JP6960860B2 - トランスデューサ転写スタック - Google Patents

Description

本発明は、概して、トランスデューサアセンブリの分野に関し、トランスデューサを物品に取り付けるために使用されることができる。特にそれは、医療装置に対する圧電トランスデューサの取り付けに関し、例えば、医療ニードルに圧電超音波トランスデューサを取り付けるために使用されることができる。

マイクロマシニング及びプラナー処理のような技術の進歩は、様々なトランスデューサの製造を可能にしており、それは、に電子デバイス、光学素子、バイオテクノロジー、ソーラー技術から医療装置の分野にまで及ぶ産業のすべての分野において使用されることができる。超音波、サーマル、光学及び機械装置を含むこれらのトランスデューサは、さまざまな種類の検知及びエネルギー変換アプリケーションを可能にている。従来、このようなアプリケーションにおいて使用されるトランスデューサは、それらが最終的に使用されるデバイス内に個別に製作される。従って、トランスデューサを、それらが使用されるデバイスに取り付ける方法のニーズがある。このニーズの１つの例は、未公開の国際出願第ＰＣＴ／ＩＢ２０１５／０５２４２５号に示されるような医療装置の分野にある。これにおいて、積層（ラミネーション）及び堆積プロセスを用いて製造される圧電センサは、超音波ベースの追跡アプリケーションにおいて使用される医療装置に取り付けられなければならない。このニーズは、本質的に平坦なデバイスを、例えばカテーテル又はニードルのシャフトのような曲面に転写（transfer）するためのニーズによって一層加重される。

文献"Fabrication of Flexible Transducer Arrays With Through-Wafer Electrical Interconnects Based on Trench Refilling With PDMS" by Xuefeng Zhuang et al, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL. 17, NO. 2, APRIL 2008は、側方監視超音波イメージングアプリケーション用のカテーテル先端部の周りに可撓性トランスデューサアレイを巻くための技法を開示する。開示される技法は、シリコン基板にポリマ充填される深い溝を形成することによる、可撓性の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）アレイの構造を含む。ピンセットが、その後、カテーテル先端部の円形断面の周りに可撓性トランスデューサを巻くために使用される。

米国特許出願公開第2010/0200538A1号公報は、無機の基板を含むアナライトセンサコンポーネントの製作を開示しており、基板には、剥離層、それらの間の電極を絶縁する第１の可撓性誘電層及び第２の可撓性誘電層、電極を接続するトレース及び接触パッド、並びに複数のセンサの接触パッドが堆積される。開口は、関心のあるアナライトの検出のために及び外部電子素子との電気接続のために、アナライト検知メンブレンを受けるように、電極の１又は複数の上の誘電層の１つに設けられる。複数の製造されたセンサコンポーネントは、無機の基板から持ち上げられ、離される。

米国特許出願公開第2015/0126834A1号公報は、電気化学的バイオセンサ及び化学物質センサの製作に関する。表皮性バイオセンサは、電気化学的センサを提供するために紙ベースの基板の被覆された表面上に形成される電極パターンを有する。電極パターンは、特定の設計レイアウトで構成される導電材料及び電気絶縁材料を有する。接着シートは、電極パターンを有する電気化学センサの表面に取り付けられ、接着シートは、皮膚又は着用できるアイテムに付着することができ、電気化学センサは、皮膚又は着用できるアイテムに取り付けられるとき、外部環境内の化学物質アナライトを検出するように動作する。

本発明は、上述の及び関連したニーズの上述の及び他の知られている解決策の欠点に対処することを目指す。

本発明の目的は、物品にトランスデューサを取り付ける装置および方法を提供することである。更に、独立請求項に規定される方法及び装置が提供される。

本発明の１つの見地によれば、物品Ａに、トランスデューサＴを有する周囲Ｐ内のフォイルの部分を転写するための転写スタックＴＳが提供される。物品は、カテーテル、カニューレ又はニードルのような医療装置でありえ、転写スタックは、トランスデューサを曲面に転写するのに特に適している。しかしながら、転写スタックは、物品の表面トポグラフィに関係なく、概して物品にトランスデューサを含むフォイルの部分を取り付けるために、更に有用である。転写スタックは、担体基板ＣＳ、周囲Ｐによって側方を囲まれるトランスデューサＴを有するフォイルＦ、及び接着層ＡＬを含む。フォイルＦの第１の表面Ｓ１は、担体基板に取り付けられ、接着層ＡＬは、フォイルＦの第２の表面Ｓ２に取り付けられる。

フォイルＦの第１の表面Ｓ１は、担体基板ＣＳに対し垂直方向に及びフォイルＦのエッジＥＦ１、ＥＦ２に、第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１を克服する剥離力を印加することによって、担体基板ＣＳから分離可能である。接着層ＡＬは、フォイルＦと物品Ａの間の接着を提供し、物品Ａが、接着層ＡＬを介してフォイルに取り付けられるとき、フォイルＦの第２の表面Ｓ２は、フォイルＦのエッジＥＦ１、ＥＦ２において、物品Ａの表面に対し垂直方向に、第２の剥離抵抗力ＰＲＦ２を克服する剥離力を印加することによって、物品Ａの表面から分離可能である。更に、第２の剥離抵抗力ＰＲＦ２は、第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１より大きい。こうして、トランスデューサ支持フォイルが、一方の表面Ｓ２上に接着層を有し、接着層が、フォイルを担体基板から剥がすのに必要な力よりも、フォイルを物品から剥がすのにより大きな力を必要とするような、転写スタックが提供される。更に、フォイルＦは、少なくともトランスデューサＴを有する周囲Ｐの部分に沿って切り込みを入れられ、それにより、物品Ａがフォイルに取り付けられ、その後、担体基板ＣＳに垂直な方向に剥離される際、周囲Ｐ内のフォイルの部分は、第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１を克服することによって、周囲Ｐにおいて担体基板から分離され、周囲Ｐ内のフォイルの部分は、物品Ａに取り付けられたままになる。

周囲Ｐに沿った切り込みを提供することによって、周囲を有するフォイルの部分は、フォイルから分離され、それによって、トランスデューサを有する部分のみが物品に転写されることを可能にする。第２の剥離抵抗力ＰＲＦ２が第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１より大きいので、物品が、接着層ＡＬに例えば押圧され、その後、物品Ａが、担体基板ＣＳから引き離されるとき、周囲Ｐ内のフォイルＦの部分は、担体基板ＣＳから分離され、物品Ａに取り付けられたままである。

