JP7044495B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明の一形態は、半導体装置に関する。

なお本発明の一形態は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一形態の技術分野としては、半導体装置、表示装置、電子機器、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例としてあげることができる。なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

反射型素子と発光型素子を組み合わせた表示装置が提案されている（特許文献１）。明るい環境では反射型素子、暗い環境では発光型素子を用いることで、外光環境に依存しない良好な表示品質と、消費電力が少ないことを特徴とする。

米国特許第７２４８２３５号明細書

反射型素子と発光型素子を組み合わせた表示装置の表示は、コントローラＩＣにより制御される。当該コントローラＩＣは、周辺環境に応じた最適な視認性の実現のため、調色、調光等の各パラメータを用いて画像データの補正を行う機能を有する。このような機能を有するコントローラＩＣは、例えば、スキャンチェーン３００と画像処理部３０１を有する（図３参照）。スキャンチェーン３００は、パラメータのデータが入力されるパラメータ入力ピン（Ｓｃａｎ Ｉｎ）、クロック信号が入力されるクロックピン（Ｓｃａｎ Ｃｌｏｃｋ）、データを出力する出力ピン（Ｓｃａｎ Ｏｕｔ）に接続されている。

画像処理部３０１は、モジュールコネクタ３０２と、該モジュールコネクタ３０２に接続された複数の機能回路３０３乃至３０６を有する。モジュールコネクタ３０２には画像データ（Ｄａｔａ Ｘ）が入力される。調色、調光等の各パラメータは、パラメータ入力ピンから、スキャンチェーン３００を介して、機能回路３０３乃至３０６に供給される。機能回路３０３乃至３０６は、モジュールコネクタ３０２を介して入力された画像データ（Ｄａｔａ Ｘａ乃至Ｘｄ、図３ではＸａ、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄと表記）をパラメータを用いて補正し、補正された画像データ（Ｄａｔａ Ｙａ乃至Ｙｄ、図３ではＹａ、Ｙｂ、Ｙｃ、Ｙｄと表記）をモジュールコネクタ３０２に出力する。補正された画像データは、モジュールコネクタ３０２により、画像データ（Ｄａｔａ Ｙ）として、外部（例えばソースドライバ）に出力される。画像データ（Ｄａｔａ Ｘ）は、少なくとも一つの画像データＸａ乃至Ｘｄを含み、画像データ（Ｄａｔａ Ｙ）は、少なくとも一つの画像データＹａ乃至Ｙｄを含む。

パラメータ入力ピンと各機能回路３０３乃至３０６との距離はそれぞれ異なる。図３のコントローラＩＣの場合、パラメータ入力ピンに対して、機能回路３０３が一番近い場所に位置し、機能回路３０６が一番遠い場所に位置する。パラメータ入力ピンから一番遠い機能回路３０６のパラメータを変更する場合、パラメータ入力ピンから機能回路３０６までデータが到達するのに時間がかかってしまう。つまり、書き換えデータ量が少ないにも関わらず、書き換え時間がかかってしまう。また、スキャンチェーン３００全体にクロックが共有されるため消費電力が大きい。

そこで、本発明の一形態は、調色、調光等のパラメータ変更に必要な書き換え時間と消費電力を削減したコントローラＩＣを提供することを課題とする。

なお、コントローラＩＣは、少なくともチャネル形成領域に半導体を有するトランジスタを含む半導体装置である。従って、コントローラＩＣのことを半導体装置とよぶことがある。

なお、本発明の一形態は、必ずしも上記の課題の全てを解決する必要はなく、少なくとも一つの課題を解決できるものであればよい。また、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。これら以外の課題は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から自ずと明らかになるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の半導体装置の一形態は、画像データを補正する機能回路を複数有する画像処理部と、複数の機能回路に対応する複数のスキャンチェーンと、複数のスキャンチェーンの動作を制御するコントローラと、を有する。コントローラにより、複数のスキャンチェーンから選択された一つ以上が動作し、当該一つ以上のスキャンチェーンを除く複数のスキャンチェーンが動作しないように制御された状態で、当該一つ以上のスキャンチェーンに接続された一つ以上の機能回路が保持するパラメータの書き換えが行われる。

上記一形態の半導体装置において、複数のスキャンチェーンとコントローラの間に設けられた複数のトランジスタを有し、複数のトランジスタはそれぞれ、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を有する。

上記一形態の半導体装置において、反射素子と発光素子を含む画素を複数有する画素アレイをさらに有する。

上記一形態の半導体装置において、複数の機能回路のうちの一つは、反射素子と発光素子の少なくとも一方の色調を調整するパラメータを保持し、保持しているパラメータを用いて画像データを補正する調色回路である。

上記一形態の半導体装置において、複数の機能回路のうちの一つは、反射素子の反射強度と発光素子の発光強度を調整するパラメータを保持し、保持しているパラメータを用いて画像データを補正する調光回路である。

上記一形態の半導体装置において、複数の機能回路のうちの一つは、パラメータとしてガンマ値を保持し、ガンマ値を用いて画像データを補正するガンマ補正回路である。

本発明の一形態は、調色、調光等のパラメータ変更に必要な書き換え時間と消費電力を削減した半導体装置を提供することができる。

なお本発明の一形態の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一形態は、上記列挙した効果、および他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一形態は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

コントローラＩＣの構成を説明する図。 コントローラＩＣの構成を説明する図。 コントローラＩＣの構成を説明する図。 スキャンチェーンの構成を説明する図。 スキャンチェーンの構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 コントローラＩＣの構成例を示すブロック図。 コントローラＩＣの構成例を示すブロック図。 表示ユニットの構成例を示すブロック図。 画素の構成例を示す回路図。 表示ユニットおよび画素の構成例を示す上面図。 表示ユニットの構成例を示す断面図。 表示ユニットの構成例を示す断面図。 反射膜の形状を説明する模式図。 表示ユニットの画素の一部を説明する下面図。 表示装置の構成例を示すブロック図。 表示装置を説明する上面図、および表示装置の入力部の一部を説明する模式図。 表示装置の構成例を示す断面図。 表示装置の構成例を示す断面図。 電子機器の例を示す斜視図。 パラメータを用いた画像データの補正を説明する図。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下に示される複数の実施の形態は、適宜組み合わせることが可能である。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタのチャネル形成領域に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを、ＯＳトランジスタと表記することがある。一方、シリコンを用いたトランジスタはＳｉトランジスタと表記することがある。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

また、図面等において、大きさ、層の厚さ、領域等は、明瞭化のため誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。

また、図面等において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書等において、「上」や「下」などの配置を示す用語は、構成要素の位置関係が、「直上」または「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート電極」の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外しない。

また、本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。

また、本明細書等において、「電気的に接続」とは、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。

また、本明細書等において、「電圧」とは、ある電位と基準の電位（例えば、グラウンド電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧、電位、電位差を、各々、電位、電圧、電圧差と言い換えることが可能である。

