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JP6972984B2 - Etching liquid application nozzle - Google Patents
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Description

本明細書は、エッチング液塗布ノズルに関する技術を開示する。 The present specification discloses a technique relating to an etching solution coating nozzle.

ウェハの処理工程では、回転するウェハの周縁部にエッチング液を塗布する場合がある。特許文献1には、円錐状部材を介してウェハの周縁部にエッチング液を塗布する技術について開示されている。特許文献1の技術は、円錐状部材における円錐側面の縮径側から拡径側へとエッチング液を流下させることによって、エッチング液をウェハの周縁部に供給する。 In the wafer processing step, the etching solution may be applied to the peripheral edge of the rotating wafer. Patent Document 1 discloses a technique of applying an etching solution to a peripheral portion of a wafer via a conical member. The technique of Patent Document 1 supplies the etching solution to the peripheral edge of the wafer by flowing the etching solution from the reduced diameter side to the enlarged diameter side of the conical side surface of the conical member.

特開2004−179535号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-179535

特許文献1の技術では、円錐側面の周方向にわたって均等にエッチング液を流下させることが困難であり、ウェハの周縁部に対してエッチング液を均一に塗布し難いという問題があった。 The technique of Patent Document 1 has a problem that it is difficult to allow the etching solution to flow down evenly over the circumferential direction of the conical side surface, and it is difficult to apply the etching solution uniformly to the peripheral edge of the wafer.

本明細書に開示する一形態は、ウェハの周縁部にエッチング液を塗布するエッチング液塗布ノズルである。このエッチング液塗布ノズルは、吐出部とノズル本体部とを備える。吐出部は、エッチング液を吐出する。ノズル本体部は、吐出部から吐出されるエッチング液をウェハへと流下させる。ノズル本体部は、円錐側面部と、液受部と、複数の誘導溝と、複数の貯留部と、複数の貫通孔とを含む。円錐側面部は、円錐側面を形成する。液受部は、円錐側面部における外径が縮小する縮径側に位置し、吐出部から吐出されるエッチング液を受け入れる。複数の誘導溝は、円錐側面部に等間隔で形成され、液受部からエッチング液を、円錐側面部における外径が拡大する拡径側へと誘導する。複数の貯留部は、円錐側面部の拡径側において、複数の誘導溝に対応して円錐側面部の周方向に沿って均等に設けられ、周方向に沿って深くなる底面を有し、誘導溝から流下するエッチング液を貯留する。複数の貫通孔は、複数の貯留部に対応して周方向に沿って等間隔に形成され、底面へと貫通し、貯留部に貯留されているエッチング液をウェハに供給する。 One embodiment disclosed herein is an etching solution coating nozzle that coats the peripheral edge of the wafer with an etching solution. This etching solution application nozzle includes a discharge portion and a nozzle main body portion. The ejection unit discharges the etching solution. The nozzle main body allows the etching solution discharged from the ejection unit to flow down onto the wafer. The nozzle body portion includes a conical side surface portion, a liquid receiving portion, a plurality of guide grooves, a plurality of storage portions, and a plurality of through holes. The conical side surface forms the conical side surface. The liquid receiving portion is located on the reduced diameter side of the conical side surface portion where the outer diameter is reduced, and receives the etching liquid discharged from the discharging portion. The plurality of guide grooves are formed at equal intervals on the side surface of the cone, and guide the etching solution from the liquid receiving portion to the enlarged diameter side where the outer diameter of the side surface of the cone is expanded. The plurality of reservoirs are uniformly provided along the circumferential direction of the conical side surface portion corresponding to the plurality of guide grooves on the enlarged diameter side of the conical side surface portion, and have a bottom surface that becomes deeper along the circumferential direction. The etching solution flowing down from the groove is stored. The plurality of through holes are formed at equal intervals along the circumferential direction corresponding to the plurality of reservoirs, penetrate to the bottom surface, and supply the etching solution stored in the reservoirs to the wafer.

上記形態におけるエッチング液塗布ノズルによれば、周方向に等間隔に配置された複数の貫通孔へと均等にエッチング液を流下させることができる。これによって、回転するウェハの周縁部に対してエッチング液を均一に塗布できる。 According to the etching solution application nozzle in the above-described embodiment, the etching solution can be evenly flowed down into a plurality of through holes arranged at equal intervals in the circumferential direction. As a result, the etching solution can be uniformly applied to the peripheral edge of the rotating wafer.

