the aim of improving productivity. Further, in order to improve the image quality, it is required to improve the accuracy of the process processing more than ever for the large-sized substrate.

ＦＰＤに使用される基板としては、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ前後の厚さを有するガラス基板や、フレキシブル性を実現するための薄型のフィルム基板などが挙げられる。 Examples of the substrate used for the FPD include a glass substrate having a thickness of about 0.3 mm to 0.5 mm, a thin film substrate for realizing flexibility, and the like.

ＦＰＤの製造工程には、基板を加熱する工程、基板を冷却する工程、基板の温度の安定化を図る工程など、基板の温度に影響を与える様々な工程が存在する。基板の温度変化により、基板に伸縮や歪みが生じる。基板のサイズが大きくなるほど、伸縮や歪みの量は大きくなる。 The FPD manufacturing process includes various processes that affect the temperature of the substrate, such as a process of heating the substrate, a process of cooling the substrate, and a process of stabilizing the temperature of the substrate. The temperature of the substrate causes expansion and contraction and distortion of the substrate. The larger the size of the substrate, the greater the amount of expansion and contraction and distortion.

伸縮や歪みの対策として、従来、温湿度制御装置を設けることが行われている（特許文献１）。特許文献１では、基板の伸縮挙動をモニタリングし、その結果を温湿度制御装置にフィードバックして温度および湿度を制御することで、基板のサイズを調整し、最適化している。 Conventionally, a temperature / humidity control device has been provided as a countermeasure against expansion / contraction and distortion (Patent Document 1). In Patent Document 1, the size of the substrate is adjusted and optimized by monitoring the expansion and contraction behavior of the substrate and feeding back the result to the temperature / humidity control device to control the temperature and humidity.

この手法は基板のサイズを調整する上で有効であるが、温湿度制御装置を新たに設ける必要がある。特に、処理工程が複数ある場合には、処理工程毎に、温湿度制御装置が必要となる。 This method is effective in adjusting the size of the substrate, but it is necessary to newly install a temperature / humidity control device. In particular, when there are a plurality of treatment steps, a temperature / humidity control device is required for each treatment step.

また、プロセス処理装置内に温湿度制御装置を設けることも可能であるが、この場合、プロセス処理装置内に基板を一定時間待機させる必要がある。これにより、生産タクトが大きく伸び、生産性が悪化する可能性がある。 It is also possible to provide a temperature / humidity control device in the process processing device, but in this case, it is necessary to make the substrate stand by in the process processing device for a certain period of time. As a result, the production tact may be greatly increased and the productivity may be deteriorated.

さらに、温湿度制御装置を運用していくためには、予め、基板の種類毎に、温度および湿度と伸縮量との相関データを蓄積しておく必要がある。そのため、事前のデータ取りや調整に多くの時間が必要となる。 Further, in order to operate the temperature / humidity control device, it is necessary to accumulate correlation data between temperature and humidity and the amount of expansion / contraction for each type of substrate in advance. Therefore, a lot of time is required for collecting and adjusting data in advance.

特開２０１２−１９８００５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-198005

本開示の目的は、基板の位置を短時間で調整することができるフラットパネルディスプレイ基板位置調整装置およびフラットパネルディスプレイ基板位置調整方法を提供することである。 An object of the present disclosure is to provide a flat panel display board position adjusting device and a flat panel display board position adjusting method capable of adjusting the position of a board in a short time.

本開示の一態様は、ステージに吸着固定されたフラットパネルディスプレイ基板における所定の位置の基準位置からのずれ量を測定する測定部と、前記測定部によって測定された前記ずれ量が所定量以上である場合に、前記ステージと前記フラットパネルディスプレイ基板との吸着固定状態を解除して、前記フラットパネルディスプレイ基板を前記ステージから一時的に離間させる離間機構と、を備える、フラットパネルディスプレイ基板位置調整装置である。
また、本開示の他の一態様は、ステージに載置されたフラットパネルディスプレイ基板における所定の位置の基準位置からのずれ量を測定する測定部と、前記測定部によって測定された前記ずれ量が所定量以上である場合に、前記フラットパネルディスプレイ基板を前記ステージから一時的に離間させる離間機構と、前記ステージに載置された前記フラットパネルディスプレイ基板の近傍を通過する熱源と、を備え、前記測定部は、前記熱源が前記フラットパネルディスプレイ基板の近傍を通過した後に前記ずれ量を測定する、フラットパネルディスプレイ基板位置調整装置である。 One aspect of the present disclosure is a measuring unit that measures the amount of deviation of a predetermined position from a reference position on a flat panel display substrate that is attracted and fixed to a stage, and the amount of deviation measured by the measuring unit is a predetermined amount or more. In some cases, a flat panel display board position adjusting device comprising a separation mechanism for releasing the suction and fixing state between the stage and the flat panel display board and temporarily separating the flat panel display board from the stage. Is.
Further, in another aspect of the present disclosure, a measuring unit that measures the amount of deviation of a predetermined position from a reference position on a flat panel display substrate mounted on a stage and the amount of deviation measured by the measuring unit are A separation mechanism that temporarily separates the flat panel display substrate from the stage when the amount is a predetermined amount or more, and a heat source that passes in the vicinity of the flat panel display substrate mounted on the stage are provided. The measuring unit is a flat panel display board position adjusting device that measures the amount of deviation after the heat source has passed in the vicinity of the flat panel display board.

また、本開示の他の一態様は、ステージに吸着固定されたフラットパネルディスプレイ基板における所定の位置の基準位置からのずれ量を測定するステップと、前記ずれ量が所定値以上である場合に、前記ステージと前記フラットパネルディスプレイ基板との吸着固定状態を解除するステップと、前記ステージとの吸着固定状態が解除された前記フラットパネルディスプレイ基板を前記ステージから一時的に離間させるステップと、を備える、フラットパネルディスプレイ基板位置調整方法である。 In addition, another aspect of the present disclosure is a step of measuring the amount of deviation of a predetermined position from a reference position on a flat panel display substrate that is attracted and fixed to a stage, and when the amount of deviation is equal to or greater than a predetermined value. It includes a step of releasing the suction and fixing state of the stage and the flat panel display board, and a step of temporarily separating the flat panel display board from which the suction and fixing state of the stage is released from the stage. This is a flat panel display board position adjustment method.

本開示によれば、基板の位置を短時間で調整することができる。 According to the present disclosure, the position of the substrate can be adjusted in a short time.

プロセス処理装置の概要を示す図The figure which shows the outline of the process processing apparatus アライメントマークの基準位置の登録を行う手順を示す図The figure which shows the procedure of registering the reference position of an alignment mark. アライメントマークの基準位置の登録を行う手順を示す図The figure which shows the procedure of registering the reference position of an alignment mark. アライメントマークの基準位置の登録を行う手順を示す図The figure which shows the procedure of registering the reference position of an alignment mark. アライメントマークの基準位置の登録を行う手順を示す図The figure which shows the procedure of registering the reference position of an alignment mark. アライメントマークの基準位置の登録を行う手順を示す図The figure which shows the procedure of registering the reference position of an alignment mark. アライメントマークの基準位置の登録を説明する図The figure explaining the registration of the reference position of an alignment mark. プロセス処理装置で実施される工程を示すフローチャートFlow chart showing the process performed by the process processing device プロセス処理装置で実施される工程を示すフローチャートFlow chart showing the process performed by the process processing device 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically アライメントカメラの視野を模式的に示す図A diagram schematically showing the field of view of an alignment camera プロセス処理装置で実施される工程を示すフローチャートFlow chart showing the process performed by the process processing device プロセス処理装置で実施される工程を示すフローチャートFlow chart showing the process performed by the process processing device 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically 基板サイズの変化を模式的に示す図The figure which shows the change of the substrate size schematically アライメントカメラの視野を模式的に示す図A diagram schematically showing the field of view of an alignment camera

以下、本開示の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は一例であり、本開示はこの実施形態により限定されるものではない。以下で説明する実施形態の構成要素は適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below are examples, and the present disclosure is not limited to these embodiments. The components of the embodiments described below can be combined as appropriate. In addition, some components may not be used.

（第１実施形態）
図１〜図６を参照して、第１実施形態について説明する。図１は、プロセス処理装置１（「フラットパネルディスプレイ基板位置調整装置」の一例）の概要を示す図である。各図には、必要に応じて、便宜上、Ｘ方向、Ｙ方向およびθ方向が描かれている。Ｘ方向は、後述するプロセス処理工程において、プロセス処理装置１内でステージ３１が移動する方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向と直交する方向である。θ方向は、ＸＹ平面内での回転方向である。また、ＸＹ平面と直交する方向を、上下方向という。 (First Embodiment)
The first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG. 1 is a diagram showing an outline of a process processing device 1 (an example of a “ flat panel display board position adjusting device”). In each figure, if necessary, the X direction, the Y direction, and the θ direction are drawn for convenience. The X direction is the direction in which the stage 31 moves in the process processing apparatus 1 in the process processing step described later. The Y direction is a direction orthogonal to the X direction. The θ direction is the direction of rotation in the XY plane. Further, the direction orthogonal to the XY plane is referred to as a vertical direction.

プロセス処理装置１は、ＦＤＰを製造する工程において、ＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）がパターン形成された基板３２に対して、ＴＦＴパターン３５に合わせて自発光特性インクを印刷し、ＦＤＰの発光層を形成するものである。 In the process of manufacturing the FDP, the process processing apparatus 1 prints the self-luminous ink in accordance with the TFT pattern 35 on the substrate 32 on which the TFT (Thin-Film-Transistor) pattern is formed, and the light emitting layer of the FDP. Is what forms.

