JP7004579B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体に関する。

従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板の裏面に処理液を供給することによって基板の裏面を処理する基板処理装置が知られている。

この種の基板処理装置では、基板の裏面に対して処理液を供給した後、基板を高速で回転させることによって基板から処理液を振り切って基板を乾燥させる乾燥処理が行われる（特許文献１参照）。

特開２００５－１２３３３５号公報

しかしながら、上述した従来技術では、乾燥処理後の基板の裏面に処理液が残存する液残りが発生する場合がある。基板の裏面に液残りが発生すると、たとえば、次工程の装置において、基板を保持する保持部が汚染されるなどの不具合が発生するおそれがある。

実施形態の一態様は、乾燥処理後における基板裏面への液残りを検出することができる基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持部と、ノズルと、検知部と、制御部とを備える。保持部は、基板を保持して回転させる。ノズルは、基板の裏面に向けて処理液を吐出する。検知部は、対象領域内の物体の温度を測定する。制御部は、保持部を制御して、基板を回転させることによって基板から処理液を振り切って基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、検知部による検知結果に基づき、基板の裏面における処理液の液残りの有無を判定する。

実施形態の一態様によれば、乾燥処理後における基板裏面への液残りを検出することができる。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、処理ユニットの具体的な構成を示す図である。 図４は、支持部が上方位置にあるときの処理ユニットの状態を示す図である。 図５は、検知部の検知結果を模式的に表した図である。 図６は、処理ユニットにおいて行われる基板処理の手順を示すフローチャートである。 図７は、復旧処理の手順を示すフローチャートである。 図８は、復旧用リンス処理の処理時間を調整する処理の説明図である。 図９は、第１の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。 図１０は、第２の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。 図１１は、第３の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。 図１２は、第４の変形例に係る処理ユニットの構成を示す図である。 図１３は、第４の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。

以下に、本願に係る基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本願に係る基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

〔１．基板処理システムの構成〕
まず、基板処理システムの構成について図１を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

制御装置４の制御部１８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、後述する制御を実現する。

制御装置４の記憶部１９は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、又は、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現される。

〔２．処理ユニットの概略構成〕
次に、処理ユニット１６について図２を参照し説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。

〔３．処理ユニットの具体的構成〕
次に、上述した処理ユニット１６の具体的な構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、処理ユニット１６の具体的な構成を示す図である。また、図４は、支持部が上方位置にあるときの処理ユニット１６の状態を示す図である。なお、図３および図４においては、チャンバ２０、処理流体供給部４０および回収カップ５０を省略して示している。

図３に示すように、保持部３１は、ウェハＷを保持する保持プレート１３１ａと、ウェハＷを下方から支持する支持部１３１ｂと、保持プレート１３１ａの中心部分に形成された貫通穴１３３を通る裏面ノズル４１と、支持部１３１ｂを保持プレート１３１ａに対して相対的に昇降させる昇降機構６０とを備える。支持部１３１ｂは、保持プレート１３１ａ上に配置され、保持プレート１３１ａと連動して回転するようになっている。裏面ノズル４１には、保持プレート１３１ａの貫通穴１３３を塞ぐよう設けられたヘッド部分４２が設けられている。

支持部１３１ｂは、昇降可能に構成される。図３には、支持部１３１ｂが保持プレート１３１ａに当接する下方位置にあるときの状態が示されており、図４には、支持部１３１ｂが保持プレート１３１ａから離隔した上方位置にあるときの状態が示されている。支持部１３１ｂは、図３に示すような下方位置と図４に示すような上方位置との間で昇降可能である。

支持部１３１ｂは、円板形状を有し、その中心部分には貫通穴が形成されている。支持部１３１ｂのおもて面には、複数のリフトピン１３１ｄが設けられている。これらのリフトピン１３１ｄは、支持部１３１ｂの周縁部近傍において周方向に等間隔で設けられている。また、支持部１３１ｂの裏面には、複数の軸部１３１ｆが設けられている。各軸部１３１ｆは、支持部１３１ｂの裏面から下方に向かって延在する。これらの軸部１３１ｆは、支持部１３１ｂの周縁部近傍において周方向に等間隔で設けられている。

保持プレート１３１ａは、支持部１３１ｂよりも大径の円板形状を有し、その中心部分には貫通穴１３３が形成されている。この貫通穴１３３には裏面ノズル４１が通される。保持プレート１３１ａのおもて面には、支持部１３１ｂを収容可能な窪みが形成される。支持部１３１ｂは、下方位置において保持プレート１３１ａの上記窪みに収容される。