代替として、周辺Ｐ内のフォイルＦの部分は、接着層ＡＬの表面に沿って物品Ａを転がすことによって、担体基板ＣＳから分離されることができる。

本発明の別の見地によれば、接着層ＡＬは、取り外し可能な外側ライナ層ＲＯＬを更に有する。取り外し可能な外側ライナ層ＲＯＬは、転写スタックのアセンブリの間、物品への取り付けの前に、接着層を保護する働きをする。更に、ある実施形態において、取り外し可能な外側ライナ層は、周囲Ｐの外側にのみ存在する。

これは、周囲Ｐの外側の材料が、担体基板ＣＳに取り付けられたままであることを可能にして、それにより物品Ａへのその転写を防ぐことによって、物品Ａへの、周囲Ｐ内のフォイルの部分の転写の容易さを改善する。

しかしながら、周囲Ｐの対応する接触表面領域により物品Ａを取り付けることによって、または、接着層ＡＬを除去することによって、または、物品Ａの取り付けの前に周囲Ｐの外側の接着層ＡＬ及びフォイルを除去することによって、物品Ａに周囲Ｐ内のフォイルの部分を転写することは可能であるので、ＲＯＬ層は必須ではない。

本発明の別の見地によれば、転写スタックＴＳは、更に、担体基板ＣＳに取り付けられる支持基板ＳＳを具備する。更に、支持基板ＳＳは、担体基板ＣＳのへ押し込み硬度値を越える押し込み硬度値を有する材料から形成される。担体基板のそれと比較した支持基板により提供される増大される押し込み硬度は、転写スタックのアセンブリの最中、フォイルと担体基板との間の改良されたボンディング、特にボンディングの改良された均一性を容易にする。支持基板ＳＳは、更にスタックのアセンブリの最中、周囲Ｐ内のトランスデューサＴのアライメントを許容する剛性を提供し、より簡単な処理及び運搬を容易にする。

本発明の別の見地によれば、接着層ＡＬとフォイルＦとの間のインタフェースは、接着層−フォイルインタフェースＡｌｆＩを規定する。さらに、フォイルＦと担体基板ＣＳ間のインタフェースは、フォイル―担体基板インタフェースＦＣＳＩを規定する。接着剤層―フォイルインタフェースＡＬＦＩの範囲は、周囲Ｐを越えて延在する。

言い換えると、連続接着剤層は、周囲Ｐ内に及び周囲Ｐを超えて延在する。

これは、周囲内のフォイルの部分と物品との間のボンディングを改良する。更に、接着剤層−フォイルインタフェースＡＬＦＩの範囲は、フォイル−キャリア基板インタフェースＦＣＳＩの範囲内であり、それにより、接着剤層ＡＬのエッジＥＡＬ１、ＥＡＬ２とフォイルＥＦ１、ＥＦ２のエッジの間に、ギャップＧＡＬＦ１、ＧＡＬＦ２がある。ギャップＧＡＬＦ１、ＧＡＬＦ２は、転写スタックのハンドリング及びアセンブリの間、フォイルの抵抗を、フォイルエッジＥＦ１、ＥＦ２における剥離にまで高める。

本発明の別の見地によれば、接着剤層ＡＬとフォイルＦとののインタフェースが接着剤層−フォイルインタフェースＡＬＦＩを規定し、フォイルＦと担体基板ＣＳとの間のインタフェースは、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩを規定するよう、転写スタックが規定される。更に、接着剤層−フォイルインタフェースＡＬＦＩの範囲は、周囲Ｐを越えて延在し、接着剤層―フォイルインタフェースＡＬＦＩの範囲は、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩの範囲内にあり、こうして、ギャップＧＡＬＦ１、ＧＡＬＦ２が、接着剤層ＡＬのエッジＥＡＬ１、ＥＡＬ２とフォイルＥＦ１、ＥＦ２のエッジとの間にある。さらに、転写スタックは、支持基板ＳＳを有し、支持基板ＳＳは、フォイルＦと接触する境界ＢＳＳをもつ平坦面を有し、担体基板（ＣＳ）は、層の形である。更に、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩは、支持基板ＢＳＳの平坦面の境界を超えて延在する。このように、担体基板層及びフォイルが支持基板のエッジの周りに基本的に巻かれている転写スタックが規定される。エッジは、トランスデューサに面する支持基板表面のエッジでありえ、または、トランスデューサと反対を向く支持基板の逆側にあってもよい。これらのエッジのいずれか越えて担体基板層及びフォイルを巻くことによって、そのアセンブリの最中に転写スタックの安定性、及びハンドリング中のデラミネーションに対する抵抗が、改善される。これは、特に取り外し可能な外側ライナ層ＲＯＬを接着層Ａが更に有する実施形態において有利であり、なぜなら、物品を接着層に取り付けることに先立つその除去は、デラミネーションをもたらす危険があるからである。

本発明の別の見地によれば、周囲Ｐ内のフォイルＦの部分は、物品に取り付けられる。この部分は概して他の物品に取り付けられることもできるが、物品は、例えばカテーテル、カニューレ、ニードル又は外科ツールのような医療装置でありうる。

本発明の別の見地により、物品Ａに対して周囲Ｐ内のフォイルＦの部分を取り付ける方法が開示される。物品は、医療ニードルのような医療装置でありうる。方法によれば、物品は、接着層に押圧され、又は上記の部分を物品に取り付けるために、接着層の表面に沿って転がされる。取り付けは、周囲Ｐの少なくとも一部に沿った切り込みによって容易にされる。

切り込みは、周囲内のフォイルの部分を剥離するのに必要な垂直に印加される力、すなわち第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１を克服するために必要な大きさの力を、低減する。

本発明において利用される原理を例示する３つの例示の層構造（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）を示す図。 本発明のある見地による、転写スタックＴＳの断面図（２Ａ）、平面図（２Ｂ）及び斜視図（２Ｃ）を示す図。 本発明の別の見地による、転写スタックＴＳの断面図（３Ａ）及び平面図（３Ｂ）を示す図。 担体基板ＣＳがローラーの形である転写スタックＴＳの断面図（４Ａ）及び斜視図（４Ｂ）を示す図。 支持基板ＳＳがフォイルＦと接触する境界ＢＳＳを有する平坦表面を有し、担体基板ＣＳが層の形であり、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩが支持基板ＢＳＳの平坦表面の境界を超えて延在する、転写スタックＴＳの２つの実施形態の断面図を示す図。 別の実施形態を示しており、６Ａは、アセンブルされた装置として、周囲Ｐ内のフォイルＦの部分が医療ニードルＭＮに取り付けられている例を示し、６Ｂは、接着層ＡＬの表面全体にニードルＭＮを転がす例を示し、６Ｃは、接着層にニードルＭＮを押圧する例を示す図。 本発明のある見地によれば、転写スタックＴＳの一実施形態断面図（７Ａ）及び平面図（７Ｂ）を示す図。