プロセス処理装置１は、ステージ３１と、昇降機構２（「離間機構」の一例）と、４台のアライメントカメラ３、４、５および６と、インクジェットヘッド３４（「熱源」の一例）と、制御装置９（「測定部」の一例）と、を備える。 The process processing device 1 controls a stage 31, an elevating mechanism 2 (an example of a “separation mechanism”), four alignment cameras 3, 4, 5 and 6, and an inkjet head 34 (an example of a “heat source”). A device 9 (an example of a "measurement unit") is provided.

ステージ３１は、概略直方体形状をなす。ステージ３１は、ＸＹ平面に延在し、基板３２が載置される載置面３７を有する。載置面３７の面積は、基板３２の面積より大きい。 The stage 31 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The stage 31 extends in the XY plane and has a mounting surface 37 on which the substrate 32 is mounted. The area of the mounting surface 37 is larger than the area of the substrate 32.

ステージ３１の厚さ（上下方向の寸法）は、基板３２の厚さよりも十分に大きい。具体的に、本実施形態では、ステージ３１の厚さは、基板３２の厚さの６倍程度である。ステージ３１は、基板３２に比べて十分に大きな熱容量を有する。本実施形態では、ステージ３１の材質は、アルミまたは石である。換言すると、本実施形態では、ステージ３１は、アルミステージまたは石ステージである。なお、ステージ３１は、温度調整可能であってもよい。 The thickness of the stage 31 (dimensions in the vertical direction) is sufficiently larger than the thickness of the substrate 32. Specifically, in the present embodiment, the thickness of the stage 31 is about 6 times the thickness of the substrate 32. The stage 31 has a sufficiently large heat capacity as compared with the substrate 32. In this embodiment, the material of the stage 31 is aluminum or stone. In other words, in this embodiment, the stage 31 is an aluminum stage or a stone stage. The temperature of the stage 31 may be adjustable.

ステージ３１は、不図示の駆動機構により、Ｘ方向、Ｙ方向およびθ方向に移動可能である。ステージ３１は、基板３２をプロセス処理装置１内で搬送する機能を有する。また、ステージ３１は、プロセス処理工程においてＸ方向に移動することで、載置された基板３２をＸ方向に移動させる機能を有する。ステージ３１には、ステージ３１を上下方向に貫通する複数の孔が設けられている。 The stage 31 can be moved in the X direction, the Y direction, and the θ direction by a drive mechanism (not shown). The stage 31 has a function of transporting the substrate 32 in the process processing apparatus 1. Further, the stage 31 has a function of moving the mounted substrate 32 in the X direction by moving in the X direction in the process processing step. The stage 31 is provided with a plurality of holes that penetrate the stage 31 in the vertical direction.

ステージ３１の載置面３７には、吸着機構３８（図５Ａを参照）を構成する複数の穴３９（図５Ａを参照）が設けられている。吸着機構３８は、基板３２を載置面３７に吸着固定する機能を有する。また、吸着機構３８は、載置面３７に吸着固定された基板３２の固定状態を解除するブロー機能を有する。 The mounting surface 37 of the stage 31 is provided with a plurality of holes 39 (see FIG. 5A) constituting the suction mechanism 38 (see FIG. 5A). The suction mechanism 38 has a function of sucking and fixing the substrate 32 to the mounting surface 37. Further, the suction mechanism 38 has a blow function of releasing the fixed state of the substrate 32 which is suction-fixed to the mounting surface 37.

昇降機構２は、ステージ３１の下側に設けられている。昇降機構２は、複数のリフトピン３６と、リフトピン３６を昇降させる駆動源８とを有する。リフトピン３６の先端（上端）は、ＸＹ平面に平行な同一面内に配置される。リフトピン３６は、ステージ３１に設けられた孔を通って、ステージ３１を上下方向に挿通可能である。 The elevating mechanism 2 is provided on the lower side of the stage 31. The elevating mechanism 2 has a plurality of lift pins 36 and a drive source 8 for elevating and lowering the lift pins 36. The tip (upper end) of the lift pin 36 is arranged in the same plane parallel to the XY plane. The lift pin 36 can insert the stage 31 in the vertical direction through a hole provided in the stage 31.

４台のアライメントカメラ３、４、５および６は、ステージ３１の上側に設けられている。アライメントカメラ３、４、５および６は、ステージ３１に載置された基板３２の四隅に設けられた４個のアライメントマーク１１、１２、１３および１４をそれぞれ撮影する。 The four alignment cameras 3, 4, 5 and 6 are provided on the upper side of the stage 31. The alignment cameras 3, 4, 5 and 6 photograph four alignment marks 11, 12, 13 and 14 provided at the four corners of the substrate 32 mounted on the stage 31, respectively.

インクジェットヘッド３４は、ステージ３１の上側かつアライメントカメラ３、４、５および６の＋Ｘ側に設けられている。インクジェットヘッド３４は、Ｙ方向に延在している。インクジェットヘッド３４には、複数のインクジェットノズル（不図示）がＹ方向に並んで設けられている。インクジェットヘッド３４は、プロセス処理において基板３２に対してインクを吐出する機能を有する。 The inkjet head 34 is provided on the upper side of the stage 31 and on the + X side of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6. The inkjet head 34 extends in the Y direction. The inkjet head 34 is provided with a plurality of inkjet nozzles (not shown) arranged side by side in the Y direction. The inkjet head 34 has a function of ejecting ink to the substrate 32 in the process process.

制御装置９は、例えばＥＣＵ（Electronic Control Unit）であって、プロセス処理装置１を制御するために、制御基板上に実装された入力端子、出力端子、プロセッサ、プログラムメモリおよびメインメモリを含む。 The control device 9 is, for example, an ECU (Electronic Control Unit), and includes an input terminal, an output terminal, a processor, a program memory, and a main memory mounted on a control board in order to control the process processing device 1.

制御装置９は、プログラムメモリに格納されたプログラムを、メインメモリを用いて実行して、入力端子を介して受け取った各種信号を処理するとともに、出力端子を介してステージ３１、昇降機構２、アライメントカメラ３、４、５および６、インクジェットヘッド３４等に各種制御信号を出力する。 The control device 9 executes a program stored in the program memory using the main memory, processes various signals received via the input terminal, and processes the stage 31, the elevating mechanism 2, and the alignment via the output terminal. Various control signals are output to the cameras 3, 4, 5 and 6, the inkjet head 34 and the like.

制御装置９は、ステージ３１のＸ方向、Ｙ方向およびθ方向への移動を制御すべく、ステージ３１に対して制御信号を出力する。制御装置９は、昇降装置２のリフトピン３６の昇降を制御すべく、昇降装置２の駆動源８に対して制御信号を出力する。 The control device 9 outputs a control signal to the stage 31 in order to control the movement of the stage 31 in the X direction, the Y direction, and the θ direction. The control device 9 outputs a control signal to the drive source 8 of the lifting device 2 in order to control the lifting of the lift pin 36 of the lifting device 2.

制御装置９は、アライメントカメラ３、４、５および６の撮像動作を制御すべく、アライメントカメラ３、４、５および６に対して制御信号を出力する。制御装置９には、アライメントカメラ３、４、５および６からの撮像画像が入力される。 The control device 9 outputs control signals to the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 in order to control the imaging operation of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6. Images captured from the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 are input to the control device 9.

制御装置９は、インクジェットヘッド３４のインクの吐出動作を制御すべく、インクジェットヘッド３４に対して制御信号を出力する。なお、本実施形態では、制御装置９を、プロセス処理装置１の構成要素として示しているが、これに限定されない。制御装置９は、プロセス処理装置１とは別の装置としてプロセス処理装置１の外部に設けられていてもよい。 The control device 9 outputs a control signal to the inkjet head 34 in order to control the ink ejection operation of the inkjet head 34. In the present embodiment, the control device 9 is shown as a component of the process processing device 1, but the present invention is not limited to this. The control device 9 may be provided outside the process processing device 1 as a device separate from the process processing device 1.

プロセス処理装置１には、前工程においてＴＦＴがパターン形成された基板３２が搬入される。プロセス処理装置１では、基板３２のアライメント処理および基板３２に対するプロセス処理が行われる。 The substrate 32 on which the TFT is patterned in the previous process is carried into the process processing apparatus 1. In the process processing apparatus 1, the alignment processing of the substrate 32 and the process processing for the substrate 32 are performed.

プロセス処理では、基板３２が載置されたステージ３１が、Ｘ方向に移動させられるとともに、ステージ３１の移動に合わせて、インクジェットヘッド３４からインクが吐出される。 In the process process, the stage 31 on which the substrate 32 is placed is moved in the X direction, and ink is ejected from the inkjet head 34 in accordance with the movement of the stage 31.

プロセス処理では、インクをＴＦＴパターン３５に高精度で着弾させることが要求される。プロセス処理は、事前に登録されたＴＦＴパターン３５の設計情報に基づいて実行される。一方、ＴＦＴパターン３５のパラメータ（パターン間距離、パターン位置等）は、基板３２の伸縮の影響を受ける。すなわち、基板３２の伸縮変化が、インクをＴＦＴパターン３５に高精度で着弾させるのに及ぼす影響は、極めて大きい。 In the process process, it is required that the ink land on the TFT pattern 35 with high accuracy. The process process is executed based on the design information of the TFT pattern 35 registered in advance. On the other hand, the parameters of the TFT pattern 35 (distance between patterns, pattern position, etc.) are affected by the expansion and contraction of the substrate 32. That is, the effect of the expansion / contraction change of the substrate 32 on landing the ink on the TFT pattern 35 with high accuracy is extremely large.

例えば、インクの着弾位置をＴＦＴパターン３５に一致させるために要求される精度は、５〜７μｍである。一方、ステージ３１の基板３２の位置決め精度のバラツキや、インクジェットヘッド３４のインク吐出再現精度のバラツキによってプロセス処理で生じるバラツキは、３〜５μｍである。このことから、基板３２の伸縮量は、少なくとも１〜２μｍ以内に収めることが要求される。 For example, the accuracy required to match the ink landing position with the TFT pattern 35 is 5 to 7 μm. On the other hand, the variation caused by the process processing due to the variation in the positioning accuracy of the substrate 32 of the stage 31 and the variation in the ink ejection reproduction accuracy of the inkjet head 34 is 3 to 5 μm. For this reason, the amount of expansion and contraction of the substrate 32 is required to be kept within at least 1 to 2 μm.

