JP6972017B2 - ポリペプチドおよびヒアルロン酸コーティング - Google Patents
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Description
(a)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオンからなる少なくとも1つのポリカチオン層
nは、11以上100以下の整数であり、
R基はそれぞれ、同じでも異なっていてもよく、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、および
(b)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン層、を含む高分子電解質コーティングに関する。
(a)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオン層
nは、11以上100以下の整数であり、
Rは、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、および
(b)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン層、を含む高分子電解質コーティングに関する。
(a)装置を提供すること、
(b1)前記装置の表面に、
(i)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位を含む少なくとも1つのポリカチオンからなる少なくとも1つのポリカチオン層
nは、11以上100以下の整数であり、
R基はそれぞれ、同じでも異なっていてもよく、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、そして
ii)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン層、を積層すること、または
(b2)前記装置の表面に上記のように記述されるii)、そしてi)を積層すること、および
ステップb1)および/またはb2)を任意に繰り返すことを含む。
(a)装置を提供すること、
(b1)前記装置の表面に、
(i)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオン層
nは、11以上100以下の整数であり、
Rは、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、そして
ii)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン層、を積層すること、または、
(b2)前記装置の表面に上記のように記述されるii)、そしてi)を積層すること、および
ステップb1)および/またはb2)を任意に繰り返すことを含む。
(a)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオン材料
nは、11以上100以下の整数であり、
R基はそれぞれ、同じでも異なっていてもよく、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、および
(b)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン材料、を含むキットに関する。
a)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオン材料
nは、11以上100以下の整数であり、
Rは、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、および
b)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン材料、を含むキットに関する。
本発明者らは、ポリカチオンとしてポリアルギニン、ポリオルニチンまたはポリリジン、ポリアニオンとしてヒアルロン酸(HA)を有する高分子電解質コーティングが殺菌性を有する強い表面コーティングであることを示す。本発明者らは、ポリ−L−アルギニン(PAR)、ポリ−L−オルニチン(PLO)またはポリ−L−リジン(PLL)、特にそれぞれ30個のアルギニン、オルニチンまたはリジン残基があるもの、およびポリアニオンとしてヒアルロン酸(HA)を有する高分子電解質コーティングが強い殺菌活性を持つことを示す。
異物によるブドウ球菌性感染は、生物膜としての細菌の配列により通常の感染と異なる。
本発明は、さらに、本発明の方法として、ここに言及される本発明の装置を調製する方法に関する。
(a)埋め込み型装置を提供すること、
(b1)前記埋め込み型装置の表面に、
(i)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位を含む少なくとも1つのポリカチオンからなる少なくとも1つのポリカチオン層
nは11以上100以下の整数であり、
R基はそれぞれ、同じでも異なっていてもよく、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、そして
ii)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン層、を積層すること、または
