JP7144982B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示の例示的実施形態は、基板処理装置に関する。

特許文献１は、基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されたリング状のカバー部材と、カバー部材を加熱するためのヒータとを備える基板処理装置を開示している。ヒータがカバー部材を加熱することにより、カバー部材に付着した液滴が気化するので、パーティクルの発生が抑制される。

特開２０１５－２１６２２４号公報

本開示は、基板からの液跳ねによるカバー部材への液滴の付着を抑制することが可能な基板処理装置を説明する。

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させるように構成された保持部と、基板に処理液をノズルから供給するように構成された処理液供給部と、基板の上方に配置されたカバー部と、制御部とを備える。カバー部は、保持部に保持されている基板の周縁部と対向するように当該周縁部に沿って弧状又は環状に延びるカバー部材を含む。カバー部材は、ノズルを収容可能な空間を構成するように基板の中心側に開放して切り欠かれた切欠部を含む。制御部は、ノズルの吐出口と切欠部の開口端との間の基板の周方向における離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を実行する。

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置によれば、基板からの液跳ねによるカバー部材への液滴の付着を抑制することが可能となる。

図１は、基板処理システム示す平面図である。 図２は、基板処理装置を概略的に示すブロック図である。 図３は、処理ユニットの一例を示す上面図である。 図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線断面図である。 図５は、カバー部材の一例を下方から見た斜視図である。 図６は、カバー部材の一例を内側から見た様子を示す図である。 図７は、カバー部材の動作を説明するための図である。 図８は、カバー部材の洗浄処理を説明するための図である。 図９は、処理ユニットの他の例を示す上面図である。 図１０は、カバー部材の他の例を内側から見た様子を示す図である。 図１１は、カバー部材の他の例を内側から見た様子を示す図である。 図１２は、処理ユニットの他の例を、図４と同様に切断したときの断面図である。

以下に、種々の例示的実施形態について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下、ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

［基板処理装置の構成］
続いて、図２～図６を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。基板処理装置１０は、例えば、表面Ｗａに膜（図示せず）が形成されたウエハＷ（基板）を処理対象とし、ウエハＷの周縁部Ｗｃ（周縁の近傍部分）から膜を除去する処理を行ってもよい。

ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。膜の具体例としては、例えば、ＴｉＮ膜、Ａｌ膜、タングステン膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_２膜、ポリシリコン膜、熱酸化膜（Ｔｈ－Ｏｘ）等が挙げられる。

基板処理装置１０は、図２に示されるように、処理ユニット１６と、これを制御する制御装置４とを備える。処理ユニット１６は、回転保持部２１と、送風機Ｂと、液供給部２２～２５と、カップ２６と、カバー部２７とを含む。

回転保持部２１（保持部）は、ウエハＷを保持して回転させるように構成されている。具体的には、回転保持部２１は、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、例えば真空吸着等によりウエハＷの中心部を略水平に保持した状態で、鉛直方向に沿って延びる回転軸Ａｘ周りにウエハＷを回転させる。

送風機Ｂ（気流形成部）は、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、処理ユニット１６内にダウンフローを形成するように構成されている。

液供給部２２（処理液供給部）は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも左側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの上方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに表面Ｗａ側から薬液（処理液）及びリンス液（処理液）を供給するように構成されている。液供給部２２は、薬液源２２ａと、リンス液源２２ｂと、ノズルＮ１，Ｎ２を保持するノズルユニット２２ｃと、駆動機構２２ｄとを含む。

薬液源２２ａは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、膜を溶解させるための薬液をノズルＮ１に供給する。ノズルＮ１の吐出口からは、薬液がウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに向けて吐出される。より詳しくは、図４及び図６に示されるように、ノズルＮ１の吐出口は、ウエハＷの周縁側に向いていてもよいし、ウエハＷの周方向に向いていてもよい。薬液源２２ａは、例えば、図示しない薬液タンクと、薬液タンクから薬液を圧送するポンプと、薬液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。

薬液としては、例えば、アルカリ性の薬液、酸性の薬液等が挙げられる。アルカリ性の薬液としては、例えば、ＳＣ－１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、過酸化水素水等が挙げられる。酸性の薬液としては、例えば、ＳＣ－２液（塩酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＨＦ液（フッ酸）、ＤＨＦ液（希フッ酸）、ＨＮＯ_３＋ＨＦ液（硝酸及びフッ酸の混合液）等が挙げられる。

