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JP7122822B2 - Laser processing equipment - Google Patents
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Description

本発明は、レーザー加工装置、およびレーザー加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method.

半導体ウエハなどの基板の主表面は格子状に形成された複数のストリートで区画され、区画される各領域には予め素子、回路、端子などが形成される。格子状に形成された複数のストリートに沿って基板を分割することで、チップが得られる。基板の分割には、例えばレーザー加工装置などが用いられる。 A main surface of a substrate such as a semiconductor wafer is partitioned by a plurality of streets formed in a grid pattern, and elements, circuits, terminals, etc. are formed in advance in each partitioned region. Chips are obtained by dividing the substrate along a plurality of streets formed in a grid pattern. For example, a laser processing device or the like is used to divide the substrate.

特許文献1のレーザー加工装置は、1個のレーザー発振器を用いて2枚の基板に同時にレーザー加工を施すため、レーザー発振器によって発振されたレーザー光線を分光するビームスプリッタを有する。ビームスプリッタよりも高価なレーザー発振器を2個用いる場合に比べて、レーザー加工装置の製造コストを削減できる。 The laser processing apparatus of Patent Document 1 has a beam splitter that splits the laser beams oscillated by the laser oscillator in order to simultaneously perform laser processing on two substrates using one laser oscillator. Compared to using two laser oscillators, which are more expensive than the beam splitter, the manufacturing cost of the laser processing apparatus can be reduced.

特開2008-110383号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-110383

様々な目的で、レーザー発振器の作動中に形成されるレーザー光線の経路を変更することがある。この場合にレーザー発振器を移動させようとすると、レーザー発振器が重くイナーシャが大きいため、高速移動が困難であり、また、移動および停止の繰り返しによって生じる振動が大きくなってしまう。 Various purposes may be used to modify the path of the laser beam formed during operation of the laser oscillator. In this case, if the laser oscillator is to be moved, it is difficult to move at high speed because the laser oscillator is heavy and has a large inertia.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、レーザー発振器の作動中に形成されるレーザー光線の経路を変更する場合に、その変更のための動作を高速化でき、且つ振動の発生を抑制できる、レーザー加工装置の提供を主な目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and when changing the path of a laser beam formed during the operation of a laser oscillator, it is possible to speed up the operation for the change and to suppress the occurrence of vibration. The main purpose is to provide a laser processing device that can

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
基板を保持する基板保持部、前記基板保持部の基板保持面に対し平行な方向に前記基板保持部を移動させる駆動部、および前記駆動部を支持するベース部を含む移動ユニットを複数有し、
レーザー光線を発振するレーザー発振器、前記レーザー発振器を固定するレーザー発振器支持フレーム、前記基板保持部で保持されている前記基板に前記レーザー光線を集光照射する集光照射部、および前記基板保持部の前記基板保持面に対し平行な水平方向であるY方向に前記集光照射部を移動させる光学系駆動部を有し、
前記光学系駆動部は、鉛直方向であるZ方向に延びるZ軸ガイドと、前記Z軸ガイドに沿って移動されるZ軸スライダとを含み、
前記集光照射部は、前記Z軸スライダに固定され
複数の前記移動ユニットが離間して設置される、レーザー加工装置が提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
a plurality of moving units each including a substrate holding part for holding a substrate, a driving part for moving the substrate holding part in a direction parallel to the substrate holding surface of the substrate holding part, and a base part for supporting the driving part;
A laser oscillator that oscillates a laser beam, a laser oscillator support frame that fixes the laser oscillator, a condensing irradiation unit that condenses and irradiates the laser beam onto the substrate held by the substrate holding unit, and the substrate of the substrate holding unit. an optical system driving unit for moving the condensing irradiation unit in the Y direction, which is a horizontal direction parallel to the holding surface;
The optical system driving unit includes a Z-axis guide extending in the Z direction, which is a vertical direction, and a Z-axis slider that moves along the Z-axis guide,
The condensed light irradiation unit is fixed to the Z-axis slider ,
A laser processing apparatus is provided in which a plurality of the moving units are spaced apart .

本発明の一態様によれば、レーザー発振器の作動中に形成されるレーザー光線の経路を変更する場合に、その変更のための動作を高速化でき、且つ振動の発生を抑制できる、レーザー加工装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a laser processing apparatus capable of speeding up the operation for changing and suppressing the occurrence of vibration when changing the path of a laser beam formed during operation of a laser oscillator. provided.

図1は、一実施形態による基板処理システムによる処理前の基板を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a substrate before processing by a substrate processing system according to one embodiment. 図2は、一実施形態による基板処理システムを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view of a substrate processing system according to one embodiment. 図3は、一実施形態による基板処理方法のフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of a substrate processing method according to one embodiment. 図4は、一実施形態によるレーザー加工部を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a laser processing part according to one embodiment. 図5は、一実施形態によるレーザー加工部を示す正面図である。FIG. 5 is a front view showing a laser processing section according to one embodiment. 図6は、一実施形態によるレーザー加工部を示す背面図である。FIG. 6 is a rear view showing a laser processing section according to one embodiment. 図7は、一実施形態による制御部の構成要素を機能ブロックで示す図である。FIG. 7 is a diagram showing functional blocks of components of a control unit according to an embodiment. 図8は、一実施形態によるレーザー加工方法を説明するためのタイムチャートである。FIG. 8 is a time chart for explaining the laser processing method according to one embodiment. 図9は、一実施形態による防振部を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an anti-vibration unit according to one embodiment.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。以下の説明において、X方向、Y方向、Z方向は互いに垂直な方向であり、X方向およびY方向は水平方向、Z方向は鉛直方向である。鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向とも呼ぶ。本明細書において、下方とは鉛直方向下方を意味し、上方とは鉛直方向上方を意味する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding configurations are denoted by the same or corresponding reference numerals, and description thereof is omitted. In the following description, the X, Y, and Z directions are directions perpendicular to each other, the X and Y directions are horizontal directions, and the Z direction is vertical direction. The direction of rotation about the vertical axis is also called the θ direction. As used herein, downward means vertically downward, and upward means vertically upward.

図1は、一実施形態による基板処理システムによる処理前の基板を示す斜視図である。基板10は、例えば半導体基板、サファイア基板などである。基板10の第1主表面11は格子状に形成された複数のストリートで区画され、区画される各領域には予め素子、回路、端子などが形成される。格子状に形成された複数のストリートに沿って基板10を分割することで、チップが得られる。分割予定線13は、ストリート上に設定される。 FIG. 1 is a perspective view showing a substrate before processing by a substrate processing system according to one embodiment. The substrate 10 is, for example, a semiconductor substrate, a sapphire substrate, or the like. The first main surface 11 of the substrate 10 is partitioned by a plurality of streets formed in a grid pattern, and elements, circuits, terminals, etc. are formed in advance in each of the partitioned regions. Chips are obtained by dividing the substrate 10 along a plurality of grid-shaped streets. The planned dividing line 13 is set on the street.

基板10の第1主表面11には、不図示の保護テープが貼合される。保護テープは、レーザー加工や薄板化などの加工が行われる間、基板10の第1主表面11を保護して、第1主表面11に予め形成された素子、回路、端子などを保護する。保護テープは、基板10の第1主表面11の全体を覆う。 A protective tape (not shown) is attached to the first main surface 11 of the substrate 10 . The protective tape protects the first main surface 11 of the substrate 10 during processing such as laser processing and thinning, and protects the elements, circuits, terminals, etc. previously formed on the first main surface 11 . The masking tape covers the entire first major surface 11 of the substrate 10 .

保護テープは、シート基材と、シート基材の表面に塗布された粘着剤とで構成される。その粘着剤は、紫外線を照射すると硬化して、粘着力を低下するものであってよい。粘着力の低下後に、剥離操作によって簡単に保護テープを基板10から剥離できる。 The protective tape is composed of a sheet base material and an adhesive applied to the surface of the sheet base material. The adhesive may be one that cures when irradiated with ultraviolet rays to reduce adhesive strength. After the adhesive strength is lowered, the protective tape can be easily peeled off from the substrate 10 by a peeling operation.

保護テープは、リング状のフレームの開口部を覆うようにフレームに装着され、フレームの開口部において基板10と貼合されてもよい。この場合、フレームを保持して基板10を搬送でき、基板10のハンドリング性を向上できる。 The protective tape may be attached to the frame so as to cover the opening of the ring-shaped frame, and bonded to the substrate 10 at the opening of the frame. In this case, the substrate 10 can be transported while holding the frame, and the handleability of the substrate 10 can be improved.

図2は、一実施形態による基板処理システムを示す平面図である。図2において、搬入カセット35および搬出カセット45を破断して、搬入カセット35の内部および搬出カセット45の内部を図示する。 FIG. 2 is a plan view of a substrate processing system according to one embodiment. In FIG. 2 , the loading cassette 35 and the unloading cassette 45 are broken to show the inside of the loading cassette 35 and the unloading cassette 45 .

