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JP6956317B2 - Infrared sensor module - Google Patents
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Description

本発明は、人などの温度を非接触で検出する赤外線センサモジュールに関する。 The present invention relates to an infrared sensor module that detects the temperature of a person or the like in a non-contact manner.

従来の赤外線センサモジュールの診断機能として、温度センサに設けられた温度検知機能診断装置が知られている。従来の温度検知機能診断装置は、温度センサの温度検知機能を診断し、多数決判定などにより赤外線センサの異常を判定し、赤外線センサの異常が判定されたときには温度検知回路もしくは赤外線センサに過温度検知機能を切り替えていた。(特許文献1) As a diagnostic function of the conventional infrared sensor module, a temperature detection function diagnostic device provided in the temperature sensor is known. The conventional temperature detection function diagnostic device diagnoses the temperature detection function of the temperature sensor, determines the abnormality of the infrared sensor by a majority decision, etc., and when the abnormality of the infrared sensor is determined, the temperature detection circuit or the infrared sensor detects overtemperature. I was switching functions. (Patent Document 1)

特開2016−206040号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-206040

しかしながら、上記従来の赤外線センサモジュールでは、赤外線センサの一部だけに異常が発生したときに赤外線センサのシステム全体の動作を停止するしかないという課題があった。 However, the conventional infrared sensor module has a problem that the operation of the entire infrared sensor system must be stopped when an abnormality occurs in only a part of the infrared sensor.

本発明は、上記課題を解決し、赤外線センサの調整値を記録するメモリの状態に応じて赤外線センサモジュールの動作を変更することでメモリの異常に対してメモリの状態に応じた対応ができる赤外線センサモジュールを提供することを目的とする。 The present invention solves the above-mentioned problems, and by changing the operation of the infrared sensor module according to the state of the memory that records the adjustment value of the infrared sensor, the infrared ray that can respond to the abnormality of the memory according to the state of the memory. It is an object of the present invention to provide a sensor module.

上記課題を解決するために本発明は、被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサと、前記赤外線センサの出力信号を信号処理する第1の処理回路と、前記第1の処理回路の出力信号を信号処理する第2の処理回路と、前記第2の処理回路の出力値を記録する少なくとも3個以上のメモリと、前記メモリに記録された値を互いに比較して前記メモリの状態を判定する判定部と、前記メモリに記録された値を変更する変更部を有し、前記メモリは前記第1の処理回路と前記第2の処理回路の夫々に少なくとも1つ設けられ、前記判定部が、記録された値が他のどの前記メモリの値とも一致しない異常な値が記録された前記メモリが少なくとも1つ存在すると判定した場合に、前記変更部が異常な値が記録された前記メモリの値を正常な値が記録された前記メモリの値に変更する構成とした。 In order to solve the above problems, the present invention uses an infrared sensor that detects infrared rays to be measured, a first processing circuit that processes the output signal of the infrared sensor, and an output signal of the first processing circuit. A determination to determine the state of the memory by comparing the second processing circuit for signal processing, at least three or more memories for recording the output value of the second processing circuit, and the value recorded in the memory with each other. It has a unit and a change unit that changes a value recorded in the memory, and at least one of the memory is provided in each of the first processing circuit and the second processing circuit, and the determination unit records. When it is determined that there is at least one memory in which an abnormal value is recorded whose value does not match any other value in the memory, the change unit determines the value of the memory in which the abnormal value is recorded. The configuration was such that the normal value was changed to the value of the recorded memory.

また、別の態様では、被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサと、前記赤外線センサの出力信号を信号処理する第1の処理回路と、前記第1の処理回路の出力信号を信号処理する第2の処理回路と、前記第2の処理回路の出力値を記録する少なくとも3個以上のメモリと、前記メモリに記録された値を互いに比較して前記メモリの状態を判定する判定部を有し、前記メモリは前記第1の処理回路と前記第2の処理回路の夫々に少なくとも1つ設けられ、前記判定部が、記録された値が他のどの前記メモリの値とも一致しない異常な値が記録された前記メモリが少なくとも1つ存在すると判定した場合に、前記第1の処理回路と前記第2の処理回路は異常な値が記録された前記メモリの値を参照しなくなる構成とした。 In another aspect, an infrared sensor that detects infrared rays to be measured, a first processing circuit that processes the output signal of the infrared sensor, and a first processing circuit that processes the output signal of the first processing circuit. It has two processing circuits, at least three or more memories for recording the output values of the second processing circuit, and a determination unit for determining the state of the memories by comparing the values recorded in the memories with each other. , The memory is provided at least one in each of the first processing circuit and the second processing circuit, and the determination unit has an abnormal value in which the recorded value does not match the value of any other memory. When it is determined that at least one of the recorded memories exists, the first processing circuit and the second processing circuit are configured so as not to refer to the value of the memory in which an abnormal value is recorded.

また、別の態様では、被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサと、前記赤外線センサの出力信号を信号処理する第1の処理回路と、前記第1の処理回路の出力信号を信号処
理する第2の処理回路と、前記第2の処理回路の出力値を記録する少なくとも3個以上のメモリと、前記メモリに記録された値を互いに比較して前記メモリの状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果を出力する出力端子を有し、前記メモリは前記第1の処理回路と前記第2の処理回路の夫々に少なくとも1つ設けられ、前記判定部が、記録された値が他のどの前記メモリの値とも一致しない異常な値が記録された前記メモリが少なくとも1つ存在すると判定した場合に、前記判定部は前記出力端子から信号を出力する構成とした。
In another aspect, an infrared sensor that detects infrared rays to be measured, a first processing circuit that processes the output signal of the infrared sensor, and a first processing circuit that processes the output signal of the first processing circuit. The processing circuit of 2, at least three or more memories for recording the output value of the second processing circuit, a determination unit for determining the state of the memory by comparing the values recorded in the memory with each other, and the above. It has an output terminal for outputting the determination result of the determination unit, and at least one of the memories is provided in each of the first processing circuit and the second processing circuit. When it is determined that there is at least one memory in which an abnormal value that does not match the value of the memory of the throat is recorded, the determination unit is configured to output a signal from the output terminal.