エッチング液塗布ノズルの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the etching solution application nozzle. カバーを取り外したエッチング液塗布ノズルの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the etching solution application nozzle which removed the cover. 上方から見た貫通孔の周囲を示す拡大斜視図である。It is an enlarged perspective view which shows the circumference of the through hole seen from above. 下方から見た貫通孔の周囲を示す拡大斜視図である。It is an enlarged perspective view which shows the circumference of a through hole seen from below. エッチング液塗布工程を示す工程図である。It is a process drawing which shows the etching solution application process.

図1は、エッチング液塗布ノズル100の構成を示す斜視図である。エッチング液塗布ノズル100は、ウェハ900の周縁部910にエッチング液を塗布する。エッチング液塗布ノズル100は、半導体素子の製造工程で用いられる装置の一部を構成する。エッチング液塗布ノズル100は、吐出部110と、カバー120と、支持アーム130と、ノズル本体部200とを備える。 FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of the etching solution application nozzle 100. The etching solution application nozzle 100 applies the etching solution to the peripheral edge portion 910 of the wafer 900. The etching solution application nozzle 100 constitutes a part of the apparatus used in the manufacturing process of the semiconductor element. The etching solution application nozzle 100 includes a discharge portion 110, a cover 120, a support arm 130, and a nozzle main body portion 200.

エッチング液塗布ノズル100の吐出部110は、エッチング液を吐出する。吐出部110は、エッチング液を流す管の端部である。吐出部110は、ノズル本体部200の上方に位置する。吐出部110は、ノズル本体部200に対してエッチング液を吐出する。 The ejection unit 110 of the etching solution application nozzle 100 ejects the etching solution. The discharge unit 110 is an end portion of a tube through which the etching solution flows. The discharge unit 110 is located above the nozzle body unit 200. The ejection unit 110 ejects the etching solution to the nozzle body portion 200.

エッチング液塗布ノズル100のカバー120は、ノズル本体部200を覆う。カバー120は、ノズル本体部200より一回り大きな円錐形状を有する。カバー120は、ノズル本体部200の側面を主に覆う。カバー120は、ノズル本体部200と分離可能に構成されている。カバー120は、ノズル本体部200から周囲へのエッチング液の飛散を阻止する。 The cover 120 of the etching solution application nozzle 100 covers the nozzle body 200. The cover 120 has a conical shape that is one size larger than the nozzle body 200. The cover 120 mainly covers the side surface of the nozzle body 200. The cover 120 is configured to be separable from the nozzle main body 200. The cover 120 prevents the etching solution from scattering from the nozzle body 200 to the surroundings.

エッチング液塗布ノズル100の支持アーム130は、ノズル本体部200を支持する。支持アーム130は、図示省略する可動機構によって駆動され、ノズル本体部200を移動可能に構成されている。 The support arm 130 of the etching solution application nozzle 100 supports the nozzle body 200. The support arm 130 is driven by a movable mechanism (not shown), and is configured to be able to move the nozzle body 200.

エッチング液塗布ノズル100のノズル本体部200は、吐出部110から吐出されるエッチング液をウェハ900へと流下させる。ノズル本体部200は、カバー120より一回り小さな円錐形状を有する。 The nozzle body 200 of the etching solution coating nozzle 100 causes the etching solution discharged from the ejection unit 110 to flow down to the wafer 900. The nozzle body 200 has a conical shape that is one size smaller than the cover 120.

図2は、カバー120を取り外したエッチング液塗布ノズル100の構成を示す斜視図である。ノズル本体部200は、円錐側面部210と、液受部220と、複数の誘導溝230と、複数の貯留部240と、複数の貫通孔250とを備える。 FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the etching solution application nozzle 100 with the cover 120 removed. The nozzle body portion 200 includes a conical side surface portion 210, a liquid receiving portion 220, a plurality of guide grooves 230, a plurality of storage portions 240, and a plurality of through holes 250.

ノズル本体部200の円錐側面部210は、円錐側面を形成する。円錐側面部210は、カバー120より一回り小さな円錐の側面を形成する。円錐側面部210は、誘導溝230によって分断されている。 The conical side surface 210 of the nozzle body 200 forms a conical side surface. The conical side surface portion 210 forms the side surface of the cone that is one size smaller than the cover 120. The conical side surface portion 210 is divided by the guide groove 230.

