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JP7051746B2 - Manufacturing method of optical equipment - Google Patents
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Description

本発明の一側面は、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を除去する異物除去方法、及び光検出装置の製造方法に関する。 One aspect of the present invention relates to a method for removing foreign matter adhering to a Fabry-Perot interference filter and a method for manufacturing a light detection device.

従来のファブリペロー干渉フィルタとして、基板と、基板上において空隙を介して互いに対向する固定ミラー及び可動ミラーと、を備えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 As a conventional Fabry-Perot interference filter, a substrate and a fixed mirror and a movable mirror facing each other via a gap on the substrate are known (see, for example, Patent Document 1).

特表2013-506154号公報Japanese Patent Publication No. 2013-506154

ファブリペリー干渉フィルタは、メンブレン状で比較的脆弱な可動ミラーを有しているため、可動ミラーの変形又は破損等が懸念される方式による異物除去は、基本的に試みられていない。このため、表面に異物が付着しただけのファブリペロー干渉フィルタが不良品として扱われる場合があり、歩留まりの向上が阻害されていた。 Since the Fabric Perry interference filter has a membrane-like and relatively fragile movable mirror, there is basically no attempt to remove foreign matter by a method in which there is a concern that the movable mirror may be deformed or damaged. For this reason, the Fabry-Perot interference filter in which foreign matter only adheres to the surface may be treated as a defective product, which hinders the improvement of the yield.

そこで、本発明の一側面は、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を効果的に除去することができ、歩留まりを向上させることができる異物除去方法、及び光検出装置の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, one aspect of the present invention is to provide a foreign matter removing method capable of effectively removing foreign matter adhering to the Fabry-Perot interference filter and improving the yield, and a method of manufacturing a light detection device. The purpose.

本発明の一側面に係る異物除去方法は、互いに対向する第1表面及び第2表面を有する基板と、第1表面に配置された第1ミラー部を有する第1積層体と、第1ミラー部上に配置された第2ミラー部を有する第2積層体と、を備えるファブリペロー干渉フィルタであって、互いに対向する第1積層体の少なくとも第1ミラー部を含む部分と第2積層体の少なくとも第2ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第1ミラー部と第2ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタを用意する工程と、第2積層体の第1積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、検出された異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体の表面に吹き付けることにより、第2積層体の表面から異物を除去する工程と、を含む。 The method for removing foreign matter according to one aspect of the present invention includes a substrate having a first surface and a second surface facing each other, a first laminated body having a first mirror portion arranged on the first surface, and a first mirror portion. A Fabry-Perot interference filter comprising a second laminated body having a second mirror portion arranged above, the portion of the first laminated body facing each other including at least the first mirror portion, and at least the second laminated body. Fabry-Perot interference configured so that the distance between the first mirror portion and the second mirror portion facing each other changes due to electrostatic force by forming a gap between the portion including the second mirror portion. The step of preparing a filter, the step of detecting foreign matter adhering to the surface of the second laminated body opposite to the first laminated body, and the air whose position of the airflow peak is adjusted based on the position of the detected foreign matter. Includes a step of removing foreign matter from the surface of the second laminated body by spraying the above on the surface of the second laminated body.

本発明の一側面に係る異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタの第2積層体の表面に付着した異物を検出し、エアーの吹き付けによって当該異物を除去することができる。エアーの気流ピークの位置は、検出された異物の位置に基づいて調整されているため、当該エアーの吹き付けによって異物を適切に除去することができる。以上により、上記の異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を効果的に除去することができ、ファブリペロー干渉フィルタを歩留まり良く得ることができる。 According to the foreign matter removing method according to one aspect of the present invention, the foreign matter adhering to the surface of the second laminated body of the Fabry-Perot interference filter can be detected and the foreign matter can be removed by blowing air. Since the position of the air flow peak of the air is adjusted based on the position of the detected foreign matter, the foreign matter can be appropriately removed by blowing the air. As described above, according to the above-mentioned foreign matter removing method, the foreign matter adhering to the Fabry-Perot interference filter can be effectively removed, and the Fabry-Perot interference filter can be obtained with a good yield.

ここで、ファブリペロー干渉フィルタでは、互いに対向する第1積層体の少なくとも第1ミラー部を含む部分と第2積層体の少なくとも第2ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されている。すなわち、第2積層体のうち第1ミラー部と第2ミラー部とが対向する方向から見て空隙と重なる部分(以下、単に「メンブレン部」という)は、いわゆるメンブレン構造を有しており、比較的脆弱な部分となっている。このため、従来、メンブレン部に負荷となる応力を生じさせ、メンブレン部の変形又は破損等が懸念される方式による異物除去は試みられておらず、異物が付着したファブリペロー干渉フィルタは、不良品として扱われることが多かった。しかし、本発明者らの鋭意研究の結果、エアーを吹き付ける方式であれば、メンブレン部に応力を生じさせる方法であるにもかかわらず、ファブリペロー干渉フィルタの特性に大きな影響を与えることなく、異物を除去することが可能であることが確認された。 Here, in the Fabry-Perot interference filter, a gap is formed between a portion of the first laminated body including at least the first mirror portion and a portion of the second laminated body including at least the second mirror portion. That is, the portion of the second laminated body that overlaps the void when viewed from the direction in which the first mirror portion and the second mirror portion face each other (hereinafter, simply referred to as “membrane portion”) has a so-called membrane structure. It is a relatively vulnerable part. For this reason, conventionally, no attempt has been made to remove foreign matter by a method in which a stress that is a load is generated on the membrane portion and there is a concern that the membrane portion may be deformed or damaged. It was often treated as. However, as a result of diligent research by the present inventors, the method of blowing air does not significantly affect the characteristics of the Fabry-Perot interference filter, even though it is a method of generating stress in the membrane portion, and foreign matter is not affected. It was confirmed that it is possible to remove.

異物を除去する工程において、気流ピークの位置は、異物の位置に合うように調整されてもよい。この場合、気流ピーク(すなわち、エアーの流速が最も大きい部分)が異物に直接当たることにより、異物をより確実に除去することができる。 In the step of removing the foreign matter, the position of the airflow peak may be adjusted to match the position of the foreign matter. In this case, the airflow peak (that is, the portion where the air flow velocity is the largest) directly hits the foreign matter, so that the foreign matter can be removed more reliably.

第2積層体のうち、第1ミラー部と第2ミラー部とが互いに対向する方向から見て空隙と重なる部分には、第2積層体の表面から空隙に至る複数の貫通孔が形成されており、異物を除去する工程において、少なくとも第2積層体の表面のうち複数の貫通孔が形成された領域にエアーを吹き付けてもよい。この場合、第2積層体の表面に吹き付けられたエアーを、複数の貫通孔を介して空隙内に侵入させることができる。空隙内に侵入したエアーは、空隙内に新たに侵入してくるエアーによって押し出されるようにして、空隙内に新たに侵入してくるエアーが流通する貫通孔とは異なる貫通孔を介して第2積層体の表面側へと排出される。このようにして空隙から外側に排出されるエアーによって、第2積層体の表面に付着した異物を吹き上げることができる。これにより、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物をより一層効果的に除去することができる。 In the portion of the second laminated body where the first mirror portion and the second mirror portion overlap with the voids when viewed from the opposite directions, a plurality of through holes extending from the surface of the second laminated body to the voids are formed. In the step of removing foreign matter, air may be blown to at least a region of the surface of the second laminated body in which a plurality of through holes are formed. In this case, the air blown onto the surface of the second laminated body can be allowed to enter the voids through the plurality of through holes. The air that has entered the void is pushed out by the air that newly enters the void, and the second through hole is different from the through hole through which the air that newly enters the void flows. It is discharged to the surface side of the laminate. The air discharged to the outside from the voids in this way can blow up the foreign matter adhering to the surface of the second laminated body. This makes it possible to more effectively remove foreign matter adhering to the Fabry-Perot interference filter.

ファブリペロー干渉フィルタを用意する工程においては、複数のファブリペロー干渉フィルタが二次元に連結されたウェハが用意され、異物を検出する工程及び異物を除去する工程は、ウェハを構成するファブリペロー干渉フィルタに対して実施されてもよい。この場合、ウェハを構成するファブリペロー干渉フィルタに異物が付着している場合に、当該異物をエアーの吹き付けにより除去することができる。これにより、ウェハを構成する複数のファブリペロー干渉フィルタのそれぞれを検査する場合に、異物が付着したファブリペロー干渉フィルタを直ちに不良と判定することなく、異物が除去されたファブリペロー干渉フィルタを良品として後工程に回すことができる。したがって、ファブリペロー干渉フィルタの歩留まりを向上させることができる。 In the process of preparing the Fabry-Pérot interference filter, a wafer in which a plurality of Fabry-Pérot interference filters are connected in two dimensions is prepared, and in the process of detecting foreign matter and the step of removing foreign matter, the Fabry-Pérot interference filter constituting the wafer is prepared. May be implemented against. In this case, when foreign matter adheres to the Fabry-Perot interference filter constituting the wafer, the foreign matter can be removed by blowing air. As a result, when inspecting each of the plurality of Fabry-Pérot interference filters that make up the wafer, the Fabry-Pérot interference filter to which foreign matter has adhered is not immediately determined to be defective, and the Fabry-Pérot interference filter from which foreign matter has been removed is regarded as a good product. It can be sent to a later process. Therefore, the yield of the Fabry-Perot interference filter can be improved.

ファブリペロー干渉フィルタを用意する工程においては、個片化されたファブリペロー干渉フィルタが用意されてもよい。例えば、複数のファブリペロー干渉フィルタを含むウェハを構成するファブリペロー干渉フィルタに対してエアーの吹き付けによる異物除去を行った場合、当該異物が当該ウェハを構成する他のファブリペロー干渉フィルタ上に飛散し、当該他のファブリペロー干渉フィルタに悪影響を及ぼすおそれがある。一方、上記のようにファブリペロー干渉フィルタが個片化された段階で、当該ファブリペロー干渉フィルタに対してエアーの吹き付けによる異物除去を行うことにより、上述したような他のファブリペロー干渉フィルタへの悪影響の発生を防止することができる。 In the step of preparing the Fabry-Perot interference filter, an individualized Fabry-Pérot interference filter may be prepared. For example, when foreign matter is removed by blowing air on a Fabry-Pérot interference filter that constitutes a wafer containing a plurality of Fabry-Pérot interference filters, the foreign matter is scattered on other Fabry-Pérot interference filters that make up the wafer. , May adversely affect the other Fabry-Perot interference filters. On the other hand, at the stage where the Fabry-Pérot interference filter is separated as described above, foreign matter is removed by blowing air onto the Fabry-Pérot interference filter to obtain other Fabry-Pérot interference filters as described above. It is possible to prevent the occurrence of adverse effects.

本発明の一側面に係る光検出装置の製造方法は、光を入射させる開口が形成されたキャップ及びキャップに接合されるステムを有するパッケージと、パッケージ内に配置されたファブリペロー干渉フィルタと、パッケージ内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタを透過した光を検出する光検出器と、を備える光検出装置の製造方法であって、ファブリペロー干渉フィルタは、互いに対向する第1表面及び第2表面を有する基板と、第1表面に配置された第1ミラー部を有する第1積層体と、第1ミラー部上に配置された第2ミラー部を有する第2積層体と、を備え、互いに対向する第1積層体の少なくとも第1ミラー部を含む部分と第2積層体の少なくとも第2ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第1ミラー部と第2ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタであり、製造方法は、ファブリペロー干渉フィルタ及び光検出器が固定されたステムを用意する工程と、ステムに対して固定されたファブリペロー干渉フィルタの第2積層体の第1積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、検出された異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体の表面に吹き付けることにより、第2積層体の表面から異物を除去する工程と、異物を除去する工程の後に、ステムにキャップを接合する工程と、を含む。 A method for manufacturing a light detection device according to one aspect of the present invention includes a package having a cap having an opening for incident light and a stem joined to the cap, a Fabry-Perot interference filter arranged in the package, and a package. A method of manufacturing an optical detection device comprising an optical detector arranged inside to detect light transmitted through a Fabry-Pérot interference filter, wherein the Fabry-Pérot interference filter has a first surface and a second surface facing each other. A substrate having a substrate, a first laminated body having a first mirror portion arranged on a first surface, and a second laminated body having a second mirror portion arranged on the first mirror portion are provided and face each other. By forming a gap between the portion including at least the first mirror portion of the first laminated body and the portion including at least the second mirror portion of the second laminated body, the first mirror portion and the second mirror facing each other are formed. It is a Fabry-Perot interference filter configured so that the distance between the parts is changed by electrostatic force. The step of detecting foreign matter adhering to the surface of the second laminated body of the Fabry-Pérot interference filter fixed in place on the opposite side of the first laminated body, and the position of the airflow peak are adjusted based on the position of the detected foreign matter. It includes a step of removing foreign matter from the surface of the second laminated body by blowing the air on the surface of the second laminated body, and a step of joining a cap to the stem after the step of removing the foreign matter.

この光検出装置の製造方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ及び光検出器がステムに対して固定された状態において、ファブリペロー干渉フィルタの第2積層体の表面に付着した異物を検出し、エアーの吹き付けによって当該異物を除去することができる。すなわち、光検出装置が得られる直前の状態においてファブリペロー干渉フィルタに付着した異物の検出及び除去を適切に実施することができる。ここで、光検出装置の組立作業は、清浄度の高いクリーンルーム内で行われるとは限らないため、当該組立作業時において、ファブリペロー干渉フィルタの表面に異物が付着する可能性が比較的高まる可能性がある。上記の製造方法によれば、光検出装置の製造工程の最終段階において、ファブリペロー干渉フィルタの特性に大きな影響を与えることなく、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を除去することができる。これにより、最終製品である光検出装置の良品率を向上させることができ、光検出装置を歩留まり良く得ることができる。 According to the manufacturing method of this optical detection device, in a state where the Fabry-Perot interference filter and the optical detector are fixed to the stem, foreign matter adhering to the surface of the second laminate of the Fabry-Perot interference filter is detected and air is detected. The foreign matter can be removed by spraying. That is, it is possible to appropriately detect and remove foreign matter adhering to the Fabry-Perot interference filter in the state immediately before the photodetector is obtained. Here, since the assembly work of the photodetector is not always performed in a clean room with high cleanliness, the possibility that foreign matter adheres to the surface of the Fabry-Perot interference filter during the assembly work may be relatively high. There is sex. According to the above manufacturing method, in the final stage of the manufacturing process of the optical detection device, foreign matter adhering to the Fabry-Perot interference filter can be removed without significantly affecting the characteristics of the Fabry-Perot interference filter. As a result, the non-defective rate of the photodetector, which is the final product, can be improved, and the photodetector can be obtained with a good yield.

本発明の他の側面に係る光検出装置の製造方法は、蓋基板及び蓋基板に接合される支持体を有するパッケージと、パッケージ内に配置されたファブリペロー干渉フィルタと、パッケージ内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタを透過した光を検出する光検出器と、を備える光検出装置の製造方法であって、ファブリペロー干渉フィルタは、互いに対向する第1表面及び第2表面を有する基板と、第1表面に配置された第1ミラー部を有する第1積層体と、第1ミラー部上に配置された第2ミラー部を有する第2積層体と、を備え、互いに対向する第1積層体の少なくとも第1ミラー部を含む部分と第2積層体の少なくとも第2ミラー部を含む部分との間に空隙が形成されることで、互いに対向する第1ミラー部と第2ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタであり、製造方法は、一次元又は二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタと、複数のファブリペロー干渉フィルタに対応して設けられた複数の光検出器と、複数のファブリペロー干渉フィルタ及び複数の光検出器を支持する支持層であって、複数の支持体に切断される予定の支持層と、を用意する工程と、複数のファブリペロー干渉フィルタの各々について、第2積層体の第1積層体とは反対側の表面に付着した異物を検出する工程と、検出された異物の位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体の表面に吹き付けることにより、第2積層体の表面から異物を除去する工程と、異物を除去する工程の後に、複数の前記蓋基板に切断される予定の蓋基板層を支持層に接合することにより、一次元又は二次元に連結された複数の光検出装置を得る工程と、蓋基板層と支持層とが接合された部分を切断することにより、個々の光検出装置を得る工程と、を含む。 A method for manufacturing a light detection device according to another aspect of the present invention includes a package having a lid substrate and a support bonded to the lid substrate, a Fabry-Perot interference filter arranged in the package, and a Fabry-Perot interference filter arranged in the package. A method of manufacturing an optical detection device including a light detector for detecting light transmitted through a Fabry-Perot interference filter, wherein the Fabry-Pérot interference filter includes a substrate having a first surface and a second surface facing each other, and a first surface. A first laminated body having a first mirror portion arranged on one surface and a second laminated body having a second mirror portion arranged on the first mirror portion, and facing each other. By forming a gap between the portion including at least the first mirror portion and the portion including at least the second mirror portion of the second laminated body, the space between the first mirror portion and the second mirror portion facing each other is formed. It is a Fabry-Perot interference filter configured so that the distance changes due to electrostatic force, and the manufacturing method corresponds to a plurality of Fabry-Perot interference filters arranged in one or two dimensions and a plurality of Fabry-Perot interference filters. A step of preparing a plurality of provided optical detectors, a support layer for supporting a plurality of Fabry-Perot interference filters and a plurality of optical detectors, and a support layer to be cut into a plurality of supports. For each of the plurality of Fabry-Perot interference filters, the step of detecting foreign matter adhering to the surface of the second laminated body opposite to the first laminated body and the position of the airflow peak based on the position of the detected foreign matter are determined. A lid to be cut into the plurality of lid substrates after a step of removing foreign matter from the surface of the second laminated body and a step of removing foreign matter by blowing the adjusted air on the surface of the second laminated body. By joining the substrate layer to the support layer, a process of obtaining a plurality of one-dimensional or two-dimensionally connected light detection devices, and by cutting the portion where the lid substrate layer and the support layer are joined, individual light detectors are obtained. Includes a step of obtaining a light detector.

この光検出装置の製造方法によれば、複数のファブリペロー干渉フィルタが支持層に支持された状態において、各ファブリペロー干渉フィルタの第2積層体の表面に付着した異物を検出し、エアーの吹き付けによって当該異物を除去することができる。すなわち、光検出装置が得られる直前の状態において、各ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物の検出及び除去を適切に実施することができる。よって、本製造方法によれば、上述した光検出装置の製造方法と同様の効果が得られる。 According to the manufacturing method of this optical detection device, in a state where a plurality of Fabry-Perot interference filters are supported by a support layer, foreign matter adhering to the surface of the second laminate of each Fabry-Perot interference filter is detected and air is blown. Can remove the foreign matter. That is, it is possible to appropriately detect and remove foreign matter adhering to each Fabry-Perot interference filter in the state immediately before the photodetector is obtained. Therefore, according to this manufacturing method, the same effect as the manufacturing method of the photodetector described above can be obtained.

複数の光検出装置を得る工程においては、複数の開口が予め形成された蓋基板層を、複数の開口の各々が複数のファブリペロー干渉フィルタの各々に対向するように、支持層に接合してもよい。この場合、複数の開口が予め形成された蓋基板層を用いることにより、光を入射させるための開口が蓋基板に形成された光検出装置を、蓋基板層及び支持層の切断後に直ちに得ることができる。これにより、切断後に個々の光検出装置の蓋基板に開口を形成するための工程を不要とすることができる。 In the process of obtaining a plurality of photodetectors, a lid substrate layer having a plurality of openings previously formed is bonded to a support layer so that each of the plurality of openings faces each of the plurality of Fabry-Perot interference filters. May be good. In this case, by using the lid substrate layer in which a plurality of openings are formed in advance, a photodetector having openings formed in the lid substrate for light incident can be obtained immediately after cutting the lid substrate layer and the support layer. Can be done. This eliminates the need for a step of forming an opening in the lid substrate of each photodetector after cutting.

本発明の一側面によれば、ファブリペロー干渉フィルタに付着した異物を効果的に除去することができ、歩留まりを向上させることができる異物除去方法、及び光検出装置の製造方法を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a foreign matter removing method capable of effectively removing foreign matter adhering to the Fabry-Perot interference filter and improving the yield, and a method for manufacturing a light detection device. can.

一実施形態のウェハから切り出されたファブリペロー干渉フィルタの平面図である。It is a top view of the Fabry-Perot interference filter cut out from the wafer of one Embodiment. 図1に示されるファブリペロー干渉フィルタの底面図である。It is a bottom view of the Fabry-Perot interference filter shown in FIG. 図1に示されるIII-III線に沿ってのファブリペロー干渉フィルタの断面図である。It is sectional drawing of the Fabry-Perot interference filter along the line III-III shown in FIG. 一実施形態のウェハから切り出されたダミーフィルタの断面図である。It is sectional drawing of the dummy filter cut out from the wafer of one Embodiment. 一実施形態のウェハの平面図である。It is a top view of the wafer of one Embodiment. 図5に示されるウェハの一部の拡大平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view of a part of the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハのファブリペロー干渉フィルタ部及びダミーフィルタ部の断面図である。It is sectional drawing of the Fabry-Perot interference filter part and the dummy filter part of the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the wafer shown in FIG. 一実施形態の異物除去方法が実施される異物除去装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the foreign matter removing apparatus in which the foreign matter removing method of one Embodiment is carried out. ファブリペロー干渉フィルタの特性(フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長)のエアブロー前後の比較結果を示すグラフである。It is a graph which shows the comparison result before and after the air blow of the characteristic (peak transmission wavelength with respect to the filter control voltage) of a Fabry-Perot interference filter. ファブリペロー干渉フィルタの特性(ピーク透過波長に対する波長分解能)のエアブロー前後の比較結果を示すグラフである。It is a graph which shows the comparison result before and after the air blow of the characteristic (wavelength resolution with respect to the peak transmission wavelength) of a Fabry-Perot interference filter. 図5に示されるウェハからファブリペロー干渉フィルタを切り出す方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the method of cutting out the Fabry-Perot interference filter from the wafer shown in FIG. 図5に示されるウェハからファブリペロー干渉フィルタを切り出す方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the method of cutting out the Fabry-Perot interference filter from the wafer shown in FIG. 第1実施形態の光検出装置の断面図である。It is sectional drawing of the photodetector of 1st Embodiment. 図19に示される光検出装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the photodetector shown in FIG. 第2実施形態の光検出装置の断面図である。It is sectional drawing of the photodetector of 2nd Embodiment. 図21に示される光検出装置の平面図である。It is a top view of the photodetector shown in FIG. 図21に示される光検出装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the photodetector shown in FIG. 図21に示される光検出装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the photodetector shown in FIG.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
[ファブリペロー干渉フィルタ及びダミーフィルタの構成]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.
[Structure of Fabry-Perot Interference Filter and Dummy Filter]

一実施形態の異物除去方法及び光検出装置の製造方法の説明に先立って、ウェハから切り出されたファブリペロー干渉フィルタ及びダミーフィルタの構成について説明する。 Prior to the description of the method for removing foreign matter and the method for manufacturing the light detection device according to the embodiment, the configurations of the Fabry-Perot interference filter and the dummy filter cut out from the wafer will be described.