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む、少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域、またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域、またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、チャネル領域を介して、ソースとドレインの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。つまり、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流、という場合がある。

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合がある。

また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインの間に流れる電流を指す場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態のコントローラＩＣの構成について、図１、２を用いて説明する。

本実施の形態のコントローラＩＣは、画像処理部１６０とレジスタ１７５を有する（図１参照）。画像処理部１６０は、モジュールコネクタ５１と、該モジュールコネクタ５１に接続され、調色、調光等の各パラメータが保持された複数の機能回路１６１乃至１６４を有する。モジュールコネクタ５１には画像データ（Ｄａｔａ Ｘ）が入力される。機能回路１６１乃至１６４は、モジュールコネクタ５１を介して入力された画像データ（Ｄａｔａ Ｘ１乃至Ｘ４、図１ではＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４と表記）をパラメータを用いて補正し、補正された画像データ（Ｄａｔａ Ｙ１乃至Ｙ４、図１ではＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と表記）をモジュールコネクタ５１に出力する。補正された画像データは、モジュールコネクタ５１により、画像データ（Ｄａｔａ Ｙ）として、外部（例えばソースドライバ）に出力される。画像データ（Ｄａｔａ Ｘ）は、少なくとも一つの画像データＸ１乃至Ｘ４を含み、画像データ（Ｄａｔａ Ｙ）は、少なくとも一つの画像データＹ１乃至Ｙ４を含む。

レジスタ１７５は、制御データ（Ｃｏｎｔｒｏｌ ｄａｔａ）が供給されるコントローラ５２と、スキャンチェーン５５乃至５８と、ＡＮＤ回路５９乃至６２と、セレクタ６３乃至６６とを有する。なお本形態ではＡＮＤ回路を有する場合を例に示す。ＡＮＤ回路ではなく、他の公知の論理回路を用いてもよい。

スキャンチェーン５５乃至５８は、パラメータ入力ピン（Ｓｃａｎ Ｉｎ、入力端子とよぶことがある）と出力ピン（Ｓｃａｎ ｏｕｔ、出力端子ともよぶことがある）に接続される。また、スキャンチェーン５５乃至５８は、ＡＮＤ回路５９乃至６２を介してクロックピン（Ｓｃａｎ Ｃｌｏｃｋ、クロック線とよぶことがある）に接続され、セレクタ６３乃至６６を介してコントローラ５２に接続されている。スキャンチェーン５５は機能回路１６１に、スキャンチェーン５６は機能回路１６２に、スキャンチェーン５７は機能回路１６３に、スキャンチェーン５８は機能回路１６４にそれぞれ対応して設けられている。スキャンチェーン５５乃至５８は、パラメータ入力ピンから供給されるパラメータを対応する各機能回路１６１乃至１６４に出力する機能を有し、その動作はコントローラ５２により制御される。

本実施の形態のコントローラＩＣは、パラメータの変更が必要な機能回路に対応したスキャンチェーンのみを動作させ、それ以外のスキャンチェーンは動作させないことにより、データ書き換え時間と消費電力の削減を実現させることを特徴とする。

以下では、スキャンチェーン５６を動作させ、スキャンチェーン５５、５７及び５８を動作させない場合を例に挙げて説明する。また、コントローラ５２とスキャンチェーン５５の間のノードをＳｅｌＡ、コントローラ５２とスキャンチェーン５６の間のノードをＳｅｌＢ、コントローラ５２とスキャンチェーン５７の間のノードをＳｅｌＣ、コントローラ５２とスキャンチェーン５８の間のノードをＳｅｌＤとして説明する。

最初に、コントローラ５２に対して、制御データが供給される。制御データは、スキャンチェーン５６のみを動作させる情報を含むデータである。制御データは、セレクタ６３乃至６６とＡＮＤ回路５９乃至６２に供給され、該制御データに伴い、ノードＳｅｌＡが０、ノードＳｅｌＢが１、ノードＳｅｌＣが０、ノードＳｅｌＤが０となる。そうすると、セレクタ６３乃至６６の動作に伴い、パラメータ入力ピンから供給されるパラメータのデータは、スキャンチェーン５５を通過せず、スキャンチェーン５６を通過し、スキャンチェーン５７及びスキャンチェーン５８を通過しない。同様に、制御データによるＡＮＤ回路５９乃至６２の動作に伴い、クロックピンから供給されるクロック信号はスキャンチェーン５６のみに供給される。

この状態において、パラメータ入力ピンから、機能回路１６２に対する書き換え用のパラメータのデータが供給される。そうすると、該データは、スキャンチェーン５６に到達して、機能回路１６２のパラメータが変更され、機能回路１６２に対するパラメータの書き換えを速やかに行うことができる。さらに、クロックピンから供給されるクロック信号はスキャンチェーン５６のみに供給される。よって、低消費電力化を実現することができる。

上記の説明では、一つのスキャンチェーンを動作させ、該一つを除くスキャンチェーンを動作させない場合を説明したが、本発明はこの場合に限定されない。動作させるスキャンチェーンは、該スキャンチェーンが対応する機能回路が保持するパラメータの変更が必要か否かに応じて決定される。例えば、２つの機能回路に保持された各パラメータの変更が必要である場合、該２つの機能回路に対応する２つのスキャンチェーンを動作させ、該２つのスキャンチェーンを除く残りのスキャンチェーンは動作させないように制御される。

次に、図１に示すコントローラＩＣの変形例について、図２を用いて説明する。図２に示すコントローラＩＣは、トランジスタ６７乃至７０が新たに追加されている点で、図１に示すコントローラＩＣと異なる。トランジスタ６７はコントローラ５２とスキャンチェーン５５の間に、トランジスタ６８はコントローラ５２とスキャンチェーン５６の間に、トランジスタ６９はコントローラ５２とスキャンチェーン５７の間に、トランジスタ７０はコントローラ５２とスキャンチェーン５８の間に設けられる。トランジスタ６７乃至７０の全てのゲートは、コントローラ５２に接続される。コントローラ５２は、トランジスタ６７乃至７０のオンとオフの動作を制御する機能を有する。

トランジスタ６７乃至７０には、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にすることで、オフ電流を極めて低くすることができる。トランジスタ６７乃至７０として、オフ電流が極めて小さいＯＳトランジスタを用いることで、コントローラ５２から供給される制御データがノードＳｅｌＡ、ＳｅｌＢ、ＳｅｌＣ及びＳｅｌＤに出力された後、トランジスタ６７乃至７０をオフにすると、これらのノードに出力された制御データを長時間保持することができる。よって、コントローラ５２が制御データを出力した後、コントローラ５２の電源をオフにすることができる。従って、消費電力をさらに削減したコントローラＩＣを提供することができる。

次に、スキャンチェーン５５乃至５８の具体的な構成について、図４、５を用いて説明する。以下には、スキャンチェーン５５乃至５８の内、スキャンチェーン５５を例に挙げてついて説明する。スキャンチェーン５６乃至５８は、スキャンチェーン５５の構成と同様の構成を有する。

