JP6987177B2 - 封止フィルム - Google Patents

Description

関連出願との相互引用
本出願は、２０１６年４月１日付けの韓国特許出願第１０−２０１６−００４０１１４号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は、本明細書の一部として含まれる。

技術分野
本出願は、封止フィルム、前記封止フィルムの製造方法、それを含む有機電子装置およびそれを利用した有機電子装置の製造方法に関する。

有機電子装置（ＯＥＤ；ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）は、正孔および電子を利用して電荷の交流を発生する有機材料層を含む装置を意味し、その例としては、光電池装置（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）、整流器（ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ）、トランスミッター（ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）等が挙げられる。

前記有機電子装置のうち有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｄｏｅ）は、従来の光源に比べて、電力消費量が少なく、応答速度が速く、表示装置または照明の薄型化に有利である。また、ＯＬＥＤは、空間活用性に優れていて、各種携帯用機器、モニター、ノートパソコンおよびテレビにわたる多様な分野において適用されるものと期待されている。

ＯＬＥＤの商用化および用途拡大において、最も主要な問題点は耐久性問題である。ＯＬＥＤに含まれた有機材料および金属電極などは、水分などの外部的要因によって非常に簡単に酸化する。したがって、ＯＬＥＤを含む製品は、環境的要因に大きく敏感である。前記問題点を解決するために、有機電子装置密封用封止材が適用されているが、薄い封止材の自動化物流工程が難しく、次第に短くなるベゼルに起因して封止フィルムの封止層と金属層のような基材との付着工程でアラインエラー（ａｌｉｇｎ ｅｒｒｏｒ）等の不良が発生するおそれが高い。これにより、封止層と基材をロールトゥロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）方式であらかじめ付着した後に、カットし、パネルを適用する方式に技術の流れが進行している。このような工程は、封止層と基材との付着工程で発生し得る問題が解決可能であるが、封止層と基材のサイズがほぼ同一であるため、合着および熱硬化工程で封止層のあふれ（ｏｖｅｒｆｌｏｗ）に起因して有機電子装置およびパネルの汚染問題が発生する。前記問題点を解決するための方法が要求されている。

本出願は、外部から有機電子装置に流入する水分または酸素を効果的に遮断できる構造の形成が可能であり、取り扱い性および加工性に優れ、封止層と有機電子装置パネル間の合着特性および耐久信頼性に優れた封止フィルムを提供する。

本出願は、封止フィルムに関する。前記封止フィルムは、例えば、ＯＬＥＤなどのような有機電子装置を封止またはカプセル化することに適用され得る。本明細書で、前記封止フィルムは、封止材または封止シートで表現され得る。

本明細書で、用語「有機電子装置」は、互いに対向する一対の電極の間に正孔および電子を利用して電荷の交流を発生する有機材料層を含む構造を有する物品または装置を意味し、その例としては、光電池装置、整流器、トランスミッターおよび有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）等が挙げられるが、これに限らない。本出願の一例示で、前記有機電子装置はＯＬＥＤであってもよい。

例示的な封止フィルムは、図１に示されたように、第１面１１１と前記第１面１１１と反対方向の第２面１１２とを有するメタル層１１と、前記メタル層１１の第１面１１１に設けられる封止層１２とを含むことができる。前記で封止層１２は、一部領域の端部が前記第１面１１１の端部と５０μｍ〜５００μｍのギャップａを形成するように、前記第１面１１１の端部より内側に位置するように前記第１面１１１上に設けられる。前記ギャップは、封止層１２の少なくとも一部の端部に存在し得るが、これに限定されるものではなく、すべての端部に存在してもよい。また、前記封止層１２は、粘着剤層１２１および接着剤層１２２を含むことができる。前記接着剤層１２２は、５μｍ〜４０μｍの厚さｂを有することができる。本出願の具体例で、前記ギャップａは、７５μｍ以上、８０μｍ以上または９５μｍ以上であってもよく、１７５μｍ以下または１５０μｍ以下であってもよく、前記接着剤層の厚さｂは、１０μｍ以上、１５μｍ以上、２０μｍ以上または２３μｍ以上であってもよく、３５μｍ以下、３０μｍ以下、２８μｍ以下または２５μｍ以下であってもよい。図１に示されたように、用語「ギャップａ」は、積層された封止層１２とメタル層１１それぞれにおける側面の末端と側面の末端との間の間隔を意味する。本出願は、前記ギャップａの範囲を５０〜５００μｍに制御し、前記接着剤層の厚さｂを５μｍ〜４０μｍに制御することによって、前記フィルムが有機電子デバイスを前面封止することに適用されるとき、高温の合着および硬化工程で封止層の流れにも関わらず、封止層のあふれ（ｏｖｅｒｆｌｏｗ）がなく、有機電子デバイスパネルに対する合着特性および付着信頼性に優れた封止材を提供する。

前記ギャップと接着剤層の厚さは、特にメタル層と一体に提供される本出願の封止フィルムの特性上、メタル層と接する封止層の流動性を考慮して前記範囲に調節され得る。また、前記ギャップと接着剤層の厚さは、後述する封止層の組成、封止層の物性と物理的特徴または封止層の適用対象（例えば、有機電子デバイスが形成された基板）によって調節されるが、これに限らない。

一例示で、前記メタル層および／または封止層は、多角形状または円形状であってもよい。本出願の封止フィルムは、一部の端部で、メタル層における側面の末端の位置と封止層における側面の末端の位置とが同一であってもよいが、これに限定されるものではなく、前述したように、封止フィルムの少なくとも一部の領域の端部は、所定のギャップａが形成され得る。また、他の例示で、封止フィルムのすべての端部に前記ギャップａが存在し得る。本明細書で用語「同一」とは、実質的な同一を意味し、±５μｍまたは±１μｍの誤差範囲を有することができる。

また、図１に示されたように、前記封止層１２は、粘着剤層１２１および接着剤層１２２を含み、一例示で、前記粘着剤層１２１および接着剤層１２２は、相次いで互いに積層されている状態で存在し得る。この際、前記粘着剤層１２１は、前記メタル層１１に付着していてもよく、接着剤層１２２は、有機電子デバイスの前面を封止することができる。前記で、粘着剤層１２１は、他の媒介層により前記メタル層１１に付着していてもよいが、これに限定されるものではなく、粘着剤層１２１が直接にメタル層１１に付着して接触していてもよい。前記媒介層は、粘着剤層または接着剤層であってもよい。