保持プレート１３１ａの裏面の中心部分には、当該保持プレート１３１ａの裏面から下方に延びるよう中空の支柱部３２が取り付けられている。この支柱部３２の中空部分には裏面ノズル４１が収容されている。また、支柱部３２はベアリング（図示せず）等を介して駆動部（図示せず）により回転させられるようになっている。駆動部が支柱部３２を回転させることにより、保持プレート１３１ａも回転することとなる。

また、保持プレート１３１ａには、支持部１３１ｂの裏面から下方に延びる棒状の軸部１３１ｆが挿通される複数の貫通穴１３１ａ１が形成されている。各貫通穴１３１ａ１は保持プレート１３１ａの周方向に等間隔に設けられている。

保持プレート１３１ａには、ウェハＷを側方から支持するための複数の基板支持部１４１が設けられている。図３に示すように、基板支持部１４１は、支持部１３１ｂが下方位置にあるときにウェハＷを側方から支持する。一方、図４に示すように、基板支持部１４１は、支持部１３１ｂが上方位置にあるときにはウェハＷから離隔するようになっている。

裏面ノズル４１は、保持プレート１３１ａの貫通穴１３３を通過するよう設けられている。なお、裏面ノズル４１は、支持部１３１ｂや保持プレート１３１ａが回転する際にも回転しないようになっている。裏面ノズル４１には、液体を通すための液供給路４０ａと、気体を通すための気体供給路４０ｂとが設けられている。

液供給路４０ａは、流量調整部７１を介して薬液供給源７２に接続される。流量調整部７１は、開閉弁、流量制御弁、流量計などを含んで構成され、薬液供給源７２から供給される薬液の流量を調整する。薬液供給源７２は、薬液を貯留するタンクである。たとえば、薬液供給源７２は、薬液としてＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）を貯留する。なお、薬液供給源７２に貯留される薬液は、ＳＣ１に限らず、ＳＣ２（塩酸／過酸化水素／水の混合液）やＤＨＦ（希フッ酸）等であってもよい。

また、液供給路４０ａは、流量調整部７３を介してリンス液供給源７４に接続される。流量調整部７３は、開閉弁、流量制御弁、流量計などを含んで構成され、リンス液供給源７４から供給されるリンス液の流量を調整する。リンス液供給源７４は、リンス液を貯留するタンクである。たとえば、リンス液供給源７４は、リンス液として純水（Deionized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）を貯留する。

気体供給路４０ｂは、流量調整部７５を介して気体供給源７６に接続される。流量調整部７５は、開閉弁、流量制御弁、流量計などを含んで構成され、気体供給源７６から供給される乾燥用気体の流量を調整する。気体供給源７６は、乾燥用気体を貯留するタンクである。たとえば、気体供給源７６は、乾燥用気体としてＮ２（窒素）ガスを貯留する。

薬液供給源７２に貯留された薬液およびリンス液供給源７４に貯留されたリンス液は、液供給路４０ａを通って裏面ノズル４１の先端からウェハＷの裏面中央部に向かって吐出される。また、気体供給源７６に貯留された乾燥用気体は、気体供給路４０ｂを通って裏面ノズル４１の先端からウェハＷの裏面中央部に向かって吐出される。

昇降機構６０には、水平方向に延在する第１の連動部材４４が接続されている。第１の連動部材４４には、複数の棒状の第２の連動部材４６が第１の連動部材４４から上方に延びるよう接続されている。各第２の連動部材４６は、各軸部１３１ｆの底面に接触するよう設けられる。

図３に示す状態において、昇降機構６０が第１の連動部材４４および各第２の連動部材４６を上方に移動させることにより、各第２の連動部材４６が各軸部１３１ｆの底面に当接して各軸部１３１ｆを上方に押し上げる。これにより、支持部１３１ｂが上方に移動して、図４に示す上方位置に配置された状態となる。

処理ユニット１６では、薬液処理とリンス処理と乾燥処理とが連続的に行われる。薬液処理は、ウェハＷの裏面に対して裏面ノズル４１から薬液を供給する処理である、リンス処理は、薬液処理後のウェハＷの裏面に対してリンス液を供給する処理である。また、乾燥処理は、リンス処理後のウェハＷの裏面に対して裏面ノズル４１から乾燥用気体を供給しつつ、ウェハＷを高速で回転させることによってウェハＷからリンス液を振り切ってウェハＷを乾燥させる処理である。

ここで、処理ユニット１６においては、乾燥処理後の基板の裏面に処理液が残存する液残りが発生する場合がある。

液残りは、たとえば、薬液処理時に吐出された薬液が、裏面ノズル４１の気体供給路４０ｂに入り込み、その後の乾燥処理時において乾燥用気体とともに気体供給路４０ｂから吐出されてウェハＷの裏面に付着することによって生じ得る。薬液は揮発しにくく、ウェハＷの裏面に付着し続けるため、ウェハＷの裏面に液残りが発生することとなる。

