JP7036687B2 - 配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、互いに対向して接続された２つの対配線を含む配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置に関する。

電子部品と電気的に接続される配線導体を有する配線基板として、セラミック材料または樹脂材料等からなる絶縁基板と、絶縁基板の上面等の表面に設けられた配線導体とを含むものが知られている。配線導体の絶縁基板の上面の中部側に位置する端部分に、電子部品がボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。また、配線導体のうち絶縁基板の端部分に位置する端部が、フレキシブル基板等の導電性を有する接続材を介して外部電気回路に電気的に接続される。

また、配線導体を伝送される信号が高周波信号であるときには、互いに逆位相の信号が伝送される一対の配線を有する差動線路が、配線導体として用いられる場合がある。このような配線基板は、電子部品を収容する筐体が金属材料からなるときに、その筐体の内外を導通するための入出力端子として使用される場合がある（例えば特許文献１、２を参照）。

特開2015－015513号公報 特開2017－115736号公報

上記配線基板において、例えば絶縁基板における配線導体の外部接続される端部の上下位置等の位置変更のため、配線導体の一部を長さ方向に分割して、その分割した配線導体の端部分同士を対向させて接続させる場合がある。この場合、配線導体同士が互いに接続された端部では、配線導体の断面積が大きくなって抵抗とインダクタンスが小さくなるため、インピーダンスの不整合を生じる可能性がある。特に、配線導体が、互いに逆位相の信号が伝送される一対の線路からなる差動線路であるときには、上記の不整合例が増えている。

本発明の１つの態様の配線基板は、上面を有する第１絶縁層と、該第１絶縁層上に位置しており、前記第１絶縁層の上面に対向した対向領域および該対向領域に隣接しているとともに外部に露出した露出領域を含む下面を有する第２絶縁層とを含む絶縁基板と、前記第１絶縁層の上面に互いに平行に位置しており、該上面の外周部にそれぞれ第１端部を有する第１対配線と、前記第２絶縁層の下面の前記露出領域から前記対向領域にかけて位置しており、前記対向領域において前記第１対配線の第１端部とそれぞれ対向して接続した第２端部を有する第２対配線と、平面視で前記対向領域と重なる領域において前記第１絶縁層または前記第２絶縁層に位置しており、前記第１端部と第２端部との接続部分と重なる位置に非形成部を有する接地導体層とを備えている。平面視で前記接地導体層の非形成部と重なるとともに前記第２対配線同士の間に位置する部分において、前記第１絶縁層の上面が凹部を有しており、前記第２絶縁層が、前記下面の前記露出領域において、前記第２対配線の間に位置する溝部を有している。

本発明の１つの態様の電子部品用パッケージは、上記構成の配線基板と、凹状の収容部
を有し、該収容部の側壁の一部に開口を有する金属筐体とを備えており、前記配線基板が前記開口を塞ぐように前記金属筐体に接合されている。

本発明の１つの態様の電子装置は、上記構成の電子部品用パッケージと、前記金属筐体の収容部内に収容された電子部品とを備える。

本発明の１つの態様の配線基板によれば、上記構成であることから、第１端部と第２端部との接続部分における第１対配線と接地導体層との間、および第１対配線間の容量成分を小さくすることができる。そのため、端部の配線幅が大きくなっても特性インピーダンスの低下を抑制し、インピーダンスの不整合を低減することができる。

本発明の１つの態様の電子部品用パッケージによれば、上記構成の配線基板を含んでいることから、インピーダンス整合に有利な電子部品用パッケージを提供することができる。

本発明の１つの態様の電子装置によれば、上記構成の電子部品用パッケージを含んでいることから、インピーダンス整合に有利な電子装置を提供することができる。

本発明の実施形態の配線基板の一例を示す断面図である。 図１に示す配線基板を分解して示す断面図である。 （ａ）は図２の層間位置Ａを下側から見た平面図であり、（ｂ）は層間位置Ａを上側から見た平面図であり、（ｃ）は図１のＢ－Ｂ線における断面図である。 図１のＣ－Ｃ線における断面図である。 図３（ａ）の要部を拡大して示す平面図である。 本発明の実施形態の電子部品用パッケージおよび電子装置を示す断面図である。 本発明の実施形態の配線基板の一部を拡大して下側から見た状態を示す斜視図である。 図５に示す配線基板の変形例を示す平面図である。 図５に示す配線基板の他の変形例を示す平面図である。 図５に示す配線基板の他の変形例を示す平面図である。 本発明の実施形態の配線基板および比較例の配線基板の特性を示すグラフである。

