JP7145311B2 - 配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

Description

本開示は、配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置に関する。

従来技術の一例は、特許文献１に記載されている。

国際公開ＷＯ２０１４／１９２６８７号

本開示の配線基板は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面および前記第２面に連なる第１側面と、前記第１面および前記第１側面に開口している凹部と、を有する誘電体基板を備え、
前記第１面は、前記第１側面に沿って位置する、第１接続部および第２接続部を含み、
前記凹部は、前記第１接続部と前記第２接続部との間に位置しているとともに、前記第１接続部に連なる第１内側面と、前記第２接続部に連なる第２内側面と、前記第１内側面と前記第２内側面との間に位置する底面と、を含み、
前記第１内側面は、第１領域と、該第１領域よりも前記底面に近接して位置する第２領域と、を含み、
前記第１接続部に対する接合材の第１ぬれ性より前記第１領域に対する前記接合材の第２ぬれ性が低い構成である。

本開示の電子部品用パッケージは、基体と、
前記基体に接合された、上記の配線基板と、を備える構成である。

本開示の電子装置は、上記の電子部品用パッケージと、
前記基体に実装された、前記配線基板と電気的に接続された電子部品と、を備える構成である。

本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。

第１実施形態に係る配線基板の斜視図である。 第１実施形態に係る配線基板の平面図である。 第１実施形態に係る配線基板の部分拡大図である。 第１実施形態に係る配線基板の断面図である。 第２実施形態に係る配線基板の部分拡大図である。 第３実施形態に係る配線基板の断面図である。 第４実施形態に係る配線基板の断面図である。 第５実施形態に係る配線基板の断面図である。 第６実施形態に係る配線基板の部分拡大図である。 本開示の他の実施形態である電子部品用パッケージおよび電子装置の斜視図である。

本開示の配線基板が基礎とする構成において、携帯電話機等の普及により、電子装置では、より高速化、大容量の情報を伝送するために電気信号の高周波化がすすめられている。高周波帯での周波数特性を良好とするために、リード端子とグランド端子との間に凹部を形成した入出力端子（配線基板）が提案されている。

リード端子およびグランド端子を配線基板に接合するには、ろう材などの接合材を用いる。端子接合時などに溶融した接合材が、凹部内に流れ込むなどすると、意図しない導電体が信号配線周辺および端子周辺に存在することになる。これは、信号配線および端子の特性インピーダンスの変動などを生じさせて、高周波信号の周波数特性を低下させる。

以下、本開示の実施形態に係る配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以降の図において同一の構成については同一の参照符号を付して説明を省略する場合がある。

まず、図１乃至図４を用いて、本開示の第１実施形態に係る配線基板について説明する。配線基板１は、誘電体基板１０を備えており、誘電体基板１０は、第１面１０ａと、第１面１０ａと反対側の第２面１０ｂと、第１面１０ａおよび第２面１０ｂに連なる第１側面１０ｃと、を有し、第１面１０ａおよび第１側面１０ｃに開口している凹部１１を有している。

誘電体基板１０は、誘電体材料で構成される複数の絶縁層が積層されてなる積層体であってもよい。誘電体基板１０は、たとえば平面視において、矩形状またはＵの字形であってもよく、その他の形状であってもよい。誘電体材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料を用いることができる。

第１面１０ａには、第１側面１０ｃに沿って位置する、第１接続部としての第１端子接続部１２および第２接続部としての第２端子接続部１３を含んでいる。第１端子接続部１２は、後述の第１リード端子が接合されて電気的に接続され、第２端子接続部１３は、後述の第２リード端子が接合されて電気的に接続される。凹部１１は、第１／第２端子接続部（以下、第１および第２端子接続部を、「第１／第２端子接続部」と記す）１２，１３間に位置しており、凹部１１が形成する空間によって第１／第２端子接続部１２，１３間は電気的に絶縁されている。本実施形態では、例えば、第１リード端子は接地端子であり、第２リード端子は、信号端子である。