(b2)前記埋め込み型装置の表面に以上のように記述されるii)、そしてi)を積層すること、および
ステップb1)および/またはb2)を任意に繰り返すことを含む。
(a)埋め込み型装置を提供すること、
(b1)前記埋め込み型装置の表面に、
(i)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオン層
nは11以上100以下の整数であり、
Rは、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、そして
ii)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン層、を積層すること、または
(b2)前記埋め込み型装置の表面に以上のように記述されるii)、そしてi)を積層すること、および
任意にステップb1)および/またはb2)を繰り返すことを含む。
1つの実施形態において、本発明は、本発明の装置、特に防汚装置および/または静菌装置を製造するための本発明の高分子電解質コーティングの使用に関する。
さらに、本発明は、
a)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオン材料
nは、11以上100以下の整数であり、
R基はそれぞれ、同じでも異なっていてもよく、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、および
b)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン材料、を含むキットを提供する。
a)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオン材料
nは、11以上100以下の整数であり、
Rは、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、および
b)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン材料、を含むキットをさらに提供する。
a)11以上95以下、15以上95以下、15以上90以下、15以上85以下、15以上80以下、15以上75以下、20以上95以下、20以上90以下、20以上85以下、20以上80以下、20以上75以下、25以上95以下、25以上90以下、25以上85以下、25以上80以下、25以上75以下、28以上74以下、28以上72以下、30以上70以下のアルギニン残基を有するポリアルギニン、好ましくはポリ−L−アルギニン、より好ましくは、30個のL−アルギニン残基、50個のL−アルギニン残基、または70個のL−アルギニン残基を有するポリ−L−アルギニンからなる少なくとも1つのポリカチオン材料、および/または
b)11以上99以下、好ましくは11以上95以下、15以上90以下、20以上85以下、20以上80以下、25以上75以下、25以上70以下、25以上65以下、25以上60以下、25以上55以下、25以上50以下、25以上40以下、25以上35以下のアルギニン残基を有するポリリジン、好ましくはポリ−L−リジン、より好ましくは30個のL−リジン残基を有するポリ−L−リジンからなる少なくとも1つのポリカチオン材料、および/または
c)11以上150以下のオルニチン残基、好ましくは11以上140以下、11以上130以下、11以上120以下、11以上120以下、15以上110以下、15以上100以下、15以上95以下、15以上90以下、15以上80以下、15以上75以下、20以上70以下、10以上65以下、20以上55以下、20以上50以下、20以上45以下のオルニチン残基を有するポリオルニチン、好ましくはポリ−L−オルニチン、より好ましくは30個の−リジン残基を有するポリ−L−オルニチンからなる少なくとも1つのポリカチオン材料、および
d)ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン材料、を含む。
a)15以上45以下のアルギニン残基を有するポリアルギニン、好ましくはポリ−L−アルギニン、より好ましくは30個のL−アルギニン残基を有するポリ−L−アルギニンからなるポリカチオン材料、および/または
b)15以上45以下のリジン残基を有するポリリジン、好ましくはポリ−L−リジン、より好ましくは30個のL−リジン残基を有するポリ−L−リジンからなるポリカチオン材料、および/または
c)15以上120以下のオルニチン残基を有するポリオルニチン、好ましくはポリ−L−オルニチン、より好ましくは30個のL−リジン残基を有するポリ−L−オルニチンからなるポリカチオン材料、および
ヒアルロン酸からなる少なくとも1つのポリアニオン材料、を含む。
生物膜の形成と関連する異物へのブドウ球菌性感染等の感染は、それらを通常の組織感染と完全に区別する多くの特徴を有する。これらの感染は、少菌型(少ない細菌を有する)で 容易に多菌性のものになることが多い。それらの細菌は、細菌を休眠に近い状態に保持する遅い代謝を有し、それらの細菌が発現する遺伝子は浮遊性形式で活性化されるものと異なる。細菌の休眠状態および生物膜の存在は、感染部位の炎症反応および免疫細胞の誘致を著しく減少する。そのため、近年、これらの細菌は、抗生物質の作用から広く保護されている。したがって、例えば移植の後の、特に人体における前記生物膜の形成を防止することが重要である。
