JP7067904B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
なお、本実施形態におけるX軸、Y軸、Z軸は、それぞれが直交する関係にあり、X軸およびY軸は、所定平面内の軸とし、Z軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、Y軸と平行な図1中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がZ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がX軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がY軸と平行な図1中手前方向で「後」がその逆方向とする。また、図1~図4は、各図の(A)に記載した方向と同じ方向から観た図なので、各図の(A)以外における方向を示す矢印は省略する。
本実施形態の場合、接着シートASを構成する基材BSは、改質層形成工程PC2で用いられるレーザのエネルギーが貫通しない程度に厚みが大きいものや、レーザ照射時や照射後にウエハWFが移動したり変形したりしない程度に剛性が高いもの等、当該改質層形成工程PC2に適したものが採用される。
基材BSは、膨張性微粒子SGが膨張すると、図1(C)中AAを付した図に示すように、無数の凸部CVが形成され、接着剤層ALとの界面から空気が進入することで、接着剤層ALとの間に空間CRが形成され、接着剤層ALに対する接着領域が低減する。そして、空間CRが基材BSと接着剤層ALとの間全域に広がると、基材BSは、接着剤層ALに対する接着領域が著しく減少し、接着剤層ALから簡単に除去できるようになる。なお、このような現象を経た接着剤層ALは、基材BSとの接着領域が減少しただけであって、その接着力が低下することはなく、基材BS剥離後の接着力は、基材BS剥離前の接着力と同等に維持される。
この取外し工程PC7において、チップCPを支持する樹脂シートRSが改質層形成工程PC2に適した基材BSのように、厚みが大きかったり、剛性が高かったりすると、突き上げ部材71でチップCPを突き上げた際、チップCPの突き上げ量が不足して吸着パッド72での吸着保持ができなかったり、隣接するチップCPも同時に突き上げて当該隣接するチップCPを破損させたりするという不都合を発生する。一方、本実施形態のように、樹脂シートRSを当該取外し工程PC7に適したものに貼り替えておくことで、そのような不都合を未然に防止することができる。
接着力低下工程PC9は、図1(I)に示すように、第2エネルギー付与手段としての発光源91で紫外線を発光し、ウエハWFに貼付された接着シートASの接着剤層ALに当該紫外線を付与することで、当該接着剤層ALに含まれている光重合開始剤を光重合反応させ接着力を低下させる。紫外線は、発光源91とウエハWFとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたり、それら両方の移動を規制した状態でウエハWFに付与される。これにより、チップCPに対する接着剤層ALの接着力が低下し、チップCPを接着剤層ALから容易に取り外すことができるようになる。
なお、発光源91は、第2エネルギーの種類、特性、特質または性質によっては、ウエハWFを透過して接着剤層ALに当該第2エネルギーを付与することができる。
この場合も、接着剤層ALに所定の第2エネルギーとしての紫外線が付与されることでその接着力が低下するものを採用し、分離工程PC4と支持部材貼付工程PC5との間で接着力低下工程PC9を実施してもよい。これにより、基板用接着剤層ADに対する接着剤層ALの接着力が低下し、基板用接着剤層ADと共にチップCPを樹脂シートRSから容易に取り外すことができるようになる。
なお、発光源91は、第2エネルギーの種類、特性、特質または性質によっては、ウエハWFおよび基板用接着剤層ADを透過して接着剤層ALに当該第2エネルギーを付与することができる。
改質層形成手段は、レーザ光、電磁波、振動、熱、薬品、化学物質等の付与によって、ウエハWFの特性、特質、性質、材質、組成、構成、寸法等を変更することで、ウエハWFを脆弱化、粉砕化、液化または空洞化し、ウエハWFに直接的または間接的に外力を加えることで、当該ウエハが個片化すればどのような改質層MLを形成してもよい。
基材BSは、所定の第1エネルギーとして、赤外線以外に、紫外線、可視光線、音波、X線またはガンマ線等の電磁波や、熱湯や熱風等の熱等が付与されることで膨張する膨張性微粒子SGを含むものであれば何でもよく、そのような基材BSの特性、特質、性質、材質、組成および構成等に応じて第1エネルギー付与手段が選択されればよい。
支持部材は、樹脂シートBS2以外に、例えば、ゴムや樹脂等の弾性部材でもよいし、ガラス、金属、セラミック等の非弾性部材等であってもよいし、その他、木材、紙、布等でもよいし、接着シートや粘着シート等の接着剤層を有するものや、接着剤層や粘着剤層を有しないものでもよいし、その形状は板状でなく、例えば、球状や角柱状等なんら限定されるものではなく、張力を付与しても伸びないものの場合、当該支持部材を湾曲させることで、ウエハWFに外力を付与し、当該ウエハWFを個片化してチップCPを形成してもよい。