なお、第１面１０ａには、第１側面１０ｃに沿って、第１／第２端子接続部１２，１３が位置していればよく、第１／第２端子接続部１２，１３がそれぞれ複数ずつであってもよい。本実施形態では、第１側面１０ｃに沿って、第１端子接続部１２、第２端子接続部１３、第２端子接続部１３、第１端子接続部１２の順に位置している。隣接する第２端子接続部１３間にも凹部１１と同様に凹部（第２凹部１１ａ）が設けられていてもよい。本実施形態では、平面視において、２つの第１端子接続部１２は、第１側面１０ｃから離れる方向に延びており、互いに接続されていてもよく、それにより、接地電位が安定する。接地電位が安定することで、高周波信号の周波数特性が向上する。

第１端子接続部１２は、第１リード端子と電気的に接続するために、例えば、金属層（以下では、第１金属層という）１２ａを含んでいてもよい。第２端子接続部１３は、第２リード端子と電気的に接続するために、例えば、金属層（以下では、第２金属層という）１３ａを含んでいてもよい。第１金属層１２ａおよび第２金属層１３ａは、誘電体基板１０の第１面１０ａに形成されたメタライズ層であってもよい。メタライズ層は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、さらにニッケルめっきまたは金めっきなどが施されていてもよい。

誘電体基板１０は、絶縁層間に位置する配線導体および導体層などを含んでいてもよい。例えば、平面視において、凹部１１と重なる位置の周囲ならびに第１金属層１２ａおよび第２金属層１３ａと重なる位置に、複数の配線導体および複数の導体層などが位置していてもよい。さらにこれら複数の配線導体および複数の導体層が貫通導体等で電気的に接続されていてもよい。複数の接地配線導体および複数の接地導体層は、電気的に接続されるとともに、第１金属層１２ａと電気的に接続される。複数の信号配線導体は、第２金属層１３ａと電気的に接続される。

凹部１１は、第１端子接続部１２に連なる第１内側面１４と、第２端子接続部１３に連なる第２内側面１５と、第２面１０ｂ側の底面１６と、を含む。凹部１１は、さらに、第１内側面１４および第２内側面１５に連なる第３内側面１７を含む。凹部１１の形状は特に限定されないが、本実施形態では、第１内側面１４と第２内側面１５とが互いに平行で且つ第１面１０ａに垂直な直方体形状である。また、凹部１１は、第１内側面１４と第２内側面１５とが非平行なテーパ状、逆テーパ状などであってもよい。

凹部１１の第１内側面１４は、第１面１０ａ側の第１領域１４ａと底面１６側の第２領域１４ｂとを含む。本実施形態は、例えば、第１内側面１４が、第１領域１４ａと第２領域１４ｂとで構成されており、第１領域１４ａは、第１端子接続部１２に連なっている。第１領域１４ａは第２領域１４ｂに連なり、第２領域１４ｂは底面１６に連なっている。

本実施形態の誘電体基板１０では、第１端子接続部１２の表面に対する接合材の第１ぬれ性より第１領域１４ａの表面に対する接合材の第２ぬれ性が低いものとしている。本実施形態で用いられる接合材は、例えば、銀および銅を主成分とする銀銅ろう、または銀および銅にさらにスズを加えた低融点接合材（はんだ）などである。

ここで、ぬれ性は、ＪＩＳ Ｚ３００１－３：２００８の記載のように、溶融したろう、はんだ又はフラックスの母材面になじんでの広がり易さのことである。第１端子接続部１２の表面に対する接合材の第１ぬれ性は、溶融した液状の接合材が第１端子接続部１２の表面になじんで広がる広がり易さであり、第１領域の表面に対する接合材の第２ぬれ性は、溶融した液状の接合材が第１領域１４ａの表面になじんで広がる広がり易さである。また、融点が４５０℃以上のものがろう、融点が４５０℃未満のものがはんだである。ろうのぬれ性については、例えば、ＪＩＳ Ｚ３１９１：２００３に規定された「ぬれ試験方法」に準拠し、市販の高温ぬれ性試験機などを用いて測定することができる。はんだのぬれ性については、例えば、ＪＩＳ Ｃ６００６８－２－８３：２０１４に規定された「はんだぬれ性」に準拠し、市販のはんだぬれ性試験機などを用いて測定することができる。

