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JP6992155B2 - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents
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JP6992155B2 - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、液処理装置および液処理方法に関する。
従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）を様々な処理液で処理する液処理装置が知られている。かかる液処理装置では、ウェハを高温で温度制御しながら液処理を行うことにより、処理効率を向上させることができる（たとえば、特許文献１参照）。
特開２０１７－１１２３６４号公報
しかしながら、従来の液処理装置では、ウェハにおける特定の部位（たとえば、ウェハのベベル部）を個別に温度制御することが困難であった。
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、液処理されるウェハにおける特定の部位を個別に温度制御することができる液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る液処理装置は、発熱部材と、基板保持部と、処理液供給部と、コイルとを備える。前記発熱部材は、基板の一部に近接して配置され断熱部材を有する。前記基板保持部は、前記基板を保持する。前記処理液供給部は、前記基板保持部に保持された前記基板上に処理液を供給する。前記コイルは、前記発熱部材を誘導加熱することにより前記基板の一部を加熱する。
実施形態の一態様によれば、液処理されるウェハにおける特定の部位を個別に温度制御することができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、液処理ユニットの構成を示す模式図である。 図３Ａは、第１実施形態に係る基板保持機構の構成を示す断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態に係る発熱部材の構成を示す上面図である。 図３Ｃは、第１実施形態に係るコイル部の構成を示す上面図である。 図４Ａは、第２実施形態に係る基板保持機構の構成を示す断面図である。 図４Ｂは、第２実施形態に係る発熱部材の構成を示す上面図である。 図４Ｃは、第２実施形態に係るコイル部の構成を示す上面図である。 図５は、第２実施形態の変形例１に係る基板保持機構の構成を示す断面図である。 図６は、第２実施形態の変形例２に係る基板保持機構の構成を示す断面図である。 図７は、第２実施形態の変形例３に係るコイル部の構成を示す上面図である。 図８Ａは、第２実施形態の変形例４に係る基板保持機構の構成を示す断面図である。 図８Ｂは、第２実施形態の変形例４に係るワイヤレス温度センサの構成を示すブロック図である。 図９は、第２実施形態に係る液処理における処理手順を示すフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する液処理装置および液処理方法の各実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、第１実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の液処理ユニット１６とを備える。複数の液処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と液処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
液処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の液処理を行う。液処理ユニット１６の詳細については後述する。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、液処理ユニット１６へ搬入される。
液処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、液処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって液処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜液処理ユニットの概要＞