上述のように、本発明は、トランスデューサＴを有する周囲Ｐ内のフォイルの部分を、物品Ａに転写するための転写スタックＴＳを提供する。

更に、部分を有する物品、転写スタックを形成する方法、及び周囲Ｐ内のフォイルＦの部分を物品に取り付ける方法が、開示される。

転写スタック及び関連する方法は、トランスデューサ（すなわちセンサ又はアクチュエータ）を医療装置に取り付けることが可能であることが望ましい医療分野において適用例を見出す。転写スタックが医療分野において適用例を見出す一方で、転写スタックは、概して、更により広い適用例をトランスデューサの技術分野において見出す。

図１は、本発明において利用される原理の幾つかを例示する３つの例示的な層構造（Ａ、Ｂ、Ｃ）を示す。図１Ａにおいて、層Ｌ１は、例えばファンデルワールス力又は接着層によって、基板Ｓに取り付けられる。基板Ｓ及び層Ｌ１は、紙に垂直な方向も延在する平坦な層である。基板Ｓから層Ｌ１を分離するために、力ＦＮが、図示されるように、層Ｌ１のエッジＥにおいて、基板Ｓの表面に垂直な方向に印加されることができる。剥離抵抗力Fpeel_{L1, S}が克服されると、層Ｌ１の分離が生じる。代替として、力ＦＴが、層Ｌ１を除去するために、基板Ｓの表面に対し接線方向に印加されることができる。接線保持力Ftang_{L1, S}が克服されると、層Ｌ１の分離が生じる。層Ｌ１と基板Ｓの間のインタフェース領域と比較して、エッジＥ付近の剥離ゾーンの低減された表面領域のため、Fpeel_{L1, S}は、通常は、Ftang_{L1, S}より非常に小さい。

図１Ｂにおいて、付加層Ｌ２が、層Ｌ１に取り付けられている。層Ｌ２は、接着層を表すことができ、層Ｌ１は、該接着層を介して物品Ａの表面に取り付けられることができる。

接着層は、例えば感圧接着剤でありうる。接着層は、任意には、取り外し可能な外側ライナ層と呼ばれる保護層によって更にコーティングされることができ、取り外し可能な外側ライナ層は、一般に、に「ライナ」と称され、スタックＳ−Ｌ１−Ｌ２のアセンブリの最中、接着層を保護するために使用される。物品Ａの表面は、例えば、金属又はポリマから形成されることができる。物品Ａに層Ｌ１を転写するために、層Ｌ１は、基板Ｓからリリースされなければならない。

図示される例示の円形断面図で示される物品の場合、これは、任意の取り外し可能な外側ライナ層を除去し、層Ｌ２の表面全体に物品Ａを転がすことによって達成されることができる。こうして、この形状又は他の形状を有する物品は、層Ｌ２に物品を押圧することによって、取り付けられることができる。再び、Fpeel_{L1, S}は、基板Ｓから層Ｌ１をリリースするためにエッジＥ１において基板Ｓの表面に垂直な方向に力を印加することによって克服されなければならない剥離抵抗力を規定する。

同様に、Fpeel_{L2, A}は、物品Ａから層Ｌ２をリリースするためにエッジＥ２において物品Ａの表面に垂直な方向の力を印加することによって克服されなければならない剥離抵抗力を規定する。

層Ｌ２を介して物品Ａを層Ｌ１に取り付け、その後基板Ｓをリリースするために、Fpeel_{L2, A}は、Fpeel_L1,Sより大きいものであるべきである。

比率Fpeel_{L2, A}：Fpeel_L1,Sは、好適には２：１に等しい又はそれより大きく、好適には１０：１、１００：１又は１０００：１に等しく又はそれより大きい。高い比率は、より薄い材料が使用されることを可能にするとともに、より高い転写歩留まりが達成されることを可能にするので、好ましい。従って、物品Ａ及び基板Ｓを押圧し及び引き離すことによって、または層Ｌ２の表面全体に物品Ａを転がすことによって、層Ｌ１は物品Ａに取り付けられることができ、層Ｌ１は基板Ｓからリリースされる。

図１Ｂの装置の制限は、層Ｌ１のリリースの容易さを可能にするために可能な限り剥離抵抗力Fpeel_{1, S}を小さくするニーズが、スタックのアセンブリの間、スタックＳ−Ｌ１−Ｌ２が、層Ｌ１の自発的な剥離を受けやすくなることである。任意のライナ層が使用される場合、層Ｌ２の表面からのライナ層の除去は更に、層Ｌ１のデラミネーションをもたらす危険がある。更に、過剰な接着剤が基板Ｓ上に流出することを防ぐために、層Ｌ１とＬ２の間の正確なアライメントが必要とされる。

図１Ｃの装置は、それぞれ層１及び層２のエッジＥ１、Ｅ２をずらすことによって、図１Ｂ装置の制限を解決する。層Ｌ２は、層Ｌ１の範囲内にあり、ギャップＧが接着層Ｌ２のエッジＥ２と層Ｌ１のエッジＥ１との間にある。従って、層Ｌ１は、基板Ｓに対してわずかに弱く取り付けられるが、層Ｌ１と基板Ｓとの間のインタフェースに対し垂直な方向にエッジＥ２において印加される力は、剥離抵抗力Fpeel_L1,Sを克服しなければならないだけでなく、図１ＡのFtang_{1, S}に関連して記述されるせん断又は接線方向抵抗力も克服しなければならない。

こうしてエッジＥ２におけるフォイルＬ２のデラミネーションのリスクを低減することによって、層Ｓ−Ｌ１−Ｌ２のスタックのロバストネスが改善される。デラミネーションをもたらさずに、これは、Ｌ２にそのアタッチメントの間、接着層Ｌ２の表面上の対象Ａの操作の同じ程度を可能にする。任意の取り外し可能な外側ライナ層がＬ２の表面に使用される場合、ライナの除去中のデラミネーションのリスクが更に低減される。更に、接着層Ｌ２及び層Ｌ１を正確にアラインするためのニーズを除くことによって、製造が簡略化される。

