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JP7104518B2 - Polymer materials, materials for electroluminescence devices, liquid compositions, thin films and electroluminescence devices - Google Patents
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JP7104518B2 - Polymer materials, materials for electroluminescence devices, liquid compositions, thin films and electroluminescence devices - Google Patents

Polymer materials, materials for electroluminescence devices, liquid compositions, thin films and electroluminescence devices Download PDF

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Description

本発明は、高分子材料、エレクトロルミネッセンス素子用材料、液状組成物、薄膜及びエレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to polymer materials, materials for electroluminescent devices, liquid compositions, thin films and electroluminescent devices.

近年、広い色域に対応したディスプレイの開発が活発になっている。例えば、有機EL素子では、その発光層の材料開発により色域の改善を試みている。(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, the development of displays that support a wide color gamut has become active. For example, in an organic EL device, we are trying to improve the color gamut by developing a material for the light emitting layer. (See, for example, Patent Document 1).

しかしながら、有機EL素子の発光層を構成する有機発光材料である、蛍光発光材料や燐光発光材料では、シャープな発光スペクトルを得ることが原理上難しい。 However, in principle, it is difficult to obtain a sharp emission spectrum with a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, which is an organic light emitting material constituting the light emitting layer of the organic EL element.

シャープな発光スペクトルを有する材料として、量子ドットが知られており、量子ドットを発光層に用いた量子ドット発光素子が開発されている(例えば、特許文献2参照)。 Quantum dots are known as a material having a sharp emission spectrum, and a quantum dot light emitting element using the quantum dots as a light emitting layer has been developed (see, for example, Patent Document 2).

国際公開第2014/042265号International Publication No. 2014/042265 特開2010-199067号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-199067

しかしながら、量子ドット発光素子は、発光効率を向上させることが求められている。 However, quantum dot light emitting devices are required to improve the luminous efficiency.

量子ドット発光素子の発光効率を改善するためには、キャリアバランスを調整することが重要となる。 In order to improve the luminous efficiency of the quantum dot light emitting device, it is important to adjust the carrier balance.

ここで、有機EL素子は、一般に、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料がそれぞれ有機物であるため、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料は、エネルギー準位間のエネルギー差が小さいため、発光層に電荷を注入する際の障壁が小さい。 Here, in the organic EL element, since the hole injection material, the electron injection material, and the light emitting material are each organic, the hole injection material, the electron injection material, and the light emitting material generally have a small energy difference between energy levels. Therefore, the barrier for injecting charge into the light emitting layer is small.

これに対して、量子ドットは、一般に、最高被占軌道(Highest occupied molecular orbital)準位(以下、HOMO準位という)が深く、有機層である正孔輸送層から正孔を注入する際の障壁が大きいことが発光効率が低下する原因の一つであると考えられる。 On the other hand, quantum dots generally have a deep highest occupied molecular orbital level (hereinafter referred to as HOMO level), and when holes are injected from the hole transport layer, which is an organic layer. It is considered that a large barrier is one of the causes of the decrease in light emission efficiency.

本発明の一態様は、上記を鑑み、量子ドット発光素子において、発光効率を向上させることが可能な高分子材料を提供することを目的とする。 In view of the above, one aspect of the present invention is to provide a polymer material capable of improving luminous efficiency in a quantum dot light emitting element.

本発明の一態様は、高分子材料において、下記式(1)で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含む。 One aspect of the present invention includes a segment of an alternating copolymer of a structural unit represented by the following formula (1) in a polymer material.

Figure 0007104518000001

(式(1)中、Xは、下記式(2)で表される基であり、Yは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基である。)
Figure 0007104518000001

(In the formula (1), X is a group represented by the following formula (2), and Y is a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or A divalent aromatic heterocyclic group having a substituted or unsubstituted ring-forming atom number of 3 or more and 60 or less.)

Figure 0007104518000002

(式(2)中、Arは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の3価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の3価の芳香族複素環基であり、
Ar及びArは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
及びLは、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基であり、
及びRは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
及びRは、互いに結合して環を形成してもよく、
aは、0以上4以下の整数であり、
bは、0以上3以下の整数であり、
~Zは、それぞれ独立して、窒素原子又は-CH=である。)
Figure 0007104518000002

(In the formula (2), Ar 1 is a substituted or unsubstituted trivalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming atom number of 3 or more and 60 or less. Is a trivalent aromatic heterocyclic group of
Ar 2 and Ar 3 are independently substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or substituted or unsubstituted ring-forming atoms having 3 or more and 60 atoms, respectively. The following monovalent aromatic heterocyclic groups,
L 1 and L 2 are independently single-bonded, substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 60 carbon atoms, or substituted or unsubstituted ring-forming atoms. It is a divalent aromatic heterocyclic group of 3 or more and 60 or less.
R 1 and R 2 are independently substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 20 carbon atoms, substituted or substituted. An unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 60 atoms.
R 1 and R 2 may be combined with each other to form a ring.
a is an integer of 0 or more and 4 or less,
b is an integer of 0 or more and 3 or less,
Z 1 to Z 8 are independently nitrogen atoms or −CH =. )

本発明の一態様によれば、量子ドット発光素子において、発光効率を向上させることが可能な高分子材料を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a polymer material capable of improving luminous efficiency in a quantum dot light emitting element.

本実施形態に係る量子ドット発光素子の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the quantum dot light emitting element which concerns on this embodiment. 実施例6の量子ドットの構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the quantum dot of Example 6. 実施例6の量子ドットの紫外線吸収スペクトルである。It is an ultraviolet absorption spectrum of the quantum dot of Example 6. 実施例6の量子ドットのフォトルミネッセンススペクトルである。6 is a photoluminescence spectrum of the quantum dots of Example 6. 比較例2の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムである。It is an energy diagram of the quantum dot light emitting element of the comparative example 2. 実施例9の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムである。It is an energy diagram of the quantum dot light emitting device of Example 9.

以下、本発明を実施するための形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではない。 Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described. The present invention is not limited to the following embodiments.

[高分子材料]
本実施形態に係る高分子材料は、下記式(1)で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含む。
[Polymer material]
The polymer material according to the present embodiment includes a segment of an alternating copolymer of a structural unit represented by the following formula (1).

Figure 0007104518000003

(式(1)中、Xは、下記式(2)で表される基であり、Yは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基である。)
Figure 0007104518000003

(In the formula (1), X is a group represented by the following formula (2), and Y is a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or A divalent aromatic heterocyclic group having a substituted or unsubstituted ring-forming atom number of 3 or more and 60 or less.)

Figure 0007104518000004

(式(2)中、Arは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の3価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の3価の芳香族複素環基であり、
Ar及びArは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
及びLは、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基であり、
及びRは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
及びRは、互いに結合して環を形成してもよく、
aは、0以上4以下の整数であり、
bは、0以上3以下の整数であり、
~Zは、それぞれ独立して、窒素原子又は-CH=である。)
本実施形態に係る高分子材料は、1種以上の式(1)で表される構成単位を含み、1種以上の他の構成単位をさらに含んでいてもよい。ここで、本実施形態に係る高分子材料は、X及びYが交互に結合している交互共重合体のセグメントを含むため、製造の再現性が高い。また、本実施形態に係る高分子材料は、X及びYの局在がないことから、薄膜として用いた場合に均質な特性が得られる。
Figure 0007104518000004

(In the formula (2), Ar 1 is a substituted or unsubstituted trivalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming atom number of 3 or more and 60 or less. Is a trivalent aromatic heterocyclic group of
Ar 2 and Ar 3 are independently substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or substituted or unsubstituted ring-forming atoms having 3 or more and 60 atoms, respectively. The following monovalent aromatic heterocyclic groups,
L 1 and L 2 are independently single-bonded, substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 60 carbon atoms, or substituted or unsubstituted ring-forming atoms. It is a divalent aromatic heterocyclic group of 3 or more and 60 or less.
R 1 and R 2 are independently substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 20 carbon atoms, substituted or substituted. An unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 60 atoms.
R 1 and R 2 may be combined with each other to form a ring.
a is an integer of 0 or more and 4 or less,
b is an integer of 0 or more and 3 or less,
Z 1 to Z 8 are independently nitrogen atoms or −CH =. )
The polymer material according to the present embodiment contains one or more structural units represented by the formula (1), and may further contain one or more other structural units. Here, since the polymer material according to the present embodiment contains segments of an alternating copolymer in which X and Y are alternately bonded, the reproducibility of production is high. Further, since the polymer material according to the present embodiment does not have X and Y localized, homogeneous characteristics can be obtained when used as a thin film.

[X]
本実施形態に係る高分子材料は、構成単位として、1種のXを含んでいてもよいし、2種以上のXを含んでいてもよい。
[X]
The polymer material according to the present embodiment may contain one kind of X or two or more kinds of X as a constituent unit.

本実施形態に係る高分子材料は、Xがアミノ基で置換された窒素含有芳香族複素環(例えば、カルバゾール骨格)を含むため、正孔輸送性を向上させることができる。 Since the polymer material according to the present embodiment contains a nitrogen-containing aromatic heterocycle (for example, a carbazole skeleton) in which X is substituted with an amino group, hole transportability can be improved.

また、本実施形態に係る高分子材料は、Xが主鎖に芳香族基(Ar)、側鎖に窒素含有芳香族複素環及び窒素含有芳香族複素環に結合するアミノ基(N(Ar)(Ar))を含む。このため、本実施形態に係る高分子材料は、HOMO準位が深くなり、その結果、量子ドット発光素子において、高い発光効率、低い駆動電圧を達成することができる。 Further, in the polymer material according to the present embodiment, X is an amino group (N (Ar 1)) in which X is bonded to an aromatic group (Ar 1 ) in the main chain, a nitrogen-containing aromatic heterocycle and a nitrogen-containing aromatic heterocycle in the side chain. 2 ) (Ar 3 )) is included. Therefore, the polymer material according to the present embodiment has a deep HOMO level, and as a result, high luminous efficiency and low drive voltage can be achieved in the quantum dot light emitting element.

式(2)中、Arは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の3価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の3価の芳香族複素環基である。 In the formula (2), Ar 1 is a trivalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms substituted or unsubstituted, or a ring-forming atom having 3 or more and 60 or less substituted or unsubstituted. It is a trivalent aromatic heterocyclic group.

ここで、芳香族炭化水素基は、1個以上の芳香族炭化水素環を含む芳香族炭化水素化合物由来の基である。ここで、芳香族炭化水素基が2個以上の芳香族炭化水素環を含む場合、2個以上の芳香族炭化水素環は互いに縮合していてもよい。また、芳香族炭化水素基は、1個以上の置換基で置換されていてもよい。 Here, the aromatic hydrocarbon group is a group derived from an aromatic hydrocarbon compound containing one or more aromatic hydrocarbon rings. Here, when the aromatic hydrocarbon group contains two or more aromatic hydrocarbon rings, the two or more aromatic hydrocarbon rings may be condensed with each other. Moreover, the aromatic hydrocarbon group may be substituted with one or more substituents.

芳香族炭化水素化合物としては、特に限定されないが、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフタレン、フェナレン、フルオレン、アントラキノン、フェナントレン、ビフェニル、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン等を挙げることができる。 The aromatic hydrocarbon compound is not particularly limited, but is not limited to benzene, pentalene, inden, naphthalene, anthracene, azulene, heptalene, acenaphthalene, phenalene, fluorene, anthracene, phenalene, biphenyl, triphenylene, pyrene, chrysene, picene, perylene, Examples thereof include pentaphene, pentacene, tetraphene, hexaphene, hexacene, rubicene, trinaphthylene, heptalene, pyrenethan and the like.

また、芳香族複素環基は、1個以上のヘテロ原子(例えば、窒素原子(N)、酸素原子(O)、リン原子(P)、硫黄原子(S))を有し、残りの環形成原子が炭素原子(C)である1以上の芳香族複素環を含む芳香族複素環化合物由来の基である。また、芳香族複素環基が2個以上の芳香族複素環を含む場合、2個以上の芳香族複素環は互いに縮合していてもよい。また、芳香族複素環基は、1個以上の置換基で置換されていてもよい。 Further, the aromatic heterocyclic group has one or more heteroatoms (for example, nitrogen atom (N), oxygen atom (O), phosphorus atom (P), sulfur atom (S)), and the remaining ring formation. It is a group derived from an aromatic heterocyclic compound containing one or more aromatic heterocycles whose atom is a carbon atom (C). When the aromatic heterocyclic group contains two or more aromatic heterocycles, the two or more aromatic heterocycles may be condensed with each other. Further, the aromatic heterocyclic group may be substituted with one or more substituents.

芳香族複素環化合物としては、特に限定されないが、ピラゾリン、イミダゾリン、オキサゾリン、チアゾリン、トリアゾリン、テトラゾリン、オキサジアゾリン、ピリジン、ピリダジニン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾリン、アザカルバゾリン、インドリン、キノリニン、イソキノリン、ベンゾイミダゾリン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、フラン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、アザジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、アザジベンゾチオフェン等を挙げることができる。 The aromatic heterocyclic compound is not particularly limited, but pyrazoline, imidazoline, oxazoline, thiazolin, triazoline, tetrazoline, oxadiazoline, pyridine, pyridadinin, pyrimidine, triazine, carbazoline, azacarbazoline, indolin, quinolinin, isoquinolin, benzoimidazolin, Examples thereof include imidazole pyridine, imidazolipyrimidine, furan, benzofuran, dibenzofuran, azadibenzofuran, thiophene, benzothiophene, dibenzothiophene, azadibenzothiophene and the like.

Arにおける3価の芳香族炭化水素基としては、上記芳香族炭化水素化合物の水素原子のうち、任意の3個の水素原子を除いた基が挙げられる。また、3価の芳香族複素環基としては、上記芳香族複素環化合物の水素原子のうち、任意の3個の水素原子を除いた基が挙げられる。 Examples of the trivalent aromatic hydrocarbon group in Ar 1 include a group obtained by removing any three hydrogen atoms from the hydrogen atoms of the above aromatic hydrocarbon compound. In addition, examples of the trivalent aromatic heterocyclic group include groups obtained by removing any three hydrogen atoms from the hydrogen atoms of the aromatic heterocyclic compound.

これらのうち、HOMO準位を調整する観点から、Arは、以下に示す基であることが好ましい。 Of these, Ar 1 is preferably the group shown below from the viewpoint of adjusting the HOMO level.

Figure 0007104518000005

(上記式中、Aは、-O-、-S-、-Se-、-NR-(ただし、Rは、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。)又は-CR-(ただし、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基である。)であり、*は、結合部位である。)
3価の芳香族炭化水素基又は3価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基としては、特に限定されないが、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基等を挙げることができ、二種以上を併用してもよい。
Figure 0007104518000005

(In the above formula, A is -O-, -S-, -Se-, -NR 1- (where R 1 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted. Or an aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group of It is a group, a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group)), and * is a binding site.)
The substituent when the trivalent aromatic hydrocarbon group or the trivalent aromatic heterocyclic group is substituted is not particularly limited, but is not particularly limited, but is limited to a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, and an aromatic group. Group heterocyclic groups and the like can be mentioned, and two or more kinds may be used in combination.

ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 Here, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-tert-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基、n-ヘンエイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group and tert-pentyl. Group, neopentyl group, 1,2-dimethylpropyl group, n-hexyl group, isohexyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 1-isopropylpropyl group, 1,2-dimethylbutyl group, n-heptyl group, 1, 4-Dimethylpentyl group, 3-ethylpentyl group, 2-methyl-1-isopropylpropyl group, 1-ethyl-3-methylbutyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 3-methyl-1-isopropylbutyl group , 2-Methyl-1-isopropyl group, 1-tert-butyl-2-methylpropyl group, n-nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, isodecyl group, n-undecyl group, 1-Methyldecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecil group, n-eicosyl group, Examples thereof include n-heneicosyl group, n-docosyl group, n-tricosyl group, n-tetracosyl group and the like.

アルキル基は、炭素数1以上24以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数1以上8以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。 The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 or more and 24 or less carbon atoms, and more preferably a linear or branched alkyl group having 1 or more and 8 or less carbon atoms.

アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、3-エチルペンチルオキシ基等が挙げられる。 Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, a heptyloxy group, an octyloxy group, a nonyloxy group, a decyloxy group and an undecyloxy group. Examples thereof include dodecyloxy group, tridecyloxy group, tetradecyloxy group, pentadecyloxy group, hexadecyloxy group, heptadecyloxy group, octadecyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, 3-ethylpentyloxy group and the like.

アルコキシ基は、炭素数1以上24以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数1以上8以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることがより好ましい。 The alkoxy group is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 or more and 24 or less carbon atoms, and more preferably a linear or branched alkoxy group having 1 or more and 8 or less carbon atoms.

3価の芳香族炭化水素基(又は3価の芳香族複素環基)に導入されてもよい芳香族複素環基(又は芳香族炭化水素基)としては、例えば、上記芳香族複素環(又は芳香族炭化水素)から任意の1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。 Examples of the aromatic heterocyclic group (or aromatic hydrocarbon group) that may be introduced into the trivalent aromatic hydrocarbon group (or trivalent aromatic heterocyclic group) include the above-mentioned aromatic heterocycle (or the above-mentioned aromatic heterocyclic group). Examples thereof include a group obtained by removing an arbitrary one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon).

式(2)において、Ar及びArは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基である。 In the formula (2), Ar 2 and Ar 3 are independently substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 60 carbon atoms, or substituted or unsubstituted rings. It is a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less atoms.

ここで、1価の芳香族炭化水素基及び1価の芳香族複素環基は、3価の芳香族炭化水素基及び3価の芳香族複素環基を1価とする以外は、式(2)中のArと同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、1価の芳香族炭化水素基又は1価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式(2)中のArにおける置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。 Here, the monovalent aromatic hydrocarbon group and the monovalent aromatic heterocyclic group are represented by the formula (2) except that the trivalent aromatic hydrocarbon group and the trivalent aromatic heterocyclic group are monovalent. Since it is the same as Ar 1 in), the description thereof is omitted here. Further, when the monovalent aromatic hydrocarbon group or the monovalent aromatic heterocyclic group is substituted, the substituent is the same as the substituent in Ar 1 in the formula (2). The explanation is omitted.

本実施形態に係る高分子材料のHOMO準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くする観点から、1価の芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、ターフェニル基、トリル基、t-ブチルフェニル基、又は(フェニルプロピル)フェニル基であることが好ましく、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、ターフェニル基、又はトリル基であることがより好ましい。 From the viewpoint of increasing the HOMO level, hole transportability, and hole injection property of the polymer material according to the present embodiment, the monovalent aromatic hydrocarbon group includes a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, and a naphthyl group. It is preferably an anthryl group, a phenanthryl group, a naphthacenyl group, a pyrenyl group, a terphenyl group, a trill group, a t-butylphenyl group, or a (phenylpropyl) phenyl group, preferably a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, More preferably, it is an anthryl group, a terphenyl group, or a trill group.

また、本実施形態に係る高分子材料のHOMO準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くする観点から、1価の芳香族複素環基は、ピリジル基、ビピリジル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、キノリル基、キノキサニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、チオフェニル基、イソチオフェニル基、又はジベンゾチオフェニル基であることが好ましく、ピリジル基、ピロリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はビピリジル基であることがより好ましい。 Further, from the viewpoint of increasing the HOMO level, hole transportability and hole injection property of the polymer material according to the present embodiment, the monovalent aromatic heterocyclic group is a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrrolyl group, or a pyrazinyl. Group, pyridinyl group, pyrimidyl group, indolyl group, frill group, benzofuranyl group, dibenzofuranyl group, quinolyl group, quinoxanyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenazinyl group, phenothiazinyl group, phenoxadinyl group, It is preferably an oxazolyl group, an oxadiazolyl group, a frazayl group, a thienyl group, a thiophenyl group, an isothiophenyl group, or a dibenzothiophenyl group, preferably a pyridyl group, a pyrrolyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, Alternatively, it is more preferably a bipyridyl group.

また、本実施形態に係る高分子材料のHOMO準位、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性を高くする観点から、1価の芳香族炭化水素基又は1価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、炭素数1以上8以下のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換基で置換されているアミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換基で置換されたカルボキシル基、シアノ基、又はニトロ基であることが好ましく、炭素数1以上3以下のアルキル基であることがより好ましい。 Further, from the viewpoint of increasing the HOMO level, hole transportability, hole injection property, solubility, and coatability of the polymer material according to the present embodiment, a monovalent aromatic hydrocarbon group or a monovalent aromatic group is used. When the heterocyclic group is substituted, the substituents are an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group and an arylalkylthio. Group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, amino group substituted with substituent, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acidimide group, It is preferably a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a carboxyl group substituted with a substituent, a cyano group, or a nitro group, and more preferably an alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms.

Ar及びArの具体例を以下に示す。 Specific examples of Ar 2 and Ar 3 are shown below.

Figure 0007104518000006
Figure 0007104518000006

Figure 0007104518000007
Figure 0007104518000007

Figure 0007104518000008

(上記式中、Rは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、*は、結合部位であり、Alkylは、アルキル基で置換された又は非置換であることを意味する。)
式(2)において、L及びLは、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基である。
Figure 0007104518000008

(In the above formula, R 3 is independently substituted with an substituted or unsubstituted alkyl group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, and substituted. Alternatively, it is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less substituted or unsubstituted ring-forming atoms. Means the binding site and Alkyl is substituted or unsubstituted with an alkyl group.)
In the formula (2), L 1 and L 2 are independently single-bonded, substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 60 carbon atoms, or substituted or non-substituted. Substituted ring-forming A divalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less atoms.

ここで、2価の芳香族炭化水素基及び2価の芳香族複素環基は、3価の芳香族炭化水素基及び3価の芳香族複素環基を2価とする以外は、式(2)中のArと同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、2価の芳香族炭化水素基又は2価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式(2)中のArにおける置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。 Here, the divalent aromatic hydrocarbon group and the divalent aromatic heterocyclic group are represented by the formula (2) except that the trivalent aromatic hydrocarbon group and the trivalent aromatic heterocyclic group are divalent. Since it is the same as Ar 1 in), the description thereof is omitted here. Further, when the divalent aromatic hydrocarbon group or the divalent aromatic heterocyclic group is substituted, the substituent is the same as the substituent in Ar 1 in the formula (2). The explanation is omitted.

本実施形態に係る高分子材料のHOMO準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くする観点から、2価の芳香族炭化水素基は、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、t-ブチルフェニレン基、又は(フェニルプロピル)フェニレン基であることが好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ターフェニレン基、又はトリレン基であることがより好ましい。 From the viewpoint of increasing the HOMO level, hole transportability, and hole injection property of the polymer material according to the present embodiment, the divalent aromatic hydrocarbon group includes a phenylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, and a naphthylene group. Anthrylene group, phenanthrylene group, naphthalsenylene group, pyrenylene group, terphenylene group, tolylen group, t-butylphenylene group, or (phenylpropyl) phenylene group is preferable, and phenylene group, biphenylene group, fluorenylene group, naphthylene group, More preferably, it is an anthrylene group, a terphenylene group, or a tolylen group.

また、本実施形態に係る高分子材料のHOMO準位、正孔輸送性、正孔注入性を高くする観点から、2価の芳香族複素環基は、ピリジル基、ビピリジル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、キノリル基、キノキサニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、チオフェニル基、イソチオフェニル基、又はジベンゾチオフェニル基であることが好ましく、ピリジル基、ピロリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はビピリジル基であることがより好ましい。 Further, from the viewpoint of enhancing the HOMO level, hole transportability and hole injection property of the polymer material according to the present embodiment, the divalent aromatic heterocyclic group is a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrrolyl group or a pyrazinel. Group, pyridinyl group, pyrimidyl group, indolyl group, frill group, benzofuranyl group, dibenzofuranyl group, quinolyl group, quinoxanyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenazinyl group, phenothiazinyl group, phenoxadinyl group, It is preferably an oxazolyl group, an oxadiazolyl group, a frazayl group, a thienyl group, a thiophenyl group, an isothiophenyl group, or a dibenzothiophenyl group, preferably a pyridyl group, a pyrrolyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, Alternatively, it is more preferably a bipyridyl group.

また、本実施形態に係る高分子材料のHOMO準位、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性を高くする観点から、2価の芳香族炭化水素基又は2価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、炭素数1以上50以下のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換基で置換されているアミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換基で置換されているカルボキシル基、シアノ基、又はニトロ基であることが好ましく、炭素数1以上50以下のアルキル基であることがより好ましい。 Further, from the viewpoint of increasing the HOMO level, hole transportability, hole injection property, solubility, and coatability of the polymer material according to the present embodiment, a divalent aromatic hydrocarbon group or a divalent aromatic group is used. When the heterocyclic group is substituted, the substituents are an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group and an arylalkylthio. Group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, amino group substituted with substituent, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acidimide group, It is preferably a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a carboxyl group substituted with a substituent, a cyano group, or a nitro group, and more preferably an alkyl group having 1 or more and 50 or less carbon atoms.

これらのうち、L及びLは、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、t-ブチルフェニレン基、又は(フェニルプロピル)フェニレン基であることが好ましく、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、又はフルオレニレン基であることがより好ましい。 Of these, L 1 and L 2 are a single bond, a phenylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a phenanthylene group, a naphthacenylene group, a pyrenylene group, a terphenylene group, a trilene group, and a t-butylphenylene group. , Or a (phenylpropyl) phenylene group, more preferably a single bond, a phenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, or a fluorenylene group.

式(2)において、R及びRは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基である。ここで、R及びRは、互いに結合して環を形成してもよい。なお、R及びRは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、aが2以上4以下である場合、複数のRは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。同様にして、bが2又は3である場合、複数のRは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。 In the formula (2), R 1 and R 2 are independently substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 or more and 20 or less carbon atoms, and substituted or unsubstituted alkoxy having 1 or more and 20 or less carbon atoms. A group, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming group having 3 or more and 60 or less monovalent aromatic heterocyclic groups. Is. Here, R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. R 1 and R 2 may be the same or different. Further, when a is 2 or more and 4 or less, the plurality of R 1s may be the same or different. Similarly, if b is 2 or 3, the plurality of R 2s may be the same or different.

ここで、炭素数1以上20以下のアルキル基としては、特に限定されないが、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、1,3-ジメチルブチル基、1-イソプロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2-メチル-1-イソプロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-イソプロピルブチル基、2-メチル-1-イソプロピル基、1-tert-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、イソデシル基、n-ウンデシル基、1-メチルデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-エイコシル基等が挙げられる。 Here, the alkyl group having 1 or more and 20 or less carbon atoms is not particularly limited, but is limited to a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl. Group, n-pentyl group, isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, 1,2-dimethylpropyl group, n-hexyl group, isohexyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 1-isopropylpropyl group, 1, 2-Dimethylbutyl group, n-heptyl group, 1,4-dimethylpentyl group, 3-ethylpentyl group, 2-methyl-1-isopropylpropyl group, 1-ethyl-3-methylbutyl group, n-octyl group, 2 -Ethylhexyl group, 3-methyl-1-isopropylbutyl group, 2-methyl-1-isopropyl group, 1-tert-butyl-2-methylpropyl group, n-nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, isodecyl group, n-undecyl group, 1-methyldecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n- Examples thereof include an octadecyl group and an n-eicosyl group.

炭素数1以上20以下のアルキル基は、炭素数1以上20以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数1以上8以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。 The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and is a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Is more preferable.

炭素数1以上20以下のアルコキシ基としては、特に限定されないが、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、イソペントキシ基、tert-ペントキシ基、ネオペントキシ基、1,2-ジメチルプロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、1,3-ジメチルブトキシ基、1-イソプロピルプロポキシ基、1,2-ジメチルブトキシ基、n-ヘプチルオキシ基、1,4-ジメチルペンチルオキシ基、3-エチルペンチルオキシ基、2-メチル-1-イソプロピルプロポキシ基、1-エチル-3-メチルブトキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、3-メチル-1-イソプロピルブトキシ基、2-メチル-1-イソプロポキシ基、1-tert-ブチル-2-メチルプロポキシ基、n-ノニルオキシ基、3,5,5-トリメチルヘキシルオキシ基、n-デシルオキシ基、イソデシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基、1-メチルデシルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-トリデシルオキシ基、n-テトラデシルオキシ基、n-ペンタデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-ヘプタデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、n-エイコシルオキシ基等が挙げられる。 The alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms is not particularly limited, but is limited to a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, and the like. n-pentoxy group, isopentoxy group, tert-pentoxy group, neopentoxy group, 1,2-dimethylpropoxy group, n-hexyloxy group, isohexyloxy group, 1,3-dimethylbutoxy group, 1-isopropylpropoxy group, 1 , 2-Dimethylbutoxy group, n-heptyloxy group, 1,4-dimethylpentyloxy group, 3-ethylpentyloxy group, 2-methyl-1-isopropylpropoxy group, 1-ethyl-3-methylbutoxy group, n -Octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, 3-methyl-1-isopropylbutoxy group, 2-methyl-1-isopropoxy group, 1-tert-butyl-2-methylpropoxy group, n-nonyloxy group, 3, 5,5-trimethylhexyloxy group, n-decyloxy group, isodecyloxy group, n-undecyloxy group, 1-methyldecyloxy group, n-dodecyloxy group, n-tridecyloxy group, n-tetradecyl Examples thereof include an oxy group, an n-pentadecyloxy group, an n-hexadecyloxy group, an n-heptadecyloxy group, an n-octadecyloxy group, an n-eicosyloxy group and the like.