第１端子接続部１２に第１リード端子を接合する場合、接合材を第１端子接続部１２上で溶融させ、第１リード端子を溶融接合材に接触させた状態で、冷却して接合材を固化させる。第１内側面１４の第１領域１４ａの接合材に対するぬれ性が第１端子接続部１２よりも低いと、溶融接合材が流れた場合であっても、第１端子接続部１２と第１領域１４ａとの境界、すなわち、ぬれ性が変化する境界で留まる。そのため、接合材が該境界を超えて第１領域１４ａ側に流れ込むことが低減される。これにより、凹部１１内に意図しない導電体（接合材）が存在することを低減し、リード端子および配線基板１内の信号配線導体の特性インピーダンスの変動を低減でき、高周波信号の周波数特性を向上させることができる。

本実施形態では、第１端子接続部１２の表面のぬれ性は、第１金属層１２ａの表面のぬれ性であり、第１領域１４ａの表面のぬれ性は、誘電体基板１０の誘電体材料、例えばセラミック材料が露出した表面のぬれ性である。なお、第１領域１４ａの表面のぬれ性が、第１端子接続部１２の表面のぬれ性より低いというぬれ性の大小関係を満たせば、第１領域１４ａの表面に誘電体材料が露出していなくてもよい。例えば、第１領域１４ａに金属またはその他の材料による層が位置し、その層の表面のぬれ性が、第１端子接続部１２の表面のぬれ性よりも低いものであればよい。なお、各表面のぬれ性の測定値などが不明な場合であっても、例えば、以下のような場合であれば、上述した効果を奏する。すなわち、第１端子接続部１２の表面が第１金属層１２ａの表面であり、第１領域１４ａの表面が、誘電体基板１０の誘電体材料が露出した表面である場合であれば、表面を構成する材料の違いによって、上述したぬれ性の大小関係を満たすこととなる。そのため、このような場合においても、溶融接合材が、第１領域１４ａ側に流れ込むことを低減することができる。

誘電体基板１０は、さらに、第１内側面１４の第２領域１４ｂを覆う接地導体層１８を有していてもよい。接地導体層１８は、例えば、第２領域１４ｂに形成されたメタライズ層であってもよい。メタライズ層は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、さらにニッケルめっきまたは金めっきなどが施されていてもよい。

第２領域１４ｂを接地導体層１８で覆うことで、第２領域１４ｂの表面は、接地導体層１８の表面となる。これにより、接地導体層１８の表面に対する接合材の第３ぬれ性より第１領域１４ａの表面に対する接合材の第２ぬれ性が低いものとなっている。接地導体層１８は、例えば、誘電体基板１０の接地配線導体または接地導体層と電気的に接続することで、接地電位をさらに安定させることができる。

本実施形態では、図４に示すように、接地導体層１８は、第２領域１４ｂを覆うとともに、さらに、底面１６を覆い、隣接する第２端子接続部１３間の第２凹部１１ａの底面をも覆っている。またさらに、本実施形態においては、上述したように、第１端子接続部１２、２つの第２端子接続部１３、第１端子接続部１２が順に並んでいる。そのため、これらの端子接続部間には、上述した凹部１１に加えて、第２凹部、もう１つの凹部（他方の凹部１１）が順に並んでいる。ここで、接地導体層１８は、他方の凹部１１にまで延びており、この他方の凹部１１の底面１６および第２領域１４ｂを覆っていてもよい。

凹部１１において、第３内側面１７は、誘電体基板１０の厚さ方向（第１面１０ａと第２面１０ｂとを結ぶ方向、より具体的には、第１面１０ａおよび第２面１０ｂに垂直な方向）に延びる溝部１９を有していてもよい。溝部１９は、平面視において、例えば、半円状である。他にも、矩形状、半楕円状等であってもよい。溝部１９の内面は、誘電体基板１０の誘電体材料が露出している。溝部１９を設けることで、第１端子接続部１２と第２端子接続部１３との間の誘電率が低くなる。誘電率が低くなることで、例えば、特性インピーダンスを変動させずに第１端子接続部１２と第２端子接続部１３との距離を小さくして、配線基板１を小型化または端子を高密度化（多ピン化）することができる。

なお、本実施形態では、溝部１９の内面は、第１内側面１４とは第３内側面１７を介して連なっており、第２内側面１５とは直接連なっている。このような構成にすることで、所望の面に金属層を設けた凹部１１の製造が容易となる。

