JP6985137B2 - Crystal form of sulfonamide compound - Google Patents
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Description
本発明は、TRPM8(Transient Receptor Potential Melastatin 8)遮断効果を有し、医薬として有用なスルホンアミド化合物の新規結晶形に関する。 The present invention relates to a novel crystalline form of a sulfonamide compound which has a TRPM8 (Transient Receptor Potential Melastatin 8) blocking effect and is useful as a medicine.
同一の化合物において2種以上の結晶形が得られる現象はポリモルフィズム(polymorphism)と呼ばれ、個々の結晶形は互いに結晶多形と呼ばれている。結晶形が異なると、密度、融点、溶解度、安定性などの物理化学的性質が異なる場合がある。
したがって、医薬品になりうる化合物のポリモルフィズムを検討し、優れた物理化学的性質の単一結晶を獲得することは有用である。しかしながら、単一結晶を見出すこと、および供給する方法を発見することは容易ではなく、また、医薬品になりうる化合物の結晶が医薬品として望ましい物理化学的性質を持つかは、発見した単一結晶の性質を評価しなければ分からず、鋭意検討を必要とする。
一方、特許文献1には、TRPM8遮断効果を有し、医薬として有用な新規スルホンアミド化合として、例えば、下式で示される4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(以下、化合物(A)ともいう)が記載されている。また、特許文献2には、化合物(A)を用いて製造される新規なスルホンアミド化合物が記載されている。
Therefore, it is useful to study the polymorphism of compounds that can be pharmaceuticals and to obtain single crystals with excellent physicochemical properties. However, it is not easy to find a single crystal and how to supply it, and it is not easy to find out whether the crystal of a compound that can be a drug has desirable physicochemical properties as a drug. It cannot be understood without evaluating the properties, and requires diligent examination.
On the other hand,
本発明は、医薬に使用されるスルホンアミド化合物の新規な結晶形を提供するものである。 The present invention provides novel crystalline forms of sulfonamide compounds used in pharmaceuticals.
本発明者は上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特許文献1に記載の化合物(A)は非晶質として生成し、安定性について検討が必要であることが判明した。そこで、化合物(A)およびその各種塩の形態の物性と安定性について種々検討した結果、医薬品の原薬の形態としてはフリー体である化合物(A)が好ましく、さらに、化合物(A)には11種類の結晶形が存在することが判明した。これら結晶形のうち、C形結晶が熱力学的に最も安定な結晶であることを見出し、本発明を完成するに至った。
As a result of diligent research to solve the above problems, the present inventor has found that the compound (A) described in
すなわち、本発明は、以下の項に関するものであるが、これらに限定されるものではない。
項[1] 2θで表される回折角度として、5.9°±0.2°、8.8°±0.2°、および8.9°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶。
項[2] 2θで表される回折角度として、5.9°±0.2°、8.8°±0.2°、8.9°±0.2°、14.3°±0.2°、17.6°±0.2°、および20.3°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶。
項[3] 図1に示す粉末X線回折パターンの実質的に全てのピークを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶。
項[4] 熱重量−示差熱測定による融点が206〜209℃である、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶。
項[5] 前記項[1]〜[4]のいずれか1項に記載の結晶を含有する医薬。
項[6] 前記項[1]〜[4]のいずれか1項に記載の結晶および薬理的に許容しうる担体を含有する医薬組成物。
項[7] 前記項[1]〜[4]のいずれか1項に記載の結晶を含有するTRPM8遮断薬。
項[8] 前記項[1]〜[4]のいずれか1項に記載の結晶を含有する、慢性疼痛、頭痛、泌尿器疾患、癌疾患、呼吸器疾患、消化器疾患、精神疾患、神経疾患、皮膚病および血管運動性障害から選択される疾患の予防または治療薬。
項[9] TRPM8遮断薬を製造するための、項[1]〜[4]のいずれか1項に記載の結晶の使用。
項[10] 慢性疼痛、頭痛、泌尿器疾患、癌疾患、呼吸器疾患、消化器疾患、精神疾患、神経疾患、皮膚病および血管運動性障害から選択される疾患の予防または治療薬を製造するための、項[1]〜[4]のいずれか1項に記載の結晶の使用。
項[11] 4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の固体を溶媒中で結晶化させることを含む、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶の調製方法。
項[12] 4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶の種晶を添加することを含む、項[11]記載の調製方法。
項[13] 4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の固体が、アモルファス、A形結晶、B形結晶、D形結晶、E形結晶、F形結晶、G形結晶、H形結晶、I形結晶、J形結晶、もしくはK形結晶のいずれかの形態またはそれらの2種以上の混合形態である、項[11]記載の調製方法。
項[14] 溶媒が、以下の単一溶媒または混合溶媒から選択される溶媒である、項[11]記載の調製方法:
単一溶媒:アセトン、メチルエチルケトンエタノール、イソプロピルアルコール、t−ブチルメチルエーテルもしくはジイソプロピルエーテル、または
混合溶媒:メチルエチルケトン/ヘプタン、メチルエチルケトン/水、酢酸エチル/ヘプタン、酢酸エチル/エタノール、ジメトキシエタン/水、ジメトキシエタン/ヘプタンもしくはアセトン/水。
That is, the present invention relates to, but is not limited to, the following items.
Item [1] Powder X-ray diffraction pattern at 5.9 ° ± 0.2 °, 8.8 ° ± 0.2 °, and 8.9 ° ± 0.2 ° as the diffraction angle represented by 2θ. C-type crystals of 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid, characterized by having.
Item [2] The diffraction angles represented by 2θ are 5.9 ° ± 0.2 °, 8.8 ° ± 0.2 °, 8.9 ° ± 0.2 °, 14.3 ° ± 0. 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3), characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at 2 °, 17.6 ° ± 0.2 °, and 20.3 ° ± 0.2 °. -Il) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) C-type crystals of benzoic acid.
Item [3] 4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy), which is characterized by having substantially all peaks of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 1. ) Benzyl] amino} sulfonyl) C-type crystals of benzoic acid.
Item [4] Thermogravimetric-The melting point measured by differential thermal analysis is 206 to 209 ° C., 4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid. C-shaped crystal of acid.
Item [5] A drug containing the crystal according to any one of the above items [1] to [4].
Item [6] A pharmaceutical composition containing the crystal according to any one of the above items [1] to [4] and a pharmacologically acceptable carrier.
Item [7] A TRPM8 blocker containing the crystal according to any one of the above items [1] to [4].
Item [8] Chronic pain, headache, urinary tract disease, cancer disease, respiratory disease, digestive tract disease, psychiatric disease, neurological disease containing the crystal according to any one of the above items [1] to [4]. , A prophylactic or therapeutic agent for diseases selected from skin diseases and vasomotor disorders.
Item [9] Use of the crystal according to any one of Items [1] to [4] for producing a TRPM8 blocker.
Item [10] To manufacture prophylactic or therapeutic agents for diseases selected from chronic pain, headache, urinary tract disease, cancer disease, respiratory disease, digestive system disease, mental disease, neurological disease, skin disease and vasomotor disorder. Use of the crystal according to any one of the items [1] to [4].
Item [11] 4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid solids are crystallized in a solvent, 4- ({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) A method for preparing C-form crystals of benzoic acid.
Item [12] Item 4 ({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) including addition of seed crystals of C-type crystals of benzoic acid. [11] The preparation method according to the above.
Item [13] 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) The solid of benzoic acid is amorphous, A-type crystal, B-type crystal, D. The item [ 11] The preparation method according to the above.
Single solvent: acetone, methyl ethyl ketone ethanol, isopropyl alcohol, t-butyl methyl ether or diisopropyl ether, or mixed solvent: methyl ethyl ketone / heptane, methyl ethyl ketone / water, ethyl acetate / heptane, ethyl acetate / ethanol, dimethoxyethane / water, dimethoxy ethane / Heptane or acetone / water.
本発明の化合物(A)のC形結晶は新規であり、熱力学的に安定な結晶形である。特に、本発明化合物(A)のC形結晶は一定条件下で保存した場合、類縁物質の生成が少ない等、保存安定性が高いという特長に加え、吸湿性が低いという特長も有するため、医薬品の原薬として好ましい結晶形態である。 The C-type crystal of the compound (A) of the present invention is novel and has a thermodynamically stable crystal form. In particular, the C-type crystal of the compound (A) of the present invention has a feature of high storage stability such as less formation of related substances when stored under certain conditions, and also has a feature of low hygroscopicity. It is a preferable crystal form as a drug substance.
本発明の化合物(A)のC形結晶は、以下(1)〜(3)の1またはそれ以上の特性により特徴づけられる。
(1)本発明の化合物(A)のC形結晶は、図1に示される粉末X線回折パターンの実質的に全てのピークを有し、および/または図2に示される熱重量−示差熱測定(TG−DTA)曲線を実質的に示すことが好ましい。
(2)本発明の化合物(A)のC形結晶は、粉末X線回折パターンにおける特徴的なピークが、2θで表される回折角度として、5.9°±0.2°、8.8°±0.2°、および8.9°±0.2°を挙げることができる。その他の特徴的なピークとして、14.3°±0.2°、17.6°±0.2°、および20.3°±0.2°を挙げることができる。
(3)本発明の化合物(A)のC形結晶は、TG−DTAによる融点(補外開始温度)が、約206〜約209℃であり、特に207.5℃付近を挙げることができる。
The C-shaped crystal of the compound (A) of the present invention is characterized by one or more of the following properties (1) to (3).
(1) The C-shaped crystal of compound (A) of the present invention has substantially all peaks of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 1 and / or the thermogravimetric-differential heat shown in FIG. It is preferred to substantially show the measurement (TG-DTA) curve.
(2) In the C-type crystal of the compound (A) of the present invention, the characteristic peak in the powder X-ray diffraction pattern is 5.9 ° ± 0.2 °, 8.8 as the diffraction angle represented by 2θ. ° ± 0.2 ° and 8.9 ° ± 0.2 ° can be mentioned. Other characteristic peaks include 14.3 ° ± 0.2 °, 17.6 ° ± 0.2 °, and 20.3 ° ± 0.2 °.
(3) The C-type crystal of the compound (A) of the present invention has a melting point (extrapolation start temperature) of about 206 to about 209 ° C., and can be particularly around 207.5 ° C.
本発明の化合物(A)は、前記特許文献1に記載の方法または以下の方法により製造することができる。
(工程1)
化合物(1)に、溶媒中、クロロ化剤を反応させることで、化合物(2)を製造することができる。
クロロ化剤としては、特に限定されないが、例えば、N−クロロスクシンイミド(NCS)、1,3−ジクロロ−5,5−ジメチルヒダントイン(DCH)、過酸化水素/塩酸、塩素(例えば、塩素ガス)、トリクロロイソシアヌル酸、塩化銅、塩化スルフリル、次亜塩素酸t-ブチル、次亜塩素酸ナトリウム、塩化オキサリル、およびN−クロロフタルイミドなどが挙げられる。典型的な例としては、N−クロロスクシンイミド(NCS)、1,3−ジクロロ−5,5−ジメチルヒダントイン(DCH)、過酸化水素/塩酸、塩素ガス、次亜塩素酸ナトリウム、塩化スルフリル、およびN−クロロフタルイミドが挙げられる。
(Step 1)
Compound (2) can be produced by reacting compound (1) with a chlorogenic agent in a solvent.