炭素数1以上20以下のアルコキシ基は、炭素数1以上20以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数1以上8以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基であることがより好ましい。 The alkoxy group having 1 or more and 20 or less carbon atoms is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, and is a linear or branched alkoxy group having 1 or more and 8 or less carbon atoms. Is more preferable.

ここで、炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基及び環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基は、3価の芳香族炭化水素基及び3価の芳香族複素環基を1価とする以外は、式(2)中のArと同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、炭素数1以上20以下のアルキル基、炭素数1以上20以下のアルコキシ基、炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式(2)中のArにおける置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。 Here, the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms and the monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 60 ring-forming atoms are trivalent aromatic hydrocarbon groups and trivalent. Since it is the same as Ar 1 in the formula (2) except that the aromatic heterocyclic group is monovalent, the description thereof is omitted here. Further, an alkyl group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, an alkoxy group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a monovalent group having 3 or more and 60 or less ring-forming atoms. When the aromatic heterocyclic group of is substituted, the substituent is the same as the substituent in Ar 1 in the formula (2), and thus the description thereof will be omitted here.

これらのうち、R及びRは、フェニル基又はフルオレニル基であることが好ましい。 Of these, R 1 and R 2 are preferably phenyl groups or fluorenyl groups.

aは、式(2)中のRが側鎖に位置する窒素含有芳香族複素環に結合する数であるが、0以上4以下の整数であり、好ましくは0以上2以下の整数であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。 a is a number in which R 1 in the formula (2) is bonded to the nitrogen-containing aromatic heterocycle located in the side chain, and is an integer of 0 or more and 4 or less, preferably an integer of 0 or more and 2 or less. , More preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

bは、式(2)中のRが側鎖に位置する窒素含有芳香族複素環に結合する数であるが、0以上3以下の整数であり、好ましくは0以上2以下の整数であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。 b is the number in which R 2 in the formula (2) is bonded to the nitrogen-containing aromatic heterocycle located in the side chain, and is an integer of 0 or more and 3 or less, preferably an integer of 0 or more and 2 or less. , More preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

式(2)において、窒素含有芳香族複素環を構成するZ~Zは、それぞれ独立して、窒素原子又は-CH=である。 In the formula (2), Z 1 to Z 8 constituting the nitrogen-containing aromatic heterocycle are independently nitrogen atoms or −CH =.

窒素含有芳香族複素環は、以下に示す構造であることが好ましい。 The nitrogen-containing aromatic heterocycle preferably has the structure shown below.

Figure 0007104518000009

(上記式中、*は、結合部位である。)
本実施形態において、Xは、HOMO準位及び正孔輸送能をさらに向上させる観点並びに駆動電圧をさらに低下させる観点から、下記式(2-1)~(2-6)で表される構成単位から選択されることが好ましい。ここで、上記式(1)で表される構成単位の交互共重合体のセグメントに含まれる複数のXは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
Figure 0007104518000009

(In the above formula, * is a binding site.)
In the present embodiment, X is a structural unit represented by the following formulas (2-1) to (2-6) from the viewpoint of further improving the HOMO level and hole transporting ability and further reducing the driving voltage. It is preferable to be selected from. Here, the plurality of Xs contained in the alternating copolymer segment of the structural unit represented by the above formula (1) may be the same or different.

Figure 0007104518000010

(上記式(2-1)~(2-6)中、Arは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基である。)
Xの具体例を以下に示す。
Figure 0007104518000010

(In the above formulas (2-1) to (2-6), Ar 4 is a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, or substituted or unsubstituted. It is a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less ring-forming atoms.)
A specific example of X is shown below.

Figure 0007104518000011
Figure 0007104518000011

Figure 0007104518000012
Figure 0007104518000012

Figure 0007104518000013
Figure 0007104518000013

Figure 0007104518000014
Figure 0007104518000014

Figure 0007104518000015
Figure 0007104518000015

Figure 0007104518000016

(上記式中、*は、結合部位であり、Alkylは、アルキル基で置換された又は無置換であることを意味する。)
[Y]
本実施形態に係る高分子材料は、構成単位として、1種のYを含んでいてもよいし、2種以上のYを含んでいてもよい。
Figure 0007104518000016

(In the above formula, * is a binding site, and Alkyl is substituted or unsubstituted with an alkyl group.)
[Y]
The polymer material according to the present embodiment may contain one kind of Y or two or more kinds of Y as a constituent unit.

本実施形態に係る高分子材料は、構成単位として、Yを含むため、溶解性に優れる。このため、本実施形態に係る高分子材料を用いると、塗布法によって、薄膜を容易に成膜することができる。 Since the polymer material according to this embodiment contains Y as a constituent unit, it has excellent solubility. Therefore, when the polymer material according to the present embodiment is used, a thin film can be easily formed by the coating method.

式(1)において、Yは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基である。 In the formula (1), Y is a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms substituted or unsubstituted, or 2 having a substituted or unsubstituted ring-forming atom number of 3 or more and 60 or less. It is a valent aromatic heterocyclic group.

ここで、2価の芳香族炭化水素基及び2価の芳香族複素環基は、3価の芳香族炭化水素基及び3価の芳香族複素環基を2価とする以外は、式(2)中のArと同様であるため、ここでは、説明を省略する。 Here, the divalent aromatic hydrocarbon group and the divalent aromatic heterocyclic group are represented by the formula (2) except that the trivalent aromatic hydrocarbon group and the trivalent aromatic heterocyclic group are divalent. Since it is the same as Ar 1 in), the description thereof is omitted here.

これらのうち、高分子材料の溶解性を向上させる観点から、Yは、フェニレン基、フルオレンジイル基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、t-ブチルフェニレン基、又は(フェニルプロピル)フェニレン基であることが好ましく、フェニレン基又はフルオレンジイル基であることがより好ましい。 Of these, from the viewpoint of improving the solubility of the polymer material, Y is a phenylene group, a fluorenylyl group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a phenanthrylene group, a naphthacenylene group, a pyrenylene group and a terphenylene group. A group, a trilene group, a t-butylphenylene group, or a (phenylpropyl) phenylene group is preferable, and a phenylene group or a fluorinatedyl group is more preferable.

また、2価の芳香族炭化水素基又は2価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式(2)中のArにおける置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。 Further, when the divalent aromatic hydrocarbon group or the divalent aromatic heterocyclic group is substituted, the substituent is the same as the substituent in Ar 1 in the formula (2). The explanation is omitted.

これらのうち、本実施形態に係る高分子材料の溶解性を向上させる観点から、置換基は、炭素数1以上20以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数3以上10以下の直鎖又は分岐状のアルキル基であることがより好ましく、炭素数6以上8以下の直鎖のアルキル基であることが特に好ましい。 Of these, from the viewpoint of improving the solubility of the polymer material according to the present embodiment, the substituent is preferably a linear or branched alkyl group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, and has 3 or more carbon atoms. It is more preferably a linear or branched alkyl group of 10 or less, and particularly preferably a linear alkyl group having 6 or more and 8 or less carbon atoms.

Yは、HOMO準位を調整する観点から、下記式(2-7)~(2-14)で表される構成単位から選択されることが好ましい。ここで、上記式(1)で表される構成単位の交互共重合体のセグメントに含まれる複数のYは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。 From the viewpoint of adjusting the HOMO level, Y is preferably selected from the structural units represented by the following formulas (2-7) to (2-14). Here, the plurality of Ys contained in the alternate copolymer segment of the structural unit represented by the above formula (1) may be the same or different.

Figure 0007104518000017

(上記式(2-7)~(2-14)中、Ar51~Ar55は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基、炭素数1以上20以下のアルキル基、又は水素原子であり、
11~A13は、それぞれ独立して、-O-、-S-、-Se-、-CR-、-SiR-(ただし、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基であり、
21~A28は、それぞれ独立して、-CR=、-N=、-SiR=(ただし、Rは、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基である。)
Yの具体例を以下に示す。
Figure 0007104518000017

(In the above formulas (2-7) to (2-14), Ar 51 to Ar 55 are independently substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 60 carbon atoms. , A substituted or unsubstituted ring-forming monovalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less atoms, an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 20 or less carbon atoms, or a hydrogen atom.
A 11 to A 13 are independent of each other, -O-, -S-, -Se-, -CR 3 R 4- , -SiR 3 R 4- (however, R 3 and R 4 are independent of each other. A hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
A 21 to A 28 are independently -CR 5 =, -N =, -SiR 5 = (where R 5 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or non-substituted Substituted aryl group or substituted or unsubstituted heteroaryl group.)
A specific example of Y is shown below.

Figure 0007104518000018

(上記式中、Aは、O、S又はSeであり、Xが複数存在する場合、複数のXは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、*は、結合部位であり、Alkylは、アルキル基で置換されたことを意味する。)
本実施形態に係る高分子材料は、下記式(3)で表されることが好ましい。これにより、量子ドット発光素子の発光寿命が長くなる。
Figure 0007104518000018

(In the above formula, A is O, S or Se, and when a plurality of Xs are present, the plurality of Xs may be the same or different. In addition, * is a binding site. Yes, Alkyl means substituted with an alkyl group.)
The polymer material according to this embodiment is preferably represented by the following formula (3). As a result, the emission life of the quantum dot light emitting device is extended.

Figure 0007104518000019


(式(3)中、Eは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
mは2以上の整数であり、複数のX及びYは、それぞれ独立して、同一であってもよいし、異なっていてもよい。)
Figure 0007104518000019


(In the formula (3), E is a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming atom having 3 or more and 60 or less. It is a monovalent aromatic heterocyclic group and
m is an integer of 2 or more, and the plurality of Xs and Ys may be independently the same or different. )

ここで、1価の芳香族炭化水素基及び1価の芳香族複素環基は、3価の芳香族炭化水素基及び3価の芳香族複素環基を2価とする以外は、式(2)中のArと同様であるため、ここでは、説明を省略する。また、1価の芳香族炭化水素基又は1価の芳香族複素環基が置換されている場合の置換基は、式(2)中のArにおける置換基と同様であるため、ここでは、説明を省略する。 Here, the monovalent aromatic hydrocarbon group and the monovalent aromatic heterocyclic group are represented by the formula (2) except that the trivalent aromatic hydrocarbon group and the trivalent aromatic heterocyclic group are divalent. Since it is the same as Ar 1 in), the description thereof is omitted here. Further, when the monovalent aromatic hydrocarbon group or the monovalent aromatic heterocyclic group is substituted, the substituent is the same as the substituent in Ar 1 in the formula (2). The explanation is omitted.

上記式(3)におけるE(末端基)の具体例を以下に示す。 Specific examples of E (terminal group) in the above formula (3) are shown below.

Figure 0007104518000020

(上記式中、*は、結合部位である。)
本実施形態に係る高分子材料は、エレクトロルミネッセンス(EL)素子用材料として用いることができるが、量子ドットを含むEL素子用の正孔輸送材料として用いることが特に有効である。
Figure 0007104518000020

(In the above formula, * is a binding site.)
The polymer material according to the present embodiment can be used as a material for an electroluminescence (EL) device, but it is particularly effective to use it as a hole transport material for an EL device containing quantum dots.

[高分子材料の数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)]
本実施形態に係る高分子材料の数平均分子量(Mn)は、10,000以上1000,000以下であることが好ましく、30,000以上500,000以下であることがより好ましい。これにより、高分子材料を含む薄膜(例えば、正孔注入層、正孔輸送層)を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な厚さの薄膜を形成することが可能である。
[Number average molecular weight (Mn) and weight average molecular weight (Mw) of polymer material]
The number average molecular weight (Mn) of the polymer material according to the present embodiment is preferably 10,000 or more and 1,000,000 or less, and more preferably 30,000 or more and 500,000 or less. This makes it possible to appropriately adjust the viscosity of the coating liquid for forming a thin film containing a polymer material (for example, a hole injection layer or a hole transport layer) to form a thin film having a uniform thickness. Is.

また、本実施形態に係る高分子材料の重量平均分子量(Mw)は、10,000以上であることが好ましく、50,000以上であることがより好ましい。これにより、高分子材料を含む薄膜(例えば、正孔注入層、正孔輸送層)を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な厚さの薄膜を形成することが可能である。 The weight average molecular weight (Mw) of the polymer material according to the present embodiment is preferably 10,000 or more, and more preferably 50,000 or more. This makes it possible to appropriately adjust the viscosity of the coating liquid for forming a thin film containing a polymer material (for example, a hole injection layer or a hole transport layer) to form a thin film having a uniform thickness. Is.

ここで、数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)は、特に限定されず、公知の方法を用いて、又は、公知の方法を適宜修正して測定することができる。本明細書では、数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)は、以下の方法により測定される値を採用する。 Here, the number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) are not particularly limited, and can be measured by using a known method or by appropriately modifying a known method. In the present specification, the number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) adopt values measured by the following methods.

高分子材料の数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)は、ポリスチレンを標準物質として用いて、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー:Gel Permeation Chromatography)により、以下の条件で測定する。 The number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) of the polymer material are measured by GPC (Gel Permeation Chromatography) using polystyrene as a standard substance under the following conditions.

分析装置(GPC):島津製作所製、Prominence
カラム:ポリマーラボラトリーズ製、PLgel MIXED-B
カラム温度:40℃
流量:1.0mL/min
試料溶液の注入量:20μL(濃度:約0.05質量%)
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
検出器(UV-VIS検出器):島津製作所製、SPD-10AV
標準試料:ポリスチレン
[高分子材料の合成方法]
本実施形態に係る高分子材料は、公知の有機合成反応を適宜組み合わせて合成することが可能である。本実施形態に係る高分子材料の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本実施形態に係る高分子材料は、下記式(4)で示される1種以上の単量体(1)及び下記式(5)で示される1種以上の単量体(2)を、モル比1:1で共重合することにより合成することができる。なお、単量体(1)及び(2)は、公知の有機合成反応を適宜組み合わせて合成することができる。また、単量体(1)及び(2)は、公知の分析方法(例えば、NMR、LC-MS)を用いて、同定することができる。
Analyzer (GPC): Prominence manufactured by Shimadzu Corporation
Column: Made by Polymer Laboratories, PLgel MIXED-B
Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min
Injection amount of sample solution: 20 μL (concentration: about 0.05% by mass)
Eluent: tetrahydrofuran (THF)
Detector (UV-VIS detector): Shimadzu, SPD-10AV
Standard sample: Polystyrene [Method for synthesizing polymer materials]
The polymer material according to the present embodiment can be synthesized by appropriately combining known organic synthesis reactions. A specific method for synthesizing the polymer material according to the present embodiment can be easily understood by those skilled in the art with reference to the examples described later. Specifically, the polymer material according to the present embodiment includes one or more monomers represented by the following formula (4) (1) and one or more monomers represented by the following formula (5). 2) can be synthesized by copolymerizing at a molar ratio of 1: 1. The monomers (1) and (2) can be synthesized by appropriately combining known organic synthesis reactions. Further, the monomers (1) and (2) can be identified by using a known analytical method (for example, NMR, LC-MS).