図1、図2及び図3に示されるように、ファブリペロー干渉フィルタ1は、基板11を備えている。基板11は、互いに対向する第1表面11a及び第2表面11bを有している。第1表面11aには、反射防止層21、第1積層体22、中間層23及び第2積層体24が、この順序で積層されている。第1積層体22と第2積層体24との間には、枠状の中間層23によって空隙(エアギャップ)Sが画定されている。 As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the Fabry-Perot interference filter 1 includes a substrate 11. The substrate 11 has a first surface 11a and a second surface 11b facing each other. The antireflection layer 21, the first laminated body 22, the intermediate layer 23, and the second laminated body 24 are laminated in this order on the first surface 11a. A gap (air gap) S is defined between the first laminated body 22 and the second laminated body 24 by a frame-shaped intermediate layer 23.

第1表面11aに垂直な方向から見た場合(平面視)における各部の形状及び位置関係は、次の通りである。基板11の外縁は、例えば矩形状である。基板11の外縁及び第2積層体24の外縁は、互いに一致している。反射防止層21の外縁、第1積層体22の外縁及び中間層23の外縁は、互いに一致している。基板11は、中間層23の外縁よりも空隙Sの中心に対して外側に位置する外縁部11cを有している。外縁部11cは、例えば、枠状であり、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に中間層23を囲んでいる。空隙Sは、例えば円形状である。 The shape and positional relationship of each part when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a (planar view) are as follows. The outer edge of the substrate 11 is, for example, rectangular. The outer edge of the substrate 11 and the outer edge of the second laminated body 24 coincide with each other. The outer edge of the antireflection layer 21, the outer edge of the first laminated body 22, and the outer edge of the intermediate layer 23 coincide with each other. The substrate 11 has an outer edge portion 11c located outside the center of the gap S with respect to the outer edge of the intermediate layer 23. The outer edge portion 11c has, for example, a frame shape and surrounds the intermediate layer 23 when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a. The void S is, for example, circular.

ファブリペロー干渉フィルタ1は、その中央部に画定された光透過領域1aにおいて、所定の波長を有する光を透過させる。光透過領域1aは、例えば円柱状の領域である。基板11は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。基板11がシリコンからなる場合には、反射防止層21及び中間層23は、例えば、酸化シリコンからなる。中間層23の厚さは、例えば、数十nm~数十μmである。 The Fabry-Perot interference filter 1 transmits light having a predetermined wavelength in the light transmission region 1a defined in the central portion thereof. The light transmission region 1a is, for example, a columnar region. The substrate 11 is made of, for example, silicon, quartz, glass, or the like. When the substrate 11 is made of silicon, the antireflection layer 21 and the intermediate layer 23 are made of, for example, silicon oxide. The thickness of the intermediate layer 23 is, for example, several tens of nm to several tens of μm.

第1積層体22のうち光透過領域1aに対応する部分は、第1ミラー部31として機能する。第1ミラー部31は、固定ミラーである。第1ミラー部31は、反射防止層21を介して第1表面11aに配置されている。第1積層体22は、複数のポリシリコン層25と複数の窒化シリコン層26とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。ファブリペロー干渉フィルタ1では、ポリシリコン層25a、窒化シリコン層26a、ポリシリコン層25b、窒化シリコン層26b及びポリシリコン層25cが、この順で反射防止層21上に積層されている。第1ミラー部31を構成するポリシリコン層25及び窒化シリコン層26のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の1/4の整数倍であることが好ましい。なお、第1ミラー部31は、反射防止層21を介することなく第1表面11a上に直接に配置されてもよい。 The portion of the first laminated body 22 corresponding to the light transmission region 1a functions as the first mirror portion 31. The first mirror unit 31 is a fixed mirror. The first mirror portion 31 is arranged on the first surface 11a via the antireflection layer 21. The first laminated body 22 is configured by alternately laminating a plurality of polysilicon layers 25 and a plurality of silicon nitride layers 26 one by one. In the Fabric Perot Interference Filter 1, the polysilicon layer 25a, the silicon nitride layer 26a, the polysilicon layer 25b, the silicon nitride layer 26b, and the polysilicon layer 25c are laminated on the antireflection layer 21 in this order. The optical thickness of each of the polysilicon layer 25 and the silicon nitride layer 26 constituting the first mirror portion 31 is preferably an integral multiple of 1/4 of the central transmission wavelength. The first mirror portion 31 may be arranged directly on the first surface 11a without interposing the antireflection layer 21.

第2積層体24のうち光透過領域1aに対応する部分は、第2ミラー部32として機能する。第2ミラー部32は、可動ミラーである。第2ミラー部32は、第1ミラー部31に対して基板11とは反対側において空隙Sを介して第1ミラー部31と対向している。第1ミラー部31と第2ミラー部32とが互いに対向する方向は、第1表面11aに垂直な方向に平行である。第2積層体24は、反射防止層21、第1積層体22及び中間層23を介して第1表面11aに配置されている。第2積層体24は、複数のポリシリコン層27と複数の窒化シリコン層28とが一層ずつ交互に積層されることで構成されている。ファブリペロー干渉フィルタ1では、ポリシリコン層27a、窒化シリコン層28a、ポリシリコン層27b、窒化シリコン層28b及びポリシリコン層27cが、この順で中間層23上に積層されている。第2ミラー部32を構成するポリシリコン層27及び窒化シリコン層28のそれぞれの光学厚さは、中心透過波長の1/4の整数倍であることが好ましい。 The portion of the second laminated body 24 corresponding to the light transmission region 1a functions as the second mirror portion 32. The second mirror unit 32 is a movable mirror. The second mirror portion 32 faces the first mirror portion 31 with respect to the first mirror portion 31 on the opposite side of the substrate 11 via the gap S. The direction in which the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 face each other is parallel to the direction perpendicular to the first surface 11a. The second laminated body 24 is arranged on the first surface 11a via the antireflection layer 21, the first laminated body 22 and the intermediate layer 23. The second laminated body 24 is configured by alternately laminating a plurality of polysilicon layers 27 and a plurality of silicon nitride layers 28 one by one. In the Fabric Perot Interference Filter 1, the polysilicon layer 27a, the silicon nitride layer 28a, the polysilicon layer 27b, the silicon nitride layer 28b, and the polysilicon layer 27c are laminated on the intermediate layer 23 in this order. The optical thickness of each of the polysilicon layer 27 and the silicon nitride layer 28 constituting the second mirror portion 32 is preferably an integral multiple of 1/4 of the central transmission wavelength.

なお、第1積層体22及び第2積層体24では、窒化シリコン層の代わりに酸化シリコン層が用いられてもよい。また、第1積層体22及び第2積層体24を構成する各層の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、シリコン、ゲルマニウム、硫化亜鉛等が用いられてもよい。また、ここでは、第1ミラー部31の空隙S側の表面(ポリシリコン層25cの表面)と、第2ミラー部32の空隙S側の表面(ポリシリコン層27aの表面)とは、空隙Sを介して直接的に対向している。ただし、第1ミラー部31の空隙S側の表面、及び、第2ミラー部32の空隙S側の表面に、(ミラーを構成しない)電極層、保護層等が形成されていてもよい。この場合、第1ミラー部31と第2ミラー部32とは、それらの層を間に介在させた状態において、空隙Sを介して互いに対向することになる。換言すれば、このような場合であっても、第1ミラー部31と第2ミラー部32との空隙Sを介した対向は実現され得る。 In the first laminated body 22 and the second laminated body 24, a silicon oxide layer may be used instead of the silicon nitride layer. Further, as the material of each layer constituting the first laminated body 22 and the second laminated body 24, titanium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, magnesium fluoride, aluminum oxide, calcium fluoride, silicon, germanium, zinc sulfide and the like are used. It may be used. Further, here, the surface of the first mirror portion 31 on the void S side (the surface of the polysilicon layer 25c) and the surface of the second mirror portion 32 on the void S side (the surface of the polysilicon layer 27a) are the voids S. Directly facing each other via. However, an electrode layer (which does not form a mirror), a protective layer, or the like may be formed on the surface of the first mirror portion 31 on the void S side and the surface of the second mirror portion 32 on the void S side. In this case, the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 face each other with the gap S interposed therebetween, with their layers interposed therebetween. In other words, even in such a case, the facing of the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 via the gap S can be realized.

第2積層体24において空隙Sに対応する部分(第1表面11aに垂直な方向から見た場合に空隙Sと重なる部分)には、複数の貫通孔24bが形成されている。各貫通孔24bは、第2積層体24の中間層23とは反対側の表面24aから空隙Sに至っている。複数の貫通孔24bは、第2ミラー部32の機能に実質的に影響を与えない程度に形成されている。複数の貫通孔24bは、エッチングによって中間層23の一部を除去して空隙Sを形成するために用いられる。 A plurality of through holes 24b are formed in a portion of the second laminated body 24 corresponding to the void S (a portion overlapping the void S when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a). Each through hole 24b reaches the void S from the surface 24a on the side opposite to the intermediate layer 23 of the second laminated body 24. The plurality of through holes 24b are formed to such an extent that they do not substantially affect the function of the second mirror portion 32. The plurality of through holes 24b are used to remove a part of the intermediate layer 23 by etching to form a void S.

第2積層体24は、第2ミラー部32に加えて、被覆部33と、周縁部34と、を更に有している。第2ミラー部32、被覆部33及び周縁部34は、互いに同じ積層構造の一部を有し且つ互いに連続するように、一体的に形成されている。被覆部33は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に第2ミラー部32を囲んでいる。被覆部33は、中間層23の基板11とは反対側の表面23a、並びに、中間層23の側面23b(外側の側面、つまり、空隙S側とは反対側の側面)、第1積層体22の側面22a及び反射防止層21の側面21aを被覆しており、第1表面11aに至っている。すなわち、被覆部33は、中間層23の外縁、第1積層体22の外縁及び反射防止層21の外縁を被覆している。 The second laminated body 24 further has a covering portion 33 and a peripheral portion 34 in addition to the second mirror portion 32. The second mirror portion 32, the covering portion 33, and the peripheral portion 34 have a part of the same laminated structure and are integrally formed so as to be continuous with each other. The covering portion 33 surrounds the second mirror portion 32 when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a. The covering portion 33 includes a surface 23a on the side opposite to the substrate 11 of the intermediate layer 23, a side surface 23b of the intermediate layer 23 (outer side surface, that is, a side surface opposite to the void S side), and a first laminated body 22. 22a and the side surface 21a of the antireflection layer 21 are covered with the first surface 11a. That is, the covering portion 33 covers the outer edge of the intermediate layer 23, the outer edge of the first laminated body 22, and the outer edge of the antireflection layer 21.

周縁部34は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に被覆部33を囲んでいる。周縁部34は、外縁部11cにおける第1表面11a上に位置している。周縁部34の外縁は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に基板11の外縁と一致している。周縁部34は、外縁部11cの外縁に沿って薄化されている。すなわち、周縁部34のうち外縁部11cの外縁に沿う部分は、周縁部34のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。ファブリペロー干渉フィルタ1では、周縁部34は、第2積層体24を構成するポリシリコン層27及び窒化シリコン層28の一部が除去されていることで薄化されている。周縁部34は、被覆部33に連続する非薄化部34aと、非薄化部34aを囲む薄化部34bと、を有している。薄化部34bにおいては、第1表面11a上に直接に設けられたポリシリコン層27a以外のポリシリコン層27及び窒化シリコン層28が除去されている。 The peripheral edge portion 34 surrounds the covering portion 33 when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a. The peripheral edge portion 34 is located on the first surface 11a in the outer edge portion 11c. The outer edge of the peripheral edge portion 34 coincides with the outer edge of the substrate 11 when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a. The peripheral edge portion 34 is thinned along the outer edge of the outer edge portion 11c. That is, the portion of the peripheral edge portion 34 along the outer edge of the outer edge portion 11c is thinner than the portion of the peripheral edge portion 34 excluding the portion along the outer edge. In the Fabry-Perot interference filter 1, the peripheral portion 34 is thinned by removing a part of the polysilicon layer 27 and the silicon nitride layer 28 constituting the second laminated body 24. The peripheral edge portion 34 has a non-thinning portion 34a continuous with the covering portion 33 and a thinning portion 34b surrounding the non-thinning portion 34a. In the thinned portion 34b, the polysilicon layer 27 and the silicon nitride layer 28 other than the polysilicon layer 27a provided directly on the first surface 11a are removed.

第1表面11aから非薄化部34aの基板11とは反対側の表面34cまでの高さは、第1表面11aから中間層23の表面23aまでの高さよりも低い。第1表面11aから非薄化部34aの表面34cまでの高さは、例えば100nm~5000nmである。第1表面11aから中間層23の表面23aまでの高さは、例えば500nm~20000nmである。薄化部34bの幅(第1表面11aに垂直な方向から見た場合における非薄化部34aの外縁と外縁部11cの外縁との間の距離)は、基板11の厚さの0.01倍以上である。薄化部34bの幅は、例えば5μm~400μmである。基板11の厚さは、例えば500μm~800μmである。 The height from the first surface 11a to the surface 34c of the non-thinned portion 34a opposite to the substrate 11 is lower than the height from the first surface 11a to the surface 23a of the intermediate layer 23. The height from the first surface 11a to the surface 34c of the non-thinned portion 34a is, for example, 100 nm to 5000 nm. The height from the first surface 11a to the surface 23a of the intermediate layer 23 is, for example, 500 nm to 20000 nm. The width of the thinned portion 34b (distance between the outer edge of the non-thinned portion 34a and the outer edge of the outer edge portion 11c when viewed from the direction perpendicular to the first surface 11a) is 0.01 of the thickness of the substrate 11. More than double. The width of the thinned portion 34b is, for example, 5 μm to 400 μm. The thickness of the substrate 11 is, for example, 500 μm to 800 μm.

第1ミラー部31には、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に光透過領域1aを囲むように第1電極12が形成されている。第1電極12は、ポリシリコン層25cに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第1ミラー部31には、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に光透過領域1aを含むように第2電極13が形成されている。第2電極13は、ポリシリコン層25cに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。第1表面11aに垂直な方向から見た場合に、第2電極13の大きさは、光透過領域1aの全体を含む大きさであることが好ましいが、光透過領域1aの大きさと略同一であってもよい。 The first electrode 12 is formed on the first mirror portion 31 so as to surround the light transmission region 1a when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a. The first electrode 12 is formed by doping the polysilicon layer 25c with impurities to reduce the resistance. The first mirror portion 31 is formed with a second electrode 13 so as to include a light transmission region 1a when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a. The second electrode 13 is formed by doping the polysilicon layer 25c with impurities to reduce the resistance. When viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a, the size of the second electrode 13 is preferably a size including the entire light transmitting region 1a, but is substantially the same as the size of the light transmitting region 1a. There may be.

第2ミラー部32には、第3電極14が形成されている。第3電極14は、空隙Sを介して第1電極12及び第2電極13と対向している。第3電極14は、ポリシリコン層27aに不純物をドープして低抵抗化することで形成されている。 A third electrode 14 is formed on the second mirror portion 32. The third electrode 14 faces the first electrode 12 and the second electrode 13 via the gap S. The third electrode 14 is formed by doping the polysilicon layer 27a with impurities to reduce the resistance.

一対の端子15は、光透過領域1aを挟んで対向するように設けられている。各端子15は、第2積層体24の表面24aから第1積層体22に至る貫通孔内に配置されている。各端子15は、配線12aを介して第1電極12と電気的に接続されている。各端子15は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。 The pair of terminals 15 are provided so as to face each other with the light transmission region 1a interposed therebetween. Each terminal 15 is arranged in a through hole from the surface 24a of the second laminated body 24 to the first laminated body 22. Each terminal 15 is electrically connected to the first electrode 12 via the wiring 12a. Each terminal 15 is formed of, for example, a metal film such as aluminum or an alloy thereof.

一対の端子16は、光透過領域1aを挟んで対向するように設けられている。各端子16は、第2積層体24の表面24aから第1積層体22に至る貫通孔内に配置されている。各端子16は、配線13aを介して第2電極13と電気的に接続されていると共に、配線14aを介して第3電極14と電気的に接続されている。端子16は、例えば、アルミニウム又はその合金等の金属膜によって形成されている。一対の端子15が対向する方向と一対の端子16が対向する方向とは、直交している(図1参照)。 The pair of terminals 16 are provided so as to face each other with the light transmission region 1a interposed therebetween. Each terminal 16 is arranged in a through hole from the surface 24a of the second laminated body 24 to the first laminated body 22. Each terminal 16 is electrically connected to the second electrode 13 via the wiring 13a and is electrically connected to the third electrode 14 via the wiring 14a. The terminal 16 is formed of, for example, a metal film such as aluminum or an alloy thereof. The direction in which the pair of terminals 15 face each other and the direction in which the pair of terminals 16 face each other are orthogonal to each other (see FIG. 1).

第1積層体22の表面22bには、複数のトレンチ17,18が設けられている。トレンチ17は、配線13aにおける端子16との接続部分を囲むように環状に延在している。トレンチ17は、第1電極12と配線13aとを電気的に絶縁している。トレンチ18は、第1電極12の内縁に沿って環状に延在している。トレンチ18は、第1電極12と第1電極12の内側の領域(第2電極13)とを電気的に絶縁している。各トレンチ17,18内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。 A plurality of trenches 17 and 18 are provided on the surface 22b of the first laminated body 22. The trench 17 extends in an annular shape so as to surround the connection portion of the wiring 13a with the terminal 16. The trench 17 electrically insulates the first electrode 12 and the wiring 13a. The trench 18 extends in an annular shape along the inner edge of the first electrode 12. The trench 18 electrically insulates the first electrode 12 and the region inside the first electrode 12 (second electrode 13). The region in each of the trenches 17 and 18 may be an insulating material or a void.

第2積層体24の表面24aには、トレンチ19が設けられている。トレンチ19は、端子15を囲むように環状に延在している。トレンチ19は、端子15と第3電極14とを電気的に絶縁している。トレンチ19内の領域は、絶縁材料であっても、空隙であってもよい。 A trench 19 is provided on the surface 24a of the second laminated body 24. The trench 19 extends in an annular shape so as to surround the terminal 15. The trench 19 electrically insulates the terminal 15 and the third electrode 14. The region in the trench 19 may be an insulating material or a void.

基板11の第2表面11bには、反射防止層41、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44が、この順序で積層されている。反射防止層41及び中間層43は、それぞれ、反射防止層21及び中間層23と同様の構成を有している。第3積層体42及び第4積層体44は、それぞれ、基板11を基準として第1積層体22及び第2積層体24と対称の積層構造を有している。反射防止層41、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44は、基板11の反りを抑制する機能を有している。 The antireflection layer 41, the third laminated body 42, the intermediate layer 43, and the fourth laminated body 44 are laminated in this order on the second surface 11b of the substrate 11. The antireflection layer 41 and the intermediate layer 43 have the same configurations as the antireflection layer 21 and the intermediate layer 23, respectively. The third laminated body 42 and the fourth laminated body 44 have a laminated structure symmetrical with the first laminated body 22 and the second laminated body 24 with respect to the substrate 11, respectively. The antireflection layer 41, the third laminated body 42, the intermediate layer 43, and the fourth laminated body 44 have a function of suppressing the warp of the substrate 11.

第3積層体42、中間層43及び第4積層体44は、外縁部11cの外縁に沿って薄化されている。すなわち、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44のうち外縁部11cの外縁に沿う部分は、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44のうち外縁に沿う部分を除く他の部分と比べて薄くなっている。ファブリペロー干渉フィルタ1では、第3積層体42、中間層43及び第4積層体44は、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に薄化部34bと重なる部分において第3積層体42、中間層43及び第4積層体44の全部が除去されていることで薄化されている。 The third laminated body 42, the intermediate layer 43, and the fourth laminated body 44 are thinned along the outer edge of the outer edge portion 11c. That is, the portion of the third laminated body 42, the intermediate layer 43, and the fourth laminated body 44 along the outer edge of the outer edge portion 11c is the portion of the third laminated body 42, the intermediate layer 43, and the fourth laminated body 44 along the outer edge. It is thinner than the other parts except. In the Fabry-Perot interference filter 1, the third laminated body 42, the intermediate layer 43, and the fourth laminated body 44 overlap with the thinned portion 34b when viewed from the direction perpendicular to the first surface 11a, and the third laminated body 42. , The intermediate layer 43 and the fourth laminated body 44 are all removed, so that the thickness is reduced.

第3積層体42、中間層43及び第4積層体44には、第1表面11aに垂直な方向から見た場合に光透過領域1aを含むように開口40aが設けられている。開口40aは、光透過領域1aの大きさと略同一の径を有している。開口40aは、光出射側に開口している。開口40aの底面は、反射防止層41に至っている。 The third laminated body 42, the intermediate layer 43, and the fourth laminated body 44 are provided with an opening 40a so as to include a light transmitting region 1a when viewed from a direction perpendicular to the first surface 11a. The opening 40a has a diameter substantially the same as the size of the light transmitting region 1a. The opening 40a is open on the light emitting side. The bottom surface of the opening 40a reaches the antireflection layer 41.

