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JP6952204B2 - Control device, residual heat determination method, and residual heat determination program - Google Patents
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Control device, residual heat determination method, and residual heat determination program Download PDF

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Description

本発明は、制御装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラムに関する。 The present invention relates to a control device , a residual heat determination method, and a residual heat determination program.

従来、生体組織における処置の対象となる部位(以下、対象部位と記載)に対してエンドエフェクタから処置エネルギを付与することによって当該対象部位を処置する医療装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載の医療装置では、エンドエフェクタは、電力の供給に応じて発熱するヒータと、一対の高周波電極とを備える。そして、当該医療装置では、ヒータに電力を供給することによってエンドエフェクタから対象部位に対して処置エネルギである熱エネルギを付与する。また、当該医療装置では、一対の高周波電極間に電力を供給することによってエンドエフェクタから対象部位に対して処置エネルギである高周波エネルギを付与する。
Conventionally, a medical device for treating a target site in a living tissue (hereinafter referred to as a target site) by applying treatment energy from an end effector to the target site (hereinafter referred to as a target site) has been known (for example, Patent Document). 1).
In the medical device described in Patent Document 1, the end effector includes a heater that generates heat in response to power supply and a pair of high-frequency electrodes. Then, in the medical device, heat energy, which is treatment energy, is applied from the end effector to the target site by supplying electric power to the heater. Further, in the medical device, high frequency energy, which is treatment energy, is applied from the end effector to the target site by supplying electric power between the pair of high frequency electrodes.

国際公開第2013/088891号International Publication No. 2013/088891

ところで、対象部位を封止するために必要な第1の温度は、当該対象部位を切開するために必要な第2の温度よりも低い温度である。
そして、特許文献1に記載の医療装置を用いて、対象部位を切開した後、当該対象部位とは異なる他の対象部位を封止する場合には、以下の問題が生じる虞がある。
対象部位を第2の温度で加熱することによって当該対象部位を切開するための電力をエンドエフェクタに供給した場合には、当該切開が完了した後、当該エンドエフェクタは、残熱レベルが高い状態となっている。この状態において、当該対象部位とは異なる他の対象部位を第1の温度で加熱することによって当該他の対象部位を封止するための電力をエンドエフェクタに供給した場合には、当該エンドエフェクタの残熱レベルが高いため、当該他の対象部位は、第1の温度以上の温度で過加熱されてしまう、という問題がある。
By the way, the first temperature required for sealing the target site is lower than the second temperature required for incising the target site.
Then, when the target site is incised using the medical device described in Patent Document 1 and then another target site different from the target site is sealed, the following problems may occur.
When electric power for incising the target site is supplied to the end effector by heating the target site at a second temperature, the end effector is in a state of high residual heat level after the incision is completed. It has become. In this state, when power for sealing the other target part is supplied to the end effector by heating another target part different from the target part at the first temperature, the end effector Since the residual heat level is high, there is a problem that the other target portion is overheated at a temperature equal to or higher than the first temperature.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、生体組織の過加熱を回避することができる制御装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a control device capable of avoiding overheating of a living tissue, a residual heat determination method, and a residual heat determination program.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る制御装置は、体組織を処置するための処置エネルギを当該生体組織に対して付与するエンドエフェクタを有する処置具とともに用いられる制御装置であって前記制御装置は、前記生体組織を第1の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための電力を前記処置具に対して供給する封止制御モードと、前記生体組織を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための電力を前記処置具に対して供給する切開制御モードとをそれぞれ実行可能とする、少なくとも一つのプロセッサを備え、前記プロセッサは、前記切開制御モードを実行することによって、前記エンドエフェクタが前記第2の温度になった後の経過時間を前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値として算出し、前記指標値と閾値とを比較し、前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する。 To solve the above problems and achieve the object, a control apparatus according to the present invention is used to treat energy for treating raw body tissue with the treatment instrument having an end effector that imparts respect to the biological tissue A control device , wherein the control device supplies power for sealing the living tissue to the treatment tool by heating the living tissue at a first temperature, and the sealing control mode. By heating the living tissue at a second temperature higher than the first temperature, at least an incision control mode in which power for incising the living tissue is supplied to the treatment tool can be executed. One processor is provided, and the processor calculates the elapsed time after the end effector reaches the second temperature as an index value as an index of the temperature of the end effector by executing the incision control mode. Then, the index value and the threshold value are compared, and the residual heat level of the end effector is determined based on the comparison result between the index value and the threshold value.

本発明に係る残熱判定方法は、制御装置のプロセッサが実行する残熱判定方法であって、前記プロセッサは、生体組織を第1の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための電力を処置具に対して供給する封止制御モードと、前記生体組織を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための電力を前記処置具に対して供給する切開制御モードとをそれぞれ実行可能とし、当該残熱判定方法は、前記切開制御モードを実行することによって、前記処置具に設けられたエンドエフェクタが前記第2の温度になった後の経過時間を前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値として算出し、前記指標値と閾値とを比較し、前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する。 The residual heat determination method according to the present invention is a residual heat determination method executed by a processor of a control device , and the processor is for sealing the biological tissue by heating the biological tissue at a first temperature. A sealing control mode in which power is supplied to the treatment tool, and power for incising the living tissue by heating the living tissue at a second temperature higher than the first temperature is applied to the treatment tool. Each of the incision control modes supplied to the treatment tool can be executed, and the residual heat determination method is performed after the end effector provided on the treatment tool reaches the second temperature by executing the incision control mode. elapsed time was calculated as the index value indicative of the temperature of the end effector, comparing the index value with the threshold value, based on a result of comparison between the index value and the threshold, Zan'netsu level of the end effector of To judge.

本発明に係る残熱判定プログラムは、制御装置のプロセッサに実行させる残熱判定プログラムであって、前記プロセッサは、生体組織を第1の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための電力を処置具に対して供給する封止制御モードと、前記生体組織を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための電力を前記処置具に対して供給する切開制御モードとをそれぞれ実行可能とし、当該残熱判定プログラムは、前記プロセッサに以下の実行を指示する:前記切開制御モードを実行することによって、前記処置具に設けられたエンドエフェクタが前記第2の温度になった後の経過時間を前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値として算出し、前記指標値と閾値とを比較し、前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する。 The residual heat determination program according to the present invention is a residual heat determination program executed by a processor of a control device , and the processor is for sealing the biological tissue by heating the biological tissue at a first temperature. A sealing control mode in which power is supplied to the treatment tool, and power for incising the living tissue by heating the living tissue at a second temperature higher than the first temperature is applied to the treatment tool. Each of the incision control modes supplied to the device can be executed, and the residual heat determination program instructs the processor to execute the following: By executing the incision control mode, an end effector provided on the treatment tool is provided. There was calculated as an index value which is a temperature index of the end effector an elapsed time after becoming the second temperature, and comparing the index value with the threshold value, the comparison result between the index value and the threshold value Based on this, the residual heat level of the end effector is determined.

本発明に係る制御装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラムによれば、生体組織の過加熱を回避することができる。 According to the control device , the residual heat determination method, and the residual heat determination program according to the present invention, overheating of the living tissue can be avoided.

図1は、本実施の形態に係る処置システムを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a treatment system according to the present embodiment. 図2は、把持部を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a grip portion. 図3は、制御装置の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the control device. 図4は、残熱判定方法を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a residual heat determination method. 図5は、残熱判定方法を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a residual heat determination method. 図6は、残熱判定方法の実行時における対象部位のインピーダンスの挙動を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the behavior of the impedance of the target portion when the residual heat determination method is executed. 図7は、対象部位の種類の判定方法を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a method for determining the type of the target portion. 図8は、対象部位の種類の判定方法を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a method for determining the type of the target portion. 図9は、高周波制御の第1のフェーズを示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing the first phase of high frequency control. 図10は、第1のフェーズの実行時における出力電力、出力電圧、及び生体組織のインピーダンスの挙動を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the behavior of the output power, the output voltage, and the impedance of the living tissue at the time of executing the first phase. 図11は、高周波制御の第2のフェーズを示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart showing the second phase of high frequency control. 図12は、対象部位の大きさの判定方法を説明する図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a method for determining the size of the target portion. 図13は、対象部位の大きさの判定方法を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a method for determining the size of the target portion. 図14は、熱制御を示すフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart showing thermal control. 図15は、本実施の形態の変形例1を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a modified example 1 of the present embodiment. 図16は、本実施の形態の変形例1を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a modified example 1 of the present embodiment. 図17は、本実施の形態の変形例2を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing a modification 2 of the present embodiment. 図18は、本実施の形態の変形例3を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a modified example 3 of the present embodiment.

以下に、図面を参照して、本発明を実施するための形態(以下、実施の形態)について説明する。なお、以下に説明する実施の形態によって本発明が限定されるものではない。さらに、図面の記載において、同一の部分には同一の符号を付している。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below. Further, in the description of the drawings, the same parts are designated by the same reference numerals.

〔処置システムの概略構成〕
図1は、本実施の形態に係る処置システム1を示す図である。
処置システム1は、本発明に係る医療装置に相当する。この処置システム1は、生体組織における処置の対象となる部位(以下、対象部位と記載)に対して処置エネルギを付与することによって、当該対象部位を処置する。ここで、本実施の形態では、当該処置エネルギとして、高周波エネルギ及び熱エネルギを採用している。また、処置システム1によって実行可能とする処置は、対象部位の切開を行う第1の処置、及び対象部位の封止を行う第2の処置の2つの処置である。
この処置システム1は、図1に示すように、処置具2と、制御装置3とを備える。
[Outline configuration of treatment system]
FIG. 1 is a diagram showing a treatment system 1 according to the present embodiment.
The treatment system 1 corresponds to the medical device according to the present invention. This treatment system 1 treats the target site by applying treatment energy to the target site (hereinafter referred to as the target site) in the living tissue. Here, in the present embodiment, high frequency energy and thermal energy are adopted as the treatment energy. Further, the treatments that can be performed by the treatment system 1 are two treatments, a first treatment for incising the target site and a second treatment for sealing the target site.
As shown in FIG. 1, the treatment system 1 includes a treatment tool 2 and a control device 3.

〔処置具の構成〕
処置具2は、例えば、腹壁を通した状態で対象部位を処置するための外科医療用処置具である。この処置具2は、図1に示すように、ハンドル5と、シャフト6と、把持部7とを備える。
ハンドル5は、術者が手で持つ部分である。そして、このハンドル5には、図1に示すように、操作ノブ51と、インターフェース52とが設けられている。
インターフェース52は、ハンドル5から外部に露出した状態で設けられ、術者による切開制御モード及び封止制御モードの設定操作を受け付ける。このインターフェース52は、図1に示すように、第1,第2のスイッチ521,522を備える。
第1のスイッチ521は、術者による切開制御モードの設定操作を受け付ける。そして、第1のスイッチ521は、電気ケーブルC(図1)を経由することによって、制御装置3に対して当該設定操作に応じた操作信号を出力する。
第2のスイッチ522は、術者による封止制御モードの設定操作を受け付ける。そして、第2のスイッチ522は、電気ケーブルCを経由することによって、制御装置3に対して当該設定操作に応じた操作信号を出力する。
[Structure of treatment tool]
The treatment tool 2 is, for example, a surgical treatment tool for treating a target site while passing through the abdominal wall. As shown in FIG. 1, the treatment tool 2 includes a handle 5, a shaft 6, and a grip portion 7.
The handle 5 is a part held by the operator. As shown in FIG. 1, the handle 5 is provided with an operation knob 51 and an interface 52.
The interface 52 is provided so as to be exposed to the outside from the handle 5, and receives an operation of setting the incision control mode and the sealing control mode by the operator. As shown in FIG. 1, the interface 52 includes first and second switches 521 and 522.
The first switch 521 accepts an incision control mode setting operation by the operator. Then, the first switch 521 outputs an operation signal corresponding to the setting operation to the control device 3 via the electric cable C (FIG. 1).
The second switch 522 accepts the operation of setting the sealing control mode by the operator. Then, the second switch 522 outputs an operation signal corresponding to the setting operation to the control device 3 via the electric cable C.

シャフト6は、略円筒形状を有し、一端がハンドル5に対して接続されている(図1)。また、シャフト6の他端には、把持部7が取り付けられている。そして、このシャフト6の内部には、術者による操作ノブ51の操作に応じて、把持部7を構成する第1,第2の把持部材8,9(図1)を開閉させる開閉機構(図示略)が設けられている。また、このシャフト6の内部には、電気ケーブルC(図1)がハンドル5を経由することによって一端側から他端側まで配設されている。 The shaft 6 has a substantially cylindrical shape, and one end thereof is connected to the handle 5 (FIG. 1). A grip portion 7 is attached to the other end of the shaft 6. Inside the shaft 6, an opening / closing mechanism (illustrated) that opens and closes the first and second gripping members 8 and 9 (FIG. 1) constituting the gripping portion 7 in response to the operation of the operation knob 51 by the operator. (Omitted) is provided. Further, inside the shaft 6, an electric cable C (FIG. 1) is arranged from one end side to the other end side by passing through the handle 5.

〔把持部の構成〕
なお、以下で記載する「先端側」は、把持部7の先端側であって、図1中、左側を意味する。また、以下で記載する「基端側」は、把持部7のシャフト6側であって、図1中、右側を意味する。
図2は、把持部7を示す図である。
把持部7は、対象部位を把持した状態で当該対象部位を処置する部分であり、本発明に係るエンドエフェクタに相当する。この把持部7は、図1または図2に示すように、第1,第2の把持部材8,9を備える。
第1,第2の把持部材8,9は、術者による操作ノブ51の操作に応じて、矢印R1(図2)方向に開閉可能に構成されている。
[Structure of grip]
The "tip side" described below is the tip side of the grip portion 7 and means the left side in FIG. Further, the "base end side" described below is the shaft 6 side of the grip portion 7, and means the right side in FIG.
FIG. 2 is a diagram showing a grip portion 7.
The grip portion 7 is a portion that treats the target portion while gripping the target portion, and corresponds to the end effector according to the present invention. As shown in FIG. 1 or 2, the grip portion 7 includes first and second grip members 8 and 9.
The first and second gripping members 8 and 9 are configured to be openable and closable in the direction of arrow R1 (FIG. 2) in response to the operation of the operation knob 51 by the operator.

〔第1の把持部材の構成〕
第1の把持部材8は、第2の把持部材9に対向する位置に配設されている。この第1の把持部材8は、図2に示すように、第1のジョー10と、第1の支持部材11と、処置部12とを備える。
第1のジョー10は、シャフト6の一部を先端側に延在させた部分であり、把持部7の先端から基端に向かう長手方向に延在する長尺状に形成されている。この第1のジョー10は、例えば、ステンレスやチタン等の金属材料によって構成されている。そして、第1のジョー10は、第1の支持部材11及び処置部12を支持する。
第1の支持部材11は、把持部7の長手方向に延在する長尺状の平板であり、例えばPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)等の低い熱伝導率を有する樹脂材料等によって構成されている。そして、第1の支持部材11は、第1のジョー10と処置部12との間に配設される。
[Structure of the first gripping member]
The first gripping member 8 is arranged at a position facing the second gripping member 9. As shown in FIG. 2, the first gripping member 8 includes a first jaw 10, a first support member 11, and a treatment portion 12.
The first jaw 10 is a portion of the shaft 6 extending toward the tip end side, and is formed in a long shape extending in the longitudinal direction from the tip end of the grip portion 7 toward the base end. The first jaw 10 is made of a metal material such as stainless steel or titanium. Then, the first jaw 10 supports the first support member 11 and the treatment portion 12.
The first support member 11 is a long flat plate extending in the longitudinal direction of the grip portion 7, and is made of a resin material having a low thermal conductivity such as PEEK (polyetheretherketone). .. Then, the first support member 11 is arranged between the first jaw 10 and the treatment portion 12.