また、本実施形態では、第１端子接続部１２は、その第１側面１０ｃ側の一部が、第２面１０ｂ側に位置する段差部２０を含んでいてもよい。例えば、第１端子接続部１２のうち、第１側面１０ｃに連なる矩形状部分２０ａが、他の部分より一段（例えば、絶縁層の一層分に相当）第２面１０ｂ側に近い位置にある。このような段差部２０を含む場合、第１金属層１２ａは、この段差部２０にも設けられてよい。すなわち、段差部２０は、矩形状部分２０ａ以外に、この矩形状部分２０ａと他の部分との間に位置する壁面部分２０ｂを有しており、第１金属層１２ａは、壁面部分２０ｂにも設けられてよい。第１端子接続部１２が段差部２０を含まない場合と、段差部２０を含む場合とを比較すると、段差部２０を含む場合に、第１端子接続部１２の面積、すなわち第１金属層１２ａの面積が、壁面部分２０ｂの分だけ大きくなるので、接地電位がさらに安定する。

なお、本実施形態では、段差部２０の形状を矩形状としているが、これに限らず、矩形状以外の多角形状または半円形状などであってもよい。このような形状の段差部であっても、壁面部分の分だけ第１端子接続部１２の面積が大きくなるので、接地電位がさらに安定する。

次に、図５を用いて、本開示の第２実施形態について説明する。本実施形態では、第２端子接続部１３は、第１側面１０ｃ側に位置する被覆層２１をさらに有する。

第２端子接続部１３に第２リード端子を接合する場合、接合材を第２端子接続部１３上で溶融させ、第２リード端子を溶融接合材に接触させた状態で、冷却して接合材を固化させる。このときに溶融接合材は、第２金属層１３ａと被覆層２１との境界で堰き止められて、溶融接合材の、第２端子接続部１３上での広がりが低減される。溶融接合材の広がりが低減されると、適度な接合材のフィレットが形成され、第２リード端子の接合力を向上させることができる。

被覆層２１は、溶融接合材を堰き止められるのであれば、材料は限定されない。被覆層２１は、誘電体基板１０の誘電体材料と同様に、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料を用いることができる。このような場合、前述のように第２端子接続部１３は、例えば、第２金属層１３ａを有しており、被覆層２１の方が、その表面に対する接合材のぬれ性が、第２金属層１３ａより低いものとなる。溶融接合材は、第２金属層１３ａと被覆層２１との境界で、ぬれ性の違いにより堰き止められる。なお、誘電体基板１０の誘電体材料と、被覆層２１の誘電体材料とは、同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。被覆層２１は、金属材料を含む、誘電体材料以外の材料であってもよい。このような場合、第２金属層１３ａと被覆層２１とのぬれ性によらず、被覆層２１の厚さを一定以上とした段差によって、溶融接合材を堰き止めればよい。すなわち、第２金属層１３ａの表面が被覆層２１の表面よりも第２面１０ｂ側に位置することで、第２端子接続部１３の表面に段差を設けることで、溶融接合材を堰き止めてもよい。

本実施形態では、被覆層２１は、縁部分の全体にわたって位置している。すなわち、縁部分のうち、第１側面１０ｃに沿う方向における全長に亘って被覆層２１が位置している。しかしながら、被覆層２１の位置は、溶融接合材を堰き止められるのであれば、縁部分の一部に位置していてもよい。例えば、縁部分の中央にのみ位置していてもよく、中央を除く両端に位置していてもよい。

図６を用いて、本開示の第３実施形態について説明する。本実施形態では、誘電体基板１０は、接地導体層１８上に位置する誘電体材料層２２をさらに有する。誘電体材料層２２は、少なくとも第２領域１４ｂに位置する接地導体層１８の表面上に位置するものであればよい。誘電体材料層２２の材料は、誘電体基板１０の誘電体材料と同様に、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料を用いることができる。

本実施形態では、誘電体材料層２２は、凹部１１の底面１６にまで延びて、接地導体層１８を被覆しており、凹部１１内においては、接地導体層１８が露出しないように誘電体材料層２２が接地導体層１８全体を被覆している。なお、誘電体材料層２２は、前述した第２凹部１１ａ内には設けられていない。

