JP7129279B2 - Condensed ring polymer compound having dibenzoanthracenothiophene skeleton as repeating unit and method for producing the same - Google Patents
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Description
本発明は、縮環高分子化合物、その製造方法、並びにその有機トランジスタ素子に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a condensed ring polymer compound, a method for producing the same, and an organic transistor element thereof.
π-共役有機化合物は、有機薄膜太陽電池、有機トランジスタ、並びに有機ELなどに用いられる有機半導体としてよく知られ、省エネルギー、低コスト、有機溶媒可溶性、軽量、フレキシブルなどの無機化合物に無い特徴からプリンテッドエレクトロニクスへと応用可能な塗布材料として期待されている。 π-Conjugated organic compounds are well known as organic semiconductors used in organic thin-film solar cells, organic transistors, and organic EL. It is expected as a coating material that can be applied to ted electronics.
非特許文献1に示されるペンタセン誘導体、特許文献1、2、非特許文献2に示される[1]benzothieno[3,2-b]benzothiophene(BTBT)誘導体などのπ-共役縮環低分子化合物は高移動度を示す有機半導体として知られている。一方で、これらの縮環数を増加させた高分子化合物である縮環高分子化合物は、空気中で不安定、有機溶媒に対する溶解性が低いなどの問題点が指摘されている。
Pentacene derivatives shown in Non-Patent
本発明は、耐熱性及び溶媒溶解性を併せ持つ新しい縮環高分子化合物と、該縮環高分子化合物の製造法、該縮環高分子化合物を含む製膜用組成物、該製膜用組成物から作成される有機薄膜、ならびに該有機薄膜を活性層とする有機トランジスタ素子を提供することである。 The present invention provides a novel fused ring polymer compound having both heat resistance and solvent solubility, a method for producing the fused ring polymer compound, a film-forming composition containing the fused ring polymer compound, and the film-forming composition. and an organic transistor element having the organic thin film as an active layer.
上記課題を解決するために、本発明者は鋭意検討を行った結果、BTBTとターフェニレン骨格を縮環した高分子化合物、すなわちジベンゾアントラセノチオフェン骨格から成る縮環高分子化合物が、高い大気安定性、溶媒溶解性、耐熱性、及び製膜性を示すことを見出した。本発明のジベンゾアントラセノチオフェン骨格から成る縮環高分子化合物は新規であり、そのキャリア移動度、溶媒溶解性又は耐熱性といった諸物性はもちろんのこと、製造方法についても一切報告されていない。また、該縮環高分子化合物を含む製膜用組成物を用いて簡便に有機薄膜が製膜できること、及び該有機薄膜を用いて作成した有機トランジスタ素子がp型特性を示すことも合わせて見出し、以下の本発明の完成に至った。 In order to solve the above problems, the present inventors conducted extensive studies and found that a polymer compound obtained by ring-condensing BTBT and a terphenylene skeleton, that is, a ring-condensed polymer compound consisting of a dibenzoanthracenothiophene skeleton has high atmospheric stability. properties, solvent solubility, heat resistance, and film-forming properties. The condensed ring polymer compound comprising a dibenzoanthracenothiophene skeleton of the present invention is novel, and its various physical properties such as carrier mobility, solvent solubility and heat resistance as well as its production method have not been reported at all. In addition, they also found that an organic thin film can be easily formed using a film-forming composition containing the condensed ring polymer compound, and that an organic transistor element prepared using the organic thin film exhibits p-type characteristics. , which led to the completion of the present invention described below.
すなわち本発明は、一般式(1) That is, the present invention has the general formula (1)
(式中、R1は炭素数1から13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルキル基、炭素数1~13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルコキシ基又は水素原子を表す。複数のR1は同一又は相異なっていてもよい。R2は炭素数6~20のアルキル基、炭素数1~8のアルキル基で置換されていてもよいチエニル基又は水素原子を表す。nは2以上の整数を表す。mは0又は1を表す。n個のmは同一又は相異なっていてもよい。)で示される縮環高分子化合物に関する。
(In the formula, R 1 is an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, represents an alkoxy group or a hydrogen atom of 30. A plurality of R 1 may be the same or different, and R 2 may be substituted with an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. represents a thienyl group or a hydrogen atom, n represents an integer of 2 or more, m represents 0 or 1, and n m may be the same or different. .
また、本発明は一般式(2) Further, the present invention is represented by general formula (2)
(式中、R1は炭素数1から13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルキル基、炭素数1から13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルコキシ基又は水素原子を表す。複数のR1は同一又は相異なっていてもよい。R2は炭素数6~20のアルキル基、炭素数1~8のアルキル基で置換されていてもよいチエニル基又は水素原子を表す。nは2以上の整数を表す。mは0又は1を表す。n個のmは同一又は相異なっていてもよい。)で示される高分子前駆体に酸化剤を作用させることを特徴とする、一般式(1)
(wherein R 1 is an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, represents an alkoxy group or a hydrogen atom of 30. A plurality of R 1 may be the same or different, and R 2 may be substituted with an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. represents a thienyl group or a hydrogen atom, n represents an integer of 2 or more, m represents 0 or 1, and n m may be the same or different. General formula (1), characterized by acting an agent
(式中、R1、R2、m及びnは前記と同じ意味を表す。)で示される縮環高分子化合物の製造方法に関する。
(wherein R 1 , R 2 , m and n have the same meanings as above).
また、本発明は一般式(1)で表される繰り返し単位を有する縮環高分子化合物を含んだ製膜用組成物、該製膜用組成物を用いて作成可能な有機薄膜、ならびに該有機薄膜から作成されるトランジスタ素子に関するものである。 The present invention also provides a film-forming composition containing a condensed ring polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (1), an organic thin film that can be prepared using the film-forming composition, and the organic It relates to transistor elements made from thin films.
本発明の縮環高分子化合物は高い溶媒溶解性と耐熱性を併せ持つ有機半導体であり、これを活性層とする有機トランジスタ素子を効率よく駆動させることができる。 The condensed ring polymer compound of the present invention is an organic semiconductor having both high solvent solubility and heat resistance, and can efficiently drive an organic transistor element having this as an active layer.
以下、本発明を詳細に説明する。 The present invention will be described in detail below.
R1で表される炭素数1~13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、ヘンエイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、ペンタコシル基、ヘキサコシル基、ヘプタコシル基、オクタコシル基、ノナコシル基、トリアンコシル基などの直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-デシルテトラデシル基、2-ドデシルテトラデシル基、2-ドデシルヘキサデシル基、2-テトラデシルヘキサデシル基、などの分岐アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基、メトキシメチル基(3-1)、(2-メトキシエトキシ)メチル基(3-2)、(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)メチル基(3-3)、(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル基(3-4)、(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル基(3-5)、(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル基(3-6)、(2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル基(3-7)、3-(2-メトキシエトキシ)-2-((2-メトキシエトキシ)メチル)プロピル基(3-8)、3-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)メチル)プロピル基(3-9)、3-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロピル基(3-10)、3-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロピル基(3-11)、3-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロピル基(3-12)、3-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロピル基(3-13)、3-(2-メトキシエトキシ)-2-(2-メトキシエトキシ)プロピル基(3-14)、3-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)プロピル基(3-15)、3-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)プロピル基(3-16)、3-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)プロピル基(3-17)、3-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)プロピル基(3-18)、3-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)プロピル基(3-19)などのアルコキシ基置換アルキル基等を例示することができる。 The alkyl group having 6 to 30 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms and represented by R 1 may be linear, branched or cyclic, and may be a methyl group. , ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl nonadecyl group, eicosyl group, heneicosyl group, docosyl group, tricosyl group, tetracosyl group, pentacosyl group, hexacosyl group, heptacosyl group, octacosyl group, nonacosyl group, triancosyl group and other linear alkyl groups, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 2-ethylhexyl group, 3,7-dimethyloctyl group, 2-decyltetradecyl group, 2-dodecyltetradecyl group, 2-dodecylhexadecyl group, 2-tetradecylhexadecyl a branched alkyl group such as a cyclopentyl group, a cycloalkyl group such as a cyclohexyl group, a methoxymethyl group (3-1), a (2-methoxyethoxy) methyl group (3-2), (2-(2-methoxyethoxy ) ethoxy) methyl group (3-3), (2-(2-(2-methoxyethoxy) ethoxy) ethoxy) methyl group (3-4), (2-(2-(2-(2-methoxyethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy) methyl group (3-5), (2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy) methyl group (3-6), (2 -(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl group (3-7), 3-(2-methoxyethoxy)-2-(( 2-methoxyethoxy)methyl)propyl group (3-8), 3-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)-2-((2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)methyl)propyl group (3- 9), 3-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-((2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl)propyl group (3-10) , 3-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-((2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl ) propyl group (3-11), 3-(2-(2-( 2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-((2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl ) propyl group (3-12), 3-(2-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-((2-( 2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl)propyl group (3-13), 3-(2-methoxyethoxy)-2-(2 -Methoxyethoxy) propyl group (3-14), 3-(2-(2-methoxyethoxy) ethoxy) -2-(2-(2-methoxyethoxy) ethoxy) propyl group (3-15), 3-( 2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)propyl group (3-16), 3-(2-(2- (2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)propyl group (3-17), 3-( 2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy) ethoxy)ethoxy)propyl group (3-18), 3-(2-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-(2 -(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy) alkoxy group-substituted alkyl groups such as propyl group (3-19), etc. can be exemplified. .
炭素数1~13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルキル基としては、溶解性がよい点で、2-ドデシルヘキサデシル基、及び式(3-10)~式(3-13)、式(3-16)~式(3-19)で示される基が好ましい。
As the alkyl group having 6 to 30 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, 2-dodecylhexadecyl group and formula (3-10) to formula ( 3-13) and groups represented by formulas (3-16) to (3-19) are preferred.
