Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6997566B2 - レーザー加工装置 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6997566B2 - レーザー加工装置 - Google Patents

レーザー加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6997566B2
JP6997566B2 JP2017176632A JP2017176632A JP6997566B2 JP 6997566 B2 JP6997566 B2 JP 6997566B2 JP 2017176632 A JP2017176632 A JP 2017176632A JP 2017176632 A JP2017176632 A JP 2017176632A JP 6997566 B2 JP6997566 B2 JP 6997566B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
polygon mirror
mirror
pulsed laser
irradiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017176632A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019051536A (ja
Inventor
圭司 能丸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2017176632A priority Critical patent/JP6997566B2/ja
Priority to KR1020180102072A priority patent/KR102543779B1/ko
Priority to TW107131740A priority patent/TWI773825B/zh
Priority to CN201811049055.6A priority patent/CN109514093B/zh
Priority to DE102018122089.8A priority patent/DE102018122089A1/de
Priority to US16/130,427 priority patent/US20190076961A1/en
Priority to FR1858206A priority patent/FR3070888B1/fr
Publication of JP2019051536A publication Critical patent/JP2019051536A/ja
Priority to US17/448,945 priority patent/US20220016731A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6997566B2 publication Critical patent/JP6997566B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B23K26/0821—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head using multifaceted mirrors, e.g. polygonal mirror
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B23K26/704—Beam dispersers, e.g. beam wells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic materials other than metals or composite materials
    • B23K2103/56—Inorganic materials other than metals or composite materials being semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

本発明は、被加工物に応じて適正な領域にパルスレーザー光線を分散できるレーザー加工装置に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、被加工物を保持する保持手段と、保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、保持手段とレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えて構成されている。また、リキャストを避ける目的でポリゴンミラーを備えたレーザー加工装置が提案されている（たとえば特許文献１参照。）。
特許第４０４４５３９号公報
しかし、上記特許文献１に開示されたレーザー加工装置では、パルスレーザー光線がポリゴンミラーによって設定された領域に分散し被加工物に照射されることから、被加工物に応じて適正な領域にパルスレーザー光線を分散できず、被加工物に応じた加工品質が得られないという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、被加工物に応じて適正な領域にパルスレーザー光線を分散できるレーザー加工装置を提供することである。
