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JP7066565B2 - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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JP7066565B2 - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 Download PDF

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Description

以下の開示は、プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置に関する。
半導体装置の微細化が進むとともに、微細な寸法加工を可能とする技術の研究開発が進められている。その一つが極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ：Extreme Ultraviolet lithography）である。
たとえば、ＥＵＶＬを用いて処理対象のエッジを滑らかにする技術が提案されている（特許文献１）。当該技術では、優先的に処理対象の凹部に堆積するパッシベーション層を形成した後、パッシベーション層が堆積しなかった凸部をエッチングにより除去する。パッシベーション層が凸部よりも凹部に優先的に堆積する理由は、凹部の比表面積が凸部よりも大きいことである。この技術はローカル・クリティカル・ディメンション・ユニフォーミティ（LCDU: Local critical dimension uniformity）の低減にも効果があるとされている。
米国特許出願公開第２０１６／０３７９８２４号明細書
本開示は、ＬＣＤＵを改善することができる技術を提供する。
本開示の一態様によるプラズマ処理方法は、第１工程と、第２工程と、エッチング工程と、を含む。第１工程は、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に第１の膜を形成する。第２工程は、第１の膜が形成された処理対象に、開口部のサイズに応じて開口部の側面における膜厚が異なり、第１の膜よりもエッチングレートが低い第２の膜を形成する。エッチング工程は、第２の膜の上から、処理対象の少なくとも一部において第１の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行する。
本開示によれば、ＬＣＤＵを改善することができる。
図１は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図２Ａは、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理対象の一例の概略断面図である。 図２Ｂは、図２Ａに示す処理対象の概略上面図である。 図２Ｃは、図２Ａに示す処理対象上に第１の膜および第２の膜が形成された状態を示す概略断面図である。 図２Ｄは、開口部の側壁に堆積した第１の膜および第２の膜のエッチングによる除去速度について説明するための図（１）である。 図２Ｅは、開口部の側壁に堆積した第１の膜および第２の膜のエッチングによる除去速度について説明するための図（２）である。 図３は、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法によって得られるＬＣＤＵ改善効果について説明するための図である。 図４は、成膜条件とエッチング耐性との関係について説明するための図である。 図５は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。 図６は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスの他の例を示す図である。 図７は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスのさらに他の例を示す図である。 図８は、変形例１に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図９は、変形例１に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。 図１０は、変形例１に係るプラズマ処理の処理シーケンスの他の例を示す図である。 図１１は、変形例１に係るプラズマ処理の処理シーケンスのさらに他の例を示す図である。 図１２は、変形例２に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図１３は、変形例３に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図１４は、変形例３に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。 図１５は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面の一例を示す図である。
以下に、開示する実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態は限定的なものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
＜第１の実施形態＞
半導体の微細加工における寸法のばらつきは最終的な製品の性能を左右する。たとえば半導体基板にゲート電極を形成する場合を考える。まず、半導体基板上に、ゲート電極用のポリシリコン層、エッチング用のマスク層を順次形成する。マスク層にはＥＵＶＬ等のリソグラフィによりゲート電極に対応するパターンが形成される。そして、マスク層を用いてポリシリコン層をエッチングしてゲート電極を形成する。このとき、マスク層のパターンの寸法にばらつきがあると、そのままゲート電極の寸法のばらつきとなる。このため、マスク層の段階でパターンの寸法の均一性を高めることが好ましい。第１の実施形態においては、処理対象上に形成されるパターンの寸法を均一化しＬＣＤＵを改善する技術を提供する。第１の実施形態に係るプラズマ処理方法は、たとえば、処理対象上に略同一寸法のパターンが複数繰り返し形成される場合に、当該パターンの寸法を均一化する。第１の実施形態に係るプラズマ処理方法はまた、半導体ウェハ等のパターンのラフネス改善にも効果を発揮する。
＜第１の実施形態のプラズマ処理の流れの一例＞
図１は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。第１の実施形態に係るプラズマ処理はたとえば後述するプラズマ処理装置（図１５参照）が実行する。