The chlorolytic agent is not particularly limited, and is, for example, N-chlorosuccinimide (NCS), 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantoin (DCH), hydrogen peroxide / hydrochloric acid, chlorine (for example, chlorine gas). , Trichloroisocyanuric acid, copper chloride, sulfryl chloride, t-butyl hypochlorite, sodium hypochlorite, oxalyl chloride, N-chlorophthalimide and the like. Typical examples are N-chlorosuccinimide (NCS), 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantoin (DCH), hydrogen peroxide / hydrochloric acid, chlorine gas, sodium hypochlorite, sulfuryl chloride, and N-chlorophthalimide can be mentioned.
溶媒としては、反応に不活性な溶媒であれば特に限定されないが、例えば、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸イソプロピル等)、芳香族炭化水素類(例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等)、非プロトン性極性溶媒(例えば、1,2−ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等)、スルホキシド類(例えば、ジメチルスルホキシド等)、エーテル類(例えば、ジエチルエーテル、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン等)、ニトリル類(例えば、アセトニトリル等)、および水、またはこれらの2種以上の混合溶媒などが挙げられる。典型的な例としては、エステル類、芳香族炭化水素類、エーテル類、および水が挙げられる。
The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction, but for example, esters (for example, ethyl acetate, isopropyl acetate, etc.), aromatic hydrocarbons (for example, benzene, toluene, xylene, etc.), and non-esters. Protonic polar solvents (
本反応のクロロ化剤の添加は、用いる試薬または反応条件により異なり得るが、1回で反応溶液に加えてもよく、あるいは数回に分けてまたは滴下して加えてもよい。
本反応のクロロ化剤の添加温度は、用いる試薬または反応条件により異なり得るが、通常、冷却下〜加熱下、好ましくは−20℃〜70℃である。例えば、本反応でN−クロロスクシンイミドを使用する場合、好ましい試薬仕込み温度は0℃〜50℃であり、1,3−ジクロロ−5,5−ジメチルヒダントインを使用する場合、好ましい試薬仕込み温度は−20℃〜10℃であり、過酸化水素/塩酸を使用する場合、滴下が好ましく、好ましい試薬滴下温度は45℃〜70℃である。
The addition of the chlorogenic agent for this reaction may vary depending on the reagent used or the reaction conditions, but may be added to the reaction solution at one time, or may be added in several batches or by dropping.
The temperature at which the chlorogenic agent is added in this reaction may vary depending on the reagent used or the reaction conditions, but is usually under cooling to heating, preferably −20 ° C. to 70 ° C. For example, when N-chlorosuccinimide is used in this reaction, the preferred reagent charging temperature is 0 ° C to 50 ° C, and when 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantoin is used, the preferred reagent charging temperature is-. The temperature is 20 ° C. to 10 ° C., and when hydrogen peroxide / hydrochloric acid is used, dropping is preferable, and the reagent dropping temperature is preferably 45 ° C to 70 ° C.
本反応の反応温度は、用いる試薬または反応条件により異なるが、通常、冷却下〜加熱下、好ましくは−20℃〜70℃である。例えば、本反応でN−クロロスクシンイミドを使用する場合、好ましい反応温度は35〜60℃であり、1,3−ジクロロ−5,5−ジメチルヒダントインを使用する場合、好ましい反応温度は−20〜10℃であり、過酸化水素/塩酸を使用する場合、好ましい反応温度は45〜70℃である。
本反応の反応時間は、用いる試薬または反応条件(例えば、用いる溶媒)により異なるが、通常、1〜36時間、好ましくは1〜24時間である。例えば、本反応でN−クロロスクシンイミドを使用する場合、好ましい反応時間は2〜20時間であり、1,3−ジクロロ−5,5−ジメチルヒダントインを使用する場合、好ましい反応時間は10〜24時間であり、過酸化水素/塩酸を使用する場合、好ましい反応時間は1〜12時間である。
本反応は、不活性ガス存在下、例えば窒素ガスやアルゴンガス存在下で行ってもよい。
The reaction temperature of this reaction varies depending on the reagent used or the reaction conditions, but is usually under cooling to heating, preferably −20 ° C. to 70 ° C. For example, when N-chlorosuccinimide is used in this reaction, the preferable reaction temperature is 35 to 60 ° C., and when 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantoin is used, the preferable reaction temperature is -20 to 10 ° C. ° C., and when hydrogen peroxide / hydrochloric acid is used, the preferred reaction temperature is 45-70 ° C.
The reaction time of this reaction varies depending on the reagent used or the reaction conditions (for example, the solvent used), but is usually 1 to 36 hours, preferably 1 to 24 hours. For example, when N-chlorosuccinimide is used in this reaction, the preferred reaction time is 2 to 20 hours, and when 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantin is used, the preferred reaction time is 10 to 24 hours. When hydrogen peroxide / hydrochloric acid is used, the preferred reaction time is 1 to 12 hours.
This reaction may be carried out in the presence of an inert gas, for example, nitrogen gas or argon gas.
本反応で使用するクロロ化剤の当量は、用いる試薬または反応条件により異なるが、通常、化合物(1)の1当量に対して、およそ1当量から過剰量が好ましく、例えば、0.95〜5.0モル当量である。例えば、本反応でN−クロロスクシンイミドを使用する場合、その好ましい当量は、1.0〜1.2モル当量であり、1,3−ジクロロ−5,5−ジメチルヒダントインを使用する場合、その好ましい当量は1.0〜1.1モル当量であり、過酸化水素/塩酸を使用する場合、過酸化水素の好ましい当量は0.95〜1.1モル当量であって、塩酸の好ましい当量は3.0〜5.0モル当量である。 The equivalent amount of the chlorogenic agent used in this reaction varies depending on the reagent used or the reaction conditions, but is usually preferably about 1 equivalent to an excess amount with respect to 1 equivalent of compound (1), for example, 0.95 to 5 It is 0.0 molar equivalent. For example, when N-chlorosuccinimide is used in this reaction, its preferred equivalent is 1.0 to 1.2 molar equivalents, and when 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantin is used, it is preferred. The equivalent is 1.0 to 1.1 molar equivalents, and when hydrogen peroxide / hydrochloric acid is used, the preferred equivalent of hydrogen peroxide is 0.95 to 1.1 molar equivalents, and the preferred equivalent of hydrochloric acid is 3. .0 to 5.0 molar equivalents.
(工程2)
化合物(2)を、溶媒中、パラジウム触媒、塩基および配位子の存在下で、シクロプロピルボロン酸(化合物(3))と反応させることにより、化合物(4)を製造することができる。
溶媒としては、反応に不活性な溶媒であれば特に限定されないが、例えば、芳香族炭化水素類(例えば、トルエン、キシレン、ナフタレン等)、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等)、非プロトン性極性溶媒(例えば、1,2−ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等)、スルホキシド類(例えば、ジメチルスルホキシド等)、エーテル類(例えば、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン等)、ニトリル類(例えば、アセトニトリル等)、および水など、またはこれらの2種以上の混合溶媒が挙げられる。典型的な例としては、芳香族炭化水素類、非プロトン性極性溶媒、およびエーテル類が挙げられる。
(Step 2)
Compound (4) can be produced by reacting compound (2) with cyclopropylboronic acid (compound (3)) in the presence of a palladium catalyst, a base and a ligand in a solvent.
The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction, but for example, aromatic hydrocarbons (for example, toluene, xylene, naphthalene, etc.), esters (for example, ethyl acetate, butyl acetate, isopropyl acetate, etc.) and the like. ), Aprotic polar solvents (
本反応は、良好な撹拌性を得るためには、水と有機溶媒からなる二層系溶媒中で実施するのが好ましく、とりわけ、水および芳香族炭化水素類からなる混合溶媒が好ましく、特に、水およびトルエンの混合溶媒が好ましい。本反応を二層系溶媒で実施する場合、例えば、トルエン:水を使用する場合には、通常10:1〜1:5の容量比率、好ましくは2:1〜1:1の容量比率で混合した溶媒が挙げられる。
パラジウム触媒としては、クロスカップリング反応において使用される一般的なパラジウム触媒であれば特に限定されないが、例えば、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロ[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(PdCl2(dppf))、およびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム等が挙げられる。典型的な例としては、塩化パラジウム、および酢酸パラジウムが挙げられる。
In order to obtain good stirring properties, this reaction is preferably carried out in a two-layer solvent consisting of water and an organic solvent, and in particular, a mixed solvent consisting of water and aromatic hydrocarbons is preferable. A mixed solvent of water and toluene is preferred. When this reaction is carried out with a two-layer solvent, for example, when toluene: water is used, the mixture is usually mixed at a volume ratio of 10: 1 to 1: 5, preferably 2: 1 to 1: 1. Examples include the solvent used.
The palladium catalyst is not particularly limited as long as it is a general palladium catalyst used in the cross-coupling reaction, but for example, palladium chloride, palladium acetate, dichloro [1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium. (PdCl 2 (dppf)), tetrakistriphenylphosphine palladium and the like. Typical examples include palladium chloride and palladium acetate.
塩基としては、例えば、アルカリ金属低級アルコキシド(例えば、ナトリウムt−ブトキシド等)、または無機塩基(例えば、リン酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等)等が挙げられる。典型的な例としては、炭酸セシウム、炭酸カリウム、リン酸カリウム、および炭酸ナトリウムが挙げられる。
配位子としては、クロスカップリング反応において使用される一般的な配位子であれば特に限定されないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィン、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン、2−ジシクロへキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(S−PHOS)、2−ジシクロへキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニル(X−PHOS)、および4,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)−9,9−ジメチルキサンテン(Xantphos)等のリン配位子が挙げられる。典型的な例としては、トリフェニルホスフィン、およびトリシクロヘキシルホスフィンが挙げられる。
Examples of the base include alkali metal lower alkoxides (eg, sodium t-butoxide, etc.), inorganic bases (eg, potassium phosphate, cesium carbonate, potassium carbonate, sodium carbonate, etc.) and the like. Typical examples include cesium carbonate, potassium carbonate, potassium phosphate, and sodium carbonate.
The ligand is not particularly limited as long as it is a general ligand used in the cross-coupling reaction, and is, for example, triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, tri (o-tolyl) phosphine, 1,1'. -Bis (diphenylphosphino) ferrocene, 2-dicyclohexylphosphino-2', 6'-dimethoxybiphenyl (S-PHOS), 2-dicyclohexylphosphino-2', 4', 6'-triisopropylbiphenyl (X-) PHOS), and phosphorus ligands such as 4,5-bis (diphenylphosphino) -9,9-dimethylxanthene (Xantphos). Typical examples include triphenylphosphine and tricyclohexylphosphine.