1.1材料
以下の高分子電解質により、高分子電解質多層コーティングを積み重ねる。ポリ(L−アルギニン塩酸塩)(PAR)を米国のAlamanda Polymers社から購入した。用いられる異なるPARポリマーは、鎖あたりのアルギニンの数が異なり、それぞれがPAR10(10個のアルギニン(R)、Mw=2.1kDa、PDI=1)、PAR30(30個のR、Mw=6.4kDa、PDI=1.01)、PAR100(100個のR、Mw=20.6kDa、PDI=1.05)、およびPAR200(200個のR、Mw=40.8kDa、PDI=1.06)である。米国のAlamanda Polymers社からポリ(L−オルニチン塩酸塩)(PLO)を購入した。用いられる異なるPLOポリマーは、鎖あたりのオルニチンの数が異なり、それぞれがPLO30(30個のR、Mw=5.9kDa、PDI=1.03)、PLO100(100個のR、Mw=18.5kDa、PDI=1.03)、およびPLO250(250個のR、Mw=44.7kDa、PDI=1.02)である。PLL30(30個のR、Mw=5.4kDa、PDI=1.02)等のポリ(L−リジン塩酸塩)(PLL)は、米国のAlamanda Polymers社から購入される。
多層コーティングの積み重ねの監視:原位置の水晶振動子マイクロバランス(QCM−D、E1、Q−Sense、スウェーデン)を使用してコーティングまたは膜の積み重ねを追跡する。水晶振動子は、その基本周波数(約5MHz)と、三番目、五番目、七番目の倍音(それぞれ15、25、および35MHzに対応するv=3、v=5、v=7で示される)に励起される。この四つの周波数に共振周波数(Δf)の変化を計測する。Δf/vの増加は、通常、石英に結合する質量の増加に関連する。PAR(すなわち、PAR10、PAR30、PAR50、PAR100またはPAR200)およびHAを150mMのNaClとpH7.4の10mMのトリス(ヒドロキシメチル)・アミノメタン(TRIS、ドイツのMerck社製)を含有する滅菌された緩衝液に、0.5mg.mL−1まで溶解する。水晶振動子を備えるQCMセルに高分子電解質溶液を連続して注入し、PARが最初に積層された高分子電解質である。8分間の吸着の後、洗浄ステップをNaCl−Tris緩衝液で5分間かけて行う。
黄色ブドウ球菌(S.aureus、ATCC25923)の菌株を使用して試験サンプルの抗細菌性を評価する。pH7.4でミューラー・ヒントン培養液(MHB)培地(Merck社製、ドイツ)において、37℃で好気的に菌株を培養。1つのコロニーを10mLのMHB培地に転送し37℃で20時間をかけて培養して、106CFU.mL−1の最後の濃度を提供する。対数増殖中期に細菌を得るために、夜間培養の620nmでの吸収を0.001に調整する。
水晶振動子マイクロバランス(QCM)を使用してPAR/HAコーティングの積み重ねを測定する。図1は、様々な分子量のPAR(それぞれPAR10、PAR30、PAR100またはPAR200の表記に対応する10、30、100または200個の残基)について、QCMにより監視された交互積層に対応する。第1の概算において、正規化頻度の増加が積層される質量または厚みの増加(REF)に関連することが知られる。PAR30、PAR100またはPAR200のコーティングの積み重ねについて、積層ステップ数での正規化頻度の指数増殖が観察された。より大きいPAR鎖について最も重要な増殖が監視された。PAR10の場合に、積層数での正規化頻度の増加がより弱く、しかし、指数増殖が既に観察される(図1)。最後に、このポリペプチドの短い長さにもかかわらず、交互増殖が効果的である。
2.1材料
以上のセクション1.1に説明された高分子電解質を使用して高分子電解質の多層コーティングを形成する。加えて、以下の高分子電解質が用いられる。ポリ(L−アルギニン塩酸塩)(PAR)のポリカチオンが米国のAlamanda Polymers社から購入される。用いられる異なるPARポリマーは、鎖あたりのアルギニンの数が異なり、PAR50(50個のアルギニン(R)、Mw=9.6kDa、PDI=1.03)、PAR70(70個のアルギニン(R)、Mw=13.4kDa、PDI=1.01)、PAR150(150個のアルギニン(R)、Mw=29kDa、PDI=1.04)。
使用する方法は、以上の段落1.2の対応するセクションに説明されるようになる。
2.3.1PAR/HA抗菌活性へのアルギニン残基数の影響:24時間培養後のPAR30、PAR50、PAR70、PAR100およびPAR150によるコーティング
30、50、100および150個の残基があるPARを測定して、先の結果を確認し、満足した結果を得る。以上に説明するように、(PAR/HA)24(すなわち、24層のHAと交互する24層のPAR)で被覆し、24ウエル−プレトに配置するスライドグラスにより測定を行う(Chem.Mater.2016、28、8700)。300μLの濃度8.105CFU・mL−1の黄色ブドウ球菌を各ウエルに堆積し37℃で24時間培養する。そして、620nmでの上清の吸収を測定する。
24層の二重層で形成するPAR50/HA膜は、細菌に対して完全な殺菌作用を示す(図19と20)。なお、CTC/Syto24標識を使用する共焦点顕微鏡による観察は、コーティングに細菌がほとんどないことを示す(データ未記載)。