本明細書で用語「粘着剤」とは、常温で粘性を保有し、圧力の印加によって接着され得、接着後に強い維持力を示し、凝集力と弾性を保有し、再剥離が可能であり、再剥離後にも、さらに圧力の印加によって接着され得る成分を意味する。本明細書で用語「接着剤」は、粘着成分とは異なって、一時的接合でなく、永久的接合を提供できる成分であって、通常、液体状で接着に適用され、固体化、冷却または硬化して接着力が発揮され、接着後に接着された対象を分離するとき、物理的破壊現象が発生し得る成分を意味する。すなわち、接着剤は、再剥離が不可能であり、接着剤を物理的破壊で被着体と分離するとき、さらに接着され得ない成分を意味する。

本出願の具体例で、前記封止層１２は、一部領域の端部に硬化部を有することができる。本出願は、フィルムが有機電子デバイスの封止に適用されるとき、熱による封止層の流動を制御するために、封止層が少なくとも一部領域の側面に硬化部を有することができる。前記で硬化部の幅ｃは、１０μｍ〜１００μｍ、１７μｍ〜９２μｍ、２１μｍ〜８８μｍまたは２８μｍ〜７７μｍの範囲内にあり得る。また、前記硬化部は、１０％〜１００％、２０％〜８５％、２５％〜６５％または３３％〜４８％範囲の硬化度を有することができる。前記硬化度は、封止層のうち接着剤層の硬化度であってもよく、粘着剤層の硬化度であってもよい。前記幅または硬化度の範囲は、前述したギャップとの関係から、合着時に封止層の流れの幅を最小化するための範囲であり得る。前記硬化度の測定は、当業界における公知の方法で実行され得る。一例示で、硬化度は、ＡＴＲ ＦＴ−ＩＲを利用して測定することができる。前記ＡＴＲ ＦＴ−ＩＲを利用した硬化度の測定は、硬化しない試料の硬化性官能基ピークＰ１に対する硬化度を測定しようとする試料の硬化性官能基ピークＰ２の変化量Ｐ１−Ｐ２の百分率で測定され得る。すなわち硬化度は、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ１×１００で計算され得る。前記で硬化性官能基は、例えば、エポキシ基であり得る。また、一例示で、前記硬化度は、硬化しない試料をポスト硬化させる間に発生した硬化熱Ｈ１に対する硬化度を測定しようとする試料をポスト硬化させる間に発生した硬化熱Ｈ２の百分率（１−Ｈ２／Ｈ１）×１００で規定することができる。また、硬化熱は、試料を約１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱する間に発生する熱をＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用して測定したものであり得る。

また、一例示で、本出願の封止フィルムにおいて、封止層の側面は、１μｍ〜１０００μｍのサイズを有するレーザービームカット面であり得る。すなわち、前記封止層は、レーザービームを用いてカットされ、前記レーザービームのサイズが１μｍ〜１０００μｍ範囲内にあり得る。前記でレーザーは、ＣＯ_２レーザーまたは光ファイバーレーザーであ り得るが、これに限らない。

本出願の具体例で、前記封止フィルムのメタル層は、透明であってもよく、不透明であってもよい。前記メタル層は、薄膜のメタルホイル（Ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）または高分子基材層にメタルが蒸着されていてもよい。メタル層は、熱伝導性を有し、水分遮断性を有する物質であれば、制限なしに使用され得る。本明細書でメタル層は、金属を主材とする層を意味する。例えば、前記メタル層は、金属、酸化金属、窒化金属、炭化金属、オキシ窒化金属、オキシホウ化金属およびその配合物のうちいずれか一つを含むことができる。例えば、メタル層は、一つの金属に１以上の金属元素または非金属元素が添加された合金を含むことができ、例えば、鉄−ニッケル合金またはステンレススチール（ＳＵＳ）を含むことができる。また、一例示で、メタル層は、銅、アルミニウムニッケル、酸化シリコーン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオビウムおよびこれらの配合物を含むことができる。メタル層は、電解、圧延、加熱蒸発、電子ビーム蒸発、スパッタリング、反応性スパッタリング、化学気相蒸着、プラズマ化学気相蒸着または電子サイクロトロン共鳴ソースプラズマ化学気相蒸着手段により蒸着され得る。本出願の一実施例で、メタル層は、反応性スパッタリングにより蒸着され得る。

好ましくは、メタル層は、５０Ｗ／ｍＫ以上、６０Ｗ／ｍＫ以上、７０Ｗ／ｍＫ以上、８０Ｗ／ｍＫ以上、９０Ｗ／ｍＫ以上、１００Ｗ／ｍＫ以上、１１０Ｗ／ｍＫ以上、１２０Ｗ／ｍＫ以上、１３０Ｗ／ｍＫ以上、１４０Ｗ／ｍＫ以上、１５０Ｗ／ｍＫ以上、２００Ｗ／ｍＫ以上または２５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導度を有することができる。前記範囲内の高い熱伝導度を有することによって、メタル層の接合工程時に、接合界面で発生した熱をより迅速に放出させることができる。また、高い熱伝導度は、有機電子装置の動作中に蓄積される熱を迅速に外部に放出させ、これにより、有機電子装置自体の温度をより低く維持させることができ、クラックおよび欠陥の発生が減少する。

本明細書で用語「熱伝導度」とは、物質が伝導により熱を伝達できる能力を示す程度であり、単位は、Ｗ／ｍＫで示すことができる。前記単位は、同じ温度と距離で物質が熱伝達する程度を示すもので、距離の単位（メートル）と温度の単位（カルビン）に対する熱の単位（ワット）を意味する。

封止層は、封止樹脂を含むことができる。本出願の具体例で、封止層のうち粘着剤層は、ガラス転移温度が０℃以下、例えば、−１０℃以下、−２０℃以下、−３０℃以下または−４０℃以下である封止樹脂を含むことができる。また、他の例示において、封止層のうち接着剤層は、ガラス転移温度が８５℃以上、９０℃以上、９５℃以上または１００℃以上である封止樹脂を含むことができる。本明細書でガラス転移温度は、特に別途規定しない限り、約１００℃の温度で約１２０分間硬化した後のガラス転移温度；約照射量１Ｊ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射した後のガラス転移温度；または紫外線の照射後、熱硬化をさらに進行した後のガラス転移温度を意味する。

