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JP6988302B2 - Packing structure, semiconductor wafer packing method and transportation method - Google Patents
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Description

本発明は、梱包構造体、半導体ウェーハの梱包方法および輸送方法に関する。 The present invention relates to a packing structure, a packing method for a semiconductor wafer, and a transportation method.

ウェーハ製造元で製造したシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを出荷・輸送する際、複数枚の半導体ウェーハを互いに平行にウェーハ収容容器内に収容し、このウェーハ収容容器を、輸送時の衝撃を緩和する緩衝材を介して輸送用コンテナの内部に収容して、出荷先に搬送する。現在、環境負荷やコストの点から、使用後のウェーハ収容容器および輸送用コンテナは、出荷先から回収して、再利用されている。 When shipping and transporting semiconductor wafers such as silicon wafers manufactured by a wafer manufacturer, a plurality of semiconductor wafers are housed in a wafer storage container in parallel with each other, and this wafer storage container is used as a cushioning material to cushion the impact during transportation. It is housed inside the shipping container via the silicon wafer and transported to the shipping destination. Currently, in terms of environmental load and cost, used wafer storage containers and transportation containers are collected from the shipping destination and reused.

図1は、半導体ウェーハを輸送する際に使用する従来の梱包構造体を示す図である。図1に示した梱包構造体100は、複数枚の半導体ウェーハを収容したウェーハ収容容器30を挟んで配置される複数の緩衝材21〜23と、該複数の緩衝材21〜23を収容するコンテナ本体11と該コンテナ本体11の開口部に着脱自在に嵌め合わされる蓋体12とを有する輸送用コンテナ10とを備える。各ウェーハ収容容器30においては、複数枚(例えば、25枚)の半導体ウェーハが、互いに平行に、かつウェーハ面内方向が鉛直方向に平行となるように(すなわち、半導体ウェーハを立てた状態で)配置されている。 FIG. 1 is a diagram showing a conventional packaging structure used when transporting a semiconductor wafer. The packaging structure 100 shown in FIG. 1 includes a plurality of cushioning materials 21 to 23 arranged so as to sandwich a wafer accommodating container 30 accommodating a plurality of semiconductor wafers, and a container accommodating the plurality of cushioning materials 21 to 23. A transportation container 10 having a main body 11 and a lid 12 that is detachably fitted to the opening of the container main body 11 is provided. In each wafer accommodating container 30, a plurality of (for example, 25) semiconductor wafers are parallel to each other and the in-plane direction of the wafer is parallel to the vertical direction (that is, the semiconductor wafer is erected). Have been placed.

半導体ウェーハの輸送中、輸送用コンテナ10には、外部の様々な方向から衝撃が与えられ、ウェーハ収容容器30内に収容された半導体ウェーハは振動する。特に、鉛直方向の振動成分が大きく、これにより半導体ウェーハは回転する。半導体ウェーハの鉛直方向の振動は、緩衝材21〜23によって十分に抑制することができないため、輸送用コンテナ10外部からの衝撃を低減するよう、緩衝材23とコンテナ本体11の底面部11bとの間に衝撃吸収材40が配置されている(例えば、特許文献1参照)。 During the transportation of the semiconductor wafer, the transport container 10 is subjected to impacts from various external directions, and the semiconductor wafer housed in the wafer storage container 30 vibrates. In particular, the vibration component in the vertical direction is large, which causes the semiconductor wafer to rotate. Since the vertical vibration of the semiconductor wafer cannot be sufficiently suppressed by the cushioning materials 21 to 23, the cushioning material 23 and the bottom surface portion 11b of the container body 11 are provided so as to reduce the impact from the outside of the transportation container 10. A shock absorbing material 40 is arranged between them (see, for example, Patent Document 1).

特開2011−16549号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-16549

ところで最近、製造した半導体ウェーハ上に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程において、ウェーハ外周部に微小な樹脂(以下、「樹脂付着物」とも言う。)が付着し、研磨工程の際に研磨布上に樹脂付着物が落下して、半導体ウェーハ表面に傷が発生する場合があることが判明した。 By the way, recently, in a device forming process of forming a semiconductor device on a manufactured semiconductor wafer, a minute resin (hereinafter, also referred to as “resin deposit”) adheres to the outer peripheral portion of the wafer, and is placed on a polishing cloth during the polishing process. It has been found that resin deposits may fall on the surface of the semiconductor wafer and cause scratches on the surface of the semiconductor wafer.

半導体ウェーハに樹脂付着物が付着する原因として考えられるのは、ウェーハ収容容器30に設けられた、半導体ウェーハを保持する樹脂製のウェーハ保持部と半導体ウェーハとの擦動である。すなわち、ウェーハ収容容器30において、各半導体ウェーハは、ウェーハ保持部に設けられた溝に挿入されて保持されている。そのため、半導体ウェーハの輸送時に、外部から衝撃が与えられて半導体ウェーハが振動すると、半導体ウェーハと樹脂製のウェーハ保持部とが擦動して樹脂付着物が発生し、ウェーハ外周部に付着したものと考えられる。 A possible cause for the resin deposits to adhere to the semiconductor wafer is the rubbing between the resin wafer holding portion for holding the semiconductor wafer and the semiconductor wafer, which is provided in the wafer accommodating container 30. That is, in the wafer accommodating container 30, each semiconductor wafer is inserted and held in a groove provided in the wafer holding portion. Therefore, when the semiconductor wafer is vibrated due to an external impact during transportation of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer and the resin wafer holding portion are rubbed to generate resin deposits, which are adhered to the outer peripheral portion of the wafer. it is conceivable that.

そこで、本発明の目的は、製造した半導体ウェーハを輸送する際に、半導体ウェーハの外周部に樹脂付着物が付着するのを防止することができる梱包構造体、半導体ウェーハの梱包方法および輸送方法を提案することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a packing structure capable of preventing resin deposits from adhering to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer when transporting the manufactured semiconductor wafer, and a packing method and transport method for the semiconductor wafer. To make a suggestion.

上記課題を解決するための本発明の要旨構成は以下の通りである。
(1)複数枚の半導体ウェーハを収容したウェーハ収容容器を挟んで配置される複数の緩衝材と、該複数の緩衝材を収容するコンテナ本体と該コンテナ本体の開口部に着脱自在に嵌め合わされる蓋体とを有する輸送用コンテナとを備える梱包構造体において、
前記緩衝材と前記輸送用コンテナの前記コンテナ本体の側面部との間に、第1の衝撃吸収材が配置されていることを特徴とする梱包構造体。
The gist structure of the present invention for solving the above problems is as follows.
(1) A plurality of cushioning materials arranged so as to sandwich a wafer accommodating container accommodating a plurality of semiconductor wafers, and a container body accommodating the plurality of cushioning materials and the opening of the container body are detachably fitted. In a packaging structure comprising a shipping container with a lid.
A packaging structure characterized in that a first shock absorbing material is arranged between the cushioning material and a side surface portion of the container body of the transportation container.

(2)前記緩衝材と前記第1の衝撃吸収材との間、および前記第1の衝撃吸収材と前記コンテナ本体の側面部との間に空隙が設けられていない、前記(1)に記載の梱包構造体。 (2) The above-mentioned (1), wherein no gap is provided between the cushioning material and the first impact absorbing material, and between the first impact absorbing material and the side surface portion of the container body. Packing structure.

前記緩衝材と前記第1の衝撃吸収材とが樹脂プレートを介して固定されている、前記(1)または(2)に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to (1) or (2) above, wherein the cushioning material and the first impact absorbing material are fixed via a resin plate.

(4)前記第1の衝撃吸収材の前記コンテナ本体の側面部側の表面に樹脂パネルが配置されている、前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の梱包構造体。 (4) The packaging structure according to any one of (1) to (3) above, wherein the resin panel is arranged on the surface of the first impact absorbing material on the side surface side of the container body.

(5)前記緩衝材と前記輸送用コンテナの底面部との間に第2の衝撃吸収材が配置されている、前記(1)〜(4)のいずれか一項に記載の梱包構造体。 (5) The packaging structure according to any one of (1) to (4) above, wherein the second shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the bottom surface portion of the transportation container.

