JP7032073B2 - 表示装置及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、表示装置、入出力装置、半導体装置、発光装置、電子機器、照明装置、それらの駆動方法、またはそれらの作製方法に関する。特に、表示装置（表示パネル）に関する。または、表示装置を備える入出力装置、半導体装置、電子機器、発光装置、照明装置、またはそれらの作製方法に関する。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、発光装置、表示装置、電子機器、および照明装置は半導体装置を有している場合がある。

近年、低消費電力で駆動可能な表示装置のひとつとして電子ペーパーが注目されている。電子ペーパーは、低消費電力化や電源を切っても画像を保持できるという利点を有しており、電子書籍やポスターへの利用が期待されている。

これまでに様々な種類・方式を用いた電子ペーパーが提案されており、電子ペーパーにおいても液晶表示装置等と同様に、画素のスイッチング素子としてトランジスタを用いたアクティブマトリクス型の電子ペーパーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

一方、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、を用いた表示装置の開発が進められている。特許文献２乃至４には、ＭＥＭＳを用いた表示素子を有する画素回路が開示されている。

特開２００２－１６９１９０号公報 特開２０１４－１４２４０５号公報 特表２０１４－５２２５０９号公報 特表２０１４－５２３６５９号公報

電子ペーパーやＭＥＭＳを用いた表示装置は、光環境が明るい場合、その消費電力を低減することができる。一方、暗所においては、高コントラストな有機ＥＬ素子が適用された表示装置の方が視認性に優れている場合がある。有機ＥＬ素子を用いる場合、特に、バッテリを電源に用いる機器においては、表示装置の消費電力が大きな割合を占めるため、表示装置の低消費電力化が求められている。

携帯型の電子機器は、屋内外を問わず、視認性の高い表示が行え、かつ消費電力の低減された表示装置を有することが望まれている。

本発明の一態様は、視認性の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。または、多様な表示が可能な表示装置を提供することを目的の一つとする。または、低消費電力の表示装置を提供することを目的の一つとする。または、新規な表示装置を提供することを目的の一つとする。または上記表示装置（表示パネル）を備えた半導体装置を提供することを目的の一つとする。または、新規な半導体装置を提供することを目的の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様の表示装置は、画素を有し、画素は、自発光型の表示素子と、反射型の表示素子と、を有する。自発光型の表示素子は、反射型の表示素子より、表示面側に配置され、反射型の表示素子は、電極より供給された電力により配置を変える光量調節手段を有し、反射型の表示素子は、光量調節手段にて光を遮蔽し、反射光の強度を変化させる。

上記構成において、泳動粒子を有し、光量調節手段は、泳動粒子であり、泳動粒子は、マイクロカプセルに内蔵されると好ましい。

上記各構成において、表示装置は、画素を複数備え、複数の画素には、第１の画素と、第２の画素と、第３の画素と、が含まれると好ましい。第１の画素は、第１の色で着色された泳動粒子を有し、第２の画素は、第２の色で着色された泳動粒子を有し、第３の画素は、第３の色で着色された泳動粒子を有し、第２の色で着色された泳動粒子は、第１の色で着色された泳動粒子とは異なる色を備え、第３の色で着色された泳動粒子は、第１の色で着色された泳動粒子および第２の色で着色された泳動粒子とは異なる色を備えると好ましい。

また上記構成において、第１の画素は、第１の色で着色された溶液を備え、第２の画素は、第２の色で着色された溶液を備え、第３の画素は、第３の色で着色された溶液を備え、第２の色で着色された溶液は、第１の色で着色された溶液とは異なる色を備え、第３の色で着色された溶液は、第１の色で着色された溶液および第２の色で着色された溶液とは異なる色を備えてもよい。

上記構成において、光半透過層と、光反射層と、を有し、光量調節手段は、光半透過層、または光反射層、であり、光半透過層と、光反射層と、の距離は、電気的または磁気的作用により、変化が可能であり、光半透過層は、光反射層と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。

上記各構成において、自発光型の表示素子は、可視光を透過し、反射型の表示素子は、自発光型の表示素子を透過した光を反射することができると好ましい。

上記構成において、シャッターと、を有し、光量調節手段は、シャッターであると好ましい。このとき光反射層を有し、自発光型の表示素子は、可視光を透過し、光反射層は、自発光型の表示素子を透過した光を反射することができると好ましい。

上記各構成において、１層または２層以上の着色膜を有すると好ましい。着色膜の１層は、少なくとも反射型の表示素子と、自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。または、自発光型の表示素子は、少なくとも着色膜の１層と、反射型の表示素子との間に挟まれる領域を有すると好ましい。

上記構成の表示装置において、自発光型の表示素子による画像と、反射型の表示素子による画像との両方を視認できる。

自発光型の表示素子と反射型の表示素子とを厚さ方向に重ねる構造とすることにより、外光の照度が大きい環境下では反射型の表示素子にて表示を行い、外光の照度が小さい環境下では自発光型の表示素子にて表示を行うことで、多様な表示が可能となり、また視認性の向上と低消費電力化とを達成することができる。反射型の表示素子である電子ペーパーは光を反射させることができるが、光を透過させるためにはレイアウト上の工夫など制約が大きく難しい。光干渉型のＭＥＭＳ方式表示素子でも同様である。

本発明の一態様の表示装置は、反射型の表示素子を下層に、有機ＥＬ素子を例とする自発光型の表示素子を上層に形成することにより、視認性の向上と低消費電力化とを達成することができる。ここでいう反射型の表示素子は、泳動粒子、またはＭＥＭＳ、を含む。

本発明の一態様の半導体装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記構成の表示装置と、を含む。

視認性の高い表示装置を提供することができる。または、多様な表示が可能な表示装置を提供することができる。または、低消費電力の表示装置を提供することができる。または、新規な表示装置を提供することができる。または上記表示装置（表示パネル）を備えた半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。

本発明の一態様の表示装置の画素の簡略図。 本発明の一態様の表示装置の画素の簡略図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 本発明の一態様の表示装置の有する構造体の断面図。 実施の形態に係る表示装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る情報処理装置の表示部の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る、投影型静電容量方式のタッチセンサ。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの画素回路を説明する回路図。 実施の形態に係る、発光素子の作製方法を示す図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入力部の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子の構造例を示す図。 実施の形態に係る、表示装置の投影図。 実施の形態に係る、ＭＥＭＳシャッターの構造例を示す図。 実施の形態に係る、遮光手段を含む制御回路を示す図。 実施の形態に係る、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子の断面図および斜視図。 実施の形態に係る、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子の断面図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る、導電膜あるいは絶縁膜の積層構造を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器及び照明装置の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置は、表示パネルを有する。本発明の一態様の表示装置は、２以上の基板を含む。本実施の形態で説明する表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する。なお、ｉ，ｊは、いずれも独立した変数であり、いずれも１以上の整数である。図１（Ａ）には、本発明の一態様の表示装置の、一つの画素７０２（ｉ，ｊ）の構造と光路との簡略図を示す。

画素７０２（ｉ，ｊ）には、反射型の表示素子である、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、泳動粒子、またはＭＥＭＳ素子を有する。

反射型の表示素子である、本発明の一態様の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、電極より供給された電力により配置を変える光量調節手段にて光を遮蔽し、反射光の強度を変化させる。上記光量調節手段とは、泳動粒子、またはシャッター、または光の一部を反射する膜、または光を反射する膜、等である。これに対し、液晶材料を有する反射型の表示装置は、電極より供給された電力により配向を変える液晶材料にて光の偏光を制御し、表示装置中に固定された偏光板にて特定の偏光を有する光を遮蔽することで、反射光の強度を変化させる。

反射型の表示素子に偏光板を有する場合、特定の偏光を有しない光に対する、偏光板の透過率は低いため、表示が暗くなる。本発明の一態様の表示装置は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は液晶を含む層を有しないことから、構造中に偏光板を設ける必要がない。

本発明の一態様の泳動粒子は、泳動粒子含有層内で、電界により泳動することができる。すなわち泳動粒子は荷電粒子であり、荷電体を用いることができる。本発明の一態様の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に泳動粒子含有層が含まれる場合、泳動粒子含有層の内部の粒子は、電界により泳動することができる泳動粒子である。

画素７０２（ｉ，ｊ）には、自発光型の表示素子である、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を有する。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は可視光を透過する。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）より、表示面側に配置される。

画素７０２（ｉ，ｊ）には、着色膜ＣＦ、を有しても良い。但し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が色表示することができ、この光を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射させ表示をさせる場合は、着色膜ＣＦを有さなくても色表示が可能である。

本発明の一態様の表示装置にて表示面より画像として視認される光の一は、外光である光Ｌ１を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）により選択的に、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）にて矢印７５０Ａ方向に反射させた、光Ｌ２である。

また、本発明の一態様の表示装置にて表示面より画像として視認される光の一は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）により矢印７５０Ａ方向に照射された、光Ｌ３である。

また、本発明の一態様の表示装置にて表示面より画像として視認される光の一は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から照射された光Ｌ４を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）にて矢印７５０Ａ方向に反射させた、光Ｌ５である。

図１（Ａ）に示される構造では、光Ｌ３は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を介さず視認することができる。すなわち、表示時に輝度の損失が小さくなり、視認性が良好になる。

図１（Ａ）に示される構造では、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、基板７１０と基板７７０との間に形成されている。

また、図１（Ｂ）のように、基板７１０と基板７７０との間に、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）とを有しても良い。このとき、光Ｌ２と光Ｌ３、光Ｌ５の、それぞれの間に表示の視差を小さくすることができる。

また、図１（Ｃ）のように、着色膜を有する構造としても良い。このとき、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、のいずれか１あるいは両方と有する構造とする。また第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から照射される光Ｌ３及び光Ｌ４を白色光としても色表示ができる。また、着色膜を複数有することで、所望の光の色純度を向上させることができる。

上記図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）の構造の特徴は、互いに適宜組み合わせることができる。

本発明の一態様の、図１（Ａ）の構造を有する表示装置の例を、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に例示する。図２（Ａ）と、図２（Ｂ）と、はいずれも画素７０２（ｉ，ｊ）を含む構造体の簡略図である。

図２（Ａ）の構造体は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と第２の電極７５２とを有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に、泳動粒子含有層７５３を有する。泳動粒子含有層７５３に、マイクロカプセル４０１と、バインダー４０２と、を有する。マイクロカプセル４０１内に、正に帯電したある色の粒子４０１ａと、負に帯電した異なる色の粒子４０１ｂと、を有する。粒子４０１ａと粒子４０１ｂとはそれぞれ泳動粒子を用いることができる。また隔壁層４０３を有する。このような泳動粒子を用いた表示素子は、画像保持の為の電気を必要としない、いわゆるメモリ効果があり、また画像の書き換え時にも小さい消費電力を使用する。

例えば粒子４０１ａが黒色であり、粒子４０１ｂが画素ごとに異なる着色がなされていてもよい。このとき本発明の一態様の表示装置は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が着色膜を有さなくても色表示をすることができる。例えば赤色、緑色、青色、の３種類で着色された粒子４０１ｂを、異なる画素にて有することで色表示をすることができる。または３の着色は、それぞれイエロー、マゼンタ、シアンでも良い。

図２（Ｂ）の構造体は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に、マイクロカプセルの代わりに、帯電した高分子ポリマー微粒子等を設けたものである。この場合、正に帯電したある色の高分子ポリマー微粒子と、負に帯電した異なる色の高分子ポリマー微粒子を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と第２の電極７５２の間に設けた構成とすればよい。

また、正に帯電したある色の粒子と、負に帯電した異なる色の粒子を含むマイクロカプセルを用いても良い。このとき本発明の一態様の表示装置はカラーフィルタ層を用いずに、色表示することができる。

図２（Ｂ）に示すようなマイクロカップ方式とするときは、隔壁層４０４を設け、それぞれ異なる色を有する溶液４０５ａ、溶液４０５ｂ、溶液４０５ｃ、を隔壁層４０４間に封入し、粒子４０１ａ、４０１ｂを封入すればよい。例えば溶液４０５ａ、溶液４０５ｂ、溶液４０５ｃをそれぞれ赤色、緑色、青色、の３種類で着色することで色表示をすることができる。または３種類の着色は、それぞれイエロー、マゼンタ、シアンでも良い。

図２（Ａ）、図２（Ｂ）それぞれに示された構造体とも、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が基板７７０上に設けられる。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）については後述の部分で説明するが、発光性の有機化合物を含む層を有することで作製できる。

以上に示した構造体を有することで、泳動粒子含有層７５３にかかる電界を制御し、泳動粒子含有層７５３中の泳動粒子の配置を制御することができる。この泳動粒子の配置の制御により、本発明の一態様の表示装置は表示を実現することができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、基板上に、反射型の表示素子が形成される表示装置の構成について説明する。具体的には、自発光型の表示素子が形成されている面の方向に光を反射させるように、基板上に反射型の表示素子が形成され、反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成される表示装置の構成について説明する。