基板処理システム1は、基板10のレーザー加工、基板10の薄板化などの各種の処理を行う。基板処理システム1は、制御部20と、搬入部30と、搬出部40と、搬送路50と、搬送部58と、各種の処理部とを備える。処理部としては、特に限定されないが、例えば、レーザー加工部100および薄板化部200が設けられる。 The substrate processing system 1 performs various types of processing such as laser processing of the substrate 10 and thinning of the substrate 10 . The substrate processing system 1 includes a control section 20, a loading section 30, a carrying out section 40, a transport path 50, a transport section 58, and various processing sections. Although the processing section is not particularly limited, for example, a laser processing section 100 and a thinning section 200 are provided.

制御部20は、例えばコンピュータで構成され、図2に示すようにCPU(Central Processing Unit)21と、メモリなどの記憶媒体22と、入力インターフェース23と、出力インターフェース24とを有する。制御部20は、記憶媒体22に記憶されたプログラムをCPU21に実行させることにより、各種の制御を行う。また、制御部20は、入力インターフェース23で外部からの信号を受信し、出力インターフェース24で外部に信号を送信する。 The control unit 20 is configured by, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 21, a storage medium 22 such as a memory, an input interface 23, and an output interface 24, as shown in FIG. The control unit 20 performs various controls by causing the CPU 21 to execute programs stored in the storage medium 22 . The control unit 20 also receives signals from the outside through the input interface 23 and transmits signals outside through the output interface 24 .

制御部20のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。 A program for the control unit 20 is stored in an information storage medium and installed from the information storage medium. Examples of information storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards. Note that the program may be downloaded from a server via the Internet and installed.

搬入部30は、搬入カセット35が外部から搬入されるものである。搬入部30は、搬入カセット35が載置される載置板31を備える。載置板31は、Y方向に一列に複数設けられる。尚、載置板31の個数は、図示のものに限定されない。搬入カセット35は、処理前の基板10をZ方向に間隔をおいて複数収納する。 The carry-in section 30 receives a carry-in cassette 35 from the outside. The carry-in section 30 includes a mounting plate 31 on which a carry-in cassette 35 is placed. A plurality of mounting plates 31 are provided in a row in the Y direction. The number of mounting plates 31 is not limited to that illustrated. The carry-in cassette 35 accommodates a plurality of substrates 10 before processing at intervals in the Z direction.

搬入カセット35は、保護テープの捲れなどの変形を抑制するため、保護テープを上に向けて基板10を水平に収納してよい。搬入カセット35から取り出された基板10は、上下反転されたうえで、レーザー加工部100などの処理部に搬送される。 In order to suppress deformation such as curling of the protective tape, the carry-in cassette 35 may store the substrate 10 horizontally with the protective tape facing upward. The substrate 10 taken out from the carry-in cassette 35 is turned upside down and then transported to a processing section such as the laser processing section 100 .

搬出部40は、搬出カセット45が外部に搬出されるものである。搬出部40は、搬出カセット45が載置される載置板41を備える。載置板41は、Y方向に一列に複数設けられる。尚、載置板41の個数は、図示のものに限定されない。搬出カセット45は、処理後の基板10をZ方向に間隔をおいて複数収納する。 The unloading section 40 is for unloading the unloading cassette 45 to the outside. The unloading section 40 includes a mounting plate 41 on which the unloading cassette 45 is mounted. A plurality of mounting plates 41 are provided in a row in the Y direction. The number of mounting plates 41 is not limited to that illustrated. The unloading cassette 45 accommodates a plurality of substrates 10 after processing at intervals in the Z direction.

搬送路50は、搬送部58が搬入部30、搬出部40および複数の処理部に対し基板10を搬送する通路であり、例えばY方向に延びている。搬送路50にはY方向に延びるY軸ガイド51が設けられ、Y軸ガイド51に沿ってY軸スライダ52が移動自在とされる。 The transport path 50 is a path through which the transport section 58 transports the substrate 10 to the loading section 30, the unloading section 40, and a plurality of processing sections, and extends in the Y direction, for example. A Y-axis guide 51 extending in the Y direction is provided in the transport path 50 , and a Y-axis slider 52 is movable along the Y-axis guide 51 .

搬送部58は、基板10を保持すると共に搬送路50に沿って移動し、基板10を搬送する。搬送部58はフレームを介して基板10を保持してもよい。搬送部58は、基板10を真空吸着するが、静電吸着してもよい。搬送部58は、搬送基体としてのY軸スライダ52などを含み、Y方向に沿って移動する。搬送部58は、Y方向のみならず、X方向、Z方向およびθ方向にも移動可能とされる。 The transport unit 58 holds the substrate 10 and moves along the transport path 50 to transport the substrate 10 . The transport section 58 may hold the substrate 10 via a frame. The transport unit 58 vacuum-sucks the substrate 10, but may also hold the substrate 10 electrostatically. The transport unit 58 includes a Y-axis slider 52 as a transport base and moves along the Y direction. The transport unit 58 is movable not only in the Y direction, but also in the X direction, Z direction and θ direction.

搬送部58は、基板10を保持する保持部を複数有してよい。複数の保持部は、Z方向に間隔をおいて並んで設けられる。複数の保持部は、基板10の処理段階に応じて、使い分けられてよい。 The transport section 58 may have a plurality of holding sections that hold the substrate 10 . The plurality of holding parts are arranged side by side at intervals in the Z direction. A plurality of holders may be used properly according to the processing stage of the substrate 10 .

搬入部30、搬出部40および複数の処理部は、鉛直方向視で搬送路50に隣接して設けられる。例えば、搬送路50の長手方向はY方向とされる。搬送路50のX方向片側(図2において左側、以下、「前側」とも呼ぶ。)に、搬入部30と搬出部40が隣接して設けられる。また、搬送路50のX方向反対側(図2において右側、以下、「後側」とも呼ぶ。)に、レーザー加工部100および薄板化部200が隣接して設けられる。 The carrying-in section 30, the carrying-out section 40, and the plurality of processing sections are provided adjacent to the transport path 50 when viewed in the vertical direction. For example, the longitudinal direction of the transport path 50 is the Y direction. A carry-in section 30 and a carry-out section 40 are provided adjacently on one side of the transport path 50 in the X direction (the left side in FIG. 2, hereinafter also referred to as the “front side”). On the other side of the transport path 50 in the X direction (on the right side in FIG. 2, hereinafter also referred to as "rear side"), the laser processing section 100 and the thinning section 200 are provided adjacently.

尚、処理部の配置や個数は、図2に示す配置や個数に限定されず、任意に選択可能である。また、複数の処理部は、任意の単位で、分散または統合して配置してもよい。以下、各処理部について説明する。 The arrangement and number of processing units are not limited to the arrangement and number shown in FIG. 2, and can be arbitrarily selected. Moreover, a plurality of processing units may be distributed or integrated in arbitrary units. Each processing unit will be described below.

レーザー加工部100は、基板10のレーザー加工を行う。例えば、レーザー加工部100は、基板10を複数のチップに分割するためのレーザー加工(所謂、レーザーダイシング)を行う。このレーザー加工では、基板10を分割してもよいし、基板10に分割の起点を形成してもよい。 The laser processing unit 100 performs laser processing on the substrate 10 . For example, the laser processing unit 100 performs laser processing (so-called laser dicing) for dividing the substrate 10 into a plurality of chips. In this laser processing, the substrate 10 may be divided, or the starting point of the division may be formed in the substrate 10 .

レーザー加工部100は、分割予定線13(図1参照)の一点にレーザー光線を照射し、その照射点を分割予定線13上で移動させることにより、基板10のレーザー加工を行う。基板10のレーザー加工では、基板10の内部に破断の起点となる改質層を形成してもよいし、基板10のレーザー照射面にレーザー加工溝を形成してもよい。レーザー加工溝は、基板10を板厚方向に貫通してもよいし貫通しなくてもよい。 The laser processing unit 100 performs laser processing on the substrate 10 by irradiating a laser beam to one point on the planned division line 13 (see FIG. 1) and moving the irradiation point on the planned division line 13 . In the laser processing of the substrate 10 , a modified layer that serves as a fracture starting point may be formed inside the substrate 10 , or a laser-processed groove may be formed in the laser-irradiated surface of the substrate 10 . The laser-processed groove may or may not penetrate the substrate 10 in the plate thickness direction.

基板10の内部に改質層を形成する場合、基板10に対し透過性を有するレーザー光線が用いられる。改質層は、例えば基板10の内部を局所的に溶融、固化させることにより形成される。一方、基板10のレーザー照射面にレーザー加工溝を形成する場合、基板10に対し吸収性を有するレーザー光線が用いられる。 When forming the modified layer inside the substrate 10, a laser beam having transparency to the substrate 10 is used. The modified layer is formed, for example, by locally melting and solidifying the inside of the substrate 10 . On the other hand, when forming laser-processed grooves on the laser-irradiated surface of the substrate 10, a laser beam having an absorptive property to the substrate 10 is used.