図７を用いて、本開示の第４実施形態について説明する。本実施形態では、接地導体層１８および誘電体材料層２２の設けられる位置が、第３実施形態と異なっている。具体的には、本実施形態では、接地導体層１８は、第１内側面１４全体、すなわち第１領域１４ａおよび第２領域１４ｂを覆うとともに、底面１６を覆っている。またさらに、接地導体層１８は、第２端子接続部１３間の第２凹部１１ａの底面をも覆い、反対側の凹部１１（前述の他方の凹部１1）にまで延びて、その底面１６および第１内側面１４全体をも覆っている。また、接地導体層１８は、第１端子接続部１２の第１金属層１２ａに連なっており、第１金属層１２ａと電気的に接続することで、接地電位をさらに安定させることができる。

そして、誘電体材料層２２は、凹部１１内において、接地導体層１８が露出しないように接地導体層１８全体を被覆しており、さらに、第２内側面１５にも位置している。すなわち、誘電体材料層２２は、少なくとも凹部１１の第１内側面１４、第２内側面１５および底面１６に位置している。誘電体材料層２２は、さらに第３内側面１７に位置していてもよく、凹部１１の内面全体に位置していてもよい。

本実施形態では、第１端子接続部１２の表面のぬれ性は、第１金属層１２ａの表面の第１ぬれ性であり、第１領域１４ａの表面のぬれ性は、第１領域１４ａに位置する接地導体層１８上に位置する誘電体材料層２２の表面の第２ぬれ性である。誘電体材料層２２の材料は、上記のように誘電体基板１０の誘電体材料と同様であるので、誘電体材料層２２の表面の第２ぬれ性は、誘電体基板１０の誘電体材料が露出した表面のぬれ性と同様のぬれ性である。

図８を用いて、本開示の第５実施形態について説明する。本実施形態では、誘電体材料層２２の設けられる位置が、第４実施形態と異なっている。接地導体層１８は、第４実施形態と同様に位置しており、これにより、接地電位をさらに安定させることができる。

誘電体材料層２２は、凹部１１内において、接地導体層１８のうち、第１内側面１４の第１領域１４ａに位置する部分を被覆する。本実施形態では、第１端子接続部１２の表面のぬれ性は、第１金属層１２ａの表面の第１ぬれ性であり、第１領域１４ａの表面のぬれ性は、第１領域１４ａに位置する接地導体層１８上に位置する誘電体材料層２２の表面の第２ぬれ性である。誘電体材料層２２の材料は、上記のように誘電体基板１０の誘電体材料と同様であるので、誘電体材料層２２の表面の第２ぬれ性は、誘電体基板１０の誘電体材料が露出した表面のぬれ性と同様のぬれ性である。

図９を用いて、本開示の第６実施形態について説明する。本実施形態では、配線基板１は、上記の誘電体基板１０に加えて、第１端子接続部１２に接合材を介して接合される第１リード端子３１と、第２端子接続部１３に接合材を介して接合される第２リード端子３２と、をさらに備える。前述のとおり、第１リード端子３１は接地端子であり、第２リード端子３２は信号端子である。第１リード端子３１および第２リード端子３２は、さらに外部の実装基板などに接続される。凹部１１内に接合材が流れ込んだ場合、意図しない導電体によって、高周波信号を伝送する第２リード端子３２の特性インピーダンスなどが変動してしまう。本実施形態では、上記のように凹部１１内への接合材の流れ込みを低減することで、この特性インピーダンスの変動を低減でき、高周波特性を向上させている。

以下に、配線基板１の製造例について説明する。誘電体基板１０は、たとえば複数の絶縁層が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。このとき、グリーンシートの一部に凹部１１となる切欠きが形成されている。

その後、上記のセラミックグリーンシートを積層して、圧着する。最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において焼成するとともに、切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とすることによって所望の形状からなる誘電体基板１０を作製することができる。