＜表示装置の構成例１＞
本発明の一態様の表示パネルに用いることができる画素７０２（ｉ，ｊ）の構成の一例を説明する。図３（Ａ）には構造体６０１が示される。

本発明の一態様の表示パネルの画素７０２（ｉ，ｊ）には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える。

本発明の一態様の表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）において、トランジスタＳＷ、トランジスタＭ、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２、泳動粒子含有層７５３を有する。第２の電極７５２は第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に泳動粒子の配置を制御する電界が形成されるように配置される。

本発明の一態様の表示パネルは、着色膜ＣＦ、遮光膜ＢＭを有する。本発明の一態様の表示パネルは、絶縁膜７７１、絶縁膜７２１、絶縁膜７１８、絶縁膜７１６、絶縁膜７０１、絶縁体ＫＢ１、絶縁膜７０６を有する。絶縁体ＫＢ１は、図２（Ａ）で示される隔壁層４０３と同じ機能を有する。

図３（Ａ）では、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２が対向して配設される領域を有する。図３（Ａ）には第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２、泳動粒子含有層７５３を含み、かつ遮光膜ＢＭと重ならない領域に点線が描かれており、およそこの領域が第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示領域である。

また、本発明の一態様の表示パネルは、基板７１０または基板７７０を有する。

トランジスタＳＷは、ゲート電極が走査線と電気的に接続され、第１の電極が信号線と電気的に接続される。

図３（Ｂ）に示すように、半導体膜７０８、導電膜７０４、絶縁膜７０６、導電膜７１２Ａおよび導電膜７１２Ｂを備えるトランジスタを、トランジスタＳＷに用いることができる。なお、導電膜７０４は半導体膜７０８と重なる領域を備え、導電膜７１２Ａおよび導電膜７１２Ｂは半導体膜７０８と電気的に接続される。また、絶縁膜７０６は、半導体膜７０８および導電膜７０４の間に挟まれる領域を備える。

導電膜７０４はゲート電極の機能を備え、絶縁膜７０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜７１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜７１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

着色膜ＣＦは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

また、絶縁膜７７１は、泳動粒子含有層７５３および遮光膜ＢＭに挟まれる領域または、泳動粒子含有層７５３および着色膜ＣＦに挟まれる領域を備える。

基板７７０は、基板７１０と重なる領域を備え、基板７１０との間に第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。

絶縁膜７２１は、泳動粒子含有層７５３およびトランジスタＳＷに挟まれる領域を備える。絶縁膜７１８は、絶縁膜７２１およびトランジスタＳＷに挟まれる領域を備える。絶縁膜７１６は、絶縁膜７１８およびトランジスタＳＷの間に挟まれる領域を備える。絶縁膜７０１は、トランジスタＳＷおよび基板７１０の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜７０６は、絶縁膜７１６および絶縁膜７０１の間に挟まれる領域を備える。

本発明の一態様の表示パネルは、接合層５０５を有する。接合層５０５は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を基板７７０上に貼り合せる機能を備える。

本発明の一態様の表示パネルは絶縁膜５０１Ｃと、絶縁層５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁層５１８および絶縁層５１６を有する。絶縁膜５０１Ｃ上には、樹脂層５００Ａを有する。

本発明の一態様の表示パネルは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタＭを有する。なお、絶縁層５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える（図３（Ｃ）参照）。半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。

本発明の一態様の表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を有する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、トランジスタＭの導電膜５１２Ｂと電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を共通電位を与える配線と電気的に接続する。また第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、の間に発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）と、を有する。図３（Ａ）中には第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、の間に発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）を含む点線が描かれており、およそこの領域が第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示領域である。

トランジスタＭにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。また第４の電極５５２と接合層５０５との間に、保護層５６０を備える。

＜反射型表示素子＞
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の各構成の詳細について図２（Ａ）および図２（Ｂ）を用いて説明する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は反射型の表示素子である。

本発明の一態様の表示パネルは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に、泳動粒子を有することができる。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２（対向電極と呼んでもよい）と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と第２の電極７５２との間に設けられた泳動粒子含有層７５３によって構成される。なお、泳動粒子含有層７５３に含まれる泳動粒子としては、正に帯電したある色の粒子４０１ａとして酸化チタンなどを適用することができ、負に帯電した異なる色の粒子４０１ｂとしてカーボンブラックなどを適用することができる。また、導電体、絶縁体、半導体、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一の材料、またはこれらの複合材料を適用することもできる。

正に帯電した粒子、あるいは負に帯電した粒子、は第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２と、により付与される電場により移動して、画像が表示される構成とすることができる。泳動粒子含有層の構成は、電子ペーパーに適用する方式（マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、ツイストボール方式、マイクロカップ方式、帯電トナー、電子粉流体（登録商標）等）により適宜用いる材料を選択すればよい。

ここでは、マイクロカプセルを用いた第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の作製方法を説明する。

まず基板７１０上に形成された第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と隔壁層４０３との上に、泳動粒子含有層７５３を形成する。例えば、マイクロカプセルが分散されて固定されたバインダー４０２を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）上に設ける。続いて、泳動粒子含有層７５３上に第２の電極７５２を形成する。ここでは、あらかじめ表面上に第２の電極７５２が形成されたバインダー４０２を用いることにより、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）上にマイクロマプセル４０１及び第２の電極７５２を設ける。

マイクロカプセル４０１は、正に帯電したある色の粒子４０１ａと、負に帯電した異なる色の粒子４０１ｂを含み、カプセル内に含まれる溶媒中に分散して存在している。そして、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と第２の電極７５２により付与される電場によって、ある色又は他の色の粒子がマイクロカプセル４０１内部の一方に偏析してコントラストを画素毎に変えることにより画像を表示する。マイクロカプセル４０１の直径は、一例では１μｍ以上１ｍｍ以下とすることができる。

また、バインダー４０２として、樹脂フィルムを用いることができ、当該樹脂フィルム内にマイクロカプセル４０１を分散させて固定することができる。このように、あらかじめマイクロカプセル４０１が分散されて固定されたバインダー４０２を用いることによって、作製工程を簡略化することができる。

隔壁層４０３は、各画素領域を区分する機能を有する。用いる絶縁体材料及び形成方法は他の絶縁体層と同様で良いが、カーボンブラックや黒色の顔料を分散させておくと良い。隣接する画素をこのように区分することで、クロストークを無くし、液晶表示装置などでもあるようにブラックストライプとしての機能を付加して画像を鮮明にすることができる。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の面積は適宜決定すれば良いが、泳動粒子を含むマイクロカプセルが各画素電極毎に一つ又は複数個入る面積とするものであり、例えば１００×４００μｍとすると良い。マイクロカプセル４０１は、泳動粒子含有層７５３内では必ずしも球状でなくてもよく、例えば球状から歪んだ形でも良い。

以上のような構成とすることで、泳動粒子含有層７５３にかかる電界を制御し、泳動粒子含有層７５３における泳動粒子の配置を制御することができる。

上記マイクロカプセルを設ける方法としては、ロールコーター法や印刷法、またはスプレー法等を用いても良い。

例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）上に泳動粒子含有層７５３をロールコーター法で形成する。次に、第２の電極７５２があらかじめ表面上に形成された基板７７０を泳動粒子含有層７５３上に配設する。ここでは、基板７７０上に半硬化された有機樹脂を形成し、その上に第２の電極７５２を形成し、その後、第２の電極７５２が形成された面側を泳動粒子含有層側に向けて基板７７０を加熱し圧着して、基板７１０と基板７７０とを接着させる。

なお、上記構成は一例に過ぎず、開示する発明の一態様である表示装置を上記構成に限定する必要はない。

＜基板７１０、基板７７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７１０または基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板７１０または基板７７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。例えば、基板と基板に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

また、紙または木材などを基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板７１０または基板７７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板７１０または基板７７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

＜絶縁膜７２１＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜７２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜７２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

＜絶縁膜７０１＞
例えば、絶縁膜７２１に用いることができる材料を絶縁膜７０１に用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜７０１に用いることができる。これにより、トランジスタＳＷやトランジスタＭへの不純物の拡散を抑制することができる。

＜自発光型表示素子＞
以下、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の各構成の詳細について説明する。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は自発光型の表示素子である。

＜樹脂層５００Ａ＞
樹脂層５００Ａは、自発光型の表示素子の保護層として機能する他、自発光型の表示素子を作製する工程において、剥離される部分である。材料は感光性樹脂を用いることができる。詳細は後述の部分にて説明する。

＜第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２、及び発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）を有する。本発明の一態様では、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を、発光素子とも言う。発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）については、後述の部分で詳細な説明をする。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２、は、可視光を透過する材料を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、または第４の電極５５２に用いることができる。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２として、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する、半透過性の層（光半透過層）を形成することにより、発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）からの発光を多重反射させて共振させる、所謂微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を有してもよい。後述の部分で説明するが、この多重反射は、反射型表示素子の第２の電極７５２を例とする電極を半透過性とし、多重反射させて共振させてもよい。

＜接合層５０５＞
接合層５０５には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。

＜絶縁層５２１＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁層５２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁層５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁層５２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁層５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁層５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁層５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

＜絶縁膜５０１Ｃ＞
例えば、絶縁層５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

＜トランジスタＭ＞
また、トランジスタＳＷと同じ材料にて、トランジスタＭを形成することができる。第２の表示素子５５０の第１の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０の第２の電極を共通電位を供給する配線と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０を駆動することができる。

＜駆動回路ＳＤ＞
図示していないが、駆動回路ＳＤは、例えば、画像情報に基づいて、画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法を用いて、駆動回路ＳＤを端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。または、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、基板上に、反射型の表示素子が、自発光型の表示素子が形成されている面の方向に光を反射させるように形成され、反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成された表示装置の作製方法について説明する。本実施の形態では、本発明の一態様の、図３に示される表示装置の作製方法について説明する。

図４（Ａ）には、基板５００に自発光型表示素子を有した構造体６０１Ａを示す。図４（Ｂ）には、基板７７０に着色膜ＣＦ、絶縁体ＫＢ１、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、を有した構造体６０１Ｂを示す。図４（Ｃ）には、基板７１０に反射型表示素子の回路を形成した構造体６０１Ｃを示す。尚、基板５００は基板７１０と同様のものを用いることができる。

図４（Ｂ）に示される構造体６０１Ｂ中、第２の電極７５２に接して、絶縁体ＫＢ１が所望の位置に形成されている。絶縁体ＫＢ１は、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることで形成することができる。

構造体６０１Ａ、構造体６０１Ｂ、構造体６０１Ｃを得た後、構造体６０１Ｂと構造体６０１Ｃとを対向させ、泳動粒子を含むマイクロカプセルがあらかじめ分散されて固定されたバインダーにて、貼り合わせる。

図５（Ａ）に示すように構造体６０１Ｂと構造体６０１Ｃを貼りあわせることで、反射型表示素子を有する構造体６０１Ｄとなる。次いで構造体６０１Ｄに、構造体６０１Ａを貼りあわせる。すると図５（Ｂ）に示される構造体６０１Ｅのような構造となる。

以下に、構造体６０１Ａの作製方法、構造体６０１Ａと構造体６０１Ｄとを貼りあわせる方法、構造体６０１Ｅから、基板５００を剥離する方法、を説明する。

＜構造体６０１Ａの作製方法＞
後述するが、構造体６０１Ａは基板５００と、その上に作製された構造とを分離（剥離）する。その際、構造体６０１Ａにはレーザを用いて、樹脂層５００Ａに光を照射される。本発明の一態様の表示装置は、トランジスタＭのチャネル形成領域に、金属酸化物を有することが好ましい。なぜなら樹脂層５００Ａの耐熱温度以下でトランジスタＭを形成することができるからである。

トランジスタのチャネル形成領域に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いる場合、５００℃から５５０℃程度の温度をかける必要があるため、樹脂層に耐熱性が求められる。また、レーザ結晶化の工程でのダメージを緩和するため、樹脂層の厚膜化が必要となる。

一方、金属酸化物を用いたトランジスタは、３５０℃以下、さらには３００℃以下で形成することができる。そのため、樹脂層に高い耐熱性は求められない。したがって、樹脂層の耐熱温度を低くすることができ、材料の選択の幅が広がる。また、金属酸化物を用いたトランジスタは、レーザ結晶化の工程が不要であるため、樹脂層の厚さを薄くすることができる。樹脂層に高耐熱性が要求されず、薄膜化できることで、デバイス作製の大幅なコストダウンが期待できる。また、ＬＴＰＳを用いる場合に比べて、工程が簡略化でき好ましい。

絶縁層を介して樹脂層の凹部の底面と重なる導電層は、トランジスタが有する電極または金属酸化物と同一の材料及び同一の工程で形成することができる。

例えば、トランジスタの電極として用いる金属、合金、酸化物導電層等の各種導電材料を該導電層に用いることができる。

または、例えば、同一の材料及び同一の工程で、導電層として用いる金属酸化物層と、トランジスタの半導体層として用いる金属酸化物層と、を形成する。その後、導電層として用いる金属酸化物層のみを低抵抗化させる（酸化物導電層にする、ともいえる）。