処置部12は、制御装置3による制御の下、高周波エネルギ及び熱エネルギを発生する。この処置部12は、図2に示すように、伝熱板13と、ヒータ14(図3参照)とを備える。
伝熱板13は、把持部7の長手方向に延在する平板であり、例えば、銅等の導電性材料によって構成されている。
この伝熱板13において、第2の把持部材9側の面は、第1,第2の把持部材8,9によって対象部位を把持した状態で、当該対象部位に接触する。そして、当該面は、ヒータ14からの熱を対象部位に伝達する。すなわち、当該面は、対象部位に対して熱エネルギを付与する第1の把持面131(図2)として機能する。本実施の形態では、第1の把持面131は、第1,第2の把持部材8,9によって対象部位を把持した状態で当該第1,第2の把持部材8,9が互いに対向する方向A1(図2)に対して直交する平坦面によって構成されている。また、伝熱板13において、第1の把持面131と表裏をなす背面132も同様に、方向A1に対して直交する平坦面によって構成されている。
また、伝熱板13には、電気ケーブルCを構成する一対の高周波用リード線C1,C1´(図3参照)の一方の高周波用リード線C1が接続されている。
なお、第1の把持面131及び背面132は、平坦面によってそれぞれ構成されているが、これに限らず、凸形状や凹形状等のその他の形状によってそれぞれ構成しても構わない。後述する第2の把持面931も同様である。
The treatment unit 12 generates high frequency energy and thermal energy under the control of the control device 3. As shown in FIG. 2, the treatment unit 12 includes a heat transfer plate 13 and a heater 14 (see FIG. 3).
The heat transfer plate 13 is a flat plate extending in the longitudinal direction of the grip portion 7, and is made of, for example, a conductive material such as copper.
In the heat transfer plate 13, the surface on the side of the second gripping member 9 comes into contact with the target portion while the target portion is gripped by the first and second gripping members 8 and 9. Then, the surface transfers the heat from the heater 14 to the target portion. That is, the surface functions as a first gripping surface 131 (FIG. 2) that applies thermal energy to the target portion. In the present embodiment, the first gripping surface 131 is in a direction in which the first and second gripping members 8 and 9 face each other in a state where the target portion is gripped by the first and second gripping members 8 and 9. It is composed of flat surfaces orthogonal to A1 (FIG. 2). Further, in the heat transfer plate 13, the back surface 132 forming the front and back surfaces of the first gripping surface 131 is also formed of a flat surface orthogonal to the direction A1.
Further, one high frequency lead wire C1 of a pair of high frequency lead wires C1 and C1'(see FIG. 3) constituting the electric cable C is connected to the heat transfer plate 13.
The first gripping surface 131 and the back surface 132 are each formed of a flat surface, but the present invention is not limited to this, and other shapes such as a convex shape and a concave shape may be formed. The same applies to the second gripping surface 931 described later.

ヒータ14は、例えば、シートヒータであり、伝熱板13における背面132に配設されている。このヒータ14は、具体的な図示は省略したが、ポリイミド等の絶縁材料によって形成されたシート状の基板に、電気抵抗パターンが蒸着等によって形成されたものである。
当該電気抵抗パターンは、例えば、ヒータ14の外縁形状に倣うU字形状に沿って形成されている。また、当該電気抵抗パターンの両端には、電気ケーブルCを構成する一対の発熱用リード線C2,C2´(図3参照)が接続されている。また、当該電気抵抗パターンには、制御装置3による制御の下、一対の発熱用リード線C2,C2´を経由することによって電力が供給される。これによって、当該電気抵抗パターンは、発熱する。
The heater 14 is, for example, a seat heater, and is arranged on the back surface 132 of the heat transfer plate 13. Although the specific illustration is omitted, the heater 14 has an electric resistance pattern formed by vapor deposition or the like on a sheet-like substrate formed of an insulating material such as polyimide.
The electric resistance pattern is formed, for example, along a U-shape that follows the outer edge shape of the heater 14. Further, a pair of heat generating lead wires C2 and C2'(see FIG. 3) constituting the electric cable C are connected to both ends of the electric resistance pattern. Further, electric power is supplied to the electric resistance pattern by passing through a pair of heat generating lead wires C2 and C2'under the control of the control device 3. As a result, the electric resistance pattern generates heat.

〔第2の把持部材の構成〕
第2の把持部材9は、図2に示すように、第2のジョー91と、第2の支持部材92と、対向板93とを備える。
第2のジョー91は、把持部7の長手方向に延在する長尺形状を有する。そして、第2のジョー91は、基端側が支点P0(図2)を中心としてシャフト6に対して回動可能に軸支され、回動することによって第1の把持部材8に対して開閉する。
なお、本実施の形態では、第1の把持部材8(第1のジョー10)がシャフト6に固定され、第2の把持部材9(第2のジョー91)がシャフト6に軸支された構成としているが、これに限らない。例えば、第1,第2の把持部材8,9の双方がシャフト6に軸支され、それぞれ回動することによって第1,第2の把持部材8,9が開閉する構成を採用しても構わない。また、例えば、第1の把持部材8がシャフト6に軸支され、第2の把持部材9がシャフト6に固定され、第1の把持部材8が回動することによって第2の把持部材9に対して開閉する構成を採用しても構わない。
[Structure of second gripping member]
As shown in FIG. 2, the second gripping member 9 includes a second jaw 91, a second support member 92, and a facing plate 93.
The second jaw 91 has an elongated shape extending in the longitudinal direction of the grip portion 7. Then, the base end side of the second jaw 91 is rotatably supported with respect to the shaft 6 about the fulcrum P0 (FIG. 2), and opens and closes with respect to the first gripping member 8 by rotating. ..
In the present embodiment, the first gripping member 8 (first jaw 10) is fixed to the shaft 6, and the second gripping member 9 (second jaw 91) is pivotally supported by the shaft 6. However, it is not limited to this. For example, a configuration may be adopted in which both the first and second gripping members 8 and 9 are pivotally supported by the shaft 6 and the first and second gripping members 8 and 9 are opened and closed by rotating each of them. No. Further, for example, the first gripping member 8 is pivotally supported by the shaft 6, the second gripping member 9 is fixed to the shaft 6, and the first gripping member 8 rotates to the second gripping member 9. On the other hand, a configuration that opens and closes may be adopted.

第2の支持部材92は、例えばPEEK等の低い熱伝導率を有する樹脂材料等によって構成され、第2のジョー91と対向板93との間に配設されている。
対向板93は、銅等の導電性材料によって構成され、第2の支持部材92における第1の把持部材8に対向する面上に固定されている。
この対向板93において、第1の把持部材8側の面は、第1の把持面131との間で対象部位を把持する第2の把持面931として機能する。また、対向板93には、他方の高周波用リード線C1´が接続されている。
The second support member 92 is made of a resin material having a low thermal conductivity such as PEEK, and is arranged between the second jaw 91 and the facing plate 93.
The facing plate 93 is made of a conductive material such as copper, and is fixed on a surface of the second supporting member 92 facing the first gripping member 8.
In the facing plate 93, the surface on the side of the first gripping member 8 functions as a second gripping surface 931 that grips the target portion with the first gripping surface 131. Further, the other high frequency lead wire C1'is connected to the facing plate 93.

〔制御装置の構成〕
図3は、制御装置3の構成を示すブロック図である。
制御装置3は、電気ケーブルCを経由することによって、処置具2の動作を統括的に制御する。この制御装置3は、図3に示すように、高周波エネルギ出力部31と、第1のセンサ32と、熱エネルギ出力部33と、第2のセンサ34と、報知部35と、プロセッサ36と、メモリ37とを備える。
高周波エネルギ出力部(ジェネレータ)31は、プロセッサ36による制御の下、一対の高周波用リード線C1,C1´を経由することによって、伝熱板13及び対向板93に高周波電力を供給する。これによって、伝熱板13と対向板93との間に把持された対象部位には、高周波電流が流れる。言い換えれば、伝熱板13と対向板93との間に把持された対象部位には、高周波エネルギが付与される。すなわち、伝熱板13及び対向板93は、本発明に係る高周波電極としてそれぞれ機能する。
第1のセンサ32は、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に供給されている電圧値及び電流値を検出する。そして、第1のセンサ32は、当該検出した電圧値及び電流値に応じた信号をプロセッサ36に出力する。
[Control device configuration]
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the control device 3.
The control device 3 comprehensively controls the operation of the treatment tool 2 via the electric cable C. As shown in FIG. 3, the control device 3 includes a high-frequency energy output unit 31, a first sensor 32, a thermal energy output unit 33, a second sensor 34, a notification unit 35, a processor 36, and the like. It includes a memory 37.
The high-frequency energy output unit (generator) 31 supplies high-frequency power to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 via a pair of high-frequency lead wires C1 and C1'under the control of the processor 36. As a result, a high-frequency current flows through the target portion gripped between the heat transfer plate 13 and the facing plate 93. In other words, high frequency energy is applied to the target portion gripped between the heat transfer plate 13 and the facing plate 93. That is, the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 function as high-frequency electrodes according to the present invention, respectively.
The first sensor 32 detects the voltage value and the current value supplied from the high-frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93. Then, the first sensor 32 outputs a signal corresponding to the detected voltage value and current value to the processor 36.

熱エネルギ出力部(ジェネレータ)33は、プロセッサ36による制御の下、一対の発熱用リード線C2,C2´を経由することによって、ヒータ14を構成する電気抵抗パターンに電力を供給する。これによって、当該電気抵抗パターンは、発熱する。そして、伝熱板13と対向板93との間に把持された対象部位には、当該電気抵抗パターンの熱が当該伝熱板13から伝達される。言い換えれば、伝熱板13と対向板93との間に把持された対象部位には、熱エネルギが付与される。
第2のセンサ34は、熱エネルギ出力部33からヒータ14に供給されている電圧値及び電流値を検出する。そして、第2のセンサ34は、当該検出した電圧値及び電流値に応じた信号をプロセッサ36に出力する。
The thermal energy output unit (generator) 33 supplies electric power to the electric resistance pattern constituting the heater 14 by passing through a pair of heat generating lead wires C2 and C2'under the control of the processor 36. As a result, the electric resistance pattern generates heat. Then, the heat of the electric resistance pattern is transferred from the heat transfer plate 13 to the target portion gripped between the heat transfer plate 13 and the facing plate 93. In other words, heat energy is applied to the target portion gripped between the heat transfer plate 13 and the facing plate 93.
The second sensor 34 detects the voltage value and the current value supplied from the thermal energy output unit 33 to the heater 14. Then, the second sensor 34 outputs a signal corresponding to the detected voltage value and current value to the processor 36.

報知部35は、プロセッサ36による制御の下、所定の情報を報知する。この報知部35としては、例えば、点灯や点滅、あるいは、点灯した際の色により所定の情報を報知するLED(Light Emitting Diode)、所定の情報を表示する表示装置、所定の情報を音声で出力するスピーカ等を例示することができる。 The notification unit 35 notifies predetermined information under the control of the processor 36. The notification unit 35 includes, for example, an LED (Light Emitting Diode) that notifies predetermined information by lighting, blinking, or the color when it is lit, a display device that displays predetermined information, and output of predetermined information by voice. An example of a speaker or the like can be used.

プロセッサ36は、例えば、CPU(Central Processing Unit)やFPGA(Field-Programmable Gate Array)等であり、メモリ37に記憶されたプログラムにしたがって、処置システム1全体の動作を制御する。なお、プロセッサ36の詳細な機能については、後述する「プロセッサが実行する制御方法」において説明する。
メモリ37は、プロセッサ36が実行するプログラム(本発明に係る残熱判定プログラムを含む)や、当該プロセッサ36の処理に必要な情報等を記憶する。
The processor 36 is, for example, a CPU (Central Processing Unit), an FPGA (Field-Programmable Gate Array), or the like, and controls the operation of the entire treatment system 1 according to a program stored in the memory 37. The detailed functions of the processor 36 will be described later in "Control method executed by the processor".
The memory 37 stores a program executed by the processor 36 (including a residual heat determination program according to the present invention), information necessary for processing of the processor 36, and the like.

〔プロセッサが実行する制御方法〕
次に、プロセッサ36が実行する制御方法について説明する。
以下では、プロセッサ36が実行する制御方法として、残熱判定方法、高周波制御、及び熱制御を順に説明する。
[Control method executed by the processor]
Next, the control method executed by the processor 36 will be described.
Hereinafter, as the control method executed by the processor 36, the residual heat determination method, the high frequency control, and the thermal control will be described in order.

〔残熱判定方法〕
先ず、プロセッサ36が実行する残熱判定方法について説明する。
図4及び図5は、残熱判定方法を示すフローチャートである。図6は、残熱判定方法の実行時における対象部位のインピーダンスの挙動を示す図である。図7及び図8は、対象部位LTの種類の判定方法を説明する図である。具体的に、図7は、伝熱板13及び対向板93によって対象部位LTを把持した状態を模式的に示した図である。図8は、サイズの小さいSサイズ血管、サイズの大きいLサイズ血管、及び脂肪組織における初期インピーダンスZ0の分布をそれぞれ示した図である。
[Residual heat determination method]
First, the residual heat determination method executed by the processor 36 will be described.
4 and 5 are flowcharts showing a residual heat determination method. FIG. 6 is a diagram showing the behavior of the impedance of the target portion when the residual heat determination method is executed. 7 and 8 are diagrams for explaining a method for determining the type of the target site LT. Specifically, FIG. 7 is a diagram schematically showing a state in which the target portion LT is gripped by the heat transfer plate 13 and the facing plate 93. FIG. 8 is a diagram showing the distribution of the initial impedance Z0 in the small S size blood vessel, the large L size blood vessel, and the adipose tissue, respectively.