薄板化部200は、レーザー加工された基板10の保護テープで保護されている第1主表面11とは反対側の第2主表面12を加工することにより、基板10を薄板化する。レーザー加工部100で分割の起点を形成する場合、薄板化部200で基板10に加工応力が作用することにより、分割の起点から板厚方向にクラックが進展し、基板10が複数のチップに分割される。また、レーザー加工部100で基板10の内部に改質層を形成する場合、薄板化部200で基板10を薄板化することにより、改質層が除去される。 The thinning unit 200 thins the substrate 10 by processing the second main surface 12 opposite to the first main surface 11 protected by the protective tape of the laser-processed substrate 10 . When the starting point of division is formed by the laser processing part 100, the processing stress acts on the substrate 10 at the thinning part 200, so that a crack develops in the plate thickness direction from the starting point of division, and the substrate 10 is divided into a plurality of chips. be done. Further, when a modified layer is formed inside the substrate 10 by the laser processing unit 100 , the modified layer is removed by thinning the substrate 10 by the thinning unit 200 .

次に、上記構成の基板処理システム1を用いた基板処理方法について説明する。図3は、一実施形態による基板処理方法のフローチャートである。 Next, a substrate processing method using the substrate processing system 1 configured as described above will be described. FIG. 3 is a flowchart of a substrate processing method according to one embodiment.

図3に示すように基板処理方法は、搬入工程S101と、レーザー加工工程S102と、薄板化工程S103と、搬出工程S104とを有する。これらの工程は、制御部20による制御下で実施される。尚、これらの工程の順序は、図3に示す順序には限定されない。例えば、薄板化工程S103の後に、レーザー加工工程S102が行われてもよい。 As shown in FIG. 3, the substrate processing method includes a loading step S101, a laser processing step S102, a thinning step S103, and a carrying out step S104. These steps are performed under the control of the control unit 20 . The order of these steps is not limited to the order shown in FIG. For example, the laser processing step S102 may be performed after the thinning step S103.

搬入工程S101では、搬送部58が、搬入部30に置かれた搬入カセット35から基板10を取り出し、取出した基板10をレーザー加工部100に搬送する。 In the loading step S<b>101 , the transport unit 58 takes out the substrate 10 from the loading cassette 35 placed in the loading unit 30 and transports the substrate 10 taken out to the laser processing unit 100 .

レーザー加工工程S102では、レーザー加工部100が、基板10のレーザー加工を行う。基板10のレーザー加工が行われる間、基板10の第1主表面11は保護テープで保護される。レーザー加工部100においてレーザー加工された基板10は、搬送部58によって薄板化部200に搬送される。 In the laser processing step S<b>102 , the laser processing section 100 performs laser processing of the substrate 10 . The first major surface 11 of the substrate 10 is protected with a protective tape while the substrate 10 is laser processed. The substrate 10 laser-processed in the laser processing unit 100 is transported to the thinning unit 200 by the transport unit 58 .

薄板化工程S103では、薄板化部200が、基板10の第2主表面12を加工することにより、基板10を薄板化する。基板10の薄板化が行われる間、基板10の第1主表面11は保護テープで保護される。 In the thinning step S<b>103 , the thinning unit 200 thins the substrate 10 by processing the second main surface 12 of the substrate 10 . The first main surface 11 of the substrate 10 is protected with a protective tape while the substrate 10 is being thinned.

搬出工程S104では、搬送部58が、薄板化部200から搬出部40に基板10を搬送し、搬出部40において搬出カセット45の内部に基板10を収納する。搬出カセット45は、搬出部40から外部に搬出される。搬出カセット45と共に外部に搬出された基板10は、チップごとにピックアップされる。このようにして、チップが製造される。 In the unloading step S<b>104 , the transport unit 58 transports the substrate 10 from the thinning unit 200 to the unloading unit 40 , and stores the substrate 10 inside the unloading cassette 45 in the unloading unit 40 . The unloading cassette 45 is unloaded from the unloading section 40 to the outside. The substrate 10 carried outside together with the carry-out cassette 45 is picked up chip by chip. A chip is thus manufactured.

図4は、一実施形態によるレーザー加工部を示す平面図である。図4において、「101」は基板保持部111の可動領域である。図5は、一実施形態によるレーザー加工部を示す正面図である。図6は、一実施形態によるレーザー加工部を示す背面図である。本実施形態では、レーザー加工部100が特許請求の範囲に記載のレーザー加工装置に対応する。レーザー加工部100は、工場などの建物の床2(図5および図6参照)に設置される。 FIG. 4 is a plan view showing a laser processing part according to one embodiment. In FIG. 4, "101" is the movable area of the substrate holding part 111. As shown in FIG. FIG. 5 is a front view showing a laser processing section according to one embodiment. FIG. 6 is a rear view showing a laser processing section according to one embodiment. In this embodiment, the laser processing unit 100 corresponds to the laser processing apparatus described in the claims. The laser processing unit 100 is installed on the floor 2 (see FIGS. 5 and 6) of a building such as a factory.

レーザー加工部100は、移動ユニット110を間隔をおいて複数有する。複数の移動ユニット110は、例えばY方向に間隔をおいて設けられる。各移動ユニット110は、基板保持部111と、駆動部113と、ベース部119とを含む。 The laser processing unit 100 has a plurality of moving units 110 spaced apart. A plurality of moving units 110 are provided at intervals in the Y direction, for example. Each moving unit 110 includes a substrate holding portion 111 , a driving portion 113 and a base portion 119 .

基板保持部111は、基板10を保持する。例えば、基板保持部111は、基板10の第2主表面12(図1参照)を上に向けて、基板10を水平に保持する。基板保持部111としては、例えば真空チャックが用いられるが、静電チャックなどが用いられてもよい。 The substrate holding part 111 holds the substrate 10 . For example, the substrate holder 111 horizontally holds the substrate 10 with the second main surface 12 (see FIG. 1) of the substrate 10 facing upward. For example, a vacuum chuck is used as the substrate holding unit 111, but an electrostatic chuck or the like may be used.

駆動部113は、基板保持部111の基板保持面に対し平行な方向に、基板保持部111を床2に対し移動させる。例えば、駆動部113は、基板保持部111をX方向およびθ方向に移動させる。尚、駆動部113は、基板保持部111をY方向やZ方向にも移動させてもよい。基板保持部111を移動させる駆動源としては、例えばサーボモータ等が用いられる。サーボモータの回転運動は、ボールねじ等によって基板保持部111の直線運動に変換されてもよい。 The driving section 113 moves the substrate holding section 111 with respect to the floor 2 in a direction parallel to the substrate holding surface of the substrate holding section 111 . For example, the driving section 113 moves the substrate holding section 111 in the X direction and the θ direction. Note that the driving unit 113 may also move the substrate holding unit 111 in the Y direction and the Z direction. For example, a servomotor or the like is used as a drive source for moving the substrate holder 111 . The rotary motion of the servomotor may be converted into linear motion of the substrate holder 111 by a ball screw or the like.

駆動部113は、X方向に延びるX軸ガイド114と、X軸ガイド114に沿って移動されるX軸スライダ115とを有する。また、駆動部113は、θ方向に移動される回転板118を有する。 The drive unit 113 has an X-axis guide 114 extending in the X-direction and an X-axis slider 115 that moves along the X-axis guide 114 . Further, the drive unit 113 has a rotary plate 118 that is moved in the θ direction.

ベース部119は、駆動部113を支持する。例えば、ベース部119に対し、X軸ガイド114が固定される。X軸ガイド114に沿って移動されるX軸スライダ115には、回転板118が回転可能に設けられる。回転板118には、基板保持部111が固定される。 The base portion 119 supports the drive portion 113 . For example, the X-axis guide 114 is fixed to the base portion 119 . A rotary plate 118 is rotatably provided on the X-axis slider 115 that moves along the X-axis guide 114 . The substrate holder 111 is fixed to the rotating plate 118 .

レーザー加工部100は、移動ユニット110の他に、レーザー発振器支持フレーム130、レーザー発振器140、集光照射部141、光学系駆動部150およびアライメント部160などを有する。 In addition to the moving unit 110, the laser processing section 100 has a laser oscillator support frame 130, a laser oscillator 140, a condensing irradiation section 141, an optical system driving section 150, an alignment section 160, and the like.

レーザー発振器支持フレーム130(図6参照)は、床2に対しレーザー発振器140を固定する。レーザー発振器支持フレーム130は、例えば門型であって、床2に設置される複数本の支持柱132と、複数本の支持柱132に架け渡される支持梁133とを有する。支持梁133には、レーザー発振器140などが取り付けられる。支持梁133には、レーザー発振器140の他、集光照射部141、光学系駆動部150およびアライメント部160などが取り付けられてよい。 A laser oscillator support frame 130 (see FIG. 6) secures a laser oscillator 140 to the floor 2 . The laser oscillator support frame 130 is, for example, a portal type, and has a plurality of support columns 132 installed on the floor 2 and support beams 133 spanning the plurality of support columns 132 . A laser oscillator 140 and the like are attached to the support beam 133 . In addition to the laser oscillator 140 , the condensing irradiation unit 141 , the optical system driving unit 150 , the alignment unit 160 and the like may be attached to the support beam 133 .