第4積層体44の光出射側の表面には、遮光層45が形成されている。遮光層45は、例えばアルミニウム等からなる。遮光層45の表面及び開口40aの内面には、保護層46が形成されている。保護層46は、第3積層体42、中間層43、第4積層体44及び遮光層45の外縁を被覆すると共に、外縁部11c上の反射防止層41を被覆している。保護層46は、例えば酸化アルミニウムからなる。なお、保護層46の厚さを1~100nm(好ましくは、30nm程度)にすることで、保護層46による光学的な影響を無視することができる。 A light-shielding layer 45 is formed on the surface of the fourth laminated body 44 on the light emitting side. The light-shielding layer 45 is made of, for example, aluminum or the like. A protective layer 46 is formed on the surface of the light-shielding layer 45 and the inner surface of the opening 40a. The protective layer 46 covers the outer edges of the third laminated body 42, the intermediate layer 43, the fourth laminated body 44, and the light-shielding layer 45, and also covers the antireflection layer 41 on the outer edge portion 11c. The protective layer 46 is made of, for example, aluminum oxide. By setting the thickness of the protective layer 46 to 1 to 100 nm (preferably about 30 nm), the optical influence of the protective layer 46 can be ignored.

以上のように構成されたファブリペロー干渉フィルタ1においては、一対の端子15,16を介して第1電極12と第3電極14との間に電圧が印加されると、当該電圧に応じた静電気力が第1電極12と第3電極14との間に発生する。当該静電気力によって、第2ミラー部32が、基板11に固定された第1ミラー部31側に引き付けられ、第1ミラー部31と第2ミラー部32との間の距離が調整される。このように、ファブリペロー干渉フィルタ1では、第1ミラー部31と第2ミラー部32との間の距離が静電気力によって変化する。 In the Fabry-Perot interference filter 1 configured as described above, when a voltage is applied between the first electrode 12 and the third electrode 14 via the pair of terminals 15 and 16, static electricity corresponding to the voltage is applied. A force is generated between the first electrode 12 and the third electrode 14. Due to the electrostatic force, the second mirror portion 32 is attracted to the side of the first mirror portion 31 fixed to the substrate 11, and the distance between the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 is adjusted. As described above, in the Fabry-Perot interference filter 1, the distance between the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 changes due to the electrostatic force.

ファブリペロー干渉フィルタ1を透過する光の波長は、光透過領域1aにおける第1ミラー部31と第2ミラー部32との間の距離に依存する。したがって、第1電極12と第3電極14との間に印加する電圧を調整することで、透過する光の波長を適宜選択することができる。このとき、第2電極13は、第3電極14と同電位である。したがって、第2電極13は、光透過領域1aにおいて第1ミラー部31及び第2ミラー部32を平坦に保つための補償電極として機能する。 The wavelength of light transmitted through the Fabry-Perot interference filter 1 depends on the distance between the first mirror unit 31 and the second mirror unit 32 in the light transmission region 1a. Therefore, by adjusting the voltage applied between the first electrode 12 and the third electrode 14, the wavelength of the transmitted light can be appropriately selected. At this time, the second electrode 13 has the same potential as the third electrode 14. Therefore, the second electrode 13 functions as a compensating electrode for keeping the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 flat in the light transmission region 1a.

ファブリペロー干渉フィルタ1では、例えば、ファブリペロー干渉フィルタ1に印加する電圧を変化させながら(すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ1において第1ミラー部31と第2ミラー部32との間の距離を変化させながら)、ファブリペロー干渉フィルタ1の光透過領域1aを透過した光を光検出器によって検出することで、分光スペクトルを得ることができる。 In the Fabry-Pérot interference filter 1, for example, the distance applied to the Fabry-Pérot interference filter 1 is changed (that is, the distance between the first mirror unit 31 and the second mirror unit 32 in the Fabry-Pérot interference filter 1 is changed. However, a spectroscopic spectrum can be obtained by detecting the light transmitted through the light transmission region 1a of the Fabry-Perot interference filter 1 with a light detector.

図4に示されるように、ダミーフィルタ2は、第2積層体24に複数の貫通孔24bが形成されていない点、及び中間層23に空隙Sが形成されていない点で、上述したファブリペロー干渉フィルタ1と相違している。ダミーフィルタ2では、第1ミラー部31と第2ミラー部32との間に中間層23が設けられている。つまり、第2ミラー部32は、空隙S上に浮いておらず、中間層23の表面23aに配置されている。
[ウェハの構成]
As shown in FIG. 4, the dummy filter 2 has the above-mentioned Fabry-Perot in that a plurality of through holes 24b are not formed in the second laminated body 24 and no void S is formed in the intermediate layer 23. It is different from the interference filter 1. In the dummy filter 2, an intermediate layer 23 is provided between the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32. That is, the second mirror portion 32 is not floating on the gap S and is arranged on the surface 23a of the intermediate layer 23.
[Wafer configuration]

次に、一実施形態のウェハの構成について説明する。図5及び図6に示されるように、ウェハ100は、基板層110を備えている。基板層110は、例えば、円板状の形状を呈しており、その一部にオリエンテーションフラットOFが形成されている。基板層110は、例えば、シリコン、石英又はガラス等からなる。以下、基板層110の厚さ方向から見た場合に基板層110の中心を通り且つオリエンテーションフラットOFに平行な仮想直線を第1直線3といい、基板層110の厚さ方向から見た場合に基板層110の中心を通り且つオリエンテーションフラットOFに垂直な仮想直線を第2直線4という。 Next, the configuration of the wafer of one embodiment will be described. As shown in FIGS. 5 and 6, the wafer 100 includes a substrate layer 110. The substrate layer 110 has, for example, a disk-like shape, and an orientation flat OF is formed in a part thereof. The substrate layer 110 is made of, for example, silicon, quartz, glass, or the like. Hereinafter, a virtual straight line that passes through the center of the substrate layer 110 and is parallel to the orientation flat OF when viewed from the thickness direction of the substrate layer 110 is referred to as a first straight line 3, and is referred to as a first straight line 3 when viewed from the thickness direction of the substrate layer 110. The virtual straight line passing through the center of the substrate layer 110 and perpendicular to the orientation flat OF is called the second straight line 4.

ウェハ100には、有効エリア101及びダミーエリア102が設けられている。ダミーエリア102は、基板層110の外縁110c(すなわち、ウェハ100の外縁100a)に沿ったエリアである。有効エリア101は、ダミーエリア102の内側のエリアである。ダミーエリア102は、基板層110の厚さ方向から見た場合に有効エリア101を囲んでいる。ダミーエリア102は、有効エリア101に隣接している。 The wafer 100 is provided with an effective area 101 and a dummy area 102. The dummy area 102 is an area along the outer edge 110c of the substrate layer 110 (that is, the outer edge 100a of the wafer 100). The effective area 101 is an area inside the dummy area 102. The dummy area 102 surrounds the effective area 101 when viewed from the thickness direction of the substrate layer 110. The dummy area 102 is adjacent to the effective area 101.

有効エリア101には、二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aが設けられている。複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aは、有効エリア101の全体に設けられている。ダミーエリア102には、二次元に配置された複数のダミーフィルタ部2Aが設けられている。複数のダミーフィルタ部2Aは、ダミーエリア102のうち一対のエリア102aを除くエリアに設けられている。一方のエリア102aは、オリエンテーションフラットOFに沿ったエリアである。他方のエリア102aは、基板層110の外縁110cのうちオリエンテーションフラットOFとは反対側の部分に沿ったエリアである。有効エリア101とダミーエリア102との境界部分において、ファブリペロー干渉フィルタ部1Aとダミーフィルタ部2Aとは、隣接している。基板層110の厚さ方向から見た場合に、ファブリペロー干渉フィルタ部1Aの外形とダミーフィルタ部2Aの外形とは、同一である。複数のファブリペロー干渉フィルタ部1A及び複数のダミーフィルタ部2Aは、互いに直交する第1直線3及び第2直線4のそれぞれについて対称となるように、配置されている。なお、複数のダミーフィルタ部2Aは、ダミーエリア102の全体に設けられていてもよい。また、複数のダミーフィルタ部2Aは、ダミーエリア102のうちいずれか一方のエリア102aを除くエリアに設けられていてもよい。 The effective area 101 is provided with a plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A arranged two-dimensionally. The plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A are provided in the entire effective area 101. The dummy area 102 is provided with a plurality of dummy filter units 2A arranged two-dimensionally. The plurality of dummy filter units 2A are provided in an area of the dummy area 102 excluding the pair of areas 102a. One area 102a is an area along the orientation flat OF. The other area 102a is an area along the portion of the outer edge 110c of the substrate layer 110 opposite to the orientation flat OF. At the boundary between the effective area 101 and the dummy area 102, the Fabry-Perot interference filter unit 1A and the dummy filter unit 2A are adjacent to each other. When viewed from the thickness direction of the substrate layer 110, the outer shape of the Fabry-Perot interference filter unit 1A and the outer shape of the dummy filter unit 2A are the same. The plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A and the plurality of dummy filter units 2A are arranged so as to be symmetrical with respect to each of the first straight line 3 and the second straight line 4 orthogonal to each other. The plurality of dummy filter units 2A may be provided in the entire dummy area 102. Further, the plurality of dummy filter units 2A may be provided in an area other than one of the dummy areas 102a.

複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aは、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数のファブリペロー干渉フィルタ1になる予定の部分である。複数のダミーフィルタ部2Aは、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数のダミーフィルタ2になる予定の部分である。基板層110の厚さ方向から見た場合に、複数のライン5は、オリエンテーションフラットOFに平行な方向に沿うように延在しており、複数のライン5は、オリエンテーションフラットOFに垂直な方向に沿うように延在している。一例として、基板層110の厚さ方向から見た場合に各フィルタ部1A,2Aが矩形状を呈するときには、各フィルタ部1A,2Aは、二次元マトリックス状に配置され、複数のライン5は、隣り合うフィルタ部1A,1A間、隣り合うフィルタ部1A,2A間、及び隣り合うフィルタ部2A,2A間を通るように格子状に設定される。 The plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A is a portion where the wafer 100 is cut along each line 5 to become a plurality of Fabry-Perot interference filters 1. The plurality of dummy filter units 2A are portions to be formed into a plurality of dummy filters 2 by cutting the wafer 100 along each line 5. When viewed from the thickness direction of the substrate layer 110, the plurality of lines 5 extend along the direction parallel to the orientation flat OF, and the plurality of lines 5 extend in the direction perpendicular to the orientation flat OF. It extends along the line. As an example, when the filter units 1A and 2A have a rectangular shape when viewed from the thickness direction of the substrate layer 110, the filter units 1A and 2A are arranged in a two-dimensional matrix, and the plurality of lines 5 are arranged. It is set in a grid pattern so as to pass between the adjacent filter units 1A and 1A, between the adjacent filter units 1A and 2A, and between the adjacent filter units 2A and 2A.

図7の(a)は、ファブリペロー干渉フィルタ部1Aの断面図であり、図7の(b)は、ダミーフィルタ部2Aの断面図である。図7の(a)及び(b)に示されるように、基板層110は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の基板11になる予定の層である。基板層110は、互いに対向する第1表面110a及び第2表面110bを有している。基板層110の第1表面110aには、反射防止層210が設けられている。反射防止層210は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の反射防止層21になる予定の層である。基板層110の第2表面110bには、反射防止層410が設けられている。反射防止層410は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の反射防止層41になる予定の層である。 FIG. 7A is a cross-sectional view of the Fabry-Perot interference filter section 1A, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the dummy filter section 2A. As shown in FIGS. 7A and 7B, the substrate layer 110 is a layer that is planned to become a plurality of substrates 11 by cutting the wafer 100 along each line 5. The substrate layer 110 has a first surface 110a and a second surface 110b facing each other. An antireflection layer 210 is provided on the first surface 110a of the substrate layer 110. The antireflection layer 210 is a layer to be formed into a plurality of antireflection layers 21 by cutting the wafer 100 along each line 5. An antireflection layer 410 is provided on the second surface 110b of the substrate layer 110. The antireflection layer 410 is a layer to be formed into a plurality of antireflection layers 41 by cutting the wafer 100 along each line 5.

反射防止層210上には、デバイス層200が設けられている。デバイス層200は、第1ミラー層220と、中間層230と、第2ミラー層240と、を有している。第1ミラー層220は、複数の第1ミラー部31を有する層であって、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の第1積層体22になる予定の層である。複数の第1ミラー部31は、反射防止層210を介して基板層110の第1表面110aに二次元に配置されている。中間層230は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の中間層23になる予定の層である。第2ミラー層240は、複数の第2ミラー部32を有する層であって、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の第2積層体24になる予定の層である。複数の第2ミラー部32は、中間層23を介して第1ミラー層220上に二次元に配置されている。 A device layer 200 is provided on the antireflection layer 210. The device layer 200 includes a first mirror layer 220, an intermediate layer 230, and a second mirror layer 240. The first mirror layer 220 is a layer having a plurality of first mirror portions 31, and is a layer to be formed into a plurality of first laminated bodies 22 by cutting the wafer 100 along each line 5. .. The plurality of first mirror portions 31 are two-dimensionally arranged on the first surface 110a of the substrate layer 110 via the antireflection layer 210. The intermediate layer 230 is a layer to be formed into a plurality of intermediate layers 23 by cutting the wafer 100 along each line 5. The second mirror layer 240 is a layer having a plurality of second mirror portions 32, and is a layer to be formed into a plurality of second laminated bodies 24 by cutting the wafer 100 along each line 5. .. The plurality of second mirror portions 32 are two-dimensionally arranged on the first mirror layer 220 via the intermediate layer 23.

反射防止層410上には、応力調整層400が設けられている。つまり、応力調整層400は、反射防止層410を介して基板層110の第2表面110bに設けられている。応力調整層400は、複数の層420,430,440を有している。層420は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の第3積層体42になる予定の層である。層430は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の中間層43になる予定の層である。層440は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の第4積層体44になる予定の層である。 A stress adjusting layer 400 is provided on the antireflection layer 410. That is, the stress adjusting layer 400 is provided on the second surface 110b of the substrate layer 110 via the antireflection layer 410. The stress adjusting layer 400 has a plurality of layers 420, 430, 440. The layer 420 is a layer to be formed into a plurality of third laminated bodies 42 by cutting the wafer 100 along each line 5. The layer 430 is a layer to be formed into a plurality of intermediate layers 43 by cutting the wafer 100 along each line 5. The layer 440 is a layer to be formed into a plurality of fourth laminated bodies 44 by cutting the wafer 100 along each line 5.

応力調整層400上には、遮光層450及び保護層460が設けられている。遮光層450は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の遮光層45になる予定の層である。保護層460は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、複数の保護層46になる予定の層である。 A light-shielding layer 450 and a protective layer 460 are provided on the stress adjusting layer 400. The light-shielding layer 450 is a layer to be formed into a plurality of light-shielding layers 45 by cutting the wafer 100 along each line 5. The protective layer 460 is a layer to be formed into a plurality of protective layers 46 by cutting the wafer 100 along each line 5.

図7の(a)に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aでは、互いに対向する第1ミラー層220の少なくとも第1ミラー部31を含む部分と第2ミラー層240の少なくとも第2ミラー部32を含む部分との間に空隙Sが形成されている。つまり、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aでは、中間層23が空隙Sを画定しており、第2ミラー部32が空隙S上に浮いている。図1に示されるように、本実施形態では、第1ミラー部31と第2ミラー部32とが互いに対向する方向(以下、単に「対向方向」という)から見た場合に、空隙Sは、光透過領域1aよりも一回り大きい円形領域に形成されている。各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aには、上述したファブリペロー干渉フィルタ1の構成と同様に、第1電極12、第2電極13、第3電極14、複数の端子15,16、及び開口40a等に関する構成が設けられている。したがって、複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aがウェハ100の状態のままであっても、一対の端子15,16を介して各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに電圧が印加されると、互いに対向する第1ミラー部31と第2ミラー部32との間の距離が静電気力によって変化する。 As shown in FIG. 7A, in each Fabry-Perot interference filter unit 1A, a portion including at least the first mirror portion 31 of the first mirror layer 220 facing each other and at least the second mirror of the second mirror layer 240. A gap S is formed between the portion including the portion 32 and the portion including the portion 32. That is, in each Fabry-Perot interference filter unit 1A, the intermediate layer 23 defines the void S, and the second mirror portion 32 floats on the void S. As shown in FIG. 1, in the present embodiment, when the first mirror unit 31 and the second mirror unit 32 are viewed from a direction facing each other (hereinafter, simply referred to as “opposite direction”), the void S is formed. It is formed in a circular region that is one size larger than the light transmission region 1a. Each Fabry-Perot interference filter unit 1A relates to a first electrode 12, a second electrode 13, a third electrode 14, a plurality of terminals 15, 16 and an opening 40a, as in the configuration of the Fabry-Perot interference filter 1 described above. The configuration is provided. Therefore, even if the plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A remain in the state of the wafer 100, when a voltage is applied to each Fabry-Pérot interference filter unit 1A via the pair of terminals 15 and 16, the second Fabry-Perot interference filter unit 1A faces each other. The distance between the 1 mirror portion 31 and the 2nd mirror portion 32 changes due to the electrostatic force.

図7の(b)に示されるように、各ダミーフィルタ部2Aでは、互いに対向する第1ミラー部31と第2ミラー部32との間に中間層23が設けられる。つまり、ダミーフィルタ部2Aでは、中間層23が空隙Sを画定しておらず、第2ミラー部32が中間層23の表面23aに配置されている。したがって、各ダミーフィルタ部2Aには、上述したダミーフィルタ2の構成と同様に、第1電極12、第2電極13、第3電極14、複数の端子15,16、及び開口40a等に関する構成が設けられているものの、互いに対向する第1ミラー部31と第2ミラー部32との間の距離は変化しない。なお、各ダミーフィルタ部2Aには、第1電極12、第2電極13、第3電極14、複数の端子15,16(各端子15,16を構成するアルミニウム等の金属膜、各端子15,16を配置するための貫通孔等)、及び開口40a等に関する構成が設けられていなくてもよい。 As shown in FIG. 7B, in each dummy filter unit 2A, an intermediate layer 23 is provided between the first mirror unit 31 and the second mirror unit 32 facing each other. That is, in the dummy filter portion 2A, the intermediate layer 23 does not define the void S, and the second mirror portion 32 is arranged on the surface 23a of the intermediate layer 23. Therefore, each dummy filter unit 2A has a configuration relating to the first electrode 12, the second electrode 13, the third electrode 14, the plurality of terminals 15, 16 and the opening 40a, as in the configuration of the dummy filter 2 described above. Although provided, the distance between the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 facing each other does not change. The dummy filter unit 2A has a first electrode 12, a second electrode 13, a third electrode 14, and a plurality of terminals 15, 16 (a metal film such as aluminum constituting each terminal 15, 16 and each terminal 15, It is not necessary to provide a structure related to a through hole or the like for arranging the 16), an opening 40a, or the like.

図6及び図7の(a)に示されるように、デバイス層200には、基板層110とは反対側に開口する第1溝290が形成されている。第1溝290は、各ライン5に沿って形成されている。第1溝290は、各ファブリペロー干渉フィルタ部1A及び各ダミーフィルタ部2Aにおいて、第1ミラー部31、中間層23及び第2ミラー部32を囲んでいる。各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aにおいて、第1ミラー部31、中間層23及び第2ミラー部32は、環状に連続する第1溝290によって囲まれている。同様に、各ダミーフィルタ部2Aにおいて、第1ミラー部31、中間層23及び第2ミラー部32は、環状に連続する第1溝290によって囲まれている。隣り合うフィルタ部1A,1A、隣り合うフィルタ部1A,2A、及び隣り合うフィルタ部2A,2Aに着目すると、第1溝290は、一方のフィルタ部の周縁部34及び他方のフィルタ部の周縁部34上の領域に対応している。第1溝290は、有効エリア101及びダミーエリア102において繋がっており、対向方向から見た場合に基板層110の外縁110cに至っている。なお、第1溝290は、各ファブリペロー干渉フィルタ部1A及び各ダミーフィルタ部2Aにおいて、少なくとも第2ミラー部32を囲んでいればよい。 As shown in FIGS. 6 and 7A, the device layer 200 is formed with a first groove 290 that opens on the side opposite to the substrate layer 110. The first groove 290 is formed along each line 5. The first groove 290 surrounds the first mirror unit 31, the intermediate layer 23, and the second mirror unit 32 in each Fabry-Perot interference filter unit 1A and each dummy filter unit 2A. In each Fabry-Perot interference filter unit 1A, the first mirror unit 31, the intermediate layer 23, and the second mirror unit 32 are surrounded by a first groove 290 that is continuous in an annular shape. Similarly, in each dummy filter section 2A, the first mirror section 31, the intermediate layer 23, and the second mirror section 32 are surrounded by a first groove 290 that is continuous in an annular shape. Focusing on the adjacent filter portions 1A and 1A, the adjacent filter portions 1A and 2A, and the adjacent filter portions 2A and 2A, the first groove 290 is the peripheral portion 34 of one filter portion and the peripheral portion of the other filter portion. It corresponds to the area on 34. The first groove 290 is connected in the effective area 101 and the dummy area 102, and reaches the outer edge 110c of the substrate layer 110 when viewed from the opposite direction. The first groove 290 may surround at least the second mirror unit 32 in each Fabry-Perot interference filter unit 1A and each dummy filter unit 2A.