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のレーザー加工装置である。すなわち、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置であって、該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を分散するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーによって分散されたパルスレーザー光線を集光し該保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、被加工物にパルスレーザー光線が照射される領域が所望する分散領域になるように、該発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され該ポリゴンミラーを構成するミラーの回転方向に、所定時間パルスレーザー光線を追随させてパルスレーザー光線の該分散領域を制御する分散領域調整手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置である。
また、本発明によれば、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置であって、該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を分散するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーによって分散されたパルスレーザー光線を集光し該保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され該ポリゴンミラーを構成するミラーの回転方向にパルスレーザー光線を追随させ、ｎ枚（ただし、ｎは１以上の整数）おきに該ポリゴンミラーのミラーにパルスレーザー光線を照射してパルスレーザー光線の分散領域を制御する分散領域調整手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置が提供される。
好ましくは、該分散領域調整手段は、ＡＯＤ、ＥＯＤ、レゾナントスキャナーのいずれかで構成される。
本発明が提供するレーザー加工装置は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置であって、該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を分散するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーによって分散されたパルスレーザー光線を集光し該保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、被加工物にパルスレーザー光線が照射される領域が所望する分散領域になるように、該発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され該ポリゴンミラーを構成するミラーの回転方向に、所定時間パルスレーザー光線を追随させてパルスレーザー光線の該分散領域を制御する分散領域調整手段と、を少なくとも備えているので、被加工物に応じて適正な領域にパルスレーザー光線を分散でき、したがって被加工物に応じた加工品質が得られる。
また、本発明のレーザー加工装置は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置であって、該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を分散するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーによって分散されたパルスレーザー光線を集光し該保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され該ポリゴンミラーを構成するミラーの回転方向にパルスレーザー光線を追随させ、ｎ枚（ただし、ｎは１以上の整数）おきに該ポリゴンミラーのミラーにパルスレーザー光線を照射してパルスレーザー光線の分散領域を制御する分散領域調整手段と、を少なくとも備えているので、被加工物に応じて適正な領域にパルスレーザー光線を分散でき、したがって被加工物に応じた加工品質が得られる。
本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 図１に示すレーザー光線照射手段のブロック図。 ウエーハの斜視図。 （ａ）ポリゴンミラーによって分散されるパルスレーザー光線の軌跡を示す模式図、（ｂ）（ａ）に示す状態からポリゴンミラーが２０度回転した状態におけるパルスレーザー光線の軌跡を示す模式図、（ｃ）（ｂ）に示す状態からポリゴンミラーが更に２０度回転した状態におけるパルスレーザー光線の軌跡を示す模式図。
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１に示すレーザー加工装置２は、被加工物を保持する保持手段４と、保持手段４に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６と、保持手段４とレーザー光線照射手段６とを相対的に図１に矢印Ｘで示すＸ軸方向に加工送りする加工送り手段８と、を少なくとも備える。なお、図１に矢印Ｙで示すＹ軸方向はＸ軸方向に直交する方向であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。
図１に示すとおり、保持手段４は、Ｘ軸方向に移動自在に基台１０に搭載されたＸ軸方向可動板１２と、Ｙ軸方向に移動自在にＸ軸方向可動板１２に搭載されたＹ軸方向可動板１４と、Ｙ軸方向可動板１４の上面に固定された支柱１６と、支柱１６の上端に固定されたカバー板１８とを含む。カバー板１８にはＹ軸方向に延びる長穴１８ａが形成され、長穴１８ａを通って上方に延びるチャックテーブル２０が支柱１６の上端に回転自在に搭載されている。チャックテーブル２０は、支柱１６に内蔵された回転手段（図示していない。）によって回転される。チャックテーブル２０の上面には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の吸着チャック２２が配置されている。そして、チャックテーブル２０は、吸引手段で吸着チャック２２の上面に吸引力を生成することにより、吸着チャック２２の上面に載せられた被加工物を吸着して保持することができる。また、チャックテーブル２０の周縁には、周方向に間隔をおいて複数のクランプ２４が配置されている。