本発明の赤外線センサモジュールは、赤外線センサと検出回路に設けられたメモリに異常が発生したときに、赤外線センサに設けられたメモリの全てが異常を発生していなければ、メモリの値を変更することでメモリの値を正常な値に復元することができる。 The infrared sensor module of the present invention changes the value of the memory when an abnormality occurs in the memory provided in the infrared sensor and the detection circuit, if all the memories provided in the infrared sensor do not have an abnormality. This makes it possible to restore the memory value to a normal value.

別の態様の赤外線センサモジュールは、赤外線センサと検出回路に設けられたメモリに異常が発生したときに、異常を発生したメモリを参照しないことで、異常なメモリ値を参照することによる赤外線センサモジュールの出力異常を防ぐことができる。 Another aspect of the infrared sensor module is an infrared sensor module that refers to an abnormal memory value by not referring to the memory in which the abnormality has occurred when an abnormality occurs in the memory provided in the infrared sensor and the detection circuit. Output abnormality can be prevented.

別の態様の赤外線センサモジュールは、赤外線センサと検出回路に設けられたメモリに異常が発生したときに、異常が発生したことを外部出力することができる。 In another aspect of the infrared sensor module, when an abnormality occurs in the infrared sensor and the memory provided in the detection circuit, the occurrence of the abnormality can be output to the outside.

実施の形態1の赤外線センサモジュールの構成を示す図The figure which shows the structure of the infrared sensor module of Embodiment 1. 実施の形態2の赤外線センサモジュールの構成を示す図The figure which shows the structure of the infrared sensor module of Embodiment 2. 実施の形態3の赤外線センサモジュールの構成を示す図The figure which shows the structure of the infrared sensor module of Embodiment 3. 実施の形態4の赤外線センサモジュールの構成を示す図The figure which shows the structure of the infrared sensor module of Embodiment 4.

以下に、実施の形態に係る赤外線センサモジュールについて図面を用いて説明をする。なお、各図面において、同様の構成については、同一の符号を付し、説明を省略する。また、各実施の形態における各構成要素は矛盾のない範囲で任意に組み合わせても良い。 Hereinafter, the infrared sensor module according to the embodiment will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same reference numerals are given to the same configurations, and the description thereof will be omitted. Moreover, each component in each embodiment may be arbitrarily combined as long as there is no contradiction.

(実施の形態1)
以下に、実施の形態1における赤外線センサモジュールについて図面を用いながら説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the infrared sensor module according to the first embodiment will be described with reference to the drawings.

図1は、実施の形態1の赤外線センサモジュールの構成を示す図、図2は赤外線センサの側断面図である。 FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the infrared sensor module of the first embodiment, and FIG. 2 is a side sectional view of the infrared sensor.

赤外線センサモジュール1は、被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサ2と、赤外線センサ2の出力信号を信号処理する第1の処理回路3と、第1の処理回路3の出力信号を信号処理する第2の処理回路4と、第2の処理回路4の出力値を記録する複数のメモリ5と、メモリ5に記録された値を他のメモリ5と比較してメモリ5の状態を判定する判定部6と、メモリ5に記録された値を変更する変更部7を有している。赤外線センサモジュール1は、赤外線センサ2で被測定対象の赤外線を検出し、第1の処理回路3と第2の処理回路4で処理することで、被測定対象の温度を検出したり温冷感を推測したりすることができる。人や食品等の被測定対象の温度を検出して赤外線センサモジュール1の出力信号を空調機器、電子レンジ、複合機などの外部機器に入力することにより、外部機器を制御することができる。 The infrared sensor module 1 signals the infrared sensor 2 that detects the infrared ray to be measured, the first processing circuit 3 that processes the output signal of the infrared sensor 2, and the output signal of the first processing circuit 3. A determination to determine the state of the memory 5 by comparing the second processing circuit 4, the plurality of memories 5 for recording the output values of the second processing circuit 4, and the values recorded in the memory 5 with the other memories 5. It has a unit 6 and a change unit 7 for changing the value recorded in the memory 5. The infrared sensor module 1 detects the infrared rays of the object to be measured by the infrared sensor 2 and processes them by the first processing circuit 3 and the second processing circuit 4, thereby detecting the temperature of the object to be measured and feeling warm and cold. Can be guessed. The external device can be controlled by detecting the temperature of the object to be measured such as a person or food and inputting the output signal of the infrared sensor module 1 to the external device such as an air conditioner, a microwave oven, or a multifunction device.

赤外線センサ2は、感温部が埋設された熱型赤外線検出器を有しており、感温部には被
検出体から放射された赤外線による熱エネルギーを電気エネルギーに変換するサーモパイルにより構成される熱電変換部が用いられている。また、赤外線センサ2は、感温部および感温部の出力電圧を取り出すためのMOSトランジスタを有したa×b個の画素部(非接触赤外線検知素子)が、半導体基板の一表面側においてa行b列の2次元アレイ状に配置されており、赤外線センサ2では画素部は8×8に構成されている。なお、画素部は8×8に限られず、例えば、16×4のように構成しても良い。また、画素部をアレイ状に配置した方が赤外線センサ2で取得できる熱画像の解像度を向上させることができるが、画素部を1つだけ配置するような構成としても良い。
The infrared sensor 2 has a thermal infrared detector in which a temperature sensitive portion is embedded, and the temperature sensitive portion is composed of a thermopile that converts thermal energy from infrared rays emitted from a detected object into electrical energy. A thermoelectric conversion unit is used. Further, in the infrared sensor 2, a × b pixel portions (non-contact infrared detection elements) having a temperature sensitive portion and a MOS transistor for extracting the output voltage of the temperature sensitive portion are a on one surface side of the semiconductor substrate. It is arranged in a two-dimensional array in rows and columns b, and the infrared sensor 2 has a pixel portion of 8 × 8. The pixel portion is not limited to 8 × 8, and may be configured as, for example, 16 × 4. Further, although the resolution of the thermal image that can be acquired by the infrared sensor 2 can be improved by arranging the pixel portions in an array, the configuration may be such that only one pixel portion is arranged.