液残りの他の原因として、裏面ノズル４１のヘッド部分４２に付着した処理液の転写も考えられる。すなわち、上述した一連の基板処理において、ウェハＷの裏面は、裏面ノズル４１のヘッド部分４２に近接した位置に配置されるため、ヘッド部分４２の上部に残存する薬液がウェハＷの裏面に転写する可能性がある。何れの場合においても、液残りは、裏面ノズル４１の近傍であるウェハＷの裏面中央部において発生する可能性が高い。

ウェハＷの裏面に液残りが発生すると、たとえば、次工程の装置において、ウェハＷを保持する保持部が薬液によって汚染されるおそれがある。そこで、処理ユニット１６では、乾燥処理後のウェハＷを処理ユニット１６から搬出する前に、ウェハＷの裏面に液残りが発生しているか否かを検査することとした。また、処理ユニット１６では、ウェハＷの裏面に液残りが発生している場合には、液残りを解消するための復旧処理を行ったうえで、乾燥処理後のウェハＷを搬出することとした。

具体的には、本実施形態に係る処理ユニット１６は、ウェハＷの裏面に付着した処理液を検知する検知部１００を備える。検知部１００は、赤外線センサであり、チャンバ２０内において、保持部３１に保持されたウェハＷよりも上方に配置される。

赤外線センサである検知部１００は、赤外線を受光する受光素子を備えており、対象領域内の物体から放射される赤外線を受光素子にて受光して電気信号に変換し、さらに、この電気信号を輝度信号に変換することによって赤外線画像を生成する。すなわち、検知部１００によれば、対象領域内の物体の温度を非接触で測定することが可能である。

半導体ウェハ、具体的にはシリコンウェハであるウェハＷは、赤外線を透過する性質を有する。このため、ウェハＷの裏面に付着した処理液から放射される赤外線は、ウェハＷを透過して検知部１００の受光部によって受光される。これにより、検知部１００は、ウェハＷの裏面に付着した処理液をウェハＷのおもて面側から検知することができる。

検知部１００は、たとえば、上述した一連の基板処理の間、ウェハＷの中心を含む対象領域内における物体の温度を検知し続ける。そして、検知部１００は、検知結果である赤外線画像を制御部１８へ出力する。図５は、検知部１００の検知結果を模式的に表した図である。

図５に示すように、検知部１００の検知結果である赤外線画像は、対象領域内の熱分布を図として表した画像である。処理液が付着した部分は、処理液の気化熱によって周囲よりも温度が低くなる。この現象を利用することにより、制御部１８は、赤外線画像において周囲よりも温度が低い部分Ｈを、処理液が付着している部分として検出することができる。

〔４．処理フロー〕
次に、上述した処理ユニット１６において行われる一連の基板処理の内容について図６を参照して説明する。図６は、処理ユニット１６において行われる基板処理の手順を示すフローチャートである。なお、図６に示す各処理手順は、制御部１８による制御に従って実行される。

基板搬送装置１７（図１参照）によって処理ユニット１６に搬送されてきたウェハＷは、不図示の搬入出口を介してチャンバ２０内に搬入される（ステップＳ１０１）。基板搬送装置１７は、基板保持機構３０の保持部３１にウェハＷを載置した後、チャンバ２０内から退避する。

その後、制御部１８は、薬液処理を開始する（ステップＳ１０２）。薬液処理において、制御部１８は、駆動部３３を制御して、保持部３１を回転させる。つづいて、制御部１８は、流量調整部７１の開閉弁を所定時間開放する。これにより、薬液供給源７２から供給される薬液が、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に吐出される。ウェハＷの裏面に吐出された薬液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷ上に広がる。これにより、ウェハＷの裏面が薬液によって処理（たとえば洗浄）される。

つづいて、制御部１８は、リンス処理を開始する（ステップＳ１０３）。リンス処理において、制御部１８は、流量調整部７３の開閉弁を所定時間開放する。これにより、リンス液供給源７４から供給されるリンス液が、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に吐出される。ウェハＷの裏面に吐出されたリンス液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷ上に広がる。これにより、ウェハＷに残存する薬液がリンス液によって洗い流される。