リンス液源２２ｂは、図２に示されるように、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、薬液及び膜の溶解成分を洗い流すためのリンス液をノズルＮ２に供給する。ノズルＮ２の吐出口からは、リンス液がウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに向けて吐出される。より詳しくは、図４及び図６に示されるように、ノズルＮ２の吐出口は、ウエハＷの周縁側に向いていてもよいし、ウエハＷの周方向に向いていてもよい。リンス液源２２ｂは、例えば、図示しないリンス液タンクと、リンス液タンクからリンス液を圧送するポンプと、リンス液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。

リンス液としては、例えば純水（DIW：deionized water）等が挙げられる。

駆動機構２２ｄは、図２に示されるように、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、ノズルユニット２２ｃを水平方向（ウエハＷの径方向）に移動させる。

液供給部２３は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも右側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの上方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに表面Ｗａ側から薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２３は、薬液源２３ａと、リンス液源２３ｂと、ノズルＮ３，Ｎ４を保持するノズルユニット２３ｃと、駆動機構２３ｄとを含む。これらの構成は、液供給部２２と同様であるので、説明を省略する。

液供給部２４は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも左側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの下方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに裏面Ｗｂ側から薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２４は、薬液源２４ａと、リンス液源２４ｂと、ノズルＮ５，Ｎ６とを含む。

薬液源２４ａは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、膜を溶解させるための薬液をノズルＮ５（薬液ノズル）に供給する。そのため、ノズルＮ５からは薬液がウエハＷの裏面Ｗｂ側に吐出される。より詳しくは、図３及び図４に示されるように、ノズルＮ３の吐出口は、鉛直上方に向いていてもよい。薬液源２４ａは、例えば、図示しない薬液タンクと、薬液タンクから薬液を圧送するポンプと、薬液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。

リンス液源２４ｂ（リンス液供給部）は、図２に示されるように、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、薬液及び膜の溶解成分を洗い流すためのリンス液をノズルＮ６（リンス液供給部）に供給する。そのため、ノズルＮ６からはリンス液がウエハＷの裏面Ｗｂ側に吐出される。より詳しくは、図３及び図４に示されるように、ノズルＮ４の吐出口は、鉛直上方に向いていてもよい。リンス液源２４ｂは、例えば、図示しないリンス液タンクと、リンス液タンクからリンス液を圧送するポンプと、リンス液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。

液供給部２５は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも右側で且つウエハＷの周縁部Ｗｃの下方）において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに裏面Ｗｂ側から薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２５は、薬液源２５ａと、リンス液源２５ｂ（リンス液供給部）と、ノズルＮ７と、ノズルＮ８（リンス液供給部）とを含む。これらの構成は、液供給部２４と同様であるので、説明を省略する。

カップ２６は、液供給部２２～２５（ノズルＮ１～Ｎ８）から供給された薬液及びリンス液を受ける機能を有する。カップ２６の底壁にはそれぞれ排液管及び排気管が接続されている。カップ２６によって受け止められた液体は、排液管から処理ユニット１６の外部に排出される。一方、送風機Ｂによって形成されたダウンフローは、ウエハＷの表面Ｗａに当たるとウエハＷの中央部から周縁部Ｗｃに向けて流れ、カップ２６内に至り、排気管から処理ユニット１６の外部に排出される。

カバー部２７は、図２～図６に示されるように、回転保持部２１に保持されているウエハＷの上方に配置される。カバー部２７は、全体として環状（例えば円環状）又は弧状（例えば円弧状）を呈している。カバー部２７は、送風機Ｂによって形成されたダウンフローがウエハＷの中心部から周縁部Ｗｃに向けて流れるように整流する機能を有する。カバー部２７は、図４に示されるように、支持体２７ａと、カバー部材２７ｂと、スラスト軸受２７ｃと、駆動機構２７ｄとを含む。

支持体２７ａは、カバー部材２７ｂの外周部を下方から支持するように構成されている。支持体２７ａには、図示しない昇降機構が接続されており、回転保持部２１に対するウエハＷの搬入出の際にカバー部２７全体が上下動するように構成されていてもよい。