ノズル本体部200の液受部220は、円錐側面部210における外径が縮小する縮径側(上方)に位置する。液受部220は、吐出部110から吐出されるエッチング液を受け入れる。液受部220は、ノズル本体部200の円錐頂点に形成された窪みである。 The liquid receiving portion 220 of the nozzle body portion 200 is located on the reduced diameter side (upper side) of the conical side surface portion 210 where the outer diameter is reduced. The liquid receiving unit 220 receives the etching liquid discharged from the discharging unit 110. The liquid receiving portion 220 is a recess formed at the apex of the cone of the nozzle body portion 200.

ノズル本体部200における複数の誘導溝230は、円錐側面部210における外径が縮小する縮径側(上方)から、円錐側面部210における外径が拡大する拡径側(下方)にわたって形成された溝である。誘導溝230は、液受部220からエッチング液を貯留部240へと誘導する。誘導溝230は、円錐側面部210に等間隔で形成されている。本実施例における誘導溝230の数は、4つである。但し、誘導溝230の数は、4つより少なくてもよいし、4つより多くてもよい。 The plurality of guide grooves 230 in the nozzle body portion 200 are formed from the reduced diameter side (upper side) where the outer diameter of the conical side surface portion 210 is reduced to the enlarged diameter side (lower side) where the outer diameter of the conical side surface portion 210 is expanded. It is a groove. The guide groove 230 guides the etching liquid from the liquid receiving unit 220 to the storage unit 240. The guide grooves 230 are formed in the conical side surface portions 210 at equal intervals. The number of guide grooves 230 in this embodiment is four. However, the number of guide grooves 230 may be less than four or more than four.

ノズル本体部200における複数の貯留部240は、円錐側面部210の拡径側(下方)において、誘導溝230から流下するエッチング液を貯留する。貯留部240は、カバー120との間にエッチング液を貯留する。複数の貯留部240は、複数の誘導溝230に対応して円錐側面部210の周方向に沿って均等に設けられている。貯留部240の数は、誘導溝230の数に対応する4つである。但し、他の実施形態では、一つの貯留部240に対して、複数の誘導溝230が設けられていてもよい。また、誘導溝230は、分岐する部分や合流する部分を有してもよい。貯留部240は、底面242と、堰部244とを有する。 The plurality of storage portions 240 in the nozzle main body portion 200 store the etching solution flowing down from the guide groove 230 on the enlarged diameter side (lower side) of the conical side surface portion 210. The storage unit 240 stores the etching solution between the storage unit 240 and the cover 120. The plurality of storage portions 240 are uniformly provided along the circumferential direction of the conical side surface portion 210 corresponding to the plurality of guide grooves 230. The number of storage portions 240 is four, which corresponds to the number of guide grooves 230. However, in another embodiment, a plurality of guide grooves 230 may be provided for one storage unit 240. Further, the guide groove 230 may have a branching portion or a merging portion. The storage portion 240 has a bottom surface 242 and a weir portion 244.

貯留部240の底面242は、円錐側面部210の拡径側(下方)に沿って延びており、かつ、周方向に沿って徐々に深くなっている。言い換えると、底面242は、円錐側面部210の拡径側(下方)において、周方向に沿って傾斜している。貯留部240の堰部244は、底面242の最も低い部位から上方に延びており、他の貯留部240との隔壁を形成する。誘導溝230の下端は、底面242の上方であって、特に、底面242の最も高い部位の近傍に位置している。 The bottom surface 242 of the storage portion 240 extends along the enlarged diameter side (lower side) of the conical side surface portion 210, and gradually becomes deeper along the circumferential direction. In other words, the bottom surface 242 is inclined along the circumferential direction on the enlarged diameter side (lower side) of the conical side surface portion 210. The weir portion 244 of the reservoir 240 extends upward from the lowest portion of the bottom surface 242 and forms a partition wall with the other reservoir 240. The lower end of the guide groove 230 is above the bottom surface 242 and is particularly located near the highest portion of the bottom surface 242.

図3は、上方から見た貫通孔250の周囲を示す拡大斜視図である。図4は、下方から見た貫通孔250の周囲を示す拡大斜視図である。ノズル本体部200における複数の貫通孔250は、貯留部240の底面242からノズル本体部200の下面260に貫通する。貫通孔250は、貯留部240に貯留されているエッチング液をウェハ900に供給する。貫通孔250は、複数の貯留部240に対応して円錐側面部210の周方向に沿って等間隔に形成されている。貫通孔250の数は、貯留部240の数に対応する4つである。貫通孔250は、底面242における最も低い部位に形成されている。貫通孔250は、一方の貯留部240における底面242と、隣り合う他方の貯留部240における堰部244との間に位置する。 FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the periphery of the through hole 250 as seen from above. FIG. 4 is an enlarged perspective view showing the periphery of the through hole 250 as seen from below. The plurality of through holes 250 in the nozzle body 200 penetrate from the bottom surface 242 of the storage unit 240 to the bottom surface 260 of the nozzle body 200. The through hole 250 supplies the etching solution stored in the storage unit 240 to the wafer 900. The through holes 250 are formed at equal intervals along the circumferential direction of the conical side surface portion 210 corresponding to the plurality of storage portions 240. The number of through holes 250 is four, which corresponds to the number of reservoirs 240. The through hole 250 is formed at the lowest portion of the bottom surface 242. The through hole 250 is located between the bottom surface 242 of one storage portion 240 and the weir portion 244 of the adjacent storage portion 240.