レーザー発振器140(図6参照)は、レーザー光線を発振する。レーザー光線は、例えばレーザー発振器140から、集光照射部141を経由し、基板保持部111で保持されている基板10の分割予定線13(図1参照)の一点に集光照射される。レーザー光線の経路の途中には、レーザー光線の強度を調整するアッテネータなどが設けられてもよい。 A laser oscillator 140 (see FIG. 6) oscillates a laser beam. A laser beam, for example, is emitted from a laser oscillator 140 and condensed onto one point on the intended dividing line 13 (see FIG. 1) of the substrate 10 held by the substrate holding portion 111 via the condensed irradiation portion 141 . An attenuator or the like for adjusting the intensity of the laser beam may be provided along the path of the laser beam.

基板保持部111を床2に対しX方向に移動させると、基板10におけるレーザー光線の照射点がX方向に移動し、X方向に延びる加工跡が形成される。加工跡と分割予定線13とが一致するように、集光照射部141のY方向位置や基板保持部111のθ方向位置が予め制御される。 When the substrate holder 111 is moved in the X direction with respect to the floor 2, the irradiation point of the laser beam on the substrate 10 moves in the X direction, forming a machining mark extending in the X direction. The Y-direction position of the condensing irradiation unit 141 and the θ-direction position of the substrate holding unit 111 are controlled in advance so that the trace of processing and the planned dividing line 13 match.

その後、集光照射部141を床2に対しY方向に所定距離移動させ、予め定めたY方向位置に停止させたうえで、再び基板保持部111を床2に対しX方向に移動させる。これを繰り返すことで、X方向に延びる加工跡がY方向に間隔をおいて複数形成され、基板10に縞状の加工跡が形成される。 After that, the condensing irradiation unit 141 is moved by a predetermined distance in the Y direction with respect to the floor 2 and stopped at a predetermined position in the Y direction. By repeating this, a plurality of machining traces extending in the X direction are formed at intervals in the Y direction, and striped machining traces are formed on the substrate 10 .

尚、X方向に延びる加工跡は、点線状および直線状のいずれでもよい。点線状の加工跡は、パルス発振されたレーザー光線で形成される。直線状の加工跡は、連続波発振されたレーザー光線で形成される。 Note that the machining marks extending in the X direction may be either dotted lines or straight lines. The dotted trace is formed by a pulsed laser beam. A linear trace is formed by continuous wave oscillation of a laser beam.

その後、基板保持部111をθ方向に90°回転させたうえで、再び、X方向に延びる加工跡をY方向に間隔をおいて複数形成する。これにより、基板10に格子状の加工跡を形成できる。 Thereafter, after rotating the substrate holding part 111 by 90° in the θ direction, a plurality of machining traces extending in the X direction are again formed at intervals in the Y direction. As a result, a grid-shaped trace of processing can be formed on the substrate 10 .

集光照射部141(図6参照)は、基板保持部111で保持されている基板10に、レーザー光線を集光照射する。集光照射部141は、Y方向に移動可能にレーザー発振器支持フレーム130に取り付けられてよい。 The condensed light irradiation unit 141 (see FIG. 6) condensedly irradiates the substrate 10 held by the substrate holding unit 111 with a laser beam. The focused light irradiation unit 141 may be attached to the laser oscillator support frame 130 so as to be movable in the Y direction.

集光照射部141は、基板保持部111の上方に設けられ、基板10の上方から基板10にレーザー光線を集光照射する。集光照射部141は、例えばレンズなどで構成される。レンズの光軸の軸方向はZ方向とされる。集光照射部141は、焦点の高さ調整のため、Z方向に移動可能にレーザー発振器支持フレーム130に取り付けられてよい。 The condensed light irradiation unit 141 is provided above the substrate holding unit 111 and condensedly irradiates the substrate 10 with a laser beam from above the substrate 10 . The condensing irradiation unit 141 is configured by, for example, a lens. The axial direction of the optical axis of the lens is the Z direction. The condensed light irradiation unit 141 may be attached to the laser oscillator support frame 130 so as to be movable in the Z direction in order to adjust the focal height.

光学系駆動部150(図6参照)は、基板保持部111の基板保持面に対し平行な方向に、集光照射部141を床2に対し移動させる。例えば、光学系駆動部150は、集光照射部141をY方向に移動させる。集光照射部141を移動させる駆動源151としては、例えばサーボモータ等が用いられる。サーボモータの回転運動は、ボールねじ等の運動変換機構152によって集光照射部141の直線運動に変換されてよい。尚、光学系駆動部150は、集光照射部141を構成するレンズの焦点をZ方向に移動するため、集光照射部141をZ方向にも移動させてもよい。 The optical system driving section 150 (see FIG. 6) moves the condensing irradiation section 141 with respect to the floor 2 in a direction parallel to the substrate holding surface of the substrate holding section 111 . For example, the optical system driving section 150 moves the condensing irradiation section 141 in the Y direction. As the driving source 151 for moving the condensed irradiation unit 141, for example, a servo motor or the like is used. The rotary motion of the servomotor may be converted into the linear motion of the condensed irradiation unit 141 by a motion conversion mechanism 152 such as a ball screw. Note that the optical system drive unit 150 moves the focal point of the lens that constitutes the condensing irradiation unit 141 in the Z direction, so the condensing irradiation unit 141 may also be moved in the Z direction.

光学系駆動部150は、Y方向に延びるY軸ガイド153(図4参照)と、Y軸ガイド153に沿って移動されるY軸スライダ154とを有する。また、光学系駆動部150は、Z方向に延びるZ軸ガイド155と、Z軸ガイド155に沿って移動されるZ軸スライダ156とを有する。 The optical system drive unit 150 has a Y-axis guide 153 (see FIG. 4) extending in the Y direction and a Y-axis slider 154 that moves along the Y-axis guide 153 . The optical system driving section 150 also has a Z-axis guide 155 extending in the Z-direction and a Z-axis slider 156 that moves along the Z-axis guide 155 .

レーザー発振器支持フレーム130(詳細には例えば支持梁133)に対し、Y軸ガイド153が固定される。Y軸ガイド153に沿って移動されるY軸スライダ154には、Z軸ガイド155が固定される。Z軸ガイド155に沿って移動されるZ軸スライダ156には、集光照射部141が固定される。 A Y-axis guide 153 is fixed to the laser oscillator support frame 130 (specifically, the support beam 133, for example). A Z-axis guide 155 is fixed to the Y-axis slider 154 that moves along the Y-axis guide 153 . A condensing irradiation unit 141 is fixed to a Z-axis slider 156 that moves along a Z-axis guide 155 .

Y軸スライダ154には、Z軸ガイド155の他に、反射鏡157が取り付けられてよい。反射鏡157は、レーザー発振器140からのレーザー光線を、集光照射部141に向けて反射する。反射鏡157および集光照射部141は、Y軸スライダ154と共にY方向に移動する。 A reflecting mirror 157 may be attached to the Y-axis slider 154 in addition to the Z-axis guide 155 . The reflecting mirror 157 reflects the laser beam from the laser oscillator 140 toward the condensing irradiation section 141 . The reflecting mirror 157 and the condensing irradiation unit 141 move in the Y direction together with the Y-axis slider 154 .

本実施形態によれば、レーザー発振器140の作動中に形成されるレーザー光線の経路を変更する場合に、レーザー発振器140を床2に対し移動させずに、集光照射部141などを床2に対し移動させる。レーザー発振器140を床2に対し移動させる場合に比べてイナーシャを小さくできるため、経路の変更のための動作を高速化でき、且つ振動の発生を抑制できる。レーザー光線の経路の変更は、例えば、(1)レーザー加工処理に用いる移動ユニット110の切り替え、および(2)基板10における縞状の加工跡の形成のうち、少なくとも1つの目的で行われる。(1)レーザー加工処理に用いる移動ユニット110の切り替えとは、複数の移動ユニット110の中で、基板保持部111に保持されている基板10までレーザー光線の経路が形成される移動ユニット110を切り替えることを意味する。 According to this embodiment, when changing the path of the laser beam formed during the operation of the laser oscillator 140, the laser oscillator 140 is not moved with respect to the floor 2, and the converging irradiation unit 141 and the like are moved with respect to the floor 2. move. Compared to moving the laser oscillator 140 with respect to the floor 2, the inertia can be reduced, so the operation for changing the path can be speeded up, and the occurrence of vibration can be suppressed. The change of the path of the laser beam is performed for at least one purpose of, for example, (1) switching of the moving unit 110 used for laser processing and (2) formation of striped traces on the substrate 10 . (1) Switching of the moving unit 110 used for laser processing means switching of the moving unit 110 in which a laser beam path is formed to the substrate 10 held by the substrate holding part 111 among the plurality of moving units 110 . means

本実施形態によれば、集光照射部141を案内するY軸ガイド153は、図4に示すように、基板保持部111の基板保持面に対し垂直な方向(例えばZ方向)から見たとき、複数の移動ユニット110に亘って設けられる。これにより、上記(1)の目的(レーザー加工処理に用いる移動ユニット110の切り替え)を達成できる。 According to this embodiment, as shown in FIG. 4, the Y-axis guide 153 that guides the condensed irradiator 141 has a , are provided across a plurality of mobile units 110 . As a result, the above purpose (1) (switching of the moving unit 110 used for laser processing) can be achieved.