つづいて、制御部１８は、乾燥処理を行う（ステップＳ１０４）。乾燥処理において、制御部１８は、薬液処理時およびリンス処理時よりも高い回転数でウェハＷを回転させる。また、制御部１８は、流量調整部７５の開閉弁を所定時間開放することにより、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にＮ２ガスを吐出させる。これにより、裏面ノズル４１から吐出されるＮ２ガスとウェハＷの回転に伴う遠心力とによってウェハＷに残存するリンス液がウェハＷ上から除去されてウェハＷが乾燥する。

仮に、薬液処理時に吐出された薬液が気体供給路４０ｂに入り込んでいた場合、気体供給路４０ｂ内の薬液は、ステップＳ１０４の乾燥処理時にＮ２ガスとともに吐出されてウェハＷの裏面に付着する可能性がある。

その後、制御部１８は、ウェハＷの回転を停止し、検知部１００から取得した検知結果（図５参照）に基づき、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定する（ステップＳ１０５）。

たとえば、制御部１８は、温度が閾値未満の領域が存在する場合に、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定する。または、制御部１８は、周囲の温度（たとえば、検知結果において分布割合が最も多い温度、以下、「基準温度」と記載する）よりも温度の低い領域であって、上記基準温度との温度差が閾値を超える領域が存在する場合に、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定してもよい。

ステップＳ１０５において、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定した場合（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、制御部１８は、報知処理を行う（ステップＳ１０６）。報知処理において、制御部１８は、たとえば、基板処理システム１が備える図示しない表示灯を点灯させたり、該当する処理ユニット１６においてウェハＷの裏面への液残りが発生した旨の情報を上位装置に出力したりする。また、制御部１８は、上記の情報を基板処理システム１が備える図示しない表示部に表示してもよい。

また、制御部１８は、液残りを解消するための復旧処理を行う（ステップＳ１０７）。この復旧処理の内容については後述する。復旧処理により、ウェハＷの裏面に付着した薬液がウェハＷの裏面から除去される。

ステップＳ１０５においてウェハＷの裏面に液残りがない場合（ステップＳ１０５，Ｎｏ）、あるいは、ステップＳ１０７の復旧処理を終えた場合、制御部１８は、搬出処理を行う（ステップＳ１０８）。搬出処理では、チャンバ２０内に進入してきた基板搬送装置１７に、搬入時とは反対の手順でウェハＷを受け渡し、処理ユニット１６からウェハＷを搬出する。

ここでは、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定する処理を乾燥処理後に行うこととしたが、制御部１８は、乾燥処理後だけでなく、薬液処理の開始前にも同様の判定処理を行うようにしてもよい。

たとえば、制御部１８は、搬入処理後、ウェハＷを回転させる前に、検知部１００から入力される検知結果に基づいてウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定してもよい。このように、薬液処理前に判定処理を行うことで、乾燥処理後に検出された液残りが薬液処理後に発生したものであるか、薬液処理前から発生していたものであるかを切り分けることができる。すなわち、薬液処理前の判定処理において、液残りがあると判定された場合には、ウェハＷの裏面に薬液処理前から液残りが発生していることがわかる。また、薬液処理前の判定処理において、液残りがあると判定された場合に、ステップＳ１０６の報知処理および後述するステップＳ１０７の復旧処理と同様の処理を行うことで、処理対象であるウェハＷを裏面に液残りのない正常な状態にしたうえで、薬液処理を開始することができる。

また、ここでは、ステップＳ１０７において復旧処理を行った後で搬出処理を行うこととしたが、これに限らず、制御部１８は、復旧処理を行った後、ステップＳ１０５と同様の判定処理を再度行い、復旧処理後のウェハＷの裏面に液残りがないと判定された場合にステップＳ１０８の搬出処理に移行してもよい。

また、ステップＳ１０５の判定処理を行うか否かは、設定により変更可能としてもよい。

なお、ステップＳ１０２の薬液処理では、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に薬液を供給する処理とともに、処理流体供給部４０（図２参照）からウェハＷのおもて面に薬液を供給する処理も行われる。また、ステップＳ１０３のリンス処理では、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にリンス液を供給する処理とともに、処理流体供給部４０からウェハＷのおもて面にリンス液を供給する処理も行われる。また、ステップＳ１０４の乾燥処理では、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にＮ２ガスを供給する処理とともに、処理流体供給部４０からウェハＷのおもて面にＮ２ガスを供給する処理も行われる。

次に、ステップＳ１０７における復旧処理の処理手順について図７を参照して説明する。図７は、復旧処理の手順を示すフローチャートである。

図７に示すように、復旧処理において、制御部１８は、まず、復旧用リンス処理を行う（ステップＳ２０１）。復旧用リンス処理において、制御部１８は、駆動部３３を制御して保持部３１を回転させる。その後、制御部１８は、流量調整部７３の開閉弁を所定時間開放する。これにより、リンス液供給源７４から供給されるリンス液が、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に吐出される。ウェハＷの裏面に吐出されたリンス液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷ上に広がる。これにより、ウェハＷの裏面に残存する薬液がリンス液によって洗い流されて、液残りが解消する。