術者は、処置具2を手で持ち、当該処置具2の先端部分(把持部7及びシャフト6の一部)を、例えば、トロッカ等を用いて腹壁を通してから腹腔内に挿入する。そして、術者は、操作ノブ51を操作することによって、把持部7により対象部位LT(図7)を把持する。この状態において、プロセッサ36は、一対の高周波用リード線C1,C1´を経由することによって、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に微小な高周波電力を供給する(ステップS1A)。これによって、伝熱板13と対向板93とに把持された対象部位LTには、検知電流が流れる。
ここで、当該微小な高周波電力とは、伝熱板13と対向板93とに把持された対象部位LTが熱変性しない程度の電力を意味する。
The surgeon holds the treatment tool 2 by hand and inserts the tip portion (a part of the grip portion 7 and the shaft 6) of the treatment tool 2 into the abdominal cavity after passing through the abdominal wall using, for example, a trocca. Then, the operator grips the target portion LT (FIG. 7) by the grip portion 7 by operating the operation knob 51. In this state, the processor 36 supplies a minute high-frequency power from the high-frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 by passing through the pair of high-frequency lead wires C1 and C1'(step S1A). .. As a result, the detection current flows through the target portion LT gripped by the heat transfer plate 13 and the facing plate 93.
Here, the minute high-frequency power means power to the extent that the target portion LT gripped by the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 does not undergo thermal denaturation.

ステップS1Aの後、プロセッサ36は、第1のセンサ32によって検出された電圧値及び電流値に基づいて、対象部位LTのインピーダンスの算出を開始する(ステップS1B)。そして、プロセッサ36は、算出した対象部位LTのインピーダンスを順次、メモリ37に記憶する。当該対象部位LTのインピーダンスは、本発明に係る指標値及び熱変性レベルに相当する。すなわち、プロセッサ36は、後述する対象部位LTへの高周波エネルギの付与(ステップS2E)、及び後述する対象部位LTへの熱エネルギの付与(ステップS3B)の前に、本発明に係る指標値を算出している。
なお、以下では、説明の便宜上、最初に算出された対象部位LTのインピーダンス、すなわち、最初にメモリ37に記憶した対象部位LTのインピーダンスを初期インピーダンスZ0(図6)とする。また、当該対象部位LTのインピーダンスの算出及びメモリ37への記憶は、後述する第1,第2のフェーズにおいても継続する。
ステップS1Bの後、プロセッサ36は、術者によって第2のスイッチ522への封止制御モードの設定操作がなされたか否かを常時、監視する(ステップS1C)。
After step S1A, the processor 36 starts calculating the impedance of the target portion LT based on the voltage value and the current value detected by the first sensor 32 (step S1B). Then, the processor 36 sequentially stores the calculated impedance of the target portion LT in the memory 37. The impedance of the target portion LT corresponds to the index value and the heat denaturation level according to the present invention. That is, the processor 36 calculates the index value according to the present invention before applying the high-frequency energy to the target portion LT described later (step S2E) and applying the thermal energy to the target portion LT described later (step S3B). doing.
In the following, for convenience of explanation, the impedance of the target portion LT calculated first, that is, the impedance of the target portion LT first stored in the memory 37 is referred to as the initial impedance Z0 (FIG. 6). Further, the calculation of the impedance of the target portion LT and the storage in the memory 37 are continued in the first and second phases described later.
After step S1B, the processor 36 constantly monitors whether or not the operator has set the sealing control mode to the second switch 522 (step S1C).

ところで、プロセッサ36は、術者によって第1のスイッチ521への切開制御モードの設定操作がなされた場合には、以下の処理を実行する。
プロセッサ36は、対象部位LTを切開するために、高周波エネルギ出力部31及び熱エネルギ出力部33の双方を動作させる。そして、高周波エネルギ出力部31は、一対の高周波用リード線C1,C1´を経由することによって、伝熱板13及び対向板93に比較的に高い高周波電力を供給する。また、熱エネルギ出力部33は、一対の発熱用リード線C2,C2´を経由することによって、ヒータ14を構成する電気抵抗パターンに比較的に高い電力を供給する。これによって、伝熱板13及び対向板93の温度は、対象部位LTを切開可能とする例えば300℃程度の第2の温度まで上昇する。また、切開制御モードの実行を終了した時点から時間が経過するにしたがって、伝熱板13及び対向板93の温度は低減していく。
By the way, the processor 36 executes the following processing when the incision control mode is set to the first switch 521 by the operator.
The processor 36 operates both the high-frequency energy output unit 31 and the thermal energy output unit 33 in order to make an incision in the target portion LT. Then, the high frequency energy output unit 31 supplies relatively high high frequency power to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 by passing through the pair of high frequency lead wires C1 and C1'. Further, the thermal energy output unit 33 supplies a relatively high electric power to the electric resistance pattern constituting the heater 14 by passing through the pair of heat generating lead wires C2 and C2'. As a result, the temperatures of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 rise to a second temperature of, for example, about 300 ° C., which enables the incision of the target portion LT. Further, as time elapses from the time when the execution of the incision control mode is completed, the temperatures of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 decrease.

そして、伝熱板13及び対向板93の残熱がない場合には、対象部位LTを把持しただけでは、当該対象部位LTのインピーダンスは初期インピーダンスZ0から変化しない。
一方、伝熱板13及び対向板93の残熱がある場合には、対象部位LTは、当該残熱によって変性する。すなわち、対象部位LTのインピーダンスは、図6に示すように、当該残熱によって、次第に減少する。また、当該残熱が比較的に大きい場合には、対象部位LTのインピーダンスは、極小値Zminとなった後、増加に転じる。
すなわち、初期インピーダンスZ0からの変化量Zch(図6)によって、残熱レベルを判定することが可能となる。
When there is no residual heat in the heat transfer plate 13 and the facing plate 93, the impedance of the target portion LT does not change from the initial impedance Z0 just by grasping the target portion LT.
On the other hand, when there is residual heat of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93, the target portion LT is denatured by the residual heat. That is, as shown in FIG. 6, the impedance of the target portion LT gradually decreases due to the residual heat. Further, when the residual heat is relatively large, the impedance of the target portion LT reaches the minimum value Zmin and then starts to increase.
That is, the residual heat level can be determined by the amount of change Zch (FIG. 6) from the initial impedance Z0.

術者によって第2のスイッチ522への封止制御モードの設定操作がなされた場合(ステップS1C:Yes)には、プロセッサ36は、封止制御モードを実行する。
先ず、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した対象部位LTの複数のインピーダンスのうち、最新のインピーダンスと初期インピーダンスZ0とを読み出す。そして、プロセッサ36は、当該初期インピーダンスZ0から当該最新のインピーダンスへの変化量Zchが残熱判定閾値Zj1よりも小さいか否かを判断する(ステップS1D)。
When the operator sets the sealing control mode to the second switch 522 (step S1C: Yes), the processor 36 executes the sealing control mode.
First, the processor 36 reads out the latest impedance and the initial impedance Z0 from the plurality of impedances of the target portion LT stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the amount of change Zch from the initial impedance Z0 to the latest impedance is smaller than the residual heat determination threshold value Zj1 (step S1D).

変化量Zchが残熱判定閾値Zj1よりも小さいと判断した場合(ステップS1D:Yes)には、プロセッサ36は、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを「残熱なし」と判定する(ステップS1E)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS1Kに移行する。
一方、変化量Zchが残熱判定閾値Zj1以上であると判断した場合(ステップS1D:No)には、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した対象部位LTの複数のインピーダンスを参照し、対象部位LTのインピーダンスが極小値Zminに達したか否かを判断する(ステップS1F)。
When it is determined that the amount of change Zch is smaller than the residual heat determination threshold value Zj1 (step S1D: Yes), the processor 36 determines that the residual heat levels of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 are “no residual heat”. (Step S1E). Then, the processor 36 stores the determination result in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S1K.
On the other hand, when it is determined that the amount of change Zch is equal to or greater than the residual heat determination threshold Zj1 (step S1D: No), the processor 36 refers to a plurality of impedances of the target portion LT stored in the memory 37, and refers to the target portion LT. It is determined whether or not the impedance of is reached the minimum value Zmin (step S1F).

対象部位LTのインピーダンスが極小値Zminに達したと判断した場合(ステップS1F:Yes)には、プロセッサ36は、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを「大」と判定する(ステップS1G)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS1Kに移行する。
一方、対象部位LTのインピーダンスが極小値Zminに達していないと判断した場合(ステップS1F:No)には、プロセッサ36は、変化量Zchが残熱判定閾値Zj2よりも小さいか否かを判断する(ステップS1H)。なお、残熱判定閾値Zj2は、残熱判定閾値Zj1よりも大きい値である。
When it is determined that the impedance of the target portion LT has reached the minimum value Zmin (step S1F: Yes), the processor 36 determines that the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is “large” (step). S1G). Then, the processor 36 stores the determination result in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S1K.
On the other hand, when it is determined that the impedance of the target portion LT has not reached the minimum value Zmin (step S1F: No), the processor 36 determines whether or not the change amount Zch is smaller than the residual heat determination threshold value Zj2. (Step S1H). The residual heat determination threshold value Zj2 is a value larger than the residual heat determination threshold value Zj1.

変化量Zchが残熱判定閾値Zj2よりも小さいと判断した場合(ステップS1H:Yes)には、プロセッサ36は、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを「小」と判定する(ステップS1I)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS1Kに移行する。
一方、変化量Zchが残熱判定閾値Zj2以上であると判断した場合(ステップS1H:No)には、プロセッサ36は、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを「中」と判定する(ステップS1J)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS1Kに移行する。
When it is determined that the amount of change Zch is smaller than the residual heat determination threshold value Zj2 (step S1H: Yes), the processor 36 determines that the residual heat levels of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 are "small" (step). S1I). Then, the processor 36 stores the determination result in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S1K.
On the other hand, when it is determined that the amount of change Zch is equal to or greater than the residual heat determination threshold value Zj2 (step S1H: No), the processor 36 determines that the residual heat levels of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 are “medium”. (Step S1J). Then, the processor 36 stores the determination result in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S1K.

以上のように、プロセッサ36は、第2のスイッチ522への封止制御モードの設定操作(ステップS1C:Yes)の後に、残熱レベルの判定(ステップS1E,S1G,S1I,S1J)を実行する。すなわち、プロセッサ36は、封止制御モードにおいて、後述する対象部位LTへの高周波エネルギの付与(ステップS2E)、及び後述する対象部位LTへの熱エネルギの付与(ステップS3B)の前に、残熱レベルの判定(ステップS1E,S1G,S1I,S1J)を実行する。 As described above, the processor 36 executes the determination of the residual heat level (steps S1E, S1G, S1I, S1J) after the operation of setting the sealing control mode to the second switch 522 (step S1C: Yes). .. That is, in the sealing control mode, the processor 36 performs residual heat before applying high-frequency energy to the target portion LT described later (step S2E) and applying thermal energy to the target portion LT described later (step S3B). The level determination (steps S1E, S1G, S1I, S1J) is executed.

ところで、対象部位LTの初期インピーダンスZ0は、以下の式(1)で決まる。なお、式(1)において、ρは、対象部位LTの抵抗率である。Sは、図7に示すように、対象部位LTの断面積である。dは、対象部位LTの厚さである。

Figure 0006952204
By the way, the initial impedance Z0 of the target portion LT is determined by the following equation (1). In the formula (1), ρ is the resistivity of the target site LT. As shown in FIG. 7, S is the cross-sectional area of the target site LT. d is the thickness of the target site LT.
Figure 0006952204

ここで、対象部位LTが脂肪組織である場合には、抵抗率ρが大きいため、初期インピーダンスZ0は、大きくなる。また、対象部位LTが血管組織の場合には、血管組織のサイズによらず、抵抗率ρは同等である。さらに、伝熱板13及び対向板93によって把持されるため、厚さdも同等となる。但し、血管組織のサイズが大きいほど、断面積Sが大きくなるため、初期インピーダンスZ0は、小さくなる。
すなわち、初期インピーダンスZ0が判別閾値R0f(図8)よりも大きければ、対象部位LTが脂肪組織であるか血管組織であるかを判別することができる。但し、図8に示すように、血管組織のサイズが大きいほど、初期インピーダンスZ0が小さくなる傾向はあるものの、Sサイズ血管とLサイズ血管との初期インピーダンスZ0の分布に重なりがあるため、初期インピーダンスZ0を用いても、血管組織のサイズを判別することはできない。なお、Lサイズ血管の初期インピーダンスZ0の分布よりも大きい判別閾値R01(図8)を用いれば、当該判別閾値R01よりも大きく、判別閾値R0fよりも小さい初期インピーダンスZ0を有する対象部位LTは、明らかにSサイズ血管であると判別することができる。
Here, when the target site LT is adipose tissue, the initial impedance Z0 becomes large because the resistivity ρ is large. When the target site LT is vascular tissue, the resistivity ρ is the same regardless of the size of the vascular tissue. Further, since it is gripped by the heat transfer plate 13 and the facing plate 93, the thickness d is also the same. However, the larger the size of the vascular tissue, the larger the cross-sectional area S, so that the initial impedance Z0 becomes smaller.
That is, if the initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R0f (FIG. 8), it is possible to discriminate whether the target site LT is adipose tissue or vascular tissue. However, as shown in FIG. 8, although the initial impedance Z0 tends to decrease as the size of the vascular tissue increases, the initial impedance Z0 overlaps with the distribution of the initial impedance Z0 between the S size blood vessel and the L size blood vessel. Even if Z0 is used, the size of vascular tissue cannot be determined. If a discrimination threshold R01 (FIG. 8) larger than the distribution of the initial impedance Z0 of the L size blood vessel is used, the target site LT having an initial impedance Z0 larger than the discrimination threshold R01 and smaller than the discrimination threshold R0f is clear. It can be determined that it is an S size blood vessel.

そして、プロセッサ36は、以下に示すステップS1Kを実行する。
プロセッサ36は、メモリ37に記憶した初期インピーダンスZ0を読み出す。そして、プロセッサ36は、当該読み出した初期インピーダンスZ0が判別閾値R01よりも大きく、判別閾値R0fよりも小さいか否か、すなわち、対象部位LTがSサイズ血管であるか否かを判別する。
Then, the processor 36 executes step S1K shown below.
The processor 36 reads out the initial impedance Z0 stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the read initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R01 and smaller than the discrimination threshold value R0f, that is, whether or not the target site LT is an S size blood vessel.

対象部位LTがSサイズ血管ではないと判別した場合(ステップS1K:No)には、プロセッサ36は、ステップS2,S3において高周波制御及び熱制御を開始する。
一方、対象部位LTがSサイズ血管であると判別した場合(ステップS1K:Yes)には、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した残熱レベルの判定結果を参照し、当該判定結果に基づいて、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルが「大」であるか否かを判断する(ステップS1L)。
When it is determined that the target site LT is not an S size blood vessel (step S1K: No), the processor 36 starts high frequency control and thermal control in steps S2 and S3.
On the other hand, when it is determined that the target site LT is an S size blood vessel (step S1K: Yes), the processor 36 refers to the determination result of the residual heat level stored in the memory 37, and based on the determination result, the processor 36 refers to the determination result. It is determined whether or not the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is “large” (step S1L).