本発明の実施形態の配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置を、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は説明上の便宜的なものであり、実際に配線基板、電子部品用パッケージまたは電子装置が使用されるときの上下を限定するものではない。

図１は本発明の実施形態の配線基板の一例を示す断面図である。図２は図１に示す配線基板を分解して示す断面図である。図３（ａ）は図２の層間位置Ａを下側から見た平面図であり、図３（ｂ）は層間位置Ａを上側から見た平面図であり、図３（ｃ）は図１のＢ－Ｂ線における断面図である。図４は図１に示す配線基板のＣ－Ｃ線における断面図である。図５は図３（ａ）の要部を拡大して示す平面図である。

実施形態の配線基板10は、下側から順次積層された第１絶縁層１および第２絶縁層２を含む絶縁基板３と、絶縁基板３に設けられた第１対配線４および第２対配線５と、平面視
で第１対配線４および第２対配線５と重なるようにして絶縁基板３に設けられた接地導体層６とを備えている。

絶縁基板３を構成している第１絶縁層１は、例えば平面視で長方形状等の四角形状であり、四角形状等の上面１ａを有している。第２絶縁層２は、第１絶縁層１上に位置して、その下面２ａの一部が第１絶縁層１の上面１ａに対向している。すなわち、第２絶縁層２は、第１絶縁層１の上面１ａに対向した対向領域２ａａおよび対向領域２ａａに隣接しているとともに外部に露出した露出領域２ａｂを含む下面２ａを有している。図５（ａ）において、対向領域２ａａと露出領域５ａｂとの境界位置を仮想線Ｄで示している。言い換えれば、絶縁基板３は、第２絶縁層２の一部が第１絶縁層１よりも外側に張り出していて、その張り出した部分の下面２ａが外部に露出した構造である。また、第１絶縁層１の上面１ａのうち第２絶縁層２が対向していない部分も外側に露出している。

第１対配線４は、互いに一定の間隔で平行に伸びる一対の配線（個々の配線としては符号なし）を含む伝送路であり、いわゆるペア配線である。第１対配線４は、例えば数十ＧＨｚの高周波信号を差動伝送する。第１対配線４のそれぞれの配線は、第１絶縁層１の上面の外周部に位置する第１端部４ａを有している。

第２対配線５も、第１対配線４と同様に、互いに一定の間隔で平行に伸びる一対の配線（個々の配線としては符号なし）を含む伝送路であり、いわゆるペア配線である。第２対配線５は、第１対配線４と電気的に接続されて、第１対配線４と同様に数十ＧＨｚの高周波信号等の信号を差動伝送する。第２対配線４のそれぞれの配線は、第２絶縁層２の下面２ａの露出領域２ａｂから対向領域２ａａにかけて位置している。この対向領域２ａａにおいて、第２対配線５は、第１対配線４の第１端部４ａとそれぞれ対向して接続した第２端部５ａを有している。

接地導体層６は、平面視で対向領域２ａａと重なる領域において第１絶縁層１および第２絶縁層２の少なくとも一方に位置している。この実施形態では、接地導体層６が第１絶縁層１および第２絶縁層２の内部に位置している。接地導体層６は、例えば、第１対配線４および第２対配線５と外部との間の電磁的なノイズを低減させる機能を有している。そのため、接地導体層６は、平面視で第１絶縁層１および第２絶縁層それぞれに広い面積で（いわゆるベタパターン状に）形成されている。なお、接地導体層６は、第１絶縁層１および第２絶縁層２それぞれの内部に位置しているものでなくても構わない。第１絶縁層１の下面に接地導体層６が位置していてもよく、第２絶縁層２の上面に接地導体層６が位置していてもよい。

接地導体層６は、第１端部４ａと第２端部５ａとの接続部分Ｓと重なる位置に非形成部６Ｓを有している。以下の説明においては、煩雑さを避けるため、第１絶縁層１の内部に位置する接地導体層６が非形成部６Ｓを有している例について説明する。ただし、第２絶縁層２内の接地導体層６が非形成部（図示せず）を有していてもよく、第１絶縁層１および第２絶縁層２の両方の接地導体層６が、同様の非形成部（６）を有していてもよい。非形成部（６）の位置の選択は、第１対配線４および第２対配線５のインピーダンス等の条件に応じて行なうことができる。