復旧用リンス処理では、ウェハＷのおもて面および裏面のうち裏面にのみリンス液が供給される。このため、復旧用リンス処理においては、ウェハＷのおもて面へのリンス液の回り込みを抑制するために、ウェハＷの回転数を、ステップＳ１０３のリンス処理時における回転数よりも高くしてもよい。たとえば、制御部１８は、復旧用リンス処理において、後段の復旧用乾燥処理時と同一あるいは復旧用乾燥処理時よりも高い回転数でウェハＷを回転させる。具体的には、ウェハＷの回転数は、１０００ｒｐｍ以上であることが望ましい。

つづいて、制御部１８は、復旧用乾燥処理を行う（ステップＳ２０２）。復旧用乾燥処理において、制御部１８は、流量調整部７５の開閉弁を所定時間開放することにより、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にＮ２ガスを吐出させる。これにより、裏面ノズル４１から吐出されるＮ２ガスとウェハＷの回転に伴う遠心力とによってウェハＷに残存するリンス液がウェハＷ上から除去されてウェハＷが乾燥する。復旧用乾燥処理を終えると、制御部１８は、復旧処理を終了する。

このように、制御部１８は、ウェハＷの裏面に処理液の液残りがあると判定した場合に、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に向けてリンス液を吐出する復旧用リンス処理と、復旧用リンス処理後、保持部３１を制御して、ウェハＷを回転させることによってウェハＷからリンス液を振り切ってウェハＷを乾燥させる復旧用乾燥処理とを行うこととした。

これによりウェハＷの裏面に液残りが発生したとしても、かかる液残りが発生したウェハＷを液残りのない状態にして、処理ユニット１６から搬出することができる。

制御部１８は、図５に示す赤外線画像から液残りが検出された領域（図５に示すＨ）の面積（以下、「液残り面積」と記載する）を算出し、算出した液残り面積の大きさに応じて、復旧用リンス処理において裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に向けてリンス液を吐出する時間を調整してもよい。かかる点について図８を参照して説明する。図８は、復旧用リンス処理の処理時間を調整する処理の説明図である。

ウェハＷの裏面に少量の薬液しか付着していない場合、液残りを除去するのに必要なリンス液の吐出時間は、ウェハＷの裏面に多量の薬液が付着している場合と比べて短くてよい。そこで、図８に示すように、制御部１８は、液残り面積が大きいほど、復旧用リンス処理におけるリンス液の吐出時間を長くし、液残り面積が小さいほど、復旧用リンス処理におけるリンス液の吐出時間を短くしてもよい。このようにすることで、復旧用リンス処理の処理時間の最適化を図ることができる。

上述してきたように、本実施形態に係る処理ユニット１６（基板処理装置の一例）は、保持部３１と、裏面ノズル４１（ノズルの一例）と、検知部１００と、制御部１８とを備える。保持部３１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持して回転させる。裏面ノズル４１は、ウェハＷの裏面に向けて処理液を吐出する。検知部１００は、対象領域内の物体の温度を測定する。制御部１８は、保持部３１を制御して、ウェハＷを回転させることによってウェハＷから処理液を振り切ってウェハＷを乾燥させる乾燥処理を行った後、検知部１００による検知結果に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定する。

したがって、本実施形態に係る処理ユニット１６によれば、乾燥処理後におけるウェハＷ裏面への液残りを検出することができる。

〔５．第１の変形例〕
赤外線センサである検知部１００を用い、ウェハＷのおもて面側から対象領域内の処理液を検知することとした場合、ウェハＷの裏面に付着している処理液だけでなく、保持プレート１３１ａや裏面ノズル４１のヘッド部分４２等に付着している処理液も検知してしまう可能性がある。

そこで、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別する処理を行ってもよい。かかる点について図９を参照して説明する。図９は、第１の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。図９に示す一連の処理は、たとえば図６に示すステップＳ１０５において行われる。

図９に示すように、制御部１８は、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ３０１）。ステップＳ３０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ３０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ３０２）。

一方、ステップＳ３０１において、処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ３０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、昇降機構６０（図３参照）を制御してリフトピン１３１ｄを上昇させる（ステップＳ３０３）。これにより、基板支持部１４１によりウェハＷが支持された状態が解除され、ウェハＷがリフトピン１３１ｄとともに上昇して図４に示す上方位置に配置された状態となる。