プロセス処理装置１に搬入される基板３２について説明する。本実施形態において、基板３２は、Ｇ４．５サイズ（７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、厚さが０．５ｍｍのガラス基板である。 The substrate 32 carried into the process processing apparatus 1 will be described. In the present embodiment, the substrate 32 is a glass substrate having a G4.5 size (730 mm × 920 mm) and a thickness of 0.5 mm.

基板３２の表面には、ＴＦＴパターン３５および４個のアライメントマーク１１、１２、１３および１４が設けられている。ＴＦＴパターン３５およびアライメントマーク１１、１２、１３および１４は、プロセス処理工程の前工程にて形成される。 The surface of the substrate 32 is provided with a TFT pattern 35 and four alignment marks 11, 12, 13 and 14. The TFT pattern 35 and the alignment marks 11, 12, 13 and 14 are formed in the pre-process of the process processing step.

アライメントマーク１１、１２、１３および１４は、基板３２の四隅にそれぞれ配置されている。アライメントマーク１１、１２、１３および１４は、基板３２内で互いに可能な限り離れた位置に配置されることが望ましい。これは、アライメント調整の精度を高めることに加え、基板３２の伸縮量を精度よく測定するためである。 The alignment marks 11, 12, 13 and 14 are arranged at the four corners of the substrate 32, respectively. It is desirable that the alignment marks 11, 12, 13 and 14 are arranged as far apart as possible from each other in the substrate 32. This is to improve the accuracy of the alignment adjustment and to measure the amount of expansion and contraction of the substrate 32 with high accuracy.

プロセス処理装置１に搬入される基板３２は、直前の工程で加熱処理され、所定時間、バッファーストッカー（不図示）に収納される。これにより、基板３２の温度は、プロセス処理装置１での処理工程の基準温度範囲に収まるよう管理される。 The substrate 32 carried into the process processing apparatus 1 is heat-treated in the immediately preceding process and stored in a buffer stocker (not shown) for a predetermined time. As a result, the temperature of the substrate 32 is controlled so as to be within the reference temperature range of the processing process in the process processing apparatus 1.

しかしながら、バッファーストッカー内での収納時間は均一ではない。その場合、プロセス処理装置１に搬入される基板３２の温度は、基板３２毎に異なる。基板３２の温度のばらつきに起因して、基板３２の伸縮および歪み量にもばらつきがある。 However, the storage time in the buffer stocker is not uniform. In that case, the temperature of the substrate 32 carried into the process processing apparatus 1 differs for each substrate 32. Due to the variation in the temperature of the substrate 32, the expansion and contraction and the amount of strain of the substrate 32 also vary.

そのため、基板３２の温度が、プロセス処理装置１での処理工程の基準温度範囲内に収束する前に、プロセス処理装置１に搬入されると、基板３２が伸縮および歪んだ状態で、プロセス処理が行われることになる。 Therefore, if the substrate 32 is carried into the process processing apparatus 1 before the temperature of the substrate 32 converges within the reference temperature range of the processing process in the process processing apparatus 1, the process processing is performed in a state where the substrate 32 is expanded and contracted and distorted. It will be done.

また、バッファーストッカー内での温度管理条件下に十分な時間置かれ、基板３２の温度が基準温度範囲内にある場合でも、プロセス処理が行われるまでその状態が維持されるとは限らない。 Further, even if the substrate 32 is placed in the temperature control condition in the buffer stocker for a sufficient time and the temperature of the substrate 32 is within the reference temperature range, the state is not always maintained until the process process is performed.

例えば、プロセス処理装置１への搬入後、プロセス処理装置１内の温度や、ステージ３１と大気の温度差等により、基板３２の温度が基準温度範囲を超える可能性がある。そのため、基板３２のサイズがプロセス処理において要求されるサイズとなるように調整されることが望まれる。 For example, after being carried into the process processing device 1, the temperature of the substrate 32 may exceed the reference temperature range due to the temperature inside the process processing device 1, the temperature difference between the stage 31 and the atmosphere, and the like. Therefore, it is desired that the size of the substrate 32 is adjusted to be the size required in the process process.

アライメントカメラ３、４、５および６を用いて行われる、基板３２のアライメント調整および基板３２のサイズ測定について、詳細に説明する。 The alignment adjustment of the substrate 32 and the size measurement of the substrate 32 performed by using the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 will be described in detail.

上述のとおり、アライメントカメラ３、４、５および６は、ステージ３１の上側に設けられている。アライメントカメラ３、４、５および６は、ステージ３１に載置された基板３２を撮影する。 As described above, the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 are provided on the upper side of the stage 31. The alignment cameras 3, 4, 5 and 6 photograph the substrate 32 mounted on the stage 31.

本実施形態では、基板３２の四隅に設けられたアライメントマーク１１、１２、１３および１４を認識するため、４台のアライメントカメラ３、４、５および６が設けられている。アライメントカメラ３、４、５および６は、いずれも固定カメラである。 In this embodiment, four alignment cameras 3, 4, 5 and 6 are provided in order to recognize the alignment marks 11, 12, 13 and 14 provided at the four corners of the substrate 32. The alignment cameras 3, 4, 5 and 6 are all fixed cameras.

ステージ３１は、上述のとおり、Ｘ方向、Ｙ方向およびθ方向に移動可能である。特に、ステージ３１のＸ方向への移動により、少なくとも１台のアライメントカメラ（例えばアライメントカメラ３）を用いて、基板３２上にＸ方向に並んで設けられたアライメントマーク１１および１３を認識可能である。 As described above, the stage 31 can move in the X direction, the Y direction, and the θ direction. In particular, by moving the stage 31 in the X direction, it is possible to recognize the alignment marks 11 and 13 provided side by side in the X direction on the substrate 32 by using at least one alignment camera (for example, the alignment camera 3). ..

本実施形態では、４台のアライメントカメラ３、４、５および６を用いる。これにより、四隅のアライメントマーク１１、１２、１３および１４を同時に認識することができる。そのため、短時間に、かつ高精度で、基板３２のアライメント調整を行い、さらに、基板３２のサイズ測定も同時に行うことができる。 In this embodiment, four alignment cameras 3, 4, 5 and 6 are used. As a result, the alignment marks 11, 12, 13 and 14 at the four corners can be recognized at the same time. Therefore, the alignment of the substrate 32 can be adjusted in a short time and with high accuracy, and the size of the substrate 32 can be measured at the same time.

４台のアライメントカメラ３、４、５および６を用いて基板３２のアライメント調整および基板３２のサイズ測定を行うために行われる、プロセス処理装置１の事前準備について説明する。図２Ａ〜図２Ｅは、アライメントマークの基準位置の登録を行う手順を示したものである。 The advance preparation of the process processing apparatus 1 performed for performing the alignment adjustment of the substrate 32 and the size measurement of the substrate 32 by using the four alignment cameras 3, 4, 5 and 6 will be described. 2A to 2E show a procedure for registering a reference position of an alignment mark.

プロセス処理装置１の事前準備として、アライメントカメラ３、４、５および６の視野内において、それぞれ、アライメントマークの基準位置の登録が行われる。本実施形態では、基準位置は、制御装置９に登録される。基準位置は、アライメントカメラ３、４、５および６の視野内において、アライメントマーク１１、１２、１３および１４を位置決めするのに用いられる。 As a preliminary preparation for the process processing apparatus 1, the reference position of the alignment mark is registered in the fields of view of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6, respectively. In this embodiment, the reference position is registered in the control device 9. Reference positions are used to position alignment marks 11, 12, 13 and 14 within the field of view of alignment cameras 3, 4, 5 and 6.

この登録を行うため、マスター基板４０が用いられる。マスター基板４０は、熱膨張係数が小さいガラス基板上に、基板３２と同じ設計値でアライメントマークが配置されたものである。 A master substrate 40 is used to perform this registration. The master substrate 40 has an alignment mark arranged on a glass substrate having a small coefficient of thermal expansion with the same design value as that of the substrate 32.

以下の説明では、マスター基板４０の−Ｘ側かつ−Ｙ側に設けられたアライメントマークを、アライメントマーク４１という。また、マスター基板４０の＋Ｘ側かつ−Ｙ側に設けられたアライメントマークを、アライメントマーク４２という。 In the following description, the alignment mark provided on the −X side and −Y side of the master substrate 40 is referred to as an alignment mark 41. Further, the alignment mark provided on the + X side and the −Y side of the master substrate 40 is referred to as an alignment mark 42.

アライメントマークの基準位置の登録には、１台のカメラ４３が用いられる。カメラ４３には、アライメントカメラ３、４、５および６の任意の一台を用いてもよいし、アライメントカメラ３、４、５および６とは別に設けられたカメラを用いてもよい。 One camera 43 is used to register the reference position of the alignment mark. As the camera 43, any one of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 may be used, or a camera provided separately from the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 may be used.

カメラ４３は、ステージ３１をＸ方向に移動させることで、マスター基板４０にＸ方向に並んで設けられたアライメントマーク４１およびアライメントマーク４２を認識可能な位置に設けられる。 By moving the stage 31 in the X direction, the camera 43 is provided at a position where the alignment marks 41 and the alignment marks 42 provided side by side in the X direction on the master substrate 40 can be recognized.