図４（Ａ）に示すスキャンチェーン５５は、インバータ７１、７２を含むフリップフロップ回路を１段有する。図４（Ｂ）に示すスキャンチェーン５５は、インバータ７１、７２を含むフリップフロップ回路を３段有する。図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、フリップフロップ回路の段の個数は特に制約されないが、対応する機能回路が扱うパラメータのビット数と一致させることが好ましい。例えば、１ビットのデータを扱う機能回路の場合は、図４（Ａ）に示すように１段のフリップフロップ回路を用いることが好ましく、３ビットのデータを扱う機能回路の場合は、図４（Ｂ）に示すように３段のフリップフロップ回路を用いることが好ましい。スキャンチェーン５５が有するフリップフロップ回路が有するトランジスタには、ＯＳトランジスタ又はＳｉトランジスタが用いられる。

図５に示すスキャンチェーン５５は、保持回路１７、セレクタ１８、フリップフロップ回路１９及びレジスタ２６を有する。図５に示すスキャンチェーン５５は一段分のフリップフロップ回路を設けた場合を示すが、対応する機能回路が扱うパラメータのデータに応じて、複数段設けてもよい。

保持回路１７は、トランジスタＴ１乃至Ｔ６、容量素子Ｃ４、Ｃ６を有する。トランジスタＴ１、Ｔ３、Ｔ４及び容量素子Ｃ４により、３トランジスタ型のゲインセルが構成され、トランジスタＴ２、Ｔ５、Ｔ６及び容量素子Ｃ６により、３トランジスタ型のゲインセルが構成される。保持回路１７は、信号ＳＡＶＥ２に従い、２個のゲインセルを用いてフリップフロップ回路１９が保持する相補データを格納し、信号ＬＯＡＤ２に従い、保持しているデータをフリップフロップ回路１９にロードする。

セレクタ１８は、２個の入力端子の一方がレジスタ２６に接続され、他方は入力ピン（Ｓｃａｎ Ｉｎ）に接続されている。セレクタ１８の出力端子は、フリップフロップ回路１９に接続されている。

フリップフロップ回路１９は、インバータ２０乃至２５、アナログスイッチ２７、２８を有する。フリップフロップ回路１９のデータ出力端子には、レジスタ２６の入力端子が接続されている。アナログスイッチ２７、２８の導通状態は、ＡＮＤ回路５９を介して供給されるクロック信号により制御される。

レジスタ２６は、インバータ３１乃至３３、クロックドインバータ３４、アナログスイッチ３５及びバッファ３６を有する。レジスタ２６は信号ＬＯＡＤ１に従い、フリップフロップ回路１９のデータをロードする。レジスタ２６は揮発性レジスタであり、図示した回路構成に限定されず、公知のラッチ回路、フリップフロップ回路などで構成すればよい。

保持回路１７、セレクタ１８、フリップフロップ回路１９及びレジスタ２６を構成するトランジスタとして、Ｓｉトランジスタ又はＯＳトランジスタを用いるとよい。但し、保持回路１７が有するトランジスタＴ１、Ｔ２には、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタＴ１、Ｔ２としてＯＳトランジスタを用いると、保持回路１７は電源が遮断された状態でも長時間データを保持することが可能である。よって、消費電力をさらに削減したコントローラＩＣを提供することができる。

次に、機能回路１６１乃至１６４に保持されるパラメータについて、図２１を用いて説明する。機能回路１６１乃至１６４に保持されるパラメータは、画像データＸ１乃至Ｘ４（図２１では画像データＸと表記）を、補正された画像データＹ１乃至Ｙ４（図２１では画像データＹと表記）に変換するためのパラメータである。パラメータとしては、調色、調光、ガンマ補正、ＥＬ補正、省エネルギー設定（例えば、表示を暗くするまでの所要時間、非表示にするまでの所要時間）、表示装置が有するタッチセンサの感度、任意のユーザー設定などが挙げられる。

パラメータの設定方式には、テーブル方式、関数近似方式がある。テーブル方式は、画像データＸｎに対して、補正された画像データＹｎをパラメータとしてテーブルに格納した方式である（図２１（Ａ）参照）。テーブル方式では、当該テーブルに対応するパラメータを格納するレジスタを多数必要とするが、補正の自由度が高い。関数近似方式は、あらかじめ経験的に画像データＸに対する画像データＹを決められる場合に用いることが好ましい（図２１（Ｂ）参照）。図２１（Ｂ）では、ａ１、ａ２、ｂ２等がパラメータに相当する。図２１（Ｂ）では、区間毎に線形近似する方法を示しているが、非線形関数で近似する方法を用いてもよい。関数近似方式では、補正の自由度は低いが、関数を定義するパラメータを格納するレジスタが少なくて済む。

機能回路１６１乃至１６４はそれぞれパラメータを保持しており、保持しているパラメータの内容に基づく機能を有し、例えば、調色回路、調光回路、ガンマ補正回路、ＥＬ補正回路に相当する。調色回路は、光センサを用いて測定した外光の色調に応じて、反射型素子と発光型素子の少なくとも一方の色調を調整するためのパラメータを用いて画像データを補正する回路である。調光回路は、光センサを用いて測定した外光の強度に応じて、反射型素子の反射強度と発光型素子のと発光強度を調整するためのパラメータを用いて画像データを補正する回路である。ガンマ補正回路は、ガンマ補正を行うためのパラメータを保持し、該パラメータを用いて画像データをガンマ補正する回路である。ＥＬ補正回路は、ソースドライバに設けられた発光型素子を流れる電流を検出する電流検出回路から供給される情報に基づいて、発光型素子の輝度を調節する回路である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明のコントローラＩＣが適用される表示装置であって、１つの画素に反射型素子（以下反射素子とよぶ）と発光型素子（以下発光素子とよぶ）が含まれる表示装置について、図６乃至８を用いて説明する。

表示装置１００は、表示ユニット１１０、タッチセンサユニット１２０を有する（図６（Ａ）参照）。表示ユニット１１０は、画素アレイ１１１、ゲートドライバ１１３、ゲートドライバ１１４及びコントローラＩＣ１１５を有する。

画素アレイ１１１は、複数の画素１０を有し、各画素１０は、反射素子１０ａと発光素子１０ｂを有する。ゲートドライバ１１３は、反射素子１０ａを駆動する機能を有し、ゲートドライバ１１４は、発光素子１０ｂを駆動する機能を有する。コントローラＩＣ１１５は、表示装置１００の動作を統括的に制御する機能を有する。コントローラＩＣ１１５の数は、画素アレイの画素１０の個数に応じて決定される。

図６（Ａ）に示す表示装置では、画素アレイ１１１とゲートドライバ１１３、１１４が同一基板上に集積されている例を示すが、ゲートドライバ１１３、１１４として専用のＩＣを用いてもよい。また、コントローラＩＣ１１５内に、ゲートドライバ１１３、１１４を集積してもよい。