まず、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象（たとえばウェハ）を、プラズマ処理が実行される空間内に配置する。そして、プラズマ処理装置は、第１工程を実行する（ステップＳ１１）。プラズマ処理装置は、第１工程において、処理対象の所定のパターン上に第１の膜を形成する。次に、プラズマ処理装置は第２工程を実行する（ステップＳ１２）。プラズマ処理装置は、第２工程において、第２の膜を形成する。第２の膜は第１の膜を覆うように形成される。ここで、第２の膜の堆積は、処理対象上の開口部のサイズに応じて開口部の側面に堆積する第２の膜の量が異なるよう処理条件を設定して実行する。また、第２の膜の堆積は、第１の膜よりもエッチングレートが低くなるよう処理条件を設定して実行される。次に、プラズマ処理装置はエッチング工程を実行する（ステップＳ１３）。エッチング工程において、プラズマ処理装置は、第１、第２の膜が順次形成された処理対象に対して、第２の膜の上から、処理対象の少なくとも一部において第１の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行する。そして、プラズマ処理装置は、処理対象が所定の条件を満足する状態となったか否かを判定する（ステップＳ１４）。所定の条件を満足する状態となっていないと判定した場合（ステップＳ１４、Ｎｏ）、プラズマ処理装置は、ステップＳ１１に戻って処理を繰り返す。他方、所定の条件を満足する状態となったと判定した場合（ステップＳ１４、Ｙｅｓ）、プラズマ処理装置は処理を終了する。これが第１の実施形態に係るプラズマ処理の流れの一例である。
＜ローディング効果と選択比を利用したＬＣＤＵ改善＞
図２Ａ乃至図２Ｅを参照して第１の実施形態に係るプラズマ処理についてさらに説明する。図２Ａは、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理対象の一例の概略断面図である。図２Ｂは、図２Ａに示す処理対象の概略上面図である。
図２Ａに示す処理対象は、基板ＳＢと、被エッチング層ＥＬと、マスク層ＭＫと、を備える。被エッチング層ＥＬおよびマスク層ＭＫは基板ＳＢの上に順番に形成されている。また、マスク層ＭＫには所定のパターンが形成されている。図２Ｂに示すように、所定のパターンは上面視で、複数の略真円で形成され、複数の略真円は所定の間隔をおいて整列する。図２Ｂの線Ｖ１－Ｖ１上の３つの開口部をそれぞれＯ１，Ｏ２，Ｏ３で示す。また、開口部Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３各々の線Ｖ１－Ｖ１に沿った幅をＷ１，Ｗ２，Ｗ３で示す。
ここで、設計上は、開口部Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３は同一寸法であり、幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は同一長さである。しかし、ＥＵＶＬ等のリソグラフィでマスク層ＭＫに上記パターンを形成する場合、各開口部の寸法にばらつきが生じる場合がある。たとえば、Ｗ１＜Ｗ２，Ｗ２＞Ｗ３，Ｗ１＜Ｗ３のように、各開口部の幅寸法にばらつきが生じる場合がある。
そこで、上記実施形態の第１工程を実行する（図１、ステップＳ１１）。一例として、第１工程をローディング効果のある材料を用いた化学気相成長（ＣＶＤ）で実行して第１の膜を形成する。ローディング効果とは、パターンの粗密によって成膜される膜の膜厚等が異なる現象である。たとえば、パターン自体の大きさ、たとえば開口部の開口面積によって成膜後の開口寸法が異なる。また、当該パターンの周囲にあるパターンの形状や配置によって成膜後の開口寸法が異なる。ローディング効果により、パターンの粗密に応じて膜厚が異なるため、たとえば、図２Ｃに示すように、幅が小さい開口部Ｏ１の側壁Ｔ１に形成される第１の膜の膜厚は薄く、幅が大きい開口部Ｏ２の側壁Ｔ２に形成される第２の膜は厚くなる（図２Ｃ参照）。図２Ｃは、図２Ａに示す処理対象上に第１の膜および第２の膜が形成された状態を示す概略断面図である。なお、図２Ｃにおいては、説明のため膜厚差を実際よりも強調して表示する。
次に、上記実施形態の第２工程を実行する（図１、ステップＳ１２）。たとえば、第１工程と同様に、ローディング効果のある材料を用いたＣＶＤにより第２の膜を形成する。すると、第１の膜と同様に、側壁Ｔ１において薄く側壁Ｔ２において厚い第２の膜が形成される（図２Ｃ参照）。
次に、第１の膜、第２の膜が形成された上から処理対象にエッチングを施す（図１、ステップＳ１３）。まず、第２の膜がエッチングにより削られて徐々に除去されていく。このとき、側壁Ｔ２上に形成されている第２の膜は側壁Ｔ１上に形成されている第２の膜よりも厚い。したがって、側壁Ｔ１上の第２の膜がエッチングにより除去されたとしても、側壁Ｔ２上には第２の膜が残存した状態となる。
図２Ｄおよび図２Ｅは各々、開口部の側壁に堆積した第１の膜および第２の膜のエッチングによる除去速度について説明するための図（１）および（２）である。図２Ｄに示す処理対象の側壁Ｔ２上には膜厚Ａの第１の膜と、膜厚Ｂの第２の膜とが堆積している。また、図２Ｅに示す処理対象の側壁Ｔ１上には膜厚ａの第１の膜と、膜厚ｂの第２の膜とが堆積している。また、各膜厚の値の大小関係は、Ａ＞ａ，Ｂ＞ｂである。
まず、側壁Ｔ２上の第２の膜（膜厚Ｂ）をエッチングで除去するためには１２秒かかるとする。また、側壁Ｔ１上の第２の膜（膜厚ｂ）をエッチングで除去するためには１０秒かかるとする。すると、仮に、処理対象全体についてエッチングを１２秒行うと、側壁Ｔ２上では、１２秒間で第２の膜が除去された後、第１の膜はエッチングされずに残存する（除去された膜厚はＢ）。これに対して側壁Ｔ１上では、１０秒間で第２の膜が除去された後、さらに第１の膜が２秒間エッチングされる。このため、側壁Ｔ１上で除去された膜厚は、第２の膜の膜厚ｂに、２秒間のエッチングで除去された第１の膜の膜厚αを加えたものとなる（除去された膜厚はｂ＋α）。
ここで、第１の膜のエッチングレートと第２の膜のエッチングレートが同程度であれば、側壁Ｔ１においてエッチングにより除去される膜厚は、側壁Ｔ２においてエッチングにより除去される膜厚と同じとなる（Ｂ＝ｂ＋α）。しかし、第１の膜のエッチングレートと第２の膜のエッチングレートが異なる場合、側壁Ｔ１においてエッチングにより除去される膜厚の総量と、側壁Ｔ２においてエッチングにより除去される膜厚の総量に差が生じる（Ｂ≠ｂ＋α）。
たとえば、第１の膜のエッチングレートが第２の膜のエッチングレートより高い場合、Ｂ＜ｂ＋αとなる。そして、プラズマ処理の前後での側壁Ｔ２上での膜厚の変化は、Ａ＋Ｂ－Ｂ＝Ａであるのに対し、側壁Ｔ１上での膜厚の変化は、ａ＋ｂ－（ｂ＋α）＝ａ－αとなる。すると、開口部Ｏ２の幅Ｗ２は２Ａだけ減少するのに対し、開口部Ｏ１の幅Ｗ１は２ａ－２αだけ減少することになる。つまり、幅の広い開口部Ｏ２側において幅の狭い開口部Ｏ１側よりも開口寸法を減少させることができる。この効果は、αの値が大きくなるようにエッチングレートを設定することでさらに増大させることができる。かかる現象を利用して処理対象のＬＣＤＵを改善することができる。
図３は、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法によって得られるＬＣＤＵ改善効果について説明するための図である。図３の縦軸は開口部の開口寸法を示し、横軸は処理時間を示す。また、実線は開口部Ｏ１の側壁Ｔ１間の開口寸法の変化を示し、点線は開口部Ｏ２の側壁Ｔ２間の開口寸法の変化を示す（図２Ｃ参照）。