加工送り手段８は、基台１０上においてＸ軸方向に延びるボールねじ２６と、ボールねじ２６の片端部に連結されたモータ２８とを有する。ボールねじ２６のナット部（図示していない。）は、Ｘ軸方向可動板１２の下面に固定されている。そして加工送り手段８は、ボールねじ２６によりモータ２８の回転運動を直線運動に変換してＸ軸方向可動板１２に伝達し、基台１０上の案内レール１０ａに沿ってＸ軸方向可動板１２をＸ軸方向に進退させ、これによってレーザー光線照射手段６に対してチャックテーブル２０をＸ軸方向に加工送りする。また、保持手段４のＹ軸方向可動板１４は、Ｘ軸方向可動板１２上においてＹ軸方向に延びるボールねじ３０とボールねじ３０に連結されたモータ３２とを有する割り出し送り手段３４によってＸ軸方向可動板１２上の案内レール１２ａに沿ってＹ軸方向に進退される。すなわち、割り出し送り手段３４によってレーザー光線照射手段６に対してチャックテーブル２０がＹ軸方向に割り出し送りされる。
図１及び図２を参照してレーザー光線照射手段６について説明する。図１に示すとおり、レーザー光線照射手段６は、基台１０の上面から上方に延び次いで実質上水平に延びる枠体３６を含む。枠体３６には、図２に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器３８と、発振器３８が発振したパルスレーザー光線ＬＢを分散するポリゴンミラー４０と、ポリゴンミラー４０によって分散されたパルスレーザー光線ＬＢを集光し保持手段４に保持された被加工物に照射する集光器４２と、発振器３８とポリゴンミラー４０との間に配設されポリゴンミラー４０を構成するミラーＭの回転方向にパルスレーザー光線ＬＢを追随させてパルスレーザー光線ＬＢの分散領域を制御する分散領域調整手段４４と、が少なくとも備えられている。図示の実施形態では図２に示すとおり、レーザー光線照射手段６は、更に、発振器３８が発振したパルスレーザー光線ＬＢの出力を調整するアッテネーター４６と、アッテネーター４６によって出力が調整されたパルスレーザー光線ＬＢを反射して分散領域調整手段４４に導く第一のミラー４８と、分散領域調整手段４４を通過したパルスレーザー光線ＬＢを反射してポリゴンミラー４０に導く第二のミラー５０及び第三のミラー５２と、ポリゴンミラー４０の回転角度を検出する回転角度検出手段５４と、制御手段５６と、パルスレーザー光線ＬＢの集光点の上下方向位置を調整する集光点位置調整手段（図示していない。）とを備える。
制御手段５６によって制御される発振器３８は、加工の種類に応じて適宜決定される波長（たとえば３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線ＬＢを発振する。分散領域調整手段４４は、ＡＯＤ（音響光学素子）、ＥＯＤ（電気光学素子）、レゾナントスキャナーのいずれかで構成される。図示の実施形態における分散領域調整手段４４は、ＡＯＤから構成され、制御手段５６から出力される電圧信号に応じてパルスレーザー光線ＬＢのＡＯＤからの出射角度を変更し、パルスレーザー光線ＬＢのポリゴンミラー４０への入射位置を調整することによって、ポリゴンミラー４０を構成するミラーＭの回転方向にパルスレーザー光線ＬＢを追随させて、ポリゴンミラー４０によるパルスレーザー光線ＬＢの分散領域を制御する。ポリゴンミラー４０は、複数枚（図示の実施形態では１８枚、中心角２０度）のミラーＭが回転軸Ｏに対して同心状に配置され、ポリゴンミラー用モータ（図示していない。）によって図２に矢印Ａで示す方向に回転される。ポリゴンミラー用モータは制御手段５６により制御される。回転角度検出手段５４は、ポリゴンミラー４０に向かって光を発する発光素子５８と、ポリゴンミラー４０のミラーＭで反射した発光素子５８からの光を受光する受光素子６０とを有する。受光素子６０は、発光素子５８に対するポリゴンミラー４０のミラーＭの角度が所定角度になった時に、ポリゴンミラー４０のミラーＭで反射した発光素子５８からの光を受光するように配置されており、光を受光すると制御手段５６に受光信号を出力する。集光器４２は、枠体３６の先端下面に配置されており（図１参照。）、ポリゴンミラー４０によって分散されたパルスレーザー光線ＬＢを集光するｆθレンズ６２（図２参照。）を有する。また、図１に示すとおり、枠体３６の先端下面には、チャックテーブル２０に保持された被加工物を撮像してレーザー加工すべき領域を検出するための撮像手段６４が集光器４２とＸ軸方向に間隔をおいて装着されている。
図３には、被加工物の一例としての円盤状のウエーハ７０が示されている。ウエーハ７０の表面７０ａは格子状の分割予定ライン７２によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはデバイス７４が形成されている。図示の実施形態では、周縁が環状フレーム７６に固定された粘着テープ７８にウエーハ７０の裏面７０ｂが貼り付けられている。
