JP7065576B2 - Fine particles and connecting materials and connecting structures containing the fine particles - Google Patents
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Description
本発明は、微粒子及び該微粒子を含む接続材料並びに接続構造体に関する。 The present invention relates to fine particles, a connecting material containing the fine particles, and a connecting structure.
従来、インバータ等に用いられるパワー半導体装置(パワーデバイス)の一つである非絶縁型半導体装置(接続構造体)において、半導体素子を固定するために、接続部材が使用されることが知られている。このような接続部材は、例えば、硬化性の接着剤又は焼結性材料等から形成することができ、接着部材の材料の種類によっては、半導体装置の電極の一つともなり得る。このような接続部材は、半導体素子どうしの接合及び回路基板どうしの接合等にも用いられる。 Conventionally, it is known that a connecting member is used for fixing a semiconductor element in a non-insulated semiconductor device (connection structure), which is one of power semiconductor devices (power devices) used for inverters and the like. There is. Such a connecting member can be formed from, for example, a curable adhesive or a sinterable material, and can be one of the electrodes of a semiconductor device depending on the type of the material of the adhesive member. Such connecting members are also used for joining semiconductor elements to each other, joining circuit boards to each other, and the like.
例えば、特許文献1,2は、半導体素子を固定するための接続部材として、空孔率を調整した焼結材料を利用することを開示している。このような焼結材料を半導体素子の接続部材として適用することで、放熱性及び接合強度が確保され得る。また、特許文献3には、半導体への機械的ストレスを低減することを目的として、熱伝導性金属マトリクス中にシリコーン粒子を含有する複合材料を接合部材とすることも提案されている。
For example,
半導体装置等を組み立てる場合又は半導体装置の故障時等に半導体素子等を交換する場合、リワーク作業と呼ばれる作業が行われる。リワーク作業では、例えば、回路基板全体を加熱し、前述の接続部材を溶融させて半導体素子等の組み立て直しを行ったり、交換を行ったりする。 When assembling a semiconductor device or the like, or when replacing a semiconductor element or the like when a semiconductor device fails, a work called rework work is performed. In the rework work, for example, the entire circuit board is heated, the above-mentioned connecting member is melted, and the semiconductor element or the like is reassembled or replaced.
しかしながら、リワーク作業時に回路基板の加熱を長時間行うと、回路基板に実装されている電子部品の耐熱温度によっては、それらの部品が加熱によって劣化する問題があった。また、昨今のパワー半導体等ではSiCやGaNといった材料が使用され、使用温度帯がより高温化することにより加熱温度が高温になることから、回路等が発火するおそれも高く、安全性の面においても問題を有していた。このような観点から、近年では、リワーク作業も短時間の加熱で容易、かつ、安全に行うことができる接続部材が求められていた。 However, if the circuit board is heated for a long time during the rework work, there is a problem that the electronic components mounted on the circuit board are deteriorated by the heating depending on the heat resistant temperature. In addition, in recent power semiconductors and the like, materials such as SiC and GaN are used, and the heating temperature becomes high due to the higher operating temperature range, so that there is a high risk of ignition of circuits and the like, and in terms of safety. Also had a problem. From this point of view, in recent years, there has been a demand for a connecting member that can easily and safely perform rework work by heating in a short time.
本発明らは、上記に鑑みてなされたものであり、接続構造体のリワーク作業を容易、かつ、安全に行うことができる接続部材を形成することができる微粒子及び該微粒子を含む接続材料並びに接続構造体を提供することを目的とする。 The present inventions have been made in view of the above, and the fine particles capable of forming a connecting member capable of easily and safely reworking the connecting structure, the connecting material containing the fine particles, and the connection. The purpose is to provide a structure.
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、一定の加熱条件で発生する揮発性の腐食物質が特定量以上である性質を有する微粒子により、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of diligent research to achieve the above object, the present inventor has found that the above object can be achieved by fine particles having a property that the amount of volatile corrosive substances generated under certain heating conditions is a specific amount or more. The present invention has been completed.
すなわち、本発明は、例えば、以下の項に記載の主題を包含する。
項1
ヘリウム雰囲気中、250℃で10分間の加熱条件で発生するガス成分が4000ppm以上であり、
前記ガス成分が金属を腐食させる性質を有する腐食性化合物である、微粒子。
項2
前記腐食性化合物は、ケイ素化合物及びハロゲン化物からなる群より選ばれる1種以上である、項1に記載の微粒子。
項3
前記腐食性化合物は、銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を腐食させる性質を有する、項1又は2に記載の微粒子。
項4
前記腐食性化合物は、銀を腐食させる性質を有していない、項1~3のいずれか1項に記載の微粒子。
項5
前記腐食性化合物は、銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を気化させる性質を有する、項1~4のいずれか1項に記載の微粒子。
項6
表面が金属で被覆されている、項1~5のいずれか1項に記載の微粒子。
項7
項1~6のいずれか1項に記載の微粒子と、金属粒子とを含有する接続材料。
項8
項7に記載の接続材料の硬化物を含む接続部材によって第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材が接続されている、接続構造体。
項9
前記第1の接続対象部材又は前記第2接続対象部材と、前記接続部材とのせん断強度が、250℃で10分間加熱処理した後に60%以上低下する、項8に記載の接続構造体。
項10
項8又は9に記載の接続構造体を加熱して前記第1の接続対象部材及び/又は前記第2接続対象部材を前記接続部材から剥離する工程を備える、接続構造体のリワーク方法。
That is, the present invention includes, for example, the subjects described in the following sections.
In a helium atmosphere, the gas component generated under heating conditions at 250 ° C. for 10 minutes is 4000 ppm or more.
Fine particles, which are corrosive compounds in which the gas component has the property of corroding metals.
Item 2
Item 2. The fine particles according to
Item 3
Item 2. The fine particles according to
Item 4
Item 2. The fine particles according to any one of
Item 5
Item 2. The fine particles according to any one of
Item 6
Item 2. The fine particles according to any one of
Item 7
A connecting material containing the fine particles according to any one of
Item 8
Item 7. A connection structure in which a first connection target member and a second connection target member are connected by a connection member containing a cured product of the connection material according to Item 7.
Item 9
Item 8. The connection structure according to Item 8, wherein the shear strength between the first connection target member or the second connection target member and the connection member is reduced by 60% or more after heat treatment at 250 ° C. for 10 minutes.
Item 8. A method for reworking a connection structure, comprising a step of heating the connection structure according to Item 8 or 9 to peel off the first connection target member and / or the second connection target member from the connection member.
本発明に係る微粒子は、パワー半導体装置等の接続構造体を組み立てるために使用される接続部材に適用することができる。本発明の微粒子を含有する接続部材を備える接続構造体では、作業者がリワーク作業を容易かつ、安全に行うことができる。 The fine particles according to the present invention can be applied to a connecting member used for assembling a connecting structure such as a power semiconductor device. In the connection structure provided with the connection member containing the fine particles of the present invention, the operator can easily and safely perform the rework work.
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. In addition, in this specification, the expression "contains" and "contains" includes the concepts of "contains", "contains", "substantially consists" and "consists only".
1.微粒子
本発明の微粒子は、パワー半導体装置等の接続構造体を組み立てるために使用される接続部材を形成するための材料として使用される。接続部材とは、接続構造体において、一対の接続対象部材を接続するための部材である。
1. 1. Fine Particles The fine particles of the present invention are used as a material for forming a connecting member used for assembling a connecting structure such as a power semiconductor device. The connection member is a member for connecting a pair of connection target members in the connection structure.
図1は、本発明の微粒子が適用され得る接続構造体の一例を模式的に表した概略の断面図である。図1の形態の接続構造体は、第1の接続対象部材11と、第2の接続対象部材12と、第1の接続対象部材11及び第2の接続対象部材12とを接続している接続部材20とを備える。接続部材20は、本発明の微粒子10を含有する。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view schematically showing an example of a connection structure to which the fine particles of the present invention can be applied. The connection structure of the form of FIG. 1 is a connection connecting the first
本発明の微粒子は、ヘリウム雰囲気中、250℃で10分間の加熱条件で発生するガス成分が4000ppm以上であり、前記ガス成分は、金属を腐食させる性質を有する腐食性化合物である。ここでいうガス成分の発生量は、微粒子の全質量を基準とした数値である。また、前記加熱条件で発生するガス成分の量とは、前記10分間の加熱によって微粒子から発生した前記ガス成分(つまり、前記腐食性化合物)の総量を意味する。 The fine particles of the present invention have a gas component of 4000 ppm or more generated under heating conditions of 250 ° C. for 10 minutes in a helium atmosphere, and the gas component is a corrosive compound having a property of corroding a metal. The amount of gas component generated here is a numerical value based on the total mass of the fine particles. Further, the amount of the gas component generated under the heating conditions means the total amount of the gas component (that is, the corrosive compound) generated from the fine particles by heating for the 10 minutes.
なお、以下では、ヘリウム雰囲気中、250℃で10分間の加熱条件で微粒子を加熱することを「ガス発生試験」と表記する。ガス発生試験は、熱脱着GC-MS測定により行うことができ、例えば、パーキンエルマー社の「TurboMatrix 650」を備え付けた「JMS Q1000(日本電子社製)」を使用して行うことができる。 In the following, heating fine particles in a helium atmosphere at 250 ° C. for 10 minutes is referred to as a “gas generation test”. The gas generation test can be performed by thermal desorption GC-MS measurement, and can be performed, for example, by using "JMS Q1000 (manufactured by JEOL Ltd.)" equipped with "TurboMatrix 650" manufactured by PerkinElmer.
本発明の微粒子が接続構造体の接続部材に含まれる場合、該接続構造体を加熱処理することで、微粒子から前記ガス成分が発生する。この発生したガス成分は、前述のように腐食性化合物であることで、接続対象部材の腐食が起こって接続対象部材の接着面が削れるなどの現象が起こる。これにより、接続対象部材が接続部材から容易に剥離する。このように、接続構造体は加熱処理されることで容易に接続対象部材と接続部材とが剥離する状態になることから、作業者は、接続構造体のリワーク作業を容易に行うことができる。つまり、本発明の微粒子が含まれる接続部材を備える接続構造体は、リワーク性に優れるという特徴を有する。 When the fine particles of the present invention are contained in the connecting member of the connecting structure, the gas component is generated from the fine particles by heat-treating the connecting structure. Since the generated gas component is a corrosive compound as described above, a phenomenon occurs in which the member to be connected is corroded and the adhesive surface of the member to be connected is scraped. As a result, the member to be connected is easily separated from the connecting member. As described above, since the connection structure is in a state where the connection target member and the connection member are easily separated from each other by the heat treatment, the operator can easily perform the rework work of the connection structure. That is, the connection structure including the connection member containing the fine particles of the present invention has a feature of being excellent in reworkability.
