JP7116558B2 - 基板処理装置及び基板処理システム - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などの各種基板（以下、単に基板と称する）に対して、熱処理を行う基板処理装置及び基板処理システムに関する。

従来、この種の装置として、載置された基板を加熱する熱処理プレートと、基板の受け渡しのために熱処理プレートに設けられた昇降ピンと、熱処理プレートの上部を囲い、熱処理プレートに対して昇降可能に構成され、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成するカバー部材と、熱処理プレートとカバー部材とを囲った筐体と、カバー部材の天井面と熱処理プレートの上面との間に設けられた天板と、天板の下面と熱処理プレートの上面との間隔を調整する位置調整部材とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。

このように構成された基板処理装置では、カバー部材や昇降ピンを昇降する駆動機構やそれらを制御する制御機器が筐体の外部である側方に配置されている。

特開２０００－３８４３号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、筐体内にエアシリンダやモータなどの駆動機構を配置すると、熱処理プレートによる熱の影響で故障する恐れがあるので、筐体内に駆動機構を配置することが困難である。したがって、装置のフットプリントが大きくなるという問題がある。

特に、最近では、微細加工プロセスのために、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成することがある。この下層膜の生成のためには、これまでの１００～１５０℃程度の熱処理に比較して３００～５００℃程度の高温で熱処理が行われる。このような高温になると、駆動機構が熱の影響により故障する恐れが極めて大きくなるので、ますます筐体内に配置することが困難になっている事情もある。

その一方、熱処理プレートによる熱の影響を抑制しつつフットプリントを小さくするために、筐体内に駆動機構を配置するには、熱処理プレートから大きく下方へ離間した場所に配置する必要が生じる。したがって、筐体内に駆動機構を配置してフットプリントを小さくすることは、装置の高さが高くなり過ぎるので現実的ではない。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱分離することにより、高さを抑制しつつもフットプリントを小さくできる基板処理装置及び基板処理システムを提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、基板を受け渡すための昇降ピンと、前記熱処理プレートの上面に対して前記昇降ピンを昇降させる昇降ピン駆動機構と、前記熱処理プレートの周囲を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、前記熱処理プレートが上部に配置され、前記熱処理プレートの熱が下方へ伝わることを抑制する冷却ベースプレートと、を備え、前記昇降ピン駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下方に配置され、前記筐体は、基板を搬入出する搬入出口を備えているとともに、前記搬入出口を開閉するシャッタ本体と、前記シャッタ本体を駆動するシャッタ本体駆動機構と、をさらに備え、前記シャッタ本体駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下方に配置されていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、冷却ベースプレートにより熱分離されるので、熱処理プレートの熱が熱処理プレートより下方へ伝わることが抑制される。したがって、冷却ベースプレートの下方へ配置された昇降ピン駆動機構に熱処理プレートの熱が伝わることを抑制できる。その結果、熱処理プレートから下方へ大きく離間させることなく、筐体内に昇降ピン駆動機構を配置できるので、高さを抑制しつつも装置のフットプリントを抑制できる。また、冷却ベースプレートの下方へ配置されたシャッタ本体駆動機構に熱処理プレートの熱が伝わることを抑制できる。その結果、熱処理プレートから下方へ大きく離間させることなく、筐体内にシャッタ本体駆動機構を配置することができるので、高さを抑制しつつも装置のフットプリントを抑制できる。

（削除）

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また、本発明において、前記昇降ピン駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下面に、前記冷却ベースプレートとの間で熱伝導する状態で取り付けられていることが好ましい（請求項２）。

冷却ベースプレートの下面に昇降ピン駆動機構を直接あるいは熱伝導部材を介在させ、熱伝導可能な状態で取り付ける。したがって、冷却ベースプレートにより冷却されることになるので、昇降ピン駆動機構が熱処理プレートによって昇温することを抑制できる。また、熱伝導部材を介する場合には、冷却ベースプレートへの種々の取り付け方を採用することができ、取付の自由度を向上できる。