または、例えば、同一の材料及び同一の工程で、導電層として用いる金属酸化物層と、トランジスタの電極（例えばゲート電極）として用いる金属酸化物層と、を形成する。その後、導電層として用いる金属酸化物層と、トランジスタの電極として用いる金属酸化物層と、の双方を、低抵抗化させる。

金属酸化物は、膜中の酸素欠損、及び膜中の不純物濃度（代表的には水素、水等）のうち少なくとも一方によって、抵抗を制御することができる半導体材料である。そのため、金属酸化物層へ酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が増加する処理、または酸素欠損及び不純物濃度の少なくとも一方が低減する処理を選択することによって、金属酸化物層または酸化物導電層の有する抵抗率を制御することができる。

具体的には、プラズマ処理を用いて、金属酸化物の抵抗率を制御することができる。例えば、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リン、及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。プラズマ処理は、例えば、Ａｒ雰囲気下、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下、アンモニア雰囲気下、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下、または窒素雰囲気下等で行うことができる。これにより、金属酸化物層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

または、イオン注入法、イオンドーピング法、もしくはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リン、または窒素を金属酸化物層に注入して、金属酸化物層の抵抗率を低くすることができる。

または、水素及び窒素のうち少なくとも一方を含む膜を金属酸化物層に接して形成し、当該膜から金属酸化物層に水素及び窒素のうち少なくとも一方を拡散させる方法を用いることができる。これにより、金属酸化物層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

金属酸化物層に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。これにより、金属酸化物層のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

表示装置の作製工程で加熱処理を行う場合、金属酸化物層が加熱されることで、金属酸化物層から酸素が放出され、酸素欠損が増えることがある。これにより、金属酸化物層の抵抗率を低くすることができる。

なお、このように、金属酸化物層を用いて形成された酸化物導電層は、キャリア密度が高く低抵抗な金属酸化物層、導電性を有する金属酸化物層、または導電性の高い金属酸化物層ということもできる。

本発明の一態様の表示装置が有する樹脂層５００Ａの厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下である。樹脂層を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。

本発明の一態様では、樹脂層の耐熱温度以下の温度で、トランジスタ等を形成する。樹脂層の耐熱性は、例えば、加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等で評価できる。本発明の一態様では、樹脂層の５％重量減少温度は、４５０℃以下が好ましく、４００℃以下がより好ましく、４００℃未満がより好ましく、３５０℃未満がさらに好ましい。

本発明の一態様では、線状レーザを用いてレーザ光を照射する。ＬＴＰＳ等の製造ラインのレーザ装置を使用することができるため、これらの装置の有効利用が可能である。線状レーザは、矩形長尺状に集光（線状レーザビームに成形）して、樹脂層に光を照射する。

［作製方法例１］
まず、基板５００上に、感光性を有する材料を用いて、樹脂層５００Ａを形成する。

特に、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いることが好ましい。本実施の形態では、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いる例を示す。

具体的には、材料を成膜した後に膜を加熱し、樹脂層５００Ａを形成する。尚、該加熱する処理は、材料を成膜した後に行うことから、ポストベーク処理とも記すことができる。

加熱処理により、樹脂層５００Ａ中の脱ガス成分（例えば、水素、水等）を低減することができる。特に、樹脂層５００Ａ上に形成する各層の作製温度よりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば、トランジスタの作製温度が３５０℃までである場合、樹脂層５００Ａとなる膜を３５０℃より高く４５０℃以下で加熱することが好ましく、４００℃以下がより好ましく、３７５℃以下がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層５００Ａからの脱ガスを大幅に抑制することができる。

樹脂層５００Ａは、可撓性を有する。基板５００は、樹脂層５００Ａよりも可撓性が低い。

樹脂層５００Ａは、感光性のポリイミド樹脂（ｐｈｏｔｏ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＳＰＩともいう）を用いて形成されることが好ましい。

そのほか、樹脂層５００Ａの形成に用いることができる感光性を有する材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。

樹脂層５００Ａは、スピンコータを用いて形成することが好ましい。スピンコート法を用いることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。

樹脂層５００Ａは、粘度が５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下の溶液を用いて形成することが好ましい。溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。

樹脂層５００Ａの厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層５００Ａを薄く形成することが容易となる。樹脂層５００Ａの厚さを上記範囲とすることで、表示装置の可撓性を高めることができる。ただし、これに限定されず、樹脂層５００Ａの厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、樹脂層５００Ａの厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。樹脂層５００Ａの厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である。

そのほか、樹脂層５００Ａの形成方法としては、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。

樹脂層５００Ａの熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層５００Ａの熱膨張係数が低いほど、加熱により、トランジスタ等を構成する層にクラックが生じることや、トランジスタ等が破損することを抑制できる。

表示装置の表示面側に樹脂層５００Ａが位置する場合、樹脂層５００Ａは、可視光に対する透光性が高いことが好ましい。

基板５００は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する。基板５００に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。

次に、樹脂層５００Ａ上に、絶縁膜５０１Ｃを形成する。

絶縁膜５０１Ｃは、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。

絶縁膜５０１Ｃは、樹脂層５００Ａに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁膜５０１Ｃは、樹脂層５００Ａを加熱した際に、樹脂層５００Ａに含まれる水分等がトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁膜５０１Ｃは、バリア性が高いことが好ましい。

絶縁膜５０１Ｃとしては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。特に、樹脂層５００Ａ上に窒化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成することが好ましい。

無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成することが好ましい。

絶縁膜５０１Ｃの成膜時の基板温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

次に、絶縁膜５０１Ｃ上に、トランジスタＭを形成する。

表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

ここではトランジスタＭとして、金属酸化物を含む半導体膜５０８を有する、トップゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。

本発明の一態様において、トランジスタの半導体には、金属酸化物を用いる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

トランジスタＭは、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。トランジスタＭは、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。

導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

表示装置が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、酸化インジウム、ＩＴＯ、タングステンを含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、ＺｎＯ、ガリウムを含むＺｎＯ、またはシリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは金属酸化物等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた金属酸化物等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。

半導体膜５０８は、金属酸化物膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該金属酸化物膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。

金属酸化物膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。

金属酸化物膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方を用いて成膜することができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。

金属酸化物膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。金属酸化物膜は、例えば少なくともインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。

また導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

トランジスタＭにおいて、導電膜５０４はゲート電極として機能し、絶縁層５０６はゲート絶縁層として機能し、導電膜５１２Ａ及び導電膜５１２Ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する（図３（Ｃ））。

以上の工程により、樹脂層５００Ａ上に絶縁膜５０１Ｃ、トランジスタＭを形成することができる。

次に、トランジスタＭを覆う絶縁層５１６を形成する。絶縁層５１６は、絶縁膜５０１Ｃと同様の方法により形成することができる。

また、絶縁層５１６として、酸素を含む雰囲気下で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁層５１８を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、半導体膜５０８に酸素を供給することができる。その結果、半導体膜５０８中の酸素欠損、及び半導体膜５０８と絶縁層５０６の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。

本発明の一態様では、絶縁層５１６の上に、さらに絶縁層５１８を形成する。

次に、絶縁層５１８上に絶縁層５２１を形成する。絶縁層５２１は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層５２１は、絶縁膜５０１Ｃに用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。

絶縁層５２１は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層５２１は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。

絶縁層５２１に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層５２１の形成時に樹脂層５００Ａにかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

絶縁層５２１に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

次に、絶縁層５２１、絶縁層５１８、絶縁層５１６に、導電膜５１２Ｂに達する開口を形成する。

その後、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を形成する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、その一部が自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の画素電極として機能する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。

導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

次に、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の端部を覆う絶縁膜５２８を形成する。絶縁膜５２８は、絶縁膜５０１Ｃに用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。

絶縁膜５２８は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁膜５２８は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。

絶縁膜５２８に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁膜５２８の形成時に樹脂層５００Ａにかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。

絶縁膜５２８に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

次に、発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）及び第４の電極５５２を形成する。第４の電極５５２は、その一部が自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の共通電極として機能する。

発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。

発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。

第４の電極５５２は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。

第４の電極５５２は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度かつ発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）の耐熱温度以下の温度で形成する。また、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。

以上のようにして、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を形成することができる。自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、一部が画素電極として機能する第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）、及び一部が共通電極として機能する第４の電極５５２が積層された構成を有する。

ここでは、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）として、トップエミッション型の発光素子を作製する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

図示しないが、第４の電極５５２を覆って絶縁層を形成してもよい。この絶縁層は、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁層によって封止される。

絶縁層は、樹脂層５００Ａの耐熱温度以下の温度かつ自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層は、前述のポストベーク処理における加熱温度より低い温度で形成することが好ましい。

次に、第４の電極５５２上に保護層５６０を形成する。保護層５６０は、表示装置の最表面に位置する層として用いることができる。保護層５６０は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。

保護層５６０として、上述した絶縁膜５０１Ｃに用いることのできる有機絶縁膜を用いると、表示装置の表面に傷がつくことや、クラックが生じてしまうことを抑制できるため好ましい。

＜構造体６０１Ｄと、構造体６０１Ａとの貼りあわせ＞
図５（Ｂ）には、接合層５０５を用いて保護層５６０上に構造体６０１Ｄを貼り合わせた例を示す。

接合層５０５には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。

＜基板５００の剥離＞
次に、基板５００を介して樹脂層５００Ａにレーザ光６１１を照射する。レーザ光６１１は、例えば、図６（Ａ）においては、左側から右側に走査される線状レーザビームで、その長軸は、その走査方向及びその入射方向（下から上）に垂直である。

樹脂層５００Ａは、レーザ光６１１を吸収する。

レーザ光６１１の照射により、樹脂層５００Ａは脆弱化される。または、レーザ光６１１の照射により、樹脂層５００Ａと基板５００の密着性が低下する。

レーザ光６１１としては、少なくともその一部が基板５００を透過し、かつ樹脂層５００Ａに吸収される波長の光を選択して用いる。レーザ光６１１は、可視光線から紫外線の波長領域の光であることが好ましい。例えば波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光、好ましくは波長が２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の光を用いることができる。特に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザは、ＬＴＰＳにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のＬＴＰＳ製造ラインの装置を流用することができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなどの固体ＵＶレーザ（半導体ＵＶレーザともいう）を用いてもよい。固体レーザはガスを用いないため、エキシマレーザに比べて、ランニングコストを約１／３にでき、好ましい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレーザを用いてもよい。

レーザ光６１１として、線状のレーザ光を用いる場合には、基板５００と光源とを相対的に移動させることでレーザ光６１１を走査し、剥離したい領域に亘ってレーザ光６１１を照射する。

次に、基板５００を構造体６０１Ｅから分離する。

例えば、基板５００に垂直方向に引っ張る力をかけることにより、基板５００を構造体６０１Ｅから剥離することができる。具体的には、基板５００の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、基板５００を引き剥がすことができる。

基板５００と絶縁膜５０１Ｃとの間に、刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで分離の起点を形成してもよい。または、鋭利な形状の器具で樹脂層５００Ａを切り込み、分離の起点を形成してもよい。

分離面は、樹脂層５００Ａ及び基板５００等の材料及び形成方法、並びに、光照射の条件等によって、様々な位置となり得る。

樹脂層５００Ａは、構造体６０１Ｅの保護層となるが、透過率等を考慮し、樹脂層５００Ａを完全に除去してもよい。

これにより図６（Ｂ）に示される構造体６０１Ｆを得る。以上の工程により、基板上に、反射型の表示素子が、自発光型の表示素子が形成されている面の方向に光を反射させるように形成され、反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成された表示装置を作製することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、図３の構造とは異なる、本発明の一態様の表示装置について説明する。

＜表示装置の構成例２＞
図７には、構造体６０１と構成要素の一部が異なる構造体６０２を示す。構造体６０２も、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２とが対向して配設されている。

本発明の一態様の図７で示される構造体６０２を含む表示パネルは、基板７７０を有する。

トランジスタＳＷは第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を駆動する。トランジスタＭは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示を駆動する。トランジスタＳＷと、トランジスタＭと、の半導体層はいずれも絶縁膜５０１Ｃ上に接して形成される。

トランジスタＳＷと基板７７０との間、あるいはトランジスタＭと基板７７０との間に、泳動粒子含有層７５３を有する。すなわち、絶縁膜５０１Ｃと、基板７７０との間に、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が配設される。

トランジスタＳＷとトランジスタＭとを、同じ材料及び構造で形成した、本発明の一態様の構造体６０２を含む表示装置は、構造体６０１を含む表示装置に比べて工程数が少なく、生産性が良い。