また、この配線基板10は、平面視で接地導体層６の非形成部６Ｓと重なるとともに第２対配線５同士の間に位置する部分において、第１絶縁層１の上面が凹部７を有している。凹部７は、平面視で第１絶縁層１の上面の端から中央部に向かって伸びるように形成されている。平面視で帯状の凹部７の１つの端が絶縁層１の側面に位置し、その側面において開口部を形成している。

第１対配線４は、第１絶縁層１の上面１ａのうち外側に露出した部分で上向きに露出している。第１対配線４のうち上向きに露出した部分は、第１端部４ａと反対側の端部（第３端部）４ｂを含んでいる。第２対配線５は、第２絶縁層２の下面２ａの露出領域２ａｂにおいて下向きに露出している。第１対配線４と第２対配線５とは、上記のように第１端部４ａと第２端部５ａとが互いに接続し合っているため、１つのペア伝送路（Ｓ）として機能することができる。すなわち、第１対配線４の第３端部から、第２対配線５の第２端部５ａと反対側の端部（第４端部）５ｂにかけて、一続きの差動方式による伝送が可能な信号線路が位置している。

この１つのペア伝送路Ｓは、上記のように第３端部４ｂ側では上向きに露出し、第４端部５ｂ側では下向きに露出している。そのため、例えば、第３端部４ｂ側ではボンディングワイヤの接続が容易である。つまり、超音波ボンダ等によるボンディング作業がやりやすい。また、第４端部５ｂ側では、フレキシブル基板21等の他の配線基板（絶縁板の上面に配線導体を有するもの）の接続が容易である。つまり、フレキシブル基板21の上面に位置する配線導体21ａを、ペア線路Ｐの第４端部５ｂに対向させて、はんだまたは導電性接着剤等を介して容易に接続させることができる。

このような配線基板10は、例えば図６に示すような電子部品用パッケージ20において電子部品の収容部内外を導通する入出力端子として用いられる。図６は、本発明の実施形態の電子部品用パッケージ20およびこれを含む電子装置30を示す断面図である。この実施形態の電子部品用パッケージ20は、上記収容部としての凹状の収容部12を有し、収容部12の側壁の一部に開口13を有する金属筐体11と、開口13を塞ぐように位置している上記構成の配線基板10とを有している。また、電子部品用パッケージ20の凹部12内に電子部品22が収容されて電子装置30が構成されている。

上記電子部品用パッケージ20において、収容部12内では、ボンディングワイヤ23による配線基板10のペア線路Ｐ（第１対配線４の第３端部４ｂ）と電子部品22との電気的な接続が容易である。また、収容部12外では、フレキシブル基板21とペア線路Ｐ（第２対配線５の第４端部５ｂ）との電気的な接続が容易である。ペア線路Ｐは、例えばフレキシブル基板21を介して外部電気回路（マザーボード等）に電気的に接続される。この場合のフレキシブル基板21は、外部接続端子として機能する。そのため、収容部12内に収容される電子部品22と外部電気回路との電気的な接続が容易な電子装置30の製作が容易な電子部品用パッケージ20を提供することができる。

図６に示す例では、金属筐体21の側壁部分のうち開口13と反対側の端に貫通孔14が位置している。貫通孔14は、側壁部分を収容部の内外方向に貫通している。貫通孔14は、例えば、光ファイバ等の光接続用の部材が位置決めされて固定される部分として機能する。電子部品22が光半導体素子である場合には、貫通孔14を介して外部との光信号の送受が行なわれる。

また、図６に示す例では、電子部品22はサブマウント24を介して収容部12の底面に搭載されている。サブマウント24は、電子部品22から金属筐体11への熱伝導を促進する部材でもよく、ペルチェ素子を含むものでもよい。

前述したように、第２絶縁層２の対向領域２ａａにおいて、第２対配線５は、第１対配線４の第１端部４ａとそれぞれ対向して接続した第２端部５ａを有している。第１端部４ａと第２端部５ａとの接続部分Ｓにおいては、第１対配線４と第２対配線５とが重なり合っている。そのため、接続部分Ｓでは、信号の伝送方向に直交する方向におけるペア線路Ｐとしての断面積（以下、単に断面積ともいう）が比較的大きい。これに起因して、接続部分Ｓではペア線路Ｐとしてのインピーダンスが小さくなりやすい傾向がある。