二重層の数を24から48に増加することは、同様な結果を示す。PAR50またはPAR30に基づいたコーティングについて、黄色ブドウ球菌の増殖が完全に抑制される(図21と22)。これらの結果は共焦点顕微鏡法による観察で確認される。PAR50/HAコーティングまたはPAR30/HAコーティングに細菌が観察されていない。
24層の二重層で形成するPAR100/HAコーティングは、完全な抗菌活性を表現する(図23)。一方、PAR150/HAコーティングは細菌を抑制しなく、コーティングはまったく効果がない。共焦点顕微鏡法の観察は、これらの結果を確認し、PAR100/HAとPAR30/HAコーティングに細菌が観察されていない一方、PAR150/HAコーティングに多くの細菌を見える。
24層の二重層のPAR10/HAコーティングは、上清において細菌を完全に抑制する(図24)。対照として、PAR50/HAとPAR30/HAコーティングは、以上に説明するような抗菌活性を確認する。共焦点顕微鏡法による表面の観察から同様な結果を得ることができる。
PAR70/HAコーティングがある上清における細菌は完全に抑制される(図25)。これは共焦点実験により確認される。
24/48または72時間の培養後の24層の二重層のPAR30/HA対POR30/HA
(PAR30/HA)24または(POR30/HA)24コーティングを使用する時に、24、48または72時間後に、上清において細菌が観察されていない(図26〜28)。共焦点顕微鏡により表面を可視化する場合に、同様な結論が得られる。
PAR10/HA、PAR50/HAおよびPAR100/HAコーティングに同様な実験を行う。24時間後に、すべてのコーティングについて、上清に細菌が検出されていない(図29)。48時間後に、PAR50/HAまたはPAR100/HAコーティングについて細菌がない一方、PAR10/HAコーティングは効果がなく、黄色ブドウ球菌の増殖がコーティングのない表面と同程度のレベルになる(図30)。72時間後に、同様な結果が得られ、PAR10/HAコーティングの場合に細菌が生きていてるが、PAR50/HAまたはPAR100/HAコーティングの場合に細菌が死んだ(図31)。すべての結果が共焦点顕微鏡観察により確認される。
PAR/HAコーティングの貯蔵
PAR/HAコーティングの乾燥手順および貯蔵が抗菌活性を保持するかどうかを確認するために、乾燥し(純水で洗浄し室温で乾燥する)4℃で1または7日貯蔵された後、(PAR30/HA)24コーティングを測定する(図32と33)。この2つのプロセス後に、抗菌活性の変化が観察されていなく、細菌はコーティングを含有するウエルの上清に全然増殖しない。これは、膜が乾燥手順の後に安定し、数日間の貯蔵が特性を変更することがないことを示す。
乾燥手順と医療装置滅菌の規則的な周期(121℃で30分間の周期)を従うオートクレーブ滅菌の後に、(PAR30/HA)24コーティングの活性を測定する(図34)。この滅菌手順は、コーティングの抗菌活性を変更しなく、全体の殺菌活性に変化が検出されていない。
最後に、これらの研究からいくつかの結論を取り:
-PAR10、PAR30、PAR50、PAR70、PAR100で形成する(PAR/HA)24コーティングは、24時間の接種後に、黄色ブドウ球菌に対して完全な抗菌活性を示す。しかし、以前の予備研究において、PAR10とPAR100は、24時間においていつも活性を持つことがない。これは、恐らくPAR10とPAR100が有効である限界値の鎖長に対応するためである。これに対して、私たちの実験において、PAR30とPAR50は、いつも完全な抗菌活性がある(両方の場合に、少なくとも10人以上の実験を行う)。24時間の黄色ブドウ球菌の培養後に、(PAR150/HA)24コーティングは、抗菌活性を全然示さない。
-24/48または72時間の培養後のPAR30、PAR50、PAR100およびPOR30で形成する(PAR/HA)24コーティングは、完全な細菌抑制を示し、3日間と3つの連続汚染にわたって効率を示す。これに対して、PAR10は、三番目の接種の後(72時間)、活性がない。
−活性を全く損なうことなく、乾燥後に4℃で数日間(PAR/HA)24コーティングを貯蔵することができる。なお、医療装置用の標準滅菌手順を(PAR/HA)24コーティングに適用することができ、コーティング活性の抗菌性が保持される。
図1は、QCMで追跡するSi02被覆結晶への(PAR/HA)多層コーティングの積み重ねを示す図である。様々な分子量のPAR(それぞれPAR10、PAR30、PAR100またはPAR200という表記に対応する10、30、100または200個の残基)をHAとともに使用する。吸着される層数の関数と正規化頻度−Δfv/v(v=3)の進化である。PAR30、PAR100またはPAR200で積み重ねたコーティングについて、積層ステップ数での正規化頻度の指数増殖が観察される。より大きいPAR鎖について、最も重要な重大な増殖が監視される。PAR10の場合に、積層数での正規化頻度の増加がより弱く、しかし、指数増殖がすでに観察される。