R1で表される、炭素数1~13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルコキシ基としては直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、具体例としては、メトキシ基、エトキシ、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、エイコシルオキシ基、ヘンエイコシルオキシ基、ドコシルオキシ基、トリコシルオキシ基、テトラコシルオキシ基、ペンタコシルオキシ基、ヘキサコシルオキシ基、ヘプタコシルオキシ基、オクタコシルオキシ基、ノナコシルオキシ基、トリアンコシルオキシ基などの直鎖アルコシキ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、2-デシルテトラデシルオキシ基、2-ドデシルテトラデシルオキシ基、2-ドデシルヘキサデシルオキシ基、2-テトラデシルヘキサデシルオキシ基などの分岐アルコキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などのシクロアルコキシ基、2-メトキシエトキシ基(4-1)、2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ基(4-2)、2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ基(4-3)、2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ基(4-4)、2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ基(4-5)、2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ基(4-6)、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ基(4-7)、3-(2-メトキシエトキシ)-2-((2-メトキシエトキシ)メチル)プロポキシ基(4-8)、3-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)メチル)プロポキシ基(4-9)、3-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロポキシ基(4-10)、3-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロポキシ基(4-11)、3-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロポキシ基(4-12)、3-((2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-((2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)メチル)プロポキシ基(4-13)、3-(2-メトキシエトキシ)-2-(2-メトキシエトキシ)プロポキシ基(4-14)、3-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)プロポキシ基(4-15)、3-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)プロポキシ基(4-16)、3-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)プロポキシ基(4-17)、3-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)プロポキシ基(4-18)、3-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)プロポキシ基(4-19)などのアルコキシ基置換アルコキシ基等を例示することができる。 The alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms and represented by R 1 may be linear, branched or cyclic. methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, heptyloxy, octyloxy, nonyloxy, decyloxy, undecyloxy, dodecyloxy, tridecyloxy, tetradecyloxy group, pentadecyloxy group, hexadecyloxy group, heptadecyloxy group, octadecyloxy group, nonadecyloxy group, eicosyloxy group, heneicosyloxy group, docosyloxy group, tricosyloxy group, tetracosyloxy group, pen linear alkoxy groups such as tacosyloxy, hexacosyloxy, heptacosyloxy, octacosyloxy, nonacosyloxy, triancosyloxy, isopropoxy, isobutoxy, sec-butoxy, tert-butoxy group, 2-ethylhexyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, 2-decyltetradecyloxy group, 2-dodecyltetradecyloxy group, 2-dodecylhexadecyloxy group, 2-tetradecylhexadecyl Branched alkoxy groups such as oxy groups, cyclopentyloxy groups, cycloalkoxy groups such as cyclohexyloxy groups, 2-methoxyethoxy groups (4-1), 2-(2-methoxyethoxy) ethoxy groups (4-2), 2- (2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy group (4-3), 2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy group (4-4), 2-(2- (2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy group (4-5), 2-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy group (4-6), 2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy) ethoxy group (4- 7), 3-(2-methoxyethoxy)-2-((2-methoxyethoxy)methyl)propoxy group (4-8), 3-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)-2-((2 -(2-methoxyethoxy)ethoxy)methyl)propoxy group (4-9), 3-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-((2-(2-( 2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl)propoxy group (4-10), 3-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-((2-( 2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl)propoxy group (4-11), 3-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy) )ethoxy)ethoxy)-2-((2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl)propoxy group (4-12), 3-((2 -(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-((2-(2-(2-(2-(2-(2 -methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)methyl)propoxy group (4-13), 3-(2-methoxyethoxy)-2-(2-methoxyethoxy)propoxy group (4-14), 3 -(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)-2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)propoxy group (4-15), 3-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy) ethoxy)-2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)propoxy group (4-16), 3-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy) ethoxy)-2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)propoxy group (4-17), 3-(2-(2-(2-(2-(2 -methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)propoxy group (4-18), 3 -(2-(2-(2-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)-2-(2-(2-(2-(2-(2- Examples include alkoxy group-substituted alkoxy groups such as (2-methoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)ethoxy)propoxy group (4-19).
炭素数1~13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルコキシ基としては、溶解性がよい点で、2-デシルテトラデシルオキシ基、2-ドデシルテトラデシルオキシ基、2-ドデシルヘキサデシルオキシ基、2-テトラデシルヘキサデシルオキシ基、及び式(4-1)~式(4-19)で示される基が好ましく、2-ドデシルテトラデシルオキシ基がさらに好ましい。
As the alkoxy group having 6 to 30 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, 2-decyltetradecyloxy group, 2-dodecyltetradecyloxy group, 2 A -dodecylhexadecyloxy group, a 2-tetradecylhexadecyloxy group, and groups represented by formulas (4-1) to (4-19) are preferred, and a 2-dodecyltetradecyloxy group is more preferred.
R1は、本発明の縮環高分子化合物の原料となるモノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、もしくはアルコキシ基が好ましく、ヘンエイコシル基、2ドデシルヘキサデシル基、エイコシルオキシ基、もしくは2ドデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましい。 R 1 is preferably an alkyl group or an alkoxy group, from the viewpoint of easiness in synthesizing a monomer that serves as a raw material for the fused ring polymer compound of the present invention, and is preferably a heneicosyl group, a 2-dodecylhexadecyl group, an eicosyloxy group, or A 2-dodecylhexadecyloxy group is more preferred.
R2で表される炭素数6~20のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよい。アルキル基の中でも、直鎖アルキル基、分岐アルキル基が好ましく、分岐アルキル基がより好ましい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基などの直鎖アルキル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-デシルテトラデシル基、2-ドデシルテトラデシル基、2-ドデシルヘキサデシル基、2-テトラデシルヘキサデシル基などの分岐アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの環状アルキル基が挙げられる。 The alkyl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 2 may be linear, branched or cyclic. Among the alkyl groups, straight-chain alkyl groups and branched alkyl groups are preferred, and branched alkyl groups are more preferred. Specific examples of alkyl groups include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, Straight-chain alkyl groups such as pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl, and eicosyl groups, 2-ethylhexyl, 3,7-dimethyloctyl, 2-decyltetradecyl, and 2-dodecyltetradecyl groups , 2-dodecylhexadecyl group, 2-tetradecylhexadecyl group and other branched alkyl groups, cyclopentyl group, cyclohexyl group and other cyclic alkyl groups.
R2は、炭素数1~8のアルキル基で置換されていてもよいチエニル基であり、該アルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよい。炭素数1~8のアルキル基で置換されていてもよいチエニル基の具体例としては、5-メチル-2-チエニル基、5-エチル-2-チエニル基、5-プロピル-2-チエニル基、5-ブチル-2-チエニル基、5-ペンチル-2-チエニル基、5-ヘキシル-2-チエニル基、5-ヘプチル-2-チエニル基、5-オクチル-2-チエニル基などの直鎖アルキル基で置換されたチエニル基、5-イソプロピル-2-チエニル基、5-イソブチル-2-チエニル基、5-(sec-ブチル)-2-チエニル基、5-(tert-ブチル)-2-チエニル基、5-(2-エチルヘキシル)-2-チエニル基などの分岐アルキル基で置換されたチエニル基、5-シクロペンチル-2-チエニル基、5-シクロヘキシル-2-チエニル基などのシクロアルキルで置換されたチエニル基が挙げられる。溶解性がよい点で炭素数4~8の分岐状アルキル基で置換されたチエニル基が好ましく、5-(2-エチルヘキシル)-2-チエニル基がより好ましい。 R 2 is a thienyl group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and the alkyl group may be linear, branched or cyclic. Specific examples of the thienyl group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include 5-methyl-2-thienyl group, 5-ethyl-2-thienyl group, 5-propyl-2-thienyl group, 5-butyl-2-thienyl group, 5-pentyl-2-thienyl group, 5-hexyl-2-thienyl group, 5-heptyl-2-thienyl group, 5-octyl-2-thienyl group and other linear alkyl groups thienyl group substituted with, 5-isopropyl-2-thienyl group, 5-isobutyl-2-thienyl group, 5-(sec-butyl)-2-thienyl group, 5-(tert-butyl)-2-thienyl group , 5-(2-ethylhexyl)-2-thienyl group substituted with branched alkyl group such as thienyl group, 5-cyclopentyl-2-thienyl group, 5-cyclohexyl-2-thienyl group substituted with cycloalkyl group A thienyl group is mentioned. A thienyl group substituted with a branched alkyl group having 4 to 8 carbon atoms is preferable, and a 5-(2-ethylhexyl)-2-thienyl group is more preferable because of good solubility.
nは1以上の整数であれば特に限定されないが、合成の容易さの点で1から1000が好ましく、10~100がより好ましい。 Although n is not particularly limited as long as it is an integer of 1 or more, it is preferably 1 to 1000, more preferably 10 to 100, from the viewpoint of ease of synthesis.
mは、0又は1が好ましく、nが2以上であるときのmは同一でも相異なっていてもよい。 m is preferably 0 or 1, and when n is 2 or more, m may be the same or different.
次に本発明の製造方法に関して説明する。 Next, the production method of the present invention will be explained.
本発明の縮環高分子化合物(1)は、高分子前駆体(2)に酸化剤を作用させることで製造することができる。 The condensed ring polymer compound (1) of the present invention can be produced by reacting the polymer precursor (2) with an oxidizing agent.
(式中、R1、R2、m及びnは前記と同じ意味を表す。)
(In the formula, R 1 , R 2 , m and n have the same meanings as above.)
本発明の製造方法で用いることのできる酸化剤としては、特に限定するものではないが、例えば、フルオロクロム酸ピリジニウム、クロロクロム酸ピリジニウム、重クロム酸ピリジニウム、重クロム酸ビス(テトラブチルアンモニウム)、重クロム酸キノリニウム、次亜塩素酸ナトリウム五水和物、3-クロロ過安息香酸、モノペルオキシフタル酸マグネシウム六水和物、tert-ブチルヒドロペルオキシド、ビス(トリメチルシリル)ペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、ジ-tert-ブチルペルオキシド、過酸化水素、メチルエチルケトンペルオキシド、1-アセトキシ-5-ブロモ-1,2-ベンズヨードキソール-3(1H)-オン、[ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨード]ベンゼン、[ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨード]ペンタフルオロベンゼン、1-(tert-ブチルペルオキシ)-1,2-ベンズヨードキソール-3-(3H)-オン、ビス(ピリジン)ヨードニウムテトラフルオロボラート、1,1,1-トリアセトキシ-1,1-ジヒドロ-1,2-ベンゾヨードキソール-3-(1H)-オン、ヨードソベンゼン、2-ヨードソ安息香酸、ヨードベンゼンジアセタート、ヨードメシチレンジアセタート、2-ヨードキシ安息香酸、パラ過ヨウ素酸三ナトリウム、[ヒドロキシ(トシルオキシ)ヨード]ベンゼン、ポリ[4-(ジアセトキシヨード)スチレン]、[ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨード]ベンゼン、ビス(テトラブチルアンモニウム)ペルオキシジスルファート、ピリジン-三酸化硫黄錯体、三酸化硫黄-トリエチルアミン錯体、4-アセトアミド-2,2,6,6-テトラメチル-1-オキソピペリジニウムテトラフルオロボラート、ベンゼンスルホンクロラミドナトリウム水和物、p-トルエンスルホンクロラミドナトリウム三水和物、硝酸セリウムアンモニウム、1,1-ジフェニル-2-ピクリルヒドラジルフリーラジカル、2-ヒドロキシ-2-アザアダマンタン、4-メチルモルホリンN-オキシド、過マンガン酸カリウム、リンモリブデン酸、塩化第二鉄、五塩化モリブデン、テトラプロピルアンモニウムペルルテナート、クロラニル、2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノ-1,4-ベンゾキノン、トリメチルアミンN-オキシド、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン1-オキシルフリーラジカルなどが挙げられる。反応収率がよい点で塩化第二鉄を用いることが好ましい。 The oxidizing agent that can be used in the production method of the present invention is not particularly limited, but examples include pyridinium fluorochromate, pyridinium chlorochromate, pyridinium dichromate, bis(tetrabutylammonium) dichromate, Quinolinium dichromate, sodium hypochlorite pentahydrate, 3-chloroperbenzoic acid, magnesium monoperoxyphthalate hexahydrate, tert-butyl hydroperoxide, bis(trimethylsilyl) peroxide, cumene hydroperoxide, di- tert-butyl peroxide, hydrogen peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, 1-acetoxy-5-bromo-1,2-benziodoxol-3(1H)-one, [bis(trifluoroacetoxy)iodo]benzene, [bis( trifluoroacetoxy)iodo]pentafluorobenzene, 1-(tert-butylperoxy)-1,2-benziodoxol-3-(3H)-one, bis(pyridine)iodonium tetrafluoroborate, 1,1, 1-triacetoxy-1,1-dihydro-1,2-benzoiodoxol-3-(1H)-one, iodosobenzene, 2-iodosobenzoic acid, iodobenzene diacetate, iodomesitylene diacetate, 2-iodoxybenzoic acid, trisodium paraperiodate, [hydroxy(tosyloxy)iodo]benzene, poly[4-(diacetoxyiodo)styrene], [bis(trifluoroacetoxy)iodo]benzene, bis(tetrabutylammonium) ) peroxydisulfate, pyridine-sulfur trioxide complex, sulfur trioxide-triethylamine complex, 4-acetamido-2,2,6,6-tetramethyl-1-oxopiperidinium tetrafluoroborate, benzenesulfonechloramide sodium hydrate, p-toluenesulfone chloride sodium trihydrate, ceric ammonium nitrate, 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl free radical, 2-hydroxy-2-azaadamantane, 4-methylmorpholine N -oxide, potassium permanganate, phosphomolybdic acid, ferric chloride, molybdenum pentachloride, tetrapropylammonium perruthenate, chloranil, 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone, trimethylamine N -oxide, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine 1-oxyl free radical, and the like. It is preferable to use ferric chloride in that the reaction yield is good.
