JP6976845B2 - 表示基板、その製造方法、及び電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、端末技術分野に関し、特に、表示基板、表示基板の製造方法、電子デバイス、プログラム、及び記録媒体に関する。

タッチコントローラが広く利用されることに従って、タッチコントローラ操作を識別するためのタッチコントローラ電極の構成が多様化し、表示装置の異なる位置に設置されるようになる。しかし、現在の複数のタッチコントローラ電極は、表示装置の製造に対して独立しており、表示装置における集積度が低く、これによって、工程プロセスが煩雑になり、製品が占める空間が大きい。

本発明は関連する技術に存在する課題を解決するために、表示基板、その製造方法、電子デバイス、プログラム、及び記録媒体を提供する。

本公開の実施例の第１態様による表示基板は、
基底と、
前記基底の一側に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された有機発光層と、
前記有機発光層の中に形成されたタッチコントロール電極層と、
を含む。

好ましくは、前記有機発光層は、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された陽極層と、
前記陽極層に対して前記薄膜トランジスタの一側からより離れた位置に形成された正孔注入層と、
前記正孔注入層に対して前記陽極層の一側からより離れた位置に形成された正孔伝送層と、
前記正孔伝送層に対して前記正孔注入層の一側からより離れた位置に形成された有機材料層と、
前記有機材料層に対して前記正孔伝送層の一側からより離れた位置に形成された電子伝送層と、
前記電子伝送層に対して前記有機材料層の一側からより離れた位置に形成された電子注入層と、
前記電子注入層に対して前記電子伝送層の一側からより離れた位置に形成された陰極層と、
を含む。

好ましくは、前記タッチコントロール電極層は、前記陽極層と正孔注入層との間に形成され、又は前記正孔注入層と正孔伝送層との間に形成され、又は前記正孔伝送層と有機材料層との間に形成され、又は前記有機材料層と電子伝送層との間に形成され、又は前記電子伝送層と電子注入層との間に形成され、又は前記電子注入層と陰極層との間に形成されたものである。

好ましくは、上記の表示装置は、前記タッチコントロール電極層と前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に形成する絶縁層をさらに含む。

好ましくは、前記タッチコントロール電極層は自己容量を有する。

本公開の実施例の第２態様の表示基板の製造方法は、
基底に薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に有機発光層を形成するステップと、
前記有機発光層を形成するステップにおいて、前記有機発光層の中にタッチコントロール電極層を形成するステップと、
を含む。

好ましくは、前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に有機発光層を形成するステップは、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に陽極層を形成するステップと、
前記陽極層に対して前記薄膜トランジスタの一側からより離れた位置に正孔注入層を形成するステップと、
前記正孔注入層に対して前記陽極層の一側からより離れた位置に正孔伝送層を形成するステップと、
前記正孔伝送層に対して前記正孔注入層の一側からより離れた位置に有機材料層を形成するステップと、
前記有機材料層に対して前記正孔伝送層の一側からより離れた位置に電子伝送層を形成するステップと、
前記電子伝送層に対して前記有機材料層の一側からより離れた位置に電子注入層を形成するステップと、
前記電子注入層に対して前記電子伝送層の一側からより離れた位置に陰極層を形成するステップと、
を含む。

好ましくは、前記有機発光層の中にタッチコントロール電極層を形成するステップは、
前記陽極層と正孔注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記正孔注入層と正孔伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記正孔伝送層と有機材料層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記有機材料層と電子伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記電子伝送層と電子注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、又は
前記電子注入層と陰極層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ
を含む。

好ましくは、上記の製造方法は、前記タッチコントロール電極層と前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に絶縁層を形成するステップをさらに含む。