Figure 0007104518000021
Figure 0007104518000021

Figure 0007104518000022

上記式(4)、(5)中、Ar、Ar、Ar、L、L、R、R、a、bは、式(2)と同様である。W~Wは、それぞれ独立して、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子)又は以下に示す基である。
Figure 0007104518000022

In the above formulas (4) and (5), Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , L 1 , L 2 , R 1 , R 2 , a, and b are the same as those in the formula (2). W 1 to W 4 are independent halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, particularly bromine atom) or groups shown below.

Figure 0007104518000023

上記式中、R~Rは、それぞれ独立して、炭素数1以上3以下のアルキル基である。
Figure 0007104518000023

In the above formula, RA to R D are independently alkyl groups having 1 or more and 3 or less carbon atoms.

[EL素子用材料、EL素子]
本実施形態に係るEL素子用材料は、本実施形態に係る高分子材料を含む。
[Material for EL element, EL element]
The EL element material according to the present embodiment includes the polymer material according to the present embodiment.

本実施形態に係るEL素子は、一対の電極と、一対の電極間に配置されている、本実施形態に係る高分子材料を含む1層以上の有機層とを備える。このとき、EL素子は、量子ドットを含む層をさらに備えることが好ましい。さらに、EL素子は、1層以上の有機層のうち、少なくとも1層が、塗布法により形成されていることが好ましい。 The EL element according to the present embodiment includes a pair of electrodes and one or more organic layers including the polymer material according to the present embodiment, which are arranged between the pair of electrodes. At this time, it is preferable that the EL element further includes a layer containing quantum dots. Further, it is preferable that at least one of the one or more organic layers of the EL element is formed by a coating method.

EL素子としては、例えば、量子ドット発光素子、有機EL素子、有機無機ペロブスカイト発光素子等が挙げられる。 Examples of the EL element include a quantum dot light emitting element, an organic EL element, an organic inorganic perovskite light emitting element, and the like.

[液状組成物、薄膜]
本実施形態に係る液状組成物は、本実施形態に係る高分子材料と、溶媒又は分散媒とを含む。また、本実施形態に係る薄膜は、本実施形態に係る高分子材料を含む。
[Liquid composition, thin film]
The liquid composition according to the present embodiment contains the polymer material according to the present embodiment and a solvent or a dispersion medium. Further, the thin film according to the present embodiment includes the polymer material according to the present embodiment.

本実施形態に係る高分子材料は、溶解性に優れるため、塗布法(ウェットプロセス)によりEL素子(特に、薄膜)を製造する際に、特に好適に用いることができる。 Since the polymer material according to the present embodiment has excellent solubility, it can be particularly preferably used when manufacturing an EL element (particularly a thin film) by a coating method (wet process).

本実施形態に係る高分子材料は、電荷移動度に優れるため、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の有機層を形成する際に、用いることができる。このとき、本実施形態に係る高分子材料は、正孔輸送性の観点から、正孔注入層及び/又は正孔輸送層を形成する際に、好適に用いることができ、正孔輸送層を形成する際に、特に好適に用いることができる。 Since the polymer material according to the present embodiment has excellent charge mobility, it can be used when forming an organic layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer. At this time, the polymer material according to the present embodiment can be suitably used when forming the hole injection layer and / or the hole transport layer from the viewpoint of hole transportability, and the hole transport layer can be used. It can be particularly preferably used when forming.

次に、本実施形態に係るEL素子の一例として、量子ドット発光素子を説明する。 Next, a quantum dot light emitting device will be described as an example of the EL device according to the present embodiment.

[量子ドット発光素子]
図1に、本実施形態に係る量子ドット発光素子の一例を示す。
[Quantum dot light emitting device]
FIG. 1 shows an example of a quantum dot light emitting device according to the present embodiment.

量子ドット発光素子100は、基板110上に、第1電極120と、正孔注入層130と、正孔輸送層140と、発光層150と、電子輸送層160と、電子注入層170と、第2電極180とが順次配置されている。 The quantum dot light emitting device 100 has a first electrode 120, a hole injection layer 130, a hole transport layer 140, a light emitting layer 150, an electron transport layer 160, an electron injection layer 170, and a third electrode on the substrate 110. The two electrodes 180 are sequentially arranged.

ここで、本実施形態に係る高分子材料は、例えば、第1電極120と第2電極180との間に配置されている、1層以上の有機層中に含まれる。具体的には、本実施形態に係る高分子材料は、正孔注入材料、正孔輸送材料、又は発光材料として、正孔注入層130、正孔輸送層140、又は発光層150に含まれることが好ましい。また、本実施形態に係る高分子材料は、正孔注入材料又は正孔輸送材料として、正孔注入層130又は正孔輸送層140に含まれることがより好ましい。さらに、本実施形態に係る高分子材料は、正孔輸送材料として、正孔輸送層140に含まれることが特に好ましい。 Here, the polymer material according to the present embodiment is contained in, for example, one or more organic layers arranged between the first electrode 120 and the second electrode 180. Specifically, the polymer material according to the present embodiment is included in the hole injection layer 130, the hole transport layer 140, or the light emitting layer 150 as a hole injection material, a hole transport material, or a light emitting material. Is preferable. Further, the polymer material according to the present embodiment is more preferably contained in the hole injection layer 130 or the hole transport layer 140 as the hole injection material or the hole transport material. Further, it is particularly preferable that the polymer material according to the present embodiment is contained in the hole transport layer 140 as the hole transport material.

また、本実施形態に係る高分子材料を含む有機層は、塗布法(溶液塗布法)によって形成される。 Further, the organic layer containing the polymer material according to the present embodiment is formed by a coating method (solution coating method).

塗布法(溶液塗布法)としては、特に限定されないが、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコード法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を挙げることができる。 The coating method (solution coating method) is not particularly limited, but is limited to a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar cord method, a dip coating method, and a spray coating method. The method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, inkjet printing method and the like can be mentioned.

なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、本実施形態に係る高分子材料を溶解させることが可能であれば、特に限定されないが、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、クロロホルム、酢酸エチル、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アニソール、ヘキサメチルリン酸トリアミド、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、ジオキサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、N-メチル-2-ピロリドン等を挙げることができる。 The solvent used in the solution coating method is not particularly limited as long as it can dissolve the polymer material according to the present embodiment, but is not particularly limited, but toluene, xylene, diethyl ether, chloroform, ethyl acetate, methylene chloride, and tetrahydrofuran. , Acetone, acetonitrile, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, anisole, hexamethylphosphate triamide, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, dioxane, cyclohexane, n- Pentan, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, butyl acetate, ethyl cell solvent acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol Monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, N-methyl-2-pyrrolidone and the like. be able to.

ここで、塗布容易性を考慮すると、溶液中の高分子材料の濃度は、0.1質量%以上10質量%以下程度であることが好ましく、0.5質量%以上5質量%以下程度であることがより好ましい。 Here, in consideration of ease of application, the concentration of the polymer material in the solution is preferably about 0.1% by mass or more and 10% by mass or less, and about 0.5% by mass or more and about 5% by mass or less. Is more preferable.

なお、本実施形態に係る高分子材料を含む有機層以外の層の成膜方法としては、特に限定されないが、真空蒸着法、溶液塗布法等を挙げることができる。 The method for forming a layer other than the organic layer containing the polymer material according to the present embodiment is not particularly limited, and examples thereof include a vacuum vapor deposition method and a solution coating method.

基板110としては、特に限定されず、一般的なEL素子で使用される基板を使用することができ、ガラス基板、シリコン基板等の半導体基板、透明なプラスチック基板等を挙げることができる。 The substrate 110 is not particularly limited, and a substrate used in a general EL element can be used, and examples thereof include a glass substrate, a semiconductor substrate such as a silicon substrate, and a transparent plastic substrate.

第1電極120は、陽極であり、金属、合金、導電性化合物等の材料のうち、仕事関数が大きい材料を用いて、形成することができる。第1電極120は、酸化インジウムスズ(In-SnO:ITO)、酸化インジウム亜鉛(In-ZnO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明導電材料を成膜することによって、透過型電極として、形成することができる。また、第1電極120は、上記透過型電極に対して、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)等の反射材料を成膜することによって、反射型電極として、形成することができる。 The first electrode 120 is an anode and can be formed by using a material having a large work function among materials such as metals, alloys, and conductive compounds. The first electrode 120 is a transparent conductive material such as indium tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 : ITO), indium zinc oxide (In 2 O 3 -ZnO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Can be formed as a transmissive electrode by forming a film. Further, the first electrode 120 can be formed as a reflective electrode by forming a reflective material such as magnesium (Mg) or aluminum (Al) on the transmissive electrode.

正孔注入層130は、第1電極120からの正孔の注入を容易にする層である。 The hole injection layer 130 is a layer that facilitates the injection of holes from the first electrode 120.

正孔注入層130の厚さは、約10nm以上約1000nm以下であることが好ましく、約10nm以上約100nm以下であることがより好ましい。 The thickness of the hole injection layer 130 is preferably about 10 nm or more and about 1000 nm or less, and more preferably about 10 nm or more and about 100 nm or less.

正孔注入層130は、公知の正孔注入材料を用いて、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法等により形成することができる。 The hole injection layer 130 can be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, an inkjet method, or the like using a known hole injection material.

正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン、4-イソプロピル-4'-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス-[4-(フェニル-m-トリル-アミノ)-フェニル]-ビフェニル-4,4'-ジアミン、銅フタロシアニン、4,4',4"-トリス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、N,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニルベンジジン、4,4',4"-トリス(ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン、4,4',4"-トリス(N,N-2-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレンスルホネート)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/10-カンファースルホン酸等を挙げることができる。 Examples of the hole injection material include triphenylamine-containing polyether ketone, 4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, N, N'-diphenyl-N, N'-bis- [ 4- (Phenyl-m-trill-amino) -phenyl] -biphenyl-4,4'-diamine, copper phthalocyanine, 4,4', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine, 4,4', 4 "-tris (diphenylamino) triphenylamine, 4,4', 4" -tris (N, N-2) -Naphtylphenylamino) triphenylamine, polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonate) (PEDOT / PSS), polyaniline / 10-camparsulfonic acid, etc. Can be mentioned.

正孔輸送層140は、正孔を輸送する機能を備える層である。 The hole transport layer 140 is a layer having a function of transporting holes.

正孔輸送層140の厚さは、約10nm以上約150nm以下であることが好ましい。 The thickness of the hole transport layer 140 is preferably about 10 nm or more and about 150 nm or less.

正孔輸送層140は、本実施形態に係る高分子材料を用いて、溶液塗布法により形成されていることが好ましい。これにより、量子ドット発光素子100の発光効率を向上させることが可能な高分子材料を効率的に大面積で成膜することができる。 The hole transport layer 140 is preferably formed by a solution coating method using the polymer material according to the present embodiment. As a result, a polymer material capable of improving the luminous efficiency of the quantum dot light emitting element 100 can be efficiently formed over a large area.

ただし、量子ドット発光素子100を構成する他の有機層が本実施形態に係る高分子材料を含む場合、正孔輸送層140は、公知の正孔輸送材料を用いて形成されてもよい。 However, when the other organic layer constituting the quantum dot light emitting device 100 contains the polymer material according to the present embodiment, the hole transport layer 140 may be formed by using a known hole transport material.

正孔輸送材料としては、例えば、1,1-ビス[(ジ-4-トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン、N-フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ジフェニル-[1,1-ビフェニル]-4,4'-ジアミン、4,4',4"-トリス(N-カルバゾリル)トリフェニルアミン、N,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニルベンジジン等を挙げることができる。 Examples of the hole transport material include carbazole derivatives such as 1,1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane, N-phenylcarbazole, and polyvinylcarbazole, and N, N'-bis (3-methylphenyl). -N, N'-diphenyl- [1,1-biphenyl] -4,4'-diamine, 4,4', 4 "-tris (N-carbazolyl) triphenylamine, N, N'-di (1-) Naftyl) -N, N'-diphenylbenzidine and the like can be mentioned.

発光層150は、蛍光、燐光等の光を発する層である。 The light emitting layer 150 is a layer that emits light such as fluorescence and phosphorescence.

発光層150の厚さは、約10nm以上約60nm以下であることが好ましい。 The thickness of the light emitting layer 150 is preferably about 10 nm or more and about 60 nm or less.

発光層150は、多数の量子ドットが一層で配列されていてもよいし、複数層で配列されていてもよい。ここで、量子ドットは、量子拘束効果を有する無機ナノ粒子である。無機ナノ粒子の直径は、1nm以上10nm以下程度である。 The light emitting layer 150 may have a large number of quantum dots arranged in a single layer, or may be arranged in a plurality of layers. Here, the quantum dots are inorganic nanoparticles having a quantum constraint effect. The diameter of the inorganic nanoparticles is about 1 nm or more and 10 nm or less.

発光層150に配列される量子ドットは、ウェット化学法、有機金属化学蒸着法、分子線エピタキシー法等により合成することができる。 The quantum dots arranged in the light emitting layer 150 can be synthesized by a wet chemical method, an organometallic chemical vapor deposition method, a molecular beam epitaxy method, or the like.

ウェット化学法は、有機溶媒中に前駆体物質を入れて、粒子を成長させる方法である。このとき、有機溶媒が自然に量子ドット結晶の表面に配位されて、分散剤の役割をして、結晶の成長を調節する。このため、ウェット化学法は、有機金属化学蒸着(MOCVD)法、分子線エピタキシー(MBE)法等の気相蒸着法よりも、容易かつ低コストで、粒子の成長を制御することができる。このとき、量子ドットのサイズを調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節することができ、その結果、発光層150で多様な波長帯の光を発することができる。したがって、複数の異なるサイズの量子ドットを使用することにより、複数波長の光を発するディスプレイを作製することが可能になる。量子ドットのサイズは、カラーディスプレイを構成するために、赤色光、緑色光及び青色光を発することができるように、適宜選択することができる。また、量子ドットのサイズは、多様なカラー光が白色光を出射するように組み合わせることができる。 The wet chemical method is a method of growing particles by putting a precursor substance in an organic solvent. At this time, the organic solvent is naturally coordinated on the surface of the quantum dot crystal and acts as a dispersant to regulate the crystal growth. Therefore, the wet chemical method can control the growth of particles more easily and at lower cost than the vapor phase vapor deposition method such as the organometallic chemical vapor deposition (MOCVD) method and the molecular beam epitaxy (MBE) method. At this time, the energy band gap can be adjusted by adjusting the size of the quantum dots, and as a result, the light emitting layer 150 can emit light in various wavelength bands. Therefore, by using a plurality of quantum dots of different sizes, it is possible to manufacture a display that emits light having a plurality of wavelengths. The size of the quantum dots can be appropriately selected so that red light, green light and blue light can be emitted to form a color display. In addition, the size of the quantum dots can be combined so that various color lights emit white light.