まず、開口部Ｏ１においては、時点ｔ０において第１工程が開始すると、側壁Ｔ１上に第１の膜が堆積し始める。第１工程の間、開口寸法は徐々に減少し、第１工程が終了する時点ｔ１で処理前のＷＡ１からＷＡ２まで減少する。次に、時点ｔ１において第２工程が開始すると、開口部Ｏ１の側壁Ｔ１上に第２の膜が堆積し始める。第２工程の間、開口寸法は徐々に減少し、第２工程が終了する時点ｔ２で開口寸法はさらにＷＡ３まで減少する。
他方、開口部Ｏ２においては、時点ｔ０において第１工程が開始すると側壁Ｔ２上に第１の膜が堆積し始める。第１工程の間、開口寸法は徐々に減少し第１工程が終了する時点ｔ１で処理前のＷＢ１からＷＢ２まで減少する。次に、時点ｔ１において第２工程が開始すると、開口部Ｏ２の側壁Ｔ２に第２の膜が堆積し始める。第２工程の間、開口寸法は徐々に減少し、第２工程が終了する時点ｔ２で開口寸法はさらにＷＢ３まで減少する。
次に、時点ｔ２においてエッチング工程が開始すると、開口部Ｏ１においては第２の膜が徐々に削られて開口寸法が大きくなる。時点ｔ３において、開口部Ｏ１の側壁Ｔ１に堆積した第２の膜はエッチングによりすべて除去され第１の膜が露出する。第１の膜は第２の膜よりもエッチングレートが高いため、時点ｔ３以降、開口寸法が大きくなる速度すなわちエッチングによる膜の除去速度が増加する。エッチング処理が終了する時点ｔ５における開口部Ｏ１の開口寸法はＷＡ４となる。
他方、開口部Ｏ２においては、時点ｔ２においてエッチング工程が開始すると、開口部Ｏ１と同様に第２の膜が徐々に削られて開口寸法が大きくなる。しかし、開口部Ｏ２は処理開始時点ｔ０における開口寸法ＷＢ１が開口部Ｏ１の開口寸法ＷＡ１より大きいため、ローディング効果により堆積している第１、第２の膜の膜厚が開口部Ｏ１よりも厚い。したがって、開口部Ｏ２において第２の膜がすべて除去されるのは時点ｔ３よりも後の時点ｔ４となる。時点ｔ４以降、開口部Ｏ２においても第１の膜のエッチングが開始する。エッチング処理が終了する時点ｔ５における開口部Ｏ２の開口寸法はＷＢ４となる。
図３から分かるように、処理開始時点ｔ０における開口部Ｏ１と開口部Ｏ２との寸法差（ＷＢ１－ＷＡ１）と比べて、処理終了時点ｔ５における開口部Ｏ１と開口部Ｏ２との寸法差（ＷＢ４－ＷＡ４）は減少している。特に、開口部Ｏ１において第２の膜の除去（時点ｔ３）後にエッチングレートが増加することにより、寸法差が速やかに減少している。このことから、第１の膜と第２の膜のエッチング選択比を大きくすることで、開口部の寸法差を迅速に解消することができる。
＜ローディング効果とＬＣＤＵ改善効果との関係＞
次に、ローディング効果とＬＣＤＵ改善効果との関係について説明する。たとえば図２Ｃに示したように、処理対象上に開口部Ｏ１と、開口部Ｏ１よりも開口寸法が大きい開口部Ｏ２と、が形成されているとする。そして、第１工程において堆積された第１の膜の膜厚と第２工程において堆積された第２の膜の膜厚が、開口部Ｏ１においてはａ、ｂであり開口部Ｏ２においてはＡ、Ｂであるとする。また、第１の膜と第２の膜とのエッチング選択比（第１の膜のエッチングレートと第２の膜のエッチングレートとの比、すなわち、第１のエッチングレート／第２の膜のエッチングレート）はＳであるとする。
このとき、開口部Ｏ１において第２の膜がすべて除去されたとき、開口部Ｏ２において残存している第２の膜の膜厚は（Ｂ－ｂ）である。そして、開口部Ｏ２に残存している第２の膜がすべて除去された時点で、開口部Ｏ１に残存している第１の膜の膜厚は、（ａ－（Ｓ×（Ｂ－ｂ）））である。とすると、開口部Ｏ２の開口寸法と開口部Ｏ１の開口寸法との差は、ちょうど（Ａ－（ａ－（Ｓ×（Ｂ－ｂ）））だけ減少したことになる（＝ＬＣＤＵ改善量）。ここで、Ａ－ａ＝Ｘ，Ｂ－ｂ＝Ｙを上の式に代入すると、ＬＣＤＵ改善量を次の式（１）で表わすことができる。
（Ｘ＋（Ｓ×Ｙ））・・・式（１）
式（１）から、ＸおよびＹの値が大きいほど、ＬＣＤＵ改善量が大きくなると言える。すなわち、第１の膜、第２の膜のいずれについてもローディング効果（Ｘ，Ｙ）が大きいほどＬＣＤＵ改善量が大きくなる。すなわち、開口部Ｏ１，Ｏ２において形成される第１の膜、第２の膜各々の膜厚差（Ｘ，Ｙ）が大きいほど、ＬＣＤＵ改善量が大きくなる。また、第１の膜、第２の膜のいずれかについてローディング効果（Ｘ，Ｙ）があれば、ＬＣＤＵの改善が見込まれる。また、第２の膜についてローディング効果（Ｙ）があり、かつ、第１の膜と第２の膜とのエッチング選択比（Ｓ）が大きい場合に大きな改善効果が見込まれる。
＜ローディング効果を利用しない例＞
図３の例では、ローディング効果を利用することで、開口部Ｏ１と開口部Ｏ２において形成される第１の膜および第２の膜の双方の膜厚が異なるように制御した。これに限らず、たとえば、第１の膜はローディング効果を利用しない手法で形成し、第２の膜のみローディング効果を利用して形成するものとしてもよい。たとえば、第１の膜は原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）を用いて形成してもよい。
開口部Ｏ１と開口部Ｏ２において形成される第２の膜の膜厚に差があれば、第１の膜のエッチングが開始する時点にずれが生じるため、最終的に開口部Ｏ１と開口部Ｏ２においてエッチングされる膜の膜厚に差を出すことができる。このため、第１の膜はローディング効果を利用せずに形成しても本実施形態の効果を享受することができる。
＜エッチングレートと処理条件＞
図４は、成膜条件とエッチング耐性との関係について説明するための図である。図４に示す例は、同一材料で第１の膜および第２の膜を形成しても選択比を出すことができることを示している。図４の縦軸はエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を、横軸は成膜時のＯ２添加流量（ｓｃｃｍ）を示す。
図４の例で用いた成膜条件は以下のとおりである。なお、以下の条件中、印加電力は、プラズマ生起用の印加電力とバイアス電圧発生用の印加電力とをこの順に併記して示している。
・チャンバ内の圧力 １０ｍＴ
・印加電力 １０００Ｗ＋０Ｗ
・ガス種および流量 ＳｉＣｌ４／Ｈｅ／Ｏ２＝２５／１００／＠＠ｓｃｃｍ
・処理時間 ６０秒
また、図４の例で用いたエッチング条件は以下のとおりである。
例１
・チャンバ内の圧力 ２０ｍＴ
・印加電力 ５００Ｗ＋１００Ｗ
・ガス種および流量 Ｃ４Ｆ８／Ａｒ＝４０／２００ｓｃｃｍ
例２
・チャンバ内の圧力 ２０ｍＴ
・印加電力 ５００Ｗ＋５０Ｗ
・ガス種および流量 Ｃｌ２＝２００ｓｃｃｍ
図４の例から分かるように、同じＳｉＯ２膜を形成する場合であっても、Ｏ２の添加流量を変えることによってエッチングレートを変化させることができる。図４の例では、Ｏ２添加流量が少ないほどエッチングレートが高く、Ｏ２添加流量が多いほどエッチングレートが低くなっている。したがって、Ｏ２添加流量を少なく設定してＳｉＯ２膜を第１の膜として形成した後、Ｏ２添加流量を多く設定してＳｉＯ２膜を第２の膜として形成することが可能である。エッチングガスの種類によっても異なるが、図４の例では同じＳｉＯ２膜についてエッチング選択比を約１～１７程度の範囲内で制御することができる。