好ましくは、前記タッチコントロール電極層は自己容量を有する。

本公開の実施例の第３態様の電子デバイスは、
プロセッサと、
プロセッサが実行可能な命令を記憶するためのメモリと、を含む電子デバイスであって、
表示基板をさらに含み、前記表示基板は、
基底と、
前記基底の一側に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された有機発光層と、
前記有機発光層の中に形成されたタッチコントロール電極層と、を含む。
本公開の実施例の第４態様によれば、プログラムを提供する。当該プログラムは、プロセッサに実行されることにより、上記表示装置を製造する方法を実現する。
本公開の実施例の第５態様によれば、記録媒体を提供する。当該記録媒体には、上記プログラムが記録されている。

本公開の実施例に提供された技術案は下記のような有益な効果を含む。

上記の実施例によれば、本公開は、タッチコントロール電極層を有機発光層の中に形成して、表示基板の集積度を向上でき、且つ有機発光層の面積を大きく設置し、さらに薄膜トランジスタの真上に設置することによって、ここにタッチコントロール電極層を形成して、タッチコントロール電極層も大きく設置し、これによってより大きい範囲内のタッチコントローラ信号を誘導することができる。

なお、前記一般的な記載及び後述の詳細な記載は、単なる例示的で解釈的な記載であり、本発明を限定しない。

ここの図面は、明細書に組み入れて本明細書の一部を構成し、本発明に該当する実施例を例示するとともに、明細書とともに本発明の原理を解釈するために用いられる。
一例示的な実施例によって示された表示基板の構成模式図である。 一例示的な実施例によって示された有機発光層の構成模式図である。 一例示的な実施例に示された他の有機発光層の構成模式図である。 一例示的な実施例に示された表示基板の製造方法の概略的なフロー図である。 一例示的な実施例に示された他の表示基板の製造方法の概略的なフロー図である。 一例示的な実施例に示された他の表示基板の製造方法の概略的なフロー図である。 一例示的な実施例に示された表示装置の構成模式図である。

以下、例示的な実施例を詳しく説明し、その例示を図面に示す。以下の記載が図面に関わる場合、特に別の説明がない限り、異なる図面における同一符号は、同じ又は類似する要素を示す。以下の例示的な実施形態に記載の実施例は、本発明と一致する全ての実施例を代表するものではない。即ち、それらは、特許請求の範囲に記載の本発明のある側面に一致する装置及び方法の例に過ぎない。

図１は一例示的な実施例によって示された表示基板の構成模式図であり、図１に示されたように、表示基板は基底１と、薄膜トランジスタ２と、有機発光層３と、タッチコントロール電極層４と、を含む。

一実施例において、基底の材料はガラスであることが可能である。しかし、当該表示基板が柔軟な表示装置に適用される場合、基底の材料は柔軟な樹脂であってもいい。

薄膜トランジスタ２は前記基底１の一側に設置する。

一実施例において、図２に示されたように、薄膜トランジスタ２は、ゲート２１と、活性層２２と、ソース２３と、ドレイン２４等の構成を含むことができ、ゲート２１と活性層２２との間にゲート絶縁層５を設置することもできる。

有機発光層３は、前記薄膜トランジスタ２に対して前記基底１の一側からより離れた位置に形成される。

一実施例において、有機発光層が薄膜トランジスタに対して基底の一側からより離れた位置に形成することは、薄膜トランジスタを形成した後、有機発光層を形成することを指し、有機発光層３と薄膜トランジスタ２との間にパッシベーション層６を設置することができ、有機発光層３はパッシベーション層６中の通過孔によって薄膜トランジスタと電気的に接続する。ここで、パターン化工程によって薄膜トランジスタを形成することができ、蒸着工程によって有機発光層を形成することができる。

尚、図１には有機発光層と薄膜トランジスタとのサイズと位置関係が一つの種類のみ示したが、必要によって調整することができる。例えば、有機発光層の面積を増加させて、薄膜トランジスタの上方にも有機発光層を設置する。且つ、有機発光層に構成されたサブピクセルとサブピクセルとの間にピクセル定義層を設置することができる。これにたいして、本公開では、説明を省略する。