一例示で、前記封止樹脂は、スチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオレフィン系樹脂またはエラストマー、その他エラストマー、ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマー、ポリエステル系樹脂またはエラストマー、ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマー、ポリカーボネート系樹脂またはエラストマー、ポリフェニレンスルフィド系樹脂またはエラストマー、炭化水素の混合物、ポリアミド系樹脂またはエラストマー、アクリレート系樹脂またはエラストマー、エポキシ系樹脂またはエラストマー、シリコーン系樹脂またはエラストマー、フッ素系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物などを含むことができる。

前記スチレン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＡＢＳ）、アクリロニトリル−スチレン−アクリレートブロック共重合体（ＡＳＡ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン系単独重合体またはこれらの混合物が例示され得る。前記オレフィン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、高密度ポリエチレン系樹脂またはエラストマー、低密度ポリエチレン系樹脂またはエラストマー、ポリプロピレン系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物が例示され得る。前記エラストマーとしては、例えば、エステル系熱可塑性エラストマー、オレフィン系エラストマー、シリコーン系エラストマー、アクリル系エラストマーまたはこれらの混合物などが使用できる。そのうちオレフィン系熱可塑性エラストマーとして、ポリブタジエン樹脂またはエラストマーまたはポリイソブチレン樹脂またはエラストマーなどが使用され得る。前記ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリオキシメチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオキシエチレン系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物などが例示され得る。前記ポリエステル系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート系樹脂またはエラストマー、ポリブチレンテレフタレート系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物などが例示され得る。前記ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリビニリデンクロリドなどが例示され得る。前記炭化水素の混合物としては、例えば、ヘキサトリアコタン（ｈｅｘａｔｒｉａｃｏｔａｎｅ）またはパラフィンなどが例示され得る。前記ポリアミド系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ナイロンなどが例示され得る。前記アクリレート系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリブチル（メタ）アクリレートなどが例示され得る。前記エポキシ系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型およびこれらの水添加物などのビスフェノール型；フェノールノボラック型やクレゾールノボラック型などのノボラック型；トリグリシジルイソシアヌレート型やヒダントイン型などの含窒素環状；脂環式型；脂肪族型；ナフタレン型、ビフェニル型などの芳香族型；グリシジルエーテル型、グリシジル アミン型、グリシジルエステル型などのグリシジル型；ジシクロペタジエン型などのジシクロ型；エステル型；エーテルエステル型またはこれらの混合物などが例示され得る。前記シリコーン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリジメチルシロキサンなどが例示され得る。また、前記フッ素系樹脂またはエラストマーとしては、ポリトリフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ポリテトラフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ボリクロロトリフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ポリヘキサフルオロプロピレン樹脂またはエラストマー、ポリフルオリン化ビニリデン、ポリフルオリン化ビニル、ポリフルオリン化エチレンプロピレンまたはこれらの混合物などが例示され得る。

前記羅列した樹脂またはエラストマーは、例えば、マレイン酸無水物などとグラフトされて使用されてもよく、羅列された他の樹脂またはエラストマーないしは樹脂またはエラストマーを製造するための単量体と共重合されて使用されてもよく、その他、他の化合物により変性させて使用してもよい。前記他の化合物の例としては、カルボキシル−末端ブタジエン−アクリロニトリル共重合体などが挙げられる。

一例示で、前記封止層は、封止樹脂として前記言及した種類のうちオレフィン系エラストマー、シリコーン系エラストマーまたはアクリル系エラストマーなどを含むことができるが、これに限らない。

本出願の一具体例で、前記封止樹脂は、オレフィン系樹脂であり得る。一例示で、前記封止樹脂は、ブチレンから誘導された高分子を含むことができる。前記ブチレンから誘導された高分子は、前記高分子の重合単位のうち一つ以上がブチレンからなるものを意味する。前記ブチレンから誘導された高分子は、極性が非常に低く、透明であり、腐食の影響がほとんどないため、封止材または密封材に使用される場合、優れた水分遮断特性、および耐久信頼性を具現できる。

また、本出願で、前記ブチレンから誘導された高分子は、ブチレン単量体の単独重合体；ブチレン単量体と重合可能な他の単量体を共重合した共重合体；ブチレン単量体を利用した反応性オリゴマー；またはこれらの混合物であり得る。本出願で、誘導された高分子は、単量体が重合された単位で重合体を形成していることを意味する。前記ブチレン単量体は、例えば、１−ブテン、２−ブテンまたはイソブチレンを含むことができる。

前記ブチレン単量体あるいは誘導体と重合可能な他の単量体は、例えば、イソプレン、スチレンまたはブタジエンなどを含むことができる。前記共重合体を使用することによって、工程性および架橋度のような物性を維持でき、有機電子装置への適用時、粘着剤自体の耐熱性を確保できる。

また、ブチレン単量体を利用した反応性オリゴマーは、反応性官能基を有するブチレン重合体を含むことができる。前記オリゴマーは、重量平均分子量５００〜５０００の範囲を有することができる。また、前記ブチレン重合体は、反応性官能基を有する他の重合体と結合されていてもよい。前記他の重合体は、アルキル（メタ）アクリレートであってもよいが、これに限らない。前記反応性官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、イソシアネート基または窒素含有基であり得る。また、前記反応性オリゴマーと前記他の重合体は、多官能性架橋剤により架橋されていてもよく、前記多官能性架橋剤は、イソシアネート架橋剤、エポキシ架橋剤、アジリジン架橋剤および金属キレート架橋剤よりなる群から選択された一つ以上であり得る。

封止層において前記樹脂またはエラストマー成分は、粘着剤組成物がフィルム形状に成形可能な程度の重量平均分子量（Ｍｗ：Ｗｅｉｇｈｔ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｗｅｉｇｈｔ）を有することができる。例えば、前記樹脂またはエラストマーは、約１０万〜２００万、１２万〜１５０万または１５万〜１００万程度の重量平均分子量を有することができる。本明細書で用語「重量平均分子量」は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ）で測定した標準ポリスチレンに対する換算数値を意味する。ただし、前記言及された重量平均分子量を前記樹脂またはエラストマー成分が必ず有しなければならないわけではない。例えば、樹脂またはエラストマー成分の分子量がフィルムを形成するほどの水準にならない場合には、別のバインダー樹脂が粘着剤組成物に配合され得る。