また、図６（Ａ）に示す表示装置では、コントローラＩＣ１１５の実装方式として、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いた例を示すが、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）方式、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式等を用いてもよい。タッチセンサユニット１２０のＩＣの実装方式についても同様である。

画素１０に使用されるトランジスタとして、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にすることで、オフ電流を極めて低くすることができる。

画素１０に、オフ電流が低いトランジスタを用いることで、表示画面を書き換える必要がない場合（例えば静止画を表示する場合）、一時的にゲートドライバ１１３、１１４及びソースドライバを停止することができる（以下、アイドリングストップ駆動と表記することがある）。アイドリングストップ駆動によって、表示装置１００の消費電力を低減することができる。

タッチセンサユニット１２０は、センサアレイ１２１、および周辺回路１２５を有する。周辺回路１２５は、タッチセンサドライバ（以下ＴＳドライバと表記する）１２６及びセンス回路１２７を有する。周辺回路１２５は専用ＩＣで構成することができる。

続いて、タッチセンサユニット１２０の具体例として、タッチセンサユニット１２０が相互容量タッチセンサユニットである場合について説明する（図６（Ｂ）参照）。

センサアレイ１２１は、ｍ本の配線ＤＲＬとｎ本の配線ＳＮＬを有する（ｍ、ｎは１以上の整数）。配線ＤＲＬはドライブ線であり、配線ＳＮＬはセンス線である。以下では、第α番の配線ＤＲＬを配線ＤＲＬ＜α＞と表記し、第β番の配線ＳＮＬを配線ＳＮＬ＜β＞と表記する。容量ＣＴ_αβは、配線ＤＲＬ＜α＞と配線ＳＮＬ＜β＞との間に形成される容量である。

ｍ本の配線ＤＲＬはＴＳドライバ１２６に接続されている。ＴＳドライバ１２６は配線ＤＲＬを駆動する機能を有する。ｎ本の配線ＳＮＬはセンス回路１２７に接続されている。センス回路１２７は、配線ＳＮＬの信号を検出する機能を有する。ＴＳドライバ１２６によって配線ＤＲＬ＜α＞が駆動されているときの配線ＳＮＬ＜β＞の信号は、容量ＣＴ_αβの容量値の変化量の情報を有する。ｎ本の配線ＳＮＬの信号を解析することで、タッチの有無、タッチ位置などの情報を得ることができる。

続いて、コントローラＩＣ１１５の構成について、図７のブロック図を用いて説明する。コントローラＩＣ１１５は、クロック生成回路１５５、センサコントローラ１５３、コントローラ１５４、デコーダ１５２、フレームメモリ１５１、タイミングコントローラ１７３、タッチセンサコントローラ１８４、ソースドライバ１８０、レジスタ１７５及び画像処理部１６０を有する。コントローラＩＣ１１５は、ホスト１４０と、外光１４５を検知する光センサ１４３に接続する。

クロック生成回路１５５は、コントローラＩＣ１１５で使用されるクロック信号を生成する機能を有する。

センサコントローラ１５３は、光センサ１４３に接続されている。光センサ１４３は外光１４５を検知し、検知信号を生成する機能を有する。センサコントローラ１５３は検知信号を基に、制御信号を生成する機能を有する。センサコントローラ１５３で生成される制御信号は、コントローラ１５４に出力される。

コントローラ１５４は、インターフェース１５０を介してホスト１４０から供給される各種制御信号を処理し、コントローラＩＣ１１５内の各種回路を制御する機能を有する。また、コントローラ１５４は、コントローラＩＣ１１５内の各種回路への電源供給を制御する機能を有する。

デコーダ１５２は、圧縮された画像データを伸長する機能を有する。図７では、コントローラ１５４と画像処理部１６０の間にデコーダ１５２を配置する場合を示したが、フレームメモリ１５１とインターフェース１５０との間に配置してもよい。

フレームメモリ１５１は、コントローラＩＣ１１５に入力された画像データを保存する機能を有する。ホスト１４０から圧縮された画像データが送られる場合、フレームメモリ１５１は、圧縮された画像データを格納することができる。

タイミングコントローラ１７３は、ソースドライバ１８０、タッチセンサコントローラ１８４、表示ユニット１１０のゲートドライバ１１３、１１４で使用されるタイミング信号を生成する機能を有する。

タッチセンサコントローラ１８４は、タッチセンサユニット１２０が有するＴＳドライバ１２６とセンス回路１２７を制御する機能を有する。センス回路１２７で読み出されたタッチ情報を含む信号は、タッチセンサコントローラ１８４で処理され、インターフェース１５０を介して、ホスト１４０に出力される。ホスト１４０は、タッチ情報を反映した画像データを生成し、コントローラＩＣ１１５に出力する。なお、ホスト１４０を用いず、コントローラＩＣ１１５の内部で、画像データにタッチ情報を反映してもよい。

ソースドライバ１８０は、ソースドライバ１８１、１８２を有する。ソースドライバ１８１は、反射素子１０ａ（例えば液晶（ＬＣ）素子）を駆動する機能を有し、ソースドライバ１８２は、発光素子１０ｂ（例えばエレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子）を駆動する機能を有する。

ホスト１４０は、インターフェース１５０を介して、コントローラＩＣ１１５と交信する機能を有する。ホスト１４０は、画像データ、各種制御信号等を、コントローラＩＣ１１５に供給する。ホスト１４０には、コントローラＩＣ１１５から、タッチセンサコントローラ１８４が取得したタッチ位置などの情報が供給される。なお、コントローラＩＣ１１５が有する各回路は、ホスト１４０の規格、表示装置１００の仕様等によって、適宜取捨される。

レジスタ１７５は、コントローラＩＣ１１５の動作に用いられるデータを格納する機能を有する。レジスタ１７５が格納するデータとしては、画像処理部１６０が補正処理を行うために使用するパラメータ、タイミングコントローラ１７３が各種タイミング信号の波形生成に用いるパラメータなどがある。レジスタ１７５には、図１、２に示す構成が適用される。

画像処理部１６０は、モジュールコネクタ５１と機能回路１６１乃至１６４を有し、図１、２に示す構成が適用される。画像処理部１６０は、画像データに対して各種画像処理を行う機能を有し、具体的には、外光の明るさや色調などに応じて、反射素子１０ａのみで表示を行うための画像データ、発光素子１０ｂのみで表示を行うための画像データ、又は反射素子１０ａと発光素子１０ｂの両者を用いて表示を行うための画像データのいずれかを作成する。例えば、晴れの日に外で表示装置１００を使用する場合、反射素子１０ａのみで十分な輝度が得ることができる。よって、この場合は発光素子１０ｂを光らせる必要はないため、反射素子１０ａのみで表示を行うための画像データを作成する。また、夜間や暗所で表示装置１００を使用する場合は、反射素子１０ａのみでは十分な輝度が得られないため、反射素子１０ａと発光素子１０ｂの両者を用いて表示を行うための画像データを作成する。