図１Ｂおよび図１Ｃに図示される原理は、層Ｌ２と向き合うエッジＥＳＴを越えて、基板Ｓに相対的に弱く取り付けられる少なくとも層Ｌ１を巻くことによって、更に拡張されることができる。層Ｌ１は、対象Ａに取り付けることが望ましいトランスデューサを更に有することができる。

これは、デラミネーションのリスクを更に低減する。更に、それは基板Ｓの使用できる表面領域の量を増大させ、それによって、廃棄量を低減する。基板Ｓの反対側の面にあるエッジＥＳＲを越えて層Ｌ１を包むことによって、デラミネーションのリスクが一層低減される。図１Ｃは更に、例示の切り込み位置Ｃ１、Ｃ２を示し、層Ｌ１は、物品Ａに選択的に取り付けることが望ましい層Ｌ１のセクションの周囲を規定するために、切り込み位置Ｃ１、Ｃ２において、基板Ｓの表面に垂直な方向にそれぞれ切り込みを入れられることができる。

セクションの周囲に沿ってこのような切り込みラインを提供することによって、物品Ａが、層Ｌ２の露出表面に押圧され又は転がされる場合、切り込みラインによって規定される周囲内の層Ｌ２の部分を除去するのに必要とされる力は、低減される。切り込みラインが連続する経路を規定する場合、周囲内の層Ｌ２の部分を除去するのに必要とされる力は、剥離抵抗力Fpeel_L1,Sに低減される。

周囲に沿った部分的な又は不連続な切り込みラインは更に、剥離抵抗力Fpeel_L1,Sの方へ周囲内の層Ｌ２の部分を除去するのに必要とされる力を低減するために使用されることができる。

図２は、本発明の幾つかの見地による、転写スタックＴＳの一実施形態の断面図（図２Ａ）、平面図（図２Ｂ）及び斜視図（図２Ｃ）を示す。図２の転写スタックは、物品Ａに、トランスデューサＴを有する周囲Ｐ内のフォイルの部分を転写するように適応されている。

好適には、物品Ａは、医療ニードルのような医療装置である。代替として、物品は、概して、トランスデューサＴが最終的にその上で使用される支持デバイスであることができる。物品Ａの表面は、例えば、ステンレス鋼、スチール、アルミニウム、銅、クロムを含む金属、または、合成ラバー、フェノールホルムアルデヒド樹脂（または、ベークライト）、ネオプレン、ナイロン、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ又はビニル）、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリロニトリル、ＰＶＢ、シリコンを含むポリマ、から形成されることができるが、これらの例示の材料に制限されない。転写スタックＴＳは、担体基板ＣＳと、周囲Ｐによって水平方向に関して囲まれており、トランスデューサＴを有するフォイルＦと、接着層ＡＬと、を有し、周囲Ｐは、フォイルＦの水平方向の範囲内にある。担体基板ＣＳは、例えば、シリコン、ラバー、ＰＶＣ、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ワックスのような材料、または、ポリフッ化ビニリデンのような熱可塑性物質フルオロポリマーから形成されることができる。このような材料は、後述されるように、転写スタックをアセンブルするプロセスの利益を得ることができる可鍛性の程度を示す。好適には、担体基板ＣＳは、シリコンから形成される。例えば層Ｌ１が第２の接着層を通じて基板Ｓに取り付けられる場合、代替として、パースペックス又はガラスのようなより高い剛性の材料が、担体基板のために使用されることができる。しかしながら、層Ｌ１がファンデルワールス力を通じて基板Ｓに取り付けられる場合、上で例示的に列挙したより可鍛性の高い材料は、それらがより高い変形性を提供し、これはファンデルワールス力の相互作用を改善するので、好ましい。フォイルＦは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）を含むポリマ材料から、形成されることができる。１つの例において、トランスデューサＴは、例えば成形プロセスを使用して、フォイルＦ内に形成され、別の例において、トランスデューサＴは、互いに結合される２又はそれ以上ポリマシートの間にラミネートされ、それにより、最も外側の表面Ｓ１、Ｓ２を有する単一フォイルＦを形成する。トランスデューサＴとの電気接触を作る電気ワイヤ又は電気導電性ストリップが、フォイルＦ内に更に含められることができる。

トランスデューサＴは、任意のトランスデューサでありえ、すなわち、電気エネルギーを別の形のエネルギーに変換する、又はその逆に変換するデバイスでありうる。非限定的な特定のセンサの例は、超音波トランスデューサ、温度センサ、フォトセンサー、振動センサを含む、音響センサ、ＭＥＭセンサ圧力センサであり、非限定的なアクチュエータの例は、超音波エミッタ、音響エミッションデバイス、圧電振動子、ヒーター及び発光デバイス（例えばＬＥＤ又はＯＬＥＤ）を含む。好適には、トランスデューサＴは、ポリフッ化ビニリデン層（すなわちＰＶＤＦ層）、またはポリフッ化ビニリデントリフルオロエチレン（Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ））層のようなＰＶＤＦコポリマ、またはＰ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ−ＣＴＦＥ）のようなＰＶＤＦターポリマ、から形成され、トランスデューサＴは、超音波トランスデューサでありうる。ＰＶＤＦ層は、２枚のＰＥＴシートのＰＳＡ（感圧接着剤）コーティングされた表面の間にラミネートされて、単一フォイルＦが形成される。

感圧接着剤は、圧力の印加時に接着接合を形成する種類の材料である。適切な感圧接着剤は、３Ｍ社によって作られる製品２８１１ＣＬを含む。これらは、３Ｍ社によって供給される製品９０１９のようなＰＳＡコートされたポリマシートとして供給されることができる。周囲Ｐは、フォイルの表面上のトランスデューサＴの周りに輪郭を規定し、トランスデューサの水平方向の範囲と一致することができ、または、トランスデューサの周りにマージンを有することもでき、後者の例は、図２Ｂに示されている。