また、本発明において、前記シャッタ本体駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下面に、前記冷却ベースプレートとの間で熱伝導する状態で取り付けられていることが好ましい（請求項３）。

冷却ベースプレートの下面にシャッタ本体駆動機構を直接あるいは熱伝導部材を介在させ、熱伝導可能な状態で取り付ける。したがって、冷却ベースプレートにより冷却されることになるので、シャッタ本体駆動機構が熱処理プレートによって昇温することを抑制できる。また、熱伝導部材を介する場合には、冷却ベースプレートへの種々の取り付け方を採用することができ、取付の自由度を向上できる。

また、本発明において、前記冷却ベースプレートは、冷媒が流通する冷媒流路が全体にわたって形成されていることが好ましい（請求項４）。

冷媒を冷媒流路に積極的に流通させて冷却を行う冷却ベースプレートとすることで、熱処理プレートからの熱を効率的に吸収できる。したがって、冷却ベースプレートの下方へ熱処理プレートの熱が伝達することを抑制できる。

また、本発明において、前記熱処理プレートの下面と、前記冷却ベースプレートの上面との間に配置された複数本の支柱をさらに備え、前記熱処理プレートは、前記複数本の支柱で前記冷却ベースプレートに取り付けられていることが好ましい（請求項５）。

複数本の支柱により、冷却ベースプレートから熱処理プレートの下面が離間した状態で熱処理プレートが取り付けられる。したがって、熱処理プレートからの熱伝導による伝熱は、支柱からだけとすることができる。その結果、熱伝導による冷却ベースプレートの昇温を抑制できるので、冷却ベースプレートによる熱分離の度合いを大きくできる。

また、本発明において、本発明における基板処理装置が多段に積層配置されて構成された基板処理システムにおいて、前記各基板処理装置は、その上部に、熱が上方へ伝わることを抑制する熱分離プレートを備えていることが好ましい（請求項６）。

基板処理装置が多段に積層配置されている基板処理システムでは、基板処理装置の筐体内で熱処理プレートの熱が下方へ伝達することを抑制できる。しかしながら、熱処理プレートの熱は上方へは伝わるので、上方の基板処理装置における昇降ピン駆動機構が悪影響を受ける恐れがある。そこで、各基板処理装置の上部に熱分離プレートを配置することで、そのような悪影響を抑制できる。

本発明に係る基板処理装置によれば、冷却ベースプレートにより熱分離されるので、熱処理プレートの熱が熱処理プレートより下方へ伝わることが抑制される。したがって、冷却ベースプレートの下方へ配置された昇降ピン駆動機構に熱処理プレートの熱が伝わることを抑制できる。その結果、熱処理プレートから下方へ大きく離間させることなく、筐体内に昇降ピン駆動機構を配置できるので、高さを抑制しつつも装置のフットプリントを抑制できる。また、冷却ベースプレートの下方へ配置されたシャッタ本体駆動機構に熱処理プレートの熱が伝わることを抑制できる。その結果、熱処理プレートから下方へ大きく離間させることなく、筐体内にシャッタ本体駆動機構を配置することができるので、高さを抑制しつつも装置のフットプリントを抑制できる。

実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す概略構成図である。 可動天板の平面図である。 昇降ピンの先端部付近を示す縦断面図である。 基板を搬入出する状態を示す縦断面図である。 基板を加熱する状態を示す縦断面図である。 昇降機構と駆動機構の取り付け方の他の例を示す縦断面図である。 基板処理装置を二台積層配置して構成された基板処理システムの概略構成図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。

図１は、実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す概略構成図であり、図２は、可動天板の平面図であり、図３は、昇降ピンの先端部付近を示す縦断面図である。

実施例に係る基板処理装置１は、基板Ｗに対して熱処理を施すものである。具体的には、微細加工プロセスのために、例えば、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成する際の熱処理を行う。この下層膜の生成のためには、３００～５００℃程度の高温で熱処理が行われる。