＜処理シーケンス例１＞
図５は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。第１工程では、ＳｉＣｌ４とＯ２を処理ガスとしてＣＶＤによりＳｉＯ２膜を第１の膜として堆積する。第２工程も、ＳｉＣｌ４とＯ２を処理ガスとしてＣＶＤによりＳｉＯ２膜を第２の膜として堆積する。ただし、第２工程では、第１工程と比較してＯ２の流量を増加させることで、第１の膜のエッチングレートが第２の膜のエッチングレートよりも高くなるよう調整している。エッチング工程は、ＮＦ３を用いて実行する。このように、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法では、第１工程および第２工程において、処理条件を変えることによって同種の膜を第１の膜、第２の膜として形成することができる。
＜処理シーケンス例２＞
図６は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスの他の例を示す図である。第１工程では、第１の種類のカーボン含有ガスを処理ガスとして用いてＣＶＤにより第１のカーボン膜を第１の膜として堆積する。第１の種類のカーボン含有ガスはたとえば、ＣＦ系のガスである。第１の種類のカーボン含有ガスはたとえば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６等である。また、第１の種類のカーボン含有ガスはたとえば、ＣＨＦ系のガスである。第１の種類のカーボン含有ガスはたとえば、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等である。第２工程では、第２の種類のカーボン含有ガスを処理ガスとして用いてＣＶＤにより第２のカーボン膜を第２の膜として堆積する。第２の種類のカーボン含有ガスはたとえば、ＣＨ系たとえばＣＨ４等のガスである。エッチング工程はＯ２を用いて実行する。Ａｒ等の希ガスを第１工程、第２工程、エッチング工程において用いてよい。
＜処理シーケンス例３＞
図７は、第１の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスのさらに他の例を示す図である。第１工程では、カーボン含有ガスを処理ガスとして用いてＣＶＤによりカーボン膜を第１の膜として堆積する。たとえば、ＣＦ系、ＣＨ系、ＣＨＦ系等のガスを処理ガスとして使用できる。第２工程では、ＳｉＣｌ４とＯ２を処理ガスとして用いてＣＶＤによりＳｉＯ２膜を第２の膜として堆積する。エッチング工程は、ＮＦ３を用いて実行する。
上記のとおり、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法は、多様なガス種を組み合わせて実行することができる。また、第１の膜と第２の膜の膜種を同一にしてもよい。
＜サイクル数＞
第１の実施形態に係るプラズマ処理方法においては、第１工程、第２工程およびエッチング工程を１サイクルとして、所定の条件が満足されるまで、複数のサイクルを実行する。所定の条件とはたとえば、処理対象上に形成された複数の開口部の寸法差が所定値以下となったこと、所定数のサイクルを実行したこと、等である。
＜膜種、ガス種等＞
なお、上記第１の実施形態においては第１の膜および第２の膜の膜種は、ＳｉＯ２、カーボン含有膜（たとえば、ＣＦ系、ＣＨ系、ＣＨＦ系）等と説明した。ただしこれに限らず、第１の膜および第２の膜はたとえば、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、珪素（Ｓｉ）等のシリコン含有膜であってよい。また、第１の膜および第２の膜はたとえば、チタン（Ｔｉ）含有膜、タングステン（Ｗ）含有膜であってよい。また、第１の膜および第２の膜はたとえばボロン含有膜であってよい。
また、エッチング工程において使用するガス種は、エッチング対象の膜が珪素や金属を含有する場合は、ハロゲン含有ガスが適している。また、エッチング対象の膜がカーボン含有膜である場合は、エッチングガスとして酸素含有ガスを使用することができる。
＜エッチングの手法＞
また、エッチング工程において側壁をエッチングするためには、等方性および異方性エッチング、プラズマエッチング、原子層エッチング（ＡＬＥ： Atomic Layer Etching）等を用いることができる。また、エッチング工程においては、第２の膜が除去されて第１の膜が少なくとも一部露出した時点で、エッチングの処理条件を変更してもよい。たとえば、第２の膜のエッチングに適した第１の処理条件から第１の膜のエッチングに適した第２の処理条件にエッチングの処理条件を変更することで、第１の膜のエッチングによる除去速度をさらに早めることができる。たとえば、第１の膜が少なくとも一部露出した時点で、エッチングガス種を変更して第１の膜のエッチング速度が早まるようにしてもよい。
なお、上記第１の実施形態を変形して、マスク層ＭＫ（図２Ａ参照）自体を第１の膜として利用して、マスク層よりもエッチングレートが低い膜をマスク層ＭＫ上に堆積した後、エッチングを行うようにしてもよい。そして、マスク層ＭＫのエッチング量を位置によって異ならせることにより、ＬＣＤＵを改善するようにしてもよい。また、第１の膜および第２の膜の２層ではなく、２層以上の膜を形成するようにしてもよい。また、その場合には、各膜の間にエッチングレートの差を設けてもよい。この場合も、外側の膜ほどエッチングレートが低くなるようにエッチングレートを設定する。
なお、上記第１の実施形態においては、図２Ａおよび図２Ｂに示す複数の真円が整列するパターンを例として説明した。ただし、本実施形態は図２Ａおよび図２Ｂに示す形状のパターンに限定されず、楕円形状のパターンのＬＣＤＵやライン形状のばらつきを改善するために適用することができる。たとえば、本実施形態は、ＬＥＲ（Line Edge Roughness）やＬＷＲ（Line Width Roughness）の改善のために適用することができる。
＜第１の実施形態の効果＞
上記第１の実施形態に係るプラズマ処理方法は、第１工程と、第２工程と、エッチング工程と、を含む。第１工程においては、プラズマ処理装置は、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に第１の膜を形成する。第２工程においては、プラズマ処理装置は、第１の膜が形成された処理対象に、開口部のサイズに応じて開口部の側面における膜厚が異なり、第１の膜よりもエッチングレートが低い第２の膜を形成する。エッチング工程においては、プラズマ処理装置は、第２の膜の上から、処理対象の少なくとも一部において前記第１の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行する。このため、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法によれば、ローディング効果と第１の膜および第２の膜のエッチングレートの差を利用して、ＬＣＤＵを改善することができる。第１の実施形態に係るプラズマ処理方法は、たとえば、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ：Extreme Ultraviolet lithography）を用いて製造されたパターンのＬＣＤＵ改善に適用することができる。