用いる酸化剤の量に特に制限は無いが、反応収率がよい点で、高分子前駆体(2)の繰り返し単位のモル比に対して、1~100等量の範囲にあることが好ましく、1~10等量の範囲にあることがさらに好ましい。 Although the amount of the oxidizing agent to be used is not particularly limited, it is preferably in the range of 1 to 100 equivalents with respect to the molar ratio of the repeating units of the polymer precursor (2) in terms of good reaction yield. More preferably it is in the range of 1 to 10 equivalents.
本発明の製造方法は溶媒中で実施することが可能である。用いることのできる溶媒としては、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル(CPME)、テトラヒドロフラン(THF)、2-メチルテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタンなどのエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンなどの芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、4-フルオロエチレンカーボネートなどの炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ-ラクトンなどのエステル溶媒、ジメチルスルホキシド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、N-メチルピロリドン(NMP)などのアミド溶媒、N,N,N’,N’-テトラメチルウレア(TMU)、N,N’-ジメチルプロピレンウレア(DMPU)などのウレア溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)などのスルホンアミド溶媒、メタノール、エタノール、2-プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、2,2,2-トリフルオロエタノールなどのアルコール溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、1,2-ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼンなどのハロゲン溶媒、ニトロメタン、水などを例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、反応収率がよい点でハロゲン溶媒、ハロゲン溶媒とニトロメタンの混合溶媒が好ましく、塩化メチレンとニトロメタンの混合溶媒、もしくはオルトジクロロベンゼンとニトロメタンの混合溶媒がさらに好ましい。 The production method of the present invention can be carried out in a solvent. Solvents that can be used include ethers such as diisopropyl ether, dibutyl ether, cyclopentyl methyl ether (CPME), tetrahydrofuran (THF), 2-methyltetrahydrofuran, 1,4-dioxane and dimethoxyethane, benzene, toluene, xylene and mesitylene. , tetralin and other aromatic hydrocarbon solvents, ethylene carbonate, propylene carbonate, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethyl methyl carbonate, 4-fluoroethylene carbonate and other carbonate ester solvents, ethyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate , methyl butyrate, ester solvents such as γ-lactone, amide solvents such as dimethylsulfoxide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), N-methylpyrrolidone (NMP), N,N,N',N'-tetramethylurea ( TMU), urea solvents such as N,N'-dimethylpropyleneurea (DMPU), sulfonamide solvents such as dimethylsulfoxide (DMSO), methanol, ethanol, 2-propanol, butanol, octanol, benzyl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol. , diethylene glycol, triethylene glycol, alcohol solvents such as 2,2,2-trifluoroethanol, halogen solvents such as chloroform, methylene chloride, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, orthodichlorobenzene, nitromethane, water, etc. can be exemplified, and these may be mixed in any ratio and used. Among these, a halogen solvent and a mixed solvent of a halogen solvent and nitromethane are preferable in terms of a good reaction yield, and a mixed solvent of methylene chloride and nitromethane or a mixed solvent of ortho-dichlorobenzene and nitromethane is more preferable.
溶媒の使用量に特に制限はないが、使用する高分子前駆体(2)の重量に対して、0.1~100mL/mgの範囲にあることが好ましく、0.1~10mL/mgの範囲にあることがさらに好ましい。 The amount of the solvent used is not particularly limited, but it is preferably in the range of 0.1 to 100 mL/mg, more preferably in the range of 0.1 to 10 mL/mg, based on the weight of the polymer precursor (2) used. It is more preferable to be in
本発明の製造方法はアルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 The production method of the present invention is preferably carried out in an inert gas atmosphere such as argon gas or nitrogen gas.
本発明の製造方法を実施する反応温度に制限はないが、-78℃~100℃の範囲で実施することが好ましく、0℃~30℃の範囲で実施することより好ましい。 Although the reaction temperature for carrying out the production method of the present invention is not limited, it is preferably carried out in the range of -78°C to 100°C, more preferably in the range of 0°C to 30°C.
反応時間は高分子前駆体(2)の種類、溶媒、ならびに反応温度により異なるが、0.1~100時間が好ましく、1~78時間がより好ましい。 Although the reaction time varies depending on the type of polymer precursor (2), solvent, and reaction temperature, it is preferably 0.1 to 100 hours, more preferably 1 to 78 hours.
縮環高分子化合物(1)は、本発明の製造方法の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、濾過、カラムクロマトグラフィー、分取HPLCなどで精製してもよい。 A condensed ring polymer compound (1) can be obtained by carrying out a normal treatment after completion of the production method of the present invention. If necessary, it may be purified by precipitation, filtration, column chromatography, preparative HPLC and the like.
本発明の製造方法で用いる高分子前駆体(2)は当該業者のよく知る、遷移金属触媒を用いたクロスカップリング反応で製造することが可能であり、Journal of the American Chemical Society,138巻,7725頁,2016年や、Macromolecules,44巻,1788頁,2011年などに開示されている方法に従って製造することができる。 The polymer precursor (2) used in the production method of the present invention can be produced by a cross-coupling reaction using a transition metal catalyst, which is well known to those skilled in the art, and is described in Journal of the American Chemical Society, Vol. 7725 pages, 2016, Macromolecules, 44 volumes, 1788 pages, 2011, etc. It can manufacture according to the method disclosed.
例えば、以下に示す芳香族化合物誘導体(6-1)と、1,4-ジブロモ-2,5-ジフェニレンベンゼン-1,2,4,5-テトライル誘導体(6-2)とのクロスカップリング反応によって製造することができる。 For example, cross-coupling of aromatic compound derivative (6-1) shown below with 1,4-dibromo-2,5-diphenylenebenzene-1,2,4,5-tetrayl derivative (6-2) It can be produced by reaction.
(式中、R1、R2、m及びnは前記と同じ意味を表す。R3は炭素数1~4のアルキル基、フェニル基又は塩素原子を表し、複数のR3は同一又は相異なっていてもよい。)
芳香族化合物誘導体(6-1)に含まれるR3としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基又は塩素原子であり、R3
3Sn基としては、次の(7a)~(7f)で示される基が例示できる。収率がよい点で(7a)、(7d)が好ましく、(7d)がより好ましい。
(In the formula, R 1 , R 2 , m and n have the same meanings as above; R 3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group or a chlorine atom; a plurality of R 3 are the same or different; may be present.)
R 3 contained in the aromatic compound derivative (6-1) is a methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, phenyl group or chlorine atom, and the R 3 3 Sn group is the following (7a) Groups represented by (7f) can be exemplified. (7a) and (7d) are preferable, and (7d) is more preferable in that the yield is good.
用いる触媒としては、特に限定するものではないが、具体的には、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウムなどの塩、π-アリルパラジウムクロリドダイマ-、パラジウムアセチルアセトナト、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムなどの錯化合物、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロ(1,1’-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン)パラジウム、ビス(トリ-tert-ブチルホスフィン)パラジウム、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)塩化パラジウムなどの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体を例示することができ、これらはパラジウム塩、または錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ(tert-ブチル)ホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、tert-ブチルジフェニルホスフィン、9,9-ジメチル-4,5-ビス(ジフェニルホスフィノ)キサンテン、2-(ジフェニルホスフィノ)-2’-(N,N-ジメチルアミノ)ビフェニル、2-(ジ-tert-ブチルホスフィノ)ビフェニル、2-(ジシクロへキシルホスフィノ)ビフェニル、ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、1,2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,3-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、1,4-ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,1’-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン、トリ(2-フリル)ホスフィン、トリ(o-トリル)ホスフィン、トリス(2,5-キシリル)ホスフィン、(±)-2,2’-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1’-ビナフチル、2-ジシクロへキシルホスフィノ-2’,4’、6’-トリイソプロピルビフェニルなどが例示できる。中でも、反応収率が良い点で第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が好ましく、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体がさらに好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩、または錯化合物とのモル比は1:10~10:1の範囲にあることが好ましく、収率がよい点で1:3~4:1の範囲にあることがさらに好ましい。
The catalyst to be used is not particularly limited, but specifically, salts such as palladium chloride, palladium acetate, palladium trifluoroacetate, palladium nitrate, π-allyl palladium chloride dimer, palladium acetylacetonate, tris ( complex compounds such as dibenzylideneacetone)dipalladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium, tetrakis(triphenylphosphine)palladium, dichloro(1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene)palladium, bis(tri-tert- Palladium complexes having tertiary phosphines as ligands such as butylphosphine)palladium, bis(tricyclohexylphosphine)palladium, and bis(tricyclohexylphosphine)chloride palladium can be exemplified, and these are palladium salts or complex compounds. can also be prepared in situ by adding a tertiary phosphine to Tertiary phosphines that can be used in this case include triphenylphosphine, trimethylphosphine, tributylphosphine, tri(tert-butyl)phosphine, tricyclohexylphosphine, tert-butyldiphenylphosphine, 9,9-dimethyl-4, 5-bis(diphenylphosphino)xanthene, 2-(diphenylphosphino)-2'-(N,N-dimethylamino)biphenyl, 2-(di-tert-butylphosphino)biphenyl, 2-(dicyclohexylphosphino) ) biphenyl, bis(diphenylphosphino)methane, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane, 1,4-bis(diphenylphosphino)butane, 1,1 '-bis(diphenylphosphino)ferrocene, tri(2-furyl)phosphine, tri(o-tolyl)phosphine, tris(2,5-xylyl)phosphine, (±)-2,2'-bis(diphenylphosphino )-1,1′-binaphthyl, 2-dicyclohexylphosphino-2′,4′,6′-triisopropylbiphenyl and the like. Among them, a palladium complex having a tertiary phosphine as a ligand is preferable, and a palladium complex having a triphenylphosphine as a ligand is more preferable in terms of good reaction yield. The molar ratio of the tertiary phosphine and the palladium salt or the complex compound is preferably in the range of 1:10 to 10:1, preferably in the range of 1:3 to 4:1 in terms of good yield. More preferred.
用いる触媒の量に制限はないが、収率がよい点で、触媒のモル等量は、芳香族化合物誘導体(6-1)に対して0.005~50モルパーセントが好ましく、0.05~10モルパーセントの範囲にあることがより好ましい。 The amount of the catalyst to be used is not limited, but the molar equivalent of the catalyst is preferably 0.005 to 50 mol percent relative to the aromatic compound derivative (6-1), and 0.05 to 0.05 More preferably in the range of 10 mole percent.