図7の(b)に示されるように、応力調整層400には、基板層110とは反対側に開口する第2溝470が形成されている。第2溝470は、各ライン5に沿って形成されている。つまり、第2溝470は、第1溝290に対応するように形成されている。ここで、第2溝470が第1溝290に対応するとは、対向方向から見た場合に第2溝470が第1溝290と重なること意味する。したがって、第2溝470は、有効エリア101及びダミーエリア102において繋がっており、対向方向から見た場合に基板層110の外縁110cに至っている。
[ウェハの製造方法]
As shown in FIG. 7B, the stress adjusting layer 400 is formed with a second groove 470 that opens on the side opposite to the substrate layer 110. The second groove 470 is formed along each line 5. That is, the second groove 470 is formed so as to correspond to the first groove 290. Here, the fact that the second groove 470 corresponds to the first groove 290 means that the second groove 470 overlaps with the first groove 290 when viewed from the opposite direction. Therefore, the second groove 470 is connected in the effective area 101 and the dummy area 102, and reaches the outer edge 110c of the substrate layer 110 when viewed from the opposite direction.
[Wafer manufacturing method]

次に、ウェハ100の製造方法について、図8~図13を参照して説明する。図8~図13において、(a)は、ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対応する部分の断面図であり、(b)は、ダミーフィルタ部2Aに対応する部分の断面図である。 Next, a method for manufacturing the wafer 100 will be described with reference to FIGS. 8 to 13. 8 to 13, (a) is a cross-sectional view of a portion corresponding to the Fabry-Perot interference filter portion 1A, and (b) is a cross-sectional view of a portion corresponding to the dummy filter portion 2A.

まず、図8に示されるように、基板層110の第1表面110aに反射防止層210を形成すると共に、基板層110の第2表面110bに反射防止層410を形成する。続いて、各反射防止層210,410上に、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することで、反射防止層210上に第1ミラー層220を形成すると共に、反射防止層410上に層420を形成する。 First, as shown in FIG. 8, the antireflection layer 210 is formed on the first surface 110a of the substrate layer 110, and the antireflection layer 410 is formed on the second surface 110b of the substrate layer 110. Subsequently, a plurality of polysilicon layers and a plurality of silicon nitride layers are alternately laminated on the antireflection layers 210 and 410 to form the first mirror layer 220 on the antireflection layer 210 and to prevent reflection. A layer 420 is formed on the layer 410.

第1ミラー層220を形成する際には、エッチングによって、反射防止層210の表面が露出するように、第1ミラー層220のうち各ライン5に沿った部分を除去する。また、不純物ドープによって、第1ミラー層220における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することで、基板11に対応する部分ごとに、第1電極12、第2電極13及び配線12a,13aを形成する。更に、エッチングによって、基板11に対応する部分ごとに、第1ミラー層220の表面にトレンチ17,18を形成する。 When forming the first mirror layer 220, the portion of the first mirror layer 220 along each line 5 is removed so that the surface of the antireflection layer 210 is exposed by etching. Further, by partially reducing the resistance of the predetermined polysilicon layer in the first mirror layer 220 by impurity doping, the first electrode 12, the second electrode 13, and the wiring 12a, for each portion corresponding to the substrate 11. Form 13a. Further, by etching, trenches 17 and 18 are formed on the surface of the first mirror layer 220 for each portion corresponding to the substrate 11.

続いて、図9に示されるように、第1ミラー層220上、及び露出した反射防止層210の表面に、中間層230を形成すると共に、層420上に層430を形成する。各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対応する部分では、中間層230は、空隙S(図3参照)に対応する除去予定部50を含んでいる。続いて、エッチングによって、基板層110の第1表面110aが露出するように、中間層230及び反射防止層210のうち各ライン5に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板11に対応する部分ごとに、中間層230のうち各端子15,16(図3参照)に対応する部分に空隙を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 9, an intermediate layer 230 is formed on the first mirror layer 220 and on the surface of the exposed antireflection layer 210, and a layer 430 is formed on the layer 420. In the portion corresponding to each Fabry-Perot interference filter portion 1A, the intermediate layer 230 includes a planned removal portion 50 corresponding to the void S (see FIG. 3). Subsequently, by etching, the portion of the intermediate layer 230 and the antireflection layer 210 along each line 5 is removed so that the first surface 110a of the substrate layer 110 is exposed. Further, by the etching, a gap is formed in each portion of the intermediate layer 230 corresponding to the terminals 15 and 16 (see FIG. 3) for each portion corresponding to the substrate 11.

続いて、図10に示されるように、基板層110の第1表面110a側及び第2表面110b側のそれぞれにおいて、複数のポリシリコン層及び複数の窒化シリコン層を交互に積層することで、中間層230上、及び露出した基板層110の第1表面110aに、第2ミラー層240を形成すると共に、層430上に層440を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 10, a plurality of polysilicon layers and a plurality of silicon nitride layers are alternately laminated on each of the first surface 110a side and the second surface 110b side of the substrate layer 110, thereby intermediate. A second mirror layer 240 is formed on the layer 230 and on the first surface 110a of the exposed substrate layer 110, and a layer 440 is formed on the layer 430.

第2ミラー層240を形成する際には、ライン5に沿って互いに対向する中間層230の側面230a、第1ミラー層220の側面220a及び反射防止層210の側面210aを、第2ミラー層240で被覆する。また、不純物ドープによって、第2ミラー層240における所定のポリシリコン層を部分的に低抵抗化することで、基板11に対応する部分ごとに、第3電極14及び配線14aを形成する。 When forming the second mirror layer 240, the side surface 230a of the intermediate layer 230 facing each other along the line 5, the side surface 220a of the first mirror layer 220, and the side surface 210a of the antireflection layer 210 are combined with the second mirror layer 240. Cover with. Further, by partially reducing the resistance of the predetermined polysilicon layer in the second mirror layer 240 by impurity doping, the third electrode 14 and the wiring 14a are formed for each portion corresponding to the substrate 11.

続いて、図11に示されるように、エッチングによって、第2ミラー層240が含むポリシリコン層27a(図3参照)(すなわち、最も第1表面110a側に位置するポリシリコン層)の表面が露出するように、第2ミラー層240のうち各ライン5に沿った部分を薄化する。また、当該エッチングによって、基板11に対応する部分ごとに、第2ミラー層240のうち各端子15,16(図3参照)に対応する部分に空隙を形成する。続いて、基板11に対応する部分ごとに、当該空隙に各端子15,16を形成し、各端子15と配線12aとを接続すると共に、各端子16と配線13a及び配線14aのそれぞれとを接続する。 Subsequently, as shown in FIG. 11, the surface of the polysilicon layer 27a (see FIG. 3) (that is, the polysilicon layer located closest to the first surface 110a) included in the second mirror layer 240 is exposed by etching. As such, the portion of the second mirror layer 240 along each line 5 is thinned. Further, by the etching, a gap is formed in each portion of the second mirror layer 240 corresponding to the terminals 15 and 16 (see FIG. 3) for each portion corresponding to the substrate 11. Subsequently, the terminals 15 and 16 are formed in the gap for each portion corresponding to the substrate 11, the terminals 15 and the wiring 12a are connected, and the terminals 16 and the wiring 13a and the wiring 14a are connected respectively. do.

ここまでで、基板層110の第1表面110aに、反射防止層210及びデバイス層200が形成されると共に、デバイス層200に第1溝290が形成される。第1溝290は、デバイス層200が各ライン5に沿って部分的に薄化された領域である。 Up to this point, the antireflection layer 210 and the device layer 200 are formed on the first surface 110a of the substrate layer 110, and the first groove 290 is formed on the device layer 200. The first groove 290 is a region where the device layer 200 is partially thinned along each line 5.

続いて、図12の(a)に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対応する部分では、エッチングによって、第2積層体24の表面24aから除去予定部50に至る複数の貫通孔24bを第2積層体24に形成する。このとき、図12の(b)に示されるように、各ダミーフィルタ部2Aに対応する部分では、複数の貫通孔24bを第2積層体24に形成しない。続いて、図12に示されるように、層440上に遮光層450を形成する。続いて、エッチングによって、反射防止層410の表面が露出するように、遮光層450及び応力調整層400(すなわち、層420,430,440)のうち各ライン5に沿った部分を除去する。また、当該エッチングによって、基板11に対応する部分ごとに、開口40aを形成する。続いて、遮光層450上、露出した反射防止層410の表面、及び開口40aの内面、第2溝470に臨む応力調整層400の側面に、保護層460を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 12A, in the portion corresponding to each Fabry-Pérot interference filter portion 1A, a plurality of through holes extending from the surface 24a of the second laminated body 24 to the planned removal portion 50 by etching. 24b is formed on the second laminated body 24. At this time, as shown in FIG. 12B, a plurality of through holes 24b are not formed in the second laminated body 24 in the portion corresponding to each dummy filter portion 2A. Subsequently, as shown in FIG. 12, a light-shielding layer 450 is formed on the layer 440. Subsequently, by etching, the portion of the light shielding layer 450 and the stress adjusting layer 400 (that is, the layers 420, 430, 440) along each line 5 is removed so that the surface of the antireflection layer 410 is exposed. Further, by the etching, an opening 40a is formed for each portion corresponding to the substrate 11. Subsequently, a protective layer 460 is formed on the light-shielding layer 450, the surface of the exposed antireflection layer 410, the inner surface of the opening 40a, and the side surface of the stress adjusting layer 400 facing the second groove 470.

ここまでで、基板層110の第2表面110bに、反射防止層410、応力調整層400、遮光層450及び保護層460が形成されると共に、応力調整層400に第2溝470が形成される。第2溝470は、応力調整層400が各ライン5に沿って部分的に薄化された領域である。 Up to this point, the antireflection layer 410, the stress adjusting layer 400, the light shielding layer 450 and the protective layer 460 are formed on the second surface 110b of the substrate layer 110, and the second groove 470 is formed on the stress adjusting layer 400. .. The second groove 470 is a region where the stress adjusting layer 400 is partially thinned along each line 5.

続いて、図13の(a)に示されるように、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対応する部分では、複数の貫通孔24bを介したエッチング(例えばフッ酸ガスを用いた気相エッチング)によって、中間層230から複数の除去予定部50を一斉に除去する。これにより、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対応する部分では、基板11に対応する部分ごとに、空隙Sを形成する。このとき、図13の(b)に示されるように、各ダミーフィルタ部2Aに対応する部分では、複数の貫通孔24bが第2積層体24に形成されていないため、中間層230に空隙Sが形成されない。 Subsequently, as shown in FIG. 13 (a), in the portion corresponding to each Fabry-Perot interference filter unit 1A, etching through a plurality of through holes 24b (for example, gas phase etching using hydrofluoric acid gas) is performed. , A plurality of planned removal portions 50 are removed all at once from the intermediate layer 230. As a result, in the portion corresponding to each Fabry-Perot interference filter portion 1A, a gap S is formed for each portion corresponding to the substrate 11. At this time, as shown in FIG. 13B, since the plurality of through holes 24b are not formed in the second laminated body 24 in the portion corresponding to each dummy filter portion 2A, the gap S in the intermediate layer 230. Is not formed.

以上により、有効エリア101においては、図7の(a)に示されるように、互いに対向する第1ミラー部31と第2ミラー部32との間に空隙Sが形成されることで、複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aが構成される。一方、ダミーエリア102においては、図7の(b)に示されるように、互いに対向する第1ミラー部31と第2ミラー部32との間に中間層23が設けられることで、複数のダミーフィルタ部2Aが構成される。
[検査装置及び異物除去方法]
As described above, in the effective area 101, as shown in FIG. 7A, a plurality of gaps S are formed between the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 facing each other. The Fabry-Perot interference filter unit 1A is configured. On the other hand, in the dummy area 102, as shown in FIG. 7B, a plurality of dummies are provided by providing the intermediate layer 23 between the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 facing each other. The filter unit 2A is configured.
[Inspection device and foreign matter removal method]

次に、一実施形態の異物除去方法が実施される検査装置の構成について説明する。図14に示されるように、検査装置500は、ウェハ支持部510と、撮像部520と、ブローノズル530と、電磁弁540と、制御部550と、を備えている。ウェハ支持部510、撮像部520、及びブローノズル530は、箱(図示省略)内に配置されている。ここでは、検査装置500の検査対象は、ウェハ100である。検査装置500は、一例として、ウェハ100(具体的には、ウェハ100の表面)における各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aの外観検査を実施する機能と、外観検査において検出された異物をエアブローによって除去する機能と、を有している。 Next, the configuration of the inspection device in which the foreign matter removing method of one embodiment is implemented will be described. As shown in FIG. 14, the inspection device 500 includes a wafer support unit 510, an image pickup unit 520, a blow nozzle 530, a solenoid valve 540, and a control unit 550. The wafer support unit 510, the image pickup unit 520, and the blow nozzle 530 are arranged in a box (not shown). Here, the inspection target of the inspection device 500 is the wafer 100. As an example, the inspection device 500 has a function of performing an appearance inspection of each Fabry-Perot interference filter unit 1A on the wafer 100 (specifically, the surface of the wafer 100) and removes foreign matter detected in the appearance inspection by air blow. It has a function.

ウェハ支持部510は、ウェハ100の対向方向(すなわち、第1ミラー部31と第2ミラー部32とが互いに対向する方向)が基準線RLに平行となるように、ウェハ100を支持する。ウェハ支持部510は、例えば、基準線RLに垂直な平面に沿って(少なくとも、当該平面に平行であり且つ互いに直交する2方向のそれぞれに沿って)移動可能に構成されたステージである。なお、ウェハ支持部510は、基準線RLに平行なラインを中心線として回転可能に構成されていてもよい。なお、ウェハ支持部510に対する撮像部520の相対移動は、上記のようにウェハ支持部510の移動によって行われてもよいし、撮像部520の移動によって行われてもよいし、ウェハ支持部510及び撮像部520の両方の移動によって行われてもよい。ウェハ支持部510に対するブローノズル530の相対移動についても同様である。 The wafer support portion 510 supports the wafer 100 so that the facing direction of the wafer 100 (that is, the direction in which the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 face each other) is parallel to the reference line RL. The wafer support portion 510 is, for example, a stage configured to be movable along a plane perpendicular to the reference line RL (at least along two directions parallel to the plane and orthogonal to each other). The wafer support portion 510 may be configured to be rotatable with a line parallel to the reference line RL as the center line. The relative movement of the image pickup unit 520 with respect to the wafer support unit 510 may be performed by moving the wafer support unit 510 as described above, by moving the image pickup unit 520, or by moving the wafer support unit 510. And may be done by moving both the imaging unit 520. The same applies to the relative movement of the blow nozzle 530 with respect to the wafer support portion 510.

撮像部520は、ウェハ支持部510によって支持されたウェハ100(具体的には、ウェハ100の表面)を撮像する。撮像部520は、例えば、観察用の光を基準線RLに沿って出射し、ウェハ支持部510によって支持されたウェハ100の表面で反射された光を検出して、撮像データを制御部550に出力するカメラである。撮像部520は、例えば10倍以上の倍率で、ウェハ100における各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aを撮像するように設定される。なお、撮像部520は、基準線RL上に配置されているが、例えば観察用の光の進行方向を変えるミラー部材が基準線RL上に配置されることにより、撮像部520は、基準線RL上とは異なる位置に配置されてもよい。 The image pickup unit 520 images the wafer 100 (specifically, the surface of the wafer 100) supported by the wafer support unit 510. For example, the image pickup unit 520 emits light for observation along the reference line RL, detects the light reflected on the surface of the wafer 100 supported by the wafer support unit 510, and transmits the image pickup data to the control unit 550. It is a camera that outputs. The image pickup unit 520 is set to image each Fabry-Perot interference filter unit 1A on the wafer 100 at a magnification of, for example, 10 times or more. The image pickup unit 520 is arranged on the reference line RL. For example, by arranging a mirror member that changes the traveling direction of the observation light on the reference line RL, the image pickup unit 520 is arranged on the reference line RL. It may be placed in a position different from the above.

ブローノズル530は、撮像データに基づく画像処理によって異物Fが検出されたファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対して、電磁弁540から送り込まれた圧縮エアーを吹き付ける(ブローする)装置である。ブローノズル530は、比較的広い範囲を同時にブローすることが可能なエアーガンタイプのノズルであってもよいし、比較的狭い範囲をピンポイントでブローすることが可能なニードルタイプのノズルであってもよい。また、ブローノズル530により噴射されるエアーは、例えば、ドライエアー、静電気を除去可能な除電エアー、及び窒素(N2)等である。 The blow nozzle 530 is a device that blows (blows) compressed air sent from the solenoid valve 540 to the Fabry-Perot interference filter unit 1A in which foreign matter F is detected by image processing based on image pickup data. The blow nozzle 530 may be an air gun type nozzle capable of blowing a relatively wide range at the same time, or may be a needle type nozzle capable of pinpointing a relatively narrow range. good. The air injected by the blow nozzle 530 is, for example, dry air, static electricity removing air capable of removing static electricity, nitrogen (N2), or the like.

電磁弁540は、図示しない空気タンクに接続されており、制御部550からの制御信号に基づいて、所定の空気圧に圧縮された圧縮エアーのブローノズル530への流通のON/OFFを切り替える。 The solenoid valve 540 is connected to an air tank (not shown), and switches ON / OFF of the distribution of compressed air compressed to a predetermined air pressure to the blow nozzle 530 based on a control signal from the control unit 550.

制御部550は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部550では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれた所定のソフトウェア(プログラム)を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み等を制御することで、各種の機能が実現される。例えば、制御部550は、各部(ウェハ支持部510、撮像部520、ブローノズル530、及び電磁弁540)の動作を制御することで、後述する異物除去方法を実現する。 The control unit 550 is configured as a computer device including a processor, a memory, a storage, a communication device, and the like. In the control unit 550, various functions are realized by the processor executing predetermined software (program) read into the memory or the like and controlling reading and writing of data in the memory and the storage. For example, the control unit 550 realizes a foreign matter removing method described later by controlling the operation of each unit (wafer support unit 510, image pickup unit 520, blow nozzle 530, and solenoid valve 540).

以上のように構成された検査装置500では、制御部550によって各部の動作が制御されることで、以下のように、異物除去方法が実施される。まず、検査対象であるウェハ100が用意され、ウェハ支持部510によって支持される。このとき、ウェハ100は、対向方向が基準線RLに平行となるようにウェハ支持部510によって支持される。 In the inspection device 500 configured as described above, the operation of each unit is controlled by the control unit 550, so that the foreign matter removing method is implemented as follows. First, the wafer 100 to be inspected is prepared and supported by the wafer support portion 510. At this time, the wafer 100 is supported by the wafer support portion 510 so that the facing direction is parallel to the reference line RL.

続いて、ウェハ支持部510によって支持されたウェハ100における複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aのそれぞれの外観検査が実行される。具体的には、撮像部520によって撮像された画像(撮像データ)に基づいて、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aの第2ミラー層240の第1ミラー層220とは反対側の表面(ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで、表面24aになる部分)に付着した異物が検出される。上記の異物検出は、例えば以下のように実行される。まず、ウェハ支持部510によって支持されたウェハ100が撮像部520によって撮像される。撮像部520によって撮像された撮像データは、制御部550に出力される。制御部550は、撮像部520の位置及び撮像データに対する画像処理を実行し、当該画像処理の結果に基づいて、撮像部520によって撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部1Aの表面の外観異常(異物)を検出する。制御部550は、例えば、撮像部520によって撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部1Aと、予め記憶しているパターン画像(外観異常のないファブリペロー干渉フィルタ部の画像)とを比較することにより、撮像されたファブリペロー干渉フィルタ部1Aの表面に付着した異物を検出する。制御部550は、検出された異物の位置(或いは領域)を示す情報(例えば、座標情報(或いは座標の範囲によって一定の領域を示す情報))を記憶する。 Subsequently, the appearance inspection of each of the plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A in the wafer 100 supported by the wafer support unit 510 is executed. Specifically, based on the image (imaging data) captured by the imaging unit 520, the surface of the second mirror layer 240 of each Fabry-Perot interference filter unit 1A opposite to the first mirror layer 220 (the wafer 100 is By cutting along each line 5, foreign matter adhering to the surface 24a) is detected. The above-mentioned foreign matter detection is executed, for example, as follows. First, the wafer 100 supported by the wafer support unit 510 is imaged by the image pickup unit 520. The image pickup data captured by the image pickup unit 520 is output to the control unit 550. The control unit 550 executes image processing on the position of the image pickup unit 520 and the image pickup data, and based on the result of the image processing, the appearance abnormality (foreign matter) on the surface of the Fabry-Perot interference filter unit 1A imaged by the image pickup unit 520. Is detected. The control unit 550 captures images by, for example, comparing the Fabry-Pérot interference filter unit 1A imaged by the image pickup unit 520 with a pattern image (an image of the Fabry-Pérot interference filter unit having no appearance abnormality) stored in advance. The foreign matter adhering to the surface of the Fabry-Perot interference filter unit 1A is detected. The control unit 550 stores information indicating the position (or region) of the detected foreign matter (for example, coordinate information (or information indicating a certain region depending on the range of coordinates)).

制御部550は、上述のような画像処理(本実施形態では、パターン画像との比較)を実行する代わりに、検査装置500が備えるディスプレイ(不図示)に撮像データを表示し、異物の有無をオペレータに目視で確認させてもよい。目視確認によって異物が発見された場合、オペレータは、例えば、検査装置500が備えるキーボード等の入力装置(不図示)を用いて、撮像データにおける異物に対応する領域を指定する。この場合、制御部550は、オペレータによって指定された領域を示す情報を記憶すればよい。 Instead of executing the image processing as described above (comparison with the pattern image in this embodiment), the control unit 550 displays the image pickup data on the display (not shown) provided in the inspection device 500 to check for the presence or absence of foreign matter. The operator may be allowed to visually confirm. When a foreign substance is found by visual confirmation, the operator uses, for example, an input device (not shown) such as a keyboard included in the inspection device 500 to specify a region corresponding to the foreign substance in the imaging data. In this case, the control unit 550 may store information indicating an area designated by the operator.

続いて、制御部550は、検出された異物Fを除去するために、ブローノズル530及び電磁弁540の動作を制御する。 Subsequently, the control unit 550 controls the operation of the blow nozzle 530 and the solenoid valve 540 in order to remove the detected foreign matter F.