また、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法において、プラズマ処理装置は、エッチング工程において、処理対象の少なくとも一部において第１の膜が露出した時点で、所定の処理条件を第１の処理条件から第２の処理条件に変更する。たとえば、プラズマ処理装置は、第２の膜のエッチングに適した第１の処理条件から第１の膜のエッチングに適した第２の処理条件に変更することで、第１の膜のエッチングによる除去速度をさらに早めることができる。このため、プラズマ処理装置は、ＬＣＤＵの改善効果をさらに向上させることができる。
また、第１の実施形態に係るプラズマ処理方法において、プラズマ処理装置は、第１工程、第２工程およびエッチング工程を、所定条件が満足されたと判定されるまで繰り返し実行する。このため、プラズマ処理装置は、所望のＬＣＤＵが達成されるまで処理を実行することができる。
＜変形例１－傾斜組成膜の形成＞
上記第１の実施形態では、第１の膜、第２の膜をそれぞれ形成した後、エッチングを行うことによりＬＣＤＵを改善するものとした。変形例１では、堆積する膜は１層としつつ成膜条件を変化させることにより、第１の実施形態における第１の膜および第２の膜の２つの膜を形成するのと同等の効果を得る。
図８は、変形例１に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。変形例１に係るプラズマ処理はたとえば後述するプラズマ処理装置（図１５参照）が実行する。
まず、第１の実施形態に係るプラズマ処理（図１参照）と同様、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象（たとえばウェハ）を、プラズマ処理が実行される空間内に配置する。プラズマ処理装置は、堆積工程を実行する（ステップＳ８１）。プラズマ処理装置は、堆積工程において、処理対象から遠ざかるにつれて堆積する膜のエッチングレートが徐々に低くなる処理条件下で、パターン上に膜を堆積する。なお、堆積工程において堆積する膜はローディング効果により、開口部の寸法に応じて膜厚が異なる膜とする。次に、プラズマ処理装置はエッチング工程を実行する（ステップＳ８２）。そして、プラズマ処理装置は、処理対象が所定の条件を満足する状態となったか否かを判定する（ステップＳ８３）。所定の条件を満足する状態となっていないと判定した場合（ステップＳ８３、Ｎｏ）、プラズマ処理装置は、ステップＳ８１に戻って処理を繰り返す。他方、所定の条件を満足する状態となったと判定した場合（ステップＳ８１、Ｙｅｓ）、プラズマ処理装置は処理を終了する。これが変形例１に係るプラズマ処理の流れの一例である。
＜処理シーケンス例１＞
図９は、変形例１に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。図９の例では、図５の例と同様にＳｉＯ２膜を堆積する。まず、堆積工程において、たとえばＳｉＣｌ４とＯ２を処理ガスとしてＣＶＤによりＳｉＯ２膜を堆積する。堆積工程の間、Ｏ２の流量を徐々に増加させる。このため、図９のシーケンスにおいては、処理対象上に形成されるＳｉＯ２膜のエッチングレートが徐々に低くなる（図４参照）。堆積工程の間、ＳｉＣｌ４の流量は一定である。堆積工程の後、エッチング工程を、ＮＦ３ガスからプラズマを生成して実行する。このように、変形例１に係るプラズマ処理方法では、堆積工程の間に処理条件を変化させることによって、一つの膜のエッチングレートを徐々に変えることができる。たとえば、当該プラズマ処理方法では、膜の成分となる複数のガスの比率を徐々に変化させることで連続的にエッチングレートを変化させて膜を体積することができる。また、当該プラズマ処理方法では、所定のガスの流量を増加させることによって、一つの膜のエッチングレートを徐々に変えることができる。
＜処理シーケンス例２＞
図１０は、変形例１に係るプラズマ処理の処理シーケンスの他の例を示す図である。図１０の例では、図６の例と同様に２種類のカーボン含有ガスを用いて膜を堆積する。しかし、図６の例とは異なり、図１０の例では、堆積工程の間、第１のカーボン含有ガスの流量を徐々に減少させると同時に、第２のカーボン含有ガスの流量を徐々に増加させる。このため、堆積される膜は、処理開始時は第１のカーボン含有ガスの性質が強く、徐々に第２のカーボン含有ガスの性質が強い膜になる。たとえば、図６のように、第１のカーボン膜のエッチングレートが第２のカーボン膜のエッチングレートよりも高い場合、図１０の処理により、徐々に下層から上層にむけてエッチングレートが低くなるカーボン膜を堆積することができる。なお、第１のカーボン含有ガスはたとえば、ＣＦ系のガス（Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６等）、ＣＨＦ系のガス（ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等）である。また、第２のカーボン含有ガスはたとえば、ＣＨ系のガス（ＣＨ４等）である。
＜処理シーケンス例３＞
図１１は、変形例１に係るプラズマ処理の処理シーケンスのさらに他の例を示す図である。図１１の例では、図７の例と同様の処理ガスを用いて膜を堆積する。しかし、図７の例とは異なり、図１１の例では、堆積工程の間、カーボン含有ガスの流量を徐々に減少させると同時に、ＳｉＣｌ４とＯ２の流量を徐々に増加させる。このため、堆積される膜は、処理開始時はカーボン膜であり、徐々にＳｉＯ２膜へと組成が変化していく。このため、図１１の処理により、徐々に下層から上層にむけてエッチングレートが低くなる膜を堆積することができる。
なお、変形例１の各シーケンスも第１の実施形態と同様、所望のＬＣＤＵが達成されるまで任意のサイクル数繰り返し実行することができる。
＜変形例１の効果＞
上記変形例１に係るプラズマ処理方法は、堆積工程とエッチング工程とを含む。プラズマ処理装置は、堆積工程において、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に、当該処理対象から遠ざかるにつれてエッチングレートが低くなり、かつ、開口部のサイズに応じて開口部の側面への堆積量が異なる処理条件で膜を堆積する。プラズマ処理装置は、エッチング工程において、膜が堆積された処理対象のエッチングを実行する。このため、変形例１に係るプラズマ処理方法によれば、１つの膜を処理条件を変えて堆積することによりエッチングレートの高低差をつけることができる。このため、変形例１に係るプラズマ処理方法によれば、少ない工程数でＬＣＤＵを改善することができる。
また、上記変形例１に係るプラズマ処理方法によれば、プラズマ処理装置は堆積工程において、供給する複数のガスの比率を徐々に変化させることにより連続的にエッチングレートが変化する膜を堆積する。たとえば、プラズマ処理装置は、供給するガスの酸素含有量を徐々に増加させる。このため、変形例１によれば、プラズマ処理装置は、簡易な処理によってＬＣＤＵを改善することができる。