(2)の製造は溶媒中で実施することができる。用いることのできる溶媒としては、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル(CPME)、テトラヒドロフラン(THF)、2-メチルテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンなどの芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、4-フルオロエチレンカーボネートなどの炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ-ラクトンなどのエステル溶媒、ジメチルスルホキシド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、N-メチルピロリドン(NMP)などのアミド溶媒、N,N,N’,N’-テトラメチルウレア(TMU)、N,N’-ジメチルプロピレンウレア(DMPU)などのウレア溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)などのスルホンアミド溶媒、メタノール、エタノール、2-プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、2,2,2-トリフルオロエタノールなどのアルコール溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、1,2-ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼンなどのハロゲン溶媒、ニトロメタン、水などを例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、反応収率がよい点で芳香族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒と水の混合溶媒、エーテル溶媒と水の混合溶媒が好ましく、トルエンがさらに好ましい。 The preparation of (2) can be carried out in a solvent. Solvents that can be used include diisopropyl ether, dibutyl ether, cyclopentyl methyl ether (CPME), tetrahydrofuran (THF), 2-methyltetrahydrofuran, 1,4-dioxane, ether solvents such as dimethoxyethane, benzene, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbon solvents such as mesitylene and tetralin Carbonic acid ester solvents such as ethylene carbonate, propylene carbonate, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethylmethyl carbonate, and 4-fluoroethylene carbonate Ethyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, propionic acid Ester solvents such as ethyl, methyl butyrate, γ-lactone, amide solvents such as dimethylsulfoxide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), N-methylpyrrolidone (NMP), N,N,N',N'-tetramethylurea (TMU), urea solvents such as N,N'-dimethylpropyleneurea (DMPU), sulfonamide solvents such as dimethylsulfoxide (DMSO), methanol, ethanol, 2-propanol, butanol, octanol, benzyl alcohol, ethylene glycol, propylene. Alcohol solvents such as glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, 2,2,2-trifluoroethanol, halogen solvents such as chloroform, methylene chloride, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, orthodichlorobenzene, nitromethane, water etc. can be exemplified, and these may be used by mixing them in an arbitrary ratio. Among these, an aromatic hydrocarbon solvent, a mixed solvent of an aromatic hydrocarbon solvent and water, and a mixed solvent of an ether solvent and water are preferable because of good reaction yield, and toluene is more preferable.
本工程は、0℃~200℃から適宜選択された温度にて実施することができ、反応収率がよい点で100℃~140℃から適宜選択された温度にて実施することが好ましい。 This step can be carried out at a temperature suitably selected from 0° C. to 200° C., and is preferably carried out at a temperature suitably selected from 100° C. to 140° C. from the viewpoint of good reaction yield.
本工程は、アルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 This step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as argon gas or nitrogen gas.
本工程を実施する反応温度に制限はないが、20℃~150℃が好ましく、100℃~130℃がより好ましい。 Although the reaction temperature for carrying out this step is not limited, it is preferably 20°C to 150°C, more preferably 100°C to 130°C.
反応時間は芳香族化合物誘導体(6-1)と1,4-ジブロモ-2,5-ジフェニレンベンゼン-1,2,4,5-テトライル誘導体(6-2)で表される化合物の種類、溶媒、ならびに反応温度により異なるが、1~100時間が好ましく、24~78時間がより好ましい。 The reaction time depends on the type of compound represented by the aromatic compound derivative (6-1) and the 1,4-dibromo-2,5-diphenylenebenzene-1,2,4,5-tetrayl derivative (6-2), Depending on the solvent and reaction temperature, 1 to 100 hours are preferred, and 24 to 78 hours are more preferred.
高分子前駆体(2)は、製造工程の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、濾過、カラムクロマトグラフィー、分取HPLC、ソックスレー抽出、ビーズなどで精製してもよい。 Polymer precursor (2) can be obtained by normal treatment after completion of the manufacturing process. If necessary, purification may be performed by precipitation, filtration, column chromatography, preparative HPLC, Soxhlet extraction, beads, and the like.
芳香族化合物誘導体(6-1)は、市販品を用いてもよいし、公知の方法を組み合わせて製造してもよく、例えば、Journal of Materials Chemistry A,4巻,13930-13937ページ,2016年や、Journal of Materials Chemistry C,4巻,2170-2177ページ,2016年などに開示されている方法に従って製造できる.
1,4-ジブロモ-2,5-ジフェニレンベンゼン-1,2,4,5-テトライル誘導体(6-2)は公知の方法を組み合わせて製造することが可能であり、例えば、Chemistry-European journal,16巻,1826頁,2010年や、Macromolecules,45巻,2609頁,2012年、Macromolecules,46巻,2141頁,2013年、Chemistry of Materials,29巻,4109頁,2017年、に開示されている方法に従って製造することができる。
The aromatic compound derivative (6-1) may be a commercially available product, or may be produced by combining known methods. For example, Journal of Materials Chemistry A, Vol. , Journal of Materials Chemistry C, Vol. 4, pp. 2170-2177, 2016.
The 1,4-dibromo-2,5-diphenylenebenzene-1,2,4,5-tetrayl derivative (6-2) can be produced by combining known methods. , 16, 1826, 2010, Macromolecules, 45, 2609, 2012, Macromolecules, 46, 2141, 2013, Chemistry of Materials, 29, 4109, 2017. It can be manufactured according to the method
次に本発明の、一般式(1)で表される繰り返し単位を有する縮環高分子化合物(1)を含む製膜用組成物(以下、「本発明の製膜用組成物」と称する。)の製造方法について説明する。 Next, a film-forming composition containing the condensed ring polymer compound (1) having a repeating unit represented by the general formula (1) of the present invention (hereinafter referred to as "the film-forming composition of the present invention"). ) will be described.
本発明の製膜組成物は、本発明の縮環高分子化合物(1)を溶媒に溶解又は分散させることにより、調製することができる。 The film-forming composition of the present invention can be prepared by dissolving or dispersing the condensed ring polymer compound (1) of the present invention in a solvent.
該溶媒としては、本発明の縮環高分子化合物(1)を溶媒に溶解又は分散させることができれば特に制限はないが、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル(CPME)、テトラヒドロフラン(THF)、2-メチルテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンなどの芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、4-フルオロエチレンカーボネートなどの炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ-ラクトンなどのエステル溶媒、ジメチルスルホキシド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、N-メチルピロリドン(NMP)などのアミド溶媒、N,N,N’,N’-テトラメチルウレア(TMU)、N,N’-ジメチルプロピレンウレア(DMPU)などのウレア溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)などのスルホンアミド溶媒、メタノール、エタノール、2-プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、2,2,2-トリフルオロエタノールなどのアルコール溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素、1,2-ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼンなどのハロゲン溶媒、ニトロメタン、水、などを例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、沸点が高く穏やかに揮発する点で、芳香族炭化水素、ハロゲン溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、3,4-ジメチルアニソール、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼンがさらに好ましい。 The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the fused ring polymer compound (1) of the present invention in the solvent. Ether solvents such as 2-methyltetrahydrofuran, 1,4-dioxane, and dimethoxyethane; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, and tetralin; ethylene carbonate, propylene carbonate, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethyl methyl carbonate; , 4-fluoroethylene carbonate and other carbonate solvents, ethyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, methyl butyrate, γ-lactone and other ester solvents, dimethyl sulfoxide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), N - amide solvents such as methylpyrrolidone (NMP), N,N,N',N'-tetramethylurea (TMU), urea solvents such as N,N'-dimethylpropyleneurea (DMPU), dimethylsulfoxide (DMSO), etc. sulfonamide solvents, alcohol solvents such as methanol, ethanol, 2-propanol, butanol, octanol, benzyl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, 2,2,2-trifluoroethanol, chloroform, methylene chloride , carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, orthodichlorobenzene, and other halogen solvents, nitromethane, water, and the like, and these may be mixed in any ratio and used. Among these, aromatic hydrocarbons and halogen solvents are preferable, and toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene, tetralin, 3,4-dimethylanisole, chlorobenzene, and orthodichlorobenzene are more preferable because they have a high boiling point and volatilize gently. .
溶媒の使用量に特に制限はなく、本発明の縮環高分子化合物(1)の濃度が、0.001~95重量パーセントであり、0.01~30重量パーセントから適宜選ばれた濃度となるように溶媒を加えることがより好ましい。 The amount of the solvent used is not particularly limited, and the concentration of the condensed ring polymer compound (1) of the present invention is 0.001 to 95% by weight, and the concentration is appropriately selected from 0.01 to 30% by weight. It is more preferable to add a solvent such as
溶解又は分散の方法は、例えば、攪拌、振盪、ボールミルなどの当該業者のよく知る方法を用いることができる。この際、加熱を行っても良い。 As the method of dissolution or dispersion, methods well known to those skilled in the art, such as stirring, shaking, and ball milling, can be used. At this time, heating may be performed.
本発明の製膜用組成物には製膜性を向上させるためのバインダーを加えてもよい。このようなバインダーとしては、例えば、ポリスチレン、ポリ-α-メチルスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリ(エチレン-コ-ノルボルネン)、ポリメチルメタクリレート、ポリトリアリールアミン、ポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-コ-ジメチルトリフェニルアミン)などのポリマーを例示することができる。該バインダーの濃度に特に制限はないが、塗布性が良い点で0.1~10.0重量パーセントが好ましい。 A binder may be added to the film-forming composition of the present invention to improve film-forming properties. Examples of such binders include polystyrene, poly-α-methylstyrene, polyvinylnaphthalene, poly(ethylene-co-norbornene), polymethylmethacrylate, polytriarylamine, poly(9,9-dioctylfluorene-co- dimethyltriphenylamine) can be exemplified. Although the concentration of the binder is not particularly limited, it is preferably 0.1 to 10.0% by weight from the viewpoint of good coatability.
次に、本発明の製膜用組成物を用いて製膜する有機薄膜(以下、「本発明の有機薄膜」と称する。)の製膜方法について説明する。 Next, a method for forming an organic thin film (hereinafter referred to as "the organic thin film of the present invention") using the film-forming composition of the present invention will be described.
本発明の製膜用組成物を用いて、本発明の有機薄膜を形成する際の方法に特に制限はなく、例えば、スピンコート、ドロップキャスト、ディップコート、キャストコートなどの簡易塗工法、ディスペンサー、インクジェット、スリットコート、ブレードコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷などの印刷法を挙げることができ、中でも効率よく製膜できる点で、スピンコート、ドロップキャスト、インクジェットが好ましい。 The method for forming the organic thin film of the present invention using the film-forming composition of the present invention is not particularly limited. Printing methods such as inkjet, slit coating, blade coating, flexographic printing, screen printing, gravure printing, and offset printing can be exemplified. Among them, spin coating, drop casting, and inkjet are preferred in terms of efficient film formation.
本発明の有機薄膜の膜厚に特に制限は無いが、キャリア移動度が高い点で1nm~1000nmが好ましく、10nm~500nmがさらに好ましい。 Although the thickness of the organic thin film of the present invention is not particularly limited, it is preferably 1 nm to 1000 nm, more preferably 10 nm to 500 nm, in terms of high carrier mobility.
本発明の有機薄膜は製膜後、溶媒を乾燥させることで得ることができる。必要に応じて、40-400℃の範囲から適宜選択された温度にてアニールを行っても良い。 The organic thin film of the present invention can be obtained by drying the solvent after forming the film. Annealing may be performed at a temperature appropriately selected from the range of 40 to 400° C., if necessary.