カバー部材２７ｂは、支持体２７ａに支持される外周部２７ｂ_１と、外周部２７ｂ_１よりも下方に突出する内周部２７ｂ_２とを含む。カバー部２７が降下してカバー部材２７ｂがウエハＷに近接した場合、内周部２７ｂ_２はウエハＷの周縁部Ｗｃに面する。内周部２７ｂ_２の下面ＳとウエハＷの表面Ｗａとの隙間Ｇは、例えば、０．５ｍｍ～３ｍｍ程度に設定されていてもよい。

ここで、隙間Ｇが小さいほど、隙間Ｇを通ってウエハＷの周縁側に向かう気流（ダウンフロー）の流速が早くなる傾向にある。当該流速が早いほど、ウエハＷに吐出された液は、気流に随伴してウエハＷの周縁の外側に向かいやすくなる。

図３～図６に示されるように、カバー部材２７ｂには、切欠部２７ｅ，２７ｆが設けられている。切欠部２７ｅ，２７ｆは、上方から見てウエハＷの中心部側に向けて開放するように内周部２７ｂ_２が切り欠かれて構成されている。切欠部２７ｅの内側には、ノズルユニット２２ｃが配置されている。すなわち、切欠部２７ｅは、ノズルユニット２２ｃ（ノズルＮ１，Ｎ２）を収容可能な空間を構成している。同様に、切欠部２７ｆの内側には、ノズルユニット２３ｃが配置されている。すなわち、切欠部２７ｆは、ノズルユニット２３ｃ（ノズルＮ３，Ｎ４）を収容可能な空間を構成している。

図３、図５及び図６に示されるように、ウエハＷの周方向において、ノズルユニット２２ｃ（ノズルＮ１，Ｎ２）と切欠部２７ｅの開口端Ｅ１との間は離間距離Ｄ１をもって離間している。離間距離Ｄ１は、後述するように適宜設定することができるが、例えば、５ｍｍ～５０ｍｍ程度に設定されていてもよい。なお、離間距離Ｄ１は、ノズルユニット２２ｃと、ノズルユニット２２ｃよりもウエハＷの回転方向下流側における切欠部２７ｅの開口端Ｅ１との間の、ウエハＷの周方向における距離であってもよい。

同様に、ウエハＷの周方向において、ノズルユニット２３ｃ（ノズルＮ３，Ｎ４）と切欠部２７ｆの開口端Ｅ２との間は離間距離Ｄ２をもって離間している。離間距離Ｄ２は、後述するように適宜設定することができるが、例えば、５ｍｍ～５０ｍｍ程度に設定されていてもよい。なお、離間距離Ｄ２は、ノズルユニット２３ｃと、ノズルユニット２３ｃよりもウエハＷの回転方向下流側における切欠部２７ｆの開口端Ｅ２との間の、ウエハＷの周方向における距離であってもよい。

スラスト軸受２７ｃは、図４に示されるように、支持体２７ａとカバー部材２７ｂの外周部２７ｂ_１との間に配置されている。スラスト軸受２７ｃは、カバー部材２７ｂを支持体２７ａに対して回転軸Ａｘ周りに回転可能に支持している。スラスト軸受２７ｃは、玉軸受であってもよいし、ころ軸受であってもよいし、すべり軸受であってもよいし、流体軸受であってもよい。

駆動機構２７ｄは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、カバー部材２７ｂを回転駆動させるように構成されている（図５の矢印Ａｒ１，Ａｒ２参照）。駆動機構２７ｄは、例えば、歯車を介してアクチュエータ（モータ等）の回転力をカバー部材２７ｂに伝達するものであってもよい。駆動機構２７ｄは、例えば、リンク機構を介してアクチュエータ（ピストン等）の往復動作を回転力に変換しつつ、当該回転力をカバー部材２７ｂに伝達するものであってもよい。駆動機構２７ｄは、例えば、磁力によってカバー部材２７ｂに回転を生じさせるものであってもよい。

［制御部の構成］
制御部１８は、図２に示されるように、機能モジュールとして、処理部１８ａ及び指示部１８ｂを含む。処理部１８ａは、各種データを処理する。処理部１８ａは、例えば、記録媒体ＲＭから読み取られることにより記憶部１９に記憶されているプログラムに基づいて、処理ユニット１６の各部を動作させるための動作信号を生成する。指示部１８ｂは、処理部１８ａにおいて生成された動作信号を当該各部に送信する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。