構造体６０２の作製方法について、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）を用いて説明する。

図８（Ａ）の構造体６０２Ａの作製方法として、まず基板７８０上に、樹脂層５００Ａを形成する。構造体６０１同様、樹脂層５００Ａは感光性のポリイミド樹脂を用いて形成されることが好ましい。次いで、絶縁膜５０１Ｃ上に、構造体６０１同様の方法で、トランジスタＳＷとトランジスタＭとを形成する。トランジスタＳＷとトランジスタＭと、は、ポリイミド樹脂の耐熱温度以下で形成する。一例として、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。

次いで、絶縁層５１８、絶縁層５２１を形成する。絶縁層５１８、絶縁層５２１には開口部を設け、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を形成する。次いで絶縁膜５２８を形成した後、発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２を形成する。

次いで保護層５６０、樹脂層５００Ｂを形成し、さらに形成した接合層５０５Ｂを用いて基板５００を貼りあわせる。すると、構造体６０２Ａが形成される。尚、構造体６０２Ａでは樹脂層５００Ｂと接合層５０５Ｂとを形成しているが、接合層５０５Ｂのみを形成しても良い。

ここで、構造体６０２Ａの基板７８０側からレーザ光６１１（図示せず）を照射する。樹脂層５００Ａは、樹脂層５００Ｂより、レーザ光６１１の照射にて剥離しやすい材料を用いる。すると、樹脂層５００Ａを境に、構造体６０２Ａから基板７８０が剥離される。

樹脂層５００Ａを酸素プラズマ処理等で除去後、露出した絶縁膜５０１Ｃに接して絶縁層５０１Ｄを形成する（図８（Ｂ）参照）。絶縁層５０１Ｄは、不純物の拡散防止および平坦化のために形成する。絶縁層５０１Ｄは絶縁膜５０１Ｃと同じ材料を用いることができる。但し、不純物の拡散防止および平坦化が不要であれば形成しなくても良い。

次いで、絶縁膜７２１を形成する。絶縁膜７２１は不純物の拡散防止および平坦化を目的としている。

絶縁膜７２１、絶縁層５０１Ｄ、とを開口し、トランジスタＳＷのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続するように、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を形成する。すると、構造体６０２Ｂのような構造となる。

一方、基板５００には第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を形成する。第２の電極７５２は、共通電位を与える配線と電気的に接続する。

その後、構造体６０１の作製方法と同様に、泳動粒子を含むマイクロカプセルがあらかじめ分散されて固定されたバインダーで基板７７０と基板５００とを貼りあわせ、着色膜ＣＦを有する基板７７０との間に泳動粒子含有層７５３を形成する。このような工程で、構造体６０２のような構造となる。

＜表示装置の構成例３＞
図９には、構造体６０１と構成要素の一部が異なる構造体６０３を示す。構造体６０３も、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２が対向して配設されている。

本発明の一態様の構造体６０３を含む表示パネルは、基板７１０と、基板７７０と、を有する。

トランジスタＳＷは第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の表示を駆動する。トランジスタＭは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示を駆動する。トランジスタＭの半導体層は絶縁膜５０１Ｃに接して形成される。トランジスタＳＷの半導体層は絶縁膜７０６に接して形成される。

構造体６０３は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、絶縁膜５０１Ｃが配設される。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、基板７１０との間に、絶縁膜７０６が配設される。

図９の反射型表示素子はマイクロカップ方式であり、隔壁層４０４が配設され、その間に粒子４０１ａと粒子４０１ｂとが設けられている。粒子４０１ａと粒子４０１ｂとは、互いに異なる着色が成されている。このマイクロカップ方式は、マイクロカプセル方式同様、本発明の一態様の反射型表示素子に用いることができる。

＜表示装置の構成例４＞
図１０には、構造体６０３と構成要素の一部が異なる構造体６０４を示す。

本発明の一態様の構造体６０４を含む表示パネルは、絶縁膜７７２に接して着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ２が形成される。すなわち、基板７７０に接して形成された着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ１と合わせて、着色膜と遮光膜とがそれぞれ２層、基板と垂直方向にて重なっている領域を有する。

構造体６０４は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を白色光を照射する自発光型の表示素子とすることができる。また、着色膜を複数有することで、所望の光の色純度を向上させることができる。

本発明の一態様である表示素子を構成する構造体は、いずれも基板上に、反射型の表示素子が、自発光型の表示素子が形成されている面の方向に光を反射させるように形成され、また反射型の表示素子上に、自発光型の表示素子が形成されている。本発明の一態様は、この構成を特徴とする構造体であり、着色膜、トランジスタＭ、トランジスタＳＷ、が構造体のどこに形成されていても良い。

本発明の一態様の表示素子を構成する構造体は、感光性樹脂を用い、レーザ処理による剥離工程により作製されることが好ましい。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１において説明する表示装置に用いることができる表示パネル７００の構成について説明する。

図１１は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。表示装置は表示パネルを有する。

図１２は本発明の一態様の表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図である。図１２は図１１に示す構成とは異なる構成を説明するブロック図である。

図１３は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図である。図１３（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図１３（Ｃ）は図１３（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。

図１４および図１５は表示パネルの構成を説明する断面図である。図１４（Ａ）は図１３（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、切断線Ｘ５－Ｘ６における断面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一部を説明する図である。

図１５は図１３（Ａ）の切断線Ｘ７－Ｘ８、切断線Ｘ９－Ｘ１０における断面図である。

図１７は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図１１参照）。また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。表示パネル７００は、演算装置等から、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を取得する機能を備える。上記演算装置は、表示パネル７００が映像等を所望の表示方法で表示できるように、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を生成することができる。例えば、映像のうち動画情報を情報Ｖ１１に含ませ、静止画情報を情報Ｖ１２に含ませる、等である。表示パネル７００は、情報Ｖ１１に基づいて、第１の表示素子を表示し、情報Ｖ１２に基づいて、第２の表示素子を表示する。

また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図１２参照）。

＜表示領域２３１＞
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図１１または図１７参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ１（ｊ）と、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。

＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示する領域より高い頻度で、動画像を滑らかに表示する領域に選択信号を供給することができる。

＜駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２＞
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図１１参照）。

駆動回路ＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。

駆動回路ＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

＜画素の構成例＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図１３（Ｃ）、図１４（Ａ）および図１５参照）。尚、本実施の形態で示される第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の有する、泳動粒子でありかつ負に帯電した粒子４０１ｂは、表示装置内に３種類の色を有することができる。例えば粒子４０１ｂとして、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）には赤色に着色された粒子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋１）には緑色に着色された粒子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）には青色に着色された粒子を備えることができる（図示せず）。このとき表示パネル７００は着色膜を形成しなくても、カラー表示（色表示）が可能である。

＜機能層＞
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃとを含む（図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）参照）。また、機能層５２０は、絶縁層５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁層５１８および絶縁層５１６を含む。また、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む（図１４（Ａ）、図１７参照）。

なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。

＜絶縁膜５０１Ｃ＞
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図１５参照）。

＜第１の導電膜＞
例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

＜第２の導電膜＞
例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される（図１５参照）。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。

＜画素回路＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図１７参照）。

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図１７参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１５および図１７参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図１７参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。

容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

＜第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および泳動粒子含有層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に泳動粒子の配置を制御する電界が形成されるように配置される（図１４（Ａ）および図１５参照）。

＜第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図１４（Ａ）参照）。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図１５参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図１４（Ａ）参照）。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図１４（Ａ）参照）。

第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１７参照）。

＜中間膜＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、中間膜７５４Ｃと、中間膜７５４Ｄと、を有する。

中間膜７５４Ｃは導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。中間膜７５４Ｄは導電膜５１１Ｄと接する領域を備える。

＜絶縁層５２１、絶縁膜５２８、絶縁層５１８、絶縁層５１６等＞
絶縁層５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５２８は、絶縁層５２１および基板５７０の間に配設され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の短絡を防止する。

絶縁層５１８は、絶縁層５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁層５１６は、絶縁層５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

＜端子等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。

端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１４（Ａ）、１７参照）。

端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される（図１５、１７参照）。

導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。

＜基板等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。

基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。

＜接合層、封止材、構造体等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、絶縁体ＫＢ１と、を有する。

接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。

封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

絶縁体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。また絶縁体ＫＢ１は各画素領域を区分する隔壁としての機能を有する。

＜遮光膜等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、を有する。

遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図１５参照）。

絶縁膜７７１は、遮光膜ＢＭと泳動粒子含有層７５３の間に挟まれる領域を備える。

＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０、絶縁体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。

また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁層５２１または絶縁膜５２８を有する。

また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する（図１７参照）。

また、表示パネル７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。

また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。

また、表示パネル７００は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、泳動粒子含有層７５３または第２の電極７５２を有する。

また、表示パネル７００は、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１を有する。

また、表示パネル７００は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。

また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

＜基板５７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

＜基板７７０＞
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

＜絶縁体ＫＢ１＞
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を絶縁体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、絶縁体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを絶縁体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

＜封止材７０５＞
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。

＜接合層５０５＞
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。

＜絶縁層５２１＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁層５２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁層５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁層５２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁層５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁層５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁層５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

＜絶縁膜５０１Ａ＞
例えば、絶縁層５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

＜絶縁膜５０１Ｃ＞
例えば、絶縁層５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

＜中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ＞
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。

例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。

例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。

例えば、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。

具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。

具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。

なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。

＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

＜第１の導電膜、第２の導電膜＞
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。

また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。

また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。

＜第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、泳動粒子含有層と、を有する。泳動粒子含有層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて泳動粒子の配置を制御することができる泳動粒子を含む。

＜泳動粒子含有層７５３＞
例えば、実施の形態２で示された材料を用いることができる。

＜第１の電極７５１（ｉ，ｊ）＞
例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

＜第２の電極７５２＞
例えば、導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。可視光について透光性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。

第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２のうち、自発光型の表示素子が形成される面から遠い方の電極は、反射膜を例とする、配線等に用いる材料を用いることができる。

＜着色膜＞
図示していないが、所定の色の光を透過する材料を着色膜に用い形成しても良い。これにより、着色膜を例えばカラーフィルタに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜に用いることができる。

なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。

＜遮光膜ＢＭ＞
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

＜絶縁膜７７１＞
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

＜第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、発光素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第４の電極５５２に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第４の電極５５２に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第４の電極５５２に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

＜駆動回路ＧＤ＞
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

＜トランジスタ＞
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、金属酸化物を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、金属酸化物を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。

また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。

また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。

また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

例えば、金属酸化物を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む金属酸化物またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む金属酸化物を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、金属酸化物を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１４（Ｂ）参照）。なお、絶縁層５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。

導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁層５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁層５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁層５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１９乃至図２２を参照しながら説明する。本発明の一態様の入出力装置は、図７に示される構造体６０２のように、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、トランジスタＳＷとトランジスタＭとが形成された構造を有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）とは、基板７７０と基板５７０との間に形成される。検知素子７７５（ｇ，ｈ）と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）との間に、基板５７０を有する。

図１９は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。

図２０は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図２０（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図２０（Ｂ－１）は入出力パネルの入力部の一部を説明する模式図であり、図２０（Ｂ－２）は図２０（Ｂ－１）の一部を説明する模式図である。図２０（Ｃ）は入出力装置に用いることができる画素７０２（ｉ，ｊ）の構成を説明する模式図である。

図２１および図２２は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図２１（Ａ）は図２０（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、切断線Ｘ５－Ｘ６における断面図であり、図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）の一部の構成を説明する断面図である。

図２２は図２０（Ａ）の切断線Ｘ７－Ｘ８、Ｘ９－Ｘ１０、Ｘ１１－Ｘ１２における断面図である。

図２２において第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に到達する光の透過路は、奥行きを考慮されて示されており、したがって光の透過路と別の素子が重なって示されていても、透過路は確保されることを意味する。

本実施の形態で説明する入出力装置は、表示部２３０と、入力部２４０と、を有する（図１９参照）。なお、入出力装置は、入出力パネル７００ＴＰ２を備える。

入力部２４０は検知領域２４１を備え、検知領域２４１は表示部２３０の表示領域２３１と重なる領域を備える。検知領域２４１は、表示領域２３１と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える（図２１（Ａ）参照）。

＜入力部２４０＞
入力部２４０は、検知領域２４１、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図１９参照）。

検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１９に矢印Ｒ２で示す方向は、図１９に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む（図２０（Ｂ－２）参照）。

列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。

制御線ＣＬ（ｇ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図２１（Ａ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と重なる領域を備える。

絶縁膜７０６は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。

＜検知素子７７５（ｇ，ｈ）＞
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は透光性を備える。検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を備える。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。また、入出力装置の厚さを薄くすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

電極Ｃ（ｇ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。

電極Ｍ（ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、電極Ｍ（ｈ）は、表示パネル７００と重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される。

制御線ＣＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。

検知信号線ＭＬ（ｈ）は検知信号を供給される機能を備える。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は表示パネル７００と重なる領域に近接するものとの距離および制御信号に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。

これにより、表示装置を用いて画像情報を表示しながら、表示装置と重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