さらに、本発明の縮環高分子化合物を活性層に含む有機トランジスタ素子(以下、「本発明の有機トランジスタ素子」と称する)の作製方法について説明する。 Further, a method for producing an organic transistor element (hereinafter referred to as "the organic transistor element of the present invention") containing the condensed ring polymer compound of the present invention in the active layer will be described.
本発明の有機トランジスタ素子は、基板上に絶縁層及び活性層として本発明の有機薄膜を製膜し、これにソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を付設することにより得られる。 The organic transistor element of the present invention is obtained by forming the organic thin film of the present invention as an insulating layer and an active layer on a substrate, and attaching a source electrode, a drain electrode and a gate electrode thereto.
図1に、本発明の有機トランジスタ素子に含まれる素子の構造を示す。ここで、(A)は、ボトムゲート-トップコンタクト型、(B)は、ボトムゲート-ボトムコンタクト型、(C)は、トップゲート-トップコンタクト型、(D)は、トップゲート-ボトムコンタクト型のトランジスタ素子であり、1は活性層、2は基板、3はゲート電極、4はゲート絶縁層、5はソース電極、6はドレイン電極を示す。 FIG. 1 shows the structure of an element included in the organic transistor element of the present invention. Here, (A) is a bottom gate-top contact type, (B) is a bottom gate-bottom contact type, (C) is a top gate-top contact type, and (D) is a top gate-bottom contact type. 1 is an active layer, 2 is a substrate, 3 is a gate electrode, 4 is a gate insulating layer, 5 is a source electrode, and 6 is a drain electrode.
基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ(ジイソプロピルフマレート)、ポリ(ジエチルフマレート)、ポリ(ジイソプロピルマレエート)、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、セルローストリアセテートなどのプラスチック基板、ガラス、石英、酸化アルミニウム、シリコン、ハイド-プシリコン、酸化シリコン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウムスズ酸化物などの無機基板、金、銅、クロム、チタン、アルムニウムなどの金属基板などを挙げることができる。これらのうち、トランジスタ性能が良い点で、ガラス、シリコン、ハイドープシリコンが好ましく、ガラスがより好ましい。 Substrates include, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, cyclic polyolefin, polyimide, polycarbonate, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, poly(diisopropyl fumarate), poly(diethyl fumarate), poly(diisopropyl maleate), polyethersulfone, polyphenylene sulfide, cellulose triacetate plastic substrates, glass, quartz, aluminum oxide, silicon, hydrated silicon, silicon oxide, tantalum dioxide, tantalum pentoxide, indium tin Inorganic substrates such as oxides, metal substrates such as gold, copper, chromium, titanium, and aluminum can be used. Among these, glass, silicon, and highly doped silicon are preferred, and glass is more preferred, in terms of good transistor performance.
ゲート電極としては、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、ハイドープシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、クロム、チタン、タンタル、クロム、グラフェン、カーボンナノチューブなどの無機電極又はドープされた導電性高分子(PEDOT-PSS)などの有機電極などを挙げることができる。これらのうち、導電性が良い点で無機電極が好ましく、金がより好ましい。 As the gate electrode, for example, inorganic electrodes such as aluminum, gold, silver, copper, highly doped silicon, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide, chromium, titanium, tantalum, chromium, graphene, carbon nanotubes, or doped and organic electrodes such as conductive polymer (PEDOT-PSS). Among these, an inorganic electrode is preferred because of its good conductivity, and gold is more preferred.
絶縁層としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマスなどの無機絶縁層、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ(ジイソプロピルフマレート)、ポリ(ジエチルフマレート)、ポリ(ジイソプロピルマレエート)、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、セルローストリアセテート、ポリシクロペンタン、ポリシクロヘキサン-エチレン共重合体、ポリフッ素化シクロベンタン、ポリフッ素化シクロヘキサン、ポリフッ素化シクロヘキサン-エチレン共重合体、パリレンN、パリレンC、パリレンD、パリレンHT、パリレンC-UVFなどの有機絶縁層などを挙げることができる。これらのうち、絶縁性が良い点で有機絶縁層が好ましく、パリレンCがさらに好ましい。また、これらの絶縁層表面は、例えば、オクタデシルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、β-フェネチルトリクロロシラン、β-フェネチルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシランなどのシラン類、オクタデシルホスホン酸、デシルホスホン酸、オクチルホスホン酸などのホスホン酸類、ヘキサメチルジシラザンなどのアミン類で修飾処理しても良い。これらのうち、本発明の有機トランジスタ素子のキャリア移動度及び電流オン・オフ比が向上し、並びに閾値電圧の低下する点で、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、β-フェネチルトリクロロシラン、オクタデシルホスホン酸、オクチルホスホン酸、ヘキサメチルジシラザンが好ましい。 Examples of insulating layers include inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, tantalum dioxide, tantalum pentoxide, indium tin oxide, tin oxide, vanadium oxide, barium titanate, and bismuth titanate. Insulating layer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, cyclic polyolefin, polyimide, polycarbonate, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, poly(diisopropyl fumarate), poly(diethyl fumarate) , poly(diisopropyl maleate), polyethersulfone, polyphenylene sulfide, cellulose triacetate, polycyclopentane, polycyclohexane-ethylene copolymer, polyfluorinated cyclopentane, polyfluorinated cyclohexane, polyfluorinated cyclohexane-ethylene copolymer , parylene N, parylene C, parylene D, parylene HT, and parylene C-UVF. Among these, an organic insulating layer is preferred because of its good insulating properties, and parylene C is more preferred. In addition, these insulating layer surfaces are, for example, octadecyltrichlorosilane, decyltrichlorosilane, decyltrimethoxysilane, octyltrichlorosilane, octadecyltrimethoxysilane, β-phenethyltrichlorosilane, β-phenethyltrimethoxysilane, phenyltrichlorosilane, It may be modified with silanes such as phenyltrimethoxysilane, phosphonic acids such as octadecylphosphonic acid, decylphosphonic acid and octylphosphonic acid, and amines such as hexamethyldisilazane. Among these, octadecyltrichlorosilane, octyltrichlorosilane, β-phenethyltrichlorosilane, and octadecylphosphonic acid are preferred in terms of improving the carrier mobility and current on/off ratio of the organic transistor device of the present invention and lowering the threshold voltage. , octylphosphonic acid and hexamethyldisilazane are preferred.
ソース電極及びドレイン電極としては、ゲート電極で例示したものと同様の電極を例示することができる。これらのうち、導電性が良い点で無機電極が好ましく、金がさらに好ましい。また、キャリアの注入効率を上げる為に、これらの電極に表面処理材を用いて表面処理を実施することができる。このような表面処理材としては、例えば、ベンゼンチオール、ペンタフルオロベンゼンチオールなどを挙げることができる。 As the source electrode and the drain electrode, electrodes similar to those exemplified for the gate electrode can be exemplified. Among these, an inorganic electrode is preferred because of its good conductivity, and gold is more preferred. Moreover, in order to increase the efficiency of carrier injection, these electrodes can be surface-treated using a surface-treating material. Examples of such surface treatment materials include benzenethiol and pentafluorobenzenethiol.
本発明の縮環高分子化合物は、有機ELディスプレイ材料、有機半導体レーザー材料、有機薄膜太陽電池材料、フォトニック結晶材料などの電子材料などに利用することができる。また、本発明の有機トランジスタ素子は、電子ペーパー、有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイ、ICタグ(RFIDタグ)用、圧力センサーなどに利用可能である。 The condensed ring polymer compound of the present invention can be used for electronic materials such as organic EL display materials, organic semiconductor laser materials, organic thin film solar cell materials, and photonic crystal materials. Moreover, the organic transistor element of the present invention can be used for electronic paper, organic EL displays, liquid crystal displays, IC tags (RFID tags), pressure sensors, and the like.
(A):ボトムゲート-トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
(B):ボトムゲート-ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
(C):トップゲート-トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
(D):トップゲート-ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
1:縮環高分子化合物層
2:基板
3:ゲート電極
4:ゲート絶縁層
5:ソース電極
6:ドレイン電極
(A): Bottom gate-top contact organic thin film transistor (B): Bottom gate-bottom contact organic thin film transistor (C): Top gate-top contact organic thin film transistor (D): Top gate-bottom contact organic thin film transistor 1: Condensed ring polymer compound layer 2: substrate 3: gate electrode 4: gate insulating layer 5: source electrode 6: drain electrode
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.
実施例で得られた化合物は、1H-NMR測定により構造解析を行った。高分子化合物の分子量と分子量分布はGPC測定、最大吸収波長(Absλmax)、光学的バンドギャップ(Eg)、最大蛍光波長(Emλmax)、ストークスシフト(Δλmax)の値は紫外可視吸収(UV-Vis)スペクトル測定と蛍光スペクトル測定により見積もった。高分子化合物の最高被占有軌道(HOMO)はCV測定により見積もり、最低空軌道(LUMO)はEgとHOMOより決定した。3%、5%、10%重量減少温度(Td3、Td5、Td10)は熱重量分析(TGA)測定により行った。試薬類は市販品を用いた。
<NMR測定条件>
測定装置:Bruker ASCENDTM ADVANCE III HD(400MHz)
測定溶媒:重クロロホルム(CDCl3)、重塩化メチレン(CD2Cl2)、重オルトジクロロベンゼン(o-DCB-d4)
内部標準物質:テトラメチルシラン(TMS)、塩化メチレン、オルトジクロロベンゼン
<GPC測定条件>
測定装置:東ソー株式会社 高速GPC装置 HLC-8320GPC EcoSEC
カラム:TSKgel SuperMultiporeHZ-H、TSKgel SuperHZ2000
測定溶媒:THF
校正曲線:ポリスチレンスタンダード
<TGA測定条件>
測定装置:エスアイアイナノテクノロジー株式会社 示差熱熱重量同時測定装置 TG/DTA6200
測定条件:窒素雰囲気下、10℃/min
<UV-Visスペクトル測定条件>
測定装置:Hitachi-Science&Technology U-1800 UV/Vis Spectrometer
測定溶媒:塩化メチレン、オルトジクロロベンゼン
<蛍光スペクトル測定条件>
測定装置:日立ハイテクノロジーズ 分光蛍光光度計 F-2500
測定溶媒:塩化メチレン、オルトジクロロベンゼン
<CV測定条件>
測定装置:北斗電工株式会社 オートマチックポラリゼーションシステム HSV-110
作用電極:グラッシーカーボン
参照電極:Ag/AgCl
カウンター電極:白金
測定溶媒:塩化メチレン
支持電解質:テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスファート
掃引速度:100mV/s
[参考例1]
The compounds obtained in Examples were structurally analyzed by 1 H-NMR measurement. The molecular weight and molecular weight distribution of the polymer compound are measured by GPC, and the maximum absorption wavelength (Absλ max ), optical bandgap (E g ), maximum fluorescence wavelength (Emλ max ), and Stokes shift (Δλ max ) are measured by ultraviolet-visible absorption ( UV-Vis) Estimated by spectral measurement and fluorescence spectral measurement. The highest occupied molecular orbital (HOMO) of the polymer compound was estimated by CV measurement, and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) was determined from Eg and HOMO. 3%, 5%, 10% weight loss temperatures ( Td3 , Td5 , Td10 ) were measured by thermogravimetric analysis (TGA). Commercially available reagents were used.