量子ドットを構成する材料としては、特に限定されないが、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素又は化合物からなる群から選択される半導体物質を使用することができ、二種以上を併用してもよい。 The material constituting the quantum dot is not particularly limited, but a semiconductor substance selected from the group consisting of a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element or a compound is used. And two or more types may be used together.

II-VI族化合物としては、例えば、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe等の二元素化合物;CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe等の三元素化合物;CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等の四元素化合物を挙げることができる。 Group II-VI compounds include, for example, two-element compounds such as CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, and HgTe; , CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe and other three elemental compounds; can.

III-V族化合物としては、例えば、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等の二元素化合物;GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP等の三元素化合物;GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等の四元素化合物を挙げることができる。 Group III-V compounds include, for example, two-element compounds such as GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb; , AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP and other three elemental compounds; Four elemental compounds such as InAlPAs and InAlPSb can be mentioned.

IV-VI族化合物としては、例えば、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等の二元素化合物;SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等の三元素化合物;SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等の四元素化合物を挙げることができる。 Examples of the IV-VI group compounds include diatomic compounds such as SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, and PbTe; Examples thereof include four element compounds such as SnPbSSe, SnPbSeTe, and SnPbSTe.

IV族元素又は化合物としては、例えば、Si、Ge等の一元素化合物;SiC、SiGe等の二元素化合物を挙げることができる。 Examples of the Group IV element or compound include a one-element compound such as Si and Ge; and a two-element compound such as SiC and SiGe.

量子ドットは、均質な構造を有していてもよいし、コア・シェル構造を有していてもよい。 The quantum dots may have a homogeneous structure or may have a core-shell structure.

コア・シェル構造は、異なる物質を含むことができ、コアとシェルを構成する材料は、異なる半導体物質である。ただし、シェルを構成する半導体物質は、コアを構成する半導体物質よりも、エネルギーバンドギャップが大きい。 The core-shell structure can contain different materials, and the materials that make up the core and shell are different semiconductor materials. However, the semiconductor material constituting the shell has a larger energy bandgap than the semiconductor material constituting the core.

例えば、コア(CdSe)・シェル(ZnS)構造を有する量子ドットを作製する場合を説明する。まず、有機溶媒(分散剤)としての、TOPO(trioctylphosphine oxide)に、(CHCd(dimethylcadmium)、TOPSe(trioctylphosphine selenide)等のコア(CdSe)の前駆体物質を注入して結晶を成長させ、コアを生成させる。このとき、結晶が一定のサイズに成長するように、高温で一定時間維持した後、シェル(ZnS)の前駆体物質を注入して、コアの表面にシェルを形成する。これによって、TOPOでキャッピングされたCdSe/ZnSの量子ドットを作製することができる。 For example, a case where a quantum dot having a core (CdSe) / shell (ZnS) structure is produced will be described. First, a core (CdSe) precursor substance such as (CH 3 ) 2 Cd (dimethylcadmium) or TOPSe (trioctylphosphine selenide) is injected into TOPO (trioctylphosphine oxide) as an organic solvent (dispersant). To generate a core. At this time, after maintaining the crystal at a high temperature for a certain period of time so that the crystal grows to a certain size, the precursor substance of the shell (ZnS) is injected to form a shell on the surface of the core. As a result, CdSe / ZnS quantum dots capped by TOPO can be produced.

電子輸送層160は、電子を輸送する機能を備える層である。 The electron transport layer 160 is a layer having a function of transporting electrons.

電子輸送層160の厚さは、約15nm以上約50nm以下であることが好ましい。 The thickness of the electron transport layer 160 is preferably about 15 nm or more and about 50 nm or less.

電子輸送層160は、公知の電子輸送材料を用いて、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法等により形成することができる。 The electron transport layer 160 can be formed by a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, an inkjet method, or the like using a known electron transport material.

電子輸送材料としては、例えば、(8-キノリノラト)リチウム、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム、含窒素芳香族複素環を有する化合物等を挙げることができる。 Examples of the electron transporting material include (8-quinolinolato) lithium, tris (8-quinolinolato) aluminum, and compounds having a nitrogen-containing aromatic heterocycle.

含窒素芳香族複素環を有する化合物の具体例としては、1,3,5-トリ[(3-ピリジル)-フェン-3-イル]ベンゼン等のピリジン環を含む化合物、2,4,6-トリス(3'-(ピリジン-3-イル)ビフェニル-3-イル)-1,3,5-トリアジン等のトリアジン環を含む化合物、2-(4-(N-フェニルベンゾイニダゾリル-1-イル-フェニル)-9,10-ジナフチルアントラセン等のイミダゾール環を含む化合物等を挙げることができる。 Specific examples of the compound having a nitrogen-containing aromatic heterocycle include a compound containing a pyridine ring such as 1,3,5-tri [(3-pyridyl) -phen-3-yl] benzene, and 2,4,6-. Tris (3'-(pyridin-3-yl) biphenyl-3-yl) -1,3,5-triazine and other triazine ring-containing compounds, 2- (4- (N-phenylbenzoinidazolyl-1-) Examples thereof include compounds containing an imidazole ring such as yl-phenyl) -9,10-dinaphthylanthracene.

電子注入層170は、第2電極180からの電子の注入を容易にする機能を備える層である。 The electron injection layer 170 is a layer having a function of facilitating the injection of electrons from the second electrode 180.

電子注入層170の厚さは、約0.3nm以上約9nm以下であることが好ましい。 The thickness of the electron injection layer 170 is preferably about 0.3 nm or more and about 9 nm or less.

電子注入層170は、公知の電子注入材料を用いて、真空蒸着法等により形成することができる。 The electron injection layer 170 can be formed by a vacuum vapor deposition method or the like using a known electron injection material.

電子注入材料としては、例えば、(8-キノリノラト)リチウム、フッ化リチウム(LiF)等のリチウム化合物、塩化ナトリウム(NaCl)、フッ化セシウム(CsF)、酸化リチウム(LiO)、酸化バリウム(BaO)等を挙げることができる。 Examples of the electron injection material include lithium compounds such as (8-quinolinolato) lithium and lithium fluoride (LiF), sodium chloride (NaCl), cesium fluoride (CsF), lithium oxide (Li 2 O), and barium oxide (Lium oxide). BaO) and the like can be mentioned.

第2電極180は、陰極であり、金属、合金、又は導電性化合物等のうち、仕事関数が小さいものを用いて、形成することができる。第2電極180は、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)等の金属、アルミニウム-リチウム(Al-Li)、マグネシウム-インジウム(Mg-In)、マグネシウム-銀(Mg-Ag)等の合金を用いて、反射型電極として、形成することができる。また、第2電極180は、上記金属を用いて、厚さ20nm以下の透過型電極として、形成することができる。さらに、第2電極180は、酸化インジウムスズ(In-SnO)、酸化インジウム亜鉛(In-ZnO)等の透明導電材料を用いて、透過型電極として、形成することができる。 The second electrode 180 is a cathode, and can be formed by using a metal, an alloy, a conductive compound, or the like having a small work function. The second electrode 180 is a metal such as lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), calcium (Ca), aluminum-lithium (Al-Li), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver. It can be formed as a reflective electrode by using an alloy such as (Mg—Ag). Further, the second electrode 180 can be formed as a transmission type electrode having a thickness of 20 nm or less by using the above metal. Further, the second electrode 180 can be formed as a transmissive electrode by using a transparent conductive material such as indium tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 ) and indium zinc oxide (In 2 O 3 -ZnO). can.

なお、本実施形態に係るEL素子の積層構造は、量子ドット発光素子100の積層構造に限定されない。本実施形態に係るEL素子は、他の公知の積層構造が形成されていてもよい。例えば、量子ドット発光素子100において、正孔注入層130、正孔輸送層140、電子輸送層160及び電子注入層170のうちの1層以上が省略されていてもよい。また、量子ドット発光素子100において、他の層をさらに備えていてもよい。また、量子ドット発光素子100において、各層は、複数層の積層構造で形成されていてもよい。 The laminated structure of the EL element according to the present embodiment is not limited to the laminated structure of the quantum dot light emitting element 100. The EL element according to the present embodiment may have another known laminated structure formed therein. For example, in the quantum dot light emitting device 100, one or more of the hole injection layer 130, the hole transport layer 140, the electron transport layer 160, and the electron injection layer 170 may be omitted. Further, the quantum dot light emitting device 100 may further include another layer. Further, in the quantum dot light emitting device 100, each layer may be formed by a laminated structure of a plurality of layers.

例えば、量子ドット発光素子100は、励起子又は正孔が電子輸送層160に拡散することを防止するために、正孔輸送層140と発光層150との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。 For example, the quantum dot light emitting device 100 further includes a hole blocking layer between the hole transport layer 140 and the light emitting layer 150 in order to prevent excitons or holes from diffusing into the electron transport layer 160. You may.

正孔阻止層は、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等を用いて、形成することができる。 The hole blocking layer can be formed by using an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, or the like.

以下に、本発明の実施例を説明する。ただし、本発明の技術的範囲は、以下の実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、特に記載しない限り、各操作は、室温(25℃)で実施した。また、特に記載しない限り、%及び部は、それぞれ、質量%及び質量部を意味する。 Examples of the present invention will be described below. However, the technical scope of the present invention is not limited to the following examples. In the following examples, unless otherwise specified, each operation was carried out at room temperature (25 ° C.). Unless otherwise specified,% and parts mean mass% and parts by mass, respectively.

合成例1:化合物1の合成
下記反応式に従って、化合物1を合成した。
Synthesis Example 1: Synthesis of compound 1 Compound 1 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000024

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、1,4-ジヘキシル-2,5-ジブロモベンゼン(8.08g、20.0mmol)、ビス(ピナコレートジボロン)(12.19g、48.0mmol)、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)(0.98g、1.2mmol)、酢酸カリウム(11.78g、120.0mmol)、及びジオキサン(100ml)を加え、混合した後、加熱還流下、6時間攪拌した。次に、トルエン及び水を加え、分液した後、水で洗浄した。次に、硫酸ナトリウム及び活性炭を加え、撹拌した後、セライト(Celite:登録商標)で濾過した。次に、濾液を濃縮し、粗生成物(11.94g)を得た。次に、粗生成物をヘキサンで再結晶した後、メタノールで洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥させることにより、化合物1(4.23g)を得た。
Figure 0007104518000024

Specifically, 1,4-dihexyl-2,5-dibromobenzene (8.08 g, 20.0 mmol) and bis (pinacholate diboron) (12.19 g, 48.0 mmol) were placed in a reaction vessel under an argon atmosphere. ), [1,1'-Bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium (II) (0.98 g, 1.2 mmol), potassium acetate (11.78 g, 120.0 mmol), and dioxane (100 ml) were added. After mixing, the mixture was stirred under heating under reflux for 6 hours. Next, toluene and water were added, the liquids were separated, and then the mixture was washed with water. Next, sodium sulfate and activated carbon were added, stirred, and then filtered through Cerite (registered trademark). The filtrate was then concentrated to give the crude product (11.94 g). The crude product was then recrystallized from hexane and then washed with methanol. The obtained crystals were dried under reduced pressure to obtain Compound 1 (4.23 g).

得られた化合物1の構造は、核磁気共鳴装置(H-NMR)によって同定した。 The structure of the obtained compound 1 was identified by a nuclear magnetic resonance apparatus ( 1 H-NMR).

合成例2:化合物2の合成
2-1.化合物2-1の合成
下記反応式に従って、化合物2-1を合成した。
Synthesis Example 2: Synthesis of Compound 2 2-1. Synthesis of Compound 2-1 Compound 2-1 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000025

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、2-アミノ-N-[(1,1'-ビフェニル)-4-イル]-N-(4-ブロモフェニル)-9,9-ジメチルフルオレン(15.00g、29.04mmol)、3-(4,4,5,5,-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)カルバゾール(7.66g、26.14mmol)、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロライド(0.41g、0.58mmol)、炭酸ナトリウム(7.70g、72.61mmol)、ジオキサン(290ml)、水(145ml)を加えた後、混合した。次に、混合物を85℃で4時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト(登録商標)を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物2-1(12.7g)を得た。
Figure 0007104518000025

Specifically, 2-amino-N-[(1,1'-biphenyl) -4-yl] -N- (4-bromophenyl) -9,9-dimethylfluorene (in an argon atmosphere, in a reaction vessel). 15.00 g, 29.04 mmol), 3- (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane-2-yl) carbazole (7.66 g, 26.14 mmol), bis (tri) Phenylphosphine) Palladium (II) dichloride (0.41 g, 0.58 mmol), sodium carbonate (7.70 g, 72.61 mmol), dioxane (290 ml), water (145 ml) were added and then mixed. Next, the mixture was stirred at 85 ° C. for 4 hours, and after the reaction was completed, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Next, the reaction mixture was filtered using Cerite®, and impurities were filtered off. Next, the solvent was distilled off from the filtrate and then purified by column chromatography to obtain Compound 2-1 (12.7 g).

得られた化合物2-1の構造は、核磁気共鳴装置(H-NMR)によって同定した。 The structure of the obtained compound 2-1 was identified by a nuclear magnetic resonance apparatus ( 1 H-NMR).

2-2.化合物2の合成
下記反応式に従って、化合物2を合成した。
2-2. Synthesis of Compound 2 Compound 2 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000026

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物2-1(7.00g、11.6mmol)、1,3-ジブロモ-5-ヨードベンゼン(4.62g、12.77mmol)、ヨウ化銅(I)(0.11g、0.58mmol)、trans-1,2-シクロヘキサンジアミン(0.29g、2.55mmol)、ナトリウムtert-ブトキシド(2.23g、23.23mmol)、ジオキサン(35ml)を加えた後、混合した。次に、混合物を90℃で6時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト(Celite:登録商標)を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物2(6g)を得た。
Figure 0007104518000026

Specifically, in an argon atmosphere, in a reaction vessel, compound 2-1 (7.00 g, 11.6 mmol), 1,3-dibromo-5-iodobenzene (4.62 g, 12.77 mmol), copper iodide. (I) (0.11 g, 0.58 mmol), trans-1,2-cyclohexanediamine (0.29 g, 2.55 mmol), sodium tert-butoxide (2.23 g, 23.23 mmol), dioxane (35 ml). After addition, it was mixed. Next, the mixture was stirred at 90 ° C. for 6 hours, and after the reaction was completed, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Next, the reaction mixture was filtered using Cerite (registered trademark), and impurities were filtered off. Next, the solvent was distilled off from the filtrate and then purified by column chromatography to obtain Compound 2 (6 g).