さらに他の具体例で、本出願による接着剤層に含まれる封止樹脂は、硬化性樹脂であってもよい。前記硬化性樹脂の具体的な種類としては、この分野で公知にされている多様な熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂またはジュアル硬化性樹脂が使用できる。本明細書で用語「熱硬化性樹脂」は、適切な熱の印加または熟成（ａｇｉｎｇ）工程を通じて硬化し得る樹脂を意味し、本明細書で用語「光硬化性樹脂」は、電磁気波の照射により硬化し得る樹脂を意味し、 本明細書で「ジュアル硬化性樹脂」は、熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂の特性を同時に有するものであって、電磁気波の照射および熱の印加により硬化し得る樹脂を意味する。また、前記で電磁気波の範疇には、マイクロ波（ｍｉｃｒｏｗａｖｅｓ）、赤外線（ＩＲ）、紫外線（ＵＶ）、Ｘ線およびガンマ線はもちろん、アルファ−粒子線（ａｌｐｈａ−ｐａｒｔｉｃｌｅ ｂｅａｍ）、プロトンビーム（ｐｒｏｔｏｎ ｂｅａｍ）、ニュートロンビーム（ｎｅｕｔｒｏｎ ｂｅａｍ）および電子線（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）のような粒子ビームなどが含まれることがある。 前記光硬化性樹脂は例えば、光カチオン硬化性樹脂が挙げられる。前記光カチオン硬化性樹脂は、電磁気波の照射により誘導されたカチオン重合またはカチオン硬化反応により硬化し得る樹脂を意味する。

前記硬化性樹脂の具体的な種類は、前述した特性を有するものであれば、特に限定されない。例えば、硬化して接着特性を示すことができるものであって、グリシジル基、イソシアネート基、ヒドロキシ基、カルボキシル基またはアミド基などのような熱硬化可能な官能基を一つ以上含むか、あるいはエポキシド（ｅｐｏｘｉｄｅ）基、環状エーテル（ｃｙｃｌｉｃ ｅｔｈｅｒ）基、スルフィド（ｓｕｌｆｉｄｅ）基、アセタール（ａｃｅｔａｌ）基またはラクトン（ｌａｃｔｏｎｅ）基などのような電磁気波の照射により硬化可能な官能基を一つ以上含む樹脂であってもよい。また、前記のような樹脂の具体的な種類には、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂またはエポキシ樹脂などが含まれるが、これに限らない。

前記硬化性樹脂として、芳香族または脂肪族；または直鎖型または分岐鎖型のエポキシ樹脂が使用できる。一例示で、２つ以上の官能基を含有するものであって、エポキシ当量が１８０ｇ／ｅｑ〜１，０００ｇ／ｅｑのエポキシ樹脂が使用できる。前記範囲のエポキシ当量を有するエポキシ樹脂を使用して、硬化物の接着性能およびガラス転移温度などの特性を効果的に維持できる。このようなエポキシ樹脂の例には、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂またはジシクロペタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる一つ以上が挙げられる。

一例示で、前記硬化性樹脂として分子構造内に環状構造を含むエポキシ樹脂が使用でき、例えば、フェニル基のような芳香族基を含むエポキシ樹脂が使用できる。前記エポキシ樹脂が芳香族基を含む場合、硬化物が優れた熱的および化学的安定性を有し、且つ、低い吸湿量を示し、有機電子装置の封止構造の信頼性を向上させることができる。前記芳香族基含有エポキシ樹脂の具体的な例としては、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、クレゾール系エポキシ樹脂、ビスフェノール系エポキシ樹脂、キシロック（ｘｙｌｏｋ）系エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂などよりなる群から選ばれる一つ以上であるが、これに限らない。

本出願の具体例で、封止層は、封止樹脂の種類によって、封止樹脂とともに活性エネルギー線の照射により重合され得る多官能性の活性エネルギー線重合性化合物を含むことができる。前記活性エネルギー線重合性化合物は、例えば、活性エネルギー線の照射による重合反応に参加できる官能基、例えば、アクリロイル基またはメタクリロイル基などのようなエチレン性不飽和二重結合を含む官能基、エポキシ基またはオキセタン基などの官能基を２つ以上含む化合物を意味する。

多官能性の活性エネルギー線重合性化合物としては、例えば、多官能性アクリレート（ＭＦＡ；Ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）が使用できる。

また、前記活性エネルギー線重合性化合物は、封止樹脂１００重量部に対して５重量部〜３０重量部、５重量部〜２５重量部、８重量部〜２０重量部、１０重量部〜１８重量部または１２重量部〜１８重量部で含まれ得る。

前記活性エネルギー線の照射により重合され得る多官能性の活性エネルギー線重合性化合物は、前記化学式１を満たす限り、制限なしに使用できる。例えば、前記化合物は、１、４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１、３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１、６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１、８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、１、１２−ドデセインジオール（ｄｏｄｅｃａｎｅｄｉｏｌ）ジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペタニル（ｄｉｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｙｌ）ジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサン−１、４−ジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールメタジアクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチルプロパンジ（メタ）アクリレート、アダマンタン（ａｄａｍａｎｔａｎｅ）ジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートまたはこれらの混合物を含むことができる。

多官能性の活性エネルギー線重合性化合物としては、例えば、分子量が１，０００未満であり、官能基を２つ以上含む化合物が使用できる。この場合、分子量は、重量平均分子量または通常の分子量を意味する。前記多官能性の活性エネルギー線重合性化合物に含まれる環構造は、炭素環式構造または複素環式構造；または単環式または多環式構造のいずれでもよい。

本出願の具体例で、封止層は、ラジカル開始剤をさらに含むことができる。ラジカル開始剤は、光開始剤または熱開始剤であってもよい。光開始剤の具体的な種類は、硬化速度および黄変可能性などを考慮して適宜選択され得る。例えば、ベンゾイン系、ヒドロキシケトン系、アミノケトン系またはホスフィンオキシド系光開始剤などが使用でき、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、２、２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２、２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフェリノ−プロパン−１−オン、４−（２−ヒドキシエトキシ）フェニル−２−（ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、ベンゾフェノン、ｐ−フェニルベンゾフェノン、４、４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、２−メチルチオキサントン（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、２−エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２、４−ジメチルチオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタル、アセトフェノンジメチルケタル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エステル、オリゴ［２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン］および２、４、６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキシドなどが使用できる。