本反応は、不活性ガス存在下、例えば窒素ガスやアルゴンガス存在下で行うことができる。
本反応の試薬仕込み温度は、通常、冷却下〜加熱下、好ましくは0℃〜40℃である。
本反応の反応温度は、25〜150℃、好ましくは80〜120℃で行うことができる。
本反応の反応時間は、通常、6〜24時間、好ましくは8〜16時間である。
This reaction can be carried out in the presence of an inert gas, for example, nitrogen gas or argon gas.
The reagent charging temperature for this reaction is usually from cooling to heating, preferably 0 ° C to 40 ° C.
The reaction temperature of this reaction can be 25 to 150 ° C, preferably 80 to 120 ° C.
The reaction time of this reaction is usually 6 to 24 hours, preferably 8 to 16 hours.
本反応で使用する各試薬の当量は、用いる試薬または反応条件により異なるが、通常、化合物(2)の1当量に対して、それぞれ0.03〜5.0モル当量である。例えば、パラジウム触媒として酢酸パラジウムを使用する場合、その好ましい当量は0.03〜0.1モル当量であり、配位子としてトリシクロヘキシルホスフィンを使用する場合、その好ましい当量は0.06〜0.2モル当量であり、塩基として炭酸セシウムを使用する場合、その好ましい当量は2.0〜5.0モル当量であり、シクロプロピルボロン酸(化合物(3))の好ましい当量は1.3〜2.0モル当量である。 The equivalent of each reagent used in this reaction varies depending on the reagent used or the reaction conditions, but is usually 0.03 to 5.0 molar equivalent with respect to one equivalent of compound (2). For example, when palladium acetate is used as the palladium catalyst, its preferred equivalent is 0.03 to 0.1 molar equivalent, and when tricyclohexylphosphine is used as the ligand, its preferred equivalent is 0.06 to 0. It is 2 molar equivalents, and when cesium carbonate is used as the base, its preferred equivalent is 2.0 to 5.0 molar equivalents, and the preferred equivalent of cyclopropylboronic acid (compound (3)) is 1.3-2. It is 0.0 molar equivalent.
(工程3)
化合物(4)を溶媒中、塩基の存在下で化合物(5)と縮合させることにより、化合物(6)を製造することができる。
溶媒としては、反応に不活性な溶媒であれば特に限定されないが、例えば、エーテル類(例えば、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン等)、炭化水素類(例えば、トルエン、キシレン等)、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等)、ケトン類(例えば、アセトン、ブタノン等)、アミド類(例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、およびN−メチルピロリドン等)、スルホキシド類(例えば、ジメチルスルホキシド等)、およびニトリル類(例えば、アセトニトリル等)が挙げられる。典型的な例としては、ニトリル類、エーテル類、および炭化水素類が挙げられる。
(Step 3)
Compound (6) can be produced by condensing compound (4) with compound (5) in the presence of a base in a solvent.
The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction, but for example, ethers (for example, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, 1,2-dimethoxyethane, etc.), hydrocarbons (for example, toluene, etc.). Xylene, etc.), esters (eg, ethyl acetate, butyl acetate, isopropyl acetate, etc.), ketones (eg, acetone, butanone, etc.), amides (eg, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, etc.) Included are 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-methylpyrrolidone, etc.), sulfoxides (eg, dimethyl sulfoxide, etc.), and nitriles (eg, acetonitrile, etc.). Typical examples include nitriles, ethers, and hydrocarbons.
塩基としては、慣用の塩基を用いることができ、例えば、アルカリ金属アミド(例えば、リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムアミド、リチウムビストリメチルシリルアミド等)、炭酸アルカリ金属(例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等)、リン酸アルカリ金属(例えば、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム等)、および有機アミン(例えば、ピリジン等)が挙げられる。典型的な例としては、有機アミンが挙げられる。 As the base, a conventional base can be used, for example, an alkali metal amide (for example, lithium diisopropylamide, sodium amide, lithium bistrimethylsilylamide, etc.), an alkali metal carbonate (for example, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogencarbonate, etc.). , Potassium hydrogen carbonate, etc.), alkali metals phosphate (eg, sodium phosphate, potassium phosphate, etc.), and organic amines (eg, pyridine, etc.). Typical examples include organic amines.
本反応は、不活性ガス存在下、例えば窒素ガスやアルゴンガス存在下で行ってもよい。
本反応の試薬仕込み温度は、通常、冷却下〜加熱下、好ましくは20℃〜60℃である。
反応温度は、冷却下〜加熱下、好ましくは20℃〜60℃で行うことができる。
本反応の反応時間は、通常、4〜24時間、好ましくは4〜12時間である。
This reaction may be carried out in the presence of an inert gas, for example, nitrogen gas or argon gas.
The reagent charging temperature for this reaction is usually under cooling to heating, preferably 20 ° C to 60 ° C.
The reaction temperature can be cool to heated, preferably 20 ° C to 60 ° C.
The reaction time of this reaction is usually 4 to 24 hours, preferably 4 to 12 hours.
本反応で使用する試薬の当量は、用いる試薬または反応条件(例えば、用いる溶媒)により異なるが、化合物(4)の1当量に対して、例えば、塩基としてピリジンを使用する場合、その好ましい使用量は15〜29当量であり、エチル 4−(クロロスルホニル)ベンゾアート(化合物(5))の好ましい当量は1.05〜1.2当量である。 The equivalent amount of the reagent used in this reaction varies depending on the reagent used or the reaction conditions (for example, the solvent used), but is a preferable amount when, for example, pyridine is used as a base with respect to one equivalent of compound (4). Is 15 to 29 equivalents, and the preferred equivalent of ethyl 4- (chlorosulfonyl) benzoate (compound (5)) is 1.05 to 1.2 equivalents.
(工程4)
化合物(6)と化合物(7)を、溶媒中、塩基の存在下で縮合させることにより、化合物(8)を製造することができる。
溶媒としては、反応に不活性な溶媒であれば特に限定されないが、例えば、エーテル類(例えば、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2-ジメトキシエタン等)、炭化水素類(例えば、トルエン、キシレン等)、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等)、ケトン類(例えば、アセトン、ブタノン等)、アミド類(例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンおよびN−メチルピロリドン等)、スルホキシド類(例えば、ジメチルスルホキシド等)、およびニトリル類(例えば、アセトニトリル等)が挙げられる。典型的な例としては、アミド類、およびニトリル類が挙げられる。
(Step 4)
Compound (8) can be produced by condensing compound (6) and compound (7) in a solvent in the presence of a base.
The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction, but for example, ethers (for example, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, 1,2-dimethoxyethane, etc.), hydrocarbons (for example, toluene, etc.). Xylene, etc.), esters (eg, ethyl acetate, butyl acetate, isopropyl acetate, etc.), ketones (eg, acetone, butanone, etc.), amides (eg, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, etc.) Examples thereof include 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and N-methylpyrrolidone, sulfoxides (eg, dimethyl sulfoxide, etc.), and nitriles (eg, acetonitrile, etc.). Typical examples include amides and nitriles.
塩基としては、慣用の塩基を用いることができ、例えば、アルカリ金属アミド(例えば、リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムアミド、リチウムビストリメチルシリルアミド等)、炭酸アルカリ金属(例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等)、リン酸アルカリ金属(例えば、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム等)、および有機アミン(例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、N−メチルモルホリン等)が挙げられる。典型的な例としては、炭酸アルカリ金属、およびジイソプロピルエチルアミンが挙げられる。 As the base, a conventional base can be used, for example, an alkali metal amide (for example, lithium diisopropylamide, sodium amide, lithium bistrimethylsilylamide, etc.), an alkali metal carbonate (for example, sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, etc.). Examples thereof include sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, etc.), alkali metals phosphate (eg, sodium phosphate, potassium phosphate, etc.), and organic amines (eg, triethylamine, diisopropylethylamine, pyridine, N-methylmorpholin, etc.). Typical examples include alkali metal carbonates and diisopropylethylamine.
本反応の試薬仕込み温度は、通常、冷却下〜加熱下、好ましくは0℃〜40℃である。
本反応の温度は、冷却下〜加熱下、好ましくは、15℃〜35℃で行うことができる。
本反応の反応時間は、通常、2〜72時間、好ましくは2〜24時間である。
The reagent charging temperature for this reaction is usually from cooling to heating, preferably 0 ° C to 40 ° C.
The temperature of this reaction can be cool to heated, preferably 15 ° C to 35 ° C.
The reaction time of this reaction is usually 2 to 72 hours, preferably 2 to 24 hours.
本反応で使用する試薬の当量は、用いる試薬または反応条件により異なるが、例えば、炭酸カリウムを使用する場合、その好ましい使用量は0.9〜3.0モル当量であり、1−(ブロモメチル)−4−(トリフルオロメトキシ)ベンゼン(化合物(7))の好ましい当量は1.0〜1.5モル当量である。 The equivalent of the reagent used in this reaction varies depending on the reagent used or the reaction conditions, but for example, when potassium carbonate is used, the preferable amount to be used is 0.9 to 3.0 molar equivalent, which is 1- (bromomethyl). The preferred equivalent of -4- (trifluoromethoxy) benzene (compound (7)) is 1.0 to 1.5 molar equivalents.
(工程5)
化合物(8)を、常法により、アルカリ剤(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等)により、エステルの加水分解反応を行うことにより、化合物(9)を製造することができる。
反応温度としては20〜100℃、好ましくは50℃であり、反応溶液を中和するための中和剤としては、酸(例えば、クエン酸、塩酸等)を使用することができる。
(Step 5)
Compound (9) can be produced by subjecting compound (8) to an ester hydrolysis reaction with an alkaline agent (for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, etc.) by a conventional method.
The reaction temperature is 20 to 100 ° C., preferably 50 ° C., and an acid (for example, citric acid, hydrochloric acid, etc.) can be used as the neutralizing agent for neutralizing the reaction solution.
得られた化合物(9)は、単一溶媒または混合溶媒から再結晶することにより、C形結晶を製造することができる。
単一溶媒としては、例えば、ケトン系溶媒(アセトン、メチルエチルケトン等)、アルコール系溶媒(エタノール、イソプロピルアルコール等)、エーテル系溶媒(t−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等)等を使用することができる。好ましい単一溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、エタノール、イソプロピルアルコール、t−ブチルメチルエーテル等が挙げられる。
また、混合溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン/ヘプタン、メチルエチルケトン/水、酢酸エチル/ヘプタン、酢酸エチル/エタノール、ジメトキシエタン/水、ジメトキシエタン/ヘプタン、アセトン/水等を使用することができる。好ましい混合溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン/ヘプタン、酢酸エチル/ヘプタン、酢酸エチル/エタノールおよびアセトン/水を挙げることができ、特に、メチルエチルケトン/ヘプタンおよびアセトン/水が好ましい。
溶解温度としては20〜56℃、好ましくは50℃であり、再結晶する際の温度条件としては0〜56℃、好ましくは10〜56℃、より好ましくは20〜40℃である。また、種晶を添加して本結晶化反応を実施することもできる。
The obtained compound (9) can be recrystallized from a single solvent or a mixed solvent to produce C-type crystals.