第1の処理回路3にはASIC(Application Specific Integrated Circuit)が用いられているが、これに限らなくても良い。第1の処理回路3は、赤外線センサ2の出力を電圧情報に変換している。第2の処理回路4にはマイコンが用いられているが、これに限らなくても良い。第2の処理回路4は第1の処理回路3の出力信号を温度情報に変換している。第2の処理回路4の出力信号はセンサ信号出力端子8から外部へ出力される。第1の処理回路3と第2の処理回路4の夫々には少なくとも1個のメモリ5が設けられている。メモリ5には、ROM(Read Only
Memory)が用いられているが、これに限らなくても良い。第1の処理回路3に設けられたメモリ5には赤外線センサ2を制御する情報が記録されている。第2の処理回路4に設けられたメモリ5には、第2の処理回路4を制御するための情報や赤外線センサモジュール1が外部部材と接続されるときには外部部材を制御するための情報が記録されている。第2の処理回路4の出力信号は第1の処理回路3と第2の処理回路4に設けられたメモリ5に第2の処理回路4の出力値として記録される。なお、第1の処理回路3で赤外線センサ2の出力信号を電圧情報に変換し、第2の処理回路4で温度情報に変換しているが、この動作に限らなくても良い。例えば、赤外線センサモジュール1から被測定対象の温冷感の推定情報を出力する場合には、第1の処理回路3で温度情報に変換し、第2の処理回路4で被測定対象の温冷感を推定しても良い。また、例えば、赤外線センサ2をモータ等の外部部材を用いて走査する場合には、第1の処理回路3で温度情報に変換し、第2の処理回路4で外部部材を制御しても良い。この様に、第1の処理回路3と第2の処理回路4の動作は赤外線センサモジュール1の用途等に応じて適宜変更できる。
An ASIC (Application Specific Integrated Circuit) is used in the first processing circuit 3, but the first processing circuit 3 is not limited to this. The first processing circuit 3 converts the output of the infrared sensor 2 into voltage information. A microcomputer is used in the second processing circuit 4, but it is not limited to this. The second processing circuit 4 converts the output signal of the first processing circuit 3 into temperature information. The output signal of the second processing circuit 4 is output to the outside from the sensor signal output terminal 8. At least one memory 5 is provided in each of the first processing circuit 3 and the second processing circuit 4. The memory 5 contains a ROM (Read Only).
Memory) is used, but it is not limited to this. Information for controlling the infrared sensor 2 is recorded in the memory 5 provided in the first processing circuit 3. The memory 5 provided in the second processing circuit 4 records information for controlling the second processing circuit 4 and information for controlling the external member when the infrared sensor module 1 is connected to the external member. Has been done. The output signal of the second processing circuit 4 is recorded as an output value of the second processing circuit 4 in the memory 5 provided in the first processing circuit 3 and the second processing circuit 4. Although the first processing circuit 3 converts the output signal of the infrared sensor 2 into voltage information and the second processing circuit 4 converts it into temperature information, the operation is not limited to this. For example, when the infrared sensor module 1 outputs the estimation information of the feeling of temperature and coldness of the object to be measured, the first processing circuit 3 converts it into temperature information, and the second processing circuit 4 converts the temperature and cooling of the object to be measured. You may estimate the feeling. Further, for example, when scanning the infrared sensor 2 using an external member such as a motor, the first processing circuit 3 may convert the infrared sensor 2 into temperature information, and the second processing circuit 4 may control the external member. .. As described above, the operations of the first processing circuit 3 and the second processing circuit 4 can be appropriately changed according to the application of the infrared sensor module 1 and the like.

判定部6は、第1の処理回路3、第2の処理回路4とは別に設けられている。但し、判定部6を、第1の処理回路3または第2の処理回路4と一体にして設けても良い。判定部6は、第1の処理回路3と第2の処理回路4に設けられたメモリ5の値を比較し、メモリ5の状態を判定している。正常に動作しているメモリ5には同一の値が記録されている。このため、正常に動作しているメモリ5が複数ある場合には、他に値が一致したメモリ5が複数存在することになる。ここで言う一致とは、完全に値が一致している場合に限定されるものではなく、赤外線センサモジュール1を使用するにあたり問題にならない程度の誤差は許容される。同じ記号のメモリ5は、記録された値が一致していることになる。第1〜第3のメモリの全てに同じ値を記録するため、正常なメモリ5が複数ある場合には、その複数のメモリ5の値は一致し、異常が発生しているメモリ5の値は正常なメモリ5とは一致しない。このため、判定部6は、値が一致したメモリ5が複数ある場合は、その複数のメモリ5は正常であり、異なる値が記録されたメモリ5は異常が発生していると判定する。 The determination unit 6 is provided separately from the first processing circuit 3 and the second processing circuit 4. However, the determination unit 6 may be provided integrally with the first processing circuit 3 or the second processing circuit 4. The determination unit 6 compares the values of the memories 5 provided in the first processing circuit 3 and the second processing circuit 4, and determines the state of the memory 5. The same value is recorded in the memory 5 that is operating normally. Therefore, when there are a plurality of memories 5 that are operating normally, there are a plurality of other memories 5 having matching values. The matching referred to here is not limited to the case where the values are completely matching, and an error that does not cause a problem when using the infrared sensor module 1 is allowed. In the memory 5 having the same symbol, the recorded values match. Since the same value is recorded in all of the first to third memories, when there are a plurality of normal memories 5, the values of the plurality of memories 5 match, and the value of the memory 5 in which the abnormality occurs is the value of the memory 5. It does not match the normal memory 5. Therefore, when there are a plurality of memories 5 having matching values, the determination unit 6 determines that the plurality of memories 5 are normal and that the memory 5 in which different values are recorded has an abnormality.