ここで、ステップＳ３０１において検知された処理液がウェハＷの裏面に付着した処理液である場合、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させることにより、処理液は検知部１００に近づくこととなる。これにより、検知部１００によって検知される処理液の面積（液残り面積）は大きくなる。一方、ステップＳ３０１において検知された処理液がウェハＷ以外の場所（たとえば、裏面ノズル４１のヘッド部分４２）に付着した処理液である場合、ウェハＷを上昇させても液残り面積は変化しない。

制御部１８は、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させる前における液残り面積と、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させた後における液残り面積とを比較することにより、液残り面積が増加したか否かを判定する（ステップＳ３０４）。そして、制御部１８は、液残り面積が増加したと判定した場合には（ステップＳ３０４，Ｙｅｓ）、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ３０５）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、液残り面積が増加していない場合（ステップＳ３０４，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ３０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。

このように、第１の変形例において、制御部１８は、乾燥処理を行った後、リフトピン１３１ｄを用いてウェハＷを持ち上げた場合において検知部１００によって検知される処理液の形状の変化に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別することができる。したがって、ウェハＷの裏面への液残りの誤検出を抑制することができる。

なお、ここでは、ステップＳ３０４において、液残り面積が増加したか否かを判定することにより、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定することとしたが、制御部１８は、たとえば、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させている間、液残りを検出し続け、液残りが検出された領域が移動した場合に、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定してもよい。

〔６．第２の変形例〕
検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかは、ウェハＷを回転させることによって判別することも可能である。かかる点について図１０を参照して説明する。図１０は、第２の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。

図１０に示すように、制御部１８は、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ４０１）。ステップＳ４０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ４０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ４０２）。

一方、ステップＳ４０１において、処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ４０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、駆動部３３を制御してウェハＷをたとえば１回転させる（ステップＳ４０３）。このときのウェハＷの回転数は、少なくとも薬液処理（ステップＳ１０２）およびリンス処理（ステップＳ１０３）におけるウェハＷの回転数よりも低い回転数とする。

ステップＳ４０１において検知された処理液がウェハＷの裏面に付着した処理液である場合、ステップＳ４０３においてウェハＷを回転させることにより、ウェハＷの回転に伴って処理液の形状は変化（回転）することとなる。これに対し、ステップＳ４０１において検知された処理液がウェハＷ以外の場所に付着した処理液である場合には、ウェハＷを回転させても、液残りの形状は変化しない。

制御部１８は、検知部１００によって検知された液残りの形状がウェハＷの回転によって変化したか否かを判定する（ステップＳ４０４）。そして、制御部１８は、液残りの形状が変化したと判定した場合には（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ４０５）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、液残りの形状が変化していない場合（ステップＳ４０４，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ４０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。

このように、第２の変形例において、制御部１８は、乾燥処理を行った後、保持部３１を制御してウェハＷを回転させた場合において検知部１００によって検知される処理液の形状の変化に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、第１の変形例と同様、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別することができる。

〔７．第３の変形例〕
検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかは、検知部１００によって検知された処理液の温度の経時変化に基づいて判別することも可能である。かかる点について図１１を参照して説明する。図１１は、第３の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。

図１１に示すように、制御部１８は、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ５０１）。ステップＳ５０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ５０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ５０２）。

一方、ステップＳ５０１において、処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ５０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、設定時間が経過したか否かを判定し（ステップＳ５０３）、設定時間が経過するまでウェハＷの位置を固定した状態で待機する（ステップＳ５０３，Ｎｏ）。

処理液の液温は時間の経過とともに変化するが、その変化率は、処理液が付着している物体の熱伝導率によって変化する。制御部１８は、検知部１００によって検知された処理液の液温の変化率と、予め記憶された基準変化率との一致度を算出する（ステップＳ５０４）。基準変化率は、ウェハＷの裏面に付着した処理液の液温の変化率であり、実験またはシミュレーション等によって求められる。

そして、制御部１８は、ステップＳ５０４において算出した一致度が閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ５０５）。ステップＳ５０５において、一致度が閾値以上であると判定した場合（ステップＳ５０５，Ｙｅｓ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ５０６）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、一致度が閾値未満である場合（ステップＳ５０５，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ５０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。

このように、第３の変形例において、制御部１８は、乾燥処理を行った後、ウェハＷの位置を固定した状態において検知部１００によって検知される処理液の形状の経時変化に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、第１の変形例と同様、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別することができる。

〔８．第４の変形例〕
仮に、ウェハＷのおもて面に処理液が残存している場合、赤外線センサである検知部１００により、ウェハＷの裏面に付着している処理液だけでなく、ウェハＷのおもて面に付着している処理液も検知される可能性がある。