基板処理装置１は、下部ベースプレート３と、水冷式ベースプレート５と、熱処理プレート７と、可動天板ユニット９と、昇降ピンユニット１１と、筐体１３と、シャッタユニット１５とを備えている。

この基板処理装置１は、隣接して配置された搬送アーム１７から基板Ｗを搬入され、熱処理を施した後、処理済みの基板Ｗを搬送アーム１７によって搬出される。

下部ベースプレート３は、上面に支柱１９を立設され、その上部に水冷式ベースプレート５が配置されている。水冷式ベースプレート５は、熱処理プレート７の熱が下方へ伝達することを抑制する。具体的には、水冷式ベースプレート５は、例えば、内部に冷媒が流通可能な冷媒流路２１が全面にわたって形成されている。この冷媒流路２１には、例えば、冷媒として冷却水が流通される。この冷却水は、例えば、２０℃に温調されている。

なお、上記の水冷式ベースプレート５が本発明における「冷却ベースプレート」に相当する。

熱処理プレート７は、平面視で円形状を呈する。その直径は、基板Ｗの直径よりも若干大きい。熱処理プレート７は、図示しないヒータなどの加熱手段を内蔵しており、例えば、表面温度が４００℃になるように加熱される。熱処理プロレート７は、その下面と水冷式ベースプレート５の上面との間に設けられた４本の支柱２３により、水冷式ベースプレート５から上方へ離間した状態で配置されている。熱処理プレート７は、平面視で正三角形の各頂点に対応する位置に貫通口２５（図示の関係上、２箇所のみ示す）が形成されている。

熱処理プレート７には、可動天板ユニット９が付設されている。可動天板ユニット９は、昇降ベースプレート２７と、昇降機構２９と、制御機器３０と、支柱３１と、可動天板３３とを備えている。

昇降ベースプレート２７は、支柱２３や、後述する昇降ピン４１との干渉を回避する開口を備えている。昇降機構２９は、例えば、エアシリンダで構成されている。昇降機構２９は、作動軸を有する部分を上方に向けた姿勢で水冷式ベースプレート５に密着して、熱伝導する状態で直接的に取り付けられている。この昇降機構２９は、作動軸の先端部の高さが任意の位置で固定できる。昇降機構２９は、その作動軸が昇降ベースプレート２７の底面に連結されている。昇降機構２９の下方にあたる下部ベースプレート３の上面には、エアバルブや電磁弁などを備えた制御機器３０が配置されている。制御機器３０は、昇降機構２９に与えるエアの切り換え等によって直接的に操作する。制御機器３０により昇降機構２９の作動軸を昇降させると、昇降ベースプレート２７の高さ位置を可変することができる。昇降ベースプレート２７は、その上面に、例えば、４本の支柱３１が立設されている。４本の支柱３１の上端には、可動天板３３が取り付けられている。

図２に示すように、可動天板３３は、平面視で中央部に開口３５が形成されている。開口３５は、平面視で基板Ｗの直径よりも小さく形成されている。この可動天板３３は、昇降機構２９が作動することにより、昇降ベースプレート２７とともに昇降する。可動天板３３の昇降位置は、基板Ｗに熱処理を行う際の下降位置と、基板Ｗを搬入する際の上昇位置とにわたって移動される。なお、下降位置は、基板Ｗの上面と可動天板３３の下面との距離が約１０ｍｍであることが好ましい。これは、発明者等の実験により、基板Ｗの表面における温度分布の面内均一性を向上するには、この距離が好ましいことがわかったからである。

可動天板３３は、その対角長が、熱処理プレート７の直径よりも長く形成された矩形状を呈する。４本の支柱３１は、各々の上端が可動天板３３の下面における四隅に連結されている。可動天板３３の四隅は、熱源である平面視円形状の熱処理プレート７から遠い位置にあたる。したがって、熱処理プレート７の輻射熱により可動天板３３が加熱されても、支柱３１には熱が伝わりにくくできる。したがって、昇降機構２９が熱の影響を受けにくく、故障の発生を抑制できる。