まず、図２Ａに示すように、ステージ３１が、カメラ４３でアライメントマーク４１を認識可能な位置に移動させられる。そして、カメラ４３がアライメントマーク４１を認識し、アライメントマーク４１の視野内座標４５（Ｘ_４５、Ｙ_４５）を取得する。 First, as shown in FIG. 2A, the stage 31 is moved to a position where the camera 43 can recognize the alignment mark 41. Then, the camera 43 recognizes the alignment mark 41 and acquires the in- _{field coordinates 45 (X 45} , Y _{45) of the alignment mark 41.}

次に、図２Ｂに示すように、ステージ３１が、−Ｘ方向に移動させられる。このときの移動量は、アライメントマーク４１とアライメントマーク４２との距離の設計値に等しい。そして、カメラ４３がアライメントマーク４２を認識し、アライメントマーク４２の視野内座標４６（Ｘ_４６、Ｙ_４６）を取得する。 Next, as shown in FIG. 2B, the stage 31 is moved in the −X direction. The amount of movement at this time is equal to the design value of the distance between the alignment mark 41 and the alignment mark 42. Then, the camera 43 recognizes the alignment mark 42 and acquires the in- _{field coordinates 46 (X 46} , Y _{46) of the alignment mark 42.}

次に、視野内座標４５と、視野内座標４６とに基づいて、ステージ３１のＸ方向の移動量およびθ方向の回転量が算出される。具体的には、視野内座標４５が、カメラ４３の視野内において任意に規定された原点４４（本実施形態では、カメラ４３の視野内の中心）と一致し、かつ、視野内座標４５と視野内座標４６とがＸ方向に整列するように、移動量が算出される。さらに、ステージ３１が、算出された移動量だけ移動させられる。 Next, the amount of movement of the stage 31 in the X direction and the amount of rotation in the θ direction are calculated based on the in-field coordinates 45 and the in-field coordinates 46. Specifically, the in-field coordinates 45 coincide with the origin 44 (in the present embodiment, the center in the field of view of the camera 43) arbitrarily defined in the field of view of the camera 43, and the in-field coordinates 45 and the field of view The movement amount is calculated so that the internal coordinates 46 are aligned in the X direction. Further, the stage 31 is moved by the calculated movement amount.

本実施形態では、視野内座標４５と原点４４との距離の差が０．５μｍ程度の範囲内である場合に、視野内座標４５と原点４４とが一致していると判断される。また、視野内座標４５と視野内座標４６とのＹ方向のずれが、回転量に換算して０．０００１°程度の範囲内である場合に、視野内座標４５と視野内座標４６とがＸ方向に整列していると判断される。 In the present embodiment, when the difference in distance between the in-field coordinates 45 and the origin 44 is within a range of about 0.5 μm, it is determined that the in-field coordinates 45 and the origin 44 match. Further, when the deviation in the Y direction between the in-field coordinates 45 and the in-field coordinates 46 is within a range of about 0.0001 ° in terms of the amount of rotation, the in-field coordinates 45 and the in-field coordinates 46 are X. It is judged that they are aligned in the direction.

このようにして、アライメントマーク４１は、図２Ｃに示すように、カメラ４３の視野内の中心に相当する視野内座標４７（Ｘ_４７、Ｙ_４７）に位置決めされる。また、アライメントマーク４２は、図２Ｄに示すように、カメラ４３の視野内の中心近傍の視野内座標４８（Ｘ_４８、Ｙ_４８）に位置決めされる。 In this way, as shown in FIG. 2C, the alignment mark 41 is positioned at the _{in-field coordinates 47 (X 47} , Y _{47) corresponding to the center in the field of view of the camera 43.} Further, as shown in FIG. 2D, the alignment mark 42 is positioned at _{the in-field coordinates 48 (X 48} , Y _{48) near the center in the field of view of the camera 43.}

この際、視野内座標４８は、カメラ４３の視野内の中心からＸ方向にずれることがあるが、これは、ステージ３１をＸ方向に移動させる際に用いられる移動検出スケールの伸縮による影響である。 At this time, the in-field coordinates 48 may deviate in the X direction from the center in the field of view of the camera 43, which is due to the expansion and contraction of the movement detection scale used when moving the stage 31 in the X direction. ..

最後に、アライメントマークの基準位置の登録が行われる。図２Ｅに示すように、マスター基板４０の４個のアライメントマークが、それぞれ４台のアライメントカメラ３、４、５および６の視野内に入るように、マスター基板４０が移動させられる。 Finally, the reference position of the alignment mark is registered. As shown in FIG. 2E, the master substrate 40 is moved so that the four alignment marks of the master substrate 40 are within the fields of view of the four alignment cameras 3, 4, 5 and 6, respectively.

続いて、アライメントカメラ３、４、５および６で、マスター基板４０の４個のアライメントマークをそれぞれ認識し、基準位置を登録する（図３）。 Subsequently, the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 recognize each of the four alignment marks on the master substrate 40 and register the reference position (FIG. 3).

アライメントカメラ３が認識したアライメントマーク４１の視野内座標が、基準位置８１として制御装置９に登録される。また、アライメントカメラ４が認識した、マスター基板４０の−Ｘ側かつ＋Ｙ側のアライメントマークの視野内座標が、基準位置８２として制御装置９に登録される。 The in-field coordinates of the alignment mark 41 recognized by the alignment camera 3 are registered in the control device 9 as the reference position 81. Further, the in-field coordinates of the alignment mark on the −X side and + Y side of the master substrate 40 recognized by the alignment camera 4 are registered in the control device 9 as the reference position 82.

アライメントカメラ５が認識したアライメントマーク４２の視野内座標が、基準位置８３として制御装置９に登録される。また、アライメントカメラ６が認識した、マスター基板４０の＋Ｘ側かつ＋Ｙ側のアライメントマークの視野内座標が、基準位置８４として制御装置９に登録される。 The in-field coordinates of the alignment mark 42 recognized by the alignment camera 5 are registered in the control device 9 as the reference position 83. Further, the coordinates in the field of view of the alignment marks on the + X side and + Y side of the master substrate 40 recognized by the alignment camera 6 are registered in the control device 9 as the reference position 84.

この時、それぞれのアライメントカメラについて、複数回（１０回程度）の認識を行い、認識画素のバラツキが０．３ピクセル程度以下であることを確認し、そのうえで平均値を求めて登録するのが好ましい。これにより、基準位置８１、８２、８３および８４の信頼性を向上させることができる。 At this time, it is preferable to recognize each alignment camera a plurality of times (about 10 times), confirm that the variation of the recognition pixels is about 0.3 pixels or less, and then obtain and register the average value. .. Thereby, the reliability of the reference positions 81, 82, 83 and 84 can be improved.

図４Ａおよび図４Ｂを参照して、プロセス処理装置１において実施される工程について説明する。図４Ａおよび図４Ｂは、プロセス処理装置１で実施される工程を示したフローチャートである。 The steps performed in the process processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 4A and 4B. 4A and 4B are flowcharts showing the steps performed by the process processing apparatus 1.

プロセス処理装置１において実施される工程は、基板搬入、リトライ回数判定、アライメントマーク認識、アライメント収束判定、アライメント補正量移動、プロセス処理実行および基板搬出を基幹とする。 The process carried out in the process processing apparatus 1 is based on the substrate loading, the number of retries determination, the alignment mark recognition, the alignment convergence determination, the alignment correction amount movement, the process processing execution, and the substrate unloading.

本実施形態では、基板３２のサイズの測定（具体的には、アライメントマーク間距離の測定）が、アライメントマーク認識と同時に実施される。また、アライメント収束判定に、アライメントマーク間距離の閾値判定が追加され、基板３２のサイズの異常判定が行われる。この判定の結果、基板３２が、基準範囲を超える伸縮状態にある場合、基板３２のサイズを最適化するための調整処理が実施される。以下、詳細に各工程を説明する。 In the present embodiment, the measurement of the size of the substrate 32 (specifically, the measurement of the distance between the alignment marks) is performed at the same time as the recognition of the alignment marks. Further, a threshold value determination of the distance between alignment marks is added to the alignment convergence test, and an abnormality determination of the size of the substrate 32 is performed. As a result of this determination, when the substrate 32 is in a stretched state exceeding the reference range, an adjustment process for optimizing the size of the substrate 32 is performed. Hereinafter, each step will be described in detail.

ステップＳ１で、基板３２が前工程からプロセス処理装置１に搬入される。前工程からの基板３２の受け渡しを可能とするため、プロセス処理装置１は、上述のとおり、ステージ３１の載置面３７から突き出て昇降可能なリフトピン３６を含む昇降装置２を備える。 In step S1, the substrate 32 is carried into the process processing apparatus 1 from the previous process. In order to enable the transfer of the substrate 32 from the previous step, the process processing device 1 includes a lifting device 2 including a lift pin 36 that protrudes from the mounting surface 37 of the stage 31 and can be lifted and lowered as described above.

また、プロセス処理装置１は、上述のとおり、載置面３７に載置された基板３２を載置面３７に吸着固定する機能および載置面３７に吸着固定された基板３２の固定状態を解除するブロー機能を有する吸着機構３８を備える。 Further, as described above, the process processing apparatus 1 releases the function of adsorbing and fixing the substrate 32 mounted on the mounting surface 37 to the mounting surface 37 and the fixed state of the substrate 32 adsorbed and fixed to the mounting surface 37. A suction mechanism 38 having a blow function is provided.

基板３２は、不図示の搬送ロボットによりプロセス処理装置１に搬入され、ステージ３１の載置面３７から突き出たリフトピン３６に受け渡される。搬送ロボットが退避した後、基板３２を支えるリフトピン３６が下降することで、基板３２は載置面３７に載置される。さらに、基板３２は、吸着機構３８により、載置面３７に吸着固定される。 The substrate 32 is carried into the process processing apparatus 1 by a transfer robot (not shown), and is delivered to the lift pin 36 protruding from the mounting surface 37 of the stage 31. After the transfer robot is retracted, the lift pin 36 that supports the substrate 32 is lowered, so that the substrate 32 is mounted on the mounting surface 37. Further, the substrate 32 is suction-fixed to the mounting surface 37 by the suction mechanism 38.