ノズル本体部200は、更に、複数の突起部270を備える。図4に示すように、突起部270は、ノズル本体部200の下面260に設けられており、貫通孔250の内周側に形成されている。突起部270の数は、貫通孔250の数に対応する4つである。突起部270は、貫通孔250の内周側を下方に延長した形状を成す。突起部270は、貫通孔250から流れるエッチング液の液切りを行う。これによって、ノズル本体部200の下面260へのエッチング液の付着を防止できる。 The nozzle body 200 further includes a plurality of protrusions 270. As shown in FIG. 4, the protrusion 270 is provided on the lower surface 260 of the nozzle main body 200, and is formed on the inner peripheral side of the through hole 250. The number of protrusions 270 is four, which corresponds to the number of through holes 250. The protrusion 270 has a shape in which the inner peripheral side of the through hole 250 is extended downward. The protrusion 270 drains the etching solution flowing from the through hole 250. This makes it possible to prevent the etching solution from adhering to the lower surface 260 of the nozzle body 200.

図5は、エッチング液塗布工程を示す工程図である。図5のエッチング液塗布工程は、エッチング液塗布ノズル100を備える半導体製造装置によって実施される。まず、半導体製造装置は、エッチング液塗布ノズル100をウェハ900の上方に移動させる(工程P110)。 FIG. 5 is a process diagram showing an etching solution coating process. The etching solution coating step of FIG. 5 is performed by a semiconductor manufacturing apparatus provided with an etching solution coating nozzle 100. First, the semiconductor manufacturing apparatus moves the etching solution coating nozzle 100 above the wafer 900 (step P110).

ウェハ900の上方にエッチング液塗布ノズル100を移動させた後(工程P110)、半導体製造装置は、ウェハ900を回転させる(工程P120)。ウェハ900を回転させた後(工程P120)、半導体製造装置は、複数の貯留部240の各々が溢れるまで、吐出部110から液受部220にエッチング液を吐出する(工程P130)。 After moving the etching solution coating nozzle 100 above the wafer 900 (process P110), the semiconductor manufacturing apparatus rotates the wafer 900 (process P120). After rotating the wafer 900 (process P120), the semiconductor manufacturing apparatus discharges the etching solution from the discharging unit 110 to the liquid receiving unit 220 until each of the plurality of storage units 240 overflows (process P130).

液受部220のエッチング液は、複数の誘導溝230を伝って、複数の貯留部240へと流れる。貫通孔250から流れるエッチング液の量は、誘導溝230から貯留部240に流れるエッチング液の量より少ない。そのため、貯留部240には、エッチング液が貯留される。1つの貯留部240にエッチング液が十分に貯留された場合、その貯留部240のエッチング液は、堰部244を超えて、隣接する他の貯留部240に流れ込む。誘導溝230から貯留部240へとエッチング液がさらに流れ込むことによって、複数の貯留部240においてエッチング液の液面は、堰部244を超えて同じ高さとなる。 The etching solution of the liquid receiving unit 220 flows through the plurality of guide grooves 230 to the plurality of storage units 240. The amount of the etching solution flowing from the through hole 250 is smaller than the amount of the etching solution flowing from the guide groove 230 to the reservoir 240. Therefore, the etching solution is stored in the storage unit 240. When the etching solution is sufficiently stored in one storage section 240, the etching solution of the storage section 240 flows beyond the weir section 244 into another storage section 240 adjacent to the reservoir section 240. As the etching solution further flows from the guide groove 230 into the reservoir 240, the liquid level of the etching solution in the plurality of reservoirs 240 exceeds the weir portion 244 and becomes the same height.