次に、液処理ユニット１６の概要について、図２を参照しながら説明する。図２は、液処理ユニット１６の構成を示す模式図である。図２に示すように、液処理ユニット１６は、処理室２０と、基板保持機構３０と、処理液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
処理室２０は、基板保持機構３０と処理液供給部４０と回収カップ５０とを収容する。処理室２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、処理室２０内に供給される清浄ガスのダウンフローを形成する。なお、ＦＦＵ２１は必須ではなく、処理室２０にＦＦＵ２１を設けなくてもよい。
基板保持機構３０は、基板保持部３１と、コイル部３２と、遮蔽部材３３と、シャフト３４と、駆動部３５とを備える。基板保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。コイル部３２は、基板保持部３１に近接して配置される。遮蔽部材３３は、コイル部３２に対して基板保持部３１とは反対側に配置される。かかる基板保持部３１、コイル部３２および遮蔽部材３３の詳細については後述する。
シャフト３４は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３５によって回転可能に支持され、先端部において基板保持部３１を水平に支持する。駆動部３５は、シャフト３４を鉛直軸まわりに回転させる。
かかる基板保持機構３０は、駆動部３５を用いてシャフト３４を回転させることによってシャフト３４に支持された基板保持部３１を回転させ、これにより、基板保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
処理液供給部４０は、基板保持部３１に保持されたウェハＷに対して処理流体を供給する。処理液供給部４０は、ノズル４１ａと、かかるノズル４１ａを水平に支持するアーム４２と、アーム４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３とを備える。
ノズル４１ａは、バルブ４４ａと流量調整器４５ａとを介して処理液供給源４６ａに接続される。処理液供給源４６ａには、ウェハＷを処理する所定の処理液が貯蔵される。なお、図２では、処理液供給部４０にノズルや処理液供給源などを１セット設けた例について示したが、処理液供給部４０にノズルや処理液供給源などを複数セット設けてもよい。
回収カップ５０は、基板保持部３１を取り囲むように配置され、基板保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から液処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される清浄ガスを液処理ユニット１６の外部へ排気する排気口５２が形成される。
＜基板保持機構の構成（第１実施形態）＞
次に、第１実施形態における基板保持機構３０の具体的な構成について、図３Ａ～図３Ｃを参照しながら説明する。図３Ａは、第１実施形態に係る基板保持機構３０の構成を示す断面図であり、図３Ｂは、第１実施形態に係る発熱部材３１ａの構成を示す上面図であり、図３Ｃは、第１実施形態に係るコイル部３２の構成を示す上面図である。
基板保持部３１は、略円板状であり、基板保持部３１の上面には、ウェハＷを吸引する図示しない吸引口が設けられる。そして、基板保持部３１は、かかる吸引口からの吸引により、ウェハＷを基板保持部３１の上面に保持することができる。
基板保持部３１は、内部に発熱部材３１ａと断熱部材３１ｂとを有する。発熱部材３１ａは、コイル部３２のコイル３２ａから放射される磁束によって誘導加熱される部材で構成される。発熱部材３１ａは、たとえば、グラファイトである。なお、発熱部材３１ａはグラファイト以外で構成されていてもよい。
図３Ｂに示すように、発熱部材３１ａは、基板保持部３１の上面よりわずかに小さい外径を有する円環状である。そして、図３Ａに示すように、発熱部材３１ａは、ウェハＷの一部、すなわちウェハＷの特定の部位に隣接する。たとえば、第１実施形態では、発熱部材３１ａがウェハＷのベベル部Ｗａに隣接する。
断熱部材３１ｂは、発熱部材３１ａの外径と略等しい径を有する円板状であり、熱伝導率が小さい材料で構成される。断熱部材３１ｂは、たとえば、合成樹脂やセラミックスなどである。なお、断熱部材３１ｂは合成樹脂やセラミックス以外で構成されていてもよい。
このように、発熱部材３１ａをウェハＷの特定の部位に隣接するように設け、かかる発熱部材３１ａに断熱部材３１ｂを隣接させることにより、コイル３２ａから放射される磁束に起因して発熱部材３１ａで生じた熱が、隣接するウェハＷの特定の部位以外の箇所に逃げることを抑制することができる。したがって、第１実施形態によれば、液処理されるウェハＷにおける特定の部位（第１実施形態ではベベル部Ｗａ）を個別に温度制御することができる。