図2は、PAR/HAコーティングのセクション(x、z)の共焦点顕微鏡法画像を示す画像である。QCMで追跡するSi02被覆結晶上の(PAR/HA)多層コーティングのPAR/HAコーティングの積み重ねについての、PAR/HAコーティングのセクション(x、z)の共焦点顕微鏡法による観察である。様々な分子量のPAR、すなわち、PAR10、PAR30、PAR100またはPAR200による(PAR/HA)多層コーティングの積み重ねが比較されている。この画像は、得られたコーティングがすべての条件で表面に均一に積層されることを示す(10〜200個の残基のPARの場合)。
図3は、PAR本発明のコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。様々な残基のポリ−L−アルギニンを含む(PAR/HA)24多層コーティングに24時間接触した後、上清に得られた正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を示す。各々の値は、3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。黄色ブドウ球菌の増殖について、(PAR10/HA)24の場合に約80%であり、(PAR100/HA)24の場合に75%であり、(PAR200/HA)24の場合に約90%であり、(PAR30/HA)24の場合に5%以下であるので、(PAR30/HA)24の場合に、95%以上の強い増殖抑制を示す。
図4は、本発明のPLLコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PLL30/HA)24多層コーティングに24時間(J+1)、2日間および3日間接触した後、上清に得られた正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を示す。各24時間後に、コーティングを黄色ブドウ球菌の新鮮な懸濁液に接触する。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。黄色ブドウ球菌の増殖について、(PLL30/HA)24の場合に1と2日間後5%以下であるので、(PLL30/HA)24の場合に、最初の48時間に95%以上の強い増殖抑制を示す。
図5は、コーティング(PAR30/HA)24を使用してミクロコッカス・ルテウスの増殖抑制を示す図である。(PAR30/HA)24多層コーティングに20時間接触した後に上清に観察された正規化のミクロコッカス・ルテウス増殖(%)を示す。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。ミクロコッカス・ルテウスの増殖について、(PAR30/HA)24の場合に2%以下であるので、(PAR30/HA)24の場合に98%以上の強い増殖抑制を示す。
図6は、ポリアニオンHAがないPAR30またはPLL30コーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。ポリアニオン層HAがないPLL30またはPAR30のポリカチオン層に24時間接触した後に、上清に得られた正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を示す。各24時間後に、コーティングを黄色ブドウ球菌の新鮮な懸濁液に接触させる。。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。黄色ブドウ球菌の増殖について、PLL30 の場合に約65%であり、PAR30の場合に約100%であるので、PLL30の場合に35%のみの小さい増殖抑制を示し、PAR30の場合に増殖抑制を示さない。
図7は、本発明の(PAR200/HA)24−PAR30を使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。最後層のPAR30を多層コーティング(PAR200/HA)24に加えるので、多層コーティング(PAR200/HA)24−PAR30が生成される。(PAR200/HA)24−PAR30多層コーティングに24時間接触した後、上清に得られた正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を示す。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。黄色ブドウ球菌の増殖について、(PAR200/HA)24−PAR30の場合に1%以下であるので、(PAR200/HA)24−PAR30の場合に99%以上の強い増殖抑制を示す。
図8は、本発明の(PAR200/HA)24−PAR30を使用してミクロコッカス・ルテウスの増殖抑制を示す図である。最後層のPAR30を多層コーティング(PAR200/HA)24に加えるので、多層コーティング(PAR200/HA)24−PAR30が生成される。PAR200/HA)24−PAR30多層コーティングに24時間接触した後、上清に観察された正規化のミクロコッカス・ルテウス増殖(%)を示す。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。ミクロコッカス・ルテウスの増殖について、(PAR200/HA)24−PAR30の場合に1%以下であるので、(PAR200/HA)24−PAR30の場合に99%以上の強い増殖抑制を示す。