図２の実施形態において、フォイルＦの第１の表面Ｓ１は、担体基板に取り付けられ、接着層ＡＬが、フォイルＦの第２の表面Ｓ２に取り付けられる。

好適には、フォイルＦの第１の表面Ｓ１は、ファンデルワールス力によって担体基板ＣＳに取り付けられる。ファンデルワールス力は、Keesom力、デバイ力及びLondon分散力を含む分子間力である。ファンデルワールス力を通じて担体基板ＣＳにフォイルＦの第１の表面Ｓ１が取り付けられることが好ましく、その理由は、これが、フォイルの第１の表面と担体基板との間の相対的に弱いボンディング強度を提供するからである。上述したように、これは、その後の担体基板ＣＳからのリリースに備えて、フォイルＦの一時的な取り付けを提供するために使用されることができる。代替として、上述した感圧接着剤層のような第２の接着層ＡＬ２（図示せず）が、所望の一時的な取り付けを達成するために、フォイルＦと担体基板ＣＳとの間に配されることができる。更に、接着層ＡＬが、フォイルＦの第２の表面Ｓ２に取り付けられる。

好適には、フォイルの第２の表面は、ＰＳＡコーティングされたシートの表面によって提供される。

図２の実施形態において、フォイルＦの第１の表面Ｓ１は、担体基板ＣＳに対し垂直方向に、フォイルＦのエッジＥＦ１、ＥＦ２に、第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１を克服する剥離力を印加することによって、担体基板ＣＳと分離可能である。更に、接着層ＡＬは、フォイルＦと物品Ａとの間の接着を提供するように構成され、それにより、物品Ａが接着層ＡＬを介してフォイルＦに取り付けられるとき、フォイルＦの第２の表面Ｓ２は、物品Ａの表面に対し垂直方向に、フォイルＦのエッジＥＦ１、ＥＦ２に、第２の剥離抵抗力ＰＲＦ２を克服する剥離力を印加することによって、物品Ａの表面と分離可能である。接着層ＡＬは、概して接着層でありうる。更に、第２の剥離抵抗力ＰＲＦ２は、第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１より大きい。好適には接着層ＡＬは、所望の強度の信頼できる結合を提供する感圧接着剤（すなわちＰＳＡ）から形成され、こうして、その抵抗力は、好適には第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１を提供する好適なファンデルワールス力によって提供される抵抗力より大きい。

図２の実施形態において、フォイルＦは、少なくともトランスデューサＴを含む周囲Ｐの部分に沿って切り込みを入れられており、それにより、物品Ａがフォイルに取り付けられ、その後担体基板ＣＳに垂直な方向に剥がされる際、周囲Ｐ内のフォイルの部分が、第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１を克服することによって、周囲Ｐにおいて担体基板から分離され、周囲Ｐ内のフォイルの部分は、物品に取り付けられるままになる。これを行う際、周囲Ｐ内にフォイルの部分を含むトランスデューサＴは、物品Ａに、選択的に及び信頼性をもって取り付けられる。

例示されない本発明の別の実施形態において、図２の実施形態は更に、取り外し可能な外側ライナ層ＲＯＬを提供される。取り外し可能な外側ライナ層ＲＯＬは、転写スタックのアセンブリ中、物品に対するその取り付けの前、接着層を保護するように働く。取り外し可能な外側ライナは、例えば、パラフィンペーパーシートから形成されることができ、かかるシートは、物品Ａを接着層に取り付ける前に、接着層ＡＬからシートが容易に取り外しできるようにする。

図３は、本発明のある見地による、転写スタックＴＳの別の実施形態の断面図（図３Ａ）及び平面図画（図３Ｂ）を示す。図３の実施形態は、それが上述の特性を有する任意の取り外し可能な外側ライナ層ＲＯＬを有する点で、図２の実施形態と異なる。図３の実施形態は更に、ＲＯＬ層なしで使用されることもできる。図３の実施形態は更に、接着層ＡＬとフォイルとの間のインタフェースが、接着層−フォイルインタフェースＡｌＦＩを規定し、フォイルＦと担体基板ＣＳとの間のインタフェースが、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩを規定する点で、図２の実施形態と異なる。更に、接着層−フォイルインタフェースＡＬＦＩの範囲は、周囲Ｐを越えて延在し、接着層−フォイルインタフェースＡＬＦＩの範囲は、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩの範囲内にあり、ギャップＧＡＬＦ１、ＧＡＬＦ２が、接着層ＡＬのエッジＥＡＬ１、ＥＡＬ２とフォイルＥＦ１、ＥＦ２のエッジとの間にある。これらのギャップは、１次元、すなわちｘ方向であり、又は２つの垂直な方向、すなわちｘ及びｙ方向にありうる。

ギャップＧＡＬＦ１、ＧＡＬＦ２は、転写スタックのアセンブリの最中、例えば接着層ＡＬをフォイルＦに適用する際、フォイルエッジＥＦ１、ＥＦ２における剥離に対するフォイルの抵抗を改善する。

これは、部分的に、接着層ＡＬの堆積がフォイルエッジＥＦ１、ＥＦ２から離れたところで実施されるからであり、フォイルエッジＥＦ１、ＥＦ２は、特に担体基板に関して垂直に適用される力の結果としてのデラミネーションに影響されやすい。更に、任意の取り外し可能なライナＲＯＬが、周囲Ｐ内のトランスデューサを物品Ａに取り付けるために除去されるとき、フォイルは担体基板ＣＳから離れにくくなる。これは、接着層エッジＥＡＬ１、ＥＡＬ２において担体基板からフォイルを分離するために、これらのエッジＥＡＬ１、ＥＡＬ２において垂直に印加される剥離力が、この位置のフォイルと担体基板との間の接線方向抵抗力を克服しなければならず、接線方向抵抗力は通常、垂直に規定される第１の剥離抵抗力ＰＲＦ１よりずっと大きいという理由により、達成される。これは、接着テープのセクションを表面から剥がす場合の差として思い描くことができる。この原理は、特に図１Ｃに関して記述される。垂直方向の印加力が使用される場合、除去は相対的に容易である。せん断又は接線力が適用される場合、層を除去することは非常に難しい。接着層エッジＥＡＬ１、ＥＡＬ２におけるギャップは、フォイルのエッジにおける面内力に対する接着層での垂直印加力を解決する。更に剥離に対する改善された抵抗は、その後のハンドリング中、転写スタックの安定性を増大する。従って、フォイルと担体基板との間の相対的に弱い取り付けと、物品に対する良好なボンディングを提供する相対的により強い接着層ＡＬと、の両方を有する転写スタックが提供され、フォイルと担体基板との間の相対的に弱い取り付けは、物品Ａへの取り付けの間、周囲Ｐ内のトランスデューサのその後のリリースを容易にするために望ましい。