第1の処理回路3に設けられたメモリ5には赤外線センサ2を制御するための情報が記録されているため、第1の処理回路3に設けられたメモリ5の全てに異常が発生した場合には、被測定対象の温度を正確に検出することができなくなる。この状態で空調機器等の外部機器を制御した場合には、外部機器がユーザの想定外の動作を行う可能性があるため、第1の処理回路3に設けられたメモリ5の全てに異常が発生した場合には、判定部6は外部機器の安全性を向上させるために赤外線センサモジュール1の動作を停止させる。 Since information for controlling the infrared sensor 2 is recorded in the memory 5 provided in the first processing circuit 3, when an abnormality occurs in all of the memories 5 provided in the first processing circuit 3. It becomes impossible to accurately detect the temperature of the object to be measured. If an external device such as an air conditioner is controlled in this state, the external device may perform an unexpected operation by the user. Therefore, all of the memories 5 provided in the first processing circuit 3 have an abnormality. When it occurs, the determination unit 6 stops the operation of the infrared sensor module 1 in order to improve the safety of the external device.

変更部7は、赤外線センサ2と処理回路とは別に設けられた回路である。変更部7は、第1の処理回路3、第2の処理回路4、判定部6と一体にして設けられても良い。変更部7は、メモリ5の値を変更することができる。 The change unit 7 is a circuit provided separately from the infrared sensor 2 and the processing circuit. The changing unit 7 may be provided integrally with the first processing circuit 3, the second processing circuit 4, and the determination unit 6. The changing unit 7 can change the value of the memory 5.

メモリ5の異常検出について説明をする。ここでは、メモリ5は第1の処理回路3と第2の処理回路4に合わせて3個設けられているものを例として説明する。 The abnormality detection of the memory 5 will be described. Here, an example will be described in which three memories 5 are provided in accordance with the first processing circuit 3 and the second processing circuit 4.

まず、第1の処理回路3にメモリ5が1つ設けられ、第2の処理回路4にメモリ5が2つ設けられている場合について説明する。第1の処理回路3に設けられているメモリ5を第1のメモリ、第2の処理回路4に設けられているメモリ5を第2のメモリ、第3のメモリとして説明する。表1に第1〜第3のメモリの値が変化した各パターンでの赤外線センサモジュール1の動作を説明する。表1では、第1〜第3のメモリの値を「○」、「×」、「△」の記号で示している。 First, a case where one memory 5 is provided in the first processing circuit 3 and two memories 5 are provided in the second processing circuit 4 will be described. The memory 5 provided in the first processing circuit 3 will be described as a first memory, and the memory 5 provided in the second processing circuit 4 will be described as a second memory and a third memory. Table 1 describes the operation of the infrared sensor module 1 in each pattern in which the values of the first to third memories change. In Table 1, the values of the first to third memories are indicated by the symbols “◯”, “×”, and “Δ”.

Figure 0006956317
Figure 0006956317

パターン1−1では、第1〜第3のメモリの値が全て「○」であるため、第1〜第3のメモリは全て一致している。このため、判定部6は、第1〜第3のメモリは全て正常であると判定する。この場合は、赤外線センサモジュール1はそのままの動作を維持する。 In the pattern 1-1, since the values of the first to third memories are all “◯”, all the first to third memories match. Therefore, the determination unit 6 determines that all the first to third memories are normal. In this case, the infrared sensor module 1 maintains the same operation.

パターン1−2では、第1のメモリの値が「×」で第2のメモリ、第3のメモリの値が「○」となっている。この場合、第1のメモリに異常が発生しており、第2のメモリ、第3のメモリは正常であると判定する。このとき、第1の処理回路3に1個だけ設けられた第1のメモリに異常が発生しているため、第1の処理回路3によって赤外線センサ2の動作を停止する。 In pattern 1-2, the value of the first memory is “x”, the value of the second memory and the value of the third memory are “◯”. In this case, it is determined that an abnormality has occurred in the first memory and the second memory and the third memory are normal. At this time, since an abnormality has occurred in the first memory provided only once in the first processing circuit 3, the operation of the infrared sensor 2 is stopped by the first processing circuit 3.

パターン1−3では、第2のメモリの値が「×」で第1のメモリ、第3のメモリの値が「○」となっている。この場合、第2のメモリに異常が発生しており、第1のメモリ、第3のメモリは正常であると判定する。このとき、第1のメモリは正常であるため、変更部7によって第2のメモリの値を第1のメモリ、第3のメモリと同じ「○」に変更する。 In patterns 1-3, the value of the second memory is “x”, the value of the first memory and the value of the third memory are “◯”. In this case, it is determined that an abnormality has occurred in the second memory and the first memory and the third memory are normal. At this time, since the first memory is normal, the change unit 7 changes the value of the second memory to the same “◯” as the first memory and the third memory.

パターン1−4では、第3のメモリの値が「×」で第1のメモリ、第2のメモリの値が「○」となっている。この場合、第3のメモリに異常が発生しており、第1のメモリ、第2のメモリは正常であると判定する。このとき、第1のメモリは正常であるため、変更部7によって第3のメモリの値を第1のメモリ、第2のメモリと同じ「○」に変更する。 In patterns 1-4, the value of the third memory is “x”, the value of the first memory and the value of the second memory are “◯”. In this case, it is determined that an abnormality has occurred in the third memory and the first memory and the second memory are normal. At this time, since the first memory is normal, the changing unit 7 changes the value of the third memory to the same “◯” as the first memory and the second memory.