上述した可動天板３３は、セラミックまたは金属とセラミックとの合金からなることが好ましい。これにより高温の熱処理を行っても、熱による変形を防止できる。

昇降ピンユニット１１は、駆動機構３７と、制御機器３８と、昇降リング３９と、３本の昇降ピン４１とを備えている。なお、昇降ピン４１は、図示の関係上、２本のみを描いている。

駆動機構３７は、例えば、エアシリンダで構成されている。駆動機構３７は、その作動軸を有する部分を下方に向け、反対側を水冷式ベースプレート５の下面に密着させ、熱伝導する状態で直接的に取り付けられている。作動軸の下部には、昇降リング３９が連結されている。昇降リング３９の上面には、３本の昇降ピン４１が立設されている。駆動機構３７は、エアバルブや電磁弁などを備えた制御機器３８によって直接的に操作される。駆動機構３７は、制御機器３８によりその作動軸の高さ位置を、３本の昇降ピン４１が熱処理プレート７の上面から上方に突出した受け渡し位置（図１中の二点鎖線）と、３本の昇降ピン４１が熱処理プレート７の上面から下方に没入した処理位置（図１中の実線）との二箇所にわたって調節可能である。３本の昇降ピン４１は、熱処理プレート７に形成されている３箇所の貫通口２５に挿通されている。

なお、上述した駆動機構３７及び制御機器３８が本発明における「昇降ピン駆動機構」に相当する。

昇降ピン４１は、図３に示すように構成されていることが好ましい。昇降ピン４１は、芯部４１ａと、外筒４１ｂと、石英ボール４１ｃとを備えている。芯部４１ａは、胴部４１ｄの上部にあたる先端部４１ｅが、胴部４１ｄよりも小径に形成されている。外筒４１ｂは、先端部以外が石英ボール４１ｃの外径より若干大きな内径に形成されている。外筒４１ｂの先端部は、石英ボール４１ｃの直径よりも小さな内径に形成されている。石英ボール４１ｃは、その直径が先端部４１ｅより若干小さく形成されている。したがって、石英ボール４１ｃを先端部４１ｅの上面に載置した状態で、外筒４１ｂを被せると、石英ボール４１ｃの１／３ほどが外筒４１ｂから突出した状態となる。この状態で、芯部４１ｄと外筒４１ｂとを貫通する貫通口４１ｆに係合ピン４１ｇを圧入することにより、外筒４１ｂを石英ボール４１ｃとともに芯部４１ａに固定して昇降ピン４１が構成される。なお、石英ボール４１ｃ以外の部材は金属製である。

高温環境に耐えうる材料としては石英が好適であるものの、強度やコストを考慮すると昇降ピン４１の全体を石英製とするのは困難である。そこで、上述したように先端部の石英ボール４１ｃだけを石英製とすることでコストを抑制できる。また、石英は、基板Ｗの材料である単結晶シリコンよりも高度が若干低いので、基板Ｗの下面を損傷する恐れが低く、その上、球状であるので接触面積を最小限とすることができる。

筐体１３は、熱処理プレート７の上方を覆って、熱処理プレート７による熱処理雰囲気を形成する。筐体１３は、その一方面に搬入出口４３が形成されている。搬入出口４３は、熱処理プレート７の上面付近の高さ位置から上に開口されている。搬送アーム１７は、この搬入出口４３を通して基板Ｗの搬入出を行う。

搬入出口４３には、シャッタユニット１５が付設されている。シャッタユニット１５は、駆動機構４５と、制御機器４６と、シャッタ本体４７とを備えている。駆動機構４５は、その作動軸の部分が上方に向けられた姿勢で、一部が水冷式ベースプレート５に密着され、熱伝導する状態で直接的に取り付けられている。作動軸の上部には、シャッタ本体４７が連結されている。駆動機構４５は、エアバルブや電磁弁などを備えた制御機器４６によって直接的に操作される。制御機器４６により、駆動機構４５が作動軸を伸長させると、シャッタ本体４７が上昇されて搬入出口４３が閉塞され（図１に示す実線）、駆動機構４５が作動軸を収縮させると、シャッタ本体４７が下降されて搬入出口４３が開放される（図１に示す二点鎖線）。