被加工物をウエーハ７０として、上述のレーザー加工装置２を用いてウエーハ７０の分割予定ライン７２に沿ってレーザー加工を施す際は、まず、ウエーハ７０の表面７０ａを上に向けて、チャックテーブル２０の上面にウエーハ７０を吸着させると共に、環状フレーム７６の外周縁部を複数のクランプ２４で固定する。次いで、撮像手段６４で上方からウエーハ７０を撮像する。次いで、撮像手段６４で撮像したウエーハ７０の画像に基づいて、加工送り手段８、割り出し送り手段３４及び回転手段でチャックテーブル２０を移動及び回転させることにより、格子状の分割予定ライン７２をＸ軸方向に整合させると共に、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン７２の片端部の上方に集光器４２を位置づける。次いで、集光点位置調整手段によって集光点を分割予定ライン７２における所要位置に位置づける。次いで、集光点に対してチャックテーブル２０を所定の加工送り速度で加工送り手段８によってＸ軸方向に加工送りしながらパルスレーザー光線ＬＢを集光器４２からウエーハ７０に照射する。このようにしてウエーハ７０にパルスレーザー光線ＬＢを照射して分割予定ライン７２に沿って加工を施す際は、たとえば、ウエーハ７０の表面７０ａに集光点を位置づけ、ウエーハ７０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢをウエーハ７０に照射するアブレーション加工を施すことができる。集光点が分割予定ライン７２の他端部に達したらパルスレーザー光線ＬＢの照射を停止し、分割予定ライン７２の間隔の分だけ、集光点に対してチャックテーブル２０を割り出し送り手段３４でＹ軸方向に割り出し送りする。そして、アブレーション加工等のパルスレーザー光線ＬＢの照射とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン７２のすべてにパルスレーザー光線ＬＢを照射する。また、回転手段によってチャックテーブル２０を９０度回転させた上で、パルスレーザー光線ＬＢの照射と割り出し送りとを交互に繰り返すことにより、先にパルスレーザー光線ＬＢを照射した分割予定ライン７２と直交する分割予定ライン７２のすべてにもパルスレーザー光線ＬＢを照射し、格子状の分割予定ライン７２に沿ってレーザー加工を施す。
ウエーハ７０にパルスレーザー光線ＬＢを照射する際は、ポリゴンミラー用モータによりポリゴンミラー４０を適宜の回転速度で回転させてパルスレーザー光線ＬＢをポリゴンミラー４０で分散させると共に、分散領域調整手段４４でポリゴンミラー４０の回転方向Ａにパルスレーザー光線ＬＢを追随させてパルスレーザー光線ＬＢの分散領域を制御する。詳述すると、ウエーハ７０にパルスレーザー光線ＬＢを照射する際に制御手段５６は、まず、回転角度検出手段５４の受光素子６０から出力される受光信号に基づいてポリゴンミラー４０の回転角度を検出する。次いで制御手段５６は、検出したポリゴンミラー４０の回転角度に基づいて分散領域調整手段４４としてのＡＯＤに出力する電圧信号のパターンを決定する。次いで制御手段５６は、決定した電圧信号のパターンに基づいて分散領域調整手段４４に電圧信号を出力する。これに応じて、分散領域調整手段４４は、パルスレーザー光線ＬＢのポリゴンミラー４０への入射位置を調整し、同一ミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢが所定時間照射されるように、ポリゴンミラー４０の回転方向Ａにパルスレーザー光線ＬＢを追随させることによって、パルスレーザー光線ＬＢの分散領域を制御する。同一ミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢが所定時間照射された後は、ポリゴンミラー４０の回転方向Ａにおける下流側のミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢが所定時間照射されるように、パルスレーザー光線ＬＢのポリゴンミラー４０への入射位置が調整されることが繰り返される。なお、ポリゴンミラー４０の回転速度や、パルスレーザー光線ＬＢを分散させる方向（たとえばＸ軸方向又はＹ軸方向）は、被加工物に応じて適宜決定され得る。
図示の実施形態では図４（ａ）に示すとおり、所定位置に位置した任意のミラーＭ（以下、便宜上「ミラーＭ１」という。）にパルスレーザー光線ＬＢが照射されるように、分散領域調整手段４４はパルスレーザー光線ＬＢのポリゴンミラー４０への入射位置を調整する。そして、所定位置に位置したミラーＭ１で反射したパルスレーザー光線ＬＢは、集光器４２のｆθレンズ６２によって集光され、位置Ｐ１においてウエーハ７０に照射される。図４（ｂ）には図４（ａ）に示す状態からポリゴンミラー４０が回転方向Ａに２０度回転した状態が示されている。図示の実施形態では図４（ｂ）に示す状態においてもミラーＭ１にパルスレーザー光線ＬＢが照射されるように、分散領域調整手段４４はポリゴンミラー４０の回転方向Ａにパルスレーザー光線ＬＢを追随させている。図４（ｂ）に示す状態においてミラーＭ１で反射したパルスレーザー光線ＬＢは位置Ｐ２においてウエーハ７０に照射される。また、図４（ｃ）には図４（ｂ）に示す状態からポリゴンミラー４０が回転方向Ａに更に２０度回転した状態が示されている。図示の実施形態では図４（ｃ）に示す状態においてもミラーＭ１にパルスレーザー光線ＬＢが照射されるように、分散領域調整手段４４はポリゴンミラー４０の回転方向Ａにパルスレーザー光線ＬＢを追随させている。図４（ｃ）に示す状態においてミラーＭ１で反射したパルスレーザー光線ＬＢは位置Ｐ３においてウエーハ７０に照射される。なお、図４（ａ）におけるパルスレーザー光線ＬＢの軌跡を図４（ｂ）及び図４（ｃ）において一点鎖線で示し、図４（ｂ）におけるパルスレーザー光線ＬＢの軌跡を図４（ｃ）において二点鎖線で示す。図４（ａ）から図４（ｃ）までを参照することによって理解されるとおり、図４（ａ）に示す状態から図４（ｃ）に示す状態までポリゴンミラー４０が４０度回転する間、ミラーＭ１にパルスレーザー光線ＬＢが照射され続けるように、分散領域調整手段４４はポリゴンミラー４０の回転方向Ａにパルスレーザー光線ＬＢを追随させて、パルスレーザー光線ＬＢの分散領域Ｒを位置Ｐ１から位置Ｐ３までに制御している。ミラーＭ１にパルスレーザー光線ＬＢが所定時間照射されて図４（ｃ）に示す状態になると、回転方向ＡにおいてミラーＭ１よりもミラー２個分下流側のミラーＭが所定位置（図４（ａ）におけるミラーＭ１の位置）に位置し、所定位置に位置したミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢが所定時間照射されるように、分散領域調整手段４４はパルスレーザー光線ＬＢのポリゴンミラー４０への入射位置を調整する。そして、図４（ａ）から図４（ｃ）までに示す状態が繰り返され、ミラーＭで反射したパルスレーザー光線ＬＢが位置Ｐ１から位置Ｐ３までの分散領域Ｒにおいてウエーハ７０に照射される。なお、レーザー加工の際は、上述したとおり、加工送り手段８によってウエーハ７０を保持したチャックテーブル２０がＸ軸方向に加工送りされているので、分散領域Ｒはウエーハ７０に対して相対的に移動することとなる。このようなレーザー加工装置２を用いる加工方法は、たとえば、以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：７２ＭＨｚ