第１実施形態では、たとえば、ウェハＷのベベル部Ｗａを液処理（たとえば、洗浄処理）する場合に、発熱部材３１ａを誘導加熱してベベル部Ｗａの温度を高温で温度制御することにより、ベベル部Ｗａへの液処理を効率的かつ安定的に実施することができる。
なお、第１実施形態では、発熱部材３１ａをウェハＷのベベル部Ｗａに隣接させた例について示したが、発熱部材３１ａを隣接させる位置はウェハＷのベベル部Ｗａに限られず、ウェハＷの中心部や、中心部とベベル部Ｗａとの間の部位など、どの位置であってもよい。
また、第１実施形態では、断熱部材３１ｂが、発熱部材３１ａに対してウェハＷとは反対側に配置されるとよい。たとえば、ウェハＷが基板保持部３１の上面に保持される場合、発熱部材３１ａは基板保持部３１の上側に配置され、断熱部材３１ｂは基板保持部３１の下側に配置されるとよい。
これにより、発熱部材３１ａにおけるウェハＷとは反対側（すなわち、下側）に熱が逃げることを抑制することができる。したがって、第１実施形態によれば、液処理されるウェハＷの特定の部位を効率的に加熱することができる。
また、第１実施形態では、基板保持部３１が、ウェハＷと直接接触するようにウェハＷを保持するとよい。これにより、基板保持部３１の発熱部材３１ａで生じた熱を、空気などを介することなく直接ウェハＷに伝えることができる。したがって、第１実施形態によれば、液処理されるウェハＷをさらに効率的に加熱することができる。
なお、第１実施形態では、ウェハＷと直接接触するように基板保持部３１がウェハＷを保持する例について示したが、必ずしもウェハＷと直接接触するように保持しなくともよい。たとえば、基板保持部３１は、空気などを介したとしても熱が伝わる程度に基板保持部３１の上面に近接させて（たとえば、ギャップが０．５ｍｍ以下）、ウェハＷを保持してもよい。
また、第１実施形態では、基板保持部３１の表面に耐食性コーティングが施されているとよい。これにより、腐食性のある処理液でウェハＷを処理する際に、基板保持部３１内の発熱部材３１ａや断熱部材３１ｂが腐食することを抑制することができる。
基板保持機構３０のその他の部位についての説明を続ける。コイル部３２は、コイル３２ａを有し、基板保持部３１に近接して配置される。たとえば、コイル部３２は、基板保持部３１の下側に近接して配置される。
なお、コイル部３２は、基板保持機構３０の図示しない支持部により支持されることから、基板保持部３１とともに回転はしない。
そして、コイル部３２のコイル３２ａは、近接する基板保持部３１の発熱部材３１ａに対して磁束を放射する。これにより、第１実施形態では、ウェハＷとともに回転する基板保持部３１の発熱部材３１ａを誘導加熱することができる。
また、図３Ａ～図３Ｃに示すように、コイル３２ａは、発熱部材３１ａと略等しい内径および外径を有する円弧状であり、一対の電極３２ａ１を有する。そして、コイル３２ａには、一対の電極３２ａ１から電力を供給することができる。
コイル３２ａには、巻回軸が発熱部材３１ａに向いた複数のコイルがかかる円弧状の領域に沿って並んで配置されているとよい。たとえば、第１実施形態では、コイル３２ａの巻回軸が鉛直方向を向いているとよい。これにより、コイル３２ａは、発熱部材３１ａに対して効率よく磁束を放射することができる。
図３Ａに示す遮蔽部材３３は、コイル３２ａから放射される磁束を遮蔽する。遮蔽部材３３は、コイル３２ａの周辺において、基板保持部３１とコイル３２ａとの間以外の箇所に配置される。たとえば、遮蔽部材３３は、コイル３２ａの下側（すなわち、コイル３２ａにおける巻回軸の他方側）に配置される。
これにより、コイル３２ａから放射される磁束が液処理ユニット１６内の他の機器に干渉することを抑制することができる。したがって、第１実施形態によれば、液処理されるウェハＷをさらに安定的に加熱することができる。なお、遮蔽部材３３は、基板保持部３１とともに回転してもよく、基板保持部３１とともに回転しなくてもよい。
＜基板保持機構の構成（第２実施形態）＞
次に、第２実施形態における基板保持機構３０の具体的な構成について、図４Ａ～図４Ｃを参照しながら説明する。図４Ａは、第２実施形態に係る基板保持機構３０の構成を示す断面図であり、図４Ｂは、第２実施形態に係る発熱部材３１ａ１～３１ａ４の構成を示す上面図であり、図４Ｃは、第２実施形態係るコイル部３２の構成を示す上面図である。
図４Ａに示すように、第２実施形態の基板保持機構３０は、複数の発熱部材３１ａ１～３１ａ４と、複数のコイル３２ａ～３２ｄとを有する。発熱部材３１ａ１～３１ａ４は、それぞれウェハＷの異なる部位に隣接して略面一に配置される。