図9は、本発明のPLOコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。異なる残基数のポリ−L−オルニチンを含む(PLO/HA)24多層コーティングに24時間接触した後、上清に得られた正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を示す、すなわち、(PLO30/HA)24および(PLO100/HA)24。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。黄色ブドウ球菌の増殖について、(PLO250/HA)24の場合に約80%であり、(PLO100/HA)24の場合に5%以下のであり、(PLO30/HA)24の場合に3%以下であるので、(PLO100/HA)24および(PLO30/HA)24の場合に95%以上の強い増殖抑制を示す。
図10は、(PLL30/HA)24または架橋(PLL30/HA)24を使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。0.5MのEDCと0.1MのNHSを有するEDC/NHSにより、(PLL30/HA)24を4℃で15時間架橋させる。エタノールアミンを使用して未反応のカルボキシル基を中和する。(PLL30/HA)24または架橋(PLL30/HA)24多層コーティングに24時間接触した後、上清において正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を測定する。黄色ブドウ球菌の増殖について、架橋(PLL30/HA)24の場合に約65%であり、(PLL30/HA)24の場合に18%以下であるので、架橋が著しくコーティングの殺菌活性を低減することを示す。
図11は、(PAR30/HA)24または架橋(PAR30/HA)24を使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。0.5MのEDCと0.1MのNHSを有するEDC/NHSを使用して(PAR30/HA)24を4℃で15時間架橋する。エタノールアミンを使用して未反応のカルボキシル基を中和する。(PAR30/HA)24または架橋(PAR30/HA)24多層コーティングに24時間接触した後、上清において正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を測定する。黄色ブドウ球菌の増殖について、架橋(PAR30/HA)24の場合に約65%であり、(PLL30/HA)24の場合に5%以下であるので、架橋がコーティングの殺菌活性を低減することを示す。
図12は、10、30、100または200個のアルギニン残基を有する可溶性PARの最小抑制濃度(MIC100)を示す図である。黄色ブドウ球菌の100%抑制を引き起こす最小抑制濃度(MIC100)を溶液において測定する。10、30、100または200個のアルギニン残基を有するPARに検査を行う。0.04mg.mL−1までの濃度で、すべてのPAR(PAR10、PAR30、PAR100またはPAR200)は、黄色ブドウ球菌増殖を完全に抑制する。
図13は、放出実験の結果を示す図である。以上の「放出実験」というセクションに説明するように放出実験を行う。PAR−FITCを有する 多層コーティング(PAR30FITC/HA)24をMHB培地または黄色ブドウ球菌/MHB溶液(A620=0.001)に接触させる。PAR−FITCの放出を経時的に監視する。各条件で3つのサンプルを研究する。
図14は、MWによる(PAR/HA)24コーティングにおける運転PARの比率(%)を示す図である。以上の「光退色(FRAP)実験後の蛍光回復」というセクションに説明する光退色実験(FRAP、光退色後の蛍光回復)により、PAR−FITCを含有する(PAR/HA)24多層に対して拡散係数D、および運転分子の比率pを測定する。
図15は、コーティングから溶液に拡散するPAR30の濃度が黄色ブドウ球菌の増殖を効率的に抑制するのに不十分であることを示す図である。多層膜(PAR30/HA)24で培養する培地に24時間接触した後の正規化の黄色ブドウ球菌増殖を示す。培地A)には300μLの黄色ブドウ球菌溶液A620=0.001があり、B)には300μLのMHBのみがある。細菌増殖抑制が観察されていない。
図16は、(PAR30/HA)24を使用して異なる細菌の増殖抑制を示す図である。コーティング(PAR30/HA)24で被覆するガラスに24時間接触した後の正規化の細菌増殖を示す。黄色ブドウ球菌、メチシリン耐性黄色ブドウ球菌株、ミクロコッカス・ルテウス、大腸菌および緑膿菌について細菌増殖が90%以上抑制される。
図17は、本発明のPLLコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。異なる残基数のポリ−L−リジンを含む(PLL/HA)24、すなわち、(PLL10/HA)24、(PLL30/HA)24、(PLL100/HA)24および(PLO250/HA)24多層コーティングに24時間接触した後、上清において観察された正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を示す。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。黄色ブドウ球菌の増殖について、ガラスと抗生物質の組み合わせの場合に3%以下であり、(PLL30/HA)24の場合に6%以下である。一方、細菌増殖について、(PLO250/HA)24の場合に約75%であり、(PLL100/HA)24の場合に約85%であり、(PLL10/HA)24の場合に約90%である。