(6)前記緩衝材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に第3の衝撃吸収材が配置されている、前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の梱包構造体。 (6) The packaging structure according to any one of (1) to (5) above, wherein a third shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the lid of the transportation container.

(7)前記緩衝材と前記第3の衝撃吸収材との間、および前記第3の衝撃吸収材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に空隙が設けられていない、前記(6)に記載の梱包構造体。 (7) In the above (6), there is no gap between the cushioning material and the third impact absorbing material, and between the third impact absorbing material and the lid of the transportation container. The packing structure described.

(8)前記コンテナ本体の側面部の少なくとも1つが外側に開く構造を有している、前記(1)〜(7)のいずれか一項に記載の梱包構造体。 (8) The packaging structure according to any one of (1) to (7) above, wherein at least one of the side surface portions of the container body has a structure that opens outward.

(9)前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の梱包構造体。 (9) The packaging structure according to any one of (1) to (8) above, wherein the semiconductor wafer is a silicon wafer.

(10)複数枚の半導体ウェーハをウェーハ収容容器内に互いに平行に収容するウェーハ収容工程と、前記ウェーハ収容容器を前記半導体ウェーハの面内方向が鉛直方向に平行となる状態で、複数の緩衝材で挟み込んで、輸送用コンテナの内部に収容する容器収容工程とを備える半導体ウェーハの梱包方法において、
前記容器収容工程において、前記緩衝材と、前記輸送用コンテナのコンテナ本体の側面部との間に、第1の衝撃吸収材を配置することを特徴とする、半導体ウェーハの梱包方法。
(10) A plurality of cushioning materials in a wafer accommodating step of accommodating a plurality of semiconductor wafers in a wafer accommodating container in parallel with each other and a state in which the in-plane direction of the semiconductor wafer is parallel to the vertical direction of the wafer accommodating container. In a method of packing a semiconductor wafer, which comprises a container accommodating process of sandwiching and accommodating the inside of a transport container.
A method for packing a semiconductor wafer, which comprises arranging a first shock absorbing material between the cushioning material and a side surface portion of a container main body of the transportation container in the container accommodating step.

(11)前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記第1の衝撃吸収材との間、および前記第1の衝撃吸収材と前記コンテナ本体の側面部との間に空隙を設けない、前記(10)に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 (11) In the container accommodating step, no gap is provided between the cushioning material and the first impact absorbing material, and between the first impact absorbing material and the side surface portion of the container body. 10) The method for packing a semiconductor wafer according to 10).

(12)前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記第1の衝撃吸収材とを樹脂プレートを介して固定する、前記(10)または(11)に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 (12) The method for packing a semiconductor wafer according to (10) or (11), wherein the cushioning material and the first impact absorbing material are fixed via a resin plate in the container accommodating step.

(13)前記容器収容工程において、前記第1の衝撃吸収材の前記コンテナ本体の側面部側の表面に樹脂パネルを配置する、前記(10)〜(12)のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 (13) The semiconductor according to any one of (10) to (12) above, wherein in the container accommodating step, a resin panel is arranged on the surface of the first impact absorbing material on the side surface side of the container body. Wafer packing method.

(14)前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記輸送用コンテナの底面部との間に第2の衝撃吸収材を配置する、前記(10)〜(13)のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 (14) The item according to any one of (10) to (13) above, wherein in the container accommodating step, a second shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the bottom surface portion of the transportation container. How to pack semiconductor wafers.

(15)前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に第3の衝撃吸収材を配置する、前記(10)〜(14)のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 (15) The item according to any one of (10) to (14) above, wherein in the container accommodating step, a third impact absorbing material is arranged between the cushioning material and the lid of the transportation container. How to pack semiconductor wafers.

(16)前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記第3の衝撃吸収材との間、および前記第3の衝撃吸収材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に空隙を設けない、前記(15)に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 (16) In the container accommodating step, no gap is provided between the cushioning material and the third impact absorbing material, and between the third impact absorbing material and the lid of the transport container. The method for packing a semiconductor wafer according to (15).

(17)前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、前記(10)〜(16)のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 (17) The method for packing a semiconductor wafer according to any one of (10) to (16) above, wherein the semiconductor wafer is a silicon wafer.

(18)前記(10)〜(17)のいずれかに記載の半導体ウェーハの梱包方法により複数枚の半導体ウェーハを梱包する梱包工程と、
梱包した前記複数枚の半導体ウェーハを所定の場所に輸送する輸送工程と、
を備えることを特徴とする半導体ウェーハの輸送方法。
(18) A packing step of packing a plurality of semiconductor wafers by the semiconductor wafer packing method according to any one of (10) to (17) above, and a packing step of packing a plurality of semiconductor wafers.
A transportation process for transporting the plurality of packed semiconductor wafers to a predetermined location,
A method for transporting a semiconductor wafer, which comprises.

本発明によれば、製造した半導体ウェーハを輸送する際に、半導体ウェーハの外周部に樹脂付着物が付着するのを防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent resin deposits from adhering to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer when the manufactured semiconductor wafer is transported.

従来の梱包構造体を示す図である。It is a figure which shows the conventional packing structure. 本発明による梱包構造体を示す図である。It is a figure which shows the packing structure by this invention. 半導体ウェーハのウェーハ面内方向の振動により、樹脂付着物がウェーハ外周部に付着する様子を示す図である。It is a figure which shows the state that the resin deposit adheres to the outer peripheral part of a wafer by the vibration in the inward direction of the wafer surface of a semiconductor wafer. 外側に開く構造を有する、コンテナ本体の側面部を示す図である。It is a figure which shows the side surface part of the container body which has the structure which opens to the outside. 緩衝材との間、およびコンテナ本体の側面部との間に空隙がないように第1の衝撃吸収材が配置されていることを示す図である。It is a figure which shows that the 1st shock absorbing material is arranged so that there is no void between the cushioning material and the side surface portion of a container body. 緩衝材と第1の衝撃吸収材とが樹脂プレートを介して固定され、また第1の衝撃吸収材のコンテナ本体の側面部側の表面に、樹脂パネルが配置されていることを示す図である。It is a figure which shows that the cushioning material and the first impact absorbing material are fixed with a resin plate, and the resin panel is arranged on the surface of the 1st impact absorbing material on the side surface side of the container body. .. 緩衝材と輸送用コンテナの底面部との間に、第2の衝撃吸収材が配置されていることを示す図である。It is a figure which shows that the 2nd shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the bottom surface part of a transport container. 緩衝材と輸送用コンテナの蓋体との間に、第3の衝撃吸収材が配置されていることを示す図である。It is a figure which shows that the 3rd shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the lid body of a transport container. 緩衝材との間、および輸送用コンテナの蓋体との間に、空隙がないように第3の衝撃吸収材が設けられていることを示す図である。It is a figure which shows that the 3rd shock absorbing material is provided between the cushioning material and the lid of a transport container so that there is no void. 本発明による半導体ウェーハの梱包方法のフローチャートである。It is a flowchart of the packing method of the semiconductor wafer by this invention. 本発明による半導体ウェーハの輸送方法のフローチャートである。It is a flowchart of the transport method of the semiconductor wafer by this invention. 測定された振動加速度のウェーハ厚み方向の成分を示す図である。It is a figure which shows the component of the measured vibration acceleration in the wafer thickness direction. 測定された振動加速度の鉛直方向の成分を示す図である。It is a figure which shows the vertical component of the measured vibration acceleration.

(梱包構造体)
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図2は、本発明による梱包構造体を示している。なお、図2において、図1と同じ構成には、同じ符号が付されている。図2に示した梱包構造体1は、複数枚の半導体ウェーハを収容したウェーハ収容容器30を挟んで配置される複数の緩衝材21〜23と、該複数の緩衝材21〜23を収容するコンテナ本体11と該コンテナ本体11の開口部に着脱自在に嵌め合わされる蓋体12とを有する輸送用コンテナ10とを備える。ここで、緩衝材21〜23と輸送用コンテナ10におけるコンテナ本体11の側面部11aとの間に、衝撃吸収材50(第1の衝撃吸収材)が配置されていることを特徴とする。
(Packing structure)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows a packaging structure according to the present invention. In FIG. 2, the same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. The packing structure 1 shown in FIG. 2 has a plurality of cushioning materials 21 to 23 arranged so as to sandwich a wafer accommodating container 30 accommodating a plurality of semiconductor wafers, and a container accommodating the plurality of cushioning materials 21 to 23. A transportation container 10 having a main body 11 and a lid 12 that is detachably fitted to the opening of the container main body 11 is provided. Here, the shock absorbing material 50 (first shock absorbing material) is arranged between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container main body 11 in the transportation container 10.