なお、上述した駆動機構４５及び制御機器４６が本発明における「シャッタ本体駆動機構」に相当する。

筐体１３は、その天井面に排気口４９が形成されている。排気口４９は、排気管５１に連通接続されている。筐体１３の排気口４９と、熱処理プレート７の上面との間隔は、例えば、３０ｍｍ程度である。排気管５１は、図示しない排気設備に連通接続されている。排気管５１の一部には、圧力センサ５３が配置されている。この圧力センサ５３は、排気管５１内の排気圧力を検出する。

筐体１３は、排気管５１の上面に沿ってシーズヒータ５５が設けられている。このシーズヒータ５５は、筐体１３や排気管５１を加熱し、昇華物を含む気体が筐体１３に触れた際に、気体が冷却されて昇華物が筐体１３の内壁に付着することを防止する。

制御部６１は、図示しないＣＰＵやメモリから構成されている。制御部６１は、熱処理プレート７の温度制御、制御機器３０を操作することによる可動天板ユニット９の昇降制御、制御機器３８を操作することによる昇降ピンユニット１１の駆動制御、制御機器４６を操作することによるシャッタユニット１５の開閉制御、シーズヒータ５５の温度制御、圧力センサ５３に基づく排気制御やメンテナンス指示などを行う。また、制御部６１は、可動天板ユニット９の昇降制御における下降位置を基板Ｗに応じて種々に操作できる。例えば、基板Ｗごとの処理条件や手順を規定したレシピに可動天板３３の下降位置を規定するようにしておき、図示しない指示部を操作して、基板Ｗの表面からの可動天板３３の距離に相当するパラメータを予めレシピに指示しておく。制御部６１は、例えば、基板Ｗを処理するにあたり、装置オペレータによって指示された基板Ｗに応じたレシピを参照して、そのパラメータに応じて昇降機構２９を操作する。これにより、基板Ｗごとに可動天板３３の下降位置を調整することができる。

次に、図４及び図５を参照して、上述した構成の基板処理装置による基板Ｗの処理について説明する。なお、図４は、基板を搬入出する状態を示す縦断面図であり、図５は、基板を加熱する状態を示す縦断面図である。

まず、図４に示すように、制御部６１は、可動天板ユニット９を操作して、可動天板３３を上昇位置に移動させる。さらに、制御部６１は、昇降ピンユニット１１を操作して、３本の昇降ピン４１を受け渡し位置に上昇させる。これらの操作とともに、制御部６１は、シャッタユニット１５を操作して、搬入出口４３を開放させる。

そして、制御部６１は、搬送アーム１７を、受け渡し位置より高く、かつ、上昇位置の可動天板の下面より低い位置にした状態で、搬入出口４３から進入させ、熱処理プレート７の上方で搬送アーム１７を下降させる。これにより、基板Ｗが受け渡し位置にある昇降ピン４１に渡される。そして、搬送アーム１７を搬入出口４３から退出させるとともに、シャッタユニット１５を操作して、搬入出口４３を閉塞させる。

次いで、図５に示すように、制御部６１は、昇降ピンユニット１１を操作して、３本の昇降ピン４１を処理位置に下降させる。これにより基板Ｗに対して４００℃による加熱処理が行われる。制御部６１は、レシピを参照し、規定された加熱時間にわたって加熱処理を行わせる。

制御部６１は、所定の加熱時間が経過すると、可動天板ユニット９及び昇降ピンユニット１１を操作して、可動天板３３を上昇位置に上昇させるとともに、昇降ピン４１を受け渡し位置に上昇させる。次いで、制御部６１は、シャッタユニット１５を操作して、搬入出口４３を開放させる。さらに、制御部６１は、搬送アーム１７を、受け渡し位置より下方、かつ、熱処理プレート７の上面より上方の高さから搬入出口４３に進入させる。そして、搬送アーム１７を受け渡し位置より高く、かつ、可動天板３３の下面より低い位置に上昇させることで、処理済みの基板Ｗを搬送アーム１７が昇降ピン４１から受け取る。次いで、搬送アーム１７を搬入出口４３から退出させることにより、処理済みの基板Ｗを搬出させる。