本実施形態では、基板処理装置１０は、一つの制御装置４を備えているが、複数の制御装置４で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１０がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置４によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置４の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４が複数のコンピュータ（回路）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４は、複数のプロセッサを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサの組み合わせによって実現されていてもよい。

［ウエハ処理方法］
続いて、上記の処理ユニット１６によってウエハＷを処理する方法について、図７及び図８を参照して説明する。まず、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウエハＷを回転保持部２１に保持させる。

次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、所定の回転数で且つ上方から見て時計回り（図３の矢印ＣＷ１参照）にウエハＷを回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２２，２４を制御して、ノズルＮ１からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させると共に、ノズルＮ５からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させる。次に、制御装置４は、液供給部２２，２４を制御して、ノズルＮ２からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させると共に、ノズルＮ６からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させる。

これらの薬液及びリンス液の供給の際、制御装置４は、駆動機構２７ｄを制御して、図７（ａ）に示されるように、離間距離Ｄ１が相対的に広くなり且つ離間距離Ｄ２が相対的に狭くなるようにカバー部材２７ｂを回転させてもよい。この場合、ノズルＮ１，Ｎ２から吐出された液体がウエハＷの表面Ｗａで液跳ねしたとしても、ノズルＮ１，Ｎ２の下流側に位置する切欠部２７ｅの開口端Ｅ１がノズルＮ１，Ｎ２から離れているので、カバー部材２７ｂに液が付着し難い。

制御装置４は、回転保持部２１を制御して、所定の回転数で且つ上方から見て反時計回り（図３の矢印ＣＷ２参照）にウエハＷを回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２３，２５を制御して、ノズルＮ３からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させると共に、ノズルＮ７からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃに薬液を供給させる。次に、制御装置４は、液供給部２３，２５を制御して、ノズルＮ４からウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させると共に、ノズルＮ８からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃにリンス液を供給させる。

これらの薬液及びリンス液の供給の際、制御装置４は、駆動機構２７ｄを制御して、図７（ｂ）に示されるように、離間距離Ｄ２が相対的に広くなり且つ離間距離Ｄ１が相対的に狭くなるようにカバー部材２７ｂを回転させてもよい。この場合、ノズルＮ３，Ｎ４から吐出された液体がウエハＷの表面Ｗａで液跳ねしたとしても、ノズルＮ３，Ｎ４の下流側に位置する切欠部２７ｆの開口端Ｅ２がノズルＮ３，Ｎ４から離れているので、カバー部材２７ｂに液が付着し難い。

その後、制御装置４は、カバー部材２７ｂにリンス液を供給させる処理を実行してもよい。具体的には、制御装置４は、ウエハＷが搬出された後に、駆動機構２７ｄを制御して、カバー部材２７ｂを回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２４，２５を制御して、ノズルＮ６，Ｎ８からリンス液をカバー部材２７ｂの下部に向けて供給させてもよい。このとき、ノズルユニット２２ｃ，２３ｃにリンス液が吐出されないよう、ノズルユニット２２ｃ，２３ｃを切欠部２７ｅ，２７ｆの外側に移動させてもよい。例えば、制御装置４は、駆動機構２２ｄを制御して、ノズルユニット２２ｃが切欠部２７ｅよりも回転保持部２１側に位置するように、径方向内側にノズルユニット２２ｃを移動させてもよい（図８参照）。同様に、制御装置４は、駆動機構２３ｄを制御して、ノズルユニット２３ｃが切欠部２７ｆよりも回転保持部２１側に位置するように、径方向内側にノズルユニット２３ｃを移動させてもよい。

［作用］
以上の実施形態では、離間距離Ｄ１，Ｄ２が任意に変更可能である。そのため、液の種類、ウエハＷの種類等によって種々に変化する液跳ねの状況に応じて、離間距離Ｄ１，Ｄ２を適切な大きさとすることで、ウエハＷから跳ねた液がカバー部材２７ｂに付着し難くなる。従って、ウエハＷからの液跳ねによるカバー部材２７ｂへの液滴の付着を抑制することが可能となる。