本発明者は、ウェーハ製造元で製造した半導体ウェーハを出荷先に輸送する際に、半導体ウェーハの外周部に樹脂付着物が付着するのを防止する方途について鋭意検討した。上述のように、デバイス形成工程における半導体ウェーハへの樹脂付着物の付着は、半導体ウェーハの輸送時に、ウェーハ収容容器30内の半導体ウェーハに衝撃が与えられて振動し、半導体ウェーハと樹脂製のウェーハ保持部との間で擦動が生じたためと考えられる。 The present inventor has diligently studied how to prevent resin deposits from adhering to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer manufactured by the wafer manufacturer is transported to the shipping destination. As described above, the adhesion of the resin deposits to the semiconductor wafer in the device forming process causes the semiconductor wafer in the wafer accommodating container 30 to be impacted and vibrated during the transportation of the semiconductor wafer, resulting in the semiconductor wafer and the resin wafer. It is probable that the rubbing with the holding portion occurred.

図1に示した従来の梱包構造体100においては、緩衝材23とコンテナ本体11の底面部11bとの間に、衝撃吸収材40を配置して、半導体ウェーハの鉛直方向の振動を抑制する対策は既に講じられている。しかしながら、本発明者が詳細に調査した結果、上記樹脂付着物の発生に関与する振動は、半導体ウェーハの鉛直方向の振動ではなく、図3に模式的に示すように、ウェーハ面内方向に垂直な方向、つまりウェーハ厚み方向の振動であることが判明した。 In the conventional packaging structure 100 shown in FIG. 1, a shock absorbing material 40 is arranged between the cushioning material 23 and the bottom surface portion 11b of the container body 11 to suppress vertical vibration of the semiconductor wafer. Has already been taken. However, as a result of detailed investigation by the present inventor, the vibration involved in the generation of the resin deposits is not the vertical vibration of the semiconductor wafer, but is perpendicular to the in-plane direction of the wafer as schematically shown in FIG. It turned out that the vibration was in the correct direction, that is, in the wafer thickness direction.

すなわち、図3に示すように、ウェーハ収容容器30内に設けられたウェーハ保持部31の溝31aに保持された半導体ウェーハWがウェーハ厚み方向に振動すると、半導体ウェーハWとウェーハ保持部31との間で摺動が発生し、半導体ウェーハの外周部に樹脂付着物Rが付着するのである。 That is, as shown in FIG. 3, when the semiconductor wafer W held in the groove 31a of the wafer holding portion 31 provided in the wafer accommodating container 30 vibrates in the wafer thickness direction, the semiconductor wafer W and the wafer holding portion 31 Sliding occurs between the wafers, and the resin deposit R adheres to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer.

図1に示した梱包構造体100における輸送用コンテナ10においては、ウェーハ製造元における半導体ウェーハWの収容作業や出荷先におけるウェーハの取り出し作業での作業性の点から、緩衝材21〜23とコンテナ本体11の側面部11aとの間には隙間(クリアランス)が設けられている。 In the transportation container 10 in the packing structure 100 shown in FIG. 1, the cushioning materials 21 to 23 and the container main body are used from the viewpoint of workability in the work of accommodating the semiconductor wafer W at the wafer manufacturer and the work of taking out the wafer at the shipping destination. A gap (clearance) is provided between the side surface portion 11a and the side surface portion 11a.

しかし、上記樹脂付着物Rの付着を防止するために、本発明者は、緩衝材21〜23のサイズを大きくして、緩衝材21〜23とコンテナ本体部11の側面部11aとの間の隙間(クリアランス)を無くすように構成してみた。しかしながら、樹脂付着物Rは依然としてウェーハ外周部に付着した。 However, in order to prevent the adhesion of the resin deposit R, the present inventor increases the size of the cushioning materials 21 to 23 and between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container main body portion 11. I tried to configure it to eliminate the gap (clearance). However, the resin deposit R still adhered to the outer peripheral portion of the wafer.

この結果を受けて、本発明者は、ウェーハ厚み方向の振動をより抑制して樹脂付着物Rの付着を防止する方途について鋭意検討した。その結果、緩衝材21〜23と、コンテナ本体11の側面部11aとの間に、衝撃吸収材(第1の衝撃吸収材)50を配置することが極めて有効であることを見出し、本発明を完成させたのである。 Based on this result, the present inventor has diligently studied a method of suppressing the vibration in the wafer thickness direction to prevent the adhesion of the resin deposit R. As a result, it was found that it is extremely effective to arrange the shock absorbing material (first shock absorbing material) 50 between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container main body 11, and the present invention has been made. It was completed.

以上の説明から明らかなように、本発明は、緩衝材21〜23と、コンテナ本体11の側面部11aとの間に、第1の衝撃吸収材50を配置することを特徴としている。よって、その他の構成は特に限定されず、従来公知の構成を用いることができる。 As is clear from the above description, the present invention is characterized in that the first shock absorbing material 50 is arranged between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container main body 11. Therefore, other configurations are not particularly limited, and conventionally known configurations can be used.

輸送用コンテナ10のコンテナ本体11は、例えばポリプロピレン製の円柱成型シートを上下から同素材のシートで挟むことによって構成された板材を、輸送パレット上で四枚囲い組み合わせることによって構成することができる。また、輸送用コンテナ10の蓋体12は、例えばポリプロピレンで構成された板材をコンテナ本体11に嵌め込む溝を設けて構成することができる。 The container body 11 of the transportation container 10 can be configured by, for example, enclosing four plate materials made of polypropylene by sandwiching a columnar molded sheet made of polypropylene from above and below with sheets of the same material on a transportation pallet. Further, the lid 12 of the transportation container 10 can be configured by providing a groove for fitting a plate material made of polypropylene, for example, into the container body 11.

上記コンテナ本体11の側面部11aの少なくとも1つは、図4に示すように、外側に開く構造を有していることが好ましい。これにより、ウェーハ製造元における緩衝材21〜23のコンテナ本体11への収容作業や、出荷先での緩衝材21〜23の取り出し作業をより容易にすることができる。側面部11aが外側に開くようにする構成は特に限定されず、例えばヒンジを使用して外側に開くように構成することができる。 As shown in FIG. 4, it is preferable that at least one of the side surface portions 11a of the container body 11 has a structure that opens outward. As a result, it is possible to facilitate the work of accommodating the cushioning materials 21 to 23 in the container main body 11 at the wafer manufacturer and the work of taking out the cushioning materials 21 to 23 at the shipping destination. The configuration in which the side surface portion 11a opens outward is not particularly limited, and can be configured to open outward using, for example, a hinge.

緩衝材21〜23は、ウェーハ収容容器30、ひいては半導体ウェーハWへの衝撃を緩和する部材である。本明細書において、「緩衝材」とは、圧縮されると外力を蓄えて反発する性質(弾性)を有してバネの機能を有する部材を指し、後述する第1の衝撃吸収材50とは明確に区別される。この緩衝材21〜23としては、ポリエチレンやポリスチレンなどを主原料とした発泡材料で成型された部材を用いることができる。緩衝材は、反発する際に力を分散させる特徴を有するため、局所的な外部入力から保護対象物のダメージを防ぐことには適しているが、連続した振動の抑制には適していない。 The cushioning materials 21 to 23 are members for alleviating the impact on the wafer accommodating container 30, and thus the semiconductor wafer W. In the present specification, the "cushioning material" refers to a member having a property (elasticity) of accumulating an external force and repelling when compressed and having a function of a spring, and the first shock absorbing material 50 described later is. Clearly distinguished. As the cushioning materials 21 to 23, a member molded from a foam material having polyethylene, polystyrene or the like as a main raw material can be used. Since the cushioning material has a characteristic of dispersing the force when repelling, it is suitable for preventing damage to the object to be protected from local external input, but is not suitable for suppressing continuous vibration.