得られた化合物2の構造は、核磁気共鳴装置(H-NMR)によって同定した。 The structure of the obtained compound 2 was identified by a nuclear magnetic resonance apparatus ( 1 H-NMR).

合成例3:化合物3の合成
下記反応式に従って、化合物3を合成した。
Synthesis Example 3: Synthesis of compound 3 Compound 3 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000027

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物3(4.00g、4.78mmol)、ビスピナコレートジボロン(3.64g、14.34mmol)、酢酸カリウム(2.82g、28.69mmol)、[ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(0.11g、0.13mmol)ジオキサン(50ml)を加えた後、混合した。次に、混合物を90℃で6時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト(Celite:登録商標)を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物3(3g)を得た。
Figure 0007104518000027

Specifically, in an argon atmosphere, compound 3 (4.00 g, 4.78 mmol), bispinacholate diboron (3.64 g, 14.34 mmol), potassium acetate (2.82 g, 28.69 mmol) were placed in the reaction vessel. ), [Bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (0.11 g, 0.13 mmol) dioxane (50 ml) was added and then mixed. Next, the mixture was stirred at 90 ° C. for 6 hours, and after the reaction was completed, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Next, the reaction mixture was filtered using Cerite (registered trademark), and impurities were filtered off. Next, the solvent was distilled off from the filtrate and then purified by column chromatography to obtain Compound 3 (3 g).

得られた化合物3の構造は、核磁気共鳴装置(H-NMR)によって同定した。 The structure of the obtained compound 3 was identified by a nuclear magnetic resonance apparatus ( 1 H-NMR).

合成例4:化合物4の合成
下記反応式に従って、化合物4を合成した。
Synthesis Example 4: Synthesis of Compound 4 Compound 4 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000028

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物2-1(7.00g、11.6mmol)、1,4-ジブロモ-2-フルオロベンゼン(3.04g、12.0mmol)、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)100mlを加えた後、室温で撹拌した。次に、水素化ナトリウム(含有量60%、0.478g、12.0mmol)を投入した後、混合した。次に、混合物を180℃で5時間撹拌し、反応が終了した後、反応混合物を室温まで放冷した。次に、トルエン100mlを加えた後、分液ロートに移し、水100mlを用いて3回洗浄した。次に、反応混合物から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物4(6.08g)を得た。
Figure 0007104518000028

Specifically, in an argon atmosphere, in a reaction vessel, compound 2-1 (7.00 g, 11.6 mmol), 1,4-dibromo-2-fluorobenzene (3.04 g, 12.0 mmol), N-methyl. After adding 100 ml of -2-pyrrolidone (NMP), the mixture was stirred at room temperature. Next, sodium hydride (content 60%, 0.478 g, 12.0 mmol) was added and then mixed. The mixture was then stirred at 180 ° C. for 5 hours and after the reaction was complete, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Next, after adding 100 ml of toluene, the mixture was transferred to a separating funnel and washed 3 times with 100 ml of water. Next, the solvent was distilled off from the reaction mixture, and the residue was purified by column chromatography to obtain Compound 4 (6.08 g).

合成例5:化合物5の合成
5-1.化合物5-1の合成
下記反応式に従って、化合物5-1を合成した。
Synthesis Example 5: Synthesis of Compound 5 5-1. Synthesis of Compound 5-1 Compound 5-1 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000029

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物2-1(4.0g、6.6mmol)、1-ブロモ-4-ヨードベンゼン(2.07g、7.3mmol)ヨウ化銅(I)(0.046g、0.24mmol)、ナトリウムtert-ブトキシド(0.88g、9.2mmol)、ジオキサン(40ml)を加えた後、混合した。次に、混合物を90℃で11時間撹拌し、反応が終了した後、反応混合物を室温まで放冷した。次に、セライト(Celite:登録商標)を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物5-1(3.0g)を得た。
Figure 0007104518000029

Specifically, in an argon atmosphere, in a reaction vessel, compound 2-1 (4.0 g, 6.6 mmol), 1-bromo-4-iodobenzene (2.07 g, 7.3 mmol) copper iodide (I). (0.046 g, 0.24 mmol), sodium tert-butoxide (0.88 g, 9.2 mmol) and dioxane (40 ml) were added and then mixed. The mixture was then stirred at 90 ° C. for 11 hours and after the reaction was complete the reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Next, the reaction mixture was filtered using Cerite (registered trademark), and impurities were filtered off. Next, the solvent was distilled off from the filtrate and then purified by column chromatography to obtain Compound 5-1 (3.0 g).

5-2.化合物5-2の合成
下記反応式に従って、化合物5-2を合成した。
5-2. Synthesis of Compound 5-2 Compound 5-2 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000030

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物5-1(2.5g、3.3mmol)ビスピナコレートジボロン(1.01g、4.0mmol)、酢酸カリウム(1.21g、12.4mmol)、[ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(0.049g、0.06mmol)、ジオキサン(80ml)を加えた後、混合した。次に、混合物を90℃で12時間撹拌し、反応が終了した後、反応混合物を室温まで放冷した。次に、セライト(Celite:登録商標)を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物5-2(1.5g)を得た。
Figure 0007104518000030

Specifically, in an argon atmosphere, compound 5-1 (2.5 g, 3.3 mmol) bispinacholate dichloromethane (1.01 g, 4.0 mmol), potassium acetate (1.21 g, 12.1 mmol) were placed in the reaction vessel. 4 mmol), [bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (0.049 g, 0.06 mmol), and dioxane (80 ml) were added and then mixed. The mixture was then stirred at 90 ° C. for 12 hours and after the reaction was complete the reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Next, the reaction mixture was filtered using Cerite (registered trademark), and impurities were filtered off. Next, the solvent was distilled off from the filtrate and then purified by column chromatography to obtain Compound 5-2 (1.5 g).

5-3.化合物5の合成
下記反応式に従って、化合物5を合成した。
5-3. Synthesis of Compound 5 Compound 5 was synthesized according to the following reaction formula.

Figure 0007104518000031

詳細には、アルゴン雰囲気下、反応容器中に、化合物5-2(1.4g、1.74mmol)、1,4-ジブロモ-2-ヨードベンゼン(0.65g、1.8mmol)、ジオキサン(50ml)、[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]パラジウム(0.020g、0.018mmol)、炭酸ナトリウム(0.19g、1.8mmol)、水100mlを加えた後、混合した。次に、混合物を85℃で34時間撹拌し、反応が終了した後、反応混合物を室温まで放冷した。次に、セライト(Celite:登録商標)を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物5(0.60g)を得た。
Figure 0007104518000031

Specifically, in an argon atmosphere, in a reaction vessel, compound 5-2 (1.4 g, 1.74 mmol), 1,4-dibromo-2-iodobenzene (0.65 g, 1.8 mmol), dioxane (50 ml). ), [Tetrakis (triphenylphosphine)] palladium (0.020 g, 0.018 mmol), sodium carbonate (0.19 g, 1.8 mmol), and 100 ml of water were added and then mixed. The mixture was then stirred at 85 ° C. for 34 hours and after the reaction was complete the reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Next, the reaction mixture was filtered using Cerite (registered trademark), and impurities were filtered off. Next, the solvent was distilled off from the filtrate and then purified by column chromatography to obtain Compound 5 (0.60 g).

実施例1:高分子材料A-1の合成
合成例1で合成した化合物1、及び合成例2で合成した化合物2を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-1を合成した。
Example 1: Synthesis of Polymer Material A-1 Using the compound 1 synthesized in Synthesis Example 1 and the compound 2 synthesized in Synthesis Example 2, a polymer material A-1 having the following structural units having the following composition is synthesized. did.

Figure 0007104518000032

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物1(1.96g)、化合物2(2.58g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、トルエン(55mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。次に、粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したカラムクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、高分子材料A-1(1.14g)を得た。
Figure 0007104518000032

Specifically, under an argon atmosphere, compound 1 (1.96 g), compound 2 (2.58 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), toluene (55 mL). , And a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) was added, and then the mixture was heated under reflux for 8 hours. Next, phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) were added. After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. Next, the crude product was dissolved in toluene, purified using a column chromatograph packed with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a polymer material A-1 (1.14 g).

高分子材料A-1は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物1由来の構成単位:化合物2由来の構成単位=1:1(モル比))で、それぞれの構成単位が交互に結合している交互共重合体であると推定される。また、高分子材料A-1の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=44,000、Mw=80,000、Mw/Mn=1.83であった。 The polymer material A-1 has the above composition (constituent unit derived from compound 1: structural unit derived from compound 2 = 1: 1 (molar ratio)) based on the charging ratio of the monomers, and the respective structural units are alternately arranged. It is presumed to be an alternating copolymer that is bound. Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-1 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 44. It was 000, Mw = 80,000, and Mw / Mn = 1.83.

実施例2:高分子材料A-2の合成
合成例3で合成した化合物3、及びp-ジヨードベンゼンを用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-2を合成した。
Example 2: Synthesis of Polymer Material A-2 Using the compound 3 synthesized in Synthesis Example 3 and p-diiodobenzene, a polymer material A-2 having the following constituent units having the following composition was synthesized.

Figure 0007104518000033

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物3(2.53g)、p-ジヨードベンゼン(3.30g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、トルエン(55mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。次に、粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、高分子材料A-2(0.8g)を得た。
Figure 0007104518000033

Specifically, under an argon atmosphere, compound 3 (2.53 g), p-diiodobenzene (3.30 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), toluene. After adding (55 mL) and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g), the mixture was heated under reflux for 8 hours. Next, phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) were added. After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. Next, the crude product was dissolved in toluene, purified using a chromatograph filled with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, and the mixture was separated by filtration and dried to obtain a polymer material A-2 (0.8 g).

高分子材料A-2は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物3由来の構成単位:p-ジヨードベンゼン由来の構成単位=1:1(モル比))で、それぞれの構成単位が交互に結合している交互共重合体であると推定される。また、高分子材料A-2の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=14,000、Mw=26,000、Mw/Mn=1.88であった。 The polymer material A-2 has the above composition (constituent unit derived from compound 3: constituent unit derived from p-diiodobenzene = 1: 1 (molar ratio)) based on the charging ratio of the monomers, and each constituent unit. Is presumed to be an alternating copolymer in which Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-2 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 14 It was 000, Mw = 26,000, and Mw / Mn = 1.88.

実施例3:高分子材料A-3の合成
合成例3で合成した化合物3、及び3,5-ジブロモビフェニルを用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-3を合成した。
Example 3: Synthesis of Polymer Material A-3 Using the compound 3 synthesized in Synthesis Example 3 and 3,5-dibromobiphenyl, a polymer material A-3 having the following constituent units having the following composition was synthesized.

Figure 0007104518000034

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物3(3.21g、3.45mmol)、3,5-ジブロモビフェニル(1.08g)、酢酸パラジウム(5.5mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(34.3mg)、トルエン(55mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(19.3g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、高分子材料A-3(0.17g)を得た。
Figure 0007104518000034

Specifically, under an argon atmosphere, Compound 3 (3.21 g, 3.45 mmol), 3,5-dibromobiphenyl (1.08 g), palladium acetate (5.5 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (34). .3 mg), toluene (55 mL), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (19.3 g) were added, and the mixture was heated under reflux for 8 hours. Next, add phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g). After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. The crude product was dissolved in toluene and purified using a chromatograph filled with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, and the mixture was separated by filtration and dried to obtain a polymer material A-3 (0.17 g).

高分子材料A-3は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物3由来の構成単位:3,5-ジブロモビフェニル由来の構成単位:=1:1(モル比))で、それぞれの構成単位が交互に結合している交互共重合体であると推定される。また、高分子材料A-3の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=15,200、Mw=33,500、Mw/Mn=2.20であった。 The polymer material A-3 has the above composition (constituent unit derived from compound 3: constituent unit derived from 3,5-dibromobiphenyl: = 1: 1 (molar ratio)) based on the charging ratio of the monomers. It is presumed to be an alternating copolymer in which the constituent units are bonded alternately. Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-3 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 15 , 200, Mw = 33,500, Mw / Mn = 2.20.

実施例4:高分子材料A-4の合成
合成例3で合成した化合物3、及び1,3-ジブロモ-5-ドデシルベンゼンを用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-4を合成した。
Example 4: Synthesis of Polymer Material A-4 Polymer Material A-4 having the following constituent units in the following composition using the compound 3 synthesized in Synthesis Example 3 and 1,3-dibromo-5-dodecylbenzene. Was synthesized.

Figure 0007104518000035

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物3(1.60g、1.71mmol)、1,3-ジブロモ-5-ドデシルベンゼン(0.84g)、酢酸パラジウム(2.2mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(13.5mg)、トルエン(55mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(7.10g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、ろ別した後、乾燥させ、高分子材料A-4(0.98g)を得た。
Figure 0007104518000035

Specifically, under an argon atmosphere, compound 3 (1.60 g, 1.71 mmol), 1,3-dibromo-5-dodecylbenzene (0.84 g), palladium acetate (2.2 mg), tris (2-methoxyphenyl). ) Phenyl (13.5 mg), toluene (55 mL), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (7.10 g) were added, and the mixture was heated under reflux for 8 hours. Next, phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) were added. After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. The crude product was dissolved in toluene and purified using a chromatograph filled with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, and the mixture was filtered and dried to obtain a polymer material A-4 (0.98 g).

高分子材料A-3は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物3由来の構成単位:1,3-ジブロモ-5-ドデシルベンゼン由来の構成単位=1:1(モル比))で、それぞれの構成単位が交互に結合している交互共重合体であると推定される。また、高分子材料A-3の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=7,300、Mw=16,100、Mw/Mn=2.18であった。 The polymer material A-3 has the above composition (constituent unit derived from compound 3: 1,3-dibromo-5-dodecylbenzene-derived structural unit = 1: 1 (molar ratio)) based on the monomer charging ratio. , It is presumed that the constituent units are alternating copolymers in which they are bonded alternately. Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-3 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 7 , 300, Mw = 16,100, Mw / Mn = 2.18.

実施例5:高分子材料A-5の合成
合成例4で合成した化合物4、及び1,4-ジヘキシル-2,5-ジブロモベンゼンを用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-5を合成した。
Example 5: Synthesis of Polymer Material A-5 Polymer Material A having the following structural units in the following composition using the compound 4 synthesized in Synthesis Example 4 and 1,4-dihexyl-2,5-dibromobenzene. -5 was synthesized.

Figure 0007104518000036

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物4(2.58g、3.08mmol)、化合物1(1.54g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、トルエン(55mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。次に、粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、高分子材料A-5(0.84g)を得た。
Figure 0007104518000036

Specifically, under an argon atmosphere, Compound 4 (2.58 g, 3.08 mmol), Compound 1 (1.54 g), Palladium acetate (4.3 mg), Tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), Toluene (55 mL) and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) were added, and the mixture was heated under reflux for 8 hours. Next, phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) were added. After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. Next, the crude product was dissolved in toluene, purified using a chromatograph filled with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, and the mixture was separated by filtration and dried to obtain a polymer material A-5 (0.84 g).