ラジカル開始剤は、活性エネルギー線重合性化合物１００重量部に対して０．２重量部〜２０重量部、０．５〜１８重量部、１〜１５重量部、または２重量部〜１３重量部の比率で含まれることもできる。これを通じて活性エネルギー線重合性化合物の反応を効果的に誘導し、また、硬化後に残存成分により粘着剤または接着剤組成物の物性が悪化することを防止できる。

本出願の具体例で、封止フィルムの封止層は、封止樹脂の種類によって、硬化剤をさらに含むことができる。例えば、前述した封止樹脂と反応して、架橋構造などを形成できる硬化剤をさらに含むことができる。

硬化剤は、封止樹脂またはその樹脂に含まれる官能基の種類によって適切な種類が選択および使用され得る。

一例示で、封止樹脂がエポキシ樹脂である場合、硬化剤としては、この分野で公知されているエポキシ樹脂の硬化剤であって、例えば、アミン硬化剤、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、リン硬化剤または酸無水物硬化剤などの一種または二種以上が使用できるが、これに限らない。

一例示で、前記硬化剤としては、常温で固体状であり、融点または分解温度が８０℃以上のイミダゾール化合物が使用できる。このような化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールまたは１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールなどが例示されるが、これに限らない、

硬化剤の含量は、組成物の組成、例えば、封止樹脂の種類や比率によって選択され得る。例えば、硬化剤は、封止樹脂１００重量部に対して、１重量部〜２０重量部、１重量部〜１０重量部または１重量部〜５重量部で含むことができる。しかし、前記重量比率は、封止樹脂またはその樹脂の官能基の種類および比率、または具現しようとする架橋密度などによって変更され得る。

封止樹脂が活性エネルギー線の照射により硬化し得る樹脂である場合、開始剤としては、例えば、光カチオン重合開始剤が使用できる。

光カチオン重合開始剤としては、オニウム塩（ｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）または有機金属塩（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｓａｌｔ）系のイオン化カチオン開始剤または有機シランまたは潜在性硫酸（ｌａｔｅｎｔ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）系や非イオン化光カチオン重合開始剤が使用できる。オニウム塩系の開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩（ｄｉａｒｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）、トリアリールスルホニウム塩（ｔｒｉａｒｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）またはアリールジアゾニウム塩（ａｒｙｌｄｉａｚｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）等が例示され得、有機金属塩系の開始剤としては、鉄アレン（ｉｒｏｎ ａｒｅｎｅ）等が例示され得、有機シラン系の開始剤としては、ｏ−ニトリルベンジルトリアリールシリルエーテル（ｏ−ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｔｒｉａｒｙｌ ｓｉｌｙｌ ｅｔｈｅｒ）、トリアリールシリルペルオキシド（ｔｒｉａｒｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ）またはアシルシラン（ａｃｙｌ ｓｉｌａｎｅ）等が例示され得、潜在性硫酸系の開始剤としては、α−スルホニルオキシケトンまたはα−ヒドロキシメチルベンゾインスルホネートなどが例示されるが、これに限らない。

一例示で、カチオン開始剤としては、イオン化光カチオン重合開始剤が使用できる。

一例示で、封止層は、粘着付与剤をさらに含むことができ、前記粘着付与剤は、好ましくは、水素化された環状オレフィン系重合体であり得る。粘着付与剤としては、例えば、石油樹脂を水素化して得られる水素化された石油樹脂が使用できる。水素化された石油樹脂は、部分的にまたは完全に水素化され得、そのような樹脂の混合物であってもよい。このような粘着付与剤は、粘着剤組成物と相溶性が良いながらも、水分遮断性に優れ、有機揮発成分が低いものを選択できる。水素化された石油樹脂の具体的な例としては、水素化されたテルペン系樹脂、水素化されたエステル系樹脂または水素化されたジシクロペンタジエン系樹脂などが挙げられる。前記粘着付与剤の重量平均分子量は、約２００〜５，０００であり得る。前記粘着付与剤の含量は、必要に応じて適宜調節できる。例えば、粘着付与剤の含量は、後述するゲル含量などを考慮して選択され得、一例示によれば、封止樹脂１００重量部に対して５重量部〜１００重量部、８〜９５重量部、１０重量部〜９３重量部または１５重量部〜９０重量部の比率で含まれる。

一例示で、前記粘着剤層の引張弾性率は、２５℃で０．００１ＭＰａ〜５００ＭＰａであり得る。前記粘着剤層の２５℃で引張弾性率は、０．０１ＭＰａ以上、０．１ＭＰａ以上または１ＭＰａ以上であってもよく、１００ＭＰａ以下、５０ＭＰａ以下または５ＭＰａ以下であってもよい。また、接着剤層の引張弾性率は、２５℃で５００ＭＰａ〜１０００ＭＰａであり得る。前記接着剤層の２５℃で引張弾性率は、６００ＭＰａ以上、７００ＭＰａ以上または７３０ＭＰａ以上であってもよく、９００ＭＰａ以下、８００ＭＰａ以下または７７０ＭＰａ以下であってもよい。前記範囲内の弾性率の関係から、封止フィルムは、例えば、大面積の装置にも層間剥離なしに効果的に適用され得る。

本出願の封止層は、水分吸着剤をさらに含むことができる。本明細書で用語、「水分吸着剤（ｍｏｉｓｔｕｒｅ ａｂｓｏｒｂｅｎｔ）」は、水分と化学的反応等を通して、外部から流入する水分または酸素を吸着または除去できる成分を意味する。

一例示で、水分吸着剤は、粘着剤層が接着剤層に比べて多量の水分吸着剤を含むことができる。また、接着剤層は、粘着剤層に比べて水分吸着剤を少なく含むか、または含まなくてもよい。前記のような構造で、例えば、接着剤層が有機電子デバイスと接触するように封止構造を具現する場合には、素子の損傷を誘発することなく、優れた水分遮断性を具現することができる。一例示で、粘着剤層は、前記封止樹脂を含むことができ、前記封止樹脂１００重量部に対して２０重量部〜５０重量部の水分吸着剤を含むことができる。前記範囲内で、粘着剤層内の水分吸着剤の含量が封止樹脂１００重量部に対して２５以上、３０以上、３５以上または４０以上であってもよく、４５以下、４０以下、３５以下または３０以下であってもよい。また、一例示で、接着剤層は、水分吸着剤を含まなくてもよいため、水分吸着剤を含むとしても、微量の水分吸着剤を含むことができる。例えば、接着剤層は、封止樹脂１００重量部に対して２０重量部未満または１０重量部未満の水分吸着剤を含むことができる。前記接着剤層は、水分吸着剤を含まなくてもよいため、接着剤層の水分吸着剤の含量の下限は、０重量部であり得る。