画像処理部１６０で処理された画像データは、画像データを一時的に格納するメモリ１７０を経て、ソースドライバ１８０に出力される。ソースドライバ１８１、１８２は、入力された画像データを画素アレイ１１１のソース線に出力する機能を有する。

機能回路１６１乃至１６４はそれぞれパラメータを保持している。ここでは、機能回路１６１をガンマ補正回路、機能回路１６２を調色回路、機能回路１６３を調光回路、機能回路１６４をＥＬ補正回路とする。調色回路は、光センサ１４３とセンサコントローラ１５３を用いて測定した外光１４５の色調に応じて、反射素子１０ａと発光素子１０ｂの少なくとも一方の色調を調整するパラメータを用いて画像データを補正する回路である。例えば、夕暮れ時の赤みがかった環境において表示装置１００を使用する場合、反射素子１０ａによる表示のみでは青成分が足りない場合がある。このような場合は、青の発光素子１０ｂを発光させるように画像データを補正することで、色調を補正することができる。調光回路は光センサ１４３とセンサコントローラ１５３を用いて測定した外光１４５の明るさに応じて、反射素子１０ａの反射強度と発光素子１０ｂの発光強度とを調整するパラメータを用いて画像データを補正する回路である。ＥＬ補正回路は、ソースドライバ１８２に設けられた発光素子１０ｂを流れる電流を検出する電流検出回路から供給される情報に基づいて、発光素子１０ｂの輝度を調節する機能を有する。

画像処理部１６０は、表示装置１００の仕様によって、ＲＧＢ－ＲＧＢＷ変換回路などの他の処理回路を有していてもよい。ＲＧＢ－ＲＧＢＷ変換回路は、ＲＧＢ（赤、緑、青）画像データを、ＲＧＢＷ（赤、緑、青、白）画像信号に変換する機能を有する回路である。表示装置１００がＲＧＢＷ４色の画素を有する場合、画像データ内のＷ（白）成分を、Ｗ（白）画素を用いて表示することで、消費電力を低減することができる。なお、ＲＧＢ－ＲＧＢＷ変換回路ではなく、例えば、ＲＧＢ－ＲＧＢＹ（赤、緑、青、黄）変換回路を有していてもよい。

また、画像処理部１６０は、反射素子１０ａと発光素子１０ｂが異なる表示を行う画像データを出力してもよい。一般に、反射型素子として適用できる液晶や電子ペーパー等は、動作速度が遅いものが多く、画像を表示するまでに時間を要する。そのため、反射素子１０ａに背景となる静止画を表示し、発光素子１０ｂに動きのあるマウスポインタ等を表示してもよい。静止画に対しては、アイドリングストップ駆動を行い、動画に対しては、発光素子１０ｂを光らせることで、表示装置１００は、なめらかな動画表示と低消費電力を両立することができる。この場合、フレームメモリ１５１には、反射素子１０ａと発光素子１０ｂ、それぞれを用いて表示する画像データを保存する領域を設ければよい。

コントローラ１５４は、ホスト１４０から送られる画像データに変化がない場合、コントローラＩＣ１１ ５内の一部回路をパワーゲーティングすることができる。一部回路とは、例えば、領域１９０内の回路（フレームメモリ１５１、デコーダ１５２、画像処理部１６０、メモリ１７０、タイミングコントローラ１７３、レジスタ１７５、ソースドライバ１８０）を指す。パワーゲーティングは、ホスト１４０から画像データに変化がないことを示す制御信号をコントローラＩＣ１１５に送信され、当該制御信号をコントローラ１５４で検出した場合に行うとよい。

領域１９０内の回路は、画像データに関する回路と、表示ユニット１１０を駆動するための回路であるため、画像データに変化がない場合は、一時的に領域１９０内の回路を停止することができる。なお、画像データに変化がない場合でも、画素１０に使用されるトランジスタがデータを保持できる時間（アイドリングストップが可能な時間）と、反射素子１０ａとして適用した液晶素子が焼き付き防止のため行う反転駆動の時間を考慮してもよい。考慮する場合は、例えば、コントローラ１５４にタイマー機能を組み込むことで、タイマーで測定した時間に基づいて、領域１９０内の回路への電源供給を再開するタイミングを決定してもよい。

なお、フレームメモリ１５１又はメモリ１７０に画像データを保存しておき、当該画像データを反転駆動時に表示ユニット１１０に供給する画像データとする構成としてもよい。このような構成とすることで、ホスト１４０から画像データを送信することなく反転駆動が実行できる。したがって、ホスト１４０からのデータ送信量を低減でき、コントローラＩＣ１１５の消費電力を低減することができる。

続いて、図７とは異なる構成のコントローラＩＣについて、図８を用いて説明する。図８に示すコントローラＩＣは、ソースドライバを内蔵しない点で、図７の構成と異なる。図８に示すコントローラＩＣ１１７は、コントローラＩＣ１１５の変形例であり、領域１９１を有する。コントローラ１５４は、領域１９１内の回路への電源供給を制御する。

領域１９１には、ソースドライバが設けられていない代わりに、表示ユニット１１０がソースドライバＩＣ１８６を有する。ソースドライバＩＣ１８６の数は、画素アレイ１１１の画素数に応じて決定される。

ソースドライバＩＣ１８６は、反射素子１０ａ、および発光素子１０ｂの双方を駆動する機能を有する。そのため、ここでは１種類のソースドライバＩＣ１８６でソースドライバを構成しているが、ソースドライバの構成はこれに限定されない。例えば、反射素子１０ａを駆動するためのソースドライバＩＣと、発光素子１０ｂを駆動するためのソースドライバＩＣとで、ソースドライバを構成してもよい。

ゲートドライバ１１３、１１４と同様に、画素アレイ１１１の基板上にソースドライバを設けてもよい。

（実施の形態３）
表示ユニット１１０の具体的な構成について、図９乃至図１５を用いて説明する。表示ユニット１１０は、画素アレイ１１１、ゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤを有する（図９参照）。

画素アレイ１１１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、配線ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）とを有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中、矢印Ｒ１で示す）に配置される。他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向（図中、矢印Ｃ１で示す）に配置される。

走査線Ｇ１（ｉ）と走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配置される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）に接続される。列方向に配置される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と信号線Ｓ２（ｊ）に接続される。

ゲートドライバＧＤは、制御情報に基づいて、画素アレイ１１１に選択信号を供給する機能を有する。例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を有する。この機能により、動画像をなめらかに表示することができる。また、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を有する。この機能により、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

ソースドライバＳＤは、ソースドライバＳＤ１とソースドライバＳＤ２を有する。ソースドライバＳＤ１とソースドライバＳＤ２は、コントローラＩＣ１１５からの信号に基づいて、画素アレイ１１１にデータ信号を供給する機能を有する。

ソースドライバＳＤ１は、一の表示素子に接続される画素回路に供給するデータ信号を生成する機能を有する。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を有する。この機能により、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。ソースドライバＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子に接続される画素回路に供給するデータ信号を生成する機能を有する。この機能により、例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。