上述のギャップＧＡＬＦ１、ＧＡＬＦ２の長さは、ハンドリング及びアセンブリの最中のロバストネスに関する上述の利点を達成するために、好適には１ｍｍ以上であり、５ｍｍ以上であり、又は１０ｍｍ以上である。

本発明の別の実施形態において、転写スタックは更に支持基板ＳＳを具備する。かかる構成は、ここに記述された実施形態のいずれか、特に図２及び図３の実施形態と組み合わせて使用されることができる。支持基板ＳＳは、担体基板ＣＳに取り付けられ、担体基板ＣＳの押込み硬度値を上回る押込み硬度値を有する材料から形成される。担体基板の押し込み硬度と比較して支持基板によって提供される増大された押込み硬度は、転写スタックのアセンブリの最中、例えば転写スタックのアセンブリ中にフォイルが担体基板に対して押圧されるとき、フォイルと担体基板との間の改善されたボンディング、特にボンディングの改善された一様性を容易にする。ファンデルワールス力がポリイミドフォイルをシリコン担体基板に取り付けるために使用されるとき、この利点が特に現れる。

本発明のある実施形態において、支持基板ＳＳは、例えばローラーのような曲面から形成される。更に及び、転写スタック（ＴＳ）は、ローラーの周りに巻かれる。曲面又はローラーは、特に平坦な表面を有する物品に、周囲Ｐ内のフォイルの部分を速く転写するのに有用である。図４は、転写スタックＴＳの断面図（図４Ａ）及び斜視図（図４Ｂ）を示し、転写スタックＴＳにおいて、担体基板ＣＳがローラーの形である。

他の実施形態において、支持基板ＳＳは、平坦な層でありうる。図５は、転写スタックＴＳの２つの実施形態を断面図で示しており、支持基板ＳＳが、フォイルＦと接触する境界ＢＳＳを有する平坦な表面を有し、担体基板ＣＳが層の形であり、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩが、支持基板ＢＳＳの平坦な表面の境界を超えて延在する。図５Ａにおいて、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩは、境界を規定する支持基板ＳＳエッジと、トランスデューサと反対を向く支持基板の反対側の表面の支持基板ＳＳエッジとの間の位置まで延在し、図５Ｂにおいて、フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩは、トランスデューサと反対を向く支持基板の反対側の表面の支持基板ＳＳエッジを越えて延在する。フォイル−担体基板インタフェースＦＣＳＩをこのように配置することによって、支持基板に垂直な方向の剥離に対する改善された抵抗が達成され、その理由は、次のことにある。

担体基板からフォイルを剥がすために、支持基板の平坦な表面の境界ＢＳＳの接線方向抵抗力が、克服されなければならない。図５Ｂに示されるように、フォイルが、トランスデューサと反対を向く支持基板ＳＳの反対側まで延在する場合に、剥離に対する一層高い抵抗が、達成される。

図６は、別の実施形態を示しており、図６Ａでは、アセンブルされたデバイスとして、周囲Ｐ内のフォイルＦの部分が医療ニードルＭＮに取り付けられており、図６Ｂでは、接着層ＡＬの表面全体にニードルＭＮを転がすことによるアセンブルが示され、図６Ｃでは、接着層にニードルＭＮを押圧することによるアセンブルが示されている。医療ニードルの代わりに、アイテムＭＮは、代替として、例えばカテーテル又はカニューレ又はその他の異なる医療装置でありえ、または、実際、トランスデューサＴが転写されることができる任意のタイプの支持構造でありうる。図６Ａに示すように、接着層ＡＬは、医療ニードルＭＮに対し、トランスデューサＴを有するフォイルＦを固着する。周囲Ｐの少なくとも一部に沿った切り込みは、担体基板に沿ってニードルを転がしたのち、又はニードルと担体基板とを分離したのち、周囲Ｐ内のフォイルの部分が、フォイルと担体基板ＣＳとの間の結合強度と比べて接着層と医療ニードルとの間のより大きな結合強度によって、医療ニードルに取り付けられるままであることを確実にする。周囲に沿った切り込みは、連続的であり、又は代替として、目打ちされたラインの形で、フォイルＦに離散的な切り込みの連続を含むことができる。

図７は、本発明の幾つかの見地による、転写スタックＴＳの一実施形態の断面図（図７Ａ）及び平面図（図７Ｂ）を示す。図７のアイテムは、図２のアイテムに対応する。更に、図７に示される転写スタックＴＳにおいて、フォイルＦは、トランスデューサＴがそれらの間に積層される２枚のシートを有する。図７の２枚の積層シートの外側表面は、フォイルＦの第１の表面Ｓ１及び第２の表面Ｓ２を提供する。

２枚のシートは、ポリマ、好適には電気絶縁ポリマから、好適に形成されるが、代替として、シートのうちの１枚が導電体から作られることもできる。ポリマシートが使用される場合、トランスデューサＴのこのカプセル化はトランスデューサＴを密閉シールし、それにより、それが環境とインタラクトすることを防ぐ。導電性シートは、トランスデューサＴを電気的に保護するために又はそれに取り付けられる導電体を電気的に保護するために、使用されることができる。更に、図７に示される転写スタックＴＳ内のトランスデューサＴは、平坦な層に対し両方とも平行である第１の表面及び第２の表面をもつ平坦な層によって提供される。平坦な層は、フォイルＦの第１の表面Ｓ１及び第２の表面Ｓ２の両方に平行に配置される。

トランスデューサＴは更に、トランスデューサＴの第１の表面と電気的に接触する第１の導電体Ｃｎ１、及びトランスデューサＴの第２の表面と電気的に接触する第２の導電体Ｃｎ２を有する。

電気導体Ｃｎ１、Ｃｎ２は、例えば電気ワイヤでありえ、又は金属のような電気導体から形成される導電トラック又はトレースでありうる。円形断面をもつワイヤが、それらの高い柔軟性のため好ましい。更に、トランスデューサＴは、周囲Ｐ内にある輪郭Ｏｕを有する。