さらに、本発明の微粒子が含まれる接続部材を備える接続構造体は、高温で長時間加熱せずとも接続対象部材を接続部材から剥離できるので、加熱中において高温になることによる回路等の発火を防止しやすい。つまり、接続対象部材が接続部材から剥離されるので、発火が起こる前に早期に回路を遮断することができることから、作業者がリワーク作業をより安全に行うことができる。 Further, since the connection structure including the connection member containing the fine particles of the present invention can peel off the connection target member from the connection member without heating at a high temperature for a long time, the circuit or the like may be ignited due to the high temperature during heating. Easy to prevent. That is, since the connection target member is peeled off from the connection member, the circuit can be cut off at an early stage before ignition occurs, so that the operator can perform the rework work more safely.
本発明でいうリワーク作業とは、例えば、接続構造体を組み立てる場合において、接続対象部材の貼り直し作業、接続構造体の故障等が発生した場合の接続対象部材等の交換作業等を示す。 The rework work referred to in the present invention refers to, for example, reattachment work of a connection target member in the case of assembling a connection structure, replacement work of the connection target member or the like when a failure of the connection target member occurs, or the like.
本発明の微粒子は、接続対象部材と接続部材との剥離が容易に起こりやすい点で、ガス発生試験で発生するガス成分が4500ppm以上であることが好ましく、5000ppm以上であることがより好ましく、6000ppm以上であることが特に好ましい。ガス発生試験で発生するガス成分の上限は、例えば15000ppmである。 In the fine particles of the present invention, the gas component generated in the gas generation test is preferably 4500 ppm or more, more preferably 5000 ppm or more, and more preferably 6000 ppm, in that peeling between the connecting member and the connecting member is likely to occur. The above is particularly preferable. The upper limit of the gas component generated in the gas generation test is, for example, 15,000 ppm.
ガス発生試験で微粒子から発生するガス成分は、揮発性であって、金属を腐食させる性質を有する腐食性化合物である。揮発性とは、例えば、前記ガス発生試験条件下で容易に気体となる性質をいう。また、腐食性化合物は、大気圧下、室温(例えば、20℃)で気体である化合物であってもよい。例えば、腐食性化合物の沸点は50℃以上であることが好ましい。この場合、腐食性化合物が微粒子内に封入されやすく、また、250℃以上に加熱した場合は、速やかに腐食性化合物が微粒子外に放出しやすいので、本発明の効果が発揮されやすい。 The gas component generated from the fine particles in the gas generation test is a volatile and corrosive compound having a property of corroding metal. Volatility refers to, for example, the property of easily becoming a gas under the gas generation test conditions. Further, the corrosive compound may be a compound that is a gas at room temperature (for example, 20 ° C.) under atmospheric pressure. For example, the boiling point of the corrosive compound is preferably 50 ° C. or higher. In this case, the corrosive compound is easily encapsulated in the fine particles, and when heated to 250 ° C. or higher, the corrosive compound is easily released to the outside of the fine particles, so that the effect of the present invention is easily exhibited.
腐食性化合物は、例えば、分子量が1000以下であることが好ましく、この場合、前記ガス発生試験での揮発性に優れ、本発明の効果を発揮しやすくなる。 The corrosive compound preferably has, for example, a molecular weight of 1000 or less, and in this case, it is excellent in volatility in the gas generation test, and the effect of the present invention is easily exhibited.
ガス成分は、微粒子の加熱によって発生する。例えば、微粒子の加熱によって、微粒子中に含まれる成分(例えば、微粒子のマトリックス成分等)の酸化還元反応が起こり、これによって、微粒子からガス成分である腐食性化合物が発生する。 The gas component is generated by heating the fine particles. For example, heating of the fine particles causes a redox reaction of a component contained in the fine particles (for example, a matrix component of the fine particles), whereby a corrosive compound which is a gas component is generated from the fine particles.
本発明でいう「金属を腐食させる性質」(金属腐食性ともいう)とは、金属を気化させる作用を示すことができる化合物をいう。より具体的には、腐食性化合物は、金属と反応して金属をイオン化させ、このイオン化された金属を気化(外部へ輸送)させる作用を示すことができる化合物をいう。 The "property of corroding metal" (also referred to as metal corrosiveness) in the present invention means a compound capable of exhibiting an action of vaporizing metal. More specifically, the corrosive compound refers to a compound capable of reacting with a metal to ionize the metal and vaporizing (transporting to the outside) the ionized metal.
微粒子は、上述のようにガス成分として金属腐食性を有する腐食性化合物を含む。このような微粒子を備える接続構造体が加熱(例えば、250℃以上に加熱)されると、微粒子から発生したガス成分である腐食性化合物が接続対象部材を腐食させる。これにより、接続構造体を構成する接続対象部材の接着面が部分的に削れるなどして空隙が形成され、接続部材との剥離が起こりやすくなる。その結果として、接続構造体は、優れたリワーク性を有することができる。 As described above, the fine particles contain a corrosive compound having metal corrosiveness as a gas component. When the connection structure provided with such fine particles is heated (for example, heated to 250 ° C. or higher), the corrosive compound which is a gas component generated from the fine particles corrodes the member to be connected. As a result, the adhesive surface of the connection target member constituting the connection structure is partially scraped to form a gap, and peeling from the connection member is likely to occur. As a result, the connection structure can have excellent reworkability.
腐食性化合物は、金属腐食性を有している限りは、その種類は特に限定されない。例えば、腐食性化合物は、ケイ素化合物及びハロゲン化物からなる群より選ばれる1種以上とすることができる。この場合、腐食性化合物は、金属を腐食させやすく、リワーク性をさらに高めることができる。なお、念のための注記であるが、ここでいうハロゲン化物は、前記ケイ素化合物以外の化合物をいう。 The type of the corrosive compound is not particularly limited as long as it has metal corrosiveness. For example, the corrosive compound can be one or more selected from the group consisting of silicon compounds and halides. In this case, the corrosive compound easily corrodes the metal and can further enhance the reworkability. As a reminder, the halide referred to here refers to a compound other than the silicon compound.
ケイ素化合物としては、前記揮発性及び前記金属腐食性を有するものであって、例えば、Siを含み、さらに水素、酸素、ハロゲン、炭素、窒素、硫黄等の一以上の原子が結合した化合物が挙げられる。ケイ素化合物の具体例としては、シランガス(SiH4)、(CH3)3SiH、(CH3)2SiH2、(CH3)SiH3、アルキルトリメチルシラン(例えば炭素数1,2,3又は4)、アルケニルトリメチルシラン(例えば炭素数1,2,3又は4)、エチニルトリメチルシラン(例えば炭素数1,2,3又は4)、窒化ケイ素、アミノシラン、シラザン、モノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン、シロキサン化合物、シリルエステル、シラノール、モノクロロシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン、モノフルオロシラン、ジフルオロシラン、トリフルオロシラン、テトラフルオロシラン等を挙げることができる。前記シロキサン化合物としては、例えば、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等を挙げることができる。
Examples of the silicon compound include the volatile and metal corrosive compounds, for example, a compound containing Si and further bonded with one or more atoms such as hydrogen, oxygen, halogen, carbon, nitrogen and sulfur. Be done. Specific examples of the silicon compound include silane gas (SiH 4 ), (CH 3 ) 3 SiH, (CH 3 ) 2 SiH 2 , (CH 3 ) SiH 3 , and alkyltrimethylsilane (for example, 1, 2, 3 or 4 carbon atoms). ), Alkenyltrimethylsilane (eg
微粒子がケイ素を含む場合(例えば、後記するシリコーン粒子である場合)は、Si-H結合を有するケイ素化合物をガス成分として発生しやすい。微粒子がケイ素を含む場合、前述の酸化還元反応によってSi-H結合を有するケイ素化合物が生成してガス化する場合がある。あるいは、微粒子がケイ素を含む場合、分子中に保持された又は結合しているSi-H基がガス化することによって、Si-H結合を有するケイ素化合物が生成することもある。微粒子がシロキサン結合(Si-O)を有する場合は、Si-H結合を有するケイ素化合物がガス成分として発生しやすい。 When the fine particles contain silicon (for example, when they are silicone particles described later), a silicon compound having a Si—H bond is likely to be generated as a gas component. When the fine particles contain silicon, a silicon compound having a Si—H bond may be generated and gasified by the above-mentioned redox reaction. Alternatively, when the fine particles contain silicon, a silicon compound having a Si—H bond may be produced by gasifying the Si—H group retained or bonded in the molecule. When the fine particles have a siloxane bond (Si—O), a silicon compound having a Si—H bond is likely to be generated as a gas component.
揮発性及び腐食性が高いという観点から、ケイ素化合物は、シロキサン化合物が好ましい。 From the viewpoint of high volatility and corrosiveness, the silicon compound is preferably a siloxane compound.
ハロゲン化物としては、前記揮発性及び前記金属腐食性を有するものであって、例えば、ハロゲン(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)を含み、さらに水素、酸素、炭素、窒素、硫黄等の一以上の原子が結合した化合物が挙げられる。ハロゲン化物の具体例としては、炭素数1~3のハロゲン置換炭化水素が挙げられ、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン等が例示される。 The halide has the volatile property and the metal corrosiveness, and contains, for example, a halogen (fluorine, chlorine, bromine, iodine), and is further one or more of hydrogen, oxygen, carbon, nitrogen, sulfur and the like. Examples include compounds in which atoms are bonded. Specific examples of the halide include halogen-substituted hydrocarbons having 1 to 3 carbon atoms, and examples thereof include carbon tetrachloride, chloroform, and dichloromethane.
腐食性化合物は、銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を腐食させる性質を有することが好ましい。言い換えれば、腐食性化合物は、銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を気化させる性質を有することが好ましい。この場合、銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を材料として含む接続対象部材等を備える接続構造体に対し、リワーク性をさらに向上させることができる。 The corrosive compound preferably has a property of corroding at least one selected from the group consisting of copper, gallium silicate, silicon and silicon carbide. In other words, the corrosive compound preferably has the property of vaporizing one or more selected from the group consisting of copper, gallium titrated, silicon and silicon carbide. In this case, the reworkability can be further improved for a connection structure including a connection target member or the like containing at least one selected from the group consisting of copper, gallium titrated, silicon, and silicon carbide as a material.
銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を腐食させやすい性質を有する腐食性化合物としては、例えば、シロキサン化合物、四塩化炭素が挙げられる。 Examples of the corrosive compound having a property of easily corroding one or more selected from the group consisting of copper, gallium titrated, silicon and silicon carbide include a siloxane compound and carbon tetrachloride.
別の観点において、腐食性化合物は、銀を腐食させる性質を有していないことが好ましい。言い換えれば、腐食性化合物は、銀を気化させる性質を有していないことが好ましい。この場合は、接続構造体における接続部材として、後記する銀を含む焼結体を採用することができ、しかも、銀を腐食させる性質を有していないことから、リワーク作業時に接続部材の腐食を抑制することができる。その結果、リワーク後に形成される接続構造体の性能の低下が起こりにくくなる。なお、腐食性化合物は、例えば、銀を塩化物にさせる作用を有していても構わず、たとえ、リワーク作業時に接続部材の銀が塩化物に変化したとしても、優れたリワーク性は維持され得る。 In another aspect, the corrosive compound preferably does not have the property of corroding silver. In other words, the corrosive compound preferably does not have the property of vaporizing silver. In this case, as the connecting member in the connecting structure, a sintered body containing silver, which will be described later, can be adopted, and since it does not have the property of corroding silver, the connecting member is corroded during the rework work. It can be suppressed. As a result, the performance of the connection structure formed after the rework is less likely to deteriorate. The corrosive compound may have an action of converting silver into chloride, for example, and even if the silver of the connecting member is changed to chloride during the rework operation, the excellent rework property is maintained. obtain.
銀を腐食させる性質を有していない腐食性化合物としては、例えば、シロキサン化合物が挙げられる。 Examples of corrosive compounds that do not have the property of corroding silver include siloxane compounds.
腐食性化合物は、銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を腐食させる性質を有し、かつ、銀を腐食させる性質を有していないことが特に好ましい。このような腐食性化合物としては、例えば、シロキサン化合物が挙げられる。 It is particularly preferable that the corrosive compound has a property of corroding one or more selected from the group consisting of copper, gallium silicate, silicon and silicon carbide, and does not have a property of corroding silver. Examples of such corrosive compounds include siloxane compounds.
本発明の微粒子は、前記ガス発生試験でガス成分として腐食性化合物を発生する限りは、その種類は特に限定されない。例えば、本発明の微粒子としては、シリコーン粒子、樹脂粒子等を挙げることができる。 The type of the fine particles of the present invention is not particularly limited as long as a corrosive compound is generated as a gas component in the gas generation test. For example, examples of the fine particles of the present invention include silicone particles and resin particles.
シリコーン粒子は、ガス発生試験でガス成分として腐食性化合物を4000ppm以上発生する限りは、その種類は特に限定されない。シリコーン粒子は、例えば、SiO単位で構成される骨格を有する。この場合Si又はOには、有機基が結合していてもよい。 The type of the silicone particles is not particularly limited as long as 4000 ppm or more of the corrosive compound is generated as a gas component in the gas generation test. Silicone particles have, for example, a skeleton composed of SiO units. In this case, an organic group may be bonded to Si or O.
シリコーン粒子は、例えば、重合反応性を有する官能基を有するシリコーンオリゴマー等のシリコーン原料を、重合反応することで得ることができる。この重合反応は、例えば、公知のシリコーン粒子を得るための重合反応と同様の反応条件を採用することができる。前記シリコーンオリゴマーにおいて、重合反応性を有する官能基は、例えば、ラジカル重合性を有する官能基である。ラジカル重合性を有する官能基は、具体的には、アクリロイル基(CH2=CH(CO))、メタクリロイル基(CH2=CCH3(CO))、その他、スチリル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。重合反応性を有する官能基を有するシリコーンオリゴマー等のシリコーン化合物は、例えば、公知の製造工程によって製造することができる。 Silicone particles can be obtained, for example, by polymerizing a silicone raw material such as a silicone oligomer having a functional group having a polymerization reactivity. For this polymerization reaction, for example, the same reaction conditions as the polymerization reaction for obtaining known silicone particles can be adopted. In the silicone oligomer, the functional group having a polymerization reactivity is, for example, a functional group having a radical polymerizable property. Specific examples of the radically polymerizable functional group include an acryloyl group (CH 2 = CH (CO)), a methacryloyl group (CH 2 = CCH 3 (CO)), a styryl group, a vinyl group, an allyl group, and the like. Can be mentioned. A silicone compound such as a silicone oligomer having a functional group having a polymerization reactivity can be produced, for example, by a known production process.
シリコーン粒子を重合反応によって製造する場合は、例えば、シリコーン原料の重合反応が行われる反応系内に腐食性化合物を添加することができる。これにより、得られるシリコーン粒子中に腐食性化合物が含まれ得る。前述のように、重合反応性を有する官能基を有するシリコーンオリゴマー等のシリコーン原料を用いてシリコーン粒子を得る場合は、該シリコーン原料からシリコーン粒子を得るための重合反応系に腐食性化合物を添加することができる。これにより、得られるシリコーン粒子中に腐食性化合物が含まれ得る。あるいは、前記シリコーン化合物を製造するための反応系内に腐食性化合物を添加することもできる。 When the silicone particles are produced by a polymerization reaction, for example, a corrosive compound can be added to the reaction system in which the polymerization reaction of the silicone raw material is carried out. As a result, corrosive compounds may be contained in the obtained silicone particles. As described above, when silicone particles are obtained using a silicone raw material such as a silicone oligomer having a functional group having a polymerization reactivity, a corrosive compound is added to the polymerization reaction system for obtaining silicone particles from the silicone raw material. be able to. As a result, corrosive compounds may be contained in the obtained silicone particles. Alternatively, a corrosive compound can be added to the reaction system for producing the silicone compound.
腐食性化合物の添加量は、得られる微粒子がガス発生試験でガス成分である腐食性化合物を4000ppm以上発生する限りは、特に限定されない。例えば、腐食性化合物の添加量は、シリコーン原料100質量部あたり、0.1~10質量部とすることができ、0.5~5質量部であることが好ましく、0.7~4質量部であることがより好ましく、1~3質量部であることが特に好ましい。 The amount of the corrosive compound added is not particularly limited as long as the obtained fine particles generate 4000 ppm or more of the corrosive compound which is a gas component in the gas generation test. For example, the amount of the corrosive compound added can be 0.1 to 10 parts by mass, preferably 0.5 to 5 parts by mass, and 0.7 to 4 parts by mass per 100 parts by mass of the silicone raw material. Is more preferable, and 1 to 3 parts by mass is particularly preferable.
シリコーン粒子は、例えば、公知のエマルジョン重合法によって調整することもできる。あるいは、シリコーン粒子は、シリコーンゴムを破砕する方法によって調整することもできる。シリコーン粒子は、SiOの単位で構成されるマトリックス以外に、エラストマー及び樹脂等が含まれていてもよい。 Silicone particles can also be prepared, for example, by a known emulsion polymerization method. Alternatively, the silicone particles can be adjusted by a method of crushing the silicone rubber. The silicone particles may contain an elastomer, a resin, or the like in addition to the matrix composed of the units of SiO.
樹脂粒子は、ガス発生試験でガス成分として腐食性化合物を4000ppm以上発生する限りは、その種類は特に限定されない。樹脂粒子を形成するための材料として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、シリコーン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシ樹脂、飽和ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、及び、ポリエーテルスルホン、尿素樹脂等が挙げられる。 The type of the resin particles is not particularly limited as long as the corrosive compound is generated at 4000 ppm or more as a gas component in the gas generation test. As a material for forming resin particles, for example, a polyolefin resin such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, silicone resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; and an acrylic resin such as polymethylmethacrylate and polymethylacrylate; Polyalkylene terephthalate, polysulfone, polycarbonate, polyamide, phenolformaldehyde resin, melamineformaldehyde resin, benzoguanamineformaldehyde resin, ureaformaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, epoxy resin, saturated polyester resin, unsaturated polyester resin, polyphenylene oxide, Examples thereof include polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyether ether ketone, polyether sulfone, and urea resin.
樹脂粒子は、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させることにより得ることもできる。該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体及び/又は架橋性の単量体が挙げられる。なお、以下の説明において、「(メタ)アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「(メタ)アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。 The resin particles can also be obtained by polymerizing one or more of various polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. Examples of the monomer having an ethylenically unsaturated group include a non-crosslinkable monomer and / or a crosslinkable monomer. In the following description, "(meth) acrylic" means one or both of "acrylic" and "methacrylic", and "(meth) acrylate" means one or both of "acrylate" and "methacrylate". means.
非架橋性の単量体としては、例えば、ビニル化合物として、スチレン、α-メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン系単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、1,4-ブタンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;塩化ビニル、フッ化ビニル、等のハロゲン含有単量体が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene, α-methylstyrene, and chlorstyrene as vinyl compounds; methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, and 1,4-butanediol divinyl ether. , Cyclohexanedimethanol divinyl ether, vinyl ethers such as diethylene glycol divinyl ether; acid vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate; halogen-containing monomers such as vinyl chloride and vinyl fluoride. Can be mentioned.
非架橋性の単量体としては、例えば、(メタ)アクリル化合物として、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート等のハロゲン含有(メタ)アクリレート類が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate as the (meth) acrylic compound. Alkyl (meth) acrylates such as lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol ( Oxygen atom-containing (meth) acrylates such as meta) acrylates, polyoxyethylene (meth) acrylates and glycidyl (meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; trifluoromethyl (meth) acrylates, pentafluoro Examples thereof include halogen-containing (meth) acrylates such as ethyl (meth) acrylate.
非架橋性の単量体としては、例えば、ビニル化合物として、α-オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン類;共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include olefins such as diisobutylene, isobutylene, linearene, ethylene and propylene as vinyl compounds and α-olefin compounds; and isoprene and butadiene as conjugated diene compounds.
架橋性の単量体としては、例えば、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、1,4-ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル系単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include vinyl-based monomers such as divinylbenzene, 1,4-dibinyloxybutane, and divinyl sulfone as vinyl compounds.
架橋性の単量体としては、例えば、(メタ)アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, tetramethylolmethanetri (meth) acrylate, tetramethylolmethanedi (meth) acrylate, and trimethylolpropanetri (meth) acrylic compounds. Meta) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) Examples thereof include polyfunctional (meth) acrylates such as propylene glycol di (meth) acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate.