As the single solvent, for example, a ketone solvent (acetone, methyl ethyl ketone, etc.), an alcohol solvent (ethanol, isopropyl alcohol, etc.), an ether solvent (t-butylmethyl ether, diisopropyl ether, etc.) and the like can be used. .. Preferred single solvents include, for example, methyl ethyl ketone, ethanol, isopropyl alcohol, t-butyl methyl ether and the like.
As the mixed solvent, for example, methyl ethyl ketone / heptane, methyl ethyl ketone / water, ethyl acetate / heptane, ethyl acetate / ethanol, dimethoxyethane / water, dimethoxyethane / heptane, acetone / water and the like can be used. Preferred mixed solvents include, for example, methyl ethyl ketone / heptane, ethyl acetate / heptane, ethyl acetate / ethanol and acetone / water, with methyl ethyl ketone / heptane and acetone / water being particularly preferred.
The melting temperature is 20 to 56 ° C., preferably 50 ° C., and the temperature condition for recrystallization is 0 to 56 ° C., preferably 10 to 56 ° C., more preferably 20 to 40 ° C. It is also possible to carry out this crystallization reaction by adding seed crystals.
各反応において、反応後の処理は、通常行われる方法で行えばよく、単離精製は結晶化、蒸留、分液などの慣用される方法を適宜選択し、また組み合わせて行うことができる。本発明において、結晶化の方法としては、公知の方法が挙げられるが、なかでも、工業的に有利な方法が望ましく、たとえば、再結晶法が好ましい。 In each reaction, the post-reaction treatment may be carried out by a usual method, and the isolation and purification may be carried out by appropriately selecting and combining conventional methods such as crystallization, distillation and liquid separation. In the present invention, examples of the crystallization method include known methods, and among them, an industrially advantageous method is preferable, and for example, a recrystallization method is preferable.
上記製造方法によれば、化合物(A)のC形結晶を単一の結晶形として取得することができる。また、得られた化合物(A)は混合物となる場合もある。ここで、混合物とは、1種類以上の他の結晶形を重量比1%以上含有する混合物を意味し、混合物中の混合比率は任意でよい。本発明においては、単一の結晶形が好ましい。 According to the above production method, the C-type crystal of compound (A) can be obtained as a single crystal form. In addition, the obtained compound (A) may be a mixture. Here, the mixture means a mixture containing one or more other crystal forms in a weight ratio of 1% or more, and the mixing ratio in the mixture may be arbitrary. In the present invention, a single crystalline form is preferred.
このようにして得られた本発明の化合物(A)のC形結晶は安定であるため、大量合成が可能となり、錠剤等の製剤化が容易である等の理由から、それ自体、医薬品原薬として有用である。また、本発明の結晶形の混合物であっても医薬品原薬として利用可能である。
また、従来知られている化合物(A)では、医薬品として適用できない溶媒を含む非晶質として製造されるのに対し、本発明の化合物(A)のC形結晶は、熱力学的に安定であり、保存安定性が良好であり、かつ、吸湿性が少ない特長を有する。したがって、本発明の化合物(A)のC形結晶は品質の高い医薬品原薬を提供することが可能である。
Since the C-form crystal of the compound (A) of the present invention thus obtained is stable, it can be synthesized in large quantities, and it is easy to formulate tablets and the like. It is useful as. Further, even the crystalline mixture of the present invention can be used as a drug substance.
Further, while the conventionally known compound (A) is produced as an amorphous substance containing a solvent that cannot be applied as a pharmaceutical product, the C-shaped crystal of the compound (A) of the present invention is thermodynamically stable. It has the features of good storage stability and low hygroscopicity. Therefore, the C-type crystal of the compound (A) of the present invention can provide a high-quality drug substance.
このようにして得られる本発明化合物(A)のC形結晶は、TRPM8遮断効果を有し、例えば慢性疼痛、頭痛、泌尿器疾患、癌疾患、呼吸器疾患、消化器疾患、精神疾患、神経疾患、皮膚病および血管運動症状から選択される疾患の予防または治療薬として使用することができる。 The C-form crystal of the compound (A) of the present invention thus obtained has a TRPM8 blocking effect, for example, chronic pain, headache, urinary tract disease, cancer disease, respiratory disease, digestive tract disease, psychiatric disease, neurological disease. , Can be used as a prophylactic or therapeutic agent for diseases selected from skin diseases and vasomotor symptoms.
本発明化合物(A)のC形結晶を、有効成分として医薬用途に使用する場合、投与方法に応じた不活性な担体とともに用い、慣用の医薬製剤(例えば、錠剤、顆粒剤、カプセル剤、散剤、溶液、懸濁液、乳液、注射剤、点滴剤等)として製剤化して用いることができる。かかる担体としては、例えば、一般的な医薬において許容される結合剤(例えば、アラビアゴム、ゼラチン、ソルビット、ポリビニルピロリドン等)、賦形剤(例えば、乳糖、砂糖、コーンスターチ、ソルビット等)、滑沢剤(例えば、ステアリン酸マグネシウム、タルク、ポリエチレングリコール等)、崩壊剤(例えば、バレイショデンプン等)などが挙げられる。注射剤や点滴剤とする場合は、注射用蒸留水、生理的食塩水、ブドウ糖水溶液などを用いて製剤化することができる。 When the C-form crystal of the compound (A) of the present invention is used as an active ingredient for pharmaceutical purposes, it is used together with an inert carrier according to the administration method, and is used as a conventional pharmaceutical preparation (for example, tablets, granules, capsules, powders). , Solution, suspension, milky lotion, injection, drip, etc.) can be formulated and used. Examples of such carriers include binders (eg, gum arabic, gelatin, sorbitol, polyvinylpyrrolidone, etc.), excipients (eg, lactose, sugar, cornstarch, sorbitol, etc.), which are acceptable in general medicine, and glides. Agents (eg, magnesium stearate, talc, polyethylene glycol, etc.), disintegrants (eg, potato starch, etc.) and the like can be mentioned. When it is used as an injection or a drip, it can be formulated using distilled water for injection, physiological saline, an aqueous glucose solution, or the like.
本発明化合物(A)のC形結晶を、医薬用途に使用する場合の投与方法は、特に限定されず、一般的な経口または非経口的な方法(例えば、静脈内、筋肉内、皮下、経皮、経鼻、その他経粘膜、経腸など)を適用することができる。
本発明化合物(A)のC形結晶を、医薬用途に使用する場合の投与量は、有効成分とする化合物(A)のC形結晶のポテンシーや特性に応じ、薬効を発現するのに十分な有効量の範囲で、適宜設定すればよい。投与量は、投与方法、患者の年令、体重、状態によっても異なるが、一般的な投与量、例えば1日当たり、0.01〜100mg/体重kgの範囲で適切な量に設定される。
The administration method when the C-form crystal of the compound (A) of the present invention is used for pharmaceutical purposes is not particularly limited, and is a general oral or parenteral method (for example, intravenous, intramuscular, subcutaneous, or nasal). Skin, nasal, other transmucosa, enteral, etc.) can be applied.
When the C-type crystal of the compound (A) of the present invention is used for pharmaceutical purposes, the dose is sufficient to exhibit a medicinal effect according to the potency and characteristics of the C-type crystal of the compound (A) as an active ingredient. It may be set appropriately within the range of the effective amount. The dose will vary depending on the method of administration, age, body weight and condition of the patient, but will be set to a general dose, for example, an appropriate amount in the range of 0.01 to 100 mg / kg body weight per day.
以下、製造例、参考製造例および試験例で本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
なお、実施例に記載した各結晶の物性データは、以下の条件によって測定した。
(1)粉末X線回折
装置:X’Pert Pro(PANalytical B.V.)
操作条件:
X線管球:対陰極:銅、管電圧:45kV、管電流:40mA
入射光学系:フォーカシング集光ミラー
受光光学系:高速半導体アレイ検出器(X−Celerator)
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Production Examples, Reference Production Examples, and Test Examples, but the present invention is not limited thereto.
The physical characteristic data of each crystal described in the examples were measured under the following conditions.
(1) Powder X-ray diffractometer: X'Pert Pro (PANNalytical B.V.)
Operating conditions:
X-ray tube: Anti-cathode: Copper, Tube voltage: 45 kV, Tube current: 40 mA
Incident optical system: Focusing condensing mirror Light receiving optical system: High-speed semiconductor array detector (X-Celerator)
(2)熱重量−示差熱測定(TG−DTA)
試料をアルミニウム製オープン型試料反応容器に充填し、容器のみを対照として測定した。
装置:TG/DTA7200(エスアイアイナノテクノロジー株式会社)
操作条件:
昇温速度:10K/min
雰囲気:窒素200mL/min
(2) Thermogravimetric-differential thermal measurement (TG-DTA)
The sample was filled in an aluminum open sample reaction vessel, and measurement was performed using only the vessel as a control.
Equipment: TG / DTA7200 (SI Nano Technology Co., Ltd.)
Operating conditions:
Temperature rise rate: 10K / min
Atmosphere: Nitrogen 200mL / min
製造例1
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のD形結晶5 mgを採取し、t−ブチルメチルエーテル50μLを加えて、溶液を得た。溶液を室温で1昼夜撹拌後に固体が析出した。その後、溶液を4℃で3日間放置して、析出した固体をろ取して、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のC形結晶を得た。
C形結晶の熱重量−示差熱測定(TG−DTA)を測定したところ、融点(補外開始温度)は約206〜約209℃であり、特に207.5℃付近に認められた(図2)。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のC形結晶は、粉末X線回折測定において、図1に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Production Example 1
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of C-form crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Ill) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) D-form crystals of benzoic acid were collected in 5 mg and 50 μL of t-butylmethyl ether was added to obtain a solution. After stirring the solution at room temperature for one day and night, a solid precipitated. Then, the solution was left at 4 ° C. for 3 days, and the precipitated solid was collected by filtration to remove 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl. ) C-shaped crystals of benzoic acid were obtained.
When the thermogravimetric-differential thermal measurement (TG-DTA) of the C-shaped crystal was measured, the melting point (extrapolation start temperature) was about 206 to about 209 ° C, and was particularly observed around 207.5 ° C (FIG. 2). ).
The C-type crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 1 was included.