以上の実施形態では、制御装置４からの指示に基づき、カバー部材２７ｂが支持体２７ａに対して回転することにより、離間距離Ｄ１，Ｄ２が任意に変更される。そのため、簡易な構成で離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させることが可能となる。

以上の実施形態では、ウエハＷの処理ユニット１６からの搬出後に、回転しているカバー部材２７ｂに対してリンス液が供給されうる。この場合、仮にカバー部材２７ｂに液滴が付着したとしても、当該液滴がリンス液によって洗い流される。そのため、カバー部材２７ｂに付着した液滴が不意にウエハＷに滴下してしまうことが抑制される。また、カバー部材２７ｂに付着した液滴が乾燥後に結晶化し、パーティクルとして基板に飛散してしまうことが抑制される。

［変形例］
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

（１）図９及び図１０に示されるように、カバー部２７は、切欠部２７ｅの開口を開閉可能に構成されたシャッタ部２８を含んでいてもよい。図９及び図１０に示されるように、カバー部２７は、切欠部２７ｆの開口を開閉可能に構成されたシャッタ部２８をさらに含んでいてもよい。シャッタ部２８は、例えば、シャッタ部材２８ａと、駆動機構２８ｂとを含んでいてもよい。図９及び図１０に示されるように、カバー部２７は、切欠部２７ｆの開口を開閉可能に構成されたシャッタ部２９をさらに含んでいてもよい。シャッタ部２９は、シャッタ部２８と同様に、シャッタ部材２９ａと、駆動機構２９ｂとを含んでいてもよい。シャッタ部２９の構成は、シャッタ部２８と同様であるので、以下では主としてシャッタ部２８について説明し、シャッタ部２９の説明を省略する。

シャッタ部材２８ａは、切欠部２７ｅの開口の近傍に配置されている。シャッタ部材２８ａは、カバー部材２７ｂの周方向に沿った円弧状を呈している。シャッタ部材２８ａは、図９及び図１０に示されるように、カバー部材２７ｂの内周面側に位置していてもよい。シャッタ部材２８ａは、カバー部材２７ｂの内周部２７ｂ_２に対して入れ子状となるように取り付けられていてもよい。すなわち、シャッタ部材２８ａは、内周部２７ｂ_２に対して伸縮可能に構成されていてもよい。

駆動機構２８ｂは、シャッタ部材２８ａをカバー部材２７ｂの周方向に沿って移動させるように構成されている（図１０の矢印Ａｒ３，Ａｒ４参照）。すなわち、駆動機構２８ｂは、当該開口に対してシャッタ部材２８ａをスライド移動させることにより、切欠部２７ｅ又は切欠部２７ｆの開口を開閉するように構成されている。

カバー部材２７ｂよりもノズルユニット２２ｃ寄りにシャッタ部材２８ａが位置している場合、すなわち、シャッタ部材２８ａが切欠部２７ｅの少なくとも一部と重なり合っている場合、切欠部２７ｅの開口がシャッタ部材２８ａによって狭められる。そのため、シャッタ部材２８ａのうちノズルユニット２２ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。一方、シャッタ部材２８ａが切欠部２７ｅと重なり合っていない場合、切欠部２７ｅの開口が、シャッタ部材２８ａによって狭められず、完全に開放される。そのため、切欠部２７ｅ自身の端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。

同様に、カバー部材２７ｂよりもノズルユニット２３ｃ寄りにシャッタ部材２９ａが位置している場合、すなわち、シャッタ部材２９ａが切欠部２７ｆの少なくとも一部と重なり合っている場合、切欠部２７ｆの開口がシャッタ部材２９ａによって狭められる。そのため、シャッタ部材２９ａのうちノズルユニット２３ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。一方、シャッタ部材２９ａが切欠部２７ｆと重なり合っていない場合、切欠部２７ｆの開口が、シャッタ部材２９ａによって狭められず、完全に開放される。そのため、切欠部２７ｆ自身の端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。

変形例１によれば、簡易な構成で離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させることが可能となる。