架橋性の単量体としては、例えば、アリル化合物として、トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include triallyl (iso) cyanurate, triallyl trimellitate, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether and the like as the allyl compound.
架橋性の単量体としては、例えば、シリコーン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエチルシラン、t-ブチルジメチルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、n-ヘキシルトリメトキシシラン、n-オクチルトリエトキシシラン、n-デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ-(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド類;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキジメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド;デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン;片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性(反応性)シリコーンオイル;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, triethylsilane, t-butyldimethylsilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and ethyltriethoxy as silicone compounds. Silane, isopropyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxy Silane alkoxides such as silane, diisopropyldimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, γ- (meth) acryloxipropyltrimethoxysilane, 1,3-divinyltetramethyldisiloxane, methylphenyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane; vinyltrimethoxy; Silane, vinyltriethoxysilane, dimethoxydimethylvinylcisilane, dimethoxyethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, diethoxyethylvinylsilane, ethylmethyldivinylsilane, methylvinyldimethoxysilane, ethylvinyldimethoxysilane, methylvinyldiethoxysilane, ethyl Vinyl diethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3 -A silane alkoxide containing a polymerizable double bond such as acryloxypropyltrimethoxysilane; a cyclic siloxane such as decamethylcyclopentasiloxane; modification of one-ended silicone oil, two-ended silicone oil, side-chain silicone oil, etc. (reactivity) ) Silicone oil; examples thereof include carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride.
架橋性及び非架橋性単量体は、上記例示列挙した単量体に限定されず、その他の重合性単量体、例えば、公知の重合性単量体であってもよい。 The crosslinkable and non-crosslinkable monomers are not limited to the monomers listed above, and may be other polymerizable monomers, for example, known polymerizable monomers.
エチレン性不飽和基を有する重合性単量の重合方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、及び非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法(いわゆる、シード重合法)等が挙げられる。これらの重合方法の条件は特に制限されず、公知の条件とすることができる。腐食性化合物は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量に添加することができる。これにより、得られる樹脂粒子は、腐食性化合物を含むことができる。 Examples of the polymerization method of a polymerizable single amount having an ethylenically unsaturated group include a method of suspend polymerization in the presence of a radical polymerization initiator and a monomer using a non-crosslinked seed particle together with a radical polymerization initiator. A method of swelling and polymerizing (so-called seed polymerization method) and the like can be mentioned. The conditions of these polymerization methods are not particularly limited and can be known conditions. The corrosive compound can be added to a polymerizable single amount having an ethylenically unsaturated group. Thereby, the obtained resin particles can contain a corrosive compound.
微粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状とすることができる。球状は、真球及び非真球のいずれでもよい。微粒子が非真球である場合は、楕円形状及び不規則形状等の形状にすることができる。 The shape of the fine particles is not particularly limited and may be spherical, for example. The sphere may be either a true sphere or a non-true sphere. When the fine particles are non-true spheres, they can have an elliptical shape, an irregular shape, or the like.
微粒子の平均粒子径は特に限定されず、例えば、0.05μm以上、300μm以下とすることができる。微粒子の平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上であり、また、好ましくは200μm以下、より好ましくは160μm以下、さらに好ましくは80μm以下、特に好ましくは30μm以下である。 The average particle size of the fine particles is not particularly limited, and may be, for example, 0.05 μm or more and 300 μm or less. The average particle size of the fine particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, and preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, still more preferably 80 μm or less, and particularly preferably 30 μm or less. ..
微粒子の平均粒子径とは、形状が真球状である場合には直径を意味し、真球状以外の形状である場合には、最大径と最小径の平均値を意味する。そして、微粒子の平均粒子径は、基材粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、無作為に選択した50個の基材粒子の粒径をノギスで測定した平均値を意味する。なお、基材粒子が後記のように金属で被覆されている場合の平均粒子径は、その被覆層も含める。 The average particle diameter of the fine particles means the diameter when the shape is a true sphere, and means the average value of the maximum diameter and the minimum diameter when the shape is other than the true sphere. The average particle size of the fine particles means an average value obtained by observing the substrate particles with a scanning electron microscope and measuring the particle size of 50 randomly selected substrate particles with a nogis. The average particle diameter when the base particles are coated with metal as described later includes the coating layer.
微粒子は、200℃以上の熱分解温度を有することが好ましく、この場合、後述のように接続構造体の接続部材が形成される際に微粒子の熱分解が抑制されやすい。微粒子の熱分解温度は、好ましくは220℃以上、より好ましくは250℃以上、更に好ましくは300℃以上である。なお、微粒子が後述の金属で被覆されている場合は、微粒子と金属とのうち、先に熱分解する温度を、微粒子の熱分解温度とする。 The fine particles preferably have a thermal decomposition temperature of 200 ° C. or higher, and in this case, the thermal decomposition of the fine particles is likely to be suppressed when the connecting member of the connecting structure is formed as described later. The thermal decomposition temperature of the fine particles is preferably 220 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher, still more preferably 300 ° C. or higher. When the fine particles are coated with a metal described later, the temperature at which the fine particles and the metal are thermally decomposed first is defined as the thermal decomposition temperature of the fine particles.
微粒子は、その表面が金属で被覆されていることも好ましい。このように表面が金属で被覆された微粒子が接続部材に含まれる場合、接続部材に応力等がかかっても、その応力を緩和させる効果、つまり応力緩和作用が発揮され得る。そのため、例えば、リワーク作業時に接続構造体に負荷がかかっても、接続構造体の反りや変形等を抑制することができる。 It is also preferable that the surface of the fine particles is coated with a metal. When the connecting member contains fine particles whose surface is coated with metal as described above, even if stress is applied to the connecting member, the effect of relaxing the stress, that is, the stress relaxation effect can be exhibited. Therefore, for example, even if a load is applied to the connection structure during the rework work, it is possible to suppress warpage or deformation of the connection structure.
微粒子を被覆できる金属としては、例えば、金、銀、錫、銅、ゲルマニウム、インジウム、パラジウム、テルル、タリウム、ビスマス、亜鉛、ヒ素、セレン、鉄、鉛、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、カドミウム、ケイ素、ニッケル、クロム、白金、ロジウム等が例示される。金属は、これらの各々の金属のいずれか1種のみであってもよいし、あるいは、2種以上を含んでもよい。また、金属は、上記例示列挙した各々の金属のうちの2種以上の金属の合金であってもよい。 Metals that can coat fine particles include, for example, gold, silver, tin, copper, germanium, indium, palladium, tellurium, thallium, bismuth, zinc, arsenic, selenium, iron, lead, ruthenium, aluminum, cobalt, titanium, antimony, etc. Examples thereof include cadmium, silicon, nickel, chromium, platinum, rhodium and the like. The metal may be only one kind of each of these metals, or may contain two or more kinds. Further, the metal may be an alloy of two or more kinds of metals among the respective metals listed above.
微粒子が金属で被覆されている場合、金属の層は単層及び複数の層のいずれでもよい。 When the fine particles are coated with metal, the metal layer may be a single layer or a plurality of layers.
微粒子が金属で被覆されている場合、金属の厚みは、好ましくは0.5nm以上、より好ましくは10nm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、更に好ましくは500nm以下、特に好ましくは300nm以下である。 When the fine particles are coated with a metal, the thickness of the metal is preferably 0.5 nm or more, more preferably 10 nm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 500 nm or less, and particularly preferably. It is 300 nm or less.
微粒子の表面を金属で被覆する方法は特に限定されない。例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等、公知の方法によって、微粒子表面を金属で被覆することができる。 The method of coating the surface of the fine particles with metal is not particularly limited. For example, by a known method such as a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, and a method of coating a metal powder or a paste containing a metal powder and a binder on the surface of a base particle, a fine particle surface is used. Can be coated with metal.
微粒子を被覆する金属は、複数の突起を有していてもよい。このような突起も、例えば、公知の方法で形成することができる。突起の形状、大きさも特に限定されず。公知と同様とすることができる。 The metal covering the fine particles may have a plurality of protrusions. Such protrusions can also be formed, for example, by a known method. The shape and size of the protrusions are not particularly limited. It can be the same as known.
本発明の微粒子は、接続構造体を組み立てるための接続部材に使用することができ、接続構造体のリワーク性及びリワーク作業時の安全性を向上させることができる。従って、本発明の微粒子は、接続構造体の接続部材用の材料として好適に使用することができる。 The fine particles of the present invention can be used as a connecting member for assembling a connecting structure, and can improve the reworkability of the connecting structure and the safety during the reworking work. Therefore, the fine particles of the present invention can be suitably used as a material for a connecting member of a connecting structure.
2.接続材料
接続材料は、前記微粒子と、金属粒子とを含有する。接続材料は硬化することで、前記接続部材(図1等参照)を形成し得る材料である。接続材料は、例えば、加熱して焼結することで硬化する材料(つまり、焼結材料)である。
2. 2. Connection material The connection material contains the fine particles and metal particles. The connecting material is a material that can form the connecting member (see FIG. 1 and the like) by being cured. The connecting material is, for example, a material that is cured by heating and sintering (that is, a sintered material).
金属粒子の種類は特に限定されない。例えば、公知の接続材料と同様の金属粒子を使用することができる。 The type of metal particles is not particularly limited. For example, metal particles similar to known connecting materials can be used.
金属粒子は、金属単体の粒子であってもよいし、あるいは、金属化合物の粒子であってもよい。金属化合物は、金属原子と、該金属原子以外の原子とを含む化合物である。 The metal particles may be particles of a single metal or particles of a metal compound. The metal compound is a compound containing a metal atom and an atom other than the metal atom.
金属化合物の具体例としては、金属酸化物、金属の炭酸塩、金属のカルボン酸塩及び金属の錯体等が挙げられる。金属化合物は、金属酸化物であることが好ましい。例えば、上記金属酸化物は、還元剤の存在下で接続時の加熱で金属粒子となった後に焼結する。上記金属酸化物は、金属粒子の前駆体である。金属のカルボン酸塩粒子としては、金属の酢酸塩粒子等が挙げられる。 Specific examples of the metal compound include metal oxides, metal carbonates, metal carboxylates, metal complexes and the like. The metal compound is preferably a metal oxide. For example, the metal oxide is sintered after becoming metal particles by heating at the time of connection in the presence of a reducing agent. The metal oxide is a precursor of metal particles. Examples of the metal carboxylate particles include metal acetate particles.