図1に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表1に示すが、これらに限定されるものではない。
表1
Table 1
典型的な回折ピーク値としては、例えば、5.9°±0.2°、8.8°±0.2°、8.9°±0.2°、14.3°±0.2°、17.6°±0.2°、および20.3°±0.2°が挙げられ、あるいはより典型的な回折ピーク値としては、例えば、5.9°±0.2°、8.8°±0.2°、および8.9°±0.2°が挙げられる。 Typical diffraction peak values are, for example, 5.9 ° ± 0.2 °, 8.8 ° ± 0.2 °, 8.9 ° ± 0.2 °, 14.3 ° ± 0.2 °. , 17.6 ° ± 0.2 °, and 20.3 ° ± 0.2 °, or more typical diffraction peak values are, for example, 5.9 ° ± 0.2 °, 8. 8 ° ± 0.2 ° and 8.9 ° ± 0.2 ° are included.
参考製造例1
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のD形結晶の製造
エチル 4−[(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル){[4−(トリフルオロメトキシ)フェニル]メチル}スルファモイル]ベンゾアート30.4gにテトラヒドロフラン200mLおよびエタノール200mLを加えて、溶液とした。この溶液に2mol/L水酸化ナトリウム水溶液54mLを加えて、混合物を室温で1時間撹拌した。半分の液量に濃縮した後、この混合物を10%酢酸水溶液で酸性にして、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水と飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒蒸散した。得られた残渣にエタノールを加えて、析出した固体をろ取した。固体を50℃で減圧乾燥して、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のD形結晶25.8gを得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のD形結晶は、粉末X線回折測定において、図3に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 1
4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of D-form crystal of benzoic acid Ethyl 4-[(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) Ill) {[4- (trifluoromethoxy) phenyl] methyl} sulfamoyl] 200 mL of tetrahydrofuran and 200 mL of ethanol were added to 30.4 g of benzoate to prepare a solution. 54 mL of 2 mol / L aqueous sodium hydroxide solution was added to this solution, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After concentrating to half the volume, the mixture was acidified with 10% aqueous acetic acid and extracted with ethyl acetate. The extract was washed with water and saturated brine, dried over sodium sulfate, and then evaporated. Ethanol was added to the obtained residue, and the precipitated solid was collected by filtration. The solid was dried under reduced pressure at 50 ° C. to obtain 25.8 g of D-form crystals of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid. rice field.
The D-form crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, a chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 3 was provided.
図3に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表2に示すが、これらに限定されるものではない。
表2
Table 2
参考製造例2
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のA形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸1ナトリウム塩1.05gをエタノール15mLに溶解し、そこに1mol/L水酸化ナトリウム水溶液1.9mLを加えた。混合物を酢酸エチルで希釈し、水および飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮した。得られた残渣にヘキサンを加えて、析出した固体を濾取した後、減圧乾燥することにより、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のA形結晶916mgを得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のA形結晶は、粉末X線回折測定において、図4に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 2
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of A-form crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Il) [4- (Trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 1.05 g of benzoic acid monosodium salt was dissolved in 15 mL of ethanol, and 1.9 mL of a 1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution was added thereto. The mixture was diluted with ethyl acetate, washed with water and saturated brine, dried over sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure. Hexane was added to the obtained residue, the precipitated solid was collected by filtration, and then dried under reduced pressure to obtain 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl]. Amino} sulfonyl) A-form crystals of benzoic acid (916 mg) were obtained.
The A-type crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, a chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 4 was provided.
図4に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表3に示すが、これらに限定されるものではない。
表3
Table 3
参考製造例3
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のA形結晶およびB形結晶の混合物の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のA形結晶を60℃で一週間保存後に、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のA形結晶とB形結晶の混合物を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のA形結晶およびB形結晶の混合物は、粉末X線回折測定において、図5に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 3
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of a mixture of A-type and B-type crystals of benzoic acid 4-({(4- (4-) Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) After storing A-form crystals of benzoic acid at 60 ° C for one week, 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-3) Ill) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) A mixture of A-type and B-type crystals of benzoic acid was obtained.
A mixture of A-type crystals and B-type crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)). Has a chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 5 in the powder X-ray diffraction measurement.
図5に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表4に示すが、これらに限定されるものではない。
表4
Table 4
参考製造例4
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のB形結晶およびC形結晶の混合物の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のA形結晶を、60℃75%相対湿度(RH)に一週間保存したところB形結晶とC形結晶の混合物を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のB形結晶およびC形結晶の混合物は、粉末X線回折測定において、図6に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 4
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of a mixture of B-type and C-type crystals of benzoic acid 4-({(4- (4-) Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) A-type crystals of benzoic acid were stored at 60 ° C. and 75% relative humidity (RH) for one week. A mixture of morphic crystals was obtained.
A mixture of B-type crystals and C-type crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)). Has a chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 6 in the powder X-ray diffraction measurement.
図6に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表5に示すが、これらに限定されるものではない。
表5
Table 5
参考製造例5
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のE形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸D形結晶のテトラヒドロフラン溶液(15 mg/mL)を200μL採取し、3時間窒素ガスを吹き付けて溶媒を蒸散させた。これにメタノール30μLおよび水270μLを加えて、反応容器のフタをして室温で撹拌した。5日後、析出した固体をろ取して、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のE形結晶を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のE形結晶は、粉末X線回折測定において、図7に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 5
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of E-form crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Il) [4- (Trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 200 μL of a tetrahydrofuran solution (15 mg / mL) of D-form benzoic acid crystals was collected and sprayed with nitrogen gas for 3 hours to evaporate the solvent. To this, 30 μL of methanol and 270 μL of water were added, the reaction vessel was covered, and the mixture was stirred at room temperature. After 5 days, the precipitated solid was collected by filtration to obtain E-form crystals of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid. ..
The E-form crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 7 was provided.
図7に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表6に示すが、これらに限定されるものではない。
表6
Table 6
参考製造例6
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のF形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のD形結晶5mgを採取し、これにホルムアミド500μLを加え、混合物を100℃で加熱して懸濁液を得た。室温で1昼夜撹拌した後、4℃で3日間放置した。固体をろ取して、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のF形結晶を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のF形結晶は、粉末X線回折測定において、図8に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 6
4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of F-form crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) Il) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) D-form crystals of benzoic acid were collected, 500 μL of formamide was added thereto, and the mixture was heated at 100 ° C. to obtain a suspension. After stirring at room temperature for 1 day and night, the mixture was left at 4 ° C. for 3 days. The solid was collected by filtration to give F-form crystals of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid.
The F-type crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 8 was included.
図8に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表7に示すが、これらに限定されるものではない。
表7
Table 7
参考製造例7
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のG形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸D形結晶のテトラヒドロフラン溶液(15mg/mL)200μLを採取し、3時間窒素ガスを吹き付けて溶媒を蒸散させた。これに酢酸エチル210μLおよびジイソプロピルエーテル90μLを加え、反応容器のフタをして室温で撹拌した。5日後、フタを外して室温で静置した。14日後、溶媒が蒸散して乾固物となり、これを取り出して4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のG形結晶を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のG形結晶は、粉末X線回折測定において、図9に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 7
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of G-form crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Ill) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 200 μL of a tetrahydrofuran solution (15 mg / mL) of benzoic acid D-type crystals was collected and sprayed with nitrogen gas for 3 hours to evaporate the solvent. To this, 210 μL of ethyl acetate and 90 μL of diisopropyl ether were added, the reaction vessel was covered, and the mixture was stirred at room temperature. After 5 days, the lid was removed and the mixture was allowed to stand at room temperature. After 14 days, the solvent evaporates to a dry substance, which is taken out and taken out from G of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid. Form crystals were obtained.
The G-type crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, a chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 9 was provided.
図9に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表8に示すが、これらに限定されるものではない。
表8
Table 8
参考製造例8
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のH形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸D形結晶のテトラヒドロフラン溶液(15mg/mL)200μLを採取し、3時間窒素ガスを吹き付けて溶媒を蒸散させた。これにエタノール90μLおよびジイソプロピルエーテル210μLを加え、反応容器のフタをして室温で撹拌した。5日後、フタを外して室温で静置した。14日後、溶媒が蒸散して乾固物となり、これを取り出して4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のH形結晶を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のH形結晶は、粉末X線回折測定において、図10に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 8
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of H-form crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Ill) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 200 μL of a tetrahydrofuran solution (15 mg / mL) of benzoic acid D-type crystals was collected and sprayed with nitrogen gas for 3 hours to evaporate the solvent. To this, 90 μL of ethanol and 210 μL of diisopropyl ether were added, the reaction vessel was covered, and the mixture was stirred at room temperature. After 5 days, the lid was removed and the mixture was allowed to stand at room temperature. After 14 days, the solvent evaporates to a dry substance, which is taken out and taken out from H of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid. Form crystals were obtained.
The H-form crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 10 was included.
図10に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表9に示すが、これらに限定されるものではない。
表9
Table 9
参考製造例9
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のI形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸D形結晶のテトラヒドロフラン溶液(15mg/mL)200μLを採取し、3時間窒素ガスを吹き付けて溶媒を蒸散させた。これにシクロヘキサノン150μLおよびジイソプロピルエーテル150μLを加え、反応容器のフタをして室温で撹拌した。5日後、フタを外して室温で静置した。14日後、溶媒が蒸散して乾固物となり、これを取り出して4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のI形結晶を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のI形結晶は、粉末X線回折測定において、図11に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 9
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of type I crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Ill) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 200 μL of a tetrahydrofuran solution (15 mg / mL) of benzoic acid D-type crystals was collected and sprayed with nitrogen gas for 3 hours to evaporate the solvent. To this, 150 μL of cyclohexanone and 150 μL of diisopropyl ether were added, the reaction vessel was covered, and the mixture was stirred at room temperature. After 5 days, the lid was removed and the mixture was allowed to stand at room temperature. After 14 days, the solvent evaporates to a dry substance, which is taken out and taken out from 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid I. Form crystals were obtained.
The obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) type I crystal was subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 11 was included.
図11に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表10に示すが、これらに限定されるものではない。
表10
Table 10
参考製造例10
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のJ形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸D形結晶のテトラヒドロフラン溶液(15mg/mL)200μLを採取し、3時間窒素ガスを吹き付けて溶媒を蒸散させた。これにシクロヘキサノン30μLおよびジイソプロピルエーテル270μLを加え、反応容器のフタをして室温で撹拌した。5日後、フタを外して室温で静置した。14日後、溶媒が蒸散して乾固物となり、これを取り出して4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のJ形結晶を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のJ形結晶は、粉末X線回折測定において、図12に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 10
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of J-form crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Ill) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 200 μL of a tetrahydrofuran solution (15 mg / mL) of benzoic acid D-type crystals was collected and sprayed with nitrogen gas for 3 hours to evaporate the solvent. To this, 30 μL of cyclohexanone and 270 μL of diisopropyl ether were added, the reaction vessel was covered, and the mixture was stirred at room temperature. After 5 days, the lid was removed and the mixture was allowed to stand at room temperature. After 14 days, the solvent evaporates to a dry substance, which is taken out and taken out from J of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid. Form crystals were obtained.
The J-form crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 12 was included.