まず、制御部550は、検出された異物Fの位置に基づいて、ブローノズル530の位置を調整する。すなわち、制御部550は、ブローノズル530から排出されるエアーの気流ピークの位置を調整する。気流ピークとは、エアーの流速が最も大きい部分である。本実施形態では、ブローノズル530の先端部530aから、ブローノズル530の延在方向に平行な方向Dに沿ってエアーが排出される。この場合、気流ピークの位置は、ブローノズル530の先端部530aから方向Dに沿った直線上の位置となる。本実施形態では、制御部550は、ブローノズル530から排出されるエアーの気流ピークの位置が、異物Fの位置に合うように調整される。具体的には、制御部550は、ブローノズル530の先端部530aから方向Dに沿った直線上の位置に異物Fが重なるように、ブローノズル530の位置及び姿勢を制御する。 First, the control unit 550 adjusts the position of the blow nozzle 530 based on the position of the detected foreign matter F. That is, the control unit 550 adjusts the position of the airflow peak of the air discharged from the blow nozzle 530. The airflow peak is the part where the air flow velocity is the highest. In the present embodiment, air is discharged from the tip portion 530a of the blow nozzle 530 along the direction D parallel to the extending direction of the blow nozzle 530. In this case, the position of the airflow peak is a position on a straight line along the direction D from the tip portion 530a of the blow nozzle 530. In the present embodiment, the control unit 550 adjusts the position of the airflow peak of the air discharged from the blow nozzle 530 so as to match the position of the foreign matter F. Specifically, the control unit 550 controls the position and posture of the blow nozzle 530 so that the foreign matter F overlaps the position on a straight line along the direction D from the tip portion 530a of the blow nozzle 530.

続いて、制御部550は、電磁弁540の開閉動作を制御し、所定の空気圧の圧縮エアーを所定時間ブローノズル530に送り込ませる。これにより、ブローノズル530の先端部530aからエアーが排出され、当該エアーによって異物Fを吹き飛ばすことによって異物Fを除去することができる。 Subsequently, the control unit 550 controls the opening / closing operation of the solenoid valve 540, and causes compressed air having a predetermined air pressure to be sent to the blow nozzle 530 for a predetermined time. As a result, air is discharged from the tip portion 530a of the blow nozzle 530, and the foreign matter F can be removed by blowing off the foreign matter F with the air.

なお、制御部550は、気流ピークの位置をあえて異物Fに重ならない位置に調整してもよい。例えば、異物Fがファブリペロー干渉フィルタ部1Aの第2ミラー層240のうち、対向方向から見て空隙Sと重なる部分(以下、単に「メンブレン部」という)上に存在する場合、制御部550は、メンブレン部上の異物Fが存在しない領域(複数の貫通孔24bが形成された領域)にエアーが吹き付けられるように、ブローノズル530の位置及び姿勢を制御してもよい。この場合、第2ミラー層240の表面に吹き付けられたエアーを、複数の貫通孔24bを介して空隙S内に侵入させることができる。空隙S内に侵入したエアーは、空隙S内に新たに侵入してくるエアーによって押し出されるようにして、空隙S内に新たに侵入してくるエアーが流通する貫通孔24bとは異なる貫通孔24bを介して第2ミラー層240の表面側へと排出される。このようにして空隙Sから外側に排出されるエアーによって、第2ミラー層240の表面に付着した異物Fを吹き上げることができる。 The control unit 550 may intentionally adjust the position of the airflow peak to a position where it does not overlap with the foreign matter F. For example, when the foreign matter F is present on the portion of the second mirror layer 240 of the Fabry-Perot interference filter unit 1A that overlaps with the void S when viewed from the opposite direction (hereinafter, simply referred to as “membrane portion”), the control unit 550 may be used. The position and posture of the blow nozzle 530 may be controlled so that air is blown to the region on the membrane portion where the foreign matter F does not exist (the region where the plurality of through holes 24b are formed). In this case, the air blown onto the surface of the second mirror layer 240 can enter the void S through the plurality of through holes 24b. The air that has entered the void S is pushed out by the air that newly enters the void S, so that the through hole 24b is different from the through hole 24b through which the air that newly enters the void S flows. It is discharged to the surface side of the second mirror layer 240 via the above. The foreign matter F adhering to the surface of the second mirror layer 240 can be blown up by the air discharged to the outside from the void S in this way.

ここで、ブローノズル530が上述したエアーガンタイプのノズルである場合、異物Fの周辺(例えば、異物Fが付着しているファブリペロー干渉フィルタ部1Aの表面)だけでなく、その周辺(異物Fが付着しているファブリペロー干渉フィルタ部1A以外のファブリペロー干渉フィルタ部1Aを含むウェハ100上の領域)についても、同じタイミングでブローすることができる。このため、エアーによって異物Fをウェハ100から比較的遠い位置に吹き飛ばすことができ、ウェハ100上の他のファブリペロー干渉フィルタ部1Aの表面上に異物Fが再付着するおそれを低減できる。 Here, when the blow nozzle 530 is the above-mentioned air gun type nozzle, not only the periphery of the foreign matter F (for example, the surface of the Fabry-Perot interference filter portion 1A to which the foreign matter F is attached) but also the periphery thereof (foreign matter F is present). The area on the wafer 100 including the Fabry-Pérot interference filter unit 1A other than the attached Fabry-Pérot interference filter unit 1A) can also be blown at the same timing. Therefore, the foreign matter F can be blown off to a position relatively far from the wafer 100 by the air, and the possibility that the foreign matter F reattaches to the surface of the other Fabry-Perot interference filter portion 1A on the wafer 100 can be reduced.

一方、ブローノズル530が上述したニードルタイプのノズルである場合、異物F又は異物Fの周辺(例えば、異物Fが付着しているファブリペロー干渉フィルタ部1Aの表面)だけをピンポイントでブローすることが可能となる。この場合、例えば電磁弁540の動作異常が発生し、ブロー条件が極端に変化してしまう(例えば突発的にエアーが高圧になってしまう)ことがあったとしても、影響範囲を限定的にすることができるため、ウェハ100全体に対する被害を最小限にすることができる。 On the other hand, when the blow nozzle 530 is the needle type nozzle described above, only the foreign matter F or the periphery of the foreign matter F (for example, the surface of the Fabry-Perot interference filter portion 1A to which the foreign matter F is attached) is blown pinpointly. Is possible. In this case, even if the solenoid valve 540 malfunctions and the blow conditions change drastically (for example, the air suddenly becomes high pressure), the range of influence is limited. Therefore, damage to the entire wafer 100 can be minimized.

次に、図15及び図16を参照して、本発明者らが行ったエアブロー前後のファブリペロー干渉フィルタの特性評価の結果について説明する。当該特性評価は、ファブリペロー干渉フィルタのメンブレン部に対して上述したブローノズル530によるエアブローを通常の異物除去に必要な量よりも過剰に行い、エアブロー前後のファブリペロー干渉フィルタの特性を比較することにより行われた。なお、当該特性評価は、ウェハ100が各ライン5に沿って切断されることで得られた個片化されたファブリペロー干渉フィルタ1に対して実施されたが、ウェハ100におけるファブリペロー干渉フィルタ部1Aにエアブローを行う場合も同様の結果が得られると考えられる。 Next, with reference to FIGS. 15 and 16, the results of the characteristic evaluation of the Fabry-Perot interference filter before and after the air blow performed by the present inventors will be described. The characteristic evaluation is to compare the characteristics of the Fabry-Pérot interference filter before and after the air blow by performing air blow by the blow nozzle 530 described above on the membrane portion of the Fabry-Pérot interference filter in excess of the amount required for normal foreign matter removal. Made by. The characteristic evaluation was performed on the individualized Fabry-Perot interference filter 1 obtained by cutting the wafer 100 along each line 5, but the Fabry-Pérot interference filter unit in the wafer 100. It is considered that the same result can be obtained when the air blow is performed on 1A.

主な測定条件及び実施手順は以下の通りである。
<測定条件>
・ブローノズルのタイプ:ニードルタイプ
・ブローノズルのシリンジ容量:10ml
・ブローノズルから排出されるエアーの圧力:0.5MPa
・ブロー時間:1ms
・ブローノズルの先端(ニードル先端)とファブリペロー干渉フィルタのメンブレン部表面との距離:1cm以下
<実験手順>
1.常温環境下において、サンプル(ファブリペロー干渉フィルタ1)を特性評価用の装置のステージにセットした。
2.エアブロー前の特性(フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長、及びピーク透過波長に対する波長分解能)を測定した。
3.サンプルを取り外し、当該サンプルに対して上記測定条件に基づくエアブローを実施した。
4.常温環境下において、サンプルを再度ステージにセットした。
5.エアブロー後の特性(フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長、及びピーク透過波長に対する波長分解能)を測定した。
The main measurement conditions and implementation procedures are as follows.
<Measurement conditions>
・ Blow nozzle type: Needle type ・ Blow nozzle syringe capacity: 10 ml
・ Pressure of air discharged from blow nozzle: 0.5MPa
・ Blow time: 1ms
-Distance between the tip of the blow nozzle (tip of the needle) and the surface of the membrane of the Fabry-Perot interference filter: 1 cm or less <Experimental procedure>
1. 1. The sample (Fabry-Pérot interference filter 1) was set on the stage of the device for character evaluation under a normal temperature environment.
2. 2. The characteristics before air blow (peak transmission wavelength with respect to the filter control voltage and wavelength resolution with respect to the peak transmission wavelength) were measured.
3. 3. The sample was removed, and air blow was performed on the sample based on the above measurement conditions.
4. The sample was set on the stage again in a normal temperature environment.
5. The characteristics after air blow (peak transmission wavelength with respect to the filter control voltage and wavelength resolution with respect to the peak transmission wavelength) were measured.

図15は、フィルタ制御電圧(すなわち、第1電極12と第3電極14との間の電圧)に対するピーク透過波長(光透過領域1aを最も透過し易い波長)の関係を示している。図15に示されるように、エアブロー前後で、ピーク透過波長の最大ずれ量(絶対値)は0.9nm程度であった。このずれ量の原因は、エアブローを行うためにサンプルをステージから1度取り外していること、及び測定環境による誤差等に起因する可能性が高いと考えられる。したがって、当該ずれ量は、許容レベルの誤差であり、エアブローがファブリペロー干渉フィルタの特性(フィルタ制御電圧に対するピーク透過波長の関係)に与える影響は、ほとんどなかったと考えられる。 FIG. 15 shows the relationship of the peak transmission wavelength (the wavelength most easily transmitted through the light transmission region 1a) with respect to the filter control voltage (that is, the voltage between the first electrode 12 and the third electrode 14). As shown in FIG. 15, the maximum deviation amount (absolute value) of the peak transmission wavelength was about 0.9 nm before and after the air blow. It is highly probable that the cause of this deviation amount is that the sample has been removed from the stage once for air blow, and that there is an error due to the measurement environment. Therefore, it is considered that the deviation amount is an error of an allowable level, and the air blow has almost no effect on the characteristics of the Fabry-Perot interference filter (relationship of the peak transmission wavelength with respect to the filter control voltage).

図16は、ピーク透過波長に対する波長分解能(FWHM)の関係を示している。図16に示されるように、エアブロー前後で、同じピーク透過波長での波長分解能の差分は、最大でも0.3nm程度であった。すなわち、ファブリペロー干渉フィルタのメンブレン部に対するエアブローによって、ファブリペロー干渉フィルタの特性(ピーク透過波長に対する波長分解能の関係)はほとんど変化しないこと(十分許容可能な誤差の範囲に収まること)が確認された。
[ファブリペロー干渉フィルタの製造方法]
FIG. 16 shows the relationship of wavelength resolution (FWHM) with respect to the peak transmission wavelength. As shown in FIG. 16, the difference in wavelength resolution at the same peak transmission wavelength before and after the air blow was about 0.3 nm at the maximum. That is, it was confirmed that the characteristics of the Fabry-Pérot interference filter (relationship of wavelength resolution with respect to the peak transmission wavelength) hardly change (within a sufficiently acceptable error range) by air blow to the membrane portion of the Fabry-Pérot interference filter. ..
[Manufacturing method of Fabry-Perot interference filter]

次に、ウェハ100からファブリペロー干渉フィルタ1を切り出す方法(ファブリペロー干渉フィルタ1の製造方法)について、図17及び図18を参照して説明する。図17及び図18において、(a)は、ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対応する部分の断面図であり、(b)は、ダミーフィルタ部2Aに対応する部分の断面図である。 Next, a method of cutting out the Fabry-Pérot interference filter 1 from the wafer 100 (a method of manufacturing the Fabry-Pérot interference filter 1) will be described with reference to FIGS. 17 and 18. 17 and 18, FIG. 17A is a cross-sectional view of a portion corresponding to the Fabry-Perot interference filter portion 1A, and FIG. 18B is a cross-sectional view of a portion corresponding to the dummy filter portion 2A.

まず、図17に示されるように、保護層460上に(すなわち、第2表面110b側に)エキスパンドテープ60を貼り付ける。続いて、第2表面110b側にエキスパンドテープ60が貼り付けられた状態で、エキスパンドテープ60とは反対側からレーザ光Lを照射し、レーザ光Lの集光点を基板層110の内部に位置させつつ、レーザ光Lの集光点を各ライン5に沿って相対的に移動させる。つまり、エキスパンドテープ60とは反対側から、第1溝290において露出したポリシリコン層の表面を介して、基板層110にレーザ光Lを入射させる。 First, as shown in FIG. 17, the expanding tape 60 is attached on the protective layer 460 (that is, on the side of the second surface 110b). Subsequently, with the expand tape 60 attached to the second surface 110b side, the laser beam L is irradiated from the side opposite to the expand tape 60, and the condensing point of the laser beam L is positioned inside the substrate layer 110. The focusing point of the laser beam L is relatively moved along each line 5. That is, the laser beam L is incident on the substrate layer 110 from the side opposite to the expanded tape 60 via the surface of the polysilicon layer exposed in the first groove 290.

そして、このレーザ光Lの照射によって、各ライン5に沿って基板層110の内部に改質領域7を形成する。改質領域7は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域であって、基板層110の厚さ方向に伸展する亀裂の起点となる領域である。改質領域7としては、例えば、溶融処理領域(一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも何れか一つを意味する)、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域7としては、基板層110の材料において改質領域7の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域等がある。基板層110の材料が単結晶シリコンである場合、改質領域7は、高転位密度領域ともいえる。なお、各ライン5に対して基板層110の厚さ方向に配列される改質領域7の列数は、基板層110の厚さによって適宜調整される。 Then, by the irradiation of the laser beam L, the modified region 7 is formed inside the substrate layer 110 along each line 5. The modified region 7 is a region in which the density, refractive index, mechanical strength, and other physical properties are different from those of the surroundings, and is a region that is a starting point of a crack extending in the thickness direction of the substrate layer 110. Is. The modified region 7 includes, for example, a melting treatment region (meaning at least one of a region once melted and then resolidified, a region in a molten state, and a region in a state of being resolidified from melting) and a crack region. , Dielectric breakdown region, refractive index change region, etc., and there is also a region where these are mixed. Further, the modified region 7 includes a region in which the density of the modified region 7 is changed in comparison with the density of the non-modified region in the material of the substrate layer 110, a region in which lattice defects are formed, and the like. When the material of the substrate layer 110 is single crystal silicon, the modified region 7 can be said to be a high dislocation density region. The number of rows of the modified regions 7 arranged in the thickness direction of the substrate layer 110 for each line 5 is appropriately adjusted according to the thickness of the substrate layer 110.

続いて、図18に示されるように、第2表面110b側に貼り付けられたエキスパンドテープ60を拡張させることで、基板層110の内部に形成された改質領域7から基板層110の厚さ方向に亀裂を伸展させ、各ライン5に沿って基板層110を複数の基板11に切断する。このとき、第1溝290において第2ミラー層240のポリシリコン層が各ライン5に沿って切断されると共に、第2溝470において反射防止層410及び保護層460が各ライン5に沿って切断される。これにより、エキスパンドテープ60上において互いに離間した状態にある複数のファブリペロー干渉フィルタ1及び複数のダミーフィルタ2を得る。
[第1実施形態の光検出装置の構成]
Subsequently, as shown in FIG. 18, by expanding the expand tape 60 attached to the second surface 110b side, the thickness of the substrate layer 110 from the modified region 7 formed inside the substrate layer 110 is increased. The crack is extended in the direction, and the substrate layer 110 is cut into a plurality of substrates 11 along each line 5. At this time, the polysilicon layer of the second mirror layer 240 is cut along each line 5 in the first groove 290, and the antireflection layer 410 and the protective layer 460 are cut along each line 5 in the second groove 470. Will be done. As a result, a plurality of Fabry-Perot interference filters 1 and a plurality of dummy filters 2 that are separated from each other on the expand tape 60 are obtained.
[Structure of the photodetector of the first embodiment]

次に、ファブリペロー干渉フィルタ1を備えた第1実施形態の光検出装置10の構成について説明する。図19に示されるように、光検出装置10は、パッケージ71を備えている。パッケージ71は、ステム72と、キャップ73と、を有するCANパッケージである。キャップ73は、側壁74及び天壁75によって一体的に構成されている。ステム72及びキャップ73は、金属材料によって形成されており、互いに気密に接合されている。金属材料によって形成されたパッケージ71において、側壁74の形状は、ライン9を中心線とする円筒状である。ステム72及び天壁75は、ライン9に平行な方向において互いに対向しており、側壁74の両端をそれぞれ塞いでいる。 Next, the configuration of the photodetector 10 of the first embodiment including the Fabry-Perot interference filter 1 will be described. As shown in FIG. 19, the photodetector 10 includes a package 71. Package 71 is a CAN package having a stem 72 and a cap 73. The cap 73 is integrally composed of a side wall 74 and a top wall 75. The stem 72 and the cap 73 are made of a metal material and are airtightly joined to each other. In the package 71 made of a metal material, the shape of the side wall 74 is a cylinder with the line 9 as the center line. The stem 72 and the top wall 75 face each other in a direction parallel to the line 9, and close both ends of the side wall 74, respectively.

ステム72の内面72aには、配線基板76が固定されている。配線基板76の基板材料としては、例えば、シリコン、セラミック、石英、ガラス、プラスチック等を用いることができる。配線基板76には、光検出器(光検出部)77、及びサーミスタ等の温度検出器(図示省略)が実装されている。光検出器77は、ライン9上に配置されている。より具体的には、光検出器77は、その受光部の中心線がライン9に一致するように配置されている。光検出器77は、例えば、InGaAs等が用いられた量子型センサ、サーモパイル又はボロメータ等が用いられた熱型センサ等の赤外線検出器である。紫外、可視、近赤外の各波長域の光を検出する場合には、光検出器77として、例えば、シリコンフォトダイオード等を用いることができる。なお、光検出器77には、1つの受光部が設けられていてもよいし、或いは、複数の受光部がアレイ状に設けられていてもよい。更に、複数の光検出器77が配線基板76に実装されていてもよい。温度検出器は、ファブリペロー干渉フィルタ1の温度変化検出できるように、例えばファブリペロー干渉フィルタ1に近接した位置に配置されてもよい。 A wiring board 76 is fixed to the inner surface 72a of the stem 72. As the substrate material of the wiring board 76, for example, silicon, ceramic, quartz, glass, plastic or the like can be used. A photodetector (photodetector) 77 and a temperature detector (not shown) such as a thermistor are mounted on the wiring board 76. The photodetector 77 is arranged on the line 9. More specifically, the photodetector 77 is arranged so that the center line of the light receiving portion coincides with the line 9. The photodetector 77 is an infrared detector such as a quantum sensor using InGaAs or the like, a thermal sensor using a thermopile or a bolometer, or the like. When detecting light in each wavelength range of ultraviolet, visible, and near-infrared, for example, a silicon photodiode or the like can be used as the photodetector 77. The photodetector 77 may be provided with one light receiving unit, or may be provided with a plurality of light receiving units in an array. Further, a plurality of photodetectors 77 may be mounted on the wiring board 76. The temperature detector may be arranged, for example, at a position close to the Fabry-Perot interference filter 1 so that the temperature change of the Fabry-Perot interference filter 1 can be detected.

配線基板76上には、複数のスペーサ78が固定されている。各スペーサ78の材料としては、例えば、シリコン、セラミック、石英、ガラス、プラスチック等を用いることができる。複数のスペーサ78上には、ファブリペロー干渉フィルタ1が例えば接着剤によって固定されている。ファブリペロー干渉フィルタ1は、ライン9上に配置されている。より具体的には、ファブリペロー干渉フィルタ1は、光透過領域1aの中心線がライン9に一致するように配置されている。なお、スペーサ78は、配線基板76に一体的に構成されていてもよい。また、ファブリペロー干渉フィルタ1は、複数のスペーサ78によってではなく、1つのスペーサ78によって支持されていてもよい。 A plurality of spacers 78 are fixed on the wiring board 76. As the material of each spacer 78, for example, silicon, ceramic, quartz, glass, plastic or the like can be used. The Fabry-Perot interference filter 1 is fixed on the plurality of spacers 78 by, for example, an adhesive. The Fabry-Perot interference filter 1 is arranged on the line 9. More specifically, the Fabry-Perot interference filter 1 is arranged so that the center line of the light transmission region 1a coincides with the line 9. The spacer 78 may be integrally configured with the wiring board 76. Further, the Fabry-Perot interference filter 1 may be supported by one spacer 78 instead of a plurality of spacers 78.