たとえば、第２実施形態では、発熱部材３１ａ１がウェハＷのベベル部Ｗａに隣接して配置され、発熱部材３１ａ４がウェハＷの中心部に隣接して配置される。そして、かかる発熱部材３１ａ１と発熱部材３１ａ４との間に、発熱部材３１ａ２と発熱部材３１ａ３とが配置される。また、図４Ｂに示すように、発熱部材３１ａ１～３１ａ３は円環状であり、発熱部材３１ａ４は円板状である。
コイル部３２に設けられる複数のコイル３２ａ～３２ｄは、それぞれ発熱部材３１ａ１～３１ａ４を誘導加熱するコイルであり、図４Ａに示すように、それぞれ発熱部材３１ａ１～３１ａ４に近接して配置される。
コイル３２ａ～３２ｃは、図４Ａ～図４Ｃに示すように、それぞれ発熱部材３１ａ１～３１ａ３と略等しい内径および外径を有する円弧状に形成され、コイル３２ｄは発熱部材３１ａ４の径と略等しい外径を有する円弧状に形成される。また、コイル３２ａ～３２ｄは、それぞれ一対の電極３２ａ１～３２ｄ１を有する。
そして、第２実施形態では、かかる一対の電極３２ａ１～３２ｄ１を介して複数のコイル３２ａ～３２ｄに個別に電力を供給することにより、ウェハＷにおける複数の部位を個別に加熱することができる。したがって、第２実施形態によれば、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。ここで、「処理能力」とは、ウェハＷの処理にあたって、処理液がウェハＷ自体やウェハＷに形成された膜に及ぼす作用の力をいう。例えば、エッチングレートや洗浄力、めっき膜等の成長速度などが、この処理能力に含まれる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第２実施形態では、発熱部材３１ａ１～３１ａ４がそれぞれウェハＷと向かい合う位置にウェハＷの周方向に沿って配置され、発熱部材３１ａ１～３１ａ４がウェハＷの径方向に沿って並んで配置されているとよい。
さらに、第２実施形態では、コイル３２ａ～３２ｄがそれぞれウェハＷと向かい合う位置にウェハＷの周方向に沿って配置され、コイル３２ａ～３２ｄがウェハＷの径方向に沿って並んで配置されているとよい。すなわち、第２実施形態では、発熱部材３１ａ１～３１ａ４およびコイル３２ａ～３２ｄがそれぞれ異なる径を有する同心円上で円弧状に配置されているとよい。
ここで、ウェハＷを回転させながら行う液処理では、ウェハＷの周方向で処理能力が異なる場合が多く見られるが、発熱部材３１ａ１～３１ａ４およびコイル３２ａ～３２ｄを上述のように配置することにより、周方向で異なる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
＜変形例＞
つづいて、上述の第２実施形態における各種変形例について説明する。図５は、第２実施形態の変形例１に係る基板保持機構３０の構成を示す断面図である。図５に示すように、変形例１では、発熱部材３１ａ１～３１ａ４の厚さに違いを設けている。たとえば、変形例１の発熱部材３１ａ１～３１ａ４は、外周側の発熱部材３１ａ１がもっとも厚く、内周側になるにしたがい徐々に厚さが薄くなるように形成されている。
このように、発熱部材３１ａ１～３１ａ４の厚さに違いを持たせることにより、厚い発熱部材（たとえば、発熱部材３１ａ１）をさらに昇温させながらウェハＷを加熱することができる。したがって、変形例１によれば、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
なお、変形例１では発熱部材３１ａ１をもっとも厚くした例について示したが、厚くする発熱部材は発熱部材３１ａ１に限られず、処理液の処理能力が低いウェハＷの部位に近接する発熱部材を厚くすればよい。
図６は、第２実施形態の変形例２に係る基板保持機構３０の構成を示す断面図である。図６に示すように、変形例２では、発熱部材３１ａ１～３１ａ４および対応するコイル３２ａ～３２ｄの幅に違いを設けている。たとえば、変形例２の発熱部材３１ａ１～３１ａ４および対応するコイル３２ａ～３２ｄは、外周側の発熱部材３１ａ１およびコイル３２ａが幅広になるように形成されている。
このように、発熱部材３１ａ１～３１ａ４およびコイル３２ａ～３２ｄの幅に違いを持たせることにより、液処理によって様々に異なるウェハＷの処理能力分布に適合させながら、処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、変形例２では発熱部材３１ａ１を幅広にした例について示したが、幅広にする発熱部材は発熱部材３１ａ１に限られない。
図７は、第２実施形態の変形例３に係るコイル３２の構成を示す上面図である。図７に示すように、変形例３では、コイル部３２のコイルが分割して配置される。たとえば、変形例３のコイル部３２は、それぞれ区画領域を有し、ウェハＷ上で略碁盤形状に配置される複数のコイル３２ｅを有する。