図12に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表11に示すが、これらに限定されるものではない。
表11
Table 11
参考製造例11
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のK形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸D形結晶のテトラヒドロフラン溶液(15mg/mL)200μLを採取し、3時間窒素ガスを吹き付けて溶媒を蒸散させた。これに1,2−ジメトキシエタン150μLおよびヘプタン150μLを加えて、反応容器のフタをして室温で撹拌した。5日後、フタを外して室温で静置した。14日後、溶媒が蒸散して乾固物となり、これを取り出して4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のK形結晶を得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))のK形結晶は、粉末X線回折測定において、図13に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 11
4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of K-shaped crystals of benzoic acid 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-3) Ill) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 200 μL of a tetrahydrofuran solution (15 mg / mL) of benzoic acid D-type crystals was collected and sprayed with nitrogen gas for 3 hours to evaporate the solvent. To this, 150 μL of 1,2-dimethoxyethane and 150 μL of heptane were added, the reaction vessel was covered, and the mixture was stirred at room temperature. After 5 days, the lid was removed and the mixture was allowed to stand at room temperature. After 14 days, the solvent evaporates to a dry substance, which is taken out and taken out from K of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid. Form crystals were obtained.
The K-shaped crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) were subjected to powder X-ray diffraction. In the measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 13 was included.
図13に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表12に示すが、これらに限定されるものではない。
表12
Table 12
参考製造例12
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸1ナトリウム塩C形結晶の製造
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸D形結晶のテトラヒドロフラン溶液(10mg/mL)0.3mLに0.1mol/L水酸化ナトリウム水溶液70μLを加えた。窒素を約3時間吹き付けた後に1日放置して乾固した。これにアセトン0.3mLを加え、反応容器のフタをして4日間撹拌後、析出した固体をろ取し、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸1ナトリウム塩のC形結晶を得た。
別途、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸のD形結晶50mgをアセトン0.5mLに溶解させ、室温で10mol/L水酸化ナトリウム水溶液10μLを加えた。上記で得たC形結晶を種晶として少量加え、ヘプタン0.25mLを加えて溶液を得た。この溶液に窒素を約1時間吹き付けて溶媒を蒸散させた。これにアセトン0.25mLを加えて室温で撹拌後に固体を得た。アセトンを0.75mLを加えて室温で1昼夜撹拌した。得られた析出した固体をろ取してアセトン0.2mLで十分に洗浄した。得られた固体を45℃での減圧乾燥を約3時間行って、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸1ナトリウム塩C形結晶33.5mgを得た。
得られた4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸(化合物(A))1ナトリウム塩のC形結晶は、粉末X線回折測定において、図14に示す粉末X線回折パターンのチャートを有した。
Reference manufacturing example 12
4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Production of benzoic acid monosodium salt C-type crystal 4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-) 3-Il) [4- (Trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) 70 μL of 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution was added to 0.3 mL of a tetrahydrofuran solution (10 mg / mL) of D-form benzoate crystals. After spraying with nitrogen for about 3 hours, it was left to dry for 1 day. Add 0.3 mL of acetone to this, cover the reaction vessel, stir for 4 days, and then filter out the precipitated solid to remove 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoro). C-type crystals of methoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid monosodium salt were obtained.
Separately, 50 mg of D-form crystal of 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid was dissolved in 0.5 mL of acetone, and 10 mol at room temperature. 10 μL of / L aqueous sodium hydroxide solution was added. A small amount of the C-type crystal obtained above was added as a seed crystal, and 0.25 mL of heptane was added to obtain a solution. Nitrogen was sprayed on this solution for about 1 hour to evaporate the solvent. 0.25 mL of acetone was added thereto, and the mixture was stirred at room temperature to obtain a solid. 0.75 mL of acetone was added, and the mixture was stirred at room temperature for one day and night. The obtained precipitated solid was collected by filtration and washed thoroughly with 0.2 mL of acetone. The obtained solid was dried under reduced pressure at 45 ° C. for about 3 hours, and 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl)
The C-type crystals of the obtained 4-({(4-cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid (compound (A)) monosodium salt are powdered. In the X-ray diffraction measurement, the chart of the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG. 14 was included.
図14に示される粉末X線回折パターンにおける特徴的な回折ピークについて、回折角度(2θ±0.2°)としての回折ピーク値を表13に示すが、これらに限定されるものではない。
表13
Table 13
試験例1:室温での結晶形の安定形の確認
下記の表14中に示す試料1および試料2それぞれを同じ反応容器に入れ、懸濁溶媒0.1mLを加え、反応容器のふたをして室温で攪拌した。表14に示す期間室温で撹拌した後、析出した固体をろ取し、粉末X線回折にて結晶形を確認した。その結果、表14の通りすべての条件でC形結晶を得た。
表14
Table 14
表14に示す試験結果より、化合物(A)のC形結晶は、化合物(A)のいずれの固体形態(例えば、アモルファス形態、および前記のA形結晶、B形結晶、D形結晶、E形結晶、F形結晶、G形結晶、H形結晶、I形結晶、J形結晶、もしくはK形結晶のいずれかの形態またはそれらの2種以上の混合形態を含むあらゆる結晶形態)のなかで、最も熱力学的に優れた固体形態であることを見出した。 From the test results shown in Table 14, the C-type crystal of the compound (A) is any solid form of the compound (A) (for example, an amorphous form, and the above-mentioned A-type crystal, B-type crystal, D-type crystal, and E-type). In any form of crystal, F-type crystal, G-type crystal, H-type crystal, I-type crystal, J-type crystal, or K-type crystal, or any crystal form including a mixed form of two or more of them). It was found to be the most thermodynamically superior solid form.
4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の新規なC形結晶は、保存安定性に優れ、かつ、吸湿性が少ないため、室温を含む広い温度範囲において非常に安定に存在する結晶であることから、医薬品の原薬として有用である。 4-({(4-Cyclopropylisoquinoline-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) The novel C-type crystal of benzoic acid has excellent storage stability and hygroscopicity. Since the number is small, it is useful as a drug substance for pharmaceuticals because it is a crystal that exists very stably in a wide temperature range including room temperature.
Claims (14)
A形結晶が、2θで表される回折角度として、6.4°±0.2°、7.9°±0.2°、8.1°±0.2°、9.0°±0.2°、9.4°±0.2°、10.3°±0.2°、11.6°±0.2°、12.0°±0.2°、12.2°±0.2°、12.4°±0.2°、12.9°±0.2°、13.8°±0.2°、14.6°±0.2°、15.5°±0.2°、15.9°±0.2°、16.2°±0.2°、17.6°±0.2°、17.7°±0.2°、17.9°±0.2°、18.4°±0.2°、19.2°±0.2°、19.5°±0.2°、20.0°±0.2°、20.5°±0.2°、20.8°±0.2°、21.3°±0.2°、21.7°±0.2°、22.8°±0.2°、23.0°±0.2°、23.3°±0.2°、23.8°±0.2°、24.3°±0.2°、24.5°±0.2°、24.8°±0.2°、25.3°±0.2°、26.2°±0.2°、26.6°±0.2°、26.8°±0.2°、27.2°±0.2°、27.7°±0.2°、28.1°±0.2°、28.9°±0.2°、29.5°±0.2°、30.1°±0.2°、30.6°±0.2°、31.2°±0.2°、31.9°±0.2°、32.3°±0.2°、32.9°±0.2°、および33.8°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
A形結晶およびB形結晶の混合物が、2θで表される回折角度として、6.1°±0.2°、7.6°±0.2°、7.9°±0.2°、8.1°±0.2°、9.1°±0.2°、10.3°±0.2°、11.2°±0.2°、11.9°±0.2°、12.2°±0.2°、13.0°±0.2°、13.1°±0.2°、13.8°±0.2°、14.5°±0.2°、15.1°±0.2°、15.5°±0.2°、16.5°±0.2°、16.9°±0.2°、17.6°±0.2°、17.9°±0.2°、18.3°±0.2°、19.1°±0.2°、20.0°±0.2°、20.8°±0.2°、21.6°±0.2°、22.8°±0.2°、23.5°±0.2°、24.8°±0.2°、26.2°±0.2°、27.2°±0.2°、28.0°±0.2°、および30.4°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