ステム72には、複数のリードピン81が固定されている。より具体的には、各リードピン81は、ステム72との間の電気的な絶縁性及び気密性が維持された状態で、ステム72を貫通している。各リードピン81には、配線基板76に設けられた電極パッド、光検出器77の端子、温度検出器の端子、及びファブリペロー干渉フィルタ1の端子のそれぞれが、ワイヤ82によって電気的に接続されている。なお、光検出器77、温度検出器及びファブリペロー干渉フィルタ1は、配線基板76を介して各リードピン81に電気的に接続されていてもよい。例えば、それぞれの端子と配線基板76に設けられた電極パッドとが電気的に接続され、電極パッドと各リードピン81とがワイヤ82によって接続されていてもよい。これにより、光検出器77、温度検出器、及びファブリペロー干渉フィルタ1のそれぞれに対する電気信号の入出力等が可能である。 A plurality of lead pins 81 are fixed to the stem 72. More specifically, each lead pin 81 penetrates the stem 72 while maintaining electrical insulation and airtightness with the stem 72. Each of the electrode pad provided on the wiring board 76, the terminal of the photodetector 77, the terminal of the temperature detector, and the terminal of the fabric perow interference filter 1 are electrically connected to each lead pin 81 by a wire 82. There is. The photodetector 77, the temperature detector, and the Fabry-Perot interference filter 1 may be electrically connected to each lead pin 81 via the wiring board 76. For example, each terminal and the electrode pad provided on the wiring board 76 may be electrically connected, and the electrode pad and each lead pin 81 may be connected by a wire 82. As a result, it is possible to input / output an electric signal to each of the photodetector 77, the temperature detector, and the Fabry-Perot interference filter 1.

パッケージ71には、開口71aが形成されている。より具体的には、開口71aは、その中心線がライン9に一致するようにキャップ73の天壁75に形成されている。ライン9に平行な方向から見た場合に、開口71aの形状は、円形状である。天壁75の内面75aには、開口71aを塞ぐように光透過部材83が配置されている。光透過部材83は、天壁75の内面75aに気密接合されている。光透過部材83は、ライン9に平行な方向において互いに対向する光入射面83a及び光出射面(内面)83b、並びに側面83cを有している。光透過部材83の光入射面83aは、開口71aにおいて天壁75の外面と略面一となっている。光透過部材83の側面83cは、パッケージ71の側壁74の内面74aに接触している。つまり、光透過部材83は、開口71a内及び側壁74の内面74aに至っている。このような光透過部材83は、開口71aを下側にした状態でキャップ73の内側にガラスペレットを配置し、そのガラスペレットを溶融させることで、形成される。つまり、光透過部材83は、融着ガラスによって形成されている。 An opening 71a is formed in the package 71. More specifically, the opening 71a is formed on the top wall 75 of the cap 73 so that its center line coincides with the line 9. When viewed from a direction parallel to the line 9, the shape of the opening 71a is a circular shape. A light transmitting member 83 is arranged on the inner surface 75a of the top wall 75 so as to close the opening 71a. The light transmitting member 83 is airtightly joined to the inner surface 75a of the top wall 75. The light transmitting member 83 has a light incident surface 83a, a light emitting surface (inner surface) 83b, and a side surface 83c facing each other in a direction parallel to the line 9. The light incident surface 83a of the light transmitting member 83 is substantially flush with the outer surface of the top wall 75 at the opening 71a. The side surface 83c of the light transmitting member 83 is in contact with the inner surface 74a of the side wall 74 of the package 71. That is, the light transmitting member 83 reaches the inside of the opening 71a and the inner surface 74a of the side wall 74. Such a light transmitting member 83 is formed by arranging glass pellets inside the cap 73 with the opening 71a facing down and melting the glass pellets. That is, the light transmitting member 83 is formed of fused glass.

光透過部材83の光出射面83bには、接着部材85によって、バンドパスフィルタ84が固定されている。つまり、接着部材85は、天壁75の内面75aに接合された光透過部材83を介して、天壁75の内面75aに対してバンドパスフィルタ84を固定している。バンドパスフィルタ84は、光透過部材83を透過した光のうち、光検出装置10の測定波長範囲の光(所定の波長範囲の光であって、ファブリペロー干渉フィルタ1の光透過領域1aに入射させるべき光)を選択的に透過させる(すなわち、当該波長範囲の光のみを透過させる)。バンドパスフィルタ84の形状は、四角形板状である。より具体的には、バンドパスフィルタ84は、ライン9と平行な方向において互いに対向する光入射面84a及び光出射面84b、並びに4つの側面84cを有している。バンドパスフィルタ84は、光透過性材料(例えば、シリコン、ガラス等)によって四角形板状に形成された光透過部材の表面に、誘電体多層膜(例えば、TiO、Ta等の高屈折材料と、SiO、MgF等の低屈折材料との組合せからなる多層膜)が形成されたものである。 A bandpass filter 84 is fixed to the light emitting surface 83b of the light transmitting member 83 by an adhesive member 85. That is, the adhesive member 85 fixes the bandpass filter 84 to the inner surface 75a of the top wall 75 via the light transmitting member 83 joined to the inner surface 75a of the top wall 75. The bandpass filter 84 is light in the measurement wavelength range of the light detection device 10 (light in a predetermined wavelength range among the light transmitted through the light transmission member 83, and is incident on the light transmission region 1a of the fabric perot interference filter 1. It selectively transmits light to be transmitted (that is, transmits only light in the wavelength range). The shape of the bandpass filter 84 is a quadrangular plate. More specifically, the bandpass filter 84 has a light incident surface 84a and a light emitting surface 84b facing each other in a direction parallel to the line 9, and four side surfaces 84c. The bandpass filter 84 has a height of a dielectric multilayer film (for example, TiO 2 , Ta 2 O 5 or the like) on the surface of a light transmitting member formed in a rectangular plate shape by a light transmitting material (for example, silicon, glass, etc.). A multilayer film composed of a combination of a refracting material and a low refraction material such as SiO 2 and MgF 2 ) is formed.

接着部材85は、バンドパスフィルタ84の光入射面84aの全領域に配置された第1部分85aを有している。つまり、第1部分85aは、接着部材85のうち、互いに対向する光透過部材83の光出射面83bとバンドパスフィルタ84の光入射面84aとの間に配置された部分である。更に、接着部材85は、ライン9に平行な方向から見た場合にバンドパスフィルタ84の外縁から外側に突出した第2部分85bを有している。第2部分85bは、側壁74の内面74aに至っており、側壁74の内面74aに接触している。また、第2部分85bは、バンドパスフィルタ84の側面84cに接触している。 The adhesive member 85 has a first portion 85a arranged in the entire region of the light incident surface 84a of the bandpass filter 84. That is, the first portion 85a is a portion of the adhesive member 85 arranged between the light emitting surface 83b of the light transmitting members 83 facing each other and the light incident surface 84a of the bandpass filter 84. Further, the adhesive member 85 has a second portion 85b protruding outward from the outer edge of the bandpass filter 84 when viewed from a direction parallel to the line 9. The second portion 85b reaches the inner surface 74a of the side wall 74 and is in contact with the inner surface 74a of the side wall 74. Further, the second portion 85b is in contact with the side surface 84c of the bandpass filter 84.

以上のように構成された光検出装置10においては、外部から、開口71a、光透過部材83及び接着部材85を介して、光がバンドパスフィルタ84に入射すると、所定の波長範囲の光が選択的に透過させられる。バンドパスフィルタ84を透過した光がファブリペロー干渉フィルタ1の光透過領域1aに入射すると、所定の波長範囲の光のうち所定の波長の光が選択的に透過させられる。ファブリペロー干渉フィルタ1の光透過領域1aを透過した光は、光検出器77の受光部に入射して、光検出器77によって検出される。すなわち、光検出器77は、ファブリペロー干渉フィルタ1を透過した光を電気信号に変換して出力する。例えば、光検出器77は、受光部に入射される光の強度に応じた大きさの電気信号を出力する。
[第1実施形態の光検出装置の製造方法]
In the photodetector 10 configured as described above, when light is incident on the bandpass filter 84 from the outside through the opening 71a, the light transmitting member 83, and the adhesive member 85, light in a predetermined wavelength range is selected. Is transparent. When the light transmitted through the bandpass filter 84 is incident on the light transmission region 1a of the Fabry-Perot interference filter 1, the light having a predetermined wavelength is selectively transmitted from the light in a predetermined wavelength range. The light transmitted through the light transmission region 1a of the Fabry-Perot interference filter 1 enters the light receiving portion of the photodetector 77 and is detected by the photodetector 77. That is, the photodetector 77 converts the light transmitted through the Fabry-Perot interference filter 1 into an electric signal and outputs it. For example, the photodetector 77 outputs an electric signal having a magnitude corresponding to the intensity of the light incident on the light receiving unit.
[Manufacturing method of the photodetector of the first embodiment]

次に、光検出装置10の製造方法について説明する。図20に示されるように、まず、ファブリペロー干渉フィルタ1及び光検出器77が固定されたステム72が用意される。具体的には、キャップ73が取り付けられる直前の状態の光検出装置10の一部が用意される。例えば、一又は複数の上記ステム72が、上述した外観検査及びエアブローを行うためのステージ(不図示)に載置される。 Next, a method of manufacturing the photodetector 10 will be described. As shown in FIG. 20, first, a stem 72 to which the Fabry-Perot interference filter 1 and the photodetector 77 are fixed is prepared. Specifically, a part of the photodetector 10 in the state immediately before the cap 73 is attached is prepared. For example, one or more of the stems 72 are mounted on a stage (not shown) for performing the visual inspection and air blow described above.

続いて、上述した検査装置500による外観検査と同様の手法により、ステム72に対して固定されたファブリペロー干渉フィルタ1の第2積層体24の第1積層体22とは反対側の表面24aに付着した異物Fを検出する。続いて、上述した検査装置500によるエアブローと同様の手法により、検出された異物Fの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体24の表面24aに吹き付ける。これにより、第2積層体24の表面24aから異物Fが除去される。続いて、上述のようにして異物Fが除去された後に、ファブリペロー干渉フィルタ1及び光検出器77が固定されたステム72にキャップ73が接合される。以上により、図19に示される光検出装置10が得られる。なお、ステージ上に複数の上記ステム72が載置される場合、上述したように広範囲にブロー可能なエアーガンタイプのノズルを用いることにより、複数のステム72に固定された複数のファブリペロー干渉フィルタ1に対して、一斉にエアブローを行うことができる。また、上述したエアブローを、ファブリペロー干渉フィルタ1の第2積層体24の表面24a以外の部分も対象として行うことにより、表面24aに付着した異物Fを当該表面24aから除去すると共に、当該異物Fをパッケージ外へと排出することが好ましい。
[第2実施形態の光検出装置の構成]
Subsequently, by the same method as the visual inspection by the inspection device 500 described above, the surface 24a of the second laminated body 24 of the Fabry-Perot interference filter 1 fixed to the stem 72 on the opposite side of the first laminated body 22. The attached foreign matter F is detected. Subsequently, air whose airflow peak position is adjusted based on the detected position of the foreign matter F is blown onto the surface 24a of the second laminated body 24 by the same method as the air blow by the inspection device 500 described above. As a result, the foreign matter F is removed from the surface 24a of the second laminated body 24. Subsequently, after the foreign matter F is removed as described above, the cap 73 is joined to the stem 72 to which the Fabry-Perot interference filter 1 and the photodetector 77 are fixed. As a result, the photodetector 10 shown in FIG. 19 is obtained. When a plurality of the above stems 72 are mounted on the stage, a plurality of Fabry-Perot interference filters 1 fixed to the plurality of stems 72 by using an air gun type nozzle capable of blowing over a wide range as described above. However, air blow can be performed all at once. Further, by performing the above-mentioned air blow on a portion other than the surface 24a of the second laminated body 24 of the Fabry-Perot interference filter 1, the foreign matter F adhering to the surface 24a is removed from the surface 24a and the foreign matter F is removed. Is preferably discharged out of the package.
[Structure of the photodetector of the second embodiment]

次に、図21及び図22を参照して、ファブリペロー干渉フィルタ1を備えた第2実施形態の光検出装置10Aの構成について説明する。図22においては、後述する蓋基板94等が省略されている。図21及び図22に示されるように、光検出装置10Aは、SMD(Surface Mount Device)として構成されている点で、上述した光検出装置10と異なっている。光検出装置10Aは、光検出器91、温度補償用素子(図示省略)及びファブリペロー干渉フィルタ1を収容するSMDパッケージ92を備えている。SMDパッケージ92は、ファブリペロー干渉フィルタ1及び光検出器91を支持する支持体93と、支持体93に接合される蓋基板94と、を有している。支持体93は、第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d及び第5基板93eを有している。 Next, with reference to FIGS. 21 and 22, the configuration of the photodetector 10A of the second embodiment including the Fabry-Perot interference filter 1 will be described. In FIG. 22, the lid substrate 94 and the like, which will be described later, are omitted. As shown in FIGS. 21 and 22, the photodetector 10A differs from the above-mentioned photodetector 10 in that it is configured as an SMD (Surface Mount Device). The photodetector 10A includes a photodetector 91, a temperature compensating element (not shown), and an SMD package 92 containing a fabric perot interference filter 1. The SMD package 92 has a support 93 that supports the Fabry-Perot interference filter 1 and the photodetector 91, and a lid substrate 94 that is joined to the support 93. The support 93 has a first substrate 93a, a second substrate 93b, a third substrate 93c, a fourth substrate 93d, and a fifth substrate 93e.

第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d、第5基板93e及び蓋基板94は、この順で積層されている。第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d及び第5基板93eのそれぞれの中央部には、開口が設けられている。これらの基板の積層方向(方向A)から見た場合に、第3基板93cの開口は、第2基板93bの開口を含んでいる。方向Aから見た場合に、第4基板93dの開口は、第3基板93cの開口を含んでいる。方向Aから見た場合に、第5基板93eの開口は、第4基板93dの開口を含んでいる。これにより、第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c及び第4基板93dのそれぞれの表面の一部は、第5基板93eの開口に露出している。 The first substrate 93a, the second substrate 93b, the third substrate 93c, the fourth substrate 93d, the fifth substrate 93e, and the lid substrate 94 are laminated in this order. An opening is provided in the central portion of each of the second substrate 93b, the third substrate 93c, the fourth substrate 93d, and the fifth substrate 93e. When viewed from the stacking direction (direction A) of these substrates, the opening of the third substrate 93c includes the opening of the second substrate 93b. When viewed from the direction A, the opening of the fourth substrate 93d includes the opening of the third substrate 93c. When viewed from the direction A, the opening of the fifth substrate 93e includes the opening of the fourth substrate 93d. As a result, a part of the surface of each of the first substrate 93a, the second substrate 93b, the third substrate 93c, and the fourth substrate 93d is exposed to the opening of the fifth substrate 93e.

露出した第1基板93aの表面には、光検出器91及び温度補償用素子(図示省略)が実装されている。第1基板93aの裏面には、複数の電極パッド(図示省略)が設けられている。光検出器91の各端子、及び温度補償用素子の各端子は、第1基板93aに設けられた配線によって、又は、ワイヤ95及び各基板93a,93bに設けられた配線によって、電極パッドと電気的に接続されている。 A photodetector 91 and a temperature compensation element (not shown) are mounted on the surface of the exposed first substrate 93a. A plurality of electrode pads (not shown) are provided on the back surface of the first substrate 93a. Each terminal of the photodetector 91 and each terminal of the temperature compensating element are electrically connected to the electrode pad by the wiring provided on the first substrate 93a or by the wiring provided on the wire 95 and the substrates 93a and 93b. Is connected.

露出した第3基板93cの表面には、ファブリペロー干渉フィルタ1が接着部材96によって固定されている。ファブリペロー干渉フィルタ1の各端子15、16の上面は、第4基板93dの上面と同等の高さにある。第4基板93dの上面には、電極パッドと電気的に接続されたパッドが設けられており、各端子15、16は、ワイヤ95によって第4基板93dの上面のパッドと接続されている。ファブリペロー干渉フィルタ1の各端子15,16は、ワイヤ95及び各基板93a,93b,93c,93dに設けられた配線によって、電極パッドと電気的に接続されている。第3基板93cは、第1基板93a及び第2基板93b上においてファブリペロー干渉フィルタ1を支持する支持部材として機能している。 A Fabry-Perot interference filter 1 is fixed to the surface of the exposed third substrate 93c by an adhesive member 96. The upper surfaces of the terminals 15 and 16 of the Fabry-Perot interference filter 1 are at the same height as the upper surface of the fourth substrate 93d. A pad electrically connected to the electrode pad is provided on the upper surface of the fourth substrate 93d, and the terminals 15 and 16 are connected to the pad on the upper surface of the fourth substrate 93d by a wire 95. The terminals 15 and 16 of the Fabry-Perot interference filter 1 are electrically connected to the electrode pads by the wires provided on the wires 95 and the substrates 93a, 93b, 93c, 93d. The third substrate 93c functions as a support member for supporting the Fabry-Perot interference filter 1 on the first substrate 93a and the second substrate 93b.

第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d及び第5基板93eの材料としては、例えば、セラミック、樹脂等を用いることができる。特に、ファブリペロー干渉フィルタ1と第3基板93cとの間における熱膨張係数の差を緩和するために、第3基板93cの材料は、ファブリペロー干渉フィルタ1の材料と比較して、熱膨張係数が同等であることが好ましい。 As the material of the first substrate 93a, the second substrate 93b, the third substrate 93c, the fourth substrate 93d, and the fifth substrate 93e, for example, ceramics, resins, and the like can be used. In particular, in order to reduce the difference in the coefficient of thermal expansion between the fabric perlow interference filter 1 and the third substrate 93c, the material of the third substrate 93c has a coefficient of thermal expansion as compared with the material of the fabric perow interference filter 1. Is preferably equivalent.

ファブリペロー干渉フィルタ1と第3基板93cとを接着する接着部材96の材料としては、可撓性を有する樹脂材料(例えば、シリコーン系、ウレタン系、エポキシ系、アクリル系、ハイブリッド等の樹脂材料であって、導電性であっても或いは非導電性であってもよい)を用いることができる。その樹脂材料としては、ヤング率が1000MPa未満の材料から選択されることが好ましく、ヤング率が10MPa未満の材料から選択されることがより好ましい。また、その樹脂材料としては、ガラス転移温度が光検出装置10Aの使用環境温度から外れた材料から選択されることが好ましい。例えば、接着部材96の材料として、シリコーン系の樹脂材料を含む接着剤を用いれば、硬化後のヤング率は、10MPa未満となり、ガラス転移温度は、使用環境温度(例えば、5~40℃程度)よりも低い-50~-40℃程度となる。 The material of the adhesive member 96 for adhering the fabric perow interference filter 1 and the third substrate 93c is a flexible resin material (for example, a resin material such as silicone-based, urethane-based, epoxy-based, acrylic-based, or hybrid). Therefore, it may be conductive or non-conductive). The resin material is preferably selected from materials having a Young's modulus of less than 1000 MPa, and more preferably selected from materials having a Young's modulus of less than 10 MPa. Further, it is preferable that the resin material is selected from materials whose glass transition temperature deviates from the operating environment temperature of the photodetector 10A. For example, if an adhesive containing a silicone-based resin material is used as the material of the adhesive member 96, the Young's modulus after curing is less than 10 MPa, and the glass transition temperature is the operating environment temperature (for example, about 5 to 40 ° C.). It will be about -50 to -40 ° C, which is lower than that.

ここで、ファブリペロー干渉フィルタ1と第3基板93cとを接着する接着部材96の弾性率は、第3基板93cの弾性率よりも小さい。また、接着部材96の弾性率は、第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d、第5基板93e及び蓋基板94を互いに接着する接着部材(図示省略)の弾性率よりも小さい。例えば、第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d、第5基板93e及び蓋基板94を互いに接着する接着部材の材料として、エポキシ系の樹脂材料を含む接着剤を用いれば、硬化後のヤング率は、100MPa以上となる。 Here, the elastic modulus of the adhesive member 96 for adhering the fabric perow interference filter 1 and the third substrate 93c is smaller than the elastic modulus of the third substrate 93c. The elastic modulus of the adhesive member 96 is the elasticity of the adhesive member (not shown) that adheres the first substrate 93a, the second substrate 93b, the third substrate 93c, the fourth substrate 93d, the fifth substrate 93e, and the lid substrate 94 to each other. Less than the rate. For example, an adhesive containing an epoxy-based resin material can be used as a material for an adhesive member that adheres the first substrate 93a, the second substrate 93b, the third substrate 93c, the fourth substrate 93d, the fifth substrate 93e, and the lid substrate 94 to each other. If used, the Young rate after curing will be 100 MPa or more.

蓋基板94は、光透過基板94a及び遮光層94bを有している。光透過基板94aは、第5基板93e上に接着部材(図示省略)によって固定されている。光透過基板94aの材料としては、光検出装置10Aの測定波長範囲に対応した材料(例えば、ガラス、シリコン、ゲルマニウム等)を用いることができる。遮光層94bは、光透過基板94aの表面に形成されている。遮光層94bの材料としては、遮光材料又は光吸収材料(例えば、アルミニウム等の金属、酸化クロム等の金属酸化物、黒色樹脂等)を用いることができる。遮光層94bには、開口94cが設けられている。光透過領域1aと開口94cとは、方向Aにおいて互いに対向している。なお、遮光層94bは、光透過基板94aの裏面に形成されていてもよい。また、光透過基板94aの表面及び裏面の少なくとも一方に、光反射防止層が形成されていてもよい。また、光透過基板94aとして、測定波長範囲の光のみを透過させるバンドパスフィルタが用いられていてもよい。 The lid substrate 94 has a light transmitting substrate 94a and a light shielding layer 94b. The light transmitting substrate 94a is fixed on the fifth substrate 93e by an adhesive member (not shown). As the material of the light transmission substrate 94a, a material corresponding to the measurement wavelength range of the light detection device 10A (for example, glass, silicon, germanium, etc.) can be used. The light-shielding layer 94b is formed on the surface of the light-transmitting substrate 94a. As the material of the light-shielding layer 94b, a light-shielding material or a light-absorbing material (for example, a metal such as aluminum, a metal oxide such as chromium oxide, a black resin, or the like) can be used. The light-shielding layer 94b is provided with an opening 94c. The light transmission region 1a and the opening 94c face each other in the direction A. The light-shielding layer 94b may be formed on the back surface of the light-transmitting substrate 94a. Further, a light reflection antireflection layer may be formed on at least one of the front surface and the back surface of the light transmission substrate 94a. Further, as the light transmission substrate 94a, a bandpass filter that transmits only light in the measurement wavelength range may be used.