高分子材料A-5は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物4由来の構成単位:化合物1由来の構成単位=1:1(モル比))で、それぞれの構成単位が交互に結合している交互共重合体であると推定される。また、高分子材料A-5の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=29,300、Mw=77,500、Mw/Mn=2.64であった。 The polymer material A-5 has the above composition (constituent unit derived from compound 4: structural unit derived from compound 1 = 1: 1 (molar ratio)) based on the charging ratio of the monomers, and the respective structural units are alternately arranged. It is presumed to be an alternating copolymer that is bound. Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-5 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 29. , 300, Mw = 77,500, Mw / Mn = 2.64.

実施例6:高分子材料A-6の合成
合成例1で合成した化合物1、合成例2で合成した化合物2、及び1,3-ジブロモアズレンを用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-6を合成した。
Example 6: Synthesis of Polymer Material A-6 Using the compound 1 synthesized in Synthesis Example 1, the compound 2 synthesized in Synthesis Example 2, and 1,3-dibromoazulene, a high molecular weight material having the following structural units having the following composition. Molecular material A-6 was synthesized.

Figure 0007104518000037

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物3(2.10g、2.26mmol)、1,4-ジヘキシル-2,5-ジブロモベンゼン(0.89g、2.19mmol)1,3-ジブロモアズレン(19.4mg)、酢酸パラジウム(4.4mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.8mg)、トルエン(55mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.7g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。次に、粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、高分子材料A-6(0.47g)を得た。
Figure 0007104518000037

Specifically, in an argon atmosphere, Compound 3 (2.10 g, 2.26 mmol), 1,4-dihexyl-2,5-dibromobenzene (0.89 g, 2.19 mmol) 1,3-dibromoazulene (19. 4 mg), palladium acetate (4.4 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.8 mg), toluene (55 mL), and 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.7 g), followed by 8 It was heated and refluxed for hours. Next, phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) were added. After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. Next, the crude product was dissolved in toluene, purified using a chromatograph filled with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, and the mixture was separated by filtration and dried to obtain a polymer material A-6 (0.47 g).

高分子材料A-6は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物2由来の構成単位:化合物1由来の構成単位:1,3-ジブロモアズレン由来の構成単位=48.5:50:1.5(モル比))で、化合物2由来の構成単位と化合物1由来の構成単位が交互に結合しているセグメントを有する共重合体であると推定される。また、高分子材料A-6の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=28200、Mw=41,500、Mw/Mn=1.47であった。 The polymer material A-6 has the above composition (constituent unit derived from compound 2: constituent unit derived from compound 1: constituent unit derived from 1,3-dibromoazulene = 48.5:50: At 1.5 (molar ratio)), it is presumed that the copolymer has segments in which the structural units derived from compound 2 and the structural units derived from compound 1 are alternately bonded. Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-6 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 28200. , Mw = 41,500 and Mw / Mn = 1.47.

実施例7:高分子材料A-7の合成
合成例2で合成した化合物2、及び2,7-ジブロモ-9,9-ジ-n-オクチルフルオレンを用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-7を合成した。
Example 7: Synthesis of Polymer Material A-7 Using the compound 2 synthesized in Synthesis Example 2 and 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene, the following constituent units are contained in the following composition. Polymer material A-7 was synthesized.

Figure 0007104518000038

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物2(2.00g、2.19mmol)、2,7-ジブロモ-9,9-ジ-n-オクチルフルオレン(1.20g)、酢酸パラジウム(3.4mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(21.3mg)、トルエン(50mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(12.0g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。次に、粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、高分子材料A-7(1.20g)を得た。
Figure 0007104518000038

Specifically, in an argon atmosphere, Compound 2 (2.00 g, 2.19 mmol), 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene (1.20 g), palladium acetate (3.4 mg), and the like. After adding tris (2-methoxyphenyl) phosphine (21.3 mg), toluene (50 mL), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g), the mixture was heated under reflux for 8 hours. Next, phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (12.0 g) are added. After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. Next, the crude product was dissolved in toluene, purified using a chromatograph filled with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a polymer material A-7 (1.20 g).

高分子材料A-7は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物2由来の構成単位:2,7-ジブロモ-9,9-ジ-n-オクチルフルオレン由来の構成単位=1:1(モル比))で、それぞれの構成単位が交互に結合している交互共重合体であると推定される。また、高分子材料A-7の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=61,000、Mw=133,000、Mw/Mn=1.86であった。 Based on the monomer charging ratio, the polymer material A-7 has the above composition (constituent unit derived from compound 2: 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene-derived structural unit = 1: 1). (Mole ratio)), it is presumed to be an alternating copolymer in which each constituent unit is alternately bonded. Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-7 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 61. It was 000, Mw = 133,000, and Mw / Mn = 1.86.

実施例8:高分子材料A-8の合成
合成例5で合成した化合物5、及び化合物1を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子材料A-8を合成した。
Example 8: Synthesis of Polymer Material A-8 Using the compound 5 and the compound 1 synthesized in Synthesis Example 5, the polymer material A-8 having the following structural unit having the following composition was synthesized.

Figure 0007104518000039

詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物5(2.00g、2,19mmol)、化合物1(1.09g)、酢酸パラジウム(3.4mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(21.3mg)、トルエン(50mL)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(12.0g)を加えた後、8時間加熱還流した。次に、フェニルボロン酸(0.023g)、酢酸パラジウム(4.3mg)、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン(27.0mg)、及び20質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(15.2g)を加えた後、7時間加熱還流した。次に、反応混合物から水層を除き、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物(5.4g)、及びイオン交換水(50mL)を加えた後、85℃で2時間攪拌した。次に、反応混合物を有機層と水層に分離した後、水、3質量%酢酸水溶液、及び水を用いて、有機層を順次洗浄した。次に、有機層をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、粗生成物を得た。次に、粗生成物をトルエンに溶解させて、シリカゲル/アルミナを充填したクロマトグラフを用いて精製した後、溶媒を減圧留去した。次に、得られた液体をメタノールに滴下して沈殿させ、濾別した後、乾燥させ、高分子材料A-7(1.20g)を得た。
Figure 0007104518000039

Specifically, under an argon atmosphere, Compound 5 (2.00 g, 2,19 mmol), Compound 1 (1.09 g), Palladium acetate (3.4 mg), Tris (2-methoxyphenyl) phosphine (21.3 mg), and the like. Toluene (50 mL) and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (12.0 g) were added, and the mixture was heated under reflux for 8 hours. Next, phenylboronic acid (0.023 g), palladium acetate (4.3 mg), tris (2-methoxyphenyl) phosphine (27.0 mg), and a 20 mass% tetraethylammonium hydroxide aqueous solution (15.2 g) were added. After that, the mixture was heated and refluxed for 7 hours. Next, the aqueous layer was removed from the reaction mixture, sodium trihydrate N, N-diethyldithiocarbamate (5.4 g) and ion-exchanged water (50 mL) were added, and the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. Next, the reaction mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and then the organic layer was washed sequentially with water, a 3 mass% acetic acid aqueous solution, and water. Next, the organic layer was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a crude product. Next, the crude product was dissolved in toluene, purified using a chromatograph filled with silica gel / alumina, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, the obtained liquid was added dropwise to methanol to precipitate, filtered off, and then dried to obtain a polymer material A-7 (1.20 g).

高分子材料A-8は、単量体の仕込み比から、上記組成(化合物5由来の構成単位:化合物1由来の構成単位=1:1(モル比))で、それぞれの構成単位が交互に結合している交互共重合体であると推定される。また、高分子材料A-8の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)を、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)を用いて見積もったところ、Mn=29,000、Mw=70,000、Mw/Mn=2.41であった。 The polymer material A-8 has the above composition (constituent unit derived from compound 5: structural unit derived from compound 1 = 1: 1 (molar ratio)) based on the charging ratio of the monomers, and the respective structural units are alternately arranged. It is presumed to be an alternating copolymer that is bound. Further, when the number average molecular weight (Mn), the weight average molecular weight (Mw) and the polydispersity (Mw / Mn) of the polymer material A-8 were estimated using size exclusion chromatography (SEC), Mn = 29. It was 000, Mw = 70,000, and Mw / Mn = 2.41.

次に、実施例1~8の高分子材料A-1~A-8及び下記構成単位を有するポリ[(9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(4,4'-(N-(4-sec-ブチルフェニル)ジフェニルアミン)](TFB)(Luminescence Technology Corp.製)(比較例1の高分子材料)のHOMO準位及びLUMO準位を測定した。 Next, the polymer materials A-1 to A-8 of Examples 1 to 8 and the poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4) having the following structural units The HOMO level and LUMO level of'-(N- (4-sec-butylphenyl) diphenylamine)] (TFB) (manufactured by Luminescence Technology Corp.) (polymer material of Comparative Example 1) were measured.

Figure 0007104518000040

(HOMO準位の測定方法)
濃度が1質量%となるように、各高分子材料をキシレンに溶解させ、塗布液を調製した。
Figure 0007104518000040

(Measurement method of HOMO level)
Each polymer material was dissolved in xylene so that the concentration was 1% by mass, and a coating liquid was prepared.

UV洗浄したITO付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数2000rpmの条件で、スピンコート法により成膜した後、ホットプレート上で、150℃、30分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製した。 Using the coating solution prepared above on a UV-cleaned glass substrate with ITO, a film was formed by the spin coating method at a rotation speed of 2000 rpm, and then dried on a hot plate at 150 ° C. for 30 minutes. , A sample for measurement was prepared.

大気中光電子分光装置(理研計器株式会社製、AC-3)を用いて、サンプルのHOMO準位を測定した。このとき、測定結果から、立ち上がりの接線交点を算出し、HOMO準位とした。 The HOMO level of the sample was measured using an atmospheric photoelectron spectrometer (AC-3 manufactured by RIKEN Keiki Co., Ltd.). At this time, the rising tangential intersection was calculated from the measurement result and used as the HOMO level.

なお、HOMO準位は、通常、負の数値である。 The HOMO level is usually a negative number.

(LUMO準位の測定方法)
濃度が3.2質量%となるように、各高分子材料をトルエンに溶解させ、塗布液を調製した。
(LUMO level measurement method)
Each polymer material was dissolved in toluene so that the concentration was 3.2% by mass, and a coating liquid was prepared.

UV洗浄したITO付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数1600rpmの条件で、スピンコート法により成膜した後、ホットプレート上で、250℃、60分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製した。このとき、成膜された膜の膜厚は、約70nmであった。得られたサンプルを77K(-196℃)まで冷却して、フォトルミネッセンス(PL)スペクトルを測定した。PLスペクトルの最も短波長側のピーク値から、LUMO準位[eV]を算出した。 Using the coating liquid prepared above on a UV-cleaned glass substrate with ITO, a film was formed by the spin coating method at a rotation speed of 1600 rpm, and then dried on a hot plate at 250 ° C. for 60 minutes. , A sample for measurement was prepared. At this time, the film thickness of the film was about 70 nm. The obtained sample was cooled to 77K (-196 ° C.) and the photoluminescence (PL) spectrum was measured. The LUMO level [eV] was calculated from the peak value on the shortest wavelength side of the PL spectrum.

表1に、高分子材料のHOMO準位及びLUMO準位を示す。 Table 1 shows the HOMO level and LUMO level of the polymer material.

Figure 0007104518000041
表1の結果から、実施例1~8の高分子材料A-1~A-8は、従来使用されている比較例1の高分子材料(TFB)と比較して、HOMO準位が若干深く、LUMO順位が有意に浅いことがわかる。
Figure 0007104518000041
From the results in Table 1, the polymer materials A-1 to A-8 of Examples 1 to 8 have a slightly deeper HOMO level than the conventionally used polymer materials (TFB) of Comparative Example 1. , It can be seen that the LUMO ranking is significantly shallow.

実施例9:量子ドット発光素子の作製
第1電極(陽極)として、ITOがパターニングされているITO付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、UV-オゾン処理を実施した。次に、ITO付きガラス基板上に、PEDOT/PSS(Sigma-Aldrich製)を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ(乾燥膜厚)30nmの正孔注入層がITO付きガラス基板上に形成された。
Example 9: Fabrication of Quantum Dot Light Emitting Element As the first electrode (anode), a glass substrate with ITO patterned with ITO is sequentially washed with a neutral detergent, deionized water, water and isopropyl alcohol, and then washed in sequence. UV-ozone treatment was performed. Next, PEDOT / PSS (manufactured by Sigma-Aldrich) was applied onto a glass substrate with ITO by a spin coating method, and then dried. As a result, a hole injection layer having a thickness (dry film thickness) of 30 nm was formed on the glass substrate with ITO.

正孔注入層上に、実施例1の高分子材料A-1(正孔輸送材料)の1.0質量%のトルエン溶液を、スピンコート法により塗布した後、150℃で30分間熱処理して、正孔輸送層を形成した。その結果、厚さ(乾燥膜厚)25nmの正孔輸送層が正孔注入層上に形成された。 A 1.0% by mass toluene solution of the polymer material A-1 (hole transport material) of Example 1 was applied onto the hole injection layer by a spin coating method, and then heat-treated at 150 ° C. for 30 minutes. , A hole transport layer was formed. As a result, a hole transport layer having a thickness (dry film thickness) of 25 nm was formed on the hole injection layer.

正孔輸送層上に、正孔輸送層を溶解させないシクロヘキサン中に、ZnTeSe/ZnSe/ZnS(コア/シェル/シェル)の量子ドット(図2参照)を、1.0質量%となるように分散させた分散液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ(乾燥膜厚)25nmの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、量子ドットの分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が458nm、半値幅が29nmであった(図3、図4参照)。 Quantum dots (see FIG. 2) of ZnTeSe / ZnSe / ZnS (core / shell / shell) are dispersed on the hole transport layer in cyclohexane in which the hole transport layer is not dissolved so as to be 1.0% by mass. The dispersed dispersion was applied by a spin coating method and then dried. As a result, a quantum dot light emitting layer having a thickness (dry film thickness) of 25 nm was formed on the hole transport layer. The light emitted by irradiating the dispersion liquid of quantum dots with ultraviolet rays had a central wavelength of 458 nm and a half width of 29 nm (see FIGS. 3 and 4).

量子ドット発光層を完全に乾燥させた後、真空蒸着装置を用いて量子ドット発光層上に、リチウムキノレート(Liq)及び電子輸送材料TPBI(Sigma-Aldrich製)を共蒸着させた。その結果、厚さが36nmの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。 After the quantum dot light emitting layer was completely dried, lithium quinolate (Liq) and the electron transport material TPBI (manufactured by Sigma-Aldrich) were co-deposited on the quantum dot light emitting layer using a vacuum vapor deposition apparatus. As a result, an electron transport layer having a thickness of 36 nm was formed on the quantum dot light emitting layer.