パターン1−5では、第1のメモリの値は「○」、第2のメモリの値は「×」、第3のメモリの値は「△」となっている。第1〜第3のメモリの値の全てが異なっているため、第1〜第3のメモリのうち、少なくとも2個に異常が発生していることがわかる。しかし
ながら、正常なメモリ5を判定することはできないため、判定部6は正常なメモリ5は判定不能と判定する。このとき、異常が発生したメモリ5の値を変更することができないため、第1の処理回路3によって赤外線センサ2の動作を停止する。
In patterns 1-5, the value of the first memory is “◯”, the value of the second memory is “x”, and the value of the third memory is “Δ”. Since all the values of the first to third memories are different, it can be seen that at least two of the first to third memories have an abnormality. However, since the normal memory 5 cannot be determined, the determination unit 6 determines that the normal memory 5 cannot be determined. At this time, since the value of the memory 5 in which the abnormality has occurred cannot be changed, the operation of the infrared sensor 2 is stopped by the first processing circuit 3.

次に、第1の処理回路3にメモリ5が2つ設けられ、第2の処理回路4にメモリ5が1つ設けられている場合について説明する。第1の処理回路3に設けられているメモリ5を第1のメモリ、第2のメモリとし、第2の処理回路4に設けられているメモリ5を第3のメモリとして説明する。表2に第1〜第3のメモリの値が変化した各パターンでの赤外線センサモジュール1の動作を説明する。 Next, a case where two memories 5 are provided in the first processing circuit 3 and one memory 5 is provided in the second processing circuit 4 will be described. The memory 5 provided in the first processing circuit 3 will be referred to as a first memory and a second memory, and the memory 5 provided in the second processing circuit 4 will be referred to as a third memory. Table 2 describes the operation of the infrared sensor module 1 in each pattern in which the values of the first to third memories change.

Figure 0006956317
Figure 0006956317

パターン2−1では、第1〜第3のメモリの値が全て「○」であるため、第1〜第3のメモリは全て一致している。このため、判定部6は、第1〜第3のメモリは全て正常であると判定する。この場合は、赤外線センサモジュール1はそのままの動作を維持する。 In the pattern 2-1 because the values of the first to third memories are all “◯”, all the first to third memories match. Therefore, the determination unit 6 determines that all the first to third memories are normal. In this case, the infrared sensor module 1 maintains the same operation.

パターン2−2では、第1のメモリの値が「×」で第2のメモリ、第3のメモリの値が「○」となっている。この場合、第1のメモリに異常が発生しており、第2のメモリ、第3のメモリは正常であると判定する。このとき、第1の処理回路3に設けられたメモリ5は第2のメモリが正常であるため、変更部7によって、第1のメモリの値を第2のメモリ、第3のメモリの値に変更する。 In pattern 2-2, the value of the first memory is “x”, the value of the second memory and the value of the third memory are “◯”. In this case, it is determined that an abnormality has occurred in the first memory and the second memory and the third memory are normal. At this time, since the second memory of the memory 5 provided in the first processing circuit 3 is normal, the value of the first memory is changed to the value of the second memory and the value of the third memory by the changing unit 7. change.

パターン2−3では、第2のメモリの値が「×」で第1のメモリ、第3のメモリの値が「○」となっている。この場合、第2のメモリに異常が発生しており、第1のメモリ、第3のメモリは正常であると判定する。このとき、第1の処理回路3に設けられたメモリ5は第1のメモリが正常であるため、変更部7によって、第2のメモリの値を第1のメモリ、第3のメモリの値に変更する。 In patterns 2-3, the value of the second memory is “x”, the value of the first memory and the value of the third memory are “◯”. In this case, it is determined that an abnormality has occurred in the second memory and the first memory and the third memory are normal. At this time, since the first memory of the memory 5 provided in the first processing circuit 3 is normal, the value of the second memory is changed to the value of the first memory and the value of the third memory by the changing unit 7. change.

パターン2−4では、第3のメモリの値が「×」で第1のメモリ、第2のメモリの値が「○」となっている。この場合、第3のメモリに異常が発生しており、第1のメモリ、第2のメモリは正常であると判定する。このとき、第1の処理回路3に設けられたメモリ5は第1、第2のメモリが正常であるため、変更部7によって、第1のメモリの値を第2のメモリ、第3のメモリの値に変更する。 In patterns 2-4, the value of the third memory is “x”, the value of the first memory and the value of the second memory are “◯”. In this case, it is determined that an abnormality has occurred in the third memory and the first memory and the second memory are normal. At this time, since the first and second memories of the memory 5 provided in the first processing circuit 3 are normal, the value of the first memory is changed to the second memory and the third memory by the changing unit 7. Change to the value of.

パターン2−5では、第1のメモリの値は「○」、第2のメモリの値は「×」、第3のメモリの値は「△」となっている。第1〜第3のメモリの値の全てが異なっているため、第1〜第3のメモリのうち、少なくとも2個に異常が発生している。このとき、第1の処理回路3によって赤外線センサ2の動作を停止する。 In pattern 2-5, the value of the first memory is “◯”, the value of the second memory is “x”, and the value of the third memory is “Δ”. Since all the values of the first to third memories are different, at least two of the first to third memories have an abnormality. At this time, the operation of the infrared sensor 2 is stopped by the first processing circuit 3.

この様に、第1の処理回路3に設けられたメモリ5が全て異常な値の場合と3個のメモ
リ5が全て異なる値の場合は赤外線センサモジュール1の動作を停止し、第1の処理回路3に設けられたメモリ5の少なくとも1つが正常で他に異常なメモリ5がある場合には異常な値が記録されたメモリ5の値を変更する。これにより、状況に応じて異常が発生したメモリ5の値の変更だけで対応できるため、赤外線センサモジュール1を正常に使用できる状況を増やすことができる。
In this way, when all the memories 5 provided in the first processing circuit 3 have abnormal values and when all three memories 5 have different values, the operation of the infrared sensor module 1 is stopped and the first processing is performed. When at least one of the memories 5 provided in the circuit 3 is normal and there is another abnormal memory 5, the value of the memory 5 in which the abnormal value is recorded is changed. As a result, it is possible to increase the situation in which the infrared sensor module 1 can be used normally because it can be dealt with only by changing the value of the memory 5 in which an abnormality has occurred depending on the situation.