このように、コイル部３２のコイルを碁盤形状に分割することにより、ウェハＷにおける複数の部位をそれぞれ個別の温度で加熱することができる。したがって、変形例３によれば、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、変形例３は、好適には基板を回転させない処理に用いられる。
図８Ａは、第２実施形態の変形例４に係る基板保持機構３０の構成を示す断面図である。図８Ａに示すように、変形例４では、基板保持部３１にワイヤレス温度センサ３６が設けられる。かかるワイヤレス温度センサ３６は、基板保持部３１内の温度情報を無線送信する機能を有し、たとえば、基板保持部３１の発熱部材３１ａ１～３１ａ４内に複数設けられる。
図８Ｂは、実施形態の変形例４に係るワイヤレス温度センサ３６の構成を示すブロック図である。図８Ｂに示すように、ワイヤレス温度センサ３６は、受電コイル３６ａと、整流部３６ｂと、電池３６ｃと、温度センサ３６ｄと、送信部３６ｅとを有する。
受電コイル３６ａは、コイル３２ａ～３２ｄから放射される磁束を受け取って、かかる磁束を交流電力に変換し、変換された交流電力を整流部３６ｂに送る。整流部３６ｂは、受電コイル３６ａから送られた交流電力を所定の直流電力に変換し、かかる直流電力を電池３６ｃに送る。電池３６ｃは、整流部３６ｂから送られた直流電力を蓄電する。なお、電磁誘導ワイヤレス充電にかかわらず、磁気共鳴方式や、電波伝搬方式などの他のワイヤレス方式でもよい。
整流部３６ｂ、温度センサ３６ｄおよび送信部３６ｅは、電池３６ｃに貯められた電力で動作する。温度センサ３６ｄは、たとえば、熱電対が搭載されたセンサであり、基板保持部３１内の温度を検知する。そして、温度センサ３６ｄは、検知された温度情報を送信部３６ｅに送る。送信部３６ｅは、温度センサ３６ｄから送られた温度情報を外部に送信する。
これにより、ワイヤレス温度センサ３６が搭載された基板保持部３１の温度をモニタリングすることができる。すなわち、変形例４では、モニタリングされる基板保持部３１の温度情報に基づいて、ウェハＷの温度を推定しながら液処理を行うことができる。
したがって、変形例４によれば、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内でさらに揃えることができる。
＜液処理の詳細＞
つづいて、図９を参照しながら、第２実施形態に係る液処理の詳細について説明する。図９は、第２実施形態に係る液処理における処理手順を示すフローチャートである。
まず、キャリアＣから、基板搬送装置１３と、受渡部１４と、基板搬送装置１７とを経由して、ウェハＷを液処理ユニット１６の内部に搬送する。
次に、制御部１８は、基板搬送装置１７および液処理ユニット１６を制御して、基板保持機構３０の基板保持部３１にウェハＷを載置して、基板保持部３１でウェハＷを保持する（ステップＳ１０１）。かかる保持する処理は、たとえば、基板保持部３１の上面に形成される吸引口からウェハＷを吸引することにより行われる。
次に、制御部１８は、液処理ユニット１６の基板保持機構３０を制御して、ウェハＷの複数の部位を個別に加熱する（ステップＳ１０２）。かかる加熱する処理は、たとえば、各コイル３２ａ～３２ｄに所定の時間通電し、発熱部材３１ａ１～３１ａ４をそれぞれ所定の温度に昇温することにより行われる。たとえば、コイル３２ａの通電時間を長くすることにより、ウェハＷのベベル部Ｗａをより高い温度に昇温することができる。
次に、制御部１８は、液処理ユニット１６の基板保持機構３０を制御して、基板保持部３１を所定の回転速度で回転させることにより、ウェハＷを回転させる（ステップＳ１０３）。そして、制御部１８は、液処理ユニット１６の処理液供給部４０を制御して、ウェハＷ上に所定の処理液を供給する（ステップＳ１０４）。これにより、各部位が高温で温度制御されたウェハＷに所定の液処理が行われる。
最後に、制御部１８は、液処理ユニット１６の基板保持機構３０を制御して、基板保持部３１の回転を停止させることにより、ウェハＷの回転を停止する（ステップＳ１０５）。かかる停止する処理が完了すると、ウェハＷの液処理が完了する。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、各実施形態では、基板保持部３１の発熱部材３１ａ１～３１ａ４を用いてウェハＷを加熱する場合について示したが、ウェハＷを加熱する発熱部材は基板保持部３１に設けられている場合に限られない。
たとえば、ウェハＷのベベル部Ｗａを液処理する場合に、ウェハＷの上方にリング状天板を設けることがあるが、かかるリング状天板におけるベベル部Ｗａに向かい合う位置に発熱部材およびコイルを設けることにより、ベベル部Ｗａを上方からも加熱することができる。