ステップＳ１に続くステップＳ２で、リトライ回数が初期化される。具体的には、制御装置９に記憶されているリトライ回数がゼロに設定される。リトライ回数については後述する。 In step S2 following step S1, the number of retries is initialized. Specifically, the number of retries stored in the control device 9 is set to zero. The number of retries will be described later.

ステップＳ２に続くステップＳ３で、リトライ回数判定が行われる。具体的には、制御装置９が、制御装置９に記憶されているリトライ回数が所定の基板調整リトライ設定回数以下であるか否かを判定する。 In step S3 following step S2, the number of retries is determined. Specifically, the control device 9 determines whether or not the number of retries stored in the control device 9 is equal to or less than the predetermined number of board adjustment retry settings.

リトライ回数は、アライメントマーク認識およびアライメント収束判定を経て行われる基板調整処理（搬入搬出位置移動、吸着ＯＦＦおよびブローＯＮ、リフトピン上昇、安定時間待機、リフトピン下降および吸着ＯＮまでの工程）の繰り返し回数である。 The number of retries is the number of repetitions of the substrate adjustment process (processes from movement of loading / unloading position, suction OFF and blow ON, lift pin rise, stabilization time standby, lift pin lower and suction ON) performed after alignment mark recognition and alignment convergence judgment. be.

制御装置９は、基板調整リトライ設定回数を設定パラメータとして記憶している。また、制御装置９は、基板調整処理が実行された際に、リトライ回数をカウントアップする機能を有する。なお、基板調整リトライ設定回数は、制御装置９以外の構成要素に記憶させてもよい。また、基板調整処理が実行された際にリトライ回数をカウントアップする機能も、制御装置９以外の構成要素が有していてもよい。 The control device 9 stores the number of times the board adjustment retry is set as a setting parameter. Further, the control device 9 has a function of counting up the number of retries when the substrate adjustment process is executed. The number of board adjustment retry settings may be stored in a component other than the control device 9. Further, a component other than the control device 9 may also have a function of counting up the number of retries when the substrate adjustment process is executed.

ステップＳ３で、リトライ回数が所定の基板調整リトライ設定回数以下でないと判定された場合（ステップＳ３：ＮＯ）、処理はステップＳ４に進む。 If it is determined in step S3 that the number of retries is not less than or equal to the predetermined number of board adjustment retry settings (step S3: NO), the process proceeds to step S4.

ステップＳ４で、制御装置９は、基板３２のサイズが異常であるとして、プロセス処理装置１をエラー停止させる。なお、プロセス処理装置１をエラー停止させるのに代えて、または加えて、基板３２をプロセス処理装置１から搬出させてもよい。 In step S4, the control device 9 causes the process processing device 1 to stop with an error, assuming that the size of the substrate 32 is abnormal. Instead of or in addition to stopping the process processing device 1 due to an error, the substrate 32 may be carried out from the process processing device 1.

一方、ステップＳ３で、リトライ回数が所定の基板調整リトライ設定回数以下であると判定された場合（ステップＳ３：ＹＥＳ）、処理はステップＳ５に進む。 On the other hand, if it is determined in step S3 that the number of retries is equal to or less than the predetermined number of board adjustment retry settings (step S3: YES), the process proceeds to step S5.

ステップＳ５で、アライメントマーク認識が行われる。具体的には、基板アライメントマーク１１、１２、１３および１４の認識と、認識結果からのアライメント補正量算出が行われる。 In step S5, the alignment mark recognition is performed. Specifically, the substrate alignment marks 11, 12, 13 and 14 are recognized, and the alignment correction amount is calculated from the recognition results.

基板３２が載置されたステージ３１は、基板３２の四隅に設けられたアライメントマーク１１、１２、１３および１４をアライメントカメラ３、４、５および６で認識するため、アライメントカメラ３、４、５および６の下に移動させられる。 The stage 31 on which the substrate 32 is mounted recognizes the alignment marks 11, 12, 13 and 14 provided at the four corners of the substrate 32 by the alignment cameras 3, 4, 5 and 6, so that the alignment cameras 3, 4, 5 And moved under 6.

続いて、アライメントカメラ３、４、５および６によって、アライメントマーク１１、１２、１３および１４が認識される。図３には、アライメントカメラ３、４、５および６によって認識された、アライメントマーク１１、１２、１３および１４の認識結果９１、９２、９３および９４が示されている。 Subsequently, the alignment cameras 3, 4, 5 and 6 recognize the alignment marks 11, 12, 13 and 14. FIG. 3 shows the recognition results 91, 92, 93 and 94 of the alignment marks 11, 12, 13 and 14 recognized by the alignment cameras 3, 4, 5 and 6.

制御装置９は、認識結果９１、９２、９３および９４と、事前に登録された基準位置８１、８２、８３および８４とを、それぞれ一致させるためのアライメント補正量を算出する。 The control device 9 calculates an alignment correction amount for matching the recognition results 91, 92, 93 and 94 with the pre-registered reference positions 81, 82, 83 and 84, respectively.

アライメント補正量の算出には、２つの情報が必要となる。アライメント補正量の算出に必要な第一の情報は、認識結果９１、９２、９３および９４と、基準位置８１、８２、８３および８４との、Ｘ方向およびＹ方向の差分である。 Two pieces of information are required to calculate the alignment correction amount. The first information necessary for calculating the alignment correction amount is the difference between the recognition results 91, 92, 93 and 94 and the reference positions 81, 82, 83 and 84 in the X and Y directions.

アライメント補正量の算出に必要な第二の情報は、アライメントマーク１１、１２、１３および１４のそれぞれの設計位置情報と、これらの設計位置情報を制御装置９に登録する際に基準とされる基準点５７（図３参照）である。 The second information required for calculating the alignment correction amount is the design position information of each of the alignment marks 11, 12, 13 and 14, and the reference used as a reference when registering these design position information in the control device 9. Point 57 (see FIG. 3).

制御装置９は、上述の第一および第二の情報に基づいて、認識結果９１、９２、９３および９４と、事前に登録された基準位置８１、８２、８３および８４との、Ｘ方向およびＹ方向の差分を最小化するように、アライメント補正量を算出する。制御装置９は、アライメント補正量を、基準点５７のＸ方向およびＹ方向の移動補正量と、基準点５７のθ方向の回転補正量とに分解して算出する。 Based on the first and second information described above, the control device 9 has the recognition results 91, 92, 93 and 94 and the pre-registered reference positions 81, 82, 83 and 84 in the X direction and Y. The alignment correction amount is calculated so as to minimize the difference in direction. The control device 9 calculates the alignment correction amount by decomposing it into a movement correction amount in the X direction and the Y direction of the reference point 57 and a rotation correction amount in the θ direction of the reference point 57.

ステップＳ５に続くステップＳ６で、アライメント収束判定が行われる。具体的には、制御装置９が、基板３２のアライメント調整が完了したか否かを判定する。本実施形態では、アライメント調整の完了を判定する条件として、２つの判定条件が設けられている。 In step S6 following step S5, the alignment convergence test is performed. Specifically, the control device 9 determines whether or not the alignment adjustment of the substrate 32 is completed. In the present embodiment, two determination conditions are provided as conditions for determining the completion of the alignment adjustment.

第一の判定条件は、ステップＳ５において算出されたアライメント補正量が、予め設定されたアライメント補正量閾値よりも小さいことである。アライメント補正量閾値は、Ｘ方向の補正量閾値と、Ｙ方向の補正量閾値と、θ方向の補正量閾値とを含む。制御装置９は、基準点５７のＸ方向およびＹ方向の移動補正量と、基準点５７のθ方向の回転補正量とを、それぞれの補正量閾値と比較する。 The first determination condition is that the alignment correction amount calculated in step S5 is smaller than the preset alignment correction amount threshold value. The alignment correction amount threshold includes a correction amount threshold in the X direction, a correction amount threshold in the Y direction, and a correction amount threshold in the θ direction. The control device 9 compares the movement correction amount of the reference point 57 in the X and Y directions and the rotation correction amount of the reference point 57 in the θ direction with the respective correction amount threshold values.

例えば、本実施形態では、Ｘ方向の補正量閾値が０．５μｍ、Ｙ方向の補正量閾値が０．５μｍ、θ方向の補正量閾値が０．０００１°に設定される。これにより、基準点５７を中心としたアライメントを保証する。 For example, in the present embodiment, the correction amount threshold value in the X direction is set to 0.5 μm, the correction amount threshold value in the Y direction is set to 0.5 μm, and the correction amount threshold value in the θ direction is set to 0.0001 °. This guarantees alignment around the reference point 57.

第二の判定条件は、例えば、アライメントマークの認識結果が、基準位置から予め設定された距離閾値以上ずれていないことである。この距離閾値は、プロセス処理装置１に要求される精度によって異なる。例えば、本実施形態では、Ｇ４．５サイズの基板に対して距離閾値が１．５μｍに設定される。 The second determination condition is, for example, that the recognition result of the alignment mark does not deviate from the reference position by a preset distance threshold value or more. This distance threshold depends on the accuracy required for the process processing apparatus 1. For example, in this embodiment, the distance threshold is set to 1.5 μm for a G4.5 size substrate.

制御装置９は、ステージ３１に載置された基板３２におけるアライメントマーク１１、１２、１３および１４の、基準位置８１、８２、８３および８４からのずれ量を測定する。続いて、制御装置９は、測定されたずれ量が上述の距離閾値以上であるか否かを判定する。 The control device 9 measures the amount of deviation of the alignment marks 11, 12, 13 and 14 on the substrate 32 mounted on the stage 31 from the reference positions 81, 82, 83 and 84. Subsequently, the control device 9 determines whether or not the measured deviation amount is equal to or greater than the above-mentioned distance threshold value.