実施の形態1では、メモリ5が合計で3個設けられた場合について説明したが、メモリ5が4個以上の場合でも同様の対応をすることで、赤外線センサモジュール1を正常に使用する状況を増やすことができる。この場合でも、第1の処理回路3に設けられたメモリ5が全て異常な値の場合と3個のメモリ5が全て異なる値の場合は赤外線センサモジュール1の動作を停止し、第1の処理回路3に設けられたメモリ5の少なくとも1つが正常で他に異常なメモリ5がある場合には異常な値が記録されたメモリ5の値を変更すれば良い。これにより、上記で説明したメモリ5が3個の場合と同じ効果を得ることができる。 In the first embodiment, the case where a total of three memories 5 are provided has been described, but the situation where the infrared sensor module 1 is normally used can be determined by taking the same measures even when the number of memories 5 is four or more. Can be increased. Even in this case, if all the memories 5 provided in the first processing circuit 3 have abnormal values and if all three memories 5 have different values, the operation of the infrared sensor module 1 is stopped and the first processing is performed. When at least one of the memories 5 provided in the circuit 3 is normal and there is another abnormal memory 5, the value of the memory 5 in which the abnormal value is recorded may be changed. As a result, the same effect as in the case where the memory 5 described above is three can be obtained.

(実施の形態2)
以下に、実施の形態2の赤外線センサモジュールについて説明する。
(Embodiment 2)
The infrared sensor module of the second embodiment will be described below.

図2は実施の形態2の赤外線センサモジュールの構成を示す図である。 FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the infrared sensor module of the second embodiment.

赤外線センサモジュール11は、被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサ2と、赤外線センサ2の出力信号を信号処理する第1の処理回路3と、第1の処理回路3の出力信号を信号処理する第2の処理回路4と、第2の処理回路4の出力値を記録する複数のメモリ5と、メモリ5に記録された値を他のメモリ5と比較してメモリ5の状態を判定する判定部6を有している。 The infrared sensor module 11 signals the infrared sensor 2 that detects the infrared ray to be measured, the first processing circuit 3 that processes the output signal of the infrared sensor 2, and the output signal of the first processing circuit 3. A determination to determine the state of the memory 5 by comparing the second processing circuit 4, the plurality of memories 5 for recording the output values of the second processing circuit 4, and the values recorded in the memory 5 with the other memories 5. It has a part 6.

実施の形態2の赤外線センサモジュール11では、異常が発生したメモリ5の値は参照しない。第1の処理回路3に設けられたメモリ5が全て異常な値の場合と3個のメモリ5が全て異なる値の場合は赤外線センサモジュール11の動作を停止し、第1の処理回路3に設けられたメモリ5の少なくとも1つが正常で他に異常なメモリ5がある場合には異常な値が記録されたメモリ5の値を異常検出後は参照しない様にする。 In the infrared sensor module 11 of the second embodiment, the value of the memory 5 in which the abnormality has occurred is not referred to. When all the memories 5 provided in the first processing circuit 3 have abnormal values and when all three memories 5 have different values, the operation of the infrared sensor module 11 is stopped and the first processing circuit 3 is provided. When at least one of the stored memories 5 is normal and there is another abnormal memory 5, the value of the memory 5 in which the abnormal value is recorded is not referred to after the abnormality is detected.

この様に、実施の形態2の赤外線センサモジュール11では、異常が発生したメモリ5の値を異常発生後に参照せず、正常なメモリ5のみを参照して赤外線センサモジュール11を制御している。これにより、赤外線センサ2の動作を停止せずに赤外線センサモジュール11を正常に使用できる状況を増やすことができる。 As described above, in the infrared sensor module 11 of the second embodiment, the infrared sensor module 11 is controlled by referring only to the normal memory 5 without referring to the value of the memory 5 in which the abnormality has occurred after the abnormality has occurred. As a result, it is possible to increase the situation in which the infrared sensor module 11 can be used normally without stopping the operation of the infrared sensor 2.

(実施の形態3)
以下に、実施の形態3の赤外線センサモジュールについて説明する。
(Embodiment 3)
The infrared sensor module of the third embodiment will be described below.

図3は実施の形態3の赤外線センサモジュールの構成を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the infrared sensor module of the third embodiment.

赤外線センサモジュール21は、被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサ2と、赤外線センサ2の出力信号を信号処理する第1の処理回路3と、第1の処理回路3の出力信号を信号処理する第2の処理回路4と、第2の処理回路4の出力値を記録する複数のメモリ5と、メモリ5に記録された値を他のメモリ5と比較してメモリ5の状態を判定する判定部6、判定部6の判定結果を出力する出力端子22を有している。また、出力端子22は、赤外線センサモジュール21に電力を供給する電源を制御する電源制御部23に接続されている。 The infrared sensor module 21 signals the infrared sensor 2 that detects the infrared ray to be measured, the first processing circuit 3 that processes the output signal of the infrared sensor 2, and the output signal of the first processing circuit 3. A determination to determine the state of the memory 5 by comparing the second processing circuit 4, the plurality of memories 5 for recording the output values of the second processing circuit 4, and the values recorded in the memory 5 with the other memories 5. The unit 6 has an output terminal 22 for outputting the determination result of the determination unit 6. Further, the output terminal 22 is connected to a power supply control unit 23 that controls a power source that supplies electric power to the infrared sensor module 21.

実施の形態3の赤外線センサモジュール21では、メモリ5の異常が検出されたときに
赤外線センサモジュール21の電源を落として再度電源を入れなおす。第1の処理回路3に設けられたメモリ5が全て異常な値の場合と3個のメモリ5が全て異なる値の場合は赤外線センサモジュール21の動作を停止し、第1の処理回路3に設けられたメモリ5の少なくとも1つが正常で他に異常なメモリ5がある場合には電源をリセットする。
In the infrared sensor module 21 of the third embodiment, when an abnormality in the memory 5 is detected, the power of the infrared sensor module 21 is turned off and then turned on again. When all the memories 5 provided in the first processing circuit 3 have abnormal values and when all three memories 5 have different values, the operation of the infrared sensor module 21 is stopped and the first processing circuit 3 is provided. If at least one of the stored memories 5 is normal and there is another abnormal memory 5, the power supply is reset.