B形結晶およびC形結晶の混合物が、2θで表される回折角度として、5.9°±0.2°、6.1°±0.2°、7.6°±0.2°、8.1°±0.2°、8.7°±0.2°、8.9°±0.2°、9.4°±0.2°、10.3°±0.2°、11.2°±0.2°、11.8°±0.2°、12.3°±0.2°、13.1°±0.2°、13.8°±0.2°、14.3°±0.2°、15.4°±0.2°、16.5°±0.2°、16.8°±0.2°、17.6°±0.2°、17.9°±0.2°、18.3°±0.2°、19.0°±0.2°、20.2°±0.2°、20.9°±0.2°、21.6°±0.2°、22.7°±0.2°、23.4°±0.2°、24.0°±0.2°、25.3°±0.2°、26.0°±0.2°、27.0°±0.2°、27.8°±0.2°、28.8°±0.2°、29.6°±0.2°、30.5°±0.2°、32.7°±0.2°、36.0°±0.2°、および37.8°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
D形結晶が、2θで表される回折角度として、4.9°±0.2°、6.8°±0.2°、9.2°±0.2°、10.1°±0.2°、11.8°±0.2°、12.5°±0.2°、13.3°±0.2°、13.8°±0.2°、14.6°±0.2°、15.2°±0.2°、16.4°±0.2°、17.7°±0.2°、18.3°±0.2°、19.2°±0.2°、および20.5°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
E形結晶が、2θで表される回折角度として、3.0°±0.2°、5.1°±0.2°、7.4°±0.2°、9.2°±0.2°、10.2°±0.2°、11.3°±0.2°、11.9°±0.2°、12.4°±0.2°、13.0°±0.2°、13.5°±0.2°、13.9°±0.2°、14.6°±0.2°、15.0°±0.2°、15.3°±0.2°、16.1°±0.2°、16.4°±0.2°、16.9°±0.2°、17.8°±0.2°、18.4°±0.2°、18.9°±0.2°、20.0°±0.2°、20.5°±0.2°、21.1°±0.2°、21.6°±0.2°、21.9°±0.2°、22.6°±0.2°、22.9°±0.2°、23.5°±0.2°、24.0°±0.2°、24.7°±0.2°、25.1°±0.2°、25.5°±0.2°、26.5°±0.2°、27.6°±0.2°、29.3°±0.2°、30.2°±0.2°、30.8°±0.2°、31.5°±0.2°、32.5°±0.2°、33.8°±0.2°、35.9°±0.2°、36.9°±0.2°、37.7°±0.2°、38.8°±0.2°、および39.4°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
F形結晶が、2θで表される回折角度として、7.1°±0.2°、7.4°±0.2°、10.7°±0.2°、11.0°±0.2°、11.8°±0.2°、13.3°±0.2°、13.7°±0.2°、14.3°±0.2°、14.8°±0.2°、15.0°±0.2°、16.8°±0.2°、17.0°±0.2°、17.5°±0.2°、18.0°±0.2°、18.5°±0.2°、18.8°±0.2°、18.9°±0.2°、19.9°±0.2°、20.6°±0.2°、20.8°±0.2°、21.1°±0.2°、21.6°±0.2°、22.1°±0.2°、22.5°±0.2°、22.7°±0.2°、23.2°±0.2°、23.8°±0.2°、24.1°±0.2°、24.5°±0.2°、25.2°±0.2°、25.8°±0.2°、26.3°±0.2°、27.6°±0.2°、28.5°±0.2°、28.9°±0.2°、29.5°±0.2°、36.1°±0.2°、36.8°±0.2°、38.2°±0.2°、および38.9°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
G形結晶が、2θで表される回折角度として、5.2°±0.2°、6.9°±0.2°、9.1°±0.2°、9.4°±0.2°、10.4°±0.2°、11.9°±0.2°、12.4°±0.2°、13.8°±0.2°、14.4°±0.2°、14.7°±0.2°、15.6°±0.2°、16.3°±0.2°、17.3°±0.2°、17.7°±0.2°、18.3°±0.2°、20.8°±0.2°、21.4°±0.2°、22.5°±0.2°、22.8°±0.2°、23.3°±0.2°、23.8°±0.2°、24.4°±0.2°、25.3°±0.2°、27.4°±0.2°、28.5°±0.2°、29.4°±0.2°、34.4°±0.2°、および37.0°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
H形結晶が、2θで表される回折角度として、3.1°±0.2°、4.8°±0.2°、6.7°±0.2°、9.3°±0.2°、9.5°±0.2°、10.2°±0.2°、12.6°±0.2°、12.9°±0.2°、13.3°±0.2°、14.3°±0.2°、14.7°±0.2°、15.3°±0.2°、16.4°±0.2°、19.0°±0.2°、19.7°±0.2°、20.5°±0.2°、20.9°±0.2°、22.4°±0.2°、23.0°±0.2°、23.5°±0.2°、24.0°±0.2°、25.0°±0.2°、25.4°±0.2°、26.5°±0.2°、27.7°±0.2°、29.7°±0.2°、36.5°±0.2°、および39.0°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
I形結晶が、2θで表される回折角度として、3.2°±0.2°、4.2°±0.2°、5.1°±0.2°、7.5°±0.2°、8.5°±0.2°、9.2°±0.2°、10.4°±0.2°、12.0°±0.2°、12.6°±0.2°、14.4°±0.2°、14.7°±0.2°、15.1°±0.2°、15.6°±0.2°、15.8°±0.2°、16.7°±0.2°、17.0°±0.2°、17.6°±0.2°、17.8°±0.2°、19.2°±0.2°、19.8°±0.2°、20.8°±0.2°、21.4°±0.2°、22.1°±0.2°、22.7°±0.2°、23.1°±0.2°、23.8°±0.2°、24.3°±0.2°、25.3°±0.2°、25.8°±0.2°、27.4°±0.2°、28.2°±0.2°、29.4°±0.2°、30.5°±0.2°、および32.7°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、
J形結晶が、2θで表される回折角度として、7.6°±0.2°、8.2°±0.2°、8.6°±0.2°、9.7°±0.2°、10.3°±0.2°、12.9°±0.2°、13.2°±0.2°、14.0°±0.2°、15.5°±0.2°、18.8°±0.2°、19.5°±0.2°、22.3°±0.2°、25.5°±0.2°、26.3°±0.2°、および27.5°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶であり、そして、
K形結晶が、2θで表される回折角度として、4.6°±0.2°、7.2°±0.2°、9.2°±0.2°、9.9°±0.2°、10.4°±0.2°、11.4°±0.2°、12.5°±0.2°、13.9°±0.2°、14.5°±0.2°、14.8°±0.2°、15.1°±0.2°、16.0°±0.2°、16.5°±0.2°、16.8°±0.2°、17.2°±0.2°、18.4°±0.2°、18.7°±0.2°、19.2°±0.2°、19.4°±0.2°、19.6°±0.2°、20.1°±0.2°、20.4°±0.2°、21.3°±0.2°、22.2°±0.2°、22.8°±0.2°、23.4°±0.2°、24.0°±0.2°、24.6°±0.2°、24.9°±0.2°、25.4°±0.2°、25.6°±0.2°、26.2°±0.2°、27.1°±0.2°、28.2°±0.2°、29.6°±0.2°、30.4°±0.2°、32.6°±0.2°、および38.9°±0.2°での粉末X線回折パターンを有することを特徴とする、4−({(4−シクロプロピルイソキノリン−3−イル)[4−(トリフルオロメトキシ)ベンジル]アミノ}スルホニル)安息香酸の結晶である、
該調製方法。 4 - ({(4-cyclopropyl-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid solids, A-type crystal, B-type crystals, D-shaped crystal, E-form crystals , F-type crystal, G-type crystal, H-type crystal, I-type crystal, J-type crystal, or K-type crystal, or a mixed form of two or more thereof, according to the preparation method according to claim 11. There,
The diffraction angle of the A-shaped crystal represented by 2θ is 6.4 ° ± 0.2 °, 7.9 ° ± 0.2 °, 8.1 ° ± 0.2 °, 9.0 ° ± 0. .2 °, 9.4 ° ± 0.2 °, 10.3 ° ± 0.2 °, 11.6 ° ± 0.2 °, 12.0 ° ± 0.2 °, 12.2 ° ± 0 .2 °, 12.4 ° ± 0.2 °, 12.9 ° ± 0.2 °, 13.8 ° ± 0.2 °, 14.6 ° ± 0.2 °, 15.5 ° ± 0 .2 °, 15.9 ° ± 0.2 °, 16.2 ° ± 0.2 °, 17.6 ° ± 0.2 °, 17.7 ° ± 0.2 °, 17.9 ° ± 0 .2 °, 18.4 ° ± 0.2 °, 19.2 ° ± 0.2 °, 19.5 ° ± 0.2 °, 20.0 ° ± 0.2 °, 20.5 ° ± 0 .2 °, 20.8 ° ± 0.2 °, 21.3 ° ± 0.2 °, 21.7 ° ± 0.2 °, 22.8 ° ± 0.2 °, 23.0 ° ± 0 .2 °, 23.3 ° ± 0.2 °, 23.8 ° ± 0.2 °, 24.3 ° ± 0.2 °, 24.5 ° ± 0.2 °, 24.8 ° ± 0 .2 °, 25.3 ° ± 0.2 °, 26.2 ° ± 0.2 °, 26.6 ° ± 0.2 °, 26.8 ° ± 0.2 °, 27.2 ° ± 0 .2 °, 27.7 ° ± 0.2 °, 28.1 ° ± 0.2 °, 28.9 ° ± 0.2 °, 29.5 ° ± 0.2 °, 30.1 ° ± 0 .2 °, 30.6 ° ± 0.2 °, 31.2 ° ± 0.2 °, 31.9 ° ± 0.2 °, 32.3 ° ± 0.2 °, 32.9 ° ± 0 It is characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at .2 ° and 33.8 ° ± 0.2 °, 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoro). Methoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid crystals,
A mixture of A-type crystals and B-type crystals has a diffraction angle represented by 2θ of 6.1 ° ± 0.2 °, 7.6 ° ± 0.2 °, 7.9 ° ± 0.2 °, 8.1 ° ± 0.2 °, 9.1 ° ± 0.2 °, 10.3 ° ± 0.2 °, 11.2 ° ± 0.2 °, 11.9 ° ± 0.2 °, 12.2 ° ± 0.2 °, 13.0 ° ± 0.2 °, 13.1 ° ± 0.2 °, 13.8 ° ± 0.2 °, 14.5 ° ± 0.2 °, 15.1 ° ± 0.2 °, 15.5 ° ± 0.2 °, 16.5 ° ± 0.2 °, 16.9 ° ± 0.2 °, 17.6 ° ± 0.2 °, 17.9 ° ± 0.2 °, 18.3 ° ± 0.2 °, 19.1 ° ± 0.2 °, 20.0 ° ± 0.2 °, 20.8 ° ± 0.2 °, 21.6 ° ± 0.2 °, 22.8 ° ± 0.2 °, 23.5 ° ± 0.2 °, 24.8 ° ± 0.2 °, 26.2 ° ± 0.2 °, It is characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at 27.2 ° ± 0.2 °, 28.0 ° ± 0.2 °, and 30.4 ° ± 0.2 °, 4-({({(. 4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) Crystal of benzoic acid,
A mixture of B-type crystals and C-type crystals has a diffraction angle represented by 2θ of 5.9 ° ± 0.2 °, 6.1 ° ± 0.2 °, 7.6 ° ± 0.2 °, 8.1 ° ± 0.2 °, 8.7 ° ± 0.2 °, 8.9 ° ± 0.2 °, 9.4 ° ± 0.2 °, 10.3 ° ± 0.2 °, 11.2 ° ± 0.2 °, 11.8 ° ± 0.2 °, 12.3 ° ± 0.2 °, 13.1 ° ± 0.2 °, 13.8 ° ± 0.2 °, 14.3 ° ± 0.2 °, 15.4 ° ± 0.2 °, 16.5 ° ± 0.2 °, 16.8 ° ± 0.2 °, 17.6 ° ± 0.2 °, 17.9 ° ± 0.2 °, 18.3 ° ± 0.2 °, 19.0 ° ± 0.2 °, 20.2 ° ± 0.2 °, 20.9 ° ± 0.2 °, 21.6 ° ± 0.2 °, 22.7 ° ± 0.2 °, 23.4 ° ± 0.2 °, 24.0 ° ± 0.2 °, 25.3 ° ± 0.2 °, 26.0 ° ± 0.2 °, 27.0 ° ± 0.2 °, 27.8 ° ± 0.2 °, 28.8 ° ± 0.2 °, 29.6 ° ± 0.2 °, Have a powder X-ray diffraction pattern at 30.5 ° ± 0.2 °, 32.7 ° ± 0.2 °, 36.0 ° ± 0.2 °, and 37.8 ° ± 0.2 °. , Which is a crystal of 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid.