また、上記変形例１に係るプラズマ処理方法において、堆積工程およびエッチング工程は、所定条件が満足されたと判定されるまで、繰り返し実行される。このため、変形例１によれば、所望のレベルにＬＣＤＵを改善することができる。
＜変形例２－改質によるエッチングレートの調整＞
上記変形例１では、膜を形成する際の成分の流量を変えることにより一つの膜の中でエッチングレートを変化させた。変形例２では、形成した膜に対して改質処理を実行して第１の膜とすることで第１の膜と第２の膜のエッチングレートに差をつける。
図１２は、変形例２に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。変形例２に係るプラズマ処理はたとえば後述するプラズマ処理装置（図１５参照）が実行する。
まず、第１の実施形態に係るプラズマ処理（図１参照）と同様、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象（たとえばウェハ）を、プラズマ処理が実行される空間内に配置する。プラズマ処理装置は、第１工程を実行する（ステップＳ１２０１）。プラズマ処理装置は、第１工程においてまず、パターン上に膜を堆積する。次に、プラズマ処理装置は、堆積した膜の改質処理を実行する。改質処理は、膜の表面を脆くする等改質することによって、膜のエッチングレートを高くする処理である。これで第１の膜が形成される。次に、プラズマ処理装置は、第２工程を実行する（ステップＳ１２０２）。第２工程においては、プラズマ処理装置は、ＣＶＤ等により第１の膜の上に第２の膜を堆積する。なお、第２工程は、第１の実施形態と同様、ローディング効果が得られる条件で実行する。次に、プラズマ処理装置はエッチング工程を実行する（ステップＳ１２０３）。そして、プラズマ処理装置は、処理対象が所定の条件を満足する状態となったか否かを判定する（ステップＳ１２０４）。所定の条件を満足する状態となっていないと判定した場合（ステップＳ１２０４、Ｎｏ）、プラズマ処理装置は、ステップＳ１２０１に戻って処理を繰り返す。他方、所定の条件を満足する状態となったと判定した場合（ステップＳ１２０４、Ｙｅｓ）、プラズマ処理装置は処理を終了する。これが変形例２に係るプラズマ処理の流れの一例である。
改質処理はたとえば、膜の材料となるガスを供給しない状態でプラズマを生成する処理である。たとえば第１工程においてまず、窒化膜（ＳｉＮ）を堆積する。その後、水素（Ｈ２）のプラズマを生成し、窒化膜をＨプラズマに晒す。この処理により膜表面が脆くなるため、エッチングレートが高くなる。ただし、膜種とプラズマを生成する際のガス種との組み合わせはこれに限定されない。たとえば、第１工程において酸化膜（ＳｉＯ２）を堆積した後、水素（Ｈ２）のプラズマを生成して酸化膜をＨプラズマに晒すことで改質処理を実行することもできる。
なお、改質処理は、ローディング効果を利用して実行してもよいしローディング効果を利用せずに実行してもよい。ローディング効果を利用する場合は、開口寸法が大きいほど改質度合または改質される表面からの深さが大きくなる。上記窒化膜をＨプラズマで改質する場合には、表面積が広い部分の方がプラズマに曝露される度合いが高くなるため、開口寸法が大きいほど改質度合または改質深さを大きくすることができる。
＜変形例２の効果＞
上記変形例２に係るプラズマ処理方法は、第１工程と、第２工程と、エッチング工程と、を含む。第１工程において、プラズマ処理装置は、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に第１の膜を形成する。第２工程において、プラズマ処理装置は、第１の膜が形成された処理対象に、開口部のサイズに応じて開口部の側面における膜厚が異なり、第１の膜よりもエッチングレートが低い第２の膜を形成する。エッチング工程において、プラズマ処理装置は、第２の膜の上から、処理対象の少なくとも一部において第１の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行する。そして、変形例２において、プラズマ処理装置は、第１工程において、処理対象に堆積された膜に改質処理を施すことで第２の膜よりもエッチングレートが高い第１の膜を形成する。改質処理はたとえば、所定の処理条件下で膜をプラズマに曝露する工程である。このため、変形例２によれば、同種の膜を第１、第２の膜として堆積しつつ、改質処理によってエッチングレートに差をつけることができる。
＜変形例３－改質処理による第２の膜の形成＞
上記変形例２においては、改質処理を施すことで第１の膜と第２の膜のエッチングレートに差を出した。変形例３においては、堆積する膜は１層としつつ、当該膜の堆積後に改質処理を施すことにより、エッチングレートが異なる２つの膜を堆積するのと同等の効果を得る。
図１３は、変形例３に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。変形例３に係るプラズマ処理は後述するプラズマ処理装置（図１５参照）が実行する。
まず、第１の実施形態に係るプラズマ処理（図１参照）と同様、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象（たとえばウェハ）を、プラズマ処理が実行される空間内に配置する。プラズマ処理装置は、第１工程を実行する（ステップＳ１３０１）。プラズマ処理装置は、第１工程においてまず、パターン上に膜を堆積する。ここで堆積する膜の種類は特に限定されないが、たとえば、同一種類のガスを用い処理条件を途中で変更することなくＣＶＤを実行して形成される。次に、プラズマ処理装置は、第２工程を実行する（ステップＳ１３０２）。プラズマ処理装置は、第２工程において、第１工程で形成された膜に対して改質処理を実行する。改質処理は、第１工程で形成された膜の表面のエッチングレートを低くするための処理である。また、改質処理は、ローディング効果が出る条件で実行される。すなわち、開口寸法が大きいほど改質度合または改質される表面からの深さが大きくなる条件で実行される。次に、プラズマ処理装置は、エッチング工程を実行する（ステップＳ１３０３）。そして、プラズマ処理装置は、処理対象が所定の条件を満足する状態となったか否かを判定する（ステップＳ１３０４）。所定の条件を満足する状態となっていないと判定した場合（ステップＳ１３０４、Ｎｏ）、プラズマ処理装置は、ステップＳ１３０１に戻って処理を繰り返す。他方、所定の条件を満足する状態となったと判定した場合（ステップＳ１３０４、Ｙｅｓ）、プラズマ処理装置は処理を終了する。これが変形例３に係るプラズマ処理の流れの一例である。