第1の衝撃吸収材50は、半導体ウェーハWの厚み方向の衝撃を吸収する部材である。本明細書において、「衝撃吸収材」とは、圧縮された後に下に戻る速度が低く、振動や衝撃吸収性能が高い性質(粘性)を有してダンパーの機能を有する部材であり、上記した緩衝材21〜23とは明確に区別される。この第1の衝撃吸収材50としては、ポリウレタンなどの樹脂製の低反発粘性体を用いることができる。 The first impact absorbing material 50 is a member that absorbs an impact in the thickness direction of the semiconductor wafer W. In the present specification, the "shock absorbing material" is a member having a property (viscosity) of low speed of returning to the bottom after being compressed and high vibration and shock absorbing performance, and having a function of a damper, which is described above. It is clearly distinguished from the cushioning materials 21-23. As the first impact absorbing material 50, a low-repulsion viscous body made of a resin such as polyurethane can be used.

また、第1の衝撃吸収材50の厚みは、5mm以上であることが好ましい。また、第1の衝撃吸収材50の体積や、側面部11aと接触する面の面積、配置する個数については、特に限定されず、半導体ウェーハの振動を抑制できるように、適切な大きさのものを適切な数だけ配置すればよい。 Further, the thickness of the first impact absorbing material 50 is preferably 5 mm or more. Further, the volume of the first shock absorbing material 50, the area of the surface in contact with the side surface portion 11a, and the number of the first shock absorbing materials 50 are not particularly limited, and the size is appropriate so as to suppress the vibration of the semiconductor wafer. You only have to arrange an appropriate number of.

また、第1の衝撃吸収材50の形状は特に限定されず、三角柱形や四角柱形、円柱形など、適切な形状とすることができる。中でも、加圧時に均等に変形することから、円柱形が好ましい。 Further, the shape of the first shock absorbing material 50 is not particularly limited, and an appropriate shape such as a triangular prism shape, a quadrangular prism shape, or a cylinder shape can be used. Of these, a cylindrical shape is preferable because it deforms evenly when pressurized.

こうした梱包構造体1において、図5に示すように、緩衝材21〜23と第1の衝撃吸収材50との間、および第1の衝撃吸収材50とコンテナ本体11の側面部11aとの間に、空隙(クリアランス)が設けられていないことが好ましい。これにより、半導体ウェーハWのウェーハ厚み方向の振動をより抑制することができる。 In such a packing structure 1, as shown in FIG. 5, between the cushioning materials 21 to 23 and the first impact absorbing material 50, and between the first impact absorbing material 50 and the side surface portion 11a of the container main body 11. It is preferable that no void (clearance) is provided. As a result, vibration of the semiconductor wafer W in the wafer thickness direction can be further suppressed.

また、図6に示すように、緩衝材21〜23(図では緩衝材22)と第1の衝撃吸収材50とが樹脂プレート60を介して固定されていることが好ましい。これにより、半導体ウェーハWのウェーハ厚み方向の振動をより抑制することができる。緩衝材21〜23と第1の衝撃吸収材50とが接着剤で固定されていることが好ましく、図6に示したように、ボルトBを用いて固定することがより好ましい。これにより、外部からの衝撃に対する耐久性を高めることができる。 Further, as shown in FIG. 6, it is preferable that the cushioning materials 21 to 23 (cushioning material 22 in the figure) and the first impact absorbing material 50 are fixed via the resin plate 60. As a result, vibration of the semiconductor wafer W in the wafer thickness direction can be further suppressed. It is preferable that the cushioning materials 21 to 23 and the first impact absorbing material 50 are fixed with an adhesive, and it is more preferable to fix them with bolts B as shown in FIG. This makes it possible to increase the durability against an impact from the outside.

上記樹脂プレート60としては、スーパーエンジニアリング樹脂であるフッ素樹脂/peekやエンジニアリング樹脂であるポリカーボネート、汎用樹脂であるポリプロピレンなどで構成されたものを用いることができる。中でも、機械的強度が高いことからポリカーボネートで構成されたものを用いることが好ましい。 As the resin plate 60, one made of fluororesin / peak, which is a super engineering resin, polycarbonate, which is an engineering resin, polypropylene, which is a general-purpose resin, or the like can be used. Above all, it is preferable to use one made of polycarbonate because of its high mechanical strength.

さらに、図6に示すように、衝撃吸収材50のコンテナ本体11の側面部11a側の表面に、樹脂パネル70が配置されていることが好ましい。一般に、樹脂で構成された樹脂パネル70の表面の摩擦係数は小さいため、緩衝材21〜23とコンテナ本体11の側面部11aとの間の摩擦を低減して、ウェーハ製造元における緩衝材21〜23のコンテナ本体11への収容作業や、出荷先での緩衝材21〜23の取り出し作業を容易に行うことができる。この樹脂パネルについても、緩衝材21〜23と第1の衝撃吸収材50とが接着剤で固定されていることが好ましい。これにより、外部からの衝撃に対する耐久性を高めることができる。 Further, as shown in FIG. 6, it is preferable that the resin panel 70 is arranged on the surface of the shock absorbing material 50 on the side surface portion 11a side of the container main body 11. Generally, since the friction coefficient of the surface of the resin panel 70 made of resin is small, the friction between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container body 11 is reduced to reduce the friction between the cushioning materials 21 to 23 at the wafer manufacturer. Can be easily stored in the container body 11 and the cushioning materials 21 to 23 can be easily taken out at the shipping destination. Also in this resin panel, it is preferable that the cushioning materials 21 to 23 and the first shock absorbing material 50 are fixed with an adhesive. This makes it possible to increase the durability against an impact from the outside.

上記樹脂パネル70としては、スーパーエンジニアリング樹脂であるフッ素樹脂/peekやエンジニアリング樹脂であるポリカーボネート、汎用樹脂であるポリプロピレンなどで構成されたものを用いることができる。中でも、表面の摩擦係数が小さく耐摩耗性が高いことから、peekで構成されたものを用いることが好ましい。 As the resin panel 70, one composed of fluororesin / peak, which is a super engineering resin, polycarbonate, which is an engineering resin, polypropylene, which is a general-purpose resin, or the like can be used. Above all, since the friction coefficient of the surface is small and the wear resistance is high, it is preferable to use one composed of peak.

また、図7に示すように、緩衝材23と輸送用コンテナ10の底面部11bとの間に、衝撃吸収材(第2の衝撃吸収材)80が配置されていることが好ましい。これにより、従来の梱包構造体100と同様に、鉛直方向の振動を抑制することができる。この第2の衝撃吸収材80は、第1の衝撃吸収材50と同じ材料や形状で構成することができる。 Further, as shown in FIG. 7, it is preferable that the shock absorbing material (second shock absorbing material) 80 is arranged between the cushioning material 23 and the bottom surface portion 11b of the transportation container 10. As a result, vibration in the vertical direction can be suppressed as in the conventional packaging structure 100. The second impact absorbing material 80 can be made of the same material and shape as the first impact absorbing material 50.

さらに、図8に示すように、緩衝材21〜23と輸送用コンテナ10の蓋体12との間に衝撃吸収材(第3の衝撃吸収材)90が配置されていることが好ましい。これにより、半導体ウェーハの鉛直方向の振動をより抑制することができる。この第3の衝撃吸収材90についても、第1の衝撃吸収材50と同じ材料や形状で構成することができる。 Further, as shown in FIG. 8, it is preferable that the shock absorbing material (third shock absorbing material) 90 is arranged between the cushioning materials 21 to 23 and the lid 12 of the transportation container 10. This makes it possible to further suppress vertical vibration of the semiconductor wafer. The third impact absorbing material 90 can also be made of the same material and shape as the first impact absorbing material 50.