＜発振回路ＯＳＣ＞
発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

＜検知回路ＤＣ＞
検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報Ｐ１を含む。

＜表示部２３０＞
例えば、実施の形態１乃至実施の形態５において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

＜入出力パネル７００ＴＰ２＞
入出力パネル７００ＴＰ２は、機能層７２０を備える点およびトップゲート型のトランジスタを有する点が、例えば、実施の形態２において説明する表示パネル７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

機能層７２０は、例えば、制御線ＣＬ（ｇ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える（図２１または図２２参照）。

なお、制御線ＣＬ（ｇ）および第２の電極７５２の間または検知信号線ＭＬ（ｈ）および第２の電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。

＜導電膜５１１Ｄ＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、導電膜５１１Ｄを有する（図２２参照）。

なお図示しないが、制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、制御線ＣＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、検知信号線ＭＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。

＜機能膜７７０Ｐ、７７０Ｄ＞
本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、機能膜７７０Ｐ、７７０Ｄを有しても良い（図２１（Ａ）参照）。機能膜７７０Ｐ、７７０Ｄのうち何れかは、自発光素子の円偏光のうち特定のものを透過させることができる、いわゆる円偏光板の機能を有すると好ましい。但し、着色層を形成した場合は円偏光板の形成は不要である。機能膜７７０Ｐ、７７０Ｄは上記目的で、表示パネル７００に形成しても良い。

機能膜７７０Ｐ、７７０Ｄを有するとき、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いてもよい。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｐ、７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

＜端子５１９Ｄ＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、端子５１９Ｄを有する。端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する。

端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと、中間膜７５４Ｄと、を備え、中間膜７５４Ｄは、導電膜５１１Ｄと接する領域を備える。

例えば、配線等に用いることができる材料を端子５１９Ｄに用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる（図２２参照）。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＣＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給されることができる。

＜スイッチＳＷ１、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ＞
スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える導電膜５０４と、絶縁膜５０１Ｃおよび導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える半導体膜５０８と、を備える。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える（図２１（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。

トランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃおよび導電膜５０４の間に絶縁層５０６を備える。なお、絶縁層５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。

例えば、金属酸化物膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを半導体膜５０８に形成することができる。

また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。

トランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａと接する導電膜５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂと接する導電膜５１２Ｂと、を備える。導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。

例えば、トランジスタＭＤと同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる。

このように作製されるタッチセンサを有する表示装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と組み合わせて、半導体装置を作製することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできる発光素子、特に発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）について、図１８を用いて説明する。

＜発光素子の構成例＞
まず、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできる発光素子の構成について、図１８を用いて説明する。図１８は、発光素子１６０の断面模式図である。

なお、発光素子１６０としては、無機化合物及び有機化合物のいずれか一方または双方を用いることができる。発光素子１６０に用いる有機化合物としては、低分子化合物または高分子化合物が挙げられる。高分子化合物は、熱的に安定で、塗布法等により容易に均一性に優れた薄膜を形成することができるため好適である。

図１８に示す発光素子１６０は、一対の電極（導電膜１３８及び導電膜１４４）を有し、該一対の電極間に設けられたＥＬ層１４２を有する。ＥＬ層１４２は、少なくとも発光層１５０を有する。

また、図１８に示すＥＬ層１４２は、発光層１５０の他に、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、電子輸送層１５３、及び電子注入層１５４等の機能層を有する。

なお、本実施の形態においては、一対の電極のうち、導電膜１３８を陽極として、導電膜１４４を陰極として説明するが、発光素子１６０の構成としては、その限りではない。つまり、導電膜１３８を陰極とし、導電膜１４４を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層１５１と、正孔輸送層１５２と、発光層１５０と、電子輸送層１５３と、電子注入層１５４と、が積層する順番とすればよい。

なお、ＥＬ層１４２の構成は、図１８に示す構成に限定されず、発光層１５０の他に、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、電子輸送層１５３、及び電子注入層１５４の中から選ばれた少なくとも一つを有する構成とすればよい。あるいは、ＥＬ層１４２は、正孔または電子の注入障壁を低減する、正孔または電子の輸送性を向上する、正孔または電子の輸送性を阻害する、または電極による消光現象を抑制する、ことができる等の機能を有する機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。

発光層１５０には、低分子化合物および高分子化合物を用いることができる。

なお、本明細書等において、高分子化合物とは、分子量分布を有し、平均分子量が、１×１０^３乃至１×１０^８である重合体である。また、低分子化合物とは、分子量分布を有さず、分子量が、１×１０^４以下の化合物である。

また、高分子化合物は、一つまたは複数の構成単位が重合している化合物である。すなわち、該構成単位とは、高分子化合物が１以上有する単位をいう。

また、高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよく、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基が重合活性基を有する場合、発光素子において発光特性または輝度寿命の低下を引き起こす可能性がある。したがって、高分子化合物の末端基は、安定な末端基であると好ましい。該安定な末端基としては、主鎖と共有結合している基が好ましく、炭素－炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合する基が好ましい。

発光層１５０に低分子化合物を用いる場合、ホスト材料として機能する低分子化合物に加えて、発光性の低分子化合物をゲスト材料として有すると好ましい。発光層１５０中では、ホスト材料が、少なくともゲスト材料より重量比で多く存在し、ゲスト材料は、ホスト材料中に分散される。

ゲスト材料としては、発光性の有機化合物を用いればよく、該発光性の有機化合物としては、蛍光を発することができる物質（以下、蛍光性化合物ともいう）または燐光を発することができる物質（以下、燐光性化合物ともいう）を用いることができる。

本発明の一態様の発光素子１６０においては、一対の電極（導電膜１３８及び導電膜１４４）間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）が、それぞれＥＬ層１４２に注入され、電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔が再結合することによって、励起子が形成される。キャリア（電子および正孔）の再結合によって生じる励起子のうち、一重項励起子と三重項励起子の比（以下、励起子生成確率）は、統計的確率により、１：３となる。そのため、蛍光性化合物を用いた発光素子において、発光に寄与する一重項励起子が生成する割合は２５％であり、発光に寄与しない三重項励起子が生成する割合は７５％となる。一方、燐光性化合物を用いた発光素子においては、一重項励起子及び三重項励起子の双方が発光に寄与することができる。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子より、燐光性化合物を用いた発光素子の方が、高い発光効率となるため好ましい。

なお、励起子はキャリア（電子および正孔）対のことである。励起子はエネルギーを有するため、励起子が生成した材料は励起状態となる。

発光層１５０に高分子化合物を用いる場合、該高分子化合物は、構成単位として、正孔を輸送する機能（正孔輸送性）を有する骨格と、電子を輸送する機能（電子輸送性）を有する骨格とを有すると好ましい。あるいは、π電子過剰型複素芳香族骨格または芳香族アミン骨格の少なくとも一つを有し、π電子不足型複素芳香族骨格を有すると好ましい。これらの骨格が、直接または他の骨格を介して結合する。

また、高分子化合物が、正孔輸送性を有する骨格と、電子輸送性を有する骨格と、を有する場合、キャリアバランスを容易に制御することが可能となる。そのため、キャリア再結合領域の制御も簡便に行うことができる。そのためには、正孔輸送性を有する骨格と、電子輸送性を有する骨格と、の構成比率は、１：９から９：１（モル比）の範囲が好ましく、電子輸送性を有する骨格が、正孔輸送性を有する骨格より、構成比率が高いことが、さらに好ましい。

また、高分子化合物は、構成単位として、正孔輸送性を有する骨格および電子輸送性を有する骨格の他に、発光性の骨格を有しても良い。高分子化合物が、発光性の骨格を有する場合、高分子化合物の全構成単位に対する発光性の骨格の構成比率は低いことが好ましく、具体的には、好ましくは０．１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは０．１ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下である。

なお、発光素子１６０に用いる高分子化合物としては、各構成単位の結合方向、結合角、結合長などが異なる化合物を有する場合がある。また、各構成単位が異なる置換基を有してもよく、各構成単位の間に異なる骨格を有していてもよい。また、各構成単位の重合法が異なっていてもよい。

また、発光層１５０は、ホスト材料として機能する高分子化合物に加えて、発光性の低分子材料をゲスト材料として有してもよい。このとき、ホスト材料として機能する高分子化合物中に、発光性の低分子化合物がゲスト材料として分散され、該高分子化合物が、少なくとも発光性の低分子化合物より重量比で多く存在する。発光性の低分子化合物の含有量は、高分子化合物に対する重量比で、好ましくは０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、より好ましくは０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である。

このようにして得られた高い発光効率を有する発光素子を、本発明の一態様の表示装置に用いることにより、より視認性が向上された表示装置を作製することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態８）
本発明の一態様の表示装置は、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、デジタル・マイクロ・シャッター（ＤＭＳ）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、インターフェロメトリック・モジュレーション（ＩＭＯＤ）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、など、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有する。

反射型表示装置に液晶表示装置に用いる場合、表示装置が有する偏光板の透過率は５０％以下である。本発明の一態様の表示装置は、構造中に偏光板を有しないため、外光または発光素子の光の強度の低減を抑えて表示に用いることができる。

本発明の一態様の反射型である第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子の構造例を図２３乃至図２６にて説明する。

図２３に示す表示装置１００は、表示部１０２と、支持体１０６に複数備えられたシャッター状の光量調節手段１０４を有する。

本発明の一態様の反射型表示素子にて、表示部１０２は、光反射層を有する。すなわち、シャッター状の光量調節手段１０４を透過した光が表示部１０２にて反射し、再度シャッター状の光量調節手段１０４を透過したとき、この反射型表示素子にて光が視認できる。

シャッター状の光量調節手段１０４は、表示部１０２にて反射する光について遮光状態と透過状態を切り替えることができる。なお、光量調節手段１０４は上記遮光状態と透過状態を切り替えることができる機構を有すればよく、例えば、開口部を有する遮光層と当該開口部を遮光することができる可動遮光層からなるシャッターなどを用いることができる。

本発明の一態様の反射型表示素子にて、表示部１０２に、画像を表示させても良い。図２４は、表示装置１００の具体的な投影図である。表示装置１００は、行および列内に配置された複数の支持体１０６ａ乃至支持体１０６ｄ（総称して支持体１０６ともいう）を有する。支持体１０６は、光量調節手段１０４と、開口部１１２とを有し、表示部１０２の画素１１０に対応している。また、支持体１０６そのものは透光性を有している。特定の画素１１０に対応する色固有の支持体１０６のうちの１つ以上を選択的に透過状態にすることによって、表示装置１００は、カラーの画素１１０を生成することが可能である。

また、表示部１０２は、パッシブマトリクス型としてもよいし、トランジスタによって素子の駆動が制御されるアクティブマトリクス型としてもよい。いずれの場合においても、各画素と電気的に接続される配線を格子状に設ける必要がある。開口率の向上を図る点において、表示部の配線として用いる導電膜としては透光性を有する導電材料が好ましい。

また、表示部１０２をアクティブマトリクス型とする場合、トランジスタも透光性を有する材料で形成するのが好ましい。トランジスタに用いる透光性を有する半導体膜としては、金属酸化物膜を用いるのが好ましい。当該金属酸化物膜としては、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物や、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ酸化物、Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ酸化物や、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｓｎ－Ｚｎ酸化物などが用いられる。

光量調節手段１０４は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成するＭＥＭＳシャッターである。光量調節手段１０４は、ＭＥＭＳ構造体部とＭＥＭＳ駆動素子部とを設ける。ＭＥＭＳ構造体部は、３次元的な立体構造を有し、かつ一部が可動する微小構造体であるシャッターを複数有する。

また、ＭＥＭＳ構造体部には、遮光層および可動遮光層の他に可動遮光層を基板平面に平行にスライドさせるためのアクチュエータや、可動遮光層を支持する構造体などが含まれる。

また、アクチュエータを介して可動遮光層を駆動させるトランジスタがＭＥＭＳ駆動素子部に形成される。ＭＥＭＳ駆動素子部に用いるトランジスタは透光性を有する材料で形成されることが好ましく、表示部１０２で用いるトランジスタと同様のものを用いることができる。また、ＭＥＭＳ駆動素子部の配線として用いる導電膜としては透光性を有する導電材料が好ましい。

また、各支持体１０６は、走査線１１４、信号線１１６、電源線１１８と電気的に接続され、これらの配線から供給される電位に応じて、光量調節手段１０４の遮光状態と透過状態を切り替える。

次に、光量調節手段１０４として用いることのできるＭＥＭＳシャッターの構造例について図２５を用いて説明する。

図２５は、シャッター３００である。シャッター３００は駆動部３１１に結合された可動遮光層３０２を有する。駆動部３１１は開口部３０４を有する遮光層（図面が煩雑となるため図示せず）上に設けられており、２つの柔軟性を有するアクチュエータ３１５を有する。可動遮光層３０２の一方の辺は、アクチュエータ３１５と電気的に接続されている。アクチュエータ３１５は、可動遮光層３０２を、開口部３０４を有する遮光層表面に平行な横方向に移動させる機能を有する。