そこで、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷのおもて面に付着した処理液であるかを判別する処理を行ってもよい。かかる点について図１２および図１３を参照して説明する。

図１２は、第４の変形例に係る処理ユニットの構成を示す図である。また、図１３は、第４の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。なお、図１２においては、チャンバ２０、保持部３１、処理流体供給部４０、回収カップ５０等を省略して示している。また、図１３に示す一連の処理は、たとえば図６に示すステップＳ１０５において行われる。

図１２に示すように、第４の変形例に係る処理ユニット１６Ａは、撮像部１５０をさらに備える。撮像部１５０は、たとえばＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラである。撮像部１５０は、チャンバ２０内において、保持部３１に保持されたウェハＷよりも上方に配置される。また、撮像部１５０は、検知部１００における対象領域すなわちウェハＷの中心を含む領域を対象領域とする。撮像部１５０は、対象領域内に存在する処理液を撮像し、撮像結果である撮像画像を制御部１８へ出力する。

図１３に示すように、制御部１８は、まず、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ６０１）。ステップＳ６０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ６０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ６０２）。

一方、ステップＳ６０１において、検知部１００によって処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ６０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、撮像部１５０によって処理液が撮像されていないか否かを判定する（ステップＳ６０３）。

ここで、検知部１００は、ウェハＷのおもて面に付着した処理液および裏面に付着した処理液の両方を検知することができるのに対し、撮像部１５０は、ウェハＷのおもて面に付着した処理液しか検知することができない。したがって、検知部１００によって処理液が検知され、且つ、撮像部１５０によって処理液が撮像されていない場合、検知部１００によって検知された処理液は、ウェハＷのおもて面に付着した処理液でないことがわかる。

制御部１８は、ステップＳ６０３において、撮像部１５０によって処理液が撮像されていないと判定した場合（ステップＳ６０３，Ｙｅｓ）、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ６０４）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、撮像部１５０によって処理液が撮像されたと判定した場合（ステップＳ６０３，Ｎｏ）、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ６０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。

このように、第４の変形例において、制御部１８は、検知部１００による検知結果と撮像部１５０による撮像結果とに基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷのおもて面に付着した処理液であるかを判別することができる。

なお、ここでは、ステップＳ６０３において、撮像部１５０によって処理液が撮像されたと判定した場合に（ステップＳ６０３，Ｎｏ）、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定することとした（ステップＳ６０２）。しかし、実際には、ウェハＷのおもて面および裏面の両方に液残りが発生していることも想定される。そこで、制御部１８は、ステップＳ６０４において、ステップＳ１０６（図６参照）と同様の報知処理を行ってもよい。これにより、たとえば、作業者が目視によりウェハＷのおもて面および裏面を確認することで、ウェハＷが次工程に搬送される前に、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判断することができる。

〔９．その他の変形例〕
上述した実施形態では、検知部１００として赤外線センサを例に挙げて説明したが、検知部１００は、シリコンウェハであるウェハＷを透過する波長の電磁波を受光することによってウェハＷの裏面に付着した処理液を検知するものであればよく、必ずしも赤外線センサであることを要しない。

また、上述した実施形態では、検知部１００をウェハＷの上方に配置する場合の例について説明したが、検知部１００は、ウェハＷの下方に配置されてもよい。この場合、検知部１００としてＣＣＤカメラ等の撮像部を用いることも可能である。

また、上述した実施形態では、検知部１００が、ウェハＷの面内における一部の領域を対象領域とする場合の例について説明したが、検知部１００は、ウェハＷの全面を対象領域としてもよい。また、上述した実施形態では、ウェハＷの中心を含む対象領域内の処理液を検知する場合の例について説明したが、対象領域は、必ずしもウェハＷの中心を含んでいなくてもよい。たとえば、検知部１００は、ウェハＷの外周部を含む領域を対象領域としてもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板保持機構
４０ａ 液供給路
４０ｂ 気体供給路
４１ 裏面ノズル
４２ ヘッド部分
１００ 検知部
１３１ｄ リフトピン

Claims (12)