また、第２実施形態にかかる基板保持機構３０にワイヤレス温度センサ３６を設けた例について示したが、第１実施形態にかかる基板保持機構３０にワイヤレス温度センサ３６を設けてもよい。また、第２実施形態では、発熱部材およびコイルを４セット設けた例について示したが、発熱部材およびコイルは２～３セットでもよく、５セット以上でもよい。
また、各実施形態では、基板保持部３１がウェハＷを真空チャックする場合について示したが、基板保持部３１はウェハＷを真空チャックする場合に限られず、たとえばウェハＷを静電チャックしてもよい。
さらに、各実施形態では、ウェハＷを保持する基板保持部３１がウェハＷのエッジ部を保持するメカチャックでもよい。この場合も、発熱部材３１をウェハＷに近接して配置することにより、ウェハＷを効率的に加熱することができる。
第１および第２実施形態に係る液処理装置は、発熱部材３１ａと、基板保持部３１と、処理液供給部４０と、コイル３２ａとを備える。発熱部材３１ａは、基板（ウェハＷ）の一部に近接して配置され断熱部材３１ｂを有する。基板保持部３１は、基板（ウェハＷ）を保持する。処理液供給部４０は、基板保持部３１に保持された基板（ウェハＷ）上に処理液を供給する。コイル３２ａは、発熱部材３１ａを誘導加熱することにより基板（ウェハＷ）の一部を加熱する。これにより、液処理されるウェハＷにおける特定の部位を個別に温度制御することができる。
また、第２実施形態に係る液処理装置において、発熱部材３１ａ１～３１ａ４およびコイル３２ａ～３２ｄは、複数設けられ、複数の発熱部材３１ａ１～３１ａ４およびコイル３２ａ～３２ｄは、基板（ウェハＷ）の複数の部位を個別に加熱可能である。これにより、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
また、第２実施形態に係る液処理装置において、複数の発熱部材３１ａ１～３１ａ４は、基板（ウェハＷ）と向かい合う位置に基板（ウェハＷ）の周方向に沿って配置され、基板（ウェハＷ）の径方向に沿って並んで配置される。これにより、ウェハＷの周方向で異なる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
また、第２実施形態に係る液処理装置において、複数のコイル３２ａ～３２ｄは、基板（ウェハＷ）と向かい合う位置に基板（ウェハＷ）の周方向に沿って配置され、基板（ウェハＷ）の径方向に沿って並んで配置される。これにより、ウェハＷの周方向で異なる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
また、第１および第２実施形態に係る液処理装置において、断熱部材３１ｂは、発熱部材３１ａに対して基板（ウェハＷ）とは反対側に配置される。これにより、液処理されるウェハＷの特定の部位を効率的に加熱することができる。
また、第１および第２実施形態に係る液処理装置は、コイル３２ａから発熱部材３１ａ以外の箇所に漏れる磁束を遮蔽する遮蔽部材３３をさらに備える。これにより、液処理されるウェハＷをさらに安定的に加熱することができる。
また、変形例４に係る液処理装置において、基板保持部３１は、コイル３２ａ～３２ｄから放射される磁束から変換された電力により動作して温度を検知し、検知された温度情報を無線送信するワイヤレス温度センサ３６を備える。これにより、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内でさらに揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
また、第１および第２実施形態に係る液処理装置において、基板保持部３１は、基板（ウェハＷ）と直接接触するように基板（ウェハＷ）を保持する。これにより、液処理されるウェハＷをさらに効率的に加熱することができる。
また、第１および第２実施形態に係る液処理装置において、発熱部材３１ａは、基板保持部３１と一体で設けられる。これにより、発熱部材３１ａをウェハＷにより近接して配置することができることから、液処理されるウェハＷをさらに効率的に加熱することができる。
また、第２実施形態に係る液処理方法は、内部に複数の発熱部材３１ａ１～３１ａ４と断熱部材３１ｂとを有する基板保持部３１で基板（ウェハＷ）を保持する工程（ステップＳ１０１）と、複数のコイル３２ａ～３２ｄにより複数の発熱部材３１ａ１～３１ａ４をそれぞれ個別に誘導加熱して、保持された基板（ウェハＷ）の複数の部位を個別に加熱する工程（ステップＳ１０２）と、加熱された基板（ウェハＷ）上に処理液を供給する工程（ステップＳ１０４）と、を含む。これにより、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