残熱レベルが「大」ではないと判断した場合(ステップS1L:No)には、プロセッサ36は、ステップS2,S3において、高周波制御及び熱制御を開始する。
一方、残熱レベルが「大」であると判断した場合(ステップS1L:Yes)には、プロセッサ36は、警告を示す情報を報知部35に報知させる(ステップS1M)。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、警告を示す情報を報知部35に報知させる。そして、プロセッサ36は、本制御フローを終了する。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、把持部7への電力の供給を禁止することによって、高周波制御及び熱制御(ステップS2,S3)を実行しない。これによって、特に温度に敏感なSサイズ血管について、過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。
If it is determined that the residual heat level is not "large" (step S1L: No), the processor 36 starts high frequency control and thermal control in steps S2 and S3.
On the other hand, when it is determined that the residual heat level is "large" (step S1L: Yes), the processor 36 causes the notification unit 35 to notify the information indicating the warning (step S1M). That is, when the residual heat level exceeds a specific level, the processor 36 causes the notification unit 35 to notify information indicating a warning. Then, the processor 36 ends this control flow. That is, the processor 36 does not execute the high frequency control and the heat control (steps S2 and S3) by prohibiting the supply of electric power to the grip portion 7 when the residual heat level exceeds a specific level. This makes it possible to appropriately prevent overheating of the S size blood vessel, which is particularly sensitive to temperature.

〔高周波制御〕
次に、プロセッサ36が実行する高周波制御(ステップS2)について説明する。当該高周波制御(ステップS2)は、第1,第2のフェーズの2つに分かれている。以下では、高周波制御(ステップS2)として、第1,第2のフェーズを順に説明する。
[High frequency control]
Next, the high frequency control (step S2) executed by the processor 36 will be described. The high frequency control (step S2) is divided into two phases, a first phase and a second phase. Hereinafter, the first and second phases will be described in order as high frequency control (step S2).

〔第1のフェーズ〕
図9は、高周波制御の第1のフェーズを示すフローチャートである。図10は、第1のフェーズの実行時における出力電力、出力電圧、及び対象部位LTのインピーダンスの挙動を示す図である。なお、図10では、説明の便宜上、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルが「残熱なし」の場合での出力電力、出力電圧、及び対象部位LTのインピーダンスの挙動を示している。
第1のフェーズは、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93への出力電圧の供給を開始するとともに、当該出力電圧を上昇させていくことによって、対象部位LTを均一に加熱するフェーズである。
[First phase]
FIG. 9 is a flowchart showing the first phase of high frequency control. FIG. 10 is a diagram showing the behavior of the output power, the output voltage, and the impedance of the target portion LT at the time of executing the first phase. Note that FIG. 10 shows the behavior of the output power, the output voltage, and the impedance of the target portion LT when the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the counter plate 93 is “no residual heat” for convenience of explanation. ..
In the first phase, the supply of the output voltage from the high-frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the counter plate 93 is started, and the output voltage is increased to uniformly heat the target portion LT. It is a phase.

先ず、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した初期インピーダンスZ0を読み出す。そして、プロセッサ36は、当該読み出した初期インピーダンスZ0が判別閾値R0fよりも大きいか否か、すなわち、対象部位LTが脂肪組織であるか否かを判別する(ステップS2A)。 First, the processor 36 reads out the initial impedance Z0 stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the read initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R0f, that is, whether or not the target site LT is adipose tissue (step S2A).

対象部位LTが脂肪組織ではないと判別した場合(ステップS2A:No)には、プロセッサ36は、第1のフェーズにおいて、対象部位LTに対して高周波エネルギを付与する最小出力時間を600[msec]に設定する(ステップS2B)。この後、プロセッサ36は、ステップS2Dに移行する。
一方、対象部位LTが脂肪組織であると判別した場合(ステップS2A:Yes)には、プロセッサ36は、第1のフェーズにおいて、対象部位LTに対して高周波エネルギを付与する最小出力時間を1000[msec]に設定する(ステップS2C)。この後、プロセッサ36は、ステップS2Dに移行する。
なお、ステップS2B,S2Cにおいて、最小出力時間は、ステップS2Cによって設定される最小出力時間の方がステップS2Bによって設定される最小出力時間よりも大きければ、上述した時間に限らない。
When it is determined that the target site LT is not adipose tissue (step S2A: No), the processor 36 sets the minimum output time for applying high frequency energy to the target site LT to 600 [msec] in the first phase. (Step S2B). After this, the processor 36 shifts to step S2D.
On the other hand, when it is determined that the target site LT is adipose tissue (step S2A: Yes), the processor 36 sets the minimum output time of applying high frequency energy to the target site LT to 1000 [in the first phase. msec] is set (step S2C). After this, the processor 36 shifts to step S2D.
In steps S2B and S2C, the minimum output time is not limited to the above-mentioned time as long as the minimum output time set by step S2C is larger than the minimum output time set by step S2B.

そして、プロセッサ36は、以下に示すステップS2Dを実行する。
プロセッサ36は、第1のフェーズにおいて、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に供給する出力電圧の上昇の傾きを設定する。
ところで、第1のフェーズにおいて、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に供給する出力電圧を急激に上昇させると、対象部位LTの温度が急激に上昇してしまう。すなわち、対象部位LTを均一に加熱することができない。そして、対象部位LTに温度ムラが生じることによって、対象部位LTの封止性能が悪化してしまう。
Then, the processor 36 executes the step S2D shown below.
In the first phase, the processor 36 sets the slope of the increase in the output voltage supplied from the high-frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93.
By the way, in the first phase, if the output voltage supplied from the high frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is suddenly increased, the temperature of the target portion LT is rapidly increased. That is, the target portion LT cannot be heated uniformly. Then, the temperature unevenness of the target portion LT deteriorates the sealing performance of the target portion LT.

そこで、プロセッサ36は、ステップS2Dにおいて、メモリ37に記憶した初期インピーダンスZ0と残熱レベルの判定結果とに基づいて、初期インピーダンスZ0の逆数と残熱レベルの逆数とにそれぞれ比例する形で出力電圧の上昇の傾きを設定する。すなわち、プロセッサ36は、小さい対象部位LTほど温度上昇に敏感なため、当該小さい対象部位LTほど出力電圧の上昇の傾きを緩やかに設定する。なお、初期インピーダンスZ0だけでは血管組織のサイズの同定には至らないものの、Sサイズ血管は、Lサイズ血管よりも初期インピーダンスZ0が大きいことは事実である(図8)。このため、プロセッサ36は、初期インピーダンスZ0が大きいほど、出力電圧の上昇の傾きを緩やかに設定する。また、プロセッサ36は、伝熱板13及び対向板93の残熱による対象部位LTの急激な温度上昇を避けるために、残熱レベルが高いほど、出力電圧の上昇の傾きを緩やかに設定する。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルが高いほど、伝熱板13及び対向板93に供給する電力を抑制する。また、プロセッサ36は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、伝熱板13及び対向板93に供給する電力を調整する。ここで、出力電圧の上昇の傾きは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。 Therefore, in step S2D, the processor 36 has an output voltage proportional to the reciprocal of the initial impedance Z0 and the reciprocal of the residual heat level, based on the initial impedance Z0 stored in the memory 37 and the determination result of the residual heat level. Set the slope of the rise of. That is, since the processor 36 is more sensitive to the temperature rise as the target portion LT is smaller, the slope of the rise in the output voltage is set more gently as the target portion LT is smaller. Although the size of the vascular tissue cannot be identified only by the initial impedance Z0, it is a fact that the initial impedance Z0 of the S size blood vessel is larger than that of the L size blood vessel (FIG. 8). Therefore, the processor 36 sets the slope of the rise of the output voltage more gently as the initial impedance Z0 becomes larger. Further, in order to avoid a sudden temperature rise of the target portion LT due to the residual heat of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93, the processor 36 sets the slope of the rise of the output voltage more gently as the residual heat level is higher. That is, the higher the residual heat level, the more the processor 36 suppresses the power supplied to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93. Further, in the sealing control mode, the processor 36 adjusts the electric power supplied to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 based on the determination result of the residual heat level. Here, the slope of the increase in the output voltage corresponds to the control target value according to the present invention. That is, the processor 36 changes the control target value according to the present invention based on the determination result of the residual heat level.

ステップS2Dの後、プロセッサ36は、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93への出力電圧の供給を開始する(ステップS2E)。すなわち、対象部位LTに対する高周波エネルギの付与が開始される。なお、開始当初に供給される出力電圧は、対象部位LTの種類及び大きさによらず、全て同一の初期電圧V0(図10)である。これによって、対象部位LTに高周波電流が流れ、当該対象部位LTが加熱される。 After step S2D, the processor 36 starts supplying the output voltage from the high frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 (step S2E). That is, the application of high frequency energy to the target portion LT is started. The output voltage supplied at the beginning is the same initial voltage V0 (FIG. 10) regardless of the type and size of the target portion LT. As a result, a high-frequency current flows through the target site LT, and the target site LT is heated.

ステップS2Eの後、プロセッサ36は、第1のセンサ32によって検出された電圧値及び電流値に基づいて、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に供給されている出力電力の算出を開始する(ステップS2F)。そして、プロセッサ36は、算出した出力電力を順次、メモリ37に記憶する。
ステップS2Fの後、プロセッサ36は、ステップS2Dにおいて設定した出力電圧の上昇の傾きを参照し、図10に示すように、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に供給する出力電圧を上昇させる(ステップS2G)。
After step S2E, the processor 36 calculates the output power supplied from the high-frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the counter plate 93 based on the voltage value and the current value detected by the first sensor 32. Is started (step S2F). Then, the processor 36 sequentially stores the calculated output power in the memory 37.
After step S2F, the processor 36 refers to the slope of the rise in output voltage set in step S2D, and as shown in FIG. 10, the output voltage supplied from the high-frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the counter plate 93. (Step S2G).

ここで、高周波エネルギの付与を開始した(ステップS2E)後の、対象部位LTのインピーダンスの挙動は、図10に示す通りである。
すなわち、対象部位LTのインピーダンスは、当該対象部位LTを加熱すると減少していき、当該対象部位LTの水分が沸騰状態に達したときに極小値Zminをとる。また、対象部位LTのインピーダンスは、当該対象部位LTの加熱をさらに続けると、当該対象部位LTの水分が蒸発するため、増加に転じる。
すなわち、極小値Zminからの対象部位LTのインピーダンスの上昇値VI(図10)が所定の閾値を超えた場合に、加熱状態から乾燥状態に移行したことを判断することができる。
Here, the behavior of the impedance of the target portion LT after the start of applying the high frequency energy (step S2E) is as shown in FIG.
That is, the impedance of the target site LT decreases when the target site LT is heated, and takes a minimum value Zmin when the water content of the target site LT reaches a boiling state. Further, the impedance of the target portion LT starts to increase because the water content of the target portion LT evaporates when the heating of the target portion LT is further continued.
That is, when the increase value VI (FIG. 10) of the impedance of the target portion LT from the minimum value Zmin exceeds a predetermined threshold value, it can be determined that the state has shifted from the heated state to the dry state.

ステップS2Gの後、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した対象部位LTの複数のインピーダンスのうち、極小値Zminと最新のインピーダンスとを読み出す。そして、プロセッサ36は、極小値Zminから当該最新のインピーダンスへの上昇値VIが所定の閾値を超えたか否かを判断する(ステップS2H)。
上昇値VIが所定の閾値を超えていないと判断した場合(ステップS2H:No)には、プロセッサ36は、ステップS2Gに戻る。
一方、上昇値VIが所定の閾値を超えたと判断した場合(ステップS2H:Yes)には、プロセッサ36は、高周波エネルギの付与を開始(ステップS2E)してからの経過時間がステップS2B,S2Cによって設定した最小出力時間を超えたか否かを判断する(ステップS2I)。
After step S2G, the processor 36 reads out the minimum value Zmin and the latest impedance among the plurality of impedances of the target portion LT stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the rising value VI from the minimum value Zmin to the latest impedance exceeds a predetermined threshold value (step S2H).
When it is determined that the increase value VI does not exceed a predetermined threshold value (step S2H: No), the processor 36 returns to step S2G.
On the other hand, when it is determined that the rising value VI exceeds a predetermined threshold value (step S2H: Yes), the processor 36 starts applying high frequency energy (step S2E), and the elapsed time from the start (step S2E) is determined by steps S2B and S2C. It is determined whether or not the set minimum output time has been exceeded (step S2I).

経過時間が最小出力時間を超えていないと判断した場合(ステップS2I:No)には、プロセッサ36は、ステップS2Gに戻る。
一方、経過時間が最小出力時間を超えたと判断した場合(ステップS2I:Yes)には、プロセッサ36は、第1のフェーズを終了し、第2のフェーズに移行する。
If it is determined that the elapsed time does not exceed the minimum output time (step S2I: No), the processor 36 returns to step S2G.
On the other hand, when it is determined that the elapsed time exceeds the minimum output time (step S2I: Yes), the processor 36 ends the first phase and shifts to the second phase.

〔第2のフェーズ〕
図11は、高周波制御の第2のフェーズを示すフローチャートである。図12及び図13は、対象部位LTの大きさの判定方法を説明する図である。具体的に、図12は、Sサイズ血管及びLサイズ血管における極小値Zminの分布をそれぞれ示した図である。図13は、Sサイズ血管及びLサイズ血管における出力電力のピーク値Ppの分布をそれぞれ示した図である。
第2のフェーズは、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に供給する出力電圧を一定にすることによって、対象部位LTを深部まで乾燥させるフェーズである。
[Second phase]
FIG. 11 is a flowchart showing the second phase of high frequency control. 12 and 13 are diagrams illustrating a method for determining the size of the target portion LT. Specifically, FIG. 12 is a diagram showing the distribution of the minimum value Zmin in the S size blood vessel and the L size blood vessel, respectively. FIG. 13 is a diagram showing the distribution of the peak value Pp of the output power in the S size blood vessel and the L size blood vessel, respectively.
The second phase is a phase in which the target portion LT is dried to a deep part by making the output voltage supplied from the high frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 constant.

先ず、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した初期インピーダンスZ0を読み出す。そして、プロセッサ36は、当該読み出した初期インピーダンスZ0が判別閾値R0fよりも大きいか否かを判断する(ステップS2J)。
初期インピーダンスZ0が判別閾値R0fよりも大きいと判断した場合(ステップS2J:Yes)には、プロセッサ36は、対象部位LTが脂肪組織であると判定する(ステップS2K)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果(以下、組織の判別結果と記載)をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS2Rに移行する。
一方、初期インピーダンスZ0が判別閾値R0f以下であると判断した場合(ステップS2J:No)には、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した残熱レベルの判定結果を参照し、当該判定結果に基づいて、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルが「大」であるか否かを判断する(ステップS2L)。
First, the processor 36 reads out the initial impedance Z0 stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the read initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R0f (step S2J).
When it is determined that the initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R0f (step S2J: Yes), the processor 36 determines that the target site LT is adipose tissue (step S2K). Then, the processor 36 stores the determination result (hereinafter, described as the organization determination result) in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S2R.
On the other hand, when it is determined that the initial impedance Z0 is equal to or less than the discrimination threshold R0f (step S2J: No), the processor 36 refers to the determination result of the residual heat level stored in the memory 37, and based on the determination result. , It is determined whether or not the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is "large" (step S2L).