アクチュエータ３１５は、可動遮光層３０２および構造体３１９と電気的に接続する可動電極３２１と、構造体３２３と電気的に接続する可動電極３２５とを有する。可動電極３２５は、可動電極３２１に隣接しており、可動電極３２５の一端は構造体３２３と電気的に接続し、他端は自由に動くことができる。また、可動電極３２５の自由に動くことが可能な端部は、可動電極３２１および構造体３１９の接続部で最も近くなるように、湾曲している。

可動遮光層３０２の他方の辺は、駆動部３１１によって及ぼされた力に対抗する復元力を有するスプリング３１７に接続されている。スプリング３１７は構造体３２７に接続されている。

構造体３１９、構造体３２３、構造体３２７は、開口部３０４を有する遮光層の表面の近傍において、可動遮光層３０２、アクチュエータ３１５、およびスプリング３１７を、浮遊させる機械的支持体として機能する。

可動遮光層３０２の下方には、遮光層で囲まれる開口部３０４が設けられる。なお、可動遮光層３０２および開口部３０４の形状はこれに限られるものではない。

シャッター３００に含まれる構造体３２３は、トランジスタ（図示せず）と電気的に接続する。当該トランジスタは、可動遮光層を駆動するためのトランジスタである。これにより、構造体３２３に接続される可動電極３２５に、トランジスタを介して任意の電圧を印加することができる。また、構造体３１９、構造体３２７は、それぞれ接地電極（ＧＮＤ）と接続する。このため、構造体３１９に接続する可動電極３２１、および構造体３２７に接続するスプリング３１７の電位は、ＧＮＤとなっている。なお、構造体３１９、構造体３２７は、任意の電圧を印加できる共通電極と電気的に接続されてもよい。また、スプリング３１７、構造体３２７を駆動部３１１に置き換えて２つの駆動部３１１をもつシャッターとしてもよい。

可動電極３２５に電圧が印加されると、可動電極３２５と可動電極３２１との間の電位差により、可動電極３２１および可動電極３２５が電気的に引き寄せあう。この結果、可動電極３２１に接続する可動遮光層３０２が、構造体３２３の方へ引きよせられ、構造体３２３の方へ横方向に移動する。可動電極３２１はスプリングとして働くため、可動電極３２１と可動電極３２５との間の電位差が除去されると、可動電極３２１は、可動電極３２１に蓄積された応力を解放しながら、可動遮光層３０２をその初期位置に押し戻す。なお、可動電極３２１が可動電極３２５に引き寄せられている状態で、開口部３０４が可動遮光層３０２に塞がれるように設定してもよいし、逆に開口部３０４上に可動遮光層３０２が重ならないように設定してもよい。

また素子内に磁界を発生させ、可動電極３２１または可動電極３２５に対して磁気的な力を加え、上記と同様の動作をさせても良い。このような電気的なまたは磁気的な作用による、遮光手段すなわちＭＥＭＳシャッターの動作により、シャッター内にて選択的に光を透過させることが可能となる。

シャッター３００の作製方法について、以下に説明する。開口部３０４を有する遮光層上にフォトリソグラフィ工程により所定の形状を有する犠牲層を形成する。犠牲層としては、ポリイミド、アクリル等の有機樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン等の無機絶縁膜等で形成することができる。なお、本明細書などにおいて、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものを指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものを指すものとする。ここで、酸素および窒素の含有量は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）または水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて測定するものとする。

次に、犠牲層上に印刷法、スパッタリング法、蒸着法等により遮光性を有する材料を形成した後、選択的にエッチングをしてシャッター３００を形成する。遮光性を有する材料としては例えば、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、タングステン、タンタル、ネオジム、アルミニウム、シリコンなどの半導体、金属、合金または酸化物などを用いることができる。または、インクジェット法によりシャッター３００を形成する。シャッター３００は、厚さ１００ｎｍ以上５μｍ以下で形成することが好ましい。

次に、犠牲層を除去することで、空間において可動式のシャッター３００を形成することができる。なお、この後、シャッター３００の表面を酸素プラズマ、熱酸化等で酸化し、酸化膜を形成することが好ましい。または、原子層蒸着法、ＣＶＤ法により、シャッター３００の表面に、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ－Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）等の絶縁膜を形成することが好ましい。当該絶縁膜をシャッター３００に設けることで、シャッター３００の経年劣化を低減することができる。

次に、遮光手段を含む制御回路２００について図２６を用いて説明する。

図２６は、表示装置内の制御回路２００の概略図である。制御回路２００は、遮光手段を遮光状態にするアクチュエータと透過状態にするアクチュエータを有するシャッターを含む支持体２０６内の画素２１０のアレイを制御する。アレイ内の画素２１０は、それぞれが実質的に正方形の形状であり、ピッチ、すなわち、画素間の距離は、１８０μｍ乃至２００μｍである。

制御回路２００は、各行の各画素２１０について、走査線２０４を有し、各列の各画素２１０について、第１の信号線２０８ａおよび第２の信号線２０８ｂを有する。第１の信号線は、遮光手段を透過状態にする信号を供給し、第２の信号線は、遮光手段を遮光状態にする信号を供給する。制御回路２００は、さらに、充電線２１２と、作動線２１４と、共通電源線２１５とを有する。これらの充電線２１２、作動線２１４および共通電源線２１５は、アレイ内の複数行および複数列内の画素２１０間で共有される。

各画素２１０は、遮光手段を透過状態にするために充電するトランジスタ２１６と、遮光手段を透過状態にするために放電するトランジスタ２１８と、遮光手段を透過状態にするためにデータを書き込むためのトランジスタ２１７と、容量素子２１９を有する。なお、トランジスタ２１６とトランジスタ２１８は、透過状態にするアクチュエータと電気的に接続されている。

また、各画素２１０は、遮光手段を遮光状態にするために充電するトランジスタ２２０と、遮光手段を遮光状態にするために放電するトランジスタ２２２と、遮光手段を遮光状態にするためにデータを書き込むためのトランジスタ２２７と、容量素子２２９を有する。なお、トランジスタ２２０とトランジスタ２２２は、遮光状態にするアクチュエータと電気的に接続されている。

また、トランジスタ２１６、トランジスタ２１８、トランジスタ２２０およびトランジスタ２２２は、金属酸化物以外の材料をチャネル領域に用いたトランジスタであり、十分な高速動作が可能である。

さらに、トランジスタ２１７およびトランジスタ２２７は高純度化された金属酸化物をチャネル領域として用いる。高純度化された金属酸化物をチャネル領域として用いるトランジスタは、非導通状態となることによって、浮遊状態となるノード（たとえば、トランジスタ２１７と、トランジスタ２１８と、容量素子２１９とが接続されたノード、トランジスタ２２０と、トランジスタ２２７と、容量素子２２９とが接続されたノード）においてデータを保持することができ、オフ電流が極めて小さい。オフ電流が極めて小さいため、リフレッシュ動作が不要となるか、または、リフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となるため、消費電力を十分に低減することができる。

実際、金属酸化物によって形成されたチャネルの幅Ｗが１ｍのトランジスタのオフ電流を測定した結果、ドレイン電圧ＶＤが＋１Ｖまたは＋１０Ｖの場合、ゲート電圧ＶＧが－５Ｖから－２０Ｖの範囲では、トランジスタのオフ電流は検出限界である１×１０^－１２Ａ以下、すなわち、単位チャネル幅（１μｍ）あたり１ａＡ（１×１０^－１８Ａ）以下となることがわかった。さらにより正確な測定を行った結果、室温（２５℃）におけるオフ電流は、ソース－ドレイン電圧が４Ｖおよび３．１Ｖにおいて、それぞれ約４０ｚＡ／μｍ（つまり、４×１０^－２０Ａ／μｍ）、１０ｚＡ／μｍ（１×１０^－２０Ａ／μｍ）以下であることが分かった。８５℃においても、ソース－ドレイン電圧が３．１Ｖでは１００ｚＡ／μｍ（１×１０^－１９Ａ／μｍ）以下であることが分かった。

このように、高純度化された金属酸化物を用いたトランジスタではオフ電流が十分に小さいことが確認された。なお、オフ電流のより正確な測定に関しては、特開２０１１－１６６１３０号公報を参照されたい。

また、トランジスタ２１７およびトランジスタ２２７の金属酸化物膜と同一平面上に導電膜を形成し、該導電膜を容量素子２１９および容量素子２２９の電極の一方として用いる。このような導電膜を用いて形成した容量素子上は、段差が小さく、集積化しやすくなるため、表示装置を微細化することができる。たとえば、容量素子上に遮光手段の一部やトランジスタが重畳し、占有面積が小さく、微細化した表示装置を作製することができる。

制御回路２００は、最初に充電線２１２に電圧を印加する。充電線２１２はトランジスタ２１６およびトランジスタ２２０のそれぞれのゲートとドレインに接続されており、この電圧の印加によって、トランジスタ２１６およびトランジスタ２２０を導通させる。充電線２１２は、支持体２０６のシャッターの作動に必要な最小限の電圧（例えば１５Ｖ）が印加される。遮光手段を遮光状態にするアクチュエータと透過状態にするアクチュエータが充電された後は、充電線２１２は０Ｖになり、トランジスタ２１６およびトランジスタ２２０は非導通状態となる。両方のアクチュエータの電荷は、保持される。

画素の各行は、走査線２０４に書き込み電圧Ｖ_ｗを供給することによって、順に画素２１０に書き込まれる。画素２１０の特定の行が書き込まれている間、制御回路２００は、データ電圧を画素２１０の各列に対応した第１の信号線２０８ａまたは第２の信号線２０８ｂの一方に印加する。書き込まれる行の走査線２０４への電圧Ｖ_ｗの印加により、対応する行のトランジスタ２１７およびトランジスタ２２７は、導通する。トランジスタ２１７およびトランジスタ２２７が導通すると、第１の信号線２０８ａおよび第２の信号線２０８ｂから供給される電荷は、容量素子２１９および容量素子２２９にそれぞれ保持される。

制御回路２００において、作動線２１４は、トランジスタ２１８およびトランジスタ２２２のそれぞれのソースに接続される。作動線２１４を共通電源線２１５の電位よりもかなり大きな電位にすることで、容量素子２１９および容量素子２２９にそれぞれ保持されている電荷に関わらず、トランジスタ２１８およびトランジスタ２２２が導通することはない。制御回路２００における作動は、作動線２１４の電位を共通電源線２１５の電位以下にし、トランジスタ２１８またはトランジスタ２２２は、いずれかの容量素子２１９または容量素子２２９に保持されたデータの電荷によって導通／非導通が決まる。

トランジスタ２１８またはトランジスタ２２２が導通する場合、遮光手段を遮光状態にするアクチュエータの電荷または透過状態にするアクチュエータの電荷はトランジスタ２１８またはトランジスタ２２２を介して流出する。たとえば、トランジスタ２１８のみを導通することによって、透過状態にするアクチュエータの電荷はトランジスタ２１８を介して作動線２１４に流出する。結果として、支持体２０６のシャッターと透過状態にするアクチュエータとの間に電位差が生じ、シャッターは透過状態にするアクチュエータのほうに電気的に引き寄せられ、透過状態となる。

図２９（Ａ）に、表示装置１００が自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と積層したときの、構造体６０５の断面の概略図を示す。図２９（Ａ）は位置関係を説明する図であり、図中の各部分の厚さや長さを正確には表していない。また着色膜ＣＦの配設については他の実施の形態を参考とすれば良く、図示を省略している。表示装置１００は、基板７７０上に接して形成されている。また自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、基板５００上に形成されている。基板５００は、接合層５０５により基板７７０が貼り付けられ、固定されている。

表示装置１００が含む、開口部３０４と可動遮光層３０２とは、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と少なくとも一部が重なるように配置される。すなわち、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から出た光の一部は、開口部３０４を透過し、表示部１０２にて矢印７５０Ａ方向に反射される場合がある。

構造体３１９、可動電極３２１、構造体３２３、可動電極３２５、のいずれに外光が到達しても、視認することはできないことから、これらの部分は、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示領域と重ならないことが望ましい。

このような金属酸化物膜を用いた、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子は、フレームレートを高速にすることができ、より高品位な表示が可能となる。

（実施の形態９）
〔光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子〕
本発明の一態様の反射型である第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子の構造例を図２７（Ａ）および図２７（Ｂ）に示す。図２７（Ａ）は断面の模式図であり、図２７（Ｂ）は斜視図である。本実施の形態の光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子は、パッシブマトリクス型である。

自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は矢印７５０Ａの方向に光を照射し、反射型である第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、矢印７５０Ａの方向に光を反射させる。

反射型である第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、反射電極８５１、空隙８５２、支持部８５３、絶縁膜８５４、半透過性の電極８５５、を有する。