上記第3の衝撃吸収材90を配置する際に、図9に示すように、緩衝材21と第3の衝撃吸収材90との間、および第3の衝撃吸収材90と輸送用コンテナ10の蓋体12との間に、空隙(クリアランス)が設けられていないことが好ましい。これにより、半導体ウェーハWの鉛直方向の振動をさらに抑制することができる。 When arranging the third impact absorbing material 90, as shown in FIG. 9, between the cushioning material 21 and the third impact absorbing material 90, and between the third impact absorbing material 90 and the transportation container 10. It is preferable that no gap (clearance) is provided between the lid body 12 and the lid body 12. Thereby, the vibration in the vertical direction of the semiconductor wafer W can be further suppressed.

また、本発明による梱包構造体に梱包する半導体ウェーハWは、特に限定されず、例えばシリコンウェーハとすることができる。また、半導体ウェーハWの径についても特に限定されず、200mm、300mm、450mmなどとすることができる。 Further, the semiconductor wafer W to be packed in the packing structure according to the present invention is not particularly limited, and may be, for example, a silicon wafer. Further, the diameter of the semiconductor wafer W is not particularly limited, and may be 200 mm, 300 mm, 450 mm, or the like.

上記半導体ウェーハWを収容するウェーハ収容容器30としては、複数枚の半導体ウェーハWが接触しないように保持できる公知の適切な容器を使用することができる。こうした容器として、例えばFOSB(Front Opening Shipping Box)が知られている(例えば、特開2005−353898号公報や、特表2005−518318号公報、特表2014−527721号公報参照)。FOSBは、SEMI規格M31で標準化されている。 As the wafer accommodating container 30 for accommodating the semiconductor wafer W, a known appropriate container capable of holding a plurality of semiconductor wafers W so as not to come into contact with each other can be used. As such a container, for example, FOSB (Front Opening Shipping Box) is known (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-335888, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-518318, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-527721). FOSB is standardized by SEMI standard M31.

ウェーハ収容容器30の内部には、半導体ウェーハWを保持する樹脂製のウェーハ保持部31が設けられており、このウェーハ保持部31に形成された溝31aに半導体ウェーハWを挿入することによって半導体ウェーハWを保持するように構成されている。 A resin wafer holding portion 31 for holding the semiconductor wafer W is provided inside the wafer accommodating container 30, and the semiconductor wafer W is inserted into the groove 31a formed in the wafer holding portion 31 to insert the semiconductor wafer W. It is configured to hold W.

このような本発明による梱包構造体1により、製造した半導体ウェーハWを輸送する際に、半導体ウェーハWのウェーハ厚み方向の振動を抑制して、半導体ウェーハWの外周部に樹脂付着物Rが付着するのを防止することができる。 When the manufactured semiconductor wafer W is transported by the packaging structure 1 according to the present invention, the vibration of the semiconductor wafer W in the wafer thickness direction is suppressed, and the resin deposit R adheres to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. Can be prevented from doing so.

(半導体ウェーハの梱包方法)
次に、本発明による半導体ウェーハの梱包方法について説明する。図10は、本発明による半導体ウェーハの梱包方法のフローチャートを示している。本発明による半導体ウェーハの梱包方法は、複数枚の半導体ウェーハWをウェーハ収容容器30内に互いに平行に収容するウェーハ収容工程(ステップS1)と、ウェーハ収容容器30を半導体ウェーハWの面内方向が鉛直方向に平行となる状態で、複数の緩衝材21〜23で挟み込んで、輸送用コンテナ10の内部に収容する容器収容工程(ステップS2)とを備える。ここで、上記容器収容工程において、緩衝材21〜23と、輸送用コンテナ10のコンテナ本体11の側面部11aとの間に、衝撃吸収材(第1の衝撃吸収材)50を配置することを特徴とする。
(Packaging method for semiconductor wafers)
Next, a method for packing a semiconductor wafer according to the present invention will be described. FIG. 10 shows a flowchart of a method for packing a semiconductor wafer according to the present invention. The method for packing a semiconductor wafer according to the present invention includes a wafer accommodating step (step S1) in which a plurality of semiconductor wafers W are accommodated in parallel to each other in the wafer accommodating container 30, and the in-plane direction of the semiconductor wafer W in the wafer accommodating container 30. It is provided with a container accommodating step (step S2) of sandwiching the cushioning materials 21 to 23 in a state of being parallel to each other in the vertical direction and accommodating the inside of the transport container 10. Here, in the container accommodating step, the shock absorbing material (first shock absorbing material) 50 is arranged between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container main body 11 of the transportation container 10. It is a feature.

まず、ステップS1において、複数枚の半導体ウェーハWをウェーハ収容容器30内に互いに平行に収容する(ウェーハ収容工程)。このウェーハ収容工程では、ウェーハ製造元で製造された複数枚(例えば、25枚)の半導体ウェーハWを、ウェーハ収容容器30に収容する。 First, in step S1, a plurality of semiconductor wafers W are accommodated in the wafer accommodating container 30 in parallel with each other (wafer accommodating step). In this wafer accommodating step, a plurality of (for example, 25) semiconductor wafers W manufactured by the wafer manufacturer are accommodated in the wafer accommodating container 30.

半導体ウェーハWは、特に限定されず、例えばシリコンウェーハとすることができること、半導体ウェーハWの径についても特に限定されず、200mm、300mm、450mmなどとすることができることは既述の通りである。 As described above, the semiconductor wafer W is not particularly limited, and can be, for example, a silicon wafer, and the diameter of the semiconductor wafer W is not particularly limited, and can be 200 mm, 300 mm, 450 mm, or the like.

また、ウェーハ収容容器30としては、複数枚の半導体ウェーハWが接触しないように保持することができる公知の適切な容器を使用することができ、例えばFOSBを使用できることは記述の通りである。半導体ウェーハWは、ウェーハ収容容器30内に設けられたウェーハ保持部31に形成された溝31aに挿入して、ウェーハ収容容器30内に収容する。 Further, as the wafer accommodating container 30, a known appropriate container capable of holding a plurality of semiconductor wafers W so as not to come into contact with each other can be used, and for example, FOSB can be used as described above. The semiconductor wafer W is inserted into the groove 31a formed in the wafer holding portion 31 provided in the wafer accommodating container 30 and accommodated in the wafer accommodating container 30.

次に、ステップS2において、ウェーハ収容容器30を半導体ウェーハWの面内方向が鉛直方向に平行となる状態で、緩衝材21〜23を介して輸送用コンテナ10の内部に収容する(容器収容工程)。その際、緩衝材21〜23と、輸送用コンテナ10の半導体ウェーハWの面内方向に平行な側面部11aとの間に、第1の衝撃吸収材50を配置することが肝要である。これにより、製造した半導体ウェーハWを輸送する際に、半導体ウェーハWのウェーハ厚み方向の振動を抑制することができる。その結果、半導体ウェーハWとウェーハ収容容器30内のウェーハ保持部31との擦動を抑制して、半導体ウェーハW外周部への樹脂付着物Rの付着を防止することができる。 Next, in step S2, the wafer accommodating container 30 is accommodated inside the transport container 10 via the cushioning materials 21 to 23 in a state where the in-plane direction of the semiconductor wafer W is parallel to the vertical direction (container accommodating step). ). At that time, it is important to arrange the first shock absorbing material 50 between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a parallel to the in-plane direction of the semiconductor wafer W of the transportation container 10. Thereby, when the manufactured semiconductor wafer W is transported, the vibration of the semiconductor wafer W in the wafer thickness direction can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the rubbing between the semiconductor wafer W and the wafer holding portion 31 in the wafer accommodating container 30 and prevent the resin deposit R from adhering to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W.

本容器収容工程において、緩衝材21〜23と第1の衝撃吸収材50との間、および第1の衝撃吸収材50とコンテナ本体11の側面部11aとの間に空隙(クリアランス)を設けないことが好ましいことは既述の通りである。 In this container accommodating step, no gap (clearance) is provided between the cushioning materials 21 to 23 and the first impact absorbing material 50, and between the first impact absorbing material 50 and the side surface portion 11a of the container main body 11. As described above, this is preferable.