トランスデューサＴは、本願明細書の他の箇所で記述されたトランスデューサのうちの１つでありえ、例えば超音波トランスデューサである。更に、第１の導電体Ｃｎ１及び第２の導電体Ｃｎ２は、両方とも、輪郭Ｏｕを越えて同じ方向に延び、トランスデューサＴの平坦な層に水平な方向において分離されており、それにより、第１の導電体Ｃｎ１及び第２の導電体Ｃｎ２は、トランスデューサＴの平坦な層に対し垂直な方向において重なり合わない。

水平方向の分離は、転写スタックの全体の厚さを低減し、電気導体Ｃｎ１とＣｎ２との間のキャパシタンスを低減し、それらの電気絶縁を改善する。更に、少なくとも、２枚のポリマシートのうち１枚のポリマシートの一部が、第１の導電体Ｃｎ１及び第２の導電体Ｃｎ２との電気的接触を作るために、輪郭Ｏｕと周囲Ｐとの間のフォイルの部分にウィンドウＷを有する。有利には、導体Ｃｎ１及びＣｎ２の双方が、輪郭Ｏｕと周囲Ｐとの間のフォイルの部分の範囲内で、フォイルＦの２枚のシートの間に積層されているこの構造は、電気導体Ｃｎ１及びＣｎ２との電気的接触を作るための簡略化された手段を提供する。なぜなら、２枚のシートのうちの１枚からの材料だけが除去されることを必要とし、同時に、トランスデューサＴの両面との電気接触を提供するからである。

好適には、図示のように、担体基板ＣＳに面するシートが、周囲Ｐ内のフォイルＦの一部が物品Ａに取り付けられる際に電気導体Ｃｎ１及びＣｎ２との電気的接触を作るために、ウィンドウＷを有する。

同様に、他方のシートが、ウィンドウＷを有することもできる。

ここに記述されるすべての実施形態において、各種の層の典型的な厚さ寸法は、以下の通りである：支持基板は１−１０ミリメートル（または１０−１００ミリメートルのローラー直径）であり、担体基板は５０−５００ミクロンであり、フォイルは１−５０ミクロンであり、接着層は５−５０ミクロンであり、取り外し可能な外側ライナ層は４−３５ミクロンである；しかしながら、これらの寸法は単なる例示であり、本発明はこれらの例に制限されないことが理解されるべきである。

要約すると、物品に、トランスデューサを有するフォイルの一部を転写するための転写スタックが、ここに開示される。

本発明は、医療ニードルに関して図面及び上述の説明において詳細に図示され記述されているが、このような図示及び記述は、制限的でなく、例示的又は説明的なものである。本発明は、開示された実施形態に制限されず、概して物品にトランスデューサを転写するために使用されることができる。

Claims (23)