制御装置９は、認識結果９１、９２、９３および９４と、基準位置８１、８２、８３および８４との、Ｘ方向成分およびＹ方向成分の差分に基づいて、第二の判定条件を満たしているか否かを判定する。 Does the control device 9 satisfy the second determination condition based on the difference between the X-direction component and the Y-direction component between the recognition results 91, 92, 93 and 94 and the reference positions 81, 82, 83 and 84? Judge whether or not.

アライメント収束判定では、第一の判定条件と、第二の判定条件とを、任意に組み合わせて使用することも可能である。 In the alignment convergence test, the first determination condition and the second determination condition can be used in any combination.

第一の判定条件は、一回のアライメント補正における補正量をパラメータとしている。アライメント補正では、各アライメントカメラにおける認識結果と基準位置との差分が、基準点５７を中心に平均化して補正される。 The first determination condition uses the correction amount in one alignment correction as a parameter. In the alignment correction, the difference between the recognition result in each alignment camera and the reference position is corrected by averaging around the reference point 57.

そのため、一回のアライメント補正における補正量は、アライメント補正を繰り返すことで徐々に小さくなる。そのため、基板３２が大きく伸縮していた場合であっても、アライメント補正を繰り返すことで、第一の判定条件を満たすことが可能である。 Therefore, the amount of correction in one alignment correction gradually decreases by repeating the alignment correction. Therefore, even when the substrate 32 is greatly expanded and contracted, the first determination condition can be satisfied by repeating the alignment correction.

一方、第二の判定条件は、基板３２の伸縮そのものをパラメータとしている。そのため、アライメント補正を繰り返しても、短時間で判定結果が変化するものではない。そのため、基板３２が大きく伸縮していた場合には、アライメント収束判定において、繰り返し収束異常と判定され、結果として、基板３２のサイズが適正範囲内にないと判定されることになる。 On the other hand, the second determination condition uses the expansion and contraction itself of the substrate 32 as a parameter. Therefore, even if the alignment correction is repeated, the determination result does not change in a short time. Therefore, when the substrate 32 is greatly expanded and contracted, it is determined that the alignment convergence abnormality is repeated in the alignment convergence test, and as a result, it is determined that the size of the substrate 32 is not within the appropriate range.

ステップＳ６において、第一の判定条件を満たしていないと判定された場合、処理はステップＳ７に進む。なお、第一の判定条件を満たしていない場合、第二の判定条件を満たしているか否かにかかわらず、処理はステップＳ７に進む。 If it is determined in step S6 that the first determination condition is not satisfied, the process proceeds to step S7. If the first determination condition is not satisfied, the process proceeds to step S7 regardless of whether or not the second determination condition is satisfied.

ステップＳ７で、制御装置９は、ステージ３１の駆動機構を制御して、ステップＳ５で算出されたアライメント補正量だけ、ステージ３１をＸ方向、Ｙ方向およびθ方向に移動させる。ステップＳ７の処理が行われた後、処理はステップＳ５に移行する。 In step S7, the control device 9 controls the drive mechanism of the stage 31 to move the stage 31 in the X direction, the Y direction, and the θ direction by the alignment correction amount calculated in step S5. After the process of step S7 is performed, the process proceeds to step S5.

ステップＳ６において、第一の判定条件を満たし、かつ、第二の判定条件を満たしていないと判定された場合（すなわち、測定されたずれ量が所定量以上である場合）、処理はステップＳ１０に進む。このように判定されるということは、基板３２が伸縮していたり、歪んだ状態で伸縮していることを意味する。 In step S6, if it is determined that the first determination condition is satisfied and the second determination condition is not satisfied (that is, the measured deviation amount is equal to or greater than a predetermined amount), the process proceeds to step S10. move on. The determination in this way means that the substrate 32 is expanded and contracted, or is expanded and contracted in a distorted state.

本実施形態では、基板３２のサイズを基準範囲内に収束させるため、基板３２をステージ３１から一時的に離間させる。そのため、まず、ステップＳ１０で、リフトピン３６を用いて基板３２をステージ３１から離間させることが可能な搬入搬出位置へ、ステージ３１を移動させる。 In this embodiment, the substrate 32 is temporarily separated from the stage 31 in order to converge the size of the substrate 32 within the reference range. Therefore, first, in step S10, the stage 31 is moved to a carry-in / carry-out position where the substrate 32 can be separated from the stage 31 by using the lift pin 36.

ステップＳ１０に続くステップＳ１１で、基板３２の載置面３７への吸着固定状態が解除される。具体的には、制御装置９が、基板３２の載置面３７への吸着固定状態を解除させるように、吸着機構３８を制御する。この際、ブロー機能を用いて、基板３２の載置面３７への固定状態を確実に解除してもよい。 In step S11 following step S10, the suction and fixing state of the substrate 32 on the mounting surface 37 is released. Specifically, the control device 9 controls the suction mechanism 38 so as to release the suction and fixing state of the substrate 32 on the mounting surface 37. At this time, the blow function may be used to reliably release the fixed state of the substrate 32 on the mounting surface 37.

ステップＳ１１に続くステップＳ１２で、基板３２がステージ３１から離間させられる。具体的には、制御装置９が、リフトピン３６が上昇するように、昇降機構２の駆動源８を制御する。 In step S12 following step S11, the substrate 32 is separated from the stage 31. Specifically, the control device 9 controls the drive source 8 of the elevating mechanism 2 so that the lift pin 36 rises.

基板３２は、ステージ３１に載置されている状態で、ステージ３１の温度に合わせて伸縮しようとする。しかしながら、基板３２の伸縮は、基板３２がステージ３１に載置されている状態では制限される。 The substrate 32 tries to expand and contract in accordance with the temperature of the stage 31 while being mounted on the stage 31. However, the expansion and contraction of the substrate 32 is limited when the substrate 32 is placed on the stage 31.

これに対して、ステップＳ１２で、基板３２をステージ３１から離間させることで、基板３２は自由に伸縮することができる。そのため、基板３２のサイズは、プロセス処理装置１での処理工程に要求されるサイズへと遷移する。 On the other hand, in step S12, the substrate 32 can be freely expanded and contracted by separating the substrate 32 from the stage 31. Therefore, the size of the substrate 32 transitions to the size required for the processing process in the process processing apparatus 1.

この時、リフトピン３６によって基板３２の伸縮が不均一とならないよう、リフトピン３６は、基板３２に対して均等に配置され、かつ、基板３２を小さな面で支えるものであることが好ましい。 At this time, it is preferable that the lift pins 36 are evenly arranged with respect to the substrate 32 and support the substrate 32 with a small surface so that the expansion and contraction of the substrate 32 is not uneven due to the lift pins 36.

ステップＳ１２に続くステップＳ１３で、基板３２は、ステージ３１から離間された状態で、所定の安定時間の間、待機させられる。安定時間は、ごく僅かな時間で十分であり、例えば、安定時間を１００ｍｓｅｃ以上とすれば、十分に効果が得られる。 In step S13 following step S12, the substrate 32 is made to stand by for a predetermined stabilization time in a state of being separated from the stage 31. A very short stabilization time is sufficient. For example, if the stabilization time is 100 msec or more, a sufficient effect can be obtained.

ステップＳ１３に続くステップＳ１４で、基板３２がステージ３１の載置面３７に再び載置される。具体的には、制御装置９が、リフトピン３６が下降するように、昇降機構２の駆動源８を制御する。 In step S14 following step S13, the substrate 32 is remounted on the mounting surface 37 of the stage 31. Specifically, the control device 9 controls the drive source 8 of the elevating mechanism 2 so that the lift pin 36 descends.

ステップＳ１４に続くステップＳ１５で、基板３２が載置面３７に吸着固定される。具体的には、制御装置９が、基板３２を載置面３７に吸着固定させるように、吸着機構３８を制御する。 In step S15 following step S14, the substrate 32 is adsorbed and fixed to the mounting surface 37. Specifically, the control device 9 controls the suction mechanism 38 so that the substrate 32 is sucked and fixed to the mounting surface 37.

ステップＳ１５に続くステップＳ１６で、制御装置９は、リトライ回数をカウントアップする。ステップＳ１６の処理が行われた後、処理はステップＳ３に移行する。 In step S16 following step S15, the control device 9 counts up the number of retries. After the process of step S16 is performed, the process proceeds to step S3.

ステップＳ６の説明に戻る。ステップＳ６において、第一の判定条件および第二の判定条件を共に満たしていると判定された場合、処理はステップＳ８に進む。このように判定されるということは、基板３２が、要求される精度でアライメント調整され、かつ、基板３２のサイズも適正範囲内にあることを意味する。 Return to the description of step S6. If it is determined in step S6 that both the first determination condition and the second determination condition are satisfied, the process proceeds to step S8. The determination in this way means that the substrate 32 is aligned with the required accuracy and the size of the substrate 32 is also within an appropriate range.

ステップＳ８で、プロセス処理が実行される。具体的には、制御装置９からの制御信号に基づき、基板３２が載置されたステージ３１がＸ方向に移動させられるとともに、ステージ３１の移動に合わせて、インクジェットヘッド３４からインクが吐出される。そして、ステップＳ８に続くステップＳ９で、基板３２がプロセス処理装置１から搬出される。 In step S8, the process process is executed. Specifically, based on the control signal from the control device 9, the stage 31 on which the substrate 32 is placed is moved in the X direction, and ink is ejected from the inkjet head 34 in accordance with the movement of the stage 31. .. Then, in step S9 following step S8, the substrate 32 is carried out from the process processing device 1.

次に、図５Ａ〜図５Ｅおよび図６を参照して、基板調整処理によって基板３２のサイズ調整が行われる様子について説明する。図５Ａ〜図５Ｅは、基板３２のサイズの変化を模式的に示した図である。 Next, with reference to FIGS. 5A to 5E and FIG. 6, the state in which the size of the substrate 32 is adjusted by the substrate adjustment process will be described. 5A to 5E are diagrams schematically showing a change in the size of the substrate 32.