前記水分吸着剤の種類としては、例えば、金属酸化物、金属塩または有機金属酸化物よりなる群から選択された一つ以上であり得る。具体的に、前記金属酸化物は、例えば、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ_２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等であってもよく、前記金属塩は、例えば、硫酸リチウム（Ｌｉ_２ＳＯ_４）、硫酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳＯ_４）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ_４）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ_４）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ_４）、硫酸ガリウム（Ｇａ_２（ＳＯ_４）_３）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ_４）_２）または硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４）等のような硫酸塩；塩化カルシウム（ＣａＣｌ_２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ_２）、塩化イットリウム（ＹＣｌ_３）、塩化銅（ＣｕＣｌ_２）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化タンタル（ＴａＦ_５）、フッ化ニオビウム（ＮｂＦ_５）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）、臭化カルシウム（ＣａＢｒ_２）、臭化セシウム（ＣｅＢｒ_３）、臭化セレニウム（ＳｅＢｒ_４）、臭化バナジウム（ＶＢｒ_３）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ_２）、ヨウ化バリウム（ＢａＩ_２）またはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ_２）等のような金属ハロゲン化物；または過塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ_４）_２）または過塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ_４）_２）等のような金属塩素酸塩などが挙げられるが、これに限らない。封止層に含まれ得る水分吸着剤としては、前述した構成のうち１種を使用してもよく、２種以上を使用してもよい。一例示で、水分吸着剤として２種以上を使用する場合、焼成ドロマイト（ｃａｌｃｉｎｅｄ ｄｏｌｏｍｉｔｅ）等が使用され得る。

一例示で、本出願の封止フィルムは、メタル層の他の一面に存在する保護層をさらに含むことができる。保護層を構成する素材は、特に制限されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオルエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩化ビニル共重合体、ポリウレタン、エチレン−ビニルアセテート、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、ポリイミド、ナイロン、スチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオレフィン系樹脂またはエラストマー、その他エラストマー、ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマー、ポリエステル系樹脂またはエラストマー、ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマー、ポリカーボネート系樹脂またはエラストマー、ポリフェニレンスルフィド系樹脂またはエラストマー、炭化水素の混合物、ポリアミド系樹脂またはエラストマー、アクリレート系樹脂またはエラストマー、エポキシ系樹脂またはエラストマー、シリコーン系樹脂またはエラストマー、液晶ポリマーおよびこれらの組合の中から選択され得るが、これに限定されるものではない。

一例示で、本出願の封止フィルムは、前記メタル層と前記保護層との間に存在する接着層をさらに含むことができる。前記接着層は、保護層をメタル層に付着させる役目をし、その素材は、特に限定されず、例えば、前述した封止層の素材と同一であってもよく、異なってもよい。

本出願は、また、前述した封止フィルムの製造方法に関する。例示的な封止フィルムの製造方法は、封止層の側面をカットする段階を含むことができる。また、前記製造方法は、メタル層の側面をカットする段階を含むことができる。前記封止層の側面をカットする段階とメタル層の側面をカットする段階の順序は、特に制限されず、例えば、封止層の側面をカットし、その後、メタル層の側面をカットすることができる。前記カットは、目的する形状、例えば、前述した多角形状または円形状に封止層またはメタル層を形成することを意味する。

前記でフィルムの製造方法は、封止層をフィルムまたはシート状に成形することを含むことができる。一例示で、前記方法は、前述した封止層を構成する成分を含むコーティング液を基材または離型フィルム上にシートまたはフィルム形状に適用し、前記適用されたコーティング液を乾燥することを含むことができる。

また、封止フィルムの製造方法は、メタル層を形成する段階を含むことができ、例えば、メタル層は、メタルホイル（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）で形成されるか、または、基材にメタルが蒸着されて形成され得る。例えば、メタル層は、電解または圧延の方式で製造され得る。

本出願で、封止層の側面をカットする段階は、ＣＯ_２レーザーまたは光ファイバーレーザーでカットすることを含むことができる。また、一例示で、メタル層の側面をカットする段階は、ＣＯ_２レーザー、光ファイバーレーザーまたはナイフカッターを利用してカットすることを含むことができる。一例示で、前記カットする段階は、レーザーにより封止層のギャップまたは傾斜部を確保した後、ナイフカッターを利用してメタル層をカッティングする方式で進行され得る。例えば、木型、ピナクル（登録商標）、スリッティング、スーパーカッターなどの適切な形式を導入して進行し得る。本出願の具体例で、カット面は、カット後、封止層またはメタル層の側面になり得る。また、一例示で、レーザーと接触する封止層のカット面または側面は、レーザーにより硬化し得る。これにより、封止層のカットおよび封止層の側面硬化部の形成を一つの工程、例えば、レーザー加工工程で行うことができる。

具体的に、前記封止層の側面をカットする段階は、１μｍ〜１０００μｍ、１５μｍ〜９００μｍ、３８μｍ〜８８０μｍ、４７μｍ〜７７０μｍまたは５５μｍ〜６６０μｍのサイズを有するレーザービームでカットすることを含むことができる。本出願では、側面硬化部の幅によって、レーザーのビームサイズが適宜制御され得る。

また、封止層の側面カットは、例えば、レーザーの出力および／または反復率により制御され得る。一例示で、レーザーの出力は、１００Ｗ〜２５０Ｗ、１５０Ｗ〜２３０Ｗまたは１６０Ｗ〜２２５Ｗ程度制御され得る。また、封止層の側面をカットする段階は、２００ｍｍ／ｓ〜１０００ｍｍ／ｓ、２８０ｍｍ／ｓ〜９００ｍｍ／ｓまたは３７０ｍｍ／ｓ〜８２０ｍｍ／ｓのカット速度を有するレーザービームでカットすることを含むことができる。本出願は、レーザーの出力またはカット速度を前記範囲に調節することによって、封止層の側面の形成とカットを同時に進行しつつ、前述したギャップの形成、硬化部の形成または傾斜部の形成を目的する形態で製造することができる。