1. トランスデューサを有する周囲内のフォイルの部分を物品に転写するための転写スタックであって、
   担体基板と、
   前記周囲によって水平方向において囲まれているトランスデューサを有するフォイルであって、前記周囲が、前記フォイルの水平方向の範囲内にある、フォイルと、
   接着層と、
   を有し、
   前記フォイルの第１の表面は、前記担体基板に取り付けられ、前記接着層は、前記フォイルの第２の表面に取り付けられ、
   前記フォイルの第１の表面は、前記フォイルのエッジにおいて前記担体基板に垂直な方向に、第１の剥離抵抗力を克服する剥離力を印加することによって、前記担体基板と分離可能であり、
   前記接着層は、前記フォイルと前記物品との間の接着を提供し、それにより、前記物品が前記接着層を介して前記フォイルに取り付けられる際、前記フォイルの前記第２の表面は、前記フォイルのエッジにおいて前記物品の表面に垂直な方向に、第２の剥離抵抗力を克服する剥離力を印加することによって、前記物品の表面から分離可能であり、
   前記第２の剥離抵抗力は前記第１の剥離抵抗力より大きく、
   前記フォイルは、前記トランスデューサをもつ前記周囲の少なくとも一部に沿って切り込みを入れられており、それにより、前記物品が前記接着層を介して前記フォイルに取り付けられ、及び前記担体基板に垂直な方向に剥離される場合、前記周囲内の前記フォイルの部分は、前記第１の剥離抵抗力を克服することによって、前記周囲において前記担体基板から分離され、前記周囲内の前記フォイルの部分は、前記物品に取り付けられたままである、転写スタック。
2. 前記フォイルの前記第１の表面が、ｉ）ファンデルワールス力、及び、ｉｉ）感圧接着剤層のような第２の接着層、の少なくとも一方によって、前記担体基板に取り付けられる、請求項１に記載の転写スタック。
3. 前記接着層が、感圧接着剤から形成される、請求項１又は２に記載の転写スタック。
4. 前記担体基板が、可鍛性の材料から形成され、前記可鍛性の材料は、シリコン、ポリテトラフルオロエチレン、ラバー、ワックス、ポリフッ化ビニリデン、又は熱可塑性物質フルオロポリマーである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の転写スタック。
5. 前記接着層が、取り外し可能な外側ライナ層を更に有する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の転写スタック。
6. 支持基板を更に有し、前記支持基板は前記担体基板に取り付けられ、
   前記支持基板は、前記担体基板の押込み硬度値を越える押込み硬度値を有する材料から形成される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の転写スタック。
7. 前記接着層と前記フォイルとの間のインタフェースが、接着層−フォイルインタフェースを規定し、前記フォイルと前記担体基板との間のインタフェースが、フォイル−担体基板インタフェースを規定し、
   前記接着層−フォイルインタフェースの範囲は、前記周囲を超えて延在し、
   前記接着層−フォイルインタフェースの範囲は、前記フォイル−担体基板インタフェースの範囲内にあり、それにより、前記接着層のエッジと前記フォイルのエッジとの間にギャップがある、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の転写スタック。
8. 前記ギャップが１ｍｍ以上である、請求項７に記載の転写スタック。
9. 前記支持基板はローラーの形であり、前記転写スタックが前記ローラーの周りに巻かれる、請求項６に記載の転写スタック。
10. 前記接着層と前記フォイルとの間のインタフェースが、接着層−フォイルインタフェースを規定し、前記フォイルと前記担体基板との間のインタフェースが、フォイル−担体基板インタフェースを規定し、前記接着層−フォイルインタフェースの範囲は、前記周囲を超えて延在し、前記接着層−フォイルインタフェースの範囲は、前記フォイル−担体基板インタフェースの範囲内にあり、それにより、前記接着層のエッジと前記フォイルのエッジとの間にギャップがある、
    請求項１に記載の転写スタック。
11. 前記支持基板の平坦な表面は前記接着層に面する、請求項６に記載の転写スタック。
12. 前記トランスデューサが超音波トランスデューサである、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の転写スタック。
13. 前記フォイルは、前記トランスデューサがそれらの間に積層された２枚のポリマシートを有し、前記積層された２枚のシートの外側表面が、前記フォイルの前記第１の表面及び前記第２の表面を提供する、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の転写スタック。
14. 前記トランスデューサは、平坦な層に両方とも平行である第１の表面及び第２の表面を有する該平坦な層によって提供され、前記平坦な層は、前記フォイルの前記第１の表面及び前記第２の表面に平行に配され、前記トランスデューサは、前記トランスデューサの前記第１の表面との電気的接触を作るための第１の導電体と、前記トランスデューサの前記第２の表面との電気的接触を作るための第２の導電体とを有し、
    前記トランスデューサは、前記周囲内に輪郭を有し、
    前記第１の導電体及び前記第２の導電体は共に、前記輪郭を越えて同じ方向に延び、前記トランスデューサの前記平坦な層に水平な方向において分離されており、それにより、前記第１の導電体及び前記第２の導電体は、前記トランスデューサの前記平坦な層に対し垂直な方向において重なり合わず、
    前記２枚のポリマシートのうちの１枚のポリマシートの一部が前記第１の導電体及び前記第２の導電体との電気的接触を作るために、前記輪郭と前記周囲との間の前記フォイルの少なくとも一部にウィンドウを有する、請求項１３に記載の転写スタック。
15. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の転写スタックの前記周囲内の前記フォイルの部分を有する、物品、医療装置又は医療ニードル。
16. 医療装置又は医療ニードルでありうる物品に、トランスデューサを有する周囲内のフォイルの部分を転写するための転写スタックを形成する方法であって、
    担体基板を提供するステップと、
    周囲によって水平方向において囲まれるトランスデューサを有するフォイルを提供するステップであって、前記周囲が、前記フォイルの水平方向の範囲内にある、ステップと、
    接着層を提供するステップと、
    前記フォイルの第１の表面を、前記担体基板に取り付けるステップと、
    前記接着層を、前記フォイルの第２の表面に取り付けるステップであって、前記フォイルの前記第１の表面は、前記フォイルのエッジに前記担体基板に垂直な方向に、第１の剥離抵抗力を克服する剥離力を印加することによって、前記担体基板から分離可能であり、前記接着層は、前記フォイルと前記物品との間の接着を提供し、それにより、前記物品が前記接着層を通じて前記フォイルに取り付けられる際、前記フォイルの前記第２の表面が、前記フォイルのエッジにおいて前記物品の表面に垂直な方向に、第２の剥離抵抗力を克服する剥離力を印加することによって、前記物品の表面から分離可能であり、前記第２の剥離抵抗力が前記第１の剥離抵抗力より大きい、ステップと、
    前記トランスデューサを有する前記周囲の少なくとも一部に沿って前記フォイルに切り込みを入れるステップであって、それにより、前記物品が、前記接着層を介して前記フォイルに取り付けられ、そののち、前記担体基板に垂直な方向に剥がされる際、前記周囲内の前記フォイルの部分は、前記第１の剥離抵抗力を克服することによって、前記周囲において前記担体基板から分離され、前記周囲内の前記フォイルの部分は、前記物品に取り付けられたままになる、ステップと、
    を有する方法。
17. 支持基板を提供するステップであって、前記支持基板は、前記担体基板の押込み硬度値を越える押込み硬度値を有する材料から形成される、ステップと、
    前記支持基板を前記担体基板に取り付けるステップと、
    を更に有する、請求項１６に記載の方法。
18. 前記接着層が更に、取り外し可能な外側ライナ層を有し、前記接着層と前記フォイルとの間のインタフェースが、接着層−フォイルインタフェースを規定し、前記フォイルと前記担体基板との間のインタフェースが、フォイル−担体基板インタフェースを規定し、前記接着層−フォイルインタフェースの範囲は、前記周囲を超えて延在し、前記接着層−フォイルインタフェースの範囲は、前記フォイル−担体基板インタフェースの範囲内にあり、それにより、前記接着層のエッジと前記フォイルのエッジとの間にギャップがある、
    請求項１６に記載の方法。
19. 前記支持基板の平坦な表面が前記接着層に面する、請求項１７に記載の方法。
20. 前記トランスデューサが超音波トランスデューサである、請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
21. 前記フォイルは、前記トランスデューサがそれらの間に積層される２枚のポリマシートを有し、前記積層された２枚のポリマシートの外側表面は、前記フォイルの第１の表面及び第２の表面を提供する、請求項１６乃至２０のいずれか１項に記載の方法。
22. 前記トランスデューサは、平坦な層に共に平行である第１の表面及び第２の表面を有する該平坦な層によって提供され、前記平坦な層は、前記フォイルの前記第１の表面及び前記第２の表面と平行に配置され、前記トランスデューサが更に、前記トランスデューサの前記第１の表面との電気的接触を作るための第１の導電体と、前記トランスデューサの前記第２の表面との電気的接触を作るための第２の導電体と、を有し、
    前記トランスデューサが、前記周囲内に輪郭を有し、
    前記第１の導電体及び前記第２の導電体は共に、同じ方向に、前記輪郭を越えて延び、前記トランスデューサの平坦な層に水平な方向において分離されており、それにより、前記第１の導電体及び前記第２の導電体は、前記トランスデューサの前記平坦な層に対し垂直な方向において重なり合わず、
    前記２枚のポリマシートのうち１枚のポリマシートの少なくとも一部は、前記第１の導電体及び前記第２の導電体との電気的接触を作るために、前記輪郭と前記周囲との間の前記フォイルの少なくとも一部に、ウィンドウを有する、請求項２１に記載の方法。
23. 医療装置又は医療ニードルである物品に、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の転写スタックの前記周囲内の前記フォイルの部分を取り付ける方法であって、
    前記接着層に物品を押圧し、前記物品を前記担体基板から引き離し、それにより、前記周囲内の前記フォイルの部分が、前記担体基板から分離され、前記物品に取り付けられるままになるステップ、又は、
    前記接着層の表面に沿って前記物品を転がし、それにより、前記周囲内の前記フォイルの部分が、前記担体基板から分離され、前記物品に取り付けられたままになる、ステップ、
    のいずれかを有する方法。

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