図６は、アライメントカメラ３、４、５および６の視野を模式的に示した図である。図６において、黒塗りの丸印は、基準位置８１、８２、８３および８４をそれぞれ示している。また、黒塗りの三角印は、基板調整処理前のアライメントマーク１１、１２、１３および１４の認識結果９１、９２、９３および９４をそれぞれ示している。黒塗りの四角印は、基板調整処理後の認識結果９１、９２、９３および９４をそれぞれ示している。 FIG. 6 is a diagram schematically showing the fields of view of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6. In FIG. 6, black circles indicate reference positions 81, 82, 83 and 84, respectively. The black triangle marks indicate the recognition results 91, 92, 93 and 94 of the alignment marks 11, 12, 13 and 14 before the substrate adjustment process, respectively. The black square marks indicate the recognition results 91, 92, 93 and 94 after the substrate adjustment process, respectively.

図５Ａは、基板３２が、ステージ３１の載置面３７から突き出たリフトピン３６に受け渡された状態を示している。この時、基板３２は、基準状態よりも基準範囲を超えて伸びた状態にある。 FIG. 5A shows a state in which the substrate 32 is delivered to the lift pin 36 protruding from the mounting surface 37 of the stage 31. At this time, the substrate 32 is in a state of being extended beyond the reference range from the reference state.

続いて、リフトピン３６が下降し、基板３２が載置面３７に載置される。さらに、基板３２は、吸着機構３８により、載置面３７に吸着固定される。基板３２は、載置面３７に載置されることで、短時間で一様に冷却される。そのため、基板３２は収縮しようとするが、基板３２は載置面３７に吸着固定されているため、基板３２の収縮は制限される（図５Ｂ）。 Subsequently, the lift pin 36 is lowered, and the substrate 32 is mounted on the mounting surface 37. Further, the substrate 32 is suction-fixed to the mounting surface 37 by the suction mechanism 38. The substrate 32 is uniformly cooled in a short time by being placed on the mounting surface 37. Therefore, the substrate 32 tries to shrink, but since the substrate 32 is adsorbed and fixed to the mounting surface 37, the shrinkage of the substrate 32 is limited (FIG. 5B).

このとき、図６に示すように、アライメントカメラ３、４、５および６の視野において、アライメントマーク１１、１２、１３および１４の認識結果９１、９２、９３および９４の位置は、基準位置８１、８２、８３および８４から大きくずれている。 At this time, as shown in FIG. 6, in the field of view of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6, the positions of the recognition results 91, 92, 93 and 94 of the alignment marks 11, 12, 13 and 14 are the reference positions 81. It deviates significantly from 82, 83 and 84.

この時点で、認識結果９１、９２、９３および９４と、基準位置８１、８２、８３および８４との距離は、上述の第二の判定条件における距離閾値である１．５μｍ（図６において破線で示される範囲）を超えている。 At this point, the distance between the recognition results 91, 92, 93 and 94 and the reference positions 81, 82, 83 and 84 is 1.5 μm (broken line in FIG. 6), which is the distance threshold value in the second determination condition described above. Exceeded the range shown).

仮に、基板３２を載置面３７に載置したままとすると、吸着固定の有無にかかわらず、基板３２が基準状態まで収縮するのには、数十分を要する。さらに、吸着固定状態である場合、基板３２は、不均一に収縮してしまう。 If the substrate 32 is left mounted on the mounting surface 37, it takes several tens of minutes for the substrate 32 to shrink to the reference state regardless of the presence or absence of suction fixing. Further, in the suction-fixed state, the substrate 32 shrinks non-uniformly.

本実施形態では、第二の判定条件を満たしていないことに伴い、基板調整処理が行われる。リフトピン３６が上昇すると、図５Ｃの矢印に示すように、基板３２は自由に収縮できるようになる。 In the present embodiment, the substrate adjustment process is performed because the second determination condition is not satisfied. When the lift pin 36 is raised, the substrate 32 can be freely contracted as shown by the arrow in FIG. 5C.

図５Ｄは、基板３２が基準状態まで収縮した状態を示している。基板３２が基準状態まで収縮した後、再びリフトピン３６が下降し、基板３２が載置面３７に載置される。さらに、基板３２は、吸着機構３８により、載置面３７に吸着固定される（図５Ｅ）。 FIG. 5D shows a state in which the substrate 32 has shrunk to a reference state. After the substrate 32 contracts to the reference state, the lift pin 36 is lowered again, and the substrate 32 is mounted on the mounting surface 37. Further, the substrate 32 is suction-fixed to the mounting surface 37 by the suction mechanism 38 (FIG. 5E).

このとき、図６に示すように、アライメントカメラ３、４、５および６の視野において、認識結果９１、９２、９３および９４の位置は、それぞれ、基準位置８１、８２、８３および８４から距離閾値範囲内となっている。 At this time, as shown in FIG. 6, in the fields of view of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6, the positions of the recognition results 91, 92, 93 and 94 are the distance thresholds from the reference positions 81, 82, 83 and 84, respectively. It is within the range.

以上説明したとおり、本実施形態では、ステージに載置された基板における所定の位置の基準位置からのずれ量を測定する測定部と、前記測定部によって測定された前記ずれ量が所定量以上である場合に、前記基板を前記ステージから一時的に離間させる離間機構と、を備える。 As described above, in the present embodiment, the measuring unit that measures the deviation amount of the predetermined position from the reference position on the substrate mounted on the stage and the deviation amount measured by the measuring unit are equal to or more than the predetermined amount. In some cases, a separation mechanism for temporarily separating the substrate from the stage is provided.

そのため、基板の位置を短時間で調整することができる。特に、プロセス処理装置１が有する装置構成（昇降装置２、アライメントカメラ３、４、５および６等）を用いて、短時間で単純な動作により、基板の位置を調整することができる。 Therefore, the position of the substrate can be adjusted in a short time. In particular, the position of the substrate can be adjusted by a simple operation in a short time by using the device configuration (elevating device 2, alignment cameras 3, 4, 5, 6 and the like) of the process processing device 1.

（第２実施形態）
図７Ａ〜図９を参照して、第２実施形態について説明する。図７Ａおよび図７Ｂは、第２実施形態において、プロセス処理装置１で実施される工程を示したフローチャートである。 (Second Embodiment)
A second embodiment will be described with reference to FIGS. 7A-9. 7A and 7B are flowcharts showing the steps performed by the process processing apparatus 1 in the second embodiment.

第２実施形態では、プロセス処理を実行するインクジェットヘッド３４の温度が、プロセス処理装置１内の基準温度範囲から外れた高温域にあり、かつ、基板３２に対して、繰り返しプロセス処理が行われる。 In the second embodiment, the temperature of the inkjet head 34 that executes the process processing is in a high temperature range outside the reference temperature range in the process processing apparatus 1, and the substrate 32 is repeatedly subjected to the process processing.

そのため、基板３２は、インクジェットヘッド３４の近傍を繰り返し通過する。基板３２は、プロセス処理前に基準状態であったとしても、プロセス処理が行われることで加熱され、膨張し、基準状態よりも基準範囲を超えて伸びた状態となる。 Therefore, the substrate 32 repeatedly passes in the vicinity of the inkjet head 34. Even if the substrate 32 is in the reference state before the process treatment, it is heated and expanded by the process treatment, and is in a state of extending beyond the reference range from the reference state.

そこで、第２実施形態では、上述の第１実施形態におけるステップＳ８とステップＳ９との間に、プロセス処理回数をカウントアップするステップＳ２１と、プロセス処理回数判定を行うステップＳ２２とが実行される。ステップＳ２１とステップＳ２２以外の処理内容については、第１実施形態における処理内容と同様であるため、説明を省略する。 Therefore, in the second embodiment, between steps S8 and S9 in the first embodiment described above, step S21 for counting up the number of process processes and step S22 for determining the number of process processes are executed. Since the processing contents other than steps S21 and S22 are the same as the processing contents in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

第２実施形態では、制御装置９は、プロセス処理が実行された場合に、プロセス処理回数をカウントアップする機能を有する。また、制御装置９は、プロセス処理設定回数を設定パラメータとして記憶している。なお、プロセス処理設定回数は、制御装置９以外の構成要素に記憶させてもよい。また、プロセス処理が実行された場合に、プロセス処理回数をカウントアップする機能も、制御装置９以外の構成要素が有していてもよい。 In the second embodiment, the control device 9 has a function of counting up the number of process processes when the process processes are executed. Further, the control device 9 stores the number of process processing settings as a setting parameter. The number of process processing settings may be stored in a component other than the control device 9. Further, a component other than the control device 9 may also have a function of counting up the number of times of process processing when the process processing is executed.

ステップＳ８でプロセス処理が実行された後、ステップＳ２１で、制御装置９は、プロセス処理回数をカウントアップする。 After the process process is executed in step S8, the control device 9 counts up the number of process processes in step S21.

ステップＳ２１に続くステップＳ２２で、プロセス処理回数判定が行われる。具体的には、制御装置９が、制御装置９に記憶されているプロセス処理回数が所定のプロセス処理設定回数以下であるか否かを判定する。 In step S22 following step S21, the number of process processes is determined. Specifically, the control device 9 determines whether or not the number of process processes stored in the control device 9 is equal to or less than the predetermined number of process process settings.

ステップＳ２２で、プロセス処理回数が所定のプロセス処理設定回数以下であると判定された場合（ステップＳ２２：ＹＥＳ）、処理はステップＳ５のアライメントマーク認識へと移行する。 When it is determined in step S22 that the number of process processes is equal to or less than the predetermined number of process process settings (step S22: YES), the process proceeds to the alignment mark recognition in step S5.