<NMR measurement conditions>
Measuring device: Bruker ASCEND ™ ADVANCE III HD (400MHz)
Measurement solvent: deuterated chloroform (CDCl 3 ), deuterated methylene chloride (CD 2 Cl 2 ), deuterated ortho-dichlorobenzene (o-DCB-d 4 )
Internal standard substance: tetramethylsilane (TMS), methylene chloride, orthodichlorobenzene <GPC measurement conditions>
Measuring device: Tosoh Corporation high-speed GPC device HLC-8320GPC EcoSEC
Column: TSKgel SuperMultiporeHZ-H, TSKgel SuperHZ2000
Measurement solvent: THF
Calibration curve: polystyrene standard <TGA measurement conditions>
Measurement device: SII Nanotechnology Co., Ltd. Differential thermal thermogravimetric simultaneous measurement device TG/DTA6200
Measurement conditions: Nitrogen atmosphere, 10°C/min
<UV-Vis spectrum measurement conditions>
Measuring device: Hitachi-Science & Technology U-1800 UV/Vis Spectrometer
Measurement solvent: methylene chloride, ortho-dichlorobenzene <Fluorescence spectrum measurement conditions>
Measuring device: Hitachi High-Technologies spectrofluorophotometer F-2500
Measurement solvent: methylene chloride, ortho-dichlorobenzene <CV measurement conditions>
Measuring device: Hokuto Denko Co., Ltd. Automatic Polarization System HSV-110
Working electrode: glassy carbon Reference electrode: Ag/AgCl
Counter electrode: Platinum Measuring solvent: Methylene chloride
Supporting electrolyte: Tetrabutylammonium hexafluorophosphate Sweep rate: 100 mV/s
[Reference example 1]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ7.34(d,J=9.0Hz,2H),6.77(d,J=9.0Hz,2H),3.78(d,J=5.7Hz,2H),1.81-1.69(m,1H),1.49-1.06(m,40H),0.93-0.82(m,6H).
[参考例2]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.34 (d, J=9.0 Hz, 2H), 6.77 (d, J=9.0 Hz, 2H), 3.78 (d, J=5. 7Hz, 2H), 1.81-1.69 (m, 1H), 1.49-1.06 (m, 40H), 0.93-0.82 (m, 6H).
[Reference example 2]
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ7.73(d,J=8.7Hz,2H),6.85(d,J=8.7Hz,2H),3.84(d,J=5.7Hz,2H),1.84-1.71(m,1H),1.49-1.18(m,52H),0.90-0.86(m,6H).
[参考例3]
1 H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.73 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 6.85 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 3.84 (d, J = 5.7 Hz , 2H), 1.84-1.71 (m, 1H), 1.49-1.18 (m, 52H), 0.90-0.86 (m, 6H).
[Reference example 3]
1HNMR(CDCl3,400MHz)δ7.61(s,2H),7.36(d,J=8.8Hz,4H),6.96(d,J=8.8Hz,4H),3.88(d,J=5.6Hz,4H),1.86-1.74(m,2H),1.52-1.16(m,80H),0.93-0.81(m,12H).
[参考例4]
1 H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.61 (s, 2H), 7.36 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 6.96 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 3.88 (d, J = 5.6Hz, 4H), 1.86-1.74 (m, 2H), 1.52-1.16 (m, 80H), 0.93-0.81 (m, 12H) .
[Reference Example 4]
2’,5’―ジブロモ―4,4’’―ビス(2―デシルテトラデシルオキシ)p―ターフェニル(110mg,0.10mmol)と2,5―ビス(トリメチルスズ)―チエノ[3,2―b]チオフェン(47.1mg,0.10mmol)、ならびにトルエン(3mL)の混合物を凍結脱気した。この混合液に、アルゴン気流下でPd(PPh3)4(5.9mg,0.0051mmol)を加えて120℃で64時間撹拌して室温まで冷やした。この混合液をセライトを用いてろ過し、溶媒を減圧下で留去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解させたのちに再度セライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた固体を少量のクロロホルムに溶解し、ジエチルエーテルとエタノール(=9/10)に加え、生じた沈殿をろ別した。この操作を合計3回繰り返し、得られた固体を90℃で減圧乾燥することで、淡黄色固体の(11―1)を得た(110mg,quant.)。
GPC(THF)Mn=21740g/mol.Mw=41740g/mol,PDI=1.92.
1HNMR(CD2Cl2,400MHz)δ7.28(d,J=8.3Hz,4H),6.94(s,2H),6.90(d,J=8.5Hz,4H),4.04―3.70(br,4H),1.88―1.76(br,2H),1.53―1.18(br,82H),0.94―0.86(br,12H).
Td3=358℃、Td5=380℃、Td10=407℃.
Absλmax=411nm、Emλmax=489nm、Δλmax=78nm、Eg=2.67eV.
HOMO=-4.88eV、LUMO=-2.21eV.
[参考例5]
2′,5′-dibromo-4,4″-bis(2-decyltetradecyloxy)p-terphenyl (110 mg, 0.10 mmol) and 2,5 -bis(trimethyltin)-thieno[3,2 A mixture of -b]thiophene (47.1 mg, 0.10 mmol), and toluene (3 mL) was freeze degassed. Pd(PPh 3 ) 4 (5.9 mg, 0.0051 mmol) was added to this mixture under an argon stream, stirred at 120° C. for 64 hours, and cooled to room temperature. This mixture was filtered using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. After dissolving the resulting residue in chloroform, it was filtered again using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The resulting solid was dissolved in a small amount of chloroform, added to diethyl ether and ethanol (=9/10), and the resulting precipitate was separated by filtration. This operation was repeated 3 times in total, and the resulting solid was dried under reduced pressure at 90° C. to obtain pale yellow solid (11-1) (110 mg, quant.).
GPC(THF) Mn = 21740 g/mol. Mw = 41740 g/mol, PDI = 1.92.
1 H NMR (CD 2 Cl 2 , 400 MHz) δ 7.28 (d, J=8.3 Hz, 4 H), 6.94 (s, 2 H), 6.90 (d, J=8.5 Hz, 4 H), 4 .04-3.70 (br, 4H), 1.88-1.76 (br, 2H), 1.53-1.18 (br, 82H), 0.94-0.86 (br, 12H) .
Td3 = 358°C, Td5 = 380°C, Td10 = 407°C.
Absλ max =411 nm, Emλ max =489 nm, Δλ max =78 nm, E g =2.67 eV.
HOMO=-4.88 eV, LUMO=-2.21 eV.
[Reference Example 5]
2’,5’―ジブロモ―4,4’’―ビス(2―デシルテトラデシルオキシ)p―ターフェニル(242mg,0.220mmol)と2,6-ビス(トリメチルスズ)-4,8-ビス[5-(2-エチルヘキシル)-2-チエニル]ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン(200mg,0.220mmol)、ならびにトルエン(6.6mL)の混合物を凍結脱気した。この混合液にアルゴン気流下でPd(PPh3)4(14.2mg,0.0122mmol)を加えて120℃で三日間撹拌し、室温まで冷やした。この混合物をセライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた固体をクロロホルムに溶解させたのちに再度セライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた固体を少量のトルエンに溶解し、メタノールと濃塩酸の混合液に沈殿する操作を三回行ったのちに、さらにジエチルエーテルとエタノール(=9/10)に沈殿する操作を三回行った。得られた固体を減圧下で乾燥することで、オレンジ色固体の(12―1)を得た(271mg,81%)。GPC(THF)Mn=11500g/mol,Mw=23530g/mol,PDI=2.05.
1HNMR(CD2Cl2,400MHz)δ8.04―5.49(br,16H),4.20―3.62(br,4H),3.17―2.57(br,4H),2.02―1.13(br,100H),1.10―0.57(br,24H).
Td3=316℃、Td5=339℃、Td10=419℃.
Absλmax=486nm、Emλmax=495nm、Δλmax=9nm、Eg=2.48eV.
[参考例6]
2′,5′-dibromo-4,4″-bis(2-decyltetradecyloxy)p-terphenyl (242 mg, 0.220 mmol) and 2,6-bis(trimethyltin)-4,8-bis A mixture of [5-(2-ethylhexyl)-2-thienyl] benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene (200 mg, 0.220 mmol) and toluene (6.6 mL) was freeze-degassed. did. Pd(PPh 3 ) 4 (14.2 mg, 0.0122 mmol) was added to this mixed solution under an argon stream, stirred at 120° C. for three days, and cooled to room temperature. The mixture was filtered using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. After dissolving the obtained solid in chloroform, it was filtered again using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained solid was dissolved in a small amount of toluene and precipitated in a mixture of methanol and concentrated hydrochloric acid three times, and further precipitated in diethyl ether and ethanol (=9/10) three times. rice field. The obtained solid was dried under reduced pressure to obtain (12-1) as an orange solid (271 mg, 81%). GPC(THF) Mn = 11500 g/mol, Mw = 23530 g/mol, PDI = 2.05.
1 H NMR (CD 2 Cl 2 , 400 MHz) δ 8.04-5.49 (br, 16H), 4.20-3.62 (br, 4H), 3.17-2.57 (br, 4H), 2 .02-1.13 (br, 100H), 1.10-0.57 (br, 24H).
Td3 = 316°C, Td5 = 339°C, Td10 = 419°C.
Absλ max =486 nm, Emλ max =495 nm, Δλ max =9 nm, E g =2.48 eV.
[Reference Example 6]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ7.35(d,J=9.0Hz,2H),6.77(d,J=9.0Hz,2H),3.91(t,J=6.6Hz,2H),1.80-1.72(m,2H),1.49-1.19(m,34H),0.88(t,J=6.7Hz,3H).
[参考例7]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.35 (d, J=9.0 Hz, 2H), 6.77 (d, J=9.0 Hz, 2H), 3.91 (t, J=6. 6Hz, 2H), 1.80-1.72 (m, 2H), 1.49-1.19 (m, 34H), 0.88 (t, J = 6.7Hz, 3H).
[Reference Example 7]
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ7.73(d,J=8.6Hz,2H),6.88(d,J=8.6Hz,2H),3.97(t,J=6.6Hz,2H),1.81-1.74(m,2H),1.49-1.25(m,46H),0.90-0.86(m,3H).
[参考例8]
1 H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.73 (d, J = 8.6 Hz, 2H), 6.88 (d, J = 8.6 Hz, 2H), 3.97 (t, J = 6.6 Hz , 2H), 1.81-1.74 (m, 2H), 1.49-1.25 (m, 46H), 0.90-0.86 (m, 3H).
[Reference Example 8]
1HNMR(CDCl3,400MHz)δ9.61(s,2H),7.36(d,J=8.8Hz,4H),6.96(d,J=8.8Hz,4H),4.01(t,J=6.5Hz,4H),1.85-1.78(m,4H),1.51-1.26(m,68H),0.90-0.86(m,6H).
[参考例9]
1 H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 9.61 (s, 2H), 7.36 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 6.96 (d, J = 8.8 Hz, 4H), 4.01 (t, J = 6.5 Hz, 4H), 1.85-1.78 (m, 4H), 1.51-1.26 (m, 68H), 0.90-0.86 (m, 6H) .