タッチコントロール電極層４は前記有機発光層３の中に設置する。

一実施例において、有機発光層は複数の層構成を含み、タッチコントロール電極層は、隣接する２つの層構成の間に形成することができる。ここで、タッチコントロール電極層はパターン化工程によって形成することができ、表示基板には、タッチコントロール電極層と電気的に接続する配線を形成する。ここで、説明は省略する。

一実施例において、タッチコントロール電極層を有機発光層の中に形成することによって、表示基板の集積度を向上することができ、且つ、有機発光層の面積を大きく設置することができるので、さらに、薄膜トランジスタの真上に設置することができるので、ここでタッチコントロール電極層を形成することができて、タッチコントロール電極層も大きく設置することができ、これによって、より大きい範囲のタッチコントロール信号を誘導する。

図２は一例示的な実施例によって示された有機発光層の構成模式図であり、前記有機発光層は、陽極層３１と、正孔注入層３２と、正孔伝送層３３と、有機材料層３４と、電子伝送層３５と、電子注入層３６と、陰極層３７と、を含む。

陽極層３１は、前記薄膜トランジスタ２に対して前記基底１の一側からより離れた位置に形成され、
正孔注入層３２は、前記陽極層３１に対して前記薄膜トランジスタ２の一側からより離れた位置に形成され、
正孔伝送層３３は、前記正孔注入層３２に対して前記陽極層３１の一側からより離れた位置に形成され、
有機材料層３４は、前記正孔伝送層３３に対して前記正孔注入層３２の一側からより離れた位置に形成され、
電子伝送層３５は、前記有機材料層３４に対して前記正孔伝送層３３の一側からより離れた位置に形成され、
電子注入層３６は、前記電子伝送層３５に対して前記有機材料層３４の一側からより離れた位置に形成され、
陰極層３７は、前記電子注入層３６に対して前記電子伝送層３５の一側からより離れた位置に形成される。

好ましくは、前記タッチコントロール電極層は、前記陽極層と正孔注入層との間に形成され、又は前記正孔注入層と正孔伝送層との間に形成され、又は前記正孔伝送層と有機材料層との間に形成され、又は前記有機材料層と電子伝送層との間に形成され、又は前記電子伝送層と電子注入層との間に形成され、又は前記電子注入層と陰極層との間に形成される。

一実施例において、図２に示したように、タッチコントロール電極層４は正孔注入層３２と正孔伝送層３３との間に設置することができ、タッチコントロール電極層の具体的な位置は必要によって設置することができる。ここで、陽極層に正電圧を印加することができ、陰極層に負電圧を印加することができ、これによって陽極層から陰極層までの電流が形成し、陰極層からの電子は順序に電子注入層、電子伝送層、有機材料層、正孔伝送層、正孔注入層を経過して陽極層に到達し、有機材料層を経過するとき、その中の有機材料を発光させるように励起する。

一実施例において、全てのサブピクセルの中の有機材料層が励起を受けたとき白光を照射するので、当該表示基板と対応設置する基板にはカラーフィルターを設置する必要がある。例えば、レッドフィルター、グリーンフィルター、ブルーフィルターを設置して、異なるカラーのフィルターに対応するサブピクセルが光を照射し、この照射した光が異なるカラーになるようにし、さらに、サブピクセルが照射する光度を調整することで、対応ピクセルの照射する光のカラーを変化させる。

一実施例において、異なるサブピクセル中の有機材料層が励起されたとき、異なるカラーの光を照射し、例えば、それぞれレッド光、グリーン光、ブルー光を照射する。これらの照射によって、異なるサブピクセルが照射する光は、異なるカラーである。これによって、サブピクセルが照射する光度を調整することで、対応ピクセルの照射する光のカラーを変化させる。

一実施例において、表示基板が底照射する構成の表示装置に応用する場合、透明導電材料で陽極を形成することができ、反射率が高い導電材料で陰極を形成することができる。これによって、光が底から照射することができる。表示基板が上部照射する構成の表示装置に応用する場合、透明導電材料で陰極を形成することができ、反射率が高い導電材料で陽極を形成することができる。これによって、光が上部から照射することができる。ここで、透明導電材料はITO（スズドープ酸化インジウム）であることができ、反射率が高い導電材料はアルミニウム、銀等の金属であることができる。