この様に、実施の形態3の赤外線センサモジュール21では、電源をリセットすることで異常が発生したメモリ5の値をリセットし、メモリ5に生じた異常が軽度な場合にはそのまま使用することができるようにする。これにより、赤外線センサ2の動作を停止せずに赤外線センサモジュール21を正常に使用できる状況を増やすことができる。 As described above, in the infrared sensor module 21 of the third embodiment, the value of the memory 5 in which the abnormality has occurred is reset by resetting the power supply, and when the abnormality in the memory 5 is mild, it can be used as it is. It can be so. As a result, it is possible to increase the situation in which the infrared sensor module 21 can be used normally without stopping the operation of the infrared sensor 2.

(実施の形態4)
以下に、実施の形態4の赤外線センサモジュールについて説明する。
(Embodiment 4)
The infrared sensor module of the fourth embodiment will be described below.

図4は実施の形態3の赤外線センサモジュールの構成を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the infrared sensor module of the third embodiment.

赤外線センサモジュール31は、被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサ2と、赤外線センサ2の出力信号を信号処理する第1の処理回路3と、第1の処理回路3の出力信号を信号処理する第2の処理回路4と、第2の処理回路4の出力値を記録する複数のメモリ5と、メモリ5に記録された値を他のメモリ5と比較してメモリ5の状態を判定する判定部6、判定部6の判定結果を出力する出力端子22を有している。出力端子22は通知部32と接続されている。 The infrared sensor module 31 signals the infrared sensor 2 that detects the infrared ray to be measured, the first processing circuit 3 that processes the output signal of the infrared sensor 2, and the output signal of the first processing circuit 3. A determination to determine the state of the memory 5 by comparing the second processing circuit 4, the plurality of memories 5 for recording the output values of the second processing circuit 4, and the values recorded in the memory 5 with the other memories 5. The unit 6 has an output terminal 22 for outputting the determination result of the determination unit 6. The output terminal 22 is connected to the notification unit 32.

通知部32には、スピーカ等の音声により通知できる部材用いられている。メモリ5に異常が発生したときに、異常の発生をユーザに通知することができる。赤外線センサモジュール31を出力端子を介してディスプレイを有した外部機器に接続し、外部機器を通知部として利用し、外部機器のディスプレイにメモリ5の異常を通知するようにしても良い。 The notification unit 32 uses a member that can notify by voice such as a speaker. When an abnormality occurs in the memory 5, the user can be notified of the occurrence of the abnormality. The infrared sensor module 31 may be connected to an external device having a display via an output terminal, the external device may be used as a notification unit, and the display of the external device may be notified of an abnormality in the memory 5.

実施の形態2の赤外線センサモジュール31では、メモリ5の異常を検出したときに、メモリ5に異常が発生したことを通知する。ここで、通知方法を重要度で分けても良い。この場合、第1の処理回路3に設けられたメモリ5が全て異常な値の場合と3個のメモリ5が全て異なる値の場合はメモリ5に重大な異常が発生したことを通知し、第1の処理回路3に設けられたメモリ5の少なくとも1つが正常で他に異常なメモリ5がある場合には通常の通知の仕方でメモリ5の異常を通知する。この様に、異常の重要度で通知方法を変えることでユーザが詳細に状況を知ることができるため、柔軟にメモリ5の異常に対応することができるようになる。 In the infrared sensor module 31 of the second embodiment, when an abnormality in the memory 5 is detected, the infrared sensor module 31 notifies that the abnormality has occurred in the memory 5. Here, the notification method may be divided according to importance. In this case, when all the memories 5 provided in the first processing circuit 3 have abnormal values and when all three memories 5 have different values, it is notified that a serious abnormality has occurred in the memory 5 and the second is notified. When at least one of the memories 5 provided in the processing circuit 3 of 1 is normal and there is another abnormal memory 5, the abnormality of the memory 5 is notified by a normal notification method. In this way, by changing the notification method according to the importance of the abnormality, the user can know the situation in detail, so that the abnormality of the memory 5 can be flexibly dealt with.

この様に、実施の形態4の赤外線センサモジュール31では、異常が発生したときに通知することでユーザに異常を知らせることができる。また、実施の形態1〜3の様に、異常が発生したメモリ5の値を変更したり、異常が発生したメモリ5を参照しなくしたり、電源をリセットしたりしても良い。この様に、実施の形態1〜3の対応と通知を組み合わせることにより、ユーザは赤外線センサモジュール31を使用しながらメモリ5に異常が発生したことを知ることができる。 As described above, in the infrared sensor module 31 of the fourth embodiment, the user can be notified of the abnormality by notifying when the abnormality occurs. Further, as in the first to third embodiments, the value of the memory 5 in which the abnormality has occurred may be changed, the memory 5 in which the abnormality has occurred may not be referred to, or the power supply may be reset. In this way, by combining the correspondence of the first to third embodiments and the notification, the user can know that an abnormality has occurred in the memory 5 while using the infrared sensor module 31.

本開示は、第1の処理回路と第2の処理回路に設けられたメモリに異常が発生したときにメモリの状態に応じた対応ができるため、空調機器での温度検知などに有用である。 The present disclosure is useful for temperature detection in air-conditioning equipment and the like because it is possible to respond according to the state of the memory when an abnormality occurs in the memories provided in the first processing circuit and the second processing circuit.