（２）図１１に示されるように、駆動機構２８ｂは、シャッタ部材２８ａを上下動させてもよい。すなわち、シャッタ部材２８ａが降下した状態では、切欠部２７ｅの開口がシャッタ部材２８ａによって部分的に又は全体的に閉鎖される。そのため、シャッタ部材２８ａのうちノズルユニット２２ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。一方、シャッタ部材２８ａが上昇した状態では、シャッタ部材２８ａが切欠部２７ｅと重なり合わない。そのため、切欠部２７ｅの開口が、シャッタ部材２８ａによって狭められず、完全に開放される。従って、切欠部２７ｅ自身の端縁が、切欠部２７ｅの開口端Ｅ１として機能する。

駆動機構２９ｂも、駆動機構２８ｂと同様に、シャッタ部材２９ａを上下動させてもよい。すなわち、シャッタ部材２９ａが降下した状態では、切欠部２７ｆの開口がシャッタ部材２９ａによって部分的に又は全体的に閉鎖される。そのため、シャッタ部材２９ａのうちノズルユニット２３ｃ寄りの端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。一方、シャッタ部材２９ａが上昇した状態では、シャッタ部材２９ａが切欠部２７ｆと重なり合わない。そのため、切欠部２７ｆの開口が、シャッタ部材２９ａによって狭められず、完全に開放される。従って、切欠部２７ｆ自身の端縁が、切欠部２７ｆの開口端Ｅ２として機能する。

変形例２においても、簡易な構成で離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させることが可能となる。

（３）ウエハＷの表面状態（例えば、粗さ、親水性など）によっては、液跳ねが生じやすかったり生じ難かったりすることがある。すなわち、ウエハＷの表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）が大きいほど、液跳ねが生じやすくなる。ウエハＷの親水性が低いほど（ウエハＷの表面張力が小さいほど）、液跳ねが生じやすくなる。そこで、制御装置４は、ウエハＷの表面状態に応じて離間距離Ｄ１，Ｄ２を変化させるように、駆動機構２８ｂ，２９ｂを制御してもよい。この場合、液跳ねが生じやすいウエハＷが処理される際には、離間距離Ｄ１，Ｄ２が比較的大きく設定されるので、液滴のカバー部材２７ｂへの付着を抑制することが可能となる。一方、液跳ねが生じ難いウエハＷが処理される際には、離間距離Ｄ１，Ｄ２が比較的小さく設定されるので、切欠部２７ｅ，２７ｆの近傍において、隙間Ｇを通ってウエハＷの周縁側に向かう気流（ダウンフロー）の流速が比較的大きくなりやすい。そのため、ウエハＷに吐出された液をウエハＷの外方に効果的に送り出すことが可能となる。

（４）制御装置４は、ウエハＷの表面状態に応じて、上方から見たときの、ノズルＮ１～Ｎ４の吐出口が向かう方向とウエハＷの接線方向とがなす角度を調節してもよい。具体的には、液跳ねが生じやすいウエハＷの表面状態の場合、当該角度が例えば０°～３０°の範囲内であってもよい。この場合、ノズルＮ１～Ｎ４からウエハＷに吐出された液がウエハＷの外方に向かいやすくなるので、液跳ねが生じてもカバー部材２７ｂに液が付着し難くなる。一方、液跳ねが生じ難いウエハＷの表面状態の場合、当該角度が例えば０～９０°の範囲内であってもよい。この場合、ノズルＮ１～Ｎ４からウエハＷに吐出された液がウエハＷの周方向に沿って流れやすくなるので、液跳ねによる影響を低減しつつ、ウエハＷを効率的に処理することが可能となる。

（５）制御装置４は、離間距離Ｄ１，Ｄ２に応じて送風機Ｂの出力を変化させるように、送風機Ｂを制御してもよい。具体的には、離間距離Ｄ１，Ｄ２が大きいほど送風機Ｂの出力を大きくして、隙間Ｇを流れる気流の流速を早くしてもよい。この場合、切欠部２７ｅ，２７ｆが存在しても、切欠部２７ｅ，２７ｆの近傍の気流の流速が送風機Ｂによって強制的に早められる。そのため、ノズルＮ１～Ｎ４からウエハＷに吐出された液がウエハＷの外方に向かいやすくなるので、液跳ねが生じてもカバー部材２７ｂに液が付着し難くなる。一方、離間距離Ｄ１，Ｄ２が小さいほど送風機Ｂの出力を小さくして、隙間Ｇを流れる気流の流速を遅くしてもよい。この場合、送風機Ｂの出力が比較的小さくても、切欠部２７ｅ，２７ｆの近傍において、気流が適切な流速で流れる。そのため、液跳ねによる影響を低減しつつ、省エネ化を図ることが可能となる。