一方、ステップＳ２２で、プロセス処理回数が所定のプロセス処理設定回数以下でないと判定された場合（ステップＳ２２：ＮＯ）には、処理はステップＳ９に進む。そして、ステップＳ９で、基板３２がプロセス処理装置１から搬出される。 On the other hand, if it is determined in step S22 that the number of process processes is not less than or equal to the predetermined number of process process settings (step S22: NO), the process proceeds to step S9. Then, in step S9, the substrate 32 is carried out from the process processing device 1.

ここで、図８Ａ〜図８Ｃを参照して、プロセス処理によって基板３２が膨張する様子について説明する。図８Ａ〜図８Ｃは、基板３２のサイズの変化を模式的に示した図である。 Here, with reference to FIGS. 8A to 8C, how the substrate 32 expands due to the process processing will be described. 8A to 8C are diagrams schematically showing a change in the size of the substrate 32.

図８Ａは、プロセス処理に先立って、基板調整処理が実行され、基板３２が基準状態に収束している状態を示している。 FIG. 8A shows a state in which the substrate adjustment process is executed prior to the process process and the substrate 32 has converged to the reference state.

この状態から、プロセス処理が実行されると、インクジェットヘッド３４が、基板３２の上側をＸ方向に通過する。これにより、基板３２が加熱され、基板３２が膨張する（図８Ｂ）。 When the process process is executed from this state, the inkjet head 34 passes above the substrate 32 in the X direction. As a result, the substrate 32 is heated and the substrate 32 expands (FIG. 8B).

プロセス処理が終了すると、インクジェットヘッド３４は基板３２から遠ざかる。載置面３７に載置された基板３２は、ステージ３１によって一様に冷却されるが、基板３２は載置面３７に吸着固定されているため、基板３２の収縮は制限される（図８Ｃ）。 When the process process is completed, the inkjet head 34 moves away from the substrate 32. The substrate 32 mounted on the mounting surface 37 is uniformly cooled by the stage 31, but since the substrate 32 is adsorbed and fixed to the mounting surface 37, the shrinkage of the substrate 32 is limited (FIG. 8C). ).

次に、図９を参照して、基板調整処理によって基板３２のサイズ調整が行われる様子について説明する。図９は、アライメントカメラ３、４、５および６の視野を模式的に示した図である。 Next, with reference to FIG. 9, a state in which the size of the substrate 32 is adjusted by the substrate adjustment process will be described. FIG. 9 is a diagram schematically showing the fields of view of the alignment cameras 3, 4, 5 and 6.

なお、図９に示す例は、プロセス処理の繰り返しによって基板３２が徐々に膨張していく様子を説明するため、基板調整処理を行った基板３２に対して、プロセス処理を３回連続して行った後に、再度基板調整処理を行ったものである。 In the example shown in FIG. 9, in order to explain how the substrate 32 gradually expands due to the repetition of the process process, the process process is continuously performed three times on the substrate 32 that has undergone the substrate adjustment process. After that, the substrate adjustment process was performed again.

図９において、黒塗りの丸印は、基準位置８１、８２、８３および８４をそれぞれ示している。また、黒塗りの三角印は、プロセス処理に先立って基板調整処理が行われた後のアライメントマーク１１、１２、１３および１４の認識結果９１、９２、９３および９４をそれぞれ示している。 In FIG. 9, black circles indicate reference positions 81, 82, 83 and 84, respectively. Further, the black triangle marks indicate the recognition results 91, 92, 93 and 94 of the alignment marks 11, 12, 13 and 14 after the substrate adjustment process is performed prior to the process process, respectively.

また、黒塗りの四角印は、１回目のプロセス処理が実行された後の認識結果９１、９２、９３および９４をそれぞれ示している。また、白抜きの丸印は、２回目のプロセス処理が実行された後の認識結果９１、９２、９３および９４をそれぞれ示している。 Further, the black square marks indicate the recognition results 91, 92, 93 and 94 after the first process process is executed, respectively. The white circles indicate the recognition results 91, 92, 93, and 94 after the second process process is executed, respectively.

また、白抜きの三角印は、３回目のプロセス処理が実行された後の認識結果９１、９２、９３および９４をそれぞれ示している。また、白抜きの四角印は、３回目のプロセス処理の実行後に、再度、基板調整処理が行われた後の認識結果９１、９２、９３および９４をそれぞれ示している。 Further, the white triangle marks indicate the recognition results 91, 92, 93 and 94 after the third process process is executed, respectively. Further, the white square marks indicate the recognition results 91, 92, 93 and 94, respectively, after the substrate adjustment process is performed again after the execution of the third process process.

図９に示すように、基準位置８１、８２、８３および８４と認識結果９１、９２、９３および９４との距離は、プロセス処理を繰り返す毎に増加する。また、図９に示すように、プロセス処理により基板３２が基準状態よりも基準範囲を超えて伸びた場合にも、基板調整処理を行うことで、基板３２を基準状態まで収縮させることができる。 As shown in FIG. 9, the distance between the reference positions 81, 82, 83 and 84 and the recognition results 91, 92, 93 and 94 increases with each repetition of the process process. Further, as shown in FIG. 9, even when the substrate 32 is stretched beyond the reference range by the process process, the substrate 32 can be shrunk to the reference state by performing the substrate adjustment process.

本開示に係るフラットパネルディスプレイ基板位置調整装置およびフラットパネルディスプレイ基板位置調整方法によれば、基板の位置を短時間で調整することができ、産業上の利用可能性は多大である。 According to the flat panel display board position adjusting device and the flat panel display board position adjusting method according to the present disclosure, the position of the board can be adjusted in a short time, and the industrial applicability is great.

１プロセス処理装置
２昇降機構
３、４、５、６アライメントカメラ
８駆動源
９制御装置
１１、１２、１３、１４アライメントマーク
３１ステージ
３２基板
３４インクジェットヘッド
３５ＴＦＴパターン
３６リフトピン
３７載置面
３８吸着機構
３９穴
４０マスター基板
４１、４２アライメントマーク
４３カメラ
４４原点
４５、４６、４７、４８視野内座標
５７基準点
８１、８２、８３、８４基準位置
９１、９２、９３、９４認識結果 1 Process processing device 2 Elevating mechanism 3, 4, 5, 6 Alignment camera 8 Drive source 9 Control device 11, 12, 13, 14 Alignment mark 31 Stage 32 Substrate 34 Inkjet head 35 TFT pattern 36 Lift pin 37 Mounting surface 38 Suction mechanism 39 holes 40 master board 41, 42 alignment mark 43 camera 44 origin 45, 46, 47, 48 in-field coordinates 57 reference point 81, 82, 83, 84 reference position 91, 92, 93, 94 recognition result

Claims

A measuring unit that measures the amount of deviation of a predetermined position from a reference position on a flat panel display board that is attracted and fixed to a stage,
When the amount of deviation measured by the measuring unit is equal to or greater than a predetermined amount, the suction-fixed state between the stage and the flat panel display substrate is released, and the flat panel display substrate is temporarily separated from the stage. It is equipped with a separation mechanism that allows it to be separated.
Flat panel display board position adjustment device.

A measuring unit that measures the amount of deviation of a predetermined position from a reference position on a flat panel display board mounted on a stage, and a measuring unit.
A separation mechanism that temporarily separates the flat panel display board from the stage when the deviation amount measured by the measuring unit is equal to or greater than a predetermined amount.
A heat source that passes in the vicinity of the flat panel display substrate mounted on the stage.
The measuring unit measures the amount of deviation after the heat source has passed in the vicinity of the flat panel display substrate.
Flat panel display board position adjustment device.

The heat source is an inkjet head that injects ink onto the flat panel display substrate.
The flat panel display board position adjusting device according to claim 2.

Used in inkjet process processing,
The flat panel display board position adjusting device according to any one of claims 1 to 3.

The measuring unit measures the amount of alignment mark deviation, which is the amount of deviation of the alignment mark provided at the predetermined position of the flat panel display substrate from the reference position, and the alignment mark deviation amount and the reference position. Calculate the alignment correction amount based on
The separation mechanism is
When the first condition that the alignment correction amount is smaller than the correction amount threshold value is satisfied and the second condition that the alignment mark deviation amount is less than the distance threshold value is not satisfied, the flat panel display substrate is used. The flat panel display board position adjusting device according to any one of claims 1 to 4, which is temporarily separated from the stage.

A step of measuring the amount of deviation of a predetermined position from a reference position on a flat panel display substrate that is adsorbed and fixed to a stage, and
When the amount of deviation is equal to or greater than a predetermined value, a step of releasing the suction-fixed state between the stage and the flat panel display substrate, and
A step of temporarily separating the flat panel display board from the stage, which has been released from the suction-fixed state with the stage, is provided.
Flat panel display board position adjustment method.

A step of sucking and fixing the flat panel display board temporarily separated from the stage to the stage,
The flat panel display board position adjusting method according to claim 6 , further comprising a step of measuring the amount of deviation of the predetermined position from the reference position on the flat panel display board that is suction-fixed to the stage again.

The flat panel display board position adjusting method according to claim 7 , further comprising a step of counting the number of times the flat panel display board is attracted and fixed to the stage.

Further comprising a step of cooling and shrinking the flat panel display substrate in contact with the stage.
The flat panel display board position adjusting method according to claim 6.

Further comprising a step of contracting in contact with the stage and freely contracting the flat panel display substrate temporarily separated from the stage.
The flat panel display board position adjusting method according to claim 9.

In the step of measuring the deviation amount, the alignment mark deviation amount, which is the deviation amount of the alignment mark provided at the predetermined position on the flat panel display substrate from the reference position, is measured.
A step of calculating the alignment correction amount based on the alignment mark deviation amount and the reference position is further provided.
The step of releasing the suction fixing state satisfies the first condition that the alignment correction amount is smaller than the correction amount threshold value, and satisfies the second condition that the alignment mark deviation amount is less than the distance threshold value. Executed if not
The flat panel display board position adjusting method according to any one of claims 6 to 10.