第１金属層１２ａ、第２金属層１３ａならびに接地導体および信号導体は、たとえば、タングステンやモリブデン、マンガン等の高融点の金属からなるメタライズ層からなる場合であれば、次のようにして形成することができる。すなわち、まず高融点の金属の粉末を有機溶剤およびバインダとともによく混ざるように練って金属ペーストを作製する。この金属ペーストを、絶縁層の上面や下面となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷する。その後、これらの金属ペーストが印刷されたセラミックグリーンシートを積層するとともに圧着し、同時焼成する。以上の工程によって、誘電体基板１０の上面および内層に、メタライズ層が第１金属層１２ａ、第２金属層１３ａならびに接地導体および信号導体として被着される。このとき、凹部１１の第１内側面１４の第１領域１４ａには、メタライズ層を形成しないようにする。また、第１金属層１２ａ、第２金属層１３ａおよび各導体層の表面には、ニッケルめっきまたは金めっきを設けてもよい。

貫通導体は、たとえば複数の絶縁層となるセラミックグリーンシートに設けられた貫通孔内に、各導体層を形成するのと同様の金属ペーストを充填し、それぞれのセラミックグリーンシートを積層するとともに圧着し、同時焼成することによって設けることができる。貫通孔は、たとえば金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工、またはレーザ光を用いた加工等の孔あけ加工によって形成することができる。金属ペーストの貫通孔への充填の際には、真空吸引等の手段を併用して金属ペーストの充填を容易なものとしてもよい。

次に、図１０を用いて、本開示の他の実施形態である電子部品用パッケージおよび電子装置を説明する。電子部品用パッケージ５０は、基体２と、基体２に接合された配線基板１と、を備える。本実施形態では、Ｕ字状の配線基板１に側壁体４を取り付けて枠状にしたものを、基体２の表面に接合している。基体２および側壁体４は、たとえば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンのような金属、あるいはこれらの金属の合金、たとえば銅－タングステン合金、銅－モリブデン合金、鉄－ニッケル－コバルト合金などを用いることができる。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、基体２および側壁体４を構成する金属部材を作製することができる。

電子装置１００は、電子部品用パッケージ５０と、電子部品３と、蓋体５と、を備えている。電子部品３は、基体２に実装されて、配線基板１と電気的に接続されている。

電子部品３は、例えば、レーザーダイオード（ＬＤ）またはフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子であってもよい。ＬＤの場合には、側壁体４に貫通孔４０を設けて該貫通孔４０に光ファイバを取り付けてもよい。蓋体５は、枠状の配線基板１および側壁体４の上端に、電子部品用パッケージ５０の内部を覆うように接合される。蓋体５は、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンのような金属、あるいはこれらの金属の合金、たとえば銅－タングステン合金、銅－モリブデン合金、鉄－ニッケル－コバルト合金などを用いることができる。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、蓋体５を構成する金属部材を作製することができる。

電子部品用パッケージ５０の内部に電子部品３を搭載し、例えば、ボンディングワイヤなどで電子部品３と配線基板１とを電気的に接続する。さらに、蓋体５で内部を密閉する。

本実施形態の電子部品用パッケージ５０および電子装置１００は、上述した周波数特性を向上させることができる配線基板１を備えるため、高周波信号を良好に伝送することができる。

以上、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、各実施形態の組み合わせおよび種々の変更等が可能である。例えば、第１実施形態の段差部２０は、他の実施形態において設けてもよく、第２実施形態の被覆層２１は、他の実施形態において設けてもよい。そして、電子部品用パッケージ５０および電子装置１００は、上述の各実施形態およびこれらを組み合わせた配線基板１のいずれを備えていてもよい。

また、上記の実施形態では、第１領域１４ａが、第１端子接続部１２に連なっている構成であるが、これに限らない。例えば、第１端子接続部１２の第１内側面１４側の縁部分に被覆層２１に相当する構成が設けられていてもよく、第１領域１４ａの第１端子接続部１２側の縁部分に接地導体層１８に相当する構成が設けられていてもよい。

さらに、上記の実施形態では、凹部１１の第１内側面１４において、第１領域１４ａと第２領域１４ｂとが連なっている構成であるが、第１領域１４ａと第２領域１４ｂとは連なっているものに限らない。第１領域１４ａと第２領域１４ｂとの間に他の領域が位置していてもよい。なお、請求の範囲に属する変更等は全て本開示の範囲内のものである。