The diffraction angle of the D-shaped crystal represented by 2θ is 4.9 ° ± 0.2 °, 6.8 ° ± 0.2 °, 9.2 ° ± 0.2 °, 10.1 ° ± 0. .2 °, 11.8 ° ± 0.2 °, 12.5 ° ± 0.2 °, 13.3 ° ± 0.2 °, 13.8 ° ± 0.2 °, 14.6 ° ± 0 .2 °, 15.2 ° ± 0.2 °, 16.4 ° ± 0.2 °, 17.7 ° ± 0.2 °, 18.3 ° ± 0.2 °, 19.2 ° ± 0 .4- ({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoro), characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at 2 ° and 20.5 ° ± 0.2 °. Methoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid crystals,
The diffraction angle of the E-shaped crystal represented by 2θ is 3.0 ° ± 0.2 °, 5.1 ° ± 0.2 °, 7.4 ° ± 0.2 °, 9.2 ° ± 0. .2 °, 10.2 ° ± 0.2 °, 11.3 ° ± 0.2 °, 11.9 ° ± 0.2 °, 12.4 ° ± 0.2 °, 13.0 ° ± 0 .2 °, 13.5 ° ± 0.2 °, 13.9 ° ± 0.2 °, 14.6 ° ± 0.2 °, 15.0 ° ± 0.2 °, 15.3 ° ± 0 .2 °, 16.1 ° ± 0.2 °, 16.4 ° ± 0.2 °, 16.9 ° ± 0.2 °, 17.8 ° ± 0.2 °, 18.4 ° ± 0 .2 °, 18.9 ° ± 0.2 °, 20.0 ° ± 0.2 °, 20.5 ° ± 0.2 °, 21.1 ° ± 0.2 °, 21.6 ° ± 0 .2 °, 21.9 ° ± 0.2 °, 22.6 ° ± 0.2 °, 22.9 ° ± 0.2 °, 23.5 ° ± 0.2 °, 24.0 ° ± 0 .2 °, 24.7 ° ± 0.2 °, 25.1 ° ± 0.2 °, 25.5 ° ± 0.2 °, 26.5 ° ± 0.2 °, 27.6 ° ± 0 .2 °, 29.3 ° ± 0.2 °, 30.2 ° ± 0.2 °, 30.8 ° ± 0.2 °, 31.5 ° ± 0.2 °, 32.5 ° ± 0 .2 °, 33.8 ° ± 0.2 °, 35.9 ° ± 0.2 °, 36.9 ° ± 0.2 °, 37.7 ° ± 0.2 °, 38.8 ° ± 0 It is characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at .2 ° and 39.4 ° ± 0.2 °, 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoro). Methoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid crystals,
The diffraction angle of the F-shaped crystal represented by 2θ is 7.1 ° ± 0.2 °, 7.4 ° ± 0.2 °, 10.7 ° ± 0.2 °, 11.0 ° ± 0. .2 °, 11.8 ° ± 0.2 °, 13.3 ° ± 0.2 °, 13.7 ° ± 0.2 °, 14.3 ° ± 0.2 °, 14.8 ° ± 0 .2 °, 15.0 ° ± 0.2 °, 16.8 ° ± 0.2 °, 17.0 ° ± 0.2 °, 17.5 ° ± 0.2 °, 18.0 ° ± 0 .2 °, 18.5 ° ± 0.2 °, 18.8 ° ± 0.2 °, 18.9 ° ± 0.2 °, 19.9 ° ± 0.2 °, 20.6 ° ± 0 .2 °, 20.8 ° ± 0.2 °, 21.1 ° ± 0.2 °, 21.6 ° ± 0.2 °, 22.1 ° ± 0.2 °, 22.5 ° ± 0 .2 °, 22.7 ° ± 0.2 °, 23.2 ° ± 0.2 °, 23.8 ° ± 0.2 °, 24.1 ° ± 0.2 °, 24.5 ° ± 0 .2 °, 25.2 ° ± 0.2 °, 25.8 ° ± 0.2 °, 26.3 ° ± 0.2 °, 27.6 ° ± 0.2 °, 28.5 ° ± 0 .2 °, 28.9 ° ± 0.2 °, 29.5 ° ± 0.2 °, 36.1 ° ± 0.2 °, 36.8 ° ± 0.2 °, 38.2 ° ± 0 It is characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at .2 ° and 38.9 ° ± 0.2 °, 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoro). Methoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid crystals,
The diffraction angle of the G-shaped crystal represented by 2θ is 5.2 ° ± 0.2 °, 6.9 ° ± 0.2 °, 9.1 ° ± 0.2 °, 9.4 ° ± 0. .2 °, 10.4 ° ± 0.2 °, 11.9 ° ± 0.2 °, 12.4 ° ± 0.2 °, 13.8 ° ± 0.2 °, 14.4 ° ± 0 .2 °, 14.7 ° ± 0.2 °, 15.6 ° ± 0.2 °, 16.3 ° ± 0.2 °, 17.3 ° ± 0.2 °, 17.7 ° ± 0 .2 °, 18.3 ° ± 0.2 °, 20.8 ° ± 0.2 °, 21.4 ° ± 0.2 °, 22.5 ° ± 0.2 °, 22.8 ° ± 0 .2 °, 23.3 ° ± 0.2 °, 23.8 ° ± 0.2 °, 24.4 ° ± 0.2 °, 25.3 ° ± 0.2 °, 27.4 ° ± 0 Powder X-ray diffraction at .2 °, 28.5 ° ± 0.2 °, 29.4 ° ± 0.2 °, 34.4 ° ± 0.2 °, and 37.0 ° ± 0.2 ° Crystals of 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid, characterized by having a pattern.
The diffraction angle of the H-shaped crystal represented by 2θ is 3.1 ° ± 0.2 °, 4.8 ° ± 0.2 °, 6.7 ° ± 0.2 °, 9.3 ° ± 0. .2 °, 9.5 ° ± 0.2 °, 10.2 ° ± 0.2 °, 12.6 ° ± 0.2 °, 12.9 ° ± 0.2 °, 13.3 ° ± 0 .2 °, 14.3 ° ± 0.2 °, 14.7 ° ± 0.2 °, 15.3 ° ± 0.2 °, 16.4 ° ± 0.2 °, 19.0 ° ± 0 .2 °, 19.7 ° ± 0.2 °, 20.5 ° ± 0.2 °, 20.9 ° ± 0.2 °, 22.4 ° ± 0.2 °, 23.0 ° ± 0 .2 °, 23.5 ° ± 0.2 °, 24.0 ° ± 0.2 °, 25.0 ° ± 0.2 °, 25.4 ° ± 0.2 °, 26.5 ° ± 0 Powder X-ray diffraction at .2 °, 27.7 ° ± 0.2 °, 29.7 ° ± 0.2 °, 36.5 ° ± 0.2 °, and 39.0 ° ± 0.2 ° Crystals of 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid, characterized by having a pattern.
The diffraction angle of the I-shaped crystal represented by 2θ is 3.2 ° ± 0.2 °, 4.2 ° ± 0.2 °, 5.1 ° ± 0.2 °, 7.5 ° ± 0. .2 °, 8.5 ° ± 0.2 °, 9.2 ° ± 0.2 °, 10.4 ° ± 0.2 °, 12.0 ° ± 0.2 °, 12.6 ° ± 0 .2 °, 14.4 ° ± 0.2 °, 14.7 ° ± 0.2 °, 15.1 ° ± 0.2 °, 15.6 ° ± 0.2 °, 15.8 ° ± 0 .2 °, 16.7 ° ± 0.2 °, 17.0 ° ± 0.2 °, 17.6 ° ± 0.2 °, 17.8 ° ± 0.2 °, 19.2 ° ± 0 .2 °, 19.8 ° ± 0.2 °, 20.8 ° ± 0.2 °, 21.4 ° ± 0.2 °, 22.1 ° ± 0.2 °, 22.7 ° ± 0 .2 °, 23.1 ° ± 0.2 °, 23.8 ° ± 0.2 °, 24.3 ° ± 0.2 °, 25.3 ° ± 0.2 °, 25.8 ° ± 0 .2 °, 27.4 ° ± 0.2 °, 28.2 ° ± 0.2 °, 29.4 ° ± 0.2 °, 30.5 ° ± 0.2 °, and 32.7 ° ± 4-({(4-Cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid, characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at 0.2 °. Is a crystal of
The diffraction angle of the J-shaped crystal represented by 2θ is 7.6 ° ± 0.2 °, 8.2 ° ± 0.2 °, 8.6 ° ± 0.2 °, 9.7 ° ± 0. .2 °, 10.3 ° ± 0.2 °, 12.9 ° ± 0.2 °, 13.2 ° ± 0.2 °, 14.0 ° ± 0.2 °, 15.5 ° ± 0 .2 °, 18.8 ° ± 0.2 °, 19.5 ° ± 0.2 °, 22.3 ° ± 0.2 °, 25.5 ° ± 0.2 °, 26.3 ° ± 0 It is characterized by having a powder X-ray diffraction pattern at .2 ° and 27.5 ° ± 0.2 °, 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoro). It is a crystal of methoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid, and
The diffraction angles of the K-shaped crystal represented by 2θ are 4.6 ° ± 0.2 °, 7.2 ° ± 0.2 °, 9.2 ° ± 0.2 °, and 9.9 ° ± 0. .2 °, 10.4 ° ± 0.2 °, 11.4 ° ± 0.2 °, 12.5 ° ± 0.2 °, 13.9 ° ± 0.2 °, 14.5 ° ± 0 .2 °, 14.8 ° ± 0.2 °, 15.1 ° ± 0.2 °, 16.0 ° ± 0.2 °, 16.5 ° ± 0.2 °, 16.8 ° ± 0 .2 °, 17.2 ° ± 0.2 °, 18.4 ° ± 0.2 °, 18.7 ° ± 0.2 °, 19.2 ° ± 0.2 °, 19.4 ° ± 0 .2 °, 19.6 ° ± 0.2 °, 20.1 ° ± 0.2 °, 20.4 ° ± 0.2 °, 21.3 ° ± 0.2 °, 22.2 ° ± 0 .2 °, 22.8 ° ± 0.2 °, 23.4 ° ± 0.2 °, 24.0 ° ± 0.2 °, 24.6 ° ± 0.2 °, 24.9 ° ± 0 .2 °, 25.4 ° ± 0.2 °, 25.6 ° ± 0.2 °, 26.2 ° ± 0.2 °, 27.1 ° ± 0.2 °, 28.2 ° ± 0 Powder X-ray diffraction at .2 °, 29.6 ° ± 0.2 °, 30.4 ° ± 0.2 °, 32.6 ° ± 0.2 °, and 38.9 ° ± 0.2 ° Crystals of 4-({(4-cyclopropylisoquinolin-3-yl) [4- (trifluoromethoxy) benzyl] amino} sulfonyl) benzoic acid, characterized by having a pattern,
The preparation method.
単一溶媒:アセトン、メチルエチルケトンエタノール、イソプロピルアルコール、t−ブチルメチルエーテルもしくはジイソプロピルエーテル、または
混合溶媒:メチルエチルケトン/ヘプタン、メチルエチルケトン/水、酢酸エチル/ヘプタン、酢酸エチル/エタノール、ジメトキシエタン/水、ジメトキシエタン/ヘプタンもしくはアセトン/水。 11. The preparation method according to claim 11, wherein the solvent is a solvent selected from the following single solvent or mixed solvent.
Single solvent: acetone, methyl ethyl ketone ethanol, isopropyl alcohol, t-butyl methyl ether or diisopropyl ether, or mixed solvent: methyl ethyl ketone / heptane, methyl ethyl ketone / water, ethyl acetate / heptane, ethyl acetate / ethanol, dimethoxyethane / water, dimethoxy ethane / Heptane or acetone / water.
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