本出願の具体例で、メタル層の側面をカットする段階は、１μｍ〜３０μｍ、２μｍ〜２８μｍ、７μｍ〜２３μｍまたは１１μｍ〜１９μｍのサイズを有するレーザービームでカットすることを含むことができる。また、前記レーザーカットは、７０Ｗ〜１５０Ｗ、７８Ｗ〜１３０Ｗまたは８３Ｗ〜１１０Ｗの出力を有するレーザービームでカットすることを含むことができる。また、前記レーザーカットは、５００ｍｍ／ｓ〜１０００ｍｍ／ｓ、５６０ｍｍ／ｓ〜９１０ｍｍ／ｓ、６１０ｍｍ／ｓ〜８３０ｍｍ／ｓまたは６６０ｍｍ／ｓ〜７８０ｍｍ／ｓのカット速度を有するレーザービームでカットすることを含むことができる。本出願は、レーザービームのサイズ、レーザーの出力またはカット速度を前記範囲で調節することによって、メタル層の側面の形成とカットを同時に進行しつつ、前述したギャップの形成を目的する形態で製造することができる。

本出願は、また、有機電子装置に関する。図２は、例示的な有機電子装置を示す図である。図２に示されたように、前記有機電子装置は、基板２と；前記基板２上に形成された有機電子デバイス２１と；前記有機電子デバイス２１の前面、例えば上部および側面を全部封止している封止フィルム１と；を含むことができる。前記封止フィルム１は、粘着剤組成物または接着剤組成物を架橋された状態で含有する粘着剤層１２１および接着剤層１２２を含む封止層１２を含むことができる。具体的に、前記封止層１２の接着剤層１２２が有機電子デバイス２１の前面を封止するように有機電子装置が形成されていてもよい。

前記で有機電子デバイスは、例えば、有機発光素子であってもよい。

また、本出願は、有機電子装置の製造方法に関する。前記有機電子装置は、例えば、前記封止フィルムを使用して製造することができる。

前記封止層は、有機電子装置において優れた水分遮断特性および光学特性を示し、且つ、前記基板とメタル層を効率的に固定および支持する構造用封止層として形成され得る。

また、前記封止層は、前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）または背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）等の有機電子装置の形態と関係がなく、安定した封止層で形成され得る。

本明細書で用語「封止層」は、有機電子デバイスの上部および側面をすべてカバーする粘着剤を意味する。

また、本出願は、有機電子装置の製造方法に関する。前記製造方法は、例えば、上部に有機電子デバイスが形成された基板に前述した封止フィルムが前記有機電子デバイスをカバーするように適用する段階と、前記封止フィルムを硬化する段階とを含むことができる。前記封止フィルムの硬化段階は、封止層の硬化を意味する。

本明細書で用語「硬化」とは、加熱またはＵＶ照射工程などを経て本発明の粘着剤組成物が架橋構造を形成し、粘着剤の形態に製造することを意味し得る。または、接着剤組成物を接着剤の形態に製造することを意味し得る。

具体的に、基板に使用されるガラスまたは高分子フィルム上に真空蒸着またはスパッタリングなどの方法で透明電極を形成し、前記透明電極上に例えば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層などで構成される発光性有機材料の層を形成した後、その上部に電極層をさらに形成し、有機電子素子を形成できる。次いで、前記工程を経た基板の有機電子素子の前面を、前記封止フィルムの封止層が覆うように位置させる。

本出願は、外部から有機電子装置に流入する水分または酸素を効果的に遮断できる構造の形成が可能であり、取り扱い性および加工性に優れ、封止層とパネル間の合着特性および耐久信頼性に優れた封止フィルムを提供する。

図１は、例示的な封止フィルムを示す断面図である。 図２は、例示的な有機電子装置を示す断面図である。

以下、実施例および比較例を通じて前記記述した内容をより具体的に説明する。しかし、本出願の範囲が下記の実施例に限定されるものではない。

実施例１
粘着剤層溶液の製造
水分吸着剤としてＣａＯ（平均粒径５μｍ未満）溶液（固形分５０％）を製造し、前記溶液を分散させて、ＣａＯが均一に分布するようにした。また、これとは別に、ブチルゴム樹脂（ＢＴＲ−２０６８、ＳＵＮＷＯＯ ＣＨＥＭＴＥＣＨ社）２００ｇおよびＤＣＰＤ系石油樹脂（ＳＵ５２７０、ＳＵＮＷＯＯ ＣＨＥＭＴＥＣＨ社）６０ｇをトルエンで希釈した溶液（固形分７０％）を製造した後、溶液を均質化した。前記均質化された溶液にあらかじめ準備したＣａＯ溶液１００ｇを投入し、光硬化剤（ＴＣＤＤＡ、ＭＩＷＯＮ社）１０ｇおよび光開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、ＣＩＢＡ社）１５ｇを投入した後、１時間高速撹拌して粘着剤層の溶液を製造した。

接着剤層溶液の製造
エポキシ樹脂（ＫＳＲ ２７７、ＫＵＫＤＯ化学）１５０ｇおよびフェノキシ樹脂（ＹＰ−５５、東都化成）５０ｇをメチルエチルケトンで希釈した溶液（固形分７０％）を製造した後、溶液を均質化した。硬化剤であるイミダゾール（四国化成）３ｇを投入した後、１時間高速撹拌して接着剤層の溶液を製造した。

封止層の製造
前記で製造された粘着剤層の溶液を離型ＰＥＴの離型面にコンマコーターを使用して塗布し、乾燥器で１３０℃で３分間乾燥して、粘着剤層を形成した。

前記で製造された接着剤層の溶液を離型ＰＥＴの離型面にコンマコーターを使用して塗布し、乾燥器で１３０℃で３分間乾燥して、厚さが２０μｍの接着剤層を形成した。

前記粘着剤層および接着剤層をラミネートして、多層の封止層を製造した。

封止フィルムの製造
前記で製造された封止層の両外側に付着した離型処理されたＰＥＴを剥離させ、あらかじめ準備されたメタル層（Ｉｎｖａｒ、ＨＩＴＡＣＨＩ社）の一面に粘着剤層が接するように封止層をラミネートした。