図１４は、変形例３に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。図１４の例では、プラズマ処理装置は、第１工程（ＣＶＤ）の後、第２工程として改質（modify）工程を実行する。その後、プラズマ処理装置は、エッチング工程を実行する。図１４の例における第１工程では、プラズマ処理装置は、処理ガスとしてメタン（ＣＨ４）およびオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を使用して膜を堆積する。次の第２工程では、プラズマ処理装置は、ＣＨ４およびＣ４Ｆ８の供給を止めて希ガスたとえばアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）等を供給しプラズマ化させる。第１工程で堆積された膜はプラズマに曝露されることによって、押し固められ密度が上昇する。このため、第２工程によって膜が硬くなりエッチングレートが低下する。このとき、第１工程で堆積された膜は、開口寸法が広い部分ほどプラズマに曝露される度合が大きいため、開口寸法に応じて改質度合または改質深さが異なる。このため、第１の実施形態等においてローディング効果を利用して第２の膜を堆積したときと実質的に同様のローディング効果を得ることができる。第２工程の後、プラズマ処理装置はＯ２を供給して改質後の膜のエッチングを実行する。
なお、図１４に示す処理において使用できるガス種は、Ｃ４Ｆ８およびＣＨ４に限定されない。第１工程においてたとえば、シリコンやカーボンを含有するガス種を用いて膜を堆積してもよい。そして、第２工程において、シリコンやカーボンを含有するガス種の供給を停止した上で、希ガス（Ａｒ等）、水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）等を供給してプラズマを生成してもよい。なお、第１工程において実行するＣＶＤはプラズマＣＶＤであってよい。
＜変形例３の効果＞
上記変形例３に係るプラズマ処理方法は、第２工程において、第１の膜に改質処理を施して第１の膜を改質することで第２の膜を形成する。また、改質処理は、サイズの大きい開口部ほどプラズマにより改質される表面からの深さまたは改質度合が大きくなる処理条件下で第１の膜をプラズマに曝露する。このため、変形例３に係るプラズマ処理方法によれば、ローディング効果を利用して膜の性質を変化させることで膜のエッチングレートに変化をつけることができる。このため、変形例３によれば、一つの膜を利用して、二つの膜を利用する第１の実施形態等と同等の効果を得ることができる。
また、変形例３に係るプラズマ処理方法において、堆積工程およびエッチング工程は、所定条件が満足されたと判定されるまで繰り返し実行される。このため、変形例３に係るプラズマ処理方法によれば、工程の繰り返し数を調整して、所望のＬＣＤＵ改善効果を得ることができる。
＜一実施形態に係るプラズマ処理装置の例＞
上記第１の実施形態、変形例１乃至３に係るプラズマ処理方法は、以下に説明するプラズマ処理装置１を用いて実行することができる。
一実施形態に係るプラズマ処理装置１について、図１５を参照して説明する。図１５は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１の縦断面の一例を示す図である。本実施形態に係るプラズマ処理装置１では、半導体ウェハのプラズマエッチング、成膜、スパッタなどの所望のプラズマ処理が行われる。本実施形態に係るプラズマ処理装置１は、チャンバ１０内に載置台２０とガスシャワーヘッド２５とを対向配置した平行平板型のプラズマ処理装置（容量結合型プラズマ処理装置）である。載置台２０は下部電極としても機能し、ガスシャワーヘッド２５は上部電極としても機能する。
プラズマ処理装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバ１０を有している。チャンバ１０は、電気的に接地されている。チャンバ１０の底部には、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハＷ」という。）を載置するための載置台２０が設けられている。ウェハＷは、処理対象の一例である。載置台２０は、ウェハＷを静電吸着力により保持する静電チャック１０６と、静電チャック１０６を支持する基台１０４とを有する。基台１０４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等から形成されている。
基台１０４の上面には、ウェハを静電吸着するための静電チャック１０６が設けられている。静電チャック１０６は、絶縁体１０６ｂの間にチャック電極１０６ａを挟み込んだ構造になっている。チャック電極１０６ａには直流電圧源１１２が接続され、直流電圧源１１２からチャック電極１０６ａに直流電圧ＨＶが印加されることにより、静電気力によってウェハＷが静電チャック１０６に吸着される。静電チャック１０６の上面には、ウェハＷを保持するための保持面と、保持面よりも高さが低い部分である周縁部とが形成されている。静電チャック１０６の保持面に、ウェハＷが載置される。以下では、静電チャック１０６の保持面を「載置台２０の載置面」と適宜表記するものとする。
静電チャック１０６の周縁部には、載置台２０の載置面に載置されたウェハＷを囲むようにフォーカスリング１０８が配置されている。フォーカスリング１０８は、例えばシリコンや石英から形成されている。フォーカスリング１０８は、エッチングの面内均一性を高めるように機能する。
また、載置台２０（基台１０４）の内部には、冷媒流路１０４ａが形成されている。冷媒流路１０４ａには、冷媒入口配管１０４ｂ及び冷媒出口配管１０４ｃが接続されている。チラー１０７から出力された例えば冷却水やブライン等の冷却媒体（以下、「冷媒」ともいう。）は、冷媒入口配管１０４ｂ、冷媒流路１０４ａ及び冷媒出口配管１０４ｃを通流して循環する。冷媒により、載置台２０及び静電チャック１０６は冷却される。
伝熱ガス供給源８５は、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の伝熱ガスをガス供給ライン１３０に通して静電チャック１０６上のウェハＷの裏面に供給する。かかる構成により、静電チャック１０６は、冷媒流路１０４ａに循環させる冷媒と、ウェハＷの裏面に供給する伝熱ガスとによって温度制御される。
載置台２０には、２周波重畳電力を供給する電力供給装置３０が接続されている。電力供給装置３０は、第１周波数の第１高周波電力（プラズマ生起用高周波電力）を供給する第１高周波電源３２と、第１周波数よりも低い第２周波数の第２高周波電力（バイアス電圧発生用高周波電力）を供給する第２高周波電源３４とを有する。第１高周波電源３２は、第１整合器３３を介して載置台２０に電気的に接続される。第２高周波電源３４は、第２整合器３５を介して載置台２０に電気的に接続される。第１高周波電源３２は、例えば、４０ＭＨｚの第１高周波電力を載置台２０に印加する。第２高周波電源３４は、例えば、４００ｋＨｚの第２高周波電力を載置台２０に印加する。なお、本実施形態では、第１高周波電力は載置台２０に印加されるが、ガスシャワーヘッド２５に印加されてもよい。
第１整合器３３は、第１高周波電源３２の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。第２整合器３５は、第２高周波電源３４の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。第１整合器３３は、チャンバ１０内にプラズマが生成されているときに第１高周波電源３２の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。第２整合器３５は、チャンバ１０内にプラズマが生成されているときに第２高周波電源３４の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。