前記実施形態において、ローラ等の回転部材が採用されている場合、当該回転部材を回転駆動させる駆動機器を備えてもよいし、回転部材の表面や回転部材自体をゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、回転部材の表面や回転部材自体を変形しない部材で構成してもよいし、押圧ローラや押圧ヘッド等の押圧手段や押圧部材といった被押圧物を押圧するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、ローラ、丸棒、ブレード材、ゴム、樹脂、スポンジ等の部材を採用したり、大気やガス等の気体の吹き付けにより押圧する構成を採用したりしてもよいし、押圧するものをゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、変形しない部材で構成してもよいし、剥離板や剥離ローラ等の剥離手段や剥離部材といった被剥離物を剥離するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、板状部材、丸棒、ローラ等の部材を採用してもよいし、剥離するものをゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、変形しない部材で構成してもよいし、支持(保持)手段や支持(保持)部材等の被支持部材を支持または保持するものが採用されている場合、メカチャックやチャックシリンダ等の把持手段、クーロン力、接着剤(接着シート、接着テープ)、粘着剤(粘着シート、粘着テープ)、磁力、ベルヌーイ吸着、吸引吸着、駆動機器等で被支持部材を支持(保持)する構成を採用してもよい。
AL…接着剤層
AS…接着シート
BS…基材
CB…基板
CP…半導体チップ
ML…改質層
PC1…シート貼付工程
PC2…改質層形成工程
PC3…接着領域低減工程
PC4…分離工程
PC5…支持部材貼付工程
PC6…個片化工程
PC7…取外し工程
PC8…チップ接着工程
PC9…接着力低下工程
RS…樹脂シート(支持部材)
SG…膨張性微粒子
WF…半導体ウエハ
Claims (5)
- 所定の第1エネルギーが付与されることで膨張する膨張性微粒子を含む単層の基材に接着剤層が積層された接着シートを用意するシート用意工程と、
前記接着剤層を半導体ウエハに当接させて前記接着シートを当該半導体ウエハの一方の面に貼付するシート貼付工程と、
前記半導体ウエハに外力が付与されることで当該半導体ウエハが個片化する改質層を当該半導体ウエハに形成する改質層形成工程と、
前記基材に前記所定の第1エネルギーを付与して前記膨張性微粒子を膨張させ、前記接着剤層に対する当該基材の接着領域を低減させる接着領域低減工程と、
前記接着剤層から前記基材を単層の状態で分離する分離工程と、
前記分離工程で分離されて表出した前記接着剤層に支持部材を貼付する支持部材貼付工程と、
前記半導体ウエハに外力を付与して当該半導体ウエハを個片化して半導体チップを形成する個片化工程と、
前記半導体チップを前記支持部材から取り外す取外し工程と、
前記半導体チップを基板に接着するチップ接着工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 前記支持部材貼付工程において、前記支持部材は、前記接着剤層に対する接着力が、前記半導体チップと前記接着剤層との接着力よりも大きくなるように設定されたものが使用され、
前記取外し工程において、前記半導体チップは、前記接着剤層から切り離されて前記支持部材から取り外され、
前記チップ接着工程において、前記半導体チップは、前記基板に接着する基板用接着剤層を介して当該基板に接着されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着剤層は、所定の第2エネルギーが付与されることでその接着力が低下するもので構成され、前記分離工程と支持部材貼付工程との間で前記接着剤層に前記所定の第2エネルギーを付与して当該接着剤層の接着力を低下させる接着力低下工程を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記支持部材貼付工程において、前記支持部材は、前記接着剤層に対する接着力が、前記半導体チップと前記接着剤層との接着力よりも小さくなるように設定されたものが使用され、
前記取外し工程において、前記半導体チップは、前記接着剤層と共に前記支持部材から取り外され、
チップ接着工程において、前記半導体チップは、前記接着剤層を介して前記基板に接着されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シート用意工程において、前記基板に接着する基板用接着剤層が前記接着剤層上に積層された前記接着シートを用意し、
前記シート貼付工程において、当該基板用接着剤層を前記半導体ウエハに当接させて前記接着シートを当該半導体ウエハの一方の面に貼付し、
前記取外し工程において、前記基板用接着剤層と共に前記半導体チップを前記支持部材から取り外し、
前記チップ接着工程において、前記基板用接着剤層を介して前記半導体チップを前記基板に接着することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2017221209A JP7067904B2 (ja) | 2017-11-16 | 2017-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2017221209A JP7067904B2 (ja) | 2017-11-16 | 2017-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP2019091861A JP2019091861A (ja) | 2019-06-13 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2017221209A Active JP7067904B2 (ja) | 2017-11-16 | 2017-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
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- 2017-11-16 JP JP2017221209A patent/JP7067904B2/ja active Active
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