また、第２実施形態に係る液処理方法において、加熱する工程は、複数のコイル３２ａ～３２ｄの通電時間をそれぞれ変更する。これにより、ウェハＷにおける複数の部位で処理液の処理能力が異なる場合に、かかる処理液の処理能力をウェハＷの面内で揃えることができる。なお、面内の処理液の処理能力を部位により変更することもできる。
なお、上記実施形態では、基板保持部３１はウェハＷの裏面を保持していたが、必ずしもウェハＷの裏面を保持する必要はなく、ウェハＷの端を保持するものであってもよい。その場合、基板保持部３１と発熱部材３１ａ及び断熱部材３１ｂは別体であってよい。発熱部材３１ａと断熱部材３１ｂが一体となっていればよい。
また、上記実施形態では、液処理中に基板保持部３１が回転する例を記載していたが、液処理中に必ずしもウェハＷを回転させる必要はなく、ウェハＷを静止させた状態で加熱を行ってもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１６ 液処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板保持機構
３１ 基板保持部
３１ａ、３１ａ１～３１ａ４ 発熱部材
３１ｂ、３１ｂ１～３１ｂ３ 断熱部材
３２ コイル部
３２ａ～３２ｅ コイル
３３ 遮蔽部材
３６ ワイヤレス温度センサ
４０ 処理液供給部

Claims (10)

  1. 基板の一部に近接して配置され断熱部材を有する発熱部材と、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板上に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記発熱部材を誘導加熱することにより前記基板の一部を加熱するコイルと、
    を備え、
    前記発熱部材および前記コイルは、複数設けられ、
    複数の前記発熱部材および前記コイルは、前記基板の複数の部位を個別に加熱可能である
    液処理装置。
  2. 基板の一部に近接して配置され断熱部材を有する発熱部材と、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板上に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記発熱部材を誘導加熱することにより前記基板の一部を加熱するコイルと、
    を備え、
    前記基板保持部は、前記コイルから放射される磁束から変換された電力により動作して温度を検知し、検知された温度情報を無線送信するワイヤレス温度センサを備える
    液処理装置。
  3. 複数の前記発熱部材は、前記基板と向かい合う位置に前記基板の周方向に沿って配置され、前記基板の径方向に沿って並んで配置される請求項１に記載の液処理装置。
  4. 複数の前記コイルは、前記基板と向かい合う位置に前記基板の周方向に沿って配置され、前記基板の径方向に沿って並んで配置される請求項１または３に記載の液処理装置。
  5. 前記断熱部材は、前記発熱部材に対して前記基板とは反対側に配置される請求項１～４のいずれか一つに記載の液処理装置。
  6. 前記コイルから前記発熱部材以外の箇所に漏れる磁束を遮蔽する遮蔽部材をさらに備える請求項１～５のいずれか一つに記載の液処理装置。
  7. 前記基板保持部は、前記基板と直接接触するように前記基板を保持する請求項１～６のいずれか一つに記載の液処理装置。
  8. 前記発熱部材は、前記基板保持部と一体で設けられる請求項１～７のいずれか一つに記載の液処理装置。
  9. 基板保持部で基板を保持する工程と、
    断熱部材を有する複数の発熱部材を複数のコイルによりそれぞれ個別に誘導加熱して、保持された前記基板の複数の部位を個別に加熱する工程と、
    加熱された前記基板上に処理液を供給する工程と、
    を含む液処理方法。
  10. 前記加熱する工程は、複数の前記コイルの通電時間をそれぞれ変更する請求項９に記載の液処理方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102880412B1 (ko) * 2020-04-02 2025-11-04 엘지전자 주식회사 박막의 유도 가열을 이용하여 물체를 가열하는 유도 가열 방식의 쿡탑
JPWO2024143076A1 (ja) * 2022-12-28 2024-07-04

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005267863A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 誘導加熱装置