金属粒子及び金属化合物に含まれる金属は、金、銀、錫、銅、ゲルマニウム、インジウム、パラジウム、テルル、タリウム、ビスマス、亜鉛、ヒ素、セレン及びこれらの金属元素のうちの少なくとも1種の金属元素を含む合金からなる群より選ばれる1種以上を含むことが好ましい。金属粒子に含まれる金属は、金、銀及び銅からなる群より選ばれる1種以上を含むことがより好ましい。 The metals contained in the metal particles and metal compounds are gold, silver, tin, copper, germanium, indium, palladium, tellurium, tarium, bismuth, zinc, arsenic, selenium and at least one of these metal elements. It is preferable to contain at least one selected from the group consisting of alloys containing. It is more preferable that the metal contained in the metal particles contains at least one selected from the group consisting of gold, silver and copper.
特に、金属粒子は、銀粒子及び酸化銀粒子の少なくとも一方であることが好ましい。これらの金属粒子は、融点が高い材料であることから、腐食性化合物によって気化されにくく、かつ、融点が高いことから、前記腐食性化合物による腐食が起こりにくい。そのため、金属粒子は、銀粒子及び酸化銀粒子の少なくとも一方であるある場合は、リワーク後に得られた接続構造体において、接続部材の劣化が起こりにくく、リワーク後も接続構造体の強度、性能等が損なわれにくい。酸化銀としては、Ag2O及びAgOが挙げられる。 In particular, the metal particles are preferably at least one of silver particles and silver oxide particles. Since these metal particles are materials having a high melting point, they are less likely to be vaporized by the corrosive compound, and since they have a high melting point, they are less likely to be corroded by the corrosive compound. Therefore, when the metal particles are at least one of silver particles and silver oxide particles, deterioration of the connecting member is unlikely to occur in the connecting structure obtained after the rework, and the strength, performance, etc. of the connecting structure even after the rework, etc. Is not easily damaged. Examples of silver oxide include Ag 2 O and Ag O.
金属粒子の平均粒子径は、10nm以上、10μm以下であることが好ましい。また、接続対象部材の接続強度を高める観点から、金属粒子は、平均粒子径の異なる2種以上の金属粒子を含むことが好ましい。平均粒子径の異なる2種以上の金属粒子を有する場合、平均粒子径の小さい金属粒子の平均粒子径は10nm以上であることが好ましく、100nm以下であることが好ましい。平均粒子径の大きい金属粒子の平均粒子径は1μm以上であることが好ましく、10μm以下であることが好ましい。平均粒子径の小さい金属粒子の平均粒子径の大きい金属粒子に対する配合量の比は1/9以上、9以下であることが好ましい。なお、上記平均粒子径は、金属粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、観察された画像における任意に選択した50個の各粒子の最大径を算術平均することにより求められる。 The average particle size of the metal particles is preferably 10 nm or more and 10 μm or less. Further, from the viewpoint of increasing the connection strength of the member to be connected, it is preferable that the metal particles include two or more kinds of metal particles having different average particle diameters. When having two or more kinds of metal particles having different average particle diameters, the average particle diameter of the metal particles having a small average particle diameter is preferably 10 nm or more, and preferably 100 nm or less. The average particle size of the metal particles having a large average particle size is preferably 1 μm or more, and preferably 10 μm or less. The ratio of the blending amount of the metal particles having a small average particle size to the metal particles having a large average particle size is preferably 1/9 or more and 9 or less. The average particle size is obtained by observing the metal particles with a scanning electron microscope and arithmetically averaging the maximum diameters of 50 arbitrarily selected particles in the observed image.
金属粒子は、400℃未満の加熱で焼結することが好ましい。金属粒子が焼結する温度(焼結温度)は、より好ましくは350℃以下、好ましくは300℃以上である。上記金属粒子が焼結する温度が上記上限以下又は上記上限未満であると、焼結を効率的に行うことができ、更に焼結に必要なエネルギーを低減し、かつ環境負荷を小さくすることができる。 The metal particles are preferably sintered by heating at less than 400 ° C. The temperature at which the metal particles are sintered (sintering temperature) is more preferably 350 ° C. or lower, preferably 300 ° C. or higher. When the temperature at which the metal particles are sintered is below or below the above upper limit, sintering can be performed efficiently, the energy required for sintering can be further reduced, and the environmental load can be reduced. can.
金属粒子が金属酸化物粒子である場合は、接続材料には還元剤が含まれることが好ましい。上記還元剤としては、アルコール類(アルコール性水酸基を有する化合物)、カルボン酸類(カルボキシ基を有する化合物)及びアミン類(アミノ基を有する化合物)等が挙げられる。上記還元剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 When the metal particles are metal oxide particles, it is preferable that the connecting material contains a reducing agent. Examples of the reducing agent include alcohols (compounds having an alcoholic hydroxyl group), carboxylic acids (compounds having a carboxy group), amines (compounds having an amino group) and the like. Only one kind of the reducing agent may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.
アルコール類としては、アルキルアルコールが挙げられる。上記アルコール類の具体例としては、例えば、エタノール、プロパノール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナデシルアルコール及びイコシルアルコール等が挙げられる。また、上記アルコール類としては、1級アルコール型化合物に限られず、2級アルコール型化合物、3級アルコール型化合物、アルカンジオール及び環状構造を有するアルコール化合物も使用可能である。さらに、上記アルコール類として、エチレングリコール及びトリエチレングリコールなど多数のアルコール基を有する化合物を用いてもよい。また、上記アルコール類として、クエン酸、アスコルビン酸及びグルコースなどの化合物を用いてもよい。 Examples of alcohols include alkyl alcohols. Specific examples of the above alcohols include, for example, ethanol, propanol, butyl alcohol, pentyl alcohol, hexyl alcohol, heptyl alcohol, octyl alcohol, nonyl alcohol, decyl alcohol, undecyl alcohol, dodecyl alcohol, tridecyl alcohol, and tetradecyl alcohol. , Pentadecyl alcohol, hexadecyl alcohol, heptadecyl alcohol, octadecyl alcohol, nonadecyl alcohol, icosyl alcohol and the like. Further, the alcohols are not limited to the primary alcohol type compound, but a secondary alcohol type compound, a tertiary alcohol type compound, an alkanediol and an alcohol compound having a cyclic structure can also be used. Further, as the alcohols, a compound having a large number of alcohol groups such as ethylene glycol and triethylene glycol may be used. Further, as the alcohols, compounds such as citric acid, ascorbic acid and glucose may be used.
カルボン酸類としては、アルキルカルボン酸等が挙げられる。上記カルボン酸類の具体例としては、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、オクタデカン酸、ノナデカン酸及びイコサン酸等が挙げられる。また、上記カルボン酸類は、1級カルボン酸型化合物に限られず、2級カルボン酸型化合物、3級カルボン酸型化合物、ジカルボン酸及び環状構造を有するカルボキシル化合物も使用可能である。 Examples of carboxylic acids include alkylcarboxylic acids and the like. Specific examples of the above carboxylic acids include butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid, tridecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, hexadecanoic acid and heptadecanoic acid. , Octadecanoic acid, nonadecanic acid, icosanoic acid and the like. Further, the carboxylic acids are not limited to the primary carboxylic acid type compound, but a secondary carboxylic acid type compound, a tertiary carboxylic acid type compound, a dicarboxylic acid and a carboxyl compound having a cyclic structure can also be used.
アミン類としては、アルキルアミン等が挙げられる。上記アミン類の具体例としては、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、ノナデシルアミン及びイコデシルアミン等が挙げられる。また、上記アミン類は分岐構造を有していてもよい。分岐構造を有するアミン類としては、2-エチルヘキシルアミン及び1,5-ジメチルヘキシルアミン等が挙げられる。上記アミン類は、1級アミン型化合物に限られず、2級アミン型化合物、3級アミン型化合物及び環状構造を有するアミン化合物も使用可能である。 Examples of amines include alkylamines and the like. Specific examples of the above amines include butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, tridecylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, and hexadecylamine. Examples thereof include heptadecylamine, octadecylamine, nonadecilamine and icodecylamine. Moreover, the above-mentioned amines may have a branched structure. Examples of amines having a branched structure include 2-ethylhexylamine and 1,5-dimethylhexylamine. The amines are not limited to primary amine compounds, but secondary amine compounds, tertiary amine compounds and amine compounds having a cyclic structure can also be used.
還元剤は、アルデヒド基、エステル基、スルホニル基又はケトン基などを有する有機物であってもよく、カルボン酸金属塩などの有機物であってもよい。カルボン酸金属塩は金属粒子の前駆体としても用いられる一方で、有機物を含有しているために、金属酸化物粒子の還元剤としても用いられる。 The reducing agent may be an organic substance having an aldehyde group, an ester group, a sulfonyl group, a ketone group, or the like, or may be an organic substance such as a carboxylic acid metal salt. While the carboxylic acid metal salt is also used as a precursor for metal particles, it is also used as a reducing agent for metal oxide particles because it contains an organic substance.
金属粒子100質量部に対して、還元剤の含有量は、好ましくは1質量部以上、より好ましくは10質量部以上であり、好ましくは1000質量部以下、より好ましくは500質量部以下、更に好ましくは100質量部以下である。上記還元剤の含有量が上記下限以上であると、上記金属粒子をより一層緻密に焼結させることができる。 The content of the reducing agent is preferably 1 part by mass or more, more preferably 10 parts by mass or more, preferably 1000 parts by mass or less, more preferably 500 parts by mass or less, still more preferably, with respect to 100 parts by mass of the metal particles. Is 100 parts by mass or less. When the content of the reducing agent is at least the above lower limit, the metal particles can be sintered more densely.
金属粒子の焼結温度(接続温度)よりも低い融点を有する還元剤を用いると、接続時に凝集し、接続部にボイドが生じやすくなる傾向がある。カルボン酸金属塩の使用により、該カルボン酸金属塩は接続時の加熱により融解しないため、ボイドが生じるのを抑制できる。なお、カルボン酸金属塩以外にも有機物を含有する金属化合物を還元剤として用いてもよい。 If a reducing agent having a melting point lower than the sintering temperature (connection temperature) of the metal particles is used, it tends to aggregate at the time of connection and voids are likely to occur at the connection portion. By using the carboxylic acid metal salt, the carboxylic acid metal salt is not melted by heating at the time of connection, so that the formation of voids can be suppressed. In addition to the carboxylic acid metal salt, a metal compound containing an organic substance may be used as the reducing agent.