ソースドライバＳＤには、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を用いることができる。また、ソースドライバＳＤには、ソースドライバＳＤ１とソースドライバＳＤ２が集積された集積回路を用いることができる。また、ソースドライバＳＤは、コントローラＩＣ１１５と同じ集積回路に設けてもよい。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を、コントローラＩＣ１１５とソースドライバＳＤに用いることができる。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）と発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）を有する（図１０参照）。反射素子１０ａを用いて表示を行うことで、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。光を射出する発光素子１０ｂを用いて表示を行うことで、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ及び容量素子Ｃ１２を有し、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ及び配線ＡＮＯに接続される。

スイッチＳＷ１として、走査線Ｇ１（ｉ）に接続するゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）に接続する第１の電極を有するトランジスタを用いることができる。容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極に接続された第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭに接続された第２の電極を有する。

スイッチＳＷ２として、走査線Ｇ２（ｉ）に接続するゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）に接続する第１の電極を有するトランジスタを用いることができる。トランジスタＭは、スイッチＳＷ２として用いられるトランジスタの第２の電極に接続されるゲート電極と、配線ＡＮＯに接続される第１の電極を有する。なお、トランジスタＭは、第１のゲート電極と第２のゲート電極を有していてもよく、該第１のゲート電極と該第２のゲート電極は、接続されていてもよい。第１のゲート電極と第２のゲート電極は、半導体膜を間に介して互いに重なる領域を有する。容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２として用いられるトランジスタの第２の電極に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極に接続される第２の電極を有する。

反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）の第１の電極は、スイッチＳＷ１として用いられるトランジスタの第２の電極に接続される。反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）の第２の電極は、配線ＶＣＯＭ１に接続される。発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）の第１の電極は、トランジスタＭの第２の電極に接続される。発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）の第２の電極は配線ＶＣＯＭ２に接続される。

次に、表示ユニット１１０の上面構造について、図１１を用いて説明する。図１１（Ａ）は、表示ユニット１１０の上面図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示す表示ユニット１１０の画素の一部を説明する上面図である。図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。

表示ユニット１１０は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１上に、ソースドライバＳＤと端子５１９Ｂが配置された構造を有する（図１１（Ａ）参照）。画素７０２（ｉ，ｊ）は、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）および発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）を有する（図１１（Ｃ）参照）。

次に、表示ユニット１１０の断面構造とその構成要素について、図１２、１３を用いて説明する。図１２（Ａ）は、図１１（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、切断線Ｘ５－Ｘ６における断面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の一部を説明する図である。図１３（Ａ）は、図１１（Ｂ）の切断線Ｘ７－Ｘ８、切断線Ｘ９－Ｘ１０における断面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）の一部を説明する図である。

基板５７０には、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。また、具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。さらに、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

基板７７０には、透光性を有する材料を用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

構造体ＫＢ１には、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

封止材７０５には、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を用いることができる。例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。また、例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を、封止材７０５等に用いることができる。

接合層５０５には、封止材７０５に用いることができる材料を用いることができる。

絶縁膜５１８、５２１には、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等、またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等、またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを、絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

絶縁膜５２８には、絶縁膜５２１に用いることができる材料を用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

絶縁膜５０１Ａには、絶縁膜５２１に用いることができる材料を用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を有する材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を有する材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成部分に供給する機能を有する材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

絶縁膜５０１Ｃには、絶縁膜５２１に用いることができる材料を用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を、絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃには、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を用いることができる。例えば、水素を透過または供給する機能を有する材料を、中間膜７５４Ａ乃至７５４Ｃに用いることができる。また、例えば、導電性を有する材料を中間膜７５４Ａ乃至７５４Ｃに用いることができる。さらに、例えば、透光性を有する材料を中間膜７５４Ａ乃至７５４Ｃに用いることができる。

具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料、またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を有する。さらに具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。

配線、端子、導電膜として、導電性を有する材料を用いることができる。具体的には、導電性を有する材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂ、導電膜５１１Ｃに用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウム、またはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。また、具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。さらに具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）は、光の反射を制御する機能を有する表示素子であり、例えば、液晶素子、電気泳動素子、またはＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）は、電極７５１（ｉ，ｊ）と、電極７５２と、液晶材料を含む層７５３を有する。液晶材料を含む層７５３は、電極７５１（ｉ，ｊ）および電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる材料を含む。例えば、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。

例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

電極７５１（ｉ，ｊ）として、例えば、配線等に用いる材料を用いることができる。具体的には、反射膜を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を有する導電膜と、開口部を有する反射膜を積層した材料を電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

電極７５２として、例えば、導電性を有する材料を用いることができる。可視光について透光性を有する材料を、電極７５２に用いることができる。例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを、電極７５２に用いることができる。具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを電極７５２に用いることができる。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極７５２に用いることができる。

反射膜は、可視光を反射する材料を用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、反射素子１０ａを反射型の表示素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を有する材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

例えば、電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。例えば、液晶材料を含む層７５３と電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を有する膜を、反射膜に用いることができる。または、電極７５１（ｉ，ｊ）が透光性を有する場合、電極７５１（ｉ，ｊ）を間に介して、液晶材料を含む層７５３と重なる領域を有する膜を、反射膜に用いることができる。

反射膜は、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域を有することが好ましい。例えば、単数または複数の開口部７５１Ｈを有する形状を反射膜に用いることが好ましい。多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、反射素子１０ａ（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

表示ユニット１１０の画素に用いることができる反射膜の形状について、図１４を用いて説明する。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中、矢印Ｒ１で示す）に延びる直線上に配置されない（図１４（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中、矢印Ｃ１で示す）に延びる直線上に配置されない（図１４（Ｂ）参照）。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配置される（図１４（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配置される。

または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配置される（図１４（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において、当該直線と直交する直線上に配置される。

これにより、一の画素に隣接する他の画素の開口部に重なる領域を有する第２の表示素子を、一の画素の開口部に重なる領域を有する第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配置することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配置する難易度を軽減することができる。

なお、例えば、発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を有する材料を、反射膜に用いることができる（図１４（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中、矢印Ｃ１で示す）が短くなるように端部が切除された電極７５１（ｉ．ｊ）を、反射膜に用いることができる。

配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２は、例えば、ポリイミド等を含む材料を用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２は、所定の色の光が透過する材料を用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を、例えばカラーフィルターとして、用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜に用いることができる。なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を有する材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。

遮光膜ＢＭは、光の透過を妨げる材料を用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

絶縁膜７７１として、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。

機能膜７７０Ｐ、７７０Ｄとして、例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を用いることができる。具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を有する柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）として、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、または発光ダイオードなどを用いることができる。発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）と、電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。例えば、発光性の有機化合物を層５５３（ｊ）に用いることができる。また、例えば、量子ドットを層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。さらに、例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料、または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層を積層した積層材料を、層５５３（ｊ）に用いることができる。