図３は一例示的な実施例に示された他の有機発光層の構成模式図であり、
前記タッチコントロール電極層４と前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に設置される絶縁層７をさらに含む。

一実施例において、例えば図２に基づいて、絶縁層は、タッチコントロール電極層４と正孔注入層３２との間に設置することができ、及びタッチコントロール電極層４と正孔伝送層３３との間に設置することができる。有機発光層中の各層構成には陰極層から陽極層の方向の電子流が存在し、且つ、タッチコントロール電極層と隣接する層構成に電子がリテンションする可能性が存在するので、タッチコントロール電極層が生成するタッチコントローラ信号に影響を及ぼす。タッチコントロール電極層とタッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に絶縁層を設置することによって、タッチコントロール電極層が他の層構成に受ける影響が低くなり、これによって、タッチコントローラ電極がタッチコントローラ操作を誘導する正確度を向上できる。

好ましくは、前記タッチコントロール電極層は自己容量を有する。

一実施例において、ユーザが、上記表示基板が設けられた表示装置に接触するとき、陰極層が指とタッチコントロール電極層との間に位置し、これによって、タッチコントロール電極層が誘導して生成されたタッチコントローラ信号に対してシールド作用をする。自己容量はタッチコントローラ操作により生成されたタッチコントローラ信号を誘導した強度が大きくて、正確なタッチコントローラ結果を得ることに有利する。

上記の表示基板の実施例に対応して、本公開には表示基板を製造する方法の実施例を提供する。

図４は一例示的な実施例に示された表示基板の製造方法の概略的なフロー図であり、図４に示したように、当該製造方法は下記のステップを含む。

ステップＳ４１において、基底に薄膜トランジスタを形成し、
ステップＳ４２において、前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に有機発光層を形成し、
ステップＳ４３において、前記有機発光層を形成するとき、前記有機発光層の中にタッチコントロール電極層を形成する。

図５は一例示的な実施例に示された他の表示基板の製造方法の概略的なフロー図であり、図４に示された実施例に基づいて、前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に有機発光層を形成するステップは下記のステップを含む。

ステップＳ４２１において、前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に陽極層を形成し、
ステップＳ４２２において、前記陽極層に対して前記薄膜トランジスタの一側からより離れた位置に正孔注入層を形成し、
ステップＳ４２３において、前記正孔注入層に対して前記陽極層の一側からより離れた位置に正孔伝送層を形成し、
ステップＳ４２４において、前記正孔伝送層に対して前記正孔注入層の一側からより離れた位置に有機材料層を形成し、
ステップＳ４２５において、前記有機材料層に対して前記正孔伝送層の一側からより離れた位置に電子伝送層を形成し、
ステップＳ４２６において、前記電子伝送層に対して前記有機材料層の一側からより離れた位置に電子注入層を形成し、
ステップＳ４２７において、前記電子注入層に対して前記電子伝送層の一側からより離れた位置に陰極層を形成する。

好ましくは、前記有機発光層の中にタッチコントロール電極層を形成するステップは下記のステップを含む。

前記陽極層と正孔注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成し、
又は前記正孔注入層と正孔伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成し、
又は前記正孔伝送層と有機材料層との間に前記タッチコントロール電極層を形成し、
又は前記有機材料層と電子伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成し、
又は前記電子伝送層と電子注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成し、
又は前記電子注入層と陰極層との間に前記タッチコントロール電極層を形成する。

図６は一例示的な実施例に示された他の表示基板の製造方法の概略的なフロー図であり、図５に示された実施例に基づいて、上記の製造方法は下記のステップをさらに含む。

ステップＳ４４において、前記タッチコントロール電極層と前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に絶縁層を形成する。