このインピーダンスの低下傾向に対して、実施形態の配線基板10では、接地導体層６が、第１端部４ａと第２端部５ａとの接続部分Ｓと重なる位置に非形成部６Ｓを有している。そのため、接続部分Ｓにおいてペア線路Ｐに対する容量成分が小さくなり、インピーダンスが増加する。このインピーダンスの増加により、断面積の増加に起因したインピーダンスの低下を打ち消すことができる。したがって、接続部分Ｓにおけるインピーダンス不整合の可能性を効果的に低減することができる。なお、非形成部６Ｓは、例えば図３（ｂ）に示すように、平面視で第１絶縁層１のほぼ全面に重なる四角形状の接地導体層６のうち、その外辺が内側に凹んだ部分である。言い換えれば、接地導体層６の非形成部６Ｓは、接地導体層６の外辺のうち接続部分Ｓに沿って内側に曲がった部分である。

図１～図５に示す例では、接地導体層６は、平面視で接続部分Ｓの全域に重なり、さらに外側まで広がった広い範囲で非形成部６Ｓを有している。このように、非形成部６Ｓは、接続部分Ｓと重なる範囲には限定されず、さらに広い範囲で設けられていてもよい。これにより、ペア線路Ｐ（この例では、特に非形成部６Ｓに近い第１対配線４の体１端部４ａ）と接地導体層６とが斜めに向かい合っている部分で生じる静電容量も低減できる。そのため、これらの図に示す形態は、容量成分の低減によるインピーダンス増加の効果を高める上では有効である。

なお、接続部分Ｓのうち非形成部６Ｓを対向させる範囲は、接続部分Ｓにおいて断面積の増加により低下する可能性があるインピーダンスの値に応じて、適宜設定することができる。この設定は、Ｓパラメータ等のシミュレーション技術を用いて行なうようにしてもよい。

また、図１～図５に示す例では、平面視で接地導体層６の非形成部６Ｓと重なるとともに第２対配線５同士の間に位置する部分において、第１絶縁層１の上面が凹部７を有している。

凹部７が第１絶縁層１の上面に位置しているときには、誘電体である第１絶縁層１の一部に比べて凹部７の誘電率が小さくなっている。そのため、第１対配線４およびこれを含むペア線路Ｐの接続部分Ｓにおける容量成分がさらに低減される。これにより、接続部分Ｓにおけるペア線路Ｐのインピーダンス低下傾向を効果的に打ち消すことができ、インピーダンス整合に有利である。

絶縁基板３の第１絶縁層１および第２絶縁層２は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化ケイ素質焼結体、炭化ケイ素質焼結体およびガラスセラミック焼結体等のセラミック材料によって形成されている。また、第１絶縁層１および第２絶縁層２は、セラミック材料からなるものには限定されず、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびポリアミド樹脂等の樹脂材料を含む材料からなるものでもよい。この場合に、第１絶縁層１および第２絶縁層２を形成する材料は、樹脂材料がガラスクロスに含浸されてなるもの（いわゆるＦＲ４）でもよい。また、ガラスまたはセラミック材料等の無機物フィラーが樹脂材料に添加されたものでもよい。

絶縁基板３は、例えば第１絶縁層１および第２絶縁層２が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウム等の原料粉末を、有機溶剤およびバインダと混練してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等の成形法で細内が帯状に成形してセラミックグリーンシートを作製する。次に、このセラミックグリーンシートを第１絶縁層１および第２絶縁層２それぞれの形状および寸法に応じて切断する。その後、第１絶縁層１用のセラミックグリーンシート上に第
２絶縁層２用のセラミックグリーンシートを積層、その積層体を焼成する。以上の工程によって、絶縁基板３を製作することができる。

また、絶縁基板３が樹脂材料を含む材料からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、ガラスクロスに未硬化のエポキシ樹脂を含浸させる。次にそのエポキシ樹脂を加熱等の手段で半硬化させて板状の複合材を成形する。次に、その半硬化させた板状の複合材を第１絶縁層１および第２絶縁層２それぞれの形状および寸法に応じて切断して積層する。その後、その積層体を加熱して樹脂成分を本硬化させる。以上の方法で絶縁基板３を製作することができる。