以上のように構成された光検出装置10Aにおいては、外部から開口94c及び光透過基板94aを介してファブリペロー干渉フィルタ1の光透過領域1aに光が入射すると、光透過領域1aにおける第1ミラー部31(図3参照)と第2ミラー部32(図3参照)との距離に応じて、所定の波長を有する光が選択的に透過させられる。第1ミラー部31及び第2ミラー部32を透過した光は、光検出器91の受光部91aに入射して、光検出器91によって検出される。光検出装置10Aでは、ファブリペロー干渉フィルタ1に印加する電圧を変化させながら(すなわち、第1ミラー部31と第2ミラー部32との距離を変化させながら)、第1ミラー部31及び第2ミラー部32を透過した光を光検出器91で検出することで、分光スペクトルを得ることができる。
[第2実施形態の光検出装置の製造方法]
In the light detection device 10A configured as described above, when light is incident on the light transmission region 1a of the Fabry-Perot interference filter 1 from the outside through the opening 94c and the light transmission substrate 94a, the first mirror in the light transmission region 1a Light having a predetermined wavelength is selectively transmitted according to the distance between the unit 31 (see FIG. 3) and the second mirror unit 32 (see FIG. 3). The light transmitted through the first mirror unit 31 and the second mirror unit 32 enters the light receiving unit 91a of the photodetector 91 and is detected by the photodetector 91. In the light detection device 10A, the first mirror unit 31 and the second mirror unit 31 and the second mirror unit 31 are changed while the voltage applied to the Fabry-Perot interference filter 1 is changed (that is, the distance between the first mirror unit 31 and the second mirror unit 32 is changed). A spectroscopic spectrum can be obtained by detecting the light transmitted through the mirror unit 32 with the light detector 91.
[Manufacturing method of the photodetector of the second embodiment]

次に、光検出装置10Aの製造方法について説明する。図23に示されるように、まず、一次元又は二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタ1と、複数のファブリペロー干渉フィルタ1に対応して設けられた複数の光検出器91と、複数のファブリペロー干渉フィルタ1及び複数の光検出器91を支持する支持層930と、が用意される。支持層930は、切断ラインL1に沿って切断されることで、それぞれ複数の第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d及び第5基板93eになる予定の層である第1基板層930a、第2基板層930b、第3基板層930c、第4基板層930d及び第5基板層930eを有している。 Next, a method of manufacturing the photodetector 10A will be described. As shown in FIG. 23, first, a plurality of Fabry-Perot interference filters 1 arranged one-dimensionally or two-dimensionally, a plurality of optical detectors 91 provided corresponding to the plurality of Fabry-Perot interference filters 1, and a plurality of optical detectors 91. A plurality of Fabry-Perot interference filters 1 and a support layer 930 for supporting the plurality of optical detectors 91 are prepared. The support layer 930 is a layer to be cut along the cutting line L1 to become a plurality of first substrate 93a, second substrate 93b, third substrate 93c, fourth substrate 93d, and fifth substrate 93e, respectively. It has a first substrate layer 930a, a second substrate layer 930b, a third substrate layer 930c, a fourth substrate layer 930d, and a fifth substrate layer 930e.

続いて、上述した検査装置500による外観検査と同様の手法により、支持層930に支持された複数のファブリペロー干渉フィルタ1の各々について、第2積層体24の第1積層体22とは反対側の表面24aに付着した異物Fを検出する。続いて、上述した検査装置500によるエアブローと同様の手法により、検出された異物Fの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体24の表面24aに吹き付ける。これにより、異物Fが検出されたファブリペロー干渉フィルタ1の第2積層体24の表面24aから異物Fが除去される。 Subsequently, for each of the plurality of Fabry-Perot interference filters 1 supported by the support layer 930 by the same method as the visual inspection by the inspection device 500 described above, the side opposite to the first laminated body 22 of the second laminated body 24. Foreign matter F adhering to the surface 24a of the above is detected. Subsequently, air whose airflow peak position is adjusted based on the detected position of the foreign matter F is blown onto the surface 24a of the second laminated body 24 by the same method as the air blow by the inspection device 500 described above. As a result, the foreign matter F is removed from the surface 24a of the second laminated body 24 of the Fabry-Perot interference filter 1 in which the foreign matter F is detected.

続いて、上述のようにして支持層930に支持された複数のファブリペロー干渉フィルタ1の各々から異物Fが除去された後に、図24に示されるように、複数のファブリペロー干渉フィルタ1に対応するように複数の開口94cが形成された蓋基板層940を支持層930(ここでは、第5基板層930eの上面)に接合する。具体的には、蓋基板層940は、方向Aにおいて複数の開口94cの各々が複数のファブリペロー干渉フィルタ1の各々に対向するように、支持層930に接合される。蓋基板層940は、切断ラインL1に沿って切断されることで、複数の蓋基板94になる予定の層である。蓋基板層940は、光透過基板層940a及び遮光層940bを有している。光透過基板層940aは、蓋基板層940が切断ラインL1に沿って切断されることで、複数の光透過基板94aになる予定の層である。遮光層940bは、蓋基板層940が切断ラインL1に沿って切断されることで、複数の遮光層94bになる予定の層である。上述のような蓋基板層940が支持層930に接合されることにより、切断ラインL1において一次元又は二次元に連結された複数の光検出装置10Aが得られる。 Subsequently, after the foreign matter F is removed from each of the plurality of Fabry-Perot interference filters 1 supported by the support layer 930 as described above, it corresponds to the plurality of Fabry-Perot interference filters 1 as shown in FIG. The lid substrate layer 940 in which the plurality of openings 94c are formed is joined to the support layer 930 (here, the upper surface of the fifth substrate layer 930e). Specifically, the lid substrate layer 940 is joined to the support layer 930 so that each of the plurality of openings 94c faces each of the plurality of Fabry-Perot interference filters 1 in the direction A. The lid substrate layer 940 is a layer to be cut along the cutting line L1 to become a plurality of lid substrates 94. The lid substrate layer 940 has a light transmitting substrate layer 940a and a light shielding layer 940b. The light transmitting substrate layer 940a is a layer to be formed into a plurality of light transmitting substrates 94a by cutting the lid substrate layer 940 along the cutting line L1. The light-shielding layer 940b is a layer to be formed into a plurality of light-shielding layers 94b by cutting the lid substrate layer 940 along the cutting line L1. By joining the lid substrate layer 940 to the support layer 930 as described above, a plurality of photodetectors 10A connected one-dimensionally or two-dimensionally in the cutting line L1 can be obtained.

続いて、切断ラインL1に沿って、蓋基板層940と支持層930とが接合された部分を切断する。これにより、個々の光検出装置10A(図21及び図22参照)が得られる。
[異物除去方法及び光検出装置の製造方法による作用及び効果]
Subsequently, the portion where the lid substrate layer 940 and the support layer 930 are joined is cut along the cutting line L1. This gives the individual photodetectors 10A (see FIGS. 21 and 22).
[Actions and effects of foreign matter removal method and manufacturing method of photodetector]

上述した異物除去方法は、ファブリペロー干渉フィルタ1を用意する工程と、第2積層体24の第1積層体22とは反対側の表面24aに付着した異物Fを検出する工程と、検出された異物Fの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体24の表面24aに吹き付けることにより、第2積層体24の表面24aから異物Fを除去する工程と、を含む。なお、ウェハ100に対してエアブローを行う場合には、ファブリペロー干渉フィルタ1、第1積層体22、及び第2積層体24は、ファブリペロー干渉フィルタ部1A、第1ミラー層220、及び第2ミラー層240とそれぞれ読み替えられる。 The above-mentioned foreign matter removing method was detected as a step of preparing a fabric perow interference filter 1 and a step of detecting foreign matter F adhering to the surface 24a of the second laminated body 24 opposite to the first laminated body 22. This includes a step of removing the foreign matter F from the surface 24a of the second laminated body 24 by blowing air whose position of the airflow peak is adjusted based on the position of the foreign matter F onto the surface 24a of the second laminated body 24. When air blowing is performed on the wafer 100, the Fabry-Perot interference filter 1, the first laminated body 22, and the second laminated body 24 are provided with the Fabry-Pérot interference filter unit 1A, the first mirror layer 220, and the second laminated body 24. It can be read as the mirror layer 240, respectively.

上記の異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ1の第2積層体24の表面24aに付着した異物Fを検出し、エアーの吹き付けによって当該異物Fを除去することができる。エアーの気流ピークの位置は、検出された異物Fの位置に基づいて調整されているため、当該エアーの吹き付けによって異物Fを適切に除去することができる。以上により、上記の異物除去方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ1に付着した異物Fを効果的に除去することができ、ファブリペロー干渉フィルタ1を歩留まり良く得ることができる。 According to the above-mentioned foreign matter removing method, the foreign matter F adhering to the surface 24a of the second laminated body 24 of the Fabry-Perot interference filter 1 can be detected, and the foreign matter F can be removed by blowing air. Since the position of the air flow peak of the air is adjusted based on the position of the detected foreign matter F, the foreign matter F can be appropriately removed by blowing the air. As described above, according to the above-mentioned foreign matter removing method, the foreign matter F adhering to the Fabry-Perot interference filter 1 can be effectively removed, and the Fabry-Perot interference filter 1 can be obtained with a good yield.

ここで、ファブリペロー干渉フィルタ1では、互いに対向する第1積層体22の少なくとも第1ミラー部31を含む部分と第2積層体24の少なくとも第2ミラー部32を含む部分との間に空隙Sが形成されている。すなわち、第2積層体24のうち対向方向から見て空隙Sと重なる部分(メンブレン部)は、いわゆるメンブレン構造を有しており、比較的脆弱な部分となっている。このため、従来、メンブレン部に負荷となる応力を生じさせ、メンブレン部の変形又は破損等が懸念される方式による異物除去は試みられておらず、異物Fが付着したファブリペロー干渉フィルタ1は、不良品として扱われることが多かった。しかし、本発明者らの鋭意研究の結果、エアーを吹き付ける方式であれば、メンブレン部に応力を生じさせる方法であるにもかかわらず、ファブリペロー干渉フィルタ1の特性に大きな影響を与えることなく、異物Fを除去することが可能であることが確認された。 Here, in the Fabry-Perot interference filter 1, a gap S is provided between a portion of the first laminated body 22 facing each other including at least the first mirror portion 31 and a portion of the second laminated body 24 including at least the second mirror portion 32. Is formed. That is, the portion (membrane portion) of the second laminated body 24 that overlaps with the void S when viewed from the opposite direction has a so-called membrane structure and is a relatively fragile portion. For this reason, conventionally, no attempt has been made to remove foreign matter by a method in which a stress that is a load is generated on the membrane portion and there is a concern that the membrane portion may be deformed or damaged. It was often treated as a defective product. However, as a result of diligent research by the present inventors, the method of blowing air does not significantly affect the characteristics of the Fabry-Perot interference filter 1, although it is a method of generating stress in the membrane portion. It was confirmed that the foreign matter F can be removed.

また、異物Fを除去する工程において、気流ピークの位置は、異物Fの位置に合うように調整される。この場合、気流ピーク(すなわち、エアーの流速が最も大きい部分)が異物Fに直接当たることにより、異物Fをより確実に除去することができる。 Further, in the step of removing the foreign matter F, the position of the airflow peak is adjusted so as to match the position of the foreign matter F. In this case, the foreign matter F can be removed more reliably by directly hitting the foreign matter F with the airflow peak (that is, the portion where the air flow velocity is the largest).

また、第2積層体24のうち、第1ミラー部31と第2ミラー部32とが互いに対向する方向から見て空隙と重なる部分(メンブレン部)には、第2積層体24の表面24aから空隙Sに至る複数の貫通孔24bが形成されており、異物Fを除去する工程において、少なくとも第2積層体24の表面24aのうち複数の貫通孔24bが形成された領域にエアーを吹き付ける。この場合、第2積層体24の表面24aに吹き付けられたエアーを、複数の貫通孔24bを介して空隙S内に侵入させることができる。空隙S内に侵入したエアーは、空隙S内に新たに侵入してくるエアーによって押し出されるようにして、空隙S内に新たに侵入してくるエアーが流通する貫通孔24bとは異なる貫通孔24bを介して第2積層体24の表面24a側へと排出される。このようにして空隙Sから外側に排出されるエアーによって、第2積層体24の表面24aに付着した異物Fを吹き上げることができる。これにより、ファブリペロー干渉フィルタ1に付着した異物Fをより一層効果的に除去することができる。 Further, in the second laminated body 24, the portion (membrane portion) where the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 overlap with the voids when viewed from the directions facing each other is from the surface 24a of the second laminated body 24. A plurality of through holes 24b leading to the void S are formed, and in the step of removing the foreign matter F, air is blown to at least the region of the surface 24a of the second laminated body 24 where the plurality of through holes 24b are formed. In this case, the air blown to the surface 24a of the second laminated body 24 can be allowed to enter the void S through the plurality of through holes 24b. The air that has entered the void S is pushed out by the air that newly enters the void S, so that the through hole 24b is different from the through hole 24b through which the air that newly enters the void S flows. Is discharged to the surface 24a side of the second laminated body 24 via the above. The foreign matter F adhering to the surface 24a of the second laminated body 24 can be blown up by the air discharged to the outside from the void S in this way. Thereby, the foreign matter F adhering to the Fabry-Perot interference filter 1 can be removed more effectively.

また、ファブリペロー干渉フィルタ1を用意する工程においては、複数のファブリペロー干渉フィルタ1が二次元に連結されたウェハ100が用意され、異物Fを検出する工程及び異物Fを除去する工程は、ウェハ100を構成するファブリペロー干渉フィルタ(すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ部1A)に対して実施されてもよい。すなわち、ウェハ段階において、エアブローによる異物除去が実施されてもよい。この場合、ウェハ100を構成するファブリペロー干渉フィルタ部1Aに異物Fが付着している場合に、当該異物Fをエアーの吹き付けにより除去することができる。これにより、ウェハ100を構成する複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aのそれぞれを検査する場合に、異物Fが付着したファブリペロー干渉フィルタ部1Aを直ちに不良と判定することなく、異物Fが除去されたファブリペロー干渉フィルタ部1Aを良品として後工程に回すことができる。したがって、ファブリペロー干渉フィルタ1の歩留まりを向上させることができる。なお、このようにウェハ100に対してエアブローを行う場合には、異物Fが発見されたファブリペロー干渉フィルタ部1Aの表面から当該異物Fを除去するだけでなく、当該異物Fがウェハ100の表面全体から除去されるように比較的広範囲にエアブローを行うことが好ましい。 Further, in the step of preparing the Fabry-Perot interference filter 1, a wafer 100 in which a plurality of Fabry-Perot interference filters 1 are two-dimensionally connected is prepared, and the step of detecting the foreign matter F and the step of removing the foreign matter F are the wafers. It may be carried out for the Fabry-Perot interference filter constituting 100 (that is, the Fabry-Perot interference filter unit 1A). That is, foreign matter may be removed by air blowing at the wafer stage. In this case, when the foreign matter F adheres to the Fabry-Perot interference filter portion 1A constituting the wafer 100, the foreign matter F can be removed by blowing air. As a result, when inspecting each of the plurality of Fabry-Pérot interference filter units 1A constituting the wafer 100, the foreign matter F was removed without immediately determining the Fabry-Pérot interference filter unit 1A to which the foreign matter F was attached as a defect. The Fabry-Perot interference filter unit 1A can be used as a non-defective product in a subsequent process. Therefore, the yield of the Fabry-Perot interference filter 1 can be improved. When air blowing is performed on the wafer 100 in this way, not only the foreign matter F is removed from the surface of the Fabry-Perot interference filter unit 1A in which the foreign matter F is found, but also the foreign matter F is the surface of the wafer 100. It is preferable to blow the air over a relatively wide area so that it can be removed from the whole.

また、ファブリペロー干渉フィルタ1を用意する工程においては、個片化されたファブリペロー干渉フィルタ1が用意されてもよい。すなわち、チップ段階において、エアブローによる異物除去が実施されてもよい。例えば、ウェハ100を構成するファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対してエアーの吹き付けによる異物除去を行った場合、異物Fが当該ウェハ100を構成する他のファブリペロー干渉フィルタ部1A上に飛散し、当該他のファブリペロー干渉フィルタ部1Aに悪影響を及ぼすおそれがある。一方、上記のようにファブリペロー干渉フィルタ1が個片化された段階で、当該ファブリペロー干渉フィルタ1に対してエアーの吹き付けによる異物除去を行うことにより、上述したような他のファブリペロー干渉フィルタ部1Aへの悪影響の発生を防止することができる。 Further, in the step of preparing the Fabry-Perot interference filter 1, the individualized Fabry-Pérot interference filter 1 may be prepared. That is, foreign matter may be removed by air blowing at the chip stage. For example, when foreign matter is removed by blowing air onto the Fabry-Perot interference filter unit 1A constituting the wafer 100, the foreign matter F is scattered on the other Fabry-Perot interference filter unit 1A constituting the wafer 100, and the foreign matter F is scattered. There is a risk of adversely affecting other Fabry-Perot interference filter units 1A. On the other hand, when the Fabry-Pérot interference filter 1 is separated as described above, foreign matter is removed by blowing air onto the Fabry-Pérot interference filter 1 to remove foreign matter from the Fabry-Pérot interference filter 1 as described above. It is possible to prevent the occurrence of an adverse effect on the part 1A.

また、上述した第1実施形態の光検出装置の製造方法は、光を入射させる開口71aが形成されたキャップ73及びキャップ73に接合されるステム72を有するパッケージ71と、パッケージ71内に配置されたファブリペロー干渉フィルタ1と、パッケージ71内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタ1を透過した光を検出する光検出器77と、を備える光検出装置10の製造方法である。この製造方法は、ファブリペロー干渉フィルタ1及び光検出器77が固定されたステム72を用意する工程と、ステム72に対して固定されたファブリペロー干渉フィルタ1の第2積層体24の表面24aに付着した異物Fを検出する工程と、検出された異物Fの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体24の表面24aに吹き付けることにより、第2積層体24の表面24aから異物Fを除去する工程と、異物Fを除去する工程の後に、ステム72にキャップ73を接合する工程と、を含む。 Further, in the method for manufacturing a photodetector according to the first embodiment described above, a package 71 having a cap 73 in which an opening 71a for incident light is formed and a stem 72 joined to the cap 73, and a package 71 are arranged in the package 71. It is a manufacturing method of a photodetector 10 including a Fabry-Pérot interference filter 1 and a photodetector 77 arranged in a package 71 to detect light transmitted through the Fabry-Pérot interference filter 1. This manufacturing method comprises a step of preparing a stem 72 to which a fabric perow interference filter 1 and an optical detector 77 are fixed, and a surface 24a of a second laminated body 24 of the fabric perow interference filter 1 fixed to the stem 72. The surface of the second laminated body 24 is blown to the surface 24a of the second laminated body 24 by the step of detecting the attached foreign matter F and the air whose position of the airflow peak is adjusted based on the position of the detected foreign matter F. A step of removing the foreign matter F from the 24a and a step of joining the cap 73 to the stem 72 after the step of removing the foreign matter F are included.

第1実施形態の光検出装置の製造方法によれば、ファブリペロー干渉フィルタ1及び光検出器77がステム72に対して固定された状態において、ファブリペロー干渉フィルタ1の第2積層体24の表面24aに付着した異物Fを検出し、エアーの吹き付けによって当該異物Fを除去することができる。すなわち、光検出装置10が得られる直前の状態においてファブリペロー干渉フィルタ1に付着した異物Fの検出及び除去を適切に実施することができる。ここで、光検出装置10の組立作業は、清浄度の高いクリーンルーム内で行われるとは限らないため、当該組立作業時において、ファブリペロー干渉フィルタ1の表面24aに異物Fが付着する可能性が比較的高まる可能性がある。上記の製造方法によれば、光検出装置10の製造工程の最終段階において、ファブリペロー干渉フィルタ1の特性に大きな影響を与えることなく、ファブリペロー干渉フィルタ1に付着した異物Fを除去することができる。これにより、最終製品である光検出装置10の良品率を向上させることができ、光検出装置10を歩留まり良く得ることができる。 According to the method of manufacturing the photodetector of the first embodiment, the surface of the second laminated body 24 of the Fabry-Perot interference filter 1 is in a state where the Fabry-Perot interference filter 1 and the photodetector 77 are fixed to the stem 72. The foreign matter F adhering to the 24a can be detected and the foreign matter F can be removed by blowing air. That is, it is possible to appropriately detect and remove the foreign matter F adhering to the Fabry-Perot interference filter 1 in the state immediately before the photodetector 10 is obtained. Here, since the assembly work of the photodetector 10 is not always performed in a clean room with high cleanliness, there is a possibility that foreign matter F adheres to the surface 24a of the Fabry-Perot interference filter 1 during the assembly work. May be relatively high. According to the above manufacturing method, in the final stage of the manufacturing process of the light detection device 10, foreign matter F adhering to the Fabry-Perot interference filter 1 can be removed without significantly affecting the characteristics of the Fabry-Perot interference filter 1. can. As a result, the non-defective rate of the photodetector 10 which is the final product can be improved, and the photodetector 10 can be obtained with a good yield.