平均出力 ：３Ｗ
ポリゴンミラーの直径 ：φ５５ｍｍ
ポリゴンミラーのミラー枚数 ：１８枚
ポリゴンミラーの回転数 ：２４０００ｒｐｍ
なお、上記加工条件においてパルスレーザー光線ＬＢをミラーＭの回転方向Ａに追随させない場合に１枚のミラーによって分散されるパルスレーザー光線ＬＢのパルス数Ｐｎは、繰り返し周波数Ｆと、ポリゴンミラー４０のミラーＭの枚数Ｍｎ及び回転数Ｎから以下のとおりにして導かれる。
Ｐｎ＝Ｆ／（Ｍｎ×Ｎ）
＝７２（ＭＨｚ）／（１８枚×２４０００ｒｐｍ）
＝７２×１０６（１／ｓ）／（１８枚×４００（１／ｓ））
＝１００００（パルス／枚）
また、上記加工条件においてパルスレーザー光線ＬＢをミラーＭの回転方向Ａに上述したとおりに追随させる場合、すなわち、ポリゴンミラー４０が４０度回転する間、同一のミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢを追随させ、したがって１枚おきにミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢを照射させる場合は、１枚のミラーによって分散されるパルスレーザー光線ＬＢのパルス数Ｐｎ’は、上記Ｐｎの２倍の２００００（パルス／枚）となる。
以上のとおり図示の実施形態のレーザー光線照射手段６は、パルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器３８と、発振器３８が発振したパルスレーザー光線ＬＢを分散するポリゴンミラー４０と、ポリゴンミラー４０によって分散されたパルスレーザー光線ＬＢを集光し保持手段４のチャックテーブル２０に保持された被加工物に照射する集光器４２と、発振器３８とポリゴンミラー４０との間に配設されポリゴンミラー４０を構成するミラーＭの回転方向Ａにパルスレーザー光線ＬＢを追随させてパルスレーザー光線ＬＢの分散領域Ｒを制御する分散領域調整手段４４と、を少なくとも備えているので、被加工物に応じて適正な領域にパルスレーザー光線ＬＢを分散でき、したがって被加工物に応じた加工品質が得られる。
一般に、ポリゴンミラーの回転速度を高速化してパルスレーザー光線の分散速度（スキャン速度）を高速化するには、ミラーの枚数を増大させてポリゴンミラーの外周形状を真円に近づけることによってポリゴンミラーの空気抵抗を減少させることが必要である。一方、ミラーの枚数を増大させると中心角が減少するため各ミラーによる分散領域が減少してしまう。しかしながら、図示の実施形態においては、ポリゴンミラー４０を構成するミラーＭの回転方向Ａにパルスレーザー光線ＬＢを追随させるので、ポリゴンミラー４０のミラーＭの枚数を増大させても、たとえば上述のように１枚おきにミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢを照射（すなわち、中心角の倍の範囲で１枚のミラーＭにパルスレーザー光線ＬＢを照射）することによって分散領域Ｒの減少を防止することができると共に、ポリゴンミラー４０のミラーＭの枚数を増大させてポリゴンミラー４０の回転に対する空気抵抗を減少させることができ、ポリゴンミラー４０を高速で回転させることができる。すなわち、図示の実施形態では、分散領域Ｒの減少を防止しつつポリゴンミラー４０の回転速度を高速化してパルスレーザー光線ＬＢの分散速度（スキャン速度）を高速化することができる。
２：レーザー加工装置
４：保持手段
６：レーザー光線照射手段
８：加工送り手段
３８：発振器
４０：ポリゴンミラー
Ｍ：ミラー
４２：集光器
４４：分散領域調整手段
ＬＢ：パルスレーザー光線
Ｒ：分散領域

Claims (3)

  1. 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置であって、
    該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を分散するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーによって分散されたパルスレーザー光線を集光し該保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、被加工物にパルスレーザー光線が照射される領域が所望する分散領域になるように、該発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され該ポリゴンミラーを構成するミラーの回転方向に、所定時間パルスレーザー光線を追随させてパルスレーザー光線の該分散領域を制御する分散領域調整手段と、
    を少なくとも備えたレーザー加工装置。
  2. 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置であって、
    該レーザー光線照射手段は、パルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を分散するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーによって分散されたパルスレーザー光線を集光し該保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され該ポリゴンミラーを構成するミラーの回転方向にパルスレーザー光線を追随させ、ｎ枚（ただし、ｎは１以上の整数）おきに該ポリゴンミラーのミラーにパルスレーザー光線を照射してパルスレーザー光線の分散領域を制御する分散領域調整手段と、