第１対配線４、第２対配線５および接地導体層６といった導体層（導体層としては符号なし）は、例えば、メタライズ層、めっき層または蒸着層等の薄膜層等の形態で絶縁基板３に配置されている。この場合、１つの導体層が複数の形態を含んでいてもよい。例えば、上記各導体層は、タングステンのメタライズ層の表面にニッケルおよび金等のめっき層が被着されてなるものでもよい。

上記導体層は、例えばタングステンのメタライズ層からなる場合であれば、次のようにして形成することができる。すなわち、まず、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダと混練して金属ペーストを作製する。次に、この金属ペーストを第１絶縁層１および第２絶縁層２となるセラミックグリーンシートそれぞれの表面に所定パターンに印刷する。その後、金属ペーストをセラミックグリーンシートの積層体と同時焼成する。以上の工程により、絶縁基板３に導体層を形成することができる。

上記製造方法において、第１対配線４となる金属ペーストと第２対配線５となる金属ペーストとが第１端部４ａ部分および第２端部５ａ部分で互いに対向して合うようにしてもよい。上記金属ペースト同士が位置合わせされて積層されたセラミックグリーンシートが焼成されることにより、第１端部４ａと第２端部５ａとが互いに対向して接続された第１対配線４および第２対配線５を形成することができる。これらの第１対配線４および第２対配線５は絶縁基板３と一体的に形成できるので、生産性および接合強度の向上について有効である。

また、上記導体層は、例えば銅のめっき層を含むものであるときには、次のようにして形成することができる。すなわち、まず、未硬化のエポキシ樹脂を含む板状の複合材の上面等に無電解法により同めっき層を被着させる。次に、その同めっき層をフォトリソグラフおよびエッチング等の加工で第１対配線４等の所定のパターンに加工する。その後、無電解めっき層上に電気めっき法により銅めっき層を、第１対配線４の厚さ等の所定厚さに被着させる。以上の工程により、樹脂材料を含む絶縁基板３に導体層を形成することができる。

第１対配線４、第２対配線５および接地導体層６それぞれの厚さは、それらを形成する金属材料の種類（抵抗率等の物性）、第１対配線４および第２対配線５それぞれが伝送する信号の周波数。第１絶縁層１および第２絶縁層２の材料（誘電率および透磁率等の物性）等の条件に応じて、適宜設定することができる。第１対配線４、第２対配線５および接地導体層６それぞれの厚さは、例えば約10～30μｍ程度であり、互いに同じ程度に設定されている。

なお、この場合、上記のように、タングステンのメタライズ層または銅のめっき層等の表面に、さらにニッケルおよび金等のめっき層を被着させてもよい。めっき層により、第１対配線４および第２対配線５のボンディング性およびはんだの濡れ性等の特性を向上させることができる。

図７は、本発明の実施形態の配線基板３の一部を拡大して下側から見た状態を示す斜視図である。図７において図１～図５と同様の部位には同様の符号を付している。例えば図７に示すように、第２絶縁層２が、下面２ａの露出領域２ａｂにおいて、第２対配線５の間に位置する溝部８を有していてもよい。

溝部８が第２対配線５の間に位置しているときには、誘電体である第２絶縁層２の一部に比べて溝部８の誘電率が小さくなっている。そのため、第２対配線５およびこれを含むペア線路Ｐの接続部分Ｓにおける容量成分がさらに低減される。これにより、接続部分Ｓにおけるペア線路Ｐのインピーダンス低下傾向を効果的に打ち消すことができ、インピーダンス整合に有利である。

図８は、図５に示す配線基板10の変形例を示す平面図である。図８において図１～図５と同様の部位には同様の符号を付している。図５に示す例では、接地導体層６のうち非形成部の外側の端部分が、ペア線路Ｐを挟んで対向し合う部分の一部同士が互いにつながるようなブリッジ状の延出部分（以下、ブリッジ部）６Ａを有している。図８に示す例では、２点鎖線で示す２つの仮想線Ｋに挟まされた部分がブリッジ部６Ａに相当する。

接地導体層６がこのようなブリッジ部６Ａを有している場合には、共振が生じる可能性が比較的高い接地導体層６のうち非形成部６Ｓを挟んだ両側の間が直接に、電気的に接続される。そのため、共振が生じる可能性を低減することができる。つまり、接地導体層６において、互いに平行に位置する開放端状の部分を低減して、開放端状の部分間の共振を比較的高い周波数まで生じにくくすることができる。