１ 配線基板
２ 基体
３ 電子部品
４ 側壁体
５ 蓋体
１０ 誘電体基板
１０ａ 第１面
１０ｂ 第２面
１０ｃ 第１側面
１１ 凹部
１１ａ 第２凹部
１２ 第１端子接続部
１２ａ 第１金属層
１３ 第２端子接続部
１３ａ 第２金属層
１４ 第１内側面
１４ａ 第１領域
１４ｂ 第２領域
１５ 第２内側面
１６ 底面
１７ 第３内側面
１８ 接地導体層
１９ 溝部
２０ 段差部
２０ａ 矩形状部分
２０ｂ 壁面部分
２１ 被覆層
２２ 誘電体材料層
３１ 第１リード端子
３２ 第２リード端子
４０ 貫通孔
５０ 電子部品用パッケージ
１００ 電子装置

Claims (13)

1. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面および前記第２面に連なる第１側面と、前記第１面および前記第１側面に開口している凹部と、を有する誘電体基板を備え、
   前記第１面は、前記第１側面に沿って位置する、第１接続部および第２接続部を含み、
   前記凹部は、前記第１接続部と前記第２接続部との間に位置しているとともに、前記第１接続部に連なる第１内側面と、前記第２接続部に連なる第２内側面と、前記第１内側面と前記第２内側面との間に位置する底面と、を含み、
   前記第１内側面は、第１領域と、該第１領域よりも前記底面に近接して位置する第２領域と、を含み、
   前記第１接続部に対する接合材の第１ぬれ性より前記第１領域に対する前記接合材の第２ぬれ性が低い、配線基板。
2. 前記第１接続部と前記第１領域とが連なっている、請求項１記載の配線基板。
3. 前記第２ぬれ性は、前記第２領域に対する前記接合材の第３ぬれ性より低い、請求項１または２に記載の配線基板。
4. 前記第１接続部は金属層であり、
   前記第１領域は、前記誘電体基板の誘電体材料が位置している、請求項１～３のいずれか１つに記載の配線基板。
5. 前記第１接続部の前記第１側面に近接して位置する第１端部は、前記第２面に向かって凹んだ段差部を含む、請求項１～４のいずれか１つに記載の配線基板。
6. 前記第２接続部の前記第１側面に近接して位置する第２端部は、被覆層で被覆されている、請求項１～５のいずれか１つに記載の配線基板。
7. 前記凹部は、前記第１内側面および前記第２内側面に連なる第３内側面を含み、
   前記第３内側面は、前記誘電体基板の厚さ方向に延びる溝部を有する、請求項１～６のいずれか１つに記載の配線基板。
8. 前記誘電体基板は、前記第１内側面の少なくとも一部を被覆する接地導体層をさらに有する、請求項１～７のいずれか１つに記載の配線基板。
9. 前記誘電体基板は、前記接地導体層上に位置する、誘電体材料層をさらに有する、請求項８記載の配線基板。
10. 前記第１接続部に前記接合材を介して接合される第１端子と、前記第２接続部に前記接合材を介して接合される第２端子と、をさらに備える、請求項１～９のいずれか１つに記載の配線基板。
11. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面および前記第２面に連なる第１側面と、前記第１面および前記第１側面に開口している凹部と、を有する誘電体基板を備え、
    前記第１面は、前記第１側面に沿って位置する、第１接続部および第２接続部を含み、
    前記凹部は、前記第１接続部と前記第２接続部との間に位置し、前記第１接続部に連なる第１内側面と、前記第２接続部に連なる第２内側面と、前記第１内側面と前記第２内側面との間に位置する底面と、を含み、
    前記第１内側面は、第１領域と、該第１領域よりも前記底面に近接して位置する第２領域と、を含み、
    前記第１接続部は金属層を含み、前記第１接続部の表面は前記金属層の表面であり、
    前記第１領域は、前記誘電体基板の誘電体材料が位置している、配線基板。
12. 基体と、
    前記基体に接合された、請求項１～１１のいずれか１つに記載の配線基板と、を備える電子部品用パッケージ。
13. 請求項１２に記載の電子部品用パッケージと、
    前記基体に実装された、前記配線基板と電気的に接続された電子部品と、を備える電子装置。

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