本実施形態によれば、集光照射部141を案内するY軸ガイド153は、図4に示すように、基板保持部111の基板保持面に対し垂直な方向(例えばZ方向)から見たとき、基板保持部111を案内するX軸ガイド114に対し、垂直に設けられる。上記(2)の目的(基板10における縞状の加工跡の形成)を達成するため、集光照射部141を床2に対しX方向およびY方向のどちらにも移動させずに基板保持部111を床2に対しX方向とY方向のどちらにも移動させる場合に比べて、基板保持部111の可動領域101(図4参照)を大幅(例えば半分程度)に縮小でき、レーザー加工部100の設置面積を低減できる。 According to this embodiment, as shown in FIG. 4, the Y-axis guide 153 that guides the condensed irradiator 141 has a , is provided perpendicular to the X-axis guide 114 that guides the substrate holding portion 111 . In order to achieve the above purpose (2) (formation of striped traces on the substrate 10), the substrate holder 111 is moved without moving the condensed irradiation unit 141 with respect to the floor 2 in either the X direction or the Y direction. is moved with respect to the floor 2 in both the X direction and the Y direction, the movable area 101 (see FIG. 4) of the substrate holding part 111 can be significantly reduced (for example, about half), and the laser processing part 100 Installation area can be reduced.

尚、集光照射部141を案内するY軸ガイド153は、Z方向から見たとき、基板保持部111を案内するX軸ガイド114に対し、本実施形態では垂直に設けられるが、斜めに設けられてもよい。後者の場合も、集光照射部141を床2に対しX方向およびY方向のどちらにも移動させずに基板保持部111を床2に対しX方向とY方向のどちらにも移動させる場合に比べて、基板保持部111の可動領域101を大幅に縮小でき、レーザー加工部100の設置面積を低減できる。 In this embodiment, the Y-axis guide 153 that guides the condensing irradiation unit 141 is provided perpendicular to the X-axis guide 114 that guides the substrate holding unit 111 when viewed from the Z direction, but is provided obliquely. may be In the latter case as well, when the substrate holding unit 111 is moved with respect to the floor 2 in both the X direction and the Y direction without moving the condensed irradiation unit 141 with respect to the floor 2 in both the X direction and the Y direction. In comparison, the movable area 101 of the substrate holding part 111 can be significantly reduced, and the installation area of the laser processing part 100 can be reduced.

レーザー加工部100の設置面積を低減するため、基板保持部111の移動方向と、集光照射部141の移動方向とは、基板保持部111の基板保持面に対し垂直な方向(例えばZ方向)から見たときに、互いに交わる方向とされる。但し、Z方向から見たときに、基板保持部111の移動方向は、集光照射部141の移動方向に交わる方向を含めばよく、集光照射部141の移動方向に平行な方向をさらに含んでもよい。 In order to reduce the installation area of the laser processing unit 100, the moving direction of the substrate holding unit 111 and the moving direction of the focused irradiation unit 141 are perpendicular to the substrate holding surface of the substrate holding unit 111 (for example, the Z direction). are the directions that intersect with each other when viewed from However, when viewed from the Z direction, the movement direction of the substrate holder 111 may include a direction intersecting the movement direction of the condensed irradiation unit 141, and further includes a direction parallel to the movement direction of the condensed irradiation unit 141. It's okay.

本実施形態によれば、図5および図6に示すように、レーザー発振器支持フレーム130と、各移動ユニット110とは、離間して床2に設置される。特定の移動ユニット110と共にレーザー発振器140が振動することを抑制でき、どの移動ユニット110を用いて基板10のレーザー加工処理を行っても、同程度の加工精度を得ることができる。 According to this embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the laser oscillator support frame 130 and each moving unit 110 are spaced apart from each other and installed on the floor 2 . Vibration of the laser oscillator 140 together with a specific moving unit 110 can be suppressed, and the same degree of processing accuracy can be obtained regardless of which moving unit 110 is used to perform the laser processing of the substrate 10 .

アライメント部160(図4および図5参照)は、基板保持部111で保持されている基板10の分割予定線13(図1参照)を検出する。基板10の分割予定線13は、基板10の第1主表面11に予め格子状に形成される複数のストリート上に設定される。アライメント部160は、Y方向に移動可能にレーザー発振器支持フレーム130に取り付けられてよい。 The alignment unit 160 (see FIGS. 4 and 5) detects the intended dividing line 13 (see FIG. 1) of the substrate 10 held by the substrate holding unit 111. As shown in FIG. The planned division lines 13 of the substrate 10 are set on a plurality of streets pre-formed in a grid pattern on the first main surface 11 of the substrate 10 . The alignment unit 160 may be attached to the laser oscillator support frame 130 so as to be movable in the Y direction.

アライメント部160は、例えば基板保持部111の上方に設けられ、基板保持部111に保持されている基板10の上方から基板10の下面(第1主表面11)に予め形成されたストリートを撮像する。アライメント部160は例えばカメラなどで構成される。カメラとしては、基板10を透過する赤外線像を撮像する赤外線カメラが用いられてよい。カメラの対物レンズの光軸の軸方向はZ方向とされてよい。アライメント部160は、焦点の高さ調整のため、Z方向に移動可能にレーザー発振器支持フレーム130に取り付けられてよい。 The alignment unit 160 is provided above the substrate holding unit 111, for example, and picks up an image of a street formed in advance on the lower surface (first main surface 11) of the substrate 10 from above the substrate 10 held by the substrate holding unit 111. . The alignment unit 160 is configured with, for example, a camera. As the camera, an infrared camera that captures an infrared image transmitted through the substrate 10 may be used. The axial direction of the optical axis of the objective lens of the camera may be the Z direction. The alignment section 160 may be mounted on the laser oscillator support frame 130 so as to be movable in the Z direction for focus height adjustment.

アライメント部160は、撮像した基板10の画像を、電気信号に変換して制御部20に送信する。制御部20は、受信した画像を画像処理することにより、基板10の分割予定線13の位置を検出する。その検出方法としては、基板10の第1主表面11に予め格子状に形成されるストリートのパターンと基準パターンとのマッチングを行う方法、基板10の外周上の複数の点から基板10の中心点と基板10の向きを求める方法などの公知の方法が用いられる。基板10の向きは、基板10の外周に形成されるノッチ19(図1参照)の位置などから検出される。ノッチ19の代わりに、オリエンテーションフラットが用いられてもよい。これにより、制御部20は、基板保持部111に固定される座標系での基板10の分割予定線13の位置を把握できる。尚、画像処理は、画像の撮像と平行して行われてもよいし、画像の撮像の後で行われてもよい。 The alignment section 160 converts the captured image of the substrate 10 into an electrical signal and transmits the electrical signal to the control section 20 . The control unit 20 detects the position of the planned dividing line 13 of the substrate 10 by image processing the received image. As a detection method thereof, there is a method of matching a grid-like pattern of streets formed in advance on the first main surface 11 of the substrate 10 with a reference pattern, and the orientation of the substrate 10 are used. The orientation of the substrate 10 is detected from the position of a notch 19 (see FIG. 1) formed on the outer circumference of the substrate 10, or the like. Orientation flats may be used instead of notches 19 . Thereby, the control unit 20 can grasp the position of the planned dividing line 13 of the substrate 10 in the coordinate system fixed to the substrate holding unit 111 . Note that the image processing may be performed in parallel with the imaging of the image, or may be performed after the imaging of the image.

アライメント部160は、コスト低減などのため、基板10のレーザー加工の結果を検出する検査部を兼ねてよい。レーザー加工の結果とは、例えばレーザー加工の異常の有無のことである。レーザー加工の異常の有無としては、例えば、レーザー光線の照射による基板10の加工跡と分割予定線13とのずれの有無、チッピングの有無などが挙げられる。検査部は、Y方向に移動可能にレーザー発振器支持フレーム130に取り付けられてよい。 The alignment unit 160 may also serve as an inspection unit that detects the results of laser processing of the substrate 10 for cost reduction or the like. The result of laser processing is, for example, the presence or absence of abnormality in laser processing. The presence or absence of an abnormality in laser processing includes, for example, the presence or absence of a shift between the traces of processing on the substrate 10 due to the irradiation of the laser beam and the planned dividing line 13, the presence or absence of chipping, and the like. The inspection unit may be attached to the laser oscillator support frame 130 so as to be movable in the Y direction.