1、11、21、31 赤外線センサモジュール
2 赤外線センサ
3 第1の処理回路
4 第2の処理回路
5 メモリ
6 判定部
7 変更部
8 センサ信号出力端子
22 出力端子
23 電源制御部
32 通知部
1, 11, 21, 31 Infrared sensor module 2 Infrared sensor 3 First processing circuit 4 Second processing circuit 5 Memory 6 Judgment unit 7 Change unit 8 Sensor signal output terminal 22 Output terminal 23 Power supply control unit 32 Notification unit

Claims (7)

被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサと、
前記赤外線センサの出力信号を信号処理する第1の処理回路と、
前記第1の処理回路の出力信号を信号処理する第2の処理回路と、
前記第2の処理回路の出力値を記録する少なくとも3個以上のメモリと、
前記メモリに記録された値を互いに比較して前記メモリの状態を判定する判定部と、
前記メモリに記録された値を変更する変更部を有し、
前記メモリは前記第1の処理回路と前記第2の処理回路の夫々に少なくとも1つ設けられ、
前記判定部が、記録された値が他のどの前記メモリの値とも一致しない異常な値が記録された前記メモリが少なくとも1つ存在すると判定した場合に、前記変更部が異常な値が記録された前記メモリの値を正常な値が記録された前記メモリの値に変更する赤外線センサモジュール。
An infrared sensor that detects infrared rays to be measured and
A first processing circuit that processes the output signal of the infrared sensor, and
A second processing circuit that processes the output signal of the first processing circuit, and
At least three or more memories for recording the output value of the second processing circuit, and
A determination unit that determines the state of the memory by comparing the values recorded in the memory with each other.
It has a change part that changes the value recorded in the memory.
At least one memory is provided in each of the first processing circuit and the second processing circuit.
When the determination unit determines that there is at least one memory in which an abnormal value in which the recorded value does not match the value of any other memory is recorded, the change unit records the abnormal value. An infrared sensor module that changes the value of the memory to the value of the memory in which a normal value is recorded.
被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサと、
前記赤外線センサの出力信号を信号処理する第1の処理回路と、
前記第1の処理回路の出力信号を信号処理する第2の処理回路と、
前記第2の処理回路の出力値を記録する少なくとも3個以上のメモリと、
前記メモリに記録された値を互いに比較して前記メモリの状態を判定する判定部を有し、
前記メモリは前記第1の処理回路と前記第2の処理回路の夫々に少なくとも1つ設けられ、
前記判定部が、記録された値が他のどの前記メモリの値とも一致しない異常な値が記録された前記メモリが少なくとも1つ存在すると判定した場合に、前記第1の処理回路と前記第2の処理回路は異常な値が記録された前記メモリの値を参照しなくなる赤外線センサモジュール。
An infrared sensor that detects infrared rays to be measured and
A first processing circuit that processes the output signal of the infrared sensor, and
A second processing circuit that processes the output signal of the first processing circuit, and
At least three or more memories for recording the output value of the second processing circuit, and
It has a determination unit that determines the state of the memory by comparing the values recorded in the memory with each other.
At least one memory is provided in each of the first processing circuit and the second processing circuit.
When the determination unit determines that there is at least one memory in which an abnormal value in which the recorded value does not match the value of any other memory is recorded, the first processing circuit and the second processing circuit are used. The processing circuit of is an infrared sensor module that does not refer to the value of the memory in which an abnormal value is recorded.
被測定対象の赤外線を検出する赤外線センサと、
前記赤外線センサの出力信号を信号処理する第1の処理回路と、
前記第1の処理回路の出力信号を信号処理する第2の処理回路と、
前記第2の処理回路の出力値を記録する少なくとも3個以上のメモリと、
前記メモリに記録された値を互いに比較して前記メモリの状態を判定する判定部と、
前記判定部の判定結果を出力する出力端子を有し、
前記メモリは前記第1の処理回路と前記第2の処理回路の夫々に少なくとも1つ設けられ、
前記判定部が、記録された値が他のどの前記メモリの値とも一致しない異常な値が記録された前記メモリが少なくとも1つ存在すると判定した場合に、前記判定部は前記出力端子から信号を出力する赤外線センサモジュール。
An infrared sensor that detects infrared rays to be measured and
A first processing circuit that processes the output signal of the infrared sensor, and
A second processing circuit that processes the output signal of the first processing circuit, and
At least three or more memories for recording the output value of the second processing circuit, and
A determination unit that determines the state of the memory by comparing the values recorded in the memory with each other.
It has an output terminal that outputs the judgment result of the judgment unit.
At least one memory is provided in each of the first processing circuit and the second processing circuit.
When the determination unit determines that there is at least one memory in which an abnormal value in which the recorded value does not match the value of any other memory is recorded, the determination unit outputs a signal from the output terminal. Infrared sensor module to output.
前記出力端子に接続され前記メモリの状態を通知する通知部をさらに有し、
前記通知部は、前記メモリに異常な値が記録されているときに前記メモリの異常を通知する請求項3に記載の赤外線センサモジュール。
Further having a notification unit connected to the output terminal and notifying the state of the memory,
The infrared sensor module according to claim 3, wherein the notification unit notifies an abnormality of the memory when an abnormal value is recorded in the memory.
前記赤外線センサモジュールに電力を供給する電源を制御する前記出力端子に接続された電源制御部をさらに有し、
前記電源制御部は、前記メモリに異常な値が記録されているときに前記電源をリセットする請求項3または4に記載の赤外線センサモジュール。
It further has a power supply control unit connected to the output terminal that controls the power supply that supplies power to the infrared sensor module.
The infrared sensor module according to claim 3 or 4, wherein the power supply control unit resets the power supply when an abnormal value is recorded in the memory.
前記判定部が前記メモリの過半数に異常な値が記録されていると判定した場合、前記赤外線センサの動作を停止する請求項1〜5のいずれかに記載の赤外線センサモジュール。 The infrared sensor module according to any one of claims 1 to 5, wherein when the determination unit determines that an abnormal value is recorded in a majority of the memory, the operation of the infrared sensor is stopped. 前記判定部が前記赤外線センサに設けられた全ての前記メモリの値が異常な値であると判定した場合、前記赤外線センサの動作を停止する請求項1〜5のいずれかに記載の赤外線センサモジュール。 The infrared sensor module according to any one of claims 1 to 5, wherein when the determination unit determines that all the values of the memories provided in the infrared sensor are abnormal values, the operation of the infrared sensor is stopped. ..
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