複数の貯留部240の各々が溢れるまでエッチング液を吐出した後(工程P130)、半導体製造装置は、複数の貫通孔250からエッチング液の供給が完了するまで待機する(工程P140)。その後、半導体製造装置は、エッチング液塗布ノズル100をウェハ900の上方から移動させる(工程P150)。これによって、ウェハ900の周縁部910に対するエッチング液の塗布が完了する。 After discharging the etching solution until each of the plurality of storage portions 240 overflows (process P130), the semiconductor manufacturing apparatus waits until the supply of the etching solution from the plurality of through holes 250 is completed (process P140). After that, the semiconductor manufacturing apparatus moves the etching solution coating nozzle 100 from above the wafer 900 (step P150). This completes the application of the etching solution to the peripheral edge portion 910 of the wafer 900.

以上説明した実施形態によれば、周方向に等間隔に配置された複数の貫通孔250へと均等にエッチング液を流下させることができる。これによって、回転するウェハ900の周縁部910に対してエッチング液を均一に塗布できる。 According to the embodiment described above, the etching solution can be evenly flowed down into a plurality of through holes 250 arranged at equal intervals in the circumferential direction. As a result, the etching solution can be uniformly applied to the peripheral edge portion 910 of the rotating wafer 900.

以上、実施形態を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、上述した実施形態を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面において説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載した組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面において説明した技術は、複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 Although the embodiments have been described in detail above, these are merely examples and do not limit the scope of claims. The techniques described in the claims include various modifications and modifications of the above-described embodiments. Further, the technical elements described in the present specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. Further, the techniques described in the present specification or the drawings achieve a plurality of objectives at the same time, and achieving one of the objectives itself has technical usefulness.

100…エッチング液塗布ノズル
110…吐出部
120…カバー
130…支持アーム
200…ノズル本体部
210…円錐側面部
220…液受部
230…誘導溝
240…貯留部
242…底面
244…堰部
250…貫通孔
260…下面
270…突起部
900…ウェハ
910…周縁部
100 ... Etching liquid application nozzle 110 ... Discharge part 120 ... Cover 130 ... Support arm 200 ... Nozzle body part 210 ... Conical side surface part 220 ... Liquid receiving part 230 ... Guidance groove 240 ... Storage part 242 ... Bottom surface 244 ... Weir part 250 ... Penetration Hole 260 ... Bottom surface 270 ... Protrusion 900 ... Wafer 910 ... Peripheral part

Claims (1)

ウェハの周縁部にエッチング液を塗布するエッチング液塗布ノズルであって、
エッチング液を吐出する吐出部と、
前記吐出部から吐出されるエッチング液を前記ウェハへと流下させるノズル本体部と
を備え、
前記ノズル本体部は、
円錐側面を形成する円錐側面部と、
前記円錐側面部における外径が縮小する縮径側に位置し、前記吐出部から吐出されるエッチング液を受け入れる液受部と、
前記円錐側面部に等間隔で形成され、前記液受部からエッチング液を、前記円錐側面部における外径が拡大する拡径側へと誘導する複数の誘導溝と、
前記円錐側面部の前記拡径側において、前記複数の誘導溝に対応して前記円錐側面部の周方向に沿って均等に設けられ、前記周方向に沿って深くなる底面を有し、前記誘導溝から流下するエッチング液を貯留する複数の貯留部と、
前記複数の貯留部に対応して前記周方向に沿って等間隔に形成され、前記底面へと貫通し、前記貯留部に貯留されているエッチング液を前記ウェハに供給する複数の貫通孔と
を含む、エッチング液塗布ノズル。
An etching solution coating nozzle that applies an etching solution to the peripheral edge of a wafer.
A discharge part that discharges the etching solution and
It is provided with a nozzle main body portion that allows the etching liquid discharged from the ejection portion to flow down to the wafer.
The nozzle body is
The conical side surface forming the conical side surface and
A liquid receiving portion that is located on the reduced diameter side of the conical side surface portion where the outer diameter is reduced and receives the etching liquid discharged from the discharging portion.
A plurality of guide grooves formed on the conical side surface portion at equal intervals and guiding the etching solution from the liquid receiving portion to the enlarged diameter side where the outer diameter of the conical side surface portion is expanded.
On the enlarged diameter side of the conical side surface portion, the conical side surface portion is uniformly provided along the circumferential direction corresponding to the plurality of guide grooves, and has a bottom surface that becomes deeper along the circumferential direction. Multiple storage units that store the etching solution flowing down from the groove,
A plurality of through holes formed at equal intervals along the circumferential direction corresponding to the plurality of reservoirs, penetrating the bottom surface, and supplying the etching solution stored in the reservoirs to the wafer. Including etching solution application nozzle.
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