    を少なくとも備えたレーザー加工装置。
  3. 該分散領域調整手段は、ＡＯＤ、ＥＯＤ、レゾナントスキャナーのいずれかで構成され
    る請求項１または２に記載のレーザー加工装置。
JP2017176632A 2017-09-14 2017-09-14 レーザー加工装置 Active JP6997566B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017176632A JP6997566B2 (ja) 2017-09-14 2017-09-14 レーザー加工装置
KR1020180102072A KR102543779B1 (ko) 2017-09-14 2018-08-29 레이저 가공 장치
CN201811049055.6A CN109514093B (zh) 2017-09-14 2018-09-10 激光加工装置
TW107131740A TWI773825B (zh) 2017-09-14 2018-09-10 雷射加工裝置
DE102018122089.8A DE102018122089A1 (de) 2017-09-14 2018-09-11 Laserbearbeitungsvorrichtung
US16/130,427 US20190076961A1 (en) 2017-09-14 2018-09-13 Laser processing apparatus
FR1858206A FR3070888B1 (fr) 2017-09-14 2018-09-13 Appareil de traitement au laser
US17/448,945 US20220016731A1 (en) 2017-09-14 2021-09-27 Laser processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017176632A JP6997566B2 (ja) 2017-09-14 2017-09-14 レーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019051536A JP2019051536A (ja) 2019-04-04
JP6997566B2 true JP6997566B2 (ja) 2022-01-17

Family

ID=65441308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017176632A Active JP6997566B2 (ja) 2017-09-14 2017-09-14 レーザー加工装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20190076961A1 (ja)
JP (1) JP6997566B2 (ja)
KR (1) KR102543779B1 (ja)
CN (1) CN109514093B (ja)
DE (1) DE102018122089A1 (ja)
FR (1) FR3070888B1 (ja)
TW (1) TWI773825B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220168847A1 (en) * 2019-06-10 2022-06-02 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing apparatus, methods of operating the same, and methods of processing workpieces using the same
JP7323792B2 (ja) * 2019-08-13 2023-08-09 日本製鉄株式会社 レーザー照射装置及び鋼板の加工システム
CN110877456B (zh) * 2019-12-10 2023-08-08 杭州德迪智能科技有限公司 一种高效率旋转扫描平面成像装置及方法
CN112475614A (zh) * 2020-11-16 2021-03-12 科奇汽车传动系统(中国)有限公司 一种智能激光打刻装置
JP2024135498A (ja) 2023-03-23 2024-10-04 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016203222A (ja) 2015-04-27 2016-12-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51103447A (ja) * 1975-03-10 1976-09-13 Canon Kk Sosakogakukei
US4441126A (en) * 1982-05-06 1984-04-03 Sperry Corporation Adaptive corrector of facet errors in mirror scanning systems
JPS6373635A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 Toshiba Corp 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置
US6037967A (en) * 1996-12-18 2000-03-14 Etec Systems, Inc. Short wavelength pulsed laser scanner