接続材料は、樹脂バインダーが含まれていてもよい。樹脂バインダーとしては、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂を含むことが好ましく、硬化性樹脂を含むことがより好ましい。上記硬化性樹脂としては、光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。上記光硬化性樹脂は、光硬化性樹脂及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂及び熱硬化剤を含むことが好ましい。樹脂バインダーとしては、例えば、公知のビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。樹脂バインダーは、1種のみ又は2種以上が併用されてもよい。 The connecting material may contain a resin binder. The resin binder preferably contains a thermoplastic resin or a curable resin, and more preferably contains a curable resin. Examples of the curable resin include a photocurable resin and a thermosetting resin. The photocurable resin preferably contains a photocurable resin and a photopolymerization initiator. The thermosetting resin preferably contains a thermosetting resin and a thermosetting agent. Examples of the resin binder include known vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, elastomers and the like. The resin binder may be used alone or in combination of two or more.
接続材料は、分散媒が含まれていてもよい。分散媒としては、例えば、公知の溶剤等が挙げられる。 The connecting material may contain a dispersion medium. Examples of the dispersion medium include known solvents and the like.
接続材料は、前記微粒子を含むことを除いては、公知の接続材料を使用して調整してもよい。公知の接続材料としては、京セラケミカル社製「CT2700」、Heraeus社製「ASP295」、「ASP016」、「ASP043」、ヘンケル社製「LOCTITE ABLESTIK SSP2020」、ナミックス社製「H9890-6A」、ハリマ化成社製「NH-4000」、「NH-225D」、「NH-3000D」、化研テック社製「CM-3212」、「CR-3520」、日本スペリア社製「アルコナノ銀ペーストANP-1」等が挙げられる。 The connecting material may be adjusted using a known connecting material except that it contains the fine particles. Known connection materials include "CT2700" manufactured by Kyocera Chemicals, "ASP295", "ASP016", "ASP043" manufactured by Heraeus, "LocTITE ABLESTIK SSP2020" manufactured by Henkel, "H9890-6A" manufactured by Namics, and Harima Chemicals. "NH-4000", "NH-225D", "NH-3000D" manufactured by Kaken Tech, "CM-3212", "CR-3520" manufactured by Kaken Tech, "Arconano Silver Paste ANP-1" manufactured by Nippon Superior Co., Ltd., etc. Can be mentioned.
接続材料において、金属粒子の含有量は、前記微粒子の含有量よりも多いことが好ましく、例えば、金属粒子の含有量は、前記微粒子の含有量よりも10質量%以上多いことがより好ましく、20質量%以上多いことがさらに好ましい。 In the connecting material, the content of the metal particles is preferably higher than the content of the fine particles, for example, the content of the metal particles is more preferably 10% by mass or more higher than the content of the fine particles, 20 It is more preferable that the amount is more than% by mass.
接続材料において、分散媒を除く成分100質量%中、微粒子の含有量は好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは1質量%以上であり、好ましくは50質量%以下、より好ましくは20質量%以下、特に好ましくは10質量%以下である。上記金属原子含有粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下である場合、リワーク性が特に優れる。 In the connecting material, the content of fine particles is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, preferably 50% by mass or less, and more preferably 20% by mass in 100% by mass of the components excluding the dispersion medium. % Or less, particularly preferably 10% by mass or less. When the content of the metal atom-containing particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the reworkability is particularly excellent.
接続材料において、分散媒を除く成分100質量%中、金属粒子の含有量は、好ましくは70質量%以上、より好ましくは80質量%以上であり、好ましくは98質量%以下、より好ましくは95質量%以下である。上記金属粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下である場合、上記金属粒子をより一層緻密に焼結させることができる。 In the connecting material, the content of the metal particles in 100% by mass of the component excluding the dispersion medium is preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, preferably 98% by mass or less, and more preferably 95% by mass. % Or less. When the content of the metal particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the metal particles can be sintered more precisely.
接続材料が前記樹脂バインダーを含む場合、接続材料の分散媒を除く成分100質量%中、樹脂バインダーの含有量は好ましくは1質量%以上、より好ましくは5質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下である。樹脂バインダーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記金属粒子をより一層緻密に焼結させることができる。 When the connecting material contains the resin binder, the content of the resin binder is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and preferably 20% by mass in 100% by mass of the component excluding the dispersion medium of the connecting material. % Or less, more preferably 15% by mass or less. When the content of the resin binder is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the metal particles can be sintered more densely.
接続材料を製造する方法は特に限定されず、例えば、微粒子及び金属粒子と、必要に応じてその他成分である分散媒及び樹脂バインダーを所定の配合量で混合することで調製することができる。また、市販の接続材料に微粒子を添加することで調製することもできる。混合方法も公知の方法を広く採用することができる。 The method for producing the connecting material is not particularly limited, and for example, it can be prepared by mixing fine particles and metal particles with a dispersion medium and a resin binder, which are other components, in a predetermined blending amount, if necessary. It can also be prepared by adding fine particles to a commercially available connecting material. As a mixing method, a known method can be widely adopted.
3.接続構造体
接続構造体は、前記接続材料の硬化物を含む接続部材によって第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材が接続されている。接続構造体は、例えば、前述の図1の形態を挙げることができる。
3. 3. Connection structure In the connection structure, the first connection target member and the second connection target member are connected by a connection member containing a cured product of the connection material. As the connection structure, for example, the above-mentioned form of FIG. 1 can be mentioned.
接続部材に含まれる接続材料の硬化物は、例えば、接続材料を所定温度で焼結することで形成される。つまり、接続材料の硬化物とは、接続材料の焼結体を意味することができる。接続材料の焼結条件は特に限定されず、公知の焼結条件を広く適用できる。 The cured product of the connecting material contained in the connecting member is formed, for example, by sintering the connecting material at a predetermined temperature. That is, the cured product of the connecting material can mean a sintered body of the connecting material. The sintering conditions of the connecting material are not particularly limited, and known sintering conditions can be widely applied.
接続部材は、接続材料の硬化物を接着部材の全質量に対して50質量%以上含むことができ、80質量%以上含むことが好ましく、90質量%以上含むことがより好ましく、99質量%以上含むことが特に好ましい。また、接着部材は、接続材料のみで形成されていてもよい。 The connecting member can contain a cured product of the connecting material in an amount of 50% by mass or more, preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and 99% by mass or more based on the total mass of the adhesive member. It is particularly preferable to include it. Further, the adhesive member may be formed only of the connecting material.
接続部材において、微粒子の含有量は、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは1質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは10質量%以下である。また、接続部材において、金属粒子の含有量は、好ましくは70質量%以上、より好ましくは80質量%以上であり、好ましくは98質量%以下、より好ましくは95質量%以下である。 In the connecting member, the content of the fine particles is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, preferably 20% by mass or less, and more preferably 10% by mass or less. Further, in the connecting member, the content of the metal particles is preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, preferably 98% by mass or less, and more preferably 95% by mass or less.
接続部材は、ギャップを制御する機能を有する公知の粒子を含むこともできる。ギャップを制御する機能を有する粒子は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材とのスペーサーとしての役割を果たし得る。 The connecting member may also contain known particles having the function of controlling the gap. The particles having a function of controlling the gap can serve as a spacer between the first connection target member and the second connection target member.
接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。接続対象部材は電子部品であることが好ましい。また、第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材の内の少なくとも一方は、半導体ウェハ又は半導体チップであることが好ましい。つまり、接続構造体は、半導体装置であることが好ましい。 Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors and diodes, and electronic components such as printed circuit boards, flexible printed circuit boards, glass epoxy boards and circuit boards such as glass substrates. The member to be connected is preferably an electronic component. Further, it is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a semiconductor wafer or a semiconductor chip. That is, the connection structure is preferably a semiconductor device.
接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に接続材料を挟み込んで第1の接続対象部材、接続材料及び第2の接続対象部材がこの順に積層された積層体を形成し、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。これにより、積層体に含まれる金属粒子が焼結し、焼結体中に微粒子が分散した接着部材が形成され、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とが接続部材によって接続される。前記積層体は、一方の接続対象部材に、接続材料を塗布して塗膜を形成し、この塗膜面に他方の接続対象部材を重ね合わせることで、積層体を形成することができる。 The method for manufacturing the connection structure is not particularly limited. As an example of a method for manufacturing a connection structure, a connection material is sandwiched between a first connection target member and a second connection target member, and the first connection target member, the connection material, and the second connection target member are the same. Examples thereof include a method of forming a laminated body laminated in order and heating and pressurizing the laminated body. As a result, the metal particles contained in the laminated body are sintered, an adhesive member in which fine particles are dispersed in the sintered body is formed, and the first connection target member and the second connection target member are connected by the connection member. To. The laminated body can be formed by applying a connecting material to one of the connection target members to form a coating film and superimposing the other connection target member on the coating film surface.
接続構造体において、前記第1の接続対象部材又は前記第2接続対象部材と、前記接続部材とのせん断強度は、250℃で10分間加熱処理した後に60%以上低下することが好ましい。つまり、接続構造体を250℃で10分間加熱処理した場合、加熱処理前後において、第1の接続対象部材又は第2接続対象部材と、接続部材とのせん断強度が、60%以上低下することが好ましい。この場合、加熱によって容易に一方または両方の接続対象部材を剥離することができるので、リワーク性がさらに向上する。ここでの加熱処理の条件は、前記ガス発生試験と同様の条件であり、また、加熱処理は、接続構造体を得た後に最初に実施される処理のことである。 In the connection structure, the shear strength between the first connection target member or the second connection target member and the connection member is preferably reduced by 60% or more after heat treatment at 250 ° C. for 10 minutes. That is, when the connection structure is heat-treated at 250 ° C. for 10 minutes, the shear strength between the first connection target member or the second connection target member and the connection member may decrease by 60% or more before and after the heat treatment. preferable. In this case, one or both of the members to be connected can be easily peeled off by heating, so that the reworkability is further improved. The conditions of the heat treatment here are the same as those of the gas generation test, and the heat treatment is the treatment that is first performed after the connection structure is obtained.