電極５５１（ｉ，ｊ）には、配線等に用いることができる材料を用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を発光素子１０ｂ（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

電極５５２には、配線等に用いることができる材料を用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、電極５５２に用いることができる。

ゲートドライバＧＤとして、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等をゲートドライバＧＤに用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる。また、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を、ゲートドライバ、ソースドライバ、および画素回路のトランジスタに用いることができる。例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、ゲートドライバ、ソースドライバのトランジスタ、または画素回路のトランジスタに用いることができる。また、トランジスタとして、ＯＳトランジスタを用いてもよい。これにより、先述のアイドリングストップ駆動が可能になる。

例えば、酸化物半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを有するトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１３（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、酸化物半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を有する。

導電膜５０４は、酸化物半導体膜５０８と重なる領域を有する。導電膜５０４はゲート電極の機能を有する。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を有する。導電膜５１２Ａと導電膜５１２Ｂは、酸化物半導体膜５０８に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を有し、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を有する。

導電膜５２４を有するトランジスタを、ゲートドライバ、ソースドライバ、または画素回路のトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に酸化物半導体膜５０８を挟む領域を有する。絶縁膜５１６は、導電膜５２４と酸化物半導体膜５０８の間に挟まれる領域を有する。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４は接続される。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を有する。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、酸化物半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を有する。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、酸化物半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、酸化物半導体膜５０８に接する領域を有する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

図１５（Ａ）は、図１１（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。

（実施の形態４）
表示ユニットとタッチセンサユニットを有する表示装置について、図１６乃至図１９を用いて説明する。図１６は、表示ユニット１１０とタッチセンサユニット１２０を有する表示装置１００のブロック図を示し、図１７（Ａ）は表示装置１００の上面図を示し、図１７（Ｂ）は、表示装置１００の入力部の一部を示す。図１８（Ａ）は、図１７（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、切断線Ｘ５－Ｘ６における断面構造を示し、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）の一部の構成を示す。図１９は、図１７（Ａ）の切断線Ｘ７－Ｘ８、Ｘ９－Ｘ１０、Ｘ１１－Ｘ１２における断面構造を示す。

タッチセンサユニット１２０は、センサアレイ１２１、ＴＳドライバ１２６及びセンス回路１２７を有する（図１６参照）。

センサアレイ１２１は、表示ユニット１１０の画素アレイ１１１と重なるように配置され、センサアレイ１２１は、画素アレイ１１１と重なる領域に近接するものを検知する機能を有する。センサアレイ１２１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を有し、行方向（図中、矢印Ｒ２で示す）に配置される。また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を有し、行方向と交差する列方向（図中、矢印Ｃ２で示す）に配置される。

行方向に配置される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＳＬ（ｇ）に接続する電極ＳＥ（ｇ）を有する（図１７（Ｂ）参照）。列方向に配置される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）に接続する電極ＭＥ（ｈ）を有する（図１７（Ｂ）参照）。

電極ＳＥ（ｇ）と電極ＭＥ（ｈ）は、透光性を有することが好ましい。配線ＤＲＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を有する。配線ＳＮＬ（ｈ）は、検知信号を供給される機能を有する。電極ＭＥ（ｈ）は、電極ＳＥ（ｇ）との間に電界を形成するように配置される。センサアレイ１２１に、指などの物体が近接すると上記電界が遮蔽され、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、検知信号を供給する。

ＴＳドライバ１２６は、配線ＤＲＬ（ｇ）に接続され、制御信号を供給する機能を有する。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

センス回路１２７は、配線ＳＮＬ（ｈ）に接続され、配線ＳＮＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を有する。なお、検知信号は、例えば、位置情報を含む。検知信号は、コントローラＩＣ１１５に供給される。コントローラＩＣ１１５は、検知信号に対応じた情報をホスト１４０に供給し、画素アレイ１１１に表示される画像が更新される。

図１８、１９に示す表示装置１００は、機能層７２０を有する点とトップゲート型のトランジスタを有する点が、図１２、１３に示す表示ユニット１１０とは異なる。以下には、異なる点について説明し、同様の構成を用いることができる部分については、上記説明を援用する。

機能層７２０は、基板７７０、絶縁膜５０１Ｃ及び封止材７０５に囲まれる領域を有する（図１８参照）。機能層７２０は、配線ＤＲＬ（ｇ）と、配線ＳＮＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を有する。なお、配線ＤＲＬ（ｇ）と第２の電極７５２の間、又は、配線ＳＮＬ（ｈ）と第２の電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を有する。

また、表示装置１００は、導電膜５１１Ｄを有する（図１９参照）。配線ＤＲＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配置し、配線ＤＲＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続させることができる。また、配線ＳＮＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配置し、配線ＳＮＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続させることができる。導電膜５１１Ｄには、配線等に用いることができる材料を用いることができる。

また、表示装置１００は、端子５１９Ｄを有する（図１９参照）。端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと中間膜７５４Ｄを有する。中間膜７５４Ｄは、導電膜５１１Ｄに接する領域を有する。端子５１９Ｄには、配線等に用いることができる材料を用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂ又は端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる。

なお、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を配線ＤＲＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、配線ＳＮＬ（ｈ）から供給されることができる。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を有する導電膜５０４と、絶縁膜５０１Ｃ及び導電膜５０４の間に挟まれる領域を有する酸化物半導体膜５０８を有する。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を有する（図１８（Ｂ）参照）。

酸化物半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａ及び第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａ及び第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃを有する。

トランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃと導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を有する。なお、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を有する。第１の領域５０８Ａと第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を有する。

例えば、酸化物半導体膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａと第２の領域５０８Ｂを酸化物半導体膜５０８に形成することができる。また、導電膜５０４をマスクとして用いることにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。

トランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａに接する導電膜５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂに接する導電膜５１２Ｂを有する。導電膜５１２Ａと導電膜５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を有する。トランジスタＭＤと同一の工程で形成することができるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、電子機器について、図２０を用いて説明する。

図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図２０（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２０（Ｂ）は記録媒体を有する携帯型の画像再生装置（例えばＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図２０（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２０（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。