図18は、(PAR30/HA)24を使用して経時的に黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR30/HA)24多層コーティングに1日、2日と3日接触した後、上清において得られる正規化の黄色ブドウ球菌増殖(%)を示す。各24時間の後、コーティングを黄色ブドウ球菌の新鮮な懸濁液に接触させる。各々の値は3つの実験の平均値に対応し、エラーバーは標準偏差に対応する。黄色ブドウ球菌の増殖について、1日と2日後の(PAR30/HA)24の場合に5%以下であるので、最初の48時間に(PAR30/HA)24に対して95%以上の強い増殖抑制を示す。3日後に、抑制活性が低減する。
図19と20は、本発明のPARコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR50/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、(PAR30/HA)24および対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行い、a)およびb)は2つの同様な独立した実験に対応する。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図20と21は、本発明のPARコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR50/HA)48コーティングの上清のの抗菌活性の評価と、(PAR30/HA)48および対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行い、a)およびb)は2つの同様な独立した実験に対応する。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図23は、本発明のPARコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR100/HA)24(PAR150/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、(PAR30/HA)24および対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行う。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図24は、本発明のPARコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR10/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、(PAR50/HA)24、(PAR30/HA)24および対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行う。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図25は、本発明のPARコーティングを使用して黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR70/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行う。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図26、27と28は、本発明のPARコーティングを使用して経時的に黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR30/HA)24(POR30/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、24、48または72時間の黄色ブドウ球菌の培養後の対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。t=0、24時間と48時間に、細菌による新しい接種を行う。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行う。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図29、30と31は、本発明のPARコーティングを使用して経時的に黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。(PAR10/HA)24、(PAR50/HA)24、(PAR100/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、24、48または72時間の黄色ブドウ球菌の培養後の対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。t=0、24時間と48時間に、細菌による新しい接種を行う。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行う。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図32と33は、本発明のPARコーティングを異なる貯蔵条件に暴露させた後の黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。予め乾燥され4℃で1日間(a)または7日間貯蔵される(PAR30/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行う。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