JP2007335709A (ja) 2006-06-16 2007-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009238375A (ja) 2008-03-25 2009-10-15 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 誘導加熱装置
JP2011228524A (ja) 2010-04-21 2011-11-10 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 半導体熱処理装置および半導体熱処理方法
JP2015154063A (ja) 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015192067A (ja) 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2016167568A (ja) 2015-03-10 2016-09-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100915645B1 (ko) * 2001-09-03 2009-09-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4678665B2 (ja) * 2001-11-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4962717B2 (ja) 2007-04-25 2012-06-27 株式会社島津製作所 高周波誘導加熱装置
JP5437168B2 (ja) * 2009-08-07 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板の液処理装置および液処理方法
JP4676567B1 (ja) * 2010-07-20 2011-04-27 三井造船株式会社 半導体基板熱処理装置
KR101783079B1 (ko) * 2011-08-26 2017-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
TWI576938B (zh) * 2012-08-17 2017-04-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2015067878A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US9968970B2 (en) 2015-12-04 2018-05-15 Lam Research Ag Spin chuck with in situ cleaning capability
CN108885139A (zh) * 2016-02-08 2018-11-23 沃特洛电气制造公司 用于可旋转晶圆支承组件的温度感测系统
JP6689719B2 (ja) * 2016-09-23 2020-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005267863A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 誘導加熱装置
JP2007335709A (ja) 2006-06-16 2007-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009238375A (ja) 2008-03-25 2009-10-15 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 誘導加熱装置
JP2011228524A (ja) 2010-04-21 2011-11-10 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 半導体熱処理装置および半導体熱処理方法
JP2015154063A (ja) 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015192067A (ja) 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2016167568A (ja) 2015-03-10 2016-09-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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