ところで、上述したように、初期インピーダンスZ0では、Sサイズ血管であるかLサイズ血管であるかを判別することができない。また、極小値Zminについても、図12に示すように、血管組織のサイズが大きいほど、極小値Zminが小さくなる傾向はあるものの、Sサイズ血管とLサイズ血管との極小値Zminの分布に重なりがあるため、極小値Zminを用いても、血管組織のサイズを判別することはできない。
ここで、第1のフェーズにおける出力電力のピーク値Pp(図10)を用いると、血管組織のサイズを判別可能であることが実験的に分かっている。すなわち、図13に示すように、ピーク値Ppが判別閾値Pjよりも小さければ、対象部位LTがSサイズ血管であると判別することができる。一方、ピーク値Ppが判別閾値Pj以上であれば、対象部位LTがLサイズ血管であると判別することができる。ピーク値Ppには、極小値Zminと、当該極小値Zminに到達するまでの時間(出力電圧の大きさ)との双方の情報が含まれている。単に沸騰状態のインピーダンス(極小値Zmin)だけでなく、当該沸騰状態に至るまでの時間等の情報も包含したパラメータであったことが、ピーク値Ppによって血管組織のサイズを判別可能とする理由と推測する。
By the way, as described above, it is not possible to determine whether the blood vessel is an S size blood vessel or an L size blood vessel at the initial impedance Z0. As for the minimum value Zmin, as shown in FIG. 12, the larger the size of the vascular tissue, the smaller the minimum value Zmin tends to be, but it overlaps with the distribution of the minimum value Zmin between the S size blood vessel and the L size blood vessel. Therefore, even if the minimum value Zmin is used, the size of the vascular tissue cannot be determined.
Here, it is experimentally known that the size of the vascular tissue can be discriminated by using the peak value Pp (FIG. 10) of the output power in the first phase. That is, as shown in FIG. 13, if the peak value Pp is smaller than the discrimination threshold value Pj, it can be determined that the target site LT is an S size blood vessel. On the other hand, if the peak value Pp is equal to or higher than the discrimination threshold value Pj, it can be determined that the target site LT is an L size blood vessel. The peak value Pp includes information on both the minimum value Zmin and the time until the minimum value Zmin is reached (magnitude of output voltage). The reason why the size of the vascular tissue can be determined by the peak value Pp is that the parameter includes not only the impedance in the boiling state (minimum value Zmin) but also information such as the time until the boiling state is reached. Infer.

残熱レベルが「大」ではないと判断した場合(ステップS2L:No)には、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した複数の出力電力のうち、ピーク値Ppを読み出す。そして、プロセッサ36は、当該読み出したピーク値Ppが判別閾値Pjよりも小さいか否かを判断する(ステップS2M)。 When it is determined that the residual heat level is not "large" (step S2L: No), the processor 36 reads out the peak value Pp among the plurality of output powers stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the read peak value Pp is smaller than the discrimination threshold value Pj (step S2M).

ピーク値Ppが判別閾値Pjよりも小さいと判断した場合(ステップS2M:Yes)には、プロセッサ36は、対象部位LTがSサイズ血管であると判定する(ステップS2N)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果(以下、組織の判別結果と記載)をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS2Rに移行する。
一方、ピーク値Ppが判別閾値Pj以上であると判断した場合(ステップS2M:No)には、プロセッサ36は、対象部位LTがLサイズ血管であると判定する(ステップS2O)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果(以下、組織の判別結果と記載)をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS2Rに移行する。
When it is determined that the peak value Pp is smaller than the discrimination threshold value Pj (step S2M: Yes), the processor 36 determines that the target site LT is an S size blood vessel (step S2N). Then, the processor 36 stores the determination result (hereinafter, described as the organization determination result) in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S2R.
On the other hand, when it is determined that the peak value Pp is equal to or greater than the discrimination threshold Pj (step S2M: No), the processor 36 determines that the target site LT is an L size blood vessel (step S2O). Then, the processor 36 stores the determination result (hereinafter, described as the organization determination result) in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S2R.

一方、残熱レベルが「大」であると判断した場合(ステップS2L:Yes)には、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した対象部位の複数のインピーダンスのうち、初期インピーダンスZ0を読み出す。そして、プロセッサ36は、当該読み出した初期インピーダンスZ0が判別閾値R01よりも大きいか否かを判断する(ステップS2P)。 On the other hand, when it is determined that the residual heat level is "large" (step S2L: Yes), the processor 36 reads out the initial impedance Z0 out of the plurality of impedances of the target portion stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the read initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R01 (step S2P).

初期インピーダンスZ0が判別閾値R01よりも大きいと判断した場合(ステップS2P:Yes)には、プロセッサ36は、対象部位LTがSサイズ血管であると判定する(ステップS2Q)。そして、プロセッサ36は、当該判定結果(以下、組織の判別結果と記載)をメモリ37に記憶する。この後、プロセッサ36は、ステップS2Rに移行する。
一方、初期インピーダンスZ0が判別閾値R01以下であると判断した場合(ステップS2P:No)には、プロセッサ36は、ステップS2Oに移行し、対象部位LTがLサイズ血管であると判定する。
すなわち、プロセッサ36は、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルが「大」である場合には、ピーク値Ppではなく、初期インピーダンスZ0を用いて、血管組織のサイズを判別する。
なお、ステップS2Pでは、初期インピーダンスZ0と判別閾値R01とを比較することによって血管組織のサイズを判別していたが、これに限らない。例えば、初期インピーダンスZ0が判別閾値R01よりも大きいという第1の条件と、極小値Zminが所定の閾値よりも大きいという第2の条件の双方を満足した場合に対象部位LTがSサイズ血管であると判定し、当該第1,第2の条件の双方を満足しない場合に対象部位LTがLサイズ血管であると判定しても構わない。
When it is determined that the initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R01 (step S2P: Yes), the processor 36 determines that the target site LT is an S size blood vessel (step S2Q). Then, the processor 36 stores the determination result (hereinafter, described as the organization determination result) in the memory 37. After this, the processor 36 shifts to step S2R.
On the other hand, when it is determined that the initial impedance Z0 is equal to or less than the discrimination threshold value R01 (step S2P: No), the processor 36 proceeds to step S2O and determines that the target site LT is an L size blood vessel.
That is, when the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is "large", the processor 36 determines the size of the vascular tissue by using the initial impedance Z0 instead of the peak value Pp.
In step S2P, the size of the vascular tissue was determined by comparing the initial impedance Z0 with the discrimination threshold value R01, but the present invention is not limited to this. For example, when both the first condition that the initial impedance Z0 is larger than the discrimination threshold value R01 and the second condition that the minimum value Zmin is larger than the predetermined threshold value are satisfied, the target site LT is an S size blood vessel. If both of the first and second conditions are not satisfied, it may be determined that the target site LT is an L size blood vessel.

そして、プロセッサ36は、以下に示すステップS2Rを実行する。
プロセッサ36は、メモリ37に記憶した残熱レベルの判定結果、及び組織の判別結果と、メモリ37に予め記憶された第1の参照情報とを参照し、第2のフェーズにおける高周波制御パラメータを設定する。当該第1の参照情報としては、例えば、以下の表1に示す情報を例示することができる。

Figure 0006952204
Then, the processor 36 executes the step S2R shown below.
The processor 36 refers to the determination result of the residual heat level stored in the memory 37, the determination result of the tissue, and the first reference information stored in advance in the memory 37, and sets the high frequency control parameter in the second phase. do. As the first reference information, for example, the information shown in Table 1 below can be exemplified.
Figure 0006952204

第1の参照情報は、表1に示すように、残熱レベルの判定結果(「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」)と、組織の判別結果(「脂肪組織」、「Lサイズ血管」、及び「Sサイズ血管」)と、第2のフェーズにおける高周波制御パラメータとが関連付けられた情報である。
ここで、第2のフェーズにおける高周波制御パラメータは、表1に示すように、閾値Radd[Ω]と、後述する定電圧制御(ステップS2S)を実行する出力時間[msec]及び出力電圧[V]との3つのパラメータである。当該閾値Raddは、後述する定電圧制御(ステップS2S)を開始してからの対象部位LTのインピーダンスの上昇値と比較される閾値である。当該出力電圧[V]は、表1に示すように、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」、「小」、「中」、「大」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが高くなるにしたがって、小さい値が設定されている。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルが高いほど、伝熱板13及び対向板93に供給する電力を抑制する。また、プロセッサ36は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、伝熱板13及び対向板93に供給する電力を調整する。そして、高周波制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。また、残熱レベルの判定結果が「大」であり、組織の判別結果が「Sサイズ血管」である場合には、ステップS1Mにおいて警告を示す情報が報知され、対象部位LTに対して高周波エネルギが付与されないため、3つの高周波制御パラメータの値が設定されていない。
As shown in Table 1, the first reference information includes the determination result of the residual heat level (“no residual heat”, “small”, “medium”, and “large”) and the determination result of the tissue (“adipose tissue”). , "L size blood vessel", and "S size blood vessel") and the high frequency control parameter in the second phase.
Here, as shown in Table 1, the high-frequency control parameters in the second phase are the threshold value Radd [Ω], the output time [msec] for executing the constant voltage control (step S2S) described later, and the output voltage [V]. There are three parameters. The threshold value Radd is a threshold value to be compared with the increase value of the impedance of the target portion LT after starting the constant voltage control (step S2S) described later. As shown in Table 1, the output voltage [V] increases as the determination result of the residual heat level becomes "no residual heat", "small", "medium", and "large", that is, the residual heat level becomes. The higher the value, the smaller the value is set. That is, the higher the residual heat level, the more the processor 36 suppresses the power supplied to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93. Further, in the sealing control mode, the processor 36 adjusts the electric power supplied to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 based on the determination result of the residual heat level. The high frequency control parameter corresponds to the control target value according to the present invention. That is, the processor 36 changes the control target value according to the present invention based on the determination result of the residual heat level. Further, when the determination result of the residual heat level is "large" and the determination result of the tissue is "S size blood vessel", the information indicating a warning is notified in step S1M, and the high frequency energy is transmitted to the target site LT. Is not given, so the values of the three high frequency control parameters are not set.

なお、閾値Radd、出力時間、及び出力電圧の値は、表1に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、小さくなっておらず、組織の判別結果が「脂肪組織」、「Lサイズ血管」、「Sサイズ血管」になるにしたがって大きくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。
そして、プロセッサ36は、ステップS2Rにおいて、例えば、残熱レベルの判定結果が「大」であり、組織の判別結果が「Lサイズ血管」である場合には、閾値Raddを290[Ω]に設定し、出力時間を2600[msec]に設定し、出力電圧を40[V]に設定する。
The values of the threshold value Radd, the output time, and the output voltage are not limited to the values shown in Table 1, and the determination result of the residual heat level is "large", "medium", "small", and "no residual heat". It should not become smaller as the residual heat level becomes lower, that is, it should become larger as the tissue discrimination result becomes "adipose tissue", "L size blood vessel", and "S size blood vessel". For example, other values may be adopted.
Then, in step S2R, when the determination result of the residual heat level is "large" and the determination result of the tissue is "L size blood vessel", the processor 36 sets the threshold value Radd to 290 [Ω]. Then, the output time is set to 2600 [msec] and the output voltage is set to 40 [V].

ステップS2Rの後、プロセッサ36は、ステップS2Rにおいて設定した出力電圧を高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93に供給する定電圧制御を実行する(ステップS2S)。
ステップS2Sの後、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した対象部位LTの複数のインピーダンスのうち、定電圧制御(ステップS2S)の開始時点のインピーダンスと最新のインピーダンスを読み出す。そして、プロセッサ36は、当該開始時点のインピーダンスから当該最新のインピーダンスへの上昇値がステップS2Rにおいて設定した閾値Raddを超えたか否かを判断する(ステップS2T)。
上昇値が閾値Raddを超えていないと判断した場合(ステップS2T:No)には、プロセッサ36は、ステップS2Sに戻り、定電圧制御を継続する。
一方、上昇値が閾値Raddを超えたと判断した場合(ステップS2T:Yes)には、プロセッサ36は、定電圧制御(ステップS2S)を開始してからの経過時間がステップS2Rにおいて設定した出力時間を超えたか否かを判断する(ステップS2U)。
After step S2R, the processor 36 executes constant voltage control in which the output voltage set in step S2R is supplied from the high frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 (step S2S).
After step S2S, the processor 36 reads out the impedance at the start of the constant voltage control (step S2S) and the latest impedance among the plurality of impedances of the target portion LT stored in the memory 37. Then, the processor 36 determines whether or not the rising value from the impedance at the start time to the latest impedance exceeds the threshold value Radd set in step S2R (step S2T).
When it is determined that the rising value does not exceed the threshold value Radd (step S2T: No), the processor 36 returns to step S2S and continues the constant voltage control.
On the other hand, when it is determined that the rising value exceeds the threshold value Radd (step S2T: Yes), the processor 36 sets the output time set in step S2R as the elapsed time from the start of the constant voltage control (step S2S). It is determined whether or not the value has been exceeded (step S2U).

経過時間が出力時間を超えていないと判断した場合(ステップS2U:No)には、プロセッサ36は、ステップS2Sに戻り、定電圧制御を継続する。
一方、経過時間が出力時間を超えたと判断した場合(ステップS2U:Yes)には、プロセッサ36は、高周波エネルギ出力部31から伝熱板13及び対向板93への出力電圧の供給を停止する(ステップS2V)。そして、プロセッサ36は、本制御フローを終了する。
When it is determined that the elapsed time does not exceed the output time (step S2U: No), the processor 36 returns to step S2S and continues the constant voltage control.
On the other hand, when it is determined that the elapsed time exceeds the output time (step S2U: Yes), the processor 36 stops the supply of the output voltage from the high frequency energy output unit 31 to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 (step S2U: Yes). Step S2V). Then, the processor 36 ends this control flow.

〔熱制御〕
次に、プロセッサ36が実行する熱制御(ステップS3)について説明する。なお、熱制御(ステップS3)は、上述した高周波制御(ステップS2)と同時に実行される。
図14は、熱制御を示すフローチャートである。
先ず、プロセッサ36は、メモリ37に記憶した残熱レベルの判定結果と、メモリ37に予め記憶された第2の参照情報とを参照し、熱制御パラメータを設定する(ステップS3A)。当該第2の参照情報としては、例えば、以下の表2に示す情報を例示することができる。

Figure 0006952204
[Heat control]
Next, the thermal control (step S3) executed by the processor 36 will be described. The thermal control (step S3) is executed at the same time as the high frequency control (step S2) described above.
FIG. 14 is a flowchart showing thermal control.
First, the processor 36 refers to the determination result of the residual heat level stored in the memory 37 and the second reference information stored in advance in the memory 37, and sets the thermal control parameter (step S3A). As the second reference information, for example, the information shown in Table 2 below can be exemplified.
Figure 0006952204

第2の参照情報は、表2に示すように、残熱レベルの判定結果(「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」)と、熱制御パラメータとが関連付けられた情報である。
ここで、熱制御パラメータは、表2に示すように、後述する熱エネルギの付与(ステップS3B)の開始時点を遅らせる遅延時間[s]である。そして、熱制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。残熱レベルの判定結果が「大」である場合には、後述する熱エネルギの付与(ステップS3B)を実行しないため、「出力しない」旨の情報が設定されている。
なお、遅延時間の値は、表2に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、大きくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。
そして、プロセッサ36は、ステップS3Aにおいて、例えば、残熱レベルの判定結果が「中」である場合には、遅延時間を1[s]に設定する。
As shown in Table 2, the second reference information was associated with the determination result of the residual heat level (“no residual heat”, “small”, “medium”, and “large”) and the thermal control parameters. Information.
Here, as shown in Table 2, the thermal control parameter is a delay time [s] that delays the start time of applying thermal energy (step S3B), which will be described later. The thermal control parameter corresponds to the control target value according to the present invention. That is, the processor 36 changes the control target value according to the present invention based on the determination result of the residual heat level. When the determination result of the residual heat level is "large", the information to "do not output" is set because the application of thermal energy (step S3B) described later is not executed.
The value of the delay time is not limited to the value shown in Table 2, and as the determination result of the residual heat level becomes "large", "medium", "small", and "no residual heat", that is, the residual heat Other values may be adopted as long as the heat level decreases and does not increase.
Then, in step S3A, the processor 36 sets the delay time to 1 [s], for example, when the determination result of the residual heat level is “medium”.