検査部は、レーザー光線の照射による基板10の加工跡を撮像する。検査部は例えばカメラなどで構成される。カメラとしては、基板10の内部に改質層が形成される場合、基板10を透過する赤外線像を撮像する赤外線カメラが用いられてよい。カメラの対物レンズの光軸の軸方向はZ方向とされてよい。検査部は、焦点の高さ調整のため、Z方向に移動可能にレーザー発振器支持フレーム130に取り付けられてよい。 The inspection unit captures an image of a trace of processing on the substrate 10 due to the irradiation of the laser beam. The inspection unit is composed of, for example, a camera. As the camera, when a modified layer is formed inside the substrate 10, an infrared camera that captures an infrared image transmitted through the substrate 10 may be used. The axial direction of the optical axis of the objective lens of the camera may be the Z direction. The inspection portion may be mounted on the laser oscillator support frame 130 so as to be movable in the Z direction for focus height adjustment.

検査部は、撮像した基板10の画像を、電気信号に変換して制御部20に送信する。制御部20は、受信した画像を画像処理することにより、基板10のレーザー加工の結果を検出する。尚、画像処理は、画像の撮像と平行して行われてもよいし、画像の撮像の後で行われてもよい。 The inspection unit converts the captured image of the board 10 into an electrical signal and transmits the electrical signal to the control unit 20 . The control unit 20 detects the result of the laser processing of the substrate 10 by image processing the received image. Note that the image processing may be performed in parallel with the imaging of the image, or may be performed after the imaging of the image.

尚、アライメント部160は、本実施形態では検査部を兼ねるが、検査部を兼ねなくてもよい。つまり、アライメント部160と検査部とは、別々に設けられてもよい。その場合、検査部は、レーザー加工部100の一部として設けられてもよいし、レーザー加工部100の外部に設けられてもよい。また、アライメント部160の代わりに、検査部のみがレーザー加工部100の一部として設けられてもよい。この場合、レーザー加工部100の外部において分割予定線13の検出が行われる。 Although the alignment unit 160 also serves as the inspection unit in this embodiment, it may not also serve as the inspection unit. That is, the alignment section 160 and the inspection section may be provided separately. In that case, the inspection section may be provided as part of the laser processing section 100 or may be provided outside the laser processing section 100 . Also, instead of the alignment section 160 , only the inspection section may be provided as part of the laser processing section 100 . In this case, the planned dividing line 13 is detected outside the laser processing unit 100 .

本実施形態のレーザー加工部100は、平行ガイド163と、平行スライダ164とを有する。平行ガイド163は、基板保持部111の基板保持面に対し平行な方向(例えばY方向)に延びる。平行ガイド163は、例えばレーザー発振器支持フレーム130に対し固定される。平行スライダ164は、アライメント部160を保持すると共に平行ガイド163に沿って移動する。平行スライダ164は、例えば、後述の垂直ガイド165および垂直スライダ166を介して、アライメント部160を保持する。平行スライダ164を移動させる駆動源167としては、例えばサーボモータ等が用いられる。サーボモータの回転運動は、ボールねじ等の運動変換機構168によって平行スライダ164の直線運動に変換されてよい。 The laser processing unit 100 of this embodiment has a parallel guide 163 and a parallel slider 164 . The parallel guide 163 extends in a direction parallel to the substrate holding surface of the substrate holding part 111 (for example, Y direction). The parallel guide 163 is fixed relative to the laser oscillator support frame 130, for example. The parallel slider 164 holds the alignment section 160 and moves along the parallel guide 163 . The parallel slider 164 holds the alignment section 160 via, for example, a vertical guide 165 and a vertical slider 166 which will be described later. As the drive source 167 for moving the parallel slider 164, for example, a servomotor or the like is used. Rotational motion of the servomotor may be converted into linear motion of the parallel slider 164 by a motion conversion mechanism 168 such as a ball screw.

平行ガイド163は、図4に示すように、基板保持部111の基板保持面に対し垂直な方向(例えばZ方向)から見たときに、互いに離間して設置される複数の移動ユニット110に亘って設けられる。複数の移動ユニット110が一列に並ぶ方向と、平行ガイド163が平行スライダ164を案内する方向とは、一致してよい。 As shown in FIG. 4, the parallel guide 163 extends over a plurality of moving units 110 spaced apart from each other when viewed from a direction perpendicular to the substrate holding surface of the substrate holding part 111 (for example, the Z direction). provided. The direction in which the plurality of moving units 110 are arranged in a row may coincide with the direction in which the parallel guide 163 guides the parallel slider 164 .

本実施形態によれば、アライメント部160を案内する平行ガイド163が、Z方向視で複数の移動ユニット110に亘って設けられるため、各移動ユニット110の上方に予め設定されるアライメント位置にアライメント部160を移動できる。そのため、1個のアライメント部160を用いて複数の移動ユニット110のそれぞれで保持される基板10のアライメント処理を順番に行うことができ、アライメント部160の稼働率を向上できる。 According to this embodiment, the parallel guides 163 that guide the alignment section 160 are provided over the plurality of moving units 110 as viewed in the Z direction, so that the alignment section 160 is positioned at the alignment position preset above each moving unit 110 . 160 can be moved. Therefore, alignment processing of the substrates 10 held by each of the plurality of moving units 110 can be sequentially performed using one alignment unit 160, and the operating rate of the alignment unit 160 can be improved.

同様に、本実施形態によれば、検査部を案内する平行ガイド163が、Z方向視で複数の移動ユニット110に亘って設けられるため、各移動ユニット110の上方にあらかじめ設定される検査位置に検査部を移動できる。そのため、1個の検査部を用いて複数の移動ユニット110のそれぞれで保持される基板10の検査処理を順番に行うことができ、検査部の稼働率を向上できる。 Similarly, according to the present embodiment, since the parallel guide 163 for guiding the inspection section is provided over the plurality of moving units 110 when viewed in the Z direction, the inspection position set in advance above each moving unit 110 is provided. The inspection section can be moved. Therefore, the substrates 10 held by the plurality of moving units 110 can be sequentially inspected using one inspection unit, and the operation rate of the inspection unit can be improved.

尚、複数の移動ユニット110が一列に並ぶ方向と、平行ガイド163が平行スライダ164を案内する方向とは、本実施形態ではY方向であるが、X方向であってもよい。 In this embodiment, the direction in which the plurality of moving units 110 are aligned and the direction in which the parallel guide 163 guides the parallel slider 164 are the Y direction, but may be the X direction.

本実施形態のレーザー加工部100は、垂直ガイド165と、垂直スライダ166とを有する。垂直ガイド165は、基板保持部111の基板保持面に対し垂直な方向(例えばZ方向)に延びる。垂直ガイド165は、例えば平行スライダ164に対し固定され、平行スライダ164と共に移動する。垂直スライダ166は、アライメント部160を保持すると共に垂直ガイド165に沿って移動する。アライメント部160は、例えば垂直スライダ166に対し固定される。アライメント部160は本実施形態では検査部を兼ねるが、アライメント部160と検査部とは別々に設けられてよい。後者の場合、垂直スライダ166は、アライメント部160と検査部の両方を保持してもよい。 The laser processing unit 100 of this embodiment has a vertical guide 165 and a vertical slider 166 . The vertical guide 165 extends in a direction (for example, Z direction) perpendicular to the substrate holding surface of the substrate holding part 111 . The vertical guide 165 is for example fixed relative to the parallel slider 164 and moves with the parallel slider 164 . A vertical slider 166 holds the alignment portion 160 and moves along the vertical guide 165 . Alignment portion 160 is fixed relative to vertical slider 166, for example. Although the alignment section 160 also serves as the inspection section in this embodiment, the alignment section 160 and the inspection section may be provided separately. In the latter case, vertical slider 166 may hold both alignment portion 160 and inspection portion.

本実施形態によれば、垂直ガイド165に沿ってアライメント部160を移動でき、アライメント部160の焦点を調整できる。同様に、本実施形態によれば、垂直ガイド165に沿って検査部を移動でき、検査部の焦点を調整できる。 According to this embodiment, the alignment section 160 can be moved along the vertical guide 165 and the focus of the alignment section 160 can be adjusted. Similarly, according to this embodiment, the inspection part can be moved along the vertical guide 165 and the focus of the inspection part can be adjusted.

尚、レーザー発振器支持フレーム130に対し、平行ガイド163の代わりに、垂直ガイド165が固定されてもよい。この場合、垂直ガイド165に沿って移動する垂直スライダ166に対し、平行ガイド163が固定される。平行ガイド163に沿って移動する平行スライダ164に対し、アライメント部160が固定される。 A vertical guide 165 may be fixed to the laser oscillator support frame 130 instead of the parallel guide 163 . In this case, parallel guide 163 is fixed to vertical slider 166 that moves along vertical guide 165 . Alignment section 160 is fixed to parallel slider 164 that moves along parallel guide 163 .