（６）上記の実施形態では、カバー部材２７ｂが支持体２７ａに対して回転するように構成されていたが、カバー部２７全体が回転するように構成されていてもよい。

（７）上記の実施形態では、図３に示されるように、切欠部２７ｅ，２７ｆは、内側に開口した凹部として構成されていた。すなわち、カバー部材２７ｂは円環状を呈していた。しかしながら、図９に示されるように、切欠部２７ｅ，２７ｆは、カバー部２７を完全に貫通していてもよい。すなわち、カバー部材２７ｂは円弧状を呈していてもよい。

（８）上記の実施形態では、ノズルＮ６，Ｎ８からリンス液をカバー部材２７ｂの下部に向けて供給していた。しかしながら、図１２に示されるように、ノズルユニット２２ｃ，２３ｃは、カバー部材２７ｂの下部に向かい且つ斜め上方に向かう吐出口を有するノズルＮ９を含んでおり、ノズルＮ９からカバー部材２７ｂの下部に向けてリンス液が供給されてもよい。この場合も、カバー部材２７ｂを回転させた状態で、ノズルＮ９からカバー部材２７ｂに下部に向けてリンス液が供給されてもよい。

（９）カバー部材２７ｂの内周部２７ｂ_２の厚さは、比較的肉厚（例えば、１０ｍｍ以上）に構成されていてもよい。この場合、カバー部材２７ｂによってダウンフローをより効果的に整流することが可能となる。

［例示］
例１．本開示の一つの例に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させるように構成された保持部と、基板に処理液をノズルから供給するように構成された処理液供給部と、基板の上方に配置されたカバー部と、制御部とを備える。カバー部は、保持部に保持されている基板の周縁部と面するように当該周縁部に沿って弧状又は環状に延びるカバー部材を含む。カバー部材は、ノズルを収容可能な空間を構成するように基板の中心側に開放して切り欠かれた切欠部を含む。制御部は、ノズルの吐出口と切欠部の開口端との間の基板の周方向における離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を実行する。この場合、当該離間距離を任意に変化させることが可能である。そのため、処理液の種類、基板の種類等によって種々に変化する液跳ねの状況に応じて、当該離間距離を適切な大きさとすることで、基板から跳ねた液がカバー部材に付着し難くなる。従って、基板からの液跳ねによるカバー部材への液滴の付着を抑制することが可能となる。

例２．例１の装置において、カバー部を制御する処理は、カバー部材を回転させることにより、離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を含んでいてもよい。この場合、簡易な構成で当該離間距離を変化させることが可能となる。

例３．例２の装置は、カバー部材に対してリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部をさらに備え、制御部は、保持部に基板が保持されていないときに、カバー部材を回転させつつリンス液をカバー部材に供給させるようにカバー部及びリンス液供給部を制御する処理をさらに実行してもよい。この場合、仮にカバー部材に液滴が付着したとしても、当該液滴がリンス液によって洗い流される。そのため、カバー部材に付着した液滴が不意に基板に滴下してしまうことが抑制される。また、カバー部材に付着した液滴が乾燥後に結晶化し、パーティクルとして基板に飛散してしまうことが抑制される。

例４．例１の装置において、カバー部は、切欠部の開口に対してスライド移動するように構成されたシャッタ部材を含み、カバー部を制御する処理は、シャッタ部材を移動させて切欠部の開口量を変化させることにより、離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を含んでいてもよい。この場合、簡易な構成で当該離間距離を変化させることが可能となる。

例５．例１～例４のいずれかの装置において、カバー部を制御する処理は、基板の表面状態に応じて離間距離を変化させるようにカバー部を制御する処理を含んでいてもよい。基板の表面状態（例えば、粗さ、親水性など）によっては、液跳ねが生じやすかったり生じ難かったりすることがある。しかしながら、例５の場合、基板の表面状態に応じて当該離間距離が変化するので、液跳ねが生じやすい場合であっても、液滴のカバー部材への付着を抑制することが可能となる。