ステップS3Aの後、プロセッサ36は、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータを参照し、熱エネルギ出力部33からヒータ14を構成する電気抵抗パターンへの出力電圧の供給を開始する(ステップS3B)。すなわち、対象部位LTに対する熱エネルギの付与が開始される。これによって、伝熱板13から対象部位LTに熱が伝達され、当該対象部位LTが加熱される。 After step S3A, the processor 36 refers to the thermal control parameters set in step S3A and starts supplying the output voltage from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern constituting the heater 14 (step S3B). That is, the application of thermal energy to the target portion LT is started. As a result, heat is transferred from the heat transfer plate 13 to the target portion LT, and the target portion LT is heated.

具体的に、プロセッサ36は、ステップS3Bにおいて、以下の処理を実行する。
プロセッサ36は、第2のセンサ34によって検出された電圧値及び電流値に基づいて、ヒータ14を構成する電気抵抗パターンの抵抗値を算出する。また、プロセッサ36は、予め実験により算出された当該電気抵抗パターンの抵抗値と温度との関係を用いて、当該電気抵抗パターンの抵抗値を温度(以下、ヒータ温度と記載)に換算する。そして、プロセッサ36は、当該ヒータ温度を把握しながら、当該ヒータ温度を目標温度とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部33から当該電気抵抗パターンに供給する。すなわち、プロセッサ36はフィードバック制御を実行する。
ここで、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」または「小」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(遅延時間)が0[s]であった場合には、当初の開始時点で対象部位LTに対して熱エネルギの付与を開始する。また、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「中」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(遅延時間)が1[s]であった場合には、当初の開始時点から1[s]だけ遅れた時点から対象部位LTに対して熱エネルギの付与を開始する。さらに、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「大」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(遅延時間)が「出力しない」旨の情報であった場合には、対象部位LTに対して熱エネルギを付与しない。すなわち、プロセッサ36はステップS3Bを実行しない。
Specifically, the processor 36 executes the following processing in step S3B.
The processor 36 calculates the resistance value of the electric resistance pattern constituting the heater 14 based on the voltage value and the current value detected by the second sensor 34. Further, the processor 36 converts the resistance value of the electric resistance pattern into a temperature (hereinafter referred to as a heater temperature) by using the relationship between the resistance value of the electric resistance pattern and the temperature calculated in advance by an experiment. Then, the processor 36 supplies the output voltage required for setting the heater temperature to the target temperature from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern while grasping the heater temperature. That is, the processor 36 executes feedback control.
Here, the processor 36 determines that the residual heat level is "no residual heat" or "small", and the thermal control parameter (delay time) set in step S3A is 0 [s]. At the initial start point, the application of thermal energy to the target site LT is started. Further, when the determination result of the residual heat level is "medium" and the thermal control parameter (delay time) set in step S3A is 1 [s], the processor 36 is 1 [s] from the initial start time. From the time when it is delayed by s], the application of thermal energy to the target site LT is started. Further, when the determination result of the residual heat level is "large" and the heat control parameter (delay time) set in step S3A is information that "does not output", the processor 36 sets the target portion LT. On the other hand, no heat energy is applied. That is, the processor 36 does not execute step S3B.

ステップS3Bの後、プロセッサ36は、高周波制御(ステップS2)の終了条件を満足したか否かを常時、監視する(ステップS3C)。言い換えれば、プロセッサ36は、上述したステップS2Uにおいて「Yes」と判断したか否かを常時、監視する。
そして、プロセッサ36は、高周波制御(ステップS2)の終了条件を満足したと判断(ステップS3C:Yes)するまで、対象部位LTに対する熱エネルギの付与を継続する。また、高周波制御(ステップS2)の終了条件を満足したと判断した場合(ステップS3C:Yes)には、プロセッサ36は、熱エネルギ出力部33からヒータ14を構成する電気抵抗パターンへの出力電圧の供給を停止する(ステップS3D)。そして、プロセッサ36は、本制御フローを終了する。
以上の高周波制御(ステップS2)及び熱制御(ステップS3)によって、対象部位LTは、封止するために必要な例えば100℃〜200℃程度の第1の温度で加熱される。これによって、対象部位LTは、封止される。
After step S3B, the processor 36 constantly monitors whether or not the termination condition of the high frequency control (step S2) is satisfied (step S3C). In other words, the processor 36 constantly monitors whether or not it is determined as "Yes" in step S2U described above.
Then, the processor 36 continues to apply the thermal energy to the target portion LT until it is determined that the end condition of the high frequency control (step S2) is satisfied (step S3C: Yes). When it is determined that the end condition of the high frequency control (step S2) is satisfied (step S3C: Yes), the processor 36 transfers the output voltage from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern constituting the heater 14. The supply is stopped (step S3D). Then, the processor 36 ends this control flow.
By the above high frequency control (step S2) and thermal control (step S3), the target portion LT is heated at a first temperature of, for example, about 100 ° C. to 200 ° C. required for sealing. As a result, the target site LT is sealed.

以上説明した本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
本実施の形態に係る処置システム1では、プロセッサ36は、対象部位LTへの高周波エネルギ及び熱エネルギの付与(ステップS2E,S3B)の前に、伝熱板13及び対向板93の温度の指標となる対象部位LTのインピーダンスを算出する(ステップS1B)。また、プロセッサ36は、当該対象部位LTのインピーダンスに基づいて、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを判定する(ステップS1E,S1G,S1I,S1J)。そして、プロセッサ36は、当該残熱レベルの判定結果に基づいて、報知部35からの警告を示す情報の報知(ステップS1M)、及び把持部7に対して供給する電力の調整(ステップS2D,S2R,S3A)を実行する。
したがって、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルが高い状態において、対象部位LTを封止する際に、当該対象部位LTが過加熱されてしまうことを回避することができる。すなわち、生体組織への熱侵襲、対象部位LTの誤切開、及び対象部位LTの封止性能への悪影響等が生じることを回避することができる。
According to the present embodiment described above, the following effects are obtained.
In the treatment system 1 according to the present embodiment, the processor 36 uses the temperature index of the heat transfer plate 13 and the counter plate 93 as an index before applying the high frequency energy and the thermal energy to the target portion LT (steps S2E and S3B). The impedance of the target portion LT is calculated (step S1B). Further, the processor 36 determines the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 based on the impedance of the target portion LT (steps S1E, S1G, S1I, S1J). Then, the processor 36 notifies the information indicating the warning from the notification unit 35 (step S1M) based on the determination result of the residual heat level, and adjusts the power supplied to the grip unit 7 (steps S2D, S2R). , S3A).
Therefore, when the target portion LT is sealed in a state where the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is high, it is possible to prevent the target portion LT from being overheated. That is, it is possible to avoid heat invasion of the living tissue, erroneous incision of the target site LT, adverse effects on the sealing performance of the target site LT, and the like.

特に、伝熱板13及び対向板93の温度の指標となる指標値として、対象部位LTのインピーダンスを採用している。
このため、例えばヒータ温度によって残熱レベルを判定する構成と比較して、実際に伝熱板13及び対向板93の残熱による対象部位LTの影響の度合い(熱変性レベル)を当該対象部位LTのインピーダンスによって確認することができる。すなわち、対象部位LTが過加熱されてしまうか否かを適切に判断することができる。
In particular, the impedance of the target portion LT is adopted as an index value that is an index of the temperature of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93.
Therefore, as compared with a configuration in which the residual heat level is determined based on, for example, the heater temperature, the degree of influence (heat denaturation level) of the target portion LT due to the residual heat of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is actually determined by the target portion LT. It can be confirmed by the impedance of. That is, it is possible to appropriately determine whether or not the target site LT is overheated.

本実施の形態に係る処置システム1では、プロセッサ36は、第2のスイッチ522への封止制御モードの設定操作(ステップS1C:Yes)の後に、残熱レベルの判定(ステップS1E,S1G,S1I,S1J)を実行する。すなわち、プロセッサ36は、封止制御モードにおいて、対象部位LTへの高周波エネルギ及び熱エネルギの付与(ステップS2E,S3B)の前に、残熱レベルの判定(ステップS1E,S1G,S1I,S1J)を実行する。
このため、伝熱板13及び対向板93の残熱によって影響を受け易い封止制御モードにおいて、上述した処理(ステップS1M,S2D,S2R,S3A)を実行することによって、対象部位LTが過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。
In the treatment system 1 according to the present embodiment, the processor 36 determines the residual heat level (steps S1E, S1G, S1I) after the operation of setting the sealing control mode to the second switch 522 (step S1C: Yes). , S1J). That is, in the sealing control mode, the processor 36 determines the residual heat level (steps S1E, S1G, S1I, S1J) before applying the high-frequency energy and the thermal energy to the target portion LT (steps S2E, S3B). Run.
Therefore, by executing the above-mentioned processing (steps S1M, S2D, S2R, S3A) in the sealing control mode which is easily affected by the residual heat of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93, the target portion LT is overheated. It can be appropriately avoided that it is done.

本実施の形態に係る処置システム1では、プロセッサ36は、残熱レベルが高いほど、伝熱板13及び対向板93に供給する電力を抑制する(ステップS2D,S2R)。また、プロセッサ36は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、伝熱板13及び対向板93に供給する電力を調整する(ステップS2D,S2R)。
このため、対象部位LTが過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。
In the treatment system 1 according to the present embodiment, the processor 36 suppresses the power supplied to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 as the residual heat level is higher (steps S2D and S2R). Further, in the sealing control mode, the processor 36 adjusts the power supplied to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 based on the determination result of the residual heat level (steps S2D and S2R).
Therefore, it is possible to appropriately prevent the target site LT from being overheated.

本実施の形態に係る処置システム1では、プロセッサ36は、残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、警告を示す情報を報知部35に報知させる。また、プロセッサ36は、把持部7への電力の供給を禁止する。
このため、対象部位LTが過加熱されてしまうことを理由として当該対象部位LTに対して高周波エネルギ及び熱エネルギを付与することができないことを術者に認識させながら、当該対象部位LTが過加熱されてしまうことを確実に回避することができる。
In the treatment system 1 according to the present embodiment, the processor 36 causes the notification unit 35 to notify information indicating a warning when the residual heat level exceeds a specific level. Further, the processor 36 prohibits the supply of electric power to the grip portion 7.
Therefore, the target site LT is overheated while making the operator aware that high frequency energy and thermal energy cannot be applied to the target site LT because the target site LT is overheated. It is possible to surely avoid being done.

本実施の形態に係る処置システム1では、プロセッサ36は、対象部位LTに対して検知電流を流すことによって、対象部位LTの種類及び大きさ(「脂肪組織」、「Sサイズ血管」、「Lサイズ血管」)を判定する(ステップS2K,S2N,S2O)。そして、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果と組織の判別結果とに基づいて、伝熱板13及び対向板93に対して供給する電力を調整する(ステップS2R)。
このため、特に温度に敏感なSサイズ血管について、過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。
In the treatment system 1 according to the present embodiment, the processor 36 applies a detection current to the target site LT to cause the type and size of the target site LT (“adipose tissue”, “S size blood vessel”, “L”. "Size blood vessel") is determined (steps S2K, S2N, S2O). Then, the processor 36 adjusts the power supplied to the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 based on the determination result of the residual heat level and the determination result of the structure (step S2R).
Therefore, it is possible to appropriately avoid overheating of the S size blood vessel, which is particularly sensitive to temperature.

(その他の実施形態)
ここまで、本発明を実施するための形態を説明してきたが、本発明は上述した実施の形態によってのみ限定されるべきものではない。
図15及び図16は、本実施の形態の変形例1を示す図である。具体的に、図15は、切開制御モードの実行中及び実行後におけるヒータ温度の挙動を示す図である。図16は、残熱レベルの判定に用いる閾値を示す図である。
上述した実施の形態において、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを判定する残熱判定方法は、図4及び図5に示した制御フローに限らない。
ヒータ温度は、図15に示すように、切開制御モードの実行を開始すると、次第に上昇する。そして、ヒータ温度は、対象部位LTを切開するために必要な300℃程度の第2の温度に制御される。また、ヒータ温度は、切開制御モードの実行を終了すると、当該終了した時点T1(図15)から時間が経過するにしたがって、低減していく。
そこで、プロセッサ36は、当該時点T1からの経過時間を計測する。そして、プロセッサ36は、当該測定した経過時間が閾値Th1(図15)を超えた場合には、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを「残熱なし」と判定する。一方、プロセッサ36は、当該測定した経過時間が閾値Th1以下である場合には、当該残熱レベルを「残熱あり」と判定する。すなわち、プロセッサ36は、切開制御モードを実行した後に、残熱レベルを判定する。
(Other embodiments)
Although the embodiments for carrying out the present invention have been described so far, the present invention should not be limited only to the above-described embodiments.
15 and 16 are diagrams showing a modification 1 of the present embodiment. Specifically, FIG. 15 is a diagram showing the behavior of the heater temperature during and after the execution of the incision control mode. FIG. 16 is a diagram showing a threshold value used for determining the residual heat level.
In the above-described embodiment, the residual heat determination method for determining the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is not limited to the control flow shown in FIGS. 4 and 5.
As shown in FIG. 15, the heater temperature gradually rises when the execution of the incision control mode is started. Then, the heater temperature is controlled to a second temperature of about 300 ° C. required for incising the target site LT. Further, when the execution of the incision control mode is completed, the heater temperature decreases as time elapses from the time point T1 (FIG. 15) at the end.
Therefore, the processor 36 measures the elapsed time from the time point T1. Then, when the measured elapsed time exceeds the threshold value Th1 (FIG. 15), the processor 36 determines that the residual heat levels of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 are “no residual heat”. On the other hand, when the measured elapsed time is equal to or less than the threshold value Th1, the processor 36 determines that the residual heat level is “with residual heat”. That is, the processor 36 determines the residual heat level after executing the incision control mode.