ＣＯ_２レーザー（Ｅ−４００ｉ、ＣＯＨＥＲＥＮＴ社）を利用して、１０ＫＨｚの周波数、１８０〜２２０Ｗの出力および７００ｍｍ／ｓのカット速度で封止層をカットした後、Ｆｉｂｅｒレーザー（ＹＬＲ−３００−ＡＣ−Ｙ１１、ＩＰＧ社）を利用して、９０Ｗの出力および７００ｍｍ／ｓのカット速度でメタル層をカットして封止フィルムを製造した。

メタル層の側面のうちいずれか一つの側面および前記の側面と対応する封止層の側面との間のギャップ（ａ）が１００μｍであった。

実施例２
接着剤層の厚さを２５μｍに変更したことを除いて、実施例１と同一に実施して封止フィルムを製造した。

実施例３
接着剤層の厚さを３０μｍに変更したことを除いて、実施例１と同一に実施して封止フィルムを製造した。

比較例１
接着剤層の厚さを４μｍに変更したことを除いて、実施例１と同一に実施して封止フィルムを製造した。

比較例２
接着剤層の厚さを４２μｍに変更したことを除いて、実施例１と同一に実施して封止フィルムを製造した。

比較例３
ギャップａを１０μｍにしたことを除いては、実施例１と同じ方法で封止フィルムを製造した。

実験例１−封止フィルムの未合着部の発生有無確認
前記実施例１〜３および比較例１で製造された封止フィルムを有機電子デバイスが形成された基板上に付着した後、未合着部の発生有無を確認するために、電子顕微鏡（ＤｉｎｏＣａｐｔｕｒｅ ２．０、Ｄｉｎｏ−Ｌｉｔｅ）を利用して、封止層の下部面で観察した。

前記実施例１〜３で製造された封止フィルムは、メタル層と封止層の合着時に、未合着部が発生しないことを確認することができる。

また、前記比較例１で製造された封止フィルムの合着時に、未合着部が発生することを確認することができる。

実験例２−封止フィルムのアラインエラー発生の有無確認
前記実施例１〜３および比較例２および３で製造された封止フィルムを有機電子デバイスが形成された基板上に付着した後、アラインエラー発生の有無を確認するために、電子顕微鏡（ＤｉｎｏＣａｐｔｕｒｅ ２．０、Ｄｉｎｏ−Ｌｉｔｅ）を利用して、封止フィルムの側面を観察した。

前記実施例１〜３で製造された封止フィルムは、素子が形成された基板上に合着時に、封止層における側面の末端とメタル層における側面の末端が±５μｍの誤差範囲内に一致し、アラインエラーが発生しないことを確認することができる。

なお、前記比較例２および３で製造された封止フィルムは、素子が形成された基板上に合着時に、メタル層の端部の末端から外側に封止層があふれる（ｏｖｅｒｆｌｏｗ）ことによって、有機電子装置パネルの汚染およびアラインエラーが発生することを確認することができる。

１１ メタル層
１２ 封止層
１１１ 第１面
１１２ 第２面
１２１ 粘着剤層
１２２ 接着剤層
ａ ギャップ
ｂ 接着剤層の厚さ
ｃ 硬化部
２ 基板
２１ 有機電子デバイス

Claims (18)

1. 第１面と前記第１面と反対方向の第２面とを有するメタル層と、
   前記第１面に設けられ、且つ、一部領域の端部は、前記第１面の端部と５０μｍ〜５００μｍのギャップを形成するように前記第１面の端部より内側に位置する封止層と、を含み、
   前記封止層は、粘着剤層および５μｍ〜４０μｍの厚さを有する接着剤層を含み、
   前記粘着剤層は、ガラス転移温度が０℃以下である封止樹脂を含む、有機電子デバイス封止フィルム。
2. 粘着剤層は、メタル層に付着していて、接着剤層は、有機電子デバイスの全面を封止する、請求項１に記載の封止フィルム。
3. 封止層は、一部領域の端部に硬化部を有する、請求項１に記載の封止フィルム。
4. 硬化部の幅は、１０μｍ〜１００μｍの範囲内にある、請求項３に記載の封止フィルム。
5. 硬化部は、１０％〜１００％の硬化度を有する、請求項３に記載の封止フィルム。
6. 封止層の側面は、１μｍ〜１０００μｍのレーザーサイズを有するレーザービームでカットされた面である、請求項１に記載の封止フィルム。
7. メタル層は、金属、酸化金属、窒化金属、炭化金属、オキシ窒化金属、オキシホウ化金属およびその配合物のうちいずれか一つを含む、請求項１に記載の封止フィルム。
8. 接着剤層は、ガラス転移温度が８５℃以上である封止樹脂を含む、請求項１に記載の封止フィルム。
9. 封止層は、水分吸着剤をさらに含む、請求項１に記載の封止フィルム。
10. 封止層の側面をカットする段階を含む請求項１に記載の封止フィルムの製造方法。
11. メタル層の側面をカットする段階をさらに含む、請求項１０に記載の封止フィルムの製造方法。
12. 封止層の側面をカットする段階は、ＣＯ_２レーザーまたは光ファイバーレーザーでカットすることを含む、請求項１０に記載の封止フィルムの製造方法。
13. メタル層の側面をカットする段階は、ＣＯ_２レーザー、光ファイバーレーザーまたはナイフカッターを利用してカットすることを含む、請求項１１に記載の封止フィルムの製造方法。
14. 封止層の側面をカットする段階は、１μｍ〜１０００μｍのレーザーサイズを有するレーザービームでカットすることを含む、請求項１０に記載の封止フィルムの製造方法。
15. メタル層の側面をカットする段階は、１μｍ〜３０μｍのレーザーサイズを有するレーザービームでカットすることを含む、請求項１１に記載の封止フィルムの製造方法。
16. 基板と、前記基板上に形成された有機電子デバイスと、前記有機電子デバイスを全面封止する請求項１に記載の封止フィルムと、を含む有機電子装置。
17. 封止フィルムの接着剤層が有機電子デバイスの全面を封止する、請求項１６に記載の有機電子装置。
18. 上部に有機電子デバイスが形成された基板に請求項１に記載の封止フィルムが前記有機電子デバイスをカバーするように適用する段階と、前記封止フィルムを硬化する段階と、を含む有機電子装置の製造方法。

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