反射電極８５１は、列方向に延在し、半透過性の電極８５５は行方向に延在する。

支持部８５３は四隅で列方向電極である反射電極８５１を支えている。半透過性の電極８５５と、反射電極８５１との間に一定以上の電圧を与えることにより、両電極の間で静電力が発生する。反射電極８５１および支持部８５３付近にて上記静電力で変形可能な部分があり、空隙８５２の矢印７５０Ａの方向に沿った長さを変えることができる。半透過性の電極８５５と反射電極８５１とは光量調節手段であると言える。

光Ｌ１１が入射したとき、半透過性の電極８５５にて反射される光Ｌ１２と、反射電極８５１にて反射される光Ｌ１３と、の干渉光により特定の色の反射光を強めている。

本発明の一態様の光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子の構造例を、図２８で示される断面図で示す。図２８は、図２７（Ｂ）に示されたＡ１とＡ２との間の線分を含む断面の例である。図２８は図２７（Ａ）と上下逆に描かれており、矢印７５０Ａの方向に光を反射させることができる。またＡ１側には、赤色の光を表示させる画素ＰＩ１を有し、Ａ２側には、緑色の光を表示させる画素ＰＩ２を有する。画素ＰＩ１と画素ＰＩ２との間は、支持部が形成される領域ＳＡである。

図２８に示される構造は、基板８６０に接して、絶縁膜８６１を有する。絶縁膜８６１は、基板の平坦化や、光学設計の必要から形成し、酸化珪素膜や酸化アルミニウム等の絶縁性材料を用いることができる。以下の絶縁膜も上記の絶縁性材料を用いることができる。

絶縁膜８６１に接して、導電膜８６２と、絶縁膜８６３と、導電膜８６４と、が行方向に延在するように形成される。導電膜８６２と導電膜８６４とは、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、あるいはこれらの混合物を一例とする、導電性をもつ材料を用いることができる。導電膜８６２は光の反射を低減し、また導電膜８６４との間での光路長の差を適当な大きさとすることで、所望な波長の光を反射させることができる。

絶縁膜８６１及び導電膜８６４に接して、絶縁膜８６５が形成される。絶縁膜８６５と導電膜８６４の上に、導電膜８６６と絶縁膜８６７とが形成される。絶縁膜８６５は一例では酸化珪素を材料とし、膜厚は４７０ｎｍである。

導電膜８６２と、導電膜８６６と、は可視光を透過させる。例えば波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対する反射率が５％以上１００％未満であって、且つ透過率が１０％以上１００％未満である導電膜を用いる。導電膜８６２と、導電膜８６６と、に用いることのできる材料の一例としては、厚さ１ｎｍ乃至３０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１５ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用いればよい。本実施の形態では、導電膜８６２と、導電膜８６６と、にそれぞれ膜厚７ｎｍのＭｏ－Ｃｒ合金を用いる。絶縁膜８６７の膜厚は、一例では４０ｎｍである。

導電膜８６６は、表示面内で信号を遅延なく導通させるためには膜厚が小さいため、導電膜８６４と電気的に接続し、導電性を確保している。

絶縁膜８６７に接して、空隙８６８Ｒと空隙８６８Ｇとが設けられる。空隙８６８Ｒがある領域に、画素ＰＩ１を有する。空隙８６８Ｇがある領域に、画素ＰＩ２を有する。画素ＰＩ１と画素ＰＩ２とでは表示する色が異なることから、光路長の差も異なるため、空隙８６８Ｒと空隙８６８Ｇとは、矢印７５０Ａの方向に沿った厚さが異なる。一例では、空隙８６８Ｒの厚さを２２０ｎｍとし、空隙８６８Ｇの厚さを１５０ｎｍとする。尚、青色の画素領域での空隙の厚さは３１０ｎｍとすればよい。

空隙８６８Ｒと空隙８６８Ｇとは、実施の形態８で示したように、犠牲層と犠牲層除去により形成される。

また、絶縁膜８６７に接して、絶縁膜８６９が形成される。絶縁膜８６９は図２７（Ａ）および図２７（Ｂ）において支持部８５３の一部を成している。

絶縁膜８６９に接して、導電膜８７０、導電膜８７１、絶縁膜８７２、導電膜８７３が形成される。一例として、導電膜８７０に膜厚１０ｎｍのＭｏが、導電膜８７１に膜厚３０ｎｍのＡｌが、形成される。導電膜８７３は膜厚３０ｎｍのＡｌが形成される。絶縁膜８７２は一例では酸化珪素にて、ＰＩ１を含む領域では１８０ｎｍの膜厚、ＰＩ２を含む領域では４６０ｎｍの膜厚で形成される。尚、青色の画素領域では絶縁膜８７２は７５ｎｍとすればよい。

導電膜８７０、導電膜８７１、絶縁膜８７２、導電膜８７３の積層構造は変形が可能であり、すなわち積層構造が空隙８６８Ｒあるいは空隙８６８Ｇと重なる部分は、変位可能である。導電膜８６６と導電膜８７０との間で静電力が発生することにより、空隙８６８Ｒあるいは空隙８６８Ｇの厚さは０になることが可能であり、反射光の強度を決めることができる。

絶縁膜８７２の膜厚を、画素ＰＩ１と画素ＰＩ２とで変えることで、上記空隙の厚さによる光干渉効果以外に、導電膜８７０と導電膜８７３との間でも光干渉効果を発生させることができる。

図２９（Ｂ）に、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子である反射型である第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と積層したときの、構造体６０６の断面の概略図を示す。図２９（Ｂ）は位置関係を説明する図であり、図中の各部分の厚さや長さを正確には表していない。また着色膜ＣＦの配設については他の実施の形態を参考とすれば良く、図示を省略している。

光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子である反射型である第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が含む、画素ＰＩ１、画素ＰＩ２を例とする画素ＰＩは、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と少なくとも一部が重なるように配置される。すなわち、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）から出た光の一部は、画素ＰＩにて矢印７５０Ａ方向に反射される場合がある。

支持部が形成される領域ＳＡに外光が到達しても、視認することはできないことから、これらの部分は、自発光型である第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示領域と重ならないことが望ましい。または、支持部が形成される領域ＳＡは、トランジスタＭと重なることが好ましい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできる半導体材料について説明する。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

＜ＣＡＣ－ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）－ＯＳの構成について説明する。

ＣＡＣ－ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳ（ＣＡＣ－ＯＳの中でもＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ－ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１－ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（－１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ－ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ－ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ－ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ－ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ－ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ－ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ－ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ－ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ－ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ－ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ－ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ－ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

このような高い電界効果移動度を有する半導体素子を本発明の一態様の表示装置に用いることにより、視認性と高精細化を両立する、新規な表示装置を作製することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１１）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に、可視光において半透過性を有する層と、透過性を有する層と、反射性を有する層とを用いて、色純度を高め、色再現性の良好な表示装置を実現する例を、図３０を用いて説明する。図３０（Ａ）は、図２で示された構造体６０１である。図３０（Ｂ）は、図３０（Ａ）に示した部位５３１の拡大図である。

発光素子（自発光型表示素子）をマイクロキャビティ構造とする場合、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）を入射光量のうち一定光量の光を透過して一定光量の光を反射する（半透過）導電性材料を用いて形成し、第４の電極５５２を、反射率の高い（可視光の反射率が５０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下）導電性材料と、透過率の高い（可視光の透過率が５０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下）導電性材料の積層で形成する。ここでは、第４の電極５５２を、光を反射する導電性材料で形成された第４の電極５５２ａと、光を透過する導電性材料で形成された第４の電極５５２ｂの積層としている。第４の電極５５２ｂは、発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）と第４の電極５５２ａの間に設ける（図３０（Ｂ）参照）。第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は半反射電極として、第４の電極５５２ａは反射電極として機能できる。

例えば、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）として、厚さ１ｎｍ乃至３０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１５ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用いればよい。本実施の形態では、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）として厚さ１０ｎｍの銀とマグネシウムを含む導電性材料を用いる。

また、第４の電極５５２ａとして厚さ５０ｎｍ乃至５００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ乃至２００ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用いればよい。本実施の形態では、第４の電極５５２ａとして厚さ１００ｎｍの銀を含む導電性材料を用いる。

また、第４の電極５５２ｂとして厚さ１ｎｍ乃至２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ乃至１００ｎｍのインジウム（Ｉｎ）を含む導電性酸化物、または亜鉛（Ｚｎ）を含む導電性酸化物などを用いればよい。本実施の形態では、第４の電極５５２ｂとしてインジウム錫酸化物を用いる。また、第４の電極５５２ａの下に、さらに導電性酸化物を設けてもよい。

第４の電極５５２ｂの厚さｔを変えることで、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）の界面から第４の電極５５２ａと第４の電極５５２ｂの界面までの光学的距離ｄを任意の値に設定することができる。画素ごとに第４の電極５５２ｂの厚さｔを変えることで、同じ発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）を用いても、画素ごとに異なる発光スペクトルを有する発光素子を設けることができる。よって、各発光色の色純度を高め、色再現性の良好な表示装置を実現することができる。また、画素ごと（発光色ごと）に発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）を形成する必要がないため、表示装置の作製工程を少なくし、生産性を高めることができる。また、表示装置の高精細化を容易とすることができる。

なお、光学的距離ｄの調整方法は上記の調整方法に限定されない。例えば、発光性の材料を含む層５５３（ｉ，ｊ）の膜厚を変えることで光学的距離ｄを調整してもよい。

また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重畳する位置に着色膜ＣＦを設けて、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が照射する光が着色膜ＣＦを透過して外部に射出する構成としてもよい。

このような構成により、表示装置の視認性を高めることができる。本発明の一態様によれば、色純度の高い、より表示品位の良好な表示装置を実現することができる。

（実施の形態１２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な、タッチセンサの構成について説明する。表示装置とは別にタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、アウトセル型タッチパネル（またはアウトセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。

なおタッチパネルとは、タッチセンサを搭載した表示装置（または表示モジュール）を指す。タッチパネルは、タッチスクリーンという場合がある。なお、表示装置を有しておらず、タッチセンサのみで構成されている部材に対して、そのような部材のことをタッチパネルと呼ぶ場合もある。または、タッチセンサを搭載した表示装置は、タッチセンサ付表示装置、表示装置付タッチパネル、または、表示モジュール、などとも呼ばれる場合もある。

なお表示装置の素子基板側にタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、フルインセル型タッチパネル（またはフルインセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。フルインセル型タッチパネルは、例えば、素子基板側に作り込まれる電極をタッチセンサ用の電極としても用いているものである。

また表示装置の素子基板側のみならず、対向基板側にもタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、ハイブリッドインセル型タッチパネル（またはハイブリッドインセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。ハイブリッドインセル型タッチパネルは、例えば、素子基板側に作り込まれる電極と、対向基板側に作り込まれる電極とをタッチセンサ用の電極としても用いているものである。

また対向基板側にタッチセンサの電極が組み込まれている場合には、オンセル型タッチパネル（またはオンセル型タッチセンサ付表示装置）という場合がある。オンセル型タッチパネルは、例えば、対向基板側に作り込まれる電極をタッチセンサ用の電極としても用いているものである。

タッチパネルを有する表示モジュールは、上述したフルインセル型、ハイブリッドインセル型またはオンセル型のように、表示装置にタッチセンサの機能を組み込む。表示モジュールは、上部と下部カバーとの間に、ＦＰＣに接続されたタッチパネル、フレーム、プリント基板、バッテリ順に有する。

上記実施の形態で説明した表示装置を、表示モジュールに含まれる表示装置に用いることができる。そのため、表示モジュールは、狭額縁化や、表示品質の向上を図ることができる。

上部カバー及び下部カバーは、表示装置またはタッチパネル等のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチセンサおよびタッチパネルは、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを用いることができる。

フレームは、表示装置またはタッチパネル等の保護機能の他、プリント基板の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレームは、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板は、表示装置またはタッチパネル等を駆動するための各種信号を出力する回路を有する。プリント基板上の各回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリによる電源であってもよい。バッテリは、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュールには、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

また、図１６で説明されるように、タッチパネルと、本発明の表示装置とを貼りつける構成でもよい。

入出力パネル７００ＴＰ１は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図１６（Ｂ）参照）。また、入出力パネル７００ＴＰ１は、基板５１０、基板５７０および基板５９０を有する。

基板５１０および基板５７０には、画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子）が形成されており、実施の形態３で示された作製方法により、貼り合わされている。基板５９０にはタッチセンサが形成されている。すなわち、基板５１０および基板５７０に、基板５９０が貼り合わさり、入出力パネル７００ＴＰ１が作製される。貼りあわせた後、このような構成において、タッチセンサを基板５９０から分離する、もしくは基板５９０を薄くすることにより、入出力パネル７００ＴＰ１の厚さを小さくすることができる。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素および当該画素に信号を供給することができる複数の配線５１１、および画像信号線駆動回路５０３ｓ（１）を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。

＜タッチセンサ＞
基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図１６（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１６（Ｂ）を用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。