また、本容器収容工程において、緩衝材21〜23と第1の衝撃吸収材50とが樹脂プレート60を介して固定されていることが好ましいこと、緩衝材21〜23の輸送用コンテナ10におけるコンテナ本体11の側面部11a側の表面に樹脂パネル70を配置することが好ましいことも既述の通りである。 Further, in the present container accommodating step, it is preferable that the cushioning materials 21 to 23 and the first shock absorbing material 50 are fixed via the resin plate 60, and the container in the transport container 10 of the cushioning materials 21 to 23. As described above, it is preferable to arrange the resin panel 70 on the surface of the main body 11 on the side surface portion 11a side.

さらに、本容器収容工程において、緩衝材23と輸送用コンテナ10の底面部11bとの間に、衝撃吸収材(第2の衝撃吸収材)80が配置することが好ましいことも既述の通りである。 Further, as described above, in the present container accommodating step, it is preferable to dispose the shock absorbing material (second shock absorbing material) 80 between the cushioning material 23 and the bottom surface portion 11b of the transportation container 10. be.

さらにまた、本容器収容工程において、緩衝材21〜23と輸送用コンテナ10の蓋体12との間に衝撃吸収材(第3の衝撃吸収材)90を配置することが好ましいこと、緩衝材21と第3の衝撃吸収材90との間、および第3の衝撃吸収材90と蓋体12との間に空隙を設けないことが好ましいことも既述の通りである。 Furthermore, in the present container accommodating step, it is preferable to dispose the shock absorbing material (third shock absorbing material) 90 between the cushioning materials 21 to 23 and the lid 12 of the transport container 10, and the cushioning material 21. As described above, it is preferable not to provide a gap between the third shock absorbing material 90 and the third shock absorbing material 90 and the lid body 12.

このような本発明による半導体ウェーハの梱包方法により、製造した半導体ウェーハWを輸送する際に、半導体ウェーハWのウェーハ厚み方向の振動を抑制して、半導体ウェーハWの外周部に樹脂付着物Rが付着するのを防止することができる。 By the semiconductor wafer packing method according to the present invention, when the manufactured semiconductor wafer W is transported, the vibration of the semiconductor wafer W in the wafer thickness direction is suppressed, and the resin deposit R is formed on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. It can be prevented from adhering.

(半導体ウェーハの輸送方法)
続いて、本発明による半導体ウェーハの輸送方法について説明する。図11は、本発明による半導体ウェーハの梱包方法のフローチャートを示している。本発明による半導体ウェーハの輸送方法は、上述した本発明による半導体ウェーハの梱包方法により複数枚の半導体ウェーハWを梱包する梱包工程(ステップS11)と、梱包した複数枚の半導体ウェーハWを所定の場所に輸送する輸送工程(ステップS12)とを備えることを特徴とする。
(Transportation method of semiconductor wafer)
Subsequently, a method for transporting a semiconductor wafer according to the present invention will be described. FIG. 11 shows a flowchart of a method for packing a semiconductor wafer according to the present invention. The method for transporting a semiconductor wafer according to the present invention includes a packing step (step S11) for packing a plurality of semiconductor wafers W by the above-described method for packing a semiconductor wafer according to the present invention, and a predetermined location for packing the plurality of semiconductor wafers W. It is characterized by comprising a transportation step (step S12) for transporting to.

本発明による半導体ウェーハの輸送方法は、ステップS11の梱包工程において、上述した本発明による半導体ウェーハの梱包方法により複数枚の半導体ウェーハWを梱包することを特徴としている。これにより、半導体ウェーハWのウェーハ厚み方向の振動を抑制して、半導体ウェーハWの外周部に樹脂付着物が付着するのを防止することができる。上記ステップS11における梱包工程は、図10におけるステップS1のウェーハ収容工程S1と、ステップS2の容器収容工程とからなり、説明は省略する。 The method for transporting semiconductor wafers according to the present invention is characterized in that, in the packing step of step S11, a plurality of semiconductor wafers W are packed by the above-described method for packing semiconductor wafers according to the present invention. As a result, it is possible to suppress vibration of the semiconductor wafer W in the wafer thickness direction and prevent resin deposits from adhering to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. The packing step in step S11 includes a wafer accommodating step S1 in step S1 in FIG. 10 and a container accommodating step in step S2, and the description thereof will be omitted.

ステップS12において、ステップS11にて梱包した複数枚の半導体ウェーハWを所定の場所に輸送する。これは、例えば車により行うことができる。 In step S12, the plurality of semiconductor wafers W packed in step S11 are transported to a predetermined place. This can be done, for example, by car.

こうして、本発明による半導体ウェーハの輸送方法により、製造した半導体ウェーハWを輸送する際に、半導体ウェーハWのウェーハ厚み方向の振動を抑制して、半導体ウェーハWの外周部に樹脂付着物Rが付着するのを防止することができる。 In this way, when the manufactured semiconductor wafer W is transported by the semiconductor wafer transport method according to the present invention, the vibration of the semiconductor wafer W in the wafer thickness direction is suppressed, and the resin deposit R adheres to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. Can be prevented from doing so.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されない。 Hereinafter, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the examples.

(発明例1)
図10に示したフローチャートに従って、製造した半導体ウェーハWを梱包した。具体的には、直径300mmのシリコンウェーハを300枚用意し、25枚毎に1つのFOSBに収容した。シリコンウェーハが収容された12個のFOSBを、図7のように梱包した。ここで、緩衝材21〜23は発泡ポリエチレンで構成し、輸送用コンテナの本体はポリプロピレンで、蓋体12も同じくポリプロピレンでそれぞれ構成した。また、第1の衝撃吸収材50および80は、ポリウレタンで構成し、その大きさは、第1の衝撃吸収材50の直径を65mm、厚みを20mmとし、第2の衝撃吸収材80の直径を65mm、厚みを30mmとした。そして、コンテナ本体11の側面部11aと各緩衝材21〜23との間に、第1の衝撃吸収材50をそれぞれの緩衝材に4個ずつ配置して(図6)緩衝材21〜23上に接着固定し、コンテナ本体11の側面部11aとの間に1cmの隙間(クリアランス)を設けた。また、第2の衝撃吸収材80は、ウェーハ収容容器30直下に1個ずつ、計6個配置した。
(Invention Example 1)
The manufactured semiconductor wafer W was packed according to the flowchart shown in FIG. Specifically, 300 silicon wafers having a diameter of 300 mm were prepared and housed in one FOSB every 25 wafers. Twelve FOSBs containing silicon wafers were packed as shown in FIG. Here, the cushioning materials 21 to 23 are made of foamed polyethylene, the main body of the transport container is made of polypropylene, and the lid 12 is also made of polypropylene. Further, the first impact absorbers 50 and 80 are made of polyurethane, and the size thereof is such that the diameter of the first impact absorber 50 is 65 mm and the thickness is 20 mm, and the diameter of the second impact absorber 80 is set. The thickness was 65 mm and the thickness was 30 mm. Then, four first shock absorbing materials 50 are arranged in each cushioning material between the side surface portions 11a of the container main body 11 and the cushioning materials 21 to 23 (FIG. 6) on the cushioning materials 21 to 23. A gap (clearance) of 1 cm was provided between the container body 11 and the side surface portion 11a of the container body 11. In addition, a total of 6 second shock absorbing materials 80 were arranged, one directly under the wafer accommodating container 30.

(発明例2)
発明例1と同様に、製造した半導体ウェーハWを梱包した。ただし、図5に示したように、コンテナ本体11の側面部11aと第1の衝撃吸収材50との間に隙間(クリアランス)を設けなかった。その他の条件は発明例1と全て同じである。
(Invention Example 2)
The manufactured semiconductor wafer W was packed in the same manner as in Invention Example 1. However, as shown in FIG. 5, no gap (clearance) was provided between the side surface portion 11a of the container body 11 and the first impact absorbing material 50. All other conditions are the same as in Invention Example 1.