1. 基板を保持して回転させる保持部と、
   前記基板の裏面に向けて処理液を吐出するノズルと、
   対象領域内の物体の温度を測定する検知部と、
   前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、前記検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する制御部と、
   前記基板を持ち上げるリフトピンと
   を備え、
   前記検知部は、
   前記基板よりも上方に配置され、前記基板を透過する波長の電磁波を受光することによって前記基板の裏面に付着した前記処理液を検知し、
   前記制御部は、
   前記乾燥処理を行った後、前記リフトピンを用いて前記基板を持ち上げた場合において前記検知部によって検知される前記処理液の形状の変化に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、基板処理装置。
2. 基板を保持して回転させる保持部と、
   前記基板の裏面に向けて処理液を吐出するノズルと、
   対象領域内の物体の温度を測定する検知部と、
   前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、前記検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する制御部と
   を備え、
   前記検知部は、
   前記基板よりも上方に配置され、前記基板を透過する波長の電磁波を受光することによって前記基板の裏面に付着した前記処理液を検知し、
   前記制御部は、
   前記乾燥処理を行った後、前記保持部を制御して前記基板を回転させた場合において前記検知部によって検知される前記処理液の形状の変化に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、基板処理装置。
3. 基板を保持して回転させる保持部と、
   前記基板の裏面に向けて処理液を吐出するノズルと、
   対象領域内の物体の温度を測定する検知部と、
   前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、前記検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する制御部と
   を備え、
   前記検知部は、
   前記基板よりも上方に配置され、前記基板を透過する波長の電磁波を受光することによって前記基板の裏面に付着した前記処理液を検知し、
   前記制御部は、
   前記乾燥処理を行った後、前記基板の位置を固定した状態において前記検知部によって検知される前記処理液の形状の経時変化に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、基板処理装置。
4. 基板を保持して回転させる保持部と、
   前記基板の裏面に向けて処理液を吐出するノズルと、
   対象領域内の物体の温度を測定する検知部と、
   前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、前記検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する制御部と、
   前記基板よりも上方に配置され、前記基板のおもて面を撮像する撮像部と
   を備え、
   前記検知部は、
   前記基板よりも上方に配置され、前記基板を透過する波長の電磁波を受光することによって前記基板の裏面に付着した前記処理液を検知し、
   前記制御部は、
   前記検知部による検知結果と前記撮像部による撮像結果とに基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、基板処理装置。
5. 基板を保持して回転させる保持部と、
   前記基板の裏面に向けて処理液を吐出するノズルと、
   対象領域内の物体の温度を測定する検知部と、
   前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、前記検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する制御部と
   を備え、
   前記制御部は、
   前記基板の裏面に前記処理液の液残りがあると判定した場合に、前記ノズルから前記基板の裏面に向けてリンス液を吐出する復旧用リンス処理と、前記復旧用リンス処理後、前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記リンス液を振り切って該基板を乾燥させる復旧用乾燥処理とを行う、基板処理装置。
6. 前記検知部は、
   赤外線センサである、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 前記検知部は、
   前記基板の中心を含む前記対象領域内の前記処理液を検知する、請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、
   前記検知部によって検知された前記処理液のサイズに応じて、前記復旧用リンス処理において前記ノズルから前記基板の裏面に向けて前記リンス液を吐出する時間を調整する、請求項５に記載の基板処理装置。
9. 基板の裏面に向けて処理液を吐出する吐出工程と、
   前記吐出工程後、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥工程と、
   前記乾燥工程後、対象領域内の物体の温度を測定する検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する判定工程と
   を含み、
   前記検知部は、
   前記基板よりも上方に配置され、前記基板を透過する波長の電磁波を受光することによって前記基板の裏面に付着した前記処理液を検知し、
   前記判定工程は、
   前記乾燥工程後、前記基板の位置を固定した状態において前記検知部によって検知される前記処理液の形状の経時変化に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、基板処理方法。
10. 基板の裏面に向けて処理液を吐出する吐出工程と、
    前記吐出工程後、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥工程と、
    前記乾燥工程後、対象領域内の物体の温度を測定する検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する判定工程と、
    前記基板よりも上方に配置された撮像部を用いて前記基板のおもて面を撮像する撮像工程と
    を含み、
    前記検知部は、
    前記基板よりも上方に配置され、前記基板を透過する波長の電磁波を受光することによって前記基板の裏面に付着した前記処理液を検知し、
    前記判定工程は、
    前記検知部による検知結果と前記撮像部による撮像結果とに基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、基板処理方法。
11. 基板の裏面に向けて処理液を吐出する吐出工程と、
    前記吐出工程後、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥工程と、
    前記乾燥工程後、対象領域内の物体の温度を測定する検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する判定工程と、
    前記判定工程において前記基板の裏面に前記処理液の液残りがあると判定した場合に、前記基板の裏面に向けてリンス液を吐出する復旧用リンス工程と、
    前記復旧用リンス工程後、前記基板を回転させることによって該基板から前記リンス液を振り切って該基板を乾燥させる復旧用乾燥工程と
    を含む、基板処理方法。
12. コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    前記プログラムは、実行時に、請求項９～１１のいずれか一つに記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、記憶媒体。

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