具体的には、共振周波数を例えば60ＧＨｚを超える程度に高くすることができる。これにより、例えば約60ＧＨｚ程度の高周波信号の伝送が容易な、特性向上に有利な配線基板10とすることができる。

図９は、図５に示す配線基板10の他の変形例を示す平面図である。図９に示す例では、平面視における第１対配線４の線幅が、第１端部４ａにおいて他の部分よりも大きい。また、図９に示す例では、平面視における第２対配線５の線幅が、第２端部５ａにおいて他の部分よりも大きい。この場合には、第１端部４ａと第２端部５ａとを互いに対向させて接続するときの位置合わせが容易である。

なお、一例を挙げれば、第１対配線４のそれぞれの線幅は約50～100μｍ程度である。
第２対配線５についても、それぞれの線幅は約50～100μｍ程度である。このときに、第
１端部４ａおよび第２端部５ａにおける第１対配線４および第２対配線５のそれぞれの線幅は、約150～300μｍ程度に設定される。

なお、上記のような位置合わせを容易とする効果は、第１対配線４および第２対配線５のいずれか一方のみにおいて第１端部４ａまたは第２端部５ａの線幅が比較的狭く設定されていても得ることはできる。

また、第１端部４ａにおける第１対配線４のそれぞれの線幅と、第２端部５ａにおける第２対配線５のそれぞれの線幅とは、それぞれ比較的広く設定されている場合でも、互いに同じでもよく、互いに異なっていてもよい。

図10は、図５に示す配線基板10の他の変形例を示す平面図である。図10において図１～図５と同様の部位には同様の符号を付している。図10に示す例では、第２絶縁層５の溝部８が対向領域２ａａまで延びている。この対向領域２ａａに位置する溝部８の端部分と、
第１絶縁層１の凹部７のうち第１絶縁層７の上面の外周側に位置する端部分とが、平面視で互いに重なっている。なお、図10では、それぞれの位置をわかりやすくするために第１絶縁層１と第２絶縁層２とをペア線路Pの線路長方向に互いにずらして示している。図10
において右側に位置する第２絶縁層２が、仮想線Ｌで示す位置が左側に位置する第１絶縁層１の外周（右端）と重なる位置に（矢印の方向に）移動した状態が、本来の位置関係である。

この場合には、接続部分Ｓにおいて凹部７によるインピーダンス増加の効果と、溝部８によるインピーダンス増加の効果とを合わせて得ることができる。そのため、接続部分Ｓにおけるペア配線Ｐのインピーダンス増加の効果を高めることができる。

前述したように、上記いずれかの構成の配線基板10と、凹状の収容部12を有し、収容部12の側壁の一部に開口13を有する金属筐体11とにより、実施形態の電子部品用パッケージ20が基本的に構成されている。配線基板10は、開口13を塞ぐように金属筐体11に接合されている。

なお、金属筐体11は、例えば、鉄－ニッケル－コバルト合金またはステンレス鋼等の鉄系の合金材料、銅または銅を主成分とする合金材料等の金属材料によって形成されている。金属筐体11は、平板状の底部分と枠部分とが一体的に形成されたものでもよく、別部品である底部分と枠部分とが互いに接合されたものでもよい。金属筐体11は、例えば、上記のような金属材料に切断、検索および研磨等の所定の金属加工を施すことによって製作することができる。別部品である底部分と枠部分とは、例えば銀ろう等のろう材を介して接合する方法で一体化することができる。

また、前述したように、上記構成の電子部品用パッケージ20と、金属筐体11の収容部12内に収容された電子部品22とにより、実施形態の電子装置30が基本的に構成されている。電子部品22は、例えば光半導体素子であり、サブマウント24を介して収容部12内に実装されている。この電子部品22は、貫通孔14を介して外部との光信号の送受が可能である。また、配線基板10およびフレキシブル基板21を介して外部と電気信号の送受が可能である。

上記の電子部品用パッケージ20および電子装置30は、外部接続用のフレキシブル基板21が、下向きに露出している第２対配線５に、フレキシブル基板21の上面に位置する配線導体21ａを対向させて接続することが容易である。つまり、電子部品用パッケージ20または電子装置30とフレキシブル基板21とを上下ひっくり返さずに、外部接続用の配線導体21ａに、第２対配線５を含むペア線路Ｐとを容易に接続させることができる。言い換えれば、外部実装の作業性向上に有利な電子部品用パッケージ20および電子装置30とすることができる。