上記一連の動作により一枚の基板Ｗに対する熱処理が完了するが、新たな基板Ｗを処理する際には、制御部６１は、例えば、装置オペレータによって指示されたレシピを参照し、可動天板ユニット９による可動天板３３の上昇位置をレシピに指示されたものとすることができる。

本実施例によると、水冷式ベースプレート５により熱分離されるので、熱処理プレート７の熱が熱処理プレート７より下方へ伝わることが抑制される。したがって、水冷式ベースプレート５の下方へ配置された昇降機構２９、駆動機構３７，４５及び制御機器３０，３８，４６に熱処理プレート７の熱が伝わることを抑制できる。その結果、熱処理プレート７から下方へ大きく離間させることなく、筐体１３内に昇降機構２９、駆動機構３７，４５及び制御機器３０，３８，４６を配置できるので、高さを抑制しつつも基板処理装置１のフットプリントを抑制できる。

さらに、４本の支柱２３により、水冷式ベースプレート５から熱処理プレート７の下面が離間した状態で熱処理プレート７が取り付けられる。したがって、熱処理プレート７からの熱伝導による伝熱は、４本の支柱２３からだけとすることができる。その結果、熱伝導による水冷式ベースプレート５の昇温を抑制できるので、水冷式ベースプレート５による熱分離の度合いを大きくできる。

また、昇降機構２９と、駆動機構３７と、駆動機構４５とは、水冷式ベースプレート５に上面の全体または一部が熱伝導するように密着して配置されているので、昇降機構２９と、駆動機構３７と、駆動機構４５とが冷却され、熱の影響により故障することを防止できる。したがって、基板処理装置１の稼働率を向上できる。

＜変形例＞

上述した基板処理装置１に代えて基板処理装置１Ａのように構成してもよい。ここで、図６を参照する。なお、図６は、昇降機構と駆動機構の取り付け方の他の例を示す縦断面図である。

この基板処理装置１Ａは、昇降機構２９と、駆動機構３７，４５の水冷式ベースプレート５に対する取り付け方が相違する。

昇降機構２９と、駆動機構３７，４５は、それらの上面と、水冷式ベースプレート５の下面との間に、取り付けプレート７１を介在されている。この取り付けプレート７１は、熱伝導性を有する材料（熱伝導部材）で構成されている。具体的には、例えば、ステンレス鋼板、アルミニウム、銅などが挙げられる。

このような基板処理装置１Ａによると、昇降機構２９と、駆動機構３７，４５の冷却ベースプレート５への取り付け方として種々の態様をとることができ、取付の自由度を向上できる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、可動天板３３を備えているが、本発明は可動天板３３を必須の構成とするものではない。

（２）上述した実施例では、可動天板ユニット９の昇降機構２９と、昇降ピンユニット１１の駆動機構３７と、シャッタユニット１５の駆動機構４５を水冷式ベースプレート５に密着あるいは熱伝導部材を介して取り付けているが、本発明はこのような配置に限定されない。例えば、水冷式ベースプレート５から下方に離間させて配置するようにしてもよい。このような構成であっても、従来よりも下方に大きく離間させる必要がなく、装置の高さが高くなり過ぎることがない。

（３）上述した実施例では、１つの基板処理装置１，１Ａを例にとって説明したが、本発明は、上述した基板処理装置１，１Ａを多段に積層配置して構成された基板処理システムにも適用できる。ここで、図７を参照する。なお、図７は、基板処理装置を二台積層配置して構成された基板処理システムの概略構成図である。