真空蒸着装置を用いて、電子輸送層上に、Liqを蒸着させた。その結果、厚さ0.5nmの電子注入層が電子輸送層上に形成された。 Liq was deposited on the electron transport layer using a vacuum vapor deposition apparatus. As a result, an electron injection layer having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer.

真空蒸着装置を用いて、電子注入層上に、アルミニウムを蒸着させた。その結果、厚さ100nmの第2電極(陰極)が電子注入層上に形成され、量子ドット発光素子を得た。 Aluminum was vapor-deposited on the electron-injected layer using a vacuum-film deposition device. As a result, a second electrode (cathode) having a thickness of 100 nm was formed on the electron injection layer, and a quantum dot light emitting device was obtained.

実施例10~16:量子ドット発光素子の作製
高分子材料A-1の代わりに、実施例2~8の高分子材料A-2~A-8を用いて、正孔輸送層を形成した以外は、実施例9と同様にして、量子ドット発光素子を得た。
Examples 10 to 16: Fabrication of quantum dot light emitting device A hole transport layer was formed by using the polymer materials A-2 to A-8 of Examples 2 to 8 instead of the polymer material A-1. Obtained a quantum dot light emitting device in the same manner as in Example 9.

比較例2:量子ドット発光素子の作製
高分子材料A-1の代わりに、比較例1の高分子材料(TFB)を用いて、正孔輸送層を形成した以外は、実施例9と同様にして、量子ドット発光素子を得た。
Comparative Example 2: Fabrication of Quantum Dot Light Emitting Element The same as in Example 9 except that the hole transport layer was formed by using the polymer material (TFB) of Comparative Example 1 instead of the polymer material A-1. To obtain a quantum dot light emitting device.

図5、6に、比較例2、実施例9の量子ドット発光素子のエネルギーダイアグラムを示す。 5 and 6 show energy diagrams of the quantum dot light emitting devices of Comparative Examples 2 and 9.

次に、実施例9~16、比較例2の量子ドット発光素子の駆動電圧及び発光効率を評価した。 Next, the drive voltage and luminous efficiency of the quantum dot light emitting devices of Examples 9 to 16 and Comparative Example 2 were evaluated.

[発光素子の評価方法]
直流定電圧電源(KEYENCE製、ソースメータ(source meter))を用いて、各量子ドット発光素子に対して、電圧を印加すると、一定の電圧で電流が流れ始め、量子ドット発光素子が発光した。このとき、電流密度が5mA/cmにおける電圧を駆動電圧(Vop)[V]とした。また、徐々に電流を増加させ、輝度が100nit(cd/m)になったところで電流を一定にし、放置した。この時、測定した分光放射輝度スペクトルから、ランバーシアン放射をしたと仮定して、輝度100nitにおける外部量子効率(EQE)を算出し、発光効率を評価した。
[Evaluation method of light emitting element]
When a voltage was applied to each quantum dot light emitting element using a DC constant voltage power supply (source meter manufactured by KEYENCE), a current started to flow at a constant voltage, and the quantum dot light emitting element emitted light. At this time, the voltage at a current density of 5 mA / cm 2 was defined as the drive voltage (Vop) [V]. Further, the current was gradually increased, and when the brightness reached 100 nits (cd / m 2 ), the current was kept constant and left to stand. At this time, the external quantum efficiency (EQE) at a brightness of 100 nits was calculated from the measured spectral radiance spectrum, assuming that Lambersian radiation was performed, and the luminous efficiency was evaluated.

表2に、量子ドット発光素子のVop及びEQEの評価結果を示す。なお、EQEは、比較例1の量子ドット発光素子の測定値を100としたときの相対値である。 Table 2 shows the evaluation results of Vop and EQE of the quantum dot light emitting device. The EQE is a relative value when the measured value of the quantum dot light emitting device of Comparative Example 1 is 100.

Figure 0007104518000042
表2から、実施例9~16の量子ドット発光素子は、正孔輸送材料として、本実施形態に係る高分子材料の具体例としての、高分子材料A-1~A-8が用いられているため、Vopが低く、EQEが高いことがわかる。
Figure 0007104518000042
From Table 2, in the quantum dot light emitting devices of Examples 9 to 16, polymer materials A-1 to A-8 as specific examples of the polymer material according to the present embodiment are used as the hole transport material. Therefore, it can be seen that the Vop is low and the EQE is high.

これに対して、比較例2の量子ドット発光素子は、正孔輸送材料として、TFBが用いられているため、Vopが高く、EQEが低い。 On the other hand, in the quantum dot light emitting device of Comparative Example 2, since TFB is used as the hole transport material, Vop is high and EQE is low.

これらの差異が生じる理由は、表1、図5、図6等からわかるように、高分子材料A-1~A-8のHOMO準位が、TFBのHOMO準位よりも、量子ドットのHOMO準位にわずかに近いため、正孔輸送層から量子ドットに正孔を注入する際の障壁が小さくなっているためであると考えられる。 As can be seen from Table 1, FIG. 5, FIG. 6, etc., the reason why these differences occur is that the HOMO levels of the polymer materials A-1 to A-8 are higher than the HOMO levels of the TFB and the HOMO of the quantum dots. It is considered that this is because the barrier for injecting holes from the hole transport layer into the quantum dots is small because it is slightly close to the level.

100 量子ドット発光素子
110 基板
120 第1電極
130 正孔注入層
140 正孔輸送層
150 発光層
160 電子輸送層
170 電子注入層
180 第2電極
100 Quantum dot light emitting device 110 Substrate 120 First electrode 130 Hole injection layer 140 Hole transport layer 150 Light emitting layer 160 Electron transport layer 170 Electron injection layer 180 Second electrode

Claims (10)

下記式(1)で表される構成単位の交互共重合体のセグメントを含む、高分子材料。
Figure 0007104518000043

(式(1)中、Xは、下記式(2)で表される基であり、Yは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基であり、前記芳香族炭化水素基が2個以上の芳香族炭化水素環を含む場合には、当該芳香族炭化水素環は互いに縮合している。)
Figure 0007104518000044
(式(2)中、Arは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の3価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の3価の芳香族複素環基であり、
Ar及びArは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
及びLは、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の2価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の2価の芳香族複素環基であり、
及びRは、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数1以上20以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
及びRは、互いに結合して環を形成してもよく、
aは、0以上4以下の整数であり、
bは、0以上3以下の整数であり、
~Zは、それぞれ独立して、窒素原子又は-CH=である。)
A polymer material containing a segment of an alternating copolymer of a structural unit represented by the following formula (1).
Figure 0007104518000043

(In the formula (1), X is a group represented by the following formula (2), and Y is a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or Substituted or unsubstituted ring-forming A divalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less atoms, and the aromatic hydrocarbon group contains two or more aromatic hydrocarbon rings. The aromatic hydrocarbon rings are condensed with each other .)
Figure 0007104518000044
(In the formula (2), Ar 1 is a substituted or unsubstituted trivalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming atom number of 3 or more and 60 or less. Is a trivalent aromatic heterocyclic group of
Ar 2 and Ar 3 are independently substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or substituted or unsubstituted ring-forming atoms having 3 or more and 60 atoms, respectively. The following monovalent aromatic heterocyclic groups,
L 1 and L 2 are independently single-bonded, substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 60 carbon atoms, or substituted or unsubstituted ring-forming atoms. It is a divalent aromatic heterocyclic group of 3 or more and 60 or less.
R 1 and R 2 are independently substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 20 carbon atoms, substituted or substituted. An unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 60 atoms.
R 1 and R 2 may be combined with each other to form a ring.
a is an integer of 0 or more and 4 or less,
b is an integer of 0 or more and 3 or less,
Z 1 to Z 8 are independently nitrogen atoms or −CH =. )
前記式(1)において、Xが下記式(2-1)~(2-6)で表される基からなる群より選択される、請求項1に記載の高分子材料。
Figure 0007104518000045
(上記式(2-1)~(2-6)中、Arは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基である。)
The polymer material according to claim 1, wherein in the formula (1), X is selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (2-1) to (2-6).
Figure 0007104518000045
(In the above formulas (2-1) to (2-6), Ar 4 is a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, or substituted or unsubstituted. It is a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less ring-forming atoms.)
前記式(1)において、Yが下記式(2-7)~(2-14)で表される基からなる群より選択される、請求項1又は2に記載の高分子材料。
Figure 0007104518000046

(上記式(2-7)~(2-14)中、Ar51~Ar55は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基、炭素数1以上20以下のアルキル基、又は水素原子であり、
11~A13は、それぞれ独立して、-O-、-S-、-Se-、-CR-、-SiR-(ただし、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基であり、
21~A28は、それぞれ独立して、-CR=、-N=、-SiR=(ただし、Rは、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基である。)
The polymer material according to claim 1 or 2, wherein in the formula (1), Y is selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (2-7) to (2-14).
Figure 0007104518000046

(In the above formulas (2-7) to (2-14), Ar 51 to Ar 55 are independently substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 60 carbon atoms. , A substituted or unsubstituted ring-forming monovalent aromatic heterocyclic group having 3 or more and 60 or less atoms, an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 20 or less carbon atoms, or a hydrogen atom.
A 11 to A 13 are independent of each other, -O-, -S-, -Se-, -CR 3 R 4- , -SiR 3 R 4- (however, R 3 and R 4 are independent of each other. A hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
A 21 to A 28 are independently -CR 5 =, -N =, -SiR 5 = (where R 5 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or non-substituted Substituted aryl group or substituted or unsubstituted heteroaryl group.)
下記式(3)で表される、請求項1~3のいずれか1項に記載の高分子材料。
Figure 0007104518000047

(式(3)中、Eは、置換された若しくは非置換の炭素数6以上60以下の1価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数3以上60以下の1価の芳香族複素環基であり、
mは2以上の整数であり、複数のX及びYは、それぞれ独立して、同一であってもよいし、異なっていてもよい。)
The polymer material according to any one of claims 1 to 3, which is represented by the following formula (3).
Figure 0007104518000047

(In the formula (3), E is a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 or more and 60 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring-forming atom having 3 or more and 60 or less. It is a monovalent aromatic heterocyclic group and
m is an integer of 2 or more, and the plurality of Xs and Ys may be independently the same or different. )
請求項1~4のいずれか1項に記載の高分子材料を含む、エレクトロルミネッセンス素子用材料。 A material for an electroluminescent device, which comprises the polymer material according to any one of claims 1 to 4. 請求項1~4のいずれか1項に記載の高分子材料と、溶媒又は分散媒とを含む、液状組成物。 A liquid composition containing the polymer material according to any one of claims 1 to 4 and a solvent or dispersion medium. 請求項1~4のいずれか1項に記載の高分子材料を含む、薄膜。 A thin film containing the polymer material according to any one of claims 1 to 4. 一対の電極と、
前記一対の電極間に配置されている、請求項1~4のいずれか1項に記載の高分子材料を含む1層以上の有機層とを備える、エレクトロルミネッセンス素子。
With a pair of electrodes,
An electroluminescence device including one or more organic layers including the polymer material according to any one of claims 1 to 4, which are arranged between the pair of electrodes.
前記有機層のうち、少なくとも1層は、塗布法により形成されている、請求項8に記載のエレクトロルミネッセンス素子。 The electroluminescence device according to claim 8, wherein at least one of the organic layers is formed by a coating method. 量子ドットを含む層をさらに備え、
前記量子ドットは、無機ナノ粒子である、請求項8又は9に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
With more layers containing quantum dots,
The electroluminescence device according to claim 8 or 9, wherein the quantum dots are inorganic nanoparticles.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020200397A (en) * 2019-06-10 2020-12-17 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. Polymer material, material for electroluminescence device, liquid composition, thin film, and electroluminescence device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102405260B1 (en) * 2017-11-21 2022-06-02 삼성전자주식회사 Quantum dot device and electronic device
JP7514156B2 (en) * 2019-12-11 2024-07-10 日本放送協会 Quantum dot light emitting device and display device
JP7200434B2 (en) 2020-02-13 2023-01-06 富士フイルム株式会社 LAMINATED BODY, DISPLAY DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY
JP7555221B2 (en) * 2020-09-09 2024-09-24 三星電子株式会社 Copolymer, and electroluminescent device material and electroluminescent device using said copolymer
JP7658740B2 (en) 2020-12-07 2025-04-08 三星電子株式会社 Copolymer, and electroluminescent device material and electroluminescent device using said copolymer
US12604655B2 (en) 2021-04-29 2026-04-14 Industrial Technology Research Institute Polymer, quantum dot composition and light-emitting device employing the same
CN115260456B (en) * 2021-04-29 2024-06-04 财团法人工业技术研究院 Quantum dot composition and light-emitting device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010055900A (en) 2008-08-27 2010-03-11 Sharp Corp Electroluminescent element
WO2010087510A1 (en) 2009-01-29 2010-08-05 住友化学株式会社 High-molecular compound and light-emitting element using same
JP2010199067A (en) 2009-02-23 2010-09-09 Samsung Electronics Co Ltd Quantum point light emitting element with multiple quantum point layer
WO2014042265A1 (en) 2012-09-14 2014-03-20 出光興産株式会社 Polymer compound, material for electronic elements, material for organic electroluminescent elements, and organic electroluminescent element
WO2014185079A1 (en) 2013-05-17 2014-11-20 三井化学株式会社 Polymer compound, material for organic electroluminescence element using same, and organic electroluminescence element
JP2017532769A (en) 2014-08-21 2017-11-02 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー Composition comprising oxygen-substituted benzocyclobutene and dienophile, and electronic device containing the same
JP2019507491A (en) 2015-12-24 2019-03-14 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー Polymer layer and organic electronic device containing the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0526185D0 (en) * 2005-12-22 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Electronic device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010055900A (en) 2008-08-27 2010-03-11 Sharp Corp Electroluminescent element
WO2010087510A1 (en) 2009-01-29 2010-08-05 住友化学株式会社 High-molecular compound and light-emitting element using same
JP2010199067A (en) 2009-02-23 2010-09-09 Samsung Electronics Co Ltd Quantum point light emitting element with multiple quantum point layer
WO2014042265A1 (en) 2012-09-14 2014-03-20 出光興産株式会社 Polymer compound, material for electronic elements, material for organic electroluminescent elements, and organic electroluminescent element
WO2014185079A1 (en) 2013-05-17 2014-11-20 三井化学株式会社 Polymer compound, material for organic electroluminescence element using same, and organic electroluminescence element
JP2017532769A (en) 2014-08-21 2017-11-02 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー Composition comprising oxygen-substituted benzocyclobutene and dienophile, and electronic device containing the same
JP2019507491A (en) 2015-12-24 2019-03-14 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー Polymer layer and organic electronic device containing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020200397A (en) * 2019-06-10 2020-12-17 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. Polymer material, material for electroluminescence device, liquid composition, thin film, and electroluminescence device

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