例６．例１～例５のいずれかの装置は、基板とカバー部材との間の隙間を通って基板の周縁に向かう気流を形成するように構成された気流形成部をさらに備え、制御部は、隙間を通る気流の流速を離間距離に応じて変化させるように気流形成部を制御する処理をさらに実行してもよい。ところで、カバー部材の存在により、基板とカバー部材との間の隙間が狭くなり、当該隙間において気流の流速が早くなる。そのため、基板に吐出された処理液は、気流に随伴して基板の周縁の外側に向かいやすくなっている。一方、当該離間距離が大きくなるほど、基板の周縁部における気流の流速が遅くなり、基板の表面で跳ねた液がカバー部材に付着しやすい傾向にある。しかしながら、例６によれば、当該離間距離に応じて隙間を通る気流の流速が変化するので、当該離間距離が比較的大きくなっても、基板の表面で跳ねた液が基板の周縁の外側に向かいやすくなる。従って、液滴のカバー部材への付着をより抑制することが可能となる。

１…基板処理システム、４…制御装置、１０…基板処理装置、１６…処理ユニット、１８…制御部、２１…回転保持部（保持部）、２２，２３…液供給部（処理液供給部）、２４ｂ，２５ｂ…リンス液源（リンス液供給部）、２７…カバー部、２７ｂ…カバー部材、２７ｅ，２７ｆ…切欠部、２８，２９…シャッタ部、２８ａ，２９ａ…シャッタ部材、Ｂ…送風機（気流形成部）、Ｄ１，Ｄ２…離間距離、Ｎ１～Ｎ４…ノズル、Ｎ６，Ｎ８…ノズル（リンス液供給部）、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗｃ…周縁部。

Claims (5)

1. 基板を保持しつつ回転させるように構成された保持部と、
   前記基板に処理液をノズルから供給するように構成された処理液供給部と、
   前記基板の上方に配置されたカバー部と、
   制御部とを備え、
   前記カバー部は、前記保持部に保持されている前記基板の周縁部に面するように当該周縁部に沿って弧状又は環状に延びるカバー部材を含み、
   前記カバー部材は、前記ノズルを収容可能な空間を構成するように前記基板の中心側に開放して切り欠かれた切欠部を含み、
   前記制御部は、前記ノズルの吐出口と前記切欠部の開口端との間の前記基板の周方向における離間距離を変化させるように前記カバー部を制御する処理を実行し、
   前記カバー部を制御する処理は、前記カバー部材を回転させることにより、前記離間距離を変化させるように前記カバー部を制御する処理を含む、基板処理装置。
2. 前記カバー部材に対してリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部をさらに備え、
   前記制御部は、前記保持部に前記基板が保持されていないときに、前記カバー部材を回転させつつ前記リンス液を前記カバー部材に供給させるように前記カバー部及び前記リンス液供給部を制御する処理をさらに実行する、請求項１に記載の装置。
3. 基板を保持しつつ回転させるように構成された保持部と、
   前記基板に処理液をノズルから供給するように構成された処理液供給部と、
   前記基板の上方に配置されたカバー部と、
   制御部とを備え、
   前記カバー部は、前記保持部に保持されている前記基板の周縁部に面するように当該周縁部に沿って弧状又は環状に延びるカバー部材を含み、
   前記カバー部材は、前記ノズルを収容可能な空間を構成するように前記基板の中心側に開放して切り欠かれた切欠部を含み、
   前記制御部は、前記ノズルの吐出口と前記切欠部の開口端との間の前記基板の周方向における離間距離を変化させるように前記カバー部を制御する処理を実行し、
   前記カバー部は、前記切欠部の開口に対してスライド移動するように構成されたシャッタ部材を含み、
   前記カバー部を制御する処理は、前記シャッタ部材を移動させて前記切欠部の開口量を変化させることにより、前記離間距離を変化させるように前記カバー部を制御する処理を含む、基板処理装置。
4. 前記カバー部を制御する処理は、前記基板の表面状態に応じて前記離間距離を変化させるように前記カバー部を制御する処理を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の装置。
5. 前記基板と前記カバー部材との間の隙間を通って前記基板の周縁に向かう気流を形成するように構成された気流形成部をさらに備え、
   前記制御部は、前記隙間を通る気流の流速を前記離間距離に応じて変化させるように前記気流形成部を制御する処理をさらに実行する、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。

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