図7は、一実施形態による制御部の構成要素を機能ブロックで示す図である。図7に図示される各機能ブロックは概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。各機能ブロックの全部または一部を、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することが可能である。各機能ブロックにて行われる各処理機能は、その全部または任意の一部が、CPUにて実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現されうる。制御部20は、図2ではレーザー加工部100とは別に設けられるが、レーザー加工部100の一部として設けられてよい。 FIG. 7 is a diagram showing functional blocks of components of a control unit according to an embodiment. Each functional block illustrated in FIG. 7 is conceptual and does not necessarily need to be physically configured as illustrated. All or part of each functional block can be functionally or physically distributed and integrated in arbitrary units. All or any part of each processing function performed by each functional block can be implemented by a program executed by a CPU, or by hardware using wired logic. Although the control unit 20 is provided separately from the laser processing unit 100 in FIG. 2 , it may be provided as a part of the laser processing unit 100 .

図7に示すように、制御部20は、受取処理部25、アライメント処理部26、レーザー加工処理部27、検査処理部28、搬出処理部29などを有する。受取処理部25は、搬送部58などを制御して、搬送部58から渡される基板10を基板保持部111で受け取って保持する受取処理を実行する。アライメント処理部26は、アライメント部160および駆動部113等を制御して、基板保持部111で保持されている基板10の分割予定線13を検出するアライメント処理を実行する。レーザー加工処理部27は、レーザー発振器140、光学系駆動部150および駆動部113等を制御して、基板保持部111で保持されている基板10の分割予定線13に沿って基板10をレーザー加工するレーザー加工処理を実行する。検査処理部28は、検査部および駆動部113等を制御して、基板保持部111で保持されている基板10のレーザー加工の結果を検出する検査処理を実行する。搬出処理部29は、搬送部58などを制御して、基板保持部111に保持されている基板10を搬送部58に渡す搬出処理を実行する。このとき、基板保持部111による基板10の保持は解除される。 As shown in FIG. 7, the control unit 20 has a receiving processing unit 25, an alignment processing unit 26, a laser processing processing unit 27, an inspection processing unit 28, a carry-out processing unit 29, and the like. The receiving processing unit 25 controls the transport unit 58 and the like to perform a receiving process in which the substrate holding unit 111 receives and holds the substrate 10 transferred from the transport unit 58 . The alignment processing unit 26 controls the alignment unit 160 , the drive unit 113 , and the like, and performs alignment processing for detecting the planned dividing line 13 of the substrate 10 held by the substrate holding unit 111 . The laser processing unit 27 controls the laser oscillator 140, the optical system driving unit 150, the driving unit 113, etc., and laser-processes the substrate 10 along the dividing line 13 of the substrate 10 held by the substrate holding unit 111. Execute the laser machining process. The inspection processing unit 28 controls the inspection unit, the driving unit 113 and the like, and performs inspection processing for detecting the laser processing result of the substrate 10 held by the substrate holding unit 111 . The carry-out processing unit 29 controls the transport unit 58 and the like to perform a carry-out process of transferring the substrate 10 held by the substrate holding unit 111 to the transport unit 58 . At this time, the holding of the substrate 10 by the substrate holding portion 111 is released.

図8は、一実施形態によるレーザー加工方法を説明するためのタイムチャートである。図8は、一の移動ユニット110を用いた基板10の処理と、別の移動ユニット110を用いた基板10の処理とのタイミングを示す。制御部20は、各移動ユニット110を用いて、基板10の一連の処理を、基板10を交換して繰り返し行う。一連の処理は、例えば、受取処理、アライメント処理、レーザー加工処理、検査処理、および搬出処理を含む。 FIG. 8 is a time chart for explaining the laser processing method according to one embodiment. FIG. 8 shows the timing of processing the substrate 10 using one transfer unit 110 and processing the substrate 10 using another transfer unit 110 . The controller 20 uses each moving unit 110 to repeatedly perform a series of processes on the substrate 10 by exchanging the substrate 10 . A series of processing includes, for example, receiving processing, alignment processing, laser processing, inspection processing, and carrying-out processing.

図8に示すように、制御部20は、一の移動ユニット110を用いた基板10のレーザー加工処理中に、別の移動ユニット110を用いた基板10のレーザー加工処理の前処理(例えば受取処理やアライメント処理など)を実行してよい。また、制御部20は、一の移動ユニット110を用いた基板10のレーザー加工処理中に、別の移動ユニット110を用いた基板10のレーザー加工処理の後処理(例えば検査処理や搬出処理)を実行してよい。複数の基板10に対し異なる処理を同時に行うことにより、レーザー加工部100のスループットを向上できる。 As shown in FIG. 8, the control unit 20 performs preprocessing (for example, receiving processing) of the substrate 10 using another moving unit 110 during laser processing processing of the substrate 10 using one moving unit 110. , alignment processing, etc.) may be performed. In addition, the control unit 20 performs post-processing (for example, inspection processing and carry-out processing) of the substrate 10 using another moving unit 110 during laser processing processing of the substrate 10 using one moving unit 110. can be executed. The throughput of the laser processing section 100 can be improved by simultaneously performing different processes on a plurality of substrates 10 .

尚、図8では、一の移動ユニット110を用いた基板10のレーザー加工処理のタイミングと、別の移動ユニット110を用いた基板10のレーザー加工処理のタイミングとが、全く重なっていないが、一部重なっていてもよい。 In FIG. 8, the timing of the laser processing of the substrate 10 using one moving unit 110 and the timing of the laser processing of the substrate 10 using another moving unit 110 do not overlap at all. They may overlap.

ところで、レーザー加工処理では、基板10の移動と停止が繰り返され、振動が生じる。そこで、本実施形態では、振動の伝達を抑制するため、複数の移動ユニット110が離間して設置される。また、振動の伝達をより抑制するため、複数の移動ユニット110の振動の伝達経路の途中には防振部170(図5および図6参照)が設けられる。 By the way, in the laser processing, the substrate 10 is repeatedly moved and stopped, and vibration is generated. Therefore, in the present embodiment, a plurality of moving units 110 are spaced apart to suppress the transmission of vibration. Further, in order to further suppress the transmission of vibration, a vibration isolator 170 (see FIGS. 5 and 6) is provided in the middle of the vibration transmission path of the plurality of moving units 110 .

防振部170は、例えば振動エネルギーを熱エネルギーなどに変換することにより、振動を吸収する。これにより、複数の移動ユニット110の間での振動の伝達を抑制でき、一の移動ユニット110で保持されている基板10のレーザー加工処理中に、別の移動ユニット110で保持されている基板10の処理を精度良く行うことができる。 The vibration isolator 170 absorbs vibration, for example, by converting vibration energy into heat energy. As a result, it is possible to suppress the transmission of vibrations between the plurality of moving units 110, and during the laser processing of the substrate 10 held by one moving unit 110, the substrate 10 held by another moving unit 110 can be suppressed. can be performed with high accuracy.

防振部170は、例えば、少なくとも1つの移動ユニット110と床2との間に設けられる。防振部170は、移動ユニット110から床2に向う振動、および床2から移動ユニット110に向う振動のうち、いずれか一方のみの振動を吸収してもよいし、両方の振動を吸収してもよい。 The vibration isolator 170 is provided, for example, between at least one mobile unit 110 and the floor 2 . The vibration isolator 170 may absorb only one of vibration from the moving unit 110 toward the floor 2 and vibration from the floor 2 toward the moving unit 110, or may absorb both vibrations. good too.

防振部170は、例えば図5に示すように、各移動ユニット110と移動ユニット支持フレーム139との間に設けられ、移動ユニット支持フレーム139が床2に設置される。移動ユニット110毎に、3個以上の防振部170が用いられてよい。尚、移動ユニット支持フレーム139は無くてもよく、防振部170が床2に直接設置されてもよい。 For example, as shown in FIG. 5, the vibration isolator 170 is provided between each mobile unit 110 and the mobile unit support frame 139, and the mobile unit support frame 139 is installed on the floor 2. As shown in FIG. Three or more anti-vibration units 170 may be used for each mobile unit 110 . Note that the moving unit support frame 139 may be omitted, and the vibration isolator 170 may be directly installed on the floor 2 .

図9は、一実施形態による防振部を示す図である。図9に示す防振部170は、振動の伝達経路の途中に設けられるバネ171と、バネ171の振動を減衰させるダンパー172とを有する。この場合、移動ユニット110から床2に向う振動、および床2から移動ユニット110に向う振動のうち、両方の振動を吸収できる。 FIG. 9 is a diagram illustrating an anti-vibration unit according to one embodiment. A vibration isolator 170 shown in FIG. 9 has a spring 171 provided in the middle of a vibration transmission path and a damper 172 that damps the vibration of the spring 171 . In this case, both the vibration from the moving unit 110 toward the floor 2 and the vibration from the floor 2 toward the moving unit 110 can be absorbed.

バネ171は、空気バネでもよく、例えばエアシリンダで構成されてもよい。この場合、エアシリンダの空気圧は、ベース部119から防振部170に作用する荷重と釣り合うように制御されてもよい。ダンパー172としては、オイルダンパーまたはエアダンパーなどが用いられる。 The spring 171 may be an air spring, and may be composed of, for example, an air cylinder. In this case, the air pressure of the air cylinder may be controlled so as to balance the load acting on the anti-vibration portion 170 from the base portion 119 . An oil damper, an air damper, or the like is used as the damper 172 .