配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態１３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。本発明の一態様の表示装置において可撓性を有する基板を用いることにより、可撓性を有する電子機器や照明装置を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器または照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができる。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図３２（Ａ）乃至（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。

表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図３２（Ａ）、（Ｂ）に携帯電話機の一例を示す。図３２（Ａ）に示す携帯電話機７１００及び図３２（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、それぞれ、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。図３２（Ｂ）に示す携帯電話機７１１０は、さらに、カメラ７１０７を有する。

各携帯電話機は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部７０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声入力等により行うこともできる。

図３２（Ｃ）、（Ｄ）に携帯情報端末の一例を示す。図３２（Ｃ）に示す携帯情報端末７２００及び図３２（Ｄ）に示す携帯情報端末７２１０は、それぞれ、筐体７２０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

携帯情報端末７２００及び携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図３２（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面に表示することができる。図３２（Ｃ）では、携帯情報端末の上面に情報が表示される例を示し、図３２（Ｄ）では、携帯情報端末の側面に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよい。

なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。

例えば、携帯情報端末７２００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７２００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７２０３）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末７２００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７２００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図３２（Ｅ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７３０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７３０１を支持した構成を示している。

図３２（Ｅ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図３２（Ｆ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示す。

図３２（Ｆ）に示す照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。

図３２（Ｆ）に示す照明装置７４００の備える発光部７４１１は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４００を中心に全方位を照らすことができる。

また、照明装置７４００が備える発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材または可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

照明装置７４００は、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、または天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、または発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

図３３（Ａ）乃至（Ｉ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図３３（Ａ）、（Ｂ）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。

携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができる。

また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号及び電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図３３（Ａ）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。

図３３（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図３３（Ａ）の状態と表示部７００１を引き出した図３３（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図３３（Ａ）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。

なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。

図３３（Ｃ）乃至（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３３（Ｃ）では、展開した状態、図３３（Ｄ）では、展開した状態または折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図３３（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。

表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。

図３３（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３３（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図３３（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。

図３３（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。

筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、及び携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側または外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、または意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。

また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、または、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。

図３３（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図３１（Ａ）に自動車７９００の外観を示す。図３１（Ｂ）に自動車７９００の運転席を示す。自動車７９００は、車体７９０１、車輪７９０２、フロントガラス７９０３、ライト７９０４、フォグランプ７９０５等を有する。

本発明の一態様の表示装置は、自動車７９００の表示部などに用いることができる。例えば、図３１（Ｂ）に示す表示部７９１０乃至表示部７９１７に本発明の一態様の表示装置を設けることができる。

表示部７９１０と表示部７９１１は、自動車のフロントガラスに設けられている。本発明の一態様では、表示装置が有する電極を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示装置であれば、自動車７９００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置を自動車７９００のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置に、トランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、または金属酸化物を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。

表示部７９１２はピラー部分に設けられている。表示部７９１３はダッシュボード部分に設けられている。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部７９１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。同様に、表示部７９１３では、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができ、表示部７９１４では、ドアで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

また、表示部７９１７は、ハンドルに設けられている。表示部７９１５、表示部７９１６、または表示部７９１７はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部７９１０乃至表示部７９１４にも表示することができる。

なお、表示部７９１０乃至表示部７９１７は照明装置として用いることも可能である。

本発明の一態様の表示装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発明の一態様の表示装置は、曲面及び可撓性を有さない構成であってもよい。

図３１（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。デジタルサイネージは、筐体８０００、表示部８００１、及びスピーカ８００３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図３１（Ｄ）は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。

表示部８００１が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部８００１が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部８００１にタッチパネルを適用することで、表示部８００１に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

図３１（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、表示部８１０４、マイクロフォン８１０５、スピーカ８１０６、操作キー８１０７、スタイラス８１０８等を有する。

図３１（Ｅ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部８１０３と表示部８１０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様の表示装置を有していればよい。

図３１（Ｆ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体８１１１、表示部８１１２、キーボード８１１３、ポインティングデバイス８１１４等を有する。

表示部８１１２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

ＡＣＦ２ 導電材料
ＢＭ 遮光膜
ＢＭ１ 遮光膜
ＢＭ２ 遮光膜
ＢＲ（ｇ，ｈ） 導電膜
Ｃ（ｇ） 電極
Ｃ２ 矢印
ＣＦ 着色膜
ＣＦ１ 着色膜
ＣＦ２ 着色膜
ＣＰ 導電材料
ＤＣ 検知回路
ＧＤ 駆動回路
ＧＤＡ 駆動回路
ＧＤＢ 駆動回路
ＦＰＣ２ プリント基板
ＫＢ１ 絶縁体
Ｌ１ 光
Ｌ２ 光
Ｌ３ 光
Ｌ４ 光
Ｌ５ 光
Ｌ１２ 光
Ｌ１３ 光
Ｍ トランジスタ
ＭＤ トランジスタ
Ｍ（ｈ） 電極
ＭＬ（ｈ） 信号線
Ｐ１ 位置情報
ＰＩ１ 画素
ＰＩ２ 画素
Ｒ１ 矢印
Ｒ２ 矢印
Ｓ１ 信号線
Ｓ２ 信号線
ＳＡ 領域
ＳＤ 駆動回路
ＳＤ１ 駆動回路
ＳＤ２ 駆動回路
ＳＷ トランジスタ
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
Ｖ１１ 情報
Ｖ１２ 情報
ＶＣＯＭ１ 配線
１００ 表示装置
１０２ 表示部
１０４ 光量調節手段
１１０ 画素
１１６ 信号線
１３８ 導電膜
１４４ 導電膜
２０８ａ 信号線
２０８ｂ 信号線
２１０ 画素
２１６ トランジスタ
２１７ トランジスタ
２１８ トランジスタ
２２０ トランジスタ
２２２ トランジスタ
２２７ トランジスタ
２３０ 表示部
２３１ 表示領域
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
３１１ 駆動部
３１９ 構造体
３２１ 可動電極
３２３ 構造体
３２５ 可動電極
３２７ 構造体
４０１ マイクロカプセル
４０２ バインダー
５００ 基板
５００Ａ 樹脂層
５００Ｂ 樹脂層
５０１ 表示部
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０１Ｄ 絶縁層
５０３ｓ 駆動回路
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０５Ｂ 接合層
５０６ 絶縁層
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１１ 配線
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１１Ｄ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁層
５１８ 絶縁層
５１９ 端子
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５１９Ｄ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁層
５２２ 接続部
５２８ 絶縁膜
５５０ 第２の表示素子
５５１ 電極
５５２ 電極
５５２ａ 電極
５５２ｂ 電極
５５３（ｉ，ｊ） 発光性の材料を含む層
５５３（ｊ） 発光性の材料を含む層
５６０ 保護層
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９８ 配線
５９９ 接続層
５７０ 基板
６０１ 構造体
６０１Ａ 構造体
６０１Ｂ 構造体
６０１Ｃ 構造体
６０１Ｄ 構造体
６０１Ｅ 構造体
６０１Ｆ 構造体
６０２ 構造体
６０２Ａ 構造体
６０２Ｂ 構造体
６０３ 構造体
６０４ 構造体
６０５ 構造体
６０６ 構造体
６１１ レーザ光
７００ 表示パネル
７００ＴＰ１ 入出力パネル
７００ＴＰ２ 入出力パネル
７０１ 絶縁膜
７０２ 画素
７０４ 導電膜
７０５ 封止材
７０６ 絶縁膜
７０８ 半導体膜
７１０ 基板
７１２Ａ 導電膜
７１２Ｂ 導電膜
７１６ 絶縁膜
７１８ 絶縁膜
７２０ 機能層
７２１ 絶縁膜
７５０ 第１の表示素子
７５０Ａ 矢印
７５１ 電極
７５２ 電極
７５３ 泳動粒子含有層
７５４Ｂ 中間膜
７５４Ｃ 中間膜
７５４Ｄ 中間膜
７７０ 基板
７７１ 絶縁膜
７７２ 絶縁膜
７７５ 検知素子
７８０ 基板
８５１ 反射電極
８５４ 絶縁膜
８５５ 電極
８６０ 基板
８６１ 絶縁膜
８６２ 導電膜
８６３ 絶縁膜
８６４ 導電膜
８６５ 絶縁膜
８６６ 導電膜
８６７ 絶縁膜
８６９ 絶縁膜
８７０ 導電膜
８７１ 導電膜
８７２ 絶縁膜
８７３ 導電膜
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７１０７ カメラ
７１１０ 携帯電話機
７２００ 携帯情報端末
７２０１ 筐体
７２０２ 操作ボタン
７２０３ 情報
７２１０ 携帯情報端末
７３００ テレビジョン装置
７３０１ 筐体
７３０３ スタンド
７３１１ リモコン操作機
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０３ 操作スイッチ
７４１１ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
７９００ 自動車
７９０１ 車体
７９０２ 車輪
７９０３ フロントガラス
７９０４ ライト
７９０５ フォグランプ
７９１０ 表示部
７９１１ 表示部
７９１２ 表示部
７９１３ 表示部
７９１４ 表示部
７９１５ 表示部
７９１６ 表示部
７９１７ 表示部
８０００ 筐体
８００１ 表示部
８００３ スピーカ
８１０１ 筐体
８１０２ 筐体
８１０３ 表示部
８１０４ 表示部
８１０５ マイクロフォン
８１０６ スピーカ
８１０７ 操作キー
８１０８ スタイラス
８１１１ 筐体
８１１２ 表示部
８１１３ キーボード
８１１４ ポインティングデバイス

Claims (11)

1. 自発光型の表示素子と、前記自発光型の表示素子と電気的に接続された第１のトランジスタと、反射型の表示素子と、前記反射型の表示素子と電気的に接続された第２のトランジスタと、を有する画素を備え、
   前記自発光型の表示素子は、前記反射型の表示素子より、表示面側に配置され、
   断面視において、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間に前記自発光型の表示素子及び前記反射型の表示素子が配置され、且つ、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、重なるように配置され、
   前記反射型の表示素子は、電極より供給された電力により配置を変える光量調節手段を有し、
   前記反射型の表示素子は、前記光量調節手段にて光を遮蔽し、反射光の強度を変化させる、表示装置。
2. 請求項１において、
   前記光量調節手段は、泳動粒子であり、
   前記泳動粒子は、マイクロカプセルに内蔵される、表示装置。
3. 請求項２において、
   前記画素を複数備え、
   前記複数の画素には、第１乃至第３の画素が含まれ、
   前記第１の画素は、第１の色で着色された泳動粒子を有し、
   前記第２の画素は、第２の色で着色された泳動粒子を有し、
   前記第３の画素は、第３の色で着色された泳動粒子を有し、
   前記第２の色で着色された泳動粒子は、前記第１の色で着色された泳動粒子とは異なる色を備え、
   前記第３の色で着色された泳動粒子は、前記第１の色で着色された泳動粒子および前記第２の色で着色された泳動粒子とは異なる色を備える、表示装置。
4. 請求項２において、
   前記画素を複数備え、
   前記複数の画素には、第１乃至第３の画素が含まれ、
   前記第１の画素は、第１の色で着色された溶液を備え、
   前記第２の画素は、第２の色で着色された溶液を備え、
   前記第３の画素は、第３の色で着色された溶液を備え、
   前記第２の色で着色された溶液は、前記第１の色で着色された溶液とは異なる色を備え、
   前記第３の色で着色された溶液は、前記第１の色で着色された溶液および前記第２の色で着色された溶液とは異なる色を備える、表示装置。
5. 請求項１において、
   光半透過層と、光反射層と、を有し、
   前記光量調節手段は、前記光半透過層または前記光反射層であり、
   前記光半透過層と前記光反射層との距離は、電気的または磁気的作用により、変化が可能であり、
   前記光半透過層は、前記光反射層と前記自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有する、表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５の何れか１項において、
   前記自発光型の表示素子は、可視光を透過し、
   前記反射型の表示素子は、前記自発光型の表示素子を透過した光を反射することができる、表示装置。
7. 請求項１において、
   シャッターと、光反射層と、を有し、
   前記光量調節手段は、前記シャッターであり、
   前記シャッターと前記光反射層とは、重ねて配置される、表示装置。
8. 請求項７において、
   前記自発光型の表示素子は、可視光を透過し、
   前記光反射層は、前記自発光型の表示素子を透過した光を反射することができる、表示装置。
9. 請求項１乃至請求項８の何れか１項において、
   １層または２層以上の着色膜を有し、
   前記着色膜の１層は、少なくとも前記反射型の表示素子と前記自発光型の表示素子との間に挟まれる領域を有する、表示装置。
10. 請求項１乃至請求項８の何れか１項において、
    １層または２層以上の着色膜を有し、
    前記自発光型の表示素子は、少なくとも前記着色膜の１層と前記反射型の表示素子との間に挟まれる領域を有する、表示装置。
11. キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置のうち一以上と、
    請求項１乃至請求項１０に記載の表示装置と、を含む、半導体装置。

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