ガスシャワーヘッド２５は、その周縁部を被覆するシールドリング４０を介してチャンバ１０の天井部の開口を閉塞するように取り付けられている。ガスシャワーヘッド２５は、図１５に示すように電気的に接地してもよい。また、可変直流電源を接続してガスシャワーヘッド２５に所定の直流（ＤＣ）電圧が印加されるようにしてもよい。
ガスシャワーヘッド２５には、ガスを導入するガス導入口４５が形成されている。ガスシャワーヘッド２５の内部にはガス導入口４５から分岐したセンター部の拡散室５０ａ及びエッジ部の拡散室５０ｂが設けられている。ガス供給源１５から出力されたガスは、ガス導入口４５を介して拡散室５０ａ、５０ｂに供給され、拡散室５０ａ、５０ｂにて拡散されて多数のガス供給孔５５から載置台２０に向けて導入される。
チャンバ１０の底面には排気口６０が形成されており、排気口６０に接続された排気装置６５によってチャンバ１０内が排気される。これにより、チャンバ１０内を所定の真空度に維持することができる。チャンバ１０の側壁にはゲートバルブＧが設けられている。ゲートバルブＧは、チャンバ１０からウェハＷの搬入及び搬出を行う際に搬出入口を開閉する。
プラズマ処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御部１００が設けられている。制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０５、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１０及びＲＡＭ（Random Access Memory）１１５を有している。ＣＰＵ１０５は、これらの記憶領域に格納された各種レシピに従って、後述されるプラズマ処理等の所望の処理を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種ガス流量、チャンバ内温度（上部電極温度、チャンバの側壁温度、ウェハＷ温度（静電チャック温度）など）、チラー１０７から出力される冷媒の温度などが記載されている。なお、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピは、ＣＤ（Compact Disc）－ＲＯＭ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
例えば、制御部１００は、上述したプラズマ処理方法を行うようにプラズマ処理装置１の各部を制御する。
また、上記実施形態に係るプラズマ処理は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)処理装置だけでなく、その他のプラズマ処理装置に適用可能である。その他のプラズマ処理装置は、例えば、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)処理、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）処理装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance Plasma）処理装置等であっても良い。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ プラズマ処理装置
１０ チャンバ
１５ ガス供給源
２０ 載置台
２５ ガスシャワーヘッド
３２ 第１高周波電源
３４ 第２高周波電源
６５ 排気装置
８５ 伝熱ガス供給源
１００ 制御部
１０４ 基台
１０４ａ 冷却流路
１０６ 静電チャック

Claims (12)

  1. 所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に第１の膜を形成する第１工程と、
    前記第１の膜が形成された前記処理対象に、開口部のサイズに応じて開口部の側面における膜厚が異なり、前記第１の膜よりもエッチングレートが低い第２の膜を形成する第２工程と、
    前記第２の膜の上から、前記処理対象の少なくとも一部において前記第１の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行するエッチング工程と、
    を含むプラズマ処理方法。
  2. 前記第１工程は、前記処理対象に堆積された膜に改質処理を施すことで前記第２の膜よりもエッチングレートが高い前記第１の膜を形成する、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 前記改質処理は、所定の処理条件下で前記膜をプラズマに曝露する、請求項２に記載のプラズマ処理方法。
  4. 前記第２工程は、前記第１の膜に改質処理を施して改質することで前記第２の膜を形成する、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  5. 前記改質処理は、サイズの大きい開口部ほどプラズマにより改質される表面からの深さまたは改質度合が大きくなる処理条件下で前記第１の膜をプラズマに曝露する、請求項４に記載のプラズマ処理方法。
  6. 前記エッチング工程において、前記処理対象の少なくとも一部において前記第１の膜が露出した時点で、前記所定の処理条件を第１の処理条件から第２の処理条件に変更する請求項１から５のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  7. 前記第１工程、前記第２工程および前記エッチング工程は、所定条件が満足されたと判定されるまで、繰り返し実行される、請求項１から６のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  8. 所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に、当該処理対象から遠ざかるにつれてエッチングレートが低くなり、かつ、開口部のサイズに応じて開口部の側面への堆積量が異なる処理条件で膜を堆積する堆積工程と、
    前記膜が堆積された処理対象のエッチングを実行するエッチング工程と、
    を含むプラズマ処理方法。
  9. 前記堆積工程において、供給する複数のガスの比率を徐々に変化させることにより連続的にエッチングレートが変化する前記膜を堆積する、請求項８に記載のプラズマ処理方法。
  10. 前記堆積工程において、供給するガスの酸素含有量を徐々に増加させる、請求項９に記載のプラズマ処理方法。
  11. 前記堆積工程および前記エッチング工程は、所定条件が満足されたと判定されるまで、繰り返し実行される、請求項８から１０のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法を実行するプログラムを記憶する記憶部と、当該プログラムを実行するよう制御する制御部と、
    を備えるプラズマ処理装置。
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