尚、防振部170の構成は、図9に示す構成に限定されない。防振部170は、例えばバネ171の代わりに、ゴムを有してもよい。また、防振部170は、バネ171、ダンパー172、またはゴムのいずれかのみで構成されてもよい。 Note that the configuration of the vibration isolator 170 is not limited to the configuration shown in FIG. The vibration isolator 170 may have rubber instead of the spring 171, for example. Also, the vibration isolator 170 may be composed of only one of the spring 171, damper 172, or rubber.

以上、レーザー加工装置およびレーザー加工方法の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 Although the embodiments of the laser processing apparatus and the laser processing method have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments and the like, and various modifications, Improvements are possible.

各移動ユニット110は、上記実施形態では基板保持部111を1つのみ有するが、基板保持部111を複数有してもよい。この場合、例えば、X方向に並ぶ複数の基板保持部111を同時に床2に対しX方向に移動させることにより、複数の基板10に亘ってX方向に延びる加工跡をまとめて形成できる。あるいは、Y方向に並ぶ複数の基板保持部111を同時に床2に対しY方向に移動させることにより、複数の基板10に亘ってY方向に延びる加工跡をまとめて形成できる。一の移動ユニット110と、別の移動ユニット110とで、基板保持部111の数は、同じ数でもよいし、異なる数でもよい。 Each moving unit 110 has only one substrate holding part 111 in the above embodiment, but may have a plurality of substrate holding parts 111 . In this case, for example, by simultaneously moving the plurality of substrate holders 111 arranged in the X direction in the X direction with respect to the floor 2, processing traces extending in the X direction over the plurality of substrates 10 can be collectively formed. Alternatively, by simultaneously moving the plurality of substrate holders 111 aligned in the Y direction in the Y direction with respect to the floor 2, processing traces extending in the Y direction over the plurality of substrates 10 can be collectively formed. The number of substrate holders 111 may be the same or different between one moving unit 110 and another moving unit 110 .

光学系駆動部150による切替の対象となる移動ユニット110の数は、上記実施形態では2つであるが、3つ以上でもよい。集光照射部141を案内するY軸ガイドは、Z方向視で、3つ以上の移動ユニット110に亘って設けられてもよい。同様に、アライメント部160を案内する平行ガイド163は、Z方向視で、3つ以上の移動ユニット110に亘って設けられてもよい。また、検査部を案内する平行ガイド163は、Z方向視で、3つ以上の移動ユニット110に亘って設けられてもよい。 The number of moving units 110 to be switched by the optical system driving section 150 is two in the above embodiment, but may be three or more. A Y-axis guide that guides the condensed irradiation unit 141 may be provided over three or more moving units 110 as viewed in the Z direction. Similarly, the parallel guides 163 that guide the alignment section 160 may be provided across three or more moving units 110 as viewed in the Z direction. Also, the parallel guide 163 that guides the inspection section may be provided over three or more moving units 110 as viewed in the Z direction.

2 床
10 基板
13 分割予定線
100 レーザー加工部(レーザー加工装置)
110 移動ユニット
111 基板保持部
113 駆動部
119 ベース部
130 レーザー発振器支持フレーム
140 レーザー発振器
141 集光照射部
150 光学系駆動部
160 アライメント部(検査部)
170 防振部
2 Floor 10 Substrate 13 Planned division line 100 Laser processing unit (laser processing device)
110 Moving unit 111 Substrate holding unit 113 Driving unit 119 Base unit 130 Laser oscillator support frame 140 Laser oscillator 141 Converging irradiation unit 150 Optical system driving unit 160 Alignment unit (inspection unit)
170 anti-vibration part

Claims (9)

基板を保持する基板保持部、前記基板保持部の基板保持面に対し平行な方向に前記基板保持部を移動させる駆動部、および前記駆動部を支持するベース部を含む移動ユニットを複数有し、
レーザー光線を発振するレーザー発振器、前記レーザー発振器を固定するレーザー発振器支持フレーム、前記基板保持部で保持されている前記基板に前記レーザー光線を集光照射する集光照射部、および前記基板保持部の前記基板保持面に対し平行な水平方向であるY方向に前記集光照射部を移動させる光学系駆動部を有し、
前記光学系駆動部は、鉛直方向であるZ方向に延びるZ軸ガイドと、前記Z軸ガイドに沿って移動されるZ軸スライダとを含み、
前記集光照射部は、前記Z軸スライダに固定され
複数の前記移動ユニットが離間して設置される、レーザー加工装置。
a plurality of moving units each including a substrate holding part for holding a substrate, a driving part for moving the substrate holding part in a direction parallel to the substrate holding surface of the substrate holding part, and a base part for supporting the driving part;
A laser oscillator that oscillates a laser beam, a laser oscillator support frame that fixes the laser oscillator, a condensing irradiation unit that condenses and irradiates the laser beam onto the substrate held by the substrate holding unit, and the substrate of the substrate holding unit. an optical system driving unit for moving the condensing irradiation unit in the Y direction, which is a horizontal direction parallel to the holding surface;
The optical system driving unit includes a Z-axis guide extending in the Z direction, which is a vertical direction, and a Z-axis slider that moves along the Z-axis guide,
The condensed light irradiation unit is fixed to the Z-axis slider ,
A laser processing apparatus, wherein a plurality of the moving units are installed with a space therebetween.
前記集光照射部を案内するY軸ガイドは、前記Z方向から見たときに、互いに離間して設置される複数の前記移動ユニットに亘って設けられる、請求項に記載のレーザー加工装置。 2. The laser processing apparatus according to claim 1 , wherein the Y-axis guide that guides the condensed irradiating unit is provided over a plurality of the moving units that are spaced apart from each other when viewed from the Z direction. 前記基板保持部に保持されている前記基板の分割予定線を検出するアライメント部と、
前記基板保持部の前記基板保持面に対し平行な方向に延びる平行ガイドと、
前記アライメント部を保持すると共に前記平行ガイドに沿って移動する平行スライダとを有し、
前記平行ガイドは、前記Z方向から見たときに、互いに離間して設置される複数の前記移動ユニットに亘って設けられる、請求項またはに記載のレーザー加工装置。
an alignment unit that detects a planned dividing line of the substrate held by the substrate holding unit;
a parallel guide extending in a direction parallel to the substrate holding surface of the substrate holding part;
a parallel slider that holds the alignment portion and moves along the parallel guide;
3. The laser processing apparatus according to claim 1 , wherein said parallel guides are provided over a plurality of said moving units installed apart from each other when viewed from said Z direction.
前記基板保持部で保持されている前記基板のレーザー加工の結果を検出する検査部と、
前記基板保持部の前記基板保持面に対し平行な方向に延びる平行ガイドと、
前記検査部を保持すると共に前記平行ガイドに沿って移動する平行スライダとを有し、
前記平行ガイドは、前記Z方向から見たときに、互いに離間して設置される複数の前記移動ユニットに亘って設けられる、請求項のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。
an inspection unit that detects a result of laser processing of the substrate held by the substrate holding unit;
a parallel guide extending in a direction parallel to the substrate holding surface of the substrate holding part;
a parallel slider that holds the inspection unit and moves along the parallel guide;
4. The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 , wherein the parallel guides are provided over a plurality of the moving units that are spaced apart from each other when viewed from the Z direction.
互いに離間して設置される複数の前記移動ユニットの間での振動の伝達経路の途中に、前記振動を吸収する防振部を有する、請求項のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。 5. The laser processing according to any one of claims 1 to 4 , further comprising a vibration isolator that absorbs the vibration in the middle of the vibration transmission path between the plurality of moving units that are installed apart from each other. Device. 前記レーザー発振器支持フレームと各前記移動ユニットとが、離間して設置される、請求項のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。 6. The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein said laser oscillator support frame and each of said moving units are spaced apart from each other. 前記光学系駆動部は、前記Y方向に延びるY軸ガイドと、前記Y軸ガイドに沿って移動されるY軸スライダと、を有し、
前記Z軸ガイドは、前記Y軸スライダに固定される、請求項1~6のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。
The optical system driving unit has a Y-axis guide extending in the Y-direction and a Y-axis slider moved along the Y-axis guide,
7. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein said Z-axis guide is fixed to said Y-axis slider.
前記Y軸スライダには、前記レーザー発振器からの前記レーザー光線を前記集光照射部に向けて反射する反射鏡が取り付けられている、請求項に記載のレーザー加工装置。 8. The laser processing apparatus according to claim 7 , wherein said Y-axis slider is provided with a reflecting mirror for reflecting said laser beam from said laser oscillator toward said condensing irradiation section. 前記集光照射部を案内するY軸ガイドは、前記Z方向から見たときに、前記基板保持部を案内するガイドに対し垂直または斜めに設けられる、請求項1~のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。 9. The Y - axis guide for guiding the condensed irradiating unit is provided perpendicularly or obliquely to the guide for guiding the substrate holding unit when viewed from the Z direction. A laser processing apparatus as described.
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