接続構造体を250℃で10分間加熱処理した場合、第1の接続対象部材又は第2接続対象部材と、接続部材とのせん断強度は、10MPa以下であることが好ましい。この場合、加熱によって容易に一方または両方の接続対象部材を剥離することができるので、リワーク性がさらに向上する。ここでの加熱処理の条件は、前記ガス発生試験と同様の条件であり、また、加熱処理は、接続構造体を得た後に最初(1回目)に実施される処理のことである。前記せん断強度は、5MPa以下であることがより好ましく、3MPa以下であることが特に好ましい。 When the connection structure is heat-treated at 250 ° C. for 10 minutes, the shear strength between the first connection target member or the second connection target member and the connection member is preferably 10 MPa or less. In this case, one or both of the members to be connected can be easily peeled off by heating, so that the reworkability is further improved. The conditions of the heat treatment here are the same as those of the gas generation test, and the heat treatment is the first (first) treatment after obtaining the connection structure. The shear strength is more preferably 5 MPa or less, and particularly preferably 3 MPa or less.
4.接続構造体のリワーク方法
接続構造体をリワークする方法は、例えば、接続構造体を加熱して前記第1の接続対象部材及び/又は前記第2接続対象部材を前記接続部材から剥離する工程を備えることができる。接続構造体を加熱することで、接続部材に含まれる微粒子から発生するガス成分によって、接続対象部材の腐食が起こり、これによって、接続対象部材を接続部材から剥離することができる。
4. Method of Reworking the Connection Structure The method of reworking the connection structure includes, for example, a step of heating the connection structure to peel off the first connection target member and / or the second connection target member from the connection member. be able to. By heating the connection structure, the gas component generated from the fine particles contained in the connection member causes corrosion of the connection target member, whereby the connection target member can be separated from the connection member.
接続構造体をリワーク(解体)するにあたっての前記加熱の条件は特に限定されない。例えば、加熱温度を250~400℃、好ましくは300~400℃とすることができる。加熱時間は加熱温度によって適宜設定することができ、例えば、5~10分とすることができる。 The heating conditions for reworking (disassembling) the connection structure are not particularly limited. For example, the heating temperature can be 250 to 400 ° C, preferably 300 to 400 ° C. The heating time can be appropriately set depending on the heating temperature, and can be, for example, 5 to 10 minutes.
本発明の接続構造体のリワーク方法によれば、簡易な条件で接続対象部材を接続部材から剥離することができるので、リワーク性に優れる。また、高温に加熱するまでもなく、接続対象部材を接続部材から剥離して解体できることから、回路が高温になる前に回路を断線させることができ、リワーク作業時の発火を防止しやすい。従って、本発明の接続構造体の解体方法によれば、リワーク性に優れ、かつ、作業者が安全にリワーク作業を行うことができる。 According to the rework method of the connection structure of the present invention, the member to be connected can be peeled off from the connection member under simple conditions, so that the reworkability is excellent. Further, since the member to be connected can be separated from the connecting member and disassembled without heating to a high temperature, the circuit can be disconnected before the circuit becomes hot, and it is easy to prevent ignition during rework work. Therefore, according to the method of disassembling the connection structure of the present invention, the reworkability is excellent and the operator can safely perform the rework work.
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例の態様に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the embodiments of these Examples.
(製造例1;シリコーン粒子1の製造)
1.シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した100mlのセパラブルフラスコに、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン1質量部と、0.5質量%p-トルエンスルホン酸水溶液20質量部とを入れた。40℃で1時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム0.05質量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン10質量部、ジメチルジメトキシシラン49質量部、トリメチルメトキシシラン0.6質量部、及びメチルトリメトキシシラン3.6質量部を添加し、1時間撹拌を行った。その後、10質量%水酸化カリウム水溶液1.9質量部を添加して、85℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、10時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し40℃まで冷却して、酢酸0.2質量部を添加し、12時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。
(Production Example 1; Production of Silicone Particle 1)
1. 1. Preparation of silicone oligomer
In a 100 ml separable flask placed in a warm bath, 1 part by mass of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane and 20 parts by mass of a 0.5 mass% p-toluenesulfonic acid aqueous solution were placed. After stirring at 40 ° C. for 1 hour, 0.05 parts by mass of sodium hydrogen carbonate was added. Then, 10 parts by mass of dimethoxymethylphenylsilane, 49 parts by mass of dimethyldimethoxysilane, 0.6 parts by mass of trimethylmethoxysilane, and 3.6 parts by mass of methyltrimethoxysilane were added, and the mixture was stirred for 1 hour. Then, 1.9 parts by mass of a 10 mass% potassium hydroxide aqueous solution was added, the temperature was raised to 85 ° C., and the pressure was reduced with an aspirator while stirring for 10 hours to carry out the reaction. After completion of the reaction, the pressure was returned to normal pressure, the mixture was cooled to 40 ° C., 0.2 part by mass of acetic acid was added, and the mixture was allowed to stand in a separating funnel for 12 hours or more. The lower layer after the two-layer separation was taken out and purified by an evaporator to obtain a silicone oligomer.
2.シリコーン粒子の作製
得られたシリコーンオリゴマー30質量部に、tert-ブチル-2-エチルペルオキシヘキサノアート(重合開始剤、日油社製「パーブチルO」)0.5質量部及び1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン0.4質量部を溶解させた溶解液Aを用意した。また、イオン交換水150質量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩40質量%水溶液(乳化剤)0.8質量部とポリビニルアルコール(日本合成化学社製「ゴーセノールGH-20」)の5質量%水溶液80質量部とを混合して、水溶液Bを用意した。なお、前記ポリビニルアルコールは、重合度が約2000、けん化度が86.5~89モル%であるものを使用した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Aを入れた後、上記水溶液Bを添加し、次いで、Shirasu Porous Glass(SPG)膜(細孔平均径約1μm)を用いることで、乳化を行った。乳化後、85℃に昇温して、9時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、凍結乾燥を行った。乾燥後、粒子の凝集体が目的の比(平均2次粒子径/平均1次粒子径)になるまでボールミルにて粉砕して、粒子径が3.0μmのシリコーン粒子1を得た。
2. 2. Preparation of Silicone Particles In 30 parts by mass of the obtained silicone oligomer, 0.5 parts by mass of tert-butyl-2-ethylperoxyhexanoate (polymerization initiator, "Perbutyl O" manufactured by Nichiyu Co., Ltd.) and 1,1,3 parts. , 3-Tetramethyldisiloxane A solution A in which 0.4 parts by mass was dissolved was prepared. In addition, in 150 parts by mass of ion-exchanged water, 0.8 parts by mass of a 40% by mass aqueous solution of triethanolamine lauryl sulfate (embroidery) and 80 parts by mass of polyvinyl alcohol (“Gosenol GH-20” manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd.) 80% by mass. Aqueous solution B was prepared by mixing with a mass portion. The polyvinyl alcohol used had a degree of polymerization of about 2000 and a degree of saponification of 86.5 to 89 mol%. The solution A is placed in a separable flask placed in a warm bathtub, the aqueous solution B is added, and then a Shirasu Porous Glass (SPG) membrane (pore average diameter of about 1 μm) is used for emulsification. Was done. After emulsification, the temperature was raised to 85 ° C. and polymerization was carried out for 9 hours. The entire amount of the polymerized particles was washed with water by centrifugation and freeze-dried. After drying, the particles were pulverized with a ball mill until the agglomerates of the particles had a desired ratio (average secondary particle diameter / average primary particle diameter) to obtain
(製造例2;シリコーン粒子2の製造)
1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン0.4質量部を、0.3質量部に変更したこと以外は、製造例1と同様の方法で粒子径が3.0μmのシリコーン粒子2を得た。
(Production Example 2; Production of Silicone Particles 2)
Silicone particles 2 having a particle size of 3.0 μm were prepared by the same method as in Production Example 1 except that 0.4 parts by mass of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was changed to 0.3 parts by mass. Obtained.
(製造例3;シリコーン粒子3の製造)
1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン0.4質量部を、0.2質量部に変更したこと以外は、製造例1と同様の方法で粒子径が3.0μmのシリコーン粒子3を得た。
(Production Example 3; Production of Silicone Particles 3)
Silicone particles 3 having a particle diameter of 3.0 μm were prepared by the same method as in Production Example 1 except that 0.4 parts by mass of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was changed to 0.2 parts by mass. Obtained.
(製造例4;樹脂粒子1の製造)
種粒子として平均粒子径1.30μmのポリスチレン粒子48gと、イオン交換水100gと、メタノール342gと、ポリビニルピロリドンの5重量%水溶液6gとを混合し、超音波により分散させた後、セパラブルフラスコに添加した。セパラブルフラスコ内を均一に撹拌して、ポリスチレン粒子懸濁液を作製した。
(Production Example 4; Production of Resin Particle 1)
As seed particles, 48 g of polystyrene particles having an average particle diameter of 1.30 μm, 100 g of ion-exchanged water, 342 g of methanol, and 6 g of a 5 wt% aqueous solution of polyvinylpyrrolidone were mixed, dispersed by ultrasonic waves, and then placed in a separable flask. Added. The inside of the separable flask was uniformly stirred to prepare a polystyrene particle suspension.
また、トリエチレングリコールジメタクリレート100gと、2-エチルヘキシルメタクリレート150gと、重合開始剤3gと、界面活性剤12.5gと、メタノール980gとをイオン交換水250gに添加し、乳化液を作製した。重合開始剤は2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業社製「V-65」)、界面活性剤はポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩(第一工業製薬社製「ハイテノール(登録商標)NF-08」)の20%水溶液を使用した。 Further, 100 g of triethylene glycol dimethacrylate, 150 g of 2-ethylhexyl methacrylate, 3 g of a polymerization initiator, 12.5 g of a surfactant, and 980 g of methanol were added to 250 g of ion-exchanged water to prepare an emulsion. The polymerization initiator is 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) ("V-65" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and the surfactant is polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfate ammonium salt (No. 1). A 20% aqueous solution of "Hitenol (registered trademark) NF-08" manufactured by Ichiko Pharmaceutical Co., Ltd. was used.
ポリスチレン懸濁液が添加されたセパラブルフラスコに、上記乳化液を添加し、8時間撹拌し、種粒子を膨潤させた。 The emulsion was added to the separable flask to which the polystyrene suspension was added, and the mixture was stirred for 8 hours to swell the seed particles.
その後、膨潤した種粒子が収容されているセパラブルフラスコに、ポリビニルアルコールの10重量%水溶液60gと1,1,3,3―テトラメチルジシシロキサン0.01gと、イオン交換水250gを添加した。次いで、65℃で2時間撹拌を続けることで、平均粒子径2.95μmの樹脂粒子1を得た。
Then, 60 g of a 10 wt% aqueous solution of polyvinyl alcohol, 0.01 g of 1,1,3,3-tetramethyldisisiloxane and 250 g of ion-exchanged water were added to the separable flask containing the swollen seed particles. Then, stirring was continued at 65 ° C. for 2 hours to obtain
(製造例5;樹脂粒子2の製造)
1,1,3,3―テトラメチルジシシロキサンを使用しなかったこと以外は製造例4と同様の方法により樹脂粒子(樹脂粒子2)を得た。
(Production Example 5; Production of Resin Particles 2)
Resin particles (resin particles 2) were obtained by the same method as in Production Example 4 except that 1,1,3,3-tetramethyldisisiloxane was not used.