尚、上記の製造方法のステップは必要によって順序を調整することができ、例えば、ステップＳ４３がステップＳ４２２とステップＳ４２３との間で実行することができ、ステップＳ４４がステップＳ４２２とステップＳ４４との間で実行することができ、及びステップＳ４２３とステップＳ４４との間で実行することができる。

好ましくは、前記タッチコントロール電極層は自己容量を有する。

上記の実施例の製造方法について、各ステップの具体的な方式は関係する表示基板の実施例で詳細に説明したので、ここで詳細な説明を省略する。

図７は他の例示的実施例に係る表示装置７００を示すブロック図である。例えば、装置７００は、携帯電話、コンピュータ、デジタルブロードキャスト端末、メッセージ送受信機、ゲーム機、タブレットデバイス、医療機器、フィットネス機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等のものであってもよい。

図７を参照すると、装置７００は、処理ユニット７０２、メモリ７０４、電源ユニット７０６、マルチメディアユニット７０８、オーディオユニット７１０、入力/出力（Ｉ/Ｏ）インタフェース７１２、センサーユニット７１４、及び通信ユニット７１６からなる群から選ばれる少なくとも１つを備えてもよい。

処理ユニット７０２は、一般的には、装置７００の全体の操作、例えば、表示、電話呼び出し、データ通信、カメラ操作及び記録操作に関連する操作を制御する。処理ユニット７０２は、上述した方法におけるステップの一部又は全部を実現できるように、命令を実行する少なくとも１つのプロセッサ７２０を備えてもよい。また、処理ユニット７０２は、他のユニットとのインタラクションを便利にさせるように、少なくとも１つのモジュールを備えてもよい。例えば、処理ユニット７０２は、マルチメディアユニット７０８とのインタラクションを便利にさせるように、マルチメディアモジュールを備えてもよい。

メモリ７０４は、装置７００での操作をサポートするように、各種のデータを記憶するように配置される。これらのデータは、例えば、装置７００で何れのアプリケーション又は方法を操作するための命令、連絡先データ、電話帳データ、メッセージ、画像、ビデオ等を含む。メモリ７０４は、何れの種類の揮発性又は不揮発性メモリ、例えば、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、磁気メモリ、フラッシュメモリ、磁気ディスク、或いは光ディスクにより、或いはそれらの組み合わせにより実現することができる。

電源ユニット７０６は、装置７００の各種ユニットに電力を供給するためのものであり、電源管理システム、１つ又は複数の電源、及び装置７００のために電力を生成、管理及び分配することに関連する他のユニットを備えてもよい。

マルチメディアユニット７０８は、装置７００とユーザとの間に出力インタフェースを提供するスクリーンを備えてもよい。スクリーンは、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やタッチパネル（ＴＰ）を備えてもよい。スクリーンは、タッチパネルを備える場合、ユーザからの入力信号を受信するように、タッチスクリーンになることができる。また、タッチパネルは、タッチや、スライドや、タッチパネル上の手振りを感知するように、少なくとも１つのタッチセンサーを有する。タッチセンサーは、タッチやスライド動作の境界を感知できるだけではなく、タッチやスライド操作と関連する持続時間や圧力も感知できる。一実施例では、マルチメディアユニット７０８は、フロントカメラ、及びバックカメラの少なくとも１つを有してもよい。装置７００が、例えば、撮影モードやビデオモードのような操作モードにある時、フロントカメラ、及びバックカメラの少なくとも１つが外部のマルチメディアデータを受信できる。フロントカメラ及びバックカメラのそれぞれは、固定の光学レンズ系であってもよいし、焦点距離及び光学ズーム能力を有するものであってもよい。

オーディオユニット７１０は、オーディオ信号を出力、及び入力の少なくとも１つをするように配置される。例えば、オーディオユニット７１０は、マイクロフォン（ＭｉＣ）を有してもよい。装置７００が、例えば、呼び出しモード、記録モード、又は音声認識モードのような操作モードにあるとき、マイクロフォンは、外部のオーディオ信号を受信するように配置される。受信したオーディオ信号は、メモリ７０４にさらに記憶されてもよいし、通信ユニット７１６を介して送信されてもよい。一実施例では、オーディオユニット７１０は、オーディオ信号を出力するためのスピーカをさらに備えてもよい。

Ｉ/Ｏインタフェース７１２は、処理ユニット７０２と外部のインタフェースモジュールとの間にインタフェースを提供するためのものである。上記外部のインタフェースモジュールは、キーボードや、クリックホイールや、ボタン等であってもよい。これらのボタンは、ホームボタンや、音量ボタンや、スタートボタンや、ロックボタンであってもよいが、それらに限らない。

センサーユニット７１４は、装置７００のために各方面の状態を評価する少なくとも１つのセンサーを備えてもよい。例えば、センサーユニット７１４は、装置７００のオン/オフ状態や、ユニットの相対的な位置を検出することができる。例えば、前記ユニットは、装置７００のディスプレイ及びキーパッドである。センサーユニット７１４は、装置７００又は装置７００の１つのユニットの位置の変化と、ユーザが装置７００に接触しているか否かと、装置７００の方向又は加速/減速と、装置７００の温度変化とを検出することができる。センサーユニット７１４は、何れの物理的な接触もない場合に付近の物体を検出するように配置される近接センサーを有してもよい。センサーユニット７１４は、イメージングアプリケーションに用いるための光センサー、例えば、ＣＭＯＳ又はＣＣＤ画像センサーを有してもよい。一実施例では、当該センサーユニット７１４は、加速度センサー、ジャイロスコープセンサー、磁気センサー、圧力センサー又は温度センサーをさらに備えてもよい。

通信ユニット７１６は、装置７００と他の設備の間との無線又は有線通信を便利にさせるように配置される。装置７００は、通信標準に基づく無線ネットワーク、例えば、ＷｉＦｉ（登録商標）、２Ｇ又は３Ｇ、又はそれらの組み合わせにアクセスできる。１つの例示的な実施例では、通信ユニット７１６は、ブロードキャストチャンネルを介して外部のブロードキャスト管理システムからのブロードキャスト信号又はブロードキャストに関する情報を受信する。１つの例示的な実施例では、前記通信ユニット７１６は、近距離通信を促進するために近距離無線通信（ＮＦＣ）モジュールをさらに備えてもよい。例えば、ＮＦＣモジュールは、無線周波数認識装置（ＲＦＩＤ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術、赤外線データ協会（ＩｒＤＡ：Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｄａｔａ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）技術、超広帯域無線（ＵＷＢ：Ｕｌｔｒａ Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ）技術、ブルートゥース（ＢＴ：Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標））技術及び他の技術によって実現されてもよい。

例示的な実施例では、装置７００は、上述した方法を実行するために、１つ又は複数の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、数字信号処理デバイス（ＤＳＰＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）、プログラム可能論理デバイス（ＰＬＤ：Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）、書替え可能ゲートアレイ（ＦＰＧＡ：Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、コントローラ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、又は他の電子機器によって実現されてもよい。

例示的な実施例では、命令を有する非一時的コンピュータ読み取り可能な記録媒体、例えば、命令を有するメモリ７０４をさらに提供する。前記命令は、装置７００のプロセッサ７２０により実行されて上述した方法を実現する。例えば、前記非一時的コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＤ-ＲＯＭ、磁気テープ、フロッピー（登録商標）ディスク及び光データメモリ等であってもよい。

当業者は、明細書に対する理解、及び明細書に記載された発明に対する実施を介して、本発明の他の実施形態を容易に取得することができる。本発明は、本発明に対する任意の変形、用途、又は適応的な変化を含み、このような変形、用途、又は適応的な変化は、本発明の一般的な原理に従い、本発明では開示していない本技術分野の公知知識、又は通常の技術手段を含む。明細書及び実施例は、単に例示的なものであって、本発明の本当の範囲と主旨は、以下の特許請求の範囲によって示される。

本発明は、上記で記述され、図面で図示した特定の構成に限定されず、その範囲を離脱しない状況で、様々な修正や変更を実施してもよい。本発明の範囲は、添付される特許請求の範囲のみにより限定される。

本願は、出願番号がＣＮ２０１６１０９５７９６６.３であって、出願日が２０１６年１０月２７日である中国特許出願に基づいて優先権を主張し、当該中国特許出願のすべての内容を援用するようにする。

Claims (9)

1. 基底と、
   前記基底の一側に形成された薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された有機発光層と、
   前記有機発光層の中に形成された、パターン化されたタッチコントロール電極層と、
   前記タッチコントロール電極層と、前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に形成された絶縁層と、
   を含むことを特徴とする表示基板。
2. 前記有機発光層は、
   前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された陽極層と、
   前記陽極層に対して前記薄膜トランジスタの一側からより離れた位置に形成された正孔注入層と、
   前記正孔注入層に対して前記陽極層の一側からより離れた位置に形成された正孔伝送層と、
   前記正孔伝送層に対して前記正孔注入層の一側からより離れた位置に形成された有機材料層と、
   前記有機材料層に対して前記正孔伝送層の一側からより離れた位置に形成された電子伝送層と、
   前記電子伝送層に対して前記有機材料層の一側からより離れた位置に形成された電子注入層と、
   前記電子注入層に対して前記電子伝送層の一側からより離れた位置に形成された陰極層と、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
3. 前記タッチコントロール電極層は、前記陽極層と前記正孔注入層との間に形成され、又は前記正孔注入層と前記正孔伝送層との間に形成され、又は前記正孔伝送層と前記有機材料層との間に形成され、又は前記有機材料層と前記電子伝送層との間に形成され、又は前記電子伝送層と前記電子注入層との間に形成され、又は前記電子注入層と前記陰極層との間に形成された
   ことを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
4. 前記タッチコントロール電極層は自己容量を有することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の表示基板。
5. 基底に薄膜トランジスタを形成するステップと、
   前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に有機発光層を形成するステップと、
   この前記有機発光層を形成するステップにおいて、前記有機発光層の中にパターン化されたタッチコントロール電極層を形成するステップと、を含み、
   前記タッチコントロール電極層と、前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に絶縁層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする表示基板の製造方法。
6. 前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に前記有機発光層を形成するステップは、
   前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に陽極層を形成するステップと、
   前記陽極層に対して前記薄膜トランジスタの一側からより離れた位置に正孔注入層を形成するステップと、
   前記正孔注入層に対して前記陽極層の一側からより離れた位置に正孔伝送層を形成するステップと、
   前記正孔伝送層に対して前記正孔注入層の一側からより離れた位置に有機材料層を形成するステップと、
   前記有機材料層に対して前記正孔伝送層の一側からより離れた位置に電子伝送層を形成するステップと、
   前記電子伝送層に対して前記有機材料層の一側からより離れた位置に電子注入層を形成するステップと、
   前記電子注入層に対して前記電子伝送層の一側からより離れた位置に陰極層を形成するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
7. 前記有機発光層の中にタッチコントロール電極層を形成するステップは、
   前記陽極層と前記正孔注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
   前記正孔注入層と前記正孔伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
   前記正孔伝送層と前記有機材料層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
   前記有機材料層と前記電子伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
   前記電子伝送層と前記電子注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、又は
   前記電子注入層と前記陰極層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ
   を含むことを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
8. 前記タッチコントロール電極層は自己容量を有することを特徴とする請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載の製造方法。
9. プロセッサと、
   前記プロセッサが実行可能な命令を記憶するためのメモリと、を含む電子デバイスであって、
   表示基板をさらに含み、前記表示基板は、
   基底と、
   前記基底の一側に形成された薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された有機発光層と、
   前記有機発光層の中に形成された、パターン化されたタッチコントロール電極層と、
   前記タッチコントロール電極層と、前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に形成された絶縁層と、を含む
   ことを特徴とする電子デバイス。

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