図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図２０（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図２０（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＣＦ２ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１ 矢印
Ｃ２ 矢印
Ｃ４ 容量素子
Ｃ６ 容量素子
Ｃ１１ 容量素子
Ｃ１２ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
ＣＦ２ 着色膜
ＤＲＬ 配線
ＳＮＬ 配線
ＧＤ ゲートドライバ
ＳＤ ソースドライバ
ＡＮＯ 配線
ＣＳＣＯＭ 配線
Ｍ トランジスタ
ＭＤ トランジスタ
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
Ｇ１ 走査線
Ｇ２ 走査線
ＫＢ１ 構造体
ＬＯＡＤ１ 信号
ＬＯＡＤ２ 信号
Ｒ１ 矢印
Ｒ２ 矢印
Ｓ１ 信号線
Ｓ２ 信号線
ＳＡＶＥ２ 信号
ＳＤ１ ソースドライバ
ＳＤ２ ソースドライバ
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
Ｔ１ トランジスタ
Ｔ２ トランジスタ
Ｔ３ トランジスタ
Ｔ４ トランジスタ
Ｔ５ トランジスタ
Ｔ６ トランジスタ
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 配線
ＭＬ 検知信号線
ＭＥ 電極
ＳＥ 電極
ＣＰ 導電材料
１０ 画素
１０ａ 反射素子
１０ｂ 発光素子
１７ 保持回路
１８ セレクタ
１９ フリップフロップ回路
２０ インバータ
２５ インバータ
２６ レジスタ
２７ アナログスイッチ
２８ アナログスイッチ
３１ インバータ
３３ インバータ
３４ クロックドインバータ
３５ アナログスイッチ
３６ バッファ
５１ モジュールコネクタ
５２ コントローラ
５５ スキャンチェーン
５６ スキャンチェーン
５７ スキャンチェーン
５８ スキャンチェーン
５９ ＡＮＤ回路
６０ ＡＮＤ回路
６１ ＡＮＤ回路
６２ ＡＮＤ回路
６３ セレクタ
６４ セレクタ
６５ セレクタ
６６ セレクタ
６７ トランジスタ
６８ トランジスタ
６９ トランジスタ
７０ トランジスタ
７１ インバータ
７２ インバータ
１００ 表示装置
１１０ 表示ユニット
１１１ 画素アレイ
１１３ ゲートドライバ
１１４ ゲートドライバ
１１５ コントローラＩＣ
１１７ コントローラＩＣ
１２０ タッチセンサユニット
１２１ センサアレイ
１２５ 周辺回路
１２６ ＴＳドライバ
１２７ センス回路
１４０ ホスト
１４３ 光センサ
１４５ 外光
１５０ インターフェース
１５１ フレームメモリ
１５２ デコーダ
１５３ センサコントローラ
１５４ コントローラ
１５５ クロック生成回路
１６０ 画像処理部
１６１ 機能回路
１６２ 機能回路
１６３ 機能回路
１６４ 機能回路
１７０ メモリ
１７３ タイミングコントローラ
１７５ レジスタ
１８０ ソースドライバ
１８１ ソースドライバ
１８２ ソースドライバ
１８４ タッチセンサコントローラ
１８６ ソースドライバＩＣ
１９０ 領域
１９１ 領域
３００ スキャンチェーン
３０１ 画像処理部
３０２ モジュールコネクタ
３０３ 機能回路
３０４ 機能回路
３０５ 機能回路
３０６ 機能回路
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 酸化物半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１１Ｄ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５１９Ｄ 端子
５２１ 絶縁膜
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５５１ 電極
５５２ 電極
５５３ 層
５７０ 基板
７０２ 画素
７０５ 封止材
７２０ 機能層
７５１ 電極
７５１Ｅ 領域
７５１Ｈ 開口部
７５２ 電極
７５３ 液晶材料を含む層
７５４Ａ 中間膜
７５４Ｂ 中間膜
７５４Ｃ 中間膜
７５４Ｄ 中間膜
７７０ 基板
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５ 検知素子
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金

Claims (4)

1. 画像データを補正する機能を有する第１の機能回路及び第２の機能回路と、
   前記第１の機能回路に電気的に接続された第１のスキャンチェーンと、
   前記第２の機能回路に電気的に接続された第２のスキャンチェーンと、
   前記第１のスキャンチェーンに電気的に接続された第１のセレクタと、
   前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続された第２のセレクタと、
   出力が前記第１のスキャンチェーンに電気的に接続され、入力がクロック線とコントローラに電気的に接続された第１の論理回路と、
   出力が前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続され、入力が前記クロック線と前記コントローラに電気的に接続された第２の論理回路と、
   前記第１のスキャンチェーンと電気的に接続された入力端子と、を有し、
   前記第２のスキャンチェーンは、前記第１のセレクタを介して前記入力端子又は前記第１のスキャンチェーンと電気的に接続され、
   前記コントローラは、前記第１のセレクタと前記第２のセレクタに制御データを供給し、
   前記コントローラが前記制御データにより前記第１の論理回路及び前記第２の論理回路を制御することにより、前記第１のスキャンチェーンが動作し、前記第２のスキャンチェーンが動作しないようにし、前記入力端子から前記第１のスキャンチェーンを介して前記第１の機能回路にパラメータのデータが出力されることを特徴とする半導体装置。
2. 画像データを補正する機能を有する第１の機能回路及び第２の機能回路と、
   前記第１の機能回路に電気的に接続された第１のスキャンチェーンと、
   前記第２の機能回路に電気的に接続された第２のスキャンチェーンと、
   前記第１のスキャンチェーンに電気的に接続された第１のセレクタと、
   前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続された第２のセレクタと、
   出力が前記第１のスキャンチェーンに電気的に接続され、入力がクロック線とコントローラに電気的に接続された第１の論理回路と、
   出力が前記第２のスキャンチェーンに電気的に接続され、入力が前記クロック線と前記コントローラに電気的に接続された第２の論理回路と、
   前記第１のスキャンチェーンと電気的に接続された入力端子と、
   前記第１のスキャンチェーンと前記コントローラの間に設けられ、前記第１のスキャンチェーンと前記コントローラの間のオンとオフの動作を制御する第１のトランジスタと、
   前記第２のスキャンチェーンと前記コントローラの間に設けられ、前記第２のスキャンチェーンと前記コントローラの間のオンとオフの動作を制御する第２のトランジスタと、を有し、
   前記第２のスキャンチェーンは、前記第１のセレクタを介して前記入力端子又は前記第１のスキャンチェーンと電気的に接続され、
   前記コントローラは、前記第１のセレクタと前記第２のセレクタに制御データを供給し、
   前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタのそれぞれのチャネル形成領域は酸化物半導体を有し、
   前記コントローラが前記制御データにより前記第１の論理回路及び前記第２の論理回路を制御することにより、前記第１のスキャンチェーンが動作し、前記第２のスキャンチェーンが動作しないようにし、前記入力端子から前記第１のスキャンチェーンを介して前記第１の機能回路にパラメータのデータが出力されることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記コントローラは、前記第１の論理回路と前記第２の論理回路に前記制御データを供給し、
   前記コントローラが前記制御データにより前記第１の論理回路及び前記第２の論理回路を制御することにより、前記クロック線から前記第１のスキャンチェーンにクロック信号が出力されることで、前記第１のスキャンチェーンが動作し、前記第２のスキャンチェーンに前記クロック信号が出力されないようにすることで、前記第２のスキャンチェーンが動作しないようにすることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の機能回路及び前記第２の機能回路は、調色又は調光のパラメータが保持され、
   前記第１の機能回路又は前記第２の機能回路は、前記調色又は調光のパラメータを用いて前記画像データを補正する調色回路または調光回路であることを特徴とする半導体装置。

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