US6737672B2 (en) * 2000-08-25 2004-05-18 Fujitsu Limited Semiconductor device, manufacturing method thereof, and semiconductor manufacturing apparatus
KR100462358B1 (ko) 2004-03-31 2004-12-17 주식회사 이오테크닉스 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치
KR20090023545A (ko) * 2006-05-31 2009-03-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법
KR20080028559A (ko) * 2006-09-27 2008-04-01 주식회사 이오테크닉스 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법
JP5060880B2 (ja) * 2007-09-11 2012-10-31 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断装置および分断方法
KR101210979B1 (ko) * 2007-11-27 2012-12-11 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
WO2014011241A2 (en) * 2012-04-30 2014-01-16 Zuk David M System and method for scan range gating
JP6189178B2 (ja) * 2013-10-29 2017-08-30 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2016002585A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2016068149A (ja) * 2014-10-02 2016-05-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US10083843B2 (en) * 2014-12-17 2018-09-25 Ultratech, Inc. Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
CN106475681B (zh) * 2015-08-31 2019-03-15 株式会社理光 光加工装置和光加工物的生产方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016203222A (ja) 2015-04-27 2016-12-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019051536A (ja) 2019-04-04
KR20190030601A (ko) 2019-03-22
US20190076961A1 (en) 2019-03-14
KR102543779B1 (ko) 2023-06-14
US20220016731A1 (en) 2022-01-20
DE102018122089A1 (de) 2019-03-14
CN109514093B (zh) 2022-02-15
FR3070888A1 (fr) 2019-03-15
FR3070888B1 (fr) 2021-01-29
TW201914719A (zh) 2019-04-16
TWI773825B (zh) 2022-08-11
CN109514093A (zh) 2019-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6997566B2 (ja) レーザー加工装置
JP6189178B2 (ja) レーザー加工装置
KR101337750B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP5908705B2 (ja) レーザー加工装置
KR20160040097A (ko) 레이저 가공 장치
CN1981977B (zh) 激光加工装置
JP2014104484A (ja) レーザー加工装置
CN110625275A (zh) 激光加工装置
CN109202309B (zh) 激光加工装置和激光加工方法
CN105312772A (zh) 激光加工装置
CN102990223A (zh) 激光加工装置
JP6781649B2 (ja) レーザー加工装置
JP7339031B2 (ja) レーザー加工装置
JP6882088B2 (ja) レーザー加工装置
JP2016096241A (ja) レーザー発振機構
KR100664573B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 방법
JP6625852B2 (ja) レーザー加工装置
KR102724285B1 (ko) 대물렌즈를 이용한 레이저 가공 장치 및 그의 동작 방법
JP7537894B2 (ja) レーザー加工装置
JP6510829B2 (ja) レーザー加工装置
JP2019118949A (ja) 加工装置
JPS6245494A (ja) レ−ザビ−ムスポツトの２次元走査装置
HK1050504A (en) Laser drilling method and laser drilling device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200703

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6997566

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250