[Reference Example 9]
2’,5’―ジブロモ―4,4’’―ビスエイコシルオキシ―p―ターフェニル(250mg,255μmol)と2,5―ビス(トリメチルスズ)―チエノ[3,2―b]チオフェン(118mg,253μmol)、ならびにトルエン(9mL)の混合物を凍結脱気した。この混合液に、アルゴン気流下でPd(PPh3)4(15.2mg,13.1μmol)を加えて120℃で70時間撹拌した。室温まで冷やした後にセライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣を再度クロロホルムに溶解させたのちにセライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた固体を少量のクロロホルムに溶解し、ジエチルエーテルとエタノール(=9/10)に沈殿する操作を3回繰り返した。得られた固体を90℃で減圧乾燥することで、淡黄色固体の(16―1)を得た(210mg,86%)。
1HNMR(o-DCB-d4,400MHz)δ7.60―7.53(br,2H),7.36―7.27(br,4H),7.06(7.02(br,2H),6.93―6.82(br,4H),4.25―3.53(br,4H),2.09―0.71(br,78H).
Absλmax=416nm、Emλmax=498nm、Δλmax=82nm.
[参考例10]
2′,5′-dibromo-4,4″-biseicosyloxy-p-terphenyl (250 mg, 255 μmol) and 2,5 -bis(trimethyltin)-thieno[3,2-b]thiophene (118 mg , 253 μmol), and toluene (9 mL) were freeze-degassed. Pd(PPh 3 ) 4 (15.2 mg, 13.1 μmol) was added to this mixed solution under an argon stream, and the mixture was stirred at 120° C. for 70 hours. After cooling to room temperature, the mixture was filtered using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The resulting residue was dissolved again in chloroform, filtered through celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The operation of dissolving the obtained solid in a small amount of chloroform and precipitating it in diethyl ether and ethanol (=9/10) was repeated three times. The obtained solid was dried under reduced pressure at 90° C. to obtain pale yellow solid (16-1) (210 mg, 86%).
1 H NMR (o-DCB-d 4 , 400 MHz) δ 7.60-7.53 (br, 2H), 7.36-7.27 (br, 4H), 7.06 (7.02 (br, 2H) , 6.93-6.82 (br, 4H), 4.25-3.53 (br, 4H), 2.09-0.71 (br, 78H).
Absλ max =416 nm, Emλ max =498 nm, Δλ max =82 nm.
[Reference Example 10]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ9.76(t,J=2.0Hz,1H),2.42(dt,J=7.4Hz,2.0Hz,2H),1.63(quint,J=7.3Hz,2H),1.34-1.25(m,32H),0.88(t,J=6.8Hz,3H).
[参考例11]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 9.76 (t, J = 2.0 Hz, 1 H), 2.42 (dt, J = 7.4 Hz, 2.0 Hz, 2 H), 1.63 (quint, J=7.3 Hz, 2H), 1.34-1.25 (m, 32H), 0.88 (t, J=6.8 Hz, 3H).
[Reference Example 11]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ6.38(t,J=7.0Hz,1H),2.09(q,J=7.3Hz,2H),1.45-1.38(m,2H),1.32-1.26(m,32H),0.88(t,J=6.8Hz,3H).
[参考例12]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 6.38 (t, J=7.0 Hz, 1 H), 2.09 (q, J=7.3 Hz, 2 H), 1.45-1.38 (m, 2H), 1.32-1.26 (m, 32H), 0.88 (t, J=6.8Hz, 3H).
[Reference Example 12]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ2.18(dt,J=7.0Hz,2.8Hz,2H),1.93(t,J=2.6Hz,1H),1.56-1.49(m,2H),1.40-1.37(m,2H),1.32-1.25(m,30H),0.88(t,J=6.8Hz,3H).
[参考例13]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 2.18 (dt, J = 7.0 Hz, 2.8 Hz, 2H), 1.93 (t, J = 2.6 Hz, 1H), 1.56-1. 49 (m, 2H), 1.40-1.37 (m, 2H), 1.32-1.25 (m, 30H), 0.88 (t, J=6.8Hz, 3H).
[Reference Example 13]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ7.40(d,J=8.4Hz,2H),7.24(d,J=8.4Hz,2H),2.38(t,J=7.2Hz,2H),1.59(pentet,J=7.4Hz,2H),1.47-1.39(m,2H),1.35-1.25(m,30H),0.88(t,J=6.8Hz,3H).
[参考例14]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.40 (d, J=8.4 Hz, 2H), 7.24 (d, J=8.4 Hz, 2H), 2.38 (t, J=7. 2Hz, 2H), 1.59 (pentet, J = 7.4Hz, 2H), 1.47-1.39 (m, 2H), 1.35-1.25 (m, 30H), 0.88 ( t, J=6.8 Hz, 3H).
[Reference Example 14]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ7.38(d,J=8.4Hz,2H),7.04(d,J=8.4Hz,2H),2.55(t,J=7.8Hz,2H),1.61-1.55(m,2H),1.29-1.25(m,36H),0.88(t,J=6.8Hz,3H).
[参考例15]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.38 (d, J=8.4 Hz, 2H), 7.04 (d, J=8.4 Hz, 2H), 2.55 (t, J=7. 8Hz, 2H), 1.61-1.55 (m, 2H), 1.29-1.25 (m, 36H), 0.88 (t, J = 6.8Hz, 3H).
[Reference Example 15]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ7.73(d,J=8.0Hz,2H),7.19(d,J=8.0Hz,2H),2.61(t,J=7.6Hz,2H),1.64-1.56(m,2H),1.33-1.25(m,48H),0.88(t,J=6.8Hz,3H).
[参考例16]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.73 (d, J=8.0 Hz, 2H), 7.19 (d, J=8.0 Hz, 2H), 2.61 (t, J=7. 6Hz, 2H), 1.64-1.56 (m, 2H), 1.33-1.25 (m, 48H), 0.88 (t, J = 6.8Hz, 3H).
[Reference Example 16]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ7.63(s,2H),7.35(d,J=8.4Hz,4H),7.23(d,J=8.0Hz,4H),2.66(t,J=8.0Hz,4H),1.67(pentet,J=7.4Hz,4H),1.39-1.26(m,72H),0.88(t,J=7.4Hz,6H).
[参考例17]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.63 (s, 2H), 7.35 (d, J = 8.4 Hz, 4H), 7.23 (d, J = 8.0 Hz, 4H), 2 .66 (t, J = 8.0 Hz, 4H), 1.67 (pentet, J = 7.4 Hz, 4H), 1.39-1.26 (m, 72H), 0.88 (t, J = 7.4Hz, 6H).
[Reference Example 17]
2’,5’―ジブロモ―4,4’’―ビス(ヘンエイコシル)p―ターフェニル(96.2mg,101μmol)と2,5―ビス(トリメチルスズ)―チエノ[3,2―b]チオフェン(47.4mg,102μmol)、ならびにトルエン(3mL)の混合物を凍結脱気した。この混合液に、アルゴン気流下でPd(PPh3)4(6.06mg,5.24μmol)を加えて120℃で88時間撹拌して室温まで冷やした。この混合液をセライトを用いてろ過し、溶媒を減圧下で留去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解させたのちに再度セライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた固体を少量のクロロホルムに溶解し、ジエチルエーテルとエタノール(=9/10)に加え、生じた沈殿をろ別した。この操作を合計3回繰り返し、得られた固体を90℃で減圧乾燥することで、淡黄色固体の(24―1)を得た(78.4mg,83%)。
1HNMR(o-DCB-d4,400MHz)δ7.61―7.51(br,2H),7.39―7.37(br,4H),7.19―7.10(br,4H),6.87(-6.78(br,2H),2.74―2.51(br,4H),1.73―1.51(br,4H),1.46―1.02(br,72H),0.92―0.77(br,6H).
Absλmax=413nm、Emλmax=497nm、Δλmax=84nm.
[参考例18]
2′,5′-dibromo-4,4″-bis(heneicosyl)p-terphenyl (96.2 mg, 101 μmol) and 2,5 -bis(trimethyltin)-thieno[3,2-b]thiophene ( 47.4 mg, 102 μmol), and toluene (3 mL) were freeze degassed. Pd(PPh 3 ) 4 (6.06 mg, 5.24 μmol) was added to this mixed solution under an argon stream, stirred at 120° C. for 88 hours, and cooled to room temperature. This mixture was filtered using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. After dissolving the resulting residue in chloroform, it was filtered again using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The resulting solid was dissolved in a small amount of chloroform, added to diethyl ether and ethanol (=9/10), and the resulting precipitate was separated by filtration. This operation was repeated three times in total, and the obtained solid was dried under reduced pressure at 90°C to obtain (24-1) as a pale yellow solid (78.4 mg, 83%).
1 H NMR (o-DCB-d 4 , 400 MHz) δ 7.61-7.51 (br, 2H), 7.39-7.37 (br, 4H), 7.19-7.10 (br, 4H) , 6.87 (-6.78 (br, 2H), 2.74-2.51 (br, 4H), 1.73-1.51 (br, 4H), 1.46-1.02 (br , 72H), 0.92-0.77 (br, 6H).
Absλ max =413 nm, Emλ max =497 nm, Δλ max =84 nm.
[Reference Example 18]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ3.45(d,J=4.8Hz,2H),1.62-1.56(m,1H),1.46-1.26(m,40H),0.93-0.82(m,6H).
[参考例19]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 3.45 (d, J = 4.8 Hz, 2H), 1.62-1.56 (m, 1H), 1.46-1.26 (m, 40H) , 0.93-0.82 (m, 6H).
[Reference Example 19]
1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ7.37(d,J=8.3Hz,2H),7.00(d,J=8.3Hz,2H),2.47(d,J=7.0Hz,2H),1.60-1.54(m,1H),1.45-1.18(m,40H),0.90-0.86(m,6H).
[参考例20]
1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.37 (d, J=8.3 Hz, 2H), 7.00 (d, J=8.3 Hz, 2H), 2.47 (d, J=7. 0Hz, 2H), 1.60-1.54 (m, 1H), 1.45-1.18 (m, 40H), 0.90-0.86 (m, 6H).
[Reference Example 20]
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ7.71(d,J=8.0Hz,2H),7.15(d,8.0Hz,2H),2.53(d,7.0Hz,2H),1.67-1.56(m,1H),1.37-1.14(m,52H),0.88(t,J=6.7Hz,6H).
[参考例21]
1 H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.71 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.15 (d, 8.0 Hz, 2H), 2.53 (d, 7.0 Hz, 2H), 1.67-1.56 (m, 1H), 1.37-1.14 (m, 52H), 0.88 (t, J=6.7Hz, 6H).
[Reference Example 21]
1HNMR(CDCl3,400MHz)δ7.64(s,2H),7.35(d,J=8.2Hz,4H),7.22(d,J=8.2Hz,4H),2.58(d,J=6.9Hz,4H),1.71-1.62(m,2H),1.38-1.17(m,80H),0.90-0.85(m,12H).
[参考例22]
1 H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 7.64 (s, 2H), 7.35 (d, J = 8.2 Hz, 4H), 7.22 (d, J = 8.2 Hz, 4H), 2.58 (d, J = 6.9Hz, 4H), 1.71-1.62 (m, 2H), 1.38-1.17 (m, 80H), 0.90-0.85 (m, 12H) .
[Reference Example 22]
2’,5’―ジブロモ―4,4’’―ビス(2―デシルテトラデシル)p―ターフェニル(147mg,139μmol)と2,5―ビス(トリメチルスズ)―チエノ[3,2―b]チオフェン(64.8mg,139μmol)、ならびにトルエン(5mL)の混合物を凍結脱気した。この混合液に、アルゴン気流下でPd(PPh3)4(8.56mg,7.41μmol)を加えて120℃で三日間撹拌して室温まで冷やした。この混合液をセライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解させたのちに再度セライトを用いてろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた固体を少量のクロロホルムに溶解し、ジエチルエーテルとエタノール(=9/10)に加え、生じた沈殿をろ別した。この操作を合計3回繰り返し、得られた固体を90℃で減圧乾燥することで、淡黄色固体の(29―1)を得た(123mg,86%)。
GPC(THF)Mn=26300g/mol,Mw=52700g/mol,PDI=2.00.