また、上述した第2実施形態の光検出装置の製造方法は、蓋基板94及び蓋基板94に接合される支持体93を有するSMDパッケージ92と、SMDパッケージ92内に配置されたファブリペロー干渉フィルタ1と、SMDパッケージ92内に配置され、ファブリペロー干渉フィルタ1を透過した光を検出する光検出器91と、を備える光検出装置10Aの製造方法である。この製造方法は、一次元又は二次元に配置された複数のファブリペロー干渉フィルタ1と、複数のファブリペロー干渉フィルタ1に対応して設けられた複数の光検出器91と、複数のファブリペロー干渉フィルタ1及び複数の光検出器91を支持する支持層930であって、複数の支持体93に切断される予定の支持層930と、を用意する工程と、複数のファブリペロー干渉フィルタ1の各々について、第2積層体24の表面24aに付着した異物Fを検出する工程と、検出された異物Fの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを第2積層体24の表面24aに吹き付けることにより、第2積層体24の表面24aから異物Fを除去する工程と、異物Fを除去する工程の後に、複数の蓋基板94に切断される予定の蓋基板層940を支持層930に接合することにより、一次元又は二次元に連結された複数の光検出装置10Aを得る工程と、蓋基板層940と支持層930とが接合された部分を切断することにより、個々の光検出装置10Aを得る工程と、を含む。 Further, in the method of manufacturing the photodetector of the second embodiment described above, the SMD package 92 having the lid substrate 94 and the support 93 bonded to the lid substrate 94 and the Fabry-Perot interference filter arranged in the SMD package 92 are used. It is a manufacturing method of a photodetector 10A including 1 and a photodetector 91 which is arranged in an SMD package 92 and detects light transmitted through a Fabry-Perot interference filter 1. In this manufacturing method, a plurality of fabric perow interference filters 1 arranged in one dimension or two dimensions, a plurality of photodetectors 91 provided corresponding to the plurality of fabric perot interference filters 1, and a plurality of fabric perot interferences are used. A step of preparing a support layer 930 that supports the filter 1 and the plurality of photodetectors 91, which is to be cut into the plurality of supports 93, and a step of preparing the support layer 930, and each of the plurality of fabric perot interference filters 1. The step of detecting the foreign matter F adhering to the surface 24a of the second laminated body 24 and the air whose airflow peak position is adjusted based on the position of the detected foreign matter F are applied to the surface 24a of the second laminated body 24. After the step of removing the foreign matter F from the surface 24a of the second laminated body 24 and the step of removing the foreign matter F by spraying, the lid substrate layer 940 to be cut into the plurality of lid substrates 94 is attached to the support layer 930. By joining, a step of obtaining a plurality of photodetectors 10A connected one-dimensionally or two-dimensionally, and by cutting a portion where the lid substrate layer 940 and the support layer 930 are joined, each photodetector Includes a step of obtaining 10A.

第2実施形態の光検出装置の製造方法によれば、複数のファブリペロー干渉フィルタ1が支持層930に支持された状態において、各ファブリペロー干渉フィルタ1の第2積層体24の表面24aに付着した異物Fを検出し、エアーの吹き付けによって当該異物Fを除去することができる。すなわち、光検出装置10Aが得られる直前の状態(具体的には、蓋基板層940を支持層930に接合することによって各ファブリペロー干渉フィルタ1が収容される空間が密封される直前の状態)において、各ファブリペロー干渉フィルタ1に付着した異物Fの検出及び除去を適切に実施することができる。よって、本製造方法によれば、上述した光検出装置10の製造方法と同様の効果が得られる。 According to the method for manufacturing the optical detection device of the second embodiment, a plurality of Fabry-Perot interference filters 1 are attached to the surface 24a of the second laminated body 24 of each Fabry-Perot interference filter 1 in a state of being supported by the support layer 930. The foreign matter F can be detected and the foreign matter F can be removed by blowing air. That is, the state immediately before the light detection device 10A is obtained (specifically, the state immediately before the space in which each Fabry-Perot interference filter 1 is accommodated is sealed by joining the lid substrate layer 940 to the support layer 930). In, the foreign matter F adhering to each Fabry-Perot interference filter 1 can be appropriately detected and removed. Therefore, according to this manufacturing method, the same effect as the manufacturing method of the photodetector 10 described above can be obtained.

また、複数の光検出装置10Aを得る工程においては、複数の開口94cが予め形成された蓋基板層940を、複数の開口94cの各々が複数のファブリペロー干渉フィルタ1の各々に対向するように、支持層930に接合する。このように、複数の開口94cが予め形成された蓋基板層940を用いることにより、光を入射させるための開口94cが蓋基板94に形成された光検出装置10Aを、蓋基板層940及び支持層930の切断後に直ちに得ることができる。これにより、切断後に個々の光検出装置10Aの蓋基板94に開口94cを形成するための工程を不要とすることができる。 Further, in the step of obtaining the plurality of light detection devices 10A, the lid substrate layer 940 in which the plurality of openings 94c are formed in advance is provided so that each of the plurality of openings 94c faces each of the plurality of Fabry-Perot interference filters 1. , Joined to the support layer 930. As described above, by using the lid substrate layer 940 in which the plurality of openings 94c are formed in advance, the photodetector 10A in which the openings 94c for incident light are formed in the lid substrate 94 is supported by the lid substrate layer 940 and the lid substrate layer 940. It can be obtained immediately after cutting the layer 930. This eliminates the need for a step of forming an opening 94c in the lid substrate 94 of each photodetector 10A after cutting.

なお、ウェハ100では、複数のファブリペロー干渉フィルタ1になる複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aが有効エリア101に設けられている。その一方で、基板層110の外縁110cに沿い且つ有効エリア101を囲むダミーエリア102に複数のダミーフィルタ部2Aが設けられており、各ダミーフィルタ部2Aでは、互いに対向する第1ミラー部31と第2ミラー部32との間に中間層23が設けられている。これにより、ウェハ100全体の強度が十分に確保される。そのため、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aについて上述した検査方法を実施する際におけるウェハ100のハンドリングが容易になる。また、ウェハ100が反り難くなるため、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対する検査、及び異物が検出されたファブリペロー干渉フィルタ部1Aに対するエアブローを精度良く実施することができる。 In the wafer 100, a plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A serving as a plurality of Fabry-Perot interference filters 1 are provided in the effective area 101. On the other hand, a plurality of dummy filter units 2A are provided in the dummy area 102 along the outer edge 110c of the substrate layer 110 and surrounding the effective area 101, and each dummy filter unit 2A has a first mirror unit 31 facing each other. An intermediate layer 23 is provided between the second mirror portion 32 and the second mirror portion 32. As a result, the strength of the entire wafer 100 is sufficiently ensured. Therefore, the handling of the wafer 100 becomes easy when the above-mentioned inspection method is carried out for each Fabry-Perot interference filter unit 1A. Further, since the wafer 100 is less likely to warp, inspection of each Fabry-Perot interference filter unit 1A and air blow to the Fabry-Pérot interference filter unit 1A in which foreign matter is detected can be performed with high accuracy.

また、ウェハ100の製造方法では、複数のファブリペロー干渉フィルタ部1Aがウェハ100の状態のままで、各ファブリペロー干渉フィルタ部1Aにおいて空隙Sが形成される。これにより、空隙Sの形成が個々のチップレベルで実施される場合に比べ、極めて効率良く、第1ミラー部31と第2ミラー部32との間に空隙Sを形成することができる。しかも、有効エリア101では、二次元に配置された複数の除去予定部50に対して中間層230のエッチングが同時に実施される等、基板層110内の任意の基板11に対応する部分と、それを囲む周囲の基板11に対応する部分とで、同時にプロセスが進行するため、基板層110の面内での応力の偏りを少なくすることができる。よって、ウェハ100の製造方法によれば、品質の高いファブリペロー干渉フィルタ1を安定して量産することを可能にするウェハ100を得ることができる。 Further, in the method of manufacturing the wafer 100, the gap S is formed in each Fabry-Perot interference filter unit 1A while the plurality of Fabry-Perot interference filter units 1A remain in the state of the wafer 100. As a result, the void S can be formed between the first mirror portion 31 and the second mirror portion 32 with extremely high efficiency as compared with the case where the formation of the void S is performed at the individual chip level. Moreover, in the effective area 101, a portion corresponding to an arbitrary substrate 11 in the substrate layer 110, such as etching of the intermediate layer 230 simultaneously on a plurality of planned removal portions 50 arranged two-dimensionally, and a portion thereof. Since the process proceeds at the same time as the portion corresponding to the surrounding substrate 11 surrounding the substrate layer 110, the in-plane stress bias of the substrate layer 110 can be reduced. Therefore, according to the method for manufacturing the wafer 100, it is possible to obtain the wafer 100 which enables stable mass production of the high quality Fabry-Perot interference filter 1.

また、レーザ光Lの照射によって、各ライン5に沿って基板層110の内部に改質領域7を形成することで、各ライン5に沿ってウェハ100を切断することは、次の理由により、ファブリペロー干渉フィルタ1を製造する上で極めて有効である。すなわち、レーザ光Lを用いたウェハ100の切断では、水が不要であるため、空隙S上に浮いた第2ミラー部32が水圧によって破損したり、空隙S内に水が浸入してスティッキング(第2ミラー部32が第1ミラー部31に接触して動かなくなる現象)が発生したりすることがない。よって、レーザ光Lを用いたウェハ100の切断は、ファブリペロー干渉フィルタ1を製造する上で極めて有効である。
[変形例]
Further, the wafer 100 is cut along each line 5 by forming the modified region 7 inside the substrate layer 110 along each line 5 by irradiation with the laser beam L for the following reason. It is extremely effective in manufacturing the Fabry-Perot interference filter 1. That is, since water is not required for cutting the wafer 100 using the laser beam L, the second mirror portion 32 floating on the void S is damaged by water pressure, or water enters the void S and sticks (sticking). The phenomenon that the second mirror portion 32 comes into contact with the first mirror portion 31 and becomes immobile) does not occur. Therefore, cutting the wafer 100 using the laser beam L is extremely effective in manufacturing the Fabry-Perot interference filter 1.
[Modification example]

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。 Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, as the material and shape of each configuration, not only the above-mentioned material and shape but also various materials and shapes can be adopted.

図14に示されるように、ウェハ100では、基板層110の内部に、第1溝290に対応するように改質領域7が形成されていてもよい。ここで、改質領域7が第1溝290に対応するとは、対向方向から見た場合に改質領域7が第1溝290と重なること意味し、特には、改質領域7か各ライン5に沿って形成されている状態を意味する。これにより、改質領域7から基板層110の厚さ方向に亀裂を伸展させて、ウェハ100から複数のファブリペロー干渉フィルタ1を容易に且つ精度良く切り出すことができる。この場合、基板層110の第2表面110b側にエキスパンドテープ60が貼り付けられていてもよい。このとき、ウェハ100に貼り付けられたエキスパンドテープ60の外縁部は、環状のフレームによって保持される。これにより、基板層110の内部に改質領域7が形成された状態であっても、ウェハ100を容易にハンドリングすることができる。なお、基板層110の内部に改質領域7が形成されたウェハ100では、改質領域7から不意に亀裂が伸展するおそれがある。ウェハ100では、ダミーエリア102のうち一対のエリア102aに、複数のダミーフィルタ部2A並びに第1溝290及び第2溝470が設けられていないため、亀裂の伸展は、一対のエリア102aによって停止させられる。 As shown in FIG. 14, in the wafer 100, the modified region 7 may be formed inside the substrate layer 110 so as to correspond to the first groove 290. Here, the fact that the modified region 7 corresponds to the first groove 290 means that the modified region 7 overlaps with the first groove 290 when viewed from the opposite direction, and in particular, the modified region 7 or each line 5 It means the state formed along the. As a result, cracks can be extended from the modified region 7 in the thickness direction of the substrate layer 110, and a plurality of Fabry-Perot interference filters 1 can be easily and accurately cut out from the wafer 100. In this case, the expand tape 60 may be attached to the second surface 110b side of the substrate layer 110. At this time, the outer edge portion of the expanded tape 60 attached to the wafer 100 is held by the annular frame. As a result, the wafer 100 can be easily handled even when the modified region 7 is formed inside the substrate layer 110. In the wafer 100 in which the modified region 7 is formed inside the substrate layer 110, cracks may unexpectedly extend from the modified region 7. In the wafer 100, since the plurality of dummy filter portions 2A and the first groove 290 and the second groove 470 are not provided in the pair of areas 102a of the dummy areas 102, the crack extension is stopped by the pair of areas 102a. Will be.

また、異物Fを検出する工程、及び検出された異物Fの位置に基づいて気流ピークの位置が調整されたエアーを吹き付ける工程は、上記実施形態のように、検査装置500の動作制御(コンピュータ制御)により実行されてもよいし、手動により実行されてもよい。例えば、異物Fを検出する工程は、第2積層体24の表面24aに付着した異物Fを作業者が目視によって確認することによって実行されてもよい。また、上記エアーを吹き付ける工程は、ハンドガンタイプのエアーガンを作業者が手で操作してエアブローを行うことによって実行されてもよい。 Further, in the step of detecting the foreign matter F and the step of blowing air whose position of the airflow peak is adjusted based on the position of the detected foreign matter F, the operation control (computer control) of the inspection device 500 is performed as in the above embodiment. ) Or manually. For example, the step of detecting the foreign matter F may be executed by the operator visually confirming the foreign matter F adhering to the surface 24a of the second laminated body 24. Further, the step of blowing the air may be performed by manually operating a hand gun type air gun to blow air.

また、第2実施形態に係る光検出装置10Aでは、支持体93は、互いに別体として形成された第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d及び第5基板93eによって形成されていたが、支持体93を構成する基板の層数(ここでは一例として5層)は、5層より少なくてもよいし、5層より多くてもよい。また、支持体93は、一体的に形成された部材であってもよい。すなわち、第1基板93a、第2基板93b、第3基板93c、第4基板93d及び第5基板93eは、一体的に形成されていてもよい。この場合、光検出装置10Aの製造工程において、上述した支持層930の代わりに、上述した第1基板層930a、第2基板層930b、第3基板層930c、第4基板層930d及び第5基板層930eが一体として形成された支持層が用いられる。 Further, in the photodetector 10A according to the second embodiment, the support 93 has the first substrate 93a, the second substrate 93b, the third substrate 93c, the fourth substrate 93d, and the fifth substrate 93e formed as separate bodies from each other. However, the number of layers of the substrate constituting the support 93 (here, 5 layers as an example) may be less than 5 layers or more than 5 layers. Further, the support 93 may be an integrally formed member. That is, the first substrate 93a, the second substrate 93b, the third substrate 93c, the fourth substrate 93d, and the fifth substrate 93e may be integrally formed. In this case, in the manufacturing process of the photodetector 10A, instead of the support layer 930 described above, the first substrate layer 930a, the second substrate layer 930b, the third substrate layer 930c, the fourth substrate layer 930d, and the fifth substrate described above are used. A support layer in which the layer 930e is integrally formed is used.

また、上述した第2実施形態に係る光検出装置の製造方法において、複数の開口94cが形成されていない蓋基板層が用いられてもよい。この場合、蓋基板層及び支持層930の切断後、開口94cが形成されていない蓋基板を有する光検出装置が得られる。その後、このようにして得られた光検出装置の蓋基板に開口94cを形成することにより、上述した光検出装置10Aが得られる。なお、開口94cが形成されていない蓋基板を有する光検出装置を製造する者と、当該蓋基板に開口94cを形成する者とは、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。例えば、複数の開口94cが形成されていない蓋基板層を用いて製造された光検出装置(すなわち、蓋基板に開口94cが形成されていない状態の光検出装置)が出荷され、出荷先において、当該光検出装置の蓋基板に開口94cが形成されてもよい。 Further, in the method for manufacturing a photodetector according to the second embodiment described above, a lid substrate layer in which a plurality of openings 94c are not formed may be used. In this case, after cutting the lid substrate layer and the support layer 930, a photodetector having a lid substrate on which the opening 94c is not formed can be obtained. Then, by forming the opening 94c in the lid substrate of the photodetector thus obtained, the above-mentioned photodetector 10A can be obtained. The person who manufactures the photodetector having the lid substrate on which the opening 94c is not formed and the person who forms the opening 94c in the lid substrate may be the same or different from each other. For example, a photodetector manufactured by using a lid substrate layer in which a plurality of openings 94c are not formed (that is, a photodetector in a state where the openings 94c are not formed in the lid substrate) is shipped and is shipped to the shipping destination. An opening 94c may be formed in the lid substrate of the photodetector.

1…ファブリペロー干渉フィルタ、1A…ファブリペロー干渉フィルタ部、10,10A…光検出装置、11…基板、11a…第1表面、11b…第2表面、22…第1積層体、24…第2積層体、24a…表面、24b…貫通孔、31…第1ミラー部、32…第2ミラー部、71…パッケージ、71a,94c…開口、72…ステム、73…キャップ、77,91…光検出器、92…SMDパッケージ(パッケージ)、93…支持体、94…蓋基板、94c…開口、100…ウェハ、930…支持層、940…蓋基板層、F…異物、S…空隙。 1 ... Fabric Perot Interference Filter, 1A ... Fabric Perot Interference Filter, 10, 10A ... Photodetector, 11 ... Substrate, 11a ... First Surface, 11b ... Second Surface, 22 ... First Laminate, 24 ... Second Laminate, 24a ... surface, 24b ... through hole, 31 ... first mirror part, 32 ... second mirror part, 71 ... package, 71a, 94c ... opening, 72 ... stem, 73 ... cap, 77,91 ... light detection Vessel, 92 ... SMD package (package), 93 ... support, 94 ... lid substrate, 94c ... opening, 100 ... wafer, 930 ... support layer, 940 ... lid substrate layer, F ... foreign matter, S ... void.

Claims (6)

蓋基板及び前記蓋基板に接合される支持体を有するパッケージと、前記パッケージ内に配置されたファブリペロー干渉フィルタと、を備える光学装置の製造方法であって、
前記ファブリペロー干渉フィルタは、互いに対向する第1ミラー部と第2ミラー部との間に空隙が形成されることで、互いに対向する前記第1ミラー部と前記第2ミラー部との間の距離が静電気力によって変化するように構成されたファブリペロー干渉フィルタであり、
前記製造方法は、
複数の前記ファブリペロー干渉フィルタを用意する工程と、
一次元又は二次元に配置され複数の前記ファブリペロー干渉フィルタ、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタを支持する支持層であって、複数の前記支持体に切断される予定の該支持層支持させる第1工程と、
前記第1工程の後に、複数の前記蓋基板に切断される予定の蓋基板層を前記支持層に接合することにより、一次元又は二次元に連結された複数の前記光学装置を得る第2工程と、
前記第2工程の後に、前記蓋基板層と前記支持層とが接合された部分を切断することにより、個々の前記光学装置を得る第3工程と、
前記第2工程の前に、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタの各々の表面に付着した異物を検出し、検出された前記異物の位置に基づいて気流のピークの位置が調整されたエアーを前記表面に吹き付けることにより、前記表面から前記異物を除去する工程と、
を含む、光学装置の製造方法。
A method of manufacturing an optical device including a lid substrate, a package having a support bonded to the lid substrate, and a Fabry-Perot interference filter arranged in the package.
In the Fabry-Perot interference filter, a gap is formed between the first mirror portion and the second mirror portion facing each other, so that the distance between the first mirror portion and the second mirror portion facing each other is formed. Is a Fabry-Perot interference filter configured to change with electrostatic force.
The manufacturing method is
The process of preparing a plurality of the Fabry-Perot interference filters, and
A plurality of the Fabry-Pérot interference filters arranged one-dimensionally or two-dimensionally are attached to the support layer that supports the plurality of the Fabry-Pérot interference filters and is to be cut by the plurality of the supports. The first step to support and
A second step of obtaining a plurality of the optical devices connected one-dimensionally or two-dimensionally by joining the lid substrate layer to be cut to the plurality of lid substrates to the support layer after the first step. When,
After the second step, the third step of obtaining the individual optical device by cutting the portion where the lid substrate layer and the support layer are joined.
Prior to the second step, foreign matter adhering to the surface of each of the plurality of Fabry-Perot interference filters is detected, and air whose peak position of the airflow is adjusted based on the position of the detected foreign matter is applied to the surface. And the step of removing the foreign matter from the surface by spraying on
A method of manufacturing an optical device, including.
前記光学装置は、前記パッケージ内において前記ファブリペロー干渉フィルタを透過した光を検出する光検出器を更に備え、
前記第1工程においては、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタに対応して設けられた複数の前記光検出器を前記支持層に支持させる、
請求項1に記載の光学装置の製造方法。
The optical device further comprises a photodetector that detects light transmitted through the Fabry-Perot interference filter in the package.
In the first step, a plurality of the photodetectors provided corresponding to the plurality of Fabry-Perot interference filters are supported by the support layer.
The method for manufacturing an optical device according to claim 1.
前記光学装置は、温度補償用素子を更に備え、
前記第1工程においては、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタに対応して設けられた複数の前記温度補償用素子を前記支持層に支持させる、
請求項1又は2に記載の光学装置の製造方法。
The optical device further includes a temperature compensating element.
In the first step, a plurality of the temperature compensating elements provided corresponding to the plurality of Fabry-Perot interference filters are supported by the support layer.
The method for manufacturing an optical device according to claim 1 or 2.
前記蓋基板層は、光透過基板層及び遮光層を有し、
前記遮光層には、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタに対応して設けられた複数の開口が形成されている、
請求項1~3のいずれか一項に記載の光学装置の製造方法。
The lid substrate layer has a light transmitting substrate layer and a light shielding layer.
The light-shielding layer is formed with a plurality of openings provided corresponding to the plurality of Fabry-Perot interference filters.
The method for manufacturing an optical device according to any one of claims 1 to 3.
複数の前記ファブリペロー干渉フィルタを用意する前記工程においては、複数の前記ファブリペロー干渉フィルタが二次元に連結されたウエハが用意される、In the step of preparing the plurality of Fabry-Perot interference filters, a wafer in which the plurality of Fabry-Perot interference filters are two-dimensionally connected is prepared.
請求項1~4のいずれか一項に記載の光学装置の製造方法。The method for manufacturing an optical device according to any one of claims 1 to 4.
複数の前記ファブリペロー干渉フィルタを用意する前記工程においては、個片化された複数の前記ファブリペロー干渉フィルタが用意される、In the step of preparing a plurality of the Fabry-Perot interference filters, a plurality of individualized Fabry-Perot interference filters are prepared.
請求項1~4のいずれか一項に記載の光学装置の製造方法。The method for manufacturing an optical device according to any one of claims 1 to 4.
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