図11は、上記実施形態の配線基板10の特性を示すグラフである。図11において、図８に示す形態の配線基板10における特性を実線で示し、比較例の配線基板（図示せず）における特性を破線で示している。比較例の配線基板は、図８に示す形態から、非形成部６Ｓ、ブリッジ部６Ａおよび凹部７を除いた形態であり、第１対配線（４）と第２対配線（５）との接合部分（Ｓ）と平面視重なる部分まで、いわゆるベタパターンの接地導体層が位置している。グラフが示すのは、ネットワーク孔ライズを用いて測定したＳパラメータのＳｄｄ２１であり、差動伝送における挿入損失である。グラフの横軸は周波数Ｆ（ＧＨｚ）であり、縦軸は挿入損失Ｓｄｄ２１（ｄＢ）である。この結果からわかるように、実施形態の配線基板10では、60ＧＨｚを超える高周波域でも挿入損失の増加が見られず、良好な特性であった。これに対し、比較例の配線基板では、55ＧＨｚを超える周波数域から急な損失の増加が見られた。

なお、本発明は以上の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、接地導体層６のうちブリッジ部６Ａとブリッジ部６Ａに近い部分との電気的な接続は、第１絶縁層１の内部に設けた内部配線およびビア導体等を介した接続でもよい。

１・・第１絶縁層
１ａ・・上面
２・・第２絶縁層
２ａ・・下面
３・・絶縁基板
４・・第１対配線
４ａ・・第１端部
４ｂ・・第３端部
５・・第２対配線
５ａ・・第２端部
５ｂ・・第４端部
６・・接地導体層
６Ａ・・ブリッジ部
６Ｓ・・非形成部
７・・凹部
８・・溝部
10・・配線基板
11・・金属筐体
12・・収容部
13・・開口
14・・貫通孔
20・・電子部品用パッケージ
21・・フレキシブル基板
21ａ・・配線導体
22・・電子部品
23・・ボンディングワイヤ
24・・サブマウント
30・・電子装置
Ｄ・・対向領域の境界を示す仮想線
Ｋ・・ブリッジ部を示す仮想線
Ｐ・・ペア線路
Ｓ・・接続部分

Claims (6)

1. 上面を有する第１絶縁層と、該第１絶縁層上に位置しており、前記第１絶縁層の上面に対向した対向領域および該対向領域に隣接しているとともに外部に露出した露出領域を含む下面を有する第２絶縁層とを含む絶縁基板と、
   前記第１絶縁層の上面に互いに平行に位置しており、該上面の外周部にそれぞれ第１端部を有する第１対配線と、
   前記第２絶縁層の下面の前記露出領域から前記対向領域にかけて位置しており、前記対向領域において前記第１対配線の第１端部とそれぞれ対向して接続した第２端部を有する第２対配線と、
   平面視で前記対向領域と重なる領域において前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の少なくとも一方に位置しており、前記第１端部と第２端部との接続部分と重なる位置に非形成部を有する接地導体層とを備えており、
   平面視で前記接地導体層の非形成部と重なるとともに前記第２対配線同士の間に位置する部分において、前記第１絶縁層の上面が凹部を有しており、
   前記第２絶縁層が、前記下面の前記露出領域において、前記第２対配線の間に位置する溝部を有している配線基板。
2. 平面視における前記第１対配線の線幅が、前記第１端部において他の部分よりも大きい請求項１記載の配線基板。
3. 平面視における前記第２対配線の線幅が、前記第２端部において他の部分よりも大きい請求項１または請求項２記載の配線基板。
4. 前記第２絶縁層の前記溝部が前記対向領域まで延びており、該対向領域に位置する前記溝部の端部分と、前記第１絶縁層の前記凹部のうち前記第１絶縁層の上面の外周側に位置する端部分とが、平面視で互いに重なっている請求項１～請求項３のいずれか１項記載の配線基板。
5. 請求項１～請求項４のいずれか１項記載の配線基板と、
   凹状の収容部を有し、該収容部の側壁の一部に開口を有する金属筐体とを備えており、
   前記配線基板が前記開口を塞ぐように前記金属筐体に接合されている電子部品用パッケージ。
6. 請求項５記載の電子部品用パッケージと、
   前記金属筐体の収容部内に収容された電子部品とを備える電子装置。

Images