(実施例1)
銀ペースト(日本スペリア社製「アルコナノ銀ペーストANP-1」)100質量部と、製造例で得られたシリコーン粒子1を1質量部とを、よく分散するようスパーテルにて混練して、接続材料を調製した。
(Example 1)
100 parts by mass of silver paste (“Arconano silver paste ANP-1” manufactured by Nippon Superior Co., Ltd.) and 1 part by mass of the
図2に示すように、基板100として円筒状の銅(10mm径で厚み5mm)を使用し、この基板100上に、前記接続材料をスクリーン塗布してペースト層200(5mm径で厚み50μm)を形成した(図2(a))。このペースト層200上に銅製の円盤チップ101(5mm径で厚み2mm)を配置した(図2(b))。次いで、130℃で90秒間、窒素又はヘリウム雰囲気下で乾燥し、次いで、5MPaで加圧しながら、300℃で3分間、加熱することで接続材料の焼結を行って硬化させた。これにより、2枚のCu基板(基板100及びチップ101)が接続部材20で接続された積層体1を得た。
As shown in FIG. 2, cylindrical copper (10 mm diameter and 5 mm thickness) is used as the
(実施例2)
シリコーン粒子1を、製造例2で得られたシリコーン粒子2に変更したこと以外は、実施例1と同様の方法で積層体を得た。
(Example 2)
A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the
(実施例3)
シリコーン粒子1を、製造例4で得られた樹脂粒子1に変更したこと以外は、実施例1と同様の方法で積層体を得た。
(Example 3)
A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the
(比較例1)
シリコーン粒子1を、製造例3で得られたシリコーン粒子3に変更したこと以外は、実施例1と同様の方法で積層体を得た。
(Comparative Example 1)
A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the
(比較例2)
シリコーン粒子1を、製造例5で得られた樹脂粒子2に変更したこと以外は、実施例1と同様の方法で積層体を得た。
(Comparative Example 2)
A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the
(微粒子のガス発生量)
微粒子の前記ガス発生試験におけるガス成分の発生量は、熱脱着GC-MS測定により行った。測定には、パーキンエルマー社の「TurboMatrix 650」を備え付けた「JMS Q1000(日本電子社製)」を使用し、ヘリウム雰囲気中、加熱温度を250℃、加熱時間を10分として測定を行った。その他の測定条件は下記の通りとした。
スプリット:入口25mL/min、出口25mL/min、注入量2.5%
GCカラム:EQUITY-1(無極性)、0.32mm×60m×0.25μm
He流量:1.5ml/min
MS測定範囲:35~400amu(scan500ms)
イオン化電圧 :70eV
MS温度:イオン源230℃,インターフェイス250℃とした。
(Amount of gas generated by fine particles)
The amount of gas component generated in the gas generation test of the fine particles was measured by heat desorption GC-MS measurement. For the measurement, a "JMS Q1000 (manufactured by JEOL Ltd.)" equipped with a "TurboMatrix 650" manufactured by PerkinElmer was used, and the measurement was performed in a helium atmosphere with a heating temperature of 250 ° C. and a heating time of 10 minutes. Other measurement conditions are as follows.
Split: inlet 25 mL / min, outlet 25 mL / min, injection volume 2.5%
GC column: EQUITY-1 (non-polar), 0.32 mm x 60 m x 0.25 μm
He flow rate: 1.5 ml / min
MS measurement range: 35 to 400 amu (scan500ms)
Ionization voltage: 70eV
MS temperature: Ion source 230 ° C and interface 250 ° C.
(加熱前の積層体のダイシェア強度)
加熱前の積層体のダイシェア強度は、JIS Z 3198-7:鉛フリーはんだ試験方法-第7部 チップ部品のはんだ継手せん断 試験方法」に記載の「はんだ継手せん断試験方法」に基づいて評価した。
(Die share strength of laminated body before heating)
The die shear strength of the laminate before heating was evaluated based on the "solder joint shear test method" described in JIS Z 3198-7: Lead-free solder test method-Part 7 Solder joint shear test method for chip parts.
図3は、積層体のダイシェア強度を測定するための測定装置を模式的に示している。各実施例及び比較例で得た積層体1を加熱処理せずにシェア強度試験機105にセットし、チップ101に対し、基板100の接着面と平行方向にシェア速度6mm/minで荷重をかけた。変位と荷重との関係をグラフ化して応力-ひずみ曲線を得て、接合強度を計測した。応力-ひずみ曲線において破断点の応力値をダイシェア強度(せん断強度)とした。
FIG. 3 schematically shows a measuring device for measuring the die shear strength of the laminated body. The
(加熱後の積層体のダイシェア強度)
実施例及び比較例で得た積層体1を、前記ガス発生試験と同じ条件、つまり、ヘリウム雰囲気中、250℃で10分間の加熱条件で加熱処理を行った。この加熱処理された実施例及び比較例で得た積層体1を、前記加熱前の積層体のダイシェア強度と同様の測定装置及び同様の測定条件で変位と荷重との関係をグラフ化して応力-ひずみ曲線を得て、接合強度を計測した。応力-ひずみ曲線において破断点の応力値をダイシェア強度(せん断強度)とした。
(Die share strength of laminated body after heating)
The
表1には、各実施例及び比較例で得た積層体を形成するための接続材料の配合組成及び接続材料に含まれる微粒子のガス発生量を示す。あわせて表1には、各実施例及び比較例で得た積層体の加熱前及び加熱後のダイシェア強度の値を示している。 Table 1 shows the composition of the connecting material for forming the laminate obtained in each Example and Comparative Example, and the amount of gas generated by the fine particles contained in the connecting material. In addition, Table 1 shows the values of the die shear strength before and after heating of the laminates obtained in each Example and Comparative Example.
表1の結果から、製造例1,2で得たシリコーン粒子及び製造例4で得た樹脂粒子は、ガス発生試験において腐食性化合物が4000ppm以上発生していることがわかった。そして、これらの微粒子を含む積層体は、加熱処理によってダイシェア強度が大きく低下していることがわかった。製造例1,2で得たシリコーン粒子及び製造例4で得た樹脂粒子はいずれもガス発生試験によって、1,1,3,3―テトラメチルジシロキサン又はこれに由来する化合物を主成分とする腐食性化合物が発生していることが、GC-MSの結果から明らかとなった。なお、検出された1,1,3,3―テトラメチルジシロキサンには、微量の微粒子の分解物及び重合物も含まれ得る。 From the results in Table 1, it was found that the silicone particles obtained in Production Examples 1 and 2 and the resin particles obtained in Production Example 4 generated more than 4000 ppm of corrosive compounds in the gas generation test. Then, it was found that the die shear strength of the laminate containing these fine particles was significantly reduced by the heat treatment. Both the silicone particles obtained in Production Examples 1 and 2 and the resin particles obtained in Production Example 4 are mainly composed of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane or a compound derived from them by a gas generation test. It was clarified from the results of GC-MS that corrosive compounds were generated. The detected 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane may also contain a trace amount of fine particle decomposition products and polymers.
一方、製造例3で得たシリコーン粒子3及び製造例5で得た樹脂粒子2は、ガス発生試験において腐食性化合物が4000ppm未満であり、これらの微粒子を含む積層体は、加熱処理してもダイシェア強度が加熱前とほとんど変化がなかった。製造例3で得たシリコーン粒子3は、ガス発生試験によって、1,1,3,3―テトラメチルジシロキサン又はこれに由来する化合物を主成分とする腐食性化合物が発生していることが、GC-MSの結果から明らかとなった。なお、検出された1,1,3,3―テトラメチルジシロキサンには、微量の微粒子の分解物及び重合物も含まれ得る。 On the other hand, the silicone particles 3 obtained in Production Example 3 and the resin particles 2 obtained in Production Example 5 have a corrosive compound of less than 4000 ppm in the gas generation test, and the laminate containing these fine particles can be heat-treated. The die shear strength was almost unchanged from that before heating. In the silicone particles 3 obtained in Production Example 3, a gas generation test revealed that 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane or a corrosive compound containing a compound derived from the same was generated as a main component. It became clear from the result of GC-MS. The detected 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane may also contain a trace amount of fine particle decomposition products and polymers.
以上の結果は、ガス発生試験で発生するガス成分(腐食性化合物)が4000ppm以上である微粒子を接合部材に含む積層体は、積層体の加熱処理により、Cu基板が容易に剥離できることを示している。 The above results show that the Cu substrate can be easily peeled off by the heat treatment of the laminated body containing fine particles having a gas component (corrosive compound) of 4000 ppm or more generated in the gas generation test in the joining member. There is.
積層体は電極構造体と同様の基本構造を有していることを考えれば、実施例及び比較例の結果から、本発明の微粒子を含む接合部材を備えた接続構造体は、加熱処理により容易に接続対象部材を接続部材から剥離できることが示されたといえる。よって、本発明の微粒子を含む接合部材を備えた接続構造体は、リワーク性に優れ、かつ、作業者が安全にリワーク作業を行うことができるものである。 Considering that the laminated body has the same basic structure as the electrode structure, from the results of Examples and Comparative Examples, the connecting structure provided with the joining member containing the fine particles of the present invention can be easily heat-treated. It can be said that it was shown that the member to be connected can be separated from the connecting member. Therefore, the connection structure provided with the joining member containing the fine particles of the present invention is excellent in reworkability, and the operator can safely perform the rework work.
10:微粒子
11:第1の接続対象部材
12:第2の接続対象部材
20:接続部材
10: Fine particles 11: First connection target member 12: Second connection target member 20: Connection member
Claims (8)
前記ガス成分が銅、チッ化ガリウム、ケイ素及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる1種以上を腐食させる性質を有する腐食性化合物である、微粒子。 In a helium atmosphere, the gas component generated under heating conditions at 250 ° C. for 10 minutes is 4000 ppm or more.
Fine particles, wherein the gas component is a corrosive compound having a property of corroding at least one selected from the group consisting of copper, gallium silicate, silicon and silicon carbide .
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