なお、本変形例1では、切開制御モードの実行を終了した時点T1からの経過時間を計測していたが、これに限らず、ヒータ温度が第2の温度になった後の経過時間を計測しても構わない。そして、当該経過時間と閾値Th1とを比較することによって、上述したように残熱レベルを判定しても構わない。
また、上述した実施の形態において説明した変化量Zchと残熱判定閾値Zj1,Zj2との比較結果と、本変形例1における経過時間と閾値Th1との比較結果とに基づいて、残熱レベルを判定しても構わない。すなわち、残熱判定閾値Zj1,Zj2は、本発明に係る第2の閾値に相当する。また、閾値Th1は、本発明に係る第1の閾値に相当する。
さらに、本変形例1では、当該残熱レベルを「残熱なし」及び「残熱あり」の2つのレベルとしているが、これに限らず、閾値Th1を複数、設けることにより、当該残熱レベルを3つ以上のレベルとしても構わない。また、上述した実施の形態においても同様に、当該残熱レベルは、「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」の4つのレベルとしているが、これに限らず、2つ、3つ、あるいは、5つ以上のレベルとしても構わない。
In the present modification 1, the elapsed time from T1 at the end of the execution of the incision control mode is measured, but the elapsed time is not limited to this, and the elapsed time after the heater temperature reaches the second temperature is measured. It doesn't matter. Then, the residual heat level may be determined as described above by comparing the elapsed time with the threshold value Th1.
Further, the residual heat level is determined based on the comparison result between the change amount Zch and the residual heat determination thresholds Zj1 and Zj2 described in the above-described embodiment and the comparison result between the elapsed time and the threshold value Th1 in the present modification 1. You may judge. That is, the residual heat determination threshold values Zj1 and Zj2 correspond to the second threshold value according to the present invention. Further, the threshold value Th1 corresponds to the first threshold value according to the present invention.
Further, in the present modification 1, the residual heat level is set to two levels, "without residual heat" and "with residual heat", but the present invention is not limited to this, and the residual heat level can be set by providing a plurality of threshold values Th1. May be set to 3 or more levels. Similarly, in the above-described embodiment, the residual heat level is set to four levels of "no residual heat", "small", "medium", and "large", but the present invention is not limited to this. It may be one, three, or five or more levels.

ここで、切開制御モードを実行している継続時間や、切開制御モードを連続して実行した回数が多いほど、図15に一点鎖線で示したように、切開制御モードの実行を終了した時点T1からのヒータ温度の低減量は、少なくなる。
そこで、図16に示すように、閾値Th1として、切開制御モードを実行している継続時間や、切開制御モードを連続して実行した回数が多いほど、大きい閾値Th1を用いても構わない。
Here, as the duration of execution of the incision control mode and the number of consecutive executions of the incision control mode increase, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 15, the time point T1 at which the execution of the incision control mode is completed The amount of reduction in the heater temperature from the above is reduced.
Therefore, as shown in FIG. 16, as the threshold value Th1, the larger the threshold value Th1 may be used as the duration of execution of the incision control mode or the number of consecutive executions of the incision control mode.

図17は、本実施の形態の変形例2を示す図である。具体的に、図17は、切開制御モードを実行した後、封止制御モードを実行した場合におけるヒータ温度の挙動を示す図である。
上述した実施の形態において、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを判定する残熱判定方法は、図4及び図5に示した制御フローに限らず、ヒータ温度に基づいて、当該残熱レベルを判定しても構わない。すなわち、当該ヒータ温度は、本発明に係る指標値に相当する。
例えば、図17に示すように、切開制御モードを実行した後、封止制御モードの実行を開始する時点T2におけるヒータ温度が対象部位LTを封止するために必要な100〜200℃程度の第1の温度を超えている場合を想定する。この場合には、プロセッサ36は、伝熱板13及び対向板93の残熱レベルを「残熱あり」と判定する。一方、プロセッサ36は、時点T2におけるヒータ温度が第1の温度以下である場合には、当該残熱レベルを「残熱なし」と判定する。
なお、本変形例2では、当該残熱レベルを「残熱なし」及び「残熱あり」の2つのレベルとしているが、ヒータ温度と比較する基準温度を複数、設けることにより、当該残熱レベルを3つ以上のレベルとしても構わない。
FIG. 17 is a diagram showing a modification 2 of the present embodiment. Specifically, FIG. 17 is a diagram showing the behavior of the heater temperature when the sealing control mode is executed after the incision control mode is executed.
In the above-described embodiment, the residual heat determination method for determining the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is not limited to the control flow shown in FIGS. 4 and 5, but the residual heat is based on the heater temperature. The heat level may be determined. That is, the heater temperature corresponds to the index value according to the present invention.
For example, as shown in FIG. 17, after executing the incision control mode, the heater temperature at the time point T2 at which the execution of the sealing control mode is started is about 100 to 200 ° C. required to seal the target site LT. It is assumed that the temperature exceeds 1. In this case, the processor 36 determines that the residual heat level of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 is “with residual heat”. On the other hand, when the heater temperature at the time point T2 is equal to or lower than the first temperature, the processor 36 determines that the residual heat level is "no residual heat".
In this modification 2, the residual heat level is set to two levels, "without residual heat" and "with residual heat". However, by providing a plurality of reference temperatures to be compared with the heater temperature, the residual heat level May be set to 3 or more levels.

図18は、本実施の形態の変形例3を示す図である。具体的に、図18は、切開制御モードの実行中におけるヒータ温度の挙動を示す図である。
上述した実施の形態において、図18に示すように、切開制御モードの実行を開始してからの経過時間が閾値Th2を超えた場合に、当該切開制御モードにおけるヒータ温度の目標温度を300℃程度の第2の温度から当該第2の温度よりも低い250℃程度の第3の温度に変更しても構わない。
これによって、切開制御モードの実行を終了した後の伝熱板13及び対向板93の残熱そのものを低減することができる。
FIG. 18 is a diagram showing a modified example 3 of the present embodiment. Specifically, FIG. 18 is a diagram showing the behavior of the heater temperature during execution of the incision control mode.
In the above-described embodiment, as shown in FIG. 18, when the elapsed time from the start of execution of the incision control mode exceeds the threshold value Th2, the target temperature of the heater temperature in the incision control mode is set to about 300 ° C. The second temperature may be changed to a third temperature of about 250 ° C., which is lower than the second temperature.
As a result, the residual heat itself of the heat transfer plate 13 and the facing plate 93 after the execution of the incision control mode is completed can be reduced.

上述した実施の形態において、第2の参照情報は、表2に示した情報に限らず、以下の表3に示した情報を採用しても構わない。

Figure 0006952204
In the above-described embodiment, the second reference information is not limited to the information shown in Table 2, and the information shown in Table 3 below may be adopted.
Figure 0006952204

第2の参照情報は、表3に示すように、残熱レベルの判定結果(「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」)と、熱制御パラメータが関連付けられた情報である。
ここで、熱制御パラメータは、表3に示すように、ステップS3Bにおいて、熱エネルギ出力部33からヒータ14を構成する電気抵抗パターンに出力電圧を供給する際のデューティ比[%]である。そして、熱制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。残熱レベルの判定結果が「大」である場合には、熱エネルギの付与(ステップS3B)を実行しないため、「出力しない」旨の情報が設定されている。
なお、デューティ比の値は、表3に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、小さくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。
As shown in Table 3, the second reference information is information in which the determination result of the residual heat level (“no residual heat”, “small”, “medium”, and “large”) is associated with the thermal control parameters. Is.
Here, as shown in Table 3, the thermal control parameter is the duty ratio [%] when the output voltage is supplied from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern constituting the heater 14 in step S3B. The thermal control parameter corresponds to the control target value according to the present invention. That is, the processor 36 changes the control target value according to the present invention based on the determination result of the residual heat level. When the determination result of the residual heat level is "large", the information to "do not output" is set because the application of thermal energy (step S3B) is not executed.
The duty ratio value is not limited to the value shown in Table 3, and as the determination result of the residual heat level becomes "large", "medium", "small", and "no residual heat", that is, the residual heat As the heat level decreases, other values may be adopted as long as they do not decrease.

そして、プロセッサ36は、ステップS3Bにおいて、以下の処理を実行する。
プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」または「小」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(デューティ比)が100[%]であった場合には、ヒータ温度を目標温度とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部33からヒータ14を構成する電気抵抗パターンに継続して供給する。また、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「中」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(デューティ比)が50[%]であった場合には、ヒータ温度を目標温度とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部33から当該電気抵抗パターンに当該デューティ比にしたがって間欠的に供給する。さらに、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「大」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(デューティ比)が「出力しない」旨の情報であった場合には、対象部位LTに対して熱エネルギを出力しない。すなわち、プロセッサ36はステップS3Bを実行しない。
Then, the processor 36 executes the following processing in step S3B.
When the determination result of the residual heat level is "no residual heat" or "small" and the thermal control parameter (duty ratio) set in step S3A is 100 [%], the processor 36 sets the heater temperature. The output voltage required to reach the target temperature is continuously supplied from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern constituting the heater 14. Further, when the determination result of the residual heat level is "medium" and the thermal control parameter (duty ratio) set in step S3A is 50 [%], the processor 36 sets the heater temperature as the target temperature. The output voltage required for this purpose is intermittently supplied from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern according to the duty ratio. Further, when the determination result of the residual heat level is "large" and the heat control parameter (duty ratio) set in step S3A is information that "does not output", the processor 36 sets the target portion LT. On the other hand, it does not output heat energy. That is, the processor 36 does not execute step S3B.

また、第2の参照情報は、表2,表3に示した情報に限らず、以下の表4に示した情報を採用しても構わない。

Figure 0006952204
Further, the second reference information is not limited to the information shown in Tables 2 and 3, and the information shown in Table 4 below may be adopted.
Figure 0006952204

第2の参照情報は、表4に示すように、残熱レベルの判定結果(「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」)と、熱制御パラメータが関連付けられた情報である。
ここで、熱制御パラメータは、表4に示すように、ステップS3Bにおいて用いるヒータ温度の目標温度[℃]である。そして、熱制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。残熱レベルの判定結果が「大」である場合には、熱エネルギの付与(ステップS3B)を実行しないため、「出力しない」旨の情報が設定されている。
なお、目標温度の値は、表4に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、小さくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。
As shown in Table 4, the second reference information is information in which the determination result of the residual heat level (“no residual heat”, “small”, “medium”, and “large”) is associated with the thermal control parameters. Is.
Here, as shown in Table 4, the thermal control parameter is the target temperature [° C.] of the heater temperature used in step S3B. The thermal control parameter corresponds to the control target value according to the present invention. That is, the processor 36 changes the control target value according to the present invention based on the determination result of the residual heat level. When the determination result of the residual heat level is "large", the information to "do not output" is set because the application of thermal energy (step S3B) is not executed.
The target temperature value is not limited to the value shown in Table 4, and the residual heat level is determined as “large”, “medium”, “small”, and “no residual heat”, that is, residual heat. As the heat level decreases, other values may be adopted as long as they do not decrease.

そして、プロセッサ36は、ステップS3Bにおいて、以下の処理を実行する。
プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」または「小」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(目標温度)が120[℃]であった場合には、ヒータ温度を120[℃]とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部33からヒータ14を構成する電気抵抗パターンに供給する。また、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「中」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(目標温度)が80[℃]であった場合には、ヒータ温度を80[℃]とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部33から当該電気抵抗パターンに供給する。さらに、プロセッサ36は、残熱レベルの判定結果が「大」であり、ステップS3Aにおいて設定した熱制御パラメータ(目標温度)が「出力しない」旨の情報であった場合には、対象部位LTに対して熱エネルギを出力しない。すなわち、プロセッサ36はステップS3Bを実行しない。
以上のように、プロセッサ36は、残熱レベルが高いほど、ヒータ14を構成する電気抵抗パターンに供給する電力を抑制する。また、プロセッサ36は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、当該電気抵抗パターンに供給する電力を調整する。
Then, the processor 36 executes the following processing in step S3B.
When the determination result of the residual heat level is "no residual heat" or "small" and the thermal control parameter (target temperature) set in step S3A is 120 [° C.], the processor 36 sets the heater temperature. The output voltage required to set the temperature to 120 [° C.] is supplied from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern constituting the heater 14. Further, when the determination result of the residual heat level is "medium" and the thermal control parameter (target temperature) set in step S3A is 80 [° C.], the processor 36 sets the heater temperature to 80 [° C.]. The output voltage required for the above is supplied from the thermal energy output unit 33 to the electric resistance pattern. Further, when the determination result of the residual heat level is "large" and the heat control parameter (target temperature) set in step S3A is information that "does not output", the processor 36 sets the target portion LT. On the other hand, it does not output heat energy. That is, the processor 36 does not execute step S3B.
As described above, the higher the residual heat level, the more the processor 36 suppresses the electric power supplied to the electric resistance pattern constituting the heater 14. Further, in the sealing control mode, the processor 36 adjusts the electric power supplied to the electric resistance pattern based on the determination result of the residual heat level.

上述した実施の形態では、本発明に係るプロセッサを1つのみのプロセッサ36で構成していたが、これに限らず、2つ以上のプロセッサとしても構わない。
上述した実施の形態において、残熱レベルを判定(ステップS1E,S1G,S1I,S1J)した後、報知部35に当該残熱レベルを示す情報を報知させても構わない。
上述した実施の形態において、残熱レベルの判定結果に基づいて、対象部位LTに対して付与する処置エネルギとして熱エネルギ及び高周波エネルギの少なくとも一方を選択する構成を採用しても構わない。例えば、プロセッサ36は、残熱レベルが第1のレベルの場合には、対象部位LTに対して付与する処置エネルギとして熱エネルギ及び高周波エネルギの双方を選択する。一方、プロセッサ36は、残熱レベルが第1のレベルよりも高い第2のレベルの場合には、対象部位LTに対して付与する処置エネルギとして熱エネルギ及び高周波エネルギの一方を選択する。
In the above-described embodiment, the processor according to the present invention is composed of only one processor 36, but the present invention is not limited to this, and two or more processors may be used.
In the above-described embodiment, after determining the residual heat level (steps S1E, S1G, S1I, S1J), the notification unit 35 may be notified of the information indicating the residual heat level.
In the above-described embodiment, a configuration may be adopted in which at least one of thermal energy and high frequency energy is selected as the treatment energy to be applied to the target site LT based on the determination result of the residual heat level. For example, when the residual heat level is the first level, the processor 36 selects both thermal energy and high frequency energy as the treatment energy to be applied to the target site LT. On the other hand, when the residual heat level is a second level higher than the first level, the processor 36 selects either thermal energy or high frequency energy as the treatment energy to be applied to the target site LT.