この基板処理システム８１は、上述した基板処理装置１（１Ａ）を二台積層配置して構成されている。各基板処理装置１（１Ａ）は、ユニット筐体８３によって各基板処理装置１（１Ａ）が配置されている二階建ての空間が区分けされている。熱分離プレート８５は、例えば、ステンレス鋼板からなる配管８７が内部あるいは上下面の一方面に付設されている。配管８７には、例えば、冷却水などの冷媒が流通される。熱分離プレート８５は、熱処理プレート７からの距離が離れているので、水冷式ベースプレート５に比較して冷却性能は弱くてもよい。この熱分離プレート８５は、基板処理装置１（１Ａ）が配置された空間内における天井面に取り付けられている。熱分離プレート８５は、基板処理装置１（１Ａ）の熱処理プレート７で生じた熱が上方へ伝わることを抑制する。したがって、下部の基板処理装置１（１Ａ）の熱が上部の基板処理装置１（１Ａ）に下方から伝達し、上部の基板処理装置１（１Ａ）の昇降機構２９、制御機器３０、駆動機構３７，４５、制御機器３８，４６が加熱されることを抑制できる。したがって、基板処理システムのフットプリントを抑制できるとともに、嵩が大きくなることを抑制できる。また、基板処理システム８１のユニット筐体８３の最上面が加熱されることを抑制できるので、クリーンルームの天井面とのクリアランスを狭くでき、基板処理システムの配置の自由度を高くできる。

（４）上述した実施例では、冷却ベースプレートとして水冷式ベースプレート５を採用しているが、本発明は冷却ベースプレートとしてこのような構成に限定されない。例えば、水以外の冷媒を冷媒流路に流通させるものであってもよい。また、例えば、冷却作用を生じさせるように通電したペルチェ素子を備えた電子冷却式ベースプレートを採用してもよい。

（５）上述した実施例では、昇降機構２９、駆動機構３７，４５がエアシリンダで構成されているとしたが、本発明はこのような構成に限定されない。つまり、昇降機構２９、駆動機構３７，４５として、エアシリンダに代えてモータを採用してもよい。

１，１Ａ … 基板処理装置
Ｗ … 基板
３ … 下部ベースプレート
５ … 水冷式ベースプレート
７ … 熱処理プレート
９ … 可動天板ユニット
１１ … 昇降ピンユニット
１３ … 筐体
１５ … シャッタユニット
２９ … 昇降機構
３０，３８，４６ … 制御機器
３３ … 可動天板
３５ … 開口
３７ … 駆動機構
４１ … 昇降ピン
４３ … 搬入出口
４７ … シャッタ本体
５１ … 排気管
６１ … 制御部
７１ … 取り付けプレート
８１ … 基板処理システム
８５ … 熱分離プレート

Claims (6)

1. 基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、
   基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、
   基板を受け渡すための昇降ピンと、
   前記熱処理プレートの上面に対して前記昇降ピンを昇降させる昇降ピン駆動機構と、
   前記熱処理プレートの周囲を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、
   前記熱処理プレートが上部に配置され、前記熱処理プレートの熱が下方へ伝わることを抑制する冷却ベースプレートと、
   を備え、
   前記昇降ピン駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下方に配置され、
   前記筐体は、基板を搬入出する搬入出口を備えているとともに、
   前記搬入出口を開閉するシャッタ本体と、
   前記シャッタ本体を駆動するシャッタ本体駆動機構と、
   をさらに備え、
   前記シャッタ本体駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記昇降ピン駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下面に、前記冷却ベースプレートとの間で熱伝導する状態で取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記シャッタ本体駆動機構は、前記冷却ベースプレートの下面に前記冷却ベースプレートとの間で熱伝導する状態で取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記冷却ベースプレートは、冷媒が流通する冷媒流路が全体にわたって形成されていることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記熱処理プレートの下面と、前記冷却ベースプレートの上面との間に配置された複数本の支柱をさらに備え、
   前記熱処理プレートは、前記複数本の支柱で前記冷却ベースプレートに取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置が多段に積層配置されて構成された基板処理システムにおいて、
   前記各基板処理装置は、その上部に、熱が上方へ伝わることを抑制する熱分離プレートを備えていることを特徴とする基板処理システム。

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