1HNMR(CD2Cl2,400MHz)δ7.54(s,2H),7.22(d,J=7.7Hz,4H),7.09(d,J=8.0Hz,4H),1.66―1.58(m,2H),1.44―1.04(m,80H),0.87―0.84(m,12H).
Absλmax=410nm、Emλmax=493nm、Δλmax=83nm.
[実施例1]
2′,5′-dibromo-4,4″-bis(2-decyltetradecyl)p-terphenyl (147 mg, 139 μmol) and 2,5 -bis(trimethyltin)-thieno[3,2-b] A mixture of thiophene (64.8 mg, 139 μmol) and toluene (5 mL) was freeze degassed. Pd(PPh 3 ) 4 (8.56 mg, 7.41 μmol) was added to this mixed solution under an argon stream, stirred at 120° C. for 3 days, and cooled to room temperature. This mixed solution was filtered using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. After dissolving the resulting residue in chloroform, it was filtered again using celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The resulting solid was dissolved in a small amount of chloroform, added to diethyl ether and ethanol (=9/10), and the resulting precipitate was separated by filtration. This operation was repeated three times in total, and the obtained solid was dried under reduced pressure at 90°C to obtain (29-1) as a pale yellow solid (123 mg, 86%).
GPC(THF) Mn = 26300 g/mol, Mw = 52700 g/mol, PDI = 2.00.
1 H NMR (CD 2 Cl 2 , 400 MHz) δ 7.54 (s, 2H), 7.22 (d, J = 7.7 Hz, 4H), 7.09 (d, J = 8.0 Hz, 4H) , 1.66-1.58 (m, 2H), 1.44-1.04 (m , 80H), 0.87-0.84 (m, 12H).
Absλ max =410 nm, Emλ max =493 nm, Δλ max =83 nm.
[Example 1]
1HNMR(CDCl3,400MHz)δ9.32-6.52(br,8H),4.81-3.26(br,4H),2.18-0.99(br,82H),0.92-0.66(br,12H).
Td3=314℃、Td5=337℃、Td10=361℃.
Absλmax=488nm、Emλmax=506nm、Δλmax=18nm、Eg=2.40eV.
HOMO=-5.24eV、LUMO=-2.88eV.
[実施例2]
1 H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ 9.32-6.52 (br, 8H), 4.81-3.26 (br, 4H), 2.18-0.99 (br, 82H), 0.92 -0.66 (br, 12H).
Td3 = 314°C, Td5 = 337°C, Td10 = 361°C.
Absλ max =488 nm, Emλ max =506 nm, Δλ max =18 nm, E g =2.40 eV.
HOMO=-5.24 eV, LUMO=-2.88 eV.
[Example 2]
Absλmax=490nm、Emλmax=547nm、Δλmax=57nm.
[実施例3]
Absλ max =490 nm, Emλ max =547 nm, Δλ max =57 nm.
[Example 3]
Absλmax=462nm、Emλmax=500nm、Δλmax=38nm.
[実施例4]
Absλ max =462 nm, Emλ max =500 nm, Δλ max =38 nm.
[Example 4]
1HNMR(CD2Cl2,400MHz)δ8.99-6.16(br,8H),4.02-2.45(br,4H),2.28-0.93(br,82),0.93-0.50(br,12H).
Absλmax=470nm、Emλmax=488nm、Δλmax=18nm.
[実施例5]
実施例1で作成した(13-1)(1mg)を、トルエン(1mL)、キシレン(1mL)、テトラリン(1mL)、ジクロロベンゼン(1mL)にそれぞれ溶解することで三種類の製膜用組成物を調製した。
[実施例4]
実施例3で調製した製膜用組成物をガラス基板上に滴下した後に、スピンコーターで有機薄膜を作成し、該薄膜を減圧下200℃で一晩乾燥させることで黄色の有機薄膜を得た。加熱減圧乾燥後に有機薄膜のひび割れなどがないことを確認した。
[実施例5]
実施例1で合成した(13-1)の0.1wt%トルエン溶液を調整し、メンブランフィルター(0.22μm)でろ過することで有機薄膜製膜用組成物を得た。
1 H NMR (CD 2 Cl 2 , 400 MHz) δ 8.99-6.16 (br, 8H), 4.02-2.45 (br, 4H), 2.28-0.93 (br, 82), 0 .93-0.50 (br, 12H).
Absλ max =470 nm, Emλ max =488 nm, Δλ max =18 nm.
[Example 5]
(13-1) (1 mg) prepared in Example 1 was dissolved in toluene (1 mL), xylene (1 mL), tetralin (1 mL), and dichlorobenzene (1 mL) to prepare three types of film-forming compositions. was prepared.
[Example 4]
After dropping the film-forming composition prepared in Example 3 onto a glass substrate, an organic thin film was formed using a spin coater, and the thin film was dried overnight at 200°C under reduced pressure to obtain a yellow organic thin film. . It was confirmed that there were no cracks in the organic thin film after drying under reduced pressure by heating.
[Example 5]
A 0.1 wt % toluene solution of (13-1) synthesized in Example 1 was prepared and filtered through a membrane filter (0.22 μm) to obtain a composition for forming an organic thin film.
次に大気下、ガラス基板上に蒸着法でアルミ電極を作成した。アルミ電極上にゲート絶縁膜としてパリレンCをCVD法により製膜したのちに、上述した溶液をドロップキャストした。これを自然乾燥し、(13-1)の有機薄膜を製膜した。 Next, an aluminum electrode was formed on a glass substrate in the air by a vapor deposition method. After forming a film of parylene C as a gate insulating film on the aluminum electrode by the CVD method, the solution described above was drop-cast. This was air-dried to form an organic thin film (13-1).
該有機薄膜にチャネル長100μm、チャネル幅500μmのシャドウマスクを置き、真空下、金を蒸着することでソース及びドレイン電極を付設し、ボトムゲート-トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ素子を作成した(ゲート電極はアルミ、ゲート絶縁層はパリレンC、ソース電極は金、ドレイン電極は金)。 A shadow mask having a channel length of 100 μm and a channel width of 500 μm was placed on the organic thin film, and gold was vapor-deposited under vacuum to attach source and drain electrodes to prepare a bottom-gate/top-contact type organic thin-film transistor element (gate electrode is aluminum, the gate insulating layer is Parylene C, the source electrode is gold, and the drain electrode is gold).
大気下、該有機トランジスタ素子を半導体パラメーターアナライザー(ケースレー製、4200-SCS)に接続し、ドレイン電圧(Vd=-50V)で、ゲート電圧(Vg)を+10~-120Vまで1V刻みで走査し、伝達特性を評価した。該有機トランジスタ素子はp型特性を示し、その正孔のキャリア移動度は1.4×10-5cm2/Vsであった。100℃で15分間アニール処理したのちの正孔のキャリア移動度は1.0×10-5cm2/Vsであり、140℃で15分間アニール処理したのちの正孔のキャリア移動度は1.5×10-5cm2/Vsであった。このことから熱処理後も半導体・電気特性が低下しないことを確認した。
Under the atmosphere, the organic transistor element was connected to a semiconductor parameter analyzer (4200-SCS manufactured by Keithley), and the drain voltage (Vd = -50 V) and the gate voltage (Vg) were scanned from +10 to -120 V in increments of 1 V, The transfer characteristics were evaluated. The organic transistor device exhibited p-type characteristics, and its hole carrier mobility was 1.4×10 −5 cm 2 /Vs. The hole carrier mobility after annealing at 100° C. for 15 minutes is 1.0×10 −5 cm 2 /Vs, and the hole carrier mobility after annealing at 140° C. for 15 minutes is 1.0×10 −5
実施例3,4で合成した(32-1)並びに(33-1)も同様の操作で有機薄膜製膜用組成物、有機薄膜、及び有機トランジスタ素子を作成した。それらの正孔のキャリア移動度は2.0×10-5cm2/Vs、並びに3.0×10-5cm2/Vs、であった。100℃で15分間アニール処理したのちの正孔のキャリア移動度は3.0×10-5cm2/Vs、並びに2.0×10-5cm2/Vs、であった。 In the same manner as for (32-1) and (33-1) synthesized in Examples 3 and 4, a composition for forming an organic thin film, an organic thin film, and an organic transistor element were prepared. Their hole carrier mobilities were 2.0×10 −5 cm 2 /Vs and 3.0×10 −5 cm 2 /Vs. After annealing at 100° C. for 15 minutes, the carrier mobilities of holes were 3.0×10 −5 cm 2 /Vs and 2.0×10 −5 cm 2 /Vs, respectively.
本発明により提供される縮環高分子化合物は、高いキャリア移動度を与えるとともに溶媒への溶解性及び耐熱性に優れることから有機トランジスタ素子に代表される半導体デバイス材料としての適用が期待される。
The condensed ring polymer compound provided by the present invention is expected to be applied as a semiconductor device material represented by an organic transistor element because it provides high carrier mobility and is excellent in solubility in solvents and heat resistance.
Claims (8)
(式中、R1は炭素数1から13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルキル基、炭素数1~13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルコキシ基又は水素原子を表す。複数のR1は同一又は相異なっていてもよい。R2は炭素数6~20のアルキル基、炭素数1~8のアルキル基で置換されていてもよいチエニル基又は水素原子を表す。nは2以上の整数を表す。mは0又は1を表す。n個のmは同一又は相異なっていてもよい。)で示される縮環高分子化合物。 General formula (1)
(In the formula, R 1 is an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, represents an alkoxy group or a hydrogen atom of 30. A plurality of R 1 may be the same or different, and R 2 may be substituted with an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. a thienyl group or a hydrogen atom, n represents an integer of 2 or more, m represents 0 or 1, and n m may be the same or different.
(式中、R1は炭素数1から13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルキル基、炭素数1から13のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数6~30のアルコキシ基又は水素原子を表す。複数のR1は同一又は相異なっていてもよい。R2は炭素数6~20のアルキル基、炭素数1~8のアルキル基で置換されていてもよいチエニル基又は水素原子を表す。nは2以上の整数を表す。mは0又は1を表す。n個のmは同一又は相異なっていてもよい。)で示される高分子前駆体に酸化剤を作用させることを特徴とする、一般式(1)
(式中、R1、R2、m及びnは前記と同じ意味を表す。)で示される縮環高分子化合物の製造方法。 general formula (2)
(wherein R 1 is an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms optionally substituted by an alkoxy group having 1 to 13 carbon atoms, represents an alkoxy group or a hydrogen atom of 30. A plurality of R 1 may be the same or different, and R 2 may be substituted with an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. represents a thienyl group or a hydrogen atom, n represents an integer of 2 or more, m represents 0 or 1, and n m may be the same or different. General formula (1), characterized by acting an agent
(wherein R 1 , R 2 , m and n have the same meanings as defined above).
A transistor device comprising the organic thin film according to claim 7 .
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| TakaakiHirano, et al.,Synthesis of soluble, air-stable fully conjugated ladder polymers,Polymer,2019年,vol.177,p.282-289,https://doi.org/10.1016/j.polymer.2019.06.014 |
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