(発明例3)
発明例2と同様に、製造した半導体ウェーハWを梱包した。ただし、輸送用コンテナ10の蓋体12と緩衝材21との間に第3の衝撃吸収材90をウェーハ収容容器30直上に1個ずつ、計6個配置した。第3の衝撃吸収材90の直径は65mm、厚みは20mmとした。また、蓋体12と第3の衝撃吸収材90との間、および第3の衝撃吸収材90と緩衝材21との間に隙間(クリアランス)を設けなかった。その他の条件は発明例2と全て同じである。
(Invention Example 3)
The manufactured semiconductor wafer W was packed in the same manner as in Invention Example 2. However, a total of six third shock absorbing materials 90 were arranged between the lid 12 of the transport container 10 and the cushioning material 21, one on each directly above the wafer accommodating container 30. The diameter of the third shock absorber 90 was 65 mm, and the thickness was 20 mm. Further, no gap (clearance) was provided between the lid 12 and the third impact absorbing material 90, and between the third impact absorbing material 90 and the cushioning material 21. Other conditions are all the same as in Invention Example 2.

(比較例1)
発明例1と同様に、製造した半導体ウェーハWを梱包した。ただし、第1の衝撃吸収材50および第2の衝撃吸収材80を設けなかった。また、コンテナ本体11の側面部11aと各緩衝材21〜23との間には、1cmの隙間(クリアランス)を設けた。その他の条件は発明例1と全て同じである。
(Comparative Example 1)
The manufactured semiconductor wafer W was packed in the same manner as in Invention Example 1. However, the first impact absorbing material 50 and the second impact absorbing material 80 were not provided. Further, a gap (clearance) of 1 cm is provided between the side surface portion 11a of the container main body 11 and the cushioning materials 21 to 23. All other conditions are the same as in Invention Example 1.

(比較例2)
比較例1と同様に、製造した半導体ウェーハWを梱包した。ただし、コンテナ本体11の側面部11aと緩衝材21〜23との間に隙間(クリアランス)を設けなかった。その他の条件は比較例1と全て同じである。
(Comparative Example 2)
The manufactured semiconductor wafer W was packed in the same manner as in Comparative Example 1. However, no gap (clearance) was provided between the side surface portions 11a of the container body 11 and the cushioning materials 21 to 23. All other conditions are the same as in Comparative Example 1.

(比較例3)
比較例2と同様に、製造した半導体ウェーハWを梱包した。ただし、コンテナ本体11の底面部11bと緩衝材23との間に、発明例1と同じ第2の衝撃吸収材80を6個配置した。その他の条件は比較例2と全て同じである。発明例1〜3、比較例1〜3の梱包条件を表1に示す。
(Comparative Example 3)
The manufactured semiconductor wafer W was packed in the same manner as in Comparative Example 2. However, six second shock absorbing materials 80, which are the same as those in the first invention, are arranged between the bottom surface portion 11b of the container body 11 and the cushioning material 23. All other conditions are the same as in Comparative Example 2. Table 1 shows the packing conditions of Invention Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3.

Figure 0006988302
Figure 0006988302

<振動加速度の評価>
上述のように用意した発明例1〜3、比較例1〜3に対して、ウェーハの輸送時に収容された半導体ウェーハに発生する振動を評価した。具体的には、各発明例、比較例の梱包構造体を振動試験機により加振し、上段の1つのFOSBに振動data loggerを取り付け、振動加速度(G)を測定した。表2に振動条件を示す。また、測定された振動加速度のウェーハ厚み方向の成分を図12に示す。また、発明例3、比較例1および3について、振動加速度の鉛直方向の成分を図13に示す。
<Evaluation of vibration acceleration>
The vibration generated in the semiconductor wafer accommodated during the transportation of the wafer was evaluated with respect to Invention Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 prepared as described above. Specifically, the packaging structures of the examples of the invention and the comparative example were vibrated by a vibration tester, a vibration data logger was attached to one FOSB in the upper stage, and the vibration acceleration (G) was measured. Table 2 shows the vibration conditions. Further, FIG. 12 shows the components of the measured vibration acceleration in the wafer thickness direction. Further, with respect to Invention Example 3, Comparative Examples 1 and 3, the vertical component of the vibration acceleration is shown in FIG.

Figure 0006988302
Figure 0006988302

図12における比較例1と比較例2との対比から、緩衝材21〜23とコンテナ本体11の側面部11aとの間の隙間(クリアランス)を無くすことにより、ウェーハ厚み方向の振動が抑制されることが分かる。また、比較例2と比較例3との対比から、両者におけるウェーハ厚み方向の振動抑制効果は同程度であることが分かる。さらに、比較例3と発明例1との対比から、緩衝材21〜23とコンテナ本体11の側面部11aとの間に第1の衝撃吸収材50を配置することにより、ウェーハ面内方向の振動が大きく低減されることが分かる。そして、発明例1と発明例2との対比から、緩衝材21〜23とコンテナ本体11の側面部11aとの間の隙間(クリアランス)を無くすことにより、ウェーハ厚み方向の振動がさらに大きく抑制されることが分かる。また、発明例2と発明例3との対比から、輸送用コンテナ10の蓋体12と緩衝材21との間に、第3の衝撃吸収材90をさらに配置することにより、ウェーハ厚み方向の振動がさらに抑制されることが分かる。 From the comparison between Comparative Example 1 and Comparative Example 2 in FIG. 12, vibration in the wafer thickness direction is suppressed by eliminating the gap (clearance) between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container body 11. You can see that. Further, from the comparison between Comparative Example 2 and Comparative Example 3, it can be seen that the vibration suppression effect in the wafer thickness direction in both is about the same. Further, from the comparison between Comparative Example 3 and Invention Example 1, by arranging the first impact absorbing material 50 between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container main body 11, the vibration in the wafer surface inward direction is obtained. Can be seen to be greatly reduced. Then, from the comparison between Invention Example 1 and Invention Example 2, by eliminating the gap (clearance) between the cushioning materials 21 to 23 and the side surface portion 11a of the container body 11, vibration in the wafer thickness direction is further suppressed. You can see that. Further, from the comparison between Invention Example 2 and Invention Example 3, a third shock absorbing material 90 is further arranged between the lid 12 of the transport container 10 and the cushioning material 21, thereby vibrating in the thickness direction of the wafer. Can be seen to be further suppressed.

図13における比較例1と比較例3との対比から、コンテナ本体11の底面部11bと緩衝材23との間に、第2の衝撃吸収材80を配置することにより、シリコンウェーハの鉛直方向の振動が抑制されていることが分かる。また、比較例3と発明例3との対比から、輸送用コンテナ10の蓋体12と緩衝材21との間に、第3の衝撃吸収材90をさらに配置することにより、シリコンウェーハの鉛直方向の振動がさらに抑制されることが分かる。 From the comparison between Comparative Example 1 and Comparative Example 3 in FIG. 13, by arranging the second shock absorbing material 80 between the bottom surface portion 11b of the container main body 11 and the cushioning material 23, the silicon wafer is arranged in the vertical direction. It can be seen that the vibration is suppressed. Further, from the comparison between Comparative Example 3 and Invention Example 3, by further arranging the third impact absorbing material 90 between the lid 12 of the transport container 10 and the cushioning material 21, the vertical direction of the silicon wafer is obtained. It can be seen that the vibration of is further suppressed.

<樹脂付着物の有無の評価>
発明例1〜3、比較例1〜3について、上記振動試験の後に、樹脂付着物Rが付着したか否かを評価した。得られた結果を表1に示す。表1から明らかなように、発明例1〜3については、シリコンウェーハの外周部に樹脂付着物Rは付着しなかったのに対して、比較例1〜3については、シリコンウェーハの外周部に樹脂付着物Rが付着した。
<Evaluation of the presence or absence of resin deposits>
With respect to Invention Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, it was evaluated whether or not the resin deposit R adhered after the vibration test. The results obtained are shown in Table 1. As is clear from Table 1, in the invention examples 1 to 3, the resin deposit R did not adhere to the outer peripheral portion of the silicon wafer, whereas in the comparative examples 1 to 3, it was attached to the outer peripheral portion of the silicon wafer. The resin deposit R adhered.

本発明によれば、製造した半導体ウェーハを輸送する際に、半導体ウェーハのウェーハ厚み方向の振動を抑制して、半導体ウェーハの外周部に樹脂付着物が付着するのを抑制することができるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。 According to the present invention, when transporting a manufactured semiconductor wafer, vibration in the wafer thickness direction of the semiconductor wafer can be suppressed, and resin deposits can be suppressed from adhering to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. It is useful in the semiconductor wafer manufacturing industry.