図34は、本発明のPARコーティングを異なる貯蔵条件に暴露させた後の黄色ブドウ球菌の増殖抑制を示す図である。オートクレーブで予め滅菌される(PAR30/HA)24コーティングの上清の抗菌活性の評価と、対照組(「ガラス」または「ガラス+抗生物質」と表現するコーティングのないガラス)との対比を示す。各々の実験は、3つのスライドグラスにより行う。「培地」条件は細菌のないウェルのことを意味し、培地のODのみを測定する。エラーバーは標準偏差に対応する。
Claims (19)
- 一般式(1)のRは−NH−C(NH)−NH2である、請求項1または請求項2に記載の高分子電解質コーティング。
- nは15以上95以下である、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティング。
- 1以上500以下のポリカチオン層を含む、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティング。
- 1以上500以下のポリアニオン層を含む、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティング。
- 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティングを含む装置。
- 前記高分子電解質コーティングは、少なくとも前記装置の表面の一部を被覆する、請求項7に記載の装置。
- 前記装置は埋め込み型装置である、請求項8に記載の装置。
- 前記埋め込み型装置は、カテーテル、動静脈シャント、乳房植込み、心臓および他のモニター、人工内耳、除細動器、歯科インプラント、顎顔面インプラント、中耳インプラント、神経刺激装置、整形外科装置、ペースメーカーおよびリード、陰茎インプラント、人工装置、置換関節、脊椎インプラント、人工喉頭、人工心臓、コンタクトレンズ、骨折固定装置、輸液ポンプ、頭蓋内圧装置、眼内レンズ、子宮内装置、人工関節、機械弁、整形外科装置、縫合材料、泌尿ステント、血管補助装置、血管移植片、血管シャントと血管ステント、および永久または一過性の人工血管からなる群から選択される、請求項8から請求項9のいずれか一項に記載の埋め込み型装置。
- (a)装置を提供すること、
(b1)前記装置の表面に、
(i)一般式(1)を有するn個の繰り返し単位からなる少なくとも1つのポリカチオンからなる18以上60以下のポリカチオン層
(式中、
nは、11以上100以下の整数であり、
R基はそれぞれ、同じでも異なっていてもよく、−NH2、−CH2−NH2および−NH−C(NH)−NH2から選択される)、および
ii)ヒアルロン酸からなる18以上60以下のポリアニオン層、を積層すること、または
(b2)前記装置の表面に以上のように記述されるii)、およびi)を積層すること、および
ステップb1)および/またはb2)を任意に繰り返ることを含む、高分子電解質コーティングを含む装置を調製する方法。 - b1)またはb2)のステップi)および/またはii)の後に、少なくとも1つの洗濯ステップをさらに含む、請求項11に記載の装置を調製する方法。
- b1)またはb2)のステップi)および/またはii)、および/または請求項12の洗濯ステップの後に、少なくとも1つの乾燥ステップをさらに含む、請求項10または請求項11の装置を調製する方法。
- 請求項7から請求項10のいずれか一項に記述される装置を製造するための、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティングの使用。
- nが、20以上85以下の整数である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティング。
- nが、25以上75以下の整数である、請求項1〜6及び16のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティング。
- 一般式(1)を有するn個の繰り返し単位は、高分子電解質コーティング内で移動性である及び/又は拡散する、請求項1〜6、16、及び17のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティング。
- 少なくとも1つのポリカチオン層と少なくとも1つのポリアニオン層は共有結合されていない、請求項1〜6及び16〜18のいずれか一項に記載の高分子電解質コーティング。
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