上述した実施の形態では、対象部位LTに対して付与する処置エネルギとして、熱エネルギ及び高周波エネルギを採用していたが、これに限らず、超音波エネルギを採用しても構わない。なお、「対象部位LTに対して超音波エネルギを付与する」とは、対象部位LTに対して超音波振動を付与することを意味する。ここで、当該超音波エネルギを採用した場合には、残熱レベルの判定結果に基づいて、変更する制御目標値としては、以下の制御目標値を例示することができる。
例えば、制御目標値としては、上述した実施の形態で説明した熱制御(ステップS3)で用いた熱制御パラメータと同様に、超音波エネルギの付与の開始時点を遅らせる遅延時間を例示することができる。また、例えば、制御目標値としては、超音波振動による振幅を例示することができる。
In the above-described embodiment, thermal energy and high-frequency energy are used as the treatment energy applied to the target site LT, but the present invention is not limited to this, and ultrasonic energy may be used. In addition, "applying ultrasonic energy to the target site LT" means applying ultrasonic vibration to the target site LT. Here, when the ultrasonic energy is adopted, the following control target values can be exemplified as the control target values to be changed based on the determination result of the residual heat level.
For example, as the control target value, a delay time for delaying the start time of applying ultrasonic energy can be exemplified, similar to the thermal control parameter used in the thermal control (step S3) described in the above-described embodiment. .. Further, for example, as the control target value, the amplitude due to ultrasonic vibration can be exemplified.

1 処置システム
2 処置具
3 制御装置
5 ハンドル
6 シャフト
7 把持部
8 第1の把持部材
9 第2の把持部材
10 第1のジョー
11 第1の支持部材
12 処置部
13 伝熱板
14 ヒータ
31 高周波エネルギ出力部
32 第1のセンサ
33 熱エネルギ出力部
34 第2のセンサ
35 報知部
36 プロセッサ
37 メモリ
51 操作ノブ
52 インターフェース
91 第2のジョー
92 第2の支持部材
93 対向板
131 第1の把持面
132 背面
521 第1のスイッチ
522 第2のスイッチ
931 第2の把持面
A1 方向
C 電気ケーブル
C1,C1´ 高周波用リード線
C2,C2´ 発熱用リード線
LT 対象部位
P0 支点
Pj 判別閾値
Pp ピーク値
R01,R0f 判別閾値
R1 矢印
Radd 閾値
T1 切開制御モードの実行を終了した時点
T2 封止制御モードの実行を開始する時点
Th1,Th2 閾値
V0 初期電圧
VI 上昇値
Z0 初期インピーダンス
Zch 変化量
Zj1,Zj2 残熱判定閾値
Zmin 極小値
1 Treatment system 2 Treatment tool 3 Control device 5 Handle 6 Shaft 7 Grip part 8 First grip member 9 Second grip member 10 First jaw 11 First support member 12 Treatment part 13 Heat transfer plate 14 Heater 31 High frequency Energy output unit 32 First sensor 33 Thermal energy output unit 34 Second sensor 35 Notification unit 36 Processor 37 Memory 51 Operation knob 52 Interface 91 Second jaw 92 Second support member 93 Opposing plate 131 First gripping surface 132 Back side 521 First switch 522 Second switch 931 Second gripping surface A1 direction C Electric cable C1, C1'High frequency lead wire C2, C2' Heat transfer lead wire LT Target part P0 fulcrum Pj discrimination threshold Pp peak value R01, R0f Discrimination threshold R1 Arrow Radd threshold T1 When the execution of the incision control mode is finished T2 When the execution of the sealing control mode is started Th1, Th2 Threshold V0 Initial voltage VI rise value Z0 Initial impedance Zch Change amount Zj1, Zj2 Remaining Thermal judgment threshold Zmin minimum value

Claims (18)

体組織を処置するための処置エネルギを当該生体組織に対して付与するエンドエフェクタを有する処置具とともに用いられる制御装置であって
前記制御装置は、前記生体組織を第1の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための電力を前記処置具に対して供給する封止制御モードと、前記生体組織を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための電力を前記処置具に対して供給する切開制御モードとをそれぞれ実行可能とする、少なくとも一つのプロセッサを備え、
前記プロセッサは、
前記切開制御モードを実行することによって、前記エンドエフェクタが前記第2の温度になった後の経過時間を前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値として算出し、
前記指標値と閾値とを比較し、
前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する制御装置
Treatment energy for treating living body tissue A control apparatus for use with a surgical instrument having an end effector that imparts respect to the biological tissue,
The control device has a sealing control mode in which power for sealing the living tissue is supplied to the treatment tool by heating the living tissue at a first temperature, and the living tissue is subjected to the first. It comprises at least one processor capable of each executing an incision control mode in which power for incising the living tissue is supplied to the treatment tool by heating at a second temperature higher than the temperature of the above.
The processor
By executing the incision control mode, the elapsed time after the end effector reaches the second temperature is calculated as an index value as an index of the temperature of the end effector.
Compare the index value with the threshold value and
A control device for determining the residual heat level of the end effector based on the result of comparison between the index value and the threshold value.
前記経過時間は、
前記切開制御モードを完了してからの経過時間である、請求項に記載の制御装置
The elapsed time is
The control device according to claim 1 , which is the elapsed time from the completion of the incision control mode.
前記閾値は、
前記経過時間と比較される第1の閾値と、
前記エンドエフェクタに接触することによって前記生体組織が熱変性した熱変性レベルと比較される第2の閾値と、を備え、
前記プロセッサは、
前記熱変性レベルを前記指標値として算出し、
前記経過時間と前記第1の閾値とを比較し、
前記熱変性レベルと前記第2の閾値とを比較し、
前記経過時間と前記第1の閾値との比較結果、及び前記熱変性レベルと前記第2の閾値との比較結果に基づいて、前記残熱レベルを判定する、請求項に記載の制御装置
The threshold is
The first threshold value to be compared with the elapsed time and
It comprises a second threshold, which is compared to the level of heat denaturation in which the living tissue is heat denatured by contact with the end effector.
The processor
The heat denaturation level was calculated as the index value, and
Comparing the elapsed time with the first threshold,
Comparing the heat denaturation level with the second threshold,
Comparison result between the between the elapsed time first threshold value, and based on a result of comparison between said thermal denaturation level the second threshold value, determining said Zan'netsu level control device according to claim 1.
前記閾値は、
前記切開制御モードを実行している継続時間、及び前記切開制御モードを連続して実行した回数の少なくともいずれかに応じて複数設けられ、
前記プロセッサは、
複数の前記閾値のうち前記継続時間及び前記回数の少なくともいずれかに応じた閾値と前記経過時間とを比較する、請求項に記載の制御装置
The threshold is
A plurality of the incision control modes are provided according to at least one of the duration of execution of the incision control mode and the number of times the incision control mode is continuously executed.
The processor
Comparing the threshold value and the elapsed time at least corresponding to one of said duration and said number of the plurality of the threshold values, the control apparatus according to claim 1.
前記エンドエフェクタは、
前記電力の供給に応じて発熱するヒータと、
一対の高周波電極と、を備え、
当該制御装置は、
前記ヒータに対して前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである熱エネルギを付与する熱エネルギ出力部と、
前記一対の高周波電極間に前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである高周波エネルギを付与する高周波エネルギ出力部と、をさらに備える、請求項1に記載の制御装置
The end effector is
A heater that generates heat in response to the supply of electric power,
With a pair of high frequency electrodes,
The control device
A thermal energy output unit that supplies thermal energy, which is the treatment energy, from the end effector to the living tissue by supplying the electric power to the heater.
The first aspect of claim 1, further comprising a high-frequency energy output unit that applies high-frequency energy, which is the treatment energy, from the end effector to the living tissue by supplying the electric power between the pair of high-frequency electrodes. Control device .
前記プロセッサは、
前記残熱レベルを示す情報を報知部に報知させる、請求項1に記載の制御装置
The processor
The control device according to claim 1, wherein the notification unit is notified of information indicating the residual heat level.
前記プロセッサは、
前記残熱レベルの判定結果に基づいて、報知部からの警告を示す情報の報知、及び前記処置具に対して供給する前記電力の調整の少なくとも一方を実行する、請求項1に記載の制御装置
The processor
The control device according to claim 1, wherein at least one of the notification of information indicating a warning from the notification unit and the adjustment of the power supplied to the treatment tool are executed based on the determination result of the residual heat level. ..
前記プロセッサは、
前記残熱レベルが高いほど、前記処置具に供給する前記電力を抑制する、請求項に記載の制御装置
The processor
The control device according to claim 7 , wherein the higher the residual heat level, the more the electric power supplied to the treatment tool is suppressed.
前記プロセッサは、
前記残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、前記処置具への前記電力の供給を禁止する、請求項に記載の制御装置
The processor
The control device according to claim 7 , wherein when the residual heat level exceeds a specific level, the supply of the electric power to the treatment tool is prohibited.
前記プロセッサは、
前記残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、前記警告を示す情報を前記報知部に報知させる、請求項に記載の制御装置
The processor
The control device according to claim 7 , wherein when the residual heat level exceeds a specific level, the notification unit is notified of information indicating the warning.
前記プロセッサは
記封止制御モードにおいて、前記残熱レベルの判定結果に基づいて、前記処置具に対して供給する前記電力を調整する、請求項に記載の制御装置
Wherein the processor is,
Prior Kifutome control mode, based on the Zan'netsu level judgment result, the adjusting power supplied to the treatment instrument control device according to claim 7.
前記プロセッサは、
前記残熱レベルの判定結果に基づいて、前記封止制御モードにおける制御目標値を変更する、請求項11に記載の制御装置
The processor
The control device according to claim 11 , wherein the control target value in the sealing control mode is changed based on the determination result of the residual heat level.
前記プロセッサは、
前記生体組織の種類及び大きさの少なくとも一方を判定し、
前記封止制御モードを実行する際に、前記残熱レベルの判定結果と前記生体組織の種類及び大きさの少なくとも一方の判定結果とに基づいて、前記処置具に対して供給する前記電力を調整する、請求項11に記載の制御装置
The processor
At least one of the type and size of the living tissue is determined, and
When the sealing control mode is executed, the electric power supplied to the treatment tool is adjusted based on the determination result of the residual heat level and the determination result of at least one of the type and size of the biological tissue. The control device according to claim 11 .
前記エンドエフェクタは、
一対の高周波電極を備え、
当該制御装置は、
前記一対の高周波電極間に前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである高周波エネルギを付与する高周波エネルギ出力部をさらに備え、
前記プロセッサは、
前記高周波エネルギ出力部の動作を制御し、前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して検知電流を流すことによって当該生体組織の種類及び大きさの少なくとも一方を判定する、請求項13に記載の制御装置
The end effector is
Equipped with a pair of high frequency electrodes
The control device
A high-frequency energy output unit that applies high-frequency energy, which is the treatment energy, from the end effector to the living tissue by supplying the electric power between the pair of high-frequency electrodes is further provided.
The processor
The control device according to claim 13 , wherein at least one of the type and size of the living tissue is determined by controlling the operation of the high-frequency energy output unit and passing a detection current from the end effector to the living tissue. ..
前記エンドエフェクタは、
前記電力の供給に応じて発熱するヒータと、
一対の高周波電極と、を備え、
当該制御装置は、
前記ヒータに対して前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである熱エネルギを付与する熱エネルギ出力部と、
前記一対の高周波電極間に前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである高周波エネルギを付与する高周波エネルギ出力部と、をさらに備え、
前記プロセッサは、
前記封止制御モードにおいて、前記残熱レベルの判定結果に基づいて、前記生体組織に対して付与する前記処置エネルギとして前記熱エネルギ及び前記高周波エネルギの少なくとも一方を選択する、請求項11に記載の制御装置
The end effector is
A heater that generates heat in response to the supply of electric power,
With a pair of high frequency electrodes,
The control device
A thermal energy output unit that supplies thermal energy, which is the treatment energy, from the end effector to the living tissue by supplying the electric power to the heater.
A high-frequency energy output unit that applies high-frequency energy, which is the treatment energy, from the end effector to the living tissue by supplying the electric power between the pair of high-frequency electrodes is further provided.
The processor
In the sealing control mode, on the basis of the Zan'netsu level judgment result, selecting at least one of the thermal energy and the high-frequency energy as the treatment energy given to the body tissue, according to claim 11 Control device .
前記プロセッサは、
前記残熱レベルが第1のレベルである場合には、前記生体組織に対して付与する前記処置エネルギとして前記熱エネルギ及び前記高周波エネルギの双方を選択し、
前記残熱レベルが前記第1のレベルよりも高い第2のレベルである場合には、前記生体組織に対して付与する前記処置エネルギとして前記熱エネルギ及び前記高周波エネルギの一方を選択する、請求項15に記載の制御装置
The processor
When the residual heat level is the first level, both the thermal energy and the high frequency energy are selected as the treatment energy to be applied to the living tissue.
When the residual heat level is a second level higher than the first level, one of the thermal energy and the high frequency energy is selected as the treatment energy to be applied to the living tissue. 15. The control device according to 15.
制御装置のプロセッサが実行する残熱判定方法であって、
前記プロセッサは、
生体組織を第1の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための電力を処置具に対して供給する封止制御モードと、前記生体組織を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための電力を前記処置具に対して供給する切開制御モードとをそれぞれ実行可能とし、
当該残熱判定方法は、
前記切開制御モードを実行することによって、前記処置具に設けられたエンドエフェクタが前記第2の温度になった後の経過時間を前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値として算出し、
前記指標値と閾値とを比較し、
前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する残熱判定方法。
It is a residual heat determination method executed by the processor of the control device.
The processor
A sealing control mode in which power for sealing the living tissue is supplied to the treatment tool by heating the living tissue at the first temperature, and a second setting in which the living tissue is higher than the first temperature. By heating at the temperature of the above, it is possible to execute the incision control mode in which the electric power for incising the living tissue is supplied to the treatment tool.
The residual heat determination method is
By executing the incision control mode, the elapsed time after the end effector provided on the treatment tool reaches the second temperature is calculated as an index value as an index of the temperature of the end effector.
Compare the index value with the threshold value and
A method for determining residual heat for determining the residual heat level of the end effector based on the result of comparison between the index value and the threshold value.
制御装置のプロセッサに実行させる残熱判定プログラムであって、
前記プロセッサは、
生体組織を第1の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための電力を処置具に対して供給する封止制御モードと、前記生体組織を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための電力を前記処置具に対して供給する切開制御モードとをそれぞれ実行可能とし、
当該残熱判定プログラムは、前記プロセッサに以下の実行を指示する:
前記切開制御モードを実行することによって、前記処置具に設けられたエンドエフェクタが前記第2の温度になった後の経過時間を前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値として算出し、
前記指標値と閾値とを比較し、
前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する残熱判定プログラム。
It is a residual heat judgment program that is executed by the processor of the control device.
The processor
A sealing control mode in which power for sealing the living tissue is supplied to the treatment tool by heating the living tissue at the first temperature, and a second setting in which the living tissue is higher than the first temperature. By heating at the temperature of the above, it is possible to execute the incision control mode in which the electric power for incising the living tissue is supplied to the treatment tool.
The residual heat determination program instructs the processor to execute the following:
By executing the incision control mode, the elapsed time after the end effector provided on the treatment tool reaches the second temperature is calculated as an index value as an index of the temperature of the end effector.
Compare the index value with the threshold value and
A residual heat determination program for determining the residual heat level of the end effector based on the comparison result between the index value and the threshold value.
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