1,100 梱包構造体
10 輸送用コンテナ
11 コンテナ本体
11a 側面部
11b 底面部
12 蓋体
21,22,23 緩衝材
30 ウェーハ収容容器
31 ウェーハ保持部
31a 溝
40,50,80,90 衝撃吸収材
60 樹脂プレート
70 樹脂パネル
B ボルト
R 樹脂付着物
W 半導体ウェーハ
1,100 Packing structure 10 Transport container 11 Container body 11a Side surface 11b Bottom surface 12 Lid 21 / 22,23 Cushioning material 30 Wafer storage container 31 Wafer holding unit 31a Groove 40, 50, 80, 90 Shock absorber 60 Resin plate 70 Resin panel B Bolt R Resin deposit W Semiconductor wafer

Claims (16)

複数枚の半導体ウェーハを収容したウェーハ収容容器を挟んで配置される複数の緩衝材と、該複数の緩衝材を収容するコンテナ本体と該コンテナ本体の開口部に着脱自在に嵌め合わされる蓋体とを有する輸送用コンテナとを備える梱包構造体において、
前記緩衝材と前記輸送用コンテナにおける前記コンテナ本体の側面部との間に、第1の衝撃吸収材が配置されており、
前記第1の衝撃吸収材は、前記コンテナ本体の前記側面部毎に複数配置されており、
前記複数の第1の衝撃吸収材の各々は、前記緩衝材と個別の樹脂プレートを介して固定されており、
前記複数の第1の衝撃吸収材の各々の前記コンテナ本体の側面部側の表面に個別の樹脂パネルが固定されており、
前記樹脂パネルは、前記第1の衝撃吸収材のみに直接固定されていることを特徴とする梱包構造体。
A plurality of cushioning materials arranged so as to sandwich a wafer accommodating container accommodating a plurality of semiconductor wafers, a container body accommodating the plurality of cushioning materials, and a lid detachably fitted in an opening of the container body. In a packaging structure with a shipping container and
A first shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the side surface portion of the container body in the shipping container.
A plurality of the first impact absorbing materials are arranged for each of the side surface portions of the container body.
Each of the plurality of first impact absorbers is fixed via the cushioning material and a separate resin plate.
An individual resin panel is fixed to the surface of each of the plurality of first impact absorbers on the side surface side of the container body.
The packaging structure is characterized in that the resin panel is directly fixed only to the first shock absorbing material.
前記緩衝材と前記第1の衝撃吸収材との間、および前記第1の衝撃吸収材と前記コンテナ本体の側面部との間に空隙が設けられていない、請求項1に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to claim 1, wherein no gap is provided between the cushioning material and the first impact absorbing material, and between the first impact absorbing material and the side surface portion of the container body. .. 前記緩衝材は、鉛直方向に延びる部分と水平方向に延びる部分とが一体に成型されている、請求項1または2に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to claim 1 or 2, wherein the cushioning material has a vertically extending portion and a horizontally extending portion integrally molded. 前記緩衝材と前記輸送用コンテナの底面部との間に第2の衝撃吸収材が配置されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to any one of claims 1 to 3, wherein a second shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the bottom surface portion of the transportation container. 前記緩衝材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に第3の衝撃吸収材が配置されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to any one of claims 1 to 4, wherein a third shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the lid of the transportation container. 前記緩衝材と前記第3の衝撃吸収材との間、および前記第3の衝撃吸収材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に空隙が設けられていない、請求項5に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to claim 5, wherein no gap is provided between the cushioning material and the third impact absorbing material, and between the third impact absorbing material and the lid of the transportation container. body. 前記コンテナ本体の側面部の少なくとも1つが外側に開く構造を有している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to any one of claims 1 to 6, wherein at least one of the side surface portions of the container body has a structure that opens outward. 前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の梱包構造体。 The packaging structure according to any one of claims 1 to 7, wherein the semiconductor wafer is a silicon wafer. 複数枚の半導体ウェーハをウェーハ収容容器内に互いに平行に収容するウェーハ収容工程と、前記ウェーハ収容容器を前記半導体ウェーハの面内方向が鉛直方向に平行となる状態で、複数の緩衝材で挟み込んで、輸送用コンテナの内部に収容する容器収容工程とを備える半導体ウェーハの梱包方法において、
前記容器収容工程において、前記緩衝材と、前記輸送用コンテナのコンテナ本体の側面部との間に、第1の衝撃吸収材を配置し、
前記容器収容工程において、前記第1の衝撃吸収材を、前記コンテナ本体の前記側面部毎に複数配置し、
前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記第1の衝撃吸収材とを個別の樹脂プレートを介して固定し、
前記容器収容工程において、前記第1の衝撃吸収材の前記コンテナ本体の側面部側の表面に個別の樹脂パネルを固定し、
前記容器収容工程において、前記樹脂パネルを、前記第1の衝撃吸収材のみに直接固定することを特徴とする、半導体ウェーハの梱包方法。
A wafer accommodating process in which a plurality of semiconductor wafers are accommodated in parallel to each other in a wafer accommodating container, and the wafer accommodating container is sandwiched between a plurality of cushioning materials in a state where the in-plane direction of the semiconductor wafer is parallel to the vertical direction. In a method of packing a semiconductor wafer, which comprises a container accommodating step of accommodating the inside of a transport container.
In the container accommodating step, a first impact absorbing material is arranged between the cushioning material and the side surface portion of the container body of the transportation container.
In the container accommodating step, a plurality of the first impact absorbing materials are arranged for each of the side surface portions of the container body.
In the container accommodating step, the cushioning material and the first impact absorbing material are fixed via individual resin plates.
In the container accommodating step, an individual resin panel is fixed to the surface of the first impact absorber on the side surface side of the container body.
A method for packing a semiconductor wafer, which comprises directly fixing the resin panel only to the first impact absorbing material in the container accommodating step.
前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記第1の衝撃吸収材との間、および前記第1の衝撃吸収材と前記コンテナ本体の側面部との間に空隙を設けない、請求項9に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 The ninth aspect of the present invention, wherein in the container accommodating step, no gap is provided between the cushioning material and the first impact absorbing material, and between the first impact absorbing material and the side surface portion of the container body. How to pack semiconductor wafers. 前記緩衝材は、鉛直方向に延びる部分と水平方向に延びる部分とが一体に成型されている、請求項9または10に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 The method for packing a semiconductor wafer according to claim 9 or 10, wherein the cushioning material has a vertically extending portion and a horizontally extending portion integrally molded. 前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記輸送用コンテナの底面部との間に第2の衝撃吸収材を配置する、請求項9〜11のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 The method for packing a semiconductor wafer according to any one of claims 9 to 11, wherein a second shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the bottom surface portion of the transportation container in the container accommodating step. 前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に第3の衝撃吸収材を配置する、請求項9〜12のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 The method for packing a semiconductor wafer according to any one of claims 9 to 12, wherein a third shock absorbing material is arranged between the cushioning material and the lid of the transportation container in the container accommodating step. 前記容器収容工程において、前記緩衝材と前記第3の衝撃吸収材との間、および前記緩衝材と前記輸送用コンテナの蓋体との間に空隙を設けない、請求項13に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 13. The semiconductor wafer according to claim 13, wherein in the container accommodating step, no gap is provided between the cushioning material and the third shock absorbing material, and between the cushioning material and the lid of the transportation container. Packing method. 前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項9〜14のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの梱包方法。 The method for packing a semiconductor wafer according to any one of claims 9 to 14, wherein the semiconductor wafer is a silicon wafer. 請求項9〜15のいずれかに記載の半導体ウェーハの梱包方法により複数枚の半導体ウェーハを梱包する梱包工程と、
梱包した前記複数枚の半導体ウェーハを所定の場所に輸送する輸送工程と、
を備えることを特徴とする半導体ウェーハの輸送方法。
A packing step of packing a plurality of semiconductor wafers by the semiconductor wafer packing method according to any one of claims 9 to 15.
A transportation process for transporting the plurality of packed semiconductor wafers to a predetermined location,
A method for transporting a semiconductor wafer, which comprises.
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