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JP6978853B2 - Imprint device and article manufacturing method - Google Patents
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Description

本発明は、インプリント装置、及び物品製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint device and a method for manufacturing an article.

半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ技術の一つとして、インプリント技術が実用化されつつある。インプリント処理では、基板上のインプリント材に型を接触させる際に型とインプリント材との間に気泡が閉じ込められやすい。気泡が残留したままインプリント材を硬化させると、形成されたパターンに未充填欠陥が生じうる。未充填欠陥を抑制するためには、閉じ込められた大気がショットの外へ拡散するのを待ったり、インプリント材中に溶解するのを待ったりして、充填時間を長く設定することが考えられるが、スループットが低下する。このように、充填時間が長くなることによるスループットの低下は、インプリント技術の大きな課題の一つである。 Imprint technology is being put to practical use as one of the lithography technologies for manufacturing articles such as semiconductor devices. In the imprint process, air bubbles are likely to be trapped between the mold and the imprint material when the mold is brought into contact with the imprint material on the substrate. Curing the imprint material with air bubbles remaining can result in unfilled defects in the formed pattern. In order to suppress unfilled defects, it is conceivable to set a long filling time by waiting for the trapped air to diffuse out of the shot or to dissolve in the imprint material. However, the throughput decreases. As described above, the decrease in throughput due to the long filling time is one of the major problems of the imprint technology.

未充填欠陥の低減や充填時間の短縮を実現するための解決策として、特許文献1では、分子拡散速度の速いヘリウムやインプリント材中に溶解しやすい二酸化炭素を導入することが提案されている。特許文献2では、基板全体を含む空間やインプリントを施す領域を凝縮性気体で曝露する構成が提案されている。型とインプリント材との間に閉じ込められたガスを凝縮させることにより、充填時間を短縮するとともに、未充填欠陥を抑制することが可能である。非特許文献1では、凝縮性気体の一種である1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパン(以下「ペンタフルオロプロパン」という。)を用いることにより、硬化させたインプリント材から型を引き離す力(以下「離型力」という。)を低くできることが報告されている。離型力を低減することにより、型へのインプリント材の付着を抑制し、転写欠陥を少なくすることができる。更に、非特許文献2では、ペンタフルオロプロパンによってインプリント材の粘性が低下する現象が報告されている。インプリント材の粘性が低いほど、インプリント材が基板上で広がり易くなるため、充填時間を短縮することが可能である。また、特許文献3では、凝縮性気体とヘリウムとの混合気体をインプリント装置に供給し、インプリント材の充填時間を短縮、もしくは、パターン欠損を低減するとともに、インプリント材の表面粗さを低減させる構成が提案されている。 As a solution for reducing unfilled defects and shortening the filling time, Patent Document 1 proposes introducing easily soluble carbon dioxide into helium having a high molecular diffusion rate or an imprint material. .. Patent Document 2 proposes a configuration in which a space including the entire substrate and an area to be imprinted are exposed with a condensable gas. By condensing the gas trapped between the mold and the imprint material, it is possible to shorten the filling time and suppress unfilled defects. In Non-Patent Document 1, a mold is formed from a cured imprint material by using 1,1,1,3,3-pentafluoropropane (hereinafter referred to as "pentafluoropropane"), which is a kind of condensable gas. It has been reported that the pulling force (hereinafter referred to as "release force") can be reduced. By reducing the mold release force, it is possible to suppress the adhesion of the imprint material to the mold and reduce transfer defects. Further, Non-Patent Document 2 reports a phenomenon that the viscosity of the imprint material is lowered by pentafluoropropane. The lower the viscosity of the imprint material, the easier it is for the imprint material to spread on the substrate, so that the filling time can be shortened. Further, in Patent Document 3, a mixed gas of condensable gas and helium is supplied to the imprint device to shorten the filling time of the imprint material, reduce pattern defects, and reduce the surface roughness of the imprint material. Configurations to reduce have been proposed.

特表2011−514658号公報Japanese Patent Publication No. 2011-514658 特許第3700001号公報Japanese Patent No. 3700001 特開2013−168645号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-168645

Hiroshima, Journal of Vacuum Science and Technology, B 27(6) 2009, 2862-2865Hiroshima, Journal of Vacuum Science and Technology, B 27 (6) 2009, 2862-2865 Hiroshima, Journal of Photopolymer Science and Technology, Volume23, Number1, 2010, 45-50Hiroshima, Journal of Photopolymer Science and Technology, Volume23, Number1, 2010, 45-50

蒸気圧の低いペンタフルオロプロパンは通常、容器に液体状態で充填され、容器内で気化したペンタフルオロプロパンがインプリント装置に搬送される。容器内で気化した凝縮性気体をインプリント装置に搬送させるためのエネルギーは、ペンタフルオロプロパンの蒸気圧という極めて低い圧力エネルギーのみであり、ポンプ等の外部エネルギーは通常使用されない。 Pentafluoropropane having a low vapor pressure is usually filled in a container in a liquid state, and the pentafluoropropane vaporized in the container is transferred to an imprint device. The energy for transporting the condensed gas vaporized in the container to the imprint device is only the extremely low pressure energy of the vapor pressure of pentafluoropropane, and external energy such as a pump is not normally used.

ペンタフルオロプロパンとヘリウムを混合させるのに通常考えられる構成は、ペンタフルオロプロパンの供給配管とヘリウムの供給配管とをT字継ぎ手等で合流させて予めペンタフルオロプロパンとヘリウムとの混合気体を作る構成である。この混合気体がインプリント装置に供給される。しかし、ヘリウムの供給圧が通常500kPa程度であるのに対し、ペンタフルオロプロパンの室温での供給圧は50kPa程度である。そのため、単にT字継ぎ手等で合流させて混合する方法では、ヘリウムとの供給圧差により、ペンタフルオロプロパンが流れにくくなる。ペンタフルオロプロパンの温度を上げることでペンタフルオロプロパンの供給圧を上げることはできる。具体的には、ペンタフルオロプロパンを約70℃に加熱できれば、ペンタフルオロプロパンの供給圧を500kPaにすることができる。しかしこれを実現するためには、ペンタフルオロプロパンの容器や配管等を約70℃に加熱する必要があるため、装置構成が複雑化する。また、70℃程度にまで加熱されたガスが型と基板との間に供給された場合、型および基板の熱変形等に対処する必要もある。 A configuration that is usually considered for mixing pentafluoropropane and helium is a configuration in which a pentafluoropropane supply pipe and a helium supply pipe are joined by a T-shaped joint or the like to form a mixed gas of pentafluoropropane and helium in advance. Is. This mixed gas is supplied to the imprint device. However, while the supply pressure of helium is usually about 500 kPa, the supply pressure of pentafluoropropane at room temperature is about 50 kPa. Therefore, in the method of simply merging and mixing with a T-shaped joint or the like, pentafluoropropane does not easily flow due to the difference in supply pressure with helium. The supply pressure of pentafluoropropane can be increased by increasing the temperature of pentafluoropropane. Specifically, if pentafluoropropane can be heated to about 70 ° C., the supply pressure of pentafluoropropane can be increased to 500 kPa. However, in order to realize this, it is necessary to heat the container, piping, etc. of pentafluoropropane to about 70 ° C., which complicates the device configuration. Further, when a gas heated to about 70 ° C. is supplied between the mold and the substrate, it is necessary to deal with thermal deformation of the mold and the substrate.

本発明は、スループットと正確なパターン形成との両立に有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。 It is an exemplary object of the present invention to provide an imprinting apparatus that is advantageous in achieving both throughput and accurate pattern formation.

本発明の一側面によれば、基板上のインプリント材に型を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、第1供給口を含み、前記基板上の前記インプリント材と前記型との間の空間に前記第1供給口から第1気体を供給する第1供給部と、第2供給口を含み、前記空間に前記第2供給口から前記第1気体とは異なる第2気体を前記第1供給部とは異なる経路を介して供給する第2供給部と、前記空間内で前記第1気体と前記第2気体との混合が行われるように、前記第1供給部および前記第2供給部を制御する制御部とを有することを特徴とするインプリント装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, it is an imprint device that forms a pattern on the substrate by bringing a mold into contact with an imprint material on the substrate, including a first supply port, and the imprint on the substrate. The space between the material and the mold includes a first supply unit for supplying the first gas from the first supply port and a second supply port, and the space is filled with the first gas from the second supply port. different from the second second supply unit for supplying via a path different from the gas to the first supply unit, so mixing with the second gas and the first gas in the space is made, the first An imprint device comprising a supply unit and a control unit that controls the second supply unit is provided.

本発明によれば、例えば、スループットと正確なパターン形成との両立に有利なインプリント装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint device that is advantageous in achieving both throughput and accurate pattern formation.

実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。The figure which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態における気体供給部の構成を例示する図。The figure which illustrates the structure of the gas supply part in an embodiment. 実施形態における気体供給部の動作の例を説明する図。The figure explaining the example of the operation of the gas supply part in an embodiment. 実施形態における気体供給部の動作の別の例を説明する図。The figure explaining another example of the operation of the gas supply part in an embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。The figure which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。The figure which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態における物品製造方法を説明する図。The figure explaining the article manufacturing method in an embodiment.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the following embodiments merely show specific examples of the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, not all combinations of features described in the following embodiments are essential for solving the problems of the present invention.

<第1実施形態>
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
<First Embodiment>
First, an outline of the imprint device according to the embodiment will be described. The imprint device is a device that forms a pattern of a cured product to which the uneven pattern of the mold is transferred by bringing the imprint material supplied on the substrate into contact with the mold and applying energy for curing to the imprint material. be.

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置(後述する図1のインプリント材供給部33に対応)により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板、石英ガラスである。 As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat and the like can be used. The electromagnetic wave may be, for example, light selected from a wavelength range of 10 nm or more and 1 mm or less, for example, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and the like. The curable composition can be a composition that cures by irradiation with light or by heating. Of these, the photocurable composition that is cured by irradiation with light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent, if necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group of sensitizers, hydrogen donors, internal release mold release agents, surfactants, antioxidants, polymer components and the like. The imprint material is a substrate in the form of droplets or islands or films formed by connecting a plurality of droplets by an imprint material supply device (corresponding to the imprint material supply unit 33 in FIG. 1 to be described later). Can be placed on top. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) can be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin and the like can be used. If necessary, a member made of a material different from the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon substrate, a compound semiconductor substrate, or quartz glass.

図1は、本実施形態に係るインプリント装置10の構成を示す概略図である。インプリント装置10は、半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、基板21(ウエハ)の上に供給されたインプリント材31を型41で成形し、基板21上にインプリント材のパターンを形成する。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置を例示するが、熱硬化法を採用してもよい。また、以下の図においては、基板21上のインプリント材31に対して照射される紫外線53の光軸と平行にXYZ座標系におけるZ軸をとり、Z軸に垂直な平面内に互いに直交する方向にX軸およびY軸をとる。 FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of the imprint device 10 according to the present embodiment. The imprint device 10 is used in the manufacture of devices such as semiconductor devices, and the imprint material 31 supplied on the substrate 21 (wafer) is molded by a mold 41 to form a pattern of the imprint material on the substrate 21. do. Although an imprint device that employs a photocuring method is illustrated here, a thermosetting method may be adopted. Further, in the following figure, the Z axis in the XYZ coordinate system is taken parallel to the optical axis of the ultraviolet ray 53 irradiated to the imprint material 31 on the substrate 21, and is orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z axis. Take the X and Y axes in the direction.

光照射部50は、インプリント処理の際、特に基板21上のインプリント材31を硬化させる際に、型41に対して紫外線53を照射する。光照射部50は、光源51と、光源51から発せられた紫外線53をインプリントに適切な光に調整し、型41に照射する照明光学系52とを含みうる。光源51は、ハロゲンランプなどのランプ類を採用可能であるが、型41を透過し、かつ紫外線53の照射によりインプリント材31が硬化する波長の光を発する光源であれば、特に限定するものではない。照明光学系52は、不図示であるが、レンズ、ミラー、アパーチャ、または照射と遮光とを切り替えるためのシャッターなどを含み得る。なお、本実施形態では、光硬化法を採用するために光照射部50を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、この光照射部50に代えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することとなる。 The light irradiation unit 50 irradiates the mold 41 with ultraviolet rays 53 during the imprint processing, particularly when the imprint material 31 on the substrate 21 is cured. The light irradiation unit 50 may include a light source 51 and an illumination optical system 52 that adjusts the ultraviolet rays 53 emitted from the light source 51 to light suitable for imprinting and irradiates the mold 41. As the light source 51, lamps such as halogen lamps can be adopted, but the light source is particularly limited as long as it is a light source that transmits light through the mold 41 and emits light having a wavelength at which the imprint material 31 is cured by irradiation with ultraviolet rays 53. is not it. Illumination optical system 52, which is not shown, may include a lens, a mirror, an aperture, or a shutter for switching between irradiation and shading. In the present embodiment, the light irradiation unit 50 is installed in order to adopt the photocuring method. For example, when the heat curing method is adopted, the thermosetting resin is used instead of the light irradiation unit 50. A heat source unit will be installed to cure the light.

型41は、外周形状が矩形であり、基板21に対向する面には、例えば回路パターンなどの転写すべきパターンが形成されたパターン部41aを含む。また、型41の材質は、紫外線53を透過させることが可能な材質(例えば石英)とする。さらに、型41は、紫外線53が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さのキャビティ44(凹部)を有する場合もある。 The mold 41 has a rectangular outer peripheral shape, and the surface facing the substrate 21 includes a pattern portion 41a on which a pattern to be transferred such as a circuit pattern is formed. The material of the mold 41 is a material (for example, quartz) capable of transmitting ultraviolet rays 53. Further, the mold 41 may have a cavity 44 (recess) having a circular planar shape and a certain depth on the surface irradiated with the ultraviolet ray 53.

型保持部40は、型41を保持する型チャック42と、型チャック42を移動自在に保持する型駆動機構43と、型41(パターン部41a)の形状を補正する倍率補正機構46とを含みうる。型チャック42は、型41における紫外線53の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型41を保持し得る。例えば、型チャック42は、真空吸着力により型41を保持する場合、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプの排気による吸着圧を適宜調整することで、型41に対する吸着力(保持力)を調整し得る。型駆動機構43は、型41と基板21上のインプリント材31との接触または分離を選択的に行うように、型41を移動させる。この型駆動機構43に採用可能な動力源としては、例えばリニアモーターやエアシリンダーがある。また、型駆動機構43は、型41の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系を有していてもよい。さらに、型駆動機構43は、Z軸方向だけでなく、X軸方向やY軸方向、またはZ軸周りの回転方向であるθ方向の位置調整機能や、型41の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置10における接触および分離の各動作は、型41をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板保持部20をZ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。倍率補正機構46は、型チャック42における型41の保持側に設置され、型41の側面に対して外力または変位を機械的に与えることにより型41(パターン部41a)の形状を補正する。 The mold holding portion 40 includes a mold chuck 42 for holding the mold 41, a mold driving mechanism 43 for movably holding the mold chuck 42, and a magnification correction mechanism 46 for correcting the shape of the mold 41 (pattern portion 41a). sell. The mold chuck 42 can hold the mold 41 by attracting the outer peripheral region of the irradiation surface of the ultraviolet ray 53 in the mold 41 by a vacuum suction force or an electrostatic force. For example, when the mold 41 is held by the vacuum suction force, the mold chuck 42 is connected to a vacuum pump (not shown) installed outside, and the suction pressure due to the exhaust of the vacuum pump is appropriately adjusted with respect to the mold 41. The suction force (holding force) can be adjusted. The mold drive mechanism 43 moves the mold 41 so as to selectively contact or separate the mold 41 from the imprint material 31 on the substrate 21. Examples of the power source that can be adopted in this type drive mechanism 43 include a linear motor and an air cylinder. Further, the mold drive mechanism 43 may have a plurality of drive systems such as a coarse movement drive system and a fine movement drive system in order to cope with the highly accurate positioning of the mold 41. Further, the mold drive mechanism 43 has a position adjustment function in the θ direction which is not only the Z-axis direction but also the X-axis direction, the Y-axis direction, or the rotation direction around the Z-axis, and the tilt for correcting the inclination of the mold 41. There may be a configuration having a function or the like. The contact and separation operations in the imprint device 10 may be realized by moving the mold 41 in the Z-axis direction, or may be realized by moving the substrate holding portion 20 in the Z-axis direction. Well, or both may be moved relative to each other. The magnification correction mechanism 46 is installed on the holding side of the mold 41 in the mold chuck 42, and corrects the shape of the mold 41 (pattern portion 41a) by mechanically applying an external force or a displacement to the side surface of the mold 41.

基板21は、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板である。この基板21上の複数のショット領域(パターン形成領域)には、パターン部41aによりインプリント材31のパターン(パターンを含む層)が成形される。なお、一般的には、基板21がインプリント装置10に搬入される前に、予め複数のショット領域上には前工程にてパターン(以下「基板側パターン」という)が形成されている。 The substrate 21 is, for example, a single crystal silicon substrate or an SOI (Silicon on Insulator) substrate. A pattern (layer containing the pattern) of the imprint material 31 is formed by the pattern portion 41a in the plurality of shot regions (pattern forming regions) on the substrate 21. In general, before the substrate 21 is carried into the imprint device 10, a pattern (hereinafter referred to as “board-side pattern”) is formed on the plurality of shot regions in advance in the previous process.

インプリント材供給部33は、型保持部40の近傍に設置され、基板21上のショット領域(基板側パターン)上にインプリント材31を供給(配置または塗布)する。なお、インプリント材31は、例えば、紫外線53を受光することにより硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。インプリント材供給部33は、インプリント材の供給方式としてインクジェット方式を採用し、未硬化状態のインプリント材31を収容する容器32を含む。インプリント材供給部33は、例えばピエゾタイプの吐出機構(インクジェットヘッド)を有する。インプリント材31の供給量(吐出量)は、0.1〜10pL/滴の範囲で調整可能であり、通常、約2pL/滴で使用する場合が多い。なお、インプリント材31の全供給量は、パターン部41aの密度および設計上の残膜厚により決定される。インプリント材供給部33は、制御部15からの動作指令に基づいて、供給位置や供給量などを制御する。 The imprint material supply unit 33 is installed in the vicinity of the mold holding unit 40, and supplies (arranges or coats) the imprint material 31 on the shot region (board side pattern) on the substrate 21. The imprint material 31 is, for example, an ultraviolet curable resin having a property of being cured by receiving ultraviolet rays 53, and is appropriately selected depending on various conditions such as a semiconductor device manufacturing process. The imprint material supply unit 33 adopts an inkjet method as an imprint material supply method, and includes a container 32 for accommodating the uncured imprint material 31. The imprint material supply unit 33 has, for example, a piezo type ejection mechanism (inkjet head). The supply amount (discharge amount) of the imprint material 31 can be adjusted in the range of 0.1 to 10 pL / drop, and is usually used at about 2 pL / drop. The total supply amount of the imprint material 31 is determined by the density of the pattern portion 41a and the design residual film thickness. The imprint material supply unit 33 controls the supply position, the supply amount, and the like based on the operation command from the control unit 15.

基板保持部20は、基板21を保持し、可動の保持部である。例えば、型41と基板21上のインプリント材31との接触に際し、基板保持部20により基板21を移動させることにより、パターン部41aとショット領域の基板側パターンとの位置合わせが行われる。この基板保持部20は、基板21を吸着力により保持する基板チャック22と、基板チャック22を機械的に保持して各軸方向に移動可能とする基板ステージ23とを有する。基板ステージ23は、定盤11上を移動することで基板を移動させる移動機構23aを含む。移動機構23aは、インプリント材供給位置(第1位置)とインプリント位置(第2位置)との間の経路に沿って、基板を移動させることができる。ここで、インプリント材供給位置(第1位置)とは、インプリント材供給部33によるインプリント材の供給が行われる位置であり、インプリント材を吐出するノズル等のインプリント材の供給口と対向する位置をいう。また、インプリント位置(第2位置)とは、型41と基板21上のインプリント材31との接触が行われる位置をいう。移動機構23aは、インプリントを実行するに際して、基板21(のショット領域)をインプリント材供給位置に移動させて、インプリント材供給部33によりインプリント材31が供給される。移動機構23aに採用可能な動力源としては、例えばリニアモーターや平面モーターなどがある。移動機構23a、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系を含みうる。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、基板21のθ方向の位置調整機能、または基板21の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。 The substrate holding portion 20 holds the substrate 21 and is a movable holding portion. For example, when the mold 41 comes into contact with the imprint material 31 on the substrate 21, the substrate 21 is moved by the substrate holding portion 20, so that the pattern portion 41a and the substrate-side pattern in the shot region are aligned. The substrate holding portion 20 has a substrate chuck 22 that holds the substrate 21 by an suction force, and a substrate stage 23 that mechanically holds the substrate chuck 22 and makes it movable in each axial direction. The board stage 23 includes a moving mechanism 23a that moves the board by moving on the surface plate 11. The moving mechanism 23a can move the substrate along the path between the imprint material supply position (first position) and the imprint position (second position). Here, the imprint material supply position (first position) is a position where the imprint material supply unit 33 supplies the imprint material, and is a supply port for the imprint material such as a nozzle for discharging the imprint material. The position facing with. The imprint position (second position) is a position where the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 are brought into contact with each other. When the moving mechanism 23a executes imprinting, the substrate 21 (shot region) is moved to the imprinting material supply position, and the imprinting material 31 is supplied by the imprinting material supply unit 33. Examples of the power source that can be adopted in the moving mechanism 23a include a linear motor and a flat motor. A plurality of drive systems such as a coarse movement drive system and a fine movement drive system may be included in each direction of the moving mechanism 23a, the X-axis and the Y-axis. Further, there may be a configuration having a drive system for adjusting the position in the Z-axis direction, a position adjusting function in the θ direction of the substrate 21, a tilt function for correcting the inclination of the substrate 21, and the like.

基板保持部20は、その側面に、X、Y、Z、ωx、ωy、ωzの各方向に対応した複数の参照ミラー71(反射部)を備える。ここで、ωx、ωy、ωzはそれぞれ、X軸、Y軸、Z軸周りの回転方向を表す。これに対して、インプリント装置10は、これらの参照ミラー71にそれぞれビーム72を照射することで、基板ステージ23の位置を測定する複数のレーザー干渉計73(測長器)を備える。なお、図1では、参照ミラー71とレーザー干渉計73との1つの組のみが図示されている。レーザー干渉計73は、基板21の位置を実時間で計測し、後述の制御部15は、このときの計測値に基づいて基板21(基板ステージ23)の位置決め制御を実行する。なお、このような位置計測機構としては、上記のレーザー干渉計73の代わりに半導体レーザーを用いたエンコーダなどを採用してもよい。 The substrate holding portion 20 is provided with a plurality of reference mirrors 71 (reflecting portions) corresponding to each of the directions of X, Y, Z, ωx, ωy, and ωz on its side surface. Here, ωx, ωy, and ωz represent the rotation directions around the X-axis, Y-axis, and Z-axis, respectively. On the other hand, the imprint device 10 includes a plurality of laser interferometers 73 (length measuring instruments) that measure the position of the substrate stage 23 by irradiating each of these reference mirrors 71 with a beam 72. Note that FIG. 1 shows only one set of the reference mirror 71 and the laser interferometer 73. The laser interferometer 73 measures the position of the substrate 21 in real time, and the control unit 15 described later executes positioning control of the substrate 21 (board stage 23) based on the measured value at this time. As such a position measuring mechanism, an encoder or the like using a semiconductor laser may be adopted instead of the laser interferometer 73 described above.

制御部15は、インプリント装置10の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部15は、例えばコンピュータにより構成され、インプリント装置10の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部15は、インプリント装置10の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成してもよいし、インプリント装置10の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成してもよい。 The control unit 15 can control the operation and adjustment of each component of the imprint device 10. The control unit 15 is configured by, for example, a computer, is connected to each component of the imprint device 10 via a line, and can execute control of each component according to a program or the like. The control unit 15 may be configured integrally with other parts of the imprint device 10 (in a common housing), or may be configured separately from the other parts of the imprint device 10 (in a different housing). It may be configured.

定盤11は、インプリント装置10全体を支えると共に基板ステージ23の移動の基準平面を形成している。除振器12は、定盤11とフレーム13との間に設けられ、床からの振動を除去する機能を有する。フレーム13は、基板21より上方に位置する構成部分の光源51から型41までを支える。アライメントスコープ14は、基板21上のアライメントマークを撮像する。制御部15は、アライメントスコープ14で得られた画像に基づいてアライメントマークの位置を計測し、その結果に基づいて基板ステージ23の位置決めを行う。 The surface plate 11 supports the entire imprint device 10 and forms a reference plane for movement of the substrate stage 23. The vibration isolator 12 is provided between the surface plate 11 and the frame 13 and has a function of removing vibration from the floor. The frame 13 supports the light source 51 to the mold 41 of the constituent portion located above the substrate 21. The alignment scope 14 captures an alignment mark on the substrate 21. The control unit 15 measures the position of the alignment mark based on the image obtained by the alignment scope 14, and positions the substrate stage 23 based on the result.

型チャック42および型駆動機構43は、平面方向の中心部(内側)に、光照射部50から照射された紫外線53が基板21に向かって通過可能とする開口領域47を有する。ここで、型チャック42(または型駆動機構43)は、開口領域47の一部と型41とで囲まれるキャビティ44を密閉空間とする光透過部材(例えばガラス板)45を備える場合もある。この場合、キャビティ44内の圧力は、真空ポンプなどを含む不図示の圧力調整装置により調整される。この圧力調整装置は、例えば、型41とインプリント材31との接触に際して、キャビティ44内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部41aを基板21に向かい凸形に撓ませる。これにより、インプリント材31に対してパターン部41aの中心部から接触させることができ、パターン部41aの凹凸パターンにインプリント材31を隅々まで充填させることができる。 The mold chuck 42 and the mold drive mechanism 43 have an opening region 47 in the central portion (inside) in the plane direction so that the ultraviolet rays 53 irradiated from the light irradiation unit 50 can pass toward the substrate 21. Here, the mold chuck 42 (or the mold drive mechanism 43) may include a light transmitting member (for example, a glass plate) 45 having a cavity 44 surrounded by a part of the opening region 47 and the mold 41 as a closed space. In this case, the pressure in the cavity 44 is adjusted by a pressure adjusting device (not shown) including a vacuum pump and the like. In this pressure adjusting device, for example, when the mold 41 and the imprint material 31 come into contact with each other, the pressure inside the cavity 44 is set higher than the outside, thereby bending the pattern portion 41a toward the substrate 21 in a convex shape. As a result, the imprint material 31 can be brought into contact with the imprint material 31 from the central portion of the pattern portion 41a, and the uneven pattern of the pattern portion 41a can be filled with the imprint material 31 to every corner.

しかしこれだけでは、気泡を閉じ込めることなく凹凸パターンの内部に確実にインプリント材31を充填させるには不十分である。型41と基板21上のインプリント材31との接触に際して、型41と基板21上のインプリント材31との間に気泡(大気)が存在すると、インプリント材31の硬化後、形成されたパターンに未充填欠陥が生じうる。このような未充填欠陥の発生を防止するためには、型41と基板21上のインプリント材31との間の気体を、少なくともインプリント材31に対して高可溶性又は高拡散性のいずれか一方の性質を有する気体と置換させるとよい。このような性質を有する気体としては、ヘリウムなどがある。 However, this alone is not sufficient to reliably fill the inside of the uneven pattern with the imprint material 31 without trapping air bubbles. When air bubbles (atmosphere) were present between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 at the time of contact between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21, the imprint material 31 was formed after the imprint material 31 was cured. Unfilled defects can occur in the pattern. In order to prevent the occurrence of such unfilled defects, the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is either highly soluble or highly diffusible with respect to at least the imprint material 31. It is preferable to replace it with a gas having one of the properties. Examples of the gas having such properties include helium and the like.

気体の置換方法として、少なくとも型41の近傍に配置された気体供給部60からヘリウムなどの気体を噴出し、型41の周辺の気体濃度を高める方法が考えられる。気体を一定期間噴出し続けることで、気体自身の持つ拡散効果により、型41と基板21上のインプリント材31との間をその気体で置換することができる。しかし、このような置換方式では、型41と基板21上のインプリント材31との間隙の気体濃度が十分に高まるまでに一定の待ち時間が必要となる。一般的なインプリント装置においては、数十秒以上の待ち時間が想定される。そのような待ち時間は生産性に悪影響を与えるため、極力この待ち時間を短縮させる必要がある。待ち時間を短縮する方策としては、例えば、基板ステージ23の駆動を利用した気体の流れ、すなわちコアンダ効果を利用した置換方式が有効である。 As a gas replacement method, a method of ejecting a gas such as helium from a gas supply unit 60 arranged at least in the vicinity of the mold 41 to increase the gas concentration around the mold 41 can be considered. By continuing to eject the gas for a certain period of time, the space between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 can be replaced by the gas due to the diffusion effect of the gas itself. However, in such a replacement method, a certain waiting time is required until the gas concentration in the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is sufficiently increased. In a general imprint device, a waiting time of several tens of seconds or more is expected. Since such waiting time adversely affects productivity, it is necessary to reduce this waiting time as much as possible. As a measure for reducing the waiting time, for example, a gas flow using the drive of the substrate stage 23, that is, a replacement method using the Coanda effect is effective.

次に、本実施形態における、型41と基板21上のインプリント材31との間の気体を、第1気体と第2気体との混合気体で置換する方法を説明する。図2(a),(b)は、上面より見た気体供給部60を示した図である。気体供給部60は、型41を囲むように配置され気体を供給する複数の供給口を有する。 Next, a method of replacing the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with a mixed gas of the first gas and the second gas in the present embodiment will be described. 2 (a) and 2 (b) are views showing the gas supply unit 60 seen from the upper surface. The gas supply unit 60 is arranged so as to surround the mold 41 and has a plurality of supply ports for supplying gas.

図2(a)の例では、気体供給部60は、型41の四方を囲むように配置され第1気体を第1供給口61aから供給する第1供給部61を含む。気体供給部60は、更に、型41に関して第1供給口61aの外側に配置された第2供給口62aから第1気体とは別の気体である第2気体を供給する第2供給部62を含む。第1供給部61は、第1供給口61aと、第1気体を貯蔵する不図示の第1タンクと、第1タンクと第1供給口61aとを接続する不図示の配管とを含みうる。同様に、第2供給部62は、第2供給口62aと、第2気体を貯蔵する不図示の第2タンクと、第2タンクと第2供給口62aとを接続する不図示の配管とを含みうる。
ここで、第1気体は、型41と基板21上のインプリント材31との接触により液化する凝縮性気体を含み、第2気体は、インプリント材31、型41、および基板21のうちの少なくとも1つを透過する透過性気体を含みうる。凝縮性気体とは、型41をインプリント材31に接触させる際に、パターン部41aの凹部にインプリント材31が進入して凹部に閉じ込められた気体が圧縮されるとき、その圧力上昇によって液化する気体をいう。そのような凝縮性気体としては例えばペンタフルオロプロパンが用いられる。また、第2気体に含まれる透過性気体として、例えばヘリウム、窒素、二酸化炭素、水素、キセノン等が採用されうる。以下の説明では、第1気体としてペンタフルオロプロパンを、第2気体としてヘリウムを使用するものとする。
In the example of FIG. 2A, the gas supply unit 60 is arranged so as to surround the four sides of the mold 41 and includes a first supply unit 61 that supplies the first gas from the first supply port 61a. The gas supply unit 60 further provides a second supply unit 62 that supplies a second gas, which is a gas different from the first gas, from the second supply port 62a arranged outside the first supply port 61a with respect to the mold 41. include. The first supply unit 61 may include a first supply port 61a, a first tank (not shown) for storing the first gas, and a pipe (not shown) connecting the first tank and the first supply port 61a. Similarly, the second supply unit 62 has a second supply port 62a, a second tank (not shown) for storing the second gas, and a pipe (not shown) connecting the second tank and the second supply port 62a. Can include.
Here, the first gas contains a condensable gas that is liquefied by contact between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21, and the second gas is among the imprint material 31, the mold 41, and the substrate 21. It may contain a permeable gas that permeates at least one. The condensable gas is liquefied by an increase in pressure when the imprint material 31 enters the recess of the pattern portion 41a and the gas trapped in the recess is compressed when the mold 41 is brought into contact with the imprint material 31. It refers to the gas that forms. As such a condensable gas, for example, pentafluoropropane is used. Further, as the permeable gas contained in the second gas, for example, helium, nitrogen, carbon dioxide, hydrogen, xenon and the like can be adopted. In the following description, it is assumed that pentafluoropropane is used as the first gas and helium is used as the second gas.

図2(b)の例では、気体供給部60は、型41の側面に沿って配置された複数の供給口を含み、ペンタフルオロプロパンを供給する第1供給口63とヘリウムを供給する第2供給口64が交互に配置されている。ペンタフルオロプロパンは、不図示の第1タンクに貯蔵されており、配管65を介して第1供給口63に供給される。このように、これら第1タンクと配管65と第1供給口63とによって、型41と基板21の上のインプリント材31との間の空間内に第1気体を供給する第1供給部が構成されている。ヘリウムは、不図示の第2タンクに貯蔵されており、配管66を介して第2供給口64に供給される。このように、これら第2タンクと配管66と第2供給口64とによって、型41と基板21の上のインプリント材31との間の空間内に第2気体を供給する第2供給部が構成されている。第1供給部による第1気体の供給および第2供給部による第2気体の供給は制御部15によって制御される。 In the example of FIG. 2B, the gas supply unit 60 includes a plurality of supply ports arranged along the side surface of the mold 41, and a first supply port 63 for supplying pentafluoropropane and a second supply port for supplying helium. The supply ports 64 are arranged alternately. The pentafluoropropane is stored in a first tank (not shown) and is supplied to the first supply port 63 via the pipe 65. In this way, the first supply unit that supplies the first gas into the space between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is provided by the first tank, the pipe 65, and the first supply port 63. It is configured. Helium is stored in a second tank (not shown) and is supplied to the second supply port 64 via the pipe 66. In this way, the second supply unit that supplies the second gas into the space between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is provided by the second tank, the pipe 66, and the second supply port 64. It is configured. The supply of the first gas by the first supply unit and the supply of the second gas by the second supply unit are controlled by the control unit 15.

第1供給口63から供給されたペンタフルオロプロパンと第2供給口64から供給されたヘリウムが、型41と基板21との間の空間で効率よく混合されるように、第1供給口63と第2供給口64が配向されるとよい。例えば、互いに隣接する第1供給口63と第2供給口64の組において、第1供給口63から供給されたペンタフルオロプロパンと第2供給口64から供給されたヘリウムとが交錯するように配向される。 The pentafluoropropane supplied from the first supply port 63 and the helium supplied from the second supply port 64 are efficiently mixed with the first supply port 63 in the space between the mold 41 and the substrate 21. The second supply port 64 may be oriented. For example, in the pair of the first supply port 63 and the second supply port 64 adjacent to each other, the pentafluoropropane supplied from the first supply port 63 and the helium supplied from the second supply port 64 are oriented so as to intersect with each other. Will be done.

ペンタフルオロプロパンを供給し続けると、気化熱により供給配管等の温度が下がり、ペンタフルオロプロパンを供給することが困難になりうる。そのため、ペンタフルオロプロパンの供給配管等に温調機構を設けてもよい。 If the pentafluoropropane is continuously supplied, the temperature of the supply pipe or the like drops due to the heat of vaporization, which may make it difficult to supply the pentafluoropropane. Therefore, a temperature control mechanism may be provided in the supply pipe of pentafluoropropane or the like.

ペンタフルオロプロパンの沸点は概ね−10乃至23℃、飽和蒸気圧は0.1乃至0.4MPaであるため、配管等の圧力損失によってペンタフルオロプロパンが液化する可能性がある。そのため、ペンタフルオロプロパンの配管径や第1供給口63の口径を、ヘリウムの配管径や第2供給口64の口径よりも大きくしておくとよい。 Since the boiling point of pentafluoropropane is approximately -10 to 23 ° C. and the saturated vapor pressure is 0.1 to 0.4 MPa, there is a possibility that pentafluoropropane will be liquefied due to pressure loss in piping or the like. Therefore, it is preferable to make the pipe diameter of pentafluoropropane and the diameter of the first supply port 63 larger than the pipe diameter of helium and the diameter of the second supply port 64.

制御部15は、基板上のインプリント材31と型41との間の空間内で第1気体と第2気体との混合が行われるように、第1供給部および第2供給部を制御する。例えば、制御部15は、インプリント材供給位置とインプリント位置との間の移動経路における基板21の位置に応じて、第1供給部による第1気体の供給および第2供給部による第2気体の供給を制御する。以下、図3を参照して、制御部15の制御の下、型41と基板21上のインプリント材31との間の気体をペンタフルオロプロパンとヘリウムとの混合気体で置換する方法を説明する。図3(a)は、インプリント処理における、型41及び気体供給部60に対する基板ステージ23の位置と、気体供給部60からの気体の供給タイミングを示したものである。なお、気体供給部60には図2(a)の構成を採用している。図3(b)は、図3(a)に対応するフローチャートである。 The control unit 15 controls the first supply unit and the second supply unit so that the first gas and the second gas are mixed in the space between the imprint material 31 and the mold 41 on the substrate. .. For example, the control unit 15 supplies the first gas by the first supply unit and the second gas by the second supply unit according to the position of the substrate 21 in the movement path between the imprint material supply position and the imprint position. Control the supply of. Hereinafter, with reference to FIG. 3, a method of replacing the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with a mixed gas of pentafluoropropane and helium under the control of the control unit 15 will be described. .. FIG. 3A shows the position of the substrate stage 23 with respect to the mold 41 and the gas supply unit 60 in the imprint process, and the gas supply timing from the gas supply unit 60. The gas supply unit 60 adopts the configuration shown in FIG. 2 (a). FIG. 3B is a flowchart corresponding to FIG. 3A.

S11で、制御部15は、インプリント材供給部33を制御して、インプリントを行うショット領域にインプリント材31を供給する(F11)。
S12で、制御部15は、気体供給部60を制御して、第1供給部61からペンタフルオロプロパンを供給する。この時点では、第2供給部62からのヘリウムの供給は行わない(F12)。
S13で、制御部15は、移動機構23aを制御して、インプリント材31が配置されたショット領域が型41の下に来るように基板ステージ23の移動を開始する。これと同時に、S14で、制御部15は、第2供給部62からのヘリウムの供給を開始する(F13)。基板ステージ23に関して、図3の例では、一方向への駆動としているが、例えば、矩形やジグザクなど複数方向の駆動としてもよい。複数方向の駆動によって、ペンタフルオロプロパンとヘリウムをより効果的に混合させることができる。また、制御部15は、基板21を移動機構23aによりインプリント材供給位置からインプリント位置へ移動させている間に、ペンタフルオロプロパンとヘリウムとを時間的に交互に供給することにより混合を促進させてもよい。
In S11, the control unit 15 controls the imprint material supply unit 33 to supply the imprint material 31 to the shot region where imprinting is performed (F11).
In S12, the control unit 15 controls the gas supply unit 60 to supply pentafluoropropane from the first supply unit 61. At this point, helium is not supplied from the second supply unit 62 (F12).
In S13, the control unit 15 controls the movement mechanism 23a to start the movement of the substrate stage 23 so that the shot region in which the imprint material 31 is arranged is below the mold 41. At the same time, in S14, the control unit 15 starts supplying helium from the second supply unit 62 (F13). Regarding the substrate stage 23, in the example of FIG. 3, it is driven in one direction, but it may be driven in a plurality of directions such as a rectangle or a zigzag. By driving in multiple directions, pentafluoropropane and helium can be mixed more effectively. Further, the control unit 15 promotes mixing by alternately supplying pentafluoropropane and helium in time while the substrate 21 is being moved from the imprint material supply position to the imprint position by the moving mechanism 23a. You may let me.

ショット領域が型41の直下に来たところで、制御部15は、S15で、基板ステージ23の移動を停止するとともに、S16で、ペンタフルオロプロパン及びヘリウムの供給を停止する(F14)。その後、S17で、制御部15は、接触・分離の動作を実行する。以上のS11〜S17の一連の処理が、ショット領域ごとに繰り返し行われる。 When the shot region comes directly under the mold 41, the control unit 15 stops the movement of the substrate stage 23 at S15 and stops the supply of pentafluoropropane and helium at S16 (F14). After that, in S17, the control unit 15 executes the contact / separation operation. The series of processes S11 to S17 described above are repeated for each shot area.

S12で供給されるペンタフルオロプロパンは、S13での基板ステージ23の移動に伴って、S14で供給されるヘリウムと混合される。S15では、型41と基板21上のインプリント材31との間隙は、ペンタフルオロプロパンとヘリウムの混合気体で満たされる。また、ペンタフルオロプロパンとヘリウムの供給量をそれぞれ変えることによって、型41と基板21上のインプリント材31との間隙のペンタフルオロプロパン濃度を任意に変更することが可能である。 The pentafluoropropane supplied in S12 is mixed with the helium supplied in S14 as the substrate stage 23 moves in S13. In S15, the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is filled with a mixed gas of pentafluoropropane and helium. Further, by changing the supply amounts of pentafluoropropane and helium, the concentration of pentafluoropropane in the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 can be arbitrarily changed.

以上のように本実施形態では、事前にペンタフルオロプロパンとヘリウムを混合してから供給するのではなく、別々に供給した後、混合させる方式である。このため、ペンタフルオロプロパンをヘリウムの蒸気圧と同じにするために加熱する必要がない。 As described above, in the present embodiment, pentafluoropropane and helium are not mixed in advance and then supplied, but are separately supplied and then mixed. Therefore, it is not necessary to heat the pentafluoropropane to have the same vapor pressure as helium.

なお、本実施形態では、第2供給口62aが、型41に関して第1供給口61aの外側に配置されているが(図2(a))、第1供給口61aと第2供給口62aの位置関係が逆になってもよい。 In the present embodiment, the second supply port 62a is arranged outside the first supply port 61a with respect to the mold 41 (FIG. 2A), but the first supply port 61a and the second supply port 62a The positional relationship may be reversed.

気体供給部60が図2(b)に示した構成である場合の処理は以下のようになる。
制御部15は、S11で、インプリント材供給部33を制御して、インプリント材31を供給し、S12で、気体供給部60の第1供給口63よりペンタフルオロプロパンを供給する。この時点では、気体供給部60の第2供給口64からのヘリウムの供給は行わない。
S13で、制御部15は、インプリント材31が配置されたショット領域が型41の下に来るように基板ステージ23の移動を開始する。これと同時に、S14で、制御部15は、気体供給部60の第2供給口64からのヘリウムの供給を開始する。
When the gas supply unit 60 has the configuration shown in FIG. 2B, the processing is as follows.
The control unit 15 controls the imprint material supply unit 33 in S11 to supply the imprint material 31, and in S12, supplies pentafluoropropane from the first supply port 63 of the gas supply unit 60. At this point, helium is not supplied from the second supply port 64 of the gas supply unit 60.
In S13, the control unit 15 starts moving the substrate stage 23 so that the shot region in which the imprint material 31 is arranged is below the mold 41. At the same time, in S14, the control unit 15 starts supplying helium from the second supply port 64 of the gas supply unit 60.

ショット領域が型41の直下に来たところで、制御部15は、S15で基板ステージ23の移動を停止するとともに、S16でペンタフルオロプロパン及びヘリウムの供給を停止する。その後、S17で、制御部15は、接触・分離の動作を実行する。以上のS11〜S17の一連の処理が、ショット領域ごとに繰り返し行われる。 When the shot region comes directly under the mold 41, the control unit 15 stops the movement of the substrate stage 23 in S15 and stops the supply of pentafluoropropane and helium in S16. After that, in S17, the control unit 15 executes the contact / separation operation. The series of processes S11 to S17 described above are repeated for each shot area.

S12で供給されたペンタフルオロプロパンは、S13での基板ステージ23の移動に伴って、S14で供給されたヘリウムと混合される。S15では、型41と基板21上のインプリント材31との間隙は、ペンタフルオロプロパンとヘリウムの混合気体で満たされる。上記したように、例えば、互いに隣接する第1供給口63と第2供給口64の組において、第1供給口63と第2供給口64はそれぞれ、ペンタフルオロプロパンの噴射方向とヘリウムの噴射方向とが交錯するように配向される。そのため、効率よくペンタフルオロプロパンとヘリウムが混合される。また、制御部15は、基板21のショット領域のインプリント材供給位置とインプリント位置との間の移動の間に、ペンタフルオロプロパンとヘリウムとの供給を時間的に交互に行うことにより、混合を促進させてもよい。 The pentafluoropropane supplied in S12 is mixed with the helium supplied in S14 as the substrate stage 23 moves in S13. In S15, the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is filled with a mixed gas of pentafluoropropane and helium. As described above, for example, in the pair of the first supply port 63 and the second supply port 64 adjacent to each other, the first supply port 63 and the second supply port 64 have the injection direction of pentafluoropropane and the injection direction of helium, respectively. Are oriented so that they intersect with each other. Therefore, pentafluoropropane and helium are efficiently mixed. Further, the control unit 15 mixes pentafluoropropane and helium by alternately supplying them in time during the movement between the imprint material supply position and the imprint position in the shot region of the substrate 21. May be promoted.

以上の図3に示された処理をまとめると次のようになる。制御部15は、インプリント材供給位置とインプリント位置との間の経路に沿ったショット領域が開始する前に第1供給部による第1気体の供給を開始する。その後、制御部15は、上記経路に沿ったショット領域の移動に伴って第2供給部による第2気体の供給を開始する。そして、制御部15は、基板21のインプリント位置への移動の完了に伴い第1供給部による第1気体の供給および第2供給部による第2気体の供給を停止する。 The processes shown in FIG. 3 can be summarized as follows. The control unit 15 starts the supply of the first gas by the first supply unit before the shot region along the path between the imprint material supply position and the imprint position starts. After that, the control unit 15 starts supplying the second gas by the second supply unit as the shot region moves along the path. Then, the control unit 15 stops the supply of the first gas by the first supply unit and the supply of the second gas by the second supply unit when the movement of the substrate 21 to the imprint position is completed.

以上の実施形態によれば、同じ温度では蒸気圧の異なるペンタフルオロプロパンとヘリウムとの混合気体を、型41と基板21上のインプリント材31との間隙に効率的に供給することができる。 According to the above embodiment, a mixed gas of pentafluoropropane and helium having different vapor pressures at the same temperature can be efficiently supplied to the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21.

<第2実施形態>
以下の第2実施形態では、型41と基板21上のインプリント材31との間の気体をヘリウムで置換した後に、ペンタフルオロプロパンを供給する。以下、図4を参照して、型41と基板21上のインプリント材31との間の気体をペンタフルオロプロパンとヘリウムとの混合気体で置換する方法を説明する。図4(a)は、インプリント処理における、型41及び気体供給部60に対する基板ステージ23の位置と、気体供給部60からの気体の供給タイミングを示したものである。図4(b)は、図4(a)に対応するフローチャートである。
<Second Embodiment>
In the second embodiment below, pentafluoropropane is supplied after replacing the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with helium. Hereinafter, a method of replacing the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with a mixed gas of pentafluoropropane and helium will be described with reference to FIG. FIG. 4A shows the position of the substrate stage 23 with respect to the mold 41 and the gas supply unit 60 in the imprint process, and the gas supply timing from the gas supply unit 60. FIG. 4B is a flowchart corresponding to FIG. 4A.

S21で、制御部15は、インプリント材供給部33を制御して、インプリントを行うショット領域にインプリント材31を供給する(F21)。
S22で、制御部15は、気体供給部60を制御して、第2供給部62からヘリウムを供給する。この時点では、第1供給部61からのペンタフルオロプロパンの供給は行わない(F22)。
S23で、制御部15は、移動機構23aを制御して、インプリント材31が配置されたショット領域が型41の下に来るように基板ステージ23の移動を開始する。このとき、型41と基板21上のインプリント材31との間の気体はいったん、ヘリウムで置換される。
In S21, the control unit 15 controls the imprint material supply unit 33 to supply the imprint material 31 to the shot region where imprinting is performed (F21).
In S22, the control unit 15 controls the gas supply unit 60 to supply helium from the second supply unit 62. At this point, pentafluoropropane is not supplied from the first supply unit 61 (F22).
In S23, the control unit 15 controls the movement mechanism 23a to start the movement of the substrate stage 23 so that the shot region in which the imprint material 31 is arranged is below the mold 41. At this time, the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is once replaced with helium.

その後、S24で、制御部15は、第2供給部62からのヘリウムの供給を停止し、第1供給部61からのペンタフルオロプロパンの供給を開始する(F23)。ショット領域が型41の直下に来たところで、制御部15は、S25で、基板ステージ23の移動を停止するとともに、S26で、ペンタフルオロプロパンの供給を停止する(F24)。その後、S27で、制御部15は、接触・分離の動作を実行する。以上のS21〜S27の一連の処理が、ショット領域ごとに繰り返し行われる。 After that, in S24, the control unit 15 stops the supply of helium from the second supply unit 62 and starts the supply of pentafluoropropane from the first supply unit 61 (F23). When the shot region comes directly under the mold 41, the control unit 15 stops the movement of the substrate stage 23 in S25 and stops the supply of pentafluoropropane in S26 (F24). After that, in S27, the control unit 15 executes the contact / separation operation. The series of processes of S21 to S27 described above are repeated for each shot area.

S22で供給されるヘリウムの供給量は、型41と基板21上のインプリント材31との間隙を高濃度のヘリウムで満たされる量とする。S24のペンタフルオロプロパンの供給量を変化させることで型41と基板21上のインプリント材31との間隙のペンタフルオロプロパン濃度を任意に変更することが可能である。 The amount of helium supplied in S22 is such that the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is filled with high-concentration helium. By changing the supply amount of pentafluoropropane in S24, the concentration of pentafluoropropane in the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 can be arbitrarily changed.

以上のように本実施形態では、事前にペンタフルオロプロパンとヘリウムを混合してから供給するのではなく、別々に供給した後、混合させる方式である。このため、ペンタフルオロプロパンをヘリウムの蒸気圧と同じにするために加熱する必要がない。 As described above, in the present embodiment, pentafluoropropane and helium are not mixed in advance and then supplied, but are separately supplied and then mixed. Therefore, it is not necessary to heat the pentafluoropropane to have the same vapor pressure as helium.

以上の図4に示された処理をまとめると次のようになる。制御部15は、インプリント材供給部33によりショット領域にインプリント材31が供給された基板21を移動機構23aによりインプリント位置へ移動させる前に第2供給部による第2気体の供給を開始する。その後で、制御部15は、基板21のインプリント位置への移動の開始に伴い第1供給部による第1気体の供給を開始する。このとき第2供給部による第2気体の供給は停止してよい。そして、制御部15は、基板21のインプリント位置への移動の完了に伴い第1供給部による第1気体の供給および第2供給部による第2気体の供給を停止する。 The processing shown in FIG. 4 can be summarized as follows. The control unit 15 starts supplying the second gas by the second supply unit before moving the substrate 21 to which the imprint material 31 is supplied to the shot region by the imprint material supply unit 33 to the imprint position by the moving mechanism 23a. do. After that, the control unit 15 starts supplying the first gas by the first supply unit as the substrate 21 starts moving to the imprint position. At this time, the supply of the second gas by the second supply unit may be stopped. Then, the control unit 15 stops the supply of the first gas by the first supply unit and the supply of the second gas by the second supply unit when the movement of the substrate 21 to the imprint position is completed.

以上の実施形態によって、同じ温度で蒸気圧の異なるペンタフルオロプロパンとヘリウムとの混合気体を、型41と基板21上のインプリント材31との間隙に効率的に供給することができる。 According to the above embodiment, a mixed gas of pentafluoropropane and helium having different vapor pressures at the same temperature can be efficiently supplied to the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21.

<第3実施形態>
凝縮性気体は沸点が低い(蒸気圧が低い)ため、気体で供給する場合には加圧すると液化してしまう問題がある。例えばハイドロフルオロカーボン(1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパン)の場合、供給圧は室温で50kPaとなる。
<Third Embodiment>
Since the condensable gas has a low boiling point (low vapor pressure), there is a problem that when it is supplied as a gas, it liquefies when pressurized. For example, in the case of hydrofluorocarbon (1,1,1,3,3-pentafluoropropane), the supply pressure is 50 kPa at room temperature.

配管の引き回し経路が長い場合や流量が多く圧力損失が大きい場合、加圧すると液化してしまうため、配管の詰まりが発生し、これが気体の状態で供給することの障害になりうる。このため、例えば配管にヒーターを巻き付けて加熱し、配管内部の凝縮性のガスの温度を高くして蒸気圧を上げるなどの措置が必要になる。 If the piping route is long or the flow rate is large and the pressure loss is large, the piping will be liquefied when pressurized, which may cause clogging of the piping, which may hinder the supply in the gaseous state. Therefore, for example, it is necessary to take measures such as winding a heater around the pipe to heat the pipe and raising the temperature of the condensable gas inside the pipe to raise the vapor pressure.

配管内の凝縮性気体は常に加圧状態で保たれているため、配管の加熱も常に行う必要があり、消費電力が増大する問題がある。更に、装置の電源をオフした場合、装置への給電が途絶えた場合、あるいは、配管に巻き付けたヒーターが故障した場合、配管の温度が下がり、同時に凝縮性気体の温度も下がり、加圧された状態の凝縮性気体が液化して配管が詰まってしまうという問題がある。 Since the condensable gas in the pipe is always kept in a pressurized state, it is necessary to constantly heat the pipe, which causes a problem of increased power consumption. Furthermore, when the power of the device is turned off, the power supply to the device is cut off, or the heater wound around the pipe fails, the temperature of the pipe drops, and at the same time, the temperature of the condensable gas also drops and is pressurized. There is a problem that the condensed gas in the state is liquefied and the piping is clogged.

以下では、このような課題に鑑み、配管の加熱を常時行わなくても、配管内の凝縮性気体の液化を防ぎ、凝縮性気体の供給を可能とする技術について説明する。 In view of these problems, a technique for preventing the liquefaction of the condensable gas in the pipe and enabling the supply of the condensable gas will be described below even if the pipe is not constantly heated.

図5は、本実施形態のインプリント装置100の構成を示す図である。インプリント装置100は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置であって、基板の上に型のパターンを転写する。インプリント装置100は、本実施形態では、インプリント材の硬化法として、紫外線の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用する。 FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the imprint device 100 of the present embodiment. The imprint device 100 is a lithography device used in a manufacturing process of a semiconductor device or the like, and transfers a pattern of a mold onto a substrate. In the present embodiment, the imprint device 100 employs a photocuring method for curing the imprint material by irradiating the imprint material with ultraviolet rays.

インプリント装置100は、型103を保持する型ヘッド104と、基板106を保持するステージ107と、インプリント材供給部33を有する。インプリント装置100は、更に、圧力によって凝縮する気体(凝縮性気体)を供給する気体供給部120と、型103と基板106の間の空間を排気する排気経路130と、制御部140とを有する。 The imprint device 100 includes a mold head 104 that holds the mold 103, a stage 107 that holds the substrate 106, and an imprint material supply unit 33. The imprint device 100 further includes a gas supply unit 120 that supplies a gas (condensable gas) that is condensed by pressure, an exhaust path 130 that exhausts the space between the mold 103 and the substrate 106, and a control unit 140. ..

型103は、基板106に対向する面に、基板106(に供給された樹脂)に転写すべきパターンが形成されたパターン部103aを有する。型103は、例えば、矩形形状の外形を有し、石英などの紫外線を透過する材料で構成される。 The mold 103 has a pattern portion 103a on which a pattern to be transferred to the substrate 106 (resin supplied to the substrate 106) is formed on a surface facing the substrate 106. The mold 103 has, for example, a rectangular outer shape and is made of a material that transmits ultraviolet rays such as quartz.

型ヘッド104は、型103を真空吸引力又は静電気力によって保持(固定)する。型ヘッド104は、型103をz軸方向に駆動する駆動機構を含み、基板106の上のインプリント材(未硬化樹脂)に型103を適切な力で接触させ、基板106の上のインプリント材(硬化樹脂)から型103を剥離する機能を有する。 The mold head 104 holds (fixes) the mold 103 by vacuum suction force or electrostatic force. The mold head 104 includes a drive mechanism for driving the mold 103 in the z-axis direction, and the mold 103 is brought into contact with the imprint material (uncured resin) on the substrate 106 with an appropriate force to imprint on the substrate 106. It has a function of peeling the mold 103 from the material (cured resin).

基板106は、型103のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板などを含む。 The substrate 106 is a substrate on which the pattern of the mold 103 is transferred, and includes, for example, a single crystal silicon substrate, an SOI (Silicon on Insulator) substrate, and the like.

ステージ107は、基板106を保持する基板チャックと、型103と基板106との位置合わせ(アライメント)を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とで構成され、x軸方向及びy軸方向に基板106を駆動する。また、かかる駆動機構は、x軸方向及びy軸方向だけではなく、z軸方向及びθ(z軸周りの回転)方向に基板106を駆動する機能や基板106の傾きを補正するためのチルト機能を備えていてもよい。 The stage 107 includes a substrate chuck that holds the substrate 106, and a drive mechanism for aligning the mold 103 and the substrate 106. Such a drive mechanism is composed of, for example, a coarse movement drive system and a fine movement drive system, and drives the substrate 106 in the x-axis direction and the y-axis direction. Further, such a drive mechanism has a function of driving the substrate 106 not only in the x-axis direction and the y-axis direction but also in the z-axis direction and the θ (rotation around the z-axis) direction and a tilt function for correcting the inclination of the substrate 106. May be provided.

インプリント材供給部33は、液体状の光硬化型のインプリント材を基板106の上に供給(塗布)することで、基板106の上に樹脂層RLを形成する。気体供給部120は、型103と基板106(樹脂層RL)との間の空間に、型103を基板106の上のインプリント材に接触させたときの圧力によって凝縮する気体(凝縮性気体)を供給する。換言すれば、気体供給部120は、型103と基板106との間の空間における気体を凝縮性気体で置換する。気体供給部120は、制御部140の制御下において、型103を基板106の上のインプリント材に接触させたときの圧力によって十分に凝縮される(即ち、未充填欠陥の発生を十分に防止する)ように、凝縮性気体を供給する。気体供給部120は、本実施形態では、型103と基板106との間の空間の近傍に配置された供給口125を介して、凝縮性気体を供給する。但し、凝縮性気体の供給方法は、当業界で周知のいかなる方法をも適用することが可能であり、例えば、凝縮性気体を供給するための供給口を型103に形成してもよい。また、気体供給部120は、型103と基板106との間の空間だけではなく、装置全体の雰囲気(即ち、インプリント装置100の各部を収納するチャンバ内)の気体を凝縮性気体で置換してもよい。また、気体供給部120から供給される気体は透過性の高い気体(例えばヘリウム)と凝縮性気体を混合した気体を供給してもよい。この透過性ガスは型103、基板106またはインプリント材の少なくとも1つに対して溶解または拡散する性質を有する。気体供給部120の具体的な構成や機能については、後で詳細に説明する。 The imprint material supply unit 33 supplies (coats) a liquid photocurable imprint material onto the substrate 106 to form a resin layer RL on the substrate 106. The gas supply unit 120 is a gas (condensable gas) that condenses in the space between the mold 103 and the substrate 106 (resin layer RL) by the pressure when the mold 103 is brought into contact with the imprint material on the substrate 106. Supply. In other words, the gas supply unit 120 replaces the gas in the space between the mold 103 and the substrate 106 with a condensable gas. Under the control of the control unit 140, the gas supply unit 120 is sufficiently condensed by the pressure when the mold 103 is brought into contact with the imprint material on the substrate 106 (that is, the occurrence of unfilled defects is sufficiently prevented). ), Supplying a condensable gas. In the present embodiment, the gas supply unit 120 supplies the condensable gas through the supply port 125 arranged in the vicinity of the space between the mold 103 and the substrate 106. However, as the method for supplying the condensable gas, any method well known in the art can be applied, and for example, a supply port for supplying the condensable gas may be formed in the mold 103. Further, the gas supply unit 120 replaces not only the space between the mold 103 and the substrate 106 but also the gas in the atmosphere of the entire device (that is, in the chamber accommodating each part of the imprint device 100) with the condensable gas. You may. Further, the gas supplied from the gas supply unit 120 may be a gas obtained by mixing a highly permeable gas (for example, helium) and a condensable gas. This permeable gas has the property of dissolving or diffusing into at least one of the mold 103, the substrate 106 or the imprint material. The specific configuration and function of the gas supply unit 120 will be described in detail later.

排気経路130は、型103と基板106の間の空間に気体供給部120から供給された凝縮性気体を排気する。例えば、凝縮性気体1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンは地球温暖化係数が950(CO=1)と高く、供給した凝縮性気体が大気中に漏れないようする必要がある。排気経路はインプリント装置100とは別に設けられた不図示の精製装置に接続され、精製装置で凝縮性気体を取り出し、再利用される。 The exhaust path 130 exhausts the condensable gas supplied from the gas supply unit 120 into the space between the mold 103 and the substrate 106. For example, the condensable gas 1,1,1,3,3-pentafluoropropane has a high global warming potential of 950 (CO 2 = 1), and it is necessary to prevent the supplied condensable gas from leaking into the atmosphere. .. The exhaust path is connected to a purification device (not shown) provided separately from the imprint device 100, and the condensable gas is taken out by the purification device and reused.

制御部140は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の全体(動作)を制御する。制御部140は、本実施形態では、インプリント装置100の各部を制御して、インプリント処理を行う処理部として機能する。インプリント処理とは、基板106に供給されたインプリント材に型103を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型103を剥離することで基板106の上に型103のパターンを転写する処理をいう。 The control unit 140 includes a CPU, a memory, and the like, and controls the entire imprint device 100 (operation). In the present embodiment, the control unit 140 functions as a processing unit that controls each unit of the imprint device 100 to perform imprint processing. The imprint process is to cure the imprint material in a state where the mold 103 is in contact with the imprint material supplied to the substrate 106, and peel the mold 103 from the cured imprint material to form a mold on the substrate 106. A process of transferring a pattern of 103.

ここで、インプリント材供給部33の具体的な構成や機能について説明する。インプリント材供給部33は、インプリント材を収納するインプリント材容器111と、インプリント材を供給するためのディスペンサ113とを含む。インプリント材供給部33からインプリント材を供給しながらステージ107を移動(スキャン移動やステップ移動)させることで、基板106(のショット領域)の上にインプリント材を供給することが可能となる。 Here, a specific configuration and function of the imprint material supply unit 33 will be described. The imprint material supply unit 33 includes an imprint material container 111 for storing the imprint material and a dispenser 113 for supplying the imprint material. By moving the stage 107 (scan movement or step movement) while supplying the imprint material from the imprint material supply unit 33, the imprint material can be supplied on the substrate 106 (shot region). ..

インプリント材容器111は、配管112を介して、インプリント材をディスペンサ113に供給する。ディスペンサ113は、例えば、ノズルをライン状に配列したラインノズルを含み、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などによって、基板106に1ピコリットル程度の液滴を均一に滴下する。 The imprint material container 111 supplies the imprint material to the dispenser 113 via the pipe 112. The dispenser 113 includes, for example, a line nozzle in which the nozzles are arranged in a line, and a droplet of about 1 picolitre is uniformly dropped onto the substrate 106 by a piezojet method, a microsolenoid method, or the like.

本実施形態では、凝縮性気体は、インプリント装置100の内部の環境下(温度及び圧力)において、通常時に気体として存在し、インプリント処理時に(即ち、型103をインプリント材に接触させたときの圧力によって)凝縮する特性を有する。 In the present embodiment, the condensable gas exists as a gas under normal conditions (temperature and pressure) in the internal environment (temperature and pressure) of the imprint device 100, and the mold 103 is brought into contact with the imprint material during the imprint process (that is, the mold 103 is brought into contact with the imprint material). It has the property of condensing (depending on the pressure of the moment).

また、室温(23℃)における凝縮性気体の蒸気圧が0.05MPaよりも低い場合には、例えば、配管に生じる小さな圧力差によって凝縮性気体が凝縮し、凝縮性気体の供給量を制御することが困難となる。一方、室温(23℃)における凝縮性気体の蒸気圧が1MPaよりも高い場合には、室温でインプリント処理を行う際に、凝縮性気体を凝縮させるために必要な圧力が大きくなるため、耐圧力性を有する装置が必要となり、装置が大掛かりになってしまう。従って、凝縮性気体の蒸気圧は、インプリント処理を行う温度において、0.05MPaよりも高く、且つ、1MPaよりも低いとよい。また、凝縮性気体の蒸気圧は、大気圧(0.1MPa)付近であると更によいため、0.1MPaよりも高く、且つ、1MPaよりも低いとよい。 When the vapor pressure of the condensable gas at room temperature (23 ° C.) is lower than 0.05 MPa, for example, the condensable gas is condensed by a small pressure difference generated in the piping, and the supply amount of the condensable gas is controlled. Will be difficult. On the other hand, when the vapor pressure of the condensable gas at room temperature (23 ° C.) is higher than 1 MPa, the pressure required to condense the condensable gas becomes large when the imprint process is performed at room temperature, so that it can withstand. A device with pressure is required, and the device becomes large-scale. Therefore, the vapor pressure of the condensable gas is preferably higher than 0.05 MPa and lower than 1 MPa at the temperature at which the imprint treatment is performed. Further, the vapor pressure of the condensable gas is more preferably around atmospheric pressure (0.1 MPa), and therefore higher than 0.1 MPa and lower than 1 MPa.

また、凝縮性気体は、大気圧(0.1MPa)において、室温(23℃)付近で凝縮するとよい。従って、凝縮性気体の沸点は、15℃以上30℃以下であるとよい。凝縮性気体の沸点が15℃よりも低い場合には、インプリント装置100の内部の温度を制御する温度制御機構が大掛かりになってしまう。一方、凝縮性気体の沸点が30℃よりも高い場合、凝縮性気体を凝縮させるために、インプリント装置100の内部の圧力を大気圧から減圧する、あるいは、インプリント装置100の内部の温度を上げることが必要となり、装置が大掛かりになってしまう。 Further, the condensable gas may be condensed at room temperature (23 ° C.) at atmospheric pressure (0.1 MPa). Therefore, the boiling point of the condensable gas is preferably 15 ° C. or higher and 30 ° C. or lower. When the boiling point of the condensable gas is lower than 15 ° C., the temperature control mechanism for controlling the temperature inside the imprint device 100 becomes large. On the other hand, when the boiling point of the condensable gas is higher than 30 ° C., the pressure inside the imprint device 100 is reduced from the atmospheric pressure or the temperature inside the imprint device 100 is lowered in order to condense the condensable gas. It is necessary to raise it, and the device becomes large-scale.

このような凝縮性気体としては、例えば次のようなものがある。
・室温(23℃)での蒸気圧が0.1056MPaであるトリクロロフルオロメタン(沸点24℃)
・室温(23℃)での蒸気圧が0.14MPaである1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパン(沸点15℃)
Examples of such a condensable gas include the following.
-Trichlorofluoromethane (boiling point 24 ° C.) having a vapor pressure of 0.1056 MPa at room temperature (23 ° C.).
1,1,1,3,3-pentafluoropropane (boiling point 15 ° C.) having a vapor pressure of 0.14 MPa at room temperature (23 ° C.)

また、本実施形態における光硬化型のインプリント材は、凝縮性気体が溶解するインプリント材であることが必要である。例えば、アクリル樹脂をベースとする一般的なインプリント用のインプリント材には、凝縮性気体の一例である1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンが溶解する。 Further, the photocurable imprint material in the present embodiment needs to be an imprint material in which a condensable gas is dissolved. For example, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane, which is an example of a condensable gas, is dissolved in a general imprint material for imprint based on an acrylic resin.

例えば、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンは室温(23℃)での蒸気圧が0.14MPaとなっているが、気体供給部120内において、規定の流量を流すには、加圧する必要がある。しかし、配管やバルブ等の機器の圧力損失により、蒸気圧を超えると液化して配管内が詰まってしまうため、流すことができない問題が発生する。凝縮性気体を液化させずに規定の流量を流す方法について、気体供給部120の具体的な構成や機能と合わせて説明する。 For example, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane has a vapor pressure of 0.14 MPa at room temperature (23 ° C.), but in order to allow a specified flow rate to flow in the gas supply unit 120, It is necessary to pressurize. However, due to the pressure loss of equipment such as pipes and valves, when the vapor pressure is exceeded, it liquefies and the inside of the pipe is clogged, which causes a problem that it cannot flow. A method of flowing a predetermined flow rate without liquefying the condensable gas will be described together with a specific configuration and function of the gas supply unit 120.

凝縮性気体容器121には凝縮性気体が加圧され液体の状態で保管されている。本実施形態ではインプリント装置100内に凝縮性気体容器121を構成しているが、工場設備から気体の状態で凝縮性気体を供給してもよい。また、インプリント装置100の外に凝縮性気体容器121を設置して、供給してもよい。 In the condensable gas container 121, the condensable gas is pressurized and stored in a liquid state. In the present embodiment, the condensable gas container 121 is configured in the imprint device 100, but the condensable gas may be supplied in a gaseous state from the factory equipment. Further, the condensable gas container 121 may be installed outside the imprint device 100 and supplied.

凝縮性気体容器121から気化した凝縮性気体はバルブVL1、配管122を通りマスフロコントローラ(質量流量計)123に供給される。マスフロコントローラ123は制御部140で制御され、規定流量が流れるように流量を制御する。凝縮性気体はマスフロコントローラ123から配管122を通り供給口125から型103と基板106の空間に供給される。 The condensed gas vaporized from the condensable gas container 121 is supplied to the mass flow controller (mass flow meter) 123 through the valve VL1 and the pipe 122. The mass flow controller 123 is controlled by the control unit 140, and controls the flow rate so that a specified flow rate flows. The condensable gas is supplied from the mass flow controller 123 through the pipe 122 to the space between the mold 103 and the substrate 106 from the supply port 125.

配管122は温度調整部124によって覆われていて、配管122を所定に温度に保つことができる。配管122を所定の温度に保つことにより、凝縮性気体の温度も所定の温度に保つことができる。1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンを室温(23℃)より高くすることにより、蒸気圧を0.14MPaより高くすることができ、気体の状態で所定の流量を流すことが可能となる。 The pipe 122 is covered by the temperature adjusting unit 124, and the pipe 122 can be kept at a predetermined temperature. By keeping the pipe 122 at a predetermined temperature, the temperature of the condensable gas can also be kept at a predetermined temperature. By making 1,1,1,3,3-pentafluoropropane higher than room temperature (23 ° C.), the vapor pressure can be made higher than 0.14 MPa, and a predetermined flow rate can be flowed in a gaseous state. Will be.

温度調整部124は配管122の全体を覆ってもよいし、一部を覆ってもよい。また、マスフロコントローラ123やバルブVL1、供給口125の各機器を覆ってもよい。温度調整部124は凝縮性気体が液化する箇所を選択して覆うことが可能である。 The temperature adjusting unit 124 may cover the entire pipe 122 or a part of the pipe 122. Further, each device of the mass flow controller 123, the valve VL1, and the supply port 125 may be covered. The temperature adjusting unit 124 can select and cover the place where the condensable gas liquefies.

インプリント処理を行っていない状態において、凝縮性気体は加圧されたまま、配管122内に留まることになる。既述のように、インプリント処理を行っていない状態においても常に温度調整部124は配管122を加熱し続ける必要があり、消費電力が増大する問題がある。更に、装置の電源をオフした場合、装置への給電が途絶えた場合、あるいは温度調整部124が故障した場合においては、配管122の温度が下がり、同時に凝縮性気体の温度も下がり、加圧された状態の凝縮性気体は液化してしまう問題がある。 In the state where the imprint process is not performed, the condensable gas stays in the pipe 122 while being pressurized. As described above, the temperature adjusting unit 124 must always continue to heat the pipe 122 even when the imprint processing is not performed, and there is a problem that the power consumption increases. Further, when the power of the device is turned off, the power supply to the device is interrupted, or the temperature control unit 124 fails, the temperature of the pipe 122 drops, and at the same time, the temperature of the condensable gas also drops and is pressurized. There is a problem that the condensed gas in the state of being liquefied.

インプリント処理を行っている時は、バルブVL1は開き、バルブVL2とバルブVL3は閉じていて、凝縮性気体容器121から凝縮性気体が配管122を通りマスフロコントローラ123に供給される。インプリント処理を行っていない時は、マスフロコントローラ123内のバルブが閉じられ、配管122内は加圧状態となる。このとき、バルブVL1を閉じて、バルブVL3を開くことにより、配管122内の凝縮性気体は圧力調整器127、配管128を通り排気経路130に排出される。 During the imprint process, the valve VL1 is open, the valve VL2 and the valve VL3 are closed, and the condensable gas is supplied from the condensable gas container 121 to the mass flow controller 123 through the pipe 122. When the imprint process is not performed, the valve in the mass flow controller 123 is closed and the inside of the pipe 122 is in a pressurized state. At this time, by closing the valve VL1 and opening the valve VL3, the condensable gas in the pipe 122 is discharged to the exhaust path 130 through the pressure regulator 127 and the pipe 128.

例えば、装置内の温度が室温(23℃)と同じ場合、圧力調整器127の設定圧力を、大気圧0.10MPaから0.14MPaの間に設定すれば、配管122内の圧力は1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパンの蒸気圧(0.14MPa)より低くなる。そのため、温度調整部124により配管122の加熱を行わなくても、配管122内の凝縮性気体は液化しない。温度調整部124の加熱を行わないため、装置100の消費電力を抑えることができる。 For example, when the temperature inside the device is the same as room temperature (23 ° C.), if the set pressure of the pressure regulator 127 is set between 0.10 MPa and 0.14 MPa at atmospheric pressure, the pressure inside the pipe 122 will be 1,1. , 1,3,3-Pentafluoropropane is lower than the vapor pressure (0.14 MPa). Therefore, the condensable gas in the pipe 122 does not liquefy even if the temperature adjusting unit 124 does not heat the pipe 122. Since the temperature adjusting unit 124 is not heated, the power consumption of the device 100 can be suppressed.

圧力調整器127の設定圧力は大気圧0.10MPaから0.14MPaの間に設定すると述べたが、配管122内に大気が入り、大気による汚染を防ぐ観点からは圧力調整器127の設定圧力は大気圧0.10MPaより若干高くすることが望ましい。 Although it was stated that the set pressure of the pressure regulator 127 is set between the atmospheric pressure of 0.10 MPa and 0.14 MPa, the set pressure of the pressure regulator 127 is set from the viewpoint of preventing the air from entering the pipe 122 and being polluted by the atmosphere. It is desirable that the atmospheric pressure is slightly higher than 0.10 MPa.

装置電源をオフした場合や、装置への給電が途絶えた場合、バルブVL3を非通電時に開く機構となっている場合、配管122内の圧力は圧力調整器127の設定圧力となり、配管122内の凝縮性気体の液化を防止することができる。圧力調整器127は設定圧力を一定にしてもよいし、任意に変えることができる機構を有してもよい。また、制御部140が装置100内の温度や配管122内の圧力から設定圧力を変えてもよい。圧力調整器127は、当業界で周知のいかなる方法をも適用することが可能であり、代表的なものとして、バネの力で弁の開閉する圧力を調整するリリーフバルブがある。 When the power of the device is turned off, when the power supply to the device is cut off, or when the valve VL3 is opened when the valve is not energized, the pressure in the pipe 122 becomes the set pressure of the pressure regulator 127, and the pressure in the pipe 122 becomes the set pressure in the pipe 122. It is possible to prevent the liquefaction of the condensable gas. The pressure regulator 127 may have a constant set pressure or may have a mechanism that can be arbitrarily changed. Further, the control unit 140 may change the set pressure from the temperature in the device 100 or the pressure in the pipe 122. The pressure regulator 127 can be applied by any method well known in the art, and a typical example thereof is a relief valve that adjusts the pressure for opening and closing the valve by the force of a spring.

別の方法として、配管122を窒素などの不活性ガスでパージする方法について説明する。インプリント処理を行っていない時や、装置の電源を切る場合、バルブVL1とバルブVL3を閉じ、バルブVL2を開く。これにより、パージ気体供給部126から窒素などの不活性ガスを供給し、配管122内を凝縮性気体から不活性ガスに置換することができる。パージ気体供給部126から供給されたパージガスは、配管122を通じてマスフロコントローラ123に供給される。マスフロコントローラ123は制御部140で制御され、規定流量が流れる様に流量を制御する。パージガスはマスフロコントローラ123から配管122を通じて供給口125から排出される。ここで、パージガスはマスフロコントローラ123の流量をゼロにして、バルブVL3を開き、圧力調整器127を通じて、排気経路130に排出されるようにしてもよい。 As another method, a method of purging the pipe 122 with an inert gas such as nitrogen will be described. When the imprint process is not performed or when the power of the device is turned off, the valve VL1 and the valve VL3 are closed and the valve VL2 is opened. Thereby, the inert gas such as nitrogen can be supplied from the purge gas supply unit 126, and the inside of the pipe 122 can be replaced with the inert gas from the condensable gas. The purge gas supplied from the purge gas supply unit 126 is supplied to the mass flow controller 123 through the pipe 122. The mass flow controller 123 is controlled by the control unit 140, and controls the flow rate so that the specified flow rate flows. The purge gas is discharged from the mass flow controller 123 through the pipe 122 to the supply port 125. Here, the purge gas may be discharged to the exhaust path 130 through the pressure regulator 127 by opening the valve VL3 with the flow rate of the mass flow controller 123 set to zero.

パージガスは窒素などの不活性ガスでもよいし、CDA(クリーンドライエア)にしてもよい。 The purge gas may be an inert gas such as nitrogen or CDA (clean dry air).

既述の配管122内を減圧する方法とパージする方法は、流路切替部(バルブVL1、バルブVL2、バルブVL3)で切り替えることより、装置の稼働状態によって任意に選択することができる。また、装置100内の温度や配管122内の圧力、装置の稼働状態から制御部140の下、自動で切り替えるようにしてもよい。 The method of depressurizing the inside of the pipe 122 and the method of purging the above-mentioned pipe 122 can be arbitrarily selected depending on the operating state of the apparatus by switching with the flow path switching unit (valve VL1, valve VL2, valve VL3). Further, the temperature in the apparatus 100, the pressure in the pipe 122, and the operating state of the apparatus may be automatically switched under the control unit 140.

配管122内を減圧する方法とパージする方法においては、配管122が大気に触れることがないため、クリーン度が維持されうる。また、マスフロコントローラ123は流量を制御するとともに非通電時に内部のバルブをクローズする機能を有している。マスフロコントローラ123は電源の供給がない場合でも内部のバルブを閉じているため、供給口125からの大気の流入を防ぎ、配管122の密閉性を保つため、配管122のクリーン度を維持することができる。 In the method of depressurizing the inside of the pipe 122 and the method of purging, the cleanliness can be maintained because the pipe 122 does not come into contact with the atmosphere. Further, the mass flow controller 123 has a function of controlling the flow rate and closing the internal valve when the power is not supplied. Since the mass flow controller 123 closes the internal valve even when there is no power supply, the cleanliness of the pipe 122 is maintained in order to prevent the inflow of air from the supply port 125 and maintain the airtightness of the pipe 122. Can be done.

インプリント装置100の動作について説明する。インプリント材はインプリント材容器111から配管112を通り、インプリント材をディスペンサ113に供給する。基板106上の対象ショット領域(これから型103のパターンを転写するショット領域)がディスペンサ113の下に位置するようにステージ107を移動させ、基板106上の対象ショット領域にインプリント材を供給する。これにより、基板106上には、インプリント材による樹脂層RLが形成される。 The operation of the imprint device 100 will be described. The imprint material is supplied from the imprint material container 111 to the dispenser 113 through the pipe 112. The stage 107 is moved so that the target shot region on the substrate 106 (the shot region from which the pattern of the mold 103 is transferred) is located below the dispenser 113, and the imprint material is supplied to the target shot region on the substrate 106. As a result, the resin layer RL made of the imprint material is formed on the substrate 106.

次いで、基板106上の対象ショット領域が型103の下に位置するようにステージ107を移動させ、対象ショット領域に供給されたインプリント材に型103を接触させる。この際、型103と基板106(インプリント材)との間の空間には、気体供給部120から凝縮性気体が供給されている。従って、型103と基板106との間の空間が凝縮性気体に置換された環境下において、型103が対象ショット領域に供給されたインプリント材とが接触されることになる。 Next, the stage 107 is moved so that the target shot region on the substrate 106 is located below the mold 103, and the mold 103 is brought into contact with the imprint material supplied to the target shot region. At this time, the condensable gas is supplied from the gas supply unit 120 to the space between the mold 103 and the substrate 106 (imprint material). Therefore, in an environment where the space between the mold 103 and the substrate 106 is replaced with the condensable gas, the mold 103 comes into contact with the imprint material supplied to the target shot region.

次に、基板106上のインプリント材と型103とが接触された状態において、型103を介して、基板106上のインプリント材に紫外線を照射してインプリント材を硬化させる。次いで、基板106上の硬化したインプリント材から型103を剥離する。これにより、基板106上の対象ショット領域に型103のパターンが転写される。 Next, in a state where the imprint material on the substrate 106 and the mold 103 are in contact with each other, the imprint material on the substrate 106 is irradiated with ultraviolet rays via the mold 103 to cure the imprint material. Next, the mold 103 is peeled off from the cured imprint material on the substrate 106. As a result, the pattern of the mold 103 is transferred to the target shot region on the substrate 106.

このように、本実施形態のインプリント装置100によれば、凝縮性気体が配管122内で液化することを防ぎ、装置の消費電力を抑えることができる。また、配管122内のクリーン度を維持することができる。 As described above, according to the imprint device 100 of the present embodiment, it is possible to prevent the condensable gas from liquefying in the pipe 122 and suppress the power consumption of the device. Moreover, the cleanliness in the pipe 122 can be maintained.

<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係るインプリント装置について説明する。図6は、本実施形態のインプリント装置101の構成を示す図である。
<Fourth Embodiment>
Next, the imprint device according to the fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the imprint device 101 of the present embodiment.

本実施形態の特徴は、パージ気体供給部126からの供給経路にヒーター129を設けること、パージ気体供給部126、ヒーター129、バルブVL2、バルブVL3がUPS(無停電電源装置)に接続されることである。なお、本実施形態のインプリント装置101の構成は、第3実施形態に係るインプリント装置100(図5)と同様であるため、各構成要素の符号は、インプリント装置100と同一とし、説明を省略する。 The features of this embodiment are that a heater 129 is provided in the supply path from the purge gas supply unit 126, and the purge gas supply unit 126, the heater 129, the valve VL2, and the valve VL3 are connected to the UPS (uninterruptible power supply). Is. Since the configuration of the imprint device 101 of the present embodiment is the same as that of the imprint device 100 (FIG. 5) according to the third embodiment, the reference numerals of the components are the same as those of the imprint device 100. Is omitted.

本実施形態に係るインプリント装置101の動作について説明する。装置の電源をオフした場合、装置への給電が途絶えた場合、あるいは温度調整部124が故障した場合、配管122が加熱されないため、配管122内の凝縮性気体が液化する可能性がある。UPS(無停電電源装置)に接続されたバルブVL3を開くことにより、配管122内の凝縮性気体は圧力調整器127を通じて、排出され配管122内の圧力を圧力調整器の設定圧力まで下げることができる。 The operation of the imprint device 101 according to the present embodiment will be described. When the power of the device is turned off, the power supply to the device is interrupted, or the temperature control unit 124 fails, the pipe 122 is not heated, so that the condensable gas in the pipe 122 may be liquefied. By opening the valve VL3 connected to the UPS (uninterruptible power supply), the condensable gas in the pipe 122 can be discharged through the pressure regulator 127 to reduce the pressure in the pipe 122 to the set pressure of the pressure regulator. can.

別の方法として、UPS(無停電電源装置)に接続されたパージ気体供給部126からパージガスを供給し、ヒーター129でパージガスを加熱し、バルブVL2を開くことにより配管122にパージガスを供給することができる。パージガスをヒーター129で加熱することにより、配管122内で凝縮性気体が液化した場合でも、液化した凝縮性気体の気化を促し、配管122内の詰まりを取り除くことができる。 Alternatively, the purge gas can be supplied from the purge gas supply unit 126 connected to the UPS (uninterruptible power supply), the purge gas can be heated by the heater 129, and the purge gas can be supplied to the pipe 122 by opening the valve VL2. can. By heating the purge gas with the heater 129, even when the condensable gas is liquefied in the pipe 122, the liquefied condensable gas can be vaporized and the clogging in the pipe 122 can be removed.

装置の電源をオフした場合、装置への給電が途絶えた場合、あるいは温度調整部124が故障した場合でも、配管122内の凝縮性気体が液化を防ぎ、もしくは液化した凝縮性気体を取り除くことができる。更に、装置復旧後、短時間で凝縮性気体を供給することができるため、装置の稼働率を高めることができる。 Even if the power of the device is turned off, the power supply to the device is interrupted, or the temperature control unit 124 fails, the condensable gas in the pipe 122 can prevent liquefaction or remove the liquefied condensable gas. can. Further, since the condensable gas can be supplied in a short time after the device is restored, the operating rate of the device can be increased.

本実施形態では、装置の電源をオフした場合、装置への給電が途絶えた場合、あるいは温度調整部124が故障した場合について記載したが、配管122内で凝縮性気体が液化した場合の除去方法としても活用することができる。 In the present embodiment, the case where the power of the device is turned off, the power supply to the device is interrupted, or the temperature control unit 124 fails is described, but the method for removing the condensable gas in the pipe 122 is liquefied. It can also be used as.

インプリント処理を行っている時やインプリント処理を行っていない時の両方において、パージ気体供給部126からのパージガスをヒーター129で加熱し、配管122内に供給することが可能である。ヒーター129で加熱されたパージガスは配管122、マスフロコントローラ123を通り、供給口125から排出することができる。また、バルブVL3、圧力調整器127、配管128を通り排気経路130に排出することができる。 The purge gas from the purge gas supply unit 126 can be heated by the heater 129 and supplied into the pipe 122 both when the imprint process is performed and when the imprint process is not performed. The purge gas heated by the heater 129 can pass through the pipe 122 and the mass flow controller 123 and be discharged from the supply port 125. Further, it can be discharged to the exhaust path 130 through the valve VL3, the pressure regulator 127, and the pipe 128.

これにより、各部の液化した凝縮性気体の気化を促し、短時間で液化した凝縮性気体を除去することができる。 This promotes the vaporization of the liquefied condensable gas in each part, and the liquefied condensable gas can be removed in a short time.

<物品製造方法の実施形態>
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用の型等が挙げられる。
<Embodiment of article manufacturing method>
The pattern of the cured product formed by using the imprint device is used permanently for at least a part of various articles or temporarily when manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, a mold, or the like. Examples of the electric circuit element include volatile or non-volatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include a mold for imprinting.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the above-mentioned article, or is temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品製造方法について説明する。図7(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコン基板等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。 Next, the article manufacturing method will be described. As shown in FIG. 7 (a), a substrate 1z such as a silicon substrate on which a workpiece 2z such as an insulator is formed on the surface is prepared, and subsequently, the substrate 1z is injected into the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. The printing material 3z is applied. Here, a state in which a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are applied onto the substrate is shown.

図7(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図7(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを介して照射すると、インプリント材3zは硬化する。 As shown in FIG. 7B, the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side on which the uneven pattern is formed facing. As shown in FIG. 7 (c), the substrate 1z to which the imprint material 3z is applied is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the work material 2z. When light is irradiated through the mold 4z as energy for curing in this state, the imprint material 3z is cured.

図7(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の部が硬化物の部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。 As shown in FIG. 7D, when the imprint material 3z is cured and then the mold 4z and the substrate 1z are separated from each other, a pattern of the cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. This pattern of cured product, the convex portion of the concave portion is a cured product of the mold, and a shape in which the convex portion of the mold is corresponding to the concave portion of the cured product, i.e., the uneven pattern of the mold 4z to imprint material 3z It has been transcribed.

図7(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図7(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。 As shown in FIG. 7 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching resistant type, the portion of the surface of the work material 2z where the cured product is absent or remains thin is removed, and the groove 5z is formed. Become. As shown in FIG. 7 (f), by removing the pattern of the cured product, it is possible to obtain an article in which the groove 5z is formed on the surface of the work material 2z. Here, the pattern of the cured product is removed, but it may not be removed even after processing, and may be used, for example, as a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, as a constituent member of an article.

10:インプリント装置、20:基板保持部、21:基板、23:基板ステージ、33:インプリント材供給部33、40:型保持部、41:型、50:光照射部、52:照明光学系 10: Imprint device, 20: Board holding part, 21: Board, 23: Board stage, 33: Imprint material supply part 33, 40: Mold holding part, 41: Mold, 50: Light irradiation part, 52: Illumination optics system

Claims (11)

基板上のインプリント材に型を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
第1供給口を含み、前記基板上の前記インプリント材と前記型との間の空間に前記第1供給口から第1気体を供給する第1供給部と、
第2供給口を含み、前記空間に前記第2供給口から前記第1気体とは異なる第2気体を前記第1供給部とは異なる経路を介して供給する第2供給部と、
前記空間内で前記第1気体と前記第2気体との混合が行われるように、前記第1供給部および前記第2供給部を制御する制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
An imprint device that forms a pattern on the substrate by bringing a mold into contact with the imprint material on the substrate.
A first supply unit that includes a first supply port and supplies a first gas from the first supply port to the space between the imprint material and the mold on the substrate.
A second supply unit that includes a second supply port and supplies a second gas different from the first gas to the space from the second supply port via a path different from the first supply unit .
A control unit that controls the first supply unit and the second supply unit so that the first gas and the second gas are mixed in the space.
An imprint device characterized by having.
前記基板のショット領域に前記インプリント材を供給するインプリント材供給部と、
前記基板を保持し、前記インプリント材供給部により前記インプリント材の供給が行われる第1位置と前記接触が行われる第2位置との間の経路に沿って前記ショット領域が移動するように可動の保持部と、
を含み、
前記制御部は、前記経路に沿って前記ショット領域が移動する場合の前記保持部の位置に応じて、前記第1供給部による前記第1気体の供給および前記第2供給部による前記第2気体の供給を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
An imprint material supply unit that supplies the imprint material to the shot region of the substrate,
The shot region is moved along the path between the first position where the imprint material is supplied by the imprint material supply unit and the second position where the contact is performed while holding the substrate. Movable holding part and
Including
The control unit supplies the first gas by the first supply unit and the second gas by the second supply unit according to the position of the holding unit when the shot region moves along the path. Control the supply of
The imprint device according to claim 1.
前記第1気体は、前記接触により液化する凝縮性気体を含み、前記第2気体は、前記インプリント材、前記型および前記基板のうちの少なくとも1つを透過する透過性気体を含み、
前記制御部は、前記経路に沿った前記ショット領域の移動が開始する前に前記第1供給部による前記第1気体の供給を開始し、前記経路に沿った前記ショット領域の移動に伴って前記第2供給部による前記第2気体の供給を開始する、
ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
The first gas contains a condensable gas that is liquefied by the contact, and the second gas contains a permeable gas that permeates at least one of the imprint material, the mold, and the substrate.
The control unit starts supplying the first gas by the first supply unit before the movement of the shot region along the path starts, and the shot region moves along the path. The supply of the second gas by the second supply unit is started.
The imprint device according to claim 2.
前記第1気体は、前記接触により液化する凝縮性気体を含み、前記第2気体は、前記インプリント材、前記型および前記基板のうちの少なくとも1つを透過する透過性気体を含み、
前記制御部は、前記経路に沿った前記ショット領域の移動が開始する前に前記第2供給部による前記第2気体の供給を開始し、前記経路に沿った前記ショット領域の移動に伴って前記第1供給部による前記第1気体の供給を開始する、
ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
The first gas contains a condensable gas that is liquefied by the contact, and the second gas contains a permeable gas that permeates at least one of the imprint material, the mold, and the substrate.
The control unit starts supplying the second gas by the second supply unit before the movement of the shot region along the path starts, and the shot region moves along the path. The supply of the first gas by the first supply unit is started.
The imprint device according to claim 2.
前記第1気体は、前記接触により液化する凝縮性気体を含み、前記第2気体は、前記インプリント材、前記型および前記基板のうち少なくとも1つを透過する透過性気体を含み、
前記制御部は、前記経路に沿った前記ショット領域の移動の間に、前記第1供給部による前記第1気体の供給と前記第2供給部による前記第2気体の供給とを交互に行う、
ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
The first gas contains a condensable gas that is liquefied by the contact, and the second gas contains a permeable gas that permeates at least one of the imprint material, the mold, and the substrate.
The control unit alternately supplies the first gas by the first supply unit and the second gas by the second supply unit during the movement of the shot region along the path.
The imprint device according to claim 2.
前記凝縮性気体は、ペンタフルオロプロパンを含むことを特徴とする請求項3乃至5のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 3 to 5, wherein the condensable gas contains pentafluoropropane. 前記透過性気体は、ヘリウム、窒素、二酸化炭素、水素、キセノンを含む複数の気体のうちから選択された気体を含むことを特徴とする請求項3乃至5のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 The inn according to any one of claims 3 to 5, wherein the permeable gas contains a gas selected from a plurality of gases including helium, nitrogen, carbon dioxide, hydrogen, and xenon. Printing device. 前記第2供給口は、前記型に関して前記第1供給口の外側に配置されていることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 1 to 7, wherein the second supply port is arranged outside the first supply port with respect to the mold. 前記第1供給口と前記第2供給口とは、前記型の側面に沿って交互に配置されていることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 1 to 7, wherein the first supply port and the second supply port are alternately arranged along the side surface of the mold. 前記第1供給口と前記第2供給口とは、前記第1供給口から供給された前記第1気体と前記第2供給口から供給された前記第2気体とが交錯するように配向していることを特徴とする請求項9に記載のインプリント装置。 The first supply port and the second supply port are oriented so that the first gas supplied from the first supply port and the second gas supplied from the second supply port intersect with each other. The imprint device according to claim 9, wherein the imprint device is provided. 請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を有することを特徴とする物品製造方法。
A step of forming a pattern on a substrate by using the imprint device according to any one of claims 1 to 10.
A step of processing the substrate on which the pattern is formed in the step and a step of processing